JP2012218163A - Transparent conductive film, laminate, touch panel, and display - Google Patents

Transparent conductive film, laminate, touch panel, and display Download PDF

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Katsutoshi Inagaki
克敏 稲垣
Tomohiro Uesugi
智広 上杉
Takuhiro Ushino
卓浩 牛野
Nobuyasu Shinohara
宣康 篠原
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transparent conductive film excellent in light transmittance, heat resistance, and mechanical strength and a touch panel including the film.SOLUTION: The transparent conductive film has a transparent conductive membrane on at least one side of a base material. The base material contains an aromatic polyether polymer having a glass transition temperature (Tg) of 230-350°C by differential scanning calorimetry (DSC, temperature rise speed 20°C/min).

Description

本発明は、透明導電性フィルム、積層体、タッチパネルおよび表示装置に関する。   The present invention relates to a transparent conductive film, a laminate, a touch panel, and a display device.

従来、透明導電性部材としては、ガラス上に透明導電膜を形成した、いわゆる導電性ガラスが用いられてきた。
しかしながら、導電性ガラスは基材がガラスであるために可撓性および加工性等に劣り、透明導電膜の成膜が困難であり、さらには、タッチパネルの軽量化が困難であった。
Conventionally, so-called conductive glass in which a transparent conductive film is formed on glass has been used as the transparent conductive member.
However, the conductive glass is inferior in flexibility and workability because the base material is glass, it is difficult to form a transparent conductive film, and further, it is difficult to reduce the weight of the touch panel.

そのため、近年では可撓性および加工性に加えて、耐衝撃性に優れ、軽量であるなどの利点から、ポリエチレンテレフタレートフィルムやポリカーボネートをはじめとする各種のプラスチックフィルムを基材とした透明導電性フィルムが使用されている(特許文献1、2)。   Therefore, in recent years, in addition to flexibility and workability, it has excellent impact resistance and light weight, so that it is a transparent conductive film based on various plastic films including polyethylene terephthalate film and polycarbonate. Are used (Patent Documents 1 and 2).

特開2010−20473号公報JP 2010-20473 A 特開2007−308675号公報JP 2007-308675 A

しかしながら、これらのプラスチックフィルムは、耐熱性に劣っていた。そのため、該フィルム上に透明導電膜を成膜することが困難であった。
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、光透過性、耐熱性および力学的強度に優れた透明導電性フィルムを提供することを目的とする。
However, these plastic films were inferior in heat resistance. Therefore, it has been difficult to form a transparent conductive film on the film.
This invention is made | formed in view of such a problem, and it aims at providing the transparent conductive film excellent in light transmittance, heat resistance, and mechanical strength.

本発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、特定のガラス転移温度を有する芳香族ポリエーテル系重合体を含む基材から得られる透明導電性フィルムが上記課題を解決することができることを見出し、さらに、該フィルムの位相差が小さいことを見出し本発明を完成した。
すなわち、本発明は、以下の[1]〜[19]を提供するものである。
As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, the present inventors have found that a transparent conductive film obtained from a base material containing an aromatic polyether polymer having a specific glass transition temperature can solve the above problems. The present inventors have found that the film can be obtained, and further found that the retardation of the film is small, thereby completing the present invention.
That is, the present invention provides the following [1] to [19].

[1] 基材の少なくとも一方の面に透明導電膜を有する透明導電性フィルムであって、該基材が、示差走査熱量測定(DSC、昇温速度20℃/分)によるガラス転移温度(Tg)が230〜350℃である芳香族ポリエーテル系重合体を含む、透明導電性フィルム。
[2] 示差走査熱量測定(DSC、昇温速度20℃/分)によるガラス転移温度(Tg)が230〜350℃である芳香族ポリエーテル系重合体を含む基材の少なくとも一方の面に、透明導電膜を形成した後、(基材のTgマイナス20℃)以下の温度でアニール処理してなる、透明導電性フィルム。
[3] 前記透明導電膜が、酸化インジウムおよび2〜18重量%の酸化スズ(但し、透明導電膜全体を100重量%とする。)を含んでなる、[1]または[2]に記載の透明導電性フィルム。
[4] 前記透明導電膜の膜厚が20〜50nmである、[1]〜[3]のいずれかに記載の透明導電性フィルム。
[5] 基材の少なくとも一方の面に、無加熱または(基材のTgマイナス20℃)以下の温度でスパッタリングしてなる無機物層を少なくとも1層有する、[1]〜[4]のいずれかに記載の透明導電性フィルム。
[6] 前記無機物層の屈折率が1.4〜2.5である、[1]〜[5]のいずれかに記載の透明導電性フィルム。
[7] 前記無機物層の膜厚が3〜70nmである、[1]〜[6]のいずれかに記載の透明導電性フィルム。
[1] A transparent conductive film having a transparent conductive film on at least one surface of a base material, the base material having a glass transition temperature (Tg) determined by differential scanning calorimetry (DSC, heating rate 20 ° C./min). A transparent conductive film comprising an aromatic polyether polymer having a temperature of 230 to 350 ° C.
[2] On at least one surface of a substrate containing an aromatic polyether polymer having a glass transition temperature (Tg) of 230 to 350 ° C. by differential scanning calorimetry (DSC, heating rate 20 ° C./min), After forming a transparent conductive film, the transparent conductive film formed by annealing at the temperature below (Tg minus 20 degreeC of a base material).
[3] The transparent conductive film according to [1] or [2], wherein the transparent conductive film includes indium oxide and 2 to 18% by weight of tin oxide (provided that the entire transparent conductive film is 100% by weight). Transparent conductive film.
[4] The transparent conductive film according to any one of [1] to [3], wherein the film thickness of the transparent conductive film is 20 to 50 nm.
[5] Any one of [1] to [4], having at least one inorganic layer formed on at least one surface of the substrate without heating or by sputtering at a temperature of (Tg minus 20 ° C. of the substrate) or lower. The transparent conductive film described in 1.
[6] The transparent conductive film according to any one of [1] to [5], wherein the inorganic layer has a refractive index of 1.4 to 2.5.
[7] The transparent conductive film according to any one of [1] to [6], wherein the inorganic layer has a thickness of 3 to 70 nm.

[8] 前記芳香族ポリエーテル系重合体が、下記式(1)で表わされる構造単位および下記式(2)で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位(i)を有する、[1]〜[7]のいずれかに記載の透明導電性フィルム。   [8] The aromatic polyether polymer has at least one structural unit (i) selected from the group consisting of a structural unit represented by the following formula (1) and a structural unit represented by the following formula (2). , [1] to [7] The transparent conductive film according to any one of [7].

Figure 2012218163
(式(1)中、R1〜R4は、それぞれ独立に炭素数1〜12の1価の有機基を示し、a〜dは、それぞれ独立に0〜4の整数を示す。)
Figure 2012218163
(In Formula (1), R < 1 > -R < 4 > shows a C1-C12 monovalent organic group each independently, and ad shows the integer of 0-4 each independently.)

Figure 2012218163
(式(2)中、R1〜R4およびa〜dは、それぞれ独立に前記式(1)中のR1〜R4およびa〜dと同義であり、Yは、単結合、−SO2−または>C=Oを示し、R7およびR8は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数1〜12の1価の有機基またはニトロ基を示し、gおよびhは、それぞれ独立に0〜4の整数を示し、mは0または1を示す。但し、mが0の時、R7はシアノ基ではない。)
Figure 2012218163
(In Formula (2), R < 1 > -R < 4 > and ad are respectively synonymous with R < 1 > -R < 4 > and said ad in said Formula (1), Y is a single bond, -SO 2- or> C = O, R 7 and R 8 each independently represent a halogen atom, a monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms or a nitro group, and g and h each independently represent 0 to 4 represents an integer of 4 and m represents 0 or 1. However, when m is 0, R 7 is not a cyano group.

[9] 前記芳香族ポリエーテル系重合体が、さらに、下記式(3)で表わされる構造単位および下記式(4)で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位(ii)を有する、[1]〜[8]のいずれかに記載の透明導電性フィルム。   [9] The aromatic polyether polymer further includes at least one structural unit (ii) selected from the group consisting of a structural unit represented by the following formula (3) and a structural unit represented by the following formula (4): The transparent conductive film according to any one of [1] to [8].

Figure 2012218163
(式(3)中、R5およびR6は、それぞれ独立に炭素数1〜12の1価の有機基を示し、Zは、単結合、−O−、−S−、−SO2−、>C=O、−CONH−、−COO−または炭素数1〜12の2価の有機基を示し、eおよびfは、それぞれ独立に0〜4の整数を示し、nは0または1を示す。)
Figure 2012218163
(In formula (3), R 5 and R 6 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms, and Z represents a single bond, —O—, —S—, —SO 2 —, > C═O, —CONH—, —COO— or a divalent organic group having 1 to 12 carbon atoms, e and f each independently represent an integer of 0 to 4, and n represents 0 or 1 .)

Figure 2012218163
(式(4)中、R7、R8、Y、m、gおよびhは、それぞれ独立に前記式(2)中のR7、R8、Y、m、gおよびhと同義であり、R5、R6、Z、n、eおよびfは、それぞれ独立に前記式(3)中のR5、R6、Z、n、eおよびfと同義である。)
Figure 2012218163
(In the formula (4), R 7, R 8, Y, m, g and h are each R 7 in independent to the formula (2), R 8, Y , m, synonymous with g and h, R 5, R 6, Z, n, e and f are as defined each R 5 in the formula (3) independently, R 6, Z, n, e and f.)

[10] 前記芳香族ポリエーテル系重合体において、前記構造単位(i)と前記構造単位(ii)とのモル比が50:50〜100:0である、[1]〜[9]のいずれかに記載の透明導電性フィルム。
[11] 前記芳香族ポリエーテル系重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算の重量平均分子量が5,000〜500,000である、[1]〜[10]のいずれかに記載の透明導電性フィルム。
[12] 前記基材の厚み30μmにおけるJIS K7105透明度試験法による全光線透過率が85%以上である、[1]〜[11]のいずれかに記載の透明導電性フィルム。
[13] 前記基材の厚み30μmにおけるYI値(イエローインデックス)が3.0以下である、[1]〜[12]のいずれかに記載の透明導電性フィルム。
[14] 前記基材の厚み30μmにおける厚み方向の位相差(Rth)が200nm以下である、[1]〜[13]のいずれかに記載の透明導電性フィルム。
[15] 静電容量タッチパネル用である、[1]〜[14]のいずれかに記載の透明導電性フィルム。
[10] In any one of [1] to [9], in the aromatic polyether polymer, a molar ratio of the structural unit (i) to the structural unit (ii) is 50:50 to 100: 0. The transparent conductive film of crab.
[11] The aromatic polyether polymer according to any one of [1] to [10], wherein a polystyrene-reduced weight average molecular weight by gel permeation chromatography (GPC) is 5,000 to 500,000. Transparent conductive film.
[12] The transparent conductive film according to any one of [1] to [11], wherein the total light transmittance according to a JIS K7105 transparency test method at a thickness of 30 μm of the substrate is 85% or more.
[13] The transparent conductive film according to any one of [1] to [12], wherein a YI value (yellow index) at a thickness of 30 μm of the substrate is 3.0 or less.
[14] The transparent conductive film according to any one of [1] to [13], wherein a thickness direction retardation (Rth) at a thickness of 30 μm of the substrate is 200 nm or less.
[15] The transparent conductive film according to any one of [1] to [14], which is for a capacitive touch panel.

[16] [1]〜[15]のいずれかに記載の透明導電性フィルムの少なくとも一方の面に、偏光板、反射防止膜、ハードコート膜、帯電防止膜および防汚膜からなる群より選ばれる少なくとも1種の層を備えてなる積層体。
[17] [1]〜[15]のいずれかに記載の透明導電性フィルムまたは[16]に記載の積層体を含むタッチパネル。
[18] 静電容量タッチパネルである、[17]に記載のタッチパネル。
[19] [17]または[18]に記載のタッチパネルを含む、表示装置。
[16] At least one surface of the transparent conductive film according to any one of [1] to [15] is selected from the group consisting of a polarizing plate, an antireflection film, a hard coat film, an antistatic film, and an antifouling film. A laminate comprising at least one kind of layer.
[17] A touch panel comprising the transparent conductive film according to any one of [1] to [15] or the laminate according to [16].
[18] The touch panel according to [17], which is a capacitive touch panel.
[19] A display device including the touch panel according to [17] or [18].

本発明の透明導電性フィルムは、光透過性、耐熱性、耐熱着色性および力学的強度に優れ、位相差が小さい。そのため、本発明の透明導電性フィルムは、容易に製造され、タッチパネル用、特に、低反射タッチパネル用、静電容量タッチパネル用として好適に使用できる。   The transparent conductive film of the present invention is excellent in light transmittance, heat resistance, heat resistance coloring property and mechanical strength, and has a small retardation. Therefore, the transparent conductive film of the present invention is easily manufactured and can be suitably used for touch panels, particularly for low reflection touch panels and capacitive touch panels.

≪透明導電性フィルム≫
本発明の透明導電性フィルムは、基材の少なくとも一方の面に透明導電膜を有し、該基材は、示差走査熱量測定(DSC、昇温速度20℃/分)によるガラス転移温度(Tg)が230〜350℃である芳香族ポリエーテル系重合体(以下「重合体(I)」ともいう。)を含む。
また、本発明の透明導電性フィルムは、前記重合体(I)を含む基材の少なくとも一方の面に、透明導電膜を形成した後、(基材のTgマイナス20℃)以下の温度でアニール処理することで得られる。
≪Transparent conductive film≫
The transparent conductive film of the present invention has a transparent conductive film on at least one surface of a base material, and the base material has a glass transition temperature (Tg) by differential scanning calorimetry (DSC, heating rate 20 ° C./min). ) Includes an aromatic polyether polymer (hereinafter also referred to as “polymer (I)”) having a temperature of 230 to 350 ° C.
In addition, the transparent conductive film of the present invention is annealed at a temperature of (base material Tg minus 20 ° C.) or lower after forming a transparent conductive film on at least one surface of the base material containing the polymer (I). It is obtained by processing.

<基材>
本発明で用いられる基材は、前記重合体(I)を含む。
上記重合体(I)のガラス転移温度は、好ましくは240〜330℃であり、さらに好ましくは250〜300℃である。
このような重合体(I)を含んでなる基材は、特に、優れた耐熱性および耐熱着色性を有するため、タッチパネルに好適に用いられる。また、透明導電膜を成膜する際に、該基材を加熱する際の加熱可能な温度範囲が広くなるため、成膜方法が限定されず、容易に透明導電性フィルムを製造することができる。
さらに、透明導電膜が形成された前記基材は、高温((基材のTgマイナス20℃)以下の温度)でアニール処理された場合であっても、着色がなく、高い光透過性を維持することができる。
なお、本発明において、「耐熱着色性」とは、大気中、高温(230℃)で1時間程度熱処理した際の着色のしにくさをいう。
<Base material>
The base material used in the present invention contains the polymer (I).
The glass transition temperature of the polymer (I) is preferably 240 to 330 ° C, more preferably 250 to 300 ° C.
Since the base material comprising such a polymer (I) has excellent heat resistance and heat resistance coloring property, it is suitably used for a touch panel. In addition, when the transparent conductive film is formed, the temperature range at which the substrate can be heated is widened. Therefore, the film forming method is not limited, and a transparent conductive film can be easily produced. .
Further, the base material on which the transparent conductive film is formed is not colored and maintains high light transmittance even when annealed at a high temperature (temperature of Tg minus 20 ° C. or lower). can do.
In the present invention, “heat resistant colorability” refers to the difficulty of coloring when heat-treated in the atmosphere at a high temperature (230 ° C.) for about 1 hour.

前記重合体(I)は、下記式(1)で表わされる構造単位(以下「構造単位(1)」ともいう。)および下記式(2)で表わされる構造単位(以下「構造単位(2)」ともいう。)からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位(i)を有する重合体(以下「重合体(II)」ともいう。)であることが好ましい。重合体が構成単位(i)を有することで、ガラス転移温度が230〜350℃である芳香族ポリエーテル系重合体を得ることができる。このような重合体(II)は、透明性と耐熱着色性に優れるため、該重合体を含んでなる基材は、光透過性が高く、耐熱着色性に優れる。重合体(II)を含んでなる基材は、これらの優れた性質をバランスよく有するため、高温((基材のTgマイナス20℃)以下の温度)でアニール処理された場合であっても、着色がなく、高い光透過性を維持することができ、タッチパネル、特に静電容量方式のタッチパネルに好適に用いられる。   The polymer (I) includes a structural unit represented by the following formula (1) (hereinafter also referred to as “structural unit (1)”) and a structural unit represented by the following formula (2) (hereinafter referred to as “structural unit (2)”. It is preferably a polymer having at least one structural unit (i) selected from the group consisting of (also referred to as “polymer (II)” hereinafter). When the polymer has the structural unit (i), an aromatic polyether polymer having a glass transition temperature of 230 to 350 ° C. can be obtained. Since such a polymer (II) is excellent in transparency and heat-resistant colorability, a base material comprising the polymer has high light transmittance and excellent heat-resistant colorability. Since the base material comprising the polymer (II) has these excellent properties in a well-balanced manner, even if it is annealed at a high temperature (temperature below (Tg minus 20 ° C. of the base material)), There is no coloring and it can maintain high light transmittance, and it is suitably used for a touch panel, particularly a capacitive touch panel.

Figure 2012218163
Figure 2012218163

前記式(1)中、R1〜R4は、それぞれ独立に炭素数1〜12の1価の有機基を示す。a〜dは、それぞれ独立に0〜4の整数を示し、好ましくは0または1である。
炭素数1〜12の1価の有機基としては、炭素数1〜12の1価の炭化水素基、ならびに酸素原子および窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも1種の原子を含む炭素数1〜12の1価の有機基等を挙げることができる。
In said formula (1), R < 1 > -R < 4 > shows a C1-C12 monovalent organic group each independently. a to d each independently represent an integer of 0 to 4, preferably 0 or 1.
The monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms includes a monovalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms and 1 to 1 carbon atoms containing at least one atom selected from the group consisting of an oxygen atom and a nitrogen atom. And 12 monovalent organic groups.

炭素数1〜12の1価の炭化水素基としては、炭素数1〜12の直鎖または分岐鎖の炭化水素基、炭素数3〜12の脂環式炭化水素基および炭素数6〜12の芳香族炭化水素基等が挙げられる。   Examples of the monovalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms include a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, and 6 to 12 carbon atoms. An aromatic hydrocarbon group etc. are mentioned.

前記炭素数1〜12の直鎖または分岐鎖の炭化水素基としては、炭素数1〜8の直鎖または分岐鎖の炭化水素基が好ましく、炭素数1〜5の直鎖または分岐鎖の炭化水素基がより好ましい。   The linear or branched hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms is preferably a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, and the linear or branched carbon group having 1 to 5 carbon atoms. A hydrogen group is more preferable.

前記直鎖または分岐鎖の炭化水素基の好適な具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基およびn−ヘプチル基等が挙げられる。   Preferable specific examples of the linear or branched hydrocarbon group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, and n-pentyl. Group, n-hexyl group, n-heptyl group and the like.

前記炭素数3〜12の脂環式炭化水素基としては、炭素数3〜8の脂環式炭化水素基が好ましく、炭素数3または4の脂環式炭化水素基がより好ましい。   As said C3-C12 alicyclic hydrocarbon group, a C3-C8 alicyclic hydrocarbon group is preferable, and a C3-C4 alicyclic hydrocarbon group is more preferable.

炭素数3〜12の脂環式炭化水素基の好適な具体例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基およびシクロへキシル基等のシクロアルキル基;シクロブテニル基、シクロペンテニル基およびシクロヘキセニル基等のシクロアルケニル基が挙げられる。当該脂環式炭化水素基の結合部位は、脂環上のいずれの炭素でもよい。   Preferable specific examples of the alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms include cycloalkyl groups such as cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, and cyclohexyl group; cyclobutenyl group, cyclopentenyl group, and cyclohexenyl group. And the like. The bonding site of the alicyclic hydrocarbon group may be any carbon on the alicyclic ring.

前記炭素数6〜12の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ビフェニル基およびナフチル基等が挙げられる。当該芳香族炭化水素基の結合部位は、芳香族環上のいずれの炭素でもよい。   Examples of the aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 carbon atoms include a phenyl group, a biphenyl group, and a naphthyl group. The bonding site of the aromatic hydrocarbon group may be any carbon on the aromatic ring.

酸素原子を含む炭素数1〜12の有機基としては、水素原子、炭素原子および酸素原子からなる有機基が挙げられ、中でも、エーテル結合、カルボニル基またはエステル結合と炭化水素基とからなる総炭素数1〜12の有機基等を好ましく挙げることができる。   Examples of the organic group having 1 to 12 carbon atoms including an oxygen atom include an organic group consisting of a hydrogen atom, a carbon atom and an oxygen atom, and among them, a total carbon consisting of an ether bond, a carbonyl group or an ester bond and a hydrocarbon group. Preferable examples include organic groups of formulas 1 to 12.

エーテル結合を有する総炭素数1〜12の有機基としては、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数2〜12のアルケニルオキシ基、炭素数2〜12のアルキニルオキシ基、炭素数6〜12のアリールオキシ基および炭素数1〜12のアルコキシアルキル基などを挙げることができる。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、フェノキシ基、プロペニルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基およびメトキシメチル基等が挙げられる。   Examples of the organic group having 1 to 12 carbon atoms having an ether bond include an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an alkenyloxy group having 2 to 12 carbon atoms, an alkynyloxy group having 2 to 12 carbon atoms, and 6 to 12 carbon atoms. And an aryloxy group having 1 to 12 carbon atoms and the like. Specific examples include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropyloxy group, a butoxy group, a phenoxy group, a propenyloxy group, a cyclohexyloxy group, and a methoxymethyl group.

また、カルボニル基を有する総炭素数1〜12の有機基としては、炭素数2〜12のアシル基等を挙げることができる。具体的には、アセチル基、プロピオニル基、イソプロピオニル基およびベンゾイル基等が挙げられる。
エステル結合を有する総炭素数1〜12の有機基としては、炭素数2〜12のアシルオキシ基等が挙げられる。具体的には、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、イソプロピオニルオキシ基およびベンゾイルオキシ基等が挙げられる。
Moreover, as a C1-C12 organic group which has a carbonyl group, a C2-C12 acyl group etc. can be mentioned. Specific examples include an acetyl group, a propionyl group, an isopropionyl group, and a benzoyl group.
As a C1-C12 organic group which has an ester bond, a C2-C12 acyloxy group etc. are mentioned. Specific examples include an acetyloxy group, a propionyloxy group, an isopropionyloxy group, and a benzoyloxy group.

窒素原子を含む炭素数1〜12の有機基としては、水素原子、炭素原子および窒素原子からなる有機基が挙げられ、具体的には、シアノ基、イミダゾール基、トリアゾール基、ベンズイミダゾール基およびベンズトリアゾール基等が挙げられる。   Examples of the organic group having 1 to 12 carbon atoms including a nitrogen atom include an organic group consisting of a hydrogen atom, a carbon atom and a nitrogen atom, and specifically, a cyano group, an imidazole group, a triazole group, a benzimidazole group and a benzine. A triazole group etc. are mentioned.

酸素原子および窒素原子を含む炭素数1〜12の有機基としては、水素原子、炭素原子、酸素原子および窒素原子からなる有機基が挙げられ、具体的には、オキサゾール基、オキサジアゾール基、ベンズオキサゾール基およびベンズオキサジアゾール基等が挙げられる。   Examples of the organic group having 1 to 12 carbon atoms including an oxygen atom and a nitrogen atom include an organic group consisting of a hydrogen atom, a carbon atom, an oxygen atom and a nitrogen atom. Specifically, an oxazole group, an oxadiazole group, Examples include a benzoxazole group and a benzoxadiazole group.

前記式(1)におけるR1〜R4としては、炭素数1〜12の1価の炭化水素基が好ましく、炭素数6〜12の芳香族炭化水素基がより好ましく、フェニル基がさらに好ましい。 As R < 1 > -R < 4 > in said Formula (1), a C1-C12 monovalent hydrocarbon group is preferable, a C6-C12 aromatic hydrocarbon group is more preferable, and a phenyl group is further more preferable.

Figure 2012218163
Figure 2012218163

前記式(2)中、R1〜R4およびa〜dは、それぞれ独立に前記式(1)中のR1〜R4およびa〜dと同義であり、Yは、単結合、−SO2−または>C=Oを示し、R7およびR8は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数1〜12の1価の有機基またはニトロ基を示し、mは、0または1を示す。但し、mが0の時、R7はシアノ基ではない。gおよびhは、それぞれ独立に0〜4の整数を示し、好ましくは0である。
炭素数1〜12の1価の有機基としては、前記式(1)における炭素数1〜12の1価の有機基と同様の有機基等を挙げることができる。
In the formula (2), R 1 to R 4 and a~d are the same as R 1 to R 4 and a~d each independently the formula (1), Y represents a single bond, -SO 2- or> C = O, R 7 and R 8 each independently represents a halogen atom, a monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms or a nitro group, and m represents 0 or 1. However, when m is 0, R 7 is not a cyano group. g and h each independently represent an integer of 0 to 4, preferably 0.
Examples of the monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms include the same organic groups as the monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms in the formula (1).

前記重合体(II)は、上記構造単位(1)と上記構造単位(2)とのモル比(但し、両者(構造単位(1)+構造単位(2))の合計は100である。)が、光学特性、耐熱性および力学的特性の観点から構造単位(1):構造単位(2)=50:50〜100:0であることが好ましく、構造単位(1):構造単位(2)=70:30〜100:0であることがより好ましく、構造単位(1):構造単位(2)=80:20〜100:0であることがさらに好ましい。
ここで、力学的特性とは、重合体の引張強度、破断伸びおよび引張弾性率等の性質のことをいう。
The polymer (II) has a molar ratio of the structural unit (1) to the structural unit (2) (however, the sum of the structural unit (1) and the structural unit (2) is 100). However, from the viewpoint of optical properties, heat resistance and mechanical properties, it is preferable that the structural unit (1): structural unit (2) = 50: 50 to 100: 0, and the structural unit (1): structural unit (2). = 70: 30 to 100: 0 is more preferable, and structural unit (1): structural unit (2) is more preferably 80:20 to 100: 0.
Here, the mechanical properties refer to properties such as the tensile strength, breaking elongation and tensile elastic modulus of the polymer.

また、前記重合体(II)は、さらに、下記式(3)で表わされる構造単位、および下記式(4)で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位(ii)を有してもよい。前記重合体(II)がこのような構造単位(ii)を有すると、該重合体(II)を有する基材の力学的特性が向上するため好ましい。   The polymer (II) further has at least one structural unit (ii) selected from the group consisting of a structural unit represented by the following formula (3) and a structural unit represented by the following formula (4). May be. It is preferable that the polymer (II) has such a structural unit (ii) because the mechanical properties of the substrate having the polymer (II) are improved.

Figure 2012218163
Figure 2012218163

前記式(3)中、R5およびR6は、それぞれ独立に炭素数1〜12の1価の有機基を示し、Zは、単結合、−O−、−S−、−SO2−、>C=O、−CONH−、−COO−または炭素数1〜12の2価の有機基を示し、nは、0または1を示す。eおよびfは、それぞれ独立に0〜4の整数を示し、好ましくは0である。
炭素数1〜12の1価の有機基としては、前記式(1)における炭素数1〜12の1価の有機基と同様の有機基等を挙げることができる。
In the formula (3), R 5 and R 6 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms, Z represents a single bond, —O—, —S—, —SO 2 —, > C═O, —CONH—, —COO— or a divalent organic group having 1 to 12 carbon atoms, and n represents 0 or 1. e and f each independently represent an integer of 0 to 4, preferably 0.
Examples of the monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms include the same organic groups as the monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms in the formula (1).

炭素数1〜12の2価の有機基としては、炭素数1〜12の2価の炭化水素基、炭素数1〜12の2価のハロゲン化炭化水素基、酸素原子および窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも1種の原子を含む炭素数1〜12の2価の有機基、ならびに酸素原子および窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも1種の原子を含む炭素数1〜12の2価のハロゲン化有機基等を挙げることができる。   The divalent organic group having 1 to 12 carbon atoms includes a divalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, a divalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, an oxygen atom, and a nitrogen atom. A divalent organic group having 1 to 12 carbon atoms containing at least one atom selected from the above, and a divalent organic group having 1 to 12 carbon atoms containing at least one atom selected from the group consisting of an oxygen atom and a nitrogen atom. And halogenated organic groups.

炭素数1〜12の2価の炭化水素基としては、炭素数1〜12の直鎖または分岐鎖の2価の炭化水素基、炭素数3〜12の2価の脂環式炭化水素基および炭素数6〜12の2価の芳香族炭化水素基等が挙げられる。   Examples of the divalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms include a linear or branched divalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, a divalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, and Examples thereof include a bivalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 carbon atoms.

炭素数1〜12の直鎖または分岐鎖の2価の炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、イソプロピリデン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基およびヘプタメチレン基等が挙げられる。   Examples of the linear or branched divalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms include a methylene group, an ethylene group, a trimethylene group, an isopropylidene group, a pentamethylene group, a hexamethylene group, and a heptamethylene group.

炭素数3〜12の2価の脂環式炭化水素基としては、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基およびシクロへキシレン基等のシクロアルキレン基;シクロブテニレン基、シクロペンテニレン基およびシクロヘキセニレン基等のシクロアルケニレン基などが挙げられる。   Examples of the divalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms include cycloalkylene groups such as cyclopropylene group, cyclobutylene group, cyclopentylene group and cyclohexylene group; cyclobutenylene group, cyclopentenylene group and And cycloalkenylene groups such as a cyclohexenylene group.

炭素数6〜12の2価の芳香族炭化水素基としては、フェニレン基、ナフチレン基およびビフェニレン基等が挙げられる。   Examples of the divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 carbon atoms include a phenylene group, a naphthylene group, and a biphenylene group.

炭素数1〜12の2価のハロゲン化炭化水素基としては、炭素数1〜12の直鎖または分岐鎖の2価のハロゲン化炭化水素基、炭素数3〜12の2価のハロゲン化脂環式炭化水素基および炭素数6〜12の2価のハロゲン化芳香族炭化水素基等が挙げられる。   Examples of the divalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms include a linear or branched divalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms and a divalent halogenated fat having 3 to 12 carbon atoms. Examples thereof include a cyclic hydrocarbon group and a divalent halogenated aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 carbon atoms.

炭素数1〜12の直鎖または分岐鎖の2価のハロゲン化炭化水素基としては、ジフロオロメチレン基、ジクロロメチレン基、テトラフルオロエチレン基、テトラクロロエチレン基、ヘキサフルオロトリメチレン基、ヘキサクロロトリメチレン基、ヘキサフルオロイソプロピリデン基およびヘキサクロロイソプロピリデン基等が挙げられる。   Examples of the linear or branched divalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms include a difluoromethylene group, a dichloromethylene group, a tetrafluoroethylene group, a tetrachloroethylene group, a hexafluorotrimethylene group, and a hexachlorotrimethylene group. Group, hexafluoroisopropylidene group, hexachloroisopropylidene group and the like.

炭素数3〜12の2価のハロゲン化脂環式炭化水素基としては、前記炭素数3〜12の2価の脂環式炭化水素基において例示した基の少なくとも一部の水素原子がフッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子で置換された基等が挙げられる。   As the divalent halogenated alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, at least a part of the hydrogen atoms exemplified in the divalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms is a fluorine atom. And a group substituted with a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom.

炭素数6〜12の2価のハロゲン化芳香族炭化水素基としては、前記炭素数6〜12の2価の芳香族炭化水素基において例示した基の少なくとも一部の水素原子がフッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子で置換された基等が挙げられる。   As the divalent halogenated aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 carbon atoms, at least a part of the hydrogen atoms exemplified in the divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 carbon atoms is a fluorine atom, chlorine And a group substituted with an atom, a bromine atom or an iodine atom.

酸素原子および窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも1種の原子を含む炭素数1〜12の有機基としては、水素原子および炭素原子と、酸素原子および/または窒素原子とからなる有機基が挙げられ、エーテル結合、カルボニル基、エステル結合またはアミド結合と炭化水素基とを有する総炭素数1〜12の2価の有機基等が挙げられる。   Examples of the organic group having 1 to 12 carbon atoms including at least one atom selected from the group consisting of an oxygen atom and a nitrogen atom include an organic group consisting of a hydrogen atom and a carbon atom and an oxygen atom and / or a nitrogen atom. And a divalent organic group having 1 to 12 carbon atoms and having an ether bond, a carbonyl group, an ester bond or an amide bond and a hydrocarbon group.

酸素原子および窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも1種の原子を含む炭素数1〜12の2価のハロゲン化有機基としては、具体的には、酸素原子および窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも1種の原子を含む炭素数1〜12の2価の有機基において例示した基の少なくとも一部の水素原子がフッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子で置換された基等が挙げられる。   The divalent halogenated organic group having 1 to 12 carbon atoms containing at least one kind of atom selected from the group consisting of oxygen atom and nitrogen atom is specifically selected from the group consisting of oxygen atom and nitrogen atom Examples include a group in which at least a part of the hydrogen atoms exemplified in the divalent organic group having 1 to 12 carbon atoms containing at least one atom is substituted with a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom. .

前記式(3)におけるZとしては、単結合、−O−、−SO2−、>C=Oまたは炭素数1〜12の2価の有機基が好ましく、炭素数1〜12の2価の炭化水素基、炭素数1〜12の2価のハロゲン化炭化水素基または炭素数3〜12の2価の脂環式炭化水素基がより好ましい。 Z in the formula (3) is preferably a single bond, —O—, —SO 2 —,> C═O or a divalent organic group having 1 to 12 carbon atoms, and a divalent organic group having 1 to 12 carbon atoms. A hydrocarbon group, a divalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or a divalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms is more preferable.

Figure 2012218163
Figure 2012218163

前記式(4)中、R7、R8、Y、m、gおよびhは、それぞれ独立に前記式(2)中のR7、R8、Y、m、gおよびhと同義であり、R5、R6、Z、n、eおよびfは、それぞれ前記式(3)中のR5、R6、Z、n、eおよびfと同義である。なお、mが0の時、R7はシアノ基ではない。 In the formula (4), R 7 , R 8 , Y, m, g and h are each independently synonymous with R 7 , R 8 , Y, m, g and h in the formula (2), R 5, R 6, Z, n, e and f are the R 5 of each of the formulas (3), R 6, Z, and n, e and f synonymous. When m is 0, R 7 is not a cyano group.

前記重合体(II)は、前記構造単位(i)と前記構造単位(ii)とのモル比(但し、両者((i)+(ii))の合計は100である。)が、光学特性、耐熱性および力学的特性の観点から(i):(ii)=50:50〜100:0であることが好ましく、(i):(ii)=70:30〜100:0であることがより好ましく、(i):(ii)=80:20〜100:0であることがさらに好ましい。
ここで、力学的特性とは、重合体の引張強度、破断伸びおよび引張弾性率等の性質のことをいう。
In the polymer (II), the molar ratio of the structural unit (i) to the structural unit (ii) (however, the sum of both ((i) + (ii)) is 100) is an optical property. From the viewpoint of heat resistance and mechanical properties, (i) :( ii) = 50: 50 to 100: 0 is preferable, and (i) :( ii) = 70: 30 to 100: 0. More preferably, (i) :( ii) = 80: 20 to 100: 0 is more preferable.
Here, the mechanical properties refer to properties such as the tensile strength, breaking elongation and tensile elastic modulus of the polymer.

前記重合体(II)は、光学特性、耐熱性および力学的特性の観点から前記構造単位(i)および前記構造単位(ii)を全構造単位中70モル%以上含むことが好ましく、全構造単位中95モル%以上含むことがより好ましい。
前記重合体(II)は、例えば、下記式(5)で表わされる化合物(以下「化合物(5)」ともいう。)および下記式(7)で表わされる化合物(以下「化合物(7)」ともいう。)からなる群より選ばれる少なくとも一つの化合物を含む成分(以下「(A)成分」ともいう。)と下記式(6)で表わされる化合物を含む成分(以下「(B)成分」ともいう。)とを、反応させることにより得ることができる。
The polymer (II) preferably contains 70 mol% or more of the structural unit (i) and the structural unit (ii) in the total structural units from the viewpoint of optical properties, heat resistance and mechanical properties. It is more preferable to contain 95 mol% or more.
The polymer (II) includes, for example, a compound represented by the following formula (5) (hereinafter also referred to as “compound (5)”) and a compound represented by the following formula (7) (hereinafter referred to as “compound (7)”). A component containing at least one compound selected from the group consisting of (hereinafter also referred to as “component (A)”) and a component containing a compound represented by the following formula (6) (hereinafter referred to as “component (B)”) Can be obtained by reaction.

Figure 2012218163
Figure 2012218163

前記式(5)中、Xは独立してハロゲン原子を示し、フッ素原子が好ましい。   In said formula (5), X shows a halogen atom independently and a fluorine atom is preferable.

Figure 2012218163
Figure 2012218163

前記式(7)中、R7、R8、Y、m、gおよびhは、それぞれ前記式(2)中のR7、R8、Y、m、gおよびhと同義であり、Xは、独立に前記式(5)中のXと同義である。但し、mが0の時、R7はシアノ基ではない。 In the formula (7), R 7, R 8, Y, m, g and h are the R 7 of each of the formulas (2), R 8, Y, m, and g and h synonymous, X is And are independently synonymous with X in the formula (5). However, when m is 0, R 7 is not a cyano group.

Figure 2012218163
Figure 2012218163

前記式(6)中、Raは、それぞれ独立に水素原子、メチル基、エチル基、アセチル基、メタンスルホニル基またはトリフルオロメチルスルホニル基を示し、この中でも水素原子が好ましい。なお、式(6)中、R1〜R4およびa〜dは、それぞれ独立に前記式(1)中のR1〜R4およびa〜dと同義である。 In the formula (6), each R a independently represents a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, an acetyl group, a methanesulfonyl group or a trifluoromethylsulfonyl group, and among them, a hydrogen atom is preferable. In the formula (6), R 1 to R 4 and a~d have the same meanings as R 1 to R 4 and a~d each independently the formula (1).

上記化合物(5)としては、具体的には、2,6−ジフルオロベンゾニトリル(DFBN)、2,5−ジフルオロベンゾニトリル、2,4−ジフルオロベンゾニトリル、2,6−ジクロロベンゾニトリル、2,5−ジクロロベンゾニトリル、2,4−ジクロロベンゾニトリルおよびその反応性誘導体を挙げることができる。特に、反応性および経済性等の観点から、2,6−ジフルオロベンゾニトリル、および2,6−ジクロロベンゾニトリルが好適に用いられる。これらの化合物は2種以上を組み合わせて用いることも可能である。   Specific examples of the compound (5) include 2,6-difluorobenzonitrile (DFBN), 2,5-difluorobenzonitrile, 2,4-difluorobenzonitrile, 2,6-dichlorobenzonitrile, 2, Mention may be made of 5-dichlorobenzonitrile, 2,4-dichlorobenzonitrile and its reactive derivatives. In particular, 2,6-difluorobenzonitrile and 2,6-dichlorobenzonitrile are preferably used from the viewpoints of reactivity and economy. These compounds can be used in combination of two or more.

上記式(6)で表わされる化合物(以下「化合物(6)」ともいう。)としては、具体的には、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン(BPFL)、9,9−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(3,5−ジフェニル−4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−シクロヘキシルフェニル)フルオレン、および、その反応性誘導体等が挙げられる。上述の化合物の中でも、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレンおよび9,9−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)フルオレンが好適に用いられる。これらの化合物は2種以上を組み合わせて用いることも可能である。   Specific examples of the compound represented by the above formula (6) (hereinafter also referred to as “compound (6)”) include 9,9-bis (4-hydroxyphenyl) fluorene (BPFL) and 9,9-bis. (3-phenyl-4-hydroxyphenyl) fluorene, 9,9-bis (3,5-diphenyl-4-hydroxyphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-hydroxy-3-methylphenyl) fluorene, 9, Examples thereof include 9-bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-hydroxy-3-cyclohexylphenyl) fluorene, and reactive derivatives thereof. Among the above-mentioned compounds, 9,9-bis (4-hydroxyphenyl) fluorene and 9,9-bis (3-phenyl-4-hydroxyphenyl) fluorene are preferably used. These compounds can be used in combination of two or more.

上記化合物(7)としては、具体的には、4,4'−ジフルオロベンゾフェノン、4,4'−ジフルオロジフェニルスルホン(DFDS)、2,4'−ジフルオロベンゾフェノン、2,4'−ジフルオロジフェニルスルホン、2,2'−ジフルオロベンゾフェノン、2,2'−ジフルオロジフェニルスルホン、3,3'−ジニトロ−4,4'−ジフルオロベンゾフェノン、3,3'−ジニトロ−4,4'−ジフルオロジフェニルスルホン、4,4'−ジクロロベンゾフェノン、4,4'−ジクロロジフェニルスルホン、2,4'−ジクロロベンゾフェノン、2,4'−ジクロロジフェニルスルホン、2,2'−ジクロロベンゾフェノン、2,2'−ジクロロジフェニルスルホン、3,3'−ジニトロ−4,4'−ジクロロベンゾフェノンおよび3,3'−ジニトロ−4,4'−ジクロロジフェニルスルホン等を挙げることができる。これらの中でも、4,4'−ジフルオロベンゾフェノン、4,4'−ジフルオロジフェニルスルホンが好ましい。これらの化合物は2種以上を組み合わせて用いることも可能である。   Specific examples of the compound (7) include 4,4′-difluorobenzophenone, 4,4′-difluorodiphenylsulfone (DFDS), 2,4′-difluorobenzophenone, 2,4′-difluorodiphenylsulfone, 2,2′-difluorobenzophenone, 2,2′-difluorodiphenylsulfone, 3,3′-dinitro-4,4′-difluorobenzophenone, 3,3′-dinitro-4,4′-difluorodiphenylsulfone, 4, 4'-dichlorobenzophenone, 4,4'-dichlorodiphenyl sulfone, 2,4'-dichlorobenzophenone, 2,4'-dichlorodiphenyl sulfone, 2,2'-dichlorobenzophenone, 2,2'-dichlorodiphenyl sulfone, 3 , 3′-dinitro-4,4′-dichlorobenzophenone and 3,3′-dinitro-4, 4'-dichlorodiphenyl sulfone and the like can be mentioned. Among these, 4,4′-difluorobenzophenone and 4,4′-difluorodiphenyl sulfone are preferable. These compounds can be used in combination of two or more.

化合物(5)および化合物(7)からなる群より選ばれる少なくとも一つの化合物は、(A)成分100モル%中に、80モル%〜100モル%含まれていることが好ましく、90モル%〜100モル%含まれていることがより好ましい。
また、(B)成分は、必要に応じて下記式(8)で表わされる化合物を含むことが好ましい。化合物(6)は、(B)成分100モル%中に、50モル%〜100モル%含まれていることが好ましく、80モル%〜100モル%含まれていることがより好ましく、90モル%〜100モル%含まれていることがさらに好ましい。
It is preferable that at least one compound selected from the group consisting of compound (5) and compound (7) is contained in 80 mol% to 100 mol% in 100 mol% of component (A), and 90 mol% to More preferably, it is contained at 100 mol%.
Moreover, it is preferable that (B) component contains the compound represented by following formula (8) as needed. Compound (6) is preferably contained in 100 mol% of component (B) in an amount of 50 mol% to 100 mol%, more preferably 80 mol% to 100 mol%, and more preferably 90 mol%. More preferably, it is contained in an amount of ˜100 mol%.

Figure 2012218163
Figure 2012218163

前記式(8)中、R5、R6、Z、n、eおよびfは、それぞれ独立に前記式(3)中のR5、R6、Z、n、eおよびfと同義であり、Raは、それぞれ独立に前記式(6)中のRaと同義である。 In the formula (8), R 5 , R 6 , Z, n, e and f are each independently synonymous with R 5 , R 6 , Z, n, e and f in the formula (3), R a has the same meaning as R a each independently in the formula (6) in.

前記式(8)で表わされる化合物としては、ヒドロキノン、レゾルシノール、2−フェニルヒドロキノン、4,4’−ビフェノール、3,3’−ビフェノール、4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、3,3’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、4,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン、3,3’−ジヒドロキシベンゾフェノン、1,1’−ビ−2−ナフトール、1,1’−ビ−4−ナフトール、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロパンおよびその反応性誘導体等が挙げられる。上述の化合物の中でも、レゾルシノール、4,4'−ビフェノール、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロパンが好ましく、反応性および力学的特性の観点から、4,4'−ビフェノールが好適に用いられる。これらの化合物は2種以上を組み合わせて用いることも可能である。   Examples of the compound represented by the formula (8) include hydroquinone, resorcinol, 2-phenylhydroquinone, 4,4′-biphenol, 3,3′-biphenol, 4,4′-dihydroxydiphenylsulfone, and 3,3′-dihydroxy. Diphenylsulfone, 4,4′-dihydroxybenzophenone, 3,3′-dihydroxybenzophenone, 1,1′-bi-2-naphthol, 1,1′-bi-4-naphthol, 2,2-bis (4-hydroxy) Phenyl) propane, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane and reactive derivatives thereof. Among the above-mentioned compounds, resorcinol, 4,4′-biphenol, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) cyclohexane, 2,2-bis (4-hydroxy) Phenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane is preferred, and 4,4′-biphenol is suitably used from the viewpoint of reactivity and mechanical properties. These compounds can be used in combination of two or more.

前記重合体(II)は、より具体的には、以下に示す方法(I')で合成することができる。
方法(I'):
(B)成分を有機溶媒中でアルカリ金属化合物と反応させて、(B)成分(化合物(6)および/または化合物(8)等)のアルカリ金属塩を得た後に、得られたアルカリ金属塩と、(A)成分とを反応させる。なお、(B)成分とアルカリ金属化合物との反応を(A)成分の存在下で行うことで、(B)成分のアルカリ金属塩と(A)成分とを反応させることもできる。
More specifically, the polymer (II) can be synthesized by the method (I ′) shown below.
Method (I ′):
The alkali metal salt obtained after reacting the component (B) with an alkali metal compound in an organic solvent to obtain an alkali metal salt of the component (B) (compound (6) and / or compound (8), etc.) And (A) component are made to react. In addition, the alkali metal salt of (B) component and (A) component can also be made to react by performing reaction with (B) component and an alkali metal compound in presence of (A) component.

反応に使用するアルカリ金属化合物としては、リチウム、カリウムおよびナトリウム等のアルカリ金属;水素化リチウム、水素化カリウムおよび水素化ナトリウム等の水素化アルカリ金属;水酸化リチウム、水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウム等の水酸化アルカリ金属;炭酸水素リチウム、炭酸水素カリウムおよび炭酸水素ナトリウム等のアルカリ金属炭酸塩などを挙げることができる。これらは、1種または2種以上を組み合わせて用いることも可能である。   Examples of the alkali metal compound used in the reaction include alkali metals such as lithium, potassium and sodium; alkali hydrides such as lithium hydride, potassium hydride and sodium hydride; lithium hydroxide, potassium hydroxide and sodium hydroxide And alkali metal carbonates such as lithium hydrogen carbonate, potassium hydrogen carbonate and sodium hydrogen carbonate. These can be used alone or in combination of two or more.

アルカリ金属化合物は、前記(B)成分中の全ての−O−Raに対し、アルカリ金属化合物中の金属原子の量が通常1〜3倍当量、好ましくは1.1〜2倍当量、さらに好ましくは1.2〜1.5倍当量となる量で使用される。 In the alkali metal compound, the amount of metal atoms in the alkali metal compound is usually 1 to 3 times equivalent, preferably 1.1 to 2 times equivalent to all —O—R a in the component (B). Preferably it is used in an amount of 1.2 to 1.5 times equivalent.

また、反応に使用する有機溶媒としては、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチル−2−ピロリドン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、γ−ブチルラクトン、スルホラン、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ジイソプロピルスルホン、ジフェニルスルホン、ジフェニルエーテル、ベンゾフェノン、ジアルコキシベンゼン(アルコキシ基の炭素数1〜4)およびトリアルコキシベンゼン(アルコキシ基の炭素数1〜4)などを使用することができる。これらの溶媒の中でも、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、スルホラン、ジフェニルスルホンおよびジメチルスルホキシド等の誘電率の高い極性有機溶媒が特に好適に用いられる。   Examples of the organic solvent used in the reaction include N, N-dimethylacetamide (DMAc), N, N-dimethylformamide, N-methyl-2-pyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, γ- Butyllactone, sulfolane, dimethyl sulfoxide, diethyl sulfoxide, dimethyl sulfone, diethyl sulfone, diisopropyl sulfone, diphenyl sulfone, diphenyl ether, benzophenone, dialkoxybenzene (1 to 4 carbon atoms of alkoxy group) and trialkoxybenzene (carbon number of alkoxy group) 1-4) etc. can be used. Among these solvents, polar organic solvents having a high dielectric constant such as N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, sulfolane, diphenylsulfone, and dimethylsulfoxide are particularly preferably used.

さらに、前記反応の際には、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、シクロヘキサン、オクタン、クロロベンゼン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、アニソールおよびフェネトールなどの水と共沸する溶媒をさらに用いることもできる。   Further, in the reaction, a solvent azeotropic with water such as benzene, toluene, xylene, hexane, cyclohexane, octane, chlorobenzene, dioxane, tetrahydrofuran, anisole and phenetole can be further used.

(A)成分と(B)成分の使用割合は、(A)成分と(B)成分の合計を100モル%とした場合に、(A)成分が好ましくは45モル%以上55モル%以下、より好ましくは50モル%以上52モル%以下、さらに好ましくは50モル%を超えて52モル%以下であり、(B)成分が好ましくは45モル%以上55モル%以下、より好ましくは48モル%以上50モル%以下であり、さらに好ましくは48モル%以上50モル%未満である。   The proportion of component (A) and component (B) used is preferably 45 mol% or more and 55 mol% or less when component (A) is 100 mol% when the total of component (A) and component (B) is 100 mol%. More preferably, it is 50 mol% or more and 52 mol% or less, More preferably, it exceeds 50 mol% and is 52 mol% or less, and (B) component becomes like this. Preferably it is 45 mol% or more and 55 mol% or less, More preferably, it is 48 mol%. It is at least 50 mol%, more preferably at least 48 mol% but less than 50 mol%.

また、反応温度は、好ましくは60℃〜250℃であり、より好ましくは80℃〜200℃の範囲である。反応時間は、好ましくは15分〜100時間、より好ましくは1時間〜24時間の範囲である。   Moreover, reaction temperature becomes like this. Preferably it is 60 to 250 degreeC, More preferably, it is the range of 80 to 200 degreeC. The reaction time is preferably in the range of 15 minutes to 100 hours, more preferably 1 hour to 24 hours.

前記重合体(I)は、ポリイミド系重合体の合成に必要なイミド化のための高温処理が不要であるため、重合体の製造プロセス負荷が低く、容易に重合体を製造することができる。   Since the polymer (I) does not require high-temperature treatment for imidization necessary for the synthesis of the polyimide polymer, the production process load of the polymer is low, and the polymer can be easily produced.

前記重合体(I)は、TOSOH製HLC−8220型GPC装置(カラム:TSKgelα―M、展開溶剤:テトラヒドロフラン(以下「THF」ともいう。)で測定した、ポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)が、好ましくは5,000〜500,000、より好ましくは15,000〜400,000、さらに好ましくは30,000〜300,000である。   The polymer (I) has a polystyrene-equivalent weight average molecular weight (Mw) measured with a TOSOH HLC-8220 GPC apparatus (column: TSKgel α-M, developing solvent: tetrahydrofuran (hereinafter also referred to as “THF”). , Preferably it is 5,000-500,000, More preferably, it is 15,000-400,000, More preferably, it is 30,000-300,000.

前記重合体(I)は、熱重量分析法(TGA)で測定した熱分解温度が、好ましくは450℃以上、より好ましくは475℃以上、さらに好ましくは490℃以上である。   The polymer (I) has a thermal decomposition temperature measured by thermogravimetric analysis (TGA) of preferably 450 ° C. or higher, more preferably 475 ° C. or higher, and further preferably 490 ° C. or higher.

前記基材の製造方法としては、特に制限されないが、前記重合体(I)を含む樹脂組成物を支持体上に塗布して塗膜を形成し、次いで該塗膜から有機溶媒を除去することで基材を製造する方法が挙げられる。   Although it does not restrict | limit especially as a manufacturing method of the said base material, The resin composition containing the said polymer (I) is apply | coated on a support body, a coating film is formed, and then an organic solvent is removed from this coating film. And a method for producing a substrate.

前記樹脂組成物としては、前記の方法(I')で得られた、重合体(II)と有機溶媒との混合物をそのまま使用することができる。このような樹脂組成物を用いることで、容易に、安価に基材を製造することができる。   As the resin composition, a mixture of the polymer (II) and the organic solvent obtained by the method (I ′) can be used as it is. By using such a resin composition, a substrate can be easily produced at a low cost.

また、前記樹脂組成物は、前記の方法(I')で得られた重合体(II)と有機溶媒との混合物から、重合体(II)を固体分として単離(精製)した後、有機溶媒に再溶解して樹脂組成物を調製することもできる。
前記重合体(II)を固体分として単離(精製)する方法は、例えば、メタノール等の重合体(II)の貧溶媒に重合体を再沈殿させ、その後ろ過し、次いで減圧乾燥すること等により行うことができる。
The resin composition is prepared by isolating (purifying) the polymer (II) as a solid content from the mixture of the polymer (II) obtained by the method (I ′) and an organic solvent, The resin composition can also be prepared by re-dissolving in a solvent.
The method of isolating (purifying) the polymer (II) as a solid component is, for example, reprecipitation of the polymer in a poor solvent of the polymer (II) such as methanol, and then filtering and then drying under reduced pressure. Can be performed.

また、前記重合体(II)を溶解する有機溶媒としては、例えば、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドンおよびγ−ブチロラクトンが好適に用いられ、塗工性、経済性の観点から、好ましくは、塩化メチレン、N,N−ジメチルアセトアミドおよびN−メチルピロリドンが好適に使用される。これらの溶媒は、1種単独であるいは2種以上を併用することができる。   As the organic solvent for dissolving the polymer (II), for example, methylene chloride, tetrahydrofuran, cyclohexanone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone and γ-butyrolactone are preferable. From the viewpoint of coating properties and economy, methylene chloride, N, N-dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone are preferably used. These solvents can be used alone or in combination of two or more.

前記樹脂組成物中の重合体(I)の濃度は、重合体の分子量にもよるが、通常、5〜40質量%、好ましくは7〜25質量%である。組成物中の重合体(I)の濃度が前記範囲にあると、厚膜化可能で、ピンホールが生じにくく、表面平滑性に優れる基材を形成することができる。   The concentration of the polymer (I) in the resin composition is usually 5 to 40% by mass, preferably 7 to 25% by mass, although it depends on the molecular weight of the polymer. When the concentration of the polymer (I) in the composition is in the above range, it is possible to form a base material that can be thickened, hardly causes pinholes, and has excellent surface smoothness.

なお、樹脂組成物の粘度は、重合体の分子量や濃度にもよるが、好ましくは50〜100,000mPa・s、より好ましくは500〜50,000mPa・s、さらに好ましくは1000〜20,000mPa・sである。組成物の粘度が前記範囲にあると、成膜中の組成物の滞留性に優れ、支持体から流れ落ちることが少なく、厚みの調整が容易であるため、基材の成形が容易である。   The viscosity of the resin composition depends on the molecular weight and concentration of the polymer, but is preferably 50 to 100,000 mPa · s, more preferably 500 to 50,000 mPa · s, and still more preferably 1000 to 20,000 mPa · s. s. When the viscosity of the composition is in the above range, the composition is excellent in retention during film formation, hardly flows down from the support, and the thickness can be easily adjusted, so that the substrate can be easily molded.

また、前記基材は、本質的に前記重合体(I)のみからなることが好ましいが、必要によりさらに老化防止剤を配合させることができ、老化防止剤を配合することで、得られる基材の耐久性をより向上させることができる。
老化防止剤としては、好ましくはヒンダードフェノール系化合物を挙げることができる。
The base material is preferably essentially composed only of the polymer (I), but an anti-aging agent can be further blended if necessary, and the base material obtained by blending the anti-aging agent. The durability of can be further improved.
Preferred examples of the antiaging agent include hindered phenol compounds.

本発明で使用することのできるヒンダードフェノール系化合物としては、トリエチレングリコール−ビス[3−(3−tert−ブチル−5−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロオネート]、1,6−ヘキサンジオール−ビス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、2,4−ビス−(n−オクチルチオ)−6−(4−ヒドロキシ−3,5−ジ−tert−ブチルアニリノ)−3,5−トリアジン、ペンタエリスリトールテトラキス[3−(3,5−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、1,1,3−トリス[2−メチル−4−[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシ]−5−tert−ブチルフェニル]ブタン、2,2−チオ−ジエチレンビス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、オクタデシル−3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート)、N,N−ヘキサメチレンビス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−ヒドロシンナマミド)、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、トリス−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−イソシアヌレイト、および、3,9−ビス[2−〔3−(3−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)プロピオニルオキシ〕−1,1−ジメチルエチル]−2,4,8,10−テトラオキサスピロ[5.5]ウンデカンなどを挙げることができる。
本発明において、老化防止剤は、重合体(I)100重量部に対して0.01〜10重量部の量で使用することが好ましい。
Examples of hindered phenol compounds that can be used in the present invention include triethylene glycol-bis [3- (3-tert-butyl-5-methyl-4-hydroxyphenyl) proonate], 1,6-hexanediol- Bis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 2,4-bis- (n-octylthio) -6- (4-hydroxy-3,5-di-tert- Butylanilino) -3,5-triazine, pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 1,1,3-tris [2-methyl-4- [3- ( 3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionyloxy] -5-tert-butylphenyl] butane 2,2-thio-diethylenebis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], octadecyl-3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) Propionate), N, N-hexamethylenebis (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxy-hydrocinnamamide), 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris (3,5 -Di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) benzene, tris- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) -isocyanurate and 3,9-bis [2- [3- (3-tert-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl) propionyloxy] -1,1-dimethylethyl] -2,4,8,10-tetraoxaspiro 5.5] undecane, and the like.
In this invention, it is preferable to use an anti-aging agent in the quantity of 0.01-10 weight part with respect to 100 weight part of polymers (I).

前記樹脂組成物を支持体上に塗布して塗膜を形成する方法としては、ロールコート法、グラビアコート法、スピンコート法およびドクターブレードを用いる方法等が挙げられる。   Examples of the method for forming the coating film by applying the resin composition on a support include a roll coating method, a gravure coating method, a spin coating method, and a method using a doctor blade.

塗膜の厚さは、特に限定されないが、例えば1〜250μmであり、好ましくは2〜150μmであり、より好ましくは5〜125μmである。
前記支持体としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムおよびSUS板などが挙げられる。
Although the thickness of a coating film is not specifically limited, For example, it is 1-250 micrometers, Preferably it is 2-150 micrometers, More preferably, it is 5-125 micrometers.
Examples of the support include a polyethylene terephthalate (PET) film and a SUS plate.

また、塗膜から前記有機溶媒を除去する方法としては、特に制限されないが、例えば、塗膜を加熱する方法が挙げられる。塗膜を加熱することにより、該塗膜中の有機溶媒を蒸発させて除去することができる。前記加熱の条件は、有機溶媒が蒸発すればよく、基板や重合体に応じて適宜決めればよいが、例えば加熱温度は30℃〜300℃であることが好ましく、40℃〜250℃であることがより好ましく、50℃〜230℃であることがさらに好ましい。   Further, the method for removing the organic solvent from the coating film is not particularly limited, and examples thereof include a method of heating the coating film. By heating the coating film, the organic solvent in the coating film can be evaporated and removed. The heating conditions may be determined as long as the organic solvent evaporates, and may be appropriately determined according to the substrate and the polymer. For example, the heating temperature is preferably 30 ° C to 300 ° C, and preferably 40 ° C to 250 ° C. Is more preferable, and it is still more preferable that it is 50 to 230 degreeC.

また、加熱時間としては、10分〜5時間であることが好ましい。なお、加熱は二段階以上で行ってもよい。具体的には、30〜80℃の温度で10分〜2時間乾燥後、100℃〜250℃でさらに10分〜2時間加熱するなどである。また、必要に応じて、窒素雰囲気下、もしくは減圧下にて乾燥を行ってもよい。   Further, the heating time is preferably 10 minutes to 5 hours. Note that heating may be performed in two or more stages. Specifically, after drying at a temperature of 30 to 80 ° C. for 10 minutes to 2 hours, heating is further performed at 100 to 250 ° C. for 10 minutes to 2 hours. Further, if necessary, drying may be performed under a nitrogen atmosphere or under reduced pressure.

得られた基材は、支持体から剥離して用いることが好ましいが、透明な支持体を用いる場合には、剥離せずにそのまま用いることもできる。   The obtained substrate is preferably used after being peeled off from the support, but when a transparent support is used, it can be used as it is without being peeled off.

前記基材の厚みは、所望の用途に応じて適宜選択されるが、好ましくは1〜250μm、より好ましくは2〜150μm、さらに好ましくは、10〜125μmである。
前記基材を用いてタッチパネルを製造する場合には、該基材の位相差、得られるタッチパネルの軽量化および低背化等を考慮すると、基材の膜厚は薄いことが好ましい。
Although the thickness of the said base material is suitably selected according to a desired use, Preferably it is 1-250 micrometers, More preferably, it is 2-150 micrometers, More preferably, it is 10-125 micrometers.
When manufacturing a touch panel using the base material, it is preferable that the base material has a thin film thickness in consideration of the retardation of the base material, weight reduction and low profile of the resulting touch panel, and the like.

また、前記基材は、Rigaku社製8230型DSC測定装置(昇温速度20℃/分)によるガラス転移温度(Tg)が、230〜350℃であることが好ましく、240〜330℃であることがより好ましく、250〜300℃であることがさらに好ましい。
前記基材が、このようなガラス転移温度を有すると、透明導電膜を成膜する際に、該基材を加熱する際の加熱可能な温度範囲が広くなるため、成膜方法が限定されず、容易に透明導電性フィルムを製造することができる。
The base material preferably has a glass transition temperature (Tg) of 230-350 ° C., 240-330 ° C., measured by Rigaku 8230 DSC measuring device (temperature increase rate 20 ° C./min). Is more preferable, and it is more preferable that it is 250-300 degreeC.
When the base material has such a glass transition temperature, when the transparent conductive film is formed, the temperature range at which the base material can be heated is widened. A transparent conductive film can be easily produced.

また、前記基材は、厚みが30μmである場合に、JIS K7105透明度試験法における全光線透過率が、85%以上であることが好ましく、88%以上であることがより好ましい。全光線透過率は、ヘイズメーターSC−3H(スガ試験機社製)を用いて測定することができる。
前記基材は、厚みが30μmである場合に、波長400nmにおける光線透過率が、好ましくは70%以上であり、より好ましくは75%以上であり、さらに好ましくは80%以上である。波長400nmにおける光線透過率は、紫外・可視分光光度計V−570(JASCO社製)を用いて測定することができる。
前記基材の透過率がこのような範囲にあることで、該基材から得られる透明導電性フィルムは光透過性に優れ、タッチパネル等に好適に用いることができる。
Further, when the substrate has a thickness of 30 μm, the total light transmittance in the JIS K7105 transparency test method is preferably 85% or more, and more preferably 88% or more. The total light transmittance can be measured using a haze meter SC-3H (manufactured by Suga Test Instruments Co., Ltd.).
When the substrate has a thickness of 30 μm, the light transmittance at a wavelength of 400 nm is preferably 70% or more, more preferably 75% or more, and further preferably 80% or more. The light transmittance at a wavelength of 400 nm can be measured using an ultraviolet / visible spectrophotometer V-570 (manufactured by JASCO).
When the transmittance of the substrate is in such a range, the transparent conductive film obtained from the substrate is excellent in light transmittance and can be suitably used for a touch panel or the like.

前記基材は、厚みが30μmである場合に、YI値(イエローインデックス)が、3.0以下であることが好ましく、2.5以下であることがより好ましく、2.0以下であることがさらに好ましい。YI値は、スガ試験機社製SM−T型色彩測定器を用いて測定することができる。YI値がこのような範囲にあることで、着色のしにくい基材を得ることができ、透明導電性フィルムとして好適に用いることができる。   When the substrate has a thickness of 30 μm, the YI value (yellow index) is preferably 3.0 or less, more preferably 2.5 or less, and 2.0 or less. Further preferred. The YI value can be measured using an SM-T color measuring device manufactured by Suga Test Instruments Co., Ltd. When the YI value is in such a range, a substrate that is difficult to be colored can be obtained, and can be suitably used as a transparent conductive film.

また、前記基材は、厚みが30μmである場合に、熱風乾燥機にて大気中230℃で1時間の加熱を行った後のYI値が3.0以下であることが好ましく、2.5以下であることがより好ましく、2.0以下であることがさらに好ましい。YI値がこのような範囲にあることで、高温でも着色のしにくい基材を得ることができ、光学特性に優れ、かつ高い導電性を有する透明導電性フィルムを得ることができる。   Further, when the substrate has a thickness of 30 μm, the YI value after heating for 1 hour at 230 ° C. in the air with a hot air dryer is preferably 3.0 or less. Or less, more preferably 2.0 or less. When the YI value is in such a range, a substrate that is difficult to be colored even at high temperatures can be obtained, and a transparent conductive film having excellent optical properties and high conductivity can be obtained.

前記基材は、波長633nmの光に対して、好ましくは1.55〜1.75、より好ましくは1.60〜1.70の屈折率を有する。屈折率は、ヘイズメーターSC−3H(スガ試験機社製)を用いて測定することができる。   The substrate preferably has a refractive index of 1.55 to 1.75, more preferably 1.60 to 1.70 with respect to light having a wavelength of 633 nm. The refractive index can be measured using a haze meter SC-3H (manufactured by Suga Test Instruments Co., Ltd.).

前記基材は、引張強度が、50〜200MPaであることが好ましく、80〜150MPaであることがより好ましい。引張強度は、引張試験機5543(INSTRON社製)を用いて測定することができる。
前記基材は、破断伸びが、5〜100%であることが好ましく15〜100%であることがより好ましい。破断伸びは、引張試験機5543(INSTRON社製)を用いて測定することができる。
前記基材は、引張弾性率が、2.5〜4.0GPaであることが好ましく、2.7〜3.7GPaであることがより好ましい。引張弾性率は、引張試験機5543(INSTRON社製)を用いて測定することができる。
The base material preferably has a tensile strength of 50 to 200 MPa, and more preferably 80 to 150 MPa. The tensile strength can be measured using a tensile tester 5543 (manufactured by INSTRON).
The base material has an elongation at break of preferably 5 to 100%, more preferably 15 to 100%. The elongation at break can be measured using a tensile tester 5543 (manufactured by INSTRON).
The base material preferably has a tensile modulus of 2.5 to 4.0 GPa, more preferably 2.7 to 3.7 GPa. The tensile elastic modulus can be measured using a tensile tester 5543 (manufactured by INSTRON).

前記基材は、厚みが30μmである場合に、厚み方向の位相差(Rth)が、200nm以下であることが好ましく、50nm以下であることがより好ましく、10nm以下であることがさらに好ましい。位相差は、大塚電子社製RETS分光器を用いて測定することができる。
前記基材が、このような低い位相差を有すると、光学等方性の透明導電性フィルムを得ることができ、該基材をタッチパネル等に用いる場合、表示面に着色や干渉縞が表れて、表示品位が低下することを好適に防ぐことができる。そのため、前記基材は、タッチパネルに用いる透明導電性フィルムの基材として好適に使用することができる。
When the substrate has a thickness of 30 μm, the thickness direction retardation (Rth) is preferably 200 nm or less, more preferably 50 nm or less, and even more preferably 10 nm or less. The phase difference can be measured using a RETS spectrometer manufactured by Otsuka Electronics.
When the substrate has such a low retardation, an optically isotropic transparent conductive film can be obtained. When the substrate is used for a touch panel or the like, coloring or interference fringes appear on the display surface. Therefore, it is possible to suitably prevent the display quality from deteriorating. Therefore, the said base material can be used conveniently as a base material of the transparent conductive film used for a touch panel.

前記基材は、Seiko Instruments社製SSC−5200型TMA測定装置を用いて測定した線膨張係数が、好ましくは80ppm/K以下、より好ましくは75ppm/K以下である。
前記基材は、湿度膨張係数が、15ppm/%RH以下であることが好ましく、12ppm/%RH以下であることがより好ましい。湿度膨張係数は、MA(SIIナノテクノロジー社製、TMA−SS6100)湿度制御オプションを用いて測定することができる。基材の膨張係数が前記範囲にあると、基材の寸法安定性(環境信頼性)が高いことを示すため、タッチパネルとしてより好適に用いることができる。特に、高環境信頼性が要求される車載用カーナビゲーションなどに好適に用いることができる。
The base material has a linear expansion coefficient of 80 ppm / K or less, more preferably 75 ppm / K or less, measured using an SSC-5200 type TMA measuring device manufactured by Seiko Instruments.
The substrate preferably has a humidity expansion coefficient of 15 ppm /% RH or less, and more preferably 12 ppm /% RH or less. The humidity expansion coefficient can be measured using MA (SII Nanotechnology, TMA-SS6100) humidity control option. When the expansion coefficient of the base material is within the above range, it indicates that the base material has high dimensional stability (environmental reliability), and thus can be more suitably used as a touch panel. In particular, it can be suitably used for an in-car car navigation that requires high environmental reliability.

<透明導電膜>
前記透明導電膜は、前記基材の少なくとも一方の面に形成される。本発明において、「基材の少なくとも一方の面に形成される」とは、基材の少なくとも一方の面上に他の層を介せず形成される場合、および/または、基材の少なくとも一方の面に他の層を介して形成される場合のことをいう。つまり、前記透明導電膜は、前記基材上に直接形成されてもよいし、後述する無機物層を介して形成されてもよいが、後述する無機物層等を介して形成されることが、結晶化度の高い透明導電膜を得る、光透過性の高い透明導電性フィルムを得る、などの点から好ましい。
<Transparent conductive film>
The transparent conductive film is formed on at least one surface of the substrate. In the present invention, “formed on at least one surface of a substrate” means that it is formed on at least one surface of the substrate without any other layer, and / or at least one of the substrate. It is a case where it is formed through another layer on the surface. That is, the transparent conductive film may be formed directly on the base material or may be formed through an inorganic layer described later, but may be formed through an inorganic layer described later or the like. It is preferable from the viewpoints of obtaining a transparent conductive film having a high degree of conversion and a transparent conductive film having a high light transmittance.

前記透明導電膜としては、透明であって、導電性を示す膜であれば特に制限されないが、酸化スズ、酸化インジウム、酸化アンチモン、酸化亜鉛、酸化カドミウム、酸化インジウムスズ(ITO)および酸化インジウム亜鉛(IZO)などの金属酸化物膜や、これらの金属酸化物を主体とする複合膜、金、銀、銅、錫、ニッケル、アルミニウムおよびパラジウムなどの金属膜が挙げられる。   The transparent conductive film is not particularly limited as long as it is transparent and exhibits conductivity. However, tin oxide, indium oxide, antimony oxide, zinc oxide, cadmium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide are not limited. Examples thereof include metal oxide films such as (IZO), composite films mainly composed of these metal oxides, and metal films such as gold, silver, copper, tin, nickel, aluminum, and palladium.

前記透明導電膜として、酸化インジウムスズ(ITO)からなる膜を用いる場合には、機械強度を高めるため、得られる薄膜を結晶化させるため、薄膜を低抵抗にする等のために、透明導電膜形成用材料として、好ましくは酸化インジウムおよび2〜18重量%の酸化スズを含む材料、より好ましくは82〜98重量%酸化インジウムおよび2〜18重量%の酸化スズを含む材料、さらに好ましくは85〜96重量%酸化インジウムおよび4〜15重量%の酸化スズを含む材料を用いることが望ましい。但し、透明導電膜形成用材料全体を100重量%とする。   When a film made of indium tin oxide (ITO) is used as the transparent conductive film, the transparent conductive film is used to increase the mechanical strength, to crystallize the obtained thin film, to reduce the resistance of the thin film, and the like. As a forming material, a material preferably containing indium oxide and 2 to 18% by weight tin oxide, more preferably a material containing 82 to 98% by weight indium oxide and 2 to 18% by weight tin oxide, more preferably 85 to 85%. It is desirable to use a material comprising 96 wt% indium oxide and 4-15 wt% tin oxide. However, the entire transparent conductive film forming material is 100% by weight.

前記透明導電膜の形成方法としては、特に制限されないが真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理蒸着法、化学蒸着(CVD)法などの公知の方法を挙げることができるが、膜の均一性や基材への薄膜の密着性の観点から、スパッタリング法で透明導電膜を形成することが好ましい。   The method for forming the transparent conductive film is not particularly limited, and examples thereof include known methods such as a vacuum deposition method, a sputtering method, a physical vapor deposition method such as an ion plating method, and a chemical vapor deposition (CVD) method. From the viewpoint of the uniformity of the film and the adhesion of the thin film to the substrate, it is preferable to form the transparent conductive film by a sputtering method.

前記透明導電膜を形成する際には、本発明の効果を損なわない限り、予め前記基材の表面に周知の種々の添加剤や安定剤、例えば帯電防止剤、紫外線防止剤、可塑剤、滑剤、易接着剤などを塗布しておいてもよい。また、前記基材と透明導電膜との密着性を向上させるため、本発明の効果を損なわない限り、前記基材表面を予めコロナ処理、プラズマ処理、イオンボンバード処理、薬品処理などしてもよい。   When forming the transparent conductive film, various additives and stabilizers known in advance on the surface of the substrate, for example, an antistatic agent, an anti-ultraviolet agent, a plasticizer, and a lubricant, as long as the effects of the present invention are not impaired. Alternatively, an easy adhesive may be applied. In order to improve the adhesion between the substrate and the transparent conductive film, the surface of the substrate may be previously subjected to corona treatment, plasma treatment, ion bombardment treatment, chemical treatment, etc., unless the effects of the present invention are impaired. .

また、本発明の透明導電性フィルムは、前記基材の少なくとも一方の面に形成した透明導電膜を、(基材のTgマイナス20℃)以下、好ましくは(基材のTgマイナス130℃)〜(基材のTgマイナス30℃)でアニール処理することで得ることができる。このアニール処理により、低抵抗の透明導電膜を有する透明導電性フィルムを得ることができる。
前記基材は、重合体(I)を含んでなるため、前記アニール処理を高温で行うことができる。このため、より抵抗の小さい透明導電膜を有する透明導電性フィルムを得ることができる。
前記アニール処理は、大気中で行えばよいが、必要により、所望のガス雰囲気下、加圧下で行ってもよい。
Further, the transparent conductive film of the present invention has a transparent conductive film formed on at least one surface of the substrate (Tg minus 20 ° C. of the substrate) or less, preferably (Tg minus 130 ° C. of the substrate) to It can be obtained by annealing at (Tg minus 30 ° C. of base material). By this annealing treatment, a transparent conductive film having a low resistance transparent conductive film can be obtained.
Since the base material contains the polymer (I), the annealing treatment can be performed at a high temperature. For this reason, the transparent conductive film which has a transparent conductive film with smaller resistance can be obtained.
The annealing treatment may be performed in the air, but may be performed in a desired gas atmosphere or under pressure if necessary.

本発明の透明導電性フィルムを静電容量方式のタッチパネルに用いる場合には、前記透明導電膜をパターニングすることが好ましい。
パターニングする方法としては、前記透明導電膜上にレジストを塗布し、パターンを露光・現像により形成した後に透明導電膜を化学的に溶解させる方法、真空中で化学反応により気化させる方法、レーザーにより透明導電膜を昇華させる方法などが挙げられるが、パターンの形状、精度等により、適宜選択できる。
When the transparent conductive film of the present invention is used for a capacitive touch panel, the transparent conductive film is preferably patterned.
As a patterning method, a resist is applied on the transparent conductive film, a pattern is formed by exposure / development, and then the transparent conductive film is chemically dissolved, a method of vaporizing by a chemical reaction in vacuum, or a laser transparent Although the method of sublimating a conductive film is mentioned, it can select suitably by the shape of a pattern, precision, etc.

前記透明導電膜の厚さは、好ましくは20〜50nmであり、より好ましくは20〜40nmである。透明導電膜の厚みが、前記範囲にあることで、低抵抗と高い透明性とのバランス等に優れる透明導電性フィルムを得ることができる。   The thickness of the transparent conductive film is preferably 20 to 50 nm, more preferably 20 to 40 nm. When the thickness of the transparent conductive film is in the above range, a transparent conductive film excellent in balance between low resistance and high transparency can be obtained.

前記基材は、前記重合体(I)を含むため、ガラス転移温度が高い。そのため、高温加熱が必要な方法であっても、基材上に透明導電膜を形成することができる。   Since the base material contains the polymer (I), the glass transition temperature is high. Therefore, a transparent conductive film can be formed on a substrate even in a method that requires high-temperature heating.

また、ポリチオフェン系やポリアニリン系の導電性ポリマーを前記基材上に塗布し、成膜することで透明導電膜を形成しても良い。
前記透明導電膜は1層でもよいし、多層からなっていてもよい。多層の場合には、合計膜厚が前記範囲となるように調整することが好ましい。前記透明導電膜が多層からなる場合には、同一の材料からなる多層膜であってもよいし、異なる材料からなる多層膜であってもよい。
Alternatively, a transparent conductive film may be formed by applying a polythiophene-based or polyaniline-based conductive polymer on the substrate and forming a film.
The transparent conductive film may be a single layer or a multilayer. In the case of multiple layers, it is preferable to adjust the total film thickness to be in the above range. When the transparent conductive film is composed of multiple layers, it may be a multilayer film made of the same material or a multilayer film made of different materials.

本発明の透明導電性フィルムは、三菱化学(株)製の低抵抗率計「ロレスタ−GP」を用いて測定した比抵抗値(体積抵抗値)が好ましくは2×10-3Ω・cm以下であり、さらに好ましくは5×10-4Ω・cm以下である。比抵抗値が前記範囲にあることで、導電性に優れるフィルムとなり、このようなフィルムを含むタッチパネルは、細かい動きにも正確に素早く反応できるため好ましい。また、表面抵抗値としては、好ましくは300Ω/□以下、さらに好ましくは150Ω/□以下、特に好ましくは100Ω/□以下である。このようなフィルムを含むタッチパネルは、細かい動きにも正確に素早く反応できるため好ましい。 The transparent conductive film of the present invention preferably has a specific resistance value (volume resistance value) of 2 × 10 −3 Ω · cm or less measured using a low resistivity meter “Loresta-GP” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. More preferably, it is 5 × 10 −4 Ω · cm or less. When the specific resistance value is in the above range, a film having excellent conductivity is obtained, and a touch panel including such a film is preferable because it can accurately and quickly react to a fine movement. The surface resistance value is preferably 300Ω / □ or less, more preferably 150Ω / □ or less, and particularly preferably 100Ω / □ or less. A touch panel including such a film is preferable because it can accurately and quickly react to a fine movement.

<無機物層>
本発明の透明導電性フィルムは、結晶化度の高く、光透過性の高い透明導電性フィルムを得るなどの点から前記基材の少なくとも一方の面に、無機物層を少なくとも1層有することが好ましく、前記基材上に直接形成されることがより好ましい。
なお、前記無機物層は、前記透明導電膜と異なる材料からなる層のことをいう。
<Inorganic layer>
The transparent conductive film of the present invention preferably has at least one inorganic layer on at least one surface of the substrate from the viewpoint of obtaining a transparent conductive film having a high degree of crystallinity and high light transmittance. More preferably, it is formed directly on the substrate.
The inorganic layer refers to a layer made of a material different from that of the transparent conductive film.

前記無機物層は、屈折率が1.4〜2.5の範囲にある層であることが好ましく、このような無機物層としては、酸化物、硫化物、フッ化物、窒化物等の無機物を含んでなる層が挙げられる。
前記無機物としては、酸化マグネシウム(1.6)、二酸化珪素(1.5)、フッ化マグネシウム(1.4)、フッ化カルシウム(1.3〜1.4)、フッ化セリウム(1.6)、フッ化アルミニウム(1.3)、酸化チタン(2.4)、酸化ジルコニウム(2.4)、硫化亜鉛(2.3)、酸化タンタル(2.1)、酸化亜鉛(2.1)、酸化インジウム(2.0)、酸化ニオブ(2.3)、酸化タンタル(2.2)等が挙げられる。なお、上記括弧内の数値は屈折率を表す。
The inorganic layer is preferably a layer having a refractive index in the range of 1.4 to 2.5, and such an inorganic layer includes inorganic substances such as oxides, sulfides, fluorides, and nitrides. The layer which consists of is mentioned.
Examples of the inorganic substance include magnesium oxide (1.6), silicon dioxide (1.5), magnesium fluoride (1.4), calcium fluoride (1.3 to 1.4), and cerium fluoride (1.6). ), Aluminum fluoride (1.3), titanium oxide (2.4), zirconium oxide (2.4), zinc sulfide (2.3), tantalum oxide (2.1), zinc oxide (2.1) Indium oxide (2.0), niobium oxide (2.3), tantalum oxide (2.2), and the like. In addition, the numerical value in the said parenthesis represents a refractive index.

前記無機物層の形成方法としては、特に制限されないが真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理蒸着法、化学蒸着(CVD)法などの公知の方法を挙げることができるが、得られる層(膜)の均一性や基材への薄膜の密着性の観点から、スパッタリング法で無機物層を形成することが好ましい。
スパッタリング法で無機物層を形成する際の条件としては、無加熱、または、(基材のTgマイナス20℃)以下の温度が好ましく、必要により、アルゴンガス、酸素等の雰囲気下、減圧下で行ってもよい。
加熱下でスパッタする場合には、40℃〜(基材のTgマイナス30℃)がより好ましい。
The method for forming the inorganic layer is not particularly limited, and may be a known method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, a physical vapor deposition method such as an ion plating method, or a chemical vapor deposition (CVD) method. From the viewpoint of the uniformity of the layer (film) and the adhesion of the thin film to the substrate, it is preferable to form the inorganic layer by a sputtering method.
The conditions for forming the inorganic layer by sputtering are preferably no heating or (Tg minus 20 ° C. of base material) or lower, and if necessary, under an atmosphere of argon gas, oxygen or the like, under reduced pressure. May be.
In the case of sputtering under heating, 40 ° C. to (Tg minus 30 ° C. of base material) is more preferable.

前記無機物層を形成する際には、本発明の効果を損なわない限り、予め前記基材の表面に周知の種々の添加剤や安定剤などを塗布しておいてもよいし、前記基材表面等を予めコロナ処理、プラズマ処理、イオンボンバード処理、薬品処理などしてもよい。   When the inorganic layer is formed, various known additives and stabilizers may be applied to the surface of the base material in advance, as long as the effects of the present invention are not impaired. Or the like may be previously subjected to corona treatment, plasma treatment, ion bombardment treatment, chemical treatment or the like.

前記無機物層の厚さは、好ましくは3〜70nmであり、より好ましくは5〜65nmである。無機物層の厚みが、前記範囲にあることで、光透過性の高い透明導電性フィルムを得ることができる。   The inorganic layer preferably has a thickness of 3 to 70 nm, more preferably 5 to 65 nm. When the thickness of the inorganic layer is in the above range, a transparent conductive film with high light transmittance can be obtained.

≪積層体≫
前記積層体は、本発明の効果を損なわない範囲において、前記透明導電性フィルムの少なくとも一方の面に、偏光板、反射防止膜、ハードコート膜、帯電防止膜および防汚膜からなる群より選ばれる少なくとも1種の層を備える。
前記偏光板は、基材の透明導電膜が積層された面と反対側の面に、積層されていることが好ましい。
≪Laminated body≫
The laminate is selected from the group consisting of a polarizing plate, an antireflection film, a hard coat film, an antistatic film, and an antifouling film on at least one surface of the transparent conductive film, as long as the effects of the present invention are not impaired. At least one layer.
The polarizing plate is preferably laminated on the surface opposite to the surface on which the transparent conductive film of the substrate is laminated.

前記偏光板は、円偏光板であってもよく、直線偏光板であってもよいが、本発明の積層体をタッチパネルに用いる場合には、その視認性の向上のため、円偏光板を用いることが好ましい。
前記円偏光板は、1枚の直線偏光板と1枚または2枚以上の位相差板を含んでなることが好ましい。偏光板と透明導電性フィルムとを積層する方法は特に制限されないが、本発明の効果およびタッチパネルとしての性質等を損なわない接着剤を用いて積層することができる。
The polarizing plate may be a circularly polarizing plate or a linear polarizing plate, but when the laminate of the present invention is used for a touch panel, a circularly polarizing plate is used for improving the visibility. It is preferable.
The circularly polarizing plate preferably includes one linearly polarizing plate and one or more retardation plates. Although the method in particular of laminating | stacking a polarizing plate and a transparent conductive film is not restrict | limited, It can laminate | stack using the adhesive agent which does not impair the effect of this invention, the property as a touch panel, etc.

また、透明導電性フィルムの表面硬度の向上、耐薬品性の向上、帯電防止、傷消しおよび指紋等の汚れの防止などの目的で、反射防止膜、ハードコート膜、帯電防止膜や防汚膜などの機能膜を適宜設けることができる。さらに、アンチニュートンリング処理を行ってもよい。
本発明の透明導電性フィルムをタッチパネルに用いる場合、前記反射防止膜、ハードコート膜、帯電防止膜および防汚膜は、指やペンの触れる面に形成されることが好ましく、前記透明導電膜の基材が積層された面と反対側の面に形成されることが好ましい。
Also, for the purpose of improving the surface hardness of transparent conductive film, improving chemical resistance, preventing antistatic, scratching and preventing dirt such as fingerprints, antireflection film, hard coat film, antistatic film and antifouling film A functional film such as can be provided as appropriate. Furthermore, an anti-Newton ring process may be performed.
When the transparent conductive film of the present invention is used for a touch panel, the antireflection film, the hard coat film, the antistatic film and the antifouling film are preferably formed on a surface touched by a finger or a pen. It is preferable to be formed on the surface opposite to the surface on which the base material is laminated.

機能膜を積層する方法としては、特に制限されないが、反射防止剤、ハードコート剤および/または帯電防止剤等のコーティング剤を含む溶液を透明導電性フィルム上に、前記と同様に溶融成形およびキャスティング等することによって製造することができ、また、反射防止剤、ハードコート剤および/または帯電防止剤等のコーティング剤をバーコーター等で透明導電性フィルム上に塗布した後、紫外線照射等により硬化することによって製造することができる。   The method for laminating the functional film is not particularly limited, but a solution containing a coating agent such as an antireflection agent, a hard coating agent and / or an antistatic agent is melt-molded and cast on the transparent conductive film in the same manner as described above. In addition, a coating agent such as an antireflection agent, a hard coating agent and / or an antistatic agent is applied on the transparent conductive film with a bar coater or the like, and then cured by ultraviolet irradiation or the like. Can be manufactured.

前記反射防止膜としては、特に制限されず、蒸着にて形成する誘電体多層膜、ウェットコーティングによりフッ素化合物または中空シリカ等からなる単一の反射防止膜、屈折率の異なる複数の層からなる反射防止層を積層してなる膜等が挙げられる。   The antireflection film is not particularly limited, and is a dielectric multilayer film formed by vapor deposition, a single antireflection film made of a fluorine compound or hollow silica by wet coating, or a reflection made of a plurality of layers having different refractive indexes. Examples include a film formed by laminating a prevention layer.

ハードコート剤としては、紫外線(UV)/電子線(EB)硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などが挙げられ、ウレタン系、ウレタンアクリレート系、アクリレート系、エポキシ系およびエポキシアクリレート系樹脂などが挙げられる。市販品としては東洋インキ製造株式会社製LCH、LAS、荒川化学工業株式会社製ビームセット、ダイセル・サイテック株式会社製EBECRYL、UVACURE、JSR株式会社製オプスター等が挙げられる。   Examples of the hard coating agent include ultraviolet (UV) / electron beam (EB) curable resins and thermosetting resins, and examples thereof include urethane, urethane acrylate, acrylate, epoxy, and epoxy acrylate resins. . Examples of commercially available products include LCH and LAS manufactured by Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd., Beam Set manufactured by Arakawa Chemical Industry Co., Ltd., EBECRYL manufactured by Daicel-Cytec Co., Ltd., UVACURE, Opstar manufactured by JSR Co., Ltd., and the like.

これらハードコート剤等のコーティング剤は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。また、これらコーティング剤は透明導電性フィルムの片面のみにコートしてもよいし、両面にコートしてもよい。両面にコートする場合、両面それぞれに異なるものをコートしてもよいし、両面とも同じものをコートしてもよい。   These hard coating agents and other coating agents may be used alone or in combination of two or more. These coating agents may be coated only on one side of the transparent conductive film or on both sides. When coating on both surfaces, different surfaces may be coated on both surfaces, or the same material may be coated on both surfaces.

前記防汚膜は、撥水性および/または撥油性であることにより、表面を保護し、さらに防汚性を高めることができ、本発明の効果を損なわない限り、いかなる材料からなる膜であっても制限されるものではないが、有機化合物、好ましくはフッ素含有有機化合物からなる層が適している。
撥水性を示すものとして、例えば、疎水基を有する化合物がよく、フルオロカーボンやパーフルオロシラン等の高分子化合物等が適している。なお、UV硬化性樹脂中に防汚性能を持たせることも可能である。
The antifouling film is a film made of any material as long as it is water-repellent and / or oil-repellent, can protect the surface and further enhance the antifouling property, and does not impair the effects of the present invention. Although not limited, a layer composed of an organic compound, preferably a fluorine-containing organic compound, is suitable.
For example, a compound having a hydrophobic group is preferable as a material exhibiting water repellency, and a polymer compound such as fluorocarbon or perfluorosilane is suitable. It is also possible to impart antifouling performance to the UV curable resin.

前記防汚膜は、その材料に応じて真空蒸着法、プラズマCVD法などの真空成膜プロセスや、マイクログラビア、スクリーン印刷等のウェットプロセスの各種コーティング方法を用いて形成することができる。   The antifouling film can be formed by using various coating methods such as a vacuum film forming process such as a vacuum deposition method and a plasma CVD method, and a wet process such as microgravure and screen printing depending on the material.

本発明の透明導電性フィルムに機能膜を形成する場合には、透明導電性フィルムと機能膜との密着性を上げる目的で、透明導電性フィルムの表面にコロナ処理やプラズマ処理等の表面処理をしてもよい。   When the functional film is formed on the transparent conductive film of the present invention, the surface of the transparent conductive film is subjected to surface treatment such as corona treatment or plasma treatment for the purpose of improving the adhesion between the transparent conductive film and the functional film. May be.

≪タッチパネル≫
前記タッチパネルは、前記透明導電性フィルムまたは前記積層体を含む。前記タッチパネルは、前記透明導電性フィルムを含むため、光透過性が高く、無色であり、耐久性、耐水性が高く、動作可能温度範囲が広い。このため、様々な表示装置に使用することができる。
本発明によれば、抵抗膜方式、表面弾性波方式、赤外線方式、電磁誘導方式、静電容量方式等、何れの方式のタッチパネルも製造することができる。
前記タッチパネルとしては、光透過性、耐熱性および耐熱着色性等に優れる前記透明導電性フィルムを含むため、抵抗膜方式や静電容量方式のタッチパネルが好ましく、静電容量方式のタッチパネルがより好ましい。
≪Touch panel≫
The touch panel includes the transparent conductive film or the laminate. Since the touch panel includes the transparent conductive film, the touch panel has high light permeability, is colorless, has high durability and water resistance, and has a wide operable temperature range. For this reason, it can be used for various display devices.
According to the present invention, it is possible to manufacture any type of touch panel such as a resistive film type, a surface acoustic wave type, an infrared type, an electromagnetic induction type, and a capacitance type.
The touch panel includes the transparent conductive film that is excellent in light transmittance, heat resistance, heat resistance coloring property, and the like. Therefore, a resistive film type or capacitive type touch panel is preferable, and a capacitive type touch panel is more preferable.

前記抵抗膜方式のタッチパネルとしては、例えば、指やペンなどが接触される側(外部)から、前記本発明の透明導電性フィルムまたは前記本発明の積層体と、該フィルムまたは積層体の透明導電膜と空隙を保って対向する透明導電膜を含むタッチパネルが挙げられる。
タッチパネルが、前記積層体を含むと、日光や蛍光灯等の外部からの光の反射光量が抑えられた低反射タッチパネルとなるため好ましい。
低反射タッチパネルは本質的にはこれらの要素で成り立つが、実際にタッチパネルの動作を実現するために、透明導電膜を支持する部材やコート材、空隙を形成するスペーサーなどが用いられる。透明導電膜を支持する部材には制御された光学特性が必要であり、前記重合体(I)などが好適である。
As the resistive film type touch panel, for example, the transparent conductive film of the present invention or the laminate of the present invention and the transparent conductive of the film or the laminate from the side (external) where a finger or a pen is contacted. Examples include a touch panel including a transparent conductive film facing the film while maintaining a gap.
It is preferable that the touch panel includes the laminate because a low reflection touch panel in which the amount of reflected light from the outside such as sunlight or a fluorescent lamp is suppressed.
A low-reflection touch panel essentially consists of these elements, but in order to actually realize the operation of the touch panel, a member that supports a transparent conductive film, a coating material, a spacer that forms a gap, and the like are used. The member that supports the transparent conductive film needs controlled optical characteristics, and the polymer (I) and the like are preferable.

また、前記静電容量方式のタッチパネルとしては、例えば、前記基材の四隅に電極が設けられた、前記透明導電性フィルムまたは前記積層体、からなる表面型静電容量方式のタッチパネルや、前記基材にICが搭載され、前記透明導電膜がパターニングされた透明導電膜であって、該パターンの延在方向が互いに直交するように積層された、前記本発明の透明導電性フィルムまたは前記本発明の積層体、からなる投影型静電容量方式のタッチパネルが挙げられる。   In addition, as the capacitive touch panel, for example, a surface capacitive touch panel including the transparent conductive film or the laminate, in which electrodes are provided at four corners of the base material, or the base The transparent conductive film of the present invention or the present invention, wherein an IC is mounted on a material and the transparent conductive film is patterned, and is laminated so that extending directions of the patterns are orthogonal to each other And a projected capacitive touch panel composed of the above laminate.

≪表示装置≫
前記表示装置は、前記タッチパネルを含む。
前記表示装置は、前記優れた特性を有するタッチパネルを含むため、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、カーナビ、タブレットPC、販売機器、ATM、FA機器等に制限なく使用することができる。
≪Display device≫
The display device includes the touch panel.
Since the display device includes a touch panel having the excellent characteristics, the display device can be used without limitation on a mobile phone, a smartphone, a portable information terminal, a car navigation system, a tablet PC, a sales device, an ATM, an FA device, and the like.

以下、本発明を実施例により具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of examples.

(1)構造分析
下記実施例および比較例で得られた重合体の構造分析は、IR(ATR法、FT−IR,6700、NICOLET社製)およびNMR(ADVANCE500型,BRUKAR社製)により行った。
(1) Structural analysis The structural analysis of the polymers obtained in the following Examples and Comparative Examples was performed by IR (ATR method, FT-IR, 6700, manufactured by NICOLET) and NMR (ADVANCE500 type, manufactured by BRUKAAR). .

(2)重量平均分子量(Mw)、数平均分子量(Mw)および分子量分布(Mw/Mn)
下記実施例および比較例で得られた重合体の重量平均分子量(Mw)、数平均分子量(Mw)および分子量分布(Mw/Mn)は、TOSOH製HLC−8220型GPC装置(カラム:TSKgelα―M、展開溶剤:THF)を用いて測定した。
(2) Weight average molecular weight (Mw), number average molecular weight (Mw) and molecular weight distribution (Mw / Mn)
The weight average molecular weight (Mw), number average molecular weight (Mw), and molecular weight distribution (Mw / Mn) of the polymers obtained in the following Examples and Comparative Examples were measured by a TLCOH HLC-8220 GPC apparatus (column: TSKgelα-M). , Developing solvent: THF).

(3)ガラス転移温度(Tg)
下記実施例および比較例で得られた重合体または評価用フィルムのガラス転移温度は、Rigaku社製8230型DSC測定装置を用いて、昇温速度20℃/minとして測定した。
(3) Glass transition temperature (Tg)
The glass transition temperatures of the polymers or evaluation films obtained in the following examples and comparative examples were measured using a Rigaku 8230 type DSC measuring apparatus with a temperature increase rate of 20 ° C./min.

(3')熱分解温度
下記実施例および比較例で得られた重合体の熱分解温度を熱重量分析法(TGA:窒素雰囲気下、昇温速度10℃/分、5%重量減少温度)により測定した。
(3 ') Thermal decomposition temperature The thermal decomposition temperature of the polymers obtained in the following examples and comparative examples was determined by thermogravimetric analysis (TGA: temperature increase rate of 10 ° C / min under nitrogen atmosphere, 5% weight loss temperature). It was measured.

(4)機械的強度
下記実施例および比較例で得られた評価用フィルムの室温における引張強度、破断伸び、引張弾性率を、引張試験機5543(INSTRON社製)を用いて、JIS K7127に準じて測定した。
(4) Mechanical strength Tensile strength, breaking elongation, and tensile modulus at room temperature of the films for evaluation obtained in the following examples and comparative examples were measured in accordance with JIS K7127 using a tensile tester 5543 (manufactured by INSTRON). Measured.

(5)環境安定性
下記実施例および比較例で得られた評価用フィルムの線膨張係数をSeiko Instruments社製SSC−5200型TMA測定装置を用いて測定した。得られた評価用フィルムを一度Tgマイナス20℃まで昇温した後、3℃/minで降温した際の200〜100℃でのTMA曲線の勾配から線膨張係数を算出した。
下記実施例および比較例で得られた評価用フィルムの湿度膨張係数をMA(SIIナノテクノロジー社製、TMA−SS6100)湿度制御オプションを用いて下記条件にて測定を実施した。
湿度条件:40%RHから70%RHに加湿した(引張法:加重5g) 温度:23℃
(5) Environmental stability The linear expansion coefficient of the film for evaluation obtained in the following examples and comparative examples was measured using an SSC-5200 type TMA measuring apparatus manufactured by Seiko Instruments. After the temperature of the obtained film for evaluation was once raised to Tg minus 20 ° C., the linear expansion coefficient was calculated from the gradient of the TMA curve at 200 to 100 ° C. when the temperature was lowered at 3 ° C./min.
The humidity expansion coefficients of the evaluation films obtained in the following examples and comparative examples were measured under the following conditions using MA (manufactured by SII Nanotechnology, TMA-SS6100) humidity control option.
Humidity condition: humidified from 40% RH to 70% RH (tensile method: weight 5 g) Temperature: 23 ° C.

(6)光学特性
下記実施例および比較例で得られた評価用フィルムについて、全光線透過率およびイエローインデックス(YI値)をJIS K7105透明度試験法に準じて測定した。具体的には、全光線透過率、スガ試験機社製ヘイズメーターSC−3Hを用いて測定し、YI値を、スガ試験機社製SM−T型色彩測定器を用いて測定した(加熱前YI)。
また、下記実施例および比較例で得られた評価用フィルムを熱風乾燥機にて大気中230℃で1時間の加熱を行った後、YI値をスガ試験機社製SM−T型色彩測定器を用いて測定した(加熱後YI)。なお、測定は、JIS K 7105条件に準じて行った。
(6) Optical characteristics About the film for evaluation obtained by the following Example and comparative example, the total light transmittance and the yellow index (YI value) were measured according to the JISK7105 transparency test method. Specifically, the total light transmittance was measured using a haze meter SC-3H manufactured by Suga Test Instruments Co., Ltd., and the YI value was measured using a SM-T type color measuring instrument manufactured by Suga Test Instruments Co., Ltd. (before heating). YI).
Moreover, after heating the film for evaluation obtained by the following Example and the comparative example at 230 degreeC in air | atmosphere for 1 hour with a hot air dryer, YI value is SM-T type color measuring device by Suga Test Instruments Co., Ltd. (YI after heating). The measurement was performed according to JIS K 7105 conditions.

下記実施例および比較例で得られた評価用フィルムの波長400nmにおける光線透過率は、紫外・可視分光光度計V−570(JASCO社製)を用いて測定し、得られた評価用フィルムの屈折率は、プリズムカプラ モデル2010(Metricon社製)を用いて測定した。なお、屈折率は、波長633nmを用いて測定した。   The light transmittance at a wavelength of 400 nm of the film for evaluation obtained in the following Examples and Comparative Examples was measured using an ultraviolet / visible spectrophotometer V-570 (manufactured by JASCO), and the refraction of the film for evaluation obtained. The rate was measured using a prism coupler model 2010 (made by Metricon). The refractive index was measured using a wavelength of 633 nm.

下記実施例および比較例で得られた評価用フィルムの位相差(Rth)は、大塚電子社製RETS分光器を用いて測定した。なお、測定の際の基準波長は589nmであり、位相差の評価膜厚は30μmに規格化した値で示した。   The retardation (Rth) of the evaluation films obtained in the following Examples and Comparative Examples was measured using a RETS spectrometer manufactured by Otsuka Electronics. In addition, the reference wavelength at the time of measurement was 589 nm, and the evaluation film thickness of the retardation was shown as a value normalized to 30 μm.

(7)比抵抗値
三菱化学(株)製の低抵抗率計「ロレスタ−GP」を用い、下記実施例および比較例で得られた透明導電性フィルムの透明導電膜の比抵抗値(Ω・cm)を測定した。
(7) Specific Resistance Value Using a low resistivity meter “Loresta-GP” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, the specific resistance value of the transparent conductive film of the transparent conductive film obtained in the following Examples and Comparative Examples (Ω · cm).

[実施例1]
3Lの4つ口フラスコに(A)成分:2,6−ジフルオロベンゾニトリル(以下「DFBN」ともいう。)35.12g(0.253mol)、(B)成分:9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン(以下「BPFL」ともいう。)70.08g(0.200mol)およびレゾルシノール(以下「RES」ともいう。)5.51g(0.050mol)、炭酸カリウム41.46g(0.300mol)、N,N−ジメチルアセトアミド(以下「DMAc」ともいう。)443gならびにトルエン111gを添加した。続いて、4つ口フラスコに温度計、撹拌機、窒素導入管付き三方コック、Dean−Stark管および冷却管を取り付けた。
[Example 1]
In a 3 L four-necked flask, component (A): 35.12 g (0.253 mol) of 2,6-difluorobenzonitrile (hereinafter also referred to as “DFBN”), component (B): 9,9-bis (4- Hydroxyphenyl) fluorene (hereinafter also referred to as “BPFL”) 70.08 g (0.200 mol), resorcinol (hereinafter also referred to as “RES”) 5.51 g (0.050 mol), potassium carbonate 41.46 g (0.300 mol) ), 443 g of N, N-dimethylacetamide (hereinafter also referred to as “DMAc”) and 111 g of toluene were added. Subsequently, a thermometer, a stirrer, a three-way cock with a nitrogen introduction tube, a Dean-Stark tube and a cooling tube were attached to the four-necked flask.

次いで、フラスコ内を窒素置換した後、得られた溶液を140℃で3時間反応させ、生成する水をDean−Stark管から随時取り除いた。水の生成が認められなくなったところで、徐々に温度を160℃まで上昇させ、そのままの温度で6時間反応させた。
室温(25℃)まで冷却後、生成した塩をろ紙で除去し、ろ液をメタノールに投じて再沈殿させ、ろ別によりろ物(残渣)を単離した。得られたろ物を60℃で一晩真空乾燥し、白色粉末(重合体)を得た(収量95.67g、収率95%)。
Next, after the atmosphere in the flask was replaced with nitrogen, the obtained solution was reacted at 140 ° C. for 3 hours, and water produced was removed from the Dean-Stark tube as needed. When no more water was observed, the temperature was gradually raised to 160 ° C. and reacted at that temperature for 6 hours.
After cooling to room temperature (25 ° C.), the produced salt was removed with a filter paper, the filtrate was poured into methanol for reprecipitation, and the filtrate (residue) was isolated by filtration. The obtained filtrate was vacuum dried at 60 ° C. overnight to obtain a white powder (polymer) (yield 95.67 g, yield 95%).

得られた重合体の物性を表1に示す。得られた重合体の構造分析および重量平均分子量の測定を行った。結果は、赤外吸収スペクトルの特性吸収が、3035(C−H伸縮)、2229cm-1(CN)、1574cm-1、1499cm-1(芳香環骨格吸収)、1240cm-1(−O−)であり、重量平均分子量が130,000であった。得られた重合体は前記構造単位(1)および(3)を有していた。 Table 1 shows the physical properties of the obtained polymer. The obtained polymer was subjected to structural analysis and measurement of the weight average molecular weight. As a result, the characteristic absorption of the infrared absorption spectrum is 3035 (C—H stretching), 2229 cm −1 (CN), 1574 cm −1 , 1499 cm −1 (aromatic ring skeleton absorption), 1240 cm −1 (—O—). The weight average molecular weight was 130,000. The obtained polymer had the structural units (1) and (3).

次いで、得られた重合体をDMAcに再溶解し、重合体濃度20質量%の樹脂組成物を得た。該樹脂組成物を、ポリエチレンテレフタラート(PET)からなる基板上にドクターブレードを用いて塗布し、70℃で30分乾燥させ、ついで100℃で30分乾燥してフィルムとした後、PET基板より剥離した。その後、フィルムを金枠に固定し、さらに230℃、2時間乾燥して、膜厚30μmの評価用フィルムを得た。
得られた評価用フィルムの物性を表1に示す。
さらに、スパッタリング装置を用いて、得られた評価用フィルムの片面にアルゴン雰囲気下230℃、5分間の成膜条件下で透明導電膜を形成した。なお、ターゲット材料としてはITOを用いた。得られた透明導電性フィルムの比抵抗値は、2×10-4(Ω・cm)であった。
Next, the obtained polymer was redissolved in DMAc to obtain a resin composition having a polymer concentration of 20% by mass. The resin composition is applied onto a substrate made of polyethylene terephthalate (PET) using a doctor blade, dried at 70 ° C. for 30 minutes, and then dried at 100 ° C. for 30 minutes to form a film. It peeled. Thereafter, the film was fixed to a metal frame and further dried at 230 ° C. for 2 hours to obtain an evaluation film having a thickness of 30 μm.
Table 1 shows the physical properties of the obtained film for evaluation.
Furthermore, using a sputtering apparatus, a transparent conductive film was formed on one side of the obtained film for evaluation under film forming conditions at 230 ° C. for 5 minutes in an argon atmosphere. In addition, ITO was used as a target material. The specific resistance value of the obtained transparent conductive film was 2 × 10 −4 (Ω · cm).

[実施例2]
RESの代わりに2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン11.41g(0.050mol)を使用した以外は、実施例1と同様に行った。得られた重合体、評価用フィルムおよび透明導電性フィルムの物性を表1に示す。
[Example 2]
The same procedure as in Example 1 was performed except that 11.41 g (0.050 mol) of 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane was used instead of RES. Table 1 shows the physical properties of the obtained polymer, evaluation film and transparent conductive film.

[実施例3]
(B)成分として、BPFL70.08gおよびRES5.51gの代わりに、BPFL78.84g(0.225mol)および2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン8.41g(0.025mol)を使用した以外は実施例1と同様に行った。得られた重合体、評価用フィルムおよび透明導電性フィルムの物性を表1に示す。
[Example 3]
As component (B), instead of 70.08 g of BPFL and 5.51 g of RES, 78.84 g (0.225 mol) of BPFL and 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3- The same operation as in Example 1 was carried out except that 8.41 g (0.025 mol) of hexafluoropropane was used. Table 1 shows the physical properties of the obtained polymer, evaluation film and transparent conductive film.

[実施例4]
(B)成分として、BPFL70.08gおよびRES5.51gの代わりに、9,9−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)フルオレン125.65g(0.250mol)を使用した以外は実施例1と同様に行った。得られた重合体、評価用フィルムおよび透明導電性フィルムの物性を表1に示す。
[Example 4]
Example 1 except that 125.65 g (0.250 mol) of 9,9-bis (3-phenyl-4-hydroxyphenyl) fluorene was used as the component (B) instead of 70.08 g of BPFL and 5.51 g of RES. The same was done. Table 1 shows the physical properties of the obtained polymer, evaluation film and transparent conductive film.

[実施例5]
(B)成分として、BPFL70.08gおよびRES5.51gの代わりに、BPFL87.60g(0.250mol)を使用した以外は実施例1と同様に行った。得られた重合体、評価用フィルムおよび透明導電性フィルムの物性を表1に示す。
[Example 5]
(B) It carried out like Example 1 except having used BPFL87.60g (0.250mol) instead of BPFL70.08g and RES5.51g as a component. Table 1 shows the physical properties of the obtained polymer, evaluation film and transparent conductive film.

[実施例6]
(B)成分として、BPFL70.08gおよびRES5.51gの代わりに、BPFL78.84g(0.225mol)および1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン6.71g(0.025mol)を使用した以外は実施例1と同様に行った。得られた重合体、評価用フィルムおよび透明導電性フィルムの物性を表1に示す。
[Example 6]
(B) Instead of using 70.08 g of BPFL and 5.51 g of RES, 78.84 g (0.225 mol) of BPFL and 6.71 g (0.025 mol) of 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) cyclohexane were used. Was carried out in the same manner as in Example 1. Table 1 shows the physical properties of the obtained polymer, evaluation film and transparent conductive film.

[実施例7]
(A)成分として、DFBN35.12gの代わりに、DFBN28.10g(0.202mol)および4,4−ジフルオロベンゾフェノン11.02g(0.051mol)を用いた以外は実施例5と同様に行った。得られた重合体、評価用フィルムおよび透明導電性フィルムの物性を表1に示す。
[Example 7]
(A) It carried out like Example 5 except having used DFBN28.10g (0.202 mol) and 4,4-difluorobenzophenone 11.02g (0.051 mol) instead of DFBN35.12g. Table 1 shows the physical properties of the obtained polymer, evaluation film and transparent conductive film.

[実施例8]
(A)成分の配合量を、DFBN17.56g(0.126mol)および4,4−ジフルオロベンゾフェノン27.55g(0.126mol)に変更した以外は実施例7と同様に行った。得られた重合体、評価用フィルムおよび透明導電性フィルムの物性を表1に示す。
[Example 8]
(A) It carried out similarly to Example 7 except having changed the compounding quantity of the component into DFBN 17.56g (0.126mol) and 4,4-difluorobenzophenone 27.55g (0.126mol). Table 1 shows the physical properties of the obtained polymer, evaluation film and transparent conductive film.

[実施例9]
(A)成分として、DFBN35.12gの代わりに、4,4−ジフルオロジフェニルスルホン(DFDS)78.84g(0.250mol)を使用した以外は実施例5と同様に行った。得られた重合体、評価用フィルムおよび透明導電性フィルムの物性を表1に示す。
[Example 9]
The same procedure as in Example 5 was performed except that 78.84 g (0.250 mol) of 4,4-difluorodiphenyl sulfone (DFDS) was used as the component (A) instead of 35.12 g of DFBN. Table 1 shows the physical properties of the obtained polymer, evaluation film and transparent conductive film.

[実施例10]
前記実施例5で得られた評価用フィルムをスパッタリング装置内に配置し、ターゲットとしてNb25を用いたスパッタリングによりNb25からなる厚さ50オングストロームの無機薄膜層を形成し、その上にターゲットとしてSiを用いたスパッタリングにより、SiO2からなる厚さ60オーングストロームの無機薄膜層を形成し、その上にターゲットとしてIn23/SnO2=90/10(重量比)の酸化物混合体を用いたスパッタリングにより、ITOからなる厚さ270オングストロームの透明導電膜を形成した。なお、上記スパッタは、いずれも、アルゴンガスおよび酸素ガス流入下、無加熱の条件下で行った。
[Example 10]
The evaluation film obtained in Example 5 was placed in a sputtering apparatus, and an inorganic thin film layer having a thickness of 50 Å composed of Nb 2 O 5 was formed by sputtering using Nb 2 O 5 as a target. An inorganic thin film layer having a thickness of 60 angstroms made of SiO 2 is formed by sputtering using Si as a target, and oxidation of In 2 O 3 / SnO 2 = 90/10 (weight ratio) as a target is formed thereon. A transparent conductive film made of ITO and having a thickness of 270 angstroms was formed by sputtering using a material mixture. In addition, all the said sputtering was performed on the conditions of non-heating under argon gas and oxygen gas inflow.

この積層フィルムを大気中に取り出した後、大気下で200℃×10分のアニール処理を行い、透明導電性フィルム1を得た。得られた透明導電フィルム1のシート抵抗値を4探針法により測定したところ、95Ω/□という低いシート抵抗値を示した。また透明導電性フィルム1の全光線透過率をヘイズメーターにより測定したところ(JIS−7361に準拠)90%と高い全光線透過率を示した。さらに、透明導電性フィルム1を1N塩酸中に10分間浸漬した後でもシート抵抗値に変化はなく、高い結晶性を有する透明導電膜が得られていることを示した。   The laminated film was taken out into the atmosphere, and then annealed at 200 ° C. for 10 minutes in the atmosphere to obtain a transparent conductive film 1. When the sheet resistance value of the obtained transparent conductive film 1 was measured by the 4-probe method, it showed a low sheet resistance value of 95Ω / □. Moreover, when the total light transmittance of the transparent conductive film 1 was measured with a haze meter (based on JIS-7361), it showed a high total light transmittance of 90%. Furthermore, even after the transparent conductive film 1 was immersed in 1N hydrochloric acid for 10 minutes, the sheet resistance value did not change, indicating that a transparent conductive film having high crystallinity was obtained.

[比較例1]
(B)成分として、BPFL70.08gおよびRES5.51gの代わりに、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン84.06g(0.250mol)を使用した以外は、実施例1と同様に重合体と評価用フィルムを得た。得られた重合体および評価用フィルムの物性を表1に示す。
さらに、スパッタリング装置を用いて、得られた評価用フィルムの片面にアルゴン雰囲気下150℃、5分間の成膜条件下で透明導電膜を形成した。なお、ターゲット材料としてはITOを用いた。得られた透明導電性フィルムの比抵抗値は、5×10-3(Ω・cm)であった。なお、成膜温度を実施例1と同様に230℃とした場合には、フィルムが変形し均一な透明導電膜が形成されなかった。
[Comparative Example 1]
As component (B), instead of 70.08 g of BPFL and 5.51 g of RES, 84.06 g of 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane (0. A polymer and a film for evaluation were obtained in the same manner as in Example 1 except that 250 mol) was used. Table 1 shows the physical properties of the obtained polymer and the film for evaluation.
Furthermore, using a sputtering apparatus, a transparent conductive film was formed on one side of the obtained film for evaluation under film forming conditions at 150 ° C. for 5 minutes in an argon atmosphere. In addition, ITO was used as a target material. The specific resistance value of the obtained transparent conductive film was 5 × 10 −3 (Ω · cm). When the film formation temperature was 230 ° C. as in Example 1, the film was deformed and a uniform transparent conductive film was not formed.

[比較例2]
帝人(株)製のポリエチレンナフタレートフィルム:ネオテックスを使用し、評価は実施例1と同様の方法で行った(膜厚125μm)。フィルムの物性を表1に示す。
さらに、スパッタリング装置を用いて、上記フィルムの片面にアルゴン雰囲気下150℃、5分間の成膜条件下で透明導電膜を形成した。なお、ターゲット材料としてはITOを用いた。得られた透明導電性フィルムの比抵抗値は、7×10-3(Ω・cm)であった。なお、成膜温度を実施例1と同様に230℃とした場合には、フィルムが変形し均一な透明導電膜が形成されなかった。
[Comparative Example 2]
Polyethylene naphthalate film manufactured by Teijin Ltd .: Neotex was used, and evaluation was performed in the same manner as in Example 1 (film thickness 125 μm). The physical properties of the film are shown in Table 1.
Further, using a sputtering apparatus, a transparent conductive film was formed on one side of the film under a film forming condition of 150 ° C. for 5 minutes in an argon atmosphere. In addition, ITO was used as a target material. The specific resistance value of the obtained transparent conductive film was 7 × 10 −3 (Ω · cm). When the film formation temperature was 230 ° C. as in Example 1, the film was deformed and a uniform transparent conductive film was not formed.

[比較例3]
温度計、攪拌機、窒素導入管、及び冷却管を取り付けた300mLの4つ口フラスコに、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン9.70g(23.6mmol)を添加した。次いで、フラスコ内を窒素置換した後、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)(60ml)を加え均一になるまで攪拌した。得られた溶液に2,3,5−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物5.30g(23.6mmol)を室温で加え、そのままの温度で12時間攪拌を続けて反応させ、ポリアミック酸を含む溶液を得た。
[Comparative Example 3]
9.70 g (23.6 mmol) of 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane was added to a 300 mL four-necked flask equipped with a thermometer, a stirrer, a nitrogen inlet tube, and a condenser tube. did. Next, after the atmosphere in the flask was replaced with nitrogen, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) (60 ml) was added and stirred until uniform. To the resulting solution, 5.30 g (23.6 mmol) of 2,3,5-tricarboxycyclopentylacetic acid dianhydride was added at room temperature, and the reaction was continued for 12 hours at the same temperature to obtain a solution containing polyamic acid. Obtained.

得られたポリアミック酸を含む溶液にNMP(75ml)を加えて希釈した後、ピリジン(7.5ml)および無水酢酸(6.7ml)を加え、110℃で6時間攪拌してイミド化を行った。その後、室温まで冷却した後、大量のメタノールに投じ、ろ別によりろ物を単離した。得られたろ物を60℃で一晩真空乾燥し、白色粉末(重合体)を得た(収量13.5g、収率95.3%)。   After diluting the resulting polyamic acid-containing solution with NMP (75 ml), pyridine (7.5 ml) and acetic anhydride (6.7 ml) were added, and the mixture was stirred at 110 ° C. for 6 hours for imidization. . Then, after cooling to room temperature, it poured into a lot of methanol, and the filtrate was isolated by filtration. The obtained filtrate was vacuum dried at 60 ° C. overnight to obtain a white powder (polymer) (yield 13.5 g, yield 95.3%).

次いで、得られた重合体をDMAcに再溶解させ、20質量%の樹脂溶液を得た。該樹脂溶液を、ポリエチレンテレフタレート(PET)からなる基板上にドクターブレード(100μmギャップ)を用いて塗布し、100℃で30分乾燥させ、ついで150℃で60分乾燥してフィルムとした後、PET基板より剥離した。その後、フィルムをさらに150℃、減圧下で3時間乾燥して、膜厚30μmの評価用フィルムを得た。評価は実施例1と同様の方法で行った。結果を表1に示す。   Next, the obtained polymer was redissolved in DMAc to obtain a 20% by mass resin solution. The resin solution is applied onto a substrate made of polyethylene terephthalate (PET) using a doctor blade (100 μm gap), dried at 100 ° C. for 30 minutes, and then dried at 150 ° C. for 60 minutes to form a film. Peeled from the substrate. Thereafter, the film was further dried at 150 ° C. under reduced pressure for 3 hours to obtain an evaluation film having a thickness of 30 μm. Evaluation was performed in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

さらに、スパッタリング装置を用いて、得られた評価用フィルムの片面にアルゴン雰囲気下230℃、5分間の成膜条件下で透明導電膜を形成した。なお、ターゲット材料としてはITOを用いた。得られた導電性フィルムの比抵抗値は、2×10-4(Ω・cm)であった。 Furthermore, using a sputtering apparatus, a transparent conductive film was formed on one side of the obtained film for evaluation under film forming conditions at 230 ° C. for 5 minutes in an argon atmosphere. In addition, ITO was used as a target material. The specific resistance value of the obtained conductive film was 2 × 10 −4 (Ω · cm).

Figure 2012218163
Figure 2012218163

上記結果より、前記重合体(I)を含む基材は、耐熱性、耐熱着色性に優れることが分かる。また、前記重合体(I)を含む基材は耐熱性に優れるため、その少なくとも一方の面に透明導電膜を形成する際の成膜方法が限定されず、表面抵抗値の小さい透明導電性フィルムを得ることができる。そのため、タッチパネル等に好適に用いることができる。   From the above results, it can be seen that the base material containing the polymer (I) is excellent in heat resistance and heat coloration resistance. Moreover, since the base material containing the polymer (I) is excellent in heat resistance, the film forming method for forming the transparent conductive film on at least one surface thereof is not limited, and the transparent conductive film having a small surface resistance value. Can be obtained. Therefore, it can be suitably used for a touch panel or the like.

Claims (19)

基材の少なくとも一方の面に透明導電膜を有する透明導電性フィルムであって、該基材が、示差走査熱量測定(DSC、昇温速度20℃/分)によるガラス転移温度(Tg)が230〜350℃である芳香族ポリエーテル系重合体を含む、透明導電性フィルム。   A transparent conductive film having a transparent conductive film on at least one surface of a substrate, and the substrate has a glass transition temperature (Tg) of 230 by differential scanning calorimetry (DSC, heating rate of 20 ° C./min). A transparent conductive film comprising an aromatic polyether polymer having a temperature of ˜350 ° C. 示差走査熱量測定(DSC、昇温速度20℃/分)によるガラス転移温度(Tg)が230〜350℃である芳香族ポリエーテル系重合体を含む基材の少なくとも一方の面に、透明導電膜を形成した後、(基材のTgマイナス20℃)以下の温度でアニール処理してなる、透明導電性フィルム。   A transparent conductive film is formed on at least one surface of a substrate containing an aromatic polyether polymer having a glass transition temperature (Tg) of 230 to 350 ° C. by differential scanning calorimetry (DSC, heating rate 20 ° C./min). A transparent conductive film formed by annealing at a temperature equal to or lower than (Tg minus 20 ° C. of the base material) after forming. 前記透明導電膜が、酸化インジウムおよび2〜18重量%の酸化スズ(但し、透明導電膜全体を100重量%とする。)を含んでなる、請求項1または2に記載の透明導電性フィルム。   The transparent conductive film according to claim 1 or 2, wherein the transparent conductive film comprises indium oxide and 2 to 18% by weight of tin oxide (provided that the entire transparent conductive film is 100% by weight). 前記透明導電膜の膜厚が20〜50nmである、請求項1〜3のいずれか1項に記載の透明導電性フィルム。   The transparent conductive film of any one of Claims 1-3 whose film thickness of the said transparent conductive film is 20-50 nm. 基材の少なくとも一方の面に、無加熱または(基材のTgマイナス20℃)以下の温度でスパッタリングしてなる無機物層を少なくとも1層有する、請求項1〜4のいずれか1項に記載の透明導電性フィルム。   5. The inorganic material layer according to claim 1, which has at least one inorganic layer formed on at least one surface of the substrate without heating or by sputtering at a temperature of (Tg minus 20 ° C. of the substrate) or less. Transparent conductive film. 前記無機物層の屈折率が1.4〜2.5である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の透明導電性フィルム。   The transparent conductive film of any one of Claims 1-5 whose refractive index of the said inorganic substance layer is 1.4-2.5. 前記無機物層の膜厚が3〜70nmである、請求項1〜6のいずれか1項に記載の透明導電性フィルム。   The transparent conductive film of any one of Claims 1-6 whose film thickness of the said inorganic substance layer is 3-70 nm. 前記芳香族ポリエーテル系重合体が、下記式(1)で表わされる構造単位および下記式(2)で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位(i)を有する、請求項1〜7のいずれか1項に記載の透明導電性フィルム。
Figure 2012218163
(式(1)中、R1〜R4は、それぞれ独立に炭素数1〜12の1価の有機基を示し、a〜dは、それぞれ独立に0〜4の整数を示す。)
Figure 2012218163
(式(2)中、R1〜R4およびa〜dは、それぞれ独立に前記式(1)中のR1〜R4およびa〜dと同義であり、Yは、単結合、−SO2−または>C=Oを示し、R7およびR8は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数1〜12の1価の有機基またはニトロ基を示し、gおよびhは、それぞれ独立に0〜4の整数を示し、mは0または1を示す。但し、mが0の時、R7はシアノ基ではない。)
The aromatic polyether polymer has at least one structural unit (i) selected from the group consisting of a structural unit represented by the following formula (1) and a structural unit represented by the following formula (2). The transparent conductive film of any one of 1-7.
Figure 2012218163
(In Formula (1), R < 1 > -R < 4 > shows a C1-C12 monovalent organic group each independently, and ad shows the integer of 0-4 each independently.)
Figure 2012218163
(In Formula (2), R < 1 > -R < 4 > and ad are respectively synonymous with R < 1 > -R < 4 > and said ad in said Formula (1), Y is a single bond, -SO 2- or> C = O, R 7 and R 8 each independently represent a halogen atom, a monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms or a nitro group, and g and h each independently represent 0 to 4 represents an integer of 4 and m represents 0 or 1. However, when m is 0, R 7 is not a cyano group.
前記芳香族ポリエーテル系重合体が、さらに、下記式(3)で表わされる構造単位および下記式(4)で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位(ii)を有する、請求項1〜8のいずれか1項に記載の透明導電性フィルム。
Figure 2012218163
(式(3)中、R5およびR6は、それぞれ独立に炭素数1〜12の1価の有機基を示し、Zは、単結合、−O−、−S−、−SO2−、>C=O、−CONH−、−COO−または炭素数1〜12の2価の有機基を示し、eおよびfは、それぞれ独立に0〜4の整数を示し、nは0または1を示す。)
Figure 2012218163
(式(4)中、R7、R8、Y、m、gおよびhは、それぞれ独立に前記式(2)中のR7、R8、Y、m、gおよびhと同義であり、R5、R6、Z、n、eおよびfは、それぞれ独立に前記式(3)中のR5、R6、Z、n、eおよびfと同義である。)
The aromatic polyether polymer further has at least one structural unit (ii) selected from the group consisting of a structural unit represented by the following formula (3) and a structural unit represented by the following formula (4). The transparent conductive film of any one of Claims 1-8.
Figure 2012218163
(In formula (3), R 5 and R 6 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms, and Z represents a single bond, —O—, —S—, —SO 2 —, > C═O, —CONH—, —COO— or a divalent organic group having 1 to 12 carbon atoms, e and f each independently represent an integer of 0 to 4, and n represents 0 or 1 .)
Figure 2012218163
(In the formula (4), R 7, R 8, Y, m, g and h are each R 7 in independent to the formula (2), R 8, Y , m, synonymous with g and h, R 5, R 6, Z, n, e and f are as defined each R 5 in the formula (3) independently, R 6, Z, n, e and f.)
前記芳香族ポリエーテル系重合体において、前記構造単位(i)と前記構造単位(ii)とのモル比が50:50〜100:0である、請求項1〜9のいずれか1項に記載の透明導電性フィルム。   10. The aromatic polyether polymer according to claim 1, wherein a molar ratio of the structural unit (i) to the structural unit (ii) is 50:50 to 100: 0. Transparent conductive film. 前記芳香族ポリエーテル系重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算の重量平均分子量が5,000〜500,000である、請求項1〜10のいずれか1項に記載の透明導電性フィルム。   The transparent conductive of any one of Claims 1-10 whose weight average molecular weight of polystyrene conversion by the gel permeation chromatography (GPC) of the said aromatic polyether type polymer is 5,000-500,000. Sex film. 前記基材の厚み30μmにおけるJIS K7105透明度試験法による全光線透過率が85%以上である、請求項1〜11のいずれか1項に記載の透明導電性フィルム。   The transparent conductive film of any one of Claims 1-11 whose total light transmittance by the JISK7105 transparency test method in thickness of 30 micrometers of the said base material is 85% or more. 前記基材の厚み30μmにおけるYI値(イエローインデックス)が3.0以下である、請求項1〜12のいずれか1項に記載の透明導電性フィルム。   The transparent conductive film of any one of Claims 1-12 whose YI value (yellow index) in the thickness of the said base material of 30 micrometers is 3.0 or less. 前記基材の厚み30μmにおける厚み方向の位相差(Rth)が200nm以下である、請求項1〜13のいずれか1項に記載の透明導電性フィルム。   The transparent conductive film of any one of Claims 1-13 whose retardation (Rth) of the thickness direction in the thickness of 30 micrometers of the said base material is 200 nm or less. 静電容量タッチパネル用である、請求項1〜14のいずれか1項に記載の透明導電性フィルム。   The transparent conductive film of any one of Claims 1-14 which is an object for capacitive touch panels. 請求項1〜15のいずれか1項に記載の透明導電性フィルムの少なくとも一方の面に、偏光板、反射防止膜、ハードコート膜、帯電防止膜および防汚膜からなる群より選ばれる少なくとも1種の層を備えてなる積層体。   The at least one surface selected from the group consisting of a polarizing plate, an antireflection film, a hard coat film, an antistatic film and an antifouling film on at least one surface of the transparent conductive film according to claim 1. A laminate comprising a seed layer. 請求項1〜15のいずれか1項に記載の透明導電性フィルムまたは請求項16に記載の積層体を含むタッチパネル。   A touch panel comprising the transparent conductive film according to claim 1 or the laminate according to claim 16. 静電容量タッチパネルである、請求項17に記載のタッチパネル。   The touch panel according to claim 17, which is a capacitive touch panel. 請求項17または18に記載のタッチパネルを含む、表示装置。   A display device comprising the touch panel according to claim 17.
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