JP2014176242A - Power unit, power supply control method and electronic apparatus - Google Patents

Power unit, power supply control method and electronic apparatus Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power unit capable of fast recovering a normal power supply state in the case where a failure occurs in any one of a plurality of power sources.SOLUTION: In the power unit comprising an ORing circuit 21 at an output side of each of a plurality of power sources connected in parallel, each ORing circuit 21 includes first, second and third transistors Q1, Q2 and Q3 formed from a plurality of switch elements such as MOSFETs connected in parallel, and second and third Zener diodes ZD2 and ZD3 and second and third resistors Rz2 and Rz3 are connected to gate terminals of the second and third transistors Q2 and Q3. When resuming power supply to a side of a load 30 after a failure occurs in any power source and all the plurality of switch elements of the respective power sources are switched to OFF state, the first transistor Q1 is first recovered to ON state and the second and third transistors Q2 and Q3 are then recovered to the ON state step by step while being delayed for a predetermined time from the first transistor Q1.

Description

本発明は、電源装置、電源制御方法および電子装置に関し、特に、複数の電源のいずれかに故障が発生した際に正常な電圧供給状態に高速復帰することが可能な電源装置、電源制御方法および電子装置に関する。   The present invention relates to a power supply device, a power supply control method, and an electronic device, and in particular, a power supply device that can quickly return to a normal voltage supply state when any of a plurality of power supplies fails, a power supply control method, and The present invention relates to an electronic device.

並列動作する複数の電源で構成された電子装置において、いずれかの電源に故障が発生した場合に、正常に動作している他の電源を保護することと、電子装置の稼動を継続しながら故障した電源の交換を行うこととの双方を目的にして、例えば、特許文献1の特開2011−200016号公報「電源装置」等にも記載されているように、ORing回路(オアリング回路:逆流防止回路)が電源装置に組み込まれている。最近のORing回路内のスイッチ素子としては、ダイオードよりも電力損失が少ないMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)を用い、電源の起動時、定常時、故障した際の異常時等の各状態に応じて、MOSFETの駆動を制御するようにしている。   In the case of an electronic device consisting of multiple power supplies operating in parallel, if one of the power supplies fails, the other power supply that is operating normally can be protected and the electronic device can continue to operate For example, as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-200016 “Power supply device” in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-200016, for example, an ORing circuit (oring circuit: backflow prevention) Circuit) is incorporated into the power supply. As a switch element in a recent ORing circuit, MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) with less power loss than a diode is used. The driving of the MOSFET is controlled according to the state.

特開2011−200016号公報(第2−3頁)JP2011-200016 (page 2-3)

しかしながら、電源装置のORing回路内のスイッチ素子としてMOSFETを用いる場合、電源の大電流化に伴い、並列接続するMOSFETの数量が増加することになり、各MOSFETの駆動に関してより長い時間を要するため、電源の異常が発生した際に、ORing回路により異常な電源から切り離した後に、正常な電源動作に復帰するまでの時間が長くなるのみならず、正常な電圧値よりも低い電圧状態が継続してしまって、結局、電子装置としての継続稼動が損なわれる場合が生じている。   However, when a MOSFET is used as a switching element in the ORing circuit of the power supply device, the number of MOSFETs connected in parallel increases with an increase in current of the power supply, and a longer time is required for driving each MOSFET. When an abnormality occurs in the power supply, not only does it take a long time to return to normal power supply operation after disconnecting from the abnormal power supply by the ORing circuit, but a voltage state lower than the normal voltage value continues. In the end, there are cases where continuous operation as an electronic device is impaired.

すなわち、従来技術においては、電子装置内に並列動作する複数の電源を備えている場合、並列動作する複数の電源を制御するための電源装置内には、故障した電源の隔離および他の電源の保護を目的として、前述したように、故障電源の出力端を他の電源から切り離すためのORing回路(オアリング回路、逆流防止回路)が備えられている。また、該ORing回路内のスイッチ部を構成するスイッチ素子としては、ダイオードよりも電力損失が少ないMOSFETが通常用いられ、電源の起動時、定常時、故障した際の異常時等の各状態に応じて駆動される。   That is, in the related art, when a plurality of power supplies that operate in parallel are provided in the electronic device, the power supply device for controlling the plurality of power supplies that operate in parallel includes isolation of the failed power supply and other power supplies. For the purpose of protection, as described above, an ORing circuit (an ORING circuit, a backflow prevention circuit) for disconnecting the output terminal of the failed power supply from other power supplies is provided. In addition, as a switch element constituting the switch part in the ORing circuit, a MOSFET with less power loss than a diode is usually used, and depending on each state such as when the power supply is started, at a steady state, or when a failure occurs Driven.

電源装置は、並列接続されている電源のいずれかにおいて過電圧が出力される異常状態が発生した場合、該異常状態の出力電圧を検知し、当該電源の出力端を切り離すために当該電源のORing回路のスイッチ部をOFF状態(非導通状態)に制御するのみならず、他の電源についても、故障電源からの逆流を防止するために、他の電源それぞれのORing回路のスイッチ部を一時的にOFF状態(非導通状態)に制御する。   When an abnormal state in which an overvoltage is output from any of the power supplies connected in parallel occurs, the power supply apparatus detects the output voltage of the abnormal state and disconnects the output terminal of the power supply. In addition to controlling the switch part of the other power supply to the OFF state (non-conducting state), in order to prevent backflow from the faulty power supply for other power supplies, the switch part of the ORing circuit of each other power supply is temporarily turned off. Control to the state (non-conducting state).

しかる後、故障電源が隔離されて、異常状態が解消され、並列接続されている出力端に異常電圧が生じない状態になっていることを検知すると、正常な電源は、電力供給動作を再開するために、一時的に停止していた状態から脱して、正常な電源それぞれのORing回路のスイッチ部をON状態(導通状態)に復帰させるように制御する。ここで、ORing回路のスイッチ部をON状態(導通状態)に再駆動する際に、正常状態への復帰時間は、スイッチ部に対する駆動能力によって左右される。   After that, when it is detected that the faulty power supply is isolated, the abnormal state is resolved, and no abnormal voltage is generated at the output terminals connected in parallel, the normal power supply resumes the power supply operation. Therefore, control is performed so that the switch unit of the ORing circuit of each normal power supply is returned to the ON state (conducting state) from the temporarily stopped state. Here, when the switch unit of the ORing circuit is re-driven to the ON state (conducting state), the return time to the normal state depends on the driving ability for the switch unit.

一方、ORing回路のスイッチ部は、定常状態において負荷側が必要とする電流容量に応じて、単一のスイッチ素子ではなく、複数のスイッチ素子を並列接続して構成される場合が多い。かくのごとく、ORing回路のスイッチ部が並列接続した複数のスイッチ素子から構成される場合、従来技術においては、複数のスイッチ素子全てを同時に駆動しようとするために、各スイッチ素子がON状態(導通状態)に切り替わって、正常な状態に復帰するまでに多くの時間を要してしまって、正常状態へ復帰するまでに出力電圧が変動して負荷側の動作が不安定になるという問題が生じてしまう可能性があった。   On the other hand, the switch section of the ORing circuit is often configured by connecting a plurality of switch elements in parallel instead of a single switch element according to the current capacity required on the load side in a steady state. As described above, when the switch unit of the ORing circuit is composed of a plurality of switch elements connected in parallel, in the prior art, in order to drive all of the plurality of switch elements at the same time, each switch element is in an ON state (conductive It takes a long time to return to the normal state, and the output voltage fluctuates before the normal state is restored, causing the load side operation to become unstable. There was a possibility.

(本発明の目的)
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、複数の電源のうち、いずれかの電源に故障が発生した時に正常な電源供給状態に高速に復帰することが可能な電源装置、電源制御方法および電子装置を提供することを、その目的としている。
(Object of the present invention)
The present invention has been made in view of such circumstances, and a power supply apparatus and power supply control capable of quickly returning to a normal power supply state when a failure occurs in any one of a plurality of power supplies It is an object to provide a method and an electronic device.

前述の課題を解決するため、本発明による電源装置、電源制御方法および電子装置は、主に、次のような特徴的な構成を採用している。   In order to solve the above-described problems, the power supply device, the power supply control method, and the electronic device according to the present invention mainly adopt the following characteristic configuration.

(1)本発明による電源装置は、並列接続した複数の電源それぞれの出力側にスイッチ部を備え、該スイッチ部それぞれを介して各前記電源から負荷に対して並列に電力を供給する電源装置において、前記スイッチ部それぞれは、並列接続した複数のスイッチ素子から構成されていて、複数の前記電源のいずれかに異常電圧を出力する故障が発生した場合、各電源に備えている前記スイッチ部内の全てのスイッチ素子を非導通状態に設定した後、複数の前記電源のうち故障した電源以外の各電源による前記負荷側への電力供給を再開する際に、故障した電源以外の各前記電源それぞれに関し、前記スイッチ部を構成する複数の前記スイッチ素子それぞれを導通状態に切り替える切り替えタイミングを段階的にあらかじめ定めた時間ずらして、非導通状態から導通状態に復帰させることを特徴とする。   (1) A power supply apparatus according to the present invention includes a switch unit on the output side of each of a plurality of power supplies connected in parallel, and supplies power from each of the power supplies to a load in parallel via each switch unit. Each of the switch units is composed of a plurality of switch elements connected in parallel, and when a failure occurs in which an abnormal voltage is output to any one of the plurality of power sources, all of the switch units included in each power source are provided. Each of the power supplies other than the failed power supply, when resuming the power supply to the load side by each power supply other than the failed power supply among the plurality of power supplies, after setting the switch element in the non-conductive state, The switching timing for switching each of the plurality of switch elements constituting the switch unit to a conductive state is shifted in a predetermined time stepwise, And wherein the to return to the conductive state from a conductive state.

(2)本発明による電源制御方法は、並列接続した複数の電源それぞれの出力側にスイッチ部を備え、該スイッチ部それぞれを介して各前記電源から負荷に対して並列に電力を供給する電源装置における電源制御方法であって、前記スイッチ部それぞれは、並列接続した複数のスイッチ素子から構成されていて、複数の前記電源のいずれかに異常電圧を出力する故障が発生した場合、各電源に備えている前記スイッチ部内の全てのスイッチ素子を非導通状態に設定した後、複数の前記電源のうち故障した電源以外の各電源による前記負荷側への電力供給を再開する際に、故障した電源以外の各前記電源それぞれに関し、前記スイッチ部を構成する複数の前記スイッチ素子それぞれを導通状態に切り替える切り替えタイミングを段階的にあらかじめ定めた時間ずらして、非導通状態から導通状態に復帰させることを特徴とする。   (2) The power supply control method according to the present invention includes a switch unit on the output side of each of a plurality of power supplies connected in parallel, and supplies power from each of the power supplies to the load in parallel via each switch unit Each of the switch units is composed of a plurality of switch elements connected in parallel, and each power source is provided with a power supply when a failure occurs in which an abnormal voltage is output to any one of the plurality of power sources. After switching all the switch elements in the switch section to the non-conductive state, when restarting the power supply to the load side by each power source other than the failed power source among the plurality of power sources, other than the failed power source For each of the power supplies, the switching timing for switching each of the plurality of switch elements constituting the switch unit to the conductive state is shown stepwise. Staggered time determined order, characterized in that to return from the nonconductive state to the conductive state.

(3)本発明による電子装置は、複数の電源を並列接続して負荷に電力を供給する電源回路を備えた電子装置において、該電源回路が少なくとも前記(1)に記載の電源装置を用いて構成されていることを特徴とする。   (3) An electronic device according to the present invention includes a power supply circuit that supplies power to a load by connecting a plurality of power supplies in parallel, and the power supply circuit uses at least the power supply device described in (1). It is configured.

本発明の電源装置、電源制御方法および電子装置によれば、以下のような効果を奏することができる。   According to the power supply device, the power supply control method, and the electronic device of the present invention, the following effects can be obtained.

すなわち、並列に動作する複数の電源で構成された電源装置において、各電源ごとに逆流防止用および保護用として配置されるスイッチ部内に並列接続した複数のスイッチ素子を備え、いずれかの電源に故障が発生した際に、該複数のスイッチ素子全てをOFF状態(非導通状態)に設定することによって、故障した電源を隔離して切り離した後に、故障した電源以外の正常な電源を正常状態に復帰させる際に、スイッチ部内の複数のスイッチ素子を時間的にずらして段階的に駆動することが可能な回路構成を採用することによって、最初に復帰指示をしたいずれかのスイッチ素子を他のスイッチ素子よりも優先させてON状態(導通状態)に高速復帰させることができるので、出力電圧が正常化するまでの電圧変動値並びに時間を小さくすることができる。したがって、電圧変動抑制用の大容量コンデンサの設置数量を減らすことができ、電源装置の小型化、集積化、原価低減を実現することが可能になる。   In other words, in a power supply device composed of a plurality of power supplies operating in parallel, each power supply has a plurality of switch elements connected in parallel in a switch unit arranged for backflow prevention and protection, and one of the power supplies fails When this occurs, by setting all of the switch elements to the OFF state (non-conducting state), the faulty power supply is isolated and disconnected, and then normal power supplies other than the faulty power supply are returned to the normal state. By adopting a circuit configuration that can drive a plurality of switch elements in the switch unit in a time-shifted manner in a stepwise manner, one of the switch elements instructed to return first is replaced with another switch element. It is possible to return to the ON state (conducting state) at a high speed with priority over the voltage fluctuation value and time until the output voltage is normalized. It is possible. Therefore, it is possible to reduce the number of installed large-capacity capacitors for suppressing voltage fluctuations, and to realize downsizing, integration, and cost reduction of the power supply device.

本発明の電源装置のブロック構成の一例を示すブロック構成図である。It is a block block diagram which shows an example of the block configuration of the power supply device of this invention. 図1に示した電源装置内のORing回路の回路構成の一例を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram illustrating an example of a circuit configuration of an ORing circuit in the power supply device illustrated in FIG. 1. 図2に示したORing回路を含む電源装置の動作の一例を説明するために主要部の電圧波形を示す波形図である。FIG. 3 is a waveform diagram showing voltage waveforms of main parts for explaining an example of the operation of the power supply device including the ORing circuit shown in FIG. 2.

以下、本発明による電源装置、電源制御方法および電子装置の好適な実施形態について添付図を参照して説明する。なお、以下の説明においては、本発明による電源装置および電源制御方法について説明するが、かかる電源装置を、複数の電源が必要な電子装置における電源装置として該電子装置に内蔵したり外付けしたりするようにしても良いことは言うまでもない。   Preferred embodiments of a power supply device, a power supply control method, and an electronic device according to the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In the following description, a power supply device and a power supply control method according to the present invention will be described. However, such a power supply device may be built in or externally attached to the electronic device as a power supply device in an electronic device that requires a plurality of power supplies. Needless to say, you can do it.

(本発明の特徴)
本発明の実施形態の説明に先立って、本発明の特徴についてその概要をまず説明する。本発明は、並列接続した複数の電源からの電力を負荷側に供給する電源装置内に隔離および逆流防止用としてそれぞれの電源ごとに出力側に設置されるORing回路(オアリング回路、逆流防止回路)のスイッチ部として複数のスイッチ素子が並列接続されている場合に、故障した電源以外の正常な電源を正常状態に復帰させるために、各スイッチ素子をOFF状態(非導通状態)からON状態(導通状態)に切り替える際に、全てのスイッチ素子を同時動作させるのではなく、段階的に時間をずらせて動作させ、いずれかのスイッチ素子が他のスイッチ素子よりも先行して動作させることを主要な特徴としている。
(Features of the present invention)
Prior to the description of the embodiments of the present invention, an outline of the features of the present invention will be described first. The present invention provides an ORing circuit (oring circuit, backflow prevention circuit) installed on the output side for each power supply for isolation and backflow prevention in a power supply device that supplies power from a plurality of power supplies connected in parallel to the load side When a plurality of switch elements are connected in parallel as a switch part of each switch, each switch element is switched from an OFF state (non-conduction state) to an ON state (conduction state) in order to return a normal power supply other than the failed power supply to a normal state. When switching to the state), it is important not to operate all the switch elements at the same time, but to operate in a stepwise manner so that one of the switch elements operates before the other switch element. It is a feature.

而して、正常な電源からの電源供給を再開する際に、各スイッチ素子の駆動用のドライブ回路は、まず、先行して動作する特定のスイッチ素子に対してのみ駆動電流を供給することによって、当該特定のスイッチ素子を高速にOFF状態(非導通状態)からON状態(導通状態)に復帰させることが可能になり、電源異常時に一旦切り離された正常電源を高速に定常状態に復帰させることができるので、負荷に供給する出力電圧の変動を抑えることが可能になる。   Thus, when the power supply from the normal power supply is resumed, the drive circuit for driving each switch element first supplies the drive current only to the specific switch element operating in advance. It becomes possible to return the specific switch element from the OFF state (non-conduction state) to the ON state (conduction state) at high speed, and to restore the normal power supply once disconnected at the time of power failure to the steady state at high speed. Therefore, fluctuations in the output voltage supplied to the load can be suppressed.

(本発明の実施形態)
次に、本発明の電源装置の実施形態の構成例について、まず、図1のブロック構成図を用いて説明する。図1は、本発明の電源装置のブロック構成の一例を示すブロック構成図であり、複数の電源からなる電源装置の一例として、第1電源、第2電源、第3電源の3つの電源が並列接続されている場合を例に採って示している。
(Embodiment of the present invention)
Next, a configuration example of an embodiment of the power supply device of the present invention will be described first with reference to the block configuration diagram of FIG. FIG. 1 is a block configuration diagram showing an example of a block configuration of a power supply device according to the present invention. As an example of a power supply device composed of a plurality of power supplies, three power supplies of a first power supply, a second power supply, and a third power supply are arranged in parallel. The case where it is connected is shown as an example.

図1に示す電源装置は、並列に動作する3つの電源それぞれを構成するDC/DCコンバータ部11、12、13それぞれの出力側に、故障電源の隔離と正常電源の保護を図るための逆流防止用のORing回路21、22、23が接続されている。そして、3つのORing回路21、22、23の出力端は並列接続されて、負荷30に接続されている。つまり、負荷30に対して、3つのORing回路21、22、23それぞれを介して3つのDC/DCコンバータ部11、12、13が並列に接続された構成になっている。   The power supply device shown in FIG. 1 has a backflow prevention for isolating a faulty power supply and protecting a normal power supply on the output side of each of the DC / DC converter units 11, 12, and 13 constituting the three power supplies operating in parallel. ORing circuits 21, 22 and 23 are connected. The output terminals of the three ORing circuits 21, 22, and 23 are connected in parallel and connected to the load 30. That is, three DC / DC converter units 11, 12, and 13 are connected in parallel to the load 30 via the three ORing circuits 21, 22, and 23, respectively.

次に、図2の回路図を用いて、図1に示した電源装置内のORing回路の回路構成についてその一例を説明する。図2は、図1に示した電源装置内のORing回路21の回路構成の一例を示す回路図であるが、図1における他のORing回路22,23についても、図2と同様の回路構成からなっている。   Next, an example of the circuit configuration of the ORing circuit in the power supply device shown in FIG. 1 will be described with reference to the circuit diagram of FIG. FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of the circuit configuration of the ORing circuit 21 in the power supply device shown in FIG. 1, but the other ORing circuits 22 and 23 in FIG. 1 also have the same circuit configuration as FIG. It has become.

一般に、図1のORing回路21、22、23内のスイッチ部は、負荷30側が必要とする電流容量に応じて、複数個のスイッチ素子が並列接続された構成となっているが、図2に示すORing回路21のスイッチ部においては、スイッチ素子として、例えばMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)を用いて、第1トランジスタQ1、第2トランジスタQ2、第3トランジスタQ3の3つのトランジスタ(MOSFET)が並列接続された構成となっている場合を示している。   In general, the switch units in the ORing circuits 21, 22 and 23 in FIG. 1 have a configuration in which a plurality of switch elements are connected in parallel according to the current capacity required on the load 30 side. In the switch section of the ORing circuit 21 shown, for example, a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) is used as a switch element, and three transistors (first transistor Q1, second transistor Q2, and third transistor Q3) ( In this case, the MOSFET is connected in parallel.

第1、第2、第3トランジスタQ1、Q2、Q3それぞれのソース端子S1、S2、S3は、電源を構成するDC/DCコンバータ部11の出力側に接続され、また、第1、第2、第3トランジスタQ1、Q2、Q3それぞれのドレイン端子D1、D2、D3は、相互に接続されるとともに、負荷30に接続されている。   The source terminals S1, S2, and S3 of the first, second, and third transistors Q1, Q2, and Q3 are connected to the output side of the DC / DC converter unit 11 that constitutes a power source, and the first, second, The drain terminals D1, D2, and D3 of the third transistors Q1, Q2, and Q3 are connected to each other and to the load 30.

また、第1、第2、第3トランジスタQ1、Q2、Q3それぞれのソース端子S1、S2、S3とそれぞれのドレイン端子D1、D2、D3との間には第1、第2、第3ボディダイオードDq1、Dq2、Dq3として、寄生ダイオードすなわち内蔵ダイオードが形成されており、ソース端子S1、S2、S3それぞれには第1、第2、第3ボディダイオードDq1、Dq2、Dq3それぞれのアノード側が形成され、また、ドレイン端子D1、D2、D3それぞれには第1、第2、第3ボディダイオードDq1、Dq2、Dq3それぞれのカノード側が形成された状態になっている。   The first, second, and third body diodes are provided between the source terminals S1, S2, and S3 of the first, second, and third transistors Q1, Q2, and Q3 and the drain terminals D1, D2, and D3, respectively. Parasitic diodes, that is, built-in diodes are formed as Dq1, Dq2, and Dq3, and the anode sides of the first, second, and third body diodes Dq1, Dq2, and Dq3 are formed at the source terminals S1, S2, and S3, In addition, the drain terminals D1, D2, and D3 are formed with the respective canode sides of the first, second, and third body diodes Dq1, Dq2, and Dq3.

また、第1、第2、第3トランジスタQ1、Q2、Q3の各スイッチ素子それぞれをOFF状態(非導通状態)からON状態(導通状態)に切り替える切り替えタイミングを、ドライブIC211の能力に応じて段階的にあらかじめ定めた時間ずらして、OFF状態(非導通状態)からON状態(導通状態)に復帰させることを可能にするために、第1、第2、第3トランジスタQ1、Q2、Q3それぞれの制御端子つまりゲート端子G1、G2、G3の接続状態を異なる状態に設定している。   In addition, the switching timing for switching the switching elements of the first, second, and third transistors Q1, Q2, and Q3 from the OFF state (non-conducting state) to the ON state (conducting state) depends on the capability of the drive IC 211. In order to make it possible to return from the OFF state (non-conducting state) to the ON state (conducting state) with a predetermined time shift, each of the first, second, and third transistors Q1, Q2, Q3 The connection states of the control terminals, that is, the gate terminals G1, G2, and G3 are set to different states.

すなわち、第1トランジスタQ1のゲート端子G1は、該第1トランジスタQ1を最も早いタイミングでON状態(導通状態)に復帰させるために、駆動電流供給元のドライブIC(Integrated Circuit)211と直接接続されている。これに対して、第2、第3トランジスタQ2、Q3それぞれのゲート端子G2、G3は、該第2、第3トランジスタQ2、Q3を第1トランジスタQ1よりもあらかじめ定めた時間だけ遅れたタイミングでON状態(導通状態)に復帰させるために、第2、第3ツェナーダイオードZD2、ZD3それぞれを介して駆動電流供給元のドライブIC211と接続される。ここで、第2、第3トランジスタQ2、Q3それぞれのゲート端子G2、G3は、第2、第3ツェナーダイオードZD2、ZD3それぞれのアノード側に接続され、第2、第3ツェナーダイオードZD2、ZD3それぞれのカソード側がドライブIC211と接続される。   That is, the gate terminal G1 of the first transistor Q1 is directly connected to a drive IC (Integrated Circuit) 211 that is a drive current supply source in order to return the first transistor Q1 to the ON state (conductive state) at the earliest timing. ing. On the other hand, the gate terminals G2 and G3 of the second and third transistors Q2 and Q3 are turned on when the second and third transistors Q2 and Q3 are delayed by a predetermined time from the first transistor Q1, respectively. In order to return to the state (conductive state), the drive IC 211 is connected to the drive current supply source 211 via the second and third Zener diodes ZD2 and ZD3. Here, the gate terminals G2 and G3 of the second and third transistors Q2 and Q3 are connected to the anode sides of the second and third Zener diodes ZD2 and ZD3, respectively, and the second and third Zener diodes ZD2 and ZD3, respectively. Is connected to the drive IC 211.

そして、第2、第3トランジスタQ2、Q3それぞれのゲート端子G2、G3とそれぞれのソース端子S2、S3との間には、第2、第3ツェナーダイオードZD2、ZD3それぞれのツェナー電圧値すなわち第2、第3ツェナー電圧値Vz2、Vz3を生成するために、第2、第3抵抗Rz2、Rz3が接続されている。したがって、ドライブIC211から駆動電流が供給された際に、ツェナーダイオードが接続されていない第1トランジスタQ1のゲート端子G1には直ちにゲート電流Ig1が入力されて、ゲート端子G1とソース端子S1との間に駆動電圧が直ちに印加される。   Between the gate terminals G2 and G3 of the second and third transistors Q2 and Q3 and the source terminals S2 and S3, the zener voltage values of the second and third Zener diodes ZD2 and ZD3, that is, the second The second and third resistors Rz2 and Rz3 are connected to generate the third Zener voltage values Vz2 and Vz3. Therefore, when the drive current is supplied from the drive IC 211, the gate current Ig1 is immediately input to the gate terminal G1 of the first transistor Q1 to which the Zener diode is not connected, and the gate current Ig1 is connected between the gate terminal G1 and the source terminal S1. The drive voltage is immediately applied to

しかし、第2、第3ツェナーダイオードZD2、ZD3それぞれが接続されている第2、第3トランジスタQ2、Q3それぞれについては、第2、第3ツェナー電圧値Vz2、Vz3を超えて第2、第3ツェナーダイオードZD2、ZD3それぞれがON状態(導通状態)に達するまで、第2、第3トランジスタQ2、Q3それぞれのゲート端子G2、G3にはゲート電流Ig2、Ig3が流れ込むことはなく、ゲート端子G2、G3とソース端子S2、S3との間に駆動電圧が印加されない。   However, the second and third transistors Q2 and Q3, to which the second and third Zener diodes ZD2 and ZD3 are connected, respectively, exceed the second and third Zener voltage values Vz2 and Vz3 and are second and third. Until the zener diodes ZD2 and ZD3 reach the ON state (conductive state), the gate currents Ig2 and Ig3 do not flow into the gate terminals G2 and G3 of the second and third transistors Q2 and Q3, respectively. No driving voltage is applied between G3 and the source terminals S2, S3.

つまり、第2、第3ツェナー電圧値Vz2、Vz3は、第1トランジスタQ1よりもあらかじめ定めた時間だけ遅れたタイミングで第2、第3トランジスタQ2、Q3それぞれをON状態(導通状態)に復帰させるための切り替えタイミングを与えるような電圧値に設定されている。言い換えると、複数のスイッチ素子の第1、第2、第3トランジスタQ1、Q2、Q3のうち、ON状態(導通状態)に切り替える切り替えタイミングを段階的に遅くする対象のスイッチ素子例えば第2、第3トランジスタQ2、Q3それぞれには、第2、第3ツェナーダイオードZD2、ZD3とツェナー電圧生成用の抵抗すなわち第2、第3抵抗Rz2、Rz3とをそれぞれのスイッチ素子の制御端子であるゲート端子G2、G3に接続し、該ツェナー電圧の電圧値すなわち第2、第3ツェナー電圧値Vz2、Vz3それぞれを、制御端子のゲート端子G2、G3それぞれを駆動する駆動源すなわちドライブIC211の能力を勘案して設定することにより、各スイッチ素子すなわち第2、第3トランジスタQ2、Q3における切り替えタイミングがあらかじめ定めた時間遅くなるように設定している。   That is, the second and third Zener voltage values Vz2 and Vz3 return the second and third transistors Q2 and Q3 to the ON state (conductive state) at a timing delayed by a predetermined time from the first transistor Q1, respectively. The voltage value is set so as to give a switching timing for the purpose. In other words, among the first, second, and third transistors Q1, Q2, and Q3 of the plurality of switch elements, the switch element to be delayed in stages, for example, the second and second switch timings for switching to the ON state (conductive state). In each of the three transistors Q2 and Q3, the second and third Zener diodes ZD2 and ZD3 and the Zener voltage generating resistors, that is, the second and third resistors Rz2 and Rz3, are gate terminals G2 which are control terminals of the respective switch elements. , G3, and the voltage value of the Zener voltage, that is, the second and third Zener voltage values Vz2 and Vz3, respectively, taking into account the capability of the drive source that drives the gate terminals G2 and G3 of the control terminal, that is, the drive IC 211, respectively. By setting, switching in each switch element, that is, the second and third transistors Q2 and Q3 Timing is set so as to slow down a predetermined time.

ここで、第2、第3トランジスタQ2、Q3それぞれに対する切り替えタイミングは、第1〜第3トランジスタQ1〜Q3のような複数のスイッチ素子のうち、導通状態への切り替え対象の或るスイッチ素子例えば第1トランジスタQ1に対する切り替え指示としてゲート端子G1に対してドライブIC211からのゲート電流Ig1が入力されてから当該スイッチ素子例えば第1トランジスタQ1がON状態(導通状態)に切り替わるまでに要する所要時間以上の時間を経過した後に、次の順番の切り替え対象になるスイッチ素子例えば第2、第3トランジスタQ2、Q3に対する切り替え指示として、それぞれのゲート端子G2、G3に対してドライブIC211からゲート電流Ig2、Ig3が入力されるように設定している。   Here, the switching timing for each of the second and third transistors Q2 and Q3 is a switch element to be switched to a conductive state among a plurality of switch elements such as the first to third transistors Q1 to Q3. More than the time required for the switch element, for example, the first transistor Q1 to switch to the ON state (conducting state) after the gate current Ig1 from the drive IC 211 is input to the gate terminal G1 as a switching instruction for one transistor Q1. After the time elapses, gate currents Ig2 and Ig3 are input from the drive IC 211 to the respective gate terminals G2 and G3 as switching instructions for the switching elements to be switched in the next order, for example, the second and third transistors Q2 and Q3. It is set to be.

なお、本実施形態においては、第2、第3トランジスタQ2、Q3それぞれに対する駆動を開始するタイミングを、第1トランジスタQ1がON状態(導通状態)に切り替わるまでに要する所要時間と同程度に設定するために、第2、第3ツェナー電圧値Vz2、Vz3それぞれの電圧値としては、第1トランジスタQ1がONすることができるソース端子S1−ゲート端子G1間電圧値すなわち第1オン電圧値V1onと同程度に設定されていて、第1トランジスタQ1がON状態(導通状態)に達した時点から、第2、第3トランジスタQ2、Q3それぞれのゲート端子G2、G3に対するゲート電流Ig2、Ig3の供給動作が開始される場合を示している。   In the present embodiment, the timing for starting driving each of the second and third transistors Q2 and Q3 is set to the same level as the time required for the first transistor Q1 to switch to the ON state (conductive state). Therefore, the voltage values of the second and third Zener voltage values Vz2 and Vz3 are the same as the voltage value between the source terminal S1 and the gate terminal G1 at which the first transistor Q1 can be turned on, that is, the first on-voltage value V1on. Since the first transistor Q1 reaches the ON state (conducting state), the supply operation of the gate currents Ig2 and Ig3 to the gate terminals G2 and G3 of the second and third transistors Q2 and Q3 is started. Shows when to start.

また、第1、第2、第3トランジスタQ1、Q2、Q3に関して、第1トランジスタQ1については、ドレイン電流Id1として通常流すことができる第1定常電流値Id1nが、第2、第3トランジスタQ2、Q3それぞれにドレイン電流Id2、Id3として通常流すことができる第2、第3定常電流値Id2n、Id3nよりも小さくなるように設定され、かつ、第1トランジスタQ1のゲート電流Ig1として第1トランジスタQ1をONする(導通させる)ことができる第1オン電流値I1onも、第2、第3トランジスタQ2、Q3それぞれのゲート電流Ig2、Ig3として第2、第3トランジスタQ2、Q3それぞれをONする(導通させる)ことができる第2、第3オン電流値I2on、I3onよりも小さくなるように設定される。   As for the first, second, and third transistors Q1, Q2, and Q3, the first steady-state current value Id1n that can be normally passed as the drain current Id1 for the first transistor Q1 is the second, third transistor Q2, Q3 is set to be smaller than the second and third steady current values Id2n and Id3n that can normally flow as drain currents Id2 and Id3, respectively, and the first transistor Q1 is set as the gate current Ig1 of the first transistor Q1. The first on-current value I1on that can be turned on (conducted) also turns on (conducts) the second and third transistors Q2 and Q3 as the gate currents Ig2 and Ig3 of the second and third transistors Q2 and Q3, respectively. To be smaller than the second and third on-current values I2on and I3on. It is constant.

言い換えると、第1、第2、第3トランジスタQ1、Q2、Q3の全てがON状態になる定常状態においては、第1トランジスタQ1のソース端子S1−ゲート端子G1間電圧すなわち第1駆動電圧Vgs1の電圧値(第1定常電圧値V1n)は、第1トランジスタQ1をONする(導通させる)ことができる第1オン電圧値V1onも高い値に設定される。一方、第2、第3トランジスタQ2、Q3それぞれについては、第2、第3トランジスタQ2、Q3それぞれのソース端子S2、S3−ゲート端子G2、G3間電圧すなわち第2、第3駆動電圧Vgs2、Vgs3それぞれの電圧値(第2、第3定常電圧値V2n、V3n)が、第2、第3トランジスタQ2、Q3それぞれをONする(導通させる)ことができる第2、第3オン電圧値V2on、V3onと同程度の値に設定される。   In other words, in the steady state in which all of the first, second, and third transistors Q1, Q2, and Q3 are in the ON state, the voltage between the source terminal S1 and the gate terminal G1 of the first transistor Q1, that is, the first drive voltage Vgs1. The voltage value (first steady voltage value V1n) is also set to a high value as the first on-voltage value V1on that can turn on (conduct) the first transistor Q1. On the other hand, for the second and third transistors Q2 and Q3, the voltages between the source terminals S2, S3-gate terminals G2 and G3 of the second and third transistors Q2 and Q3, that is, the second and third drive voltages Vgs2 and Vgs3, respectively. Respective voltage values (second and third steady voltage values V2n and V3n) can turn on (conduct) the second and third transistors Q2 and Q3, respectively. Second and third on-voltage values V2on and V3on Is set to the same value as.

また、ドライブIC211は、並列接続されている他の電源すなわち図1のDC/DCコンバータ12、13後段のORing回路22、23の出力電圧の上昇による逆流電流が流れ込んできた場合に、スイッチ素子の第1、第2、第3トランジスタQ1、Q2、Q3全てに対する駆動を停止して、逆流電流が、DC/DCコンバータ部11に流れ込まないように制御される。しかる後、異常な電圧値を出力している他の電源が隔離されるか、または、該他の電源が正常な出力電圧を出力する状態に復して、電圧上昇が解消された場合は、ドライブIC211は、スイッチ素子の第1、第2、第3トランジスタQ1、Q2、Q3それぞれの駆動を再開させるように制御される。なお、ドライブIC211からの駆動電流は、第1、第2、第3トランジスタQ1、Q2、Q3それぞれに対して共通に供給されているので、ドライブIC211が該駆動電流の出力を停止した状態になると、ドライブIC211にゲート端子G1が直接接続されていた第1トランジスタQ1のソース端子S1−ゲート端子G1間電圧すなわち第1駆動電圧Vgs1の印加状態が停止されるのみならず、他の第2、第3トランジスタQ1のソース端子S2、S3−ゲート端子G2、G3間電圧すなわち第2、第3駆動電圧Vgs2、Vgs3の印加状態も停止されることになる。   Further, the drive IC 211 has a switching element when a reverse current due to an increase in the output voltage of the ORing circuits 22 and 23 downstream of the other power sources connected in parallel, that is, the DC / DC converters 12 and 13 in FIG. The driving of all the first, second, and third transistors Q1, Q2, and Q3 is stopped, and the backflow current is controlled not to flow into the DC / DC converter unit 11. After that, when another power supply that outputs an abnormal voltage value is isolated, or when the other power supply returns to a normal output voltage state and the voltage rise is resolved, The drive IC 211 is controlled so as to resume driving of the first, second, and third transistors Q1, Q2, and Q3 of the switch element. Note that the drive current from the drive IC 211 is supplied in common to the first, second, and third transistors Q1, Q2, and Q3, so that when the drive IC 211 stops outputting the drive current. In addition to stopping the application state of the voltage between the source terminal S1 and the gate terminal G1 of the first transistor Q1 whose gate terminal G1 is directly connected to the drive IC 211, that is, the first drive voltage Vgs1, other second, second The voltage between the source terminals S2, S3-gate terminals G2, G3 of the three transistors Q1, that is, the application state of the second and third drive voltages Vgs2, Vgs3 is also stopped.

(実施形態の動作の説明)
次に、図2の回路図に示したような回路からなるORing回路を含む電源装置の動作についてその一例を、図3の波形図を用いて説明する。図3は、図2に示したORing回路21を含む電源装置の動作の一例を説明するために主要部の電圧波形を示す波形図であり、負荷30に印加される負荷電圧Voの電圧波形とともに、ORing回路21内の各スイッチ素子の駆動電圧として第1、第2、第3トランジスタQ1、Q2、Q3それぞれのソース端子−ゲート端子間電圧すなわち第1、第2、第3駆動電圧Vgs1、Vgs2、Vgs3それぞれの電圧波形を示している。
(Description of operation of embodiment)
Next, an example of the operation of the power supply device including the ORing circuit including the circuit as shown in the circuit diagram of FIG. 2 will be described with reference to the waveform diagram of FIG. FIG. 3 is a waveform diagram showing a voltage waveform of the main part for explaining an example of the operation of the power supply device including the ORing circuit 21 shown in FIG. 2, together with the voltage waveform of the load voltage Vo applied to the load 30. , As the drive voltage of each switch element in the ORing circuit 21, the voltage between the source terminal and the gate terminal of each of the first, second, and third transistors Q1, Q2, and Q3, that is, the first, second, and third drive voltages Vgs1, Vgs2. , Vgs3 shows voltage waveforms.

図3の負荷電圧Voの波形図に示すように、時刻T0の時点に達した際に、例えば並列に接続されている他の電源の出力電圧すなわち図1のORing回路21以外のORing回路22またはORing回路23からの出力電圧の異常が発生して、負荷電圧Voが、正常な動作中の状態における正常電圧値Vonから、過電圧Vovの状態に上昇した場合、該過電圧Vovを検知したORing回路21内のドライブIC211は、スイッチ素子の第1、第2、第3トランジスタQ1、Q2、Q3全てのゲート端子G1、G2、G3に共通の第1駆動電圧Vgs1の出力を直ちに停止して、第1、第2、第3トランジスタQ1、Q2、Q3をOFF状態(非導通状態)に移行させ、逆流電流が、DC/DCコンバータ部11に流れ込まないように制御する。他のORing回路22、23においても、同様に、それぞれのスイッチ部のスイッチ素子全てをOFF状態(非導通状態)に設定する。その結果、異常な出力電圧を発生させていた故障電源は隔離された状態になる。   As shown in the waveform diagram of the load voltage Vo in FIG. 3, when the time T0 is reached, for example, the output voltage of another power source connected in parallel, that is, the ORing circuit 22 other than the ORing circuit 21 in FIG. When an abnormality occurs in the output voltage from the ORing circuit 23 and the load voltage Vo rises from the normal voltage value Von in the normal operating state to the overvoltage Vov state, the ORing circuit 21 that has detected the overvoltage Vov. The drive IC 211 immediately stops the output of the first drive voltage Vgs1 common to the gate terminals G1, G2, and G3 of all the first, second, and third transistors Q1, Q2, and Q3 of the switch element, and the first The second and third transistors Q1, Q2, and Q3 are shifted to the OFF state (non-conducting state), and the backflow current does not flow into the DC / DC converter unit 11. The sea urchin control. Similarly, in the other ORing circuits 22 and 23, all the switch elements of the respective switch units are set to the OFF state (non-conductive state). As a result, the failed power supply that has generated the abnormal output voltage is isolated.

しかる後、図3の負荷電圧Voの波形図に示すように、時刻T1の時点において、他のORing回路22またはORing回路23からの出力電圧の異常が解消されて、負荷電圧Voが過電圧Vovの状態から低下した場合には、ORing回路21内のスイッチ素子の第1、第2、第3トランジスタQ1、Q2、Q3それぞれに寄生する第1、第2、第3ボディダイオードDq1、Dq2、Dq3を介して負荷30に対して電流供給が行われることになり、第1、第2、第3ボディダイオードDq1、Dq2、Dq3の導通時電圧VFに相当する電圧分だけ、正常電圧値Vonよりも降下してしまう。   Thereafter, as shown in the waveform diagram of the load voltage Vo in FIG. 3, the abnormality of the output voltage from the other ORing circuit 22 or the ORing circuit 23 is eliminated at the time T1, and the load voltage Vo becomes the overvoltage Vov. When the state drops from the state, the first, second, and third body diodes Dq1, Dq2, and Dq3 parasitic on the first, second, and third transistors Q1, Q2, and Q3 of the switching element in the ORing circuit 21 are changed. The current is supplied to the load 30 through the first and second body diodes Dq1, Dq2, and Dq3, and the voltage drops below the normal voltage value Von by a voltage corresponding to the conduction voltage VF of the first, second, and third body diodes Dq1, Dq2, and Dq3. Resulting in.

しかし、時刻T1の時点においては、同時に、過電圧Vovの状態から低下したことを検知したドライブIC211は、駆動電流を流し始めて、スイッチ素子の第1、第2、第3トランジスタQ1、Q2、Q3それぞれの駆動を再開させるように制御することになり、ORing回路21は復帰動作を開始している。その結果、まず、ドライブIC211からの駆動電流がゲート電流Ig1として直接入力される第1トランジスタQ1の第1駆動電圧Vgs1が、図3の第1駆動電圧Vgs1の波形図に示すように、第1トランジスタQ1がONする(導通させる)ことができる第1オン電圧値V1onに向かって上昇していく。つまり、ドライブIC211の駆動能力に応じた一定の勾配にしたがって、第1トランジスタQ1の第1駆動電圧Vgs1が'0'から第1オン電圧値V1onに向かって徐々に上昇していく。   However, at the time T1, at the same time, the drive IC 211 that detects that the voltage has dropped from the state of the overvoltage Vov starts to flow the drive current, and the first, second, and third transistors Q1, Q2, and Q3 of the switch elements respectively. Thus, the ORing circuit 21 starts the return operation. As a result, first, as shown in the waveform diagram of the first drive voltage Vgs1 of FIG. 3, the first drive voltage Vgs1 of the first transistor Q1 to which the drive current from the drive IC 211 is directly input as the gate current Ig1 is the first drive voltage Vgs1. The transistor Q1 increases toward the first ON voltage value V1on that can be turned on (conducted). That is, the first drive voltage Vgs1 of the first transistor Q1 gradually increases from '0' toward the first on-voltage value V1on according to a certain gradient according to the drive capability of the drive IC 211.

一方、ドライブIC211からの駆動電流がそれぞれ第2、第3ツェナーダイオードZD2、ZD3を介してゲート端子G2、G3それぞれに入力される第2、第3トランジスタQ2、Q3においては、ドライブIC211が出力する第1駆動電圧Vgs1が第2、第3ツェナーダイオードZD2、ZD3それぞれにおける第2、第3ツェナー電圧値Vz2、Vz3に達するまで、ドライブIC211からの駆動電流がカットされて、第2、第3トランジスタQ2、Q3それぞれのゲート端子G2、G3それぞれにゲート電流Ig2、Ig3が入力されることはなく、第2、第3トランジスタQ2、Q3それぞれに対する第2、第3駆動電圧Vgs2、Vgs3が出力されず、'0'の状態が継続する。   On the other hand, the drive IC 211 outputs the drive current from the drive IC 211 at the second and third transistors Q2 and Q3 where the drive currents are input to the gate terminals G2 and G3 via the second and third Zener diodes ZD2 and ZD3, respectively. The drive current from the drive IC 211 is cut until the first drive voltage Vgs1 reaches the second and third Zener voltage values Vz2 and Vz3 in the second and third Zener diodes ZD2 and ZD3, and the second and third transistors. Gate currents Ig2 and Ig3 are not input to the gate terminals G2 and G3 of Q2 and Q3, respectively, and the second and third drive voltages Vgs2 and Vgs3 are not output to the second and third transistors Q2 and Q3, respectively. , '0' state continues.

ここで、本実施形態においては、第2、第3ツェナー電圧値Vz2、Vz3それぞれの電圧値は、第1トランジスタQ1がONすることができるソース端子S1−ゲート端子G1間電圧値すなわち第1オン電圧値V1onと同程度に設定されている。したがって、第1駆動電圧Vgs1が第1オン電圧値V1onと同程度の第2、第3ツェナー電圧値Vz2、Vz3に達するまでは、ドライブIC211は、第1トランジスタQ1を駆動するためにだけ、その能力が使用されることになり、第1トランジスタQ1がONすることができる第1オン電圧値V1onに達するまでの速度を向上させることができる。   Here, in the present embodiment, the voltage values of the second and third Zener voltage values Vz2 and Vz3 are the voltage values between the source terminal S1 and the gate terminal G1 that can turn on the first transistor Q1, that is, the first on-state. It is set to the same level as the voltage value V1on. Therefore, until the first drive voltage Vgs1 reaches the second and third Zener voltage values Vz2 and Vz3, which are about the same as the first on-voltage value V1on, the drive IC 211 only has to drive the first transistor Q1. Thus, the speed until the first transistor Q1 reaches the first on-voltage value V1on that can be turned on can be improved.

しかる後、図3の第1駆動電圧Vgs1の波形図に示すように、第1トランジスタQ1を駆動する第1駆動電圧Vgs1が上昇して、ドライブIC211の能力に応じてあらかじめ定めた時間が経過した時刻T2の時点において、該第1トランジスタQ1がONすることができる第1オン電圧値V1onにまで達すると、第1トランジスタQ1がON状態に切り替わるので、図3の負荷電圧Voの波形図に示すように、負荷30における負荷電圧Voは、導通時電圧VFに相当する電圧分だけ降下していた状態から脱して、正常電圧値Vonに復帰する。   Thereafter, as shown in the waveform diagram of the first drive voltage Vgs1 in FIG. 3, the first drive voltage Vgs1 for driving the first transistor Q1 has risen, and a predetermined time has passed according to the capability of the drive IC 211. When the first transistor Q1 reaches the first ON voltage value V1on at which the first transistor Q1 can be turned on at the time T2, the first transistor Q1 is switched to the ON state, and therefore, the waveform diagram of the load voltage Vo in FIG. As described above, the load voltage Vo at the load 30 returns from the state where it has dropped by the voltage corresponding to the conduction voltage VF to the normal voltage value Von.

さらに、時刻T2の時点においては、第2、第3ツェナーダイオードZD2、ZD3それぞれに印加される第1駆動電圧Vgs1が、第1オン電圧値V1onと同程度に設定されている第2、第3ツェナー電圧値Vz2、Vz3それぞれに達しているので、ドライブIC211からの駆動電流が、第2、第3ツェナーダイオードZD2、ZD3それぞれを介して、ゲート電流Ig2、Ig3として第2、第3トランジスタQ2、Q3それぞれのゲート端子G2、G3に入力される状態に移行する。   Further, at time T2, the first and second drive voltages Vgs1 applied to the second and third Zener diodes ZD2 and ZD3 are set to be approximately the same as the first on-voltage value V1on. Since the zener voltage values Vz2 and Vz3 are reached, the drive current from the drive IC 211 is supplied to the second and third transistors Q2 and Q3 as gate currents Ig2 and Ig3 via the second and third zener diodes ZD2 and ZD3, respectively. A transition is made to the state of being input to the respective gate terminals G2, G3 of Q3.

したがって、図3の第2、第3駆動電圧Vgs2、Vgs3の波形図に示すように、第2、第3トランジスタQ2、Q3それぞれに対する第2、第3駆動電圧Vgs2、Vgs3が、ドライブIC211の供給能力に応じた一定の勾配にしたがって、上昇を開始する。かくのごとく、ドライブIC211は、第1、第2、第3トランジスタQ1、Q2、Q3の全てに対して駆動電流を供給する状態になるので、図3の第1駆動電圧Vgs1の波形図に示すように、第1トランジスタQ1に対する第1駆動電圧Vgs1は、ドライブIC211の供給能力に応じて、第1オン電圧値V1onに達するまでの勾配よりも緩やかな勾配に変化して、定常状態における第1定常電圧値V1nに向かって上昇を継続するとともに、負荷30に対しては第1トランジスタQ1から負荷電流Ioを供給する動作を継続する。   Therefore, as shown in the waveform diagrams of the second and third drive voltages Vgs2 and Vgs3 in FIG. 3, the second and third drive voltages Vgs2 and Vgs3 are supplied to the drive IC 211 for the second and third transistors Q2 and Q3, respectively. Start climbing according to a certain slope according to ability. As described above, the drive IC 211 is in a state of supplying a drive current to all of the first, second, and third transistors Q1, Q2, and Q3, and is shown in the waveform diagram of the first drive voltage Vgs1 in FIG. As described above, the first drive voltage Vgs1 for the first transistor Q1 changes to a gentler gradient than the gradient until the first ON voltage value V1on is reached according to the supply capability of the drive IC 211, and the first drive voltage Vgs1 in the steady state. While continuing to increase toward the steady voltage value V1n, the operation of supplying the load current Io from the first transistor Q1 to the load 30 is continued.

しかる後、図3の第2、第3駆動電圧Vgs2、Vgs3の波形図に示すように、ドライブIC211の能力に応じてあらかじめ定めた時間が経過した時刻T3の時点において、第2、第3トランジスタQ2、Q3それぞれに対する第2、第3駆動電圧Vgs2、Vgs3が、第2、第3トランジスタQ2、Q3それぞれをONすることができる第2、第3オン電圧値V2on、V3onに達すると、第2、第3トランジスタQ2、Q3それぞれがON状態に切り替わり、第2、第3トランジスタQ2、Q3においても、負荷30に対する負荷電流Ioの供給動作を開始し、第1トランジスタQ1とともに、負荷30に対して負荷電流Ioを供給する通常の状態に移行する。   Thereafter, as shown in the waveform diagrams of the second and third drive voltages Vgs2 and Vgs3 in FIG. 3, the second and third transistors at time T3 when a predetermined time has passed according to the capability of the drive IC 211. When the second and third drive voltages Vgs2 and Vgs3 for Q2 and Q3 respectively reach the second and third on-voltage values V2on and V3on that can turn on the second and third transistors Q2 and Q3, respectively, The third transistors Q2 and Q3 are switched to the ON state, and the second and third transistors Q2 and Q3 also start supplying the load current Io to the load 30, and together with the first transistor Q1 to the load 30 A transition is made to a normal state in which the load current Io is supplied.

以上のように、正常な電源に関しては、第2、第3トランジスタQ2、Q3それぞれがON状態(導通状態)に切り替わる切り替えタイミングが、第1トランジスタQ1よりもあらかじめ定めた時間だけ遅れることになる。つまり、故障した電源以外の正常な電源に関しては、第1、第2、第3トランジスタQ1、Q2、Q3の全てのスイッチ素子を同時にOFF状態(非導通状態)からON状態(導通状態)に切り替えるのではなく、第1、第2、第3トランジスタQ1、Q2、Q3の各スイッチ素子それぞれをON状態(導通状態)に切り替える切り替えタイミングをあらかじめ定めた時間ずらすように制御している。   As described above, with respect to a normal power supply, the switching timing at which each of the second and third transistors Q2 and Q3 switches to the ON state (conductive state) is delayed by a predetermined time from the first transistor Q1. That is, for normal power supplies other than the failed power supply, all switch elements of the first, second, and third transistors Q1, Q2, and Q3 are simultaneously switched from the OFF state (non-conductive state) to the ON state (conductive state). Instead, the switching timing for switching the switch elements of the first, second, and third transistors Q1, Q2, and Q3 to the ON state (conducting state) is controlled to be shifted by a predetermined time.

時刻T3の時点を経過した以降においては、図3の第1、第2、第3駆動電圧Vgs1、Vgs2、Vgs3それぞれの波形図に示すように、第1トランジスタQ1に対する第1駆動電圧Vgs1は、第1オン電圧値V1onよりも高い第1定常電圧値V1nに維持され、第2、第3トランジスタQ2、Q3それぞれに対する第2、第3駆動電圧Vgs2、Vgs3は、第2、第3オン電圧値V2on、V3onと同程度の電圧値の第2、第3定常電圧値V2n、V3nに維持されて、第1、第2、第3トランジスタQ1、Q2、Q3の全てのトランジスタ(MOSFET)が、負荷30に対して負荷電流Ioを供給する通常の状態に復帰している。   After the elapse of time T3, as shown in the waveform diagrams of the first, second, and third drive voltages Vgs1, Vgs2, and Vgs3 in FIG. 3, the first drive voltage Vgs1 for the first transistor Q1 is The first steady voltage value V1n higher than the first on-voltage value V1on is maintained, and the second and third drive voltages Vgs2 and Vgs3 for the second and third transistors Q2 and Q3 are the second and third on-voltage values, respectively. All the transistors (MOSFETs) of the first, second, and third transistors Q1, Q2, and Q3 are maintained at the second and third steady voltage values V2n and V3n having the same voltage values as V2on and V3on. The normal state of supplying the load current Io to 30 is restored.

なお、以上の説明においては、逆流防止用のORing回路21内のスイッチ部を、負荷30側において必要とする電流容量に応じて、第1、第2、第3トランジスタQ1、Q2、Q3の3個のスイッチ素子を並列接続した場合について説明したが、スイッチ部を構成するスイッチ素子の個数は、3個の場合のみに限るものではなく、2又は2以上の複数個であれば本発明を適用できることは言うまでもない。   In the above description, the switch portion in the ORing circuit 21 for preventing the backflow is changed to the first, second, and third transistors Q1, Q2, and Q3 according to the current capacity required on the load 30 side. The case where a plurality of switch elements are connected in parallel has been described. However, the number of switch elements constituting the switch unit is not limited to three, and the present invention can be applied to two or more than two. Needless to say, you can.

また、正常状態に復帰する際に、第1、第2、第3トランジスタQ1、Q2、Q3の3個のスイッチ素子のうち、あらかじめ定めた特定のスイッチ素子として第1トランジスタのみを他の第2、第3トランジスタQ2、Q3よりも早いタイミングでONする(導通させる)ように構成し、残りの第2、第3トランジスタQ2、Q3がONする(導通させる)タイミングは、第1トランジスタQ1よりも遅くなるものの、両者がほぼ同一タイミングでONする(導通させる)場合について説明した。しかし、本発明は、かかる場合のみに限るものではなく、ORing回路21内の複数のスイッチ素子それぞれを段階的に駆動することを可能にして、複数のスイッチ素子それぞれを別々のタイミングでONする(導通させる)ようにしても良いし、あるいは、電源の能力如何により、他のスイッチ素子よりも早いタイミングでONする(導通させる)特定のスイッチ素子を、1個のみならず複数同時にオンさせるようにしても良い。   Further, when the normal state is restored, only the first transistor is selected as the second specific switch element among the three switch elements of the first, second, and third transistors Q1, Q2, and Q3. The second transistors and the third transistors Q2 and Q3 are turned on (conducted) at a timing earlier than that of the third transistors Q2 and Q3. The case has been described in which both are turned on (conducted) at substantially the same timing although they are slow. However, the present invention is not limited to such a case, and it is possible to drive each of the plurality of switch elements in the ORing circuit 21 in stages, and turn on each of the plurality of switch elements at different timings ( Depending on the power supply capability, a specific switch element that is turned on (conducted) earlier than other switch elements may be turned on simultaneously, not just one. May be.

また、以上の説明においては、ORing回路21内のスイッチ部を構成するスイッチ素子として、MOSFETを用いる場合について説明したが、場合によっては、ヘテロ接合型FETやバイポーラトランジスタ(Bipolar Transistor)によって構成するようにしても良い。なお、ヘテロ接合型FETを用いる場合は、MOSFETの場合と同様、スイッチ素子としての制御端子はゲート端子であり、該ゲート端子にゲート電圧を印加することによって、導通状態、非導通状態を制御し、一方、バイポーラトランジスタを用いる場合は、スイッチ素子としての制御端子はベース端子であり、該ベース端子にベースを印加することによって、導通状態、非導通状態を制御することは言うまでもない。   In the above description, the case where a MOSFET is used as the switch element constituting the switch unit in the ORing circuit 21 has been described. However, in some cases, a heterojunction FET or a bipolar transistor may be used. Anyway. When a heterojunction FET is used, the control terminal as a switch element is a gate terminal as in the case of MOSFET, and the conduction state and non-conduction state are controlled by applying a gate voltage to the gate terminal. On the other hand, when using a bipolar transistor, the control terminal as a switch element is a base terminal, and it goes without saying that the conduction state and the non-conduction state are controlled by applying the base to the base terminal.

(実施形態の効果の説明)
以上に詳細に説明したように、本実施形態においては、次のような効果が得られる。すなわち、並列に動作する複数の電源で構成された電源装置において、各電源ごとに逆流防止用および保護用として配置されるORing回路21(スイッチ部)内に複数のスイッチ素子を備え、いずれかの電源に故障が発生した際に、該複数のスイッチ素子全てをOFF状態(非導通状態)に設定することによって、故障した電源を隔離して切り離した後に、故障した電源以外の正常な電源を正常状態に復帰させる際に、ORing回路21(スイッチ部)内の複数のスイッチ素子を時間的にずらして段階的に駆動することが可能な回路構成を採用することによって、最初に復帰指示をしたいずれかのスイッチ素子を他のスイッチ素子よりも優先させてON状態(導通状態)に高速復帰させることができるので、出力電圧が正常化するまでの電圧変動値並びに時間を小さくすることができる。したがって、電圧変動抑制用の大容量コンデンサの設置数量を減らすことができ、電源装置の小型化、集積化、原価低減を実現することが可能になる。
(Explanation of effect of embodiment)
As described in detail above, the following effects are obtained in the present embodiment. That is, in a power supply device configured with a plurality of power supplies operating in parallel, each power supply includes a plurality of switch elements in an ORing circuit 21 (switch unit) arranged for backflow prevention and protection. When a failure occurs in the power supply, all the switch elements are set to the OFF state (non-conduction state) to isolate and disconnect the failed power supply, and then normal power supplies other than the failed power supply are normal. When returning to the state, by adopting a circuit configuration in which a plurality of switch elements in the ORing circuit 21 (switch unit) can be driven stepwise by shifting in time, any of the instructions for which the return instruction is first given This switch element can be prioritized over other switch elements and returned to the ON state (conducting state) at high speed until the output voltage becomes normal It is possible to reduce the voltage variation value and time. Therefore, it is possible to reduce the number of installed large-capacity capacitors for suppressing voltage fluctuations, and to realize downsizing, integration, and cost reduction of the power supply device.

以上、本発明の好適な実施形態の構成を説明した。しかし、かかる実施形態は、本発明の単なる例示に過ぎず、何ら本発明を限定するものではないことに留意されたい。本発明の要旨を逸脱することなく、特定用途に応じて種々の変形変更が可能であることが、当業者には容易に理解できよう。   The configuration of the preferred embodiment of the present invention has been described above. However, it should be noted that such embodiments are merely examples of the present invention and do not limit the present invention in any way. Those skilled in the art will readily understand that various modifications and changes can be made according to a specific application without departing from the gist of the present invention.

11 DC/DCコンバータ部
12 DC/DCコンバータ部
13 DC/DCコンバータ部
21 ORing回路
22 ORing回路
23 ORing回路
30 負荷
211 ドライブIC(Integrated Circuit)
D1 ドレイン端子
D2 ドレイン端子
D3 ドレイン端子
Dq1 第1ボディダイオード
Dq2 第2ボディダイオード
Dq3 第3ボディダイオード
G1 ゲート端子
G2 ゲート端子
G3 ゲート端子
Id1 ドレイン電流
Id1n 第1定常電流値
Id2 ドレイン電流
Id2n 第2定常電流値
Id3 ドレイン電流
Id3n 第3定常電流値
I1on 第1オン電流値
I2on 第2オン電流値
I3on 第3オン電流値
Ig1 ゲート電流
Ig2 ゲート電流
Ig3 ゲート電流
Io 負荷電流
Q1 第1トランジスタ
Q2 第2トランジスタ
Q3 第3トランジスタ
Rz2 第2抵抗
Rz3 第3抵抗
S1 ソース端子
S2 ソース端子
S3 ソース端子
V1n 第1定常電圧値
V1on 第1オン電圧値
V2n 第2定常電圧値
V2on 第2オン電圧値
V3n 第3定常電圧値
V3on 第1オン電圧値
VF 導通時電圧
Vgs1 第1駆動電圧
Vgs2 第2駆動電圧
Vgs3 第3駆動電圧
Vo 負荷電圧
Von 正常電圧値
Vov 過電圧
Vz2 第2ツェナー電圧値
Vz3 第3ツェナー電圧値
ZD2 第2ツェナーダイオード
ZD3 第3ツェナーダイオード
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 DC / DC converter part 12 DC / DC converter part 13 DC / DC converter part 21 ORing circuit 22 ORing circuit 23 ORing circuit 30 Load 211 Drive IC (Integrated Circuit)
D1 drain terminal D2 drain terminal D3 drain terminal Dq1 first body diode Dq2 second body diode Dq3 third body diode G1 gate terminal G2 gate terminal G3 gate terminal Id1 drain current Id1n first steady current value Id2 drain current Id2n second steady current Value Id3 Drain current Id3n Third steady current value I1on First on current value I2on Second on current value I3on Third on current value Ig1 Gate current Ig2 Gate current Ig3 Gate current Io Load current Q1 First transistor Q2 Second transistor Q3 First 3 transistor Rz2 second resistor Rz3 third resistor S1 source terminal S2 source terminal S3 source terminal V1n first steady voltage value V1on first on voltage value V2n second steady voltage value V2on second on voltage value V3n third steady state Voltage value V3on First on-voltage value VF Conducting voltage Vgs1 First drive voltage Vgs2 Second drive voltage Vgs3 Third drive voltage Vo Load voltage Von Normal voltage value Vov Overvoltage Vz2 Second Zener voltage value Vz3 Third Zener voltage value ZD2 First 2 Zener diode ZD3 3rd Zener diode

Claims (9)

並列接続した複数の電源それぞれの出力側にスイッチ部を備え、該スイッチ部それぞれを介して各前記電源から負荷に対して並列に電力を供給する電源装置において、前記スイッチ部それぞれは、並列接続した複数のスイッチ素子から構成されていて、複数の前記電源のいずれかに異常電圧を出力する故障が発生した場合、各電源に備えている前記スイッチ部内の全てのスイッチ素子を非導通状態に設定した後、複数の前記電源のうち故障した電源以外の各電源による前記負荷側への電力供給を再開する際に、故障した電源以外の各前記電源それぞれに関し、前記スイッチ部を構成する複数の前記スイッチ素子それぞれを導通状態に切り替える切り替えタイミングを段階的にあらかじめ定めた時間ずらして、非導通状態から導通状態に復帰させることを特徴とする電源装置。   In a power supply apparatus that includes a switch unit on the output side of each of a plurality of power supplies connected in parallel, and supplies power in parallel to the load from each power supply via each switch unit, each of the switch units is connected in parallel When a failure that outputs an abnormal voltage to any one of the plurality of power supplies occurs, all the switch elements in the switch unit included in each power supply are set to a non-conductive state. Then, when resuming power supply to the load side by each power source other than the failed power source among the plurality of power sources, the plurality of switches constituting the switch unit for each of the power sources other than the failed power source The switching timing for switching each element to the conductive state is shifted in stages by a predetermined time to return from the non-conductive state to the conductive state. Power apparatus according to claim Rukoto. 前記切り替えタイミングは、複数の前記スイッチ素子のうち、導通状態への切り替え対象の或るスイッチ素子に対する切り替え指示を出力してから当該スイッチ素子が導通状態に切り替わるまでに要する所要時間以上の時間を経過した後に次の順番の切り替え対象になるスイッチ素子に対する切り替え指示を出力するように設定されることを特徴とする請求項1に記載の電源装置。   The switching timing elapses more than the time required for the switch element to switch to the conductive state after outputting a switching instruction for a switch element to be switched to the conductive state among the plurality of switch elements. 2. The power supply device according to claim 1, wherein the power supply device is set so as to output a switching instruction for a switch element to be switched in the next order. 前記スイッチ素子は、MOSFET、ヘテロ接合FET、バイポーラトランジスタのいずれかからなり、前記スイッチ素子がMOSFETまたはヘテロ接合FETの場合、前記スイッチ素子の制御端子となるゲート端子にゲート電圧を印加することにより、前記スイッチ素子の導通状態、非導通状態を制御し、前記スイッチ素子がバイポーラトランジスタの場合、前記スイッチ素子の制御端子となるベース端子にベース電圧を印加することにより、前記スイッチ素子の導通状態、非導通状態を制御することを特徴とする請求項1または2に記載の電源装置。   The switch element is composed of any one of a MOSFET, a heterojunction FET, and a bipolar transistor, and when the switch element is a MOSFET or a heterojunction FET, by applying a gate voltage to a gate terminal serving as a control terminal of the switch element, When the switch element is a bipolar transistor, the conduction state and non-conduction state of the switch element are controlled by applying a base voltage to a base terminal serving as a control terminal of the switch element. The power supply device according to claim 1, wherein the conduction state is controlled. 複数の前記スイッチ素子のうち、前記切り替えタイミングを段階的に遅くする対象のスイッチ素子それぞれには、ツェナーダイオードとツェナー電圧生成用の抵抗とを前記スイッチ素子の制御端子に接続し、該ツェナー電圧の電圧値を、前記制御端子を駆動する駆動源の能力を勘案して設定することにより、各前記スイッチ素子における前記切り替えタイミングがあらかじめ定めた時間遅くなるように設定することを特徴とする請求項3に記載の電源装置。   Of each of the plurality of switch elements, each of the switch elements whose switching timing is delayed in stages is connected with a Zener diode and a resistor for generating a Zener voltage to the control terminal of the switch element. 4. The voltage value is set in consideration of the ability of a drive source for driving the control terminal, so that the switching timing of each switch element is set to be delayed by a predetermined time. The power supply device described in 1. 並列接続した複数の電源それぞれの出力側にスイッチ部を備え、該スイッチ部それぞれを介して各前記電源から負荷に対して並列に電力を供給する電源装置における電源制御方法であって、前記スイッチ部それぞれは、並列接続した複数のスイッチ素子から構成されていて、複数の前記電源のいずれかに異常電圧を出力する故障が発生した場合、各電源に備えている前記スイッチ部内の全てのスイッチ素子を非導通状態に設定した後、複数の前記電源のうち故障した電源以外の各電源による前記負荷側への電力供給を再開する際に、故障した電源以外の各前記電源それぞれに関し、前記スイッチ部を構成する複数の前記スイッチ素子それぞれを導通状態に切り替える切り替えタイミングを段階的にあらかじめ定めた時間ずらして、非導通状態から導通状態に復帰させることを特徴とする電源制御方法。   A power supply control method in a power supply apparatus that includes a switch unit on the output side of each of a plurality of power supplies connected in parallel, and supplies power from each of the power supplies in parallel to a load via each switch unit, wherein the switch unit Each is composed of a plurality of switch elements connected in parallel, and when a failure occurs in which an abnormal voltage is output to any one of the plurality of power supplies, all the switch elements in the switch unit included in each power supply are connected. After restarting the power supply to the load side by each power source other than the failed power source among the plurality of power sources after setting to the non-conducting state, the switch unit for each power source other than the failed power source Non-conducting state by shifting the switching timing for switching each of the plurality of constituting switch elements to a conducting state stepwise in a stepwise manner. Power supply control method for causing return to al-conductive state. 前記切り替えタイミングは、複数の前記スイッチ素子のうち、導通状態への切り替え対象の或るスイッチ素子に対する切り替え指示を出力してから当該スイッチ素子が導通状態に切り替わるまでに要する所要時間以上の時間を経過した後に次の順番の切り替え対象になるスイッチ素子に対する切り替え指示を出力するように設定されることを特徴とする請求項5に記載の電源制御方法。   The switching timing elapses more than the time required for the switch element to switch to the conductive state after outputting a switching instruction for a switch element to be switched to the conductive state among the plurality of switch elements. 6. The power supply control method according to claim 5, wherein the power supply control method is set so as to output a switching instruction for a switching element to be switched in the next order after the switching. 前記スイッチ素子は、MOSFET、ヘテロ接合FET、バイポーラトランジスタのいずれかからなり、前記スイッチ素子がMOSFETまたはヘテロ接合FETの場合、前記スイッチ素子の制御端子となるゲート端子にゲート電圧を印加することにより、前記スイッチ素子の導通状態、非導通状態を制御し、前記スイッチ素子がバイポーラトランジスタの場合、前記スイッチ素子の制御端子となるベース端子にベース電圧を印加することにより、前記スイッチ素子の導通状態、非導通状態を制御することを特徴とする請求項5または6に記載の電源制御方法。   The switch element is composed of any one of a MOSFET, a heterojunction FET, and a bipolar transistor, and when the switch element is a MOSFET or a heterojunction FET, by applying a gate voltage to a gate terminal serving as a control terminal of the switch element, When the switch element is a bipolar transistor, the conduction state and non-conduction state of the switch element are controlled by applying a base voltage to a base terminal serving as a control terminal of the switch element. The power supply control method according to claim 5 or 6, wherein the conduction state is controlled. 複数の前記スイッチ素子のうち、前記切り替えタイミングを段階的に遅くする対象のスイッチ素子それぞれには、ツェナーダイオードとツェナー電圧生成用の抵抗とを前記スイッチ素子の制御端子に接続し、該ツェナー電圧の電圧値を、前記制御端子を駆動する駆動源の能力を勘案して設定することにより、各前記スイッチ素子における前記切り替えタイミングがあらかじめ定めた時間遅くなるように設定することを特徴とする請求項7に記載の電源制御方法。   Of each of the plurality of switch elements, each of the switch elements whose switching timing is delayed in stages is connected with a Zener diode and a resistor for generating a Zener voltage to the control terminal of the switch element. 8. The voltage value is set in consideration of the capability of a drive source that drives the control terminal, so that the switching timing of each switch element is set to be delayed by a predetermined time. The power supply control method described in 1. 複数の電源を並列接続して負荷に電力を供給する電源回路を備えた電子装置において、該電源回路が請求項1ないし4のいずれかに記載の電源装置を用いて構成されていることを特徴とする電子装置。   An electronic apparatus comprising a power supply circuit for supplying power to a load by connecting a plurality of power supplies in parallel, wherein the power supply circuit is configured using the power supply apparatus according to any one of claims 1 to 4. An electronic device.
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