JP5708160B2 - Resin substrate for high frequency circuit board and high frequency circuit board - Google Patents

Resin substrate for high frequency circuit board and high frequency circuit board Download PDF

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本発明は、高周波回路基板用樹脂基板およびそれを含む高周波回路基板に関する。   The present invention relates to a resin substrate for a high-frequency circuit board and a high-frequency circuit board including the same.

近年、ネットワーク機器等の情報伝送装置においては、その高速信号化の要求が高くなっている。このような信号の高速化には、該情報伝送装置に使用される高周波回路基板に関し、信号伝播速度の向上、高周波域での低伝送損失を実現することが必要である。このため、低誘電率及び低誘電損失の高周波回路基板の開発が検討されている。   In recent years, information transmission apparatuses such as network devices are increasingly demanded for high-speed signal transmission. In order to increase the speed of such a signal, it is necessary to improve the signal propagation speed and realize a low transmission loss in the high frequency range for the high frequency circuit board used in the information transmission apparatus. For this reason, development of a high-frequency circuit board having a low dielectric constant and low dielectric loss has been studied.

このような低誘電率及び低誘電損失という特性の向上には、高周波回路基板を構成する絶縁層の誘電特性を改良することが重要である。従来、かかる高周波回路用基板の絶縁層を構成する樹脂材料には、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂が適用されてきた。   In order to improve such low dielectric constant and low dielectric loss characteristics, it is important to improve the dielectric characteristics of the insulating layer constituting the high-frequency circuit board. Conventionally, an epoxy resin or a polyimide resin has been applied to a resin material constituting the insulating layer of the high-frequency circuit board.

また、特許文献1には、p−ヒドロキシ安息香酸と6−ヒドロキシ−2−ナフトエ酸の共重合物である熱可塑性液晶ポリマーを成形後に特定の熱処理することで誘電率と誘電損失を制御できる旨記載されている。   Patent Document 1 discloses that the dielectric constant and dielectric loss can be controlled by subjecting a thermoplastic liquid crystal polymer, which is a copolymer of p-hydroxybenzoic acid and 6-hydroxy-2-naphthoic acid, to a specific heat treatment after molding. Have been described.

特開2006−137786号公報JP 2006-137786 A

しかしながら、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂は吸湿性が高く、高周波域で誘電率が変化しやすいという問題を有していた。また、特定の熱処理をしなくても誘電率と誘電損失の小さい樹脂材料が求められていた。   However, epoxy resins and polyimide resins have a high hygroscopic property and have a problem that the dielectric constant easily changes in a high frequency range. Further, a resin material having a low dielectric constant and dielectric loss without requiring a specific heat treatment has been demanded.

本発明は、これらの課題を解決するためになされたもので、伝送速度が速く、高周波域での低伝送損失の少ない高周波回路基板を形成するための樹脂基板を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve these problems, and an object of the present invention is to provide a resin substrate for forming a high-frequency circuit board having a high transmission speed and a low transmission loss in a high-frequency region.

本発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、比誘電率および誘電正接が特定の範囲にある樹脂基板によれば、上記目的を達成しうることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、以下の[1]〜[6]を提供するものである。
As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found that the above object can be achieved by using a resin substrate having a specific dielectric constant and dielectric loss tangent within specific ranges, and have completed the present invention. .
That is, the present invention provides the following [1] to [6].

[1] 26℃、相対湿度45%RHでの、
1GHzおよび10GHzにおける比誘電率が3.2以下、1GHzにおける誘電正接が0.0050以下ならびに10GHzにおける誘電正接が0.010以下である、高周波回路基板用樹脂基板。
[2] 前記樹脂基板が、下記式(1)で表わされる構造単位および下記式(2)で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位(i)を有する芳香族ポリエーテル系重合体を含んでなる、[1]に記載の樹脂基板。
[1] At 26 ° C. and relative humidity 45% RH
A resin substrate for a high-frequency circuit board, wherein a relative dielectric constant at 1 GHz and 10 GHz is 3.2 or less, a dielectric loss tangent at 1 GHz is 0.0050 or less, and a dielectric loss tangent at 10 GHz is 0.010 or less.
[2] An aromatic polyether system in which the resin substrate has at least one structural unit (i) selected from the group consisting of a structural unit represented by the following formula (1) and a structural unit represented by the following formula (2) The resin substrate according to [1], comprising a polymer.

Figure 0005708160
(式(1)中、R1〜R4は、それぞれ独立に炭素数1〜12の1価の有機基を示し、a〜dは、それぞれ独立に0〜4の整数を示す。)
Figure 0005708160
(In Formula (1), R < 1 > -R < 4 > shows a C1-C12 monovalent organic group each independently, and ad shows the integer of 0-4 each independently.)

Figure 0005708160
(式(2)中、R1〜R4およびa〜dは、それぞれ独立に前記式(1)中のR1〜R4およびa〜dと同義であり、Yは単結合、−SO2−または>C=Oを示し、R7およびR8は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数1〜12の1価の有機基またはニトロ基を示し、gおよびhは、それぞれ独立に0〜4の整数を示し、mは0または1を示す。但し、mが0の時、R7はシアノ基ではない。)
Figure 0005708160
(In the formula (2), R 1 to R 4 and a~d are the same as R 1 to R 4 and a~d each independently the formula (1), Y represents a single bond, -SO 2 -Or> C = O, R 7 and R 8 each independently represent a halogen atom, a monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms or a nitro group, and g and h each independently represent 0 to 4 And m represents 0 or 1. However, when m is 0, R 7 is not a cyano group.)

[3] 前記芳香族ポリエーテル系重合体が、さらに、下記式(3)で表わされる構造単位および下記式(4)で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位(ii)を有する、[1]または[2]に記載の樹脂基板。   [3] The aromatic polyether-based polymer further includes at least one structural unit (ii) selected from the group consisting of a structural unit represented by the following formula (3) and a structural unit represented by the following formula (4): The resin substrate according to [1] or [2], comprising:

Figure 0005708160
(式(3)中、R5およびR6は、それぞれ独立に炭素数1〜12の1価の有機基を示し、Zは、単結合、−O−、−S−、−SO2−、>C=O、−CONH−、−COO−または炭素数1〜12の2価の有機基を示し、eおよびfは、それぞれ独立に0〜4の整数を示し、nは0または1を示す。)
Figure 0005708160
(In formula (3), R 5 and R 6 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms, and Z represents a single bond, —O—, —S—, —SO 2 —, > C═O, —CONH—, —COO— or a divalent organic group having 1 to 12 carbon atoms, e and f each independently represent an integer of 0 to 4, and n represents 0 or 1 .)

Figure 0005708160
(式(4)中、R7、R8、Y、m、gおよびhは、それぞれ独立に前記式(2)中のR7、R8、Y、m、gおよびhと同義であり、R5、R6、Z、n、eおよびfは、それぞれ独立に前記式(3)中のR5、R6、Z、n、eおよびfと同義である。)
Figure 0005708160
(In the formula (4), R 7, R 8, Y, m, g and h are each R 7 in independent to the formula (2), R 8, Y , m, synonymous with g and h, R 5, R 6, Z, n, e and f are as defined each R 5 in the formula (3) independently, R 6, Z, n, e and f.)

[4] 前記芳香族ポリエーテル系重合体において、上記構造単位(i)と、上記構造単位(ii)とのモル比が50:50〜100:0である、[1]〜[3]のいずれかに記載の樹脂基板。
[5] 前記芳香族ポリエーテル系重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算の重量平均分子量が5,000〜500,000である、[1]〜[4]のいずれかに記載の樹脂基板。
[6] [1]〜[5]のいずれかに記載の樹脂基板を含む、高周波回路基板。
[4] In the aromatic polyether polymer, the molar ratio of the structural unit (i) to the structural unit (ii) is 50:50 to 100: 0. The resin substrate in any one.
[5] In any one of [1] to [4], the polystyrene-equivalent weight average molecular weight of the aromatic polyether polymer by gel permeation chromatography (GPC) is 5,000 to 500,000. Resin substrate.
[6] A high-frequency circuit board comprising the resin substrate according to any one of [1] to [5].

本発明によれば、比誘電率および誘電正接、特に、1GHz以上の高周波帯域における比誘電率および誘電正接が小さく、吸湿性の低い、高周波回路基板に好適に用いられる樹脂基板を容易に得ることができる。
また、高温、高湿度下における電気特性の劣化の少ない樹脂基板を得ることができる。
さらに本発明によれば、伝送速度が速く、伝送損失の小さい高周波回路基板を得ることができる。
According to the present invention, it is possible to easily obtain a resin substrate suitably used for a high-frequency circuit board having a low relative dielectric constant and dielectric loss tangent, in particular, a low relative dielectric constant and dielectric loss tangent in a high frequency band of 1 GHz or more and low hygroscopicity. Can do.
In addition, it is possible to obtain a resin substrate with little deterioration in electrical characteristics under high temperature and high humidity.
Furthermore, according to the present invention, it is possible to obtain a high-frequency circuit board having a high transmission speed and a small transmission loss.

図1は本発明の実施例における伝送損失を測定する際に作製した銅張積層板の断面模式図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a copper clad laminate produced when measuring transmission loss in an example of the present invention.

≪高周波回路基板用樹脂基板≫
本発明の高周波回路基板用樹脂基板(以下「樹脂基板」ともいう。)は、26℃、相対湿度45%RHでの、1GHzおよび10GHzにおける比誘電率が3.2以下、1GHzにおける誘電正接が0.0050以下ならびに10GHzにおける誘電正接が0.010以下である。
このような樹脂基板を用いることで、伝送速度が速く、高周波域での低伝送損失の少ない高周波回路を得ることができる。
≪Resin board for high frequency circuit board≫
The resin substrate for a high-frequency circuit board of the present invention (hereinafter also referred to as “resin substrate”) has a relative dielectric constant of 3.2 or less at 1 GHz and 10 GHz at 26 ° C. and a relative humidity of 45% RH, and has a dielectric loss tangent at 1 GHz. The dielectric loss tangent at 0.0050 or less and 10 GHz is 0.010 or less.
By using such a resin substrate, it is possible to obtain a high-frequency circuit with a high transmission speed and low transmission loss in a high-frequency region.

前記樹脂基板の26℃、相対湿度45%RHでの、
1GHzにおける比誘電率は好ましくは3.1以下であり、
10GHzにおける比誘電率は好ましくは3.1以下であり、
1GHzにおける誘電正接は好ましくは0.003以下であり、
10GHzにおける誘電正接は好ましくは0.008以下である。
前記樹脂基板の所望の周波数における比誘電率および誘電正接は、26℃、相対湿度45%RHの環境下で、ベクトルネットワークアナライザWiltron37169A(Wiltron製)を用いて摂動方式共振法により測定される。
樹脂基板の1GHz以上の高周波帯域における比誘電率および誘電正接が前記範囲にあることで、より伝送速度が速く、高周波域での低伝送損失の少ない高周波回路を得ることができる。
The resin substrate at 26 ° C. and relative humidity 45% RH,
The relative dielectric constant at 1 GHz is preferably 3.1 or less,
The relative dielectric constant at 10 GHz is preferably 3.1 or less,
The dielectric loss tangent at 1 GHz is preferably 0.003 or less,
The dielectric loss tangent at 10 GHz is preferably 0.008 or less.
The relative dielectric constant and dielectric loss tangent of the resin substrate at a desired frequency are measured by a perturbation resonance method using a vector network analyzer Wiltron 37169A (manufactured by Wiltron) in an environment of 26 ° C. and a relative humidity of 45% RH.
Since the relative permittivity and dielectric loss tangent of the resin substrate in a high frequency band of 1 GHz or more are in the above ranges, a high frequency circuit with a higher transmission speed and a low transmission loss in the high frequency range can be obtained.

このような樹脂基板は、1GHz以上の高周波帯域における比誘電率および誘電正接が前記範囲にあるような重合体、好ましくは吸水性の低い構造単位を有する重合体を用いて成形することにより得ることができる。さらに好ましくは、該重合体中に、アミド基、イミド基、エステル基などの吸水性の高い官能基を含まない重合体を用いることにより得られる。前記吸水性の低い官能基としては、エーテル基が好ましく、前記重合体としては、下記式(1)で表わされる構造単位(以下「構造単位(1)」ともいう。)および下記式(2)で表わされる構造単位(以下「構造単位(2)」ともいう。)からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位(i)を有する芳香族ポリエーテル系重合体(以下「重合体(I)」ともいう。)であることが好ましい。   Such a resin substrate is obtained by molding using a polymer having a relative dielectric constant and a dielectric loss tangent in a high frequency band of 1 GHz or higher, preferably a polymer having a structural unit with low water absorption. Can do. More preferably, the polymer is obtained by using a polymer that does not contain a functional group having high water absorption such as an amide group, an imide group, or an ester group. The functional group having low water absorption is preferably an ether group, and the polymer is a structural unit represented by the following formula (1) (hereinafter also referred to as “structural unit (1)”) and the following formula (2). An aromatic polyether polymer (hereinafter referred to as “polymer (I)”) having at least one structural unit (i) selected from the group consisting of structural units represented by the following (hereinafter also referred to as “structural unit (2)”): It is also preferable.

この重合体(I)は、1GHz以上の高周波帯域における比誘電率および誘電正接が小さい。このため、伝送速度が速く、伝送損失の小さい回路基板を得ることができ、高周波回路に好適に用いられる。さらに、重合体(I)は吸湿性が低く、耐熱性、力学的強度および電気的特性等にバランス良く優れるため、高温下および/または高湿度下等の過酷な環境下においても比誘電率や誘電正接が大きくなるなどの電気特性の劣化が起こりにくい。このため、本発明の樹脂基板によれば、過酷な環境下でも伝送速度が速く、伝送損失が小さい、環境依存性の小さい高周波回路基板を得ることができる。   This polymer (I) has a small relative dielectric constant and dielectric loss tangent in a high frequency band of 1 GHz or more. For this reason, a circuit board with a high transmission speed and a small transmission loss can be obtained, and it is suitably used for a high-frequency circuit. Furthermore, since the polymer (I) has low hygroscopicity and excellent balance in heat resistance, mechanical strength, electrical properties, etc., the relative dielectric constant and the like even under harsh environments such as high temperature and / or high humidity. Deterioration of electrical characteristics such as increased dielectric loss tangent is unlikely to occur. For this reason, according to the resin substrate of the present invention, it is possible to obtain a high-frequency circuit board having a high transmission speed, a small transmission loss, and a small environmental dependency even under a severe environment.

Figure 0005708160
Figure 0005708160

前記式(1)中、R1〜R4は、それぞれ独立に炭素数1〜12の1価の有機基を示す。a〜dは、それぞれ独立に0〜4の整数を示し、好ましくは0または1である。
炭素数1〜12の1価の有機基としては、炭素数1〜12の1価の炭化水素基、ならびに酸素原子および窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも1種の原子を含む炭素数1〜12の1価の有機基等を挙げることができる。
In said formula (1), R < 1 > -R < 4 > shows a C1-C12 monovalent organic group each independently. a to d each independently represent an integer of 0 to 4, preferably 0 or 1.
The monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms includes a monovalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms and 1 to 1 carbon atoms containing at least one atom selected from the group consisting of an oxygen atom and a nitrogen atom. And 12 monovalent organic groups.

炭素数1〜12の1価の炭化水素基としては、炭素数1〜12の直鎖または分岐鎖の炭化水素基、炭素数3〜12の脂環式炭化水素基および炭素数6〜12の芳香族炭化水素基等が挙げられる。   Examples of the monovalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms include a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, and 6 to 12 carbon atoms. An aromatic hydrocarbon group etc. are mentioned.

前記炭素数1〜12の直鎖または分岐鎖の炭化水素基としては、炭素数1〜8の直鎖または分岐鎖の炭化水素基が好ましく、炭素数1〜5の直鎖または分岐鎖の炭化水素基がより好ましい。   The linear or branched hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms is preferably a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, and the linear or branched carbon group having 1 to 5 carbon atoms. A hydrogen group is more preferable.

前記直鎖または分岐鎖の炭化水素基の好適な具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基およびn−ヘプチル基等が挙げられる。   Preferable specific examples of the linear or branched hydrocarbon group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, and n-pentyl. Group, n-hexyl group, n-heptyl group and the like.

前記炭素数3〜12の脂環式炭化水素基としては、炭素数3〜8の脂環式炭化水素基が好ましく、炭素数3または4の脂環式炭化水素基がより好ましい。   As said C3-C12 alicyclic hydrocarbon group, a C3-C8 alicyclic hydrocarbon group is preferable, and a C3-C4 alicyclic hydrocarbon group is more preferable.

炭素数3〜12の脂環式炭化水素基の好適な具体例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基およびシクロへキシル基等のシクロアルキル基;シクロブテニル基、シクロペンテニル基およびシクロヘキセニル基等のシクロアルケニル基が挙げられる。当該脂環式炭化水素基の結合部位は、脂環上のいずれの炭素でもよい。   Preferable specific examples of the alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms include cycloalkyl groups such as cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, and cyclohexyl group; cyclobutenyl group, cyclopentenyl group, and cyclohexenyl group. And the like. The bonding site of the alicyclic hydrocarbon group may be any carbon on the alicyclic ring.

前記炭素数6〜12の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ビフェニル基およびナフチル基等が挙げられる。当該芳香族炭化水素基の結合部位は、芳香族環上のいずれの炭素でもよい。   Examples of the aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 carbon atoms include a phenyl group, a biphenyl group, and a naphthyl group. The bonding site of the aromatic hydrocarbon group may be any carbon on the aromatic ring.

酸素原子を含む炭素数1〜12の有機基としては、水素原子、炭素原子および酸素原子からなる有機基が挙げられ、中でも、エーテル結合、カルボニル基またはエステル結合と炭化水素基とからなる総炭素数1〜12の有機基等を好ましく挙げることができる。   Examples of the organic group having 1 to 12 carbon atoms including an oxygen atom include an organic group consisting of a hydrogen atom, a carbon atom and an oxygen atom, and among them, a total carbon consisting of an ether bond, a carbonyl group or an ester bond and a hydrocarbon group. Preferable examples include organic groups of formulas 1 to 12.

エーテル結合を有する総炭素数1〜12の有機基としては、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数2〜12のアルケニルオキシ基、炭素数2〜12のアルキニルオキシ基、炭素数6〜12のアリールオキシ基および炭素数1〜12のアルコキシアルキル基などを挙げることができる。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、フェノキシ基、プロペニルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基およびメトキシメチル基等が挙げられる。   Examples of the organic group having 1 to 12 carbon atoms having an ether bond include an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an alkenyloxy group having 2 to 12 carbon atoms, an alkynyloxy group having 2 to 12 carbon atoms, and 6 to 12 carbon atoms. And an aryloxy group having 1 to 12 carbon atoms and the like. Specific examples include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropyloxy group, a butoxy group, a phenoxy group, a propenyloxy group, a cyclohexyloxy group, and a methoxymethyl group.

また、カルボニル基を有する総炭素数1〜12の有機基としては、炭素数2〜12のアシル基等を挙げることができる。具体的には、アセチル基、プロピオニル基、イソプロピオニル基およびベンゾイル基等が挙げられる。
エステル結合を有する総炭素数1〜12の有機基としては、炭素数2〜12のアシルオキシ基等が挙げられる。具体的には、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、イソプロピオニルオキシ基およびベンゾイルオキシ基等が挙げられる。
Moreover, as a C1-C12 organic group which has a carbonyl group, a C2-C12 acyl group etc. can be mentioned. Specific examples include an acetyl group, a propionyl group, an isopropionyl group, and a benzoyl group.
As a C1-C12 organic group which has an ester bond, a C2-C12 acyloxy group etc. are mentioned. Specific examples include an acetyloxy group, a propionyloxy group, an isopropionyloxy group, and a benzoyloxy group.

窒素原子を含む炭素数1〜12の有機基としては、水素原子、炭素原子および窒素原子からなる有機基が挙げられ、具体的には、シアノ基、イミダゾール基、トリアゾール基、ベンズイミダゾール基およびベンズトリアゾール基等が挙げられる。   Examples of the organic group having 1 to 12 carbon atoms including a nitrogen atom include an organic group consisting of a hydrogen atom, a carbon atom and a nitrogen atom, and specifically, a cyano group, an imidazole group, a triazole group, a benzimidazole group and a benzine. A triazole group etc. are mentioned.

酸素原子および窒素原子を含む炭素数1〜12の有機基としては、水素原子、炭素原子、酸素原子および窒素原子からなる有機基が挙げられ、具体的には、オキサゾール基、オキサジアゾール基、ベンズオキサゾール基およびベンズオキサジアゾール基等が挙げられる。   Examples of the organic group having 1 to 12 carbon atoms including an oxygen atom and a nitrogen atom include an organic group consisting of a hydrogen atom, a carbon atom, an oxygen atom and a nitrogen atom. Specifically, an oxazole group, an oxadiazole group, Examples include a benzoxazole group and a benzoxadiazole group.

前記式(1)におけるR1〜R4としては、重合体(I)の吸水性の点から炭素数1〜12の1価の炭化水素基が好ましく、炭素数6〜12の芳香族炭化水素基がより好ましく、フェニル基がさらに好ましい。 As R < 1 > -R < 4 > in said Formula (1), a C1-C12 monovalent hydrocarbon group is preferable from the point of the water absorption of a polymer (I), and C6-C12 aromatic hydrocarbon A group is more preferable, and a phenyl group is more preferable.

Figure 0005708160
Figure 0005708160

前記式(2)中、R1〜R4およびa〜dは、それぞれ独立に前記式(1)中のR1〜R4およびa〜dと同義であり、Yは、単結合、−SO2−または>C=Oを示し、R7およびR8は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数1〜12の1価の有機基またはニトロ基を示し、mは、0または1を示す。但し、mが0の時、R7はシアノ基ではない。gおよびhは、それぞれ独立に0〜4の整数を示し、好ましくは0である。
炭素数1〜12の1価の有機基としては、前記式(1)における炭素数1〜12の1価の有機基と同様の有機基等を挙げることができる。
In the formula (2), R 1 to R 4 and a~d are the same as R 1 to R 4 and a~d each independently the formula (1), Y represents a single bond, -SO 2- or> C = O, R 7 and R 8 each independently represents a halogen atom, a monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms or a nitro group, and m represents 0 or 1. However, when m is 0, R 7 is not a cyano group. g and h each independently represent an integer of 0 to 4, preferably 0.
Examples of the monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms include the same organic groups as the monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms in the formula (1).

前記重合体(I)は、上記構造単位(1)と上記構造単位(2)とのモル比(但し、両者(構造単位(1)+構造単位(2))の合計は100である。)が、光学特性、耐熱性および力学的特性の観点から構造単位(1):構造単位(2)=50:50〜100:0であることが好ましく、構造単位(1):構造単位(2)=70:30〜100:0であることがより好ましく、構造単位(1):構造単位(2)=80:20〜100:0であることがさらに好ましい。
ここで、力学的特性とは、重合体の引張強度、破断伸びおよび引張弾性率等の性質のことをいう。
The polymer (I) has a molar ratio of the structural unit (1) to the structural unit (2) (however, the sum of the structural unit (1) and the structural unit (2) is 100). However, from the viewpoint of optical properties, heat resistance and mechanical properties, it is preferable that the structural unit (1): structural unit (2) = 50: 50 to 100: 0, and the structural unit (1): structural unit (2). = 70: 30 to 100: 0 is more preferable, and structural unit (1): structural unit (2) is more preferably 80:20 to 100: 0.
Here, the mechanical properties refer to properties such as the tensile strength, breaking elongation and tensile elastic modulus of the polymer.

また、前記重合体(I)は、さらに、下記式(3)で表わされる構造単位および下記式(4)で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位(ii)を有してもよい。前記重合体(I)がこのような構造単位(ii)を有すると、該重合体(I)を含む樹脂基板の力学的特性が向上するため好ましい。   The polymer (I) further has at least one structural unit (ii) selected from the group consisting of a structural unit represented by the following formula (3) and a structural unit represented by the following formula (4). May be. It is preferable for the polymer (I) to have such a structural unit (ii) because the mechanical properties of the resin substrate containing the polymer (I) are improved.

Figure 0005708160
Figure 0005708160

前記式(3)中、R5およびR6は、それぞれ独立に炭素数1〜12の1価の有機基を示し、Zは、単結合、−O−、−S−、−SO2−、>C=O、−CONH−、−COO−または炭素数1〜12の2価の有機基を示し、nは、0または1を示す。eおよびfは、それぞれ独立に0〜4の整数を示し、好ましくは0である。
炭素数1〜12の1価の有機基としては、前記式(1)における炭素数1〜12の1価の有機基と同様の有機基等を挙げることができる。
In the formula (3), R 5 and R 6 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms, Z represents a single bond, —O—, —S—, —SO 2 —, > C═O, —CONH—, —COO— or a divalent organic group having 1 to 12 carbon atoms, and n represents 0 or 1. e and f each independently represent an integer of 0 to 4, preferably 0.
Examples of the monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms include the same organic groups as the monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms in the formula (1).

炭素数1〜12の2価の有機基としては、炭素数1〜12の2価の炭化水素基、炭素数1〜12の2価のハロゲン化炭化水素基、酸素原子および窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも1種の原子を含む炭素数1〜12の2価の有機基、ならびに酸素原子および窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも1種の原子を含む炭素数1〜12の2価のハロゲン化有機基等を挙げることができる。   The divalent organic group having 1 to 12 carbon atoms includes a divalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, a divalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, an oxygen atom, and a nitrogen atom. A divalent organic group having 1 to 12 carbon atoms containing at least one atom selected from the above, and a divalent organic group having 1 to 12 carbon atoms containing at least one atom selected from the group consisting of an oxygen atom and a nitrogen atom. And halogenated organic groups.

炭素数1〜12の2価の炭化水素基としては、炭素数1〜12の直鎖または分岐鎖の2価の炭化水素基、炭素数3〜12の2価の脂環式炭化水素基および炭素数6〜12の2価の芳香族炭化水素基等が挙げられる。   Examples of the divalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms include a linear or branched divalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, a divalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, and Examples thereof include a bivalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 carbon atoms.

炭素数1〜12の直鎖または分岐鎖の2価の炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、イソプロピリデン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基およびヘプタメチレン基等が挙げられる。   Examples of the linear or branched divalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms include a methylene group, an ethylene group, a trimethylene group, an isopropylidene group, a pentamethylene group, a hexamethylene group, and a heptamethylene group.

炭素数3〜12の2価の脂環式炭化水素基としては、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基およびシクロへキシレン基等のシクロアルキレン基;シクロブテニレン基、シクロペンテニレン基およびシクロヘキセニレン基等のシクロアルケニレン基などが挙げられる。   Examples of the divalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms include cycloalkylene groups such as cyclopropylene group, cyclobutylene group, cyclopentylene group and cyclohexylene group; cyclobutenylene group, cyclopentenylene group and And cycloalkenylene groups such as a cyclohexenylene group.

炭素数6〜12の2価の芳香族炭化水素基としては、フェニレン基、ナフチレン基およびビフェニレン基等が挙げられる。   Examples of the divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 carbon atoms include a phenylene group, a naphthylene group, and a biphenylene group.

炭素数1〜12の2価のハロゲン化炭化水素基としては、炭素数1〜12の直鎖または分岐鎖の2価のハロゲン化炭化水素基、炭素数3〜12の2価のハロゲン化脂環式炭化水素基および炭素数6〜12の2価のハロゲン化芳香族炭化水素基等が挙げられる。   Examples of the divalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms include a linear or branched divalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms and a divalent halogenated fat having 3 to 12 carbon atoms. Examples thereof include a cyclic hydrocarbon group and a divalent halogenated aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 carbon atoms.

炭素数1〜12の直鎖または分岐鎖の2価のハロゲン化炭化水素基としては、ジフロオロメチレン基、ジクロロメチレン基、テトラフルオロエチレン基、テトラクロロエチレン基、ヘキサフルオロトリメチレン基、ヘキサクロロトリメチレン基、ヘキサフルオロイソプロピリデン基およびヘキサクロロイソプロピリデン基等が挙げられる。   Examples of the linear or branched divalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms include a difluoromethylene group, a dichloromethylene group, a tetrafluoroethylene group, a tetrachloroethylene group, a hexafluorotrimethylene group, and a hexachlorotrimethylene group. Group, hexafluoroisopropylidene group, hexachloroisopropylidene group and the like.

炭素数3〜12の2価のハロゲン化脂環式炭化水素基としては、前記炭素数3〜12の2価の脂環式炭化水素基において例示した基の少なくとも一部の水素原子がフッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子で置換された基等が挙げられる。   As the divalent halogenated alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, at least a part of the hydrogen atoms exemplified in the divalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms is a fluorine atom. And a group substituted with a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom.

炭素数6〜12の2価のハロゲン化芳香族炭化水素基としては、前記炭素数6〜12の2価の芳香族炭化水素基において例示した基の少なくとも一部の水素原子がフッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子で置換された基等が挙げられる。   As the divalent halogenated aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 carbon atoms, at least a part of the hydrogen atoms exemplified in the divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 carbon atoms is a fluorine atom, chlorine And a group substituted with an atom, a bromine atom or an iodine atom.

酸素原子および窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも1種の原子を含む炭素数1〜12の有機基としては、水素原子および炭素原子と、酸素原子および/または窒素原子とからなる有機基が挙げられ、エーテル結合、カルボニル基、エステル結合またはアミド結合と炭化水素基とを有する総炭素数1〜12の2価の有機基等が挙げられる。   Examples of the organic group having 1 to 12 carbon atoms including at least one atom selected from the group consisting of an oxygen atom and a nitrogen atom include an organic group consisting of a hydrogen atom and a carbon atom and an oxygen atom and / or a nitrogen atom. And a divalent organic group having 1 to 12 carbon atoms and having an ether bond, a carbonyl group, an ester bond or an amide bond and a hydrocarbon group.

酸素原子および窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも1種の原子を含む炭素数1〜12の2価のハロゲン化有機基としては、具体的には、酸素原子および窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも1種の原子を含む炭素数1〜12の2価の有機基において例示した基の少なくとも一部の水素原子がフッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子で置換された基等が挙げられる。   The divalent halogenated organic group having 1 to 12 carbon atoms containing at least one kind of atom selected from the group consisting of oxygen atom and nitrogen atom is specifically selected from the group consisting of oxygen atom and nitrogen atom Examples include a group in which at least a part of the hydrogen atoms exemplified in the divalent organic group having 1 to 12 carbon atoms containing at least one atom is substituted with a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom. .

前記式(3)におけるZとしては、単結合、−O−、−SO2−、>C=Oまたは炭素数1〜12の2価の有機基が好ましく、重合体(I)の吸水性の点から炭素数1〜12の2価の炭化水素基、炭素数1〜12の2価のハロゲン化炭化水素基または炭素数3〜12の2価の脂環式炭化水素基がより好ましい。 Z in the formula (3) is preferably a single bond, —O—, —SO 2 —,> C═O or a divalent organic group having 1 to 12 carbon atoms, and the water absorbing property of the polymer (I). From the viewpoint, a divalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, a divalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or a divalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms is more preferable.

Figure 0005708160
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前記式(4)中、R7、R8、Y、m、gおよびhは、それぞれ独立に前記式(2)中のR7、R8、Y、m、gおよびhと同義であり、R5、R6、Z、n、eおよびfは、それぞれ独立に前記式(3)中のR5、R6、Z、n、eおよびfと同義である。なお、mが0の時、R7はシアノ基ではない。 In the formula (4), R 7 , R 8 , Y, m, g and h are each independently synonymous with R 7 , R 8 , Y, m, g and h in the formula (2), R 5, R 6, Z, n, e and f are as defined each R 5 in the formula (3) independently, R 6, Z, n, e and f. When m is 0, R 7 is not a cyano group.

前記重合体(I)は、前記構造単位(i)と前記構造単位(ii)とのモル比(但し、両者((i)+(ii))の合計は100である。)が、光学特性、耐熱性および力学的特性の観点から(i):(ii)=50:50〜100:0であることが好ましく、(i):(ii)=70:30〜100:0であることがより好ましく、(i):(ii)=80:20〜100:0であることがさらに好ましい。
ここで、力学的特性とは、重合体の引張強度、破断伸びおよび引張弾性率等の性質のことをいう。
In the polymer (I), the molar ratio between the structural unit (i) and the structural unit (ii) (however, the sum of both ((i) + (ii)) is 100) is an optical property. From the viewpoint of heat resistance and mechanical properties, (i) :( ii) = 50: 50 to 100: 0 is preferable, and (i) :( ii) = 70: 30 to 100: 0. More preferably, (i) :( ii) = 80: 20 to 100: 0 is more preferable.
Here, the mechanical properties refer to properties such as the tensile strength, breaking elongation and tensile elastic modulus of the polymer.

前記重合体(I)は、光学特性、耐熱性および力学的特性の観点から前記構造単位(i)および前記構造単位(ii)を全構造単位中70モル%以上含むことが好ましく、全構造単位中95モル%以上含むことがより好ましい。   The polymer (I) preferably contains 70 mol% or more of the structural unit (i) and the structural unit (ii) in the total structural units from the viewpoint of optical properties, heat resistance and mechanical properties. It is more preferable to contain 95 mol% or more.

前記重合体(I)は、例えば、下記式(5)で表わされる化合物(以下「化合物(5)」ともいう。)および下記式(7)で表わされる化合物(以下「化合物(7)」ともいう。)からなる群より選ばれる少なくとも一つの化合物を含む成分(以下「(A)成分」ともいう。)と、下記式(6)で表わされる化合物を含む成分(以下「(B)成分」ともいう。)とを、反応させることにより得ることができる。   Examples of the polymer (I) include a compound represented by the following formula (5) (hereinafter also referred to as “compound (5)”) and a compound represented by the following formula (7) (hereinafter referred to as “compound (7)”). A component containing at least one compound selected from the group consisting of (hereinafter also referred to as “component (A)”) and a component containing a compound represented by the following formula (6) (hereinafter referred to as “component (B)”) It can also be obtained by reacting.

Figure 0005708160
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前記式(5)中、Xは独立してハロゲン原子を示し、フッ素原子が好ましい。   In said formula (5), X shows a halogen atom independently and a fluorine atom is preferable.

Figure 0005708160
Figure 0005708160

前記式(7)中、R7、R8、Y、m、gおよびhは、それぞれ独立に前記式(2)中のR7、R8、Y、m、gおよびhと同義であり、Xは、独立に前記式(5)中のXと同義である。
但し、mが0の時、R7はシアノ基ではない。
In the formula (7), R 7, R 8, Y, m, g and h are each R 7 in independent to the formula (2), R 8, Y , m, synonymous with g and h, X is independently synonymous with X in the formula (5).
However, when m is 0, R 7 is not a cyano group.

Figure 0005708160
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前記式(6)中、Raは、それぞれ独立に水素原子、メチル基、エチル基、アセチル基、メタンスルホニル基またはトリフルオロメチルスルホニル基を示し、この中でも水素原子が好ましい。なお、式(6)中、R1〜R4およびa〜dは、それぞれ独立に前記式(1)中のR1〜R4およびa〜dと同義である。 In the formula (6), each R a independently represents a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, an acetyl group, a methanesulfonyl group or a trifluoromethylsulfonyl group, and among them, a hydrogen atom is preferable. In the formula (6), R 1 to R 4 and a~d have the same meanings as R 1 to R 4 and a~d each independently the formula (1).

上記化合物(5)としては、具体的には、2,6−ジフルオロベンゾニトリル(DFBN)、2,5−ジフルオロベンゾニトリル、2,4−ジフルオロベンゾニトリル、2,6−ジクロロベンゾニトリル、2,5−ジクロロベンゾニトリル、2,4−ジクロロベンゾニトリルおよびこれらの反応性誘導体を挙げることができる。特に、反応性および経済性等の観点から、2,6−ジフルオロベンゾニトリルおよび2,6−ジクロロベンゾニトリルが好適に用いられる。これらの化合物は2種以上を組み合わせて用いることも可能である。   Specific examples of the compound (5) include 2,6-difluorobenzonitrile (DFBN), 2,5-difluorobenzonitrile, 2,4-difluorobenzonitrile, 2,6-dichlorobenzonitrile, 2, Mention may be made of 5-dichlorobenzonitrile, 2,4-dichlorobenzonitrile and their reactive derivatives. In particular, 2,6-difluorobenzonitrile and 2,6-dichlorobenzonitrile are preferably used from the viewpoints of reactivity and economy. These compounds can be used in combination of two or more.

上記式(6)で表わされる化合物(以下「化合物(6)」ともいう。)としては、具体的には、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン(BPFL)、9,9−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(3,5−ジフェニル−4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−シクロヘキシルフェニル)フルオレンおよびこれらの反応性誘導体等が挙げられる。上述の化合物の中でも、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレンおよび9,9−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)フルオレンが好適に用いられる。これらの化合物は2種以上を組み合わせて用いることも可能である。   Specific examples of the compound represented by the above formula (6) (hereinafter also referred to as “compound (6)”) include 9,9-bis (4-hydroxyphenyl) fluorene (BPFL) and 9,9-bis. (3-phenyl-4-hydroxyphenyl) fluorene, 9,9-bis (3,5-diphenyl-4-hydroxyphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-hydroxy-3-methylphenyl) fluorene, 9, Examples include 9-bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-hydroxy-3-cyclohexylphenyl) fluorene, and reactive derivatives thereof. Among the above-mentioned compounds, 9,9-bis (4-hydroxyphenyl) fluorene and 9,9-bis (3-phenyl-4-hydroxyphenyl) fluorene are preferably used. These compounds can be used in combination of two or more.

上記化合物(7)としては、具体的には、4,4'−ジフルオロベンゾフェノン、4,4'−ジフルオロジフェニルスルホン(DFDS)、2,4'−ジフルオロベンゾフェノン、2,4'−ジフルオロジフェニルスルホン、2,2'−ジフルオロベンゾフェノン、2,2'−ジフルオロジフェニルスルホン、3,3'−ジニトロ−4,4'−ジフルオロベンゾフェノン、3,3'−ジニトロ−4,4'−ジフルオロジフェニルスルホン、4,4'−ジクロロベンゾフェノン、4,4'−ジクロロジフェニルスルホン、2,4'−ジクロロベンゾフェノン、2,4'−ジクロロジフェニルスルホン、2,2'−ジクロロベンゾフェノン、2,2'−ジクロロジフェニルスルホン、3,3'−ジニトロ−4,4'−ジクロロベンゾフェノンおよび3,3'−ジニトロ−4,4'−ジクロロジフェニルスルホン等を挙げることができる。これらの中でも、4,4'−ジフルオロベンゾフェノン、4,4'−ジフルオロジフェニルスルホンが好ましい。これらの化合物は2種以上を組み合わせて用いることも可能である。   Specific examples of the compound (7) include 4,4′-difluorobenzophenone, 4,4′-difluorodiphenylsulfone (DFDS), 2,4′-difluorobenzophenone, 2,4′-difluorodiphenylsulfone, 2,2′-difluorobenzophenone, 2,2′-difluorodiphenylsulfone, 3,3′-dinitro-4,4′-difluorobenzophenone, 3,3′-dinitro-4,4′-difluorodiphenylsulfone, 4, 4'-dichlorobenzophenone, 4,4'-dichlorodiphenyl sulfone, 2,4'-dichlorobenzophenone, 2,4'-dichlorodiphenyl sulfone, 2,2'-dichlorobenzophenone, 2,2'-dichlorodiphenyl sulfone, 3 , 3′-dinitro-4,4′-dichlorobenzophenone and 3,3′-dinitro-4, 4'-dichlorodiphenyl sulfone and the like can be mentioned. Among these, 4,4′-difluorobenzophenone and 4,4′-difluorodiphenyl sulfone are preferable. These compounds can be used in combination of two or more.

化合物(5)および化合物(7)からなる群より選ばれる少なくとも一つの化合物は、(A)成分100モル%中に、80モル%〜100モル%含まれていることが好ましく、90モル%〜100モル%含まれていることがより好ましい。
また、(B)成分は、必要に応じて下記式(8)で表わされる化合物を含むことが好ましい。化合物(6)は、(B)成分100モル%中に、50モル%〜100モル%含まれていることが好ましく、80モル%〜100モル%含まれていることがより好ましく、90モル%〜100モル%含まれていることがさらに好ましい。
It is preferable that at least one compound selected from the group consisting of compound (5) and compound (7) is contained in 80 mol% to 100 mol% in 100 mol% of component (A), and 90 mol% to More preferably, it is contained at 100 mol%.
Moreover, it is preferable that (B) component contains the compound represented by following formula (8) as needed. Compound (6) is preferably contained in 100 mol% of component (B) in an amount of 50 mol% to 100 mol%, more preferably 80 mol% to 100 mol%, and more preferably 90 mol%. More preferably, it is contained in an amount of ˜100 mol%.

Figure 0005708160
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前記式(8)中、R5、R6、Z、n、eおよびfは、それぞれ独立に前記式(3)中のR5、R6、Z、n、eおよびfと同義であり、Raは、それぞれ独立に前記式(6)中のRaと同義である。 In the formula (8), R 5 , R 6 , Z, n, e and f are each independently synonymous with R 5 , R 6 , Z, n, e and f in the formula (3), R a has the same meaning as R a each independently in the formula (6) in.

前記式(8)で表わされる化合物としては、ヒドロキノン、レゾルシノール、2−フェニルヒドロキノン、4,4'−ビフェノール、3,3'−ビフェノール、4,4'−ジヒドロキシジフェニルスルホン、3,3'−ジヒドロキシジフェニルスルホン、4,4'−ジヒドロキシベンゾフェノン、3,3'−ジヒドロキシベンゾフェノン、1,1'−ビ−2−ナフトール、1,1'−ビ−4−ナフトール、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロパンおよびこれらの反応性誘導体等が挙げられる。上述の化合物の中でも、レゾルシノール、4,4'−ビフェノール、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロパンが好ましく、反応性および力学的特性の観点から、4,4'−ビフェノールが好適に用いられる。これらの化合物は2種以上を組み合わせて用いることも可能である。   Examples of the compound represented by the formula (8) include hydroquinone, resorcinol, 2-phenylhydroquinone, 4,4′-biphenol, 3,3′-biphenol, 4,4′-dihydroxydiphenylsulfone, and 3,3′-dihydroxy. Diphenylsulfone, 4,4′-dihydroxybenzophenone, 3,3′-dihydroxybenzophenone, 1,1′-bi-2-naphthol, 1,1′-bi-4-naphthol, 2,2-bis (4-hydroxy) Phenyl) propane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) cyclohexane, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane and reactive derivatives thereof Etc. Among the above-mentioned compounds, resorcinol, 4,4′-biphenol, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) cyclohexane, 2,2-bis (4-hydroxy) Phenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane is preferred, and 4,4′-biphenol is suitably used from the viewpoint of reactivity and mechanical properties. These compounds can be used in combination of two or more.

前記重合体(I)は、より具体的には、以下に示す方法(I')で合成することができる。
方法(I'):
(B)成分を有機溶媒中でアルカリ金属化合物と反応させて、(B)成分(化合物(6)および/または化合物(8)等)のアルカリ金属塩を得た後に、得られたアルカリ金属塩と、(A)成分とを反応させる。なお、(B)成分とアルカリ金属化合物との反応を(A)成分の存在下で行うことで、(B)成分のアルカリ金属塩と(A)成分とを反応させることもできる。
More specifically, the polymer (I) can be synthesized by the method (I ′) shown below.
Method (I ′):
The alkali metal salt obtained after reacting the component (B) with an alkali metal compound in an organic solvent to obtain an alkali metal salt of the component (B) (compound (6) and / or compound (8), etc.) And (A) component are made to react. In addition, the alkali metal salt of (B) component and (A) component can also be made to react by performing reaction with (B) component and an alkali metal compound in presence of (A) component.

反応に使用するアルカリ金属化合物としては、リチウム、カリウムおよびナトリウム等のアルカリ金属;水素化リチウム、水素化カリウムおよび水素化ナトリウム等の水素化アルカリ金属;水酸化リチウム、水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウム等の水酸化アルカリ金属;炭酸水素リチウム、炭酸水素カリウムおよび炭酸水素ナトリウム等のアルカリ金属炭酸塩などを挙げることができる。これらは、1種または2種以上を組み合わせて用いることも可能である。   Examples of the alkali metal compound used in the reaction include alkali metals such as lithium, potassium and sodium; alkali hydrides such as lithium hydride, potassium hydride and sodium hydride; lithium hydroxide, potassium hydroxide and sodium hydroxide And alkali metal carbonates such as lithium hydrogen carbonate, potassium hydrogen carbonate and sodium hydrogen carbonate. These can be used alone or in combination of two or more.

アルカリ金属化合物は、前記(B)成分中の全ての−O−Raに対し、アルカリ金属化合物中の金属原子の量が通常1〜3倍当量、好ましくは1.1〜2倍当量、さらに好ましくは1.2〜1.5倍当量となる量で使用される。 In the alkali metal compound, the amount of metal atoms in the alkali metal compound is usually 1 to 3 times equivalent, preferably 1.1 to 2 times equivalent to all —O—R a in the component (B). Preferably it is used in an amount of 1.2 to 1.5 times equivalent.

また、反応に使用する有機溶媒としては、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチル−2−ピロリドン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、γ−ブチルラクトン、スルホラン、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ジイソプロピルスルホン、ジフェニルスルホン、ジフェニルエーテル、ベンゾフェノン、ジアルコキシベンゼン(アルコキシ基の炭素数1〜4)およびトリアルコキシベンゼン(アルコキシ基の炭素数1〜4)などを使用することができる。これらの溶媒の中でも、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、スルホラン、ジフェニルスルホンおよびジメチルスルホキシド等の誘電率の高い極性有機溶媒が特に好適に用いられる。   Examples of the organic solvent used in the reaction include N, N-dimethylacetamide (DMAc), N, N-dimethylformamide, N-methyl-2-pyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, γ- Butyllactone, sulfolane, dimethyl sulfoxide, diethyl sulfoxide, dimethyl sulfone, diethyl sulfone, diisopropyl sulfone, diphenyl sulfone, diphenyl ether, benzophenone, dialkoxybenzene (1 to 4 carbon atoms of alkoxy group) and trialkoxybenzene (carbon number of alkoxy group) 1-4) etc. can be used. Among these solvents, polar organic solvents having a high dielectric constant such as N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, sulfolane, diphenylsulfone, and dimethylsulfoxide are particularly preferably used.

さらに、前記反応の際には、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、シクロヘキサン、オクタン、クロロベンゼン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、アニソールおよびフェネトールなどの水と共沸する溶媒をさらに用いることもできる。   Further, in the reaction, a solvent azeotropic with water such as benzene, toluene, xylene, hexane, cyclohexane, octane, chlorobenzene, dioxane, tetrahydrofuran, anisole and phenetole can be further used.

(A)成分と(B)成分の使用割合は、(A)成分と(B)成分との合計を100モル%とした場合に、(A)成分が好ましくは45モル%以上55モル%以下、より好ましくは50モル%以上52モル%以下、さらに好ましくは50モル%を超えて52モル%以下であり、(B)成分が好ましくは45モル%以上55モル%以下、より好ましくは48モル%以上50モル%以下であり、さらに好ましくは48モル%以上50モル%未満である。   The proportion of component (A) and component (B) used is preferably 45 mol% or more and 55 mol% or less when component (A) is 100 mol% in total of component (A) and component (B). More preferably, it is 50 mol% or more and 52 mol% or less, more preferably more than 50 mol% and 52 mol% or less, and the component (B) is preferably 45 mol% or more and 55 mol% or less, more preferably 48 mol%. % Or more and 50 mol% or less, more preferably 48 mol% or more and less than 50 mol%.

また、反応温度は、好ましくは60℃〜250℃、より好ましくは80℃〜200℃の範囲である。反応時間は、好ましくは15分〜100時間、より好ましくは1時間〜24時間の範囲である。   Moreover, reaction temperature becomes like this. Preferably it is 60 to 250 degreeC, More preferably, it is the range of 80 to 200 degreeC. The reaction time is preferably in the range of 15 minutes to 100 hours, more preferably 1 hour to 24 hours.

前記重合体(I)は、示差走査熱量測定(DSC、昇温速度20℃/分)によるガラス転移温度(Tg)が好ましくは230〜350℃、より好ましくは240〜330℃、さらに好ましくは250〜300℃である。
前記重合体(I)のガラス転移温度は、例えばRigaku社製8230型DSC測定装置(昇温速度20℃/分)を用いて測定される。
The polymer (I) preferably has a glass transition temperature (Tg) determined by differential scanning calorimetry (DSC, heating rate of 20 ° C./min) of 230 to 350 ° C., more preferably 240 to 330 ° C., and even more preferably 250. ~ 300 ° C.
The glass transition temperature of the polymer (I) is measured, for example, using a Rigaku 8230 type DSC measuring apparatus (temperature rising rate 20 ° C./min).

前記重合体(I)は、TOSOH製HLC−8220型GPC装置(カラム:TSKgelα―M、展開溶剤:テトラヒドロフラン(以下「THF」ともいう。))で測定した、ポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)が、好ましくは5,000〜500,000、より好ましくは15,000〜400,000、さらに好ましくは30,000〜300,000である。   The polymer (I) is a polystyrene-reduced weight average molecular weight (Mw) measured by a TOSOH HLC-8220 GPC apparatus (column: TSKgel α-M, developing solvent: tetrahydrofuran (hereinafter also referred to as “THF”)). However, Preferably it is 5,000-500,000, More preferably, it is 15,000-400,000, More preferably, it is 30,000-300,000.

前記重合体(I)は、熱重量分析法(TGA)で測定した熱分解温度が、好ましくは450℃以上、より好ましくは475℃以上、さらに好ましくは490℃以上である。   The polymer (I) has a thermal decomposition temperature measured by thermogravimetric analysis (TGA) of preferably 450 ° C. or higher, more preferably 475 ° C. or higher, and further preferably 490 ° C. or higher.

前記重合体(I)の26℃、相対湿度45%RHでの、
1GHzにおける比誘電率は好ましくは3.2以下であり、より好ましくは3.1以下であり、
10GHzにおける比誘電率は好ましくは3.2以下であり、より好ましくは3.1以下であり、
1GHzにおける誘電正接は好ましくは0.005以下であり、より好ましくは0.003以下であり、
10GHzにおける誘電正接は好ましくは0.01以下であり、より好ましくは0.008以下である。
所望の周波数における比誘電率および誘電正接は、26℃、相対湿度45%RHの環境下で、ベクトルネットワークアナライザWiltron37169A(Wiltron製)を用いて摂動方式共振法により測定される。
重合体(I)の1GHz以上の高周波帯域における比誘電率および誘電正接が前記範囲にあると、本発明の樹脂基板を容易に製造することができ、伝送速度が速く、高周波域での低伝送損失が少なく、電気的特性等に優れる高周波回路基板を形成するための樹脂基板を提供することができる。
The polymer (I) at 26 ° C. and a relative humidity of 45% RH.
The relative dielectric constant at 1 GHz is preferably 3.2 or less, more preferably 3.1 or less,
The relative dielectric constant at 10 GHz is preferably 3.2 or less, more preferably 3.1 or less,
The dielectric loss tangent at 1 GHz is preferably 0.005 or less, more preferably 0.003 or less,
The dielectric loss tangent at 10 GHz is preferably 0.01 or less, more preferably 0.008 or less.
The relative permittivity and dielectric loss tangent at a desired frequency are measured by a perturbation resonance method using a vector network analyzer Wiltron 37169A (manufactured by Wiltron) in an environment of 26 ° C. and a relative humidity of 45% RH.
When the relative permittivity and dielectric loss tangent of the polymer (I) in the high frequency band of 1 GHz or more are in the above ranges, the resin substrate of the present invention can be easily manufactured, the transmission speed is high, and the low transmission in the high frequency area. It is possible to provide a resin substrate for forming a high-frequency circuit substrate with low loss and excellent electrical characteristics.

<樹脂基板の製造方法>
前記樹脂基板の製造方法としては、特に制限されないが、前記重合体(I)と有機溶媒とを含む組成物を支持体上に塗布して塗膜を形成する工程と、前記塗膜から前記有機溶媒を蒸発させることにより除去することで樹脂基板を得る工程とを含むことが好ましい。
<Resin substrate manufacturing method>
The method for producing the resin substrate is not particularly limited, and includes a step of applying a composition containing the polymer (I) and an organic solvent on a support to form a coating film, and the organic film is formed from the coating film. And a step of obtaining a resin substrate by removing the solvent by evaporating.

前記組成物は、所望の用途に応じて、老化防止剤などの添加剤を含んでもよいが、本質的に、上記重合体(I)のみからなることが好ましい。   Although the said composition may contain additives, such as anti-aging agent, according to a desired use, it is preferable that it essentially consists only of the said polymer (I).

前記組成物は、前記の方法(I')で得られた重合体(I)と有機溶媒との混合物をそのまま使用することができる。また、前記組成物は、前記の方法(I')で得られた重合体(I)と有機溶媒との混合物から、重合体(I)を固体分として単離(精製)した後、有機溶媒に再溶解して調製することもできる。   As the composition, a mixture of the polymer (I) obtained by the method (I ′) and an organic solvent can be used as it is. The composition is prepared by isolating (purifying) the polymer (I) as a solid from the mixture of the polymer (I) obtained by the method (I ′) and the organic solvent, It can also be prepared by redissolving in

前記重合体(I)を固体分として単離(精製)する方法は、例えば、メタノール等の重合体の貧溶媒に重合体を再沈殿させ、その後ろ過し、次いでろ物を減圧乾燥すること等により行うことができる。   The method for isolating (purifying) the polymer (I) as a solid component is, for example, reprecipitation of the polymer in a poor solvent of the polymer such as methanol, and subsequent filtration, and then drying the filtrate under reduced pressure. Can be performed.

前記重合体(I)を再溶解させる有機溶媒としては、前記重合体(I)を容易に溶解するものが好適に選ばれる。例えば、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドンおよびγ−ブチロラクトンが好適に用いられ、塗工性、経済性の観点から、好ましくは、塩化メチレン、シクロヘキサノン、N,N−ジメチルアセトアミドおよびN−メチルピロリドンが好適に使用される。これらの溶媒は、1種単独であるいは2種以上を併用することができる。   As the organic solvent for redissolving the polymer (I), a solvent that easily dissolves the polymer (I) is preferably selected. For example, methylene chloride, tetrahydrofuran, cyclohexanone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone and γ-butyrolactone are preferably used, and from the viewpoint of coating properties and economy, Methylene chloride, cyclohexanone, N, N-dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone are preferably used. These solvents can be used alone or in combination of two or more.

また、塗工時の乾燥性や均一性、表面平滑性などの向上を狙い、その他の有機溶媒、例えば、エーテル系有機溶媒、エステル系有機溶媒、ケトン系有機溶媒、炭化水素系有機溶媒、アルコール系有機溶媒から選ばれる1種、あるいは2種以上の溶媒を適宜組み合わせて使用することができる。この場合、大気圧下(1,013hPa)での沸点が40〜250℃、さらには50〜150℃の範囲内にある有機溶媒が好適であり、重合体(I)を均一に溶解、分散させることのできる範囲で用いられることが好ましい。   In addition, other organic solvents such as ether organic solvents, ester organic solvents, ketone organic solvents, hydrocarbon organic solvents, alcohols are aimed at improving the drying property, uniformity, and surface smoothness during coating. One kind selected from organic organic solvents, or two or more kinds of solvents can be used in appropriate combination. In this case, an organic solvent having a boiling point in the range of 40 to 250 ° C., further 50 to 150 ° C. under atmospheric pressure (1,013 hPa) is preferable, and the polymer (I) is uniformly dissolved and dispersed. It is preferable to be used within the range where it can be used.

これらのその他の有機溶媒の好ましい例としては、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類;エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテートなどのエチレングリコールアルキルエーテルアセテート類;乳酸エチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチルなどのエステル類;ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテルなどのジエチレングリコール類;メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン、シクロヘキサノン、メチルアミルケトンなどのケトン類;γ−ブチロラクトンが挙げられる。   Preferred examples of these other organic solvents include glycol ethers such as ethylene glycol monoethyl ether and propylene glycol monomethyl ether; ethylene glycol alkyl ether acetates such as ethyl cellosolve acetate, propylene glycol methyl ether acetate and propylene glycol ethyl ether acetate. Esters such as ethyl lactate and ethyl 2-hydroxypropionate; diethylene glycols such as diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether and diethylene glycol ethyl methyl ether; ketones such as methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone, cyclohexanone and methyl amyl ketone Class: γ-butyrolactone It is.

前記組成物中の重合体(I)の濃度は、重合体の分子量にもよるが、通常、1〜40質量%、好ましくは5〜25質量%である。組成物中の重合体(I)の濃度が前記範囲にあると、厚膜化可能で、ピンホールが生じにくく、表面平滑性に優れる樹脂基板を形成することができる。   The concentration of the polymer (I) in the composition is usually 1 to 40% by mass, preferably 5 to 25% by mass, although it depends on the molecular weight of the polymer. When the concentration of the polymer (I) in the composition is in the above range, it is possible to form a resin substrate that can be thickened, hardly causes pinholes, and has excellent surface smoothness.

なお、前記組成物の粘度は、重合体の分子量や濃度にもよるが、好ましくは50〜100,000mPa・s、より好ましくは500〜50,000mPa・s、さらに好ましくは1000〜20,000mPa・sである。組成物の粘度が前記範囲にあると、成膜中の組成物の滞留性に優れ、厚みの調整が容易であるため、樹脂基板の成形が容易である。   The viscosity of the composition depends on the molecular weight and concentration of the polymer, but is preferably 50 to 100,000 mPa · s, more preferably 500 to 50,000 mPa · s, and still more preferably 1000 to 20,000 mPa · s. s. When the viscosity of the composition is within the above range, the composition has excellent retention during film formation, and the thickness can be easily adjusted, so that the resin substrate can be easily molded.

また、前記老化防止剤は、樹脂基板の耐久性をより向上させるために用いられ、好ましくはヒンダードフェノール系化合物である。   The anti-aging agent is used to further improve the durability of the resin substrate, and is preferably a hindered phenol compound.

前記ヒンダードフェノール系化合物としては、トリエチレングリコール−ビス[3−(3−tert−ブチル−5−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロオネート]、1,6−ヘキサンジオール−ビス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、2,4−ビス−(n−オクチルチオ)−6−(4−ヒドロキシ−3,5−ジ−tert−ブチルアニリノ)−3,5−トリアジン、ペンタエリスリトールテトラキス[3−(3,5−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、1,1,3−トリス[2−メチル−4−[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシ]−5−tert−ブチルフェニル]ブタン、2,2−チオ−ジエチレンビス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、オクタデシル−3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート)、N,N−ヘキサメチレンビス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−ヒドロシンナマミド)、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、トリス−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−イソシアヌレイト、および、3,9−ビス[2−〔3−(3−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)プロピオニルオキシ〕−1,1−ジメチルエチル]−2,4,8,10−テトラオキサスピロ[5.5]ウンデカンなどを挙げることができる。   Examples of the hindered phenol compound include triethylene glycol-bis [3- (3-tert-butyl-5-methyl-4-hydroxyphenyl) proonate], 1,6-hexanediol-bis [3- (3, 5-Di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 2,4-bis- (n-octylthio) -6- (4-hydroxy-3,5-di-tert-butylanilino) -3,5- Triazine, pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 1,1,3-tris [2-methyl-4- [3- (3,5-di-tert) -Butyl-4-hydroxyphenyl) propionyloxy] -5-tert-butylphenyl] butane, 2,2-thio-diethyl Bis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], octadecyl-3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate), N, N- Hexamethylenebis (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxy-hydrocinnamamide), 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris (3,5-di-tert-butyl- 4-hydroxybenzyl) benzene, tris- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) -isocyanurate and 3,9-bis [2- [3- (3-tert-butyl- 4-hydroxy-5-methylphenyl) propionyloxy] -1,1-dimethylethyl] -2,4,8,10-tetraoxaspiro [5.5] undecane, etc. It can be mentioned.

前記組成物に老化防止剤を配合する場合には、前記老化防止剤の配合は、前記重合体(I)100重量部に対して、好ましくは0.01〜10重量部の量である。   When an anti-aging agent is added to the composition, the anti-aging agent is preferably added in an amount of 0.01 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer (I).

前記組成物を塗布して塗膜を形成する方法としては、ロールコート法、グラビアコート法、スピンコート法、スリットコート法およびドクターブレードを用いる方法等が挙げられる。前記支持体としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムおよびSUS板などが挙げられる。   Examples of a method for forming the coating film by applying the composition include a roll coating method, a gravure coating method, a spin coating method, a slit coating method, and a method using a doctor blade. Examples of the support include a polyethylene terephthalate (PET) film and a SUS plate.

前記組成物を塗布して塗膜を形成する時の厚さは、特に限定されないが、例えば1〜250μmであり、好ましくは2〜150μmであり、より好ましくは5〜125μmである。   Although the thickness when apply | coating the said composition and forming a coating film is not specifically limited, For example, it is 1-250 micrometers, Preferably it is 2-150 micrometers, More preferably, it is 5-125 micrometers.

また、塗膜から前記有機溶媒を除去する方法としては、特に制限されないが、例えば、塗膜を加熱する方法が挙げられる。塗膜を加熱することにより、該塗膜中の有機溶媒を蒸発させて除去することができる。前記加熱の条件は、有機溶媒が蒸発すればよく、支持体や重合体に応じて適宜決めればよいが、例えば加熱温度は30℃〜300℃であることが好ましく、40℃〜250℃であることがより好ましく、50℃〜230℃であることがさらに好ましい。   Further, the method for removing the organic solvent from the coating film is not particularly limited, and examples thereof include a method of heating the coating film. By heating the coating film, the organic solvent in the coating film can be evaporated and removed. The heating conditions may be determined as long as the organic solvent evaporates, and may be appropriately determined according to the support and the polymer. It is more preferable that the temperature is 50 ° C to 230 ° C.

また、加熱時間としては、10分〜5時間であることが好ましい。なお、加熱は二段階以上で行ってもよい。具体的には、30〜80℃の温度で10分〜2時間乾燥後、100℃〜250℃でさらに10分〜2時間加熱するなどである。また、必要に応じて、窒素雰囲気下もしくは減圧下にて乾燥を行ってもよい。   Further, the heating time is preferably 10 minutes to 5 hours. Note that heating may be performed in two or more stages. Specifically, after drying at a temperature of 30 to 80 ° C. for 10 minutes to 2 hours, heating is further performed at 100 to 250 ° C. for 10 minutes to 2 hours. Moreover, you may dry in nitrogen atmosphere or pressure reduction as needed.

この有機溶媒を除去する工程後の得られた樹脂基板中の残存溶媒量(熱重量分析法:TGA)、窒素雰囲気下、昇温速度10℃/分)は、樹脂基板100重量%に対し、好ましくは0〜1.2重量%、より好ましくは0〜1重量%である。残存溶媒量がこの範囲にあることで、耐熱性に優れ、特に高温下でも変形や力学的強度の低下が起こりにくい高周波回路基板を得ることができる。   The amount of residual solvent in the obtained resin substrate after the step of removing the organic solvent (thermogravimetric analysis: TGA), under a nitrogen atmosphere, the heating rate is 10 ° C./min) is 100% by weight of the resin substrate. Preferably it is 0-1.2 weight%, More preferably, it is 0-1 weight%. When the amount of residual solvent is within this range, a high-frequency circuit board that has excellent heat resistance and is unlikely to be deformed or reduced in mechanical strength even at high temperatures can be obtained.

得られた樹脂基板は、用いる支持体の種類にもよるが、支持体から剥離して高周波回路基板用樹脂基板として用いることができるし、あるいは剥離せずにそのまま高周波回路基板用樹脂基板として用いることもできるが支持体から剥離して用いることが好ましい。   Depending on the type of support used, the obtained resin substrate can be peeled off from the support and used as a resin substrate for a high-frequency circuit board, or used as it is as a resin substrate for a high-frequency circuit board without being peeled off. However, it is preferable to peel the support from the support.

<樹脂基板の物性等>
本発明の樹脂基板の厚みは、所望の用途に応じて適宜選択されるが、例えば1〜250μmであり、好ましくは2〜150μmであり、より好ましくは5〜125μmである。
<Physical properties of resin substrate>
Although the thickness of the resin substrate of this invention is suitably selected according to a desired use, it is 1-250 micrometers, for example, Preferably it is 2-150 micrometers, More preferably, it is 5-125 micrometers.

また、本発明の樹脂基板は、Rigaku社製8230型DSC測定装置(昇温速度20℃/分)によるガラス転移温度(Tg)が、230〜350℃であることが好ましく、240〜330℃であることがより好ましく、250〜300℃であることがさらに好ましい。
本発明の樹脂基板が、このようなガラス転移温度を有すると、該基板上に配線等を形成する際の加熱や熱処理、半田リフロー工程を高温で行うことができるため、電気特性に優れた高周波回路基板を容易に製造することができる。
The resin substrate of the present invention preferably has a glass transition temperature (Tg) of 230 to 350 ° C., 240 to 330 ° C. measured by a Rigaku 8230 DSC measuring device (temperature increase rate 20 ° C./min). More preferably, it is more preferably 250 to 300 ° C.
When the resin substrate of the present invention has such a glass transition temperature, heating, heat treatment, and solder reflow process for forming wirings and the like on the substrate can be performed at a high temperature. A circuit board can be easily manufactured.

本発明の樹脂基板は、引張強度が、50〜200MPaであることが好ましく、80〜150MPaであることがより好ましい。引張強度は、引張試験機5543(INSTRON社製)を用いて測定することができる。   The resin substrate of the present invention preferably has a tensile strength of 50 to 200 MPa, and more preferably 80 to 150 MPa. The tensile strength can be measured using a tensile tester 5543 (manufactured by INSTRON).

本発明の樹脂基板は、破断伸びが、5〜100%であることが好ましく、15〜100%であることがより好ましい。破断伸びは、引張試験機5543(INSTRON社製)を用いて測定することができる。   The resin substrate of the present invention has a breaking elongation of preferably 5 to 100%, more preferably 15 to 100%. The elongation at break can be measured using a tensile tester 5543 (manufactured by INSTRON).

本発明の樹脂基板は、引張弾性率が、2.5〜4.0GPaであることが好ましく、2.7〜3.7GPaであることがより好ましい。引張弾性率は、引張試験機5543(INSTRON社製)を用いて測定することができる。   The resin substrate of the present invention preferably has a tensile modulus of 2.5 to 4.0 GPa, more preferably 2.7 to 3.7 GPa. The tensile elastic modulus can be measured using a tensile tester 5543 (manufactured by INSTRON).

本発明の樹脂基板は、Seiko Instruments社製SSC−5200型TMA測定装置を用いて測定した線膨張係数が、好ましくは80ppm/K以下、より好ましくは75ppm/K以下である。   The resin substrate of the present invention has a linear expansion coefficient of preferably 80 ppm / K or less, more preferably 75 ppm / K or less, measured using an SSC-5200 type TMA measuring device manufactured by Seiko Instruments.

本発明の樹脂基板は、湿度膨張係数が、15ppm/%RH以下であることが好ましく、12ppm/%RH以下であることがより好ましい。湿度膨張係数は、MA(SIIナノテクノロジー社製、TMA−SS6100)湿度制御オプションを用いて測定することができる。樹脂基板の膨張係数が前記範囲にあると、寸法安定性(環境信頼性)が高く、高湿度下でも安定な樹脂基板であることを示すため、高周波回路基板、特に、過酷な環境下で使用される高周波回路基板により好適に用いることができる。   The resin substrate of the present invention preferably has a humidity expansion coefficient of 15 ppm /% RH or less, and more preferably 12 ppm /% RH or less. The humidity expansion coefficient can be measured using MA (SII Nanotechnology, TMA-SS6100) humidity control option. When the expansion coefficient of the resin substrate is within the above range, it shows high dimensional stability (environmental reliability) and is stable even under high humidity, so it is used in high frequency circuit boards, especially in harsh environments. The high-frequency circuit board can be suitably used.

本発明の樹脂基板は、厚みが30μmである場合に、JIS K7105透明度試験法における全光線透過率が、85%以上であることが好ましく、88%以上であることがより好ましい。全光線透過率は、ヘイズメーターSC−3H(スガ試験機社製)を用いて測定することができる。   When the thickness of the resin substrate of the present invention is 30 μm, the total light transmittance in the JIS K7105 transparency test method is preferably 85% or more, and more preferably 88% or more. The total light transmittance can be measured using a haze meter SC-3H (manufactured by Suga Test Instruments Co., Ltd.).

本発明の樹脂基板は、厚みが30μmである場合に、波長400nmにおける光線透過率が、好ましくは70%以上であり、より好ましくは75%以上であり、さらに好ましくは80%以上である。波長400nmにおける光線透過率は、紫外・可視分光光度計V−570(JASCO社製)を用いて測定することができる。   When the thickness of the resin substrate of the present invention is 30 μm, the light transmittance at a wavelength of 400 nm is preferably 70% or more, more preferably 75% or more, and further preferably 80% or more. The light transmittance at a wavelength of 400 nm can be measured using an ultraviolet / visible spectrophotometer V-570 (manufactured by JASCO).

本発明の樹脂基板は、厚みが30μmである場合に、YI値(イエローインデックス)が、3.0以下であることが好ましく、2.5以下であることがより好ましく、2.0以下であることがさらに好ましい。YI値は、スガ試験機社製SM−T型色彩測定器を用いて測定することができる。   When the thickness of the resin substrate of the present invention is 30 μm, the YI value (yellow index) is preferably 3.0 or less, more preferably 2.5 or less, and 2.0 or less. More preferably. The YI value can be measured using an SM-T color measuring device manufactured by Suga Test Instruments Co., Ltd.

本発明の樹脂基板は、厚みが30μmである場合に、熱風乾燥機にて大気中230℃で1時間の加熱を行った後のYI値が3.0以下であることが好ましく、2.5以下であることがより好ましく、2.0以下であることがさらに好ましい。   When the thickness of the resin substrate of the present invention is 30 μm, the YI value after heating for 1 hour at 230 ° C. in the air with a hot air dryer is preferably 3.0 or less. Or less, more preferably 2.0 or less.

<高周波回路基板>
前記高周波回路基板は、前記樹脂基板を含む。具体的には、前記樹脂基板の片面または両面に配線部を設けることで得られる。このような高周波回路基板は、前記樹脂基板を含むため、伝送速度が大きく、伝送損失が小さく、高温、高湿度下などの過酷な環境下でもこれらの電気特性を維持することができる。また、前記樹脂基板は、透明性、耐熱性、耐熱着色性、力学的強度、絶縁性、寸法安定性および配線部との密着性等に優れるため、特にピッチ幅が30μm以下の配線パターンを有する高周波回路基板を製造することも可能である。
<High-frequency circuit board>
The high-frequency circuit board includes the resin substrate. Specifically, it is obtained by providing a wiring part on one side or both sides of the resin substrate. Since such a high-frequency circuit board includes the resin substrate, the transmission speed is high, the transmission loss is small, and these electrical characteristics can be maintained even under harsh environments such as high temperature and high humidity. In addition, the resin substrate has a wiring pattern with a pitch width of 30 μm or less because it is excellent in transparency, heat resistance, heat resistance coloring property, mechanical strength, insulation, dimensional stability, adhesion to the wiring portion, and the like. It is also possible to manufacture a high-frequency circuit board.

配線部を形成する方法としては、例えば、ラミネート法、メタライジング法、スパッタリング法、蒸着法、塗布法および印刷法等により、前記上に銅層、インジウムスズ酸化物(ITO)、ポリチオフェン、ポリアニリンおよびポリピロール等の導電性材料からなる配線部を設ける方法を挙げることができる。
なお、配線部を形成する前に、必要に応じて、樹脂基板の表面を改質しておいてもよい。
As a method for forming the wiring portion, for example, a laminating method, a metalizing method, a sputtering method, a vapor deposition method, a coating method, a printing method, etc. are used, and a copper layer, indium tin oxide (ITO), polythiophene, polyaniline and A method of providing a wiring portion made of a conductive material such as polypyrrole can be given.
In addition, before forming a wiring part, you may modify | reform the surface of a resin substrate as needed.

ラミネート法では、例えば、本発明の樹脂基板に銅箔等の金属箔を熱プレス等することで、導電層が設けられた樹脂基板を製造することができ、この導電層をパターニングすることにより高周波回路基板を製造することができる。   In the laminating method, for example, a resin substrate provided with a conductive layer can be manufactured by hot pressing a metal foil such as a copper foil on the resin substrate of the present invention, and a high frequency can be obtained by patterning the conductive layer. A circuit board can be manufactured.

メタライジング法では、例えば、蒸着法またはスパッタリング法によって、本発明の樹脂基板と結合するNi系の金属からなるシード層を形成し、そのシード層上に湿式めっき法等により所定の膜厚の銅等の導電層を設けることで、導電層が設けられた樹脂基板を製造することができ、この導電層をパターニングすることにより高周波回路基板を製造することができる。なお、メタライジング法を用いる場合には、Ni等の金属の付着性を向上させるために、予め本発明の樹脂基板をプラズマ処理等で表面改質しておくことが好ましい。   In the metalizing method, for example, a seed layer made of a Ni-based metal bonded to the resin substrate of the present invention is formed by vapor deposition or sputtering, and copper having a predetermined thickness is formed on the seed layer by wet plating or the like. By providing such a conductive layer, a resin substrate provided with a conductive layer can be manufactured, and a high-frequency circuit board can be manufactured by patterning this conductive layer. In addition, when using a metalizing method, in order to improve the adhesiveness of metals, such as Ni, it is preferable to surface-modify the resin substrate of this invention previously by plasma processing etc.

また、スパッタリング法では、例えば、真空中に不活性ガスを導入しながら樹脂基板と例えばインジウムスズ酸化物(ITO)などのターゲット(成膜させる物質)との間に直流高電圧等を印加することで、導電層が設けられた樹脂基板を製造することができ、この導電層をパターニングすることにより高周波回路基板を製造することができる。   In the sputtering method, for example, a DC high voltage or the like is applied between a resin substrate and a target (a material to be formed) such as indium tin oxide (ITO) while introducing an inert gas into a vacuum. Thus, a resin substrate provided with a conductive layer can be manufactured, and a high-frequency circuit substrate can be manufactured by patterning the conductive layer.

蒸着法では、例えば成膜させる物質の前駆体を気化させ、樹脂基板上に析出させることで、高周波回路基板を製造することができる。   In the vapor deposition method, for example, a high-frequency circuit board can be manufactured by vaporizing a precursor of a material to be formed and depositing it on a resin substrate.

また、塗布法および印刷法では、例えば、目的の導電性材料を含む溶液を、ロールコート法、グラビアコート法、スピンコート法、ドクターブレードを用いて樹脂基板に塗布する方法、スクリーン印刷機、インクジェットプリンタ、ディスペンサ、フレキソ印刷機またはグラビア印刷機などにより印刷する方法により、高周波回路基板を製造することができる。   In the coating method and the printing method, for example, a solution containing a target conductive material is applied to a resin substrate using a roll coating method, a gravure coating method, a spin coating method, a doctor blade, a screen printing machine, an inkjet A high frequency circuit board can be manufactured by a method of printing with a printer, a dispenser, a flexographic printing machine, a gravure printing machine, or the like.

以下、本発明を実施例によってさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。     EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

(1)構造分析
下記実施例で得られた重合体の構造分析は、IR(ATR法、FT−IR,6700(NICOLET社製)およびNMR(ADVANCE500型,BRUKAR社製)により行った。
(1) Structural analysis The structural analysis of the polymers obtained in the following examples was performed by IR (ATR method, FT-IR, 6700 (manufactured by NICOLET)) and NMR (ADVANCE500 type, manufactured by BRUKAAR).

(2)重量平均分子量(Mw)、数平均分子量(Mw)および分子量分布(Mw/Mn)
下記実施例で得られた重合体の重量平均分子量(Mw)、数平均分子量(Mw)および分子量分布(Mw/Mn)は、TOSOH製HLC−8220型GPC装置(カラム:TSKgelα―M、展開溶剤:THF)を用いて測定した。
(2) Weight average molecular weight (Mw), number average molecular weight (Mw) and molecular weight distribution (Mw / Mn)
The weight average molecular weight (Mw), the number average molecular weight (Mw), and the molecular weight distribution (Mw / Mn) of the polymers obtained in the following examples are measured by TOSOH HLC-8220 type GPC apparatus (column: TSKgelα-M, developing solvent). : THF).

(3)誘電特性試験
下記実施例および比較例で得られた評価用フィルムを用いて、ベクトルネットワークアナライザWiltron37169A(Wiltron製)を用いて摂動方式共振法により、26℃、相対湿度45%RHの環境下で、1GHz、10GHzにおける比誘電率および誘電正接を測定した。
(3) Dielectric property test Using the evaluation films obtained in the following examples and comparative examples, a perturbation resonance method using a vector network analyzer Wiltron 37169A (manufactured by Wiltron) at 26 ° C. and a relative humidity of 45% RH. Below, the relative dielectric constant and dielectric loss tangent at 1 GHz and 10 GHz were measured.

(4)伝送損失測定
真空プレス装置を用い、下記実施例および比較例で得られた評価用フィルム(30μm厚)と銅箔(厚み18μm)を270℃で40kg/cm2の圧力で加熱圧着し、銅張積層板を得た。銅箔を塩化第二鉄水溶液で部分的に除去することにより図1に示す回路基板(Z0(特性インピーダンス)=50Ω、伝送距離=30mm)を得た。この回路基板を用いてネットワークアナライザーを用いて周波数10GHzでの伝送損失(S21パラメータ)を測定した。
(4) Transmission loss measurement Using a vacuum press apparatus, a film for evaluation (30 μm thickness) and a copper foil (thickness 18 μm) obtained in the following examples and comparative examples were thermocompression bonded at 270 ° C. and a pressure of 40 kg / cm 2. A copper clad laminate was obtained. The circuit board (Z 0 (characteristic impedance) = 50Ω, transmission distance = 30 mm) shown in FIG. 1 was obtained by partially removing the copper foil with a ferric chloride aqueous solution. Using this circuit board, a transmission loss (S21 parameter) at a frequency of 10 GHz was measured using a network analyzer.

(5)ガラス転移温度(Tg)
下記実施例および比較例で得られた重合体または評価用フィルムのガラス転移温度は、Rigaku社製8230型DSC測定装置を用いて、昇温速度20℃/minとして測定した。
(5) Glass transition temperature (Tg)
The glass transition temperatures of the polymers or evaluation films obtained in the following examples and comparative examples were measured using a Rigaku 8230 type DSC measuring apparatus with a temperature increase rate of 20 ° C./min.

(6)吸水性
下記実施例および比較例で得られた評価用フィルムを、3cm×4cmの大きさに3枚切り出し、減圧乾燥下180℃で8時間乾燥させた。乾燥後の樹脂層の質量を測定した後、蒸留水に25℃で24時間浸漬させた。浸漬後樹脂層表面の水滴をふき取り、浸漬前後の質量変化から吸水率を算出し、3枚の平均値を算出した。
(6) Water Absorption Three films for evaluation obtained in the following Examples and Comparative Examples were cut into a size of 3 cm × 4 cm and dried at 180 ° C. under reduced pressure for 8 hours. After measuring the mass of the resin layer after drying, it was immersed in distilled water at 25 ° C. for 24 hours. After immersion, water droplets on the surface of the resin layer were wiped off, the water absorption was calculated from the mass change before and after immersion, and the average value of the three sheets was calculated.

[実施例1]
3Lの4つ口フラスコに(A)成分:2,6−ジフルオロベンゾニトリル(以下「DFBN」ともいう。)35.12g(0.253mol)、(B)成分:9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン(以下「BPFL」ともいう。)70.08g(0.200mol)およびレゾルシノール(以下「RES」ともいう。)5.51g(0.050mol)、炭酸カリウム41.46g(0.300mol)、N,N−ジメチルアセトアミド(以下「DMAc」ともいう。)443gならびにトルエン111gを添加した。続いて、4つ口フラスコに温度計、撹拌機、窒素導入管付き三方コック、Dean−Stark管および冷却管を取り付けた。
[Example 1]
In a 3 L four-necked flask, component (A): 35.12 g (0.253 mol) of 2,6-difluorobenzonitrile (hereinafter also referred to as “DFBN”), component (B): 9,9-bis (4- Hydroxyphenyl) fluorene (hereinafter also referred to as “BPFL”) 70.08 g (0.200 mol), resorcinol (hereinafter also referred to as “RES”) 5.51 g (0.050 mol), potassium carbonate 41.46 g (0.300 mol) ), 443 g of N, N-dimethylacetamide (hereinafter also referred to as “DMAc”) and 111 g of toluene were added. Subsequently, a thermometer, a stirrer, a three-way cock with a nitrogen introduction tube, a Dean-Stark tube and a cooling tube were attached to the four-necked flask.

次いで、フラスコ内を窒素置換した後、得られた溶液を140℃で3時間反応させ、生成する水をDean−Stark管から随時取り除いた。水の生成が認められなくなったところで、徐々に温度を160℃まで上昇させ、そのままの温度で6時間反応させた。
反応後、室温(25℃)まで冷却し、生成した塩をろ紙で除去し、ろ液をメタノールに投じて再沈殿させ、ろ別によりろ物(残渣)を単離した。得られたろ物を60℃で一晩真空乾燥し、白色粉末(重合体)を得た(収量95.67g、収率95%)。
Next, after the atmosphere in the flask was replaced with nitrogen, the obtained solution was reacted at 140 ° C. for 3 hours, and water produced was removed from the Dean-Stark tube as needed. When no more water was observed, the temperature was gradually raised to 160 ° C. and reacted at that temperature for 6 hours.
After the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature (25 ° C.), the generated salt was removed with a filter paper, the filtrate was poured into methanol for reprecipitation, and the filtrate (residue) was isolated by filtration. The obtained filtrate was vacuum dried at 60 ° C. overnight to obtain a white powder (polymer) (yield 95.67 g, yield 95%).

得られた重合体の物性を表1に示す。得られた重合体の構造分析および重量平均分子量の測定を行った。結果は、赤外吸収スペクトルの特性吸収が、3035(C−H伸縮)、2229cm-1(CN)、1574cm-1、1499cm-1(芳香環骨格吸収)、1240cm-1(−O−)であり、重量平均分子量が130,000であった。得られた重合体は前記構造単位(1)および(3)を有していた。 Table 1 shows the physical properties of the obtained polymer. The obtained polymer was subjected to structural analysis and measurement of the weight average molecular weight. As a result, the characteristic absorption of the infrared absorption spectrum is 3035 (C—H stretching), 2229 cm −1 (CN), 1574 cm −1 , 1499 cm −1 (aromatic ring skeleton absorption), 1240 cm −1 (—O—). The weight average molecular weight was 130,000. The obtained polymer had the structural units (1) and (3).

次いで、得られた重合体をDMAcに再溶解させ、重合体濃度20質量%の樹脂組成物を得た。該樹脂組成物を、ポリエチレンテレフタラート(PET)からなる基板上にドクターブレードを用いて塗布し、70℃で30分乾燥させ、ついで100℃で30分乾燥してフィルムとした後、PET基板より剥離した。その後、フィルムを金枠に固定し、さらに230℃、2時間乾燥して、膜厚30μmの評価用フィルムを得た。   Next, the obtained polymer was redissolved in DMAc to obtain a resin composition having a polymer concentration of 20% by mass. The resin composition is applied onto a substrate made of polyethylene terephthalate (PET) using a doctor blade, dried at 70 ° C. for 30 minutes, and then dried at 100 ° C. for 30 minutes to form a film. It peeled. Thereafter, the film was fixed to a metal frame and further dried at 230 ° C. for 2 hours to obtain an evaluation film having a thickness of 30 μm.

得られた評価用フィルムを用いて、1GHz、10GHzにおける比誘電率および誘電正接を測定した。また、前記のように回路基板形成し、これを用いて周波数10GHzでの伝送損失(S21パラメータ)を測定した。測定結果を表1に示す。   Using the obtained film for evaluation, the relative dielectric constant and dielectric loss tangent at 1 GHz and 10 GHz were measured. Further, the circuit board was formed as described above, and the transmission loss (S21 parameter) at a frequency of 10 GHz was measured using the circuit board. The measurement results are shown in Table 1.

表1に示すように、実施例1で得られるフィルムは、比較例1で得られるポリイミドフィルムに比べ、1GHzおよび10GHzにおける比誘電率、誘電正接ともに低い値を示し、良好な電気特性を示すことが明らかになった。更に、実施例1で得られるフィルムを用いた回路基板の伝送損失は、比較例1のフィルムを用いた回路基板に対して約40%低く、良好な伝送特性を示すことが明らかになった。   As shown in Table 1, the film obtained in Example 1 shows lower values for both relative dielectric constant and dielectric loss tangent at 1 GHz and 10 GHz than the polyimide film obtained in Comparative Example 1, and exhibits good electrical characteristics. Became clear. Furthermore, the transmission loss of the circuit board using the film obtained in Example 1 was about 40% lower than that of the circuit board using the film of Comparative Example 1, and it was revealed that the transmission characteristics were good.

[実施例2]
RESの代わりに2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン11.41g(0.050mol)を使用した以外は、実施例1と同様に行った。得られた評価用フィルムおよび回路基板の物性を表1に示す。
[Example 2]
The same procedure as in Example 1 was performed except that 11.41 g (0.050 mol) of 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane was used instead of RES. Table 1 shows the physical properties of the obtained film for evaluation and circuit board.

[実施例3]
(B)成分として、BPFL70.08gおよびRES5.51gの代わりに、BPFL78.84g(0.225mol)および2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン8.41g(0.025mol)を使用した以外は実施例1と同様に行った。得られた評価用フィルムおよび回路基板の物性を表1に示す。
[Example 3]
As component (B), instead of 70.08 g of BPFL and 5.51 g of RES, 78.84 g (0.225 mol) of BPFL and 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3- The same operation as in Example 1 was carried out except that 8.41 g (0.025 mol) of hexafluoropropane was used. Table 1 shows the physical properties of the obtained film for evaluation and circuit board.

[実施例4]
(B)成分として、BPFL70.08gおよびRES5.51gの代わりに、9,9−ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)フルオレン125.65g(0.250mol)を使用した以外は実施例1と同様に行った。得られた評価用フィルムおよび回路基板の物性を表1に示す。
[Example 4]
Example 1 except that 125.65 g (0.250 mol) of 9,9-bis (3-phenyl-4-hydroxyphenyl) fluorene was used as the component (B) instead of 70.08 g of BPFL and 5.51 g of RES. The same was done. Table 1 shows the physical properties of the obtained film for evaluation and circuit board.

[実施例5]
(B)成分として、BPFL70.08gおよびRES5.51gの代わりに、BPFL87.60g(0.250mol)を使用した以外は実施例1と同様に行った。得られた評価用フィルムおよび回路基板の物性を表1に示す。
[Example 5]
(B) It carried out like Example 1 except having used BPFL87.60g (0.250mol) instead of BPFL70.08g and RES5.51g as a component. Table 1 shows the physical properties of the obtained film for evaluation and circuit board.

[実施例6]
(B)成分として、BPFL70.08gおよびRES5.51gの代わりに、BPFL78.84g(0.225mol)および9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン6.71g(0.025mol)を使用した以外は実施例1と同様に行った。得られた評価用フィルムおよび回路基板の物性を表1に示す。
[Example 6]
(B) Instead of using 70.08 g of BPFL and 5.51 g of RES, 78.84 g (0.225 mol) of BPFL and 6.71 g (0.025 mol) of 9,9-bis (4-hydroxyphenyl) cyclohexane were used. Was carried out in the same manner as in Example 1. Table 1 shows the physical properties of the obtained film for evaluation and circuit board.

[実施例7]
(A)成分として、DFBN35.12gの代わりに、DFBN28.10g(0.202mol)および4,4−ジフルオロベンゾフェノン11.02g(0.051mol)を用いた以外は実施例5と同様に行った。得られた評価用フィルムおよび回路基板の物性を表1に示す。
[Example 7]
(A) It carried out like Example 5 except having used DFBN28.10g (0.202 mol) and 4,4-difluorobenzophenone 11.02g (0.051 mol) instead of DFBN35.12g. Table 1 shows the physical properties of the obtained film for evaluation and circuit board.

[実施例8]
(A)成分の配合量を、DFBN17.56g(0.126mol)および4,4−ジフルオロベンゾフェノン27.55g(0.126mol)に変更した以外は実施例7と同様に行った。得られた評価用フィルムおよび回路基板の物性を表1に示す。
[Example 8]
(A) It carried out similarly to Example 7 except having changed the compounding quantity of the component into DFBN 17.56g (0.126mol) and 4,4-difluorobenzophenone 27.55g (0.126mol). Table 1 shows the physical properties of the obtained film for evaluation and circuit board.

[実施例9]
(A)成分として、DFBN35.12gの代わりに4,4−ジフルオロジフェニルスルホン(DFDS)78.84g(0.250mol)を使用した以外は実施例5と同様に行った。得られた評価用フィルムおよび回路基板の物性を表1に示す。
[Example 9]
As component (A), the same procedure as in Example 5 was performed except that 78.84 g (0.250 mol) of 4,4-difluorodiphenylsulfone (DFDS) was used instead of 35.12 g of DFBN. Table 1 shows the physical properties of the obtained film for evaluation and circuit board.

[比較例]
ポリイミドフィルム(Kapton 100H, 25μm)を用いた他は、実施例1と同様にして、1GHz、10GHzにおける比誘電率、誘電正接を測定し、回路基板を用いて周波数10GHzでの伝送損失(S21パラメータ)を測定した。測定結果を表1に示す。
[Comparative example]
The dielectric constant and dielectric loss tangent at 1 GHz and 10 GHz were measured in the same manner as in Example 1 except that a polyimide film (Kapton 100H, 25 μm) was used. Transmission loss at a frequency of 10 GHz (S21 parameter) using a circuit board ) Was measured. The measurement results are shown in Table 1.

Figure 0005708160
Figure 0005708160

Claims (5)

26℃、相対湿度45%RHでの、
1GHzおよび10GHzにおける比誘電率が3.2以下、1GHzにおける誘電正接が0.0050以下ならびに10GHzにおける誘電正接が0.010以下であり、
下記式(1)で表わされる構造単位および下記式(2)で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位(i)を有する芳香族ポリエーテル系重合体を含んでなる、
高周波回路基板用樹脂基板。
Figure 0005708160
(式(1)中、R1〜R4は、それぞれ独立に炭素数1〜12の1価の有機基を示し、a〜dは、それぞれ独立に0〜4の整数を示す。)
Figure 0005708160
(式(2)中、R1〜R4およびa〜dは、それぞれ独立に前記式(1)中のR1〜R4およびa〜dと同義であり、Yは単結合、−SO2−または>C=Oを示し、R7およびR8は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数1〜12の1価の有機基またはニトロ基を示し、gおよびhは、それぞれ独立に0〜4の整数を示し、mは0または1を示す。但し、mが0の時、R7はシアノ基ではない。)
At 26 ° C. and relative humidity 45% RH,
The relative dielectric constant at 1 GHz and 10 GHz is 3.2 or less, the dielectric loss tangent at 1 GHz is 0.0050 or less, and the dielectric loss tangent at 10 GHz is 0.010 or less,
Comprising an aromatic polyether polymer having at least one structural unit (i) selected from the group consisting of a structural unit represented by the following formula (1) and a structural unit represented by the following formula (2):
Resin substrate for high-frequency circuit boards.
Figure 0005708160
(In Formula (1), R < 1 > -R < 4 > shows a C1-C12 monovalent organic group each independently, and ad shows the integer of 0-4 each independently.)
Figure 0005708160
(In the formula (2), R 1 to R 4 and a~d are the same as R 1 to R 4 and a~d each independently the formula (1), Y represents a single bond, -SO 2 -Or> C = O, R 7 and R 8 each independently represent a halogen atom, a monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms or a nitro group, and g and h each independently represent 0 to 4 And m represents 0 or 1. However, when m is 0, R 7 is not a cyano group.)
前記芳香族ポリエーテル系重合体が、さらに、下記式(3)で表わされる構造単位および下記式(4)で表わされる構造単位からなる群より選ばれる少なくとも一つの構造単位(ii)を有する、請求項1に記載の樹脂基板。
Figure 0005708160
(式(3)中、R5およびR6は、それぞれ独立に炭素数1〜12の1価の有機基を示し、Zは、単結合、−O−、−S−、−SO2−、>C=O、−CONH−、−COO−または炭素数1〜12の2価の有機基を示し、eおよびfは、それぞれ独立に0〜4の整数を示し、nは0または1を示す。)
Figure 0005708160
(式(4)中、R7、R8、Y、m、gおよびhは、それぞれ独立に前記式(2)中のR7、R8、Y、m、gおよびhと同義であり、R5、R6、Z、n、eおよびfは、それぞれ独立に前記式(3)中のR5、R6、Z、n、eおよびfと同義である。)
The aromatic polyether polymer further has at least one structural unit (ii) selected from the group consisting of a structural unit represented by the following formula (3) and a structural unit represented by the following formula (4). The resin substrate according to claim 1.
Figure 0005708160
(In formula (3), R 5 and R 6 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 12 carbon atoms, and Z represents a single bond, —O—, —S—, —SO 2 —, > C═O, —CONH—, —COO— or a divalent organic group having 1 to 12 carbon atoms, e and f each independently represent an integer of 0 to 4, and n represents 0 or 1 .)
Figure 0005708160
(In the formula (4), R 7, R 8, Y, m, g and h are each R 7 in independent to the formula (2), R 8, Y , m, synonymous with g and h, R 5, R 6, Z, n, e and f are as defined each R 5 in the formula (3) independently, R 6, Z, n, e and f.)
前記芳香族ポリエーテル系重合体において、記構造単位(i)と、記構造単位(ii)とのモル比(構造単位(i):構造単位(ii))が50:50〜100:0である、請求項2に記載の樹脂基板。 The molar ratio of the said aromatic polyether polymer, a pre-Symbol structural units (i), a pre-Symbol structural units (ii) (structural unit (i): a structural unit (ii)) is 50: 50 to 100: The resin substrate according to claim 2, which is zero. 前記芳香族ポリエーテル系重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算の重量平均分子量が5,000〜500,000である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の樹脂基板。   The resin substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein the aromatic polyether polymer has a polystyrene-equivalent weight average molecular weight of 5,000 to 500,000 by gel permeation chromatography (GPC). . 請求項1〜4のいずれか1項に記載の樹脂基板を含む、高周波回路基板。   A high-frequency circuit board comprising the resin substrate according to claim 1.
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