JP2012212732A - Adhesive tape for processing radiation curable semiconductor - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an adhesive tape for processing a radiation curable semiconductor which exhibits good antistatic properties in semiconductor processing, can significantly reduce generation of fibrous cut waste in a dicing process, allows little slack of the tape by irradiation and hardly allows an adhesive to remain on an adherend in pickup.SOLUTION: In an adhesive tape for processing a radiation curable semiconductor in which a particular adhesive layer is formed on a base material resin film, the base material resin film consists of at least of two layers, a layer contacting with the adhesive layer of the base material resin film is a resin composition having ethylene-vinyl acetate copolymer (a1) and a resin (a2) in which carboxyl group of a copolymer containing at least of ethylene composition and (meta) acrylic acid composition as a component, is crosslinked by way of potassium ions, and a layer other than the layer contacting with the adhesive layer is a resin composition containing high density polyethylene or polypropylene.

Description

本発明は、電気部品や電子部品に用いられる半導体を加工する際に使用される放射線硬化性半導体加工用粘着テープに関する。   The present invention relates to a radiation-curable adhesive tape for processing a semiconductor used when processing a semiconductor used for an electrical component or an electronic component.

従来から、電気部品や電子部品に用いられる半導体を加工する際に、半導体ウェハから半導体チップを得るためのダイシング工程や、その他の工程において、部品の固定や保護を目的とする半導体加工用粘着テープが用いられている。
半導体のダイシング工程では、半導体加工用粘着テープからセパレーターを剥離し、該粘着テープが貼合された状態で半導体ウェハのダイシング加工を行い、電気絶縁性の高い超純水により切削粉を洗浄し、切断・分離された半導体チップのピックアップが行われる。これらの工程で基板(ウェハ)や樹脂封止パッケージなどの被着体に静電気が発生する。回路を形成する部品の基板がセラミックスやガラスなどの絶縁材料である場合には、静電気が速やかに漏洩されず、短絡による回路の放電破壊や埃などの異物の付着などが起こる場合がある。
Conventionally, when processing semiconductors used in electrical and electronic components, adhesive tapes for semiconductor processing intended for fixing and protecting components in the dicing process for obtaining semiconductor chips from semiconductor wafers and other processes Is used.
In the semiconductor dicing process, the separator is peeled off from the semiconductor processing adhesive tape, the semiconductor wafer is diced in a state where the adhesive tape is bonded, the cutting powder is washed with ultrapure water having high electrical insulation, The semiconductor chip that has been cut and separated is picked up. In these steps, static electricity is generated on an adherend such as a substrate (wafer) or a resin-sealed package. When the substrate of a component that forms a circuit is an insulating material such as ceramics or glass, static electricity is not quickly leaked, and there is a case where discharge of the circuit due to a short circuit or adhesion of foreign matters such as dust may occur.

近年、ウェハの薄膜化に伴い回路の高集積化が加速しており、静電気による回路破壊を防ぐことが大きな課題となっている。静電気障害を防止するためにイオナイザーなどの静電気除去装置が利用されているが、十分な帯電防止効果は得られておらず、帯電防止性を有する半導体加工用粘着テープに対する需要が高まっている。
そこで、基材樹脂フィルムの片面又は両面にポリチオフェンやポリピロールなどの導電性高分子を含有する帯電防止層を設けた半導体固定用粘着テープが開示されている(例えば、特許文献1と特許文献2を参照。)。この粘着テープでは、ダイシング加工によって帯電防止層が分断されるため、ダイシング後は帯電防止性能を維持するのは困難である。
In recent years, high integration of circuits has been accelerated with the thinning of wafers, and it has become a big issue to prevent circuit breakdown due to static electricity. Static electricity removing devices such as ionizers are used to prevent static electricity damage, but sufficient antistatic effects have not been obtained, and there is an increasing demand for adhesive tapes for semiconductor processing having antistatic properties.
Then, the adhesive tape for semiconductor fixation which provided the antistatic layer containing conductive polymers, such as polythiophene and polypyrrole, on the single side | surface or both surfaces of the base resin film is disclosed (for example, patent document 1 and patent document 2 are disclosed). reference.). In this adhesive tape, since the antistatic layer is divided by dicing, it is difficult to maintain the antistatic performance after dicing.

また、ダイシング工程においては、回転刃であるダイシングブレードが、半導体固定用粘着テープの基材樹脂フィルムの一部まで切り込まれる。このため、半導体デバイスウェハや半導体デバイスパッケージ切削屑の他に、該粘着テープの基材樹脂フィルムが切削時に溶融・延伸された糸状のヒゲ状切削屑が発生し、この切削屑が半導体デバイス表面の凹凸に残留することが多い。特に、一括封止されたパッケージをダイシングする際にはダイシングブレード刃厚が0.1〜0.5mm程度の厚いものを用いるため、ダイシングブレード刃厚が0.02〜0.1mm程度の薄いものを用いる半導体デバイスウェハをダイシングする場合と比較して、特にヒゲ状切削屑が発生しやすい。この切削屑は半導体ウェハや樹脂封止パッケージなどを汚染し、歩留まりを低下させるため、極力低減させる必要がある。   Further, in the dicing process, a dicing blade that is a rotary blade is cut into a part of the base resin film of the semiconductor fixing adhesive tape. For this reason, in addition to semiconductor device wafers and semiconductor device package cutting waste, thread-like beard-like cutting waste is generated by melting and stretching the base resin film of the adhesive tape during cutting. It often remains on the uneven surface. In particular, when dicing a package that is collectively sealed, a dicing blade with a thickness of about 0.1 to 0.5 mm is used, so that the dicing blade has a thickness of about 0.02 to 0.1 mm. Compared with the case of dicing a semiconductor device wafer that uses swarf, beard-like cutting waste is particularly likely to occur. This cutting waste contaminates the semiconductor wafer, the resin-encapsulated package, and the like and lowers the yield, so it is necessary to reduce it as much as possible.

半導体素子や樹脂封止パッケージなどの被着体を粘着テープからピックアップする際には、被着体に接している粘着層の粘着力を低下させておくことが好ましい。そのための方法として、粘着層として放射線照射により粘着力を低減させることのできるものを用いた放射線硬化性粘着テープが知られている。しかしながら、この放射線には少なからず赤外光が含まれるため、放射線照射により粘着テープが加熱されて粘着テープの伸びや部分的な弛みが発生することがある。テープの弛みは、加工工程間の移送に使用されるキャリアーカセットへの被着体の収納に支障を生じる他、被着体のピックアップ工程においても素子間隙のばらつきが生じ、素子のピックアップ不良を引き起こす原因にもなる。また、テープ弛みはダイシング時の切削熱によっても発生する場合もある。   When picking up an adherend such as a semiconductor element or a resin-sealed package from an adhesive tape, it is preferable to reduce the adhesive force of the adhesive layer in contact with the adherend. As a method therefor, there is known a radiation-curable pressure-sensitive adhesive tape using a pressure-sensitive adhesive layer that can reduce the adhesive strength by irradiation. However, since this radiation contains not a little infrared light, the adhesive tape may be heated by radiation irradiation, and the adhesive tape may be stretched or partially loosened. The slack of the tape causes trouble in storing the adherend in the carrier cassette used for transfer between processing steps, and also causes variation in element gaps in the pick-up process of the adherend, causing defective pick-up of the element. It can also be a cause. Tape slack may also occur due to cutting heat during dicing.

また、半導体ウェハや樹脂封止パッケージなどの被着体には、粘着テープの貼合面に凹凸を有しているものや、一般にレーザーマークと言われる刻印(凹部)を有しているものがある。当該凹凸部分に対する粘着剤の追従性には限界があるため、粘着剤層と被着体の間に密着していない隙間が介在する場合がある。この隙間部分は空気と接しているため、粘着剤層として放射線照射により粘着力を大きく低減させて、ダイシング加工後のピックアップ工程で、切断されて得られた半導体チップをピックアップしやすくする場合には、空気中の酸素によって粘着剤の放射線硬化反応が阻害され、被着体の凹部分に糊残りが発生する場合がある。   In addition, adherends such as semiconductor wafers and resin-encapsulated packages may have unevenness on the adhesive tape bonding surface, or may have markings (concave portions) commonly referred to as laser marks. is there. Since there is a limit to the followability of the adhesive with respect to the uneven portion, there may be a gap that is not in close contact between the adhesive layer and the adherend. Since this gap portion is in contact with air, the adhesive force is greatly reduced by radiation irradiation as an adhesive layer, and in the pick-up process after dicing, it is easy to pick up the semiconductor chip obtained by cutting. In some cases, the radiation curing reaction of the pressure-sensitive adhesive is inhibited by oxygen in the air, and adhesive residue may be generated in the concave portion of the adherend.

特開2008−255345号公報JP 2008-255345 A 特開2008−280520号公報JP 2008-280520 A

本発明は、半導体加工工程において優れた帯電防止性を発揮し、かつ、ダイシング工程においてヒゲ状切削屑の発生を著しく低減でき、放射線照射によりテープの弛みが少なく、ピックアップ時に被着体に粘着剤が残りにくい放射線硬化性半導体加工用粘着テープを提供することを課題とする。   The present invention exhibits an excellent antistatic property in a semiconductor processing process, can significantly reduce the generation of shaving-like cutting waste in a dicing process, has less tape slack due to irradiation, and has an adhesive on an adherend during pick-up. It is an object of the present invention to provide a radiation-curable adhesive tape for semiconductor processing that is difficult to remain.

本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を行った。その結果、基材樹脂フィルム上に主鎖の繰り返し単位に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基が結合した(ペンダントした)重合体(B)を含有する粘着剤層が形成された放射線硬化性半導体加工用粘着テープであって、該基材樹脂フィルムが少なくとも2層以上からなり、
該基材樹脂フィルムの粘着剤層に接する層が、エチレン−酢酸ビニル共重合体(a1)と、構成成分として少なくともエチレン成分及び(メタ)アクリル酸成分を有する共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂(a2)と特定の割合で含有する樹脂組成物であり、
前記粘着剤層に接する層以外の層が、高密度ポリエチレン又はポリプロピレンを含有する樹脂組成物である放射線硬化性半導体加工用粘着テープが、半導体加工工程において優れた帯電防止性を示し、ダイシング工程においてヒゲ状切削屑の発生を著しく低減でき、放射線照射によりテープの弛みが少なく、ピックアップ時に被着体に粘着剤が残りにくいことを見出した。本発明はこれらの知見に基づきなされたものである。
The present inventors have intensively studied to achieve the above object. As a result, a pressure-sensitive adhesive layer containing the polymer (B) in which the radiation-curable carbon-carbon double bond-containing group was bonded to the repeating unit of the main chain (pendant) was formed on the base resin film. A radiation curable adhesive tape for semiconductor processing, wherein the base resin film comprises at least two layers,
The layer in contact with the pressure-sensitive adhesive layer of the base resin film has an ethylene-vinyl acetate copolymer (a1) and a carboxyl group of a copolymer having at least an ethylene component and a (meth) acrylic acid component as constituent components. A resin composition containing the resin (a2) crosslinked at a specific ratio,
The layer other than the layer in contact with the pressure-sensitive adhesive layer is a resin composition containing high-density polyethylene or polypropylene, the radiation-curable pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing exhibits excellent antistatic properties in the semiconductor processing step, and in the dicing step It has been found that the generation of beard-like cutting scraps can be remarkably reduced, the tape is not loosened by irradiation, and the adhesive does not easily remain on the adherend during pick-up. The present invention has been made based on these findings.

すなわち、本発明は、
<1>基材樹脂フィルム上に主鎖の繰り返し単位に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基が結合した重合体(B)を含有する粘着剤層が形成された放射線硬化性半導体加工用粘着テープであって、該基材樹脂フィルムが少なくとも2層以上からなり、
該基材樹脂フィルムの粘着剤層に接する層が、エチレン−酢酸ビニル共重合体(a1)90〜70質量%と、構成成分として少なくともエチレン成分及び(メタ)アクリル酸成分を有する共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂(a2)10〜30質量%を含有する樹脂組成物であり、
前記粘着剤層に接する層以外の層が、高密度ポリエチレン又はポリプロピレンを含有する樹脂組成物であることを特徴とする放射線硬化性半導体加工用粘着テープ、
<2>前記基材樹脂フィルムが3層以上からなり、前記粘着剤層に接する層1と最外層X2とで挟まれた中間層X1が高密度ポリエチレン又はポリプロピレンを含有する樹脂組成物であることを特徴とする<1>記載の放射線硬化性半導体加工用粘着テープ、
<3>前記エチレン−酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル成分含有量が5〜25質量%であることを特徴とする<1>又は<2>記載の放射線硬化性半導体加工用粘着テープ、
<4>前記主鎖の繰り返し単位に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基が結合した重合体(B)が、構成成分(b1)として65〜87質量%の2−エチルヘキシルアクリレート成分を含むことを特徴とする<1>〜<3>のいずれか1項に記載の放射線硬化性半導体加工用粘着テープ、及び
<5>前記粘着剤層の放射線硬化前のガラス転移開始温度が−65〜−45℃であることを特徴とする<1>〜<4>のいずれか1項記載の放射線硬化性半導体加工用粘着テープ、
を提供するものである。
That is, the present invention
<1> A radiation curable semiconductor in which a pressure-sensitive adhesive layer containing a polymer (B) having a radiation curable carbon-carbon double bond-containing group bonded to a repeating unit of a main chain is formed on a base resin film. An adhesive tape for processing, wherein the base resin film comprises at least two layers;
The layer of the base resin film in contact with the pressure-sensitive adhesive layer is an ethylene-vinyl acetate copolymer (a1) 90 to 70% by mass and a copolymer having at least an ethylene component and a (meth) acrylic acid component as constituent components. It is a resin composition containing 10 to 30% by mass of a resin (a2) obtained by crosslinking a carboxyl group with potassium ions,
A layer other than the layer in contact with the pressure-sensitive adhesive layer is a resin composition containing high-density polyethylene or polypropylene, a radiation-curable pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing,
<2> The base resin film is composed of three or more layers, and the intermediate layer X1 sandwiched between the layer 1 in contact with the pressure-sensitive adhesive layer and the outermost layer X2 is a resin composition containing high-density polyethylene or polypropylene. <1> The radiation-curable adhesive tape for semiconductor processing according to <1>,
<3> The radiation-curable adhesive tape for semiconductor processing according to <1> or <2>, wherein the ethylene-vinyl acetate copolymer has a vinyl acetate component content of 5 to 25% by mass,
<4> A polymer (B) in which a radiation-curable carbon-carbon double bond-containing group is bonded to a repeating unit of the main chain is 65 to 87% by mass of a 2-ethylhexyl acrylate component as a component (b1). <1>-<3> The radiation-curable adhesive tape for semiconductor processing according to any one of <1> to <3>, and <5> the glass transition start temperature of the adhesive layer before radiation curing is − The adhesive tape for radiation-curable semiconductor processing according to any one of <1> to <4>, wherein the adhesive tape is 65 to -45 ° C.
Is to provide.

本発明は、半導体加工工程において優れた帯電防止性を発揮し、かつ、ダイシング工程においてヒゲ状切削屑の発生を著しく低減でき、放射線照射によりテープの弛みが少なく、ピックアップ時に被着体に粘着剤が残りにくい放射線硬化性半導体加工用粘着テープを提供することができる。   The present invention exhibits an excellent antistatic property in a semiconductor processing process, can significantly reduce the generation of shaving-like cutting waste in a dicing process, has less tape slack due to irradiation, and has an adhesive on an adherend during pick-up. It is possible to provide a radiation-curable adhesive tape for semiconductor processing that is less likely to remain.

本発明の放射線硬化性半導体加工用粘着テープの一実施形態を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically one Embodiment of the adhesive tape for radiation-curable semiconductor processing of this invention. 本発明の放射線硬化性半導体加工用粘着テープの他の一実施形態を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically other one Embodiment of the adhesive tape for radiation-curable semiconductor processing of this invention.

本発明を、図面を参照しながら説明する。図1には、本発明の放射線硬化性半導体加工用粘着テープの好ましい一実施態様が模式的に示されている。放射線硬化性半導体加工用粘着テープ100では、基材樹脂フィルム10は、粘着剤層に接する層1と、該粘着剤層に接する層以外の層2とからなり、基材樹脂フィルム10の粘着剤層に接する層1に粘着剤層20が形成されている。
また図2には、本発明の放射線硬化性半導体加工用粘着テープの好ましい他の一実施形態が模式的に示されている。放射線硬化性半導体加工用粘着テープ200では、基材樹脂フィルム10が粘着剤層に接する層1と、該粘着剤層に接する層以外の層2とからなり、該粘着剤層に接する層以外の層2は、中間層X1と基材樹脂フィルムの最外層X2とからなる。
The present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 schematically shows a preferred embodiment of the radiation-curable semiconductor processing pressure-sensitive adhesive tape of the present invention. In the radiation curable adhesive tape 100 for semiconductor processing, the base resin film 10 includes a layer 1 in contact with the adhesive layer and a layer 2 other than the layer in contact with the adhesive layer. An adhesive layer 20 is formed on the layer 1 in contact with the layer.
FIG. 2 schematically shows another preferred embodiment of the pressure-sensitive adhesive tape for processing semiconductors according to the present invention. In the radiation curable adhesive tape for semiconductor processing 200, the base resin film 10 is composed of a layer 1 in contact with the adhesive layer and a layer 2 other than the layer in contact with the adhesive layer, and other than the layer in contact with the adhesive layer. Layer 2 consists of intermediate layer X1 and outermost layer X2 of the base resin film.

1.基材樹脂フィルム
本発明の放射線硬化性半導体加工用粘着テープの基材樹脂フィルムは、図1、2に示すように2層以上からなり、粘着剤層に接する層1は帯電防止性を有している。粘着剤層に接する層1は、エチレン−酢酸ビニル共重合体(a1)90〜70質量%と、構成成分として少なくともエチレン成分及び(メタ)アクリル酸成分を有する共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂(a2)10〜30質量%を含有する樹脂組成物で構成されている。本発明で共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋するとはカルボキシル基の少なくとも0.5mmol/gを架橋することをいい、好ましくは1.5mmol/g以上である。
1. Base resin film The base resin film of the radiation curable semiconductor processing pressure-sensitive adhesive tape of the present invention comprises two or more layers as shown in FIGS. 1 and 2, and the layer 1 in contact with the pressure-sensitive adhesive layer has antistatic properties. ing. The layer 1 in contact with the pressure-sensitive adhesive layer is composed of an ethylene-vinyl acetate copolymer (a1) 90 to 70% by mass and a carboxyl group of a copolymer having at least an ethylene component and a (meth) acrylic acid component as constituents. It is comprised with the resin composition containing 10-30 mass% of resin (a2) bridge | crosslinked by. In the present invention, to crosslink the carboxyl group of the copolymer with potassium ion means to crosslink at least 0.5 mmol / g of the carboxyl group, preferably 1.5 mmol / g or more.

(粘着剤層に接する層)
(1)構成成分として少なくともエチレン成分及び(メタ)アクリル酸成分を有する共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂(a2)
構成成分として少なくともエチレン成分及び(メタ)アクリル酸成分を有する共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂(a2)は、共重合体成分としてエチレン成分と、(メタ)アクリル酸成分を含み、(メタ)アクリル酸成分のカルボキシル基がカリウムイオンで架橋された樹脂である。なお、本明細書において、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体とは、エチレン−アクリル酸共重合体とエチレン−メタクリル酸共重合体の両方を含むものである。樹脂(a2)は、エチレン成分と、(メタ)アクリル酸成分を含む2元系の共重合体でもよいが、さらにその他の成分を含む3元系以上の共重合体でもよい。その他の成分としては、例えば、(メタ)アクリル酸エステルを挙げることができる。(メタ)アクリル酸エステルとしては、アクリル酸エチル、メタアクリル酸ブチル等を挙げることができる。その他の成分としては、酢酸ビニル、アクリルニトリル、アクリルアマイド、スチレン、イタコン酸、アクリルアマイド、メチロールアクリルアマイド、無水マレイン酸等を挙げることができる。
(Layer in contact with the adhesive layer)
(1) Resin (a2) obtained by crosslinking a carboxyl group of a copolymer having at least an ethylene component and a (meth) acrylic acid component as constituent components with potassium ions
The resin (a2) obtained by crosslinking a carboxyl group of a copolymer having at least an ethylene component and a (meth) acrylic acid component as constituent components with potassium ions includes an ethylene component and a (meth) acrylic acid component as the copolymer component. , A resin in which the carboxyl group of the (meth) acrylic acid component is crosslinked with potassium ions. In the present specification, the ethylene- (meth) acrylic acid copolymer includes both an ethylene-acrylic acid copolymer and an ethylene-methacrylic acid copolymer. Resin (a2) may be a binary copolymer containing an ethylene component and a (meth) acrylic acid component, or may be a ternary or higher copolymer containing other components. Examples of other components include (meth) acrylic acid esters. Examples of the (meth) acrylic acid ester include ethyl acrylate and butyl methacrylate. Examples of the other components include vinyl acetate, acrylonitrile, acrylic amide, styrene, itaconic acid, acrylic amide, methylol acrylic amide, maleic anhydride and the like.

樹脂(a2)は金属イオン種としてカリウムイオンで架橋されていることが必要である。カリウムイオンで架橋されていることにより、飽和水分量が高いため、優れた帯電防止性を奏することができる。他の金属イオン、例えば、ナトリウムイオン、亜鉛イオン、マグネシウムイオンなどでは、飽和水分量が低く、十分な帯電防止性は得られない。   The resin (a2) needs to be crosslinked with potassium ions as metal ion species. Since the saturated moisture content is high due to crosslinking with potassium ions, excellent antistatic properties can be achieved. Other metal ions such as sodium ion, zinc ion, and magnesium ion have a low saturated water content and do not provide sufficient antistatic properties.

樹脂フィルムが樹脂(a2)とエチレン−酢酸ビニル共重合体(a1)を含む樹脂組成物で構成された場合には、後述のように、樹脂(a2)がエチレン−酢酸ビニル共重合体で、より筋状に配向した相分離構造を形成しやすくするためには、強いせん断力に加えて、ベース樹脂のメルトフローレート(MFR)(JIS K 7210に準拠した190℃、2.16kg荷重条件)は低いほうが望ましく、その範囲は0.5〜4.0、さらに好ましくは1.0〜3.0である。MFRが高すぎる場合、筋状の帯電防止相が形成されず、低すぎる場合は製膜することができない。   When the resin film is composed of a resin composition containing the resin (a2) and the ethylene-vinyl acetate copolymer (a1), the resin (a2) is an ethylene-vinyl acetate copolymer, as will be described later. In order to make it easier to form a phase-separated structure that is more linearly oriented, in addition to a strong shearing force, the melt flow rate (MFR) of the base resin (190 ° C. in accordance with JIS K 7210, 2.16 kg load condition) Is preferably lower, and the range is 0.5 to 4.0, more preferably 1.0 to 3.0. When MFR is too high, a streaky antistatic phase is not formed, and when it is too low, film formation cannot be performed.

(2)エチレン−酢酸ビニル共重合体(a1)
基材樹脂フィルムを構成する樹脂組成物には、エチレン−酢酸ビニル共重合体(a1)が含まれる。エチレン−酢酸ビニル共重合体と前記の樹脂(a2)を含む樹脂組成物は、エチレン−酢酸ビニル共重合体(a1)中の酢酸ビニル成分が、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂のカリウムイオンと相互作用する。その結果、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂相が、エチレン−酢酸ビニル共重合体中に筋状に微分散した相分離構造を形成しやすい。これにより、伝導経路が形成され、優れた帯電防止性を奏することができる。
(2) Ethylene-vinyl acetate copolymer (a1)
The resin composition constituting the base resin film contains an ethylene-vinyl acetate copolymer (a1). In the resin composition containing the ethylene-vinyl acetate copolymer and the resin (a2), the vinyl acetate component in the ethylene-vinyl acetate copolymer (a1) is a carboxyl of the ethylene- (meth) acrylic acid copolymer. It interacts with the potassium ion of the resin whose group is crosslinked with potassium ion. As a result, it is easy to form a phase-separated structure in which the resin phase in which the carboxyl group of the ethylene- (meth) acrylic acid copolymer is crosslinked with potassium ions is finely dispersed in the ethylene-vinyl acetate copolymer. Thereby, a conduction path is formed, and excellent antistatic properties can be achieved.

前記の樹脂(a2)を配合すると、基材樹脂フィルムと粘着剤層との間の密着性は弱まるが、エチレン−酢酸ビニル共重合体を使用することにより、基材樹脂フィルムと粘着剤層との密着性を高く保持することができる。エチレン−酢酸ビニル共重合体中の酢酸ビニル成分含有量は5〜25質量%であることが好ましい。酢酸ビニル成分含有量が少なすぎると、基材樹脂フィルムと粘着剤層との間の密着性が悪化し、多すぎるとベタツキが大きくなるため、製造性が悪化する。例えば、押出成形で基材樹脂フィルムを製造する際に冷却ロールへの基材樹脂フィルムの貼りつきなどが起こることがある。
これに対して、エチレン−酢酸ビニル共重合体(a1)に代えて、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体を使用した場合には、基材樹脂フィルムと粘着剤層との密着性は良好であるが、(a2)樹脂との相分離構造を形成できないため、十分な帯電防止性を得ることは困難である。
When the resin (a2) is blended, the adhesion between the base resin film and the pressure-sensitive adhesive layer is weakened, but by using an ethylene-vinyl acetate copolymer, the base resin film and the pressure-sensitive adhesive layer High adhesion can be maintained. The vinyl acetate component content in the ethylene-vinyl acetate copolymer is preferably 5 to 25% by mass. When there is too little vinyl acetate component content, the adhesiveness between a base resin film and an adhesive layer will deteriorate, and when too large, since stickiness will become large, manufacturability will deteriorate. For example, when a base resin film is produced by extrusion molding, sticking of the base resin film to a cooling roll may occur.
On the other hand, when an ethylene- (meth) acrylic acid copolymer is used instead of the ethylene-vinyl acetate copolymer (a1), the adhesion between the base resin film and the adhesive layer is good. However, since (a2) a phase separation structure with the resin cannot be formed, it is difficult to obtain sufficient antistatic properties.

粘着剤層に接する層の基材樹脂フィルムを構成する樹脂組成物は、エチレン−酢酸ビニル共重合体90〜70質量%と、構成成分として少なくともエチレン成分及び(メタ)アクリル酸成分を有する共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂(a2)10〜30質量%を含有する。これにより、ヒゲ状切削屑の発生を著しく低減することができる。(a2)樹脂が多すぎると、基材樹脂フィルムと粘着剤層との密着性低いため、ピックアップ工程で基材樹脂フィルムと粘着剤層との間で層間剥離が生じ、レーザーマーク等の被着体表層の凹部に糊残りが発生する。一方、(a2)樹脂が少なすぎると、十分な帯電防止性を奏することができない。   The resin composition constituting the base resin film of the layer in contact with the pressure-sensitive adhesive layer is a copolymer having 90 to 70% by mass of an ethylene-vinyl acetate copolymer and at least an ethylene component and a (meth) acrylic acid component as constituent components. 10-30 mass% of resin (a2) which bridge | crosslinked the carboxyl group of the coalescence with potassium ion is contained. Thereby, generation | occurrence | production of a beard-like cutting waste can be reduced significantly. (A2) If there is too much resin, the adhesion between the base resin film and the pressure-sensitive adhesive layer is low, so that delamination occurs between the base resin film and the pressure-sensitive adhesive layer in the pick-up process, and laser marks and the like are deposited Adhesive residue is generated in the concave portion of the body surface layer. On the other hand, if the amount of (a2) resin is too small, sufficient antistatic properties cannot be achieved.

(a2)樹脂は、製膜時に強いせん断力が働くことでベース樹脂内部に成形方向に筋状に配向した相分離構造を形成しやすくなるため、押出成形・射出成形など、製膜時に樹脂に強いせん断力がかかる成形方法で基材樹脂フィルムを成形することが好ましい。圧縮成形では圧縮力が働くために帯電防止樹脂が筋状に分散しにくく、キャスト成形では十分なせん断力が得られないため、同じく筋状の分散を得られないことがある。粘着剤層に接する基材樹脂フィルムを構成する層には密着性をさらに向上させるために、コロナ処理を施したり、プライマー等の処理を施したりしてもよい。   (A2) Since the resin has a strong shearing force during film formation, it becomes easy to form a phase-separated structure in the base resin in the form of a streak in the molding direction. It is preferable to mold the base resin film by a molding method in which a strong shearing force is applied. Since compression force acts in compression molding, the antistatic resin is difficult to disperse in a streak form, and in cast molding, a sufficient shearing force cannot be obtained. The layer constituting the base resin film in contact with the pressure-sensitive adhesive layer may be subjected to a corona treatment or a treatment such as a primer in order to further improve the adhesion.

(粘着剤層に接する層以外の層)
基材樹脂フィルムにおける粘着剤層に接する層以外の層は、高密度ポリエチレン又はポリプロピレンを含有する樹脂組成物である。高密度ポリエチレンとポリプロピレンは耐熱性に優れるため、放射線照射時に発生する熱で粘着テープの弛みを防ぐことができる。ここでポリプロピレンは、プロピレンの単独重合体(ホモポリプロピレン)、エチレン−プロピレンランダム共重合体、エチレン−プロピレンブロック共重合体、プロピレンと他の少量のα−オレフィン(例えば、1−ブテン、1−ヘキセン、4−メチル−1−ペンテン等)との共重合体、構成成分としてアタクチックのプロピレンを含むポリプロピレン、プロピレンとエチレン系共重合体ゴムとのブロック共重合体等が挙げられる。本明細書においては、ポリプロピレン樹脂としては、プロピレンの単独重合体のほかに、構成成分として、プロピレン成分とエチレン成分を有する共重合体のうち、プロピレン成分が85質量%以上のものをいう。
図3に示すように中間層X1を有することにより、基材樹脂フィルムを3層又はそれ以上とし、中間層X1を、高密度ポリエチレン又はポリプロピレンを含有する樹脂組成物で構成することが好ましい。この構成により、ダイシング時にダイシングブレードが入り込みやすくなり、ヒゲの発生を抑制することができる。
(Layers other than the layer in contact with the adhesive layer)
Layers other than the layer in contact with the pressure-sensitive adhesive layer in the base resin film are resin compositions containing high-density polyethylene or polypropylene. Since high-density polyethylene and polypropylene are excellent in heat resistance, it is possible to prevent looseness of the adhesive tape by heat generated during radiation irradiation. Here, polypropylene is a homopolymer of propylene (homopolypropylene), an ethylene-propylene random copolymer, an ethylene-propylene block copolymer, propylene and another small amount of α-olefin (for example, 1-butene, 1-hexene). , 4-methyl-1-pentene, etc.), polypropylene containing atactic propylene as a constituent, and a block copolymer of propylene and ethylene copolymer rubber. In the present specification, the polypropylene resin refers to a copolymer having a propylene component of 85% by mass or more among copolymers having a propylene component and an ethylene component as constituent components in addition to a propylene homopolymer.
As shown in FIG. 3, it is preferable that the base layer resin film has three or more layers by having the intermediate layer X1, and the intermediate layer X1 is made of a resin composition containing high-density polyethylene or polypropylene. With this configuration, the dicing blade can easily enter during dicing, and the generation of whiskers can be suppressed.

高密度ポリエチレン又はポリプロピレン層の厚みは、基材樹脂フィルムの厚さの合計の20〜70%であることが好ましい。高密度ポリエチレン又はポリプロピレン層が厚すぎると、テープ弛みを防ぎやすくなり、ヒゲ状切削屑の付着は抑制できるが、基材樹脂フィルムは硬くなるため、製造しにくくなり、また被着体に追従しにくくなるため、ダイシング時に被着体が飛散しやすくなる。また、高密度ポリエチレン又はポリプロピレン層が薄すぎると、ダイシング時に被着体が飛散は抑制できるが、テープ弛みやヒゲ付着が悪化する。   The thickness of the high density polyethylene or polypropylene layer is preferably 20 to 70% of the total thickness of the base resin film. If the high-density polyethylene or polypropylene layer is too thick, it will be easy to prevent tape slack and adhesion of whiskers will be suppressed, but the base resin film will be hard and difficult to manufacture, and will follow the adherend. Since it becomes difficult, an adherend will spread easily at the time of dicing. On the other hand, if the high-density polyethylene or polypropylene layer is too thin, the adherend can be prevented from scattering during dicing, but tape slack and whiskers adhere.

ダイシング加工時に使用されるブレード外周部断面はR形状を持っていることから、半導体デバイスの側面であるダイシングブレード切削面を平滑にするためには、ブレード刃厚の厚いものを用いるときほどダイシングテープに深く切り込む必要がある。このため、ブレード刃厚の厚いものを用いるときほど基材樹脂フィルムを厚くする必要がある。そこで、基材樹脂フィルムの厚さは、ダイシングに用いるブレード厚さの最低30%以上の厚さとすることが好ましい。一方、基材樹脂フィルムが厚くなりすぎると、帯電防止型半導体加工用粘着テープの剛性が上がり、作業性が悪化することがある。
モールド樹脂一括封止パッケージダイシング用のブレードとしては刃厚50〜400μm程度のブレードが使用されるので、本発明の帯電防止型半導体加工用粘着テープの基材樹脂フィルムの厚さは、好ましくは30〜300μm、さらに好ましくは50〜250μmである。
Since the blade outer peripheral section used at the time of dicing has an R shape, a dicing tape is used more smoothly when a blade having a thicker blade is used to smooth the cutting surface of the dicing blade, which is the side of the semiconductor device. It is necessary to cut deeply. For this reason, it is necessary to increase the thickness of the base resin film as the blade blade thickness is increased. Therefore, the thickness of the base resin film is preferably at least 30% of the thickness of the blade used for dicing. On the other hand, if the base resin film becomes too thick, the rigidity of the antistatic semiconductor processing pressure-sensitive adhesive tape increases, and workability may deteriorate.
Since a blade with a blade thickness of about 50 to 400 μm is used as a blade for mold resin batch sealing package dicing, the thickness of the base resin film of the adhesive tape for antistatic semiconductor processing of the present invention is preferably 30. It is -300 micrometers, More preferably, it is 50-250 micrometers.

2.粘着剤層
本発明の放射線硬化性半導体加工用粘着テープの粘着剤は、主鎖の繰り返し単位に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基が結合した重合体を含有するため、放射線硬化性を有する。本発明において、「主鎖の繰り返し単位に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基が結合した重合体」とは、分子内に放射線硬化性不飽和炭素−炭素二重結合含有基が結合した(すなわち、ペンダントした)重合体である。放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有しない重合体と、放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有するオリゴマーを含む樹脂組成物からなる粘着剤は、放射線硬化前の粘着力が高いため、十分なピックアップ性を確保するには、放射線照射により粘着力を大きく低下させる必要がある。このように放射線硬化性が高い粘着剤は放射線硬化時の硬化収縮が大きく、この硬化収縮によってレーザーマーク等の粘着剤層と接触している被着体表層の凹部に粘着剤が噛み込みやすい。被着体表層の凹部に粘着剤が噛み込むと、ピックアップ時に基材樹脂フィルムと粘着剤層との間で層間剥離しやすくなり、上記凹部に糊残りが発生しやすい。さらに、基材樹脂フィルムに(a2)樹脂を含む樹脂組成物を用いた場合には、基材樹脂フィルムと粘着剤層との密着性が低下し、上記凹部により糊残りが発生しやすくなる。
2. The pressure-sensitive adhesive layer The pressure-sensitive adhesive for the radiation-curable semiconductor processing pressure-sensitive adhesive tape of the present invention contains a polymer in which a radiation-curable carbon-carbon double bond-containing group is bonded to a repeating unit of the main chain. Have sex. In the present invention, “a polymer in which a radiation-curable carbon-carbon double bond-containing group is bonded to a repeating unit of a main chain” means that a radiation-curable unsaturated carbon-carbon double bond-containing group is present in the molecule. A bonded (ie, pendant) polymer. Adhesives composed of a polymer having no radiation curable carbon-carbon double bond and a resin composition containing an oligomer having a radiation curable carbon-carbon double bond have sufficient adhesive strength before radiation curing. In order to ensure a good pick-up property, it is necessary to greatly reduce the adhesive strength by irradiation with radiation. The pressure-sensitive adhesive having such high radiation curability has a large curing shrinkage at the time of radiation curing, and the pressure-sensitive adhesive tends to bite into the concave portion of the adherend surface layer that is in contact with the pressure-sensitive adhesive layer such as a laser mark. When the pressure-sensitive adhesive bites into the concave portion of the adherend surface layer, delamination is likely to occur between the base resin film and the pressure-sensitive adhesive layer at the time of pickup, and adhesive residue is likely to occur in the concave portion. Furthermore, when the resin composition containing (a2) resin is used for the base resin film, the adhesiveness between the base resin film and the pressure-sensitive adhesive layer is lowered, and adhesive residue is likely to be generated due to the recesses.

主鎖の繰り返し単位に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基が結合した重合体としては、主鎖に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基を1つ以上有するアクリル系単量体を構成単位として含む重合体(以下「アクリル共重合体(B)」と称する)が挙げられる。アクリル共重合体(B)は、例えば、構成成分(b1)として、(メタ)アクリル酸エステル、ヒドロキシル基含有不飽和化合物、カルボキシル基含有不飽和化合物等からなる共重合体(B1)の炭素鎖を主鎖とし、この共重合体が有する官能基に対して付加反応することが可能な官能基と放射線硬化性不飽和炭素結合を有する化合物(b2)とを付加反応して得ることができる。   As a polymer in which a radiation-curable carbon-carbon double bond-containing group is bonded to a repeating unit of the main chain, an acrylic type having at least one radiation-curable carbon-carbon double bond-containing group to the main chain Examples thereof include a polymer containing a monomer as a constituent unit (hereinafter referred to as “acrylic copolymer (B)”). The acrylic copolymer (B) is, for example, a carbon chain of a copolymer (B1) composed of (meth) acrylic acid ester, hydroxyl group-containing unsaturated compound, carboxyl group-containing unsaturated compound, etc. as the component (b1). Can be obtained by addition reaction of a functional group capable of undergoing addition reaction with respect to the functional group of the copolymer and a compound (b2) having a radiation-curable unsaturated carbon bond.

上記共重合体(B1)を構成する(b1)成分の(メタ)アクリル酸エステルとしては、炭素数6〜12のヘキシルアクリレート、n−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、炭素数5以下のペンチルアクリレート、n−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなどを列挙することができる。(メタ)アクリル酸エステルの炭素数が大きいほど上記共重合体のガラス転移温度は低くなるので、特定の炭素数の(メタ)アクリル酸エステルを使用することで、所望のガラス転移温度を有する共重合体を作製することができる。また、所望のガラス転移温度や相溶性などの性質を付与するために、酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの不飽和炭素結合をもつ低分子化合物を共重合成分として配合して上記共重合体を得ることもできる。当該不飽和炭素結合をもつ低分子化合物の配合量は5質量%以下であることが好ましい。   As the (meth) acrylic ester of the component (b1) constituting the copolymer (B1), hexyl acrylate, n-octyl acrylate, isooctyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, dodecyl acrylate having 6 to 12 carbon atoms, Examples thereof include decyl acrylate, pentyl acrylate having 5 or less carbon atoms, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate, ethyl acrylate, methyl acrylate, and methacrylates similar to these. Since the glass transition temperature of the copolymer decreases as the carbon number of the (meth) acrylic acid ester increases, the copolymer having a desired glass transition temperature can be obtained by using a (meth) acrylic acid ester having a specific carbon number. A polymer can be made. In addition, in order to impart properties such as a desired glass transition temperature and compatibility, a low molecular compound having an unsaturated carbon bond such as vinyl acetate, styrene, acrylonitrile or the like is blended as a copolymerization component to obtain the copolymer. You can also. The blending amount of the low molecular weight compound having an unsaturated carbon bond is preferably 5% by mass or less.

上記共重合体(B1)が、構成成分(b1)として、2−エチルヘキシルアクリレートを含むことが好ましい。2−エチルヘキシルアクリレートが共重合体中の主成分(すなわち、50質量%を越える)であることがさらに好ましく、共重合体(B1)中の構成成分中の2−エチルヘキシルアクリレート量は65〜87質量%であることが特に好ましい。2−エチルヘキシルアクリレートは、ガラス転移温度が低いため、2−エチルヘキシルアクリレートが(メタ)アクリル酸エステルの主成分であれば、共重合体(B1)から調製されたアクリル共重合体(B)を柔軟なものとすることができ、基材樹脂フィルムと粘着剤層との密着性を十分に確保できる。しかし、2−エチルヘキシルアクリレート量が少なすぎると、基材樹脂フィルムと粘着剤層との密着性が弱まり、被着体のピックアップ時に帯電防止層と粘着剤層との間で層間剥離が生じ、レーザーマーク等の被着体表層の凹部に糊残りが発生する。一方、2−エチルヘキシルアクリレート量が多すぎると、放射線硬化性不飽和炭素結合を有する化合物(b2)が有する官能基と付加反応する共重合体(B1)が有する官能基量が少なくなるため、所望の量の放射線硬化性不飽和炭素結合を有する化合物(b2)を付加反応できなくなる。   It is preferable that the said copolymer (B1) contains 2-ethylhexyl acrylate as a structural component (b1). It is more preferable that 2-ethylhexyl acrylate is a main component (that is, more than 50% by mass) in the copolymer, and the amount of 2-ethylhexyl acrylate in the constituent component in the copolymer (B1) is 65 to 87% by mass. % Is particularly preferred. Since 2-ethylhexyl acrylate has a low glass transition temperature, if 2-ethylhexyl acrylate is the main component of (meth) acrylic acid ester, the acrylic copolymer (B) prepared from the copolymer (B1) is flexible. It is possible to secure sufficient adhesion between the base resin film and the pressure-sensitive adhesive layer. However, when the amount of 2-ethylhexyl acrylate is too small, the adhesion between the base resin film and the pressure-sensitive adhesive layer is weakened, and delamination occurs between the antistatic layer and the pressure-sensitive adhesive layer when the adherend is picked up. Adhesive residue is generated in the recesses of the adherend surface layer such as marks. On the other hand, if the amount of 2-ethylhexyl acrylate is too large, the amount of the functional group possessed by the copolymer (B1) that undergoes an addition reaction with the functional group possessed by the compound (b2) having a radiation curable unsaturated carbon bond is decreased. It becomes impossible to carry out addition reaction of the compound (b2) having a radiation-curable unsaturated carbon bond in an amount of.

構成成分(b1)の水酸基含有不飽和化合物の例としては、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート、4−ヒドロキシブチルアクリレート等が挙げられる。構成成分(b1)のカルボキシル基含有不飽和化合物の例としては、アクリル酸、メタクリル酸などが挙げられる。   Examples of the hydroxyl group-containing unsaturated compound as the component (b1) include 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, 4-hydroxybutyl acrylate and the like. Examples of the carboxyl group-containing unsaturated compound as the component (b1) include acrylic acid and methacrylic acid.

構成成分(b1)を有する共重合体(B1)が有する官能基に対して付加反応することが可能な官能基としては、共重合体(B1)が有する官能基がカルボキシル基又は環状酸無水基である場合には、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができる。共重合体(B1)が有する官能基が水酸基である場合には、環状酸無水基、イソシアネート基などを挙げることができる。共重合体(B1)が有する官能基がアミノ基である場合には、イソシアネート基などを挙げることができる。化合物(b2)の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、けい皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、2−ヒドロキシアルキルアクリレート類、2−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、N−メチロールアクリルアミド、N−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、N−アルキルアミノエチルアクリレート類、N−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基と放射線硬化性不飽和炭素結合とを有する単量体でウレタン化したものなどを列挙することができる。   As the functional group capable of undergoing an addition reaction with respect to the functional group of the copolymer (B1) having the component (b1), the functional group of the copolymer (B1) is a carboxyl group or a cyclic acid anhydride group. In this case, a hydroxyl group, an epoxy group, an isocyanate group and the like can be mentioned. When the functional group that the copolymer (B1) has is a hydroxyl group, a cyclic acid anhydride group, an isocyanate group, and the like can be given. When the functional group of the copolymer (B1) is an amino group, an isocyanate group can be exemplified. Specific examples of the compound (b2) include acrylic acid, methacrylic acid, cinnamic acid, itaconic acid, fumaric acid, phthalic acid, 2-hydroxyalkyl acrylates, 2-hydroxyalkyl methacrylates, glycol monoacrylates, glycol monoacrylate. Methacrylates, N-methylolacrylamide, N-methylolmethacrylamide, allyl alcohol, N-alkylaminoethyl acrylates, N-alkylaminoethyl methacrylates, acrylamides, methacrylamides, maleic anhydride, itaconic anhydride, fumaric anhydride Radiation curable with some hydroxyl groups or carboxyl groups of acid, phthalic anhydride, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, allyl glycidyl ether, polyisocyanate compounds It is possible to enumerate such as those urethanization a monomer having a saturated carbon bonds.

上記アクリル共重合体(B)の合成において、共重合を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系の有機溶剤が挙げられるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点60〜120℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α,α'−アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾベルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節し、その後官能基における付加反応を行うことにより、所望の分子量のアクリル共重合体(B)を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なお、この共重合は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。   In the synthesis of the acrylic copolymer (B), examples of the organic solvent in the case where the copolymerization is carried out by solution polymerization include ketone-based, ester-based, alcohol-based, and aromatic-based organic solvents. A good solvent for acrylic polymers such as ethyl, isopropyl alcohol, benzene methyl cellosolve, ethyl cellosolve, acetone, methyl ethyl ketone, and the like, and preferably a solvent having a boiling point of 60 to 120 ° C. The polymerization initiator is α, α′-azobis. A radical generator such as an azobis type such as isobutyl nitrile or an organic peroxide type such as benzobel peroxide is usually used. At this time, if necessary, a catalyst and a polymerization inhibitor can be used in combination, the polymerization temperature and the polymerization time are adjusted, and then an addition reaction at a functional group is performed, whereby an acrylic copolymer (B) having a desired molecular weight is obtained. Can be obtained. In terms of adjusting the molecular weight, it is preferable to use a mercaptan or carbon tetrachloride solvent. The copolymerization is not limited to solution polymerization, and other methods such as bulk polymerization and suspension polymerization may be used.

さらに上記アクリル共重合体(B)は、接着性や凝集力を制御する目的でアクリロニトリル、酢酸ビニルなどのモノマーが共重合されていてもよい。これらのモノマーを重合して得られるアクリル系共重合体(A)の重量平均分子量は、5×10〜2×10であることが好ましく、1×10〜1×10であることがより好ましい。 Furthermore, the acrylic copolymer (B) may be copolymerized with monomers such as acrylonitrile and vinyl acetate for the purpose of controlling adhesiveness and cohesion. The weight average molecular weight of the acrylic copolymer (A) obtained by polymerizing these monomers is preferably 5 × 10 4 to 2 × 10 6 , and preferably 1 × 10 5 to 1 × 10 6. Is more preferable.

上記アクリル共重合体(B)の水酸基価が5〜100の場合は、放射線照射後の粘着力を減少させることによりピックアップミスの危険性をさらに低減することができるので好ましい。また、上記アクリル共重合体(B)の酸価は0.5〜30となることが好ましい。ここで水酸基価はJIS K 0070に記載のピリジンー塩化アセチル法により測定された値をいい、酸価はJIS K 0070に記載の中和滴定法により測定された値をいう。上記アクリル系共重合体(B)の水酸基価を適切な範囲内とすることにより、放射線照射後の粘着剤層の流動性を適切な範囲内とすることができ、放射線照射後の粘着力を十分に低下させることができる。また、上記アクリル系共重合体(B)の酸価を適切な範囲内とすることにより、放射線照射後の粘着剤層の流動性を適切な範囲内とすることができ、テープ復元性を満足させることができる。   It is preferable that the acrylic copolymer (B) has a hydroxyl value of 5 to 100 because the risk of pick-up mistakes can be further reduced by reducing the adhesive strength after radiation irradiation. Moreover, it is preferable that the acid value of the said acrylic copolymer (B) will be 0.5-30. Here, the hydroxyl value is a value measured by the pyridine-acetyl chloride method described in JIS K 0070, and the acid value is a value measured by the neutralization titration method described in JIS K 0070. By setting the hydroxyl value of the acrylic copolymer (B) within an appropriate range, the fluidity of the pressure-sensitive adhesive layer after irradiation can be set within an appropriate range, and the adhesive strength after irradiation can be increased. It can be lowered sufficiently. In addition, by setting the acid value of the acrylic copolymer (B) within an appropriate range, the fluidity of the pressure-sensitive adhesive layer after irradiation can be set within an appropriate range, and the tape recoverability is satisfied. Can be made.

粘着剤にはさらに硬化剤を含ませることができ、これによりにより接着力と凝集力とを所望の値に設定することができる。このような硬化剤としては、多価イソシアナート化合物、多価エポキシ化合物、多価アジリジン化合物、キレート化合物等が挙げられる。多価イソシアナート化合物の具体例として、トルイレンジイソシアナート、ジフェニルメタンジイソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナート、イソホロンジイソシアナート及びこれらのアダクトタイプのもの等が挙げられる。多価エポキシ化合物の具体例としては、エチレングリコールジグリシジルエーテル、テレフタル酸ジグリシジルエステルアクリレート等が挙げられる。多価アジリジン化合物の具体例としては、トリス−2,4,6−(1−アジリジニル)−1,3,5−トリアジン、トリス〔1−(2−メチル)−アジリジニル〕ホスフィンオキシド、ヘキサ〔1−(2−メチル)−アジリジニル〕トリホスファトリアジン等が用いられる。また、キレート化合物の具体例としては、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス(エチルアセトアセテート)等が挙げられる。   The adhesive can further contain a curing agent, whereby the adhesive force and cohesive force can be set to desired values. Examples of such curing agents include polyvalent isocyanate compounds, polyvalent epoxy compounds, polyvalent aziridine compounds, chelate compounds and the like. Specific examples of the polyvalent isocyanate compound include toluylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate and those adduct types. Specific examples of the polyvalent epoxy compound include ethylene glycol diglycidyl ether, terephthalic acid diglycidyl ester acrylate, and the like. Specific examples of the polyvalent aziridine compound include tris-2,4,6- (1-aziridinyl) -1,3,5-triazine, tris [1- (2-methyl) -aziridinyl] phosphine oxide, hexa [1 -(2-Methyl) -aziridinyl] triphosphatriazine and the like are used. Specific examples of the chelate compound include ethyl acetoacetate aluminum diisopropylate, aluminum tris (ethyl acetoacetate) and the like.

粘着剤にはさらに放射線重合開始剤を含ませることができ、これにより少ない照射量の放射線で短時間に重合硬化させることが可能になる。このような放射線重合開始剤の具体例として、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンなどが挙げられる。放射線重合開始剤は、通常にはアクリル重合体(B)100質量部に対して0.1〜10質量部配合される。   The pressure-sensitive adhesive can further contain a radiation polymerization initiator, which makes it possible to polymerize and cure in a short time with a small amount of radiation. Specific examples of such radiation polymerization initiators include benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyldiphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, β-chlore. And anthraquinone. The radiation polymerization initiator is usually blended in an amount of 0.1 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic polymer (B).

放射線硬化前の粘着剤層のガラス転移温度は−65〜−45℃であることが好ましい。なお、ガラス転移温度はJIS K 7121に準拠したDSC法より求められ、ここで言うガラス転移温度は補外ガラス転移開始温度のことである。ガラス転移温度が高すぎると、粘着剤層の柔軟性が低いため、基材樹脂フィルムと粘着剤層との密着性が弱まり、被着体のピックアップ時に基材樹脂フィルムと粘着剤層との間で層間剥離が生じ、レーザーマーク等の被着体表層の凹部に糊残りが発生する。一方、低すぎると、放射線硬化性不飽和炭素結合を有する化合物(b2)が有する官能基と付加反応する共重合体(B1)が有する官能基量が少なくなるため、所望の量の放射線硬化性不飽和炭素結合を有する化合物(b2)を付加反応できなくなる。   The glass transition temperature of the pressure-sensitive adhesive layer before radiation curing is preferably −65 to −45 ° C. In addition, a glass transition temperature is calculated | required by DSC method based on JISK7121, and the glass transition temperature said here is an extrapolation glass transition start temperature. If the glass transition temperature is too high, the adhesive layer has low flexibility, so the adhesion between the base resin film and the adhesive layer is weakened, and the substrate resin film and the adhesive layer are not picked up when the adherend is picked up. In this case, delamination occurs, and adhesive residue is generated in the concave portion of the adherend surface layer such as a laser mark. On the other hand, if it is too low, the amount of the functional group possessed by the copolymer (B1) that undergoes an addition reaction with the functional group possessed by the compound (b2) having a radiation curable unsaturated carbon bond is reduced, so that a desired amount of radiation curable property is obtained. The addition reaction of the compound (b2) having an unsaturated carbon bond becomes impossible.

本発明の放射線硬化性半導体加工用粘着テープが有する粘着剤層は、上述したような構成をとることにより、放射線照射前には被着体に対して十分な接着力を有し、放射線照射後には粘着力が著しく減少する。したがって、本発明のテープは、放射線照射前には、被着体を十分な粘着力で密着させ、被着体を確実に固定することができ、放射線照射後には、被着体から容易に剥離することができる。本発明のテープにおける粘着剤層の厚さに特に制限はなく、適用しようとする被着体により適宜設定することができるが、好ましくは4〜100μm、特に好ましくは5〜40μmである。粘着剤層の厚さについては配合組成にもよるが、厚さが薄すぎると、半導体デバイスパッケージへの密着性不足や、ダイシング中のダイフライによる歩留まり低下、さらには飛散したダイがブレードに当たることによるブレード破損が起こる場合がある。粘着剤層の厚さが薄すぎると、ダイシング中ブレード回転により粘着剤層がかき上げられ、ピックアップ工程において半導体デバイスからの剥離不良が起こる場合がある。   The pressure-sensitive adhesive layer included in the radiation-curable semiconductor processing pressure-sensitive adhesive tape of the present invention has a structure as described above, so that it has a sufficient adhesive force to the adherend before radiation irradiation, and after radiation irradiation. The adhesive strength is significantly reduced. Therefore, the tape of the present invention can adhere the adherend with sufficient adhesive force before irradiation, and can securely fix the adherend, and can be easily peeled off from the adherend after irradiation. can do. There is no restriction | limiting in particular in the thickness of the adhesive layer in the tape of this invention, Although it can set suitably by the to-be-adhered body to apply, Preferably it is 4-100 micrometers, Most preferably, it is 5-40 micrometers. Although the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer depends on the composition, if the thickness is too thin, the adhesiveness to the semiconductor device package will be insufficient, the yield will decrease due to die fly during dicing, and the scattered die will hit the blade. Blade damage may occur. If the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is too thin, the pressure-sensitive adhesive layer is lifted up by rotating the blade during dicing, and peeling failure from the semiconductor device may occur in the pickup process.

本発明の放射線硬化性半導体加工用粘着テープにおける粘着剤層側及びテープ背面側の表面抵抗率は、1×1013Ω/□以下であることが好ましい。好ましくは5×1012Ω/□以下であり、更に好ましくは1×1012Ω/□以下である。表面抵抗率が低ければ、優れた帯電防止性を発現できるが、表面低効率が高すぎると、帯電した静電気により半導体が破壊されることがある。 The surface resistivity of the pressure-sensitive adhesive layer side and the tape back side in the radiation-curable semiconductor processing pressure-sensitive adhesive tape of the present invention is preferably 1 × 10 13 Ω / □ or less. Preferably it is 5 × 10 12 Ω / □ or less, more preferably 1 × 10 12 Ω / □ or less. If the surface resistivity is low, excellent antistatic properties can be exhibited, but if the surface low efficiency is too high, the semiconductor may be destroyed by charged static electricity.

以上、本発明にかかる粘着テープの好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されない。   As mentioned above, although preferred embodiment of the adhesive tape concerning this invention was described, this invention is not limited to the example which concerns.

以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、実施例および比較例で用いた粘着剤組成、基材構成樹脂は以下の通りである。基材樹脂フィルム樹脂組成物については表1に、粘着剤樹脂組成物については表2に示す。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated further in detail based on an Example, this invention is not limited to these Examples. In addition, the adhesive composition and base-material-constituting resin used in Examples and Comparative Examples are as follows. Table 1 shows the base resin film resin composition, and Table 2 shows the adhesive resin composition.

<基材樹脂フィルムを構成する樹脂組成物>
基材樹脂フィルムとしては、以下の基材樹脂フィルム樹脂混合物A1〜A7、B1〜B3、C1、D1、E1、F1、G1及びG2を用いて各樹脂混合物とし、これらから製造した樹脂組成物を用いた。なお、基材樹脂フィルムを構成する樹脂のメルトフローレートは、JIS K 7210によって求め、エチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂とエチレン−(メタ)アクリル酸共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂とエチレン−メタアクリル酸共重合体樹脂と高密度ポリエチレンと低密度ポリエチレンとエチレン−(メタ)アクリル酸共重合体のカルボキシル基を亜鉛イオンで架橋した樹脂とエチレン−(メタ)アクリル酸共重合体のカルボキシル基をナトリウムイオンで架橋した樹脂は、190℃、2.16kg荷重条件で測定し、ポリプロピレンは230℃、2.16kg荷重条件で測定した。またエチレン−酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル含量は、JIS K 6730によって求めた。
<Resin composition constituting base resin film>
As a base resin film, it is set as each resin mixture using the following base resin film resin mixture A1-A7, B1-B3, C1, D1, E1, F1, G1, and G2, and the resin composition manufactured from these is used. Using. The melt flow rate of the resin constituting the base resin film is determined according to JIS K 7210, and the carboxyl groups of the ethylene-vinyl acetate copolymer resin and the ethylene- (meth) acrylic acid copolymer are crosslinked with potassium ions. Resin, ethylene-methacrylic acid copolymer resin, high-density polyethylene, low-density polyethylene, and ethylene- (meth) acrylic acid copolymer carboxyl group cross-linked with zinc ion and ethylene- (meth) acrylic acid copolymer The resin in which the carboxyl group of the coalescence was cross-linked with sodium ions was measured under a load condition of 190 ° C. and 2.16 kg, and the polypropylene was measured under a load condition of 230 ° C. and 2.16 kg. The vinyl acetate content of the ethylene-vinyl acetate copolymer was determined according to JIS K 6730.

(基材樹脂フィルム樹脂混合物A1)
酢酸ビニル含有量が14質量%であるエチレン−酢酸ビニル共重合体(商品名:NUC−8451 日本ユニカー(株)製、メルトフローレート1.5g/10min)80質量%とエチレン−(メタ)アクリル酸共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂(商品名:エンティラMK400 三井・デュポンポリケミカル(株)製、メルトフローレート1.0g/10min)20質量%をドライブレンドし、基材樹脂フィルム樹脂混合物A1を得た。
(Base resin film resin mixture A1)
Ethylene-vinyl acetate copolymer (trade name: NUC-8451, manufactured by Nippon Unicar Co., Ltd., melt flow rate 1.5 g / 10 min) having a vinyl acetate content of 14% by mass and ethylene- (meth) acrylic A resin obtained by dry blending 20% by mass of a resin obtained by crosslinking a carboxyl group of an acid copolymer with potassium ions (trade name: ENTILA MK400, manufactured by Mitsui DuPont Polychemical Co., Ltd., melt flow rate 1.0 g / 10 min) Film resin mixture A1 was obtained.

(基材樹脂フィルム樹脂混合物A2)
基材樹脂フィルム樹脂混合物A1のエチレン−(メタ)アクリル酸共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂(商品名:エンティラMK400 三井・デュポンポリケミカル(株)製、メルトフローレート1.0g/10min)の配合量を12質量%にし、樹脂組成物A1におけるエチレン−酢酸ビニル共重合体の配合量を88質量%にした以外は、基材樹脂フィルム樹脂混合物A1と同様にして基材樹脂フィルム樹脂混合物A2を得た。
(Base resin film resin mixture A2)
Resin in which the carboxyl group of the ethylene- (meth) acrylic acid copolymer of the base resin film resin mixture A1 is crosslinked with potassium ions (trade name: ENTILA MK400, manufactured by Mitsui DuPont Polychemical Co., Ltd., melt flow rate 1.0 g / 10 min), and the base resin is the same as the base resin film resin mixture A1, except that the amount of the ethylene-vinyl acetate copolymer in the resin composition A1 is 88% by weight. Film resin mixture A2 was obtained.

(基材樹脂フィルム樹脂混合物A3)
基材樹脂フィルム樹脂混合物A1のエチレン−(メタ)アクリル酸共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂(商品名:エンティラMK400 三井・デュポンポリケミカル(株)製、メルトフローレート1.0g/10min)の配合量を25質量%とし、基材樹脂フィルム樹脂混合物A1におけるエチレン−酢酸ビニル共重合体の配合量を75質量%にした以外は、基材樹脂フィルム樹脂混合物A1と同様にして基材樹脂フィルム樹脂混合物A3を得た。
(Base resin film resin mixture A3)
Resin in which the carboxyl group of the ethylene- (meth) acrylic acid copolymer of the base resin film resin mixture A1 is crosslinked with potassium ions (trade name: ENTILA MK400, manufactured by Mitsui DuPont Polychemical Co., Ltd., melt flow rate 1.0 g / 10 min) in the same manner as the base resin film resin mixture A1, except that the blending amount is 25% by weight and the blending amount of the ethylene-vinyl acetate copolymer in the base resin film resin mixture A1 is 75% by weight. A base resin film resin mixture A3 was obtained.

(基材樹脂フィルム樹脂混合物A4)
基材樹脂フィルム樹脂混合物A1のエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂を酢酸ビニル含有量が7.5質量%であるエチレン−酢酸ビニル共重合体(商品名:NUC−8430 日本ユニカー(株)製、メルトフローレート2.3g/10min)とした以外は基材樹脂フィルム樹脂混合物A1と同様にして、基材樹脂フィルム樹脂混合物A4を得た。
(Base resin film resin mixture A4)
The ethylene-vinyl acetate copolymer resin of the base resin film resin mixture A1 is an ethylene-vinyl acetate copolymer having a vinyl acetate content of 7.5% by mass (trade name: NUC-8430, manufactured by Nippon Unicar Co., Ltd., A base resin film resin mixture A4 was obtained in the same manner as the base resin film resin mixture A1 except that the melt flow rate was 2.3 g / 10 min.

(基材樹脂フィルム樹脂混合物A5)
基材樹脂フィルム樹脂混合物A1のエチレン−酢酸ビニル共重合体を酢酸ビニル含有量が20質量%であるエチレン−酢酸ビニル共重合体(商品名:ウルトラセン631 東ソー(株)製、メルトフローレート1.5g/10min)にした以外は、基材樹脂フィルム樹脂混合物A1と同様にして、基材樹脂フィルム樹脂混合物A5を得た。
(Base resin film resin mixture A5)
The ethylene-vinyl acetate copolymer of the base resin film resin mixture A1 is an ethylene-vinyl acetate copolymer having a vinyl acetate content of 20% by mass (trade name: Ultrasen 631 manufactured by Tosoh Corporation, melt flow rate 1 The base resin film resin mixture A5 was obtained in the same manner as the base resin film resin mixture A1 except that the amount was changed to 0.5 g / 10 min.

(基材樹脂フィルム樹脂混合物A6)
基材樹脂フィルム樹脂混合物A1のエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂を酢酸ビニル含有量が1.5質量%であるエチレン−酢酸ビニル共重合体(商品名:ノバテックLV170 日本ポリエチレン(株)製、メルトフローレート3.0g/10min)にした以外は基材樹脂フィルム樹脂混合物A1と同様にして基材樹脂フィルム樹脂混合物A6を得た。
(Base resin film resin mixture A6)
The ethylene-vinyl acetate copolymer resin of the base resin film resin mixture A1 is an ethylene-vinyl acetate copolymer having a vinyl acetate content of 1.5% by mass (trade name: Novatec LV170, manufactured by Nippon Polyethylene Co., Ltd., melt A base resin film resin mixture A6 was obtained in the same manner as the base resin film resin mixture A1 except that the flow rate was 3.0 g / 10 min.

(基材樹脂フィルム樹脂混合物A7)
基材樹脂フィルム樹脂混合物A1のエチレン−酢酸ビニル共重合体を酢酸ビニル含有量が33質量%であるエチレン−酢酸ビニル共重合体(商品名:エバフレックスEV170 三井・デュポンポリケミカル(株)製、メルトフローレート1.0g/10min)にした以外は、基材樹脂フィルム樹脂混合物A1と同様にして基材樹脂フィルム樹脂混合物A7を得た。
(Base resin film resin mixture A7)
The ethylene-vinyl acetate copolymer of the base resin film resin mixture A1 is an ethylene-vinyl acetate copolymer having a vinyl acetate content of 33% by mass (trade name: EVAFLEX EV170, manufactured by Mitsui DuPont Polychemical Co., Ltd., A base resin film resin mixture A7 was obtained in the same manner as the base resin film resin mixture A1 except that the melt flow rate was 1.0 g / 10 min.

(基材樹脂フィルム樹脂B1)
酢酸ビニル含有量が14質量%であるエチレン−酢酸ビニル共重合体(商品名:NUC−8451 日本ユニカー(株)製、メルトフローレート1.5g/10min)を用いた。
(Base resin film resin B1)
An ethylene-vinyl acetate copolymer (trade name: NUC-8451, manufactured by Nippon Unicar Co., Ltd., melt flow rate 1.5 g / 10 min) having a vinyl acetate content of 14% by mass was used.

(基材樹脂フィルム樹脂混合物B2)
基材樹脂フィルム樹脂混合物A1のエチレン−(メタ)アクリル酸共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂(商品名:エンティラMK400 三井・デュポンポリケミカル(株)製、メルトフローレート1.0g/10min)の配合量を7質量%とし、基材樹脂フィルム樹脂混合物A1におけるエチレン−酢酸ビニル共重合体の配合量を93質量%にした以外は、基材樹脂フィルム樹脂混合物A1と同様にして、基材樹脂フィルム樹脂混合物B2を得た。
(Base resin film resin mixture B2)
Resin in which the carboxyl group of the ethylene- (meth) acrylic acid copolymer of the base resin film resin mixture A1 is crosslinked with potassium ions (trade name: ENTILA MK400, manufactured by Mitsui DuPont Polychemical Co., Ltd., melt flow rate 1.0 g / 10 min), and the blending amount of the ethylene-vinyl acetate copolymer in the base resin film resin mixture A1 is 93% by weight, in the same manner as in the base resin film resin mixture A1. The base resin film resin mixture B2 was obtained.

(基材樹脂フィルム樹脂組成物B3)
基材樹脂フィルム樹脂混合物A1のエチレン−(メタ)アクリル酸共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂(商品名:エンティラMK400 三井・デュポンポリケミカル(株)製、メルトフローレート1.0g/10min)の配合量を35質量%とし、樹脂混合物A1におけるエチレン−酢酸ビニル共重合体の配合量を65質量%にした以外は、基材樹脂フィルム樹脂混合物A1と同様にして、基材樹脂フィルム樹脂混合物B3を得た。
(Base resin film resin composition B3)
Resin in which the carboxyl group of the ethylene- (meth) acrylic acid copolymer of the base resin film resin mixture A1 is crosslinked with potassium ions (trade name: ENTILA MK400, manufactured by Mitsui DuPont Polychemical Co., Ltd., melt flow rate 1.0 g / 10 min), the base resin is the same as the base resin film resin mixture A1, except that the blending amount of the ethylene-vinyl acetate copolymer in the resin mixture A1 is 35% by weight and the blending amount is 65% by weight. Film resin mixture B3 was obtained.

(基材樹脂フィルム樹脂組成物C1)
基材樹脂フィルム樹脂混合物A1のエチレン−酢酸ビニル共重合体をエチレン−メタアクリル酸共重合体樹脂(商品名:ニュクレルN0903HC 三井・デュポンポリケミカル(株)製、メルトフローレート3.0g/10min)にした以外は、基材樹脂フィルム樹脂混合物A1と同様にして、基材樹脂フィルム樹脂混合物C1を調製した。
(Base resin film resin composition C1)
The ethylene-vinyl acetate copolymer of the base resin film resin mixture A1 is changed to an ethylene-methacrylic acid copolymer resin (trade name: Nucrel N0903HC, Mitsui / DuPont Polychemical Co., Ltd., melt flow rate 3.0 g / 10 min). A base resin film resin mixture C1 was prepared in the same manner as the base resin film resin mixture A1, except that the base resin film resin mixture A1 was used.

(基材樹脂フィルム用D1)
高密度ポリエチレン(商品名:ノバテックHD HF560 日本ポリエチレン(株)製、メルトフローレート7.0g/10min)を用いた。
(D1 for base resin film)
High-density polyethylene (trade name: Novatec HD HF560, manufactured by Nippon Polyethylene Co., Ltd., melt flow rate 7.0 g / 10 min) was used.

(基材樹脂フィルム用樹脂E1)
ポリプロピレン(商品名:ノバテックPP FX4E 日本ポリプロ(株)製、メルトフローレート5.3g/10min)を用いた。
(Resin E1 for base resin film)
Polypropylene (trade name: Novatec PP FX4E manufactured by Nippon Polypro Co., Ltd., melt flow rate 5.3 g / 10 min) was used.

(基材樹脂フィルム用樹脂F1)
低密度ポリエチレン(商品名:ノバテックLD LF640MA 日本ポリエチレン(株)製、メルトフローレート5.0g/10min)を用いた。
(Resin F1 for base resin film)
Low density polyethylene (trade name: Novatec LD LF640MA, manufactured by Nippon Polyethylene Co., Ltd., melt flow rate 5.0 g / 10 min) was used.

(基材樹脂フィルム用樹脂G1)
エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体のカルボキシル基を亜鉛イオンで架橋した樹脂(商品名:ハイミランAM7316 三井・デュポンポリケミカル(株)製、メルトフローレート1.1g/10min)を用いた。
(Resin G1 for base resin film)
A resin (trade name: High Milan AM7316, manufactured by Mitsui DuPont Polychemical Co., Ltd., melt flow rate 1.1 g / 10 min) was used in which the carboxyl group of the ethylene- (meth) acrylic acid copolymer was crosslinked with zinc ions.

(基材樹脂フィルム用樹脂G2)
エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体のカルボキシル基をナトリウムイオンで架橋した樹脂(商品名:ハイミラン1707 三井・デュポンポリケミカル(株)製、メルトフローレート0.9g/10min)を用いた。
(Resin G2 for base resin film)
A resin (trade name: High Milan 1707, manufactured by Mitsui DuPont Polychemical Co., Ltd., melt flow rate 0.9 g / 10 min) was used in which the carboxyl group of the ethylene- (meth) acrylic acid copolymer was crosslinked with sodium ions.

Figure 2012212732
Figure 2012212732

<粘着剤>
粘着剤層を構成する樹脂組成物として、以下のα1〜α3、β1、γ1及びδ1を用いた。
<Adhesive>
The following α1 to α3, β1, γ1, and δ1 were used as the resin composition constituting the pressure-sensitive adhesive layer.

(粘着剤樹脂組成物α1)
2−エチルヘキシルアクリレート(2−EHA)80質量%、2−ヒドロキシエチルアクリレート19質量%、メタクリル酸1質量%を原料として溶液ラジカル重合により共重合体を得た。次にこの共重合体に2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート(商品名:カレンズMOI 昭和電工(株)製)を滴下反応させることで、主鎖の繰り返し単位に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基が結合したアクリル重合体を作製した。当該2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートの滴下量と重合反応時間を調節することで、このアクリル重合体が有する放射線硬化性不飽和炭素結合の量(濃度)を0.6meq/gとした。また、得られたアクリル重合体をテトラヒドロフランに溶解して得た1%溶液をゲルパーミエーションクロマトグラフィー(商品名:150−C ALC/GPC Waters製)により測定した値をポリスチレン換算して算出した重量平均分子量は800,000であった。
上記で作製したアクリル重合体100質量部に対して、硬化剤であるポリイソシアネート化合物(商品名:コロネートL 日本ポリウレタン工業(株)製)を0.3質量部と放射線重合開始剤であるα−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを2質量部配合し、粘着剤樹脂組成物α1を調製した。
(Adhesive resin composition α1)
A copolymer was obtained by solution radical polymerization using 2-ethylhexyl acrylate (2-EHA) 80% by mass, 2-hydroxyethyl acrylate 19% by mass, and methacrylic acid 1% by mass as raw materials. Next, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (trade name: Karenz MOI, manufactured by Showa Denko KK) is dropped into this copolymer to cause a radiation-curable carbon-carbon double bond with respect to the repeating unit of the main chain. An acrylic polymer having a contained group bonded thereto was produced. By adjusting the dropping amount of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate and the polymerization reaction time, the amount (concentration) of radiation curable unsaturated carbon bonds of the acrylic polymer was 0.6 meq / g. Moreover, the weight which computed the value which measured the value obtained by melt | dissolving the obtained acrylic polymer in tetrahydrofuran by the gel permeation chromatography (Brand name: 150-C ALC / GPC Waters) was converted into polystyrene. The average molecular weight was 800,000.
0.3 parts by mass of polyisocyanate compound (trade name: Coronate L manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) as a curing agent and α-as a radiation polymerization initiator with respect to 100 parts by mass of the acrylic polymer prepared above. 2 parts by mass of hydroxycyclohexyl phenyl ketone was blended to prepare an adhesive resin composition α1.

(粘着剤樹脂組成物α2)
粘着剤樹脂組成物a1のアクリル重合体におけるモノマーの配合比を2−エチルヘキシルアクリレート(2−EHA)量を70質量%、2−ヒドロキシエチルアクリレート29質量%、アクリル酸1質量%にした以外は粘着剤樹脂組成物α1と同様にして、粘着剤樹脂組成物α2を調製した。
(Adhesive resin composition α2)
Adhesive except that the blending ratio of the monomers in the acrylic polymer of the adhesive resin composition a1 was changed to 70% by mass of 2-ethylhexyl acrylate (2-EHA), 29% by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, and 1% by mass of acrylic acid. The adhesive resin composition α2 was prepared in the same manner as the adhesive resin composition α1.

(粘着剤樹脂組成物α3)
粘着剤樹脂組成物a1のアクリル重合体におけるモノマーの配合比を2−エチルヘキシルアクリレート(2−EHA)量を85質量%、2−ヒドロキシエチルアクリレート14質量%、アクリル酸1質量%にした以外は粘着剤樹脂組成物α1と同様にして、粘着剤樹脂組成物α3を調製した。
(Adhesive resin composition α3)
Adhesive except that the blending ratio of the monomer in the acrylic polymer of the adhesive resin composition a1 was 85% by mass of 2-ethylhexyl acrylate (2-EHA), 14% by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, and 1% by mass of acrylic acid. The adhesive resin composition α3 was prepared in the same manner as the adhesive resin composition α1.

(粘着剤樹脂組成物β1)
粘着剤樹脂組成物a1のアクリル重合体におけるモノマーの配合比を2−エチルヘキシルアクリレート(2−EHA)量を60質量%、2−ヒドロキシエチルアクリレート39質量%、アクリル酸1質量%にした以外は粘着剤樹脂組成物α1と同様にして、粘着剤樹脂組成物β1を調製した。
(Adhesive resin composition β1)
Adhesive except that the blending ratio of the monomers in the acrylic polymer of the adhesive resin composition a1 was changed to 60% by mass of 2-ethylhexyl acrylate (2-EHA), 39% by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, and 1% by mass of acrylic acid. The adhesive resin composition β1 was prepared in the same manner as the adhesive resin composition α1.

(粘着剤樹脂組成物γ1)
粘着剤樹脂組成物a1のアクリル重合体における2−エチルヘキシルアクリレート(2−EHA)をn−ブチルアクリレート(n−BA)にした以外は粘着剤樹脂組成物α1と同様にして、粘着剤樹脂組成物γ1を調製した。
(Adhesive resin composition γ1)
The adhesive resin composition was the same as the adhesive resin composition α1 except that 2-ethylhexyl acrylate (2-EHA) in the acrylic polymer of the adhesive resin composition a1 was changed to n-butyl acrylate (n-BA). γ1 was prepared.

(粘着剤樹脂組成物δ1)
n−ブチルアクリレート55質量%、メチルメタクリレート17質量%、メタクリル酸2質量%、2−ヒドロキシエチルアクリレート26質量%からなり、ポリスチレン換算して算出した重量平均分子量が80,000であるアクリル共重合体100質量部に対して、6官能であり、ポリスチレン換算して算出した重量平均分子量が1,500である放射線硬化性オリゴマー(商品名:UN−3320HA 根上工業(株)製)100質量部、さらに、硬化剤であるポリイソシアネート化合物(商品名:コロネートL 日本ポリウレタン工業(株)製)2質量部と放射線重合開始剤であるα−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン3質量部を配合し、粘着剤樹脂組成物δ1を調製した。
(Adhesive resin composition δ1)
An acrylic copolymer comprising 55% by mass of n-butyl acrylate, 17% by mass of methyl methacrylate, 2% by mass of methacrylic acid, and 26% by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, and having a weight average molecular weight calculated by polystyrene conversion of 80,000. 100 parts by mass of radiation-curable oligomer (trade name: UN-3320HA manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd.), which is hexafunctional and has a weight average molecular weight of 1,500, which is hexafunctional and calculated in terms of polystyrene, And 2 parts by mass of a polyisocyanate compound (trade name: Coronate L manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) as a curing agent and 3 parts by mass of α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone as a radiation polymerization initiator, δ1 was prepared.

Figure 2012212732
Figure 2012212732

<実施例1〜15、比較例1〜10>
表3、4に示すように、基材樹脂フィルム混合物を押出機に投入し、溶融混練して得られた各樹脂組成物を用いて、図2に示す、粘着剤層に接する層1の厚さが55μm、基材樹脂フィルムの最外層X2の厚さが55μm、これらの基材樹脂フィルム層に挟まれた中間層X1の厚さが40μmで、厚さの合計が150μmの基材樹脂フィルムを製造した。
次にコンマコーターを用いてシリコン離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ25μm)に粘着剤樹脂組成物を線速2m/分で塗工し、110℃に設定した温風乾燥炉を通して厚さ20μmの粘着剤層を形成させた。その後、上記の方法で得られた各基材樹脂フィルムの粘着剤層に接する層に、上記の粘着剤を表3、4に示すように組み合わせ、放射線硬化性半導体加工用粘着テープを製造した。
<Examples 1 to 15 and Comparative Examples 1 to 10>
As shown in Tables 3 and 4, the thickness of the layer 1 in contact with the pressure-sensitive adhesive layer shown in FIG. 2 using each resin composition obtained by charging the base resin film mixture into an extruder and melt-kneading. 55 μm, the thickness of the outermost layer X2 of the base resin film is 55 μm, the thickness of the intermediate layer X1 sandwiched between these base resin films is 40 μm, and the total thickness is 150 μm Manufactured.
Next, the adhesive resin composition was applied at a linear speed of 2 m / min to a polyethylene terephthalate film (thickness 25 μm) that had been subjected to silicon release treatment using a comma coater, and passed through a hot air drying oven set at 110 ° C. to a thickness of 20 μm. The pressure-sensitive adhesive layer was formed. Then, said adhesive was combined with the layer which contact | connects the adhesive layer of each base resin film obtained by said method as shown in Table 3, 4, and the radiation-curable semiconductor processing adhesive tape was manufactured.

得られた各粘着テープについて、以下に示す試験により、粘着剤層のガラス転移温度、帯電防止性、紫外線硬化後のテープ弛み、レーザーマークへの糊残り、ヒゲ付着を評価した。 About each obtained adhesive tape, the glass transition temperature of an adhesive layer, antistatic property, tape slack after ultraviolet curing, the adhesive residue to a laser mark, and beard adhesion were evaluated by the test shown below.

(1)粘着剤層のガラス転移温度の測定
各粘着テープにおける粘着剤層のガラス転移温度をDSC法により測定した(JIS K 7121に準拠)。粘着剤層の状態は紫外線硬化前の状態であり、ここで言うガラス転移温度は補外ガラス転移開始温度のことである。なお、リファレンスとしてはAlを用い、10mg程度の試料片を−100℃まで急冷し、40ml/minの流量の窒素雰囲気下で10℃/minで昇温測定した。結果を表3、4に示す。
(1) Measurement of glass transition temperature of adhesive layer The glass transition temperature of the adhesive layer in each adhesive tape was measured by DSC method (based on JIS K7121). The state of the pressure-sensitive adhesive layer is the state before UV curing, and the glass transition temperature referred to here is the extrapolated glass transition start temperature. Note that Al 2 O 3 was used as a reference, and a sample piece of about 10 mg was rapidly cooled to −100 ° C., and the temperature was measured at 10 ° C./min in a nitrogen atmosphere at a flow rate of 40 ml / min. The results are shown in Tables 3 and 4.

(2)帯電防止性能の評価
得られた各粘着テープを23℃、50%RHの環境下で3日間保持した後、デジタル超高抵抗/微小電流計R8340/8340Aとレジスティビティ・チェンバR12702A(共に(株)アドバンテスト製)を用いて23℃、50%RHの環境下で500Vの電圧を印加し、印加後60秒後の電流値を読み取り、得られた各粘着テープにおける粘着剤面及びテープ背面の表面抵抗率を測定した。粘着剤面の測定は、高圧水銀灯を用いて500mJ/cmの紫外線を照射することで紫外線硬化を行った後に行った。粘着剤面及びテープ背面の表面抵抗率がいずれも1×1013Ω/□以下である場合を「○」、それ以上の場合を「×」として評価し、「○」の場合を合格とした。結果を表3、4に示す。
(2) Evaluation of antistatic performance After holding each obtained adhesive tape in an environment of 23 ° C. and 50% RH for 3 days, a digital ultrahigh resistance / microammeter R8340 / 8340A and a resiliency chamber R12702A (both Apply a voltage of 500 V in an environment of 23 ° C. and 50% RH using the product manufactured by Advantest Co., Ltd., read the current value 60 seconds after the application, and the pressure-sensitive adhesive surface and the back surface of each obtained pressure-sensitive adhesive tape The surface resistivity was measured. The pressure-sensitive adhesive surface was measured after ultraviolet curing by irradiating with 500 mJ / cm 2 ultraviolet rays using a high-pressure mercury lamp. The case where the surface resistivity of the pressure-sensitive adhesive surface and the back surface of the tape was 1 × 10 13 Ω / □ or less was evaluated as “◯”, and the case where the surface resistivity was higher than “×” was evaluated. . The results are shown in Tables 3 and 4.

(3)レーザーマークへの糊残りの評価
得られた各粘着テープを用いて、レーザーマークを有する樹脂封止パッケージのレーザーマークを有する表面と粘着テープとを貼合して下記に示す条件でダイシングを行った。その後、ブラックライトを用いて500mJ/cmの紫外線を照射することで紫外線硬化させ、ピックアップを行った。ピックアップ条件は、ダイスピッカーCAP−300II(キヤノンマシナリー(株)製)で2mmエキスパンドし、先端径Rが150μmであるピンで、突き上げスピード:50mm/sec、ピン突き上げ高さ:0.7mmとした。ピックアップを行った200チップを観察し、レーザーマーク部への粘着剤の付着の様子を観察した。1チップあたり、レーザーマーク部において10μm角以上の粘着剤が一つでも付着しているチップの割合を粘着剤付着率とした。粘着剤付着率が1%未満の場合を「○」、1%以上2%未満の場合を「△」、2%以上の場合を「×」とし、「○」と「△」を合格とした。結果を表3、4に示す。
ダイシング条件
ダイシング装置:(株)DISCO製 DFD−6340
ブレード:(株)DISCO製 B1A801 SD320N100M42
ブレード回転数:20000rpm
切削速度:50mm/s
切削水量:1L/min
ダイシングサイズ:2mm角
ブレードハイト:80μm
(3) Evaluation of adhesive residue on laser mark Using each of the obtained adhesive tape, the surface having the laser mark of the resin-encapsulated package having the laser mark and the adhesive tape are bonded together and diced under the conditions shown below. Went. Then, it picked up by ultraviolet-ray-curing by irradiating 500 mJ / cm < 2 > of ultraviolet-rays using a black light, and picked up. The pickup conditions were a pin picker CAP-300II (manufactured by Canon Machinery Co., Ltd.), expanded by 2 mm, a tip having a tip diameter R of 150 μm, push-up speed: 50 mm / sec, and pin push-up height: 0.7 mm. The 200 chips that were picked up were observed, and the state of adhesion of the adhesive to the laser mark portion was observed. The ratio of chips to which at least one 10 μm square or more adhesive was attached to the laser mark portion per chip was defined as the adhesive adhesion rate. When the adhesive adhesion rate is less than 1%, “◯”, when it is 1% or more and less than 2%, “△”, when it is 2% or more, “×”, and “○” and “△” are accepted. . The results are shown in Tables 3 and 4.
Dicing conditions Dicing machine: DFD-6340 manufactured by DISCO Corporation
Blade: B1A801 SD320N100M42 manufactured by DISCO Corporation
Blade rotation speed: 20000 rpm
Cutting speed: 50 mm / s
Cutting water volume: 1L / min
Dicing size: 2mm square Blade height: 80μm

(4)ヒゲ状切削屑付着の評価
(3)のレーザーマークへの糊残りの評価後、200チップを観察し、ヒゲ付着の有無を観察した。1チップ当たり100μm以上のヒゲ状切削屑が一つでも残存しているチップの割合をヒゲ状切削屑の残存率とした。ヒゲ状切削屑の残存率が20%未満の場合を「○」、20%以上30%未満の場合を「△」、30%以上の場合を「×」とし、「○」と「△」の場合を合格とした。結果を表3、4に示す。
(4) Evaluation of beard-like cutting waste adhesion After the evaluation of the adhesive residue on the laser mark in (3), 200 chips were observed to observe the presence or absence of beard adhesion. The ratio of chips in which at least one beard-shaped cutting scrap of 100 μm or more remains per chip was defined as the residual ratio of the beard-shaped cutting scrap. When the residual rate of bearded cutting waste is less than 20%, it is “◯”, when it is 20% or more and less than 30%, “△”, when it is 30% or more, “×”, and “○” and “△” The case was accepted. The results are shown in Tables 3 and 4.

(5)紫外線硬化後の粘着テープの弛みの評価
得られた各粘着テープを用いて、レーザーマークを有する樹脂封止パッケージのレーザーマークを有する表面と粘着テープとを貼合して(3)と同様の条件でダイシングを行った。高圧水銀灯を用いて500mJ/cmの紫外線を照射することで紫外線硬化を行い、テープの外観を観察した。紫外線照射後も伸びや弛みがない場合を「○」、新たな伸びや弛みが生じて部分的なシワが発生した場合を「×」として評価し、「○」を合格とした。結果を表3、4に示す。
(5) Evaluation of looseness of adhesive tape after UV curing Using each of the obtained adhesive tapes, the surface having the laser mark of the resin-encapsulated package having a laser mark and the adhesive tape are bonded together (3) Dicing was performed under the same conditions. Ultraviolet curing was performed by irradiating with 500 mJ / cm 2 of ultraviolet light using a high-pressure mercury lamp, and the appearance of the tape was observed. The case where there was no elongation or sag after UV irradiation was evaluated as “◯”, and the case where a partial wrinkle was generated due to a new elongation or sag was evaluated as “X”, and “◯” was accepted. The results are shown in Tables 3 and 4.

実施例の評価結果を表3に示す。本発明の粘着テープに包含される実施例1〜13の粘着テープは、帯電防止性に優れ、粘着剤層のガラス転移温度は低いため、レーザーマークへの糊残りは少なく、ヒゲ付着も少なく、紫外線硬化後のテープ弛みも少なかった。実施例11のテープは、基材樹脂フィルムの高密度ポリエチレンからなる層がテープ背面側の層3であるため、ヒゲ状切削屑付着が若干劣るものの、帯電防止性は良好であり、レーザーマークへの糊残りは少なく、紫外線硬化後のテープ弛みも少なかった。また、実施例12のテープにおける粘着剤層の樹脂組成物は2−エチルへキシルアクリレート量が少ないアクリル共重合体であり、実施例13のテープにおける粘着剤層のベースポリマーはn−ブチルアクリレートが主成分であるアクリル系共重合体であり、共に粘着剤層のガラス転移温度は高いため、レーザーマークへの糊残りで若干劣るものの帯電防止性は良好であった。また、実施例14のテープは、エチレン−酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル含有量が少ないため、レーザーマークへの糊残りで若干劣るものの問題ないレベルであった。また、実施例15のテープは、エチレン−酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル含有量が多く、ベタツキが大きいため、基材樹脂フィルムの製膜時に冷却ロールに基材樹脂フィルムが貼り付き、基材樹脂フィルムに筋が入ってしまい、テープの外観に若干劣り、ヒゲ付着で若干劣るものの、問題ないレベルであった。   The evaluation results of the examples are shown in Table 3. The pressure-sensitive adhesive tapes of Examples 1 to 13 included in the pressure-sensitive adhesive tape of the present invention are excellent in antistatic properties and have a low glass transition temperature of the pressure-sensitive adhesive layer. There was little tape slack after UV curing. In the tape of Example 11, since the layer made of the high-density polyethylene of the base resin film is the layer 3 on the back side of the tape, the adhesion of the shaving-like cutting chips is slightly inferior, but the antistatic property is good, and the laser mark There was little adhesive residue and tape slack after UV curing. Moreover, the resin composition of the adhesive layer in the tape of Example 12 is an acrylic copolymer with a small amount of 2-ethylhexyl acrylate, and the base polymer of the adhesive layer in the tape of Example 13 is n-butyl acrylate. Since it is an acrylic copolymer as a main component and both have a high glass transition temperature in the pressure-sensitive adhesive layer, the antistatic property is good although the adhesive residue on the laser mark is slightly inferior. Moreover, since the tape of Example 14 had a small vinyl acetate content in the ethylene-vinyl acetate copolymer, the adhesive residue on the laser mark was slightly inferior, but was at a satisfactory level. Further, since the tape of Example 15 has a large vinyl acetate content of the ethylene-vinyl acetate copolymer and a large stickiness, the base resin film is attached to the cooling roll when the base resin film is formed. The streaks entered the resin film, and the tape was slightly inferior in appearance and was slightly inferior in the beard adhesion, but it was at a satisfactory level.

Figure 2012212732
Figure 2012212732

比較例の評価結果を表4に示す。比較例1〜10の粘着テープは、帯電防止性、レーザーマークへの糊残り、ヒゲ付着、紫外線硬化後のテープ弛み、製造性において劣るものであった。比較例1、2のテープは、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂量が少ないため、帯電防止性は不十分であり、ヒゲ状切削屑付着において若干劣っていた。比較例3のテープは、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂量が多いため、基材樹脂フィルムと粘着剤層の間で層間剥離が発生した。比較例4のテープは、基材樹脂フィルムにおけるエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂の代わりにエチレン−メタアクリル酸共重合体樹脂を用いたため、伝導に対して効果的な相分離構造が形成されず、帯電防止性に劣っていた。比較例5のテープは、基材樹脂フィルムにおける中間層2が低密度ポリエチレンからなるため、ヒゲ付着と紫外線硬化後のテープ弛みにて劣っていた。比較例6のテープは、基材樹脂フィルムが単層構成であるため、紫外線硬化後のテープ弛みで劣っており、ヒゲ付着においても若干劣っていた。比較例7のテープは、基材樹脂フィルムにおける粘着剤層に接する層1が高密度ポリエチレンからなるため、粘着剤面側の帯電防止性に劣っていた。また、比較例8のテープは、粘着剤層が放射線硬化性不飽和炭素結合を有しないポリマーに放射線硬化性不飽和炭素結合を有するオリゴマーなどを配合した組成であり、硬化収縮が大きいため、レーザーマークへの糊残りで劣っていた。また、比較例9と10のテープは、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体のカルボキシル基を亜鉛イオン又はナトリウムイオンで架橋した樹脂を使用しているため、帯電防止性能で劣っていた。   Table 4 shows the evaluation results of the comparative examples. The adhesive tapes of Comparative Examples 1 to 10 were inferior in antistatic properties, adhesive residue on the laser mark, beard adhesion, tape slack after UV curing, and manufacturability. In the tapes of Comparative Examples 1 and 2, since the amount of the resin obtained by crosslinking the carboxyl group of the ethylene- (meth) acrylic acid copolymer with potassium ions is small, the antistatic property is insufficient, and there is a slight amount of adhesion on the shaved cutting waste. It was inferior. Since the tape of Comparative Example 3 had a large amount of resin obtained by crosslinking the carboxyl group of the ethylene- (meth) acrylic acid copolymer with potassium ions, delamination occurred between the base resin film and the pressure-sensitive adhesive layer. Since the tape of Comparative Example 4 used an ethylene-methacrylic acid copolymer resin instead of the ethylene-vinyl acetate copolymer resin in the base resin film, a phase separation structure effective for conduction was not formed. The antistatic property was inferior. The tape of Comparative Example 5 was inferior in beard adhesion and tape slack after UV curing because the intermediate layer 2 in the base resin film was made of low density polyethylene. The tape of Comparative Example 6 was inferior in tape slack after UV curing because the base resin film had a single-layer structure, and was slightly inferior in beard adhesion. The tape of Comparative Example 7 was inferior in antistatic property on the pressure-sensitive adhesive surface side because the layer 1 in contact with the pressure-sensitive adhesive layer in the base resin film was made of high-density polyethylene. Further, the tape of Comparative Example 8 is a composition in which the pressure-sensitive adhesive layer has a composition in which an oligomer having a radiation curable unsaturated carbon bond is blended with a polymer having no radiation curable unsaturated carbon bond, and has a large curing shrinkage. It was inferior in the adhesive residue to Mark. The tapes of Comparative Examples 9 and 10 were inferior in antistatic performance because they used a resin in which the carboxyl group of the ethylene- (meth) acrylic acid copolymer was crosslinked with zinc ions or sodium ions.

Figure 2012212732
Figure 2012212732

1 粘着剤層に接する層
2 粘着剤層に接する層以外の層
10 基材樹脂フィルム
20 粘着剤層
100、200 放射線硬化性半導体加工用粘着テープ
X1 基材樹脂フィルムの中間層
X2 基材樹脂フィルムの最外層


DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Layer which touches an adhesive layer 2 Layers other than the layer which touches an adhesive layer 10 Base resin film 20 Adhesive layer 100,200 Radiation-curable adhesive tape for semiconductor processing X1 Intermediate layer of base resin film X2 Base resin film Outermost layer


Claims (5)

基材樹脂フィルム上に主鎖の繰り返し単位に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基が結合した重合体(B)を含有する粘着剤層が形成された放射線硬化性半導体加工用粘着テープであって、該基材樹脂フィルムが少なくとも2層以上からなり、
該基材樹脂フィルムの粘着剤層に接する層が、エチレン−酢酸ビニル共重合体(a1)90〜70質量%と、構成成分として少なくともエチレン成分及び(メタ)アクリル酸成分を有する共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂(a2)10〜30質量%を含有する樹脂組成物であり、
前記粘着剤層に接する層以外の層が、高密度ポリエチレン又はポリプロピレンを含有する樹脂組成物であることを特徴とする放射線硬化性半導体加工用粘着テープ。
Radiation-curable adhesive for semiconductor processing in which a pressure-sensitive adhesive layer containing a polymer (B) in which a radiation-curable carbon-carbon double bond-containing group is bonded to a repeating unit of a main chain is formed on a base resin film A tape, wherein the base resin film comprises at least two layers,
The layer of the base resin film in contact with the pressure-sensitive adhesive layer is an ethylene-vinyl acetate copolymer (a1) 90 to 70% by mass and a copolymer having at least an ethylene component and a (meth) acrylic acid component as constituent components. It is a resin composition containing 10 to 30% by mass of a resin (a2) obtained by crosslinking a carboxyl group with potassium ions,
A layer other than the layer in contact with the pressure-sensitive adhesive layer is a resin composition containing high-density polyethylene or polypropylene.
前記基材樹脂フィルムが3層以上からなり、前記粘着剤層に接する層1と最外層X2とで挟まれた中間層X1が高密度ポリエチレン又はポリプロピレンを含有する樹脂組成物であることを特徴とする請求項1記載の放射線硬化性半導体加工用粘着テープ。   The base resin film is composed of three or more layers, and the intermediate layer X1 sandwiched between the layer 1 in contact with the pressure-sensitive adhesive layer and the outermost layer X2 is a resin composition containing high-density polyethylene or polypropylene. The radiation-curable adhesive tape for semiconductor processing according to claim 1. 前記エチレン−酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル成分含有量が5〜25質量%であることを特徴とする請求項1又は2記載の放射線硬化性半導体加工用粘着テープ。   The radiation-curable adhesive tape for semiconductor processing according to claim 1 or 2, wherein the ethylene-vinyl acetate copolymer has a vinyl acetate component content of 5 to 25 mass%. 前記主鎖の繰り返し単位に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基が結合した重合体(B)が、構成成分(b1)として65〜87質量%の2−エチルヘキシルアクリレート成分を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の放射線硬化性半導体加工用粘着テープ。   The polymer (B) in which a radiation-curable carbon-carbon double bond-containing group is bonded to the repeating unit of the main chain contains 65 to 87% by mass of a 2-ethylhexyl acrylate component as a component (b1). The pressure-sensitive adhesive tape for processing a radiation curable semiconductor according to any one of claims 1 to 3. 前記粘着剤層の放射線硬化前のガラス転移開始温度が−65〜−45℃であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載の放射線硬化性半導体加工用粘着テープ。   5. The radiation-curable adhesive tape for semiconductor processing according to claim 1, wherein the pressure-sensitive adhesive layer has a glass transition start temperature before radiation curing of −65 to −45 ° C. 6.
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