JP2012151174A - 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ゲート電圧を印加するためのゲート電極と、電流を取り出すためのソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に形成されたp型酸化物半導体からなる活性層と、前記ゲート電極と前記活性層との間に形成されたゲート絶縁層とを有し、前記p型酸化物半導体が、一般式ABO3(Aは、Sr及びBaの少なくともいずれかを含む。Bは少なくともBiを含む。)で表され、かつ擬ペロブスカイト構造である電界効果型トランジスタである。
【選択図】図1
Description
例えば、a−SiTFTは大画面のLCD(Liquid Crystal Display)を高速駆動するには移動度が不足しており、また連続駆動時の閾値電圧シフトが大きいという欠点を抱えている。LTPS−TFTは、移動度は大きいが、エキシマレーザーアニーリングによって活性層を結晶化するプロセスのために閾値電圧のバラツキが大きく、量産ラインのマザーガラスサイズを大きくできないという問題がある。
例えば、室温成膜が可能でアモルファス状態でa−Si以上の移動度を示すInGaZnO4(a−IGZO)が提案されている(非特許文献1参照)。これをきっかけとして、移動度の高いアモルファス酸化物半導体が精力的に研究されている。
<1> ゲート電圧を印加するためのゲート電極と、
電流を取り出すためのソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に形成されたp型酸化物半導体からなる活性層と、
前記ゲート電極と前記活性層との間に形成されたゲート絶縁層とを有し、
前記p型酸化物半導体が、一般式ABO3(Aは、Sr及びBaの少なくともいずれかを含む。Bは少なくともBiを含む。)で表され、かつ擬ペロブスカイト構造であることを特徴とする電界効果型トランジスタである。
<2> Bが、更にSb、Nb、及びTaの少なくともいずれかを含む前記<1>に記載の電界効果型トランジスタである。
<3> Aサイトへp型ドーピングがされており、該p型ドーピングが、K、Rb、及びCsから選択される少なくともいずれかの導入による前記<1>から<2>のいずれかに記載の電界効果型トランジスタである。
<4> Bサイトへp型ドーピングがされており、該p型ドーピングが、Sn、Pb、Ti、Zr、Hf、及びCeから選択される少なくともいずれかの導入による前記<1>から<3>のいずれかに記載の電界効果型トランジスタである。
<5> 駆動信号に応じて光出力が制御される光制御素子と、
前記<1>から<4>のいずれかに記載の電界効果型トランジスタを有し、かつ前記光制御素子を駆動する駆動回路と、を有することを特徴とする表示素子である。
<6> 光制御素子が、有機エレクトロルミネッセンス素子、及びエレクトロクロミック素子のいずれかを有する前記<5>記載の表示素子である。
<7> 光制御素子が、液晶素子、電気泳動素子、及びエレクトロウェッティング素子のいずれかを有する前記<5>に記載の表示素子である。
<8> 画像データに応じた画像を表示する画像表示装置であって、
マトリックス状に配置された複数の前記<5>から<7>のいずれかに記載の表示素子と、
前記複数の表示素子における各電界効果型トランジスタにゲート電圧を個別に印加するための複数の配線と、
前記画像データに応じて、前記各電界効果型トランジスタのゲート電圧を前記複数の配線を介して個別に制御する表示制御装置とを有することを特徴とする画像表示装置である。
<9> 前記<8>に記載の画像表示装置と、
表示する画像情報に基づいて画像データを作成し、該画像データを前記画像表示装置に出力する画像データ作成装置とを有することを特徴とするシステムである。
本発明の電界効果型トランジスタは、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、活性層と、ゲート絶縁層とを少なくとも有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
前記ゲート電極としては、ゲート電圧を印加するための電極であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記ゲート電極の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Mo、Al、Ag、Cu等の金属乃至合金、ITO、ATO等の透明導電性酸化物、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)、ポリアニリン(PANI)等の有機導電体、などが挙げられる。
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極としては、電流を取り出すための電極であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記ゲート電極の説明において記載した材質と同じ材質が挙げられる。
前記活性層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に形成されたp型酸化物半導体からなる層である。
前記p型酸化物半導体は、一般式ABO3(Aは、Sr及びBaの少なくともいずれかを含む。Bは少なくともBiを含む。)で表され、かつ擬ペロブスカイト構造である。
Baに対するKの置換量が10%未満の場合、結晶構造は単斜晶に歪み、大小2種類のBiO6八面体が交互に連なる構造になる。この時、大きいBiO6八面体のBiはBi3+、小さいBiO6八面体のBiはBi5+であり、価電子帯頂上はBi3+の占有6sバンド、伝導帯底部はBi5+の非占有6sバンドから構成される。このような構造によって、初めて高移動度のカチオンs2価電子バンド(Bi3+の6s2バンド)が実現できる。
したがって、前記Bにおける前記Sb、Nb、及びTaの量としては、目的に応じて適宜選択することができるが、前記Bサイト元素の全量に対して、0モル%〜50モル%が好ましく、25モル%〜50モル%がより好ましい。前記Sb、Nb、及びTaの量が、25モル%未満であると、酸素欠損がp型のキャリアを補償してしまうことがあり、50モル%を超えると、前記Sb、Nb、及びTaが、大きいBO6八面体のBサイトを置換してしまうことがある。前記Sb、Nb、及びTaの量が、前記より好ましい範囲内であると、キャリア生成、及び価電子帯頂上の状態密度の点で有利である。
また、前記置換によって、伝導帯底部はSb5+の5sバンド、Nb5+の4dバンド、又はTa5+の5dバンドになるため、伝導帯のエネルギーが上昇し、バンドギャップが広がる効果がある。
前記p型ドーピングにおけるドーピング量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記Aサイト元素の全量に対して、0.1モル%〜10モル%が好ましく、0.2モル%〜5モル%がより好ましい。前記ドーピング量が、0.1モル%未満であると、キャリア生成が不十分なことがあり、10モル%を超えると、結晶構造の対称性が上がり、Bサイトが一種類になることがある。前記ドーピング量が、前記より好ましい範囲内であると、十分な正孔キャリアを生成し、それをBi3+の価電子バンドに供給する点で有利である。
前記p型ドーピングにおけるドーピング量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記Bサイト元素の全量に対して、0.1モル%〜10モル%が好ましく、0.2モル%〜5モル%がより好ましい。前記ドーピング量が、0.1モル%未満であると、キャリア生成が不十分なことがあり、10モル%を超えると、結晶構造の対称性が上がり、Bサイトが一種類になることがある。前記ドーピング量が、前記より好ましい範囲内であると、十分な正孔キャリアを生成し、それをBi3+の価電子バンドに供給する点で有利である。
また、前記インクは、使用する印刷方法に適したインク物性(粘弾性や誘電率等)を有するように調整することができる溶媒を含有していてもよい。そのような溶媒としては、例えば、エチレングリコール、ジメチルホルムアミドなどが挙げられる。
前記ゲート絶縁層としては、前記ゲート電極と前記活性層との間に形成された絶縁層であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記ゲート絶縁層の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、SiO2、SiNx等の既に広く量産に利用されている材料や、La2O3、HfO2等の高誘電率材料、ポリイミド(PI)やフッ素系樹脂等の有機材料などが挙げられる。
なお、図1〜図4中、21は基材、22は活性層、23はソース電極、24はドレイン電極、25はゲート絶縁層、26はゲート電極を表す。
前記電界効果型トランジスタの製造方法の一例を説明する。
前記基材の形状、構造、及び大きさとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記基材の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ガラス基材、プラスチック基材、などが挙げられる。
前記ガラス基材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、無アルカリガラス、シリカガラス、などが挙げられる。
前記プラスチック基材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリカーボネート(PC)、ポリイミド(PI)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、などが挙げられる。
なお、前記基材は、表面の清浄化及び密着性向上の点で、酸素プラズマ、UVオゾン、UV照射洗浄等の前処理が行われることが好ましい。
続いて、チャネル領域であって前記ゲート絶縁層上に、p型酸化物半導体からなる活性層を形成する。
続いて、前記ゲート絶縁層上に、前記活性層を跨ぐようにソース電極及びドレイン電極を離間して形成する。
以上により、電界効果型トランジスタが製造される。この製造方法では、例えば、図1に示すようなトップコンタクト・ボトムゲート型の電界効果型トランジスタが製造される。
本発明の表示素子は、少なくとも、光制御素子と、前記光制御素子を駆動する駆動回路とを有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
前記光制御素子としては、駆動信号に応じて光出力を制御する素子である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子、エレクトロクロミック(EC)素子、液晶素子、電気泳動素子、エレクトロウェッティング素子などが挙げられる。
前記駆動回路としては、本発明の前記電界効果型トランジスタを有する限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記その他の部材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
本発明の画像表示装置は、少なくとも、表示素子と、配線と、表示制御装置とを有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
前記表示素子としては、マトリックス状に配置された本発明の前記表示素子である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記配線は、前記表示素子における各電界効果型トランジスタにゲート電圧と画像データ信号とを個別に印加可能である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記表示制御装置としては、画像データに応じて、各電界効果型トランジスタのゲート電圧と信号電圧とを複数の前記配線を介して個別に制御可能である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記その他の部材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
本発明のシステムは、少なくとも、本発明の前記画像表示装置と、画像データ作成装置とを有する。
前記画像データ作成装置は、表示する画像情報に基づいて画像データを作成し、該画像データを前記画像表示装置に出力する。
まず、本発明のシステムとしてのテレビジョン装置を、図5を用いて説明する。
映像デコーダ121と、映像・OSD合成回路122と、映像出力回路123と、OSD描画回路125とが、画像データ作成装置を構成する。
前記フラッシュROMには、前記CPUにて解読可能なコードで記述されたプログラム、及び前記CPUでの処理に用いられる各種データなどが格納されている。
また、RAMは、作業用のメモリである。
図6において、画像表示装置124は、表示器300と、表示制御装置400とを有する。
表示器300は、図7に示されるように、複数(ここでは、n×m個)の表示素子302がマトリックス状に配置されたディスプレイ310を有する。
また、ディスプレイ310は、図8に示されるように、X軸方向に沿って等間隔に配置されているn本の走査線(X0、X1、X2、X3、・・・、Xn−2、Xn−1)と、Y軸方向に沿って等間隔に配置されているm本のデータ線(Y0、Y1、Y2、Y3、・・・、Ym−1)、Y軸方向に沿って等間隔に配置されているm本の電流供給線(Y0i、Y1i、Y2i、Y3i、・・・・・、Ym−1i)とを有する。
よって、走査線とデータ線とによって、表示素子を特定することができる。
図9は、本発明の表示素子の一例を示す概略構成図である。
前記表示素子は、一例として図9に示されるように、有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子350と、該有機EL素子350を発光させるためのドライブ回路320とを有している。即ち、ディスプレイ310は、いわゆるアクティブマトリックス方式の有機ELディスプレイである。また、ディスプレイ310は、カラー対応の32インチ型のディスプレイである。なお、大きさは、これに限定されるものではない。
図12において、有機EL素子350は、陰極312と、陽極314と、有機EL薄膜層340とを有する。
ドライブ回路320は、2つの電界効果型トランジスタ10及び20と、キャパシタ30を有する。
図13において、画像表示装置は、表示素子302と、配線(走査線、データ線、電流供給線)と、表示制御装置400とを有する。
表示制御装置400は、画像データ処理回路402と、走査線駆動回路404と、データ線駆動回路406とを有する。
画像データ処理回路402は、映像出力回路123の出力信号に基づいて、ディスプレイにおける複数の表示素子302の輝度を判断する。
走査線駆動回路404は、画像データ処理回路402の指示に応じてn本の走査線に個別に電圧を印加する。
データ線駆動回路406は、画像データ処理回路402の指示に応じてm本のデータ線に個別に電圧を印加する。
<Ba0.95K0.05BiO3焼結体ターゲットの作製>
Ba0.95K0.05BiO3焼結体ターゲットは、原料としてBaO、Bi2O3、及びKO2を使用し、2段階焼成で作製した。初めにBaOを50g、Bi2O3を80g、及びKO2を1.3g秤量、混合し、アルミナ坩堝中で675℃、72時間反応させた。その後、これを粉砕し円盤状にプレス成形して、再度675℃、72時間反応させた。焼成後、円盤を所望のサイズ(直径76mm、厚み5mm)に研磨し、銅製のバッキングプレートにボンディングして、スパッタリング用の焼結体ターゲットを得た。
得られた焼結体ターゲットの組成比(原子比)は、誘導結合プラズマ発光分析(SII社製、SPS3000)により測定した結果、Ba:K:Bi=0.95:0.05:1.00であった。
<BaBi0.5Sb0.46Sn0.04O3焼結体ターゲットの作製>
BaBi0.5Sb0.46Sn0.04O3焼結体ターゲットは、原料としてBaO、Bi2O3、Sb2O5、及びSnO2を使用し、2段階焼成で作製した。初めにBaOを53g、Bi2O3を40g、Sb2O5を26g、及びSnO2を2.1g秤量、混合し、アルミナ坩堝中で730℃、72時間反応させた。その後、これを粉砕し円盤状にプレス成形して、再度730℃、72時間反応させた。焼成後、円盤を所望のサイズ(直径76mm、厚み5mm)に研磨し、銅製のバッキングプレートにボンディングして、スパッタリング用の焼結体ターゲットを得た。
得られた焼結体ターゲットの組成比(原子比)は、誘導結合プラズマ発光分析(SII社製、SPS3000)により測定した結果、Ba:Bi:Sb:Sn=0.992:0.504:0.469:0.037であった。
<Ba0.95Rb0.05Bi0.75Nb0.25O3焼結体ターゲットの作製>
Ba0.95Rb0.05Bi0.75Nb0.25O3焼結体ターゲットは、原料としてBaO、Bi2O3、Nb2O5、及びRb2CO3を使用し、2段階焼成で作製した。初めにBaOを50g、Bi2O3を60g、Nb2O5を11g、及びRb2CO3を2.0g秤量、混合し、アルミナ坩堝中で700℃、72時間反応させた。これを粉砕し円盤状にプレス成形後、再び700℃、72時間反応させた。焼成後、円盤を所望のサイズ(直径76mm、厚み5mm)に研磨し、銅製のバッキングプレートにボンディングして、スパッタリング用の焼結体ターゲットを得た。
得られた焼結体ターゲットの組成比(原子比)は、誘導結合プラズマ発光分析(SII社製、SPS3000)により測定した結果、Ba:Rb:Bi:Nb=0.95:0.05:0.751:0.248であった。
<BaBi0.9Pb0.1O3焼結体ターゲットの作製>
BaBi0.9Pb0.1O3焼結体ターゲットは、原料としてBaO、Bi2O3、及びPbOを使用し、2段階焼成で作製した。初めにBaOを53g、Bi2O3を72g、PbOを7.7g秤量、混合し、アルミナ坩堝中で700℃、72時間反応させた。その後、これを粉砕し円盤状にプレス成形して、再度700℃、72時間反応させた。焼成後、円盤を所望のサイズ(直径76mm、厚み5mm)に研磨し、銅製のバッキングプレートにボンディングして、スパッタリング用の焼結体ターゲットを得た。
得られた焼結体ターゲットの組成比(原子比)は、誘導結合プラズマ発光分析(SII社製、SPS3000)により測定した結果、Ba:Bi:Pb=1.0:0.9:0.1であった。
<Sr0.2Ba0.75K0.05BiO3酸化物半導体用インクの作製>
2−エチルヘキサン酸ストロンチウム2wt%トルエン溶液1.75mL、2−エチルヘキサン酸バリウム8wt%トルエン溶液2.57mL、2−エチルヘキサン酸カリウム8.6wt%2−プロパノール溶液0.05mL、及び2−エチルヘキサン酸ビスマス25wt%2−エチルヘキサン酸溶液1.67mLを混合後、トルエン5mLで希釈し、Sr0.2Ba0.75K0.05BiO3酸化物半導体用インクを得た。
<電界効果型トランジスタの作製>
−基材の準備(ゲート電極、ゲート絶縁層)−
基材として熱酸化膜(厚み200nm)付きSi基板を用いた。該Si基板を、中性洗剤、純水、及びイソプロピルアルコールを用いて超音波洗浄した。この基材を乾燥後、さらにUV−オゾン処理を90℃で10分間行った。なお、前記熱酸化膜がゲート絶縁層であり、前記Si基板がゲート電極である。
前記熱酸化膜(Si熱酸化膜)をゲート絶縁層とし、その上に、メタルマスクを介してCrを厚み1nm、引き続きAuを厚み100nm蒸着し、ソース電極及びドレイン電極を形成した。
製造例1で作製した焼結体ターゲット(Ba0.95K0.05BiO3)を用い、RFマグネトロンスパッタリング法で、前記ソース電極及び前記ドレイン電極に跨って、KをドーピングしたBaBiO3(Ba0.95K0.05BiO3)を100nm成膜し活性層を形成した。スパッタガスとしてアルゴンガスと酸素ガスを用いた。RFマグネトロンスパッタリングは、全圧1.1Pa、酸素濃度40%、RFパワー50Wの条件で行った。パターニングにはメタルマスクを用いた。チャネル長は50μm、チャネル幅は0.4mmとした。 最後に、酸素気流中で500℃、1時間のアニールを行い、電界効果型トランジスタを作製した。
また、別のSiO2ガラス基板上に電界効果型トランジスタの活性層の形成と同時にBaKBiO膜を作製し、X線回折及び組成分析のサンプルとした。BaKBiO膜の組成比(原子比)は、誘導結合プラズマ発光分析(SII社製、SPS3000)により測定した結果、Ba:K:Bi=0.95:0.05:1.00であった。
<電界効果型トランジスタの作製>
実施例1において、焼結体ターゲットを製造例2で作製した焼結体ターゲット(BaBi0.5Sb0.46Sn0.04O3)に代え、アニール温度を700℃とした以外は、実施例1と同様にして、電界効果型トランジスタを作製した。
また、別のSiO2ガラス基板上に電界効果型トランジスタの活性層の形成と同時にBaBiSbSnO膜を作製し、X線回折及び組成分析のサンプルとした。BaBiSbSnO膜の組成比(原子比)は、誘導結合プラズマ発光分析(SII社製、SPS3000)により測定した結果、Ba:Bi:Sb:Sn=0.992:0.504:0.469:0.037であった。
<電界効果型トランジスタの作製>
実施例1において、焼結体ターゲットを製造例3で作製した焼結体ターゲット(Ba0.95Rb0.05Bi0.75Nb0.25O3)に代え、アニール温度を650℃とした以外は、実施例1と同様にして、電界効果型トランジスタを作製した。
また、別のSiO2ガラス基板上に電界効果型トランジスタの活性層の形成と同時にBaRbBiNbO膜を作製し、X線回折及び組成分析のサンプルとした。BaRbBiNbO膜の組成比(原子比)は、誘導結合プラズマ発光分析(SII社製、SPS3000)により測定した結果、Ba:Rb:Bi:Nb=0.95:0.05:0.751:0.248であった。
<電界効果型トランジスタの作製>
実施例1において、焼結体ターゲットを製造例4で作製した焼結体ターゲット(BaBi0.9Pb0.1O3)に代えた以外は、実施例1と同様にして、電界効果型トランジスタを作製した。
また、別のSiO2ガラス基板上に電界効果型トランジスタの活性層の形成と同時にBaBiPbO膜を作製し、X線回折及び組成分析のサンプルとした。BaBiPbO膜の組成比(原子比)は、誘導結合プラズマ発光分析(SII社製、SPS3000)により測定した結果、Ba:Bi:Pb=1.0:0.9:0.1であった。
<電界効果型トランジスタの作製>
熱酸化膜(厚み200nm)付きSi基板を、中性洗剤、純水、イソプロピルアルコールを用いて超音波洗浄した。この基板を乾燥後、さらにUV−オゾン処理を90℃で10分間行った。
次に、製造例5で作製したSr0.2Ba0.75K0.05BiO3酸化物半導体用インクを前記基板上にスピンコートした。120℃で1時間乾燥後、酸素気流中でエキシマランプ(222nm)を照射しながら350℃で3時間焼成し、更に500℃で1時間のアニールを行い、Sr0.2Ba0.75K0.05BiO3膜を形成した。この後、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、現像により、形成される活性層のパターンと同様のレジストパターンを形成し、更に、ウェットエッチングにより、レジストパターンの形成されていない領域のSr0.2Ba0.75K0.05BiO3膜を除去し、この後、レジストパターンも除去することにより活性層を形成した。
次に活性層上に、メタルマスクを介してCrを1nm、引き続きAuを100nm蒸着し、ソース・ドレイン電極を形成した。チャネル長は50nm、チャネル幅は0.4mmとした。
最後に、酸素気流中で300℃、1時間のアニールを行い、電界効果型トランジスタを作製した。
また、別のSiO2ガラス基板上に電界効果型トランジスタの活性層の形成と同様のプロセスでSrBaKBiO膜を成膜し、X線回折及び組成分析のサンプルとした。SrBaKBiO膜の組成比(原子比)は、誘導結合プラズマ発光分析(SII社製、SPS3000)により測定した結果、Sr:Ba:K:Bi=0.21:0.75:0.04:1.00であった。
<電界効果型トランジスタの作製>
実施例1において、ソース電極及びドレイン電極を形成した後にアニールを行わなかった以外は、実施例1と同様にして、電界効果型トランジスタを作製した。
実施例1〜5及び比較例1について、活性層のX線回折測定(Philips社製、X‘PertPro)を行った。その結果を図16〜図21に示す。比較例1の活性層は回折ピークが見られずアモルファス状態であったが、酸素アニールを行った実施例1〜5の活性層では、シャープな回折線が観測され、単斜晶に歪んだ擬ペロブスカイト構造と同定された。
また、実施例1〜5の電界効果型トランジスタのトランスファー特性(Vds=−20V)を測定したところ、ノーマリーオフの良好なp型特性を示した。一方、アニールしておらず、活性層がアモルファス状態であった比較例1の電界効果型トランジスタは、オンオフせず、トランジスタ特性を示さなかった。
本発明の表示素子は、高速駆動が可能、長寿命、かつ素子間のばらつきが小さく信頼性が向上しており、本発明の画像表示装置、及びシステムに好適に使用できる。
本発明の画像表示装置は、大画面で高品質の画像を表示することが可能であり、携帯情報機器、撮像機器における表示手段、移動体システムにおける各種情報の表示手段などに好適に使用できる。
本発明のシステムは、画像情報を高精細に表示することができ、テレビジョン装置、コンピュータシステムなどに好適に使用できる。
20 電界効果型トランジスタ
21 基材
22 活性層
23 ソース電極
24 ドレイン電極
25 ゲート絶縁層
26 ゲート電極
30 キャパシタ
40 電界効果型トランジスタ
100 テレビジョン装置
101 主制御装置
103 チューナ
104 ADコンバータ(ADC)
105 復調回路
106 TS(Transport Stream)デコーダ
111 音声デコーダ
112 DAコンバータ(DAC)
113 音声出力回路
114 スピーカ
121 映像デコーダ
122 映像・OSD合成回路
123 映像出力回路
124 画像表示装置
125 OSD描画回路
131 メモリ
132 操作装置
141 ドライブインターフェース(ドライブIF)
142 ハードディスク装置
143 光ディスク装置
151 IR受光器
152 通信制御装置
210 アンテナ
220 リモコン送信機
300 表示器
302、302’ 表示素子
310 ディスプレイ
312 陰極
314 陽極
320、320’ ドライブ回路(駆動回路)
340 有機EL薄膜層
342 電子輸送層
344 発光層
346 正孔輸送層
350 有機EL素子
360 層間絶縁膜
361 キャパシタ
370 液晶素子
400 表示制御装置
402 画像データ処理回路
404 走査線駆動回路
406 データ線駆動回路
Claims (9)
- ゲート電圧を印加するためのゲート電極と、
電流を取り出すためのソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に形成されたp型酸化物半導体からなる活性層と、
前記ゲート電極と前記活性層との間に形成されたゲート絶縁層とを有し、
前記p型酸化物半導体が、一般式ABO3(Aは、Sr及びBaの少なくともいずれかを含む。Bは少なくともBiを含む。)で表され、かつ擬ペロブスカイト構造であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 - Bが、更にSb、Nb、及びTaの少なくともいずれかを含む請求項1に記載の電界効果型トランジスタ。
- Aサイトへp型ドーピングがされており、該p型ドーピングが、K、Rb、及びCsから選択される少なくともいずれかの導入による請求項1から2のいずれかに記載の電界効果型トランジスタ。
- Bサイトへp型ドーピングがされており、該p型ドーピングが、Sn、Pb、Ti、Zr、Hf、及びCeから選択される少なくともいずれかの導入による請求項1から3のいずれかに記載の電界効果型トランジスタ。
- 駆動信号に応じて光出力が制御される光制御素子と、
請求項1から4のいずれかに記載の電界効果型トランジスタを有し、かつ前記光制御素子を駆動する駆動回路と、を有することを特徴とする表示素子。 - 光制御素子が、有機エレクトロルミネッセンス素子、及びエレクトロクロミック素子のいずれかを有する請求項5に記載の表示素子。
- 光制御素子が、液晶素子、電気泳動素子、及びエレクトロウェッティング素子のいずれかを有する請求項5に記載の表示素子。
- 画像データに応じた画像を表示する画像表示装置であって、
マトリックス状に配置された複数の請求項5から7のいずれかに記載の表示素子と、
前記複数の表示素子における各電界効果型トランジスタにゲート電圧を個別に印加するための複数の配線と、
前記画像データに応じて、前記各電界効果型トランジスタのゲート電圧を前記複数の配線を介して個別に制御する表示制御装置とを有することを特徴とする画像表示装置。 - 請求項8に記載の画像表示装置と、
表示する画像情報に基づいて画像データを作成し、該画像データを前記画像表示装置に出力する画像データ作成装置とを有することを特徴とするシステム。
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