JP2012188622A - Resin paste composition for bonding semiconductor device, and semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子とリードフレーム、ガラスエポキシ配線板等の支持部材とを接着するのに好適な半導体素子接着用樹脂ペースト組成物、及びこれを用いた半導体装置に関する。 The present invention relates to a resin paste composition for bonding a semiconductor element suitable for bonding a semiconductor element such as an IC or LSI and a support member such as a lead frame or a glass epoxy wiring board, and a semiconductor device using the same.
従来、半導体のダイボンディング材としては、Ａｕ−Ｓｉ共晶、半田、樹脂ペースト組成物等が知られているが、作業性及びコストの点から樹脂ペースト組成物が広く使用されている。 Conventionally, Au-Si eutectic, solder, resin paste compositions, and the like are known as semiconductor die bonding materials, but resin paste compositions are widely used in terms of workability and cost.
一般に、半導体装置は半導体チップなどの素子をダイボンディング材によりリードフレームに接着して製造している。半導体装置の実装方式は高密度実装の点から、従来のピン挿入方式から表面実装方式へと移行しているが、基板への実装には基板全体を赤外線等で加熱するリフローソルダリングが用いられ、パッケージが２００℃以上の高温に加熱されるため、吸湿した水分の急激な膨張によりペースト層の剥離が発生することがある。そのため、ダイボンディングペーストにはＳｉチップとリードフレーム間の接着強度が高いことが要求される。 Generally, a semiconductor device is manufactured by bonding an element such as a semiconductor chip to a lead frame with a die bonding material. The mounting method of semiconductor devices has shifted from the conventional pin insertion method to the surface mounting method in terms of high-density mounting, but reflow soldering that heats the entire substrate with infrared rays is used for mounting on the substrate. Since the package is heated to a high temperature of 200 ° C. or higher, the paste layer may be peeled off due to the rapid expansion of moisture absorbed. Therefore, the die bonding paste is required to have high adhesive strength between the Si chip and the lead frame.
また半導体チップなどの素子をリードフレームに接着させるなどのために使用される樹脂ペースト組成物には導電性フィラーとして、例えば金粉、銀粉、銅粉などの金属粉を使用することが考えられるが、金粉ほどの希少価値ではなく、銅粉のように酸化されやすく保存安定性に劣るものでもなく、さらに塗布作業性や機械特性に優れ、樹脂ペースト組成物に要求される諸特性も優れるなどの理由から、現在は銀粉を用いた樹脂ペースト組成物が主に用いられている（特許文献１等参照）。
In addition, it is conceivable to use metal powder such as gold powder, silver powder, copper powder, etc. as a conductive filler in a resin paste composition used for bonding an element such as a semiconductor chip to a lead frame. Reasons that it is not as rare as gold powder, is not easily oxidized like copper powder, and is not inferior in storage stability, and also has excellent coating workability and mechanical properties, and excellent properties required for resin paste compositions. Therefore, at present, a resin paste composition using silver powder is mainly used (see
しかしながら、銀粉自体も貴金属であって希少価値が高い材料であることから、ダイボンディング材料としてはより入手の容易な他のフィラー材料を使用したダイボンディング材の開発が望まれるが、現在のところ、銀粉にかわる材料を使って銀粉と同等以上の特性を有する樹脂ペースト組成物が得られていないのが現状である。 However, since silver powder itself is a precious metal and a rare material, it is desirable to develop a die bonding material using another filler material that is more readily available as a die bonding material. The present condition is that the resin paste composition which has the characteristic more than silver powder using the material which replaces silver powder is not obtained.
例えば、本発明者らの知見によれば、特許文献１に記載の樹脂ペースト組成物における銀粉の一部をアルミニウム粉に置き換えた場合には、十分な電気伝導性（十分に低い体積抵抗率）が得られない。
For example, according to the knowledge of the present inventors, when a part of silver powder in the resin paste composition described in
本発明は、導電性フィラーとしてアルミニウム粉を用いながらも、優れた電気伝導性及びダイシェア強度を有する半導体素子接着用樹脂ペースト組成物を提供することを目的とする。また本発明は、当該半導体素子接着用樹脂ペースト組成物を用いて製造された半導体装置を提供することを目的とする。 An object of this invention is to provide the resin paste composition for semiconductor element adhesion which has the outstanding electrical conductivity and die shear strength, using aluminum powder as an electroconductive filler. Moreover, an object of this invention is to provide the semiconductor device manufactured using the said resin paste composition for semiconductor element adhesion | attachment.
本発明は、１分子中に１個の（メタ）アクリロイルオキシ基を有する化合物と、１分子中に３個の（メタ）アクリロイルオキシ基を有する化合物と、重合開始剤と、可とう化剤と、アルミニウム粉と、を含有する、半導体素子接着用樹脂ペースト組成物を提供する。 The present invention relates to a compound having one (meth) acryloyloxy group in one molecule, a compound having three (meth) acryloyloxy groups in one molecule, a polymerization initiator, a flexible agent, A resin paste composition for adhering semiconductor elements, comprising aluminum powder.
本発明の半導体素子接着用樹脂ペースト組成物は、その組成を上記特定のものとすることにより、導電性フィラーとしてアルミニウム粉を用いながらも、優れた電気伝導性及びダイシェア強度を有する。 The resin paste composition for adhering semiconductor elements of the present invention has excellent electrical conductivity and die shear strength while using aluminum powder as the conductive filler by setting the composition to the above specific one.
本発明の半導体素子接着用樹脂ペースト組成物は、アミン化合物をさらに含有していてもよい。このような半導体素子接着用樹脂ペースト組成物は、電気伝導性及びダイシェア強度が一層向上する。 The resin paste composition for bonding a semiconductor element of the present invention may further contain an amine compound. Such a resin paste composition for adhering semiconductor elements further improves electrical conductivity and die shear strength.
また、本発明の半導体素子接着用樹脂ペースト組成物において、上記アルミニウム粉の形状は粒状であることが好ましく、上記アルミニウム粉の平均粒径は２〜１０μｍであることが好ましい。 In the resin paste composition for adhering semiconductor elements of the present invention, the shape of the aluminum powder is preferably granular, and the average particle size of the aluminum powder is preferably 2 to 10 μm.
また、本発明の半導体素子接着用樹脂ペースト組成物は、銀粉をさらに含有していてもよい。本発明の半導体素子接着用樹脂ペースト組成物は、導電性フィラーとしてアルミニウム粉を含有しているため、希少価値が高い銀粉を多量に用いなくとも電気伝導性などの諸特性を十分に得ることができる。 Moreover, the resin paste composition for adhering semiconductor elements of the present invention may further contain silver powder. Since the resin paste composition for adhering semiconductor elements of the present invention contains aluminum powder as a conductive filler, various properties such as electrical conductivity can be sufficiently obtained without using a large amount of silver powder having a high rare value. it can.
また、本発明の半導体素子接着用樹脂ペースト組成物において、上記銀粉の形状はフレーク状であることが好ましく、上記銀粉の平均粒径は１〜５μｍであることが好ましい。 Moreover, in the resin paste composition for adhering a semiconductor element of the present invention, the shape of the silver powder is preferably flaky, and the average particle size of the silver powder is preferably 1 to 5 μm.
また、本発明の半導体素子接着用樹脂ペースト組成物において、上記銀粉の含有量Ｃ２に対する上記アルミウム粉の含有量Ｃ１の比Ｃ１／Ｃ２は、質量比で２／８〜８／２とすることができる。 In the resin paste composition for adhering semiconductor elements of the present invention, the ratio C 1 / C 2 of the content C 1 of the aluminum powder to the content C 2 of the silver powder is 2/8 to 8/2 in terms of mass ratio. It can be.
また、本発明の半導体素子接着用樹脂ペースト組成物は、実質的に芳香族系エポキシ樹脂を含有しないことが好ましい。このような半導体素子接着用樹脂ペースト組成物は、電気伝導性に一層優れる。 Moreover, it is preferable that the resin paste composition for semiconductor element adhesion of this invention does not contain an aromatic epoxy resin substantially. Such a resin paste composition for bonding semiconductor elements is further excellent in electrical conductivity.
本発明はまた、支持部材と、半導体素子と、上記支持部材及び上記半導体素子の間に配置され、上記支持部材及び上記半導体素子を接着する接着層と、を備え、上記接着層が、上記本発明の半導体素子接着用樹脂ペースト組成物の硬化物を含む、半導体装置を提供する。 The present invention also includes a support member, a semiconductor element, and an adhesive layer that is disposed between the support member and the semiconductor element and adheres the support member and the semiconductor element. A semiconductor device comprising a cured product of the resin paste composition for adhering a semiconductor element of the invention is provided.
本発明の半導体装置は、支持部材と半導体素子とが上記本発明の半導体素子接着用樹脂ペースト組成物により接着されているため、安価なアルミニウム粉を用いながらも十分な信頼性を有する。 The semiconductor device of the present invention has sufficient reliability while using inexpensive aluminum powder because the support member and the semiconductor element are bonded by the above-described resin paste composition for bonding a semiconductor element of the present invention.
本発明によれば、導電性フィラーとしてアルミニウム粉を用いながらも、優れた電気伝導性及びダイシェア強度を有する半導体素子接着用樹脂ペースト組成物が提供される。また本発明によれば、当該半導体素子接着用樹脂ペースト組成物を用いて製造された半導体装置が提供される。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the resin paste composition for semiconductor element adhesion which has the outstanding electrical conductivity and die shear strength is provided, using aluminum powder as a conductive filler. Moreover, according to this invention, the semiconductor device manufactured using the said resin paste composition for semiconductor element adhesion | attachment is provided.
本発明の半導体素子接着用樹脂ペースト組成物の好適な実施形態について以下に説明する。なお、本明細書中、「（メタ）アクリル」とは、アクリル又はメタクリルを意味する。すなわち、「（メタ）アクリロイルオキシ基を有する」とは、アクリロイルオキシ基又はメタアクリロイルオキシ基を有することを意味する。 Preferred embodiments of the resin paste composition for adhering semiconductor elements of the present invention will be described below. In the present specification, “(meth) acryl” means acryl or methacryl. That is, “having a (meth) acryloyloxy group” means having an acryloyloxy group or a methacryloyloxy group.
本実施形態に係る半導体素子接着用樹脂ペースト組成物（以下、単に「樹脂ペースト組成物」と称する。）は、１分子中に１個の（メタ）アクリロイルオキシ基を有する化合物（以下、場合により「（Ａ−１）成分」と称する。）と、１分子中に３個の（メタ）アクリロイルオキシ基を有する化合物（以下、場合により「（Ａ−３）成分」と称する。）と、重合開始剤（以下、場合により「（Ｂ）成分」と称する。）と、可とう化剤（以下、場合により「（Ｃ）成分」と称する。）と、アルミニウム粉（以下、場合により「（Ｄ）成分」と称する。）と、を含有する。 The resin paste composition for bonding a semiconductor element according to the present embodiment (hereinafter simply referred to as “resin paste composition”) is a compound having one (meth) acryloyloxy group in one molecule (hereinafter referred to as occasion demands). (Referred to as “component (A-1)”), a compound having three (meth) acryloyloxy groups in one molecule (hereinafter sometimes referred to as “component (A-3)”), and polymerization. An initiator (hereinafter sometimes referred to as “component (B)”), a flexible agent (hereinafter sometimes referred to as “component (C)”), and aluminum powder (hereinafter sometimes referred to as “(D ) Component))).
樹脂ペースト組成物においては、上記特定の成分を組み合わせて用いることで、優れた電気伝導性及びダイシェア強度が得られる。 In the resin paste composition, excellent electrical conductivity and die shear strength can be obtained by using the specific components in combination.
（Ａ−１）成分は、１分子中に１個のアクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を有する化合物である。（Ａ−１）成分としては、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。 The component (A-1) is a compound having one acryloyloxy group or methacryloyloxy group in one molecule. (A-1) As a component, it can use individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
（Ａ−１）成分の１個のアクリロイルオキシ基を有する化合物としては、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、アミルアクリレート、イソアミルアクリレート、ヘキシルアクリレート、ヘプチルアクリレート、オクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ノニルアクリレート、デシルアクリレート、イソデシルアクリレート、ラウリルアクリレート、トリデシルアクリレート、ヘキサデシルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソステアリルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、イソボルニルアクリレート、トリシクロ［５．２．１．０２，６］デシルアクリレート、２−（トリシクロ）［５．２．１．０２，６］デカ−３−エン−８−イルオキシエチルアクリレート、２−（トリシクロ）［５．２．１．０２，６］デカ−３−エン−９−イルオキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、ダイマージオールモノアクリレート、ジエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリプロピレングリコールアクリレート、２−メトキシエチルアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、２−ブトキシエチルアクリレート、メトキシジエチレングリコールアクリレート、メトキシポリエチレングリコールアクリレート、２−フェノキシエチルアクリレート、フェノキシジエチレングリコールアクリレート、フェノキシポリエチレングリコールアクリレート、２−ベンゾイルオキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルアクリレート、ベンジルアクリレート、２−シアノエチルアクリレート、γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、グリシジルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレ−ト、ジシクロペンタニルアクリレ−ト、ジシクロペンテニルアクリレ−ト、テトラヒドロピラニルアクリレート、ジメチルアミノエチルアクリレート、ジエチルアミノエチルアクリレート、１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリジニルアクリレート、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニルアクリレート、アクリロキシエチルホスフェート、アクリロキシエチルフェニルアシッドホスフェート、β−アクリロイルオキシエチルハイドロジェンフタレート、β−アクリロイルオキシエチルハイドロジェンサクシネートが挙げられる。 (A-1) Examples of the compound having one acryloyloxy group include methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, isopropyl acrylate, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate, t-butyl acrylate, amyl acrylate, and isoamyl. Acrylate, hexyl acrylate, heptyl acrylate, octyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, nonyl acrylate, decyl acrylate, isodecyl acrylate, lauryl acrylate, tridecyl acrylate, hexadecyl acrylate, stearyl acrylate, isostearyl acrylate, cyclohexyl acrylate, isobornyl acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6] Deshiruakuri Over DOO, 2- (tricyclo) [5.2.1.0 2,6] dec-3-en-8-yl oxy ethyl acrylate, 2- (tricyclo) [5.2.1.0 2,6] Dec-3-en-9-yloxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, dimer diol monoacrylate, diethylene glycol acrylate, polyethylene glycol acrylate, polypropylene glycol acrylate, 2-methoxyethyl acrylate, 2-ethoxy Ethyl acrylate, 2-butoxyethyl acrylate, methoxydiethylene glycol acrylate, methoxypolyethylene glycol acrylate, 2-phenoxyethyl acrylate, phenoxydiethylene glycol acrylate, Enoxypolyethylene glycol acrylate, 2-benzoyloxyethyl acrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate, benzyl acrylate, 2-cyanoethyl acrylate, γ-acryloxypropyltrimethoxysilane, glycidyl acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, di Cyclopentenyloxyethyl acrylate, dicyclopentanyl acrylate, dicyclopentenyl acrylate, tetrahydropyranyl acrylate, dimethylaminoethyl acrylate, diethylaminoethyl acrylate, 1,2,2,6,6- Pentamethylpiperidinyl acrylate, 2,2,6,6-tetramethylpiperidinyl acrylate, acryloxyethyl phosphate, acryloxyethyl phosphate Alkenyl acid phosphate, beta-acryloyloxyethyl hydrogen phthalate, and a beta-acryloyloxyethyl hydrogen succinate.
（Ａ−１）成分の１個のメタクリロイルオキシ基を有する化合物としては、例えば、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソプロピルメタクリレート、ｎ−ブチルメタクリレート、イソブチルメタクリレート、ｔ−ブチルメタクリレート、アミルメタクリレート、イソアミルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、ヘプチルメタクリレート、オクチルメタクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレート、ノニルメタクリレート、デシルメタクリレート、イソデシルメタクリレート、ラウリルメタクリレート、トリデシルメタクリレート、ヘキサデシルメタクリレート、ステアリルメタクリレート、イソステアリルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、イソボルニルメタクリレート、トリシクロ［５．２．１．０２，６］デシルメタクリレート、２−（トリシクロ）［５．２．１．０２，６］デカ−３−エン−８−イルオキシエチルメタクリレート、２−（トリシクロ）［５．２．１．０２，６］デカ−３−エン−９−イルオキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ダイマージオールモノメタクリレート、ジエチレングリコールメタクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレート、ポリプロピレングリコールメタクリレート、２−メトキシエチルメタクリレート、２−エトキシエチルメタクリレート、２−ブトキシエチルメタクリレート、メトキシジエチレングリコールメタクリレート、メトキシポリエチレングリコールメタクリレート、２−フェノキシエチルメタクリレート、フェノキシジエチレングリコールメタクリレート、フェノキシポリエチレングリコールメタクリレート、２−ベンゾイルオキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、２−シアノエチルメタクリレート、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、グリシジルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルメタクリレ−ト、ジシクロペンタニルメタクリレ−ト、ジシクロペンテニルメタクリレ−ト、テトラヒドロピラニルメタクリレート、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ジエチルアミノエチルメタクリレート、１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリジニルメタクリレート、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニルメタクリレート、メタクリロキシエチルホスフェート、メタクリロキシエチルフェニルアシッドホスフェート、β−メタクリロイルオキシエチルハイドロジェンフタレート、β−メタクリロイルオキシエチルハイドロジェンサクシネートが挙げられる。 Examples of the compound having one methacryloyloxy group (A-1) include methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, isopropyl methacrylate, n-butyl methacrylate, isobutyl methacrylate, t-butyl methacrylate, amyl methacrylate, and isoamyl. Methacrylate, hexyl methacrylate, heptyl methacrylate, octyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, nonyl methacrylate, decyl methacrylate, isodecyl methacrylate, lauryl methacrylate, tridecyl methacrylate, hexadecyl methacrylate, stearyl methacrylate, isostearyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, isobornyl Methacrylate, Rishikuro [5.2.1.0 2, 6] decyl methacrylate, 2- (tricyclo) [5.2.1.0 2,6] dec-3-en-8-yl methacrylate, 2- (tricyclo ) [5.2.1.0 2,6 ] dec-3-en-9-yloxyethyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, dimer diol monomethacrylate, diethylene glycol methacrylate, polyethylene glycol methacrylate, Polypropylene glycol methacrylate, 2-methoxyethyl methacrylate, 2-ethoxyethyl methacrylate, 2-butoxyethyl methacrylate, methoxydiethylene glycol methacrylate, methoxypolyethylene glycol methacrylate, 2 Phenoxyethyl methacrylate, phenoxydiethylene glycol methacrylate, phenoxypolyethylene glycol methacrylate, 2-benzoyloxyethyl methacrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl methacrylate, benzyl methacrylate, 2-cyanoethyl methacrylate, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, glycidyl methacrylate, Tetrahydrofurfuryl methacrylate, dicyclopentenyloxyethyl methacrylate, dicyclopentanyl methacrylate, dicyclopentenyl methacrylate, tetrahydropyranyl methacrylate, dimethylaminoethyl methacrylate, diethylaminoethyl methacrylate, 1,2, 2,6,6-pentamethylpiperidinylmethacrylate , 2,2,6,6-tetramethyl piperidinyl methacrylate, methacryloxyethyl phosphate, methacryloxyethyl phenyl acid phosphate, beta-methacryloyloxyethyl hydrogen phthalate, beta-methacryloyloxyethyl hydrogen succinate.
（Ａ−１）成分としては、樹脂ペースト組成物を用いて製造した半導体装置におけるダイシェア強度の観点から、下記式（Ｉ）で表される化合物が好ましい。 As the component (A-1), a compound represented by the following formula (I) is preferable from the viewpoint of die shear strength in a semiconductor device manufactured using a resin paste composition.
式中、Ｒ１は水素原子又はメチル基を示し、Ｒ２は脂環式基又は複素環式基を示し、Ｘは炭素数１〜５のアルキレン基を示し、ｎは０〜１０の整数を示す。ｎが２以上の整数であるとき、複数存在するＸは互いに同一であっても異なっていてもよい。ここで脂環式基は、炭素原子が環状に結合した構造を有する基であり、複素環式基は、炭素原子とヘテロ原子とが環状に結合した構造を有する基である。 In the formula, R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 2 represents an alicyclic group or a heterocyclic group, X represents an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and n represents an integer of 0 to 10. Show. When n is an integer of 2 or more, a plurality of Xs may be the same or different from each other. Here, the alicyclic group is a group having a structure in which carbon atoms are cyclically bonded, and the heterocyclic group is a group having a structure in which carbon atoms and heteroatoms are bonded cyclically.
脂環式基としては、下記式（１−１）、（１−２）、（１−３）又は（１−４）で表される基が挙げられる。 Examples of the alicyclic group include groups represented by the following formula (1-1), (1-2), (1-3) or (1-4).
式中、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基を示す。
Wherein the
複素環式基としては、下記式（２−１）、（２−２）、（２−３）又は（２−４）で表される基が挙げられる。 Examples of the heterocyclic group include groups represented by the following formula (2-1), (2-2), (2-3) or (2-4).
式中、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基を示す。 In formula, R < 6 >, R < 7 >, R <8> , R < 9 > and R < 10 > show a hydrogen atom or a C1-C5 alkyl group each independently.
式（Ｉ）で表される化合物としては、例えば、シクロヘキシルアクリレート、イソボルニルアクリレート、トリシクロ［５．２．１．０２，６］デシルアクリレート、２−（トリシクロ）［５．２．１．０２，６］デカ−３−エン−８−イルオキシエチルアクリレート、２−（トリシクロ）［５．２．１．０２，６］デカ−３−エン−９−イルオキシエチルアクリレート、グリシジルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレ−ト、ジシクロペンタニルアクリレ−ト、ジシクロペンテニルアクリレ−ト、テトラヒドロピラニルアクリレート、ジメチルアミノエチルアクリレート、ジエチルアミノエチルアクリレート、１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリジニルアクリレート、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニルアクリレートシクロヘキシルメタクリレート、イソボルニルメタクリレート、トリシクロ［５．２．１．０２，６］デシルメタクリレート、２−（トリシクロ）［５．２．１．０２，６］デカ−３−エン−８−イルオキシエチルメタクリレート、２−（トリシクロ）［５．２．１．０２，６］デカ−３−エン−９−イルオキシエチルメタクリレート、グリシジルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルメタクリレ−ト、ジシクロペンタニルメタクリレ−ト、ジシクロペンテニルメタクリレ−ト、テトラヒドロピラニルメタクリレート、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ジエチルアミノエチルメタクリレート、１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリジニルメタクリレート、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニルメタクリレートが挙げられる。 Examples of the compound represented by the formula (I) include cyclohexyl acrylate, isobornyl acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decyl acrylate, 2- (tricyclo) [5.2.1. 0 2,6 ] dec-3-en-8-yloxyethyl acrylate, 2- (tricyclo) [5.2.1.0 2,6 ] dec-3-en-9-yloxyethyl acrylate, glycidyl acrylate , Tetrahydrofurfuryl acrylate, dicyclopentenyloxyethyl acrylate, dicyclopentanyl acrylate, dicyclopentenyl acrylate, tetrahydropyranyl acrylate, dimethylaminoethyl acrylate, diethylaminoethyl acrylate, 1,2 , 2,6,6-pentamethylpiperidinyl acrylate, , 2,6,6-tetramethyl piperidinyl acrylate cyclohexyl methacrylate, isobornyl methacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2, 6] decyl methacrylate, 2- (tricyclo) [5.2.1.0 2,6 ] dec-3-en-8-yloxyethyl methacrylate, 2- (tricyclo) [5.2.1.0 2,6 ] dec-3-en-9-yloxyethyl methacrylate, glycidyl methacrylate, Tetrahydrofurfuryl methacrylate, dicyclopentenyloxyethyl methacrylate, dicyclopentanyl methacrylate, dicyclopentenyl methacrylate, tetrahydropyranyl methacrylate, dimethylaminoethyl methacrylate, diethylaminoethyl methacrylate, 1,2, 2,6,6-pe Data methylpiperidinyl methacrylate, 2,2,6,6-tetramethyl piperidinyl methacrylate.
（Ａ−１）成分の含有量は、樹脂ペースト組成物の総量基準で、５〜１５質量％であることが好ましく、６〜１２質量％であることがより好ましい。（Ａ−１）成分の含有量が５質量％以上であると接着強度が一層向上し、１５質量％以下であると、樹脂ペースト組成物の粘度上昇が十分に抑えられ、作業性が一層良好になる。 The content of the component (A-1) is preferably 5 to 15% by mass and more preferably 6 to 12% by mass based on the total amount of the resin paste composition. When the content of the component (A-1) is 5% by mass or more, the adhesive strength is further improved, and when it is 15% by mass or less, an increase in viscosity of the resin paste composition is sufficiently suppressed, and workability is further improved. become.
（Ａ−３）成分は、１分子中にアクリロイルオキシ基及びメタクリロイルオキシ基を３個有する化合物である。（Ａ−３）成分としては、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。 The component (A-3) is a compound having three acryloyloxy groups and three methacryloyloxy groups in one molecule. (A-3) As a component, it can use individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
（Ａ−３）成分の１分子中に３個のアクリロイルオキシ基を有する化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、エチレンオキシド変性トリメチロールプロパントリアクリレート、プロピレンオキシド変性トリメチロールプロパントリアクリレート、エチレンオキシド・プロピレンオキシド変性トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、グリセリンプロポキシトリアクリレートが挙げられる。 Examples of the compound having three acryloyloxy groups in one molecule of the component (A-3) include trimethylolpropane triacrylate, ethylene oxide-modified trimethylolpropane triacrylate, propylene oxide-modified trimethylolpropane triacrylate, ethylene oxide Examples include propylene oxide-modified trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, and glycerin propoxytriacrylate.
（Ａ−３）成分の１分子中に３個のメタクリロイルオキシ基を有する化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリメタクリレート、エチレンオキシド変性トリメチロールプロパントリメタクリレート、プロピレンオキシド変性トリメチロールプロパントリメタクリレート、エチレンオキシド・プロピレンオキシド変性トリメチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、グリセリンプロポキシトリメタクリレートが挙げられる。 Examples of the compound having three methacryloyloxy groups in one molecule of the component (A-3) include trimethylolpropane trimethacrylate, ethylene oxide-modified trimethylolpropane trimethacrylate, propylene oxide-modified trimethylolpropane trimethacrylate, ethylene oxide Examples include propylene oxide-modified trimethylolpropane trimethacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, and glycerin propoxytrimethacrylate.
（Ａ−３）成分としては、樹脂ペースト組成物を用いて製造した半導体装置におけるダイシェア強度の観点から、下記式（ＩＩ）で表される化合物が好ましく、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレートが特に好ましい。 As the component (A-3), from the viewpoint of die shear strength in a semiconductor device produced using a resin paste composition, a compound represented by the following formula (II) is preferable, and trimethylolpropane tri (meth) acrylate is particularly preferable. preferable.
式中、Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１３はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を示し、Ｙ１、Ｙ２及びＹ３はそれぞれ独立に炭素数１〜５のアルキレン基を示し、ｐ、ｑ及びｒはそれぞれ独立に０〜１０の整数を示す。ｐが２以上の整数であるとき、複数存在するＹ１は互いに同一であっても異なっていてもよい。ｑが２以上の整数であるとき、複数存在するＹ２は互いに同一であっても異なっていてもよい。ｒが２以上の整数であるとき、複数存在するＹ３は互いに同一であっても異なっていてもよい。 In the formula, R 11 , R 12 and R 13 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, Y 1 , Y 2 and Y 3 each independently represent an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, p, q and r shows the integer of 0-10 each independently. When p is an integer of 2 or more, a plurality of Y 1 may be the same as or different from each other. When q is an integer of 2 or more, a plurality of Y 2 may be the same as or different from each other. When r is an integer of 2 or more, a plurality of Y 3 may be the same as or different from each other.
（Ａ−３）成分の含有量は、樹脂ペースト組成物の総量基準で、４〜１７質量％であることが好ましく、５〜１０質量％であることがより好ましい。（Ａ−３）成分の含有量が４質量％以上であると接着強度が一層向上し、１５質量％以下であると、樹脂ペースト組成物の粘度上昇が十分に抑えられ、作業性が一層良好になる。 The content of the component (A-3) is preferably 4 to 17% by mass and more preferably 5 to 10% by mass based on the total amount of the resin paste composition. When the content of the component (A-3) is 4% by mass or more, the adhesive strength is further improved, and when it is 15% by mass or less, an increase in viscosity of the resin paste composition is sufficiently suppressed, and workability is further improved. become.
樹脂ペースト組成物は、本発明の効果を損ねない程度に、１分子中に２個の（メタ）アクリロイルオキシ基を有する化合物（以下、場合により「（Ａ−２）成分」と称する。）をさらに含有していてもよい。 In the resin paste composition, a compound having two (meth) acryloyloxy groups in one molecule (hereinafter sometimes referred to as “component (A-2)”) to such an extent that the effects of the present invention are not impaired. Furthermore, you may contain.
（Ａ−２）成分の１分子中に２個のアクリロイルオキシ基を有する化合物としては、例えば、エチレングリコールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，９−ノナンジオールジアクリレート、１，３−ブタンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ダイマージオールジアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、ビス（アクリロキシプロピル）ポリジメチルシロキサン、ビス（アクリロキシプロピル）メチルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマーが挙げられる。また、（Ａ−２）成分としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビスフェノールＡＤ１モルとグリシジルアクリレート２モルとの反応物；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビスフェノールＡＤのポリエチレンオキサイド付加物のジアクリレート；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビスフェノールＡＤのポリプロピレンオキサイド付加物のジアクリレート；等も挙げられる。 Examples of the compound having two acryloyloxy groups in one molecule of the component (A-2) include ethylene glycol diacrylate, 1,4-butanediol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, 1, 9-nonanediol diacrylate, 1,3-butanediol diacrylate, neopentyl glycol diacrylate, dimer diol diacrylate, dimethylol tricyclodecane diacrylate, diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, tetraethylene glycol diacrylate , Polyethylene glycol diacrylate, tripropylene glycol diacrylate, polypropylene glycol diacrylate, bis (acryloxypropyl) polydimethylsiloxa , Bis (acryloxypropyl) methylsiloxane - include dimethylsiloxane copolymers. The component (A-2) includes a reaction product of 1 mol of bisphenol A, bisphenol F or bisphenol AD and 2 mol of glycidyl acrylate; diacrylate of bisphenol A, bisphenol F or polyethylene oxide adduct of bisphenol AD; bisphenol A, And diacrylate of a polypropylene oxide adduct of bisphenol F or bisphenol AD.
（Ａ−２）成分の１分子中に２個のメタクリロイルオキシ基を有する化合物としては、例えば、エチレングリコールジメタクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、１，９−ノナンジオールジメタクリレート、１，３−ブタンジオールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、ダイマージオールジメタクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジメタクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、トリプロピレングリコールジメタクリレート、ポリプロピレングリコールジメタクリレート、ビス（メタクリロキシプロピル）ポリジメチルシロキサン、ビス（メタクリロキシプロピル）メチルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマーが挙げられる。また、（Ａ−２）成分としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビスフェノールＡＤ１モルとグリシジルメタクリレート２モルとの反応物；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビスフェノールＡＤのポリエチレンオキサイド付加物のジメタクリレート；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビスフェノールＡＤのポリプロピレンオキサイド付加物のジメタクリレート；等も挙げられる。 Examples of the compound having two methacryloyloxy groups in one molecule of the component (A-2) include ethylene glycol dimethacrylate, 1,4-butanediol dimethacrylate, 1,6-hexanediol dimethacrylate, 1, 9-nonanediol dimethacrylate, 1,3-butanediol dimethacrylate, neopentyl glycol dimethacrylate, dimer diol dimethacrylate, dimethylol tricyclodecane dimethacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, triethylene glycol dimethacrylate, tetraethylene glycol dimethacrylate , Polyethylene glycol dimethacrylate, tripropylene glycol dimethacrylate, polypropylene glycol dimethacrylate, bis (methacryloxy) Include dimethylsiloxane copolymer - propyl) polydimethyl siloxane, bis (methacryloxypropyl) methylsiloxane. As the component (A-2), a reaction product of 1 mol of bisphenol A, bisphenol F or bisphenol AD and 2 mol of glycidyl methacrylate; dimethacrylate of bisphenol A, bisphenol F or polyethylene oxide adduct of bisphenol AD; bisphenol A, And dimethacrylate of polypropylene oxide adduct of bisphenol F or bisphenol AD.
（Ａ−２）成分としては、樹脂ペースト組成物を用いて製造した半導体装置におけるダイシェア強度の観点から、下記式（ＩＩＩ）で表される化合物が好ましい。 As the component (A-2), a compound represented by the following formula (III) is preferable from the viewpoint of die shear strength in a semiconductor device manufactured using a resin paste composition.
式中、Ｒ２１及びＲ２２はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を示し、Ｒ２３及びＲ２４はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基を示し、Ｙ１１及びＹ１２はそれぞれ独立に炭素数１〜５のアルキレン基を示し、ｓ及びｔはそれぞれ独立に１〜２０の整数を示す。ｓが２以上の整数であるとき、複数存在するＹ１１は互いに同一であっても異なっていてもよい。ｔが２以上の整数であるとき、複数存在するＹ１２は互いに同一であっても異なっていてもよい。 In the formula, R 21 and R 22 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, R 23 and R 24 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and Y 11 and Y 12 are each An alkylene group having 1 to 5 carbon atoms is independently represented, and s and t each independently represent an integer of 1 to 20. When s is an integer of 2 or more, a plurality of Y 11 may be the same as or different from each other. When t is an integer of 2 or more, a plurality of Y 12 may be the same as or different from each other.
樹脂ペースト組成物は、本発明の効果を損ねない程度に、１分子中に４個以上の（メタ）アクリロイルオキシ基を有する化合物（以下、場合により「（Ａ−４）成分」と称する。）をさらに含有していてもよい。 The resin paste composition is a compound having 4 or more (meth) acryloyloxy groups in one molecule (hereinafter sometimes referred to as “component (A-4)”) to such an extent that the effects of the present invention are not impaired. May further be contained.
（Ａ−４）成分としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、テトラメチロールメタンテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールペンタメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレートが挙げられる。 Examples of the component (A-4) include tetramethylolmethane tetraacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, tetramethylolmethane tetramethacrylate, dipentaerythritol pentamethacrylate, and dipentaerythritol hexamethacrylate.
（Ｂ）成分は、（Ａ−１）成分及び（Ａ−３）成分を重合させて樹脂ペースト組成物を硬化させるための成分であり、加熱及び／又は光照射によってラジカルを発生する化合物であることが好ましい。（Ｂ）成分としては、熱重合開始剤、光重合開始剤が挙げられる。なお、（Ｂ）成分は一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。 The component (B) is a component for polymerizing the component (A-1) and the component (A-3) to cure the resin paste composition, and is a compound that generates radicals by heating and / or light irradiation. It is preferable. (B) As a component, a thermal-polymerization initiator and a photoinitiator are mentioned. In addition, (B) component can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
熱重合開始剤としては、例えば、アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス（４−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル）等のアゾ系ラジカル開始剤；１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロドデカン、ジ−ｔ−ブチルパーオキシイソフタレート、ｔ−ブチルパーベンゾエート、ジクミルパーオキサイド、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン、クメンハイドロパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）へキサン等の過酸化物；が挙げられる。 Examples of the thermal polymerization initiator include azo radical initiators such as azobisisobutyronitrile and 2,2′-azobis (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile); 1,1,3,3 -Tetramethylbutylperoxy-2-ethylhexanoate, 1,1-bis (t-butylperoxy) cyclohexane, 1,1-bis (t-butylperoxy) cyclododecane, di-t-butylperoxy Isophthalate, t-butyl perbenzoate, dicumyl peroxide, t-butyl cumyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-di (t-butylperoxy) hexane, 2,5-dimethyl-2,5 -Di (t-butylperoxy) hexyne, cumene hydroperoxide, t-butylperoxy-2-ethylhexanoate, t-hexylpa 2-ethyl hexanoate, 2,5-dimethyl-2,5-bis peroxide cyclohexane and the like (2-ethyl hexanoyl peroxy); and the like.
光重合開始剤としては、例えば、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ−１−プロパノン等のアセトフェノン類；２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントン等のチオキサントン類；アセトフェノンジメチルケタール、ベンジルジメチルケタール等のケタール類；ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４’−メチルジフェニルサルファイド等のベンゾフェノン類；２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド等のホスフィンオキサイド類；が挙げられる。 Examples of the photopolymerization initiator include acetophenones such as 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone and 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propanone; 2,4-dimethylthioxanthone, Thioxanthones such as 2,4-diethylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone and 2,4-diisopropylthioxanthone; Ketals such as acetophenone dimethyl ketal and benzyldimethyl ketal; Benzophenone, 4,4′-bis (diethylamino) benzophenone, 4- Benzophenones such as benzoyl-4′-methyldiphenyl sulfide; and phosphine oxides such as 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide.
（Ｂ）成分としては、樹脂ペースト組成物の硬化物中におけるボイドと呼ばれる空隙の発生を低減できるため、過酸化物が好ましい。また、樹脂ペースト組成物の硬化性及び粘度安定性が一層向上することから、過酸化物の１０時間半減期温度は、７０〜１７０℃であることが好ましい。ここで半減期とは、一定温度における、過酸化物が分解してその活性酸素量が１／２になるまでに要する時間を示し、１０時間半減期温度とは、半減期が１０時間となる温度を示す。 (B) As a component, since generation | occurrence | production of the void | void called the void in the hardened | cured material of a resin paste composition can be reduced, a peroxide is preferable. Moreover, since the sclerosis | hardenability and viscosity stability of a resin paste composition improve further, it is preferable that the 10-hour half life temperature of a peroxide is 70-170 degreeC. Here, the half-life refers to the time required for the peroxide to decompose and the amount of active oxygen to be halved at a constant temperature. The 10-hour half-life temperature is a half-life of 10 hours. Indicates temperature.
半減期は、例えば、以下のようにして測定することができる。まず、ラジカルに対して比較的不活性な溶液、例えばベンゼンを使用して、０．１ｍｏｌ／ｌ濃度の過酸化物溶液を調整し、窒素置換を行ったガラス管中に密閉する。そして、所定温度にセットした恒温槽に浸し、熱分解させる。一般的に過酸化物の分解は近似的に一次反応として取り扱うことができるので、ｔ時間後までに分解した過酸化物の濃度ｘ、分解速度定数ｋ、時間ｔ、初期過酸化物濃度ａとすると、下記式（ｉ）が成り立つ。
ｄｘ／ｄｔ＝ｋ（ａ−ｘ） （ｉ）
そして、式（ｉ）を変形すると式（ｉｉ）になる。
ｌｎ ａ／（ａ−ｘ）＝ｋｔ （ｉｉ）
半減期は、分解により過酸化物濃度が初期の半分に減ずるまでの時間であるので、半減期をｔ１／２で示し、式（ｉｉ）のｘにａ／２を代入すると、式（ｉｉｉ）になる。
ｋｔ１／２＝ｌｎ２ （ｉｉｉ）
したがって、ある一定温度で熱分解させ、得られた直線の傾きから分解速度定数ｋを求め、式（ｉｉｉ）からその温度における半減期（ｔ１／２）を求めることができる。
The half-life can be measured, for example, as follows. First, using a solution that is relatively inert to radicals, such as benzene, a 0.1 mol / l concentration peroxide solution is prepared and sealed in a glass tube that has been purged with nitrogen. And it is immersed in the thermostat set to predetermined temperature, and is thermally decomposed. In general, the decomposition of peroxide can be treated approximately as a primary reaction. Therefore, the peroxide concentration x decomposed by the time t, the decomposition rate constant k, the time t, and the initial peroxide concentration a Then, the following formula (i) is established.
dx / dt = k (ax) (i)
Then, when formula (i) is modified, formula (ii) is obtained.
ln a / (ax) = kt (ii)
Since the half-life is the time until the peroxide concentration is reduced to half of the initial value due to decomposition, the half-life is represented by t 1/2 , and when a / 2 is substituted for x in the formula (ii), the formula (iii) )become.
kt 1/2 = ln2 (iii)
Therefore, thermal decomposition is performed at a certain temperature, the decomposition rate constant k is obtained from the slope of the obtained straight line, and the half-life (t 1/2 ) at that temperature can be obtained from the equation (iii).
（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ−１）成分及び（Ａ−３）成分の総量１００質量部に対して０．１〜１０質量部であることが好ましく、２〜７質量部であることがより好ましい。（Ｂ）成分の含有量が０．１質量部以上であると樹脂ペースト組成物の硬化性が一層良好となる。また、（Ｂ）成分の含有量が１０質量部を超えると、樹脂ペースト組成物の硬化時に揮発分が多く発生し、樹脂ペースト組成物の硬化物中にボイドと呼ばれる空隙が生じやすくなる傾向がある。（Ｂ）成分は、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。 The content of the component (B) is preferably 0.1 to 10 parts by mass, and 2 to 7 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the components (A-1) and (A-3). It is more preferable. When the content of the component (B) is 0.1 parts by mass or more, the curability of the resin paste composition is further improved. Further, when the content of the component (B) exceeds 10 parts by mass, a large amount of volatile matter is generated when the resin paste composition is cured, and voids called voids tend to be easily generated in the cured product of the resin paste composition. is there. (B) A component can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
また、（Ｂ）成分の含有量は、樹脂ペースト組成物の総量基準で、０．１〜５質量％であることが好ましく、０．６〜１質量％であることがより好ましい。（Ｂ）成分の含有量が０．１質量％以上であると樹脂ペースト組成物の硬化性が一層良好となる。また、（Ｂ）成分の含有量が５質量％を超えると、樹脂ペースト組成物の硬化時に揮発分が多く発生し、樹脂ペースト組成物の硬化物中にボイドと呼ばれる空隙が生じやすくなる傾向がある。 Further, the content of the component (B) is preferably 0.1 to 5% by mass and more preferably 0.6 to 1% by mass based on the total amount of the resin paste composition. When the content of component (B) is 0.1% by mass or more, the curability of the resin paste composition is further improved. Further, when the content of the component (B) exceeds 5% by mass, a large amount of volatile matter is generated when the resin paste composition is cured, and voids called voids tend to be generated in the cured product of the resin paste composition. is there.
（Ｃ）成分は、樹脂ペースト組成物の硬化物に可とう性を付与する成分である。樹脂ペースト組成物に（Ｃ）成分を配合することによって、熱膨張及び／又は収縮に対する応力緩和の効果が得られる。（Ｃ）成分としては、特に制限は無いが、液状ゴム及び熱可塑性樹脂からなる群より選択される少なくとも一種を用いることが好ましい。 The component (C) is a component that imparts flexibility to the cured product of the resin paste composition. By blending the component (C) with the resin paste composition, an effect of stress relaxation against thermal expansion and / or contraction can be obtained. (C) Although there is no restriction | limiting in particular as a component, It is preferable to use at least 1 type selected from the group which consists of liquid rubber and a thermoplastic resin.
液状ゴムとしては、例えば、ポリブタジエン、エポキシ化ポリブタジエン、マレイン化ポリブタジエン、アクリロニトリルブタジエンゴム、カルボキシ基を有するアクリロニトリルブタジエンゴム、アミノ末端アクリロニトリルブタジエンゴム、ビニル末端アクリロニトリルブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム等のポリブタジエン骨格を有する液状ゴムが挙げられる。 Examples of the liquid rubber include polybutadiene skeletons such as polybutadiene, epoxidized polybutadiene, maleated polybutadiene, acrylonitrile butadiene rubber, acrylonitrile butadiene rubber having a carboxy group, amino terminal acrylonitrile butadiene rubber, vinyl terminal acrylonitrile butadiene rubber, and styrene butadiene rubber. A liquid rubber is mentioned.
液状ゴムの数平均分子量は、５００〜１００００であることが好ましく、１０００〜５０００であることがより好ましい。数平均分子量が５００以上であると、可とう化効果に一層優れ、１００００以下であると、可とう化剤による樹脂ペースト組成物の粘度上昇が十分に抑えられ、作業性が一層良好になる。なお、数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより標準ポリスチレンの検量線を利用して測定（以下、ＧＰＣ法という）した値である。 The number average molecular weight of the liquid rubber is preferably 500 to 10,000, and more preferably 1,000 to 5,000. When the number average molecular weight is 500 or more, the flexibility effect is further improved, and when the number average molecular weight is 10,000 or less, the increase in the viscosity of the resin paste composition by the flexible agent is sufficiently suppressed, and the workability is further improved. The number average molecular weight is a value measured by gel permeation chromatography using a standard polystyrene calibration curve (hereinafter referred to as GPC method).
熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリ酢酸ビニル、ポリアクリル酸アルキル等のアクリル樹脂、ε−カプロラクトン変性ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリイミド等が挙げられる。 Examples of the thermoplastic resin include acrylic resins such as polyvinyl acetate and polyalkyl acrylate, ε-caprolactone-modified polyester, phenoxy resin, and polyimide.
熱可塑性樹脂の数平均分子量は、１００００〜３０００００であることが好ましく、２００００〜２０００００であることがより好ましい。数平均分子量が１００００以上であると、可とう化効果に一層優れ、３０００００以下であると、可とう化剤による樹脂ペースト組成物の粘度上昇が十分に抑えられ、作業性が一層良好になる。なお、数平均分子量は、ＧＰＣ法により測定した値である。 The number average molecular weight of the thermoplastic resin is preferably 10,000 to 300,000, and more preferably 20,000 to 200,000. When the number average molecular weight is 10,000 or more, the flexibility effect is further improved. When the number average molecular weight is 300,000 or less, the increase in the viscosity of the resin paste composition by the flexible agent is sufficiently suppressed, and the workability is further improved. The number average molecular weight is a value measured by the GPC method.
樹脂ペースト組成物は、硬化物の弾性率をより低減できる観点から、（Ｃ）成分としてエポキシ化ポリブタジエンを含有することが好ましい。 The resin paste composition preferably contains epoxidized polybutadiene as the component (C) from the viewpoint of further reducing the elastic modulus of the cured product.
エポキシ化ポリブタジエンは、一般に市販されているポリブタジエンを、過酸化水素水、過酸類等によりエポキシ化することによって容易に得ることができる。 Epoxidized polybutadiene can be easily obtained by epoxidizing a commercially available polybutadiene with a hydrogen peroxide solution, peracids or the like.
エポキシ化ポリブタジエンとしては、例えば、Ｂ−１０００、Ｂ−３０００、Ｇ−１０００、Ｇ−３０００（以上、日本曹達（株）製）、Ｂ−１０００、Ｂ−２０００、Ｂ−３０００、Ｂ−４０００（以上、日本石油（株）製）、Ｒ−１５ＨＴ、Ｒ−４５ＨＴ、Ｒ−４５Ｍ（以上、出光石油（株）製）、エポリードＰＢ−３６００、エポリードＰＢ−４７００（以上、ダイセル化学工業（株）製）等が市販品として入手可能である。エポキシ化ポリブタジエンのオキシラン酸素濃度は、３〜１８％であることが好ましく、５〜１５％であることがより好ましい。 Examples of the epoxidized polybutadiene include B-1000, B-3000, G-1000, G-3000 (manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.), B-1000, B-2000, B-3000, B-4000 ( Above, manufactured by Nippon Oil Co., Ltd.), R-15HT, R-45HT, R-45M (above, manufactured by Idemitsu Oil Co., Ltd.), Epolide PB-3600, Epolide PB-4700 (above, Daicel Chemical Industries, Ltd.) Etc.) are commercially available. The oxirane oxygen concentration of the epoxidized polybutadiene is preferably 3 to 18%, and more preferably 5 to 15%.
樹脂ペースト組成物は、硬化物の弾性率をより低減できるとともに、ダイシェア強度をより向上できる観点からは、（Ｃ）成分としてカルボキシ基を有するアクリロニトリルブタジエンゴムを含有することが好ましい。カルボキシ基を有するアクリロニトリルブタジエンゴムとしては、式（ＩＶ）で表される化合物が好ましい。 The resin paste composition preferably contains acrylonitrile butadiene rubber having a carboxy group as the component (C) from the viewpoint of further reducing the elastic modulus of the cured product and further improving the die shear strength. As the acrylonitrile butadiene rubber having a carboxy group, a compound represented by the formula (IV) is preferable.
式中、ｍは５〜５０の整数を示し、ａ及びｂはそれぞれ独立に１以上の整数を示す。ａとｂの比（ａ／ｂ）は、９５／５〜５０／５０であることが好ましい。 In the formula, m represents an integer of 5 to 50, and a and b each independently represent an integer of 1 or more. The ratio of a to b (a / b) is preferably 95/5 to 50/50.
式（ＩＶ）で表される化合物としては、例えば、Ｈｙｃａｒ ＣＴＢＮ−２００９×１６２、ＣＴＢＮ−１３００×３１、ＣＴＢＮ−１３００×８、ＣＴＢＮ−１３００×１３、ＣＴＢＮ−１００９ＳＰ−Ｓ、ＣＴＢＮＸ−１３００×９（いずれも宇部興産（株）製）が市販品として入手可能である。 Examples of the compound represented by the formula (IV) include Hycar CTBN-2009 × 162, CTBN-1300 × 31, CTBN-1300 × 8, CTBN-1300 × 13, CTBN-1009SP-S, CTBNX-1300 × 9. (Both manufactured by Ube Industries, Ltd.) are available as commercial products.
樹脂ペースト組成物は、作業性及び接着強度の観点から、（Ｃ）成分としてエポキシ化ポリブタジエンとカルボキシル基を有するアクリロニトリルブタジエンゴムとを併用することが好ましい。 The resin paste composition preferably uses epoxidized polybutadiene and acrylonitrile butadiene rubber having a carboxyl group in combination as component (C) from the viewpoint of workability and adhesive strength.
（Ｃ）成分の含有量は、（Ａ−１）成分及び（Ａ−３）成分の総量１００質量部に対して１０〜２００質量部であることが好ましく、２０〜１００質量部であることがより好ましく、３０〜８０質量部であることがさらに好ましい。（Ｃ）成分の含有量が１０質量部以上であると、可とう化効果に一層優れ、２００質量部以下であると、可とう化剤による樹脂ペースト組成物の粘度上昇が十分に抑えられ、作業性が一層良好になる。 The content of the component (C) is preferably 10 to 200 parts by mass, and preferably 20 to 100 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the components (A-1) and (A-3). More preferably, it is 30-80 mass parts. When the content of the component (C) is 10 parts by mass or more, the flexibility is further improved, and when it is 200 parts by mass or less, the increase in the viscosity of the resin paste composition by the flexible agent is sufficiently suppressed, Workability is further improved.
また、（Ｃ）成分の含有量は、樹脂ペースト組成物の総量基準で、３〜１２質量％であることが好ましく、４〜１０質量％であることがより好ましい。（Ｃ）成分の含有量が３質量％以上であると、可とう化効果に一層優れ、１２質量％以下であると、可とう化剤による樹脂ペースト組成物の粘度上昇が十分に抑えられ、作業性が一層良好になる。 The content of the component (C) is preferably 3 to 12% by mass and more preferably 4 to 10% by mass based on the total amount of the resin paste composition. When the content of the component (C) is 3% by mass or more, the flexibility is further improved, and when the content is 12% by mass or less, the increase in the viscosity of the resin paste composition by the flexible agent is sufficiently suppressed, Workability is further improved.
（Ｄ）成分のアルミニウム粉は、従来の樹脂ペーストでフィラーとして使用されていた銀粉の一部又は全部を代替する成分である。本実施形態に係る樹脂ペースト組成物においては、上記各成分と組合せることで、銀粉の一部又は全部を（Ｄ）成分に代替しても、優れた電気伝導性及びダイシェア強度が実現される。 (D) The aluminum powder of a component is a component which substitutes a part or all of the silver powder currently used as a filler with the conventional resin paste. In the resin paste composition according to the present embodiment, excellent electrical conductivity and die shear strength can be realized by combining with the above components, even if a part or all of the silver powder is replaced with the component (D). .
（Ｄ）成分の平均粒径は、１０μｍ以下であることが好ましく、２〜９μｍであることがより好ましく、３〜８μｍ以下であることがさらに好ましい。平均粒径が１０μｍ以下であると、樹脂ペースト組成物の均一性及び各種物性が一層良好になる。ここで平均粒径は、レーザー光回折法を利用した粒度分布測定装置（例えば、マイクロトラックＸ１００）でメジアン径として求めることができるものである。メジアン径とは個数基準の粒度分布における累積率が５０％となる粒子径（Ｄ５０）の値を示す。 (D) It is preferable that the average particle diameter of a component is 10 micrometers or less, It is more preferable that it is 2-9 micrometers, It is further more preferable that it is 3-8 micrometers or less. When the average particle size is 10 μm or less, the uniformity and various physical properties of the resin paste composition are further improved. Here, the average particle diameter can be obtained as a median diameter by a particle size distribution measuring apparatus (for example, Microtrack X100) using a laser light diffraction method. The median diameter is a value of the particle diameter (D50) at which the cumulative ratio in the number-based particle size distribution is 50%.
（Ｄ）成分の見かけ密度は、０．４０〜１．２０ｇ／ｃｍ３が好ましく、０．５５〜０．９５ｇ／ｃｍ３であることがより好ましい。（Ｄ）成分の形状は、粒状、フレーク状、球状、針状、不規則形等が挙げられるが、粒状であることが好ましい。 (D) Apparent density of the component, preferably 0.40~1.20g / cm 3, more preferably 0.55~0.95g / cm 3. Examples of the shape of the component (D) include granules, flakes, spheres, needles, irregular shapes, and the like.
（Ｄ）成分の含有量は、樹脂ペースト組成物の総量基準で、１０〜５０質量％であることが好ましく、１５〜４０質量％であることがより好ましく、２０〜３５質量％であることが特に好ましい。（Ｄ）成分の含有量が上記範囲内であると、樹脂ペースト組成物の電気伝導性、粘度等の特性がダイボンディング材として一層好適なものとなる。 The content of the component (D) is preferably 10 to 50% by mass, more preferably 15 to 40% by mass, and more preferably 20 to 35% by mass based on the total amount of the resin paste composition. Particularly preferred. When the content of the component (D) is within the above range, characteristics such as electrical conductivity and viscosity of the resin paste composition are more suitable as a die bonding material.
樹脂ペースト組成物は、アミン化合物（以下、場合により「（Ｅ）成分」と称する。）をさらに含有していてもよい。アミン化合物を配合することで、樹脂ペースト組成物の電気伝導性及びダイシェア強度が一層向上する。 The resin paste composition may further contain an amine compound (hereinafter sometimes referred to as “component (E)”). By mix | blending an amine compound, the electrical conductivity and die shear strength of a resin paste composition improve further.
（Ｅ）成分としては、ジシアンジアミド、下記式（Ｖ）で表される化合物（二塩基ジヒドラジドともいう。）、エポキシ樹脂とアミン化合物との反応物からなるマイクロカプセル型硬化剤、イミダゾール化合物等が挙げられる。（Ｅ）成分は一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。 Examples of the component (E) include dicyandiamide, a compound represented by the following formula (V) (also referred to as a dibasic dihydrazide), a microcapsule type curing agent composed of a reaction product of an epoxy resin and an amine compound, and an imidazole compound. It is done. (E) A component can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
式中、Ｒ３１はアリーレン基又は炭素数２〜１２のアルキレン基を示す。アルキレン基は直鎖状であっても分岐状であってもよい。また、アリーレン基としては、ｐ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基等が挙げられる。 In the formula, R 31 represents an arylene group or an alkylene group having 2 to 12 carbon atoms. The alkylene group may be linear or branched. Examples of the arylene group include a p-phenylene group and an m-phenylene group.
イミダゾール化合物としては、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、等が挙げられる。 Examples of imidazole compounds include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, and 2-phenyl-4-methyl. Examples include imidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, and the like.
式（Ｖ）で表される化合物としては、ＡＦＨ、ＰＦＨ、ＳＦＨ（いずれも日本ヒドラジン工業（株）、商品名）等を用いることができ、マイクロカプセル型硬化剤としては、ノバキュア（旭化成工業（株）、商品名）等を用いることができ、イミダゾール化合物としては、キュアゾール、２Ｐ４ＭＨＺ、Ｃ１７Ｚ、２ＰＺ−ＯＫ（いずれも四国化成（株）製、商品名）等を用いることができる。 As the compound represented by the formula (V), AFH, PFH, SFH (all of which are Nippon Hydrazine Kogyo Co., Ltd., trade name) and the like can be used. As the microcapsule type curing agent, NovaCure (Asahi Kasei Kogyo ( Co., Ltd., trade name) and the like, and as the imidazole compound, Curazole, 2P4MHZ, C17Z, 2PZ-OK (both trade names, manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.) and the like can be used.
硬化物の強度の観点から、樹脂ペースト組成物は、（Ｅ）成分としてジシアンジアミド及びイミダゾール化合物からなる群より選択される少なくとも一種を含有することが好ましく、少なくともジシアンジアミドを含有することがより好ましい。 From the viewpoint of the strength of the cured product, the resin paste composition preferably contains at least one selected from the group consisting of dicyandiamide and imidazole compound as component (E), and more preferably contains at least dicyandiamide.
（Ｅ）成分の含有量は、樹脂ペースト組成物の総量基準で、０．０５〜１．５質量％であることが好ましく、０．１〜１．０質量％であることがより好ましい。（Ｅ）成分の含有量が０．０５質量％以上であると、硬化性が一層向上し、１．５質量％以下であると、樹脂ペースト組成物の安定性が一層良好になる。 The content of the component (E) is preferably 0.05 to 1.5 mass%, more preferably 0.1 to 1.0 mass%, based on the total amount of the resin paste composition. When the content of the component (E) is 0.05% by mass or more, the curability is further improved, and when it is 1.5% by mass or less, the stability of the resin paste composition is further improved.
樹脂ペースト組成物は、銀粉をさらに含有していてもよい。但し、樹脂ペースト組成物は、銀粉の代替成分である（Ｄ）成分を含有するものであるため、従来の樹脂ペーストと比較して銀粉の含有量が少ない場合でも、優れた電気伝導性が得られる。 The resin paste composition may further contain silver powder. However, since the resin paste composition contains the component (D) which is an alternative component of silver powder, excellent electrical conductivity is obtained even when the content of silver powder is small compared to the conventional resin paste. It is done.
銀粉の平均粒径は、１〜５μｍであることが好ましい。ここで平均粒径は、レーザー光回折法を利用した粒度分布測定装置（例えば、マイクロトラックＸ１００）でメジアン径として求めることができるものである。メジアン径とは個数基準の粒度分布における累積率が５０％となる粒子径（Ｄ５０）の値を示す。 It is preferable that the average particle diameter of silver powder is 1-5 micrometers. Here, the average particle diameter can be obtained as a median diameter by a particle size distribution measuring apparatus (for example, Microtrack X100) using a laser light diffraction method. The median diameter is a value of the particle diameter (D50) at which the cumulative ratio in the number-based particle size distribution is 50%.
銀粉のタップ密度は、３〜６ｇ／ｃｍ３であることが好ましい。また、銀粉の比表面積は、０．５〜１ｍ２／ｇであることが好ましい。また、銀粉の形状は、粒状、フレーク状、球状、針状、不規則形などが挙げられるが、フレーク状であることが好ましい。このような銀粉を、上記アルミニウム粉と組み合わせて用いることで、電気伝導性、ダイシェア強度、保存安定性、塗布作業性及び機械特性に一層優れる樹脂ペースト組成物が得られる。 The tap density of the silver powder is preferably 3 to 6 g / cm 3 . Moreover, it is preferable that the specific surface area of silver powder is 0.5-1 m < 2 > / g. The shape of the silver powder may be granular, flaky, spherical, acicular, irregular, or the like, but is preferably flaky. By using such silver powder in combination with the above-mentioned aluminum powder, a resin paste composition that is further excellent in electrical conductivity, die shear strength, storage stability, coating workability, and mechanical properties can be obtained.
銀粉の含有量Ｃ２に対する（Ｄ）成分であるアルミニウム粉の含有量Ｃ１の比Ｃ１／Ｃ２（質量比）は、２／８〜８／２であることが好ましく、３／７〜７／３であることがより好ましく、４／６〜６／４であることが特に好ましくい。比Ｃ１／Ｃ２が８／２より大きいと、樹脂ペーストの粘度が増大し、作業性が低下する場合がある。
The
樹脂ペースト組成物は、（Ｄ）成分及び銀粉以外の導電性微粒子をさらに含有していてもよい。このような導電性微粒子としては、平均粒径が１０μｍ未満である導電性微粒子が好ましい。また、導電性微粒子としては、金、銅、ニッケル、鉄、ステンレス等を含む導電性微粒子が挙げられる。 The resin paste composition may further contain conductive fine particles other than the component (D) and silver powder. As such conductive fine particles, conductive fine particles having an average particle diameter of less than 10 μm are preferable. Examples of the conductive fine particles include conductive fine particles containing gold, copper, nickel, iron, stainless steel and the like.
（Ｄ）成分、銀粉及び上記導電性微粒子の総含有量は、樹脂ペースト組成物の総量基準で、６０〜８５質量％であることが好ましく、６５〜８０質量％であることがより好ましく、７０〜８０質量％であることが特に好ましい。（Ｄ）成分、銀粉及び上記導電性微粒子の総含有量が上記範囲内であると、樹脂ペースト組成物の電気伝導性、粘度等の特性がダイボンディング材として一層好適なものとなる。 The total content of component (D), silver powder and conductive fine particles is preferably 60 to 85% by mass, more preferably 65 to 80% by mass, based on the total amount of the resin paste composition, 70 It is especially preferable that it is -80 mass%. When the total content of the component (D), the silver powder, and the conductive fine particles is within the above range, characteristics such as electrical conductivity and viscosity of the resin paste composition are more suitable as a die bonding material.
樹脂ペースト組成物は、カップリング剤をさらに含有していてもよい。カップリング剤としては、特に制限はなく、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、ジルコネート系カップリング剤、ジルコアルミネート系カップリング剤等の各種のものが用いられる。カップリング剤は、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。 The resin paste composition may further contain a coupling agent. There is no restriction | limiting in particular as a coupling agent, Various things, such as a silane coupling agent, a titanate coupling agent, an aluminum coupling agent, a zirconate coupling agent, a zircoaluminate coupling agent, are used. A coupling agent can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
シランカップリング剤としては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、メチルトリ（メタクリロキシエトキシ）シラン、γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−（４，５−ジヒドロイミダゾリル）プロピルトリエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジイソプロペノキシシラン、メチルトリグリシドキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、トリメチルシリルイソシアネート、ジメチルシリルイソシアネート、フェニルシリルトリイソシアネート、テトライソシアネートシラン、メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシリルトリイソシアネート、エトキシシラントリイソシアネート等が挙げられる。 Silane coupling agents include methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyl-tris (2-methoxyethoxy) ) Silane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, methyltri (methacryloxyethoxy) silane, γ-acryloxypropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyl Triethoxysilane, N-β- (aminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β- (aminoethyl) -γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-β- (N-bi Rubenzylaminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-anilinopropyltrimethoxysilane, γ-ureidopropyltrimethoxysilane, γ-ureidopropyltriethoxysilane, 3- (4,5-dihydroimidazolyl) propyl Triethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiisopropeno Xysilane, methyltriglycidoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltriethoxysilane, γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, trimethylsilyl isocyanate, dimethylsilyl isocyanate Sulfonate, phenyl triisocyanate, tetraisocyanate silane, methyl triisocyanate, vinylsilyl triisocyanate, and ethoxysilane triisocyanate and the like.
チタネート系カップリング剤としては、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジ−トリデシル）ホスファイトチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピル（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル・アミノエチル）チタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート、ジイソステアロイルエチレンチタネート等が挙げられる。 Titanate coupling agents include isopropyltriisostearoyl titanate, isopropyltridodecylbenzenesulfonyl titanate, isopropyltris (dioctylpyrophosphate) titanate, tetraisopropylbis (dioctylphosphite) titanate, tetraoctylbis (ditridecylphosphite) titanate Tetra (2,2-diallyloxymethyl-1-butyl) bis (di-tridecyl) phosphite titanate, bis (dioctylpyrophosphate) oxyacetate titanate, bis (dioctylpyrophosphate) ethylene titanate, isopropyltrioctanoyl titanate, Isopropyldimethacrylisostearoyl titanate, isopropyl (dioctyl phosphate) titanate DOO, isopropyl tricumylphenyl titanate, isopropyl tri (N- aminoethyl-aminoethyl) titanate, dicumyl phenyloxy acetate titanate, diisostearoyl ethylene titanate.
アルミニウム系カップリング剤としては、アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピオネート等が挙げられる。 Examples of the aluminum coupling agent include acetoalkoxy aluminum diisopropionate.
ジルコネート系カップリング剤としては、テトラプロピルジルコネート、テトラブチルジルコネート、テトラ（トリエタノールアミン）ジルコネート、テトライソプロピルジルコネート、ジルコニウムアセチルアセトネートアセチルアセトンジルコニウムブチレート、ステアリン酸ジルコニウムブチレート等が挙げられる。 Examples of the zirconate coupling agent include tetrapropyl zirconate, tetrabutyl zirconate, tetra (triethanolamine) zirconate, tetraisopropyl zirconate, zirconium acetylacetonate acetylacetone zirconium butyrate, and zirconium stearate butyrate.
また、カップリング剤の含有量は、樹脂ペースト組成物の総量基準で、０．５〜６．０質量％であることが好ましく、１．０〜５．０質量％であることがより好ましい。カップリング剤の含有量が０．５質量％以上であると、接着強度が一層向上する傾向がある。また、カップリング剤の含有量が６．０質量％を超えると、樹脂ペースト組成物の硬化時に揮発分が多く発生し、樹脂ペースト組成物の硬化物中にボイドと呼ばれる空隙が生じやすくなる傾向がある。 Further, the content of the coupling agent is preferably 0.5 to 6.0 mass%, more preferably 1.0 to 5.0 mass%, based on the total amount of the resin paste composition. There exists a tendency for adhesive strength to improve further that content of a coupling agent is 0.5 mass% or more. Further, when the content of the coupling agent exceeds 6.0% by mass, a large amount of volatile matter is generated when the resin paste composition is cured, and voids called voids tend to be generated in the cured product of the resin paste composition. There is.
樹脂ペースト組成物は、バインダー樹脂成分としてエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂などを更に含有していてもよい。但し、樹脂ペースト組成物は、実質的に芳香族系エポキシ樹脂を含有しないことが好ましい。樹脂ペースト組成物が芳香族系エポキシ樹脂を含有すると体積抵抗率が低下する傾向がある。 The resin paste composition may further contain an epoxy resin, a silicone resin, a urethane resin, an acrylic resin, or the like as a binder resin component. However, it is preferable that the resin paste composition does not substantially contain an aromatic epoxy resin. When the resin paste composition contains an aromatic epoxy resin, the volume resistivity tends to decrease.
ここで、「実質的に芳香族系エポキシ樹脂を含有しない」とは、体積抵抗率の急激な上昇が観測されない程度で、芳香族系エポキシ樹脂が微量に存在してもよいことを意味する。具体的には、芳香族系エポキシ樹脂の含有量が樹脂ペースト組成物の総量基準で０．１質量％以下であればよく、０．０５質量％以下であることが好ましい。また、芳香族系エポキシ樹脂を含有しないことがより好ましい。 Here, “substantially does not contain an aromatic epoxy resin” means that a small amount of aromatic epoxy resin may be present to such an extent that a rapid increase in volume resistivity is not observed. Specifically, the content of the aromatic epoxy resin may be 0.1% by mass or less, and preferably 0.05% by mass or less based on the total amount of the resin paste composition. Moreover, it is more preferable not to contain an aromatic epoxy resin.
樹脂ペースト組成物は、さらに必要に応じて、酸化カルシウム、酸化マグネシウム等の吸湿剤；フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、高級脂肪酸等の濡れ向上剤；シリコーン油等の消泡剤；無機イオン交換体等のイオントラップ剤；等を、適宜組み合わせて添加することができる。 If necessary, the resin paste composition may further comprise a hygroscopic agent such as calcium oxide or magnesium oxide; a wetting improver such as a fluorine-based surfactant, a nonionic surfactant or a higher fatty acid; an antifoaming agent such as silicone oil; An ion trapping agent such as an inorganic ion exchanger; and the like can be added in appropriate combination.
樹脂ペースト組成物は、上述した各成分を一括して又は分割して、撹拌器、ハイブリッドミキサー、ライカイ器、３本ロール、プラネタリーミキサー等の分散・溶解装置を適宜組み合わせた装置に投入し、必要に応じて加熱して、混合、溶解、解粒混練又は分散して均一なペースト状とすることにより得ることができる。 The resin paste composition is a batch or division of each of the above-described components, and is put into a device that is appropriately combined with a dispersion / dissolution device such as a stirrer, a hybrid mixer, a lyric device, a three roll, a planetary mixer, It can be obtained by heating, if necessary, mixing, dissolving, pulverizing kneading or dispersing to form a uniform paste.
樹脂ペースト組成物の２５℃における粘度は、作業性の観点から、３０〜２００Ｐａ・ｓであることが好ましく、４０〜１５０Ｐａ・ｓであることがより好ましく、４０〜８０Ｐａ・ｓであることがさらに好ましい。 From the viewpoint of workability, the viscosity at 25 ° C. of the resin paste composition is preferably 30 to 200 Pa · s, more preferably 40 to 150 Pa · s, and further preferably 40 to 80 Pa · s. preferable.
本実施形態に係る半導体装置は、支持部材と、半導体素子と、支持部材及び半導体素子の間に配置され、支持部材及び半導体素子を接着する接着層と、を備え、接着層が上記樹脂ペースト組成物の硬化物を含むものである。このような半導体装置は、上記樹脂ペースト組成物の硬化物により、支持部材と半導体素子とが接着されているため、電気伝導性及び信頼性に優れる。 The semiconductor device according to the present embodiment includes a support member, a semiconductor element, and an adhesive layer that is disposed between the support member and the semiconductor element and adheres the support member and the semiconductor element. It contains a cured product. Such a semiconductor device is excellent in electrical conductivity and reliability because the support member and the semiconductor element are bonded to each other by the cured product of the resin paste composition.
支持部材としては、例えば、４２アロイリードフレーム、銅リードフレーム等のリードフレーム、ガラスエポキシ基板（ガラス繊維強化エポキシ樹脂からなる基板）、ＢＴ基板（シアネートモノマー及びそのオリゴマーとビスマレイミドとからなるＢＴレジン使用基板）等の有機基板が挙げられる。 Examples of support members include lead frames such as 42 alloy lead frames and copper lead frames, glass epoxy substrates (substrates made of glass fiber reinforced epoxy resin), BT substrates (BT resins made of cyanate monomer and oligomers thereof and bismaleimide). Organic substrate).
樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子を支持部材上に接着する方法としては、例えば、以下の方法が挙げられる。 Examples of the method of bonding the semiconductor element on the support member using the resin paste composition include the following methods.
まず、支持部材上に樹脂ペースト組成物をディスペンス法、スクリーン印刷法、スタンピング法等の方法で塗布して、樹脂層を形成する。次いで、樹脂層の支持基材と反対側の面から半導体素子を圧着し、その後、オーブン、ヒートブロック等の加熱装置を用いて、樹脂層を加熱硬化する。これにより、支持部材上に半導体素子が接着される。 First, a resin paste composition is applied on a support member by a method such as a dispensing method, a screen printing method, or a stamping method to form a resin layer. Next, the semiconductor element is pressure-bonded from the surface of the resin layer opposite to the support base, and then the resin layer is heated and cured using a heating device such as an oven or a heat block. Thereby, a semiconductor element is adhere | attached on a supporting member.
支持部材上に半導体素子を接着した後、必要に応じてワイヤボンド工程、封止工程、等を行うことにより、本実施形態に係る半導体装置を得ることができる。なお、ワイヤボンド工程及び封止工程は、従来公知の方法により行うことができる。 After bonding the semiconductor element on the support member, the semiconductor device according to this embodiment can be obtained by performing a wire bonding step, a sealing step, and the like as necessary. The wire bonding step and the sealing step can be performed by a conventionally known method.
上記加熱硬化は、例えば、加熱温度１５０〜２２０℃（好ましくは１８０〜２００℃）、加熱時間３０秒〜２時間（好ましくは１時間〜１．５時間）の条件で行うことができる。 The heat curing can be performed, for example, under conditions of a heating temperature of 150 to 220 ° C. (preferably 180 to 200 ° C.) and a heating time of 30 seconds to 2 hours (preferably 1 hour to 1.5 hours).
通常、支持部材として有機基板を用いる場合には、有機基板が吸着した水分が接着時の加熱により蒸発してボイドの原因となるおそれがあるため、組み立て前に有機基板の乾燥を行うことが好ましい。 Usually, when an organic substrate is used as a support member, it is preferable to dry the organic substrate before assembly because moisture adsorbed by the organic substrate may evaporate due to heating during bonding and cause voids. .
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。 The preferred embodiment of the present invention has been described above, but the present invention is not limited to the above embodiment.
以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention more concretely, this invention is not limited to an Example.
実施例及び比較例で用いた成分を以下に例示する。
（１）（メタ）アクリロイルオキシ基を有する化合物
・ＦＡ−５１２Ａ（ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、日立化成工業（株）製、商品名、下記式（ａ−１）で表される化合物、（Ａ−１）成分）
・Ａ−ＴＭＰＴ（トリメチロールプロパントリアクリレート、新中村化学工業（株）製、商品名、下記式（ａ−２）で表される化合物、（Ａ−３）成分）
・ＴＭＰＴ（トリメチロールプロパントリメタクリレート、新中村化学工業（株）製、商品名、下記式（ａ−３）で表される化合物、（Ａ−３）成分）
The components used in Examples and Comparative Examples are exemplified below.
(1) Compound having (meth) acryloyloxy group FA-512A (dicyclopentenyloxyethyl acrylate, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name, compound represented by the following formula (a-1), (A -1) component)
A-TMPT (trimethylolpropane triacrylate, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., trade name, compound represented by the following formula (a-2), component (A-3))
TMPT (trimethylolpropane trimethacrylate, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., trade name, compound represented by the following formula (a-3), (A-3) component)
（２）（メタ）アクリロイルオキシ基を２個有する化合物
・ＳＲ−３４９（ＥＯ変性ビスフェノールＡジアクリレート、サートマー社製、商品名、下記式（ａ−４）で表される化合物、（Ａ−２）成分）
・ＦＡ−１２４Ｍ（１，４−ブタンジオールジメタクリレート、日立化成工業（株）製、商品名、下記式（ａ−５）で表される化合物、（Ａ−２）成分）
(2) Compound having two (meth) acryloyloxy groups: SR-349 (EO-modified bisphenol A diacrylate, manufactured by Sartomer, trade name, compound represented by the following formula (a-4), (A-2 )component)
FA-124M (1,4-butanediol dimethacrylate, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name, compound represented by the following formula (a-5), component (A-2))
（３）重合開始剤（（Ｂ）成分）
・トリゴノックス２２−７０Ｅ（化薬アクゾ（株）製、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサンの商品名）
（４）可とう化剤（（Ｃ）成分）
・ＣＴＢＮ−１００９ＳＰ−Ｓ（宇部興産（株）製、カルボキシ基を有するアクリロニトリルポリブタジエン共重合体の商品名）
・エポリードＰＢ−４７００（ダイセル化学工業（株）製、エポキシ化ポリブタジエンの商品名、エポキシ当量＝１５２．４〜１７７．８、数平均分子量＝３５００）
（５）アルミニウム粉（（Ｄ）成分）
・ＶＡ−２０００（山石金属（株）製、アルミニウム粉の製品名、形状：粒状、平均粒径＝６．７μｍ）
（６）アミン化合物（（Ｅ）成分）
・Ｄｉｃｙ（ジャパンエポキシレジン（株）製、ジシアンジアミドの商品名）
（７）銀粉
・ＡｇＣ−２１２ＤＨ（福田金属箔粉工業（株）製、銀粉の商品名、形状：燐片状、平均粒径＝２．９μｍ）
（８）カップリング剤
・ＳＺ−６０３０（東レダウコーニング（株）製、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン）
・ＫＢＭ−４０３（信越化学工業（株）製、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）
(3) Polymerization initiator (component (B))
Trigonox 22-70E (trade name of 1,1-bis (t-butylperoxy) cyclohexane manufactured by Kayaku Akzo Co., Ltd.)
(4) Flexible agent (component (C))
・ CTBN-1009SP-S (Ube Industries, Ltd., trade name of acrylonitrile polybutadiene copolymer having a carboxy group)
・ Epolide PB-4700 (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd., trade name of epoxidized polybutadiene, epoxy equivalent = 152.4 to 177.8, number average molecular weight = 3500)
(5) Aluminum powder (component (D))
・ VA-2000 (manufactured by Yamaishi Metal Co., Ltd., product name of aluminum powder, shape: granular, average particle size = 6.7 μm)
(6) Amine compound (component (E))
・ Dicy (Japan Epoxy Resin Co., Ltd., trade name of dicyandiamide)
(7) Silver powder / AgC-212DH (manufactured by Fukuda Metal Foil Powder Industry Co., Ltd., trade name of silver powder, shape: flake shaped, average particle size = 2.9 μm)
(8) Coupling agent SZ-6030 (manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd., 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane)
KBM-403 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane)
（実施例１〜２、比較例１〜６）
表１又は表２に示す配合割合（質量比）で各成分を混合し、プラネタリミキサを用いて混練した後、６６６．６１Ｐａ（５トル（Ｔｏｒｒ））以下で１０分間脱泡処理を行い、樹脂ペースト組成物を得た。得られた樹脂ペースト組成物の特性（ダイシェア接着強度、体積抵抗率）を以下に示す方法で測定した。結果は表１又は表２に示すとおりであった。
(Examples 1-2, Comparative Examples 1-6)
After mixing each component at the blending ratio (mass ratio) shown in Table 1 or 2 and kneading using a planetary mixer, defoaming treatment is performed for 10 minutes at 666.61 Pa (5 Torr) or less, and the resin A paste composition was obtained. The properties (die shear adhesive strength, volume resistivity) of the obtained resin paste composition were measured by the following methods. The results were as shown in Table 1 or Table 2.
（ダイシェア強度の測定）
樹脂ペースト組成物を、Ｎｉ／Ａｕメッキ付き銅フレーム（表２中、「Ｎｉ／Ａｕメッキ」と略称する。）、Ａｇめっき付き銅リードフレーム（表２中、「Ａｇスポットメッキ」と略称する。）及びＡｇリングめっき付き銅リードフレーム（表２中、「Ａｇリングメッキ」と略称する。）の各基板上にぞれぞれ約０．５ｍｇ塗布し、この上に３ｍｍ×３ｍｍのＳｉチップ（厚さ約０．４ｍｍ）を圧着し、さらにオーブンで１８０℃まで３０分で昇温し１８０℃で１時間硬化させて、試験サンプルを得た。
(Measurement of die shear strength)
The resin paste composition is abbreviated as Ni / Au plated copper frame (abbreviated as “Ni / Au plating” in Table 2) and Ag plated copper lead frame (abbreviated as “Ag spot plating” in Table 2). ) And a copper lead frame with Ag ring plating (abbreviated as “Ag ring plating” in Table 2), about 0.5 mg of each is applied, and a 3 mm × 3 mm Si chip ( A thickness of about 0.4 mm) was pressure-bonded and further heated in an oven to 180 ° C. in 30 minutes and cured at 180 ° C. for 1 hour to obtain a test sample.
得られた各試験サンプルについて、自動接着力試験装置（ＢＴ４０００、Ｄａｇｅ社製）を用い、２６０℃／２０秒保持時の剪断接着強度（ＭＰａ）を測定した。なおダイシェア強度の測定は、各基板について１０個ずつの試験サンプルで行い、その平均値を評価した。 About each obtained test sample, the shear adhesive strength (MPa) at the time of 260 degreeC / 20 second holding | maintenance was measured using the automatic adhesive force test apparatus (BT4000, Dage company make). The die shear strength was measured with 10 test samples for each substrate, and the average value was evaluated.
（体積抵抗率の測定）
図１は、体積抵抗率の測定に用いる試験サンプルの作製方法を示す模式図である。試験サンプルは、樹脂ペースト組成物、スライドグラス（東京硝子器機（株）製、寸法＝７６×２６ｍｍ、厚さ＝０．９〜１．２ｍｍ）、及び紙テープ（日東電工ＣＳシステム製、Ｎｏ．７２１０Ｆ、寸法幅＝１８ｍｍ、厚さ＝０．１０ｍｍ）を用いて、図１に示すように作製した。作製した試験サンプルについて、デジタルマルチメーター（ＴＲ６８４６、ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ社製）を用い、体積抵抗率（Ω・ｃｍ）を測定した。
(Measurement of volume resistivity)
FIG. 1 is a schematic view showing a method for producing a test sample used for measuring volume resistivity. Test samples were resin paste composition, slide glass (manufactured by Tokyo Glass Equipment Co., Ltd., dimensions = 76 × 26 mm, thickness = 0.9 to 1.2 mm), and paper tape (manufactured by Nitto Denko CS System, No. 7210F). , The width was 18 mm, and the thickness was 0.10 mm. About the produced test sample, volume resistivity ((omega | ohm) * cm) was measured using the digital multimeter (TR6846, ADVANTEST company make).
なお、試験サンプルは、以下の方法で作製した。まず図１（ａ）に示すように、スライドグラス１の主面上に、３枚の紙テープ２を紙テープ２同士の間隔が約２ｍｍとなるように貼り付けた。次いで、図１（ｂ）に示すように、樹脂ペースト組成物３を紙テープ２の間で露出したスライドグラス１上に置いた。そして、紙テープ２を除去し、オーブンで１８０℃で１時間加熱して樹脂ペースト組成物３を硬化させ、図１（ｃ）に示す試験サンプル１０を作製した。作製した試験サンプル１０は、スライドグラス１の主面上に樹脂ペースト組成物の硬化物からなる２ｍｍ幅の樹脂層４が設けらた構造を有している。この樹脂層４の体積抵抗率を、上記の方法で測定した。
In addition, the test sample was produced with the following method. First, as shown in FIG. 1A, on the main surface of the
表１及び表２に記載のとおり、実施例の樹脂ペースト組成物では希少価値が高い銀を大量に用いずとも、優れた電気伝導性が得られた。また、実施例の樹脂ペースト組成物は、いずれの基板に対しても高いダイシェア強度を示し、優れた接着性を有するものであった。 As shown in Tables 1 and 2, the resin paste compositions of the examples obtained excellent electrical conductivity without using a large amount of silver having a high rare value. Moreover, the resin paste composition of an Example showed the high die shear strength with respect to any board | substrate, and had the outstanding adhesiveness.
１…スライドグラス、２…紙テープ、３…樹脂ペースト組成物、４…樹脂層、１０…試験サンプル。
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記アルミニウム粉の平均粒径が２〜１０μｍである、請求項１又は２に記載の半導体素子接着用樹脂ペースト組成物。 The shape of the aluminum powder is granular,
The resin paste composition for adhering a semiconductor element according to claim 1 or 2, wherein the average particle diameter of the aluminum powder is 2 to 10 µm.
前記銀粉の平均粒径が１〜５μｍである、請求項４に記載の半導体素子接着用樹脂ペースト組成物。 The shape of the silver powder is flaky,
The resin paste composition for adhering a semiconductor element according to claim 4, wherein the silver powder has an average particle diameter of 1 to 5 μm.
前記接着層が、請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体素子接着用樹脂ペースト組成物の硬化物を含む、半導体装置。 A support member, a semiconductor element, and an adhesive layer that is disposed between the support member and the semiconductor element and adheres the support member and the semiconductor element.
The semiconductor device in which the said contact bonding layer contains the hardened | cured material of the resin paste composition for semiconductor element adhesion as described in any one of Claims 1-7.
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015052035A (en) * | 2013-09-05 | 2015-03-19 | ナミックス株式会社 | Resin composition, first-supply type semiconductor sealant and semiconductor device |
| JP2016088992A (en) * | 2014-10-31 | 2016-05-23 | 京セラケミカル株式会社 | Resin composition for semiconductor adhesion and semiconductor device |
| CN109651977A (en) * | 2018-12-25 | 2019-04-19 | 杭州之江新材料有限公司 | A kind of epoxy one-component structure glue and preparation method thereof |
Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09291259A (en) * | 1996-04-26 | 1997-11-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Low-temperature heating curable type anisotropic electroconductive adhesive |
| JPH10275522A (en) * | 1997-03-28 | 1998-10-13 | Toshiba Corp | Conductive resin paste, package board using it, and semi-conductor package |
| JP2000265119A (en) * | 1999-03-16 | 2000-09-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die attach paste |
| JP2002012602A (en) * | 2000-06-27 | 2002-01-15 | Hitachi Chem Co Ltd | Resin paste composition and semiconductor device using the same |
| JP2003124237A (en) * | 2001-10-10 | 2003-04-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die attach paste and semiconductor device |
| JP2004018715A (en) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Hitachi Chem Co Ltd | Resin paste composition and semiconductor device using the same |
| JP2005197118A (en) * | 2004-01-08 | 2005-07-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Metal containing paste and semiconductor device |
| JP2006199824A (en) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Soken Chem & Eng Co Ltd | Anisotropic conductive adhesive tape and anisotropic conductive bonded circuit board |
| JP2006241368A (en) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Resin composition and semiconductor device fabricated by using resin composition |
| JP2007238680A (en) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Resin composition and semiconductor device produced by using resin composition |
| JP2007308708A (en) * | 2007-05-28 | 2007-11-29 | Hitachi Chem Co Ltd | Resin paste composition and semiconductor device using the same |
| JP2008101151A (en) * | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Curable composition |
| WO2009096459A1 (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-06 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Resin composition, and method for temporarily fixing workpiece |
| JP2010225312A (en) * | 2009-03-19 | 2010-10-07 | Hitachi Chem Co Ltd | Resin paste composition and semiconductor device |
| WO2011158753A1 (en) * | 2010-06-17 | 2011-12-22 | 日立化成工業株式会社 | Resin paste composition |
-
2011
- 2011-03-14 JP JP2011055457A patent/JP2012188622A/en active Pending
Patent Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09291259A (en) * | 1996-04-26 | 1997-11-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Low-temperature heating curable type anisotropic electroconductive adhesive |
| JPH10275522A (en) * | 1997-03-28 | 1998-10-13 | Toshiba Corp | Conductive resin paste, package board using it, and semi-conductor package |
| JP2000265119A (en) * | 1999-03-16 | 2000-09-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die attach paste |
| JP2002012602A (en) * | 2000-06-27 | 2002-01-15 | Hitachi Chem Co Ltd | Resin paste composition and semiconductor device using the same |
| JP2003124237A (en) * | 2001-10-10 | 2003-04-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die attach paste and semiconductor device |
| JP2004018715A (en) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Hitachi Chem Co Ltd | Resin paste composition and semiconductor device using the same |
| JP2005197118A (en) * | 2004-01-08 | 2005-07-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Metal containing paste and semiconductor device |
| JP2006199824A (en) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Soken Chem & Eng Co Ltd | Anisotropic conductive adhesive tape and anisotropic conductive bonded circuit board |
| JP2006241368A (en) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Resin composition and semiconductor device fabricated by using resin composition |
| JP2007238680A (en) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Resin composition and semiconductor device produced by using resin composition |
| JP2008101151A (en) * | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Curable composition |
| JP2007308708A (en) * | 2007-05-28 | 2007-11-29 | Hitachi Chem Co Ltd | Resin paste composition and semiconductor device using the same |
| WO2009096459A1 (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-06 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Resin composition, and method for temporarily fixing workpiece |
| JP2010225312A (en) * | 2009-03-19 | 2010-10-07 | Hitachi Chem Co Ltd | Resin paste composition and semiconductor device |
| WO2011158753A1 (en) * | 2010-06-17 | 2011-12-22 | 日立化成工業株式会社 | Resin paste composition |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015052035A (en) * | 2013-09-05 | 2015-03-19 | ナミックス株式会社 | Resin composition, first-supply type semiconductor sealant and semiconductor device |
| JP2016088992A (en) * | 2014-10-31 | 2016-05-23 | 京セラケミカル株式会社 | Resin composition for semiconductor adhesion and semiconductor device |
| CN109651977A (en) * | 2018-12-25 | 2019-04-19 | 杭州之江新材料有限公司 | A kind of epoxy one-component structure glue and preparation method thereof |
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