JP2012174087A - Power-supply device operation circuit - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電源装置運転回路に関し、特に、オアリングFETを備える電源装置運転回路に関するものである。 The present invention relates to a power supply device operation circuit, and more particularly to a power supply device operation circuit including an ORing FET.
並列運転している電源が故障した時、活線挿抜して故障電源をリペアする際、新しく電源を挿入したときに出力コンデンサへの急速充電電流の発生を防ぐため、通常、電源装置の出力端に逆流防止のオアリング回路を使用する。 When a power supply operating in parallel fails, when repairing the failed power supply by hot-plugging, the output terminal of the power supply unit is usually used to prevent the occurrence of rapid charging current to the output capacitor when a new power supply is inserted. Use an ORing circuit to prevent backflow.
ここで、電源装置が故障した時、故障した電源装置に電流が逆流して、並列運転している他の電源から電流を引き込む場合がある。この場合、正常動作している電源装置が停止してしまわないように、オアリングFETを備えたオアリング回路(電源装置運転回路)を使用し、オアリングFETをオン/オフ制御させる。 Here, when a power supply device fails, the current flows back to the failed power supply device, and current may be drawn from another power supply operating in parallel. In this case, an ORING FET (power supply device operation circuit) including an ORing FET is used to control the ON / OFF of the ORING FET so that a normally operating power supply device does not stop.
なお、従来技術として、特許文献1や特許文献2等がある。
In addition, there exist
しかし、近年電源装置の出力電流の大電流化に伴って、オアリングFETを複数使用しなければならなくなった。オアリングFETを複数使用した場合、FETの総入力容量も増えるため、電流の逆流を検出してからオフする時間に遅れが生じる問題がある。このような問題が発生する場合、FETのオフする時間が遅れることで逆電流により、電源装置の内部回路部品が故障してしまう可能性がある。 However, with the recent increase in the output current of the power supply device, it has become necessary to use a plurality of ORing FETs. When a plurality of ORing FETs are used, the total input capacity of the FETs also increases, and there is a problem that a delay occurs in the time for turning off after detecting the backflow of current. When such a problem occurs, there is a possibility that the internal circuit components of the power supply device may break down due to the reverse current due to the delay of the FET turn-off time.
本発明の目的は、逆流電流を低減し、電源装置内部回路等の故障を防ぐ電源装置運転回路を提供することである。 An object of the present invention is to provide a power supply operation circuit that reduces a backflow current and prevents a failure of a power supply internal circuit or the like.
本発明は、電源装置と装置負荷との間に接続され、前記電源装置から前記装置負荷への電力供給を制御する電源装置運転回路であって、前記電源装置と前記装置負荷とを接続する電流経路に対して並列接続され、それぞれ第1、第2の制御信号に応じてオン状態からオフ状態に制御される第1、第2のオアリングトランジスタと、前記電流経路に流れる電流量をモニターするモニター部と、前記モニター部からのモニター結果から前記電流経路に流れる電流が、第1の値となった場合、前記第1の制御信号により第1のオアリングトランジスタをオン状態からオフ状態とし、前記第1の値よりも小さい第2の値となった場合、前記第2の制御信号により前記第2のオアリングトランジスタをオン状態からオフ状態とする検出回路と、を有する電源装置運転回路である。 The present invention is a power supply device operation circuit that is connected between a power supply device and a device load and controls power supply from the power supply device to the device load, and is a current that connects the power supply device and the device load. The first and second ORing transistors connected in parallel to the path and controlled from the on state to the off state according to the first and second control signals, respectively, and the amount of current flowing through the current path are monitored. When the current flowing through the current path from the monitoring unit and the monitoring result from the monitoring unit becomes the first value, the first ORing transistor is turned off from the on state by the first control signal, A detection circuit that turns the second ORing transistor from an on state to an off state by the second control signal when the second value is smaller than the first value. Source device is an operation circuit.
本発明は、逆流電流を低減し、電源装置の故障を防ぐことができる。 The present invention can reduce a backflow current and prevent a failure of a power supply device.
発明の実施の形態1
以下、本発明を適用した具体的な実施の形態1について、図面を参照しながら詳細に説明する。この実施の形態1は、本発明を電源装置運転回路に適用したものである。 Hereinafter, a specific first embodiment to which the present invention is applied will be described in detail with reference to the drawings. In the first embodiment, the present invention is applied to a power supply apparatus operation circuit.
図1に本実施の形態にかかる電源装置運転回路100の構成を示す。なお、この電源装置運転回路100は、図2に示すように、複数の電源装置と装置負荷RZとの間に並列に配置され、複数の電源装置からの電力を装置負荷RZに供給する。なお、電源装置運転回路100のそれぞれと装置負荷RZとは、ノードN1とで接続される。
FIG. 1 shows a configuration of a power
図1に示すように、電源装置運転回路100は、電流検出抵抗Rsと、検出回路10と、オアリングFET制御回路11〜13と、FET(Field Effect Transistor)Q11〜Q13と、端子T11〜T13とを有する。
As shown in FIG. 1, the power supply
端子T11は、電源装置の出力ラインと接続される。端子T12は、装置負荷RZの接続ノード(図2のノードN1)に接続される。端子T13は、接地端子GNDに接続される。 The terminal T11 is connected to the output line of the power supply device. Terminal T12 is connected to a connection node (node N1 in FIG. 2) of device load RZ. The terminal T13 is connected to the ground terminal GND.
電流検出抵抗Rsは、一端が端子T11、他端が端子T12に接続される。ここで、電流検出抵抗Rsの一端側の電圧をV2、他端側の電圧をV1とする。なお、電流検出抵抗Rsに電流I1が流れるとすると、電流検出抵抗Rsの両端間の電位差(V2−V1)はI1×Rsとなる。ここで、電源装置の不具合により、電流の逆流が発生した場合、I1が減少するため、電流検出抵抗Rsの両端間の電位差(V2−V1)も減少する。 The current detection resistor Rs has one end connected to the terminal T11 and the other end connected to the terminal T12. Here, the voltage at one end of the current detection resistor Rs is V2, and the voltage at the other end is V1. If the current I1 flows through the current detection resistor Rs, the potential difference (V2−V1) between both ends of the current detection resistor Rs is I1 × Rs. Here, when a backflow of current occurs due to a malfunction of the power supply device, I1 decreases, so the potential difference (V2−V1) between both ends of the current detection resistor Rs also decreases.
このように、電流検出抵抗Rsの両端の電位差(V2−V1)により、端子T11、T12を結ぶ電流経路に流れる電流量をモニターすることができる。このため、電流検出抵抗Rsを電流量をモニターするモニター部とみなすことができる。 Thus, the amount of current flowing through the current path connecting the terminals T11 and T12 can be monitored by the potential difference (V2−V1) between both ends of the current detection resistor Rs. Therefore, the current detection resistor Rs can be regarded as a monitor unit that monitors the amount of current.
FETQ11は、端子T11とT12とを結ぶ電流経路にソースとドレインが接続される。また、ゲートにオアリングFET制御回路11からのゲート制御信号P11が入力される。FETQ12は、端子T11とT12とを結ぶ電流経路にソースとドレインが接続される。また、ゲートにオアリングFET制御回路12からのゲート制御信号P12が入力される。FETQ13は、端子T11とT12とを結ぶ電流経路にソースとドレインが接続される。また、ゲートにオアリングFET制御回路13からのゲート制御信号P13が入力される。
The FET Q11 has a source and a drain connected to a current path connecting the terminals T11 and T12. The gate control signal P11 from the ORing
オアリングFET制御回路11は、検出制御信号S11に応じて、FETQ11をオンからオフ状態とするようゲート制御信号P11を出力する。例えば、ロウレベルの検出制御信号S11を入力すると、ゲート制御信号P11をロウレベルとし、FETQ11をオフ状態とする。
In response to the detection control signal S11, the ORing
オアリングFET制御回路12は、検出制御信号S12に応じて、FETQ12をオンからオフ状態とするようゲート制御信号P12を出力する。例えば、ロウレベルの検出制御信号S12を入力すると、ゲート制御信号P12をロウレベルとし、FETQ12をオフ状態とする。
In response to the detection control signal S12, the ORing
オアリングFET制御回路13は、検出制御信号S13に応じて、FETQ13をオンからオフ状態とするようゲート制御信号P13を出力する。例えば、ロウレベルの検出制御信号S13を入力すると、ゲート制御信号P13をロウレベルとし、FETQ13をオフ状態とする。
In response to the detection control signal S13, the ORing
検出回路10は、電圧V2とV1との電位差に応じて、検出制御信号S11〜S13を出力する。図3に検出回路10の構成を示す。図3に示すように、検出回路10は、オペアンプZ1と、コンパレータZ2〜Z4と、抵抗R1〜R7と、端子T21〜T25とを有する。
The
端子T21は、電圧V1を入力する。端子T22は、電圧V2を入力する。 The terminal T21 receives the voltage V1. A voltage V2 is input to the terminal T22.
抵抗R1は、端子T21とノードN21との間に接続される。抵抗R2は、ノードN21とノードN23との間に接続される。抵抗R3は、端子T22とノードN22との間に接続される。抵抗R4は、ノードN21と接地端子GNDとの間に接続される。 The resistor R1 is connected between the terminal T21 and the node N21. The resistor R2 is connected between the node N21 and the node N23. The resistor R3 is connected between the terminal T22 and the node N22. The resistor R4 is connected between the node N21 and the ground terminal GND.
オペアンプZ1は、反転入力端子がノードN21、非反転入力端子がノードN22、出力端子がノードN23に接続される。 The operational amplifier Z1 has an inverting input terminal connected to the node N21, a non-inverting input terminal connected to the node N22, and an output terminal connected to the node N23.
上記接続構成からもわかるように、抵抗R1〜R4とオペアンプZ1とで差動増幅回路が構成される。このため、ノードN23には、電流検出抵抗Rsの両端間の電位差(V1−V2)が増幅された電圧V3が印加される。 As can be seen from the above connection configuration, the resistors R1 to R4 and the operational amplifier Z1 constitute a differential amplifier circuit. Therefore, the voltage V3 obtained by amplifying the potential difference (V1−V2) between both ends of the current detection resistor Rs is applied to the node N23.
コンパレータZ2は、非反転入力端子がノードN23に接続され、反転入力端子にリファレンス電圧Vref1が入力され、出力端子が端子T23に接続される。抵抗R5は、電源端子Vccと端子T23との間に接続される。なお、端子T23に印加される電圧は、検出回路10から検出制御信号S11としてオアリングFET制御回路11へ出力される。
The comparator Z2 has a non-inverting input terminal connected to the node N23, a reference voltage Vref1 input to the inverting input terminal, and an output terminal connected to the terminal T23. The resistor R5 is connected between the power supply terminal Vcc and the terminal T23. The voltage applied to the terminal T23 is output from the
コンパレータZ2は、ノードN23の電圧V3が、リファレンス電圧Vref1よりも小さい場合、ロウレベルの検出制御信号S11、リファレンス電圧Vref1よりも高い場合、ハイレベルの検出制御信号S11を出力する。 The comparator Z2 outputs a low-level detection control signal S11 when the voltage V3 of the node N23 is lower than the reference voltage Vref1, and outputs a high-level detection control signal S11 when higher than the reference voltage Vref1.
コンパレータZ3は、非反転入力端子がノードN23に接続され、反転入力端子にリファレンス電圧Vref2が入力され、出力端子が端子T24に接続される。抵抗R6は、電源端子Vccと端子T24との間に接続される。なお、端子T24に印加される電圧は、検出回路10から検出制御信号S12としてオアリングFET制御回路12へ出力される。
The comparator Z3 has a non-inverting input terminal connected to the node N23, a reference voltage Vref2 input to the inverting input terminal, and an output terminal connected to the terminal T24. The resistor R6 is connected between the power supply terminal Vcc and the terminal T24. The voltage applied to the terminal T24 is output from the
コンパレータZ3は、ノードN23の電圧V3が、リファレンス電圧Vref2よりも小さい場合、ロウレベルの検出制御信号S12、リファレンス電圧Vref2よりも高い場合、ハイレベルの検出制御信号S12を出力する。 The comparator Z3 outputs a low-level detection control signal S12 when the voltage V3 at the node N23 is lower than the reference voltage Vref2, and a high-level detection control signal S12 when it is higher than the reference voltage Vref2.
コンパレータZ4は、非反転入力端子がノードN23に接続され、反転入力端子にリファレンス電圧Vref3が入力され、出力端子が端子T25に接続される。抵抗R6は、電源端子Vccと端子T25との間に接続される。なお、端子T25に印加される電圧は、検出回路10から検出制御信号S13としてオアリングFET制御回路13へ出力される。
The comparator Z4 has a non-inverting input terminal connected to the node N23, a reference voltage Vref3 input to the inverting input terminal, and an output terminal connected to the terminal T25. The resistor R6 is connected between the power supply terminal Vcc and the terminal T25. The voltage applied to the terminal T25 is output from the
コンパレータZ4は、ノードN23の電圧V3が、リファレンス電圧Vref3よりも小さい場合、ロウレベルの検出制御信号S13、リファレンス電圧Vref3よりも高い場合、ハイレベルの検出制御信号S13を出力する。 The comparator Z4 outputs a low level detection control signal S13 when the voltage V3 of the node N23 is lower than the reference voltage Vref3, and a high level detection control signal S13 when higher than the reference voltage Vref3.
ここで、上記リファレンス電圧Vref1〜Vref3の関係は、Vref1>Vref2>Vref3である。 Here, the relationship between the reference voltages Vref1 to Vref3 is Vref1> Vref2> Vref3.
次に、本実施の形態1にかかる電源装置運転回路100の動作について図4を用いて説明する。図4に電源装置運転回路100の動作を説明するためのノードN23の電圧、検出制御信号S11〜S13、FETQ11〜Q13の時間に対する遷移状態を示す。
Next, operation | movement of the power supply
検出回路10は、電流検出抵抗Rsの両端の電位差(V1−V2)を検出する。電源装置の不具合や装置負荷RZの変動等により電流の逆流が発生すると、電流検出抵抗Rsに流れる電流も減少する。そして、電流検出抵抗Rsに流れる電流が減少すると、電流検出抵抗Rsの両端の電位差(V1−V2)も減少し、図4のようにノードN23の電圧V3も減少する。
The
時刻t1に電圧V3がリファレンス電圧Vref1よりも低下すると、コンパレータZ2の出力がロウレベルとなり、ロウレベルの検出制御信号S11が検出回路10から出力される。オアリングFET制御回路11は、ロウレベルの検出制御信号S11に応じて、ゲート制御信号P11によりFETQ11をオン状態からオフ状態に遷移させる。
When the voltage V3 falls below the reference voltage Vref1 at time t1, the output of the comparator Z2 becomes low level, and the detection control signal S11 of low level is output from the
さらに電圧V3が低下し、時刻t2にリファレンス電圧Vref2よりも低下すると、コンパレータZ3の出力がロウレベルとなり、ロウレベルの検出制御信号S12が検出回路10から出力される。オアリングFET制御回路12は、ロウレベルの検出制御信号S12に応じて、ゲート制御信号P12によりFETQ12をオン状態からオフ状態に遷移させる。
When the voltage V3 further decreases and becomes lower than the reference voltage Vref2 at time t2, the output of the comparator Z3 becomes low level, and the low level detection control signal S12 is output from the
さらに電圧V3が低下し、時刻t3にリファレンス電圧Vref3よりも低下すると、コンパレータZ4の出力がロウレベルとなり、ロウレベルの検出制御信号S13が検出回路10から出力される。オアリングFET制御回路13は、ロウレベルの検出制御信号S13に応じて、ゲート制御信号P13によりFETQ13をオン状態からオフ状態に遷移させる。
When the voltage V3 further decreases and becomes lower than the reference voltage Vref3 at time t3, the output of the comparator Z4 becomes low level, and the low level detection control signal S13 is output from the
ここで、近年電源装置の出力電流の大電流化に伴って、オアリングFETを複数使用しなければならなくなっており、オアリングFETを複数使用した場合、FETの総入力容量も増える。従来の技術では電源装置の不具合により電流の逆流を検出しても、複数のオアリングFETの総入力容量が大きい場合、逆流電流の検出からオアリングFETオフまでの時間に遅れが生じる問題があった。この遅れによる逆電流により電源内部回路部品が故障してしまう問題があった。 Here, in recent years, with the increase in the output current of the power supply device, it has become necessary to use a plurality of ORing FETs. When a plurality of ORing FETs are used, the total input capacity of the FETs also increases. In the prior art, even if a reverse current flow is detected due to a malfunction of the power supply device, there is a problem that a delay occurs between the detection of the reverse current and the turning off of the OR FET when the total input capacitance of the plurality of ORing FETs is large. There was a problem that the internal circuit components of the power supply failed due to the reverse current due to this delay.
しかし、本実施の形態1の電源装置運転回路100では、逆流電流の増加に伴う電流検出抵抗Rsの両端間の電位差の低下に応じて、複数あるオアリングFETを段階的にオフ状態としていく。このように、出力負荷に応じてオン状態のオアリングFETの数を制御することができる。このことはFETの総入力容量も段階的に減らすことが可能であることを意味し、オアリングFETオフまでの時間を短縮でき、従来技術で問題となっていた電源内部回路部品の故障を防ぐが可能となる。
However, in the power supply
発明の実施の形態2 Embodiment 2 of the Invention
以下、本発明を適用した具体的な実施の形態2について、図面を参照しながら詳細に説明する。この実施の形態2も、実施の形態1と同様、本発明を電源装置運転回路に適用したものである。 Hereinafter, a specific second embodiment to which the present invention is applied will be described in detail with reference to the drawings. In the second embodiment, as in the first embodiment, the present invention is applied to a power supply apparatus operation circuit.
図5に本実施の形態2にかかる電源装置運転回路200の構成を示す。図5に示すように、電源装置運転回路200は、カレントトランス回路CT1と、抵抗Rctと、検出回路10と、オアリングFET制御回路11〜13と、FETQ11〜Q13と、端子T11〜T13とを有する。
FIG. 5 shows a configuration of a power supply
なお、図5に示された符号のうち、図1と同じ符号を付した構成は、図1と同じか又は類似の構成を示している。本実施の形態2が、実施の形態1と異なるのは電流検出抵抗Rsの代わりに、カレントトランス回路CT1と抵抗Rctを用いる点である。よって、本実施の形態2では、その相違する部分のみの説明を記載し、実施の形態1と同様の部分の説明は省略する。 In addition, the structure which attached | subjected the code | symbol same as FIG. 1 among the code | symbols shown in FIG. 5 has shown the structure similar to or similar to FIG. The second embodiment is different from the first embodiment in that a current transformer circuit CT1 and a resistor Rct are used instead of the current detection resistor Rs. Therefore, in the second embodiment, only the differences are described, and the description of the same parts as in the first embodiment is omitted.
カレントトランス回路CT1は、1次巻線側の一端が端子T11、他端が端子T12に接続され、2次巻線側の一端がノードN31、他端がノードN32に接続される。このカレントトランス回路CT11は、実施の形態1の電流検出抵抗Rsと同様、電流検出を行うが、2次巻線側に流れる電流量を1次側対2次側の巻数比Mで制御可能である。例えば、1次巻線側に電流I1が流れた場合、2次巻線側にはI1×Mが流れる。 In the current transformer circuit CT1, one end on the primary winding side is connected to the terminal T11, the other end is connected to the terminal T12, one end on the secondary winding side is connected to the node N31, and the other end is connected to the node N32. Although this current transformer circuit CT11 performs current detection like the current detection resistor Rs of the first embodiment, the amount of current flowing to the secondary winding side can be controlled by the turn ratio M of the primary side to the secondary side. is there. For example, when a current I1 flows on the primary winding side, I1 × M flows on the secondary winding side.
抵抗Rctは、一端がノードN31、他端がノードN32に接続される。抵抗Rctには、上述したカレントトランス回路CT1の2次巻線側に流れる電流が流れるが、一端側の電圧をV2、他端側の電圧をV1とする。抵抗Rctに電流I1×Mが流れるとすると、抵抗Rctの両端間の電位差(V2−V1)はI1×M×Rctとなる。 The resistor Rct has one end connected to the node N31 and the other end connected to the node N32. A current flowing through the secondary winding side of the above-described current transformer circuit CT1 flows through the resistor Rct. The voltage on one end side is V2, and the voltage on the other end side is V1. Assuming that the current I1 × M flows through the resistor Rct, the potential difference (V2−V1) between both ends of the resistor Rct is I1 × M × Rct.
この電圧V1とV2が実施の形態1と同様、検出回路10に入力される。なお、電源装置の不具合や装置負荷RZの変動等により電流の逆流が発生した場合、I1が減少するため、実施の形態1と同様、抵抗Rctの両端間の電位差(V2−V1)も減少する。
The voltages V1 and V2 are input to the
このように、抵抗Rctの両端の電位差(V2−V1)により、端子T11、T12を結ぶ電流経路に流れる電流量をモニターすることができる。このため、カレントトランス回路CT1と抵抗Rctをモニター部とみなすことができる。 Thus, the amount of current flowing through the current path connecting the terminals T11 and T12 can be monitored by the potential difference (V2−V1) between both ends of the resistor Rct. For this reason, the current transformer circuit CT1 and the resistor Rct can be regarded as a monitor unit.
この電位差(V2−V1)の減少による検出回路10の動作は実施の形態1での説明と同様である。つまり、上述したカレントトランス回路CT1、抵抗Rct以外の電源装置運転回路200の動作については、実施の形態1と同様であり、動作を説明するための図も図4と同様である。このため、ここでの説明は省略する。
The operation of the
本実施の形態2にかかる電源装置運転回路200は、電流検出を実施の形態1の電流検出抵抗Rsの代わりにカレントトランス回路CT1を用いており、電流検出抵抗Rsで電流検出するよりも抵抗Rctの損失が減少するという効果が得られる。他の効果は実施の形態1と同様である。
The power supply
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものでなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、上述した実施の形態ではオアリングFETを並列して3個配置したが、更に複数とする構成でもかまわない。 Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be changed as appropriate without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above-described embodiment, three ORing FETs are arranged in parallel, but a configuration in which a plurality of FETs are further provided may be used.
100、200 電源装置運転回路
Rs 電流検出抵抗
10 検出回路
11〜13 オアリングFET制御回路
Q11〜Q13 FET
T11〜T13 端子
Z1 オペアンプ
Z2〜Z4 コンパレータ
R1〜R7 抵抗
T21〜T25 端子
CT1 カレントトランス回路
Rct 抵抗
100, 200 Power supply device operation circuit Rs
T11 to T13 terminal Z1 operational amplifier Z2 to Z4 comparator R1 to R7 resistance T21 to T25 terminal CT1 current transformer circuit Rct resistance
Claims (5)
前記電源装置と前記装置負荷とを接続する電流経路に対して並列接続され、それぞれ第1、第2の制御信号に応じてオン状態からオフ状態に制御される第1、第2のオアリングトランジスタと、
前記電流経路に流れる電流量をモニターするモニター部と、
前記モニター部からのモニター結果から前記電流経路に流れる電流が、第1の値となった場合、前記第1の制御信号により第1のオアリングトランジスタをオン状態からオフ状態とし、前記第1の値よりも小さい第2の値となった場合、前記第2の制御信号により前記第2のオアリングトランジスタをオン状態からオフ状態とする検出回路と、を有する
電源装置運転回路。 A power supply device operation circuit connected between a power supply device and a device load and controlling power supply from the power supply device to the device load,
First and second ORing transistors that are connected in parallel to a current path that connects the power supply device and the device load, and are controlled from an on state to an off state in response to first and second control signals, respectively. When,
A monitor for monitoring the amount of current flowing in the current path;
When the current flowing through the current path becomes a first value from the monitoring result from the monitoring unit, the first ORing transistor is turned off from the on state by the first control signal, and the first And a detection circuit that turns the second ORing transistor from an on state to an off state by the second control signal when the second value is smaller than the second value.
前記検出回路は、前記電流検出抵抗の両端の電位差を基に、前記電流経路に流れる電流量を検出する
請求項1に記載の電源装置運転回路。 The monitor unit has a current detection resistor disposed on the current path,
The power supply device operation circuit according to claim 1, wherein the detection circuit detects an amount of current flowing through the current path based on a potential difference between both ends of the current detection resistor.
一次巻線側が前記電流経路上に配置されるカレントトランスと、
前記カレントトランスの二次巻線側の両端に接続される第1の抵抗と、を有し、
前記検出回路は、前記第1の抵抗の両端の電位差を基に、前記電流経路に流れる電流量を検出する
請求項1に記載の電源装置運転回路。 The monitor unit is
A current transformer in which a primary winding side is disposed on the current path;
A first resistor connected to both ends on the secondary winding side of the current transformer,
The power supply device operation circuit according to claim 1, wherein the detection circuit detects an amount of current flowing through the current path based on a potential difference between both ends of the first resistor.
前記アンプの出力電圧が、前記第1の値に応じた第1のリファレンス電圧以下になった場合、前記第1の制御信号を出力する第1のコンパレータと、
前記アンプの出力電圧が、前記第2の値に応じた第2のリファレンス電圧以下になった場合、前記第2の制御信号を出力する第2のコンパレータと、を有する
請求項2または請求項3に記載の電源装置運転回路。 The detection circuit includes an amplifier that amplifies the potential difference;
A first comparator that outputs the first control signal when the output voltage of the amplifier is equal to or lower than a first reference voltage corresponding to the first value;
4. A second comparator that outputs the second control signal when an output voltage of the amplifier becomes equal to or lower than a second reference voltage corresponding to the second value. The power supply device operation circuit described in 1.
前記第2のオアリングトランジスタの制御端子と前記検出回路との間に接続される第2のオアリングトランジスタ制御回路と、を有し、
前記第1のオアリングトランジスタ制御回路は、前記第1の制御信号に応じて、前記第1のオアリングトランジスタをオフ状態からオン状態に駆動し、
前記第2のオアリングトランジスタ制御回路は、前記第2の制御信号に応じて、前記第2のオアリングトランジスタをオフ状態からオン状態に駆動する
請求項4に記載の電源装置運転回路。 A first ORing transistor control circuit connected between a control terminal of the first ORing transistor and the detection circuit;
A second ORing transistor control circuit connected between a control terminal of the second ORing transistor and the detection circuit;
The first ORing transistor control circuit drives the first ORing transistor from an OFF state to an ON state in response to the first control signal,
The power supply device operation circuit according to claim 4, wherein the second ORing transistor control circuit drives the second ORing transistor from an OFF state to an ON state in response to the second control signal.
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