JP2012125092A - 電力変換装置の過電流保護装置および過電流保護方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】電力変換装置の電力変換性能を最大限まで活用しながら、誤った過電流判定と保護動作を防止できる。
【解決手段】インバータ1の主回路を構成する各半導体スイッチ素子(IGBT)のオン・オフ制御で負荷2に制御された電力・電流を供給し、電流検出器6でIGBTに流れる電流の検出値がIGBTの過電流判定レベルを超えたときにIGBTを過電流から保護する過電流保護装置であって、
過電流判定レベル可変回路3Aは、主回路の直流電圧Edが低いほど、過電流判定レベルIjを高い値に設定・調節する。比較器3Bは設定・調節した過電流判定レベルIjを検出電流Idetが超えたことを判定しときに、駆動回路4のゲート電圧出力のオフ制御等によって負荷やIGBTの電流を遮断する。
【選択図】図1
【解決手段】インバータ1の主回路を構成する各半導体スイッチ素子(IGBT)のオン・オフ制御で負荷2に制御された電力・電流を供給し、電流検出器6でIGBTに流れる電流の検出値がIGBTの過電流判定レベルを超えたときにIGBTを過電流から保護する過電流保護装置であって、
過電流判定レベル可変回路3Aは、主回路の直流電圧Edが低いほど、過電流判定レベルIjを高い値に設定・調節する。比較器3Bは設定・調節した過電流判定レベルIjを検出電流Idetが超えたことを判定しときに、駆動回路4のゲート電圧出力のオフ制御等によって負荷やIGBTの電流を遮断する。
【選択図】図1
Description
本発明は、電力変換装置の過電流を検出・判定したときに主回路の半導体スイッチ素子を保護する過電流保護装置および過電流保護方法に係り、特に過電流の検出・判定技術に関する。
インバータやコンバータなどの電力変換装置は、その主回路にはIGBT(絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ)などの複数の半導体スイッチ素子を例えばブリッジ接続で構成し、さらには各半導体スイッチ素子を一体化したパワーモジュールとし、各半導体スイッチ素子のオン・オフ制御で負荷に制御された電力・電流を供給する。
この種の電力変換装置の保護装置は、例えば、図2に示すインバータ1では、負荷2の駆動電流をCT1,CT2などの電流検出器によりIGBTに流れる電流を直接又は間接的に検出し、この検出で過電流判定回路3が過電流発生を判定したときにはIGBTの駆動回路4のゲート電圧出力のオフ制御等によって負荷やIGBTの電流を遮断し、IGBTを過電流から保護する。5はインバータ1の3相出力電圧や電流を制御する制御回路である。
過電流検出・判定と保護を行う装置として、IGBTのターンオン時にコレクタ電圧が降下しない場合に負荷または他のIGBTの短絡(過電流発生)と判定し、この判定でIGBTの駆動回路のゲート電圧を徐々に低下させたターンオフ制御によって、IGBTのコレクタに発生するサージ電圧を低く抑え、IGBTを破損させることなく負荷等を過電流から保護するものがある(例えば、特許文献1参照)。
同様の保護装置として、上記の手法で負荷または他のIGBTの短絡を判定したときに、IGBTの駆動回路のゲート抵抗を切り換えたターンオフ制御によって、IGBTのコレクタに発生するサージ電圧を低く抑えるものがある(例えば、特許文献2参照)。
従来の過電流保護装置において、過電流判定レベルは、半導体スイッチ素子に許容される電流の絶対最大定格を超えない値で、かつ、半導体スイッチ素子のターンオフ時に発生するサージ電圧がそれに許容される電圧の絶対最大定格以下になるための電流値から決定される。
ここで、サージ電圧の性状としては、例えば、インバータのIGBTが同一の駆動条件のとき、インバータの直流電圧Ed(図2参照)が一定ならばIGBTのターンオフ電流が大きいほどサージ電圧が高くなる。また、IGBTのターンオフ電流が同一であるならばインバータ直流電圧が高いほど、サージ電圧が高くなる。
しかし、現状の過電流判定レベルは、インバータの直流電圧Edの変化を考慮することなく一定値に固定されている。例えば、パワーモジュールの絶対最大定格が「電圧1200V、連続電流400A」であった場合、過電流判定レベルは、主回路の直流電圧Edが低く、IGBTに発生するサージ電圧が低い場合でも、インバータのサージ電圧が1200Vを超えないように、過電流判定レベルを低い値に設定している。
また、主回路の直流電圧Edが低く、IGBTのターンオフ電流が400A以下でもサージ電圧が1200Vを超えないように、過電流判定レベルを低い値に設定している。
以上のように、過電流判定レベルは、電力変換装置の主回路の直流電圧の変化によるサージ電圧の高低変化を考慮することなく一定値に固定している。この手法による過電流判定では、主回路の直流電圧が低いときにはサージ電圧に対する過電流判定レベルの設定に余裕ができ、電力変換装置の電力変換性能を十分に活かせなくなる。さらに、過電流判定レベルを下げ過ぎた場合には、誤った過電流判定と保護動作になるおそれがある。
本発明の目的は、電力変換装置の電力変換性能を最大限まで活用しながら、誤った過電流判定と保護動作を防止できる電力変換装置の過電流保護装置および過電流保護方法を提供することにある。
本発明は、前記の課題を解決するため、電力変換装置の主回路の直流電圧が低いほど過電流判定レベルを高い値に設定・調節するようにしたもので、以下の装置および方法を特徴とする。
(装置の発明)
(1)主回路を構成する各半導体スイッチ素子のオン・オフ制御で負荷に制御された電力・電流を供給し、前記半導体スイッチ素子に流れる電流を直接または間接的に検出し、この電流値が前記半導体スイッチ素子の過電流判定レベルを超えたときに前記半導体スイッチ素子を過電流から保護する電力変換装置の過電流保護装置であって、
前記主回路の直流電圧が低いほど、前記過電流判定レベルを高い値に設定・調節する過電流判定レベル設定・調節手段を備えたことを特徴とする。
(1)主回路を構成する各半導体スイッチ素子のオン・オフ制御で負荷に制御された電力・電流を供給し、前記半導体スイッチ素子に流れる電流を直接または間接的に検出し、この電流値が前記半導体スイッチ素子の過電流判定レベルを超えたときに前記半導体スイッチ素子を過電流から保護する電力変換装置の過電流保護装置であって、
前記主回路の直流電圧が低いほど、前記過電流判定レベルを高い値に設定・調節する過電流判定レベル設定・調節手段を備えたことを特徴とする。
(2)前記過電流判定レベル設定・調節手段は、過電流判定レベルの基準値Ibをベースとし、この基準値Ibからの嵩上げ分として、主回路の直流電圧Edが低いほど過電流判定レベルIjを高い値にする構成にしたことを特徴とする。
(3)前記過電流判定レベル設定・調節手段は、主回路の直流電圧Edが最小値MINでは過電流判定レベルIjを電流IH(>Ib)とし、最大値MAXでは過電流判定レベルIjを電流IL(=Ib)となり、電流IHから電流ILの間は一定の傾斜または二次曲線特性をもつ構成にしたことを特徴とする。
(方法の発明)
(4)主回路を構成する各半導体スイッチ素子のオン・オフ制御で負荷に制御された電力・電流を供給し、前記半導体スイッチ素子に流れる電流を直接または間接的に検出し、この電流値が前記半導体スイッチ素子の過電流判定レベルを超えたときに前記半導体スイッチ素子を過電流から保護する電力変換装置の過電流保護方法であって、
前記主回路の直流電圧が低いほど、前記過電流判定レベルを高い値に設定・調節することを特徴とする。
(4)主回路を構成する各半導体スイッチ素子のオン・オフ制御で負荷に制御された電力・電流を供給し、前記半導体スイッチ素子に流れる電流を直接または間接的に検出し、この電流値が前記半導体スイッチ素子の過電流判定レベルを超えたときに前記半導体スイッチ素子を過電流から保護する電力変換装置の過電流保護方法であって、
前記主回路の直流電圧が低いほど、前記過電流判定レベルを高い値に設定・調節することを特徴とする。
以上のとおり、本発明によれば、電力変換装置の主回路の直流電圧が低いほど過電流判定レベルを高い値に設定・調節するため、電力変換装置の電力変換性能を最大限まで活用しながら、誤った過電流判定と保護動作を防止できる。
図1は、本発明の実施形態を示す回路構成図であり、図2と異なる部分は同一符号で示す。過電流判定レベル可変回路3Aは、過電流判定レベル設定・調節手段であり、過電流判定レベルの基準値Ibと、インバータ1の直流電圧Edの検出値とを入力とし、基準値Ibをベースとし、この基準値Ibからの嵩上げ分として、直流電圧Edが低いほど過電流判定レベルIjが高い値になるよう設定・調節する。
比較器3Bは、判定レベル可変回路3Aからの過電流判定レベルIjと電流検出器6で検出するIGBTや負荷の検出電流Idetとの大小を比較し、検出電流Idetが過電流判定レベルIj以上になったときに負荷またはIGBTの過電流発生の判定出力を得る。この判定出力は駆動回路4のゲート電圧出力のオフ制御等によって負荷やIGBTの電流を遮断する。これによって、負荷やIGBTは過電流から保護する。
上記の判定レベル可変回路3Aは、その入出力特性を図1中に示すように、直流電圧Edが最小値MINから最大値MAXの範囲内で変化したときに、最小値MINでは過電流判定レベルIjを電流IH(>Ib)とし、最大値MAXでは過電流判定レベルIjを電流IL(=Ib)となるよう設定・調節する。
なお、過電流判定レベルIL(=基準値Ib)は、インバータの直流電圧Edが最大値MAXで、IGBTなどの半導体スイッチ素子に許容される電流の絶対最大定格を超えることのない近い値で、かつ、半導体スイッチ素子のターンオフ時に発生するサージ電圧が半導体スイッチ素子に許容される電圧の絶対最大定格を超えることのない近い値に設定しておく。また、過電流判定レベルIHは、インバータの直流電圧Edが最小値MINで、IGBTなどの半導体スイッチ素子に許容される電流の絶対最大定格を超えることのない近い値で、かつ、半導体スイッチ素子のターンオフ時に発生するサージ電圧が半導体スイッチ素子に許容される電圧の絶対最大定格を超えることのない近い値に設定しておく。
したがって、本実施形態によれば、インバータの直流電圧Edが低いほど過電流判定レベルIjを高い値に設定・調節するため、インバータの直流電圧Edが低いときにはサージ電圧に対する過電流判定レベルIjを高めることができ、電力変換装置の電力変換性能を最大限まで活用しながら、誤った過電流判定と保護動作を防止できる。
なお、判定レベル可変回路3Aの入出力特性は、過電流判定レベルIHから過電流判定レベルILまでは一定の傾斜(変化率)で変化させる場合を示すが、インバータの主回路構成や負荷がもつ電気的特性によってサージ電圧変化が非線形になる場合には、それに対応した二次曲線の入出力特性などに適宜変更することができる。
また、判定レベル可変回路3Aの具体的な構成としては、入力される直流電圧Edと基準値Ibなどを基にハードウエア演算回路またはマイクロコンピュータに組み込んだソフトウエアによって求めること、さらにはこれらの演算で予め求めたものをテーブルデータとして設定しておくことでもよい。
また、電流検出器6は、図2に示すように負荷2の駆動電流をCT1,CT2などで検出する構成、または特許文献1や2のようにIGBTのターンオン時のコレクタ電圧の監視を基に、直流電圧Edをパラメータとして、短絡電流を検出する構成でもよい。
また、本実施形態では、電力変換装置をインバータとする場合で説明したが、チョッパやコンバータなど、他の電力変換装置の過電流保護装置として構成して、同等の作用効果を得ることができる。さらに、電力変換装置の主回路を構成する半導体スイッチ素子をIGBT以外の他の素子としたもの、さらにそれらをパワーモジュール化したものに適用できる。
1 インバータ
2 負荷
3 過電流判定回路
3A 過電流判定レベル可変回路
3B 比較器
4 駆動回路
5 制御回路
6 電流検出器
2 負荷
3 過電流判定回路
3A 過電流判定レベル可変回路
3B 比較器
4 駆動回路
5 制御回路
6 電流検出器
Claims (4)
- 主回路を構成する各半導体スイッチ素子のオン・オフ制御で負荷に制御された電力・電流を供給し、前記半導体スイッチ素子に流れる電流を直接または間接的に検出し、この電流値が前記半導体スイッチ素子の過電流判定レベルを超えたときに前記半導体スイッチ素子を過電流から保護する電力変換装置の過電流保護装置であって、
前記主回路の直流電圧が低いほど、前記過電流判定レベルを高い値に設定・調節する過電流判定レベル設定・調節手段を備えたことを特徴とする電力変換装置の過電流保護装置。 - 前記過電流判定レベル設定・調節手段は、過電流判定レベルの基準値Ibをベースとし、この基準値Ibからの嵩上げ分として、主回路の直流電圧Edが低いほど過電流判定レベルIjを高い値にする構成にしたことを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置の過電流保護装置。
- 前記過電流判定レベル設定・調節手段は、主回路の直流電圧Edが最小値MINでは過電流判定レベルIjを電流IH(>Ib)とし、最大値MAXでは過電流判定レベルIjを電流IL(=Ib)となり、電流IHから電流ILの間は一定の傾斜または二次曲線特性をもつ構成にしたことを特徴とする請求項2に記載の電力変換装置の過電流保護装置。
- 主回路を構成する各半導体スイッチ素子のオン・オフ制御で負荷に制御された電力・電流を供給し、前記半導体スイッチ素子に流れる電流を直接または間接的に検出し、この電流値が前記半導体スイッチ素子の過電流判定レベルを超えたときに前記半導体スイッチ素子を過電流から保護する電力変換装置の過電流保護方法であって、
前記主回路の直流電圧が低いほど、前記過電流判定レベルを高い値に設定・調節することを特徴とする電力変換装置の過電流保護方法。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2010275560A JP2012125092A (ja) | 2010-12-10 | 2010-12-10 | 電力変換装置の過電流保護装置および過電流保護方法 |
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JP2010275560A Pending JP2012125092A (ja) | 2010-12-10 | 2010-12-10 | 電力変換装置の過電流保護装置および過電流保護方法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE102012111855A1 (de) | 2012-12-05 | 2014-06-05 | Sma Solar Technology Ag | Verfahren zur Vermeidung von Überströmen in einem leistungselektronischen Gerät und leistungselektronisches Gerät |
CN110535100A (zh) * | 2019-10-14 | 2019-12-03 | 江苏为恒智能科技有限公司 | 基于bus电压分档的逆变器保护电路 |
-
2010
- 2010-12-10 JP JP2010275560A patent/JP2012125092A/ja active Pending
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WO2014086783A2 (de) | 2012-12-05 | 2014-06-12 | Sma Solar Technology Ag | Verfahren zur vermeidung von überströmen in einem leistungselektronischen gerät und leistungselektronisches gerät |
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CN110535100A (zh) * | 2019-10-14 | 2019-12-03 | 江苏为恒智能科技有限公司 | 基于bus电压分档的逆变器保护电路 |
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