JP2012134509A5 - - Google Patents

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  1. 一対の電極間に、燐光を発光する有機金属錯体を含む層を有し、
    前記有機金属錯体は、テトラヒドロキノキサリンを骨格に含む配位子が中心金属と結合しており、
    前記中心金属はイリジウムまたは白金であることを特徴とする発光素子。
  2. 請求項１において、
    前記配位子は、下記一般式で表される配位子であることを特徴とする発光素子。

    （式中、Ｒ４９、Ｒ５０は、それぞれ、水素、メチル基、フルオロ基、−ＣＦ３基、メトキシ基、フェニル基のいずれかを表す。）
  3. 請求項１において、
    前記配位子は、下記一般式で表される配位子であることを特徴とする発光素子。

    （式中、Ｒ５１〜Ｒ５４は、それぞれ、メチル基、フルオロ基、−ＣＦ３基、メトキシ基、フェニル基のいずれかを表す。）
  4. 請求項１において、
    前記配位子は、下記一般式で表される配位子であることを特徴とする発光素子。

    （式中、Ｒ５５〜Ｒ６０は、それぞれ、メチル基、フルオロ基、−ＣＦ３基、メトキシ基のいずれかを表す。）
  5. 請求項１において、
    前記有機金属錯体は、一般式（１）で表される構造を含む有機金属錯体であることを特徴とする発光素子。

    （式中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ、水素、アルキル基、ハロゲン基、−ＣＦ３、アルコキシ基、アリール基のいずれかを表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表す。）
  6. 請求項１において、
    前記有機金属錯体は、一般式（３）で表される構造を含む有機金属錯体であることを特徴とする発光素子。

    （式中、Ｒ５、Ｒ６は、それぞれ、水素、炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン基、−ＣＦ３、炭素数１〜４のアルコキシ基、フェニル基のいずれかを表す。）
  7. 請求項１において、
    前記有機金属錯体は、一般式（５）で表される構造を含む有機金属錯体であることを特徴とする発光素子。

    （式中、Ｒ９〜Ｒ１２は、水素、アルキル基、ハロゲン基、−ＣＦ３、アルコキシ基、アリール基のいずれかを表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表す。）
  8. 請求項１において、
    前記有機金属錯体は、一般式（７）で表される構造を含む有機金属錯体であることを特徴とする発光素子。

    （式中、Ｒ１７〜Ｒ２０は、それぞれ、水素、炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン基、−ＣＦ３、炭素数１〜４のアルコキシ基、フェニル基のいずれかを表す。）
  9. 請求項１において、
    前記有機金属錯体は、一般式（９）で表される構造を含む有機金属錯体であることを特徴とする発光素子。

    （式中、Ｒ２５〜Ｒ３０は、それぞれ、水素、アルキル基、ハロゲン基、−ＣＦ３、アルコキシ基のいずれかを表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表す。）
  10. 請求項１において、
    前記有機金属錯体は、一般式（１１）で表される構造を含む有機金属錯体であることを特徴とする発光素子。

    （式中、Ｒ３７〜Ｒ４２は、それぞれ、水素、炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン基、−ＣＦ３、炭素数１〜４のアルコキシ基のいずれかを表す。）
  11. 一対の電極間に、
    一般式（２）で表される有機金属錯体を含む層を有することを特徴とする発光素子。

    （式中、Ｒ３、Ｒ４は、それぞれ、水素、アルキル基、ハロゲン基、−ＣＦ３、アルコキシ基、アリール基のいずれかを表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表す。また、Ｌはモノアニオン性の配位子を表す。ｎは、Ｍが９族元素であるときはｎ＝２、Ｍが１０族元素であるときはｎ＝１である。）
  12. 一対の電極間に、
    一般式（４）で表される有機金属錯体を含む層を有することを特徴とする発光素子。

    （式中、Ｒ７、Ｒ８は、それぞれ、水素、炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン基、−ＣＦ３、炭素数１〜４のアルコキシ基、フェニル基のいずれかを表す。また、Ｌはモノアニオン性の配位子を表す。）
  13. 一対の電極間に、
    一般式（６）で表される有機金属錯体を含む層を有することを特徴とする発光素子。

    （式中、Ｒ１３〜Ｒ１６は、それぞれ、水素、アルキル基、ハロゲン基、−ＣＦ３、アルコキシ基、アリール基のいずれかを表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表す。また、Ｌはモノアニオン性の配位子を表す。ｎは、Ｍが９族元素であるときはｎ＝２、Ｍが１０族元素であるときはｎ＝１である。）
  14. 一対の電極間に、
    一般式（８）で表される有機金属錯体を含む層を有することを特徴とする発光素子。

    （式中、Ｒ２１〜Ｒ２４は、それぞれ、水素、炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン基、−ＣＦ３、炭素数１〜４のアルコキシ基、フェニル基のいずれかを表す。また、Ｌはモノアニオン性の配位子を表す。）
  15. 一対の電極間に、
    一般式（１０）で表される有機金属錯体を含む層を有することを特徴とする発光素子。

    （式中、Ｒ３１〜Ｒ３６は、それぞれ、水素、アルキル基、ハロゲン基、−ＣＦ３、アルコキシ基のいずれかを表す。また、Ｌはモノアニオン性の配位子を表す。ｎは、Ｍが９族元素であるときはｎ＝２、Ｍが１０族元素であるときはｎ＝１である。）
  16. 一対の電極間に、
    一般式（１２）で表される有機金属錯体を含む層を有することを特徴とする発光素子。

    （式中、Ｒ４３〜Ｒ４８は、それぞれ、水素、炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン基、−ＣＦ３、炭素数１〜４のアルコキシ基のいずれかを表す。また、Ｌはモノアニオン性の配位子を表す。）
  17. 請求項１１乃至請求項１６のいずれか一項において、
    前記モノアニオン性の配位子は、構造式（１）乃至構造式（７）のいずれかで表される配位子であることを特徴とする発光素子。
  18. 一対の電極間に、
    一般式（１３）で表される有機金属錯体を含む層を有することを特徴とする発光素子。

    （式中、Ｒ ６１ 、Ｒ ６２ は、それぞれ、水素またはフッ素を表す。また、Ｍは、イリジウムまたは白金を表す。また、Ｌは構造式（３６）〜（３８）のいずれかで表される配位子を表す。ｎは、Ｍがイリジウムであるときはｎ＝２、Ｍが白金であるときはｎ＝１である。）
  19. 請求項１乃至請求項１８のいずれか一項において、
    前記有機金属錯体を含む層は発光層であることを特徴とする発光素子。
  20. 請求項１乃至請求項１９のいずれか一項に記載の発光素子を画素または光源として用いていることを特徴とする発光装置。
  21. 請求項２０に記載の発光装置を含むことを特徴とする電子機器。
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