JP2012167058A - 1,8-aryl-substituted naphthalene derivative exhibiting excimer characteristic, and organic el element obtained by using the same - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a 1,8-aryl-substituted naphthalene derivative exhibiting excimer characteristics and an organic EL element using the same.SOLUTION: The organic EL element is obtained by using the 1,8-aryl-substituted naphthalene derivative exhibiting excimer characteristics represented by general formula (1). In the formula, R-Rare each a group independently selected from the group consisting of hydrogen, deuterium, a 1C-4C linear or branched alkyl group, an alkoxy group or an alkylamino group each having a 1C-4C linear or branched alkyl moiety, fluorine and an acetoxy group; and Ar is any one of a pyrenyl group, a 4-(9-N-carbazolyl)phenyl group and a 4-[10-(9-phenyl)anthranyl]phenyl group.

Description

本発明は、エキシマー特性を有する1,8−アリール置換ナフタレン誘導体及びこれを用いた有機EL素子に関する。   The present invention relates to a 1,8-aryl substituted naphthalene derivative having excimer characteristics and an organic EL device using the same.

本発明に係る1,8−アリール置換ナフタレン誘導体のうち、ピレニル基を有する化合物は公知であるが(非特許文献1)、有機EL測定例は記載されておらず、この化合物のエキシマー特性を利用して有機EL素子を作製することについては記載も示唆もされていない。
また、特許文献1にはナフタレンの1,8−位がπ共役部位で置換された類似化合物の有機EL測定例が記載されているが、発光スペクトルは不明であり、エキシマー特性に関する記述はない。さらに、本発明で用いるのと同じ構造の1,8−アリール置換ナフタレン誘導体に関する記載もない。
Among the 1,8-aryl substituted naphthalene derivatives according to the present invention, compounds having a pyrenyl group are known (Non-Patent Document 1), but no organic EL measurement examples are described, and the excimer characteristics of this compound are utilized. Thus, there is no description or suggestion about manufacturing an organic EL element.
Patent Document 1 describes an organic EL measurement example of a similar compound in which the 1,8-position of naphthalene is substituted with a π-conjugated site, but the emission spectrum is unknown and there is no description regarding excimer characteristics. Furthermore, there is no description regarding a 1,8-aryl substituted naphthalene derivative having the same structure as that used in the present invention.

特開2004−14219号公報JP 2004-14219 A

P.Wahl,C.Krieger,D.Schweitzer,H.A.Staab,Chem.Ber.117,260〜276(1984)P. Wahl, C.I. Krieger, D.M. Schweitzer, H.C. A. Staab, Chem. Ber. 117, 260-276 (1984)

本発明は、エキシマー特性を有する1,8−アリール置換ナフタレン誘導体及びこれを用いた有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子の提供を目的とする。   An object of the present invention is to provide a 1,8-aryl-substituted naphthalene derivative having excimer characteristics and an organic EL (electroluminescence) device using the same.

上記課題は、次の1)〜4)の発明によって解決される。
1) 下記一般式(1)で示されるエキシマー特性を有する1,8−アリール置換ナフタレン誘導体を用いた有機EL素子。
(式中、R〜Rは水素、重水素、炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐アルキル基、アルキル部分が炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐アルキル基であるアルコキシ基又はアルキルアミノ基、フッ素及びアセトキシ基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である。Arは、下記式で示されるピレニル基、4−(9−N−カルバゾリル)フェニル基、4−〔10−(9−フェニル)アントラニル〕フェニル基のいずれかであり、R〜R14は水素、重水素、フッ素、炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐アルキル基、アルキル部分が炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐アルキル基であるアルキルアミノ基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、R15〜R43は水素、重水素、フッ素、炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐アルキル基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である。)
2) 前記1,8−アリール置換ナフタレン誘導体を発光層の発光材料に用いた1)記載の有機EL素子。
3) 前記1,8−アリール置換ナフタレン誘導体を発光層のホスト材料に用いた1)記載の有機EL素子。
4) 下記一般式(1)で示される1,8−アリール置換ナフタレン誘導体。
(式中、R〜Rは水素、重水素、炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐アルキル基、アルキル部分が炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐アルキル基であるアルコキシ基又はアルキルアミノ基、フッ素及びアセトキシ基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である。Arは、下記式で示される4−(9−N−カルバゾリル)フェニル基、4−〔10−(9−フェニル)アントラニル〕フェニル基のいずれかであり、R15〜R43は水素、重水素、フッ素、炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐アルキル基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である。)

The above problems are solved by the following inventions 1) to 4).
1) An organic EL device using a 1,8-aryl-substituted naphthalene derivative having excimer characteristics represented by the following general formula (1).
Wherein R 1 to R 5 are hydrogen, deuterium, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group in which the alkyl portion is a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or alkylamino A group independently selected from the group consisting of a group, fluorine and an acetoxy group, wherein Ar is a pyrenyl group represented by the following formula, 4- (9-N-carbazolyl) phenyl group, 4- [10- ( 9-phenyl) anthranyl] phenyl group, R 6 to R 14 are hydrogen, deuterium, fluorine, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and the alkyl moiety is a straight chain having 1 to 4 carbon atoms. are each independently a group selected from the group consisting of alkylamino group is a chain or branched alkyl group, R 15 to R 43 are hydrogen, deuterium, fluorine, linear or branched aralkyl of 1 to 4 carbon atoms From the group consisting of Le group are each independently selected groups.)
2) The organic EL device according to 1), wherein the 1,8-aryl-substituted naphthalene derivative is used as a light-emitting material for a light-emitting layer.
3) The organic EL device according to 1), wherein the 1,8-aryl-substituted naphthalene derivative is used as a host material for a light emitting layer.
4) A 1,8-aryl substituted naphthalene derivative represented by the following general formula (1).
Wherein R 1 to R 5 are hydrogen, deuterium, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group in which the alkyl portion is a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or alkylamino A group independently selected from the group consisting of a group, fluorine and an acetoxy group, wherein Ar is a 4- (9-N-carbazolyl) phenyl group represented by the following formula, 4- [10- (9-phenyl); ) Anthranyl] phenyl group, and R 15 to R 43 are groups independently selected from the group consisting of hydrogen, deuterium, fluorine, and linear or branched alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms. .)

本発明によれば、エキシマー特性を有する1,8−アリール置換ナフタレン誘導体及びこれを用いた有機EL素子を提供できる。   According to the present invention, a 1,8-aryl substituted naphthalene derivative having excimer characteristics and an organic EL device using the same can be provided.

実施例1で作製した1,8−ビス(ピレン−2−イル)ナフタレンの(BPyN)のH−NMRの全領域チャート。 1 H-NMR full-region chart of (BPyN) of 1,8-bis (pyren-2-yl) naphthalene produced in Example 1. FIG. 実施例1で作製したBPyNのH−NMRの芳香族部位の拡大チャート。The enlarged chart of the aromatic site | part of 1 H-NMR of BPyN produced in Example 1. FIG. 実施例1で作製したBPyNのEI−Massスペクトルのチャート。3 is a chart of EI-Mass spectrum of BPyN produced in Example 1. 実施例2で作製した1,8−ビス〔4−(カルバゾール−9−N−イル)フェニル〕ナフタレンの(BCzPN)のH−NMRの全領域のチャート。 1 is a chart of the entire region of 1 H-NMR of (BCzPN) of 1,8-bis [4- (carbazol-9-N-yl) phenyl] naphthalene prepared in Example 2. 実施例2で作製したBCzPNのH−NMRの芳香族部位のチャート。The chart of the aromatic site | part of 1 H-NMR of BCzPN produced in Example 2. FIG. 実施例2で作製したBCzPNのEI−Massスペクトルのチャート。The chart of EI-Mass spectrum of BCzPN produced in Example 2. 実施例3で作製した1,8−ビス〔4−(9−フェニルアントラセン−10−イル)フェニル〕ナフタレン(BPAPN)のH−NMRの全領域のチャート。 1 is a chart of the entire region of 1 H-NMR of 1,8-bis [4- (9-phenylanthracen-10-yl) phenyl] naphthalene (BPAPN) prepared in Example 3. 実施例3で作製したBPAPNのH−NMRの芳香族部位のチャート。 1 is a chart of aromatic sites of 1 H-NMR of BPAPN produced in Example 3. FIG. 実施例3で作製したBPAPNのEI−Massスペクトルのチャート。6 is a chart of the EI-Mass spectrum of BPAPN produced in Example 3. 実施例1で作製したBPyNのDSCのチャート。2 is a DSC chart of BPyN produced in Example 1. 実施例1で作製したBPyNのTGAのチャート。2 is a TGA chart of BPyN produced in Example 1. FIG. 実施例2で作製したBCzPNのDSCのチャート。6 is a DSC chart of BCzPN produced in Example 2. 実施例2で作製したBCzPNのTGAのチャート。5 is a TGA chart of BCzPN produced in Example 2. 実施例3で作製したBPAPNのDSCのチャート。6 is a DSC chart of BPAPN produced in Example 3. 実施例3で作製したBPAPNのTGAのチャート。6 is a TGA chart of BPAPN produced in Example 3. FIG. 実施例1で作製したBPyNのHOMOの値を示すチャート。3 is a chart showing HOMO values of BPyN produced in Example 1. 実施例2で作製したBCzPNのHOMOの値を示すチャート。6 is a chart showing the HOMO value of BCzPN produced in Example 2. 実施例1で作製したBPyNのトルエン溶液中と薄膜状での紫外−可視吸収(UV−vis)及びフォトルミネッセンス(PL)の測定結果を示す図。The figure which shows the measurement result of the ultraviolet-visible absorption (UV-vis) and photoluminescence (PL) in the toluene solution of BPyN produced in Example 1, and a thin film form. 実施例2で作製したBCzPNの塩化メチレン溶液中と薄膜状での紫外−可視吸収(UV−vis)及びフォトルミネッセンス(PL)の測定結果を示す図。The figure which shows the measurement result of the ultraviolet-visible absorption (UV-vis) and photoluminescence (PL) in the methylene chloride solution of BCzPN produced in Example 2, and a thin film form. 実施例3で作製したBPAPNのTHF溶液中での紫外−可視吸収(UV−vis)及びフォトルミネッセンス(PL)の測定結果を示す図。The figure which shows the measurement result of the ultraviolet-visible absorption (UV-vis) and photoluminescence (PL) in the THF solution of BPAPN produced in Example 3. FIG. 実施例14〜15の素子構造を示す図。The figure which shows the element structure of Examples 14-15. 実施例14〜15の電流密度−電圧特性を示す図。The figure which shows the current density-voltage characteristic of Examples 14-15. 実施例14〜15の輝度−電圧特性を示す図。The figure which shows the luminance-voltage characteristic of Examples 14-15. 実施例14〜15の電力効率−輝度特性を示す図。The figure which shows the power efficiency-luminance characteristic of Examples 14-15. 実施例14〜15の電流効率−輝度特性を示す図。The figure which shows the current efficiency-luminance characteristic of Examples 14-15. 実施例14〜15の外部量子効率−輝度特性を示す図。The figure which shows the external quantum efficiency-luminance characteristic of Examples 14-15. 実施例14のELスペクトルを示す図。FIG. 16 shows an EL spectrum of Example 14. 実施例15のELスペクトルを示す図。FIG. 16 shows an EL spectrum of Example 15. 実施例17〜20の素子構造を示す図。The figure which shows the element structure of Examples 17-20. 実施例17〜20の電流密度−電圧特性を示す図。The figure which shows the current density-voltage characteristic of Examples 17-20. 実施例17〜20の輝度−電圧特性を示す図。The figure which shows the luminance-voltage characteristic of Examples 17-20. 実施例17〜20の電力効率−輝度特性を示す図。The figure which shows the power efficiency-luminance characteristic of Examples 17-20. 実施例17〜20の電流効率−輝度特性を示す図。The figure which shows the current efficiency-luminance characteristic of Examples 17-20. 実施例17〜20の外部量子効率−輝度特性を示す図。The figure which shows the external quantum efficiency-brightness characteristic of Examples 17-20. 実施例17〜20のELスペクトルを示す図。The figure which shows EL spectrum of Examples 17-20. 実施例21の素子構造を示す図。FIG. 25 shows an element structure of Example 21. 実施例21の電流密度−電圧特性を示す図。FIG. 25 shows current density-voltage characteristics of Example 21. 実施例21の輝度−電圧特性を示す図。FIG. 25 shows luminance-voltage characteristics of Example 21. 実施例21の電力効率−輝度特性を示す図。FIG. 25 shows power efficiency-luminance characteristics of Example 21. 実施例21の電流効率−輝度特性を示す図。FIG. 25 shows current efficiency-luminance characteristics of Example 21. 実施例21の外部量子効率−輝度特性を示す図。FIG. 25 shows external quantum efficiency-luminance characteristics of Example 21. 実施例21のELスペクトルを示す図。FIG. 14 shows an EL spectrum of Example 21. 実施例22の素子構造を示す図。FIG. 25 shows an element structure of Example 22. 実施例22の電流密度−電圧特性を示す図。FIG. 25 shows current density-voltage characteristics of Example 22. 実施例22の輝度−電圧特性を示す図。FIG. 25 shows luminance-voltage characteristics of Example 22. 実施例22の電力効率−輝度特性を示す図。FIG. 25 shows power efficiency-luminance characteristics of Example 22. 実施例22の電流効率−輝度特性を示す図。FIG. 26 shows current efficiency-luminance characteristics of Example 22; 実施例22の外部量子効率−輝度特性を示す図。FIG. 25 shows external quantum efficiency-luminance characteristics of Example 22. 実施例22のELスペクトルを示す図。The figure which shows EL spectrum of Example 22. 本発明の有機EL素子の構成例を示す図。The figure which shows the structural example of the organic EL element of this invention. 本発明の有機EL素子の他の構成例を示す図。The figure which shows the other structural example of the organic EL element of this invention. 本発明の有機EL素子の他の構成例を示す図。The figure which shows the other structural example of the organic EL element of this invention. 本発明の有機EL素子の他の構成例を示す図。The figure which shows the other structural example of the organic EL element of this invention. 本発明の有機EL素子の他の構成例を示す図。The figure which shows the other structural example of the organic EL element of this invention. 本発明の有機EL素子の他の構成例を示す図。The figure which shows the other structural example of the organic EL element of this invention. 本発明の有機EL素子の他の構成例を示す図。The figure which shows the other structural example of the organic EL element of this invention. 本発明の有機EL素子の他の構成例を示す図。The figure which shows the other structural example of the organic EL element of this invention.

以下、上記本発明について詳しく説明する。
π共役分子はπ共役平面同士のスタッキングにより、孤立したπ共役分子が示す蛍光発光に比べて大きく長波長シフトしたエキシマー発光を示す。
そこで本発明者らは、このエキシマー発光を利用すると、大きい長波長シフトにより吸収のスペクトルとの重なりがないため、高い蛍光量子収率が期待できると考えた。また、エキシマー発光は特異な三重項状態を示すため、三重項−一重項変換による高効率蛍光材料及びホスト材料として期待できるほか、リン光用ホスト材料としても期待できると考えた。また、このようなエキシマー発光を効率よく有機EL素子に取り入れれば、更なる素子特性の向上が期待できると考えた。
そして、上記考えに基づいて鋭意検討した結果、本発明に係る前記一般式(1)で示されるエキシマー特性を有する1,8−アリール置換ナフタレン誘導体を発光層に用いることにより有用な有機EL素子が得られることを見出した。
また、前記一般式(1)で示される1,8−アリール置換ナフタレン誘導体は、単独で使用すれば発光材料として機能するが、ホスト材料として使用すれば、発光材料を効率よく発光させることができることを確認した。さらに、エキシマー形成をし易いことから、色度の微細加工が容易であり、照明などに使用した場合、演色性を高めることができることを確認した。したがって、本発明は工業的に極めて有用なものである。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The π-conjugated molecule exhibits excimer emission that is greatly shifted in wavelength compared to the fluorescence emission exhibited by the isolated π-conjugated molecule due to stacking of π-conjugated planes.
Therefore, the present inventors considered that, when this excimer luminescence is used, a high fluorescence quantum yield can be expected because there is no overlap with the absorption spectrum due to a large long wavelength shift. In addition, since excimer luminescence shows a unique triplet state, it is expected that it can be expected as a highly efficient fluorescent material and host material by triplet-singlet conversion, and also as a phosphorescent host material. Moreover, if such excimer light emission was efficiently incorporated into an organic EL device, it was considered that further improvement in device characteristics could be expected.
As a result of intensive studies based on the above idea, a useful organic EL device can be obtained by using a 1,8-aryl-substituted naphthalene derivative having an excimer characteristic represented by the general formula (1) according to the present invention for a light emitting layer. It was found that it can be obtained.
The 1,8-aryl-substituted naphthalene derivative represented by the general formula (1) functions as a light emitting material when used alone, but when used as a host material, the light emitting material can efficiently emit light. It was confirmed. Furthermore, since it was easy to form an excimer, it was confirmed that fine processing of chromaticity was easy, and that when used for illumination or the like, color rendering could be improved. Therefore, the present invention is extremely useful industrially.

前記一般式(1)の化合物におけるR〜R43の炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐アルキル基としては、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基などを例示することができる。
また、アルキル部分が炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐アルキル基であるアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ノルマルプロポキシ基、イソプロポキシ基、ノルマルブトキシ基、イソブトキシ基、ターシャリーブトキシ基などを例示することができる。
また、アルキル部分が炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐アルキル基であるアルキルアミノ基としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、メチルエチルアミノ基、ノルマルプロピルアミノ基、ジノルマルプロピルアミノ基、メチルノルマルプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、メチルイソプロピルアミノ基、ノルマルブチルアミノ基、ジノルマルブチルアミノ基、メチルノルマルブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ジイソブチルアミノ基、メチルイソブチルアミノ基、ターシャリーブチルアミノ基、ジターシャリーブチルアミノ基、メチルターシャリーブチルアミノ基などを例示することができる。
Examples of the linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms of R 1 to R 43 in the compound of the general formula (1) include a methyl group, an ethyl group, a normal propyl group, an isopropyl group, a normal butyl group, an isobutyl group, A tertiary butyl group can be exemplified.
Examples of the alkoxy group in which the alkyl portion is a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms include a methoxy group, an ethoxy group, a normal propoxy group, an isopropoxy group, a normal butoxy group, an isobutoxy group, and a tertiary butoxy group. Can be illustrated.
In addition, as the alkylamino group in which the alkyl portion is a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a methylamino group, a dimethylamino group, an ethylamino group, a diethylamino group, a methylethylamino group, a normal propylamino group, Dinormal propylamino group, methyl normal propyl amino group, isopropyl amino group, diisopropyl amino group, methyl isopropyl amino group, normal butyl amino group, di normal butyl amino group, methyl normal butyl amino group, isobutyl amino group, diisobutyl amino group, Examples thereof include a methylisobutylamino group, a tertiary butylamino group, a ditertiary butylamino group, and a methyl tertiary butylamino group.

前記一般式(1)の化合物は、下記の反応により作製することができる。
式中、R〜Rは水素、重水素、炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐アルキル基、アルキル部分が炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐アルキル基であるアルコキシ基又はアルキルアミノ基、フッ素及びアセトキシ基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である。Arは、下記式で示されるピレニル基、4−(9−N−カルバゾリル)フェニル基、4−〔10−(9−フェニル)アントラニル〕フェニル基のいずれかであり、R〜R14は水素、重水素、フッ素、炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐アルキル基、アルキル部分が炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐アルキル基であるアルキルアミノ基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、R15〜R43は水素、重水素、フッ素、炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐アルキル基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である。)
The compound of the general formula (1) can be prepared by the following reaction.
In the formula, R 1 to R 5 are hydrogen, deuterium, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group or an alkylamino group in which the alkyl portion is a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. , A group independently selected from the group consisting of fluorine and acetoxy groups. Ar is any one of a pyrenyl group, a 4- (9-N-carbazolyl) phenyl group, and a 4- [10- (9-phenyl) anthranyl] phenyl group represented by the following formula, and R 6 to R 14 are hydrogen. , Deuterium, fluorine, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and an alkyl moiety independently selected from the group consisting of alkylamino groups that are linear or branched alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms. R 15 to R 43 are groups independently selected from the group consisting of hydrogen, deuterium, fluorine, and a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. )

上記作製方法は、臭素化物とホウ酸エステルとのカップリング反応である。一般に鈴木カップリングと呼ばれる反応で、有機合成反応では良く用いられる手法である。反応で用いるパラジウム触媒は、反応系中で0価を示すものであれば特に限定されない。その例としては、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)〔Pd(PPh〕、ビス[1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン]パラジウム(0)、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)、ビス(トリ−tert−ブチルホスフィン)パラジウム(0)などが挙げられる。取り扱い易さからテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)が好ましい。
反応に用いる塩基については、無機物でも有機物でも特に限定されない。無機物としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウムなどの炭酸塩、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウムなどの炭酸水素塩、フッ化カリウムやフッ化セシウムなどのフッ化物、有機物しては、ナトリウムメチラートやナトリウムエチラートなどのアルコラート化合物、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミンやターシャリーブチルアミンなどのアミン化合物などが例示できる。取り扱い易さから炭酸カリウムが好ましい。無機塩を使用する場合は、反応系での分散性を上げるために水溶液にして使用することが好ましい。
反応溶媒は、パラジウム触媒や使用する塩基と反応しないものであれば特に限定されるものではない。例示すれば、トルエンやキシレンのような芳香族系溶媒、1,4−ジオキサンや1,2−ジメトキシエタンのようなエーテル系溶媒などが使用できる。芳香族系溶媒の場合、メタノールやエタノールなどのアルコール系溶媒と併用してもよい。
The preparation method is a coupling reaction between a bromide and a borate ester. This is a reaction generally called Suzuki coupling, which is often used in organic synthesis reactions. The palladium catalyst used in the reaction is not particularly limited as long as it shows zero valence in the reaction system. Examples include tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) [Pd (PPh 3 ) 4 ], bis [1,2-bis (diphenylphosphino) ethane] palladium (0), bis (dibenzylideneacetone) palladium. (0), bis (tri-tert-butylphosphine) palladium (0), and the like. Tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) is preferable because of easy handling.
The base used for the reaction is not particularly limited, whether it is inorganic or organic. Examples of inorganic substances include carbonates such as sodium carbonate, potassium carbonate, and cesium carbonate; bicarbonates such as sodium bicarbonate and potassium bicarbonate; fluorides such as potassium fluoride and cesium fluoride; and organic substances such as sodium methylate. And alcoholate compounds such as sodium ethylate, and amine compounds such as triethylamine, diisopropylethylamine and tertiary butylamine. In view of ease of handling, potassium carbonate is preferred. When using an inorganic salt, it is preferable to use it as an aqueous solution in order to increase the dispersibility in the reaction system.
The reaction solvent is not particularly limited as long as it does not react with the palladium catalyst or the base used. For example, aromatic solvents such as toluene and xylene, ether solvents such as 1,4-dioxane and 1,2-dimethoxyethane can be used. In the case of an aromatic solvent, it may be used in combination with an alcohol solvent such as methanol or ethanol.

前記一般式(1)の化合物の具体例を例示する。なお、例示化合物においてメチル基は他のアルキル基例えばエチル基やプロピル基などと置き換えることができる。
Specific examples of the compound of the general formula (1) are illustrated. In the exemplified compound, the methyl group can be replaced with another alkyl group such as an ethyl group or a propyl group.

前記一般式(1)の化合物は高いエキシマー発光を示す。従って、発光材料として使用することができる。これらはいずれも蒸着又は塗布により層形成を行うのが望ましい。
また、前記一般式(1)の化合物は、エキシマー形成による発光を示す。また発光ドーパント用のホスト材料として使用することができる。これらはいずれも蒸着又は塗布により層形成を行うのが望ましい。
また、前記一般式(1)の化合物を有機EL素子の発光材料に使用する場合、適当なホスト材料と組み合わせて使用することができる。
The compound of the general formula (1) exhibits high excimer emission. Therefore, it can be used as a light emitting material. In any case, it is desirable to form a layer by vapor deposition or coating.
Moreover, the compound of the said General formula (1) shows light emission by excimer formation. It can also be used as a host material for a light emitting dopant. In any case, it is desirable to form a layer by vapor deposition or coating.
Moreover, when using the compound of the said General formula (1) for the luminescent material of an organic EL element, it can be used in combination with a suitable host material.

次に本発明の有機EL素子について説明する。
本発明の有機EL素子は、陽極と陰極間に複数層の有機化合物を積層した素子であり、発光層の発光材料として前記一般式(1)の化合物を含有する。
発光層は、発光材料とホスト材料から構成される。多層型の有機EL素子の構成例としては、陽極(例えばITO)/ホール輸送層/発光層/電子輸送層/陰極、ITO/ホール輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極、ITO/ホール輸送層/発光層/ホールブロック層/電子輸送層/陰極、ITO/ホール輸送層/発光層/ホールブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極、ITO/ホール注入層(正孔注入層)/ホール輸送層/発光層/ホールブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極等の多層構成で積層したものが挙げられる。また、必要に応じて陰極上に封止層を有していてもよい。
ホール輸送層、電子輸送層、及び発光層のそれぞれの層は、各機能を分離した多層構造であることが望ましい。またホール輸送層、電子輸送層はそれぞれの層で注入機能を受け持つ層(ホール注入層及び電子注入層)と輸送機能を受け持つ層(ホール輸送層及び電子輸送層)を別々に設けることもできる。
Next, the organic EL element of the present invention will be described.
The organic EL device of the present invention is a device in which a plurality of layers of organic compounds are laminated between an anode and a cathode, and contains the compound of the general formula (1) as a light emitting material of the light emitting layer.
The light emitting layer is composed of a light emitting material and a host material. Examples of the configuration of the multilayer organic EL device include an anode (for example, ITO) / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode, ITO / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode, ITO / hole transport layer / light emitting layer / hole block layer / electron transport layer / cathode, ITO / hole transport layer / light emitting layer / hole block layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode, ITO / hole injection layer (hole Injecting layer) / hole transporting layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transporting layer / electron injecting layer / cathode and the like laminated. Moreover, you may have a sealing layer on a cathode as needed.
Each of the hole transport layer, the electron transport layer, and the light emitting layer preferably has a multilayer structure in which the functions are separated. In addition, the hole transport layer and the electron transport layer can be provided separately with a layer responsible for the injection function (hole injection layer and electron injection layer) and a layer responsible for the transport function (hole transport layer and electron transport layer).

以下本発明の有機EL素子の構成要素に関して、陽極/ホール輸送層/発光層/電子輸送層/陰極からなる素子構成を例として取り上げて説明する。
本発明の有機EL素子は、基板に支持されていることが好ましい。
基板の素材については特に制限はなく、例えば、従来の有機EL素子に慣用されているものが使用でき、ガラス、石英ガラス、透明プラスチックなどからなるものを用いることができる。
Hereinafter, the constituent elements of the organic EL element of the present invention will be described by taking as an example an element structure composed of an anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode.
The organic EL element of the present invention is preferably supported on a substrate.
There is no restriction | limiting in particular about the raw material of a board | substrate, For example, what is conventionally used for the conventional organic EL element can be used, and what consists of glass, quartz glass, a transparent plastic, etc. can be used.

前記陽極としては、仕事関数の大きな金属単体(4eV以上)、仕事関数の大きな金属同士の合金(4eV以上)又は導電性物質及びこれらの混合物を電極材料とすることが好ましい。このような電極材料の例としては、金、銀、銅等の金属、ITO(インジウム−スズオキサイド)、酸化スズ(SnO)、酸化亜鉛(ZnO)などの導電性透明材料、ポリピロール、ポリチオフェン等の導電性高分子材料が挙げられる。陽極はこれらの電極材料を、例えば蒸着、スパッタリング、塗布などの方法により形成することができる。陽極のシート電気抵抗は数百Ω/cm以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、一般に5〜1,000nm程度、好ましくは10〜500nmである。 As the anode, an electrode material is preferably a single metal having a large work function (4 eV or more), an alloy of metals having a large work function (4 eV or more), a conductive substance, or a mixture thereof. Examples of such electrode materials include gold, silver, copper and other metals, ITO (indium-tin oxide), tin oxide (SnO 2 ), zinc oxide (ZnO), and other conductive transparent materials, polypyrrole, polythiophene, etc. The conductive polymer material is mentioned. For the anode, these electrode materials can be formed by a method such as vapor deposition, sputtering, or coating. The sheet electrical resistance of the anode is preferably several hundred Ω / cm 2 or less. The thickness of the anode depends on the material, but is generally about 5 to 1,000 nm, preferably 10 to 500 nm.

前記陰極としては、仕事関数の小さな金属単体(4eV以下)、仕事関数の小さい金属同士の合金(4eV以下)又は導電性物質及びこれらの混合物を電極材料とすることが好ましい。このような電極材料の例としては、リチウム、リチウム−インジウム合金、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−マグネシウム合金などが挙げられる。陰極はこれらの電極材料を、例えば蒸着、スパッタリングなどの方法により、薄膜を形成させることにより作製することができる。
陰極のシート電気抵抗は数百Ω/cm以下が好ましい。陰極の膜厚は材料にもよるが、一般に5〜1,000nm程度、好ましくは10〜500nmである。
本発明の有機EL素子の発光を効率よく取り出すために、陽極又は陰極の少なくとも一方の電極は透明又は半透明であることが好ましい。
As the cathode, an electrode material is preferably a single metal having a low work function (4 eV or less), an alloy of metals having a low work function (4 eV or less), a conductive substance, or a mixture thereof. Examples of such electrode materials include lithium, lithium-indium alloy, sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, aluminum, aluminum-lithium alloy, aluminum-magnesium alloy, and the like. It is done. The cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering.
The sheet electrical resistance of the cathode is preferably several hundred Ω / cm 2 or less. The thickness of the cathode depends on the material, but is generally about 5 to 1,000 nm, preferably 10 to 500 nm.
In order to efficiently extract light emitted from the organic EL device of the present invention, at least one of the anode and the cathode is preferably transparent or translucent.

前記ホール輸送層は、ホール伝達化合物からなるもので、陽極より注入されたホールを発光層に伝達する機能を有している。電界が与えた2つの電極の間に正孔伝達化合物が配置されて陽極からホールが注入された場合、少なくとも10−6cm/V・秒以上のホール移動度を有するホール伝達物質が好ましい。本発明の有機EL素子のホール輸送層に使用するホール伝達物質は、前記の好ましい性能を有するものであれば特に制限はない。従来から光導電材料においてホールの電荷注入材料として慣用されているものや有機EL素子のホール輸送層に使用されている公知の材料の中から任意のものを選択して用いることができる。 The hole transport layer is made of a hole transfer compound and has a function of transmitting holes injected from the anode to the light emitting layer. When a hole transfer compound is disposed between two electrodes to which an electric field is applied and holes are injected from the anode, a hole transfer material having a hole mobility of at least 10 −6 cm 2 / V · sec or more is preferable. The hole transfer material used for the hole transport layer of the organic EL device of the present invention is not particularly limited as long as it has the above-mentioned preferable performance. A photoconductive material that has been conventionally used as a hole charge injection material or a known material that is used for a hole transport layer of an organic EL element can be selected and used.

ホール伝達物質の例としては、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン誘導体、N,N,N′,N′−テトラフェニル−1,4−フェニレンジアミン、N,N′−ジ(m−トリル)−N,N′−ジフェニル−4,4−ジアミノフェニル(TPD)、N,N′−ジ(1−ナフチル)−N,N′−ジフェニル−4,4−ジアミノフェニル(α−NPD)等のトリアリールアミン誘導体、ポリフェニレンジアミン誘導体、ポリチオフェン誘導体、及び水溶性のPEDOT−PSS(ポリエチレンジオキサチオフェン−ポリスチレンスルホン酸)などが挙げられる。
ホール輸送層は、これらの他のホール伝達化合物の一種又は二種以上からなる一層で構成されたものでよく、前記のホール伝達物質とは別の化合物からなるホール輸送層を積層したものでもよい。
Examples of hole transfer materials include phthalocyanine derivatives such as copper phthalocyanine, N, N, N ′, N′-tetraphenyl-1,4-phenylenediamine, N, N′-di (m-tolyl) -N, N Triarylamine derivatives such as' -diphenyl-4,4-diaminophenyl (TPD), N, N'-di (1-naphthyl) -N, N'-diphenyl-4,4-diaminophenyl (α-NPD) , Polyphenylenediamine derivatives, polythiophene derivatives, and water-soluble PEDOT-PSS (polyethylenedioxathiophene-polystyrenesulfonic acid).
The hole transport layer may be composed of one or more of these other hole transport compounds, or may be a stack of hole transport layers composed of a compound different from the hole transport material. .

ホール注入材料の例としては、下記化学式で示されるPEDOT−PSS(ポリマー混合物)やDNTPDが挙げられる。式中のnは繰り返し単位数である。
ホール輸送材料の例としては、下記化学式で示されるTPD、DTASi、α−NPD、TAPCなどが挙げられる。

Examples of the hole injection material include PEDOT-PSS (polymer mixture) and DNTPD represented by the following chemical formula. N in the formula is the number of repeating units.
Examples of the hole transport material include TPD, DTASi, α-NPD, and TAPC represented by the following chemical formula.

前記電子輸送層は、電子輸送材料からなるもので、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有している。電界が与えた2つの電極の間に電子輸送材料が配置されて陰極から電子が注入された場合、少なくとも10−6cm/V・秒以上の電子移動度を有する電子輸送材料が好ましい。該電子輸送材料は、前記の好ましい性能を有するものであれば特に制限はない。従来から光導電材料において電子の電荷注入材料として慣用されているものや有機EL素子の電子輸送層に使用されている公知の材料の中から任意のものを選択して用いることができる。
電子輸送材料の例としては、トリス(8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム錯体(Alq)のようなキノリン錯体、1−N−フェニル−2−(p−ビフェニルイル)−5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,5−トリアジン(TAZ)のようなトリアジン誘導体、1,4−ジ(1,10−フェナントロリン−2−イル)ベンゼン(DPB)のようなフェナントロリン誘導体、フッ化リチウムのようなハロゲン化アルカリ金属などが挙げられる。
AlqとTAZの化学式を次に示す。

The electron transport layer is made of an electron transport material and has a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light emitting layer. When an electron transport material is arranged between two electrodes to which an electric field is applied and electrons are injected from the cathode, an electron transport material having an electron mobility of at least 10 −6 cm 2 / V · sec or more is preferable. The electron transport material is not particularly limited as long as it has the above-mentioned preferable performance. Any one of materials conventionally used as electron charge injection materials in photoconductive materials and known materials used for electron transport layers of organic EL elements can be selected and used.
Examples of electron transport materials include quinoline complexes such as tris (8-hydroxyquinolinolato) aluminum complex (Alq 3 ), 1-N-phenyl-2- (p-biphenylyl) -5- (p-tert -Triazine derivatives such as butylphenyl) -1,3,5-triazine (TAZ), phenanthroline derivatives such as 1,4-di (1,10-phenanthroline-2-yl) benzene (DPB), lithium fluoride And alkali metal halides.
Following the Alq 3 and TAZ formula.

上記の他に、下記化学式で示されるトリアジン誘導体の電子輸送材料(TmPyPhTAZ、特開2007−137829号公報参照)やビスフェノール誘導体の電子輸送材料(tetra−pPyPhBP、特開2008−063232号公報参照)などを用いることもできる。
電子輸送層は、上記電子輸送材料の一種又は二種以上からなる一層で構成されたものでよいが、これらとは別の化合物からなる電子輸送層を積層したものでもよい。
In addition to the above, an electron transport material of a triazine derivative represented by the following chemical formula (TmPyPhTAZ, see Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-137829), an electron transport material of a bisphenol derivative (tetra-pPyPhBP, see Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-066322), etc. Can also be used.
The electron transport layer may be composed of one or more of the above electron transport materials, but may be a stack of electron transport layers composed of compounds different from these.

電子注入材料の例としては、下記化学式で示されるフッ化リチウム(LiF)や8−ヒドロキシキノリノラトリチウム錯体(Liq)、フェナントロリン誘導体のリチウム錯体(LiPB、特開2008−106015号公報参照)、フェノキシピリジンのリチウム錯体(LiPP、特開2008−195623号公報参照)が挙げられる。
Examples of the electron injection material include lithium fluoride (LiF), 8-hydroxyquinolinolatolithium complex (Liq) represented by the following chemical formula, lithium complex of phenanthroline derivative (LiPB, see JP 2008-106015 A), A lithium complex of phenoxypyridine (LiPP, see JP 2008-195623 A) can be mentioned.

本発明の有機EL素子の発光層では発光材料として前記一般式(1)の化合物を使用するが、任意のものを選択して前記一般式(1)の化合物と併用することができる。
併用する発光材料としては、ペリレン誘導体、ナフタセン誘導体、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体(例えばクマリン1、クマリン540、クマリン545など)、ピラン誘導体(例えばDCM−1、DCM−2、DCJTBなど)、有機金属錯体〔例えばトリス(8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム錯体(Alq)、トリス(4−メチル−8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム錯体(Almq)等の蛍光材料や、[2−(4,6−ジフルオロフェニル)ピリジル−N,C2′]イリジウム(III)ピコリレート(FIrpic)、トリス{1−[4−(トリフルオロメチル)フェニル]−1H−ピラゾラート−N,C2′}イリジウム(III)(Irtfmppz)、ビス[2−(4′,6′−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2′]イリジウム(III)テトラキス(1−ピラゾリル)ボレート(FIr6)、トリス(2−フェニルピリジナト)イリジウム(III)(Irppy)等のリン光材料〕などが挙げられる。
In the light emitting layer of the organic EL device of the present invention, the compound of the general formula (1) is used as the light emitting material, and any compound can be selected and used in combination with the compound of the general formula (1).
Examples of the light-emitting material used in combination include perylene derivatives, naphthacene derivatives, quinacridone derivatives, coumarin derivatives (eg, coumarin 1, coumarin 540, coumarin 545), pyran derivatives (eg, DCM-1, DCM-2, DCJTB, etc.), organometallic complexes [For example, fluorescent materials such as tris (8-hydroxyquinolinolato) aluminum complex (Alq 3 ), tris (4-methyl-8-hydroxyquinolinolato) aluminum complex (Almq 3 ), [2- (4,6 -Difluorophenyl) pyridyl-N, C2 '] iridium (III) picolylate (FIrpic), tris {1- [4- (trifluoromethyl) phenyl] -1H-pyrazolate-N, C2'} iridium (III) (Irtfmpppz 3), bis [2- (4 ', 6'-difluoro-phenylene ) Pyridinato -N, C2 '] iridium (III) tetrakis (1-pyrazolyl) borate (FIr6), and the like tris (2-phenylpyridinato) iridium (III) (phosphorescent material Irppy 3), etc.] .

発光層は、一般にホスト材料と発光材料(ドーパント)から形成される[Appl.Phys.Lett.,65 3610(1989)]が、前記一般式(1)の化合物はホスト材料なしでも発光材料として使用できる。ホスト材料を併用する場合の例としては、下記化学式で示される2−ターシャリーブチル−9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン(TBADN)、2−メチル−9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン(MADN)が挙げられる。ドーパントにリン光材料を併用する場合の例としては、下記化学式で示される4,4′−ジ(N−カルバゾリル)−1,1′−ビフェニル(CBP)、1,4−ジ(N−カルバゾリル)ベンゼン−2,2′−ジ[4″−(N−カルバゾリル)フェニル]−1,1′−ビフェニル(4CzPBP)等が挙げられる。

前記一般式(1)の化合物の割合は、ホスト材料に対して好ましくは0.01〜40重量%であり、より好ましくは0.1〜20重量%である。
The light emitting layer is generally formed of a host material and a light emitting material (dopant) [Appl. Phys. Lett. , 65 3610 (1989)], the compound of the general formula (1) can be used as a light emitting material without a host material. Examples of the case where a host material is used in combination include 2-tertiarybutyl-9,10-di (naphthalen-2-yl) anthracene (TBADN) and 2-methyl-9,10-di (naphthalene) represented by the following chemical formula: -2-yl) anthracene (MADN). Examples of using a phosphorescent material in combination with a dopant include 4,4′-di (N-carbazolyl) -1,1′-biphenyl (CBP) and 1,4-di (N-carbazolyl) represented by the following chemical formula: ) Benzene-2,2'-di [4 "-(N-carbazolyl) phenyl] -1,1'-biphenyl (4CzPBP).

The ratio of the compound of the general formula (1) is preferably 0.01 to 40% by weight, more preferably 0.1 to 20% by weight with respect to the host material.

本発明の有機EL素子は、ホール注入性をさらに向上させる目的で陽極と有機化合物の層の間に有機導電体から構成されるホール注入層を設けてもよい。ここで使用されるホール注入材料としては、前記一般式(1)の化合物の他に銅フタロシアニンなどのフタロシアニン誘導体、ポリフェニレンジアミン誘導体、ポリチオフェン誘導体、PEDOT−PSS(ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホン酸)などが挙げられる。
前記一般式(1)の化合物を含む有機EL素子のホール注入層、ホール輸送層の形成方法は特に限定されるものではなく、例えば乾式製膜法(真空蒸着法、イオン化蒸着法など)、湿式製膜法(溶媒塗布法:スピンコート法、キャスト法、インクジェット法など)を使用することができる。電子輸送層の製膜については、湿式製膜法で行うと下層が溶出する恐れがあるため乾式製膜法(真空蒸着法、イオン化蒸着法など)に限定される。素子の作製については上記の製膜法を併用しても構わない。
真空蒸着法によりホール輸送層、発光層、電子輸送層などの各層を形成する場合、真空蒸着条件は特に限定されるものではない。通常10−5Torr程度以下の真空下で50〜500℃程度のボート温度(蒸着原温度)、−50〜300℃程度の基板温度で、0.01〜50nm/sec.程度蒸着することが好ましい。正孔輸送層、発光層、電子輸送層の各層を複数の化合物を使用して形成する場合、化合物を入れたボートをそれぞれ温度制御しながら共蒸着することが好ましい。
In the organic EL device of the present invention, a hole injection layer composed of an organic conductor may be provided between the anode and the organic compound layer for the purpose of further improving the hole injection property. As the hole injection material used here, in addition to the compound of the general formula (1), phthalocyanine derivatives such as copper phthalocyanine, polyphenylenediamine derivatives, polythiophene derivatives, PEDOT-PSS (polyethylenedioxythiophene-polystyrenesulfonic acid), etc. Is mentioned.
The formation method of the hole injection layer and the hole transport layer of the organic EL device containing the compound of the general formula (1) is not particularly limited. For example, a dry film forming method (vacuum vapor deposition method, ionization vapor deposition method, etc.), wet type A film forming method (solvent coating method: spin coating method, casting method, ink jet method, etc.) can be used. The film formation of the electron transport layer is limited to dry film formation methods (vacuum vapor deposition method, ionization vapor deposition method, etc.) because the lower layer may be eluted when the wet film formation method is used. For the production of the element, the above film forming method may be used in combination.
When forming each layer such as a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer by a vacuum deposition method, the vacuum deposition conditions are not particularly limited. Usually, under a vacuum of about 10 −5 Torr or less, a boat temperature (deposition source temperature) of about 50 to 500 ° C., a substrate temperature of about −50 to 300 ° C., and 0.01 to 50 nm / sec. Vapor deposition is preferred. When forming each layer of a positive hole transport layer, a light emitting layer, and an electron carrying layer using a some compound, it is preferable to co-evaporate the boat which put the compound, respectively controlling temperature.

ホール注入層、ホール輸送層を溶媒塗布法で形成する場合、各層を構成する成分を溶媒に溶解又は分散させて塗布液とする。溶媒としては、炭化水素系溶媒(ヘプタン、トルエン、キシレン、シクロヘキサン等)、ケトン系溶媒(アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等)、ハロゲン系溶媒(ジクロロメタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等)、エステル系溶媒(酢酸エチル、酢酸ブチル等)、アルコール系溶媒(メタノール、エタノール、ブタノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等)、エーテル系溶媒(ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、1,2−ジメトキシエタン等)、非プロトン性溶媒(N,N′−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等)、水等が挙げられる。溶媒は単独で使用しても複数の溶媒を併用してもよい。
ホール輸送層、発光層、電子輸送層等の各層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常5〜5,000nmになるようにする。
When forming the hole injection layer and the hole transport layer by a solvent coating method, the components constituting each layer are dissolved or dispersed in a solvent to obtain a coating solution. Solvents include hydrocarbon solvents (heptane, toluene, xylene, cyclohexane, etc.), ketone solvents (acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, etc.), halogen solvents (dichloromethane, chloroform, chlorobenzene, dichlorobenzene, etc.), ester solvents Solvents (ethyl acetate, butyl acetate, etc.), alcohol solvents (methanol, ethanol, butanol, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, etc.), ether solvents (dibutyl ether, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, 1,2-dimethoxyethane, etc.) ), Aprotic solvents (N, N′-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, etc.), water and the like. The solvent may be used alone or in combination with a plurality of solvents.
The thickness of each layer such as a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer is not particularly limited, but is usually set to 5 to 5,000 nm.

本発明の有機EL素子は、酸素や水分等の接触を遮断する目的で保護層(封止層)を設けたり、不活性物質中に素子を封入して保護することができる。不活性物質としては、パラフィン、シリコンオイル、フルオロカーボン等が挙げられる。保護層に使用する材料としては、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル、ポリカーボネート、光硬化性樹脂等がある。   The organic EL device of the present invention can be protected by providing a protective layer (sealing layer) for the purpose of blocking the contact of oxygen, moisture, etc., or encapsulating the device in an inert material. Examples of the inert substance include paraffin, silicon oil, and fluorocarbon. Examples of the material used for the protective layer include fluororesin, epoxy resin, silicone resin, polyester, polycarbonate, and photocurable resin.

図50〜図57に、本発明の有機EL素子の好ましい構成例を示す。
図50は、基板1上に、陽極2、正孔輸送層5、発光層3、電子輸送層6及び陰極4を順次設けた構成のものである。これはキャリア輸送と発光の機能を分離したものであり、材料選択の自由度が増すために、発光の高効率化や発光色の自由度が増すことになる。
図51は、基板1上に、陽極2、ホール注入層7、ホール輸送層5、発光層3、電子輸送層6及び陰極4を順次設けた構成のものである。この場合、ホール注入層7を設けることにより、陽極2とホール輸送層5の密着性が高くなり、陽極からのホールの注入が良くなり、発光素子の低電圧化に効果がある。
図52は、基板1上に、陽極2、ホール輸送層5、発光層3、電子輸送層6、電子注入層8及び陰極4を順次設けた構成のものである。この場合、陰極4から電子の注入が良くなり、発光素子の低電圧化に効果がある。
図53は、基板1上に、陽極2、ホール注入層7、ホール輸送層5、発光層3、電子輸送層6、電子注入層8及び陰極4を順次設けた構成のものである。この場合、陽極2からホールの注入が良くなり、陰極4からの電子注入が良くなり、低電圧駆動に最も効果がある構成である。
50 to 57 show preferred configuration examples of the organic EL element of the present invention.
FIG. 50 shows a configuration in which an anode 2, a hole transport layer 5, a light emitting layer 3, an electron transport layer 6 and a cathode 4 are sequentially provided on a substrate 1. This is a separation of the functions of carrier transport and light emission, and the degree of freedom in material selection increases, so that the efficiency of light emission and the degree of freedom in light emission color increase.
FIG. 51 shows a structure in which an anode 2, a hole injection layer 7, a hole transport layer 5, a light emitting layer 3, an electron transport layer 6 and a cathode 4 are sequentially provided on a substrate 1. In this case, the provision of the hole injection layer 7 increases the adhesion between the anode 2 and the hole transport layer 5, improves the injection of holes from the anode, and is effective in lowering the voltage of the light emitting element.
FIG. 52 shows a structure in which an anode 2, a hole transport layer 5, a light emitting layer 3, an electron transport layer 6, an electron injection layer 8 and a cathode 4 are sequentially provided on a substrate 1. In this case, injection of electrons from the cathode 4 is improved, which is effective for lowering the voltage of the light emitting element.
FIG. 53 shows a structure in which an anode 2, a hole injection layer 7, a hole transport layer 5, a light emitting layer 3, an electron transport layer 6, an electron injection layer 8 and a cathode 4 are sequentially provided on a substrate 1. In this case, hole injection from the anode 2 is improved and electron injection from the cathode 4 is improved, which is the most effective for low voltage driving.

図54〜図57は有機EL素子の中にホールブロック層9を挿入した構成例である。
ホールブロック層は、陽極から注入されたホールあるいは発光層3で再結合により生成した励起子が、陰極4に抜けることを防止する効果を有し、有機EL素子の発光効率の向上に効果がある。ホールブロック層9については、発光層3と陰極4の間、発光層3と電子輸送層6の間、あるいは発光層3と電子注入層8の間に挿入することができる。好ましいのは発光層3と電子輸送層6の間である。
ホール輸送層5、ホール注入層7、電子輸送層6、電子注入層8、発光層3、ホールブロック層9のそれぞれの層は、一層構造であっても多層構造であってもよい。
なお、図50〜図57は、あくまでも基本的な素子構成であり、本発明の有機EL素子の構成はこれに限定されるものではない。
54 to 57 are configuration examples in which the hole block layer 9 is inserted into the organic EL element.
The hole blocking layer has an effect of preventing holes injected from the anode or excitons generated by recombination in the light emitting layer 3 from escaping to the cathode 4, and is effective in improving the light emission efficiency of the organic EL element. . The hole blocking layer 9 can be inserted between the light emitting layer 3 and the cathode 4, between the light emitting layer 3 and the electron transport layer 6, or between the light emitting layer 3 and the electron injection layer 8. Preferred is between the light emitting layer 3 and the electron transport layer 6.
Each of the hole transport layer 5, the hole injection layer 7, the electron transport layer 6, the electron injection layer 8, the light emitting layer 3, and the hole block layer 9 may have a single layer structure or a multilayer structure.
50 to 57 are only basic element structures, and the structure of the organic EL element of the present invention is not limited to this.

以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれにより何ら限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.

実施例1
1,8−ビス(ピレン−2−イル)ナフタレン(BPyN)の合成
下記式に示す反応によりBPyNを合成した。合成に際しては、P.Wahl,C.Krieger,D.Schweitzer,H.A.Staab,Chem.Ber.117,260〜276(1984)を参考にした。

50mL三口フラスコに、1,8−ジブロモナフタレン0.50g(1.75mmol)、ピレン−2−ボロン酸ピナコールエステル1.72g(5.25mmol)、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム〔Pd(PPh〕0.2g(0.175mmol)、2.0M−KCO10mL水溶液、トルエン100mLを窒素雰囲気下、85℃で24時間反応させた。シリカゲルカラムクロマトグラフィー精製(ヘキサン)により目的化合物を薄黄色結晶として得た(2.43g、収率65%)。
目的物の確認は、H−NMRとEI−Massスペクトルで行った。H−NMRの全体のチャートを図1に、芳香族部位の拡大チャートを図2に、EI−Massスペクトルのチャートを図3に示す。
H−NMR(400MHz,CDCl):δ7.26(d,J=9.2Hz,4H,Py−H5,9),7.29(d,J=8.72Hz,4H,Py−H4,10),7.52−7.54(m,8H,Py−H1,3,6,8),7.58−7.62(m,2H,Py−H7),7.66−7.67(dd,4H),8.10−8.13(dd,2H).EI−MS:m/z:calcd.For C4224[M]528.6 Found.529.
Example 1
Synthesis of 1,8-bis (pyren-2-yl) naphthalene (BPyN) BPyN was synthesized by a reaction represented by the following formula. In the synthesis, P.I. Wahl, C.I. Krieger, D.M. Schweitzer, H.C. A. Staab, Chem. Ber. 117, 260-276 (1984).

In a 50 mL three-necked flask, 0.50 g (1.75 mmol) of 1,8-dibromonaphthalene, 1.72 g (5.25 mmol) of pyrene-2-boronic acid pinacol ester, tetrakistriphenylphosphine palladium [Pd (PPh 3 ) 4 ] 0.2 g (0.175 mmol), 2.0 M-K 2 CO 3 10 mL aqueous solution, and toluene 100 mL were reacted at 85 ° C. for 24 hours in a nitrogen atmosphere. Purification by silica gel column chromatography (hexane) gave the target compound as pale yellow crystals (2.43 g, yield 65%).
The target product was confirmed by 1 H-NMR and EI-Mass spectrum. FIG. 1 shows an overall chart of 1 H-NMR, FIG. 2 shows an enlarged chart of aromatic sites, and FIG. 3 shows an EI-Mass spectrum chart.
1 H-NMR (400 MHz, CDCl 3 ): δ 7.26 (d, J = 9.2 Hz, 4H, Py-H5, 9), 7.29 (d, J = 8.72 Hz, 4H, Py-H4) 10), 7.52-7.54 (m, 8H, Py-H1, 3, 6, 8), 7.58-7.62 (m, 2H, Py-H7), 7.66-7.67. (Dd, 4H), 8.10-8.13 (dd, 2H). EI-MS: m / z: calcd. For C 42 H 24 [M + ] 528.6 Found. 529.

実施例2
1,8−ビス〔4−(カルバゾール−9−N−イル)フェニル〕ナフタレン(BCzPN)の合成
50mL三口フラスコに、1,8−ジブロモナフタレン0.052g(0.181mmol)、4−(カルバゾール−9−N−イル)フェニルボロン酸ピナコールエステル0.200g(0.542mmol)、トルエン10mL、エタノール5mL、2.0M−KCO 5mLを入れ、窒素バブリングを一時間行った。次いで、Pd(PPh0.042g(0.036mmol)を入れ、窒素気流下、85℃で攪拌した。24時間後、薄層クロマトグラフィー(展開溶媒ヘキサン)により1,8−ジブロモナフタレン(Rf:0.38)の消費を確認した後、反応混合物を室温に戻した。次いで、有機層をトルエンで抽出し、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ別後、減圧下溶媒を留去した。次いで、ヘキサンを加え不溶な固体を回収した。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒トルエン)により分離精製し、白色固体0.020g(収率18%)を得た。
得られた白色固体は、EI−Massスペクトル、H−NMR、元素分析によりBCzPNであることを確認した。H−NMR全体のチャートを図4に、芳香族部位の拡大チャートを図5に、EI−Massスペクトルのチャートを図6に示す。また元素分析の結果を表1に示す。
Example 2
Synthesis of 1,8-bis [4- (carbazol-9-N-yl) phenyl] naphthalene (BCzPN)
In a 50 mL three-necked flask, 0.058 g (0.181 mmol) of 1,8-dibromonaphthalene, 0.200 g (0.542 mmol) of 4- (carbazol-9-N-yl) phenylboronic acid pinacol ester, 10 mL of toluene, 5 mL of ethanol Then, 5 mL of 2.0 M K 2 CO 3 was added and nitrogen bubbling was performed for 1 hour. Next, 0.042 g (0.036 mmol) of Pd (PPh 3 ) 4 was added and stirred at 85 ° C. under a nitrogen stream. After 24 hours, consumption of 1,8-dibromonaphthalene (Rf: 0.38) was confirmed by thin layer chromatography (developing solvent hexane), and then the reaction mixture was returned to room temperature. Next, the organic layer was extracted with toluene, washed with saturated brine, dried over anhydrous magnesium sulfate, filtered and the solvent was distilled off under reduced pressure. Next, hexane was added to recover an insoluble solid. Subsequently, it was separated and purified by silica gel column chromatography (developing solvent toluene) to obtain 0.020 g (yield 18%) of a white solid.
The obtained white solid was confirmed to be BCzPN by EI-Mass spectrum, 1 H-NMR, and elemental analysis. FIG. 4 shows a chart of the entire 1 H-NMR, FIG. 5 shows an enlarged chart of aromatic sites, and FIG. 6 shows a chart of EI-Mass spectrum. The results of elemental analysis are shown in Table 1.

実施例3
1,8−ビス〔4−(9−フェニルアントラセン−10−イル)フェニル〕ナフタレン(BPAPN)の合成
1,8−ジブロモナフタレン(100mg,0.35mmol)、9−フェニルアントラセン−10−ボロン酸ピナコールエステル(472mg,1.05mmol)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム〔Pd(dba)〕(32.04mg,0.035mmol)、トリシクロヘキシルホスフィン(PCy)(9.80mg,0.035mmol)、1.35M−KPO水溶液(4.0mL)、ジオキサン(10.0mL)を窒素雰囲気下で48時間還流させた。室温まで冷却し、水及びジクロロメタン(200mL)を加えて有機層を水洗した後、無水MgSOで乾燥させた。ヘキサン:ジクロロメタン(1:1)によりカラムクロマトグラフィー精製した後、ヘキサンより再結晶し薄黄色結晶として得た(123mg,収率45.0%)。目的物の確認はH−NMRとEI−Massスペクトルで行った。H−NMRの全体のチャートを図7に、芳香族部位の拡大チャートを図8に、EI−Massスペクトルのチャートを図9に示す。
H−NMR(400MHz,CDCl)δ8.07(dd,J=1.84,1.84Hz,2H),7.78(s,2H),7.72〜7.66(m,4H),7.59〜7.51(m,8H),7.46(d,J=7.8Hz,8H),7.39〜7.35(m,10H),7.21(s,2H),6.62(s,2H),5.85(s,2H)ppm.EI−MS:m/z:calcd.For C6240[M]784.98;Found.785.0.
Example 3
Synthesis of 1,8-bis [4- (9-phenylanthracen-10-yl) phenyl] naphthalene (BPAPN)
1,8-dibromonaphthalene (100 mg, 0.35 mmol), 9-phenylanthracene-10-boronic acid pinacol ester (472 mg, 1.05 mmol), tris (dibenzylideneacetone) dipalladium [Pd 2 (dba) 3 ] ( 32.04 mg, 0.035 mmol), tricyclohexylphosphine (PCy 3 ) (9.80 mg, 0.035 mmol), 1.35 M-K 3 PO 4 aqueous solution (4.0 mL), dioxane (10.0 mL) in a nitrogen atmosphere Reflux for 48 hours under. After cooling to room temperature, water and dichloromethane (200 mL) were added, the organic layer was washed with water, and then dried over anhydrous MgSO 4 . After column chromatography purification using hexane: dichloromethane (1: 1), recrystallization from hexane gave pale yellow crystals (123 mg, yield 45.0%). The target product was confirmed by 1 H-NMR and EI-Mass spectrum. FIG. 7 shows an entire chart of 1 H-NMR, FIG. 8 shows an enlarged chart of aromatic sites, and FIG. 9 shows an EI-Mass spectrum chart.
1 H-NMR (400 MHz, CDCl 3 ) δ 8.07 (dd, J = 1.84, 1.84 Hz, 2H), 7.78 (s, 2H), 7.72-7.66 (m, 4H) , 7.59 to 7.51 (m, 8H), 7.46 (d, J = 7.8 Hz, 8H), 7.39 to 7.35 (m, 10H), 7.21 (s, 2H) , 6.62 (s, 2H), 5.85 (s, 2H) ppm. EI-MS: m / z: calcd. For C 62 H 40 [M + ] 784.98; Found. 785.0.

実施例4
実施例1で作製したBPyNの熱分析測定を行った。熱分析測定は、示差走査熱量測定〔Differential−scanning−calorimetry(DSC)〕と加熱重量減分析〔Thermogravimetry−analysis(TGA)〕を実施した。DSCはPerkin−Elmer−Diamond−DSC−Pyrisにより、TGAはSEIKO−EXSTAR−6000−TG/DTA−6200により、それぞれ窒素雰囲気下、昇温10℃min−1で行った。DSCのチャートを図10に、TGAのチャートを図11にそれぞれ示す。
DSCの結果から融点に相当するものが326℃付近に見られ、TGAの結果から5%分解開始温度が409℃付近であることが分かった。
Example 4
Thermal analysis measurement of BPyN produced in Example 1 was performed. The thermal analysis measurement was carried out by differential scanning calorimetry [Differential-scanning-colorimetry (DSC)] and heat weight loss analysis [Thermogravimetry-analysis (TGA)]. DSC was performed by Perkin-Elmer-Diamond-DSC-Pyris, and TGA was performed by SEIKO-EXSTAR-6000-TG / DTA-6200 in a nitrogen atmosphere at a temperature increase of 10 ° C. min −1 . The DSC chart is shown in FIG. 10, and the TGA chart is shown in FIG.
From the DSC results, the one corresponding to the melting point was found around 326 ° C., and from the TGA results, it was found that the 5% decomposition start temperature was around 409 ° C.

実施例5
実施例2で作製したBCzPNの熱分析測定を行った。熱分析測定はDSCとTGAを実施した。測定装置と測定方法は実施例4と同様である。
DSCの結果から融点に相当するものが306℃付近に見られ、TGAの結果から5%分解開始温度が417℃付近であることが分かった。DSCのチャートを図12に、TGAのチャートを図13にそれぞれ示す。
Example 5
The thermal analysis measurement of BCzPN produced in Example 2 was performed. Thermal analysis measurement was performed by DSC and TGA. The measuring apparatus and measuring method are the same as those in Example 4.
From the DSC results, the one corresponding to the melting point was found around 306 ° C., and from the TGA results, it was found that the 5% decomposition start temperature was around 417 ° C. The DSC chart is shown in FIG. 12, and the TGA chart is shown in FIG.

実施例6
実施例3で作製したBPAPNの熱分析測定を行った。熱分析測定はDSCとTGAを実施した。測定装置と測定方法は実施例4と同様である。
DSCの結果から融点に相当するものが343℃付近に見られ、TGAの結果から5%分解開始温度が477℃付近であることが分かった。DSCのチャートを図14に、TGAのチャートを図15にそれぞれ示す。
Example 6
Thermal analysis measurement of BPAPN produced in Example 3 was performed. Thermal analysis measurement was performed by DSC and TGA. The measuring apparatus and measuring method are the same as those in Example 4.
From the DSC results, the one corresponding to the melting point was found around 343 ° C., and from the TGA results, it was found that the 5% decomposition start temperature was around 477 ° C. FIG. 14 shows a DSC chart and FIG. 15 shows a TGA chart.

実施例7
実施例1で作製したBPyNのHOMOの値を大気下光電子収量分光測定法により求めた。測定に用いた装置は理研計器社製AC−3である。結果のチャートを図16に示す。
図16から、HOMOの値は5.98eVであることが分かった。
Example 7
The HOMO value of BPyN produced in Example 1 was determined by atmospheric photoelectron yield spectroscopy. The apparatus used for the measurement is AC-3 manufactured by Riken Keiki Co., Ltd. The resulting chart is shown in FIG.
From FIG. 16, it was found that the value of HOMO was 5.98 eV.

実施例8
実施例2で作製したBCzPNのHOMOの値を大気下光電子収量分光測定法により求めた。測定に用いた装置は理研計器社製AC−3である。結果のチャートを図17に示す。図17から、HOMOの値は5.81eVであることが分かった。
Example 8
The HOMO value of BCzPN produced in Example 2 was determined by photoelectron yield spectroscopy in the atmosphere. The apparatus used for the measurement is AC-3 manufactured by Riken Keiki Co., Ltd. The resulting chart is shown in FIG. From FIG. 17, it was found that the value of HOMO was 5.81 eV.

実施例9
実施例1で作製したBPyNのトルエン溶液中(1.0×10−5M)と薄膜状での紫外−可視吸収(UV−vis)及びフォトルミネッセンス(PL)の測定を行った。
紫外−可視吸収、PLスペクトル測定は、Shimadzu−UV−3150−UV−vis−NIR分光光度計及びFLUROMAX−4(Jobin−Yvon−Spex)蛍光分光計により行った。測定結果を図18に示す。
図18の注釈中、「UV(solution)」は、トルエン溶液中の紫外−可視吸収スペクトル、「UV(film)」は、薄膜状での紫外−可視吸収スペクトル、「PL(solution)」は、溶液中のPLスペクトル、「PL(film)」は、薄膜状でのPLスペクトル、「PL(pyrene)」は、ピレンモノマーの溶液中でのPLスペクトルである。
紫外−可視吸収スペクトルはピレンモノマーに特徴的な振動構造を300〜350nm(λmax=335nm)に示す一方で、蛍光スペクトルにおいては、ピレンモノマー特有の振動構造は示さなかった。最大発光波長はピレンモノマーの発光に比べ、486nmまで長波長シフトし、この発光はピレンエキシマーに由来している。薄膜での吸収は250〜450nmにブロードなバンドを示し、溶液に比べ10nm程度長波長シフトした。蛍光スペクトルでの最大発光波長は492nmであり、希薄溶液と同様なピレンエキシマーの発光を示した。
Example 9
Ultraviolet-visible absorption (UV-vis) and photoluminescence (PL) in a toluene solution (1.0 × 10 −5 M) of BPyN prepared in Example 1 and in a thin film state were measured.
Ultraviolet-visible absorption and PL spectrum measurements were performed with a Shimadzu-UV-3150-UV-vis-NIR spectrophotometer and a FLUROMAX-4 (Jobin-Yvon-Spex) fluorescence spectrometer. The measurement results are shown in FIG.
In the annotation of FIG. 18, “UV (solution)” is an ultraviolet-visible absorption spectrum in a toluene solution, “UV (film)” is an ultraviolet-visible absorption spectrum in a thin film state, and “PL (solution)” is A PL spectrum in a solution, “PL (film)” is a PL spectrum in a thin film state, and “PL (pyrene)” is a PL spectrum in a solution of a pyrene monomer.
The ultraviolet-visible absorption spectrum showed a vibration structure characteristic of pyrene monomer at 300 to 350 nm (λmax = 335 nm), while the fluorescence spectrum did not show a vibration structure peculiar to pyrene monomer. The maximum emission wavelength is shifted to a wavelength longer by 486 nm than the emission of pyrene monomer, and this emission is derived from pyrene excimer. Absorption in the thin film showed a broad band at 250 to 450 nm, and the wavelength shifted by about 10 nm compared to the solution. The maximum emission wavelength in the fluorescence spectrum was 492 nm, and the emission of pyrene excimer was similar to that of a dilute solution.

実施例10
実施例2で作製したBCzPNの塩化メチレン溶液中(1.0×10−5M)と薄膜状での紫外−可視吸収(UV−vis)及びフォトルミネッセンス(PL)の測定を実施例6と同じ測定機器を用いて行った。測定結果を図19に示す。
図19の注釈中「UV(solution)」は、ジクロロメタン中の紫外−可視吸収スペクトル、「UV(film)」は薄膜状での紫外−可視吸収スペクトルを示す。また「PL(solution)」は、ジクロロメタン中のPLスペクトル、「PL(film)」は薄膜状でのPLスペクトルを示す。また「PL(9−phenylcarbazole)」は9−フェニルカルバゾール溶液中でのPLスペクトルを示す。
図19から分かるように、最大発光波長は9−フェニルカルバゾールの発光347nmに比べて404nmまで長波長シフトし、この発光はフェニルカルバゾールのエキシマーに由来している。
Example 10
The measurement of UV-visible absorption (UV-vis) and photoluminescence (PL) in the methylene chloride solution (1.0 × 10 −5 M) of BCzPN prepared in Example 2 and in the form of a thin film is the same as in Example 6. The measurement was performed using a measuring instrument. The measurement results are shown in FIG.
In the annotation of FIG. 19, “UV (solution)” indicates an ultraviolet-visible absorption spectrum in dichloromethane, and “UV (film)” indicates an ultraviolet-visible absorption spectrum in a thin film form. “PL (solution)” indicates a PL spectrum in dichloromethane, and “PL (film)” indicates a PL spectrum in a thin film form. “PL (9-phenylcarbazole)” indicates a PL spectrum in a 9-phenylcarbazole solution.
As can be seen from FIG. 19, the maximum emission wavelength is shifted to 404 nm longer than the emission of 347 nm of 9-phenylcarbazole, and this emission is derived from the excimer of phenylcarbazole.

実施例11
実施例3で作製したBPAPNのTHF溶液中(1.0×10−5M)での紫外−可視吸収(UV−vis)及びフォトルミネッセンス(PL)の測定を実施例6と同じ測定機器を用いて行った。測定結果を図20に示す。
図20の注釈中、「UV(solution)」は、THF中の紫外−可視吸収スペクトルを示す。また「PL(solution)」は、THF中のPLスペクトルを示す。「PL(9,10−diphenylanthracene)}は9,10−ジフェニルアントラセン溶液中でのPLスペクトルを示す。
図20から分かるように、ジフェニルアントラセン骨格の振動構造由来の吸収を300〜400nmに示した。蛍光スペクトルでは、振動構造は消失し、9,10−ジフェニルアントラセンに比べて17nm長波長シフトしたピークを427nmに示した。
Example 11
The same measurement equipment as in Example 6 was used to measure UV-visible absorption (UV-vis) and photoluminescence (PL) in a THF solution of BPAPN prepared in Example 3 (1.0 × 10 −5 M). I went. The measurement results are shown in FIG.
In the annotation of FIG. 20, “UV (solution)” indicates an ultraviolet-visible absorption spectrum in THF. “PL (solution)” indicates a PL spectrum in THF. “PL (9,10-diphenylanthracene)} indicates a PL spectrum in a 9,10-diphenylanthracene solution.
As can be seen from FIG. 20, the absorption derived from the vibration structure of the diphenylanthracene skeleton was shown at 300 to 400 nm. In the fluorescence spectrum, the vibration structure disappeared and a peak shifted by 17 nm longer wavelength than that of 9,10-diphenylanthracene was shown at 427 nm.

実施例12〜13
実施例1で作製したBPyNを、PMMA(ポリメチルメタクリル酸)にドープした膜(実施例12)及び下記式で示されるMADN〔2−メチル−9,10−ビスナフタレン−2−イル)アントラセン〕にドープした膜(実施例13)を作製し、BPyNの蛍光量子収率を測定した。測定装置は浜松フォトニクス製積分球を使用した。ドープ濃度は1wt%、3wt%、5wt%の3種類とした。PMMA薄膜中での結果を表2に、MADN共蒸着膜中での結果を表3に示す。

Examples 12-13
A film obtained by doping BPyN prepared in Example 1 into PMMA (polymethylmethacrylic acid) (Example 12) and MADN represented by the following formula [2-methyl-9,10-bisnaphthalen-2-yl) anthracene] A film doped with (Example 13) was prepared, and the fluorescence quantum yield of BPyN was measured. The measuring device used was an integrating sphere manufactured by Hamamatsu Photonics. The dope concentrations were 1 wt%, 3 wt%, and 5 wt%. The results in the PMMA thin film are shown in Table 2, and the results in the MADN co-deposited film are shown in Table 3.

実施例14〜15
実施例1で作製したBPyNを、ノンドープ発光層に用いた有機EL素子を作製した。その素子構造を図21に示す。素子構成は次のとおりであり、いずれもガラス基板を用いている。
実施例14:ITO(陽極)/α−NPD(ホール輸送層、40nm)/BPyN(発光層、20nm)/BmPyPB(電子輸送層、40nm)/LiF(電子注入層、1nm)/Al(陰極、80nm)
実施例15:ITO(陽極)/TAPC(ホール輸送層、40nm)/BPyN(発光層、20nm)/BmPyPB(電子輸送層、20nm)/LiF(電子注入層、1nm)/Al(陰極、80nm)
電子輸送層には下記式で示されるBmPyPB〔3,3",5,5"−テトラ(ピリジン−3−イル)1,1′,3′,1"−ターフェニル〕を使用した。
各素子の電流密度−電圧特性を図22に、輝度−電圧特性を図23に、電力効率−輝度特性を図24に、電流効率−輝度特性を図25に、外部量子効率−輝度特性を図26に、実施例14のELスペクトルを図27に、実施例15のELスペクトルを図28に示す。
また各素子の100cd/mと1000cd/mにおける電圧、電力効率、電流効率、外部量子効率を表4に示す。

Examples 14-15
An organic EL device using BPyN produced in Example 1 as a non-doped light emitting layer was produced. The element structure is shown in FIG. The element configuration is as follows, and each uses a glass substrate.
Example 14: ITO (anode) / α-NPD (hole transport layer, 40 nm) / BPyN (light emitting layer, 20 nm) / BmPyPB (electron transport layer, 40 nm) / LiF (electron injection layer, 1 nm) / Al (cathode, 80nm)
Example 15: ITO (anode) / TAPC (hole transport layer, 40 nm) / BPyN (light emitting layer, 20 nm) / BmPyPB (electron transport layer, 20 nm) / LiF (electron injection layer, 1 nm) / Al (cathode, 80 nm)
For the electron transport layer, BmPyPB [3,3 ", 5,5" -tetra (pyridin-3-yl) 1,1 ', 3', 1 "-terphenyl] represented by the following formula was used.
FIG. 22 shows the current density-voltage characteristics of each element, FIG. 23 shows the brightness-voltage characteristics, FIG. 24 shows the power efficiency-luminance characteristics, FIG. 25 shows the current efficiency-luminance characteristics, and FIG. 25 shows the external quantum efficiency-luminance characteristics. 26 shows the EL spectrum of Example 14, and FIG. 28 shows the EL spectrum of Example 15.
Table 4 shows the voltage, power efficiency, current efficiency, and external quantum efficiency at 100 cd / m 2 and 1000 cd / m 2 of each element.

実施例16、比較例1
実施例1で作製したBPyNをホスト材料として使用し、下記式で示される緑色蛍光ドーパントC545Tを1wt%、3wt%及び5wt%ドープした薄膜を作製し蛍光量子収率を測定した。比較のためMADN〔2−メチル−9,10−ビスナフタレン−2−イル)アントラセン〕をホスト材料に用いた薄膜を作製した。測定結果を表5に示す。
BPyNホストは、MADNホストに比べて高いPLQE(蛍光量子収率)を示した。特に5wt%での高濃度ドープ域において高い優位性を示した。
Example 16, Comparative Example 1
Using BPyN produced in Example 1 as a host material, a thin film doped with 1 wt%, 3 wt% and 5 wt% of a green fluorescent dopant C545T represented by the following formula was produced, and the fluorescence quantum yield was measured. For comparison, a thin film was prepared using MADN [2-methyl-9,10-bisnaphthalen-2-yl) anthracene] as the host material. Table 5 shows the measurement results.
The BPyN host showed higher PLQE (fluorescence quantum yield) than the MADN host. In particular, a high superiority was shown in the heavily doped region at 5 wt%.

実施例17〜20
実施例1で作製したBPyNをホスト材料とし、緑色蛍光ドーパントC545Tをドープした発光層を有する有機EL素子を作製した。以下のようにドープ濃度及び膜厚を変えたもの(実施例17〜20)を作製した。それらの素子構造を図29に示す。素子構成は次のとおりであり、いずれもガラス基板を用いている。
実施例17:ITO(陽極)/α−NPD(ホール輸送層、40nm)/BPyN:1wt%C545T(発光層、20nm)/BmPyPB(電子輸送層、40nm)/LiF(電子注入層、1nm)/Al(陰極、80nm)
実施例18:ITO(陽極)/α−NPD(ホール輸送層、40nm)/BPyN:3wt%C545T(発光層、20nm)/BmPyPB(電子輸送層、40nm)/LiF(電子注入層、1nm)/Al(陰極、80nm)
実施例19:ITO(陽極)/α−NPD(ホール輸送層、40nm)/BPyN:5wt%C545T(発光層、20nm)/BmPyPB(電子輸送層、40nm)/LiF(電子注入層、1nm)/Al(陰極、80nm)
実施例20:ITO(陽極)/TAPC(ホール輸送層、40nm)/BPyN:5wt%C545T(発光層、20nm)/BmPyPB(電子輸送層、40nm)/LiF(電子注入層、1nm)/Al(陰極、80nm)
それぞれの素子における電流密度−電圧特性を図30に、輝度−電圧特性を図31に、電力効率−輝度特性を図32に、電流効率−輝度特性を図33に、外部量子効率−輝度特性を図34に、ELスペクトルを図35に示す。
また、各素子の100cd/mと1000cd/mにおける電圧、電力効率、電流効率、外部量子効率を表6に示す。
HTLとしてTAPCを用いた実施例20では、外部量子効率が6%を超え、単分子エキシマー分子BPyNがホスト材料として極めて高い有用性を示していることが分かる。公知の緑色蛍光ホスト材料のほとんどが、9,10−ジフェニルアントラセン骨格を有しており、BPyNは新規な非アントラセン系ホスト材料である。
Examples 17-20
An organic EL device having a light emitting layer doped with green fluorescent dopant C545T using BPyN produced in Example 1 as a host material was produced. Materials with different dope concentrations and film thicknesses (Examples 17 to 20) were produced as follows. Their device structures are shown in FIG. The element configuration is as follows, and each uses a glass substrate.
Example 17: ITO (anode) / α-NPD (hole transport layer, 40 nm) / BPyN: 1 wt% C545T (light emitting layer, 20 nm) / BmPyPB (electron transport layer, 40 nm) / LiF (electron injection layer, 1 nm) / Al (cathode, 80 nm)
Example 18: ITO (anode) / α-NPD (hole transport layer, 40 nm) / BPyN: 3 wt% C545T (light emitting layer, 20 nm) / BmPyPB (electron transport layer, 40 nm) / LiF (electron injection layer, 1 nm) / Al (cathode, 80 nm)
Example 19: ITO (anode) / α-NPD (hole transport layer, 40 nm) / BPyN: 5 wt% C545T (light emitting layer, 20 nm) / BmPyPB (electron transport layer, 40 nm) / LiF (electron injection layer, 1 nm) / Al (cathode, 80 nm)
Example 20: ITO (anode) / TAPC (hole transport layer, 40 nm) / BPyN: 5 wt% C545T (light emitting layer, 20 nm) / BmPyPB (electron transport layer, 40 nm) / LiF (electron injection layer, 1 nm) / Al ( Cathode, 80nm)
FIG. 30 shows the current density-voltage characteristics of each element, FIG. 31 shows the brightness-voltage characteristics, FIG. 32 shows the power efficiency-luminance characteristics, FIG. 33 shows the current efficiency-luminance characteristics, and FIG. 33 shows the external quantum efficiency-luminance characteristics. FIG. 34 shows the EL spectrum in FIG.
Table 6 shows the voltage, power efficiency, current efficiency, and external quantum efficiency at 100 cd / m 2 and 1000 cd / m 2 of each element.
In Example 20 using TAPC as the HTL, the external quantum efficiency exceeds 6%, and it can be seen that the monomolecular excimer molecule BPyN shows extremely high utility as a host material. Most of the known green fluorescent host materials have a 9,10-diphenylanthracene skeleton, and BPyN is a novel non-anthracene host material.

実施例21〜23
実施例2で作製したBCzPNを発光材料として発光層に用いた有機EL素子を作製した。それらの素子構造を図36に示す。素子構成は次のとおりであり、いずれもガラス基板を用いている。
実施例21:ITO(陽極)/TAPC(ホール輸送層、40nm)/BCzPN(発光層、20nm)/BmPyPB(電子輸送層、40nm)/LiF(電子注入層、0.5nm)/Al(陰極、80nm)
実施例22:ITO(陽極)/TAPC(ホール輸送層、40nm)/BCzPN(発光層、10nm)/BmPyPB(電子輸送層、40nm)/LiF(電子注入層、0.5nm)/Al(陰極、80nm)
実施例23:ITO(陽極)/TAPC(ホール輸送層、45nm)/BCzPN(発光層、5nm)/BmPyPB(電子輸送層、45nm)/LiF(電子注入層、0.5nm)/Al(陰極、80nm)
それぞれの素子における電流密度−電圧特性を図37に、輝度−電圧特性を図38に、電力効率−輝度特性を図39に、電流効率−輝度特性を図40に、外部量子効率−輝度特性を図41に、ELスペクトルを図42に示す。
また、各素子の1cd/mと100cd/mにおける電圧、電力効率、電流効率、外部量子効率、色度座標値(CIE)を表7に示す。

実施例21では412nmに、実施例22と実施例23では402nmに最大発光波長を示した。実施例22において、CIE値は(0.170、0.045)と深い青色発光を示した。これら結果から、単分子エキシマー分子BCzPNが青色有機EL材料としての高い有用性を示していることが分かる。
Examples 21-23
An organic EL element using BCzPN produced in Example 2 as a light emitting material for a light emitting layer was produced. Their element structures are shown in FIG. The element configuration is as follows, and each uses a glass substrate.
Example 21: ITO (anode) / TAPC (hole transport layer, 40 nm) / BCzPN (light emitting layer, 20 nm) / BmPyPB (electron transport layer, 40 nm) / LiF (electron injection layer, 0.5 nm) / Al (cathode, 80nm)
Example 22: ITO (anode) / TAPC (hole transport layer, 40 nm) / BCzPN (light emitting layer, 10 nm) / BmPyPB (electron transport layer, 40 nm) / LiF (electron injection layer, 0.5 nm) / Al (cathode, 80nm)
Example 23: ITO (anode) / TAPC (hole transport layer, 45 nm) / BCzPN (light emitting layer, 5 nm) / BmPyPB (electron transport layer, 45 nm) / LiF (electron injection layer, 0.5 nm) / Al (cathode, 80nm)
37 shows current density-voltage characteristics in each element, brightness-voltage characteristics in FIG. 38, power efficiency-luminance characteristics in FIG. 39, current efficiency-luminance characteristics in FIG. 40, and external quantum efficiency-luminance characteristics. FIG. 41 shows the EL spectrum in FIG.
Table 7 shows the voltage, power efficiency, current efficiency, external quantum efficiency, and chromaticity coordinate value (CIE) at 1 cd / m 2 and 100 cd / m 2 of each element.

Example 21 showed the maximum emission wavelength at 412 nm, and Example 22 and Example 23 showed the maximum emission wavelength at 402 nm. In Example 22, the CIE value (0.170, 0.045) showed deep blue light emission. From these results, it can be seen that the single-molecule excimer molecule BCzPN exhibits high utility as a blue organic EL material.

実施例24
実施例2で作製したBCzPNをホスト材料として下記式で示される青色蛍光発光材料4,4′−ビス{〔4−ジ(p−トリル)アミノフェニル〕β−エテニル}−1,1′−ビフェニル(DPAVBi)を6wt%ドープした発光層を有する有機EL素子を作製した。素子構造を図43に示す。
素子構成は次のとおりであり、いずれもガラス基板を用いている。
実施例24:ITO(陽極)/TAPC(ホール輸送層、40nm)/BCzPN:6wt%DPAVBi(発光層、20nm)/BmPyPB(電子輸送層、40nm)/LiF(電子注入層、0.5nm)/Al(陰極、80nm)
この素子における電流密度−電圧特性を図44に、輝度−電圧特性を図45に、電力効率−輝度特性を図46に、電流効率−輝度特性を図47に、外部量子効率−輝度特性を図48に、ELスペクトルを図49に示す。
また1cd/m、100cd/m及び1000cd/mにおける電圧、電力効率、電流効率及び外部量子効率を表8に示す。
Example 24
Blue fluorescent light-emitting material 4,4′-bis {[4-di (p-tolyl) aminophenyl] β-ethenyl} -1,1′-biphenyl represented by the following formula using BCzPN produced in Example 2 as a host material An organic EL element having a light emitting layer doped with 6 wt% of (DPAVBi) was produced. The element structure is shown in FIG.
The element configuration is as follows, and each uses a glass substrate.
Example 24: ITO (anode) / TAPC (hole transport layer, 40 nm) / BCzPN: 6 wt% DPAVBi (light emitting layer, 20 nm) / BmPyPB (electron transport layer, 40 nm) / LiF (electron injection layer, 0.5 nm) / Al (cathode, 80 nm)
FIG. 44 shows current density-voltage characteristics of this element, FIG. 45 shows luminance-voltage characteristics, FIG. 46 shows power efficiency-luminance characteristics, FIG. 47 shows current efficiency-luminance characteristics, and FIG. 47 shows external quantum efficiency-luminance characteristics. 48 shows the EL spectrum in FIG.
Table 8 shows the voltage, power efficiency, current efficiency, and external quantum efficiency at 1 cd / m 2 , 100 cd / m 2, and 1000 cd / m 2 .

本発明の有機EL素子は、通常直流駆動の素子として使用できる。直流電圧を印加する場合、陽極をプラス、陰極をマイナスの極性として通常1.5〜20V程度印加すると発光が観察される。また本発明の有機EL素子は交流駆動の素子としても使用できる。交流電圧を印加する場合には、陽極がプラス、陰極がマイナスの状態になった時に発光する。本発明の有機EL素子は、例えば電子写真感光体、フラットパネルディスプレイなどの平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト、計器等の光源、各種発光素子、各種表示装置、各種標識、各種センサー、各種アクセサリーなどに使用することができる。   The organic EL device of the present invention can be usually used as a direct current drive device. When a DC voltage is applied, light emission is usually observed when about 1.5 to 20 V is applied with the positive polarity of the anode and the negative polarity of the cathode. The organic EL element of the present invention can also be used as an AC drive element. When an AC voltage is applied, light is emitted when the anode is in a positive state and the cathode is in a negative state. The organic EL element of the present invention includes, for example, a flat light emitter such as an electrophotographic photosensitive member and a flat panel display, a copying machine, a printer, a backlight of a liquid crystal display, a light source such as an instrument, various light emitting elements, various display devices, various signs, It can be used for various sensors and various accessories.

1 基板
2 陽極(ITO)
3 発光層
4 陰極
5 正孔(ホール)輸送層
6 電子輸送層
7 正孔(ホール)注入層
8 電子注入層
9 ホールブロック層
1 Substrate 2 Anode (ITO)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 3 Light emitting layer 4 Cathode 5 Hole transport layer 6 Electron transport layer 7 Hole injection layer 8 Electron injection layer 9 Hole block layer

Claims (4)

下記一般式(1)で示されるエキシマー特性を有する1,8−アリール置換ナフタレン誘導体を用いた有機EL素子。
(式中、R〜Rは水素、重水素、炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐アルキル基、アルキル部分が炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐アルキル基であるアルコキシ基又はアルキルアミノ基、フッ素及びアセトキシ基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である。Arは、下記式で示されるピレニル基、4−(9−N−カルバゾリル)フェニル基、4−〔10−(9−フェニル)アントラニル〕フェニル基のいずれかであり、R〜R14は水素、重水素、フッ素、炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐アルキル基、アルキル部分が炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐アルキル基であるアルキルアミノ基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、R15〜R43は水素、重水素、フッ素、炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐アルキル基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である。)
An organic EL device using a 1,8-aryl-substituted naphthalene derivative having excimer characteristics represented by the following general formula (1).
Wherein R 1 to R 5 are hydrogen, deuterium, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group in which the alkyl portion is a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or alkylamino A group independently selected from the group consisting of a group, fluorine and an acetoxy group, wherein Ar is a pyrenyl group represented by the following formula, 4- (9-N-carbazolyl) phenyl group, 4- [10- ( 9-phenyl) anthranyl] phenyl group, R 6 to R 14 are hydrogen, deuterium, fluorine, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and the alkyl moiety is a straight chain having 1 to 4 carbon atoms. are each independently a group selected from the group consisting of alkylamino group is a chain or branched alkyl group, R 15 to R 43 are hydrogen, deuterium, fluorine, linear or branched aralkyl of 1 to 4 carbon atoms From the group consisting of Le group are each independently selected groups.)
前記1,8−アリール置換ナフタレン誘導体を発光層の発光材料に用いた請求項1記載の有機機EL素子。   2. The organic EL device according to claim 1, wherein the 1,8-aryl substituted naphthalene derivative is used as a light emitting material of a light emitting layer. 前記1,8−アリール置換ナフタレン誘導体を発光層のホスト材料に用いた請求項1記載の有機EL素子。   The organic EL device according to claim 1, wherein the 1,8-aryl-substituted naphthalene derivative is used as a host material of a light emitting layer. 下記一般式(1)で示される1,8−アリール置換ナフタレン誘導体。

(式中、R〜Rは水素、重水素、炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐アルキル基、アルキル部分が炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐アルキル基であるアルコキシ基又はアルキルアミノ基、フッ素及びアセトキシ基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である。Arは、下記式で示される4−(9−N−カルバゾリル)フェニル基、4−〔10−(9−フェニル)アントラニル〕フェニル基のいずれかであり、R15〜R43は水素、重水素、フッ素、炭素数1〜4の直鎖若しくは分岐アルキル基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である。)
1,8-aryl substituted naphthalene derivative represented by the following general formula (1).

Wherein R 1 to R 5 are hydrogen, deuterium, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group in which the alkyl portion is a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or alkylamino A group independently selected from the group consisting of a group, fluorine and an acetoxy group, wherein Ar is a 4- (9-N-carbazolyl) phenyl group represented by the following formula, 4- [10- (9-phenyl); ) Anthranyl] phenyl group, and R 15 to R 43 are groups independently selected from the group consisting of hydrogen, deuterium, fluorine, and linear or branched alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms. .)
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