JP2012164552A - Method of manufacturing conductive pattern formation substrate - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method in which a conductive pattern formation substrate having a three-dimensional shape can be manufactured without shifting the position of a conductive pattern from a desired position.SOLUTION: The method is used for manufacturing the conductive pattern formation substrate 10 having the three-dimensional shape comprising: an insulating substrate 11; and a conductive film 12 having a conductive part C which is provided on the insulating substrate 11 and has metal-made mesh-like members disposed in a base material, and an insulating part I in which cavities formed by removing the mesh-like members in the base material are disposed. This method includes: a step of obtaining a substrate 18 for molding formed by forming at least a base film a having the mesh-like members disposed in the base material on the insulating substrate 11; a step of making a three-dimensional shaped substrate 20 by molding the substrate 18 for molding into the three-dimensional shape; and a step in which cavities are formed by irradiating the base film a with laser beam L in the three-dimensional shaped substrate 20, thereby making the conductive film 12.

Description

本発明は、静電容量式やメンブレン式の入力装置(タッチセンサ)等の電極シート等として用いられる導電パターン形成基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a conductive pattern forming substrate used as an electrode sheet or the like of a capacitance type or membrane type input device (touch sensor).

家電製品、携帯電話、パソコン、自動車等の入力装置としては、従来の機械式のボタン、スイッチ等に代わって、使用者の指等の入力体による接近操作または接触操作(摺動操作を含む。)を検出し、該操作に基づく情報を電子機器等に入力する静電容量式やメンブレン式の入力装置、いわゆるタッチセンサが注目されている。タッチセンサにおける電極シートとしては、絶縁基板の表面に導電パターンを形成した導電パターン形成基板が用いられている。   As input devices for home appliances, mobile phones, personal computers, automobiles, etc., instead of conventional mechanical buttons, switches, etc., an approach operation or a contact operation (sliding operation) using an input body such as a user's finger is included. Capacitance type or membrane type input devices, that is, so-called touch sensors, that detect information on the operation and input information based on the operation to an electronic device or the like are attracting attention. As an electrode sheet in the touch sensor, a conductive pattern forming substrate in which a conductive pattern is formed on the surface of an insulating substrate is used.

ところで、タッチセンサにおいては、タッチセンサが設置される箇所の形状にタッチセンサを隙間なく追随させたり、タッチセンサに従来のボタンやスイッチと同様な立体的な意匠性を持たせたりするために、タッチセンサを二次元形状(平面)ではなく、三次元形状にすることが求められることがある。よって、このような場合、タッチセンサに用いられる導電パターン形成基板を、三次元形状に成形する必要がある。   By the way, in the touch sensor, in order to make the touch sensor follow the shape of the place where the touch sensor is installed without a gap, or to give the touch sensor the same three-dimensional design as a conventional button or switch, In some cases, the touch sensor is required to have a three-dimensional shape instead of a two-dimensional shape (plane). Therefore, in such a case, it is necessary to shape the conductive pattern forming substrate used for the touch sensor into a three-dimensional shape.

三次元形状の導電パターン形成基板の製造方法としては、印刷等によって導電パターンが形成された二次元形状(平面)の導電パターン形成基板、または該導電パターン形成基板と加飾層とを積層したものを三次元成形(真空成形や圧空成形)する方法が提案されている(例えば特許文献1、2参照)。   As a method for manufacturing a three-dimensional conductive pattern forming substrate, a two-dimensional (planar) conductive pattern forming substrate on which a conductive pattern is formed by printing or the like, or a laminate of the conductive pattern forming substrate and a decorative layer A method of three-dimensional molding (vacuum molding or pressure molding) has been proposed (see, for example, Patent Documents 1 and 2).

しかし、この方法には、下記の問題がある。
真空成形や圧空成形によって二次元形状(平面)の基板を三次元形状に成形する際には、成形後に得られる三次元形状の導電パターン形成基板における導電パターンの位置がタッチパネルにおける所定の位置となるように、型に対する基板の位置を正確に調整する必要がある。しかし、真空成形や圧空成形においては、型に対する基板の位置を正確に調整することが困難であるため、成形後に得られる三次元形状の導電パターン形成基板においては、導電パターンの位置がタッチパネルにおける所定の位置からずれてしまうことがある。
However, this method has the following problems.
When forming a two-dimensional (planar) substrate into a three-dimensional shape by vacuum forming or pressure forming, the position of the conductive pattern on the three-dimensional conductive pattern forming substrate obtained after the forming becomes a predetermined position on the touch panel. Thus, it is necessary to accurately adjust the position of the substrate with respect to the mold. However, in vacuum forming or pressure forming, it is difficult to accurately adjust the position of the substrate with respect to the mold. Therefore, in the three-dimensional shape conductive pattern forming substrate obtained after forming, the position of the conductive pattern is predetermined on the touch panel. May be displaced from the position.

特開2010−244776号公報JP 2010-244776 特開2010−267607号公報JP 2010-267607 A

本発明は、導電パターンの位置を所望の位置からずらすことなく、三次元形状を有する導電パターン形成基板を製造できる方法を提供する。   The present invention provides a method capable of manufacturing a conductive pattern forming substrate having a three-dimensional shape without shifting the position of the conductive pattern from a desired position.

本発明の導電パターン形成基板の製造方法は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上に設けられ、絶縁性を有する基体内に導電性を有する金属からなる網状部材が配置される導電部および前記基体内の前記網状部材が除去されることにより形成された空隙が配置される絶縁部を有する導電膜と、を備えた三次元形状を有する導電パターン形成基板を製造する方法であって、前記絶縁基板の上に、前記基体内に前記網状部材が配置される基礎膜が少なくとも形成された成形用基板を得る工程と、前記成形用基板を三次元成形し、三次元形状基板とする工程と、前記三次元形状基板における前記基礎膜にレーザ光を照射することによって前記空隙を形成し、前記導電膜とする工程と、を有することを特徴とする。   The conductive pattern forming substrate manufacturing method of the present invention includes an insulating substrate, a conductive portion provided on the insulating substrate, and a conductive member in which a mesh-like member made of a conductive metal is disposed in an insulating base, and the base. A conductive pattern forming substrate having a three-dimensional shape, comprising: a conductive film having an insulating portion in which a void formed by removing the mesh member in the body is disposed, the insulating substrate A step of obtaining a molding substrate having at least a base film on which the mesh member is disposed in the base, a step of three-dimensionally molding the molding substrate to obtain a three-dimensional shape substrate, Forming the voids by irradiating the base film on the three-dimensionally shaped substrate with laser light to form the conductive film.

本発明の導電パターン形成基板の製造方法によれば、導電パターンの位置を所望の位置からずらすことなく、三次元形状を有する導電パターン形成基板を製造できる。   According to the method for manufacturing a conductive pattern forming substrate of the present invention, a conductive pattern forming substrate having a three-dimensional shape can be manufactured without shifting the position of the conductive pattern from a desired position.

本発明における導電パターン形成基板の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the conductive pattern formation board | substrate in this invention. 本発明における導電パターン形成基板の導電膜の導電部およびレーザ加工前の基礎膜の状態を説明する拡大写真である。It is an enlarged photograph explaining the state of the electroconductive part of the electrically conductive film of the electrically conductive pattern formation board | substrate in this invention, and the base film before laser processing. 本発明における導電パターン形成基板の導電膜の絶縁部を説明する拡大写真である。It is an enlarged photograph explaining the insulation part of the electrically conductive film of the conductive pattern formation board | substrate in this invention. 本発明の導電パターン形成基板の製造方法の一例を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining an example of the manufacturing method of the conductive pattern formation board | substrate of this invention. 本発明の導電パターン形成基板の製造方法に用いられる製造装置およびレーザ光の照射方法の一例を説明する側面図である。It is a side view explaining an example of the manufacturing apparatus used for the manufacturing method of the conductive pattern formation board | substrate of this invention, and the irradiation method of a laser beam.

<導電パターン形成基板>
図1は、本発明の製造方法によって得られる導電パターン形成基板の一例を示す断面図である。導電パターン形成基板10は、絶縁基板11の上に、導電部Cおよび絶縁部Iを有する導電膜12が形成されたドーム部と、配線ライン(図示略)が形成された配線接続部と、少なくともドーム部の導電膜12の表面を被覆する加飾層14と、少なくとも加飾層14の表面を被覆する保護膜16と、を備えている。
<Conductive pattern forming substrate>
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a conductive pattern forming substrate obtained by the manufacturing method of the present invention. The conductive pattern forming substrate 10 includes a dome portion in which a conductive film 12 having a conductive portion C and an insulating portion I is formed on an insulating substrate 11, a wiring connection portion in which a wiring line (not shown) is formed, and at least The decoration layer 14 which coat | covers the surface of the electrically conductive film 12 of a dome part, and the protective film 16 which coat | covers the surface of at least the decoration layer 14 are provided.

(絶縁基材)
絶縁基板11としては、三次元成形によって成形可能のものが用いられる。また、絶縁基板11としては、絶縁性を有するとともに、表面に導電膜12を形成でき、かつ後述するレーザ加工に対して所定の照射条件において外観変化の生じにくいものを用いることが好ましい。具体的には、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート(PET)を代表とするポリエステル、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合樹脂(ABS樹脂)等の絶縁性材料が挙げられる。絶縁基板11は透明であってもよく、着色されていてもよい。
(Insulating base material)
As the insulating substrate 11, a substrate that can be molded by three-dimensional molding is used. Further, as the insulating substrate 11, it is preferable to use a substrate that has insulating properties, can form the conductive film 12 on the surface, and hardly changes in appearance under predetermined irradiation conditions with respect to laser processing described later. Specific examples include insulating materials such as polycarbonate, polyester typified by polyethylene terephthalate (PET), and acrylonitrile / butadiene / styrene copolymer resin (ABS resin). The insulating substrate 11 may be transparent or colored.

(導電部)
図2に示すように、導電膜12の導電部Cは、絶縁性を有する基体2内に導電性を有する金属からなる網状部材3を備えている。すなわち、導電膜12の導電部Cは、基体2内に、厚さ方向に垂直な面方向に沿うように展開された無機物のネットワーク部材である網状部材3が保持されて形成されている。
(Conductive part)
As shown in FIG. 2, the conductive portion C of the conductive film 12 includes a net member 3 made of a conductive metal in a base 2 having an insulating property. That is, the conductive portion C of the conductive film 12 is formed in the substrate 2 by holding the mesh member 3 which is an inorganic network member developed so as to extend along the surface direction perpendicular to the thickness direction.

基体2を構成する絶縁体としては、熱可塑性樹脂(ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリメチルメタクリレート、ニトロセルロース、塩素化ポリエチレン、塩素化ポリプロピレン、フッ化ビニリデン)、熱、紫外線、電子線、放射線等で硬化する硬化性樹脂(不飽和ポリエステル樹脂、メラミンアクリレート、ウレタンアクリレート、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル変性シリケート等のシリコーン樹脂)の硬化物が挙げられ、硬化前の液状の状態において網状部材3の金属極細繊維4間に充填(含浸)できる点から、硬化性樹脂の硬化物が好ましい。
また、絶縁基板11と基体2とは、互いに同一材料または同一系統の樹脂材料からなるものを用いることが好ましい。詳しくは、例えば絶縁基板11がPETフィルムの場合、基体2にはポリエステル系樹脂を用いることが好ましい。
As an insulator constituting the substrate 2, thermoplastic resin (polyvinyl chloride, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, polymethyl methacrylate, nitrocellulose, chlorinated polyethylene, chlorinated polypropylene, vinylidene fluoride), heat, ultraviolet light , Cured products of curable resins (unsaturated polyester resins, melamine acrylates, urethane acrylates, epoxy resins, polyimide resins, acrylic-modified silicates, etc.) that cure with electron beams, radiation, etc. A cured product of a curable resin is preferable because it can be filled (impregnated) between the metal ultrafine fibers 4 of the mesh member 3 in the state.
The insulating substrate 11 and the base 2 are preferably made of the same material or the same series of resin materials. Specifically, for example, when the insulating substrate 11 is a PET film, it is preferable to use a polyester-based resin for the base 2.

網状部材3は、基体2内に分散されて互いに電気的に連結された複数の金属極細繊維4からなる。
詳しくは、これら金属極細繊維4同士は、絶縁基板11の表面(導電膜12が形成される面)の面方向に沿って互いに異なる向きに不規則に延在しているとともに、その少なくとも一部以上が互いに重なり合う(接触し合う)程度に密集して配置されており、このような配置によって互いに電気的に連結(接続)されている。
The net-like member 3 is composed of a plurality of metal microfibers 4 dispersed in the base 2 and electrically connected to each other.
Specifically, these metal microfibers 4 irregularly extend in different directions along the surface direction of the surface of the insulating substrate 11 (surface on which the conductive film 12 is formed), and at least a part thereof. These are arranged so densely that they overlap each other (contact each other), and are electrically connected (connected) to each other by such an arrangement.

これにより、網状部材3は、絶縁基板11の表面において、導電性の2次元ネットワークを構成しており、導電膜12の基体2内において網状部材3が配置された領域は、導電部Cとされている。また、網状部材3の金属極細繊維4は、その大部分が導電膜12の表面(絶縁基板11とは反対側を向く表面)下に配設されるが、基体2内に埋設される部分と、該基体2の表面から突出される部分とを有している。   As a result, the mesh member 3 forms a conductive two-dimensional network on the surface of the insulating substrate 11, and a region where the mesh member 3 is disposed in the base 2 of the conductive film 12 is a conductive portion C. ing. Further, most of the metal microfibers 4 of the mesh member 3 are disposed below the surface of the conductive film 12 (surface facing away from the insulating substrate 11), but the portion embedded in the base 2. And a portion protruding from the surface of the substrate 2.

金属極細繊維4としては、具体的には、銅、白金、金、銀、ニッケル等からなる金属ナノワイヤや金属ナノチューブが挙げられる。本実施形態においては、金属極細繊維4として、銀を主成分とする金属ナノワイヤ(銀ナノワイヤ)が用いられている。金属極細繊維4は、例えばその直径が0.3〜100nm程度、長さが1μm〜100μm程度に形成されている。   Specific examples of the metal ultrafine fibers 4 include metal nanowires and metal nanotubes made of copper, platinum, gold, silver, nickel, and the like. In the present embodiment, metal nanowires (silver nanowires) mainly composed of silver are used as the metal microfibers 4. The metal ultrafine fibers 4 are formed, for example, with a diameter of about 0.3 to 100 nm and a length of about 1 μm to 100 μm.

なお、網状部材3として、上述した金属極細繊維4以外の極細繊維、すなわちシリコンナノワイヤやシリコンナノチューブ、金属酸化物ナノチューブ、カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、グラファイトフィブリル等の繊維状部材およびその金属被覆部材が用いられるとともに、これらが分散・連結されて構成されていても構わない。   In addition, as the mesh member 3, there are ultrafine fibers other than the above-described metal ultrafine fibers 4, that is, fibrous members such as silicon nanowires, silicon nanotubes, metal oxide nanotubes, carbon nanotubes, carbon nanofibers, graphite fibrils, and the metal-coated members thereof. While being used, these may be configured to be dispersed and connected.

(絶縁部)
導電膜12の基体2内において、網状部材3の少なくとも一部が除去されることによって絶縁部Iが形成されている。すなわち、図3に示すように、基体2には、網状部材3の金属極細繊維4が除去されることによって空隙5が複数形成されており、これら空隙5が密集するように配置された領域が、絶縁部Iとされている。
(Insulation part)
In the base 2 of the conductive film 12, at least a part of the mesh member 3 is removed to form an insulating portion I. That is, as shown in FIG. 3, a plurality of voids 5 are formed in the base 2 by removing the metal microfibers 4 of the mesh member 3, and regions where the voids 5 are densely arranged are formed. Insulating part I.

空隙5は、基体2の表面(絶縁基板11とは反対側を向く表面)の面方向に沿って互いに異なる向きに不規則に延在または点在する長穴状(長丸穴状)または穴状(丸穴状)をそれぞれなしており、前記表面に開口する部分を有して形成されている。詳しくは、空隙5は、除去された金属極細繊維4の配置されていた位置に対応するように配置されているとともに、該金属極細繊維4の直径と略同等の直径(内径)を有し、該金属極細繊維4の長さ以下に形成されている。   The gap 5 has a long hole shape (an oblong hole shape) or a hole that irregularly extends or is scattered in different directions along the surface direction of the surface of the substrate 2 (the surface facing the side opposite to the insulating substrate 11). Each has a shape (round hole shape), and has a portion opening on the surface. Specifically, the gap 5 is disposed so as to correspond to the position where the removed metal microfiber 4 is disposed, and has a diameter (inner diameter) substantially equal to the diameter of the metal microfiber 4. It is formed below the length of the metal ultrafine fiber 4.

より詳しくは、1つの金属極細繊維4が完全に蒸発・除去されるか、少なくとも一部が蒸発・除去されることにより、該金属極細繊維4をその延在する方向に分割するようにして、複数の空隙5が互いに間隔をあけて形成されている。すなわち、金属極細繊維4の相当位置に対応して、互いに離間する複数の空隙5が、全体として線状をなすように延在または点在して形成されている。なお、1つの金属極細繊維4の相当位置に対応して、空隙5が線状をなすように1つだけ形成されていてもよい。   More specifically, one metal microfiber 4 is completely evaporated / removed, or at least a part thereof is evaporated / removed so that the metal microfiber 4 is divided in the extending direction, A plurality of gaps 5 are formed at intervals. That is, a plurality of gaps 5 that are spaced apart from each other are formed so as to extend or be scattered so as to form a linear shape as a whole corresponding to the corresponding positions of the metal microfibers 4. Note that only one gap 5 may be formed so as to correspond to a corresponding position of one metal microfiber 4 so as to form a linear shape.

絶縁部Iにおいては、これら空隙5が形成されることによって、導体である金属極細繊維4が除去されているとともに、前記導電性の2次元ネットワークである網状部材3が除去されて(消失して)いる。
このように、絶縁部Iにおいては、基体2から金属極細繊維4が除去されていることから、該基体2(導電膜12)における導電部Cと絶縁部Iとでは、互いに化学的組成が異なっている。それにも関わらず、金属極細繊維4に相当位置に対応する空隙5が存在するため、光学的な特性が互いに大きく異ならず、絶縁性と視認不可性の2つの条件を満たすことが可能となる。
In the insulating portion I, by forming these voids 5, the metal microfibers 4 that are conductors are removed, and the mesh member 3 that is the conductive two-dimensional network is removed (disappeared). )
Thus, in the insulating part I, since the metal microfibers 4 are removed from the base 2, the conductive part C and the insulating part I in the base 2 (conductive film 12) have different chemical compositions. ing. Nevertheless, since the gap 5 corresponding to a corresponding position exists in the metal microfiber 4, the optical characteristics are not greatly different from each other, and it is possible to satisfy the two conditions of insulation and invisibility.

(配線ライン)
配線ライン(図示略)は、導電膜12の導電部Cと、入力信号を検出するインターフェース回路等の検出手段(図示略)等とを電気的に接続するものである。
配線ラインの材料としては、銀、銅等の導電性金属材料が挙げられる。
(Wiring line)
The wiring line (not shown) electrically connects the conductive portion C of the conductive film 12 to a detecting means (not shown) such as an interface circuit that detects an input signal.
Examples of the material for the wiring line include conductive metal materials such as silver and copper.

(加飾層)
加飾層14は、フィルム基材の表面に加飾用の模様、文字、図形、記号等が公知の印刷法によって形成されたものである。
フィルム基材としては、PET、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート、アクリル樹脂等が挙げられる。フィルム基材は透明であってもよく、着色されていてもよい。
(Decoration layer)
The decoration layer 14 is formed by forming a decorative pattern, characters, figures, symbols, and the like on the surface of a film substrate by a known printing method.
Examples of the film substrate include PET, polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate, acrylic resin, and the like. The film substrate may be transparent or colored.

(保護膜)
保護膜16は、透明な材料からなり、加飾層14や配線接続部(図示略)の表面を保護するものである。
保護膜16としては、透明な粘着材と透明なフィルム基材とからなるもの;紫外線、熱、電子線、放射線等により硬化する性質の硬化性樹脂の硬化物からなる膜;SiOからなる膜;射出成形等で作られた板状や三次元形状を有する成形品;その他、公知のハードコート層等が挙げられる。
フィルム基材としては、PET、PEN、ポリカーボネート、アクリル樹脂等が挙げられる。
(Protective film)
The protective film 16 is made of a transparent material, and protects the surface of the decorative layer 14 and the wiring connection portion (not shown).
The protective film 16 includes a transparent adhesive material and a transparent film substrate; a film made of a cured curable resin having a property of being cured by ultraviolet rays, heat, electron beam, radiation, etc .; a film made of SiO 2 A molded product having a plate shape or a three-dimensional shape made by injection molding or the like; and other known hard coat layers.
Examples of the film substrate include PET, PEN, polycarbonate, acrylic resin and the like.

(他の実施形態)
なお、本発明における導電パターン形成基板は、図示例の導電パターン形成基板10に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることができる。
例えば、導電パターン形成基板10を透明タッチパネルに用いる場合、加飾層14を設けなくてもよい。
また、加飾層14を省略し、絶縁基板11に印刷を施してもよく、絶縁基板11にラミネート、転写等によって加飾層を設けてもよい。
(Other embodiments)
In addition, the conductive pattern formation board | substrate in this invention is not limited to the conductive pattern formation board | substrate 10 of the example of illustration, A various change can be added in the range which does not deviate from the meaning of this invention.
For example, when the conductive pattern forming substrate 10 is used for a transparent touch panel, the decoration layer 14 may not be provided.
Further, the decorative layer 14 may be omitted, and the insulating substrate 11 may be printed, or the decorative layer may be provided on the insulating substrate 11 by lamination, transfer, or the like.

また、網状部材3は、基体2内に分散されて互いに電気的に連結された複数の金属極細繊維4からなることとしたが、これに限定されるものではない。すなわち、網状部材3は、例えば、導電性を有する金属膜をエッチング等により格子状に形成してなるワイヤグリッドであってもよい。   Moreover, although the net-like member 3 is composed of the plurality of metal ultrafine fibers 4 dispersed in the base 2 and electrically connected to each other, the present invention is not limited to this. In other words, the net member 3 may be a wire grid formed by forming a conductive metal film in a lattice shape by etching or the like.

また、導電パターン形成基板10には、粘着、反射防止、ハードコート、ドットスペーサ等の機能層を任意で付加してもよい。なお、後述するレーザ加工においてYAGレーザやYVOレーザの基本波等の波長が1000nm近辺のレーザを用い、かつ機能層としてアクリル系高分子を用いる場合、外観特性の観点から、レーザ照射後に機能層を設けることが好ましい。 Moreover, you may add functional layers, such as adhesion, antireflection, a hard coat, and a dot spacer, to the conductive pattern formation board | substrate 10 arbitrarily. In the laser processing described later, when a laser having a wavelength such as a fundamental wave of a YAG laser or a YVO 4 laser is around 1000 nm and an acrylic polymer is used as a functional layer, the functional layer is irradiated after laser irradiation from the viewpoint of appearance characteristics. Is preferably provided.

(用途)
導電パターン形成基板10の用途としては、三次元成形品の表面に設けられる静電容量センサ(自動車のハンドル等に付随する静電容量入力装置等)等における電極シートが挙げられる。
(Use)
Examples of the use of the conductive pattern forming substrate 10 include an electrode sheet in a capacitance sensor (such as a capacitance input device attached to a handle of an automobile) provided on the surface of a three-dimensional molded product.

導電パターン形成基板10を静電容量センサに用いる場合、この静電容量センサは、導電パターン形成基板10(電極シート)と、導電パターン形成基板10の導電部Cに配線ライン(図示略)を介して電気的に接続された検出手段と、を備えて構成される。検出手段は、導電部Cに所定の周期で検出信号としての所定の電圧を印加しつつ、保護膜16の表面に対して入力体による接近操作または接触操作が行われた際の入力体と導電部Cとの間の静電容量の変化を、検出信号の波形の変化として検出する検出回路を有するものである。   When the conductive pattern forming substrate 10 is used as a capacitance sensor, the capacitance sensor is connected to the conductive pattern forming substrate 10 (electrode sheet) and the conductive portion C of the conductive pattern forming substrate 10 via a wiring line (not shown). And detecting means electrically connected to each other. The detecting means applies a predetermined voltage as a detection signal to the conductive portion C at a predetermined cycle, and conducts the input body and the conductive material when an approaching operation or a contact operation is performed on the surface of the protective film 16 by the input body. And a detection circuit that detects a change in capacitance with the part C as a change in the waveform of the detection signal.

また、加飾層14を設けず、かつ絶縁基板11が透明である場合には、導電膜12が透明であるため、導電パターン形成基板10全体も透明となる。このような場合の導電パターン形成基板10の用途としては、例えば、透明アンテナ、透明電磁波シールド、静電容量式またはメンブレン式の透明タッチパネル等の透明入力装置のような、透明部分に導電パターンを形成する物品が挙げられる。なお、本実施形態における「透明」とは、50%以上の光線透過率を有するものを指す。   Further, when the decorative layer 14 is not provided and the insulating substrate 11 is transparent, since the conductive film 12 is transparent, the entire conductive pattern forming substrate 10 is also transparent. As an application of the conductive pattern forming substrate 10 in such a case, for example, a conductive pattern is formed in a transparent portion such as a transparent input device such as a transparent antenna, a transparent electromagnetic wave shield, a capacitance type or a membrane type transparent touch panel. Article to be used. In the present embodiment, “transparent” refers to a material having a light transmittance of 50% or more.

導電パターン形成基板10をメンブレン式のタッチパネルに用いる場合、このタッチパネルは、導電パターン形成基板10(電極シート)が厚さ方向に積層するように一対設けられた入力部材と、導電パターン形成基板10の導電膜12の導電部Cに配線ライン(図示略)を介して電気的に接続され、入力信号を検出するインターフェース回路等の検出手段と、を備えて構成される。   When the conductive pattern forming substrate 10 is used for a membrane-type touch panel, the touch panel includes a pair of input members provided so that the conductive pattern forming substrate 10 (electrode sheet) is laminated in the thickness direction, and the conductive pattern forming substrate 10. And a detection unit such as an interface circuit that detects an input signal and is electrically connected to the conductive part C of the conductive film 12 via a wiring line (not shown).

<導電パターン形成基板の製造方法>
次に、本発明の導電パターン形成基板の製造方法について、図4および図5を用いて説明する。
<Method for producing conductive pattern forming substrate>
Next, the manufacturing method of the conductive pattern formation board | substrate of this invention is demonstrated using FIG. 4 and FIG.

導電パターン形成基板10の製造方法は、絶縁基板11の上に、基体2内に網状部材3が配置される基礎膜aが少なくとも形成された成形用基板18を得る工程と、成形用基板18を三次元成形し、三次元形状基板20とする工程と、三次元形状基板20における基礎膜aにレーザ光Lを照射することによって空隙5を形成し、導電膜12とする工程と、を有する方法である。   The method of manufacturing the conductive pattern forming substrate 10 includes a step of obtaining a molding substrate 18 in which at least a base film a on which the mesh member 3 is arranged in the base 2 is formed on the insulating substrate 11, and a molding substrate 18. A method comprising a step of three-dimensionally forming a three-dimensionally shaped substrate 20 and a step of forming a gap 5 by irradiating the base film a in the three-dimensionally shaped substrate 20 with a laser beam L to form a conductive film 12. It is.

導電パターン形成基板10は、具体的には、例えば下記の工程(a)〜工程(h)を順に経て製造される。
(a)絶縁基板11の上に基礎膜aを形成し、成形用基板18を得る工程。
(b)ドーム部に対応する領域の基礎膜aの上にレジスト膜(図示略)を形成する工程。
(c)配線接続部(図示略)の基礎膜aをエッチングによって除去した後、レジスト膜(図示略)を除去する工程。
(d)配線接続部(図示略)の絶縁基板11の上に、基礎膜a(導電膜12の導電部C)に電気的に接続する配線ライン(図示略)を形成する工程。
(e)成形用基板18を三次元成形し、ドーム部を形成することによって三次元形状基板20とする工程。
(f)ドーム部の基礎膜aにレーザ光Lを照射することによって空隙5を形成し、導電膜12とする工程。
(g)少なくとも導電膜12の上に、加飾層14を設ける工程。
(h)少なくとも加飾層14の上に、保護膜16を設ける工程。
Specifically, the conductive pattern forming substrate 10 is manufactured through the following steps (a) to (h), for example.
(A) A step of forming a base film a on the insulating substrate 11 to obtain a molding substrate 18.
(B) A step of forming a resist film (not shown) on the base film a in the region corresponding to the dome.
(C) A step of removing the resist film (not shown) after removing the base film a of the wiring connection portion (not shown) by etching.
(D) A step of forming a wiring line (not shown) electrically connected to the base film a (the conductive part C of the conductive film 12) on the insulating substrate 11 of the wiring connection part (not shown).
(E) A step of forming the three-dimensional shaped substrate 20 by three-dimensionally forming the forming substrate 18 and forming a dome portion.
(F) The process of forming the space | gap 5 by irradiating the base film a of a dome part with the laser beam L, and setting it as the electrically conductive film 12. FIG.
(G) The process of providing the decoration layer 14 on the electrically conductive film 12 at least.
(H) The process of providing the protective film 16 on the decoration layer 14 at least.

(工程(a))
図4に示されるように、まず、絶縁基板11上のドーム部に対応する領域および配線接続部(図示略)に、基体2内に網状部材3が配置される基礎膜aを形成する。基礎膜aは、上述した図2に示される導電膜12の導電部Cと同一の構成を有する導電性コーティング膜である。例えば、絶縁基板11上に金属極細繊維4を含むインク(液体)を塗布する過程を経て、該絶縁基板11上に金属極細繊維4が分散配置されることにより網状部材3が形成される。そして、絶縁基板11上に分散配置された金属極細繊維4同士の間に、液状の硬化性樹脂を充填した後、硬化させることで基体2が形成されているとともに、網状部材3は基体2内に固定配置される。
(Process (a))
As shown in FIG. 4, first, a base film “a” in which the mesh member 3 is disposed in the base 2 is formed in a region corresponding to the dome portion on the insulating substrate 11 and a wiring connection portion (not shown). The base film a is a conductive coating film having the same configuration as the conductive part C of the conductive film 12 shown in FIG. For example, the net member 3 is formed by dispersing and arranging the metal microfibers 4 on the insulating substrate 11 through a process of applying ink (liquid) including the metal microfibers 4 on the insulating substrate 11. The base 2 is formed by filling a liquid curable resin between the metal ultrafine fibers 4 dispersedly arranged on the insulating substrate 11 and then curing the resin, and the mesh member 3 is formed in the base 2. Fixedly arranged.

(工程(b)〜工程(c))
次いで、フォトリソグラフィによるプロセスを用いて、絶縁基板11上の基礎膜aのうち、配線接続部(図示略)に対応する部位を除去する。
詳しくは、まず、基礎膜a上のドーム部に対応する領域にレジスト膜50を形成する。
次いで、基礎膜aのうち配線接続部(図示略)に対応する部位をエッチングにより除去した後、レジスト膜50を除去する。なお、エッチングとしては、ウェットエッチングおよびドライエッチングのいずれを用いても構わない。
(Step (b) to Step (c))
Next, a portion corresponding to the wiring connection portion (not shown) in the base film a on the insulating substrate 11 is removed using a process by photolithography.
Specifically, first, a resist film 50 is formed in a region corresponding to the dome portion on the base film a.
Next, after removing a portion of the base film a corresponding to the wiring connection portion (not shown) by etching, the resist film 50 is removed. As the etching, either wet etching or dry etching may be used.

(工程(d))
配線接続部(図示略)の絶縁基板11上に、基礎膜a(導電膜12の導電部C)に電気的に接続する配線ライン(図示略)を形成する。詳しくは、配線ラインは、配線接続部(図示略)における絶縁基板11上、および基礎膜aの一部(周縁端部)に、銀や銅からなるペースト状の導電性金属材料を印刷する、または銀や銅からなる導電性金属材料を蒸着することによって形成されている。
(Process (d))
A wiring line (not shown) electrically connected to the base film a (the conductive part C of the conductive film 12) is formed on the insulating substrate 11 of the wiring connection part (not shown). Specifically, the wiring line prints a paste-like conductive metal material made of silver or copper on the insulating substrate 11 in the wiring connecting portion (not shown) and on a part of the base film a (peripheral edge). Alternatively, it is formed by depositing a conductive metal material made of silver or copper.

(工程(e))
次いで、図4に示されるように、成形用基板18のドーム部に対応する領域を三次元成形し、ドーム部を形成することによって三次元形状基板20とする。
三次元成形法としては、成形用基板18を加熱し、軟らかい状態にした後、型に押し付ける、いわゆる熱成形法が挙げられる。熱成形法としては、真空成形法、圧空成形法等が挙げられる。
(Process (e))
Next, as shown in FIG. 4, the region corresponding to the dome portion of the molding substrate 18 is three-dimensionally formed to form the dome portion, thereby forming the three-dimensional shape substrate 20.
As the three-dimensional molding method, there is a so-called thermoforming method in which the molding substrate 18 is heated to be in a soft state and then pressed against a mold. Examples of the thermoforming method include a vacuum forming method and a pressure forming method.

(工程(f))
次いで、図4に示されるように、三次元形状基板20のドーム部の基礎膜aにレーザ光Lを照射することによって、空隙5を形成するとともに絶縁部Iを形成して、絶縁部Iと、絶縁部I以外の部位である導電部Cと、を備えた導電膜12とする。なお、絶縁基板11が透明な場合は、絶縁基板11の側から絶縁基板11越しに基礎膜aにレーザ光Lを照射しても構わない。
(Process (f))
Next, as shown in FIG. 4, by irradiating the base film a of the dome portion of the three-dimensional shape substrate 20 with the laser light L, the gap 5 and the insulating portion I are formed. The conductive film 12 includes a conductive part C that is a part other than the insulating part I. When the insulating substrate 11 is transparent, the base film a may be irradiated with the laser light L from the insulating substrate 11 side through the insulating substrate 11.

詳しくは、これら空隙5は、網状部材3の金属極細繊維4が配置される領域にレーザ光として短パルスのパルス状レーザであるレーザ光Lを照射して、該金属極細繊維4を蒸発・除去することにより形成されている。
金属極細繊維4からなる2次元ネットワークである網状部材3に短パルスのパルス状レーザであるレーザ光Lを照射することによって、網状部材3の少数箇所を破壊するだけで効率よく絶縁化が可能であり、レーザ光Lの照射によって金属極細繊維4の相当位置に対応して互いに離間する複数の空隙5が存在する絶縁部Iを形成することが可能となる。
More specifically, these gaps 5 evaporate and remove the metal microfibers 4 by irradiating the region of the mesh member 3 where the metal microfibers 4 are disposed with a laser beam L which is a pulsed laser of a short pulse as a laser beam. It is formed by doing.
By irradiating the mesh member 3, which is a two-dimensional network made of the metal microfibers 4, with the laser light L that is a short pulse laser, it is possible to efficiently insulate only by destroying a small number of portions of the mesh member 3. In addition, it is possible to form the insulating portion I having a plurality of gaps 5 that are separated from each other corresponding to the corresponding positions of the metal microfibers 4 by irradiation with the laser light L.

なお、前記短パルスとは、パルス幅が300n秒以下に設定されることを指し、好ましくはパルス幅は70n秒以下に設定される。
このパルス状レーザとしては、例えばYAGレーザまたはYVOレーザを用いることができる。YAGレーザまたはYVOレーザを用いる場合、パルス幅が5〜300n秒程度の、加工機として一般に広く使用されているものが利用可能である。
The short pulse means that the pulse width is set to 300 nsec or less, and preferably the pulse width is set to 70 nsec or less.
As this pulsed laser, for example, a YAG laser or a YVO 4 laser can be used. When a YAG laser or YVO 4 laser is used, a machine widely used as a processing machine having a pulse width of about 5 to 300 nsec can be used.

ここで、レーザ光Lを照射する製造装置40およびレーザ光Lの照射方法について、図5を参照して詳述する。
本実施形態では、ドーム部の基礎膜aに、短パルスのパルス状レーザであるレーザ光Lを所定のパターンで照射する方法を用いている。
Here, the manufacturing apparatus 40 which irradiates the laser beam L and the irradiation method of the laser beam L will be described in detail with reference to FIG.
In the present embodiment, a method of irradiating the base film a of the dome with laser light L, which is a pulsed laser with a short pulse, in a predetermined pattern is used.

図5に示されるように、本実施形態の導電パターン形成基板10の製造に用いられる製造装置40は、レーザ光Lを発生させるレーザ光発生手段41と、レーザ光Lを集光する集光手段である凸レンズ等の集光レンズ42と、上面に基礎膜aが形成された三次元形状基板20を載置するステージ43と、を備えている。
そして、レーザ光発生手段41から集光レンズ42を介して基礎膜aにレーザ光Lを照射して、該基礎膜aに絶縁部Iを形成するとともに導電パターンを形成する。
As shown in FIG. 5, the manufacturing apparatus 40 used for manufacturing the conductive pattern forming substrate 10 of the present embodiment includes a laser light generating unit 41 that generates the laser light L and a condensing unit that collects the laser light L. A condensing lens 42 such as a convex lens, and a stage 43 on which the three-dimensional substrate 20 having the base film a formed on the upper surface is placed.
Then, the laser light L is irradiated from the laser light generating means 41 to the base film a through the condenser lens 42 to form the insulating portion I and the conductive pattern on the base film a.

この製造装置40におけるレーザ光発生手段41としては、波長2μm未満でパルス幅が200n秒未満のレーザ光(可視光または赤外線のレーザ光)を発生させるものが用いられる。レーザ光Lのパルス幅が1〜200n秒のものを用いた場合、装置入手が容易であるとともに設備費用を低減でき、好ましい。   As the laser light generating means 41 in the manufacturing apparatus 40, one that generates laser light (visible light or infrared laser light) having a wavelength of less than 2 μm and a pulse width of less than 200 nsec is used. When the laser beam L having a pulse width of 1 to 200 nsec is used, it is easy to obtain the apparatus and reduce the equipment cost, which is preferable.

集光レンズ42の焦点Fは、基礎膜aから離れた位置に設定されている。詳しくは、集光レンズ42は、基礎膜aと集光レンズ42との間にレーザ光Lの焦点Fが位置するように配置される。すなわち、本実施形態の導電パターン形成基板10の製造方法では、集光レンズ42(レーザ光L)の焦点Fを、加工する基礎膜aと集光レンズ42との間に配置している。   The focal point F of the condenser lens 42 is set at a position away from the base film a. Specifically, the condenser lens 42 is disposed so that the focal point F of the laser light L is located between the base film a and the condenser lens 42. That is, in the manufacturing method of the conductive pattern forming substrate 10 of the present embodiment, the focal point F of the condenser lens 42 (laser light L) is disposed between the base film a to be processed and the condenser lens 42.

集光レンズ42としては、低い開口数(NA<0.1)のものが好ましい。すなわち、集光レンズ42の開口数がNA<0.1とされることにより、レーザ光Lの照射条件設定が容易となり、特にレーザ光Lの焦点Fが基礎膜aと集光レンズ42との間に位置することによる、該焦点Fにおける空気のプラズマ化に伴うエネルギ損失とレーザ光Lの拡散を防止することができる。   The condensing lens 42 preferably has a low numerical aperture (NA <0.1). That is, by setting the numerical aperture of the condenser lens 42 to NA <0.1, it becomes easy to set the irradiation condition of the laser light L. In particular, the focal point F of the laser light L is between the base film a and the condenser lens 42. It is possible to prevent energy loss and diffusion of the laser light L due to the air plasma at the focal point F due to being positioned in between.

さらに、基礎膜aが、例えば金属極細繊維4からなる網状部材3の繊維(素線)間に樹脂からなる基体2を充填(含浸)して形成されているとともに、樹脂フィルムからなる絶縁基板11上に設けられている場合、上述の設定によって、基礎膜aの基体2内に埋設された金属極細繊維4を基体2から確実に除去することができる。したがって、所望の絶縁部Iの形状に対応して空隙5が確実に形成されることになり、例えば直線パターンのコーナ部等、従来では大きなRに設定しなければ絶縁化できなかったパターンであっても、小さなR設定で(またはRを付与せずに)絶縁化処理が確実かつ容易に実現できる。   Further, the base film a is formed by filling (impregnating) the base 2 made of resin between the fibers (element wires) of the net-like member 3 made of, for example, the metal ultrafine fibers 4, and the insulating substrate 11 made of a resin film. When provided above, the metal ultrafine fibers 4 embedded in the base 2 of the base film a can be reliably removed from the base 2 by the above setting. Accordingly, the gap 5 is surely formed corresponding to the desired shape of the insulating portion I. For example, a pattern such as a corner portion of a linear pattern that cannot be insulated unless it is conventionally set to a large R. However, the insulation process can be reliably and easily realized with a small R setting (or without providing R).

また、ステージ43は、水平方向に2次元的に移動可能に構成されている。ステージ43は、少なくとも上面側が透明な部材または光線吸収性を有する部材で構成されていることが好ましい。
ステージ43は、絶縁基板11が透明でレーザ光Lの出力が1Wを超える場合、ナイロン系もしくはフッ素系の樹脂材料、またはシリコーンゴム系の高分子材料を用いることが好ましい。
The stage 43 is configured to be movable two-dimensionally in the horizontal direction. The stage 43 is preferably composed of a member having at least a transparent upper surface or a member having light absorption.
When the insulating substrate 11 is transparent and the output of the laser beam L exceeds 1 W, the stage 43 is preferably made of a nylon-based or fluorine-based resin material or a silicone rubber-based polymer material.

このような構成とされた製造装置40を用いて、基礎膜aにレーザ光Lを照射する方法は、下記のとおりである。
まず、ステージ43の上面に、三次元形状基板20を、基礎膜aが絶縁基板11の上側に配置されるように載置する。
A method of irradiating the base film a with the laser beam L using the manufacturing apparatus 40 having such a configuration is as follows.
First, the three-dimensionally shaped substrate 20 is placed on the upper surface of the stage 43 so that the base film a is disposed above the insulating substrate 11.

次いで、レーザ光発生手段41よりレーザ光Lを出射させ、レーザ光Lを集光レンズ42により集光する。その集光したレーザ光Lの、焦点Fを過ぎてスポット径が広がった部分を基礎膜aに照射する。その際、ステージ43を、レーザ光Lの照射が所定のパターンになるように移動させる。   Next, the laser beam L is emitted from the laser beam generator 41, and the laser beam L is collected by the condenser lens 42. The base film a is irradiated with a portion of the condensed laser light L where the spot diameter has passed through the focal point F. At that time, the stage 43 is moved so that the irradiation of the laser beam L has a predetermined pattern.

基礎膜aに照射するレーザ光Lのエネルギ密度および単位面積あたりの照射エネルギは、レーザのパルス幅により異なる。
例えば、パルス幅が1〜100n秒のレーザ(YAGレーザまたはYVOレーザ)では、エネルギ密度1×1011〜7×1013W/m、単位面積あたりの照射エネルギは1×10〜1×10J/mが好ましく、1×10〜3×10J/mがより好ましい。
エネルギ密度・照射エネルギが前記数値範囲よりも小さな値に設定された場合、絶縁部Iの絶縁が不十分になるおそれがある。また、前記数値範囲よりも大きな値に設定された場合、加工痕が目立つようになり、透明タッチパネルや透明電磁波シールド等の用途では不適当となるおそれがある。
The energy density and the irradiation energy per unit area of the laser beam L irradiating the base film a vary depending on the pulse width of the laser.
For example, in a laser having a pulse width of 1 to 100 nsec (YAG laser or YVO 4 laser), the energy density is 1 × 10 11 to 7 × 10 13 W / m 2 , and the irradiation energy per unit area is 1 × 10 4 to 1. × 10 6 J / m 2 is preferable, and 1 × 10 5 to 3 × 10 5 J / m 2 is more preferable.
If the energy density / irradiation energy is set to a value smaller than the numerical range, the insulation of the insulating portion I may be insufficient. Moreover, when it is set to a value larger than the above numerical range, processing traces become conspicuous, which may be inappropriate for applications such as a transparent touch panel and a transparent electromagnetic wave shield.

また、これらの値は、加工エリアにおけるレーザビームの出力値を、加工エリアの集光スポット面積で除することにより定義されており、簡便には、出力はレーザ発振機からの出力値に光学系の損失係数を掛けることで求められる。
また、スポット径面積Sは、下記式により定義される。
S=S×D/FL
:レンズで集光されるレーザのビーム面積
FL:レンズの焦点距離
D:基礎膜aの表面(上面)と焦点との距離
These values are defined by dividing the output value of the laser beam in the processing area by the condensing spot area of the processing area. For convenience, the output is converted into the output value from the laser oscillator by the optical system. It is obtained by multiplying by the loss factor.
The spot diameter area S is defined by the following formula.
S = S 0 × D / FL
S 0 : Beam area of laser focused by lens FL: Focal length of lens D: Distance between surface (upper surface) of base film a and focal point

なお、前記焦点Fは、レンズ等の集光手段42で、収差が十分に小さい場合を例に説明したが、例えば、焦点距離の短い球面レンズや、保護ガラス等の収差が大きくなる要素が存在する場合には、前記焦点Fは、集光点のエネルギ密度が最も高くなる位置と定義される。   The focal point F has been described by taking as an example a case where the light condensing means 42 such as a lens has sufficiently small aberration. However, for example, there is a spherical lens having a short focal length, an element that increases the aberration, such as a protective glass. In this case, the focal point F is defined as a position where the energy density of the condensing point is the highest.

ここで、距離Dは、焦点距離FLの0.2%〜3%の範囲内に設定される。好ましくは、距離Dは、焦点距離FLの0.5%〜2%の範囲内に設定される。さらに望ましくは、距離Dは、焦点距離FLの0.7%〜1.5%の範囲内に設定される。距離Dが前記数値範囲に設定されることにより、絶縁部Iにおける金属極細繊維4の除去(空隙5の形成)が確実に行えるとともに電気的に高い信頼性を有する絶縁パターン(導電パターン)を形成でき、かつ、絶縁基板11の損傷に起因する加工痕を確実に防止できる。   Here, the distance D is set within a range of 0.2% to 3% of the focal length FL. Preferably, the distance D is set within a range of 0.5% to 2% of the focal length FL. More preferably, the distance D is set within a range of 0.7% to 1.5% of the focal length FL. By setting the distance D within the numerical range, the metal ultrafine fibers 4 in the insulating portion I can be reliably removed (the formation of the gap 5) and an insulating pattern (conductive pattern) having high electrical reliability can be formed. In addition, it is possible to reliably prevent processing traces resulting from damage to the insulating substrate 11.

また、精度の高い導電パターンを形成する点では、基礎膜a上にスポットの位置を移動させながらパルス状のレーザ光Lを断続的に複数回照射することで、隣り合うスポット位置同士に重複する部分を形成することが好ましい。具体的には、断続的に3〜500回照射することが好ましく、20〜200回照射することがより好ましい。3回以上の照射であれば、より確実に絶縁化でき、500回以下であれば、レーザ光Lが照射された基体2部分の溶解または蒸発による除去を防止できる。   Moreover, in the point which forms a highly accurate conductive pattern, it overlaps with adjacent spot positions by irradiating the pulsed laser beam L several times intermittently, moving the spot position on the base film a. It is preferable to form a part. Specifically, it is preferable to irradiate intermittently 3 to 500 times, and more preferably 20 to 200 times. If the irradiation is performed three times or more, the insulation can be more reliably performed. If the irradiation is performed 500 times or less, the portion of the substrate 2 irradiated with the laser light L can be prevented from being removed by dissolution or evaporation.

このように、基礎膜aにレーザ光Lを照射することにより、基体2内の網状部材3の少なくとも一部が除去されてなる絶縁部Iを形成して、絶縁部Iと、基体2内に網状部材3が配置されてなる導電部Cと、を備えた導電パターンとする。すなわち、基礎膜aにパターニングが施され、導電部Cと絶縁部Iとからなる導電パターンを備えた導電膜12が形成されるのである。   In this way, by irradiating the base film a with the laser light L, an insulating portion I is formed by removing at least a part of the mesh member 3 in the base 2, and the insulating portion I and the base 2 are formed in the insulating portion I. The conductive pattern includes a conductive portion C on which the net member 3 is disposed. That is, the base film a is patterned to form the conductive film 12 having a conductive pattern composed of the conductive part C and the insulating part I.

(工程(g))
次いで、図4に示されるように、少なくとも導電膜12上に、加飾層14を設ける。
加飾層14は、例えば、フィルム基材の表面に加飾用の模様、文字、図形、記号等が公知の印刷法によって形成された加飾用フィルムを、真空圧着等の公知の方法によって、導電膜12上にラミネートすることによって設けられる。
(Process (g))
Next, as shown in FIG. 4, a decoration layer 14 is provided on at least the conductive film 12.
The decorative layer 14 is, for example, a decorative film in which a decorative pattern, characters, figures, symbols and the like are formed on the surface of the film base by a known printing method, by a known method such as vacuum pressure bonding, It is provided by laminating on the conductive film 12.

(工程(h))
次いで、図4に示されるように、少なくとも加飾層14上に保護膜16を設ける。保護膜16は、配線接続部(図示略)の配線ライン(図示略)を覆うように配線接続部(図示略)の絶縁基板11上の全体にも設けることが好ましい。
フィルム基材からなる保護膜16は、例えば、導電膜12上に、透明な粘着材を介して透明なフィルム基材をラミネートして設けることができる。
硬化性樹脂の硬化物からなる保護膜16は、例えば、導電膜12上に、液状の硬化性樹脂を塗工し、硬化して形成できる。
SiOからなる保護膜16は、例えば、導電膜12上に、SiOをスパッタリングして形成できる。
(Process (h))
Next, as shown in FIG. 4, a protective film 16 is provided on at least the decorative layer 14. The protective film 16 is preferably provided on the entire insulating substrate 11 of the wiring connection portion (not shown) so as to cover the wiring line (not shown) of the wiring connection portion (not shown).
The protective film 16 made of a film substrate can be provided, for example, by laminating a transparent film substrate on the conductive film 12 via a transparent adhesive material.
The protective film 16 made of a cured curable resin can be formed by, for example, applying a liquid curable resin on the conductive film 12 and curing it.
Protective film 16 made of SiO 2, for example, on the conductive film 12 can be formed by sputtering a SiO 2.

(作用効果)
以上説明したように、本実施形態に係る導電パターン形成基板10の製造方法によれば、まず製造の初期段階で、絶縁基板11上の全体(ドーム部に対応する領域および配線接続部)に基礎膜aを形成している。そして、この絶縁基板11上において、配線接続部(図示略)については、フォトリソプロセスを用いて基礎膜aを広範囲かつ迅速に除去するので、作業性がよい。
(Function and effect)
As described above, according to the method for manufacturing the conductive pattern forming substrate 10 according to the present embodiment, first, the entire surface (the region corresponding to the dome portion and the wiring connection portion) on the insulating substrate 11 is based on the initial stage of manufacture. A film a is formed. On the insulating substrate 11, the wiring connection portion (not shown) has a good workability because the base film a is removed extensively and rapidly using a photolithographic process.

一方、絶縁基板11上において、ドーム部については、レーザ光Lを照射することにより導電パターンを形成して、導電膜12としている。詳しくは、導電膜12の基体2において、導電性を有する網状部材3の配置領域が導電部Cとされ、網状部材3が除去されて形成された空隙5の配置領域が絶縁部Iとされている。すなわち、導電部Cにおいては、金属からなる網状部材3により導通が確保されており、絶縁部Iにおいては、網状部材3が除去されて形成された空隙5により電気的な絶縁状態が確実に得られるようになっている。   On the other hand, on the insulating substrate 11, a conductive pattern is formed on the dome portion by irradiating the laser beam L to form a conductive film 12. Specifically, in the base 2 of the conductive film 12, the arrangement region of the conductive mesh member 3 is the conductive portion C, and the arrangement region of the gap 5 formed by removing the mesh member 3 is the insulating portion I. Yes. That is, in the conductive part C, conduction is ensured by the mesh member 3 made of metal, and in the insulating part I, an electrical insulation state is reliably obtained by the gap 5 formed by removing the mesh member 3. It is supposed to be.

つまり、従来の金属ナノワイヤ等を用いた導電膜では、基体2内に分散されて互いに電気的に連結された金属ナノワイヤ等からなる網状部材3が、導電部Cのみならず絶縁部Iにも残っていた(絶縁部Iに、分断された状態の網状部材3を積極的に残留させて、パターンが視認されにくいようにしていた)ことから、該絶縁部Iにおいて確実に絶縁を行うことは難しかった。
一方、本実施形態の構成によれば、絶縁部Iの網状部材3(金属極細繊維4)が空隙5に置き換わるように除去されていて、絶縁部Iと導電部Cとでは互いに化学的組成が異なっている。これにより、絶縁部Iが確実に絶縁されることから、導電膜12における電気的特性(性能)が安定するとともに、製品(入力装置)としての信頼性が高められている。
That is, in a conductive film using conventional metal nanowires or the like, the net-like member 3 made of metal nanowires or the like dispersed in the substrate 2 and electrically connected to each other remains not only in the conductive part C but also in the insulating part I. Therefore, it is difficult to reliably insulate the insulating portion I because the divided mesh member 3 is actively left in the insulating portion I so that the pattern is difficult to be visually recognized. It was.
On the other hand, according to the configuration of the present embodiment, the mesh member 3 (metal microfiber 4) of the insulating portion I is removed so as to replace the gap 5, and the insulating portion I and the conductive portion C have a chemical composition with each other. Is different. Thereby, since the insulation part I is reliably insulated, the electrical characteristic (performance) in the electrically conductive film 12 is stabilized, and the reliability as a product (input device) is improved.

さらに、絶縁部Iにおいては、網状部材3が除去されて該網状部材3(金属極細繊維4)に相当(対応)する形状の空隙5が形成されている。すなわち、このような空隙5が形成されていることによって、導電部Cと絶縁部Iとは、互いに色調や透明性が近似することになり、肉眼等によっては互いに判別(視認)されなくなっている。よって、絶縁部Iの幅を大きく形成しても導電パターンが視認されるようなことがない。   Further, in the insulating portion I, the mesh member 3 is removed to form a void 5 having a shape corresponding to (corresponding to) the mesh member 3 (metal microfiber 4). That is, since the gap 5 is formed, the conductive portion C and the insulating portion I are similar in color tone and transparency to each other and are not discriminated (viewed) from each other by the naked eye. . Therefore, even if the width of the insulating portion I is increased, the conductive pattern is not visually recognized.

また、網状部材3は、基体2内に分散されて互いに電気的に連結された金属極細繊維4からなるので、この網状部材3は、市販の金属ナノワイヤや金属ナノチューブ等の金属極細繊維4を用いて比較的容易に形成できる。   Further, since the mesh member 3 is composed of metal ultrafine fibers 4 dispersed in the substrate 2 and electrically connected to each other, the mesh member 3 uses commercially available metal nanofibers or metal nanotubes 4 such as metal nanotubes. And can be formed relatively easily.

さらに、本実施形態のように、金属極細繊維4に銀を主成分としたものを用いた場合、該金属極細繊維4を比較的容易に入手して網状部材3として用いることができる。また、絶縁部Iの網状部材3(金属極細繊維4)をレーザ加工により除去する際に、市販の一般的なレーザ加工機で対応可能である。また、銀を主成分とする金属極細繊維4は、光線透過率が高く、かつ、表面抵抗率が低い無色透明の導電パターンを形成できることから、より好ましい。   Further, as in this embodiment, when the metal fine fiber 4 having silver as a main component is used, the metal fine fiber 4 can be obtained relatively easily and used as the mesh member 3. Moreover, when removing the mesh member 3 (metal fine fiber 4) of the insulating part I by laser processing, a commercially available general laser processing machine can be used. Further, the metal microfiber 4 mainly composed of silver is more preferable because it can form a colorless and transparent conductive pattern having a high light transmittance and a low surface resistivity.

具体的に、この導電パターン形成基板10の製造方法によれば、レーザ光Lとして、例えばYAGレーザやYVOレーザ等の一般的なパルス状レーザを用いて、精緻な導電パターンを有するとともに外観に優れた導電パターン形成基板10を容易に製造できる。 Specifically, according to the method for manufacturing the conductive pattern forming substrate 10, a general pulsed laser such as a YAG laser or a YVO 4 laser is used as the laser light L, for example. An excellent conductive pattern forming substrate 10 can be easily manufactured.

また、基礎膜aのレーザ加工においては、集光レンズ42(レーザ光L)の焦点Fを、基礎膜aから離れた位置に設けて、詳しくは、焦点Fを基礎膜aと集光レンズ42との間に設けてレーザ光Lを照射するので、絶縁基板11に当たるレーザ光Lのスポット径は、基礎膜aに当たるレーザ光Lのスポット径より大きくなる。これにより、基礎膜aにおいてはレーザ光Lのエネルギ密度を確保して絶縁部Iを確実に形成しつつ、絶縁基板11においてはレーザ光Lのエネルギ密度を低減させて、該絶縁基板11の損傷を防止できる。   In laser processing of the base film a, the focal point F of the condenser lens 42 (laser light L) is provided at a position away from the base film a. Specifically, the focal point F is set to the base film a and the condenser lens 42. Since the laser beam L is radiated between them, the spot diameter of the laser beam L hitting the insulating substrate 11 becomes larger than the spot diameter of the laser beam L hitting the base film a. Thereby, the energy density of the laser beam L is ensured in the base film a and the insulating portion I is reliably formed, while the energy density of the laser beam L is reduced in the insulating substrate 11 to damage the insulating substrate 11. Can be prevented.

また、レーザ光Lを基礎膜a上に照射した照射スポットが、点状ではなく面状に形成されるため、基礎膜aを加工しつつも絶縁基板11に影響を与えないような照射エネルギ密度の制御が、従来の方法に比較して容易となる。さらに、基礎膜aに対して線幅の太い絶縁パターンを一括して描画することが可能になり、いわゆる塗りつぶし加工が容易になるとともに、前記絶縁パターンの幅を大きく取ることができることから、絶縁部Iの絶縁性が向上する。   Further, since the irradiation spot irradiated with the laser beam L on the base film a is formed in a planar shape instead of a spot shape, an irradiation energy density that does not affect the insulating substrate 11 while processing the base film a. This control becomes easier as compared with the conventional method. Furthermore, since it becomes possible to draw an insulating pattern with a large line width on the base film a in a lump, so-called filling processing becomes easy and the width of the insulating pattern can be increased, so that the insulating portion The insulating property of I is improved.

また、レーザ光Lを、基礎膜a上にスポットの位置を移動させながら断続的に複数回照射するとともに、隣り合うスポットの位置同士を重複させて絶縁部Iを形成するので、高精度で電気的特性に優れ、外観の良い導電パターンを備えた導電膜12および導電パターン形成基板10が得られる。   In addition, the laser beam L is intermittently irradiated a plurality of times while moving the position of the spot on the base film a, and the insulating portion I is formed by overlapping the positions of adjacent spots. The conductive film 12 and the conductive pattern forming substrate 10 provided with a conductive pattern having excellent visual characteristics and good appearance can be obtained.

また、基礎膜aの基体2と絶縁基板11とが、互いに同一材料または同一系統の樹脂材料からなる場合には、下記の効果を奏する。すなわち、基礎膜aの基体2におけるレーザ光Lの吸光度と、絶縁基板11におけるレーザ光Lの吸光度とが互いに略同一となることから、基礎膜aにおけるレーザ光Lのエネルギ密度を十分に確保しつつも、絶縁基板11におけるレーザ光Lのエネルギ密度を低減でき、上述した効果が確実に得られることになる。また、絶縁基板11上に基礎膜a(導電膜12)が強固に接着しやすくなる。   Further, when the base 2 of the base film a and the insulating substrate 11 are made of the same material or the same type of resin material, the following effects are obtained. That is, since the absorbance of the laser light L in the base 2 of the base film a and the absorbance of the laser light L in the insulating substrate 11 are substantially the same, the energy density of the laser light L in the base film a is sufficiently secured. However, the energy density of the laser light L in the insulating substrate 11 can be reduced, and the above-described effects can be obtained with certainty. In addition, the base film a (conductive film 12) is easily firmly bonded onto the insulating substrate 11.

また、網状部材3が、絶縁基板11上に金属極細繊維4を含むインク(液体)を塗布する過程を経て、該絶縁基板11上に金属極細繊維4が分散配置されることによって形成されている。また、このように絶縁基板11上に分散配置された金属極細繊維4同士の間に、液状の基体2(液状部材)を充填した後硬化させることによって、網状部材3は基体2内に保持されるので、下記の効果を奏する。すなわち、絶縁基板11上の基礎膜a内に、網状部材3を容易に設けることができるとともに、該網状部材3を構成する金属極細繊維4同士が電気的に確実に連結されて、導電部Cの電気的特性が安定する。また、網状部材3が基体2により安定して保持されるので、上述の電気的特性が長寿命化する。   Further, the net-like member 3 is formed by disposing and arranging the metal microfibers 4 on the insulating substrate 11 through a process of applying an ink (liquid) containing the metal microfibers 4 on the insulating substrate 11. . Further, the net member 3 is held in the substrate 2 by filling the liquid substrate 2 (liquid member) between the metal microfibers 4 dispersedly arranged on the insulating substrate 11 and then curing the substrate. Therefore, the following effects are produced. That is, the mesh member 3 can be easily provided in the base film a on the insulating substrate 11, and the metal microfibers 4 constituting the mesh member 3 are electrically and reliably connected to each other, so that the conductive portion C The electrical characteristics of are stable. Further, since the mesh member 3 is stably held by the base body 2, the above-described electrical characteristics extend the life.

また、配線ライン(図示略)が、導電性金属材料を印刷または蒸着し形成されているので、該配線ライン(図示略)が導電膜12の導電部Cと外部回路とを低抵抗に確実に接続して、電気的な信頼性が確保されている。また、配線ライン(図示略)が目視で確認できるので、製造時の異常等について容易かつ早期に発見できる。   In addition, since the wiring line (not shown) is formed by printing or vapor-depositing a conductive metal material, the wiring line (not shown) reliably connects the conductive portion C of the conductive film 12 and the external circuit with low resistance. Connected to ensure electrical reliability. Further, since the wiring line (not shown) can be visually confirmed, it is possible to easily and quickly find out an abnormality or the like during manufacturing.

また、少なくとも導電膜12上に、保護膜16が設けられているので、該導電膜12が外気、水分に接触するようなことがなく、この接触によるマイグレーションや劣化を確実に防止できる。本実施形態のように、保護膜16を絶縁基板11上の全域に設けた場合には、導電膜12のみならず配線ライン(図示略)のマイグレーションや劣化をも防止できより好ましい。   Further, since the protective film 16 is provided at least on the conductive film 12, the conductive film 12 does not come into contact with the outside air and moisture, and migration and deterioration due to this contact can be reliably prevented. When the protective film 16 is provided over the entire area on the insulating substrate 11 as in this embodiment, it is more preferable because migration and deterioration of not only the conductive film 12 but also the wiring line (not shown) can be prevented.

そして、絶縁基板11上に基礎膜aを形成した成形用基板18を三次元成形した後に、基礎膜aにレーザ光Lを照射することによって空隙5を形成し、導電膜12としているので、絶縁部Iに対応する位置に正確にレーザ光Lを照射することができる。そのため、導電パターンの位置が所望の位置からずれることがない。   Then, after three-dimensionally forming the forming substrate 18 on which the base film a is formed on the insulating substrate 11, the gap 5 is formed by irradiating the base film a with the laser light L to form the conductive film 12. The position corresponding to the part I can be accurately irradiated with the laser light L. Therefore, the position of the conductive pattern does not deviate from the desired position.

このように、本実施形態の導電パターン形成基板10の製造方によれば、配線接続部の形成に手間がかからず製造が容易であり、ドーム部においては導電パターンが視認されにくく外観に優れた高品位な導電膜12を形成できるとともに、該導電膜12の絶縁部Iの絶縁性が十分に確保され、電気的な信頼性が向上し、しかも導電パターンの位置が所望の位置からずれることがないのである。   Thus, according to the method of manufacturing the conductive pattern forming substrate 10 of the present embodiment, it is easy to manufacture without forming the wiring connection portion, and the conductive pattern is not easily visible in the dome portion, and the appearance is excellent. In addition, a high-quality conductive film 12 can be formed, insulation of the insulating portion I of the conductive film 12 is sufficiently ensured, electrical reliability is improved, and the position of the conductive pattern is shifted from a desired position. There is no.

(他の実施形態)
なお、本発明の導電パターン形成基板の製造方法は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることができる。
(Other embodiments)
In addition, the manufacturing method of the conductive pattern formation board | substrate of this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, A various change can be added in the range which does not deviate from the meaning of this invention.

例えば、加飾層14を設けない場合、三次元成形(工程(e))の前に基礎膜aの表面に透明な保護膜16を設けてもよい。この場合、レーザ加工(工程(f))においては、保護膜16の側から保護膜16越しに、基礎膜aにレーザ光Lを照射してもよく、絶縁基板11が透明な場合は、絶縁基板11の側から絶縁基板11越しに基礎膜aにレーザ光Lを照射してもよい。   For example, when the decorative layer 14 is not provided, a transparent protective film 16 may be provided on the surface of the base film a before the three-dimensional molding (step (e)). In this case, in the laser processing (step (f)), the base film a may be irradiated with the laser beam L from the protective film 16 side through the protective film 16, and if the insulating substrate 11 is transparent, the insulating film 11 is insulated. The base film a may be irradiated with the laser light L from the substrate 11 through the insulating substrate 11.

また、上述の実施形態では、レーザ加工(工程(f))において、レーザ光Lの焦点Fを基礎膜aと集光レンズ42との間に配置することとしたが、これに限定されるものではない。すなわち、レーザ光Lの照射によって、基体2内の網状部材3が除去されることによって空隙5が形成されればよいことから、この条件を満たすものであれば、例えば焦点Fを基礎膜a上に配置しても構わない。   In the above-described embodiment, the focal point F of the laser beam L is arranged between the base film a and the condenser lens 42 in the laser processing (step (f)), but the present invention is not limited to this. is not. That is, it is only necessary to form the gap 5 by removing the mesh member 3 in the substrate 2 by irradiation with the laser beam L. Therefore, if the condition is satisfied, for example, the focal point F is focused on the base film a. You may arrange in.

また、上述の実施形態では、YAGレーザまたはYVOレーザを用いて基礎膜aにレーザ光Lを照射することとしたが、レーザ加工装置の種類は上述のものに限定されない。すなわち、レーザ光Lの照射によって前記空隙5を形成できるものであればよいことから、YAGレーザおよびYVOレーザ以外の周知のレーザ加工装置を用いても構わない。 In the above-described embodiment, the base film a is irradiated with the laser light L using a YAG laser or a YVO 4 laser, but the type of the laser processing apparatus is not limited to the above. That is, any laser processing apparatus other than YAG laser and YVO 4 laser may be used as long as the gap 5 can be formed by irradiation with the laser beam L.

また、上述の実施形態では、XYステージ等の移動式ステージ43に基礎膜aを有する絶縁基板11を載せてパターニングを行うこととしたが、これに限定されるものではない。すなわち、例えば、基礎膜aを有する絶縁基板11を固定状態とし、集光系部材を相対的に移動させる方法、ガルバノミラー等を用いてレーザ光Lを走査しスキャンする方法、または前記したもの同士を組み合わせてパターニングを行うことが可能である。   In the above-described embodiment, the patterning is performed by placing the insulating substrate 11 having the base film a on the movable stage 43 such as an XY stage, but the present invention is not limited to this. That is, for example, a method in which the insulating substrate 11 having the base film a is fixed and the condensing system member is relatively moved, a method in which the laser light L is scanned and scanned using a galvanomirror, or the like It is possible to perform patterning in combination.

その他、本発明の上述の実施形態等で説明した構成要素を、適宜組み合わせても構わない。また、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述の構成要素を周知の構成要素に置き換えることも可能である。   In addition, you may combine suitably the component demonstrated by the above-mentioned embodiment etc. of this invention. In addition, the above-described components can be replaced with well-known components without departing from the spirit of the present invention.

以下、実施例を示す。なお、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。   Examples are shown below. The present invention is not limited to these examples.

〔実施例1〕
厚さ75μmのPETフィルム(東レ社製、ルミラーS10 #75)に、Cambrios社のOhm(商品名)インク(線径50nm程度、長さ15μm程度の銀繊維を含む混合液)を塗布し、乾燥した後、紫外線硬化性のポリエステル樹脂インクを上塗りして、乾燥・紫外線処理を施した。これにより、PETフィルム上に銀繊維からなる導電性の2次元ネットワークを有する基礎膜aを形成し、成形用基板18を得た。
[Example 1]
A 75 μm-thick PET film (Lumirror S10 # 75, manufactured by Toray Industries, Inc.) was coated with Cambrios's Ohm (trade name) ink (mixed solution containing silver fibers having a wire diameter of about 50 nm and a length of about 15 μm) and dried. After that, an ultraviolet curable polyester resin ink was overcoated, followed by drying and ultraviolet treatment. As a result, a base film a having a conductive two-dimensional network made of silver fibers was formed on the PET film, and a molding substrate 18 was obtained.

成形用基板18を、真空成形装置を用いて図4に示すようなドーム状に三次元成形し、三次元形状基板20を得た。
レーザ光照射装置として、ガルバノミラーを備えたYVO基本波のレーザ加工機(キーエンス社製、MD−V9920)を用意した。
三次元形状基板20を厚さ5mmのポリアセタール製ステージの上に載置し、下記照射条件でレーザ光Lを照射して、絶縁パターンを設けた。
焦点から三次元形状基板20までの距離:0mm
出力:30%
移動速度:600mm/秒
発振周波数:100kHz
The forming substrate 18 was three-dimensionally formed into a dome shape as shown in FIG. 4 using a vacuum forming apparatus to obtain a three-dimensional shape substrate 20.
As a laser beam irradiation device, a YVO 4 fundamental wave laser processing machine (manufactured by Keyence Corporation, MD-V9920) equipped with a galvanometer mirror was prepared.
The three-dimensionally shaped substrate 20 was placed on a polyacetal stage having a thickness of 5 mm, and irradiated with laser light L under the following irradiation conditions to provide an insulating pattern.
Distance from the focal point to the three-dimensional shape substrate 20: 0 mm
Output: 30%
Movement speed: 600mm / sec Oscillation frequency: 100kHz

これにより、絶縁部Iが視認不能な導電パターン形成基板を得た。導電パターンは所望の位置に形成されていた。隣接する導電部C同士の電気抵抗は10Ω以上であり、絶縁部Iの絶縁性が十分に確保されていた。   Thereby, the conductive pattern formation board | substrate with which the insulation part I was invisible was obtained. The conductive pattern was formed at a desired position. The electric resistance between the adjacent conductive parts C was 10Ω or more, and the insulation of the insulating part I was sufficiently ensured.

2 基体
3 網状部材
4 金属極細繊維
5 空隙
10 導電パターン形成基板
11 絶縁基板
12 導電膜
18 成形用基板
20 三次元形状基板
a 基礎膜
C 導電部
I 絶縁部
L レーザ光
2 Substrate 3 Net member 4 Metal microfiber 5 Gaps 10 Conductive pattern forming substrate 11 Insulating substrate 12 Conductive film 18 Molding substrate 20 Three-dimensional substrate a Base film C Conducting portion I Insulating portion L Laser beam

Claims (1)

絶縁基板と、
前記絶縁基板の上に設けられ、絶縁性を有する基体内に導電性を有する金属からなる網状部材が配置される導電部および前記基体内の前記網状部材が除去されることにより形成された空隙が配置される絶縁部を有する導電膜と、
を備えた三次元形状を有する導電パターン形成基板を製造する方法であって、
前記絶縁基板の上に、前記基体内に前記網状部材が配置される基礎膜が少なくとも形成された成形用基板を得る工程と、
前記成形用基板を三次元成形し、三次元形状基板とする工程と、
前記三次元形状基板における前記基礎膜にレーザ光を照射することによって前記空隙を形成し、前記導電膜とする工程と、
を有する、導電パターン形成基板の製造方法。
An insulating substrate;
A conductive portion provided on the insulating substrate, in which a mesh member made of a conductive metal is disposed in an insulating base, and a void formed by removing the mesh member in the base. A conductive film having an insulating portion to be disposed;
A method of manufacturing a conductive pattern forming substrate having a three-dimensional shape comprising:
Obtaining a molding substrate in which at least a base film on which the mesh member is disposed in the base is formed on the insulating substrate;
Three-dimensionally molding the molding substrate to form a three-dimensional shape substrate;
Forming the gap by irradiating the base film in the three-dimensional shape substrate with a laser beam to form the conductive film;
The manufacturing method of the conductive pattern formation board | substrate which has this.
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