JP2012122780A - 回転角検出装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】高速回転する回転軸であっても、回転バランスの崩れを懸念することなく静止時の絶対的な角度又は角度範囲を高精度に検出する。
【解決手段】回転軸2の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出する磁気式の回転角検出装置1であって、回転角に応じて磁気的な特性が変化するように回転軸2の表面に周方向に沿って成膜される薄膜パターン3と、薄膜パターン3の対向位置に配置され、薄膜パターン3の磁気的な特性をインダクタンスの変化として検出する検出コイルLと、検出コイルLを交流励磁しつつ、検出コイルLのインダクタンス変化に応じて交流励磁波に位相ズレを生じさせる交流励磁回路4と、交流励磁回路4から出力される交流励磁波の位相ズレを検出し、該位相ズレにもとづいて、回転軸2の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出する検出回路5とを備える。
【選択図】図1
【解決手段】回転軸2の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出する磁気式の回転角検出装置1であって、回転角に応じて磁気的な特性が変化するように回転軸2の表面に周方向に沿って成膜される薄膜パターン3と、薄膜パターン3の対向位置に配置され、薄膜パターン3の磁気的な特性をインダクタンスの変化として検出する検出コイルLと、検出コイルLを交流励磁しつつ、検出コイルLのインダクタンス変化に応じて交流励磁波に位相ズレを生じさせる交流励磁回路4と、交流励磁回路4から出力される交流励磁波の位相ズレを検出し、該位相ズレにもとづいて、回転軸2の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出する検出回路5とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、回転軸の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出する磁気式の回転角検出装置に関する。
回転軸の回転角を検出する回転角検出装置が広く普及している。回転角検出装置としては、様々な方式が存在するが、その多くは磁気式と光学式で占められている。例えば、特許文献1には、回転角に応じて変化する磁気的な特性にもとづいて、回転軸の回転角を検出する磁気式の回転角検出装置が示されている。このような磁気式の回転角検出装置は、使用環境において汚れの影響を受けにくいので、汚れに弱い光学式に比べて信頼性に優れるという利点がある。
ところで、従来から、回転軸の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出したいという要望があった。例えば、サーボモータの起動時における逆転現象を防止するために、モータ軸の初期回転角(静止時の角度範囲)を検出し、初期回転角に応じたモータ制御を行いたいという要望がある。
特許文献1に示される磁気式の回転角検出装置は、回転軸の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出することが可能と考えられるが、回転軸に円筒磁石や環状の遮磁部材を設ける必要があるので、高速回転する回転軸では、円筒磁石や遮蔽部材による回転バランスの崩れが懸念され、適用が困難であった。
本発明は、上記の如き実情に鑑みこれらの課題を解決することを目的として創作されたものであって、回転軸の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出する磁気式の回転角検出装置であって、回転角に応じて磁気的な特性が変化するように前記回転軸の表面に周方向に沿って成膜される薄膜パターンと、前記薄膜パターンの対向位置に配置され、前記薄膜パターンの磁気的な特性をインダクタンスの変化として検出する検出コイルと、前記検出コイルを交流励磁しつつ、前記検出コイルのインダクタンス変化に応じて交流励磁波に位相ズレを生じさせる交流励磁回路と、前記交流励磁回路から出力される交流励磁波の位相ズレを検出し、該位相ズレにもとづいて、前記回転軸の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出する検出回路とを備え、前記検出コイルは、ギャップ部を存してループ状の磁路を形成するコアに巻装されて磁気ヘッドを構成し、前記交流励磁回路による励磁駆動に応じて、前記薄膜パターンのギャップ部近接領域を集中的に交流励磁しつつ、該領域の磁気的な特性をインダクタンスの変化として検出し、前記検出回路は、前記交流励磁回路が所定数の交流励磁波を出力するのに要した時間にもとづいて、蓄積された交流励磁波の位相ズレを検出し、該蓄積された位相ズレにもとづいて、前記回転軸の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出することを特徴とする。
また、前記薄膜パターンは、前記回転軸の表面と透磁率が異なるメッキ膜で形成されており、前記磁気ヘッドは、前記回転軸の表面における透磁率の変化を前記検出コイルのインダクタンスの変化として検出することを特徴とする。
また、前記薄膜パターンは、前記回転軸の回転角に応じて軸方向の幅が変化し、前記磁気ヘッドは、ギャップが軸方向に沿う状態で前記薄膜パターンの対向位置に配置され、前記薄膜パターンの幅変化を検出することを特徴とする。
また、温度及び前記回転軸の回転角に応じて検出コイルのインダクタンスが変化する回転角検出用磁気ヘッドと、温度に応じて検出コイルのインダクタンスが変化する温度検出用磁気ヘッドとを備え、前記検出回路は、前記回転角検出用磁気ヘッドで検出した位相ズレと前記温度検出用磁気ヘッドで検出した位相ズレとの差分にもとづいて、前記回転軸の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出することを特徴とする。
また、温度及び前記回転軸の回転角に応じて検出コイルのインダクタンスが変化する一対の回転角検出用磁気ヘッドと、温度に応じて検出コイルのインダクタンスが変化する温度検出用磁気ヘッドとを備え、前記一対の回転角検出用磁気ヘッドは、前記温度検出用磁気ヘッドを挟む状態で前記回転軸の軸方向に並ぶように配置され、前記検出回路は、一方の前記回転角検出用磁気ヘッドで検出した位相ズレと前記温度検出用磁気ヘッドで検出した位相ズレとの差分と、他方の前記回転角検出用磁気ヘッドで検出した位相ズレと前記温度検出用磁気ヘッドで検出した位相ズレとの差分を算出し、両差分の平均値又は合計値にもとづいて、前記回転軸の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出することを特徴とする。
また、温度及び前記回転軸の回転角に応じて検出コイルのインダクタンスが変化する一対の回転角検出用磁気ヘッドと、温度に応じて検出コイルのインダクタンスが変化する温度検出用磁気ヘッドとを備え、前記一対の回転角検出用磁気ヘッドは、前記温度検出用磁気ヘッドを挟む状態で前記回転軸の軸方向に並ぶように配置され、前記検出回路は、一方の前記回転角検出用磁気ヘッドで検出した位相ズレと他方の前記回転角検出用磁気ヘッドで検出した位相ズレとの平均値を算出し、該平均値と前記温度検出用磁気ヘッドで検出した位相ズレとの差分にもとづいて、前記回転軸の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出することを特徴とする。
また、前記薄膜パターンは、前記回転軸の表面と透磁率が異なるメッキ膜で形成されており、前記磁気ヘッドは、前記回転軸の表面における透磁率の変化を前記検出コイルのインダクタンスの変化として検出することを特徴とする。
また、前記薄膜パターンは、前記回転軸の回転角に応じて軸方向の幅が変化し、前記磁気ヘッドは、ギャップが軸方向に沿う状態で前記薄膜パターンの対向位置に配置され、前記薄膜パターンの幅変化を検出することを特徴とする。
また、温度及び前記回転軸の回転角に応じて検出コイルのインダクタンスが変化する回転角検出用磁気ヘッドと、温度に応じて検出コイルのインダクタンスが変化する温度検出用磁気ヘッドとを備え、前記検出回路は、前記回転角検出用磁気ヘッドで検出した位相ズレと前記温度検出用磁気ヘッドで検出した位相ズレとの差分にもとづいて、前記回転軸の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出することを特徴とする。
また、温度及び前記回転軸の回転角に応じて検出コイルのインダクタンスが変化する一対の回転角検出用磁気ヘッドと、温度に応じて検出コイルのインダクタンスが変化する温度検出用磁気ヘッドとを備え、前記一対の回転角検出用磁気ヘッドは、前記温度検出用磁気ヘッドを挟む状態で前記回転軸の軸方向に並ぶように配置され、前記検出回路は、一方の前記回転角検出用磁気ヘッドで検出した位相ズレと前記温度検出用磁気ヘッドで検出した位相ズレとの差分と、他方の前記回転角検出用磁気ヘッドで検出した位相ズレと前記温度検出用磁気ヘッドで検出した位相ズレとの差分を算出し、両差分の平均値又は合計値にもとづいて、前記回転軸の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出することを特徴とする。
また、温度及び前記回転軸の回転角に応じて検出コイルのインダクタンスが変化する一対の回転角検出用磁気ヘッドと、温度に応じて検出コイルのインダクタンスが変化する温度検出用磁気ヘッドとを備え、前記一対の回転角検出用磁気ヘッドは、前記温度検出用磁気ヘッドを挟む状態で前記回転軸の軸方向に並ぶように配置され、前記検出回路は、一方の前記回転角検出用磁気ヘッドで検出した位相ズレと他方の前記回転角検出用磁気ヘッドで検出した位相ズレとの平均値を算出し、該平均値と前記温度検出用磁気ヘッドで検出した位相ズレとの差分にもとづいて、前記回転軸の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出することを特徴とする。
請求項1の発明によれば、回転軸の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を磁気的に検出するものでありながら、回転軸に薄膜パターンを成膜し、その磁気的な特性の変化を磁気ヘッドで読み取るように構成されるので、高速回転する回転軸であっても、回転バランスの崩れを懸念することなく適用できる。また、検出回路は、交流励磁波の位相ズレにもとづいて、回転軸の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出するにあたり、交流励磁回路が所定数の交流励磁波を出力するのに要した時間にもとづいて、蓄積された交流励磁波の位相ズレを検出するので、薄膜パターンの磁気特性の変化が微小であっても、その微小な変化を高精度に検出することができる。また、本発明の回転角検出装置は、回転軸の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出するので、応答性の低下を気にすることなく、上記の所定数を増やして検出精度の向上が図れるという利点がある。
また、請求項2の発明によれば、薄膜パターンがメッキ膜で形成されるので、回転軸と一体性の高い薄膜パターンを安価に構成することができる。
また、請求項3の発明によれば、薄膜パターンが回転軸の回転角に応じて軸方向の幅が変化するように形成され、その幅変化を、ギャップが軸方向に沿う状態で配置される磁気ヘッドで検出するので、薄膜パターンの幅変化を高精度に検出することができる。
また、請求項4の発明によれば、温度誤差をキャンセルすることができるので、温度変化に伴う検出精度の低下を回避することができる。
また、請求項5の発明によれば、回転軸の温度勾配に起因する誤差をキャンセルできるので、温度勾配による検出精度の低下を回避することができる。
また、請求項6の発明によれば、回転軸の温度勾配に起因する誤差をキャンセルできるので、温度勾配による検出精度の低下を回避することができる。
また、請求項2の発明によれば、薄膜パターンがメッキ膜で形成されるので、回転軸と一体性の高い薄膜パターンを安価に構成することができる。
また、請求項3の発明によれば、薄膜パターンが回転軸の回転角に応じて軸方向の幅が変化するように形成され、その幅変化を、ギャップが軸方向に沿う状態で配置される磁気ヘッドで検出するので、薄膜パターンの幅変化を高精度に検出することができる。
また、請求項4の発明によれば、温度誤差をキャンセルすることができるので、温度変化に伴う検出精度の低下を回避することができる。
また、請求項5の発明によれば、回転軸の温度勾配に起因する誤差をキャンセルできるので、温度勾配による検出精度の低下を回避することができる。
また、請求項6の発明によれば、回転軸の温度勾配に起因する誤差をキャンセルできるので、温度勾配による検出精度の低下を回避することができる。
まず、本発明の第一実施形態に係る回転角検出装置について、図1〜図8を参照して説明する。
これらの図に示される本発明の第一実施形態に係る回転角検出装置1は、回転軸2の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出する磁気式の回転角検出装置であって、回転軸2の表面に成膜される薄膜パターン3と、薄膜パターン3の対向位置に配置される検出コイルLと、検出コイルLを交流励磁する交流励磁回路4と、交流励磁回路4から出力される交流励磁波の位相ズレにもとづいて、回転軸2の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出する検出回路5とを備えて構成されている。
薄膜パターン3は、回転軸2の回転角に応じて磁気的な特性が変化するように回転軸2の表面に周方向に沿って成膜される。例えば、本実施形態の薄膜パターン3は、回転軸2の回転角に応じて軸方向の幅が変化するように形成されており、この幅変化を検出コイルLで検出することにより、回転軸2の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出することが可能になる。
薄膜パターン3は、回転軸2の表面と透磁率が異なるメッキ膜で形成されることが好ましい。例えば、回転軸2の表面が低透磁率である場合は、高透磁率であるニッケルメッキによって薄膜パターン3を成膜し、回転軸2の表面が高透磁率である場合は、低透磁率である銅メッキによって薄膜パターン3を成膜する。このようにすると、回転軸2と一体性の高い薄膜パターン3を安価に構成することが可能になる。
検出コイルLは、薄膜パターン3の対向位置に配置され、薄膜パターン3の磁気的な特性をインダクタンスの変化として検出する。そして、検出コイルLは、薄膜パターン3の磁気的な特性を高精度に検出するために、ギャップ6aを存してループ状の磁路を形成するコア6に巻装されて磁気ヘッド7を構成し、交流励磁回路4による励磁駆動に応じて、薄膜パターン3のギャップ近接領域を集中的に交流励磁しつつ、該領域の磁気的な特性をインダクタンスの変化として検出するようにしてある。
また、本実施形態のように、薄膜パターン3が回転軸2の回転角に応じて軸方向の幅が変化するように形成される場合、磁気ヘッド7は、ギャップ6aが軸方向に沿うように薄膜パターン3の対向位置に配置された状態で、薄膜パターン3の幅変化を検出することが好ましい(図3参照)。このようにすると、薄膜パターン3の幅変化を高精度に検出することが可能になる。
交流励磁回路4は、検出コイルLを交流励磁しつつ、検出コイルLのインダクタンス変化に応じて交流励磁波に位相ズレを生じさせるように構成されている。例えば、図4に示す交流励磁回路4は、所定の周波数で自律的に発振する発振回路(例えば、シュミット発振回路)で構成されており、その帰還回路に検出コイルLを配置することにより、検出コイルLのインダクタンス変化に応じて発振波に位相ズレを生じさせる。
また、図6に示す交流励磁回路4は、検出コイルLとコンデンサCとを直列又は並列に接続した共振回路(例えば、直列共振回路)で構成されており、所定数の駆動パルスを入力した後の共振動作(自由振動)で検出コイルLを交流励磁しつつ、検出コイルLのインダクタンス変化に応じて自由振動波に位相ズレを生じさせる。
検出回路5は、例えば、1チップマイコンなどを用いて構成されており、交流励磁回路4が所定数の交流励磁波を出力するのに要した時間にもとづいて、蓄積された交流励磁波の位相ズレを検出し、該蓄積された位相ズレにもとづいて、回転軸2の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出する。このような検出回路5によれば、薄膜パターン3の磁気特性の変化が微小であっても、その微小な変化を高精度に検出することができる。
例えば、図5や図7に示す波形は、一回の検出処理における交流励磁回路4の出力波形であって、交流励磁回路4が所定数「10」の交流励磁波を出力するのに要した時間T1、T2にもとづいて、蓄積された交流励磁波の位相ズレを検出する場合を示している。これらの図から明らかなように、一波分の位相ズレは小さいがが、10波分蓄積された位相ズレは十分に大きいので、薄膜パターン3の磁気特性の変化が微小であっても、その微小な変化を高精度に検出することが可能になる。しかも、回転角検出装置1は、回転軸2の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出するので、応答性の低下を気にすることなく、上記の所定数を増やして検出精度の向上が図れる。例えば、交流励磁回路4を100KHzで発振する発振回路で構成し、一回の検出期間を0.1秒とした場合、一万波分の位相ズレを蓄積することができる。
次に、検出回路5の具体的な検出処理手順について、図8を参照して説明する。
図8に示すように、検出回路5は、位相ズレ蓄積処理(S11)及び回転角算出処理(S12)を繰り返し実行する。位相ズレ蓄積処理は、交流励磁回路4が所定数の交流励磁波を出力するのに要した時間Tを計測する処理であり、例えば、時間計測用カウンタをクリアした後、所定数の交流励磁波をカウントし、このカウントが終了したタイミングで時間計測用カウンタのカウンタ値を取得する。
回転角算出処理は、計測した時間Tにもとづいて回転軸2の回転角θを算出する処理であり、例えば、回転軸2の一回転において、時間Tが最も小さくなる角度を0°(例えば、薄膜パターン3の最小幅位置)、その時間をTmin、また、時間Tが最も大きくなる角度を359°(例えば、薄膜パターン3の最大幅位置)、その時間をTmaxとした場合、計測した時間Tに対応する回転軸2の回転角θは、下記の式で求められる。
回転角θ={359/(Tmax−Tmin)}・T−{359/(Tmax−Tmin)}・Tmin
回転角θ={359/(Tmax−Tmin)}・T−{359/(Tmax−Tmin)}・Tmin
尚、Tmax及びTminは、回転角検出装置1の組立後に測定して記憶保持することが好ましい。また、Tmax及びTminを測定するキャリブレーション処理を定期的に行い、Tmax及びTminを随時更新するようにしてもよい。
叙述の如く構成された本実施形態によれば、回転軸2の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出する磁気式の回転角検出装置1であって、回転角に応じて磁気的な特性が変化するように回転軸2の表面に周方向に沿って成膜される薄膜パターン3と、薄膜パターン3の対向位置に配置され、薄膜パターン3の磁気的な特性をインダクタンスの変化として検出する検出コイルLと、検出コイルLを交流励磁しつつ、検出コイルLのインダクタンス変化に応じて交流励磁波に位相ズレを生じさせる交流励磁回路4と、交流励磁回路4から出力される交流励磁波の位相ズレを検出し、該位相ズレにもとづいて、回転軸2の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出する検出回路5とを備え、検出コイルLは、ギャップ6aを存してループ状の磁路を形成するコア6に巻装されて磁気ヘッド7を構成し、交流励磁回路4による励磁駆動に応じて、薄膜パターン3のギャップ部近接領域を集中的に交流励磁しつつ、該領域の磁気的な特性をインダクタンスの変化として検出し、検出回路5は、交流励磁回路4が所定数の交流励磁波を出力するのに要した時間にもとづいて、蓄積された交流励磁波の位相ズレを検出し、該蓄積された位相ズレにもとづいて、回転軸2の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出するので、高速回転する回転軸であっても、回転バランスの崩れを懸念することなく適用できる。また、検出回路5は、蓄積された交流励磁波の位相ズレを検出するので、薄膜パターン3の磁気特性の変化が微小であっても、その微小な変化を高精度に検出することができる。また、回転角検出装置1は、回転軸2の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出するので、応答性の低下を気にすることなく、上記の所定数を増やして検出精度の向上が図れるという利点がある。
また、薄膜パターン3は、回転軸2の表面と透磁率が異なるメッキ膜で形成されており、磁気ヘッド7は、回転軸2の表面における透磁率の変化を検出コイルLのインダクタンスの変化として検出するので、回転軸2と一体性の高い薄膜パターン3を安価に構成することができる。
また、薄膜パターン3は、回転軸2の回転角に応じて軸方向の幅が変化し、磁気ヘッド7は、ギャップ6aが軸方向に沿う状態で薄膜パターン3の対向位置に配置され、薄膜パターン3の幅変化を検出するので、薄膜パターン3の幅変化を高精度に検出することができる。
次に、本発明の第二実施形態に係る回転角検出装置1Bについて、図9〜図11を参照して説明する。
これらの図に示すように、本発明の第二実施形態に係る回転角検出装置1Bは、温度及び回転軸2の回転角に応じて検出コイルLのインダクタンスが変化する回転角検出用磁気ヘッド7Aと、温度に応じて検出コイルLのインダクタンスが変化する温度検出用磁気ヘッド7Bとを備え、検出回路5は、回転角検出用磁気ヘッド7Aで検出した位相ズレと温度検出用磁気ヘッド7Bで検出した位相ズレとの差分にもとづいて、回転軸2の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出する点が前記実施形態と相違している。このようにすると、温度誤差をキャンセルすることができるので、温度変化に伴う検出精度の低下を回避することができる(図10参照)。以下、回転角検出装置1Bの具体的な構成について説明する。
本発明の第二実施形態に係る回転角検出装置1Bは、軸方向に所定の間隔を存して並列する第一薄膜パターン3a及び第二薄膜パターン3bを備えている。第一薄膜パターン3aは、第一実施形態の薄膜パターン3と同様に、回転軸2の回転角に応じて軸方向の幅が変化するように形成されており、第二薄膜パターン3bは、回転軸2の回転角に応じて軸方向の幅が変化しないように均一幅の帯状に形成されている。そして、第一薄膜パターン3aの対向位置には、回転角検出用磁気ヘッド7Aが配置され、第二薄膜パターン3bの対向位置には、温度検出用磁気ヘッド7Bが配置される。
図11に示すように、第二実施形態の検出回路5は、回転角検出用磁気ヘッド7Aに係る位相ズレ蓄積処理(S21)、温度検出用磁気ヘッド7Bに係る位相ズレ蓄積処理(S22)、差分算出処理(S23)、及び回転角算出処理(S24)を繰り返し実行する。
各磁気ヘッド7A、7Bに係る位相ズレ蓄積処理は、各磁気ヘッド7A、7Bを交流励磁する際に交流励磁回路4が所定数の交流励磁波を出力するのに要した時間TA、TBを計測する処理である。各磁気ヘッド7A、7Bに係る位相ズレ蓄積処理は、各磁気ヘッド7A、7Bの磁気的な相互干渉を回避するために、時間をずらして実行される。
差分算出処理は、測定した時間TAと時間TBの差分TSを算出する処理である。これにより、温度変化に伴う測定誤差がキャンセルされる。
差分算出処理は、測定した時間TAと時間TBの差分TSを算出する処理である。これにより、温度変化に伴う測定誤差がキャンセルされる。
回転角算出処理は、算出した差分TSにもとづいて回転軸2の回転角θを算出する処理であり、例えば、回転軸2の一回転において、差分TSが最も小さくなる角度を0°(例えば、薄膜パターン3の最大幅位置)、その差分をTSmin、また、差分TSが最も大きくなる角度を359°(例えば、薄膜パターン3の最少幅位置)、その差分をTSmaxとした場合、算出した差分TSに対応する回転軸2の回転角θは、下記の式で求められる。
回転角θ={359/(TSmax−TSmin)}・TS−{359/(TSmax−TSmin)}・TSmin
回転角θ={359/(TSmax−TSmin)}・TS−{359/(TSmax−TSmin)}・TSmin
次に、本発明の第三実施形態に係る回転角検出装置1Cについて、図12〜図14を参照して説明する。
これらの図に示すように、本発明の第三実施形態に係る回転角検出装置1Cは、温度及び回転軸2の回転角に応じて検出コイルLのインダクタンスが変化する一対の回転角検出用磁気ヘッド7Aと、温度に応じて検出コイルLのインダクタンスが変化する温度検出用磁気ヘッド7Bとを備え、一対の回転角検出用磁気ヘッド7Aは、温度検出用磁気ヘッド7Bを挟む状態で回転軸2の軸方向に並ぶように配置され、検出回路5は、一方の回転角検出用磁気ヘッド7Aで検出した位相ズレと温度検出用磁気ヘッド7Bで検出した位相ズレとの差分と、他方の回転角検出用磁気ヘッド7Aで検出した位相ズレと温度検出用磁気ヘッド7Bで検出した位相ズレとの差分を算出し、両差分の平均値又は合計値にもとづいて、回転軸2の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出する点が前記実施形態と相違している。このようにすると、回転軸2の温度が均一ではなく、いずれかの方向に温度勾配があったとしても、当該温度勾配に起因する誤差をキャンセルできるので、温度勾配による検出精度の低下を回避することができる(図13参照)。
尚、検出回路5は、一方の回転角検出用磁気ヘッド7Aで検出した位相ズレと他方の回転角検出用磁気ヘッド7Aで検出した位相ズレとの平均値を算出し、該平均値と温度検出用磁気ヘッド7Bで検出した位相ズレとの差分にもとづいて、回転軸2の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出するようにしてもよい。このようにしても、当該温度勾配に起因する誤差をキャンセルし、温度勾配による検出精度の低下を回避することができる。以下、回転角検出装置1Cの具体的な構成について説明する。
本発明の第三実施形態に係る回転角検出装置1Cは、軸方向に所定の間隔を存して並列する第一〜第三の薄膜パターン3a〜3cを備えている。第一薄膜パターン3a及び第三薄膜パターン3cは、第一実施形態の薄膜パターン3と同様に、回転軸2の回転角に応じて軸方向の幅が変化するように形成されており、回転角に応じた軸方向の幅は同一となるように設定されている。また、第一薄膜パターン3aと第三薄膜パターン3cとの間に形成される第二薄膜パターン3bは、回転軸2の回転角に応じて軸方向の幅が変化しないように均一幅の帯状に形成されている。そして、第一薄膜パターン3aと第三薄膜パターン3cの対向位置には、それぞれ回転角検出用磁気ヘッド7Aが配置され、第二薄膜パターン3bの対向位置には、温度検出用磁気ヘッド7Bが配置される。
図14に示すように、第三実施形態の検出回路5は、一方の回転角検出用磁気ヘッド7Aに係る位相ズレ蓄積処理(S31)、他方の回転角検出用磁気ヘッド7Aに係る位相ズレ蓄積処理(S32)、温度検出用磁気ヘッド7Bに係る位相ズレ蓄積処理(S33)、差分算出処理(S34)、平均値算出処理(S35)、及び回転角算出処理(S36)を繰り返し実行する。
各磁気ヘッド7A、7Bに係る位相ズレ蓄積処理は、各磁気ヘッド7A、7Bを交流励磁する際に交流励磁回路4が所定数の交流励磁波を出力するのに要した時間TA1、TA2、TBを計測する処理である。各磁気ヘッド7A、7Bに係る位相ズレ蓄積処理は、各磁気ヘッド7A、7Bの磁気的な相互干渉を回避するために、時間をずらして実行される。
差分算出処理は、測定した時間TA1と時間TBの差分TS1と、時間TA2と時間TBの差分TS2とを算出する処理である。
平均値算出処理は、差分TS1と差分TS2の平均値TSHを算出する処理である。これにより、温度勾配に起因する測定誤差がキャンセルされる。尚、平均値TSHに代えて差分合計値TSGを算出してもよい。
平均値算出処理は、差分TS1と差分TS2の平均値TSHを算出する処理である。これにより、温度勾配に起因する測定誤差がキャンセルされる。尚、平均値TSHに代えて差分合計値TSGを算出してもよい。
回転角算出処理は、算出した差分平均値TSHにもとづいて回転軸2の回転角θを算出する処理であり、例えば、回転軸2の一回転において、差分平均値TSHが最も小さくなる角度を0°(例えば、薄膜パターン3の最大幅位置)、その差分をTSHmin、また、差分平均値TSHが最も大きくなる角度を359°(例えば、薄膜パターン3の最少幅位置)、その差分をTSHmaxとした場合、算出した差分平均値TSHに対応する回転軸2の回転角θは、下記の式で求められる。
回転角θ={359/(TSHmax−TSHmin)}・TSH−{359/(TSHmax−TSHmin)}・TSHmin
回転角θ={359/(TSHmax−TSHmin)}・TSH−{359/(TSHmax−TSHmin)}・TSHmin
尚、差分合計値TSGに対応する回転軸2の回転角θは、下記の式で求められる。
回転角θ={359/(TSGmax−TSGmin)}・TSG−{359/(TSGmax−TSGmin)}・TSGmin
回転角θ={359/(TSGmax−TSGmin)}・TSG−{359/(TSGmax−TSGmin)}・TSGmin
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されず、特許請求の範囲内で適宜変更可能であることは言うまでもない。
例えば、前記実施形態では、回転軸の静止時の絶対的な角度を検出しているが、角度範囲を検出するようにしてもよい。角度範囲を検出する場合は、例えば、図15の(a)に示すように、回転軸の回転角に応じて薄膜パターンの幅を段階的に変化させればよい。
また、前記の第二実施形態や第三実施形態では、軸方向に所定の間隔を存して複数の薄膜パターンを形成しているが、図15の(b)や(c)に示すように、複数の薄膜パターンを一体的に形成してもよい。このようにすると、薄膜パターンを成膜する際のマスキングが容易になるという利点がある。
例えば、前記実施形態では、回転軸の静止時の絶対的な角度を検出しているが、角度範囲を検出するようにしてもよい。角度範囲を検出する場合は、例えば、図15の(a)に示すように、回転軸の回転角に応じて薄膜パターンの幅を段階的に変化させればよい。
また、前記の第二実施形態や第三実施形態では、軸方向に所定の間隔を存して複数の薄膜パターンを形成しているが、図15の(b)や(c)に示すように、複数の薄膜パターンを一体的に形成してもよい。このようにすると、薄膜パターンを成膜する際のマスキングが容易になるという利点がある。
1 回転角検出装置
2 回転軸
3 薄膜パターン
4 交流励磁回路
5 検出回路
6a ギャップ
6 コア
7 磁気ヘッド
7A 回転角検出用磁気ヘッド
7B 温度検出用磁気ヘッド
L 検出コイル
2 回転軸
3 薄膜パターン
4 交流励磁回路
5 検出回路
6a ギャップ
6 コア
7 磁気ヘッド
7A 回転角検出用磁気ヘッド
7B 温度検出用磁気ヘッド
L 検出コイル
Claims (6)
- 回転軸の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出する磁気式の回転角検出装置であって、
回転角に応じて磁気的な特性が変化するように前記回転軸の表面に周方向に沿って成膜される薄膜パターンと、
前記薄膜パターンの対向位置に配置され、前記薄膜パターンの磁気的な特性をインダクタンスの変化として検出する検出コイルと、
前記検出コイルを交流励磁しつつ、前記検出コイルのインダクタンス変化に応じて交流励磁波に位相ズレを生じさせる交流励磁回路と、
前記交流励磁回路から出力される交流励磁波の位相ズレを検出し、該位相ズレにもとづいて、前記回転軸の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出する検出回路とを備え、
前記検出コイルは、
ギャップ部を存してループ状の磁路を形成するコアに巻装されて磁気ヘッドを構成し、前記交流励磁回路による励磁駆動に応じて、前記薄膜パターンのギャップ部近接領域を集中的に交流励磁しつつ、該領域の磁気的な特性をインダクタンスの変化として検出し、
前記検出回路は、
前記交流励磁回路が所定数の交流励磁波を出力するのに要した時間にもとづいて、蓄積された交流励磁波の位相ズレを検出し、該蓄積された位相ズレにもとづいて、前記回転軸の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出する
ことを特徴とする回転角検出装置。 - 前記薄膜パターンは、前記回転軸の表面と透磁率が異なるメッキ膜で形成されており、
前記磁気ヘッドは、前記回転軸の表面における透磁率の変化を前記検出コイルのインダクタンスの変化として検出する
ことを特徴とする請求項1記載の回転角検出装置。 - 前記薄膜パターンは、前記回転軸の回転角に応じて軸方向の幅が変化し、
前記磁気ヘッドは、ギャップが軸方向に沿う状態で前記薄膜パターンの対向位置に配置され、前記薄膜パターンの幅変化を検出する
ことを特徴とする請求項1又は2記載の回転角検出装置。 - 温度及び前記回転軸の回転角に応じて検出コイルのインダクタンスが変化する回転角検出用磁気ヘッドと、
温度に応じて検出コイルのインダクタンスが変化する温度検出用磁気ヘッドとを備え、
前記検出回路は、前記回転角検出用磁気ヘッドで検出した位相ズレと前記温度検出用磁気ヘッドで検出した位相ズレとの差分にもとづいて、前記回転軸の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出する
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の回転角検出装置。 - 温度及び前記回転軸の回転角に応じて検出コイルのインダクタンスが変化する一対の回転角検出用磁気ヘッドと、
温度に応じて検出コイルのインダクタンスが変化する温度検出用磁気ヘッドとを備え、
前記一対の回転角検出用磁気ヘッドは、前記温度検出用磁気ヘッドを挟む状態で前記回転軸の軸方向に並ぶように配置され、
前記検出回路は、一方の前記回転角検出用磁気ヘッドで検出した位相ズレと前記温度検出用磁気ヘッドで検出した位相ズレとの差分と、他方の前記回転角検出用磁気ヘッドで検出した位相ズレと前記温度検出用磁気ヘッドで検出した位相ズレとの差分を算出し、両差分の平均値又は合計値にもとづいて、前記回転軸の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出する
ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の回転角検出装置。 - 温度及び前記回転軸の回転角に応じて検出コイルのインダクタンスが変化する一対の回転角検出用磁気ヘッドと、
温度に応じて検出コイルのインダクタンスが変化する温度検出用磁気ヘッドとを備え、
前記一対の回転角検出用磁気ヘッドは、前記温度検出用磁気ヘッドを挟む状態で前記回転軸の軸方向に並ぶように配置され、
前記検出回路は、一方の前記回転角検出用磁気ヘッドで検出した位相ズレと他方の前記回転角検出用磁気ヘッドで検出した位相ズレとの平均値を算出し、該平均値と前記温度検出用磁気ヘッドで検出した位相ズレとの差分にもとづいて、前記回転軸の静止時の絶対的な角度又は角度範囲を検出する
ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の回転角検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010272083A JP2012122780A (ja) | 2010-12-07 | 2010-12-07 | 回転角検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2010272083A JP2012122780A (ja) | 2010-12-07 | 2010-12-07 | 回転角検出装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012122780A true JP2012122780A (ja) | 2012-06-28 |
Family
ID=46504374
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2010272083A Pending JP2012122780A (ja) | 2010-12-07 | 2010-12-07 | 回転角検出装置 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2012122780A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US11054436B2 (en) | 2018-07-27 | 2021-07-06 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Apparatus for sensing rotating device |
US20220074731A1 (en) * | 2020-09-07 | 2022-03-10 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Rotor apparatus with effective identification of angular position and electronic device |
KR20220048808A (ko) | 2020-10-13 | 2022-04-20 | 삼성전기주식회사 | 각위치 식별 효율을 고려한 회전체 장치 및 전자기기 |
KR20220117496A (ko) | 2021-02-17 | 2022-08-24 | 삼성전기주식회사 | 회전체 장치 및 회전체 각위치 검출 장치 |
KR20220117495A (ko) | 2021-02-17 | 2022-08-24 | 삼성전기주식회사 | 회전체 장치 및 회전체 각위치 검출 장치 |
-
2010
- 2010-12-07 JP JP2010272083A patent/JP2012122780A/ja active Pending
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