JP2012161734A - Substance processing method using terahertz wave - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、変動電場又は変動電位を銅、半金属又は半導体又はセラミクスを主成分とした放射体に印加して当該変動電位又は変動電場と二次的に発生したインコヒーレントなテラヘルツ波を物質に直接照射あるいは物質の映像に間接に照射することによって、当該物質を活性化又は変性する方法に関するものである。 The present invention applies a fluctuating electric field or fluctuating potential to a radiator mainly composed of copper, a metalloid, a semiconductor, or ceramics, and uses the fluctuating electric potential or fluctuating electric field and an incoherent terahertz wave generated secondarily as a substance. The present invention relates to a method for activating or denaturing a substance by direct irradiation or indirectly irradiating an image of the substance.
電磁波に分類される遠赤外線やテラヘルツ波が生体に直接的に作用することが知られており、そのためのテラヘルツ波の発振装置も提案されている。（特許文献１等を参照。）
なお、テラヘルツ波は、自然界にも存在しており、波長3μm〜1,000μmの電磁波である。遠赤外線は、テラヘルツ波と波長範囲は同じとなっている。テラヘルツ波には、コヒーレントな波と、インコヒーレントな波があり、電子回路で発生させる波は位相がそろっているのでコヒーレントな波となる。自然界の物質が放射しているテラヘルツ波はインコヒーレントな波である。遠赤外線はインコヒーレントなテラヘルツ波と考えてよいといえる。
It is known that far-infrared rays and terahertz waves classified as electromagnetic waves directly act on the living body, and a terahertz wave oscillation device for that purpose has also been proposed. (See
The terahertz wave is also present in nature and is an electromagnetic wave having a wavelength of 3 μm to 1,000 μm. Far-infrared rays have the same wavelength range as terahertz waves. A terahertz wave includes a coherent wave and an incoherent wave, and waves generated in an electronic circuit are coherent because the phases are aligned. Terahertz waves emitted from natural materials are incoherent waves. Far-infrared radiation can be thought of as an incoherent terahertz wave.
特許文献１では、生体外の物質類などの室内環境ホルモンの改善や、産業の省エネ・省力化や恒常性の屋外環境ホルモン除去などの光活性効果が期待できる遠赤外線光テラヘルツ波の発振装置が提案されている。
しかし、このようにして発生させたテラヘルツ波を用いて、物質を活性化又は変性する技術は従来知られていなかった。
However, a technique for activating or denaturing a substance using the terahertz wave generated in this way has not been known.
請求項１に係るテラヘルツ波を用いた物質処理方法は、
変動電場又は変動電位を銅、金属、半金属、半導体、又はセラミクスを主成分とした放射体に印加して、当該変動電位又は変動電場と放射体に二次的に発生した波長３〜１０００μmに含まれるインコヒーレントなテラヘルツ波を物質に直接照射あるいは物質の映像に間接に照射することによって、当該物質を活性化又は変性する方法である。
A material processing method using terahertz waves according to
Applying a fluctuating electric field or fluctuating potential to a radiator mainly composed of copper, metal, metalloid, semiconductor, or ceramics, to a wavelength of 3 to 1000 μm secondarily generated in the fluctuating potential or fluctuating electric field and the radiator This is a method for activating or denaturing a substance by directly irradiating the contained incoherent terahertz wave to the substance or indirectly irradiating the image of the substance.
請求項２では、
前記物質の映像は、当該物質の写真、デジタルカメラの映像、携帯電話の映像、コンピューターのディスプレイの映像、ビデオカメラの映像、映写機のスクリーン映像、もしくはビデオプロジェクターの映像の何れかであることを特徴とする請求項１に記載の物質処理方法。
In claim 2,
The image of the substance is any one of a photograph of the substance, a digital camera image, a mobile phone image, a computer display image, a video camera image, a projector screen image, or a video projector image. The material treatment method according to
請求項３では、
前記テラヘルツ波を照射方法が、当該放射体の表面上にビデオプロジェクターの映像を映写して照射する方法であることを特徴とする請求項１または２の何れか１項に記載の物質処理方法。
In claim 3,
The material treatment method according to
請求項４では、
前記半金属が、錫、アンチモン、シリコン、ゲルマニウム、もしくは黒鉛のうち少なくとも何れか１つであることを特徴とする請求項１、２、３の何れか１項に記載の物質処理方法。
In claim 4,
The material treatment method according to any one of
請求項５では、
前記半導体が、シリコン半導体又はゲルマニウム半導体の何れかであること特徴とする請求項１、２、３の何れか１項に記載の物質処理方法。
In claim 5,
The material treatment method according to
請求項６では、
前記セラミクスが、ケイ酸又はケイ酸塩又は金属酸化物の少なくとも何れかを主成分としていることを特徴とする請求項１、２、３の何れか１項に記載の物質処理方法。
In claim 6,
The material treatment method according to
請求項７では、
前記変動電場又は変動電位を生成する電源が、交流又は全波整流又は半波整流の直流の何れかであることを特徴とする請求項１乃至６に記載の物質処理方法。
In claim 7,
The material processing method according to
請求項８では、
前記変動電場又は変動電位の変動周波数が２０KHｚ以下の低周波であること特徴とする請求項１乃至７に記載の物質処理方法。
In claim 8,
The material treatment method according to
請求項９では、
前記物質又は物質の映像が、山、谷、池、湖、川、畑、水田、植物、動物、もしくは人間等の自然生物の何れかの物質又は前記自然生物の何れかの物質の映像であることを特徴とする請求項１乃至８に記載の物質処理方法。
In claim 9,
The substance or an image of the substance is an image of any substance of a natural organism such as a mountain, a valley, a pond, a lake, a river, a field, a paddy field, a plant, an animal, or a human, or any substance of the natural organism. The material processing method according to
請求項１０では、
前記物質又は物資の映像が、陶磁器、繊維、紙、ゴム、樹脂、セメント、木材、ガラスの材料の何れかの物質又は前記物質の映像、又はそれらの一つ以上の物質を材料として構築された建築物、道路、もしくは橋の何れかの構築物又は前記構築物の映像であることを特徴とする請求項１乃至８に記載の物質処理方法。
In claim 10,
The image of the substance or material is constructed from any material of ceramic, fiber, paper, rubber, resin, cement, wood, glass, the image of the substance, or one or more of those substances The material processing method according to
請求項１１では、
前記物質又は物質の映像が、コンピューター、携帯電話、バッテリー、変圧器、電子部品、電気材料、家電製品、暖房機、エアコン、通信機器、医療機器等の電磁気エネルギーを利用した材料又は製品、又は前記材料又は製品の何れかの映像であることを特徴とする請求項１乃至８に記載の物質処理方法。
In claim 11,
The substance or the image of the substance is a material or product using electromagnetic energy such as a computer, a mobile phone, a battery, a transformer, an electronic component, an electric material, a home appliance, a heater, an air conditioner, a communication device, a medical device, or the like The substance processing method according to
請求項１２では、
前記物質又は物質の映像が、食品又は前記食品の映像であること特徴とする請求項１乃至８に記載の物質処理方法。
In claim 12,
9. The substance processing method according to
請求項１３では、
前記物質又は物質の映像が、貴金属、身体装飾品、化粧品、医薬品、もしくは医薬部外品の何れかの物質又は前記何れかの物質の映像であることを特徴とする請求項１乃至８に記載の物質処理方法。
In claim 13,
9. The substance according to
本発明に係る物質処理方法によれば、
変動電場又は変動電位を銅、金属、半金属、半導体、又はセラミクスを主成分とした放射体に印加して、当該変動電位又は変動電場と放射体に二次的に発生した波長３〜１０００μmに含まれるインコヒーレントなテラヘルツ波を物質に直接照射あるいは物質の映像に間接に照射することによって、当該物質を活性化又は変性するので、種々の物質を活性化又は変性することができる。
また、前記物質の映像としては、当該物質の写真、デジタルカメラの映像、携帯電話の映像、コンピューターのディスプレイの映像、ビデオカメラの映像、映写機のスクリーン映像、もしくはビデオプロジェクターの映像の何れかを利用することができるので、遠隔地に存在する物質に対しても活性化又は変性の作用を及ぼして、種々の効果を得ることができる。
According to the material treatment method of the present invention,
Applying a fluctuating electric field or fluctuating potential to a radiator mainly composed of copper, metal, metalloid, semiconductor, or ceramics, to a wavelength of 3 to 1000 μm secondarily generated in the fluctuating potential or fluctuating electric field and the radiator By irradiating the contained incoherent terahertz wave directly or indirectly on the image of the substance, the substance is activated or denatured, so that various substances can be activated or denatured.
In addition, as the image of the substance, any of a photograph of the substance, a digital camera image, a mobile phone image, a computer display image, a video camera image, a projector screen image, or a video projector image is used. Therefore, various effects can be obtained by exerting an activation or denaturing action on a substance existing in a remote place.
本発明に係る物質処理方法の実施形態を説明するにあたって、まず、本技術の特徴を説明する。
まず、基本的事項として、
（１）物質は液体、気体、固体であっても活性できる。
（２）すべての物質は熱振動によるインコヒーレントなテラヘルツ波を放射している。すべての物質は熱を加えると熱振動によって遠赤外線領域のテラヘルツ波の放射量が増加するが放射率はほとんど変化しないので温度が下がると放射量も低下する。物質変性とは、物質に熱の代わりにテラヘルツ波を照射することによって、共振現象によって物質の分子や原子の配列が修正され、放射率が高くなり、温度の上昇無く、テラヘルツ波の放射量が増加することである。放射率が向上するため外部からのテラヘルツ波の照射を中止してもテラヘルツ波の放射量はほとんど下がらないことが確認されている。
In describing an embodiment of a material processing method according to the present invention, first, the features of the present technology will be described.
First, as a basic matter,
(1) The substance can be active even if it is liquid, gas, or solid.
(2) All materials emit incoherent terahertz waves due to thermal vibration. When all materials are heated, the radiation of terahertz waves in the far-infrared region increases due to thermal vibration, but the emissivity hardly changes, so the radiation decreases as the temperature decreases. Substance modification means that a substance is irradiated with terahertz waves instead of heat, and the arrangement of molecules and atoms of the substance is corrected by the resonance phenomenon, emissivity is increased, the temperature does not rise, and the radiation amount of terahertz waves is increased. It is to increase. Since the emissivity is improved, it has been confirmed that the radiation amount of the terahertz wave hardly decreases even when the external terahertz wave irradiation is stopped.
（３）上記の結果、本発明に係る物質処理方法を用いることによって、物質が変性して、以下の現象が起こるので、以下の現象を産業上利用できるのである。
・一般的に無機や有機物の固体や液体のテラヘルツ波の平均放射率や放射率が向上し、物質の基本物性が強くなる。
・食品の鮮度保持や食味が向上する。
・貴金属や身体装飾品のテラヘルツ波放射率や放射量が向上するため肩こり解消や痛み軽減等の身体に好影響をあたえる。
・化粧品、医薬品や医薬部外品の効果が向上する。
・繊維や内装材、建材の保温、温熱効果、快適性が向上する。
・人体の疲れ、こりや痛み、冷え性を軽減する。
・動物や植物を元気にする。
・畑や水田の土壌を改善し、地力が向上し、植物の病気が軽減し、収量や品質が向上する。
・池、川の水質の浄化力が向上し、環境改善する。
・自動車、船等の燃費を改善し、排ガスをクリーンにする。
・音響機器の音質を良くする。
・家電製品の省エネ効果が高まる。
・直接物質に照射しなくても、映像に照射又は放射体に映像を映写しても、直接照射した場合と同じ効果が実験で確認されている。
・変動電場や変動電位は、交流でも直流の全波整流又は半波整流でも電圧や電位が変動していれば効果がある。この場合電圧の極性はプラスでもマイナスでも良い。
・変動電圧の波形は、正弦波、三角波、矩形波、パルス波でもその他波形に関係なく効果が発生する。
・変動電位は、半金属を主成分とした導電性がある場合は、交流の変動電圧の発生端子又は直流のプラス端子を直接に放射体に接続して印加してもよい。
・導電性が低い場合や、半導体やセラミクスのように導電性が極めて低い場合は、変動電位の電極を接続した導電体に、放射体を接触又は近傍に設置することによって変動電場を印加することによって、目的を効率的に達成することができる。
・電磁気エネルギーを利用する機器類は、省エネや利用効率、耐久性を向上させる。
(3) As a result of the above, by using the material treatment method according to the present invention, the following phenomenon occurs because the substance is denatured, so that the following phenomenon can be utilized industrially.
・ In general, the average emissivity and emissivity of solid and liquid terahertz waves of inorganic and organic substances are improved, and the basic physical properties of the substance are strengthened.
・ Food freshness preservation and taste improve.
・ Terahertz wave emissivity and radiation amount of precious metals and body decorations are improved, so it has a positive effect on the body such as stiff shoulders and pain relief.
・ Effects of cosmetics, pharmaceuticals and quasi drugs are improved.
・ Improves thermal insulation, thermal effect, and comfort of textiles, interior materials, and building materials.
・ Reducing fatigue, stiffness, pain and coldness of the human body.
・ Energize animals and plants.
・ Improve the soil of fields and paddy fields, improve geopower, reduce plant diseases, and improve yield and quality.
・ Improve the environment by improving the water purification power of ponds and rivers.
・ Improve the fuel efficiency of automobiles, ships, etc., and clean the exhaust gas.
・ Improve sound quality of audio equipment.
・ Energy saving effect of home appliances will increase.
・ Even if the material is not directly irradiated, whether it is irradiated on the image or projected on the radiator, the same effect as in the case of direct irradiation has been confirmed in the experiment.
-Fluctuating electric fields and potentials are effective if the voltage and potential fluctuate in both AC and DC full-wave rectification or half-wave rectification. In this case, the polarity of the voltage may be positive or negative.
・ Even if the waveform of the fluctuation voltage is a sine wave, triangular wave, rectangular wave, or pulse wave, the effect is generated regardless of other waveforms.
In the case where there is conductivity mainly composed of a semi-metal, the fluctuation potential may be applied by directly connecting a terminal for generating an AC fluctuation voltage or a DC positive terminal to the radiator.
・ When the conductivity is low, or when the conductivity is extremely low, such as semiconductors and ceramics, a variable electric field is applied by placing a radiator in contact with or in the vicinity of a conductor connected to a variable potential electrode. The objective can be achieved efficiently.
・ Equipment that uses electromagnetic energy improves energy saving, utilization efficiency, and durability.
本技術は、上記現象を起こすために、変動電場又は変動電位を銅、半金属又は半導体又はセラミクスを主成分とした放射体に印加して当該変動電位又は変動電場と二次的に発生した波長３〜１０００μmに含まれるインコヒーレントなテラヘルツ波を物質に直接照射あるいは物質の映像に間接に照射することによって、当該物質を活性化又は変性するのである。 In order to cause the above phenomenon, the present technology applies a fluctuating electric field or fluctuating potential to a radiator mainly composed of copper, a metalloid, a semiconductor, or ceramics, and a wavelength generated secondarily with the fluctuating electric potential or fluctuating electric field. The substance is activated or denatured by directly irradiating the substance with an incoherent terahertz wave included in 3 to 1000 μm or indirectly irradiating an image of the substance.
以下に、本発明に係る物質処理方法を、図面を参照して説明する。
前記物質処理方法に用いる物質処理装置の概要を示した図１において、
１は前記物質処理装置であり、
処理対象の物質の映像を表示する表示手段２と、
銅、金属、半金属、半導体、又はセラミクスの少なくとも何れか１つを主成分として構成した放射体３と、
前記放射体３から波長３〜１０００μmに含まれるインコヒーレントなテラヘルツ波を発生させる発生手段４を備えている。
Below, the substance processing method concerning this invention is demonstrated with reference to drawings.
In FIG. 1 which showed the outline | summary of the substance processing apparatus used for the said substance processing method,
1 is the substance processing apparatus,
Display means 2 for displaying an image of a substance to be treated;
A radiator 3 composed mainly of at least one of copper, metal, metalloid, semiconductor, or ceramics;
A generator 4 for generating an incoherent terahertz wave included in the wavelength of 3 to 1000 μm from the radiator 3 is provided.
前記表示手段２は、パソコン又は動画や静止画などの映像を再生する再生装置に接続された例えば液晶ディスプレイ装置である。
前記表示手段２に表示する映像としては、山、谷、池、湖、川、畑、水田、植物、動物、もしくは人間等の自然生物の何れかの映像を表示する。
もしくは、陶磁器、繊維、紙、ゴム、樹脂、セメント、木材、ガラスの材料の何れかの映像を表示する。又は、それらの一つ以上の物質を材料として構築された建築物、道路、もしくは橋の何れかの構築物の映像を表示する。
または、前記映像は、コンピューター、携帯電話、バッテリー、変圧器、電子部品、電気材料、家電製品、暖房機、エアコン、通信機器、医療機器等の電磁気エネルギーを利用した材料又は製品の何れかの映像である。
または、前記映像は、食品の映像である。
または、前記映像は、貴金属、身体装飾品、化粧品、医薬品、もしくは医薬部外品の何れかの物質の映像である。
The display means 2 is, for example, a liquid crystal display device connected to a personal computer or a playback device that plays back video such as moving images and still images.
As an image to be displayed on the display means 2, an image of a natural organism such as a mountain, a valley, a pond, a lake, a river, a field, a paddy field, a plant, an animal, or a human is displayed.
Alternatively, an image of any one of ceramic, fiber, paper, rubber, resin, cement, wood, and glass is displayed. Alternatively, an image of a building, a road, or a bridge constructed using one or more of these substances as a material is displayed.
Alternatively, the video is a video of any material or product using electromagnetic energy, such as a computer, a mobile phone, a battery, a transformer, an electronic component, an electrical material, a home appliance, a heater, an air conditioner, a communication device, or a medical device. It is.
Alternatively, the image is a food image.
Alternatively, the image is an image of a substance of any of precious metals, body ornaments, cosmetics, medicines, or quasi drugs.
前記発生手段４は、変動電場又は変動電位を生成する生成手段４１を備え、
前記生成手段４１にて生成した変動電場又は変動電位を前記放射体３に印加して前記テラヘルツ波を発生させて、前記表示手段２に表示された映像に、前記変動電場又は変動電位と、前記テラヘルツ波を照射するように構成されている。
The generating means 4 includes a generating means 41 for generating a fluctuating electric field or a fluctuating potential,
The fluctuating electric field or fluctuating potential generated by the generating means 41 is applied to the radiator 3 to generate the terahertz wave, and the fluctuating electric field or fluctuating potential is displayed on the image displayed on the display means 2, and It is configured to irradiate terahertz waves.
前記生成手段４１は、電源として、
交流又は全波整流又は半波整流の直流の何れかの電源を備えている。
また、前記生成手段４１は、変動周波数が２０KHｚ以下の低周波に基づいて、変動電場又は変動電位を生成するように構成されている。
The generating means 41 is a power source.
A power supply of either AC, full wave rectification or half wave rectification is provided.
The generating means 41 is configured to generate a fluctuating electric field or a fluctuating potential based on a low frequency having a fluctuating frequency of 20 kHz or less.
前記生成手段４１は、商用電源を利用して、トランス式もしくはスイッチング式の昇圧回路を用いて200Ｖ〜2000Ｖ程度の電圧を得ている。また、整流回路も備えている。このような構成によって、200Ｖ〜2000Ｖの交流もしくは直流を出力するように構成されている。なお、インバータ方式で周波数と電圧を変更してもよい。 The generating means 41 obtains a voltage of about 200V to 2000V using a transformer type or switching type booster circuit using a commercial power source. A rectifier circuit is also provided. With such a configuration, 200V to 2000V alternating current or direct current is output. In addition, you may change a frequency and a voltage with an inverter system.
前記放射体３は、銅、金属、半金属、半導体、又はセラミクスの少なくとも何れか１つを主成分として構成されており、例えば、アルミニウム等の導電体を備え、当該導電体に前記生成手段４１にて生成した変動周波数が２０KHｚ以下の低周波電力を加えることによって、前記放射体に変動電場又は変動電位を印加するように構成されている。
The radiator 3 is composed mainly of at least one of copper, metal, metalloid, semiconductor, or ceramics. For example, the radiator 3 includes a conductor such as aluminum, and the generation unit 41 includes the conductor. By applying a low-frequency power having a fluctuation frequency of 20 KHz or less generated in
なお、前記半金属としては、錫、アンチモン、シリコン、ゲルマニウム、もしくは黒鉛のうち少なくとも何れか１つとすることができる。
もしくは、前記半導体としては、シリコン半導体又はゲルマニウム半導体の何れかとすることができる。
また、前記セラミクスとしては、ケイ酸又はケイ酸塩又は金属酸化物の少なくとも何れかを主成分とすることができる。
The metalloid can be at least one of tin, antimony, silicon, germanium, or graphite.
Alternatively, the semiconductor can be either a silicon semiconductor or a germanium semiconductor.
Moreover, as said ceramics, at least any one of a silicic acid, a silicate, or a metal oxide can be made into a main component.
本発明に係る物質処理方法においては、上記構成の物質処理装置を用いて、
変動電位又は変動電場と二次的に発生した波長３〜１０００μmに含まれるインコヒーレントなテラヘルツ波を物質に直接照射あるいは物質の映像に間接に照射することによって、当該物質を活性化又は変性する。
In the material processing method according to the present invention, using the material processing apparatus configured as described above,
The substance is activated or denatured by directly irradiating the substance with an incoherent terahertz wave included in a wavelength of 3 to 1000 μm which is generated with a variable electric potential or electric field, or indirectly on an image of the substance.
なお、変動電位又は変動電場と二次的に発生した波長３〜１０００μmに含まれるインコヒーレントなテラヘルツ波は、物質に直接照射してもよいが、物質の映像に間接的に照射してもよい。
物質に直接照射する場合には、前記放射体の放射方向に前記物質を配置すればよい。
Note that the incoherent terahertz wave included in the wavelength of 3 to 1000 μm that is secondarily generated from the varying potential or the varying electric field may be directly irradiated to the substance, but may be indirectly irradiated to the image of the substance. .
When the material is directly irradiated, the material may be disposed in the radiation direction of the radiator.
物質の映像に間接的に照射する実施例１の場合には、図１に示したように、放射体３の放射方向に表示手段２を配置して、その表示手段２の表示画面に、処理対象の物質の映像を表示させればよい。
In the case of the first embodiment in which the image of the substance is indirectly irradiated, as shown in FIG. 1, the display means 2 is arranged in the radiation direction of the radiator 3, and the display screen of the display means 2 is processed on the display screen. An image of the target substance may be displayed.
または、図２に示した実施例２の場合のように、放射体３の表面に、プロジェクター等の映像投影手段５を用いて処理対象の物質の映像を投影させてもよい。この場合には、投影された映像に、放射体に印加される変動電位又は変動電場が印加されるとともに、放射体から放射されるテラヘルツ波が照射される。 Or you may project the image | video of the substance of a process target on the surface of the radiator 3 using the image projection means 5, such as a projector, like the case of Example 2 shown in FIG. In this case, the projected image is applied with a varying potential or a varying electric field applied to the radiator, and a terahertz wave emitted from the radiator is irradiated.
前記表示手段２に表示させる映像は、あらかじめ、例えばデジタルカメラ等の撮像手段を用いて前記物質もしくは生体の一部もしくは全体を撮像しておく。
または、ビデオカメラ等で撮像している動画や静止画等の映像をリアルタイムで表示させてもよい。
For the video to be displayed on the display means 2, a part or the whole of the substance or the living body is imaged in advance using an imaging means such as a digital camera.
Alternatively, a moving image or a still image captured by a video camera or the like may be displayed in real time.
なお、前記表示手段２は、デジタル画像等を表示する、例えば液晶ディスプレイ装置の画面でもよいが、用紙にデジタルプリントした写真プリントでもよい。 The display unit 2 may display a digital image or the like, for example, a screen of a liquid crystal display device, or may be a photographic print digitally printed on paper.
なお、前記照射手段に印加する電圧は、2000Ｖに限らず、100Ｖ程度のより低い電圧でも、取り扱いが安全であれば、5000Ｖ程度の高い電圧でもよい。
また、前記照射手段に印加する電圧は、直流でもよいが交流でもよい。直流の場合には半波整流に限らず両波整流、全波整流、ブリッジ整流などの整流方式でもよい。また、昇圧トランスに代えてスイッチング電源等を用いた他の昇圧方式でもよい。交流の場合は、３００Hz以下の低周波を採用することができる。
The voltage applied to the irradiation means is not limited to 2000V, and may be a lower voltage of about 100V or a high voltage of about 5000V if the handling is safe.
The voltage applied to the irradiating means may be direct current or alternating current. In the case of direct current, not only half-wave rectification but also rectification methods such as double-wave rectification, full-wave rectification, and bridge rectification may be used. Further, another boosting method using a switching power supply or the like may be used instead of the boosting transformer. In the case of alternating current, a low frequency of 300 Hz or less can be employed.
１ 物質処理装置
２ 表示手段
３ 放射体
４ 発生手段
５ 映像投影手段
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