JP2012204178A5 - - Google Patents
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一方、1991年にグレッツェルらが提案した色素増感太陽電池は、高い光電変換効率を得ることができ、しかも従来のシリコン系太陽電池とは異なり製造の際に大掛かりな装置を必要とせず、低コストで製造することができることなどにより注目されている。
集電配線8は、好適には柱体であって、その底面の形状は、三角形状、矩形状、台形状、多角形状、円形状、楕円形状、これらの形状の一部などであり、これらの中の一種または複数種の形状を組み合わせた形状を有しており、上記底面の形状および面積は一定であっても、変化があってもよい。また、上記底面の法線方向に伸びて柱体を形成しても、上記横断面が任意の角度方向に延びて曲柱体を形成してもよいが、集電配線8は上記に挙げたものには限定されず、透明基板1または透明電極2の少なくとも一部を覆うような、平面形状、曲面形状などであってもよい。
集電配線8の設置形態は、多孔質電極3と接していれば基本的にどのような設置形態でもよく、典型的には透明基板1または透明電極2上の少なくとも一部に、集電配線8の少なくとも一面が接し、上記透明基板1または透明電極2に接する面以外の面が多孔質電極3と接している構成で設けられ、例えば、透明基板1または透明電極2上に設けられる集電配線8が、柱体である場合には、柱体の一側面または一側面の一部が透明基板1または透明電極2に接する形態で設けられる。集電配線8の設置形態は、典型的には透明基板1の辺に平行に帯状、直線状、曲線状などの中の一種または複数種を組み合わせた形態であって、多孔質電極3に設けられた溝と嵌合するように設けられるが、集電配線8の設置形態はこれらに限定されない。また、集電配線8を電極とすることにより、色素増感光電変換素子10に透明電極2を設けなくても、集電配線8を負極として、好適には集電配線8を連結、接続することによって、色素増感光電変換素子10の外部に電子を取り出すことができる。その場合、集電配線8は透明基板1の多孔質電極3が設けられている側の面に多孔質電極3に接して設けられるが、集電配線8の設置は、これに限定されず、多孔質電極3内に集電配線を設けてもよい。
集電配線8の設置形態は、多孔質電極3と接していれば基本的にどのような設置形態でもよく、典型的には透明基板1または透明電極2上の少なくとも一部に、集電配線8の少なくとも一面が接し、上記透明基板1または透明電極2に接する面以外の面が多孔質電極3と接している構成で設けられ、例えば、透明基板1または透明電極2上に設けられる集電配線8が、柱体である場合には、柱体の一側面または一側面の一部が透明基板1または透明電極2に接する形態で設けられる。集電配線8の設置形態は、典型的には透明基板1の辺に平行に帯状、直線状、曲線状などの中の一種または複数種を組み合わせた形態であって、多孔質電極3に設けられた溝と嵌合するように設けられるが、集電配線8の設置形態はこれらに限定されない。また、集電配線8を電極とすることにより、色素増感光電変換素子10に透明電極2を設けなくても、集電配線8を負極として、好適には集電配線8を連結、接続することによって、色素増感光電変換素子10の外部に電子を取り出すことができる。その場合、集電配線8は透明基板1の多孔質電極3が設けられている側の面に多孔質電極3に接して設けられるが、集電配線8の設置は、これに限定されず、多孔質電極3内に集電配線を設けてもよい。
また、透明基板1または光導波構造11の光が入射する側の面上には、少なくとも一層からなる多層膜またはナノサイズ構造体を形成することにより光反射防止層20を設けることもできる。光反射防止層20が多層膜の場合には、透明基板1と光導波構造11とに設けられる光反射防止層20はそれぞれについて最適設計することが好ましいが、光反射防止層20は、これに限定されるものではない。また、光反射防止層20がナノサイズ構造体、例えばモスアイ構造からなる場合には、透明基板1と光導波構造11とに設けられる光反射防止層20は、モスアイ構造は原理的に入射角依存が少ないため、それぞれについて最適設計することなく同一構成のナノサイズ構造体を適用することが可能となるが、光反射防止層20は、これに限定されるものではない。
多孔質電極3に結合させる光増感色素は増感作用を示すものであれば特に制限はないが、この多孔質電極3の表面に吸着する酸官能基を有するものが好ましい。光増感色素は、一般的には、カルボキシ基、リン酸基などを有するものが好ましく、この中でも特にカルボキシ基を有するものが好ましい。光増感色素の具体例を挙げると、例えば、ローダミンB、ローズベンガル、エオシン、エリスロシンなどのキサンテン系色素、メロシアニン、キノシアニン、クリプトシアニンなどのシアニン系色素、フェノサフラニン、カプリブルー、チオシン、メチレンブルーなどの塩基性染料、クロロフィル、亜鉛ポルフィリン、マグネシウムポルフィリンなどのポルフィリン系化合物が挙げられ、その他のものとしてはアゾ色素、フタロシアニン化合物、クマリン系化合物、ビピリジン錯化合物、アントラキノン系色素、多環キノン系色素などが挙げられる。これらの中でも、リガンド(配位子)がピリジン環またはイミダゾリウム環を含み、Ru、Os、Ir、Pt、Co、FeおよびCuからなる群より選ばれた少なくとも一種類の金属の錯体の色素は量子収率が高く好ましい。特に、シス−ビス(イソチオシアナート)−N,N−ビス(2,2’−ジピリジル−4,4’−ジカルボン酸)−ルテニウム(II)またはトリス(イソチオシアナート)−ルテニウム(II)−2,2' :6' ,2" −ターピリジン−4,4' ,4" −トリカルボン酸を基本骨格とする色素分子は吸収波長域が広く好ましい。ただし、光増感色素は、これらに限定されるものではない。
光増感色素としては、典型的には、これらのうちの一種類のものを用いるが、二種類以上の光増感色素を混合して用いてもよい。二種類以上の光増感色素を混合して用いる場合、光増感色素は、好適には、多孔質電極3に保持された、MLCT(Metal to Ligand Charge Transfer)を引き起こす性質を有する無機錯体色素と、この多孔質電極3に保持された、分子内CT(Charge Transfer)の性質を有する有機分子色素とを有する。この場合、無機錯体色素と有機分子色素とは、多孔質電極3に互いに異なる立体配座で吸着する。無機錯体色素は、好適には、多孔質電極3に結合する官能基としてカルボキシル基またはホスホノ基を有する。また、有機分子色素は、好適には、同一炭素に、多孔質電極3に結合する官能基としてカルボキシル基またはホスホノ基とシアノ基、アミノ基、チオール基またはチオン基とを有する。無機錯体色素は例えばポリピリジン錯体、有機分子色素は例えば、電子供与性の基と電子受容性の基とを併せ持ち、分子内CTの性質を有する芳香族多環共役系分子である。
光増感色素としては、典型的には、これらのうちの一種類のものを用いるが、二種類以上の光増感色素を混合して用いてもよい。二種類以上の光増感色素を混合して用いる場合、光増感色素は、好適には、多孔質電極3に保持された、MLCT(Metal to Ligand Charge Transfer)を引き起こす性質を有する無機錯体色素と、この多孔質電極3に保持された、分子内CT(Charge Transfer)の性質を有する有機分子色素とを有する。この場合、無機錯体色素と有機分子色素とは、多孔質電極3に互いに異なる立体配座で吸着する。無機錯体色素は、好適には、多孔質電極3に結合する官能基としてカルボキシル基またはホスホノ基を有する。また、有機分子色素は、好適には、同一炭素に、多孔質電極3に結合する官能基としてカルボキシル基またはホスホノ基とシアノ基、アミノ基、チオール基またはチオン基とを有する。無機錯体色素は例えばポリピリジン錯体、有機分子色素は例えば、電子供与性の基と電子受容性の基とを併せ持ち、分子内CTの性質を有する芳香族多環共役系分子である。
[色素増感光電変換素子]
図9は第1の実施の形態の変形例による色素増感光電変換素子10を示す要部断面図であり、図中の太線は入射光の光導波路を示す。
図9に示すように、この色素増感光電変換素子10において、光導波構造11を透明基板1上には設けず、透明基板1の光入射側の面の上方に設けたものである。光導波構造11は、好適には、光導波構造11の一主面と透明基板1の一主面とが平行に所定の距離を置いて対向した形態で設けられる。光導波構造11の一主面と透明基板1の一主面との間には開空間が形成され、上記開空間内は気体で満たされた気体層となっている。
気体層は典型的には空気層17であるが、これに限定されない。また、光導波構造11の上方に、第2の気体層を介して、さらに光導波構造を設けた多段構造で構成してもよい。多段構造で構成する場合に新たに設けられる光導波構造は、無色透明であって、光の透過力に優れ、入射光の導波光路を変更可能であるものであれば基本的にはどのようなものであってもよく、凸面形状であっても、凹面形状であってもよい。また、これらの光導波構造11の設置についても集電配線8による光導波路の遮断が回避可能であれば、設置に用いる光導波構造の個数、設置方法はどのようなものであってもよい。
図9は第1の実施の形態の変形例による色素増感光電変換素子10を示す要部断面図であり、図中の太線は入射光の光導波路を示す。
図9に示すように、この色素増感光電変換素子10において、光導波構造11を透明基板1上には設けず、透明基板1の光入射側の面の上方に設けたものである。光導波構造11は、好適には、光導波構造11の一主面と透明基板1の一主面とが平行に所定の距離を置いて対向した形態で設けられる。光導波構造11の一主面と透明基板1の一主面との間には開空間が形成され、上記開空間内は気体で満たされた気体層となっている。
気体層は典型的には空気層17であるが、これに限定されない。また、光導波構造11の上方に、第2の気体層を介して、さらに光導波構造を設けた多段構造で構成してもよい。多段構造で構成する場合に新たに設けられる光導波構造は、無色透明であって、光の透過力に優れ、入射光の導波光路を変更可能であるものであれば基本的にはどのようなものであってもよく、凸面形状であっても、凹面形状であってもよい。また、これらの光導波構造11の設置についても集電配線8による光導波路の遮断が回避可能であれば、設置に用いる光導波構造の個数、設置方法はどのようなものであってもよい。
<実施例2−1>
光導波構造12を、直方体プリズムに長手方向に垂直な断面形状が線対称なV字形状である溝が設けられている柱形状の凹型プリズムとし、上記プリズムの底面形状は線対称であって、上記溝角は90°であり、上記溝部を有する側面が光入射面であって、上記溝部に対向する側面と、透明基板1の光が入射する側の平面とが平行に接合する形態で透明基板1上に設け、この形状に基づいて光導波構造12の寸法および設置位置と透明基板1の厚さを決定した。その他のことは実施例1−1と同様にして色素増感光電変換素子10を製造した。
光導波構造12を、直方体プリズムに長手方向に垂直な断面形状が線対称なV字形状である溝が設けられている柱形状の凹型プリズムとし、上記プリズムの底面形状は線対称であって、上記溝角は90°であり、上記溝部を有する側面が光入射面であって、上記溝部に対向する側面と、透明基板1の光が入射する側の平面とが平行に接合する形態で透明基板1上に設け、この形状に基づいて光導波構造12の寸法および設置位置と透明基板1の厚さを決定した。その他のことは実施例1−1と同様にして色素増感光電変換素子10を製造した。
実施例2−1による色素増感光電変換素子10の光導波構造12の設計方法の一例を以下に示す。
図13に示すように、本実施例による色素増感光電変換素子10の光導波構造12の光入射側の面において、頂角を除く一端部に概ねコリメートされた平行光として近似できる光が透明基板1に垂直に入射する場合、透明電極2に形成される集電配線8の幅L1=0.4mmと設定すると、数式(16)から、光導波構造12の底面の中心軸上の入射面から入射した光が、集電配線8による光導波路の遮断を回避するためには、光導波構造12内の入射光路に沿った距離の幅方向成分Lpと透明基板1内の入射光路に沿った距離の幅方向成分Lgとの和が0.2mmよりも大きくなればよい。
具体的には、光導波構造12の中心線部から光が入射すると、空気から光導波構造12に光が入射する界面での入射角はθ1=90°−θt2=45°となり、空気の屈折率をna=1.00、光導波構造12の屈折率をnp=1.49とすると、数式(1)より空気から光導波構造12に光が入射する界面での出射角θ2=28.3°となる。次に、光導波構造12から透明基板1に光が入射する界面での入射角をφ1、出射角をφ2、透明基板1の屈折率をng=1.55とすると、数式(3)よりφ1=16.7°となり、数式(2)よりφ2=16.0°を得る。
ここで、光導波構造の幅をL3、厚さをL4、透明電極2を備えた透明基板の厚さをL5とすると、数式(6)および(7)から、数式(16)を満たすL 3 、L 5 は、例えば、L4=0.2mm、L5=0.71mmと設定できる。そうすると、Lp=0.2mm、Lg=0.01mmとなり、Lp+Lg=0.21mmでLp=0.2mmよりも大きくなり、数式(16)を満足する。
さらに、光導波構造12内での光の反射を検討すると、光導波構造12の端面に上記平行光が入射するときを考えると、数式(17)を満たす必要がある。ここで、光導波構造12に設けられる凹部の幅をLpw=L1=0.4mmであるので、数式(17)より、とりうるべき幅L3はL3=0.8mmとなり、図14に示すような光導波構造12の形態となる。
また、本実施例においては、光導波構造12の幅L4をあらかじめ設定し、それに対応させて光導波構造12のその他の寸法および透明基板1の厚さL5決定する方法を選んだが、光導波構造12の設計方法は、この方法に限定されるものではなく、例えば透明基板1の厚さL4を予め設定し、その後に数式(16)および(17)を満たすように光導波構造12のその他の形状、寸法などを決定することもできる。
図13に示すように、本実施例による色素増感光電変換素子10の光導波構造12の光入射側の面において、頂角を除く一端部に概ねコリメートされた平行光として近似できる光が透明基板1に垂直に入射する場合、透明電極2に形成される集電配線8の幅L1=0.4mmと設定すると、数式(16)から、光導波構造12の底面の中心軸上の入射面から入射した光が、集電配線8による光導波路の遮断を回避するためには、光導波構造12内の入射光路に沿った距離の幅方向成分Lpと透明基板1内の入射光路に沿った距離の幅方向成分Lgとの和が0.2mmよりも大きくなればよい。
具体的には、光導波構造12の中心線部から光が入射すると、空気から光導波構造12に光が入射する界面での入射角はθ1=90°−θt2=45°となり、空気の屈折率をna=1.00、光導波構造12の屈折率をnp=1.49とすると、数式(1)より空気から光導波構造12に光が入射する界面での出射角θ2=28.3°となる。次に、光導波構造12から透明基板1に光が入射する界面での入射角をφ1、出射角をφ2、透明基板1の屈折率をng=1.55とすると、数式(3)よりφ1=16.7°となり、数式(2)よりφ2=16.0°を得る。
ここで、光導波構造の幅をL3、厚さをL4、透明電極2を備えた透明基板の厚さをL5とすると、数式(6)および(7)から、数式(16)を満たすL 3 、L 5 は、例えば、L4=0.2mm、L5=0.71mmと設定できる。そうすると、Lp=0.2mm、Lg=0.01mmとなり、Lp+Lg=0.21mmでLp=0.2mmよりも大きくなり、数式(16)を満足する。
さらに、光導波構造12内での光の反射を検討すると、光導波構造12の端面に上記平行光が入射するときを考えると、数式(17)を満たす必要がある。ここで、光導波構造12に設けられる凹部の幅をLpw=L1=0.4mmであるので、数式(17)より、とりうるべき幅L3はL3=0.8mmとなり、図14に示すような光導波構造12の形態となる。
また、本実施例においては、光導波構造12の幅L4をあらかじめ設定し、それに対応させて光導波構造12のその他の寸法および透明基板1の厚さL5決定する方法を選んだが、光導波構造12の設計方法は、この方法に限定されるものではなく、例えば透明基板1の厚さL4を予め設定し、その後に数式(16)および(17)を満たすように光導波構造12のその他の形状、寸法などを決定することもできる。
[色素増感光電変換素子]
図15は第2の実施の形態の変形例による色素増感光電変換素子10を示す要部断面図であり、図中の太線は入射光の光導波路を示す。
図15に示すように、この色素増感光電変換素子10において、光導波構造12を透明基板1上には設けず、透明基板1の光入射側の面の上方に設けたものである。光導波構造12は、好適には、光導波構造12の一主面と透明基板1の一主面とが平行に所定の距離を置いて対向した形態で設けられる。光導波構造12の一主面と透明基板1の一主面との間には開空間が形成され、上記開空間内は気体で満たされた気体層となっている。
気体層は典型的には空気層17であるが、これに限定されない。また、光導波構造12の上方に、空気層を介して、さらに光導波構造を設けた多段構造で構成してもよい。多段構造で構成する場合に新たに設けられる光導波構造は、無色透明であって、光の透過力に優れ、入射光の導波光路を変更可能であるものであれば基本的にはどのようなものであってもよく、凸面形状であっても、凹面形状であってもよい。また、これらの光導波構造12の設置についても集電配線8による光導波路の遮断が回避可能であれば、設置に用いる光導波構造の個数、設置方法はどのようなものであってもよい。
図15は第2の実施の形態の変形例による色素増感光電変換素子10を示す要部断面図であり、図中の太線は入射光の光導波路を示す。
図15に示すように、この色素増感光電変換素子10において、光導波構造12を透明基板1上には設けず、透明基板1の光入射側の面の上方に設けたものである。光導波構造12は、好適には、光導波構造12の一主面と透明基板1の一主面とが平行に所定の距離を置いて対向した形態で設けられる。光導波構造12の一主面と透明基板1の一主面との間には開空間が形成され、上記開空間内は気体で満たされた気体層となっている。
気体層は典型的には空気層17であるが、これに限定されない。また、光導波構造12の上方に、空気層を介して、さらに光導波構造を設けた多段構造で構成してもよい。多段構造で構成する場合に新たに設けられる光導波構造は、無色透明であって、光の透過力に優れ、入射光の導波光路を変更可能であるものであれば基本的にはどのようなものであってもよく、凸面形状であっても、凹面形状であってもよい。また、これらの光導波構造12の設置についても集電配線8による光導波路の遮断が回避可能であれば、設置に用いる光導波構造の個数、設置方法はどのようなものであってもよい。
<実施例2−2>
光導波構造12を、直方体プリズムの一側面に左右対称なV字の溝が設けられている柱形状の凹型プリズムとし、上記プリズムの底面形状は線対称であって、上記溝角は90°であり、光導波構造12における上記凹部に対向する平面と、透明基板1の光が入射する側の平面とが平行に対向した形態で、光導波構造12と透明基板1は所定の距離を置いて設け、光導波構造12は、底面の対称軸が、集電配線8の底面の幅方向における中心軸と共通な直線上にあるように設けられおり、この形態に基づいて光導波構造12の寸法および設置位置と透明基板1の厚さを決定した。その他のことは実施例1−1と同様にして色素増感光電変換素子10を製造した。
光導波構造12を、直方体プリズムの一側面に左右対称なV字の溝が設けられている柱形状の凹型プリズムとし、上記プリズムの底面形状は線対称であって、上記溝角は90°であり、光導波構造12における上記凹部に対向する平面と、透明基板1の光が入射する側の平面とが平行に対向した形態で、光導波構造12と透明基板1は所定の距離を置いて設け、光導波構造12は、底面の対称軸が、集電配線8の底面の幅方向における中心軸と共通な直線上にあるように設けられおり、この形態に基づいて光導波構造12の寸法および設置位置と透明基板1の厚さを決定した。その他のことは実施例1−1と同様にして色素増感光電変換素子10を製造した。
本実施例による色素増感光電変換素子10の光導波構造12の設計方法は、上述した実施例1−7による色素増感光電変換素子10の光導波構造12と同様な設計方法により、数式(12)および(4)を満たすように、光導波構造12の形状および寸法、透明基板の厚さなどが決定される
図17は実施例2−3による色素増感光電変換素子の光導波構造12を示す断面図であり、図中の太線は入射光の光導波路を示す。
図17に示すように、本実施例の色素増感光電変換素子10に設けられる光導波構造12の形状は、四つの凸部と、一つの凹部とを有する線対称な形状を底面とし、上記底面から垂直に伸びる直柱体であって、上記底面は、上記四つの凸部のうち二つの凸部の角度は45°、上記二つの凸部に挟まれた光導波構造12の凹部は270°の角度を有しており、その他の凸部の角度は90°である多角形状を有している。光導波構造12は、光導波構造12の上記凹部に対向する面と、透明基板1の光が入射する側の面とが、平行に所定の距離を置いて対向した形態で設けられている。光導波構造12の上方には、さらに、光導波構造11aと同一形状を有する光導波構造12aを、光導波構造12aの上記頂角に対向する面と、光導波構造12の上記凹部とが、所定の距離を置いて対向した形態で設けられ、光導波構造12および12aは、底面の対称軸が集電配線8の底面の幅方向における中心軸とが同一の直線上にあるように設けられている。
光導波構造12aと、光導波構造12との間、光導波構造12と透明基板1との間の空間には、それぞれ空気層18および17が形成され、光導波構造12aに入射した光は、光導波構造12a内を通過し、第2の空気層18を経て光導波構造12に入射し、光導波構造12内を通過した光は空気層17および透明基板1を経て、多孔質電極3に入射する。
図17に示すように、本実施例の色素増感光電変換素子10に設けられる光導波構造12の形状は、四つの凸部と、一つの凹部とを有する線対称な形状を底面とし、上記底面から垂直に伸びる直柱体であって、上記底面は、上記四つの凸部のうち二つの凸部の角度は45°、上記二つの凸部に挟まれた光導波構造12の凹部は270°の角度を有しており、その他の凸部の角度は90°である多角形状を有している。光導波構造12は、光導波構造12の上記凹部に対向する面と、透明基板1の光が入射する側の面とが、平行に所定の距離を置いて対向した形態で設けられている。光導波構造12の上方には、さらに、光導波構造11aと同一形状を有する光導波構造12aを、光導波構造12aの上記頂角に対向する面と、光導波構造12の上記凹部とが、所定の距離を置いて対向した形態で設けられ、光導波構造12および12aは、底面の対称軸が集電配線8の底面の幅方向における中心軸とが同一の直線上にあるように設けられている。
光導波構造12aと、光導波構造12との間、光導波構造12と透明基板1との間の空間には、それぞれ空気層18および17が形成され、光導波構造12aに入射した光は、光導波構造12a内を通過し、第2の空気層18を経て光導波構造12に入射し、光導波構造12内を通過した光は空気層17および透明基板1を経て、多孔質電極3に入射する。
透明基板1上の一主面を加工して形成される光導波構造13は、上記入射面に入射した光の導波光路を変更ことができ、入射光の光路が集電配線8による光導波路の遮断を回避できるものであれば基本的にはどのようなものであってもよく、上記に挙げた光導波構造の形状を、透明基板の光入射側の面を加工して形成して構成するほかに、透明基板1に溝を形成して凹型構造を構成することもできる。入射光の光路を変えることができるものであれば基本的にはどのようなものであってもよく、具体的には、例えば、長手方向に垂直な断面形状がV字形状、U字形状、矩形状、多角形状、半円形状などが挙げられるが、これに限定されるものではない。
光導波構造13の寸法は、光導波構造13が透明基板1に設けられる溝である場合にあっては、溝部の幅が0.1mm〜5mm、深さが0.1mm〜5mmおよび奥行きが10mm〜500mmであるのが好ましく、また、溝部の幅が0.1〜0.8mm、深さが0.1mm〜0.5mmおよび奥行きが100mm〜500mmであることがより好ましく、また、溝部の幅が0.1mm〜0.4mm、深さが0.1mm〜0.4mmおよび奥行きが200mm〜400mmであることが最も好ましいが、光導波構造13の形状、寸法は、これらの形状、寸法には限定されない。
上記以外のことは第1の実施の形態による色素増感光電変換素子10のと同様である。
光導波構造13の寸法は、光導波構造13が透明基板1に設けられる溝である場合にあっては、溝部の幅が0.1mm〜5mm、深さが0.1mm〜5mmおよび奥行きが10mm〜500mmであるのが好ましく、また、溝部の幅が0.1〜0.8mm、深さが0.1mm〜0.5mmおよび奥行きが100mm〜500mmであることがより好ましく、また、溝部の幅が0.1mm〜0.4mm、深さが0.1mm〜0.4mmおよび奥行きが200mm〜400mmであることが最も好ましいが、光導波構造13の形状、寸法は、これらの形状、寸法には限定されない。
上記以外のことは第1の実施の形態による色素増感光電変換素子10のと同様である。
実施例3−1による色素増感光電変換素子10の光導波構造13の設計方法の一例を以下に示す。
本実施例による色素増感光電変換素子10の光導波構造13の光入射側の面において、頂角を除く一端部に概ねコリメートされた平行光として近似できる光が透明基板1に垂直に入射する場合、透明電極2に形成される集電配線8の幅L1をL1=0.4mmと設定すると、数式(16)から、光導波構造13である透明基板1の上記V字の溝の中心軸部から入射した光が集電配線8による光導波路の遮断を回避するためには、透明基板1内の入射光路に沿った距離の幅方向成分Lgが0.2mmよりも大きくなれば良く、この条件を満たす、光導波構造13の寸法が適宜決定される。
また、本実施例においては、光導波構造13である透明基板1に設けられた溝の幅L3をあらかじめ設定し、それに対応させて、光導波構造13のその他の寸法および透明基板1の厚さL5決定してもよいし、透明基板1の厚さを予め設定し、その後に数式(16)を満たすように光導波構造13の形状、寸法などを決定してもよいが、光導波構造13の設計方法はこれらに限定されない。
本実施例による色素増感光電変換素子10の光導波構造13の光入射側の面において、頂角を除く一端部に概ねコリメートされた平行光として近似できる光が透明基板1に垂直に入射する場合、透明電極2に形成される集電配線8の幅L1をL1=0.4mmと設定すると、数式(16)から、光導波構造13である透明基板1の上記V字の溝の中心軸部から入射した光が集電配線8による光導波路の遮断を回避するためには、透明基板1内の入射光路に沿った距離の幅方向成分Lgが0.2mmよりも大きくなれば良く、この条件を満たす、光導波構造13の寸法が適宜決定される。
また、本実施例においては、光導波構造13である透明基板1に設けられた溝の幅L3をあらかじめ設定し、それに対応させて、光導波構造13のその他の寸法および透明基板1の厚さL5決定してもよいし、透明基板1の厚さを予め設定し、その後に数式(16)を満たすように光導波構造13の形状、寸法などを決定してもよいが、光導波構造13の設計方法はこれらに限定されない。
[色素増感光電変換素子の動作]
次に、この色素増感光電変換素子の動作について説明する。
色素増感光電変換素子10の光入射側の面から入射した光は、光導波構造13が形成されている透明基板1を透過して多孔質電極3に達する。
上記以外のことは第1の実施の形態による色素増感光電変換素子10の動作と同様である。
以上のように、この第4の実施の形態の色素増感光電変換素子10によれば、上述した実施の形態と同様な利点に加えて、透明基板1自体を加工して光導波構造としたので、プリズムなどの光導波構造が不要となり、製造工程も簡素化できるので低コストを実現でき、また光導波構造13と透明基板1は同一材料なので、光導波構造13と透明基板1との界面での入射光が反射することによる損失がない。また、特に凹型の光導波構造13としたことにより、透明基板1上にプリズムなどの突起物を設けないので、薄型に形成することができる。
次に、この色素増感光電変換素子の動作について説明する。
色素増感光電変換素子10の光入射側の面から入射した光は、光導波構造13が形成されている透明基板1を透過して多孔質電極3に達する。
上記以外のことは第1の実施の形態による色素増感光電変換素子10の動作と同様である。
以上のように、この第4の実施の形態の色素増感光電変換素子10によれば、上述した実施の形態と同様な利点に加えて、透明基板1自体を加工して光導波構造としたので、プリズムなどの光導波構造が不要となり、製造工程も簡素化できるので低コストを実現でき、また光導波構造13と透明基板1は同一材料なので、光導波構造13と透明基板1との界面での入射光が反射することによる損失がない。また、特に凹型の光導波構造13としたことにより、透明基板1上にプリズムなどの突起物を設けないので、薄型に形成することができる。
<実施例6−1>
図22A、BおよびCは、実施例6−1による色素増感光電変換素子10の透明基板1を示す要部外観図および要部断面図である。図22Aは色素増感光電変換素子10の光入射側の面を上部から見た外観図、図22Bは色素増感光電変換素子10の透明基板1を図22Aに示すA−A’直線で切った要部垂直断面図、図22Cは色素増感光電変換素子10の透明基板1を図Aに示すB−B’直線で切った要部垂直断面図である。
図22A、BおよびCに示すように、この色素増感光電変換素子10においては、透明電極2に設けられる集電配線8の厚さおよび幅を、集電配線8の伸びる方向に可変とし、集電配線8に対応させて光導波構造15として透明基板1に設けた長手方向に垂直な断面形状がV字形状の溝の深さおよび幅を、V字の溝が伸びる方向に関して可変としたものである。集電配線8に対応して光導波構造15を設計する場合には、上述した実施の形態において示された、数式(4)を満たすように光導波構造15の形態を適宜決定する。
図22A、BおよびCは、実施例6−1による色素増感光電変換素子10の透明基板1を示す要部外観図および要部断面図である。図22Aは色素増感光電変換素子10の光入射側の面を上部から見た外観図、図22Bは色素増感光電変換素子10の透明基板1を図22Aに示すA−A’直線で切った要部垂直断面図、図22Cは色素増感光電変換素子10の透明基板1を図Aに示すB−B’直線で切った要部垂直断面図である。
図22A、BおよびCに示すように、この色素増感光電変換素子10においては、透明電極2に設けられる集電配線8の厚さおよび幅を、集電配線8の伸びる方向に可変とし、集電配線8に対応させて光導波構造15として透明基板1に設けた長手方向に垂直な断面形状がV字形状の溝の深さおよび幅を、V字の溝が伸びる方向に関して可変としたものである。集電配線8に対応して光導波構造15を設計する場合には、上述した実施の形態において示された、数式(4)を満たすように光導波構造15の形態を適宜決定する。
<7.第7の実施の形態>
[色素増感光電変換素子アレイ]
図24A、BおよびCは、第7の実施の形態による色素増感光電変換素子アレイ30を示す要部外観図および要部断面図である。図24Aは色素増感光電変換素子アレイ30の光入射側の面を上部から見た外観図、図24Bは色素増感光電変換素子アレイ30を図24Aに示すF−F’直線で切った要部垂直断面図である。また、図24Cは色素増感光電変換素子アレイ30を図24Aに示すG−G’直線で切った要部垂直断面図である。
図24A、BおよびCに示すように、本実施の形態における色素増感光電変換素子アレイ30は、色素増感光電変換素子10が複数配置され、集合配線31でそれぞれの色素増感光電変換素子10の集電配線8が互いに連結、接続することにより集合化(タイリング)し構成される素子アレイとすることで、色素増感光電変換素子の光入射側の面を大面積化し光電変換効率を向上させたものである。集電配線8を接続する集合配線31の接続形態は色素増感光電変換素子アレイ30として所望の電圧、電流に従い任意に決定することができ、具体的には、直列であっても、並列であっても、これらを組み合わせた形態であってもよい。また、集合配線31には配線を介して負荷22が接続されるが、負荷22の接続はこれに限定されるものではない。また、集合配線31でそれぞれの色素増感光電変換素子10の集電配線8を連結、接続することで、色素増感光電変換素子アレイ30の負極とすることもできる。
[色素増感光電変換素子アレイ]
図24A、BおよびCは、第7の実施の形態による色素増感光電変換素子アレイ30を示す要部外観図および要部断面図である。図24Aは色素増感光電変換素子アレイ30の光入射側の面を上部から見た外観図、図24Bは色素増感光電変換素子アレイ30を図24Aに示すF−F’直線で切った要部垂直断面図である。また、図24Cは色素増感光電変換素子アレイ30を図24Aに示すG−G’直線で切った要部垂直断面図である。
図24A、BおよびCに示すように、本実施の形態における色素増感光電変換素子アレイ30は、色素増感光電変換素子10が複数配置され、集合配線31でそれぞれの色素増感光電変換素子10の集電配線8が互いに連結、接続することにより集合化(タイリング)し構成される素子アレイとすることで、色素増感光電変換素子の光入射側の面を大面積化し光電変換効率を向上させたものである。集電配線8を接続する集合配線31の接続形態は色素増感光電変換素子アレイ30として所望の電圧、電流に従い任意に決定することができ、具体的には、直列であっても、並列であっても、これらを組み合わせた形態であってもよい。また、集合配線31には配線を介して負荷22が接続されるが、負荷22の接続はこれに限定されるものではない。また、集合配線31でそれぞれの色素増感光電変換素子10の集電配線8を連結、接続することで、色素増感光電変換素子アレイ30の負極とすることもできる。
また、色素増感光電変換素子10の透明電極2には多孔質電極3を帯状に分割する形態で集電配線8が設けられており、透明基板1には光導波構造15である溝が集電配線8による入射光の光導波を回避できる形態で設けられているが、集電配線8および光導波構造15の形態はこれらに限定されるものではなく、上述した実施の形態における集電配線および光導波構造を適宜用いることができる。
また、色素増感光電変換素子アレイ30は、例えば、同一構成の色素増感光電変換素子10を4つ並べることにより構成され、色素増感光電変換素子10は同一方向に所定の間隔を設けて2行2列で整列して配置され、それぞれの色素増感光電変換素子10の集電配線8に直交する方向の側面には、集電配線8を互い接続可能に集合配線31が設けられるが、色素増感光電変換素子10の構成、色素増感光電変換素子アレイ30の構成はこれらに限定されるものではなく、色素増感光電変換素子アレイ30を、少なくとも2つ以上の色素増感光電変換素子10で構成することができ、また、違う構成の色素増感光電変換素子10を組み合わせて構成することもできる。
また、色素増感光電変換素子アレイ30は、例えば、同一構成の色素増感光電変換素子10を4つ並べることにより構成され、色素増感光電変換素子10は同一方向に所定の間隔を設けて2行2列で整列して配置され、それぞれの色素増感光電変換素子10の集電配線8に直交する方向の側面には、集電配線8を互い接続可能に集合配線31が設けられるが、色素増感光電変換素子10の構成、色素増感光電変換素子アレイ30の構成はこれらに限定されるものではなく、色素増感光電変換素子アレイ30を、少なくとも2つ以上の色素増感光電変換素子10で構成することができ、また、違う構成の色素増感光電変換素子10を組み合わせて構成することもできる。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011068511A JP2012204178A (ja) | 2011-03-25 | 2011-03-25 | 光電変換素子および光電変換素子アレイおよびその製造方法ならびに電子機器 |
US13/417,460 US20120240975A1 (en) | 2011-03-25 | 2012-03-12 | Photoelectric conversion device, photoelectric conversion device array, fabrication method for photoelectric conversion device and electronic apparatus |
CN2012100757667A CN102693842A (zh) | 2011-03-25 | 2012-03-19 | 光电转换器件、光电转换器件阵列、光电转换器件的制造方法以及电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011068511A JP2012204178A (ja) | 2011-03-25 | 2011-03-25 | 光電変換素子および光電変換素子アレイおよびその製造方法ならびに電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012204178A JP2012204178A (ja) | 2012-10-22 |
JP2012204178A5 true JP2012204178A5 (ja) | 2014-03-20 |
Family
ID=46859216
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011068511A Pending JP2012204178A (ja) | 2011-03-25 | 2011-03-25 | 光電変換素子および光電変換素子アレイおよびその製造方法ならびに電子機器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120240975A1 (ja) |
JP (1) | JP2012204178A (ja) |
CN (1) | CN102693842A (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8467124B2 (en) * | 2010-02-19 | 2013-06-18 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Solar reflecting mirror and method of making same |
JP5877501B2 (ja) * | 2013-05-01 | 2016-03-08 | Smk株式会社 | 色素増感太陽電池用の電極基板の製造方法 |
TWI495913B (zh) * | 2013-06-07 | 2015-08-11 | Univ Nat Sun Yat Sen | 可一次對位之光捕獲裝置及使用其之染料敏化太陽能電池結構 |
US8957490B2 (en) * | 2013-06-28 | 2015-02-17 | Infineon Technologies Dresden Gmbh | Silicon light trap devices |
JP6303803B2 (ja) * | 2013-07-03 | 2018-04-04 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP5700591B2 (ja) | 2013-07-31 | 2015-04-15 | 株式会社フジクラ | 色素増感太陽電池素子 |
JP6244835B2 (ja) * | 2013-11-12 | 2017-12-13 | 大日本印刷株式会社 | 太陽電池付き化粧材 |
US20150372173A1 (en) * | 2014-06-24 | 2015-12-24 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Graded transparent conducting oxide (g-tco) for thin film solar cells |
CN104362100B (zh) * | 2014-10-15 | 2017-11-14 | 申宇慈 | 制造功能性基板的方法和功能性基板 |
EP3331029B1 (en) | 2016-12-02 | 2021-09-01 | LG Electronics Inc. | Tandem solar cell and method of manufacturing the same |
CN111933726B (zh) * | 2020-07-31 | 2023-06-09 | 浙江晶科能源有限公司 | 电极、电极制备方法及太阳能电池 |
CN112017867B (zh) * | 2020-08-26 | 2021-11-09 | 北京科技大学 | 一种具有光谱分辨能力的电信号输出元件及方法 |
CN113299774B (zh) * | 2021-05-14 | 2022-08-05 | 北京工业大学 | 一种大视场的成像器件 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63248182A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池 |
US5110370A (en) * | 1990-09-20 | 1992-05-05 | United Solar Systems Corporation | Photovoltaic device with decreased gridline shading and method for its manufacture |
JPH1091078A (ja) * | 1996-09-13 | 1998-04-10 | Sony Corp | 表示パネル用照明装置 |
JP4221643B2 (ja) * | 2002-05-27 | 2009-02-12 | ソニー株式会社 | 光電変換装置 |
GB0227718D0 (en) * | 2002-11-28 | 2003-01-08 | Eastman Kodak Co | A photovoltaic device and a manufacturing method hereof |
JP2005150346A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Canon Inc | 太陽電池 |
CN2757337Y (zh) * | 2004-07-08 | 2006-02-08 | 伍太光 | 组合聚光式太阳电池发电堆 |
JP4892197B2 (ja) * | 2005-04-01 | 2012-03-07 | 関西パイプ工業株式会社 | 色素増感型太陽電池用電極基板、色素増感型太陽電池用光電極および対向電極、ならびに色素増感型太陽電池 |
JP5029103B2 (ja) * | 2007-04-05 | 2012-09-19 | トヨタ自動車株式会社 | 太陽光発電装置 |
WO2009098857A1 (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-13 | Fujikura Ltd. | 色素増感太陽電池 |
US8580157B2 (en) * | 2009-02-20 | 2013-11-12 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Sulfide and photoelectric element |
JP5326731B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2013-10-30 | 大日本印刷株式会社 | 有機薄膜太陽電池 |
JP5445743B2 (ja) * | 2009-04-14 | 2014-03-19 | 日産化学工業株式会社 | 光インプリント用被膜形成用組成物 |
JP2011014815A (ja) * | 2009-07-06 | 2011-01-20 | Panasonic Corp | 光電変換デバイス、光電変換デバイスの製造方法および光電変換デバイスを塔載した電子機器 |
JP2014067536A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 光学部材及びその製造方法、面光源装置、並びに、透過型画像表示装置 |
-
2011
- 2011-03-25 JP JP2011068511A patent/JP2012204178A/ja active Pending
-
2012
- 2012-03-12 US US13/417,460 patent/US20120240975A1/en not_active Abandoned
- 2012-03-19 CN CN2012100757667A patent/CN102693842A/zh active Pending
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