JP5875420B2 - 放射線検出素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
複数の光検出部と、該複数の光検出部上に位置するシンチレータ層とを有する放射線検出素子の製造方法であって、
前記複数の光検出部と複数の凸部を有する凸領域とを備え、複数の前記凸領域がそれぞれ前記光検出部と積層方向において重なるように配列されている基板の上に、前記複数の凸領域に跨るようにシンチレータ層を形成する工程と、
シンチレータ層が形成された基板を降温し、隣り合う凸領域間と積層方向において重なる前記シンチレータ層の部分に亀裂を形成する工程と、
を有し、
前記複数の凸領域は、以下の関係を満たす放射線検出素子の製造方法を提供する。
0.6≦s/t<0.9
d<D<4.6h
ここで、
tは、凸領域における複数の凸部の配列周期
sは、凸領域における個々の凸部のシンチレータ層と接する部分の大きさ(径)
hは、凸領域における個々の凸部の高さ
dは、凸領域における隣り合う凸部間の間隔
Dは、隣り合う凸領域間の平均間隔
複数の光検出部と、該複数の光検出部上に位置するシンチレータ層とを有する放射線検出素子の製造方法であって、
複数の凸部を有する凸領域を複数備える基板の上に、複数の前記凸領域に跨るようにシンチレータ層を形成する工程と、
シンチレータ層が形成された基板を降温し、隣り合う凸領域間と積層方向において重なる前記シンチレータ層の部分に亀裂を形成する工程と、
隣り合う光検出部間に前記亀裂が重なるように、該亀裂が形成されたシンチレータ層を備える基板を、前記複数の光検出部に対向配置する工程と、
を有し、
前記複数の凸領域は、以下の関係を満たす放射線検出素子の製造方法を提供する。
0.6≦s/t<0.9
d<D<4.6h
ここで、
tは、凸領域における複数の凸部の配列周期
sは、凸領域における個々の凸部のシンチレータ層と接する部分の大きさ(径)
hは、凸領域における個々の凸部の高さ
dは、凸領域における隣り合う凸部間の間隔
Dは、隣り合う凸領域間の平均間隔
放射線検出素子であって、複数の光検出部と、複数の凸部を有する凸領域と、複数の前記凸領域に跨るように設けられたシンチレータ層と、を備え、複数の前記凸領域は、それぞれ前記光検出部と積層方向において重なるように配列され、前記シンチレータ層は、隣り合う前記凸領域間と積層方向において重なる前記シンチレータ層の部分に亀裂を有し、以下の関係を満たす放射線検出素子を提供する。
0.6≦s/t<0.9
d<D<4.6h
ここで、
tは、凸領域における複数の凸部の配列周期
sは、凸領域における個々の凸部のシンチレータ層と接する部分の大きさ(径)
hは、凸領域における個々の凸部の高さ
dは、凸領域における隣り合う凸部間の間隔
Dは、隣り合う凸領域間の平均間隔
基板10は、ガラス等で形成することが出来る。
保護層15としては、ポリイミド等の樹脂が使用できる。
下地層16は、保護層15と共に光検出層14を保護するための層であり、シンチレータ層18がCsIのようなアルカリハライド系材料で構成される場合、保護層15を超えて光検出層14へのハロゲンの拡散等による劣化を防ぐために配置するとよい。
上述の凸パターン層17を形成するプロセスによって、光検出部及びポリイミド製の保護層15が設けられたガラス基板10の上面に、複数の凸領域21を設け、上述のシンチレータ層18の形成プロセスによって、複数の凸領域21に跨るように基板全面に渡ってCsI膜を蒸着する。本比較例1では、図6(a)に示すような隣り合う凸領域21の周期が100μm、凸部上面サイズが90μm、凸部間隙が10μmで、この間隙が隣り合う光検出部の間に位置するように凸領域を形成する。つまり換言すると、各凸領域21は、1つの凸部から形成されている。尚、シンチレータ層18は、CsIとTlIの粉末を別々の蒸着ボートに投入し、CsIのボートを700℃、TlIのボートを300℃に加熱することで共蒸着を行って形成した。その他のパラメータとしては、基板温度は200℃、成膜時のArガスは5×10−3Paである。画素内に画素サイズより細かい周期を有する凸パターン層を形成していない、つまり、凸領域21内に複数の凸部を有さない本比較例1においては、上述の式1及び式2の両者を満たさないため、CsIの蒸着後、基板温度を室温以下に冷却する過程において、画素境界では亀裂が形成されず、また蒸着したCsI多結晶膜の膜剥れが見られた。
上述の実施形態の凸パターン層17を形成するプロセスによって、光検出部及びポリイミド製の保護層15が設けられたガラス基板10の上面に、レジストとしてエポキシ樹脂系のネガ型フォトレジスト、例えばSU8を塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いることにより、図4の(a)、(b)に示すような凸部20及び凸領域21を形成する。ここで、レジストとしてSU8を使用した場合には、露光量と露光後のベーク時間を調節することによって、膜厚及びサイズを制御している。Crパターンを配したマスク基板を通して露光されたレジスト部分は、65℃で1分間、さらに90℃で2分間の露光後ベークを施すことによって、レジスト部分の架橋及び定着が進行する。そして、現像液SU8 developerで非露光部分のレジストを除去することで、SU8の凸パターン層17が形成される。このとき、凸パターン層17の上面図は、図4(b)のようになっている。走査型電子顕微鏡SEM(日立製 S−5500)によって凸パターン層17の形状を観察すると、凸部20aのパターン周期t1が10μm、凸部20aの上面サイズs1が8μm、高さhが3μm、凸部20aの隙間d1が2μmの第一の凸パターン(第一の凸領域21a)と、凸部20bのパターン周期t2が5μm、凸部20bの上面サイズs2が3μm、高さhが3μm、凸部20bの隙間d2が2μm第二の凸パターン(第二の凸領域21b)が形成される。また、このとき第一の凸パターンと第二の凸パターンの平均間隔Dは5.8μmである。また、第一の凸パターンと第二の凸パターンの間隙、つまり隣り合う凸領域間の間隙が、隣り合う光検出部の間に位置していた。
上記の実施例1と同様のプロセスによって、凸部20aのパターン周期t1が10μm、凸部20aの上面サイズs1が6μm、凸の高さhが3μm、凸部20aの隙間d1が4μmの第一の凸パターン(第一の凸領域21a)と、凸部20bのパターン周期t2が5μm、凸部20bの上面サイズs2が3μm、高さhが3μm、凸部20bの隙間d2が2μm第二の凸パターン(第二の凸領域21b)を形成する。このとき、上記の実施例1と同様に図6(b)に示すような凸部20の配列パターン層が形成され、第一の凸パターンと第二の凸パターンの平均間隔Dは7.1μmである。さらに、上記の実施例1と同様のシンチレータ形成プロセスによって、CsIを蒸着し、基板温度を室温以下に冷却する。シンチレータ層の形状は、走査型電子顕微鏡SEM(日立製 S−5500)によって観察すると、画素境界に対応する部分、すなわち第一の凸パターンと第二の凸パターンとの間の部分のシンチレータに亀裂が形成している様子が確認できる。また、実施例1と同様に膜剥れは確認されなかった。したがって、画素境界に対応する部分に形成された亀裂によって、画素間のクロストークを低減することができるため、MTFが向上している。
上記の実施例1及び2と同様のプロセスによって、凸部20aのパターン周期t1が12.5μm、凸部20aの上面サイズs1が9μm、凸の高さhが3μm、凸部20aの隙間d1が3.5μmの第一の凸パターン(第一の凸領域21a)と、凸部20bのパターン周期t2が7.5μm、凸部20bの上面サイズs2が6μm、高さhが3μm、凸部20bの隙間d2が1.5μm第二の凸パターン(第二の凸領域21b)を形成する。このとき、上記の実施例1及び2と同様に図6(b)に示すような凸部20の配列パターン層が形成され、第一の凸パターンと第二の凸パターンの平均間隔Dは7.6μmである。さらに、上記の実施例1及び2と同様のシンチレータ形成プロセスによって、CsIを蒸着し、基板温度を室温以下に冷却する。シンチレータ層の形状は、走査型電子顕微鏡SEM(日立製 S−5500)によって観察すると、画素境界に対応する部分、すなわち第一の凸パターンと第二の凸パターンとの間の部分のシンチレータに亀裂が形成している様子が確認できる。また、実施例1及び2と同様に膜剥れは確認されなかった。したがって、画素境界に対応する部分に形成された亀裂によって、画素間のクロストークを低減することができるため、MTFが向上している。
上記の実施例1から3と同様のプロセスによって、凸部20aのパターン周期t1が15μm、凸部20aの上面サイズs1が10μm、凸の高さhが3μm、凸部20aの隙間d1が5μmの第一の凸パターン(第一の凸領域21a)と、凸部20bのパターン周期t2が12.5μm、凸部20bの上面サイズs2が9μm、高さhが3μm、凸部20bの隙間d2が3.5μm第二の凸パターン(第二凸領域21b)を形成する。このとき、上記の実施例1から3と同様に図6(b)に示すような凸部20の配列パターン層が形成され、第一の凸パターンと第二の凸パターンの平均間隔Dは11.2μmである。さらに、上記の実施例1から3と同様のシンチレータ形成プロセスによって、CsIを蒸着し、基板温度を室温以下に冷却する。シンチレータ層の形状は、走査型電子顕微鏡SEM(日立製 S−5500)によって観察すると、画素境界に対応する部分、すなわち第一の凸パターンと第二の凸パターンとの間の部分のシンチレータに亀裂が形成している様子が確認できる。また、実施例1から3と同様に膜剥れは確認されなかった。したがって、画素境界に対応する部分に形成された亀裂によって、画素間のクロストークを低減することができるため、MTFが向上している。
上記の実施例1から4と同様のプロセスによって、高さが3μmである単一の凸部20aからなる第一の凸パターン(ベタ膜である第一の凸領域21a)と、凸部20bのパターン周期t2が15μm、凸部20bの上面サイズs2が10μm、高さhが3μm、凸部20bの隙間d2が5μmの第二の凸パターンを形成する。このとき図6(d)に示すような凸パターン層が形成され、第一の凸パターンと第二の凸パターンの平均間隔Dは11μmである。さらに、上記の実施例1から4と同様のシンチレータ形成プロセスによって、CsIを蒸着し、基板温度を室温以下に冷却する。シンチレータ層の形状は、走査型電子顕微鏡SEM(日立製 S−5500)によって観察すると、画素境界に対応する部分、すなわち第一の凸パターンと第二の凸パターンとの間の部分のシンチレータに亀裂は確認されなかった。さらに、第一の凸領域21aに形成されたシンチレータ層は、冷却過程でシンチレータ層に印加される応力の影響で、部分的に膜剥れが確認された。そして、本比較例2においては、実施例1から4で見られたようなMTFの向上が見られなかった。
上記の実施例1から4と同様のプロセスによって、凸部20aのパターン周期t1が7.5μm、凸部20aの上面サイズs1が4μm、高さhが3μm、凸部20aの隙間d1が3.5μmの第一の凸パターン(第一の凸領域21a)と、凸部20bのパターン周期t2が10μm、凸部20bの上面サイズs2が3μm、高さhが3μm、凸部20bの隙間d2が6μmの第二の凸パターン(第二凸領域21b)を形成する。このとき図6(e)に示すような凸パターン層が形成され、第一の凸パターンと第二の凸パターンの平均間隔Dは9.6μmである。さらに、上記の実施例1から4と同様のシンチレータ形成プロセスによって、CsIを蒸着し、基板温度を室温以下に冷却する。シンチレータ層の形状は、走査型電子顕微鏡SEM(日立製 S−5500)によって観察すると、画素境界に対応する部分、すなわち第一の凸パターンと第二の凸パターンとの間の部分のシンチレータに亀裂は確認されなかった。一方、第一の凸パターン上(第一の凸領域21a内)のシンチレータ層、及び第二の凸パターン上(第二の凸領域21b内)のシンチレータ層において、部分的に亀裂が発生していることが確認された。そして、本比較例3においては、実施例1から4で見られたようなMTFの向上が見られなかった。
上記の実施例1から4と同様のプロセスによって、凸部20aのパターン周期t1が10μm、凸部20aの上面サイズs1が6μm、高さhが3μm、凸部20aの隙間d1が4μmの第一の凸パターン(第一の凸領域21a)と、凸部20bのパターン周期s2が7.5μm、凸部部20bの上面サイズs2が6μm、高さhが3μm、凸部20bの隙間d2が1.5μmの第二の凸パターン(第二の突領域21b)を形成する。このとき図6(f)に示すような凸パターン層が形成され、第一の凸パターンと第二の凸パターンの平均間隔Dは14.6μmである。さらに、上記の実施例1から4と同様のシンチレータ形成プロセスによって、CsIを蒸着し、基板温度を室温以下に冷却する。シンチレータ層の形状は、走査型電子顕微鏡SEM(日立製 S−5500)によって観察すると、画素境界に対応する部分、すなわち第一の凸パターンと第二の凸パターンとの間の部分のシンチレータに亀裂は確認されなかった。そして、本比較例4においては、実施例1から4で見られたようなMTFの向上が見られなかった。
上記の実施例1から4と同様のプロセスによって、凸部20aのパターン周期t1が12.5μm、凸部20aの上面サイズs1が9μm、高さhが3μm、凸部20aの隙間d1が3.5μmの第一の凸パターン(第一の凸領域21a)と、凸部20bのパターン周期s2が12.5μm、凸部部20bの上面サイズs2が7μm、高さhが3μm、凸部20bの隙間d2が5.5μmの第二の凸パターン(第二の突領域21b)を形成する。このとき、第一の凸パターンと第二の凸パターンの平均間隔Dは16.6μmである。さらに、上記の実施例1から4と同様のシンチレータ形成プロセスによって、CsIを蒸着し、基板温度を室温以下に冷却する。シンチレータ層の形状は、走査型電子顕微鏡SEM(日立製 S−5500)によって観察すると、画素境界に対応する部分、すなわち第一の凸パターンと第二の凸パターンとの間の部分のシンチレータに亀裂は確認されなかった。そして、本比較例5においては、実施例1から4で見られたようなMTFの向上が見られなかった。
上記の実施例1から4と同様のプロセスによって、凸部20aのパターン周期t1が15μm、凸部20aの上面サイズs1が10μm、高さhが3μm、凸部20aの隙間d1が5μmの第一の凸パターン(第一の凸領域21a)と、凸部20bのパターン周期t2が10μm、凸部20bの上面サイズs2が7.5μm、高さhが3μm、凸部20bの隙間d2が2.5μmの第二の凸パターン(第二の突領域21b)を形成する。このとき第一の凸パターンと第二の凸パターンの平均間隔Dは16.6μmである。さらに、上記の実施例1から4と同様のシンチレータ形成プロセスによって、CsIを蒸着し、基板温度を室温以下に冷却する。本比較例6においても、比較例4,5と同様に、隣り合う凸領域間の部分のシンチレータ膜にかかる応力が不十分となり、亀裂形成不良となる。
上記の実施例1で亀裂が形成されたシンチレータ層の上に酸化チタンの粉末を塗布することで、隣り合う凸領域21間の間の部分のシンチレータ層に形成された亀裂部分にも酸化チタンの粉末を充填させた。
上記の実施例2で亀裂が形成されたシンチレータ層の上にAlの反射膜を設ける。具体的には、隣り合う凸領域21間の間の部分のシンチレータ層に形成された亀裂部分にも膜厚50nmのAlを成膜する。
10 基板
14 光検出層
20 凸部
21 凸領域
18 シンチレータ層
Claims (8)
- 複数の光検出部と、該複数の光検出部上に位置するシンチレータ層とを有する放射線検出素子の製造方法であって、
前記複数の光検出部と複数の凸部を有する凸領域とを備え、複数の前記凸領域がそれぞれ前記光検出部と積層方向において重なるように配列されている基板の上に、前記複数の凸領域に跨るようにシンチレータ層を形成する工程と、
シンチレータ層が形成された基板を降温し、隣り合う凸領域間と積層方向において重なる前記シンチレータ層の部分に亀裂を形成する工程と、
を有し、
前記複数の凸領域は、以下の関係を満たすことを特徴とする放射線検出素子の製造方法。
0.6≦s/t<0.9
d<D<4.6h
ここで、
tは、凸領域における複数の凸部の配列周期
sは、凸領域における個々の凸部のシンチレータ層と接する部分の大きさ(径)
hは、凸領域における個々の凸部の高さ
dは、凸領域における隣り合う凸部間の間隔
Dは、隣り合う凸領域間の平均間隔 - 複数の光検出部と、該複数の光検出部上に位置するシンチレータ層とを有する放射線検出素子の製造方法であって、
複数の凸部を有する凸領域を複数備える基板の上に、複数の前記凸領域に跨るようにシンチレータ層を形成する工程と、
シンチレータ層が形成された基板を降温し、隣り合う凸領域間と積層方向において重なる前記シンチレータ層の部分に亀裂を形成する工程と、
隣り合う光検出部間に前記亀裂が重なるように、該亀裂が形成されたシンチレータ層を備える基板を、前記複数の光検出部に対向配置する工程と、
を有し、
前記複数の凸領域は、以下の関係を満たすことを特徴とする放射線検出素子の製造方法。
0.6≦s/t<0.9
d<D<4.6h
ここで、
tは、凸領域における複数の凸部の配列周期
sは、凸領域における個々の凸部のシンチレータ層と接する部分の大きさ(径)
hは、凸領域における個々の凸部の高さ
dは、凸領域における隣り合う凸部間の間隔
Dは、隣り合う凸領域間の平均間隔 - 前記亀裂に光を拡散する部材又は光を反射する部材を充填する工程を更に有することを特徴とする請求項1または2に記載の放射線検出素子の製造方法。
- 放射線検出素子であって、
複数の光検出部と、
複数の凸部を有する凸領域と、
複数の前記凸領域に跨るように設けられたシンチレータ層と、
を備え、
複数の前記凸領域は、それぞれ前記光検出部と積層方向において重なるように配列され、
前記シンチレータ層は、隣り合う前記凸領域間と積層方向において重なる前記シンチレータ層の部分に亀裂を有し、
以下の関係を満たすことを特徴とする放射線検出素子。
0.6≦s/t<0.9
d<D<4.6h
ここで、
tは、凸領域における複数の凸部の配列周期
sは、凸領域における個々の凸部のシンチレータ層と接する部分の大きさ(径)
hは、凸領域における個々の凸部の高さ
dは、凸領域における隣り合う凸部間の間隔
Dは、隣り合う凸領域間の平均間隔 - 前記tが1μm以上且つ15μm以下であることを特徴とする請求項4に記載の放射線検出素子。
- 前記凸領域における凸部の配列がハニカムであることを特徴とする請求項4または5に記載の放射線検出素子。
- 前記亀裂に光を拡散する部材が配置されていることを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項に記載の放射線検出素子。
- 前記亀裂に光を反射する部材が配置されていることを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項に記載の放射線検出素子。
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