JP2012160660A - 半導体ウエーハブレーキング装置及び方法 - Google Patents
半導体ウエーハブレーキング装置及び方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】裏面に金属膜が形成されるとともに、予め形成された分断予定ラインに沿って個々のチップにダイシング加工された半導体ウエーハを、前記金属膜を介して粘着シートに貼着してリング状のフレームにマウントしたワークを固定するフレーム固定手段と、その長手方向の中央部が両端部よりも高く形成されたスキージと、前記スキージを、該スキージの中心を前記半導体ウエーハの中心と略一致させるようにして前記粘着シートに押し当てて、前記スキージをその中心の回りに回転させる昇降回転機構とを備えたことを特徴とする半導体ウエーハブレーキング装置を提供する。
【選択図】図4
Description
Claims (11)
- 裏面に金属膜が形成されるとともに、予め形成された分断予定ラインに沿って個々のチップにダイシング加工された半導体ウエーハを、前記金属膜を介して粘着シートに貼着してリング状のフレームにマウントしたワークを固定するフレーム固定手段と、
前記半導体ウエーハを前記分断予定ラインにより個々の半導体チップに分割する、その長手方向の中央部が両端部よりも高く形成されたスキージと、
前記スキージを、該スキージの中心を前記半導体ウエーハの中心と略一致させるようにして前記粘着シートに押し当てて、前記スキージをその中心の回りに回転させる昇降回転機構と、
を備えたことを特徴とする半導体ウエーハブレーキング装置。 - 前記スキージの前記粘着シートに接触する上側の表面は、長手方向の中央部が最も高くなるような丸みをもって形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウエーハブレーキング装置。
- 前記スキージの前記粘着シートに接触する上側の表面は、長手方向の中央部が最も高く、両端に向かって直線的に低くなるようにへの字状に形成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体ウエーハブレーキング装置。
- 前記スキージの長手方向の長さは、少なくとも前記半導体ウエーハの径と略同じであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体ウエーハブレーキング装置。
- 前記スキージの前記粘着シートに接触する表面は、その前記長手方向に垂直な断面が丸みを有していることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体ウエーハブレーキング装置。
- 前記スキージの前記粘着シートに接触する表面は、前記スキージを回転する際にスティックスリップが発生しないようにコーティングされていることを特徴とする請求項5に記載の半導体ウエーハブレーキング装置。
- 裏面に金属膜が形成されるとともに、予め形成された分断予定ラインに沿って個々のチップにダイシング加工された半導体ウエーハを、前記金属膜を介して粘着シートに貼着してリング状のフレームにマウントしたワークを固定するフレーム固定工程と、
その長手方向の中央部が両端部よりも高く形成されたスキージを、該スキージの中心を前記半導体ウエーハの中心と略一致させるようにして前記粘着シートに押し当てて、前記スキージをその中心の回りに回転させることにより、前記半導体ウエーハを前記分断予定ラインにより個々の半導体チップに分割するブレーキング工程と、
を備えたことを特徴とする半導体ウエーハブレーキング方法。 - 前記スキージの前記粘着シートに接触する上側の表面は、長手方向の中央部が最も高くなるような丸みをもって形成されていることを特徴とする請求項7に記載の半導体ウエーハブレーキング方法。
- 前記スキージの前記粘着シートに接触する上側の表面は、長手方向の中央部が最も高く、両端に向かって直線的に低くなるように、への字状に形成されたことを特徴とする請求項7に記載の半導体ウエーハブレーキング方法。
- 前記スキージの長手方向の長さは、少なくとも前記半導体ウエーハの径と略同じであることを特徴とする請求項7〜9のいずれかに記載の半導体ウエーハブレーキング方法。
- 前記スキージの前記粘着シートに接触する表面は、その前記長手方向に垂直な断面が丸みを有していることを特徴とする請求項7〜10のいずれかに記載の半導体ウエーハブレーキング方法。
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