JP2012118342A - 半導体装置および電気装置 - Google Patents

Abstract

【課題】薄くて軽く、薄厚化および狭額縁化などによる小型化や軽量化、さらには高堅牢性（高信頼性）を実現することのできる半導体装置および電気装置を提供する。
半導体装置および電気装置を提供する。
【解決手段】本発明の電気光学装置１００は、フレキシブル性を有する第１基板３０と、第１基板３０上に形成される複数の画素電極３５と、第１基板３０内に埋め込まれた少なくとも１つのドライバＩＣ８９と、ドライバＩＣ８９と画素電極３５とが接続配線２２を介して接続されていることを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置および電気装置に関するものである。

近年、液晶装置、有機ＥＬ表示装置、電気泳動表示装置等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の一般的な構成は、特許文献１，２に記載されており、リジットなガラス基板からなる素子基板上にＴＦＴのアクティブマトリクスが形成され、この素子基板上に駆動回路が実装されたフレキシブル基板（以下、ＦＰＣとも言う）が接続されている。

図２５（ａ）に示す構造では、素子基板６００の３辺に、走査線駆動回路６１、データ線駆動回路６２および共通電源回路６４をそれぞれ実装する３つの接続基板６０１が接続されており、これら各接続基板６０１を素子基板６００の裏面側に折り曲げて使用するのが通常である。しかしながら、装置の厚みが増す、接続基板６０１を接続するための額縁エリアが必要になる、といった課題が存在する。一般に、額縁の広さは３〜５ｍｍ程度である。

また、額縁エリアを小さくするために液晶装置などでは、内蔵ドライバを備えた構成が実用化されている。図２５（ｂ）に示すように、表示部５を駆動させるための走査線駆動回路６１、データ線駆動回路６２および共通電源回路６４が、素子基板６００を構成する基板６００Ａの表面に形成されている。このような基板６００Ａの一辺には上記した内蔵ドライバを駆動するための外部回路基板６０２が接続基板６０１を介して接続されている。

内蔵ドライバを構成するＴＦＴとして低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）ＴＦＴを用いたとしても、移動度が１００ｍ^２／Ｖ／ｓｅｃの素子であることから、内蔵ドライバを作り込むためには表示エリアの各辺に数ｍｍ程度のデッドスペースが必要となる。
さらに、図２５（ａ）、（ｂ）では基板６００Ａの少なくとも一辺には接続基板２０１、６０１を介して外部回路基板６０２が接続されており、これら各接続基板６０１を素子基板６００の裏面側に折り曲げて使用するため、上述したようにこれが装置の厚み、重さ等を削減することに関して弊害となっている。

特開２００７−２４９２３１号公報 特許４３６６７４３号公報 特開２００６−５０８４０６号公報 特表２００４−５１８９９４号公報 特許３５５１１９４号公報 特許４１８９８８７号公報

また、まだ実用化されてはいないが、サフトラ（Ｓｕｆｔｌａ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｆｒｅｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｂｙ Ｌａｓｅｒ Ａｂｌａｔｉｏｎ）技術やＥＰＬａＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ｏｎ． Ｐｌａｓｔｉｃ ｂｙ Ｌａｓｅｒ Ｒｅｌｅａｓｅ）技術には次のような課題がある。

現在は、ガラス基板のように剛性の高い素子基板に圧着させることによってフレキシブル基板を接続している。このような実装を、可撓性を有する素子基板に対して行おうとすると、接続基板６０１を接続した直後や使用中にも接続不良が生じて断線などの欠陥が多発することになり、信頼性の点で課題がある。

特許文献３では、金属箔基板として絶縁性ポリマーをコアとしたフレキシブル性を有する基板を用いているが、上記額縁の課題を解決するものではない。

また、特許文献４，５では素子基板の表面に駆動回路が実装されているが、取り扱いを考えるとＩＣの接続信頼性等、実用上の課題が存在する。このような基板の最表面にＩＣが接続されてはいるものの、駆動回路上に直接薄膜の有機ＥＬを形成している。このため、駆動回路の接続信頼性を改善するものではなく、堅牢性の点でも課題がある。また、特許文献６では、ＩＣが基板の裏面側に露出した状態で実装されていたり、ＩＣがリジットな熱拡散器で覆われていたりするため、フレキシブル性に課題がある。

本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、薄厚化および狭額縁化などによる軽量化や小型化、さらには湾曲した状態で使用する場合でも高堅牢性（高信頼性）を実現することのできる半導体装置および電気装置を提供することを目的の一つとしている。

本発明の半導体装置は、フレキシブル性を有する基板と、前記基板の表面に形成された複数の第１電極と、前記基板内に埋め込まれた少なくとも１つの電子部品と、前記電子部品と前記複数の第１電極とが第１接続配線を介してそれぞれ接続されていることを特徴とする。

これによれば、基板内に第１電極を駆動するための電子部品が埋め込まれているので、従来の接続基板が不要になり薄くて軽い半導体装置が得られる。また、基板内に埋め込まれた電子部品と基板の表面に形成された複数の第１電極とは、基板内に埋め込まれた第１接続配線を介して接続されている。このため、これらの接続信頼性が改善されるとともに断線などの欠陥も低減する。これにより、高堅牢性が得られて信頼性が向上する。さらに、電子部品が第１接続配線を介して各第１電極に直接接続されているので、第１電極に対して電圧を印加するためにスイッチング動作を行うスイッチング素子が不要になる。これにより、構成が簡略化されて製造が容易になる。

また、前記基板が、積層された複数の基材からなり、前記複数の基材どうしの間に前記電子部品と前記第１接続配線とが配置されている構成としてもよい。
これによれば、複数の第１電極と電子部品とをそれぞれ接続する第１接続配線どうしの配設が容易になる。

また、前記電子部品の少なくとも一部が前記第１電極と平面視において重なっている構成としてもよい。
これによれば、半導体装置の小型化を実現できる。

また、複数の前記電子部品が前記基板内に等間隔で配置されている構成としてもよい。
これによれば、複数の電子部品がランダムに配置された場合と比べて、半導体装置のフレキシブル性を確保することができる。

また、複数の前記電子部品同士の配置間隔が、各電子部品の１辺の長さの１倍以上、好ましくは前記１辺の３倍以上となっている構成としてもよい。
これによれば、電子部品によって電子部品内蔵基板の湾曲が阻害されてしまうことを防止できる。これにより、薄膜トランジスタ形成用基板を、例えば文房具の下敷きのように緩やかに湾曲させて使用することが可能になるので、汎用性が高まる。また、上記配置間隔を各電子部品の１辺長さの３倍以上とすることによって、よりフレキシブル性を高めることができる。

また、前記複数の電極の形状および面積が同一であるとともにそれぞれが等間隔に配置されている構成としてもよい。
これによれば、複数の第１電極の形状および面積が同一である構成とすることによって、第１電極を形成する際そのパターニングが容易になる。また、等間隔に配置された電極と電子部品とを接続するための第１接続配線の引き廻しが容易になる。

本発明の電気装置は、フレキシブル性または伸縮性を有する素子基板と、フレキシブル性または伸縮性を有するとともに前記素子基板上に対向配置された対向基板と、前記素子基板および前記対向基板との間に配置された機能素子と、を備え、前記対向基板は前記機能素子側に対向電極を有し、前記素子基板が先に記載の半導体装置からなり、前記素子基板は前記機能素子側の面に前記複数の第１電極を有し、前記複数の第１電極には、前記対向電極との間で前記機能素子を駆動するための電圧が前記電子部品より供給される構成としてもよい。

これによれば、素子基板が本発明の半導体装置からなり、電子部品が基板内に埋め込まれているので、従来、外部回路を接続するために用いられていた接続基板が不要になり、機能エリアを拡大できて狭額縁化が実現される。これにより、薄くて軽い電気装置が得られる。また、基板内に埋め込まれた電子部品が第１接続配線を介して表面に配置された各第１電極に直接接続されているので、第１電極に対して電圧を印加するためにスイッチング動作を行うスイッチング素子等が不要になる。
また、素子基板が電子部品を内蔵した構成とされているので、電気装置を湾曲させた（折り曲げた）状態で使用する場合にも電子部品を良好に保持することができる。このため、高信頼性を実現することができる。

また、前記機能素子が、複数の画素からなる表示部を有した表示素子である構成としても良い。
これによれば、電気装置として、狭額縁化が実現された薄くて軽い表示装置が得られる。

また、前記電子部品が、前記複数の第１電極に対して一括して電圧の印加を行う、あるいは前記複数の第１電極に対して順次電圧の印加を行う構成としてもよい。
これによれば、複数の第１電極に対して一括して電圧の印加を行うことにより、例えば画面の書き換えに要する時間を短縮することができる。

また、１画素内に配置された前記複数の第１電極どうしが前記第１接続配線を介して相互に接続されて前記電子部品の第１出力端子に接続されている構成としてもよい。
これによれば、電気装置が表示装置である場合には、対向基板側から視認したときの表示ドットの大きさを小さくすることができるので明るく高精細な表示が可能となる。このドットの大きさ、つまり画素電極の大きさで階調を調整することができる。

また、１画素内に前記複数の第１電極とは独立して駆動される複数の第２電極をさらに有し、前記複数の第２電極どうしが第２接続配線を介して相互に接続されて前記電子部品の第２出力端子に接続されている構成としてもよい。
これによれば、１画素内に設けられた複数の第１電極と複数の第２電極とは互いに独立して駆動されるので、電気装置が表示装置である場合には、画面の明度、彩度、色彩の全てあるいはこのうちの少なくとも１つを制御することができ、良好な表示が行えるようになる。

また、少なくとも前記第１電極の周囲に反射膜が設けられている構成としてもよい。
これによれば、反射膜によって外光を反射させることにより、明るく良好な表示を行うことのできる表示装置が得られる。

また、前記反射膜に対して電位の入力が可能に構成されていてもよい。
これによれば、電気装置が表示装置である場合には、画面の明度、彩度、色彩の全てあるいはこのうちの少なくとも１つを制御することができ、良好な表示が行えるようになる。

また、前記素子基板の前記機能素子とは反対側の面に前記電子部品と接続される外部接続端子を有し、前記対向基板の少なくとも一部が前記素子基板の前記機能素子とは反対側の面上に延出されてなる延出部と前記外部接続端子とが上下導通部を介して接続されている構成としてもよい。
これによれば、上下導通部を介して対向基板側に所定の電圧が印加されるようになっている。素子基板の表面に上下導通部を設けなくて済むので、素子基板上に機能素子の配置スペースの他に上下導通部の形成スペースを確保する必要がなくなる。このため、例えば表示装置として用いられる場合、表示エリアを広く確保することができる。

また、前記複数の第１電極との間で保持容量を構成する保持容量線が前記基板内に埋め込まれており、前記保持容量線には、各第１電極に接続される前記第１接続配線を挿通させるための挿通孔が形成されている構成としてもよい。
これによれば、各第１電極と保持容量線との間で保持容量を形成することができるので、機能素子（表示素子）として電気泳動表示素子を用いた場合に、画面の書き換え回数を削減できるとともに、書き換え時間を短縮することができる。

また、前記基板を構成する複数の基材のうち、いずれか一つが耐湿性を有している構成としてもよい。
これによれば、機能素子に対する耐湿性を高めることができるので、リーク電流の増加を防止して消費電力を低減させることができる。

また、前記素子基板を構成する複数の基材のうち、少なくともいずれか一つの厚さ方向の一方の面に耐湿層が設けられている構成としても良い。
これによれば、機能素子に対する耐湿性を高めることができるので、リーク電流の増加を防止して消費電力を低減させることができる。

（ａ）は、本発明の第１実施形態である電気光学装置の全体構成を示す平面図、図１（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図。 素子基板の要部（図１（ａ）のＣで囲んだ領域）を拡大して示す平面図。 図２のＢ−Ｂ線に沿う断面図。 第１基板内に埋め込まれたドライバＩＣの大きさとその配置状態を示す図。 電気光学装置の一例として電気泳動表示装置の概略構成を示す部分断面図であって、（ａ）はカプセルタイプ、（ｂ）は仕切りなしタイプを示す図。 電気光学装置の一例として液晶装置の概略構成を示す部分断面図。 （ａ）は、耐湿性基板を備えた素子基板の概略構成を示す部分断面図、（ｂ）は防湿層を備えた素子基板の概略構成を示す部分断面図。 （ａ）〜（ｄ）は、表示部およびドライバＩＣのレイアウト例を示す図。 第２実施形態の電気光学装置（電気泳動表示装置）の要部を拡大して示す部分断面図。 （ａ）〜（ｄ）は、素子基板の裏面側における上下導通部の配置例を示す平面図。 画素毎に保持容量が備えられた素子基板の要部を拡大して示す平面図。 図１１のＣ−Ｃ線に沿う断面図。 第３実施形態の電気光学装置の概略構成を示す部分拡大断面図。 素子基板上における１画素における構成を中心に示す平面図。 反射電極を備えた構成例を示す図。 反射電極上に保護層を備えた構成例を示す断面図。 上記した素子基板を備えた１粒子系の電気泳動表示装置における１画素の等価回路図。 （ａ）〜（ｃ）は、表示色ごとの粒子の分布状態を示す断面図。 第５実施形態の電気泳動表示装置の１画素における概略構成を示す平面図。 １画素における画素回路図。 （ａ）〜（ｄ）は、表示色ごとの粒子の分布状態を示す断面図。 １画素における画素電極と接続配線との構成例を示す平面図。 ロボットの指先に感圧センサーが設けられた例を示す図。 感圧センサーの構成を示す断面図。 従来における電気光学装置（素子基板）の構成を示す平面図。

以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。

（第１実施形態）
図１（ａ）は、本発明の電気装置の一実施形態である電気光学装置の全体構成を示す平面図、図１（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施形態の電気光学装置（電気装置）１００は、ともにフレキシブル性を有する素子基板（半導体装置）３００および対向基板３１０と、これらの間に挟持される電気光学素子（機能素子）３２とにより構成されている。これら素子基板３００と対向基板３１０とが重なる領域には複数の画素４０がマトリクス状に配列された表示部（機能エリア）５が形成されている。また、表示部５の外側の領域、すなわち対向基板３１０よりも外側に張り出した素子基板３００上には、接続基板２０１を介して外部回路基板２０２が接続されている。

本実施形態においては、素子基板３００を構成する第１基板３０の内部に、各画素４０に対応して等間隔に配列されたドライバＩＣ（電子部品）８９が多数埋め込まれている。このドライバＩＣ８９は画素４０の配列に対応してｍ×ｎのマトリクス状に配置されており、各画素４０を個別に駆動できるように作成されている。ここで、表示できる画素数は１００×１００である。ドライバＩＣ８９は、表面に、１００×１００のマトリクス画素に対応する多数の出力端子８９ａ（図２）を有する。ドライバＩＣ８９の出力端子８９ａは、第１基板３０の内部に形成された接続配線（第１接続配線）２２によって第１基板３０の表面３０ａに形成された画素電極（第１電極）３５に直接接続されている。このように、スイッチング素子などを介さずにドライバＩＣ８９と画素電極３５とを直接接続する構成にすることで、画素電極３５を直接駆動できるようになっている。

各ドライバＩＣ８９は、外部回路基板２０２に実装された外部回路から入力される信号に基づいてコントロールされ、複数の画素電極３５に対して一括して電圧の印加を行う一括書込動作、あるいは複数の画素電極３５に対して順次電圧の書き込みを行う順次書込動作を行うことによって、画面の書き換えを実施する。ここで、複数の画素電極３５に対して一括書込動作を実施することによって、画面の切り替えに要する時間を短縮できる。
また、図示はしていないが、ドライバＩＣ８９と外部回路を接続する配線も同様に所定の位置に埋め込まれている。

対向基板３１０は、フレキシブル性を有するＰＥＴ材料からなる第２基板３１と、第２基板３１の電気光学素子（表示素子）３２側の面に形成された対向電極３７とを有して構成されている。対向基板３１０はこれを通して電気光学素子３２を観察する。このため透明である。
電気光学素子３２の材料としては、電気泳動材料、液晶材料などが挙げられる。

次に、画素電極とドライバＩＣとの構成を中心に述べる。
図２は、素子基板の要部を拡大して示す平面図であって、ここでは、図１（ａ）のエリアＣの部分（５×５画素の領域）を拡大して示している。図３は、図２のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
図２に示すように、５×５画素ごとに１つのドライバＩＣ８９が対応しており、５×５画素の中心となる画素電極３５（３５０）の真下、つまり、画素電極３５０と平面視で重なる位置にドライバＩＣ８９が配置されている。ドライバＩＣ８９は、表示部５（図１）と平面視で重なる領域に配置されていれば、いずれの画素電極３５と重なる位置に配置されていてもよい。複数の画素電極にわたって配置しても良い。また、ドライバＩＣ８９の全体が表示部５と重なる領域に配置されていなければならないのではなく、一部分でも表示部５と重なる領域に配置されていればよい。

ドライバＩＣ８９は、その表面に設けられた各出力端子８９ａに、各画素４０に設けられた画素電極３５が接続配線２２を介して接続されている。複数の画素電極３５は平面視矩形状を呈し、互いの面積が同一となっている。これは第１基板３０上に等間隔に配置されており、これら画素電極３５および接続配線２２はＣｕにより構成されている。

図３に示すように、素子基板３００を構成する第１基板３０は複数の基材から構成されている。具体的には、フレキシブル性を有するポリイミド材料からなる４つの基材３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ、３０Ｄが積層されてなる。第１基板３０の最下層に配置された基材３０Ａの表面（基材３０Ｂ側の面）側には上記したドライバＩＣ８９が埋め込まれている。基材３０Ａ上に積層された基材３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄの内部には、ドライバＩＣ８９の出力端子８９ａと、第１基板３０の表面３０ａ（基材３０Ｄの表面）上に配置された画素電極３５とを接続させるための接続配線２２が多数埋め込まれている。各接続配線２２は各基材３０Ｂ〜３０Ｄの厚さ方向を貫通する２つのスルーホールＨと接続部２２ｃとを介して構成され、出力端子８９ａから画素電極３５にかけて配設されている。ここで、ドライバＩＣ８９とその真上に位置する画素電極３５とは、１つのスルーホールＨからなる接続配線２２によって接続されている。

接続配線２２は互いに接触することのないように、適宜、異なる基材上に形成されるとともに、接続配線２２どうしが平面視で互いに重なることのないように配設されている。ここで、接続配線２２は、画素電極３５（画素４０）どうしの間になるべく位置しないように配設されている。上述したように、本実施形態では第１基板３０が多数の基材３０Ａ〜３０Ｅからなる多層基板構造とされており、このような構成とすることで、接続配線２２どうしを同一平面内でなるべく重ならないように配設させることが可能になる。これにより、接続配線２２間の寄生容量を減少させ、クロストークの発生を防止できるようになる。

なお、図示してはいないが、共通電位線も同様に、第１基板３０内の所定の位置に埋め込むことができる。それは保持容量線６９としても機能し、対向基板３１０側に形成される対向電極３７に接続されてもよいし、独立電位を有しても良い。

素子基板３００および対向基板３１０を構成する第１基板３０及び第２基板３１の材料として、フレキシブル性を有したポリイミドやＰＥＴ材料を用いている。フレキシブル性を有する材料は、一般に有機材料であり、熱膨張係数がリジットな無機材料よりも約１桁程度大きく、熱伝導係数が１桁程度小さい。このため、素子基板３００が発熱すると熱が蓄積されやすく、基板が伸びてしまう。その結果、電気光学装置に反りが生じてしまうことになる。さらに、反りが生じている電気光学装置を湾曲させた状態で使用すると、別の不具合も生じてくる。例えば、ドライバＩＣ８９および画素電極３５と接続配線２２との接続不良、接続配線２２の断線等である。

従来、エレクトロルミネッセンスを用いた電気光学装置では、素子基板の発熱対策として熱拡散器を具備した無機基板を用いている。この点で、フレキシブル性又は有機材料を主体とした材料を用いた素子基板には発熱が少なくなる電気光学材料を用いることが望ましい。発熱が少ない材料とは、表示を行っているときに電流や電圧をなるべく流さない材料である。その中でも最も好適な材料はメモリー性を有する材料である。具体的には、電気泳動材料、エレクトロクロミック材料であり、これら材料を用いた電気装置は、一度電圧を印加すれば無印加状態にしても表示を保持することができる。その次に好適なのは電圧で駆動する材料であり、液晶やエレクトロウェッティングである。最も適していない材料は、電流で駆動するエレクトロルミネッセンスである。
メモリー性を有しない材料の場合は、ドライバＩＣ８９自体にＳＲＡＭのようなメモリー機能を画素ごとに設けることにより、実質的なメモリー効果を付与することができる。

一方、液晶を用いた場合は、一般に偏光板を用いるため明るさが半分になる。これを解決するためには、ゲストホスト液晶、ＰＤＬＣ（高分子分散型液晶）、ＰＮＬＣ（高分子ネットワーク型液晶）等、偏光板を使用しない材料を用いることが好ましい。

図４は、第１基板内に埋め込まれたドライバＩＣの大きさとその配置状態を示す。
電気光学装置１００をどのくらい湾曲させる（折り曲げる）ことができるのかは、素子基板３００の材料自体のフレキシブル性や、複数のドライバＩＣ８９の大きさや配置間隔に関係している。
図４に示すように、Ｘ方向にｎ個（ＭＸ１、ＭＸ２、…ＭＸｎ）、Ｙ方向にｍ個（ＭＹ１、ＭＹ２、…ＭＹｍ個）のドライバＩＣ８９が整列配置されている。ドライバＩＣ８９としては、通常のＩＣよりも小さいものが用いられている。一般のＩＣの大きさは１辺が１．０×１０ｍｍ程度であるのに対して、ドライバＩＣ８９の大きさは１辺が２ｍｍとなっている。また、ドライバＩＣ８９同士の配置間隔は、ドライバＩＣ８９の一辺の長さよりも広い間隔に設定されている。本実施形態においては、Ｘ方向およびＹ方向で隣り合うドライバＩＣ８９どうしの配置間隔が、配置間隔方向に平行な方向の両ドライバＩＣ８９の長い方の一辺の長さの５倍以上に設定されている。具体的に、ドライバＩＣ８９の一辺は２ｍｍであるため、隣り合うドライバＩＣ８９どうしの間の距離は１０ｍｍ以上となっている。

このような間隔で多数のドライバＩＣ８９を配置することにより、素子基板３００に対して、第１基板３０を構成する材料（ポリイミド材料）が本来有しているフレキシブル性とほぼ同等のフレキシブル性を付与することができる。素子基板３００に対して第１基板３０の材料と同等のフレキシブル性を持たせるためには、ドライバＩＣ８９どうしの配置間隔を、ドライバＩＣ８９の一辺の少なくとも３倍以上にする必要がある。ここで同じドライバＩＣ８９を多数配置すると等ピッチでドライバＩＣ８９が配置されることも可能である。ただし、Ｘ，Ｙ方向のピッチを同一とする必要は無い。

また、目安としては、ドライバＩＣ８９どうしの配置間隔をドライバＩＣ８９の一辺の１倍以上にすることで、例えば文房具の下敷きのように、素子基板３００を緩やかに湾曲させることが可能となる。この状態では、ドライバＩＣ８９自体が湾曲しないため小さな極率半径を付与することはできないが、素子基板３００に対してフレキシブル性を付与することは可能である。
また、隣り合う各電子部品（ＩＣ）１０を配置間隔方向から傾けて電子部品（ＩＣ）１０の辺を配置する時は隣り合う部品の各辺の最大長さの１倍または３倍以上の距離を設ける。

また、ドライバＩＣ８９の一辺の長さは５ｍｍ以下、できれば３ｍｍ以下が好ましく、さらには１ｍｍ以下がさらに好ましい。小さいドライバＩＣ８９の方が素子基板３００を湾曲させたときに割れにくく、堅牢性も高めることができる。素子基板３００を湾曲させた際にドライバＩＣ８９にかかるストレスも小さくなる。これにより、ドライバＩＣ８９の割れが防止されるとともに、第１基板３０とドライバＩＣ８９との接着状態や、ドライバＩＣ８９の接続端子（不図示）とこれらを接続する接続配線（不図示）との接続状態を確保することができる。特に本実施例は実使用時に、紙のように折り曲げ動作を繰り返す。このような用途において接続信頼性は極めて重要である。

ここで、素子基板３００内におけるドライバＩＣ８９の内蔵位置、つまり素子基板３００の厚さ方向におけるドライバＩＣ８９の位置は特に規定はしない。第１基板３０を構成するいずれが一つの基材内に全てのドライバＩＣ８９を配置してもいいし、異なる基材内にドライバＩＣ８９をそれぞれ配置してもよい。また、第１基板３０を構成する基材の数は４つに限らず、全てのドライバＩＣ８９が別の基材にそれぞれ設けられていてもよい。
また、ドライバＩＣ８９が各基材１層の厚さより厚いときは複数層の基材にまたがってそれを保持させても良い。また、平面視において複数のドライバＩＣ８９を重ね、それらの間に基材を置くように設置しても良い。ドライバＩＣ８９は１つの画素内に収まる必要は無く、２つ以上の画素にまたがるように設置しても良い。

また、研磨等によりドライバＩＣ８９の厚みを２０μｍ以下にまで薄くすることで、素子基板３００と同等のフレキシブル性を持つ事が知られているが、その時もドライバＩＣ８９は多少なりとも弾性を有し、フレキシブル性を悪化させる。そのため上記の条件を用いる事が好適となる。

本実施形態のドライバＩＣ８９には、１００×１００のアクティブマトリクスが作り込まれている。表示部５には合計１００００個の画素が設けられており、ドライバＩＣ８９を介して各画素４０にそれぞれ任意のタイミングで電圧を印加できるように構成されている。このため、画面を書き換える際に、書換える必要のある画素４０のみを選択して所定の電圧を印加することができる。さらに、書き換え対象の複数の画素４０に対して同時に電圧を印加することも可能となる。

電気光学素子３２として電気泳動材料のような応答速度の遅い材料を用いる場合は、１画面を構成する複数の画素４０に対して一括して書き込みができることが重要となる。画面の書き換えスピードは、１画面の各画素４０に画像情報を書き込む時間と材料との応答時間の和となる。１画面の各画素４０に一括して書き込みすることが可能になると、書き込み時間が、通常の順次駆動（例えば、アクティブマトリクス駆動で走査線を順次選択して書き込んでいく駆動）の場合に比べて、大幅に（２桁〜３桁程度）短くなる。このように、実効的な書き換え時間の短縮が可能になる。
勿論、ドライバＩＣ８９による順次駆動も可能である。また、１つのドライバＩＣ８９に対応する画素数等の設計は上記に限らない。

また、上述したように、素子基板３００および対向基板３１０はともに湾曲させる（折り曲げる）ことが可能なフレキシブル性を有したものである。このため、電気光学装置１００の全体を湾曲させて使用する場合にも、第１基板３０内に埋め込まれた複数のドライバＩＣ８９が湾曲を妨げる要因にはならず、電気光学装置１００を自由に湾曲させることが可能である。

ドライバＩＣ８９は、第１基板３０の表面３０ａや裏面３０ｂ側に実装されているわけではなく、素子基板３００の第１基板３０内に埋め込まれるようにして保持されている。このため、曲げや落下等に対して堅牢性を有した構成となっており、ドライバＩＣ８９が割れたり、接続配線２２との接続不良が発生するのを防止することができる。

さらに、ドライバＩＣ８９は、キャリア移動度が単結晶Ｓｉの数分の１以下と小さく単結晶Ｓｉの１０倍以上にもなる荒いパターンルールからなるＴＦＴではなく、単結晶の半導体を用いて構成されているため駆動能力が高い。さらに、一般的な１Ｔ１Ｃではない他の駆動方法も容易に実現することができる。例えば、メモリー性を各画素に持たせても良い。さらに、ドライバＩＣ８９が表示エリア内に配置されるため、電気光学装置１００の額縁エリアを極めて小さくすることができるため、従来の構成のように、接続基板２０１を素子基板３００の裏面３００ｂ側に折り曲げて使用する場合であっても電気光学装置１００を従来より薄くできる。

図５は、電気光学装置の一例として電気泳動表示装置の概略構成を示す部分断面図であって、（ａ）はカプセルタイプ、（ｂ）は仕切りなしタイプを示す。
図５（ａ）に示すように、電気泳動表示装置（電気装置）１０１は、素子基板３００と対向基板３１０との間に電気泳動素子３２Ａが挟持されている。
素子基板３００は上記した電気光学装置１００の素子基板３００と同様の構成をなすものであり、複数の基材３０Ａ〜３０Ｄからなる第１基板３０の内部に複数のドライバＩＣ８９が埋め込まれている。各ドライバＩＣ８９は、第１基板３０の表面３０ａ上に配置された全ての画素電極３５のうち所定数の画素電極３５に対応して設けられるもので、本実施形態では５×５画素の画素電極３５に対応している。すなわち、１つのドライバＩＣ８９（出力端子８９ａ）は、２５個の画素電極３５とそれぞれ接続配線２２を介して接続されている。ここで、ドライバＩＣ８９の出力端子（第１出力端子）８９Ａの数が２５個、接続配線２２の数が２５本である。

表示素子（機能素子）としての電気泳動素子３２Ａ（電気光学素子３２）は、黒粒子２６および白粒子２７と、各粒子２６，２７を保持する分散媒２１とを有するマイクロカプセル２０が多数配列してなる。そして、各マイクロカプセル２０内に保持され、互いに異なる極性に帯電した黒粒子２６および白粒子２７が、画素電極３５と対向電極３７との間に印加される電圧に基づいて移動することにより表示が行われる。

また、図５（ｂ）に示すように、電気光学素子３２として仕切りのない電気泳動素子３２Ｂを備えた構成（電気泳動表示装置（電気装置）１０２）としても良い。素子基板３００と対向基板３１０との間には、表示エリアに対応して、黒粒子２６および白粒子２７とこれらを保持する分散媒２１とからなる電気泳動素子３２Ｂが設けられており、その周囲を囲むようにして基板３００，３１０の周縁部どうしの間にシール材６５が配置されている。

あるいは、各基板３００，３１０どうしの間に、画素領域を仕切る隔壁を設けても良く、この隔壁と各基板３００，３１０によって囲まれた領域に電気泳動材料が封入された構成としてもよい。

また、電気泳動材料に代えて液晶材料を備えた構成としてもよい。
図６は、電気光学装置の一例として液晶装置の概略構成を示す部分断面図である。
図６に示す液晶装置（電気装置）１０３は、上記した素子基板３００と対向基板３１０との間に液晶素子３２Ｃ（電気光学素子３２）が挟持されてなる。このように電気光学材料として液晶材料を用いてもよい。液晶として、ゲストホスト液晶、ＰＤＬＣ（高分子分散型液晶）、ＰＮＬＣ（高分子ネットワーク型液晶）のようにセルギャップｄの影響の少ないものが好ましい。一般に、液晶はセルギャップｄと屈折率の異方性Δｎとの積Δｎ・ｄにより光学設計を行っている。フレキシブル基板を採用した場合には、液晶表示装置を湾曲させた際にセルギャップが変化するので、液晶表示装置を筒状に丸めたりすると表示の色やコントラストがシフトすることがある。このため、上記した液晶材料を用いることが望ましいが、それ以外の液晶材料であっても構わない。

ここで、液晶材料を用いる場合、それ自体がメモリー性を有していないため、ＳＲＡＭのような揮発性メモリーを各画素に設けることが望ましい。
また、図６では図示していないが、液晶表示装置１０３を構成する場合は偏光板が必要になる。これに対して上記した電気泳動表示装置１０１，１０２の場合は偏光板が不要なため明るい表示が可能である。

なお、液晶材料の代わりに、エレクトロルミネッセンス、エレクトロクロミック、エレクトロウェッティング等を用いても構わない。
また、第１基板３０や第２基板３１に用いる材料としては、ポリイミド、ＰＥＴ以外のフレキシブル性を有するポリエステルや他の有機、無機材料が挙げられる。一方、フレキシブル性を有しない構成にする場合は、紙フェノール、紙エポキシ、ガラスコンポジット、ガラスエポキシ、薄ガラス、テフロン（登録商標）、セラミックス、それらのコンポジット材料や他の有機、無機材料を用いても良い。ゴムや不織布や織布をアクリルのような有機材料でコーティングした伸縮性を有する材料を用いると伸縮性を付与できる。
また、画素電極３５、対向電極３７、および接続配線２２等に用いる材料としては、Ｃｕ以外の他の金属、ペースト、カーボンナノチューブ等の導電性材料、有機導電性材料、無機導電性材料、透明電極、導電性ペースト等を用いても良い。さらに、第１基板３０を構成する基材の数も上記に限らない。

以上、電気泳動表示装置および液晶装置の構成について述べたが、電気泳動表示装置は液晶装置とは異なり、セルギャップ（画素電極３５と対向電極３７との間の距離）の影響を受けにくい。液晶は、電気光学特性がセルギャップによって決まるため、電気光学装置を湾曲させるとセルギャップが変化して表示が変化してしまう。電気泳動材料を用いた場合はこのような変化は生じにくい。このため、湾曲させた状態で使用可能な電気光学装置を容易に作成することが可能である。また、一般に、偏光板を用いない液晶装置はその原理上、セルギャップの影響を受けにくい。このため、液晶材料を用いる場合には偏光板を備えない液晶装置とすることが好ましい。

ここで、液晶材料、電気泳動材料、エレクトロルミネッセンス材料、およびエレクトロクロミック材料等は、湿度により特性が変化することが知られている。例えば、湿度が材料中に多く含まれてしまうと、リーク電流が増加して消費電力が増えてしまう。これを防止するために耐湿構造にすることが重要となる。
以下に、耐湿構造とした素子基板の構成について述べる。

図７（ａ）は、耐湿性基板を備えた素子基板の概略構成を示す部分断面図、図７（ｂ）は防湿層を備えた素子基板の概略構成を示す部分断面図である。
まず、図７（ａ）に示す素子基板（半導体装置）３０１には、ガラスからなる耐湿性基板７８が設けられている。この耐湿性基板７８は厚さ２０ｎｍにまで薄厚化したガラス基板からなっており、第１基板３０の裏面３０ｂ（基材３０Ａの裏面）に貼り合わされている。このように、少なくとも素子基板３００の裏面側に耐湿性基板７８を設けることによって、電気光学素子に対する耐湿性を高めることができるので、リーク電流が増加して消費電力が増えてしまうのを防止することができる。

また、図７（ｂ）に示す素子基板（半導体装置）３０２には、窒化シリコンからなる耐湿層７９が設けられている。この耐湿層７９は、シリコンを含む有機物を塗布および焼成することによって成膜される。ここでは、第１基板３０の表面３０ａ全体を覆うようにして耐湿層７９をもうけたが、これに限らず、第１基板３０を構成するどの基材上に耐湿層７９を設けてもよい。また、シリコン酸化物のような他の無機材料や有機材料を用いても構わない。さらに、第１基板３０自体に耐湿性を付与しても良い。
このように、素子基板（半導体装置）３０２内に耐湿層７９を設けて電気光学素子３２に対する防湿性を高めた構成とすることで、リーク電流に伴う消費電量の増加を防止することができる。

図８（ａ）〜（ｃ）は、表示部およびドライバＩＣのレイアウト例を示す図である。
先の実施形態においては、ドライバＩＣ８９が素子基板３０２上にマトリクス状に配置された場合について述べたが、図８（ａ）に示すように直線状に並べて配置しても良い。表示部５を構成する表示領域５Ａ〜５Ｃはそれぞれ所定数の画素電極が配置された領域であって、各表示領域５Ａ〜５Ｃに対応して画素制御回路としてのドライバＩＣ８９Ａ〜８９Ｃのいずれかがそれぞれ設けられている。これら各ドライバＩＣ８９Ａ〜８９Ｃは互いに独立して駆動され、各表示領域５Ａ〜５Ｃにそれぞれ異なる画像を表示することが可能である。

また、図８（ｂ）に示すように、１つの素子基板（第１基板３０）に互いに離間した複数（図８（ｂ）においては２つ）の表示領域５Ａ，５Ｂを備えた構成としてもよい。各表示領域５Ａ，５Ｂに対応して設けられるドライバＩＣ８９Ａ、８９Ｂは、平面視において表示領域５Ａ，５Ｂと重なる第１基板３０の内部にそれぞれ埋め込まれており、表示領域５Ａ，５Ｂに設けられた複数の画素電極と直接接続されている。ドライバＩＣ８９Ａと、表示領域５Ｂに対応するドライバＩＣ８９Ｂとは互いに独立して駆動され、各表示領域５Ａ，５Ｂにそれぞれ異なる画像を表示することが可能となっている。

表示領域（表示部５）の平面視における形状を自由に設定することが可能になる。それは表示領域における複数の画素電極と直接接続されるドライバＩＣ８９を備える構成とすることと、フレキシブル基板を用いることにより電気光学装置をはさみ等で簡単に切断できるようになるからである。従来のガラス基板のようなリジッドな基板では任意形状に切ることも容易でなかった。例えば、平面視矩形状だけでなく、図８（ｃ）、（ｄ）に示すように平面視三角形状（多角形状）や円形状（楕円形状）にすることもできる。さらに、画素電極の大きさや配置位置も自由にレイアウトすることができるので、電気光学装置の設計自由度が高まる。また、１つのドライバＩＣ８９が駆動する全画素の形状も必ず同一である必要もない。これにより、湾曲形状の電気光学装置や、平面視における形状が矩形以外の電気光学装置を容易に実現することができる。
さらに第１基板３０、第２基板３１を伸縮性の有る材料とすることで、これらの電気光学装置を服等の柔らかい基材や複雑な形状の表面に容易に貼り付ける事ができる。

（第２実施形態）
次に、第２実施形態の電気光学装置の概略構成について、電気泳動表示装置を例に挙げて述べる。
図９は、第２実施形態の電気光学装置（電気泳動表示装置）の要部を拡大して示す部分断面図である。
図９に示すように、本実施形態の電気泳動表示装置（電気装置）１０４は、素子基板（半導体装置）３０７と電気泳動素子３２Ｂ（電気光学素子３２）を介して対向配置される対向基板３１０の周縁部少なくとも一部が素子基板３０７の裏面３０７ｂ側に回り込むようにして構成されている点において先の実施形態と異なっている。

素子基板３０７の裏面３０７ｂには、第１基板３０の内部に埋め込まれたドライバＩＣ８９と接続配線２３を介して接続される外部接続端子１１が設けられている。この外部接続端子１１は、平面視で表示部５と重なる領域に配置されている。
本実施形態においては、対向基板３１０を構成する第２基板３１および対向電極３７の周縁部の少なくとも一部が、素子基板３０７の裏面３０７ｂ側に延出された構成となっている。対向電極３７の延出部３７Ａの表面は、第２基板３１の延出部３１Ａによって覆われている。そして、対向電極３７は、上下導通部３３を介して素子基板３０７の裏面３０７ｂに設けられた外部接続端子１１と接続されている。そして、この上下導通部３３を介して、ドライバＩＣ８９から対向電極３７に所定の電圧が印加される構成となっている。

また、電気泳動素子３２Ｂの周囲を封止しているシール材６５の周縁部の少なくとも一部も素子基板３０７の裏面３０７ｂ側に回り込むようにして延出されており、上下導通部３３を取り囲むようにして第１基板３０と対向電極３７との間の隙間を埋めるようにして形成されている。

ここで、対向基板３１０（第２基板３１及び対向電極３７）の４辺全てを素子基板３０７の裏面３０７ｂ側にまで延出させた構成としてもいいし、部分的に延出させるようにしても良い。
また、上下導通部３３としては銀ペーストが用いられるが、これに限らない。また、電源手段として、ＩＣ以外に電池や他の電源を用いてもよい。

素子基板３０７の表面３０７ａ側に上下導通部３３を形成する場合、この上下導通部３３を形成するための形成領域が必要になるため、表示エリアを一部削減したり額縁を広くしたりする必要があった。
本実施形態の構成によれば、上下導通部３３を素子基板３０７の裏面３０７ｂ側に設け、且つ、外部接続端子１１を表示領域内に配置したため、上に上下導通部３３を形成するための形成領域が不要になる。その結果、表示エリアを広く確保することができるとともに狭額縁化が可能となる。

図１０（ａ）〜（ｄ）は、素子基板の裏面側における上下導通部の配置例を示す平面図である。
例えば、図１０（ａ）に示すように、対向基板３１０の短辺方向両側の２つの長辺３１０ｃを素子基板３０７の裏面３０７ｂ側へと延設させるようにしても良い。この場合、各延出部３１Ａ（３７Ａ）と素子基板３０７との間には複数の上下導通部３３が直線状に配列されている。あるいは、図１０（ｂ）に示すように、各延出部３１Ａ（３７Ａ）と素子基板３０７との間に、素子基板３０７の長辺に沿って伸びる線状の上下導通部３３が設けられていてもよい。

また、図１０（ｃ）に示すように、対向基板３１０の４辺全てを素子基板３０７の裏面３０７ｂ側へと延設させ、これら４つの延出部３１Ａ（３７Ａ）と素子基板３０７との間に複数の上下導通部３３が配置されている。これら複数の上下導通部３３は、素子基板３０７の各辺に沿ってその周縁部に配置されている。

また、図１０（ｄ）に示すように、対向基板３１０の短辺方向両側の２つの長辺３１０ｃの一部を素子基板３０７の裏面３０７ｂ側へと延設させるようにしても良い。ここでは、対向基板３１０の各長辺３１０ｃに２つずつ延出部３１Ａ（３７Ａ）を設け、これら４つの延出部３１Ａ（３７Ａ）のそれぞれと素子基板３０７との間に上下導通部３３が配置されている。
なお、対向基板３１０の一部を素子基板３０７の裏面３０７ｂ側へと延設し、その延出部３１Ａ（３７Ａ）と素子基板３０７との間に上下導通部３３を配置する構成は上記したものに限らない。
外部接続端子１１は必ずしも表示部５と重なる必要は無い。

（第３実施形態）
次に、第３実施形態の電気光学装置の概略構成について、電気泳動表示装置を例に挙げて説明する。
図１１は、画素毎に保持容量を有する素子基板の要部を拡大して示す平面図であり、図１２は、図１１のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。図１３は、第３実施形態の電気光学装置の概略構成を示す部分拡大断面図である。
図１１に示すように、本実施形態における素子基板（半導体装置）３０３は、画素４０毎に保持容量Ｃｓを備えている。この保持容量Ｃｓは、複数の画素電極３５と、表示エリアの略全体にわたって形成された保持容量線６９とによって構成される。保持容量線６９は、厚さ２０μｍのＣｕから構成されており、所定の電圧が印加されるように構成されている。保持容量線６９には、画素電極３５に接続する接続配線２２を挿通させるための挿通孔６９ａが複数設けられている。

図１２に示すように、本実施形態における素子基板（半導体装置）３０３は、厚さ５μｍのポリイミドからなる５つの基材３０Ａ〜３０Ｅが積層されなる第１基板３０を有する。ドライバＩＣ８９は最下層の基材３０Ａ内に埋め込まれており、第１基板３０の表面３０ａ上に形成された多数の画素電極３５と接続配線２２を介して直接接続されている。保持容量線６９は、画素電極３５よりも下層側の第１基板３０の内部に埋め込まれており、基材３０Ｄと基材３０Ｅとの間に配置されている。

図１３に示すように、上記した素子基板３０３を備えた電気泳動表示装置（電気装置）１０５は、対向基板３１０との間に電気泳動素子３２Ａを挟持してなる。本実施形態のように電気泳動材料を用いた電気光学装置の場合、電気泳動粒子（黒粒子、白粒子）を移動させることによって表示を行うため、これら電気泳動粒子を移動させるための電荷量が必要になる。１画素に１回の書き込み動作で保持される電荷量は、保持容量Ｃｓ×Ｖ（Ｖ：Ｃｓに書き込んだ電荷量）で与えられる。電気泳動粒子を移動させるために必要な電荷量をＱとすると、電気泳動表示装置の画面を書き換えるために必要な書き換え回数Ｎは、以下の式によって得られる。

Ｎ＝Ｑ／（Ｃｓ×Ｖ）

保持容量Ｃｓが大きいと書き換え回数が減るので、書き換え回数が少なくなるとともに消費電力が低減するという効果が得られる。

なお、保持容量線６９の構成は上記したものに限定されない。各画素４０に独立した保持容量Ｃｓを構成できれば良い。ドライバＩＣ８９内に保持容量Ｃｓを構成しようとすると、ドライバＩＣ８９の大きさが増大するとともにコストも増加する。また、素子基板３０３内に保持される個々のドライバＩＣ８９の大きさが増大すると、素子基板３０３（電気泳動表示装置１０５）のフレキシブル性に支障をきたすおそれがある。これを避けるためにも、第１基板３０の内部にドライバＩＣ８９とは別に、保持容量Ｃｓを作成する意義は大きい。

また、本実施形態では電気泳動表示装置１０５の構成について述べたが、電気泳動材料に代えて液晶材料を備えた構成としても良い。液晶装置の場合、フリッカーや焼き付きが減少するという効果が得られる。
保持容量Ｃｓを大きくするために、保持容量の絶縁膜となる基材部分の膜厚を薄くしたり、誘電率の高い材料を用いても良い。
保持容量線６９に印加する電圧は対向電極３７と同一でも良いし、他電圧でも良い。

（第４実施形態）
次に、第４実施形態の電気光学装置の概略構成について、電気泳動表示装置を例に挙げて説明する。ここでは、１粒子系の構成について述べる。
先の実施形態においては、１画素４０に１つの画素電極３５が配置された構成となっていたが、本実施形態では、１画素４０に複数の画素電極３５と反射電極４５が配置されている。
図１４は、素子基板上における１画素の構成を中心に示す平面図であって、図１５は、複数の画素４０を備えた概略構成例を示す。
図１４および図１５に示すように、１つの画素４０内には、平面視円形状を呈する島状の画素電極３５が複数配置されている。ここで、図１４においては画素電極３５どうしが等間隔に配置されているが、画素電極３５どうしの配列はランダムであってもよく、この場合は表示にスジが入ることが防止されるという効果が得られる。

また、画素電極３５の周囲にはＣｕからなる反射電極（反射膜）４５が設けられている。この反射電極４５には多数の貫通孔４５ａが形成されている。そして、これら各貫通孔４５ａ内に画素電極３５が配置された構成となっている。貫通孔４５ａは、画素電極３５の面積よりも大きい開口面積を有する。そして反射電極４５は全画素にまたがる１つの電極となっている。この反射電極４５は電位の入力が可能に構成されている。
なお、反射電極４５の材料はＣｕ以外の金属であってもよく、例えばＡｌを用いてもよい。

１画素４０内に配置された多数の画素電極３５は、接続配線２２によって相互に接続されてドライバＩＣ８９に接続されている。具体的には、ドライバＩＣ８９に設けられている複数の出力端子８９ａのうちの１つに接続されている。画素４０ごとに設けられた接続配線２２の先端（ドライバＩＣ８９とは反対側の端部）側には、画素４０内の画素電極３５の数に対応する複数の分岐部２２ａが設けられており、これら分岐部２２ａの先にそれぞれ画素電極３５が接続されている。

なお、本実施形態においては画素電極３５と反射電極４５とが同一平面上に設けられた構成となっているが、反射電極４５は画素電極３５と異なる層に設けられていてもよい。例えば、図１６に示すように、第１基板３０の表面３０ａ上に形成された反射電極４５を覆うようにして保護層４２を設け、この保護層４２上に多数の画素電極３５を配置しても良い。保護層４２は、厚さ２０μｍのポリイミドからなる透明な膜からなるもので、反射電極４５により外光を反射できるように構成されている。ドライバＩＣ８９は不透明な基材３０Ａ〜３０Ｅが積層されてなる第１基板３０の内部に埋め込まれており、光リークによる誤作動が生じないようになっている。
また、反射電極４５が、電位が入力されない単なる反射膜からなるものであっても良い。
また、反射電極４５が表示部５内で連続した電極でなく、画素４０毎に独立した電極であっても良い。その時は画素電極３５に接続し、画素電極と同一の電圧を印加しても良い。

図１７は、上記した素子基板を備えた１粒子系の電気泳動表示装置における１画素の等価回路図である。
本実施形態では、画素４０ごとに設けられた複数の画素電極３５が接続配線２２を介してドライバＩＣ８９の出力端子８９ａに接続されている。このドライバＩＣ８９は、スイッチング動作を行うことにより各画素４０の複数の画素電極３５に対して電圧を印加させるための駆動トランジスタＴＲｓと、各駆動トランジスタＴＲｓに接続される複数の走査線６６および複数のデータ線６８とを有している。ここで、駆動トランジスタＴＲｓは出力端子８９ａの数と同じ数だけ設けられている。そして、駆動トランジスタＴＲｓのゲートに走査線６６が接続され、ソースにデータ線６８が接続されている。さらに、ドレインには接続配線２２（分岐部２２ａ）を介して画素４０内の複数の画素電極３５が接続されている。
図示していないが、各駆動トランジスタＴＲｓに保持容量ＣｓやＳＲＡＭ等のメモリー機能を持たせる事ができる。全画素のメモリーにデータを書き込んだ後に駆動トランジスタＴＲｓを一度にオンすると一括同時書き込みができる。メモリーと駆動トランジスタＴＲｓの組み合わせにより任意の画素４０に書き込む等の任意の駆動ができる。もちろん、ＬＣＤのように走査線６６を順次選択して書き込んでいく方法も可能である。

次に、１粒子系の電気泳動表示装置による実際の表示動作について述べる。
図１８（ａ）〜（ｃ）は、表示色ごとの粒子の分布状態を示す断面図である。なお、１つの画素４０に着目して図示しており、各画素内の画素電極３５の数や、反射電極４５上に配置される保護層は省略してある。ここでは、対向電極３７にはグランド電位が入力される。反射電極４５には画素電極３５と同一の電位が入力される。なお、反射電極４５の位置は図示した位置に限らない。

図１８（ａ）は、白表示のときの粒子の分布状態を示す。
ここでは、反射電極４５をグラウンド、各画素電極３５にマイナスの電圧を印加すると、プラスに帯電した正帯電粒子２６（Ｂｋ）が各画素電極３５上に吸着する。外部から入射した光は画素電極３５の周囲に存在する反射電極４５にて反射されて対向電極３７側から出光する。つまり、全ての正帯電粒子２６（Ｂｋ）が画素電極３５上に吸着しているので、対向電極３７側から入射した光は反射電極４５において反射されて対向電極３７側へと戻ることになる。
よって、この状態で対向電極３７側から電気泳動素子３２Ａを見ると、反射光によって画素全体が白表示となる。

図１８（ｂ）は黒表示のときの粒子の分布状態を示す。
白表示から黒表示へ表示を切り替える場合は、図１８（ａ）をプリセット状態とし、基点とする。次に反射電極４５にプラスＶｈ１を、各画素電極３５にプラスの電圧ＶＨ（│Ｖｈ１│＜│ＶＨ│）を印加する。すると、プラスに帯電した正帯電粒子２６（Ｂｋ）は全て対向電極３７側へと移動して、画素領域の略全体に亘って２次元あるいは３次元的に分布する。よって、外部から入射した光は対向電極３７上に分布する正帯電粒子２６（Ｂｋ）にて吸収されるため、黒表示となる。

図１８（ｃ）はグレー表示のときの粒子の分布状態を示す。
ここでは、まず図１８（ａ）に示した状態から画素電極３５に所定の電圧を印加する。反射電極４５にはプラス電圧ＶＨを印加する。すべての正帯電粒子２６（Ｂｋ）が各画素電極３５上に吸着した状態（プリセット状態）で、画素電極３５に黒表示のときに印加したプラス電圧ＶＨよりも小さいプラス電圧Ｖｈ２（｜Ｖｈ２｜＜｜ＶＨ｜）を印加すると、画素電極３５上の正帯電粒子２６（Ｂｋ）の一部が対向電極３７側へと移動する。これにより、画素電極３５に対向する対向電極３７上の所定領域には小さな黒ドットが複数形成され、これら黒ドットの間に分散媒２１が存在する。ここでは、正帯電粒子２６（Ｂｋ）による黒表示が画素領域全体のおよそ１／２の面積を占めている。また、正帯電粒子２６（Ｂｋ）の分布領域２６Ｒ以外の領域の面積、つまり、画素領域全体のおよそ１／２の面積は反射光による白表示が占めている。

対向電極３７上では正帯電粒子２６（Ｂｋ）が２次元あるいは３次元的に分布して、正帯電粒子２６（Ｂｋ）による黒ドットの領域と、反射光による白色の領域とが混在するので、この状態で対向電極３７側から電気泳動素子３２Ａを見ると、全体としてはグレー表示となる。つまり、入射光は、黒色の正帯電粒子２６（Ｂｋ）において吸収される成分と、反射電極４５において反射される成分とを含んでおり、これら成分を足し合わせると、全体としてグレー表示となる。

他の表現を用いると、対向電極３７上に存在する正帯電粒子２６（Ｂｋ）によって反射電極４５の一部が隠れることで対向基板３１０側から射出する反射光の出光量が減ることから、明るさが抑えられたグレー表示となる。

また、対向電極３７側への正帯電粒子２６（Ｂｋ）の移動量および分布範囲の制御は、画素電極３５、対向電極３７、反射電極４５間の距離や画素電極３５の大きさ等の設計要因や印加電圧によって可能である。また、上記では各画素電極３５に印加する電圧の大きさで正帯電粒子２６（Ｂｋ）の移動量および分布範囲を制御したが、電圧の印加時間の長短でも制御することが可能である。

明度の制御は、対向電極３７の外側から電気泳動素子３２Ａを見たときに視認される粒子の面積により行なわれる。視認される面積とは、粒子の２次元、３次元的分布を含めて実際に視認される実効的な面積を示す。

なお、上記表示状態において、黒色の正帯電粒子２６（Ｂｋ）の分布領域と白色の反射領域との境界領域では完全な黒表示、白表示にはならないが、正帯電粒子２６（Ｂｋ）の分布領域を視認したときの実効的な面積で諧調を制御し、明度と彩度との制御を行う。
グレー表示は、結果として対向電極３７の外部から電気泳動素子３２Ａを見たときに視認される正帯電粒子２６（Ｂｋ）の移動量および分布の実行的な面積により制御されることになる。

なお、上記においては白表示のプリセット状態から次の表示を行うこととしたが、黒表示のプリセット状態から次の表示を行うこととしてもよい。黒表示のプリセット状態は図１８（ｂ）に示したように、画素電極３５にプラス電圧ＶＨを印加することにより得られる。黒表示から次の表示に移行する際には、画素電極３５にマイナス電圧を印加して対向電極３７から黒色の正帯電粒子２６（Ｂｋ）を引き抜く量を制御して表示を行うこととなる。

電気泳動素子３２Ａ内に存在する電気泳動粒子が黒色の正帯電粒子２６（Ｂｋ）のみなので、白表示プリセットおよび黒表示プリセットのうちどちらのプリセット動作を用いても、一方の表示色によるプリセット動作のみを使い続けると対向電極３７と画素電極３５との間にＤＣ電圧が印加される。これは、画素電極３５にプリセット時に大きな電圧が必ず印加され、画像書き込み時にはその逆極性で絶対値が同等以下の電圧が印加されることが原因である。

対向電極３７と画素電極３５との間にＤＣ電圧が印加されると、電極の腐食や電気泳動材料の劣化が生じてしまう。これを避けるために、白表示プリセット動作（図１８（ａ））、黒表示プリセット動作（図１８（ｂ））を単数または複数の画像書き換えを実施するごとに切り替えてもよい。

（第５実施形態）
次に、第５実施形態の電気光学装置の概略構成について、電気泳動表示装置を例に挙げて説明する。ここでは、２粒子系の構成について述べる。
図１９は、第５実施形態の電気泳動表示装置の１画素における概略構成を示す平面図、図２０は、１画素における画素回路図である。
図１９および図２０に示すように、本実施形態の電気泳動表示装置では、画素４０内に複数の画素電極（第１電極）３５Ａと複数の画素電極（第２電極）３５Ｂとが面方向で互い違いとなるように配置されており、これら画素電極３５Ａ，３５Ｂは独立して駆動され、それぞれに異なる電圧が印加されるように構成されている。
これら複数の画素電極３５Ａおよび複数の画素電極３５Ｂは、互いの面積が同一の平面視円形状を呈してなり、第１基板３０上に等間隔に配置されている。
また、ドライバＩＣ８９は、それぞれ異なる電圧を出力可能な複数の出力端子（第１出力端子）８９Ａおよび出力端子（第２出力端子）８９Ｂを有している。各出力端子８９ａには、接続配線（第１接続配線）２２Ａとその先端側の分岐部２２ａを介して画素４０内の各画素電極３５Ａが接続され、各出力端子８９ｂには、接続配線２２Ｂとその先端側の分岐部２２ｂを介して画素４０内の各画素電極３５Ｂが接続されている。

ここで、ドライバＩＣ８９は、スイッチング動作を行うことにより、各画素４０の複数の画素電極３５Ａに対して所定の電圧を印加するための制御トランジスタＴＲ１と、画素４０の複数の画素電極３５Ｂに対して所定の電圧を印加するための制御トランジスタＴＲ２とを有している。また、各制御トランジスタＴＲ１に接続される複数の走査線６６Ａおよび複数のデータ線６８Ａと、各制御トランジスタＴＲ２に接続される複数の走査線６６Ｂおよび複数のデータ線６８Ｂとを有している。

そして、制御トランジスタＴＲ１のゲートに走査線６６Ａが接続され、ソースにデータ線６８Ａが接続されている。さらに、ドレインには接続配線２２Ａ（分岐部２２ａ）を介して１画素内の複数の画素電極３５Ａが接続されている。
一方、制御トランジスタＴＲ２のゲートに走査線６６Ｂが接続され、ソースにデータ線６８Ｂが接続されている。さらに、ドレインには接続配線（第２接続配線）２２Ｂ（分岐部２２ｂ）を介して１画素内の複数の画素電極３５Ａが接続されている。

これにより、出力端子８９ａに接続される接続配線２２Ａ（分岐部２２ａ）を介して各画素４０内の複数の画素電極３５Ａに対して所定の電圧を同時に印加することができるとともに、出力端子８９ｂに接続される接続配線２２Ｂ（分岐部２２ｂ）を介して各画素４０内の複数の画素電極３５Ｂに対して所定の電圧を同時に印加することができるようになっている。このような構成とされることで、ドライバＩＣ８９の出力端子８９ａ，８９ｂを介して１画素内の画素電極３５Ａ，３５Ｂに対してそれぞれ異なる極性の電圧を印加することが可能となり、互いに独立駆動される。勿論、画素電極３５Ａ，３５Ｂを同電位にすることも可能である。
また、本実施形態においても、表示エリアの全体にわたって反射電極４５が設けられている。

次に、粒子系の電気泳動表示装置による実際の表次動作について述べる。
図２１（ａ）〜（ｄ）は、表示色ごとの粒子の分布状態を示す断面図である。なお、１つの画素４０に着目して図示しており、各画素４０内の画素電極３５の数や、反射電極４５上に配置される保護膜は省略してある。ここでは、対向電極３７と反射電極４５に同一のグランド電位が入力される。なお、反射電極４５の位置は図示した位置に限らない。

図２１（ａ）〜（ｄ）に示す電気泳動表示装置は、画素電極３５Ａ，３５Ｂを有する素子基板と対向電極３７を有する対向基板との間に２粒子系の電気泳動素子３２Ｄを挟持してなる。電気泳動素子３２Ｄは、透明な分散媒２１（Ｔ）中に、黒色の正帯電粒子２６（Ｂｋ）と、黒色の負帯電粒子２７（Ｂｋ）とが混在されてなる。

図２１（ａ）は白表示のときの粒子の分布状態を示す。
画素電極３５Ａにマイナス電圧ＶＬ（負の最大値）を印加し、画素電極３５Ｂにプラス電圧ＶＨ（正の最大値）を印加すると、画素電極３５Ａ上に正帯電粒子２６（Ｂｋ）が吸着し、画素電極３５Ｂ上に負帯電粒子２７（Ｂｋ）が吸着する。外部から入射した光は画素電極３５Ａ，３５Ｂの周囲に存在する反射電極４５にて反射されて対向電極３７側から射出する。
この状態で対向電極３７側から電気泳動素子３２Ｄを見ると、反射光によって画素４０全体が白表示となる（第１のプリセット状態）。

図２１（ｂ）は黒表示のときの粒子の分布状態を示す。
白表示から黒表示へ切り替える場合は、各画素電極３５Ａにプラス電圧ＶＨを印加し、画素電極３５Ｂにマイナス電圧ＶＬを印加することによって、各画素電極３５Ａ，３５Ｂに吸着していた全ての正帯電粒子２６（Ｂｋ）および全ての負帯電粒子２７（Ｂｋ）を対向電極３７側へと移動させる。正帯電粒子２６（Ｂｋ）および負帯電粒子２７（Ｂｋ）は対向電極３７上において２次元あるいは３次元的に分布する。
この時、画素電極３５Ａ、３５Ｂと反射電極４５の距離は、画素電極３５Ａ、３５Ｂと対向電極３７との距離より長くなるように設定してある。そのため、画素電極３５Ａ、３５Ｂ上の粒子は反射電極４５でなく、対向基板に移動する。
外部から入射した光は対向電極３７上に分布する正帯電粒子２６（Ｂｋ）及び負帯電粒子２７（Ｂｋ）にて吸収されるため、黒表示となる。

図２１（ｃ）はグレー表示のときの粒子の分布状態を示す。
ここでは、まず、図２１（ａ）に示したプリセット状態から各画素電極３５Ａ，３５Ｂに所定の電圧を印加する。画素電極３５Ａに黒表示のときに印加したプラス電圧ＶＨよりも小さいプラス電圧Ｖｈ（｜Ｖｈ｜＜｜ＶＨ｜）を印加し、画素電極３５Ｂに黒表示のときに印加したマイナス電圧ＶＬよりも小さいマイナス電圧Ｖｌ（｜Ｖｌ｜＜｜ＶＬ｜）を印加すると、画素電極３５Ａ、３５Ｂ上の正負の帯電粒子２６（Ｂｋ）、２７（Ｂｋ）の一部が対向電極３７側へと移動する。これにより、画素電極３５Ａ，３５Ｂに対向する対向電極３７上の所定領域には小さな黒ドットが複数形成される。ここでは、正帯電粒子２６（Ｂｋ）による黒表示が画素領域全体のおよそ１／３の面積を占めている。また、画素領域全体のおよそ２／３の面積は反射光による白表示が占めている。

対向電極３７上では正帯電粒子２６（Ｂｋ）および負帯電粒子２７（Ｂｋ）が２次元あるいは３次元的に分布して、正帯電粒子２６（Ｂｋ）および負帯電粒子２７（Ｂｋ）による黒ドットの領域と、反射光による白色の領域とが混在するので、この状態で対向電極３７側から電気泳動素子３２Ｄを見ると、全体としてはグレー表示となる。つまり、入射光は、黒色の正帯電粒子２６（Ｂｋ）および負帯電粒子２７（Ｂｋ）において吸収される成分と、反射電極４５において反射される成分とを含んでおり、これら成分を足し合わせると、全体としてグレー表示となる。

別の表現を用いると、対向電極３７上に存在する正帯電粒子２６（Ｂｋ）および負帯電粒子２７（Ｂｋ）によって反射電極４５の一部が隠れることで対向基板３１０側から射出する反射光の出光量が減ることから、明るさが抑えられたグレー表示となる。

図２１（ｄ）は白表示の他の粒子の分布状態を示す。
ここでは、図２１（ａ）に示した白表示のときとは逆極性の電圧を各画素電極３５Ａ，３５Ｂ上に印加する。すなわち、画素電極３５Ａにプラス電圧ＶＨを印加し、画素電極３５Ｂにマイナス電圧ＶＬを印加することにより、画素電極３５Ａ上に全ての正帯電粒子２６（Ｂｋ）を吸着させ、画素電極３５Ｂ上に全ての負帯電粒子２７（Ｂｋ）を吸着させる。この状態においても、外部から入射した光は画素電極３５Ａ，３５Ｂの周囲の反射電極４５において反射されることになるため、画素４０の全体が白表示となる（第２のプリセット状態）。
第５の実施例では画素電極３５Ａ、３５Ｂに印加する電圧の極性を切り替えている。このため、対向電極３７、反射電極４５含めた４つの電極間にＤＣが印加されず、交流駆動となる。これで信頼性の高い電気光学装置を実現できる。
また、第５実施例で２種類の黒粒子を用いたが、これに限らない。色粒子を用いてカラー表示を行っても良い。

ここでは、反射電極４５にグランド電位を印加し続けたが、これに限らない。粒子の移動を補助または粒子をはじくような電圧を印加しても良い。例えば、フィールド毎に印加電圧を切り替え、

図２２は、１画素における画素電極と接続配線との構成例を示す平面図である。
図２２に示すように、画素電極３５Ａ，３５Ｂの平面視の形状が矩形状であっても良い。これら矩形状を呈する画素電極３５Ａ，３５Ｂは互いに平行とされ、ストライプ状に配列されている。複数の画素電極３５Ａは接続配線２２Ａ（分岐部２２ａ）を介して出力端子８９ａ接続されており、複数の画素電極３５Ｂは接続配線２２Ｂ（分岐部２２ｂ）に接続されている。接続配線２２Ａ，２２Ｂは画素電極３５Ａ，３５Ｂの配列方向とは交差する方向に延在し、接続配線２２Ａによって１画素内の画素電極３５Ａどうしが電気的に接続され、接続配線２２Ｂによって１画素内の画素電極３５Ｂどうしが電気的に接続されている。

次に、上記した各実施形態の電気光学装置を他の装置へ応用した例を示す。
図２３及び図２４は、ロボットの人工皮膚として感圧センサーを用いた例であって、図２３はロボットの指先に感圧センサーが設けられた例を示す図、図２４は感圧センサーの構成を示す断面図である。
図２３及び図２４に示すように、ロボットの指先７４に設けられた感圧センサー７０（電気装置）は複数の検出素子（電気光学装置の画素４０に相当）７１を備えて構成されている。これら検出素子７１はランダムに配置されている。検出素子７１は、上記した各実施形態のいずれかの電気光学装置を用いて構成することが可能である。
検出素子７１は、第１基板３０および当該第１基板３０上に設けられた複数の検出電極（第１電極）９７（画素電極３５に対応）を有してなる素子基板９２と、第２基板３１上に対向電極３７を有する対向基板３１０と、これら素子基板９２および対向基板３１０間に配置される圧電素子７７と、を備える。

検出エリア９６内の第１基板３０上には、検出電極９７に直接接続されるドライバＩＣ８９が配置されている。また、検出エリア９６内における第１基板３０の内部には、ドライバＩＣ８９と、このドライバＩＣ８９と検出電極９７とを接続するための接続配線２２等が埋め込まれている。

一方、対向基板３１０は、第２基板３１と、第２基板３１の内面（圧電素子７７と対向する面）に設けられたカーボンナノチューブからなる対向電極３７とを備えて構成されている。ここで、第２基板３１は厚さ０．２ｍｍのＰＥＴからなる。

そして、これら素子基板９２と対向基板３１０との間に、厚さ１μｍのトリフルオロエチレンとフッ化ビニリデンの共重合体からなる圧電素子７７が挟持されている。トリフルオロエチレンとフッ化ビニリデンの共重合体は有機材料であり、素子基板９２と同様に湾曲させることが可能である。また、素子基板９２および対向基板３１０の周縁部どうしの間には、圧電素子７７を取り囲むようにして区画形成されたシール材６５が配置されている。シール材はエポキシ、アクリル等の有機材料からなる。

このような検出素子７１を多数備えてなる感圧センサー７０は、各検出素子７１に対して圧力がかかったときに対向電極３７と検出電極９７との間に電圧が誘起され、この電圧変化を検出することによって、ロボットの指先７４が物体に触れたか否かが判断される。

ここで、素子基板９２としては、上記した各実施形態の素子基板のいずれかを用いることが可能である。
なお、圧電材料及び対向電極３７は上記に限らない他の有機材料、無機材料を用いることができる。電圧材料の代わりに焦電材料を用いれば二次元温度センサーを構成することができ、光電変換材料を用いれば二次元光センサーやテラヘルツ波センサー、Ｘ線センサーを構成することができる。また、電流値の変化を検出する構成としても良い。また、これ以外の電気機器への応用も可能である。
なお、検出素子７１の配置はランダムでなくてもよく、均等な配置とされていてもよい。
また、本実施例において第１基板３０や第２基板３１の材料として伸縮性のある材料、例えばゴム、を用いることにより伸縮性を付与する事が出来る。これは図２３の感圧センサーを複雑な曲面に貼り付ける時に均一性良く貼る事が出来る。また伸縮性や弾力性を有するため人間の皮膚のような感触を実現できる。
以上説明したが、外部回路基板２０２や接続基板２０１に用いられる電子部品、例えばコンデンサー、抵抗等を第１基板３０中に埋め込んでも良い。これにより、外部回路基板２０２や接続基板２０１を用いなくなり、４辺がフレキシブルな電気装置を作成する事ができる。さらに埋め込んだ電子部品と外部との信号や電源等の入出力端子を第１基板３０の裏面（第２基板３１との逆側）に設けても良い。

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

上記した各実施形態では、画素電極３５を直接駆動するドライバＩＣ８９を設けるとともにこれらドライバＩＣ８９を第１基板３０内に埋め込むことにより、素子基板の４辺、つまり電気光学装置の４辺全てをフレキシブルにすることができる。これにより、紙のように薄くて軽い柔軟性に富んだ電気装置であって、装置全体の薄厚化、狭額縁化などによる小型化や軽量化、さらには高堅牢性（高信頼性）を実現することができる。これにより、電気装置の汎用性が広がる。

以上の実施例においてカプセル型の電気泳動材料を用いたがこれに限らない。隔壁型のような仕切りが存在するものでも良いし、仕切りが存在しないものでも良い。また、異なる極性に帯電した白黒の２粒子以外の粒子構成でも構わない。
また、適用できる電気光学材料は電気泳動材料に限らない。例えば液晶、ＥＬ、エレクトロウェッティング、ＭＥＭＳ等を用いることもできる。
また、電子部品を表示エリアの外側に設置しても良いし、表示エリアの下方に埋め込むことによって、額縁が極力小さくなるようにした構成としても良い。

５…表示部、１１，８９ａ…外部接続端子、２２，２２Ａ，２２Ｂ，２３…接続配線、２２，２２Ａ…接続配線（第１接続配線）、２２Ｂ…接続配線（第２接続配線）、３０…第１基板、３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｄ，３０Ｅ，８０Ａ…基材、３０ａ，３０７ａ…表面、３１Ａ，３７Ａ…延出部、３２…電気光学素子（表示素子）、３３…上下導通部、３５，３５Ａ…画素電極（第１電極）、３５Ｂ…画素電極（第２電極）、３７…対向電極、４０…画素、４５…反射電極（反射膜）、６９…保持容量線、６９ａ…挿通孔、７１…検出素子（電気装置）、７９…耐湿層、８９…ドライバＩＣ（電子部品）、８９ａ…出力端子（第１出力端子）、８９ｂ…出力端子（第２出力端子）、９２，３００，３０２，３０３，３０７…素子基板（半導体装置）、９７…検出電極（第１電極）、Ｃｓ…保持容量、１００…電気光学装置（電気装置）、１０１，１０２，１０４，１０５…電気泳動表示装置（電気装置）、１０３…液晶装置（電気装置）、３１０…対向基板

Claims (17)

1. フレキシブル性を有する基板と、
   前記基板の表面に形成された複数の第１電極と、
   前記基板内に埋め込まれた少なくとも１つの電子部品と、
   前記電子部品と前記複数の第１電極とが第１接続配線を介してそれぞれ接続されている
   ことを特徴とする半導体装置。
2. 前記基板が、積層された複数の基材からなり、
   前記複数の基材どうしの間に前記電子部品と前記第１接続配線とが配置されている
   ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記電子部品の少なくとも一部が前記第１電極と平面視において重なっている
   ことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
4. 複数の前記電子部品同士の配置間隔が、各電子部品の１辺の長さの１倍以上、好ましくは前記１辺の３倍以上となっている
   ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体装置。
5. 複数の前記電子部品が前記基板内の少なくとも１方向において等間隔で配置されている
   ことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置。
6. 前記複数の第１電極の形状および面積が同一であるとともにそれぞれが等間隔に配置されている
   ことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体装置。
7. フレキシブル性または伸縮性を有する素子基板と、
   フレキシブル性または伸縮性を有するとともに前記素子基板上に対向配置された対向基板と、
   前記素子基板および前記対向基板との間に配置された機能素子と、を備え、
   前記対向基板は前記機能素子側に対向電極を有し、
   前記素子基板が請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体装置からなり、
   前記素子基板は前記機能素子側の面に前記複数の第１電極を有し、
   前記複数の第１電極には、前記対向電極との間で前記機能素子を駆動するための電圧が前記電子部品より供給される
   ことを特徴とする電気装置。
8. 前記機能素子が、複数の画素が配列されてなる表示部を有した表示素子である
   ことを特徴とする請求項７に記載の電気装置。
9. 前記電子部品が、前記複数の第１電極に対して一括して電圧の印加を行う、あるいは前記複数の第１電極に対して順次電圧の印加を行う
   ことを特徴とする請求項７または８に記載の電気装置。
10. １画素内に配置された前記複数の第１電極どうしが前記第１接続配線を介して相互に接続されて前記電子部品の第１出力端子に接続されている
    ことを特徴とする請求項７または９に記載の電気装置。
11. １画素内に前記複数の第１電極とは独立して駆動される複数の第２電極をさらに有し、
    前記複数の第２電極どうしが第２接続配線を介して相互に接続されて前記電子部品の第２出力端子に接続されている
    ことを特徴とする請求項７から１０のいずれか一項に記載の電気装置。
12. 少なくとも前記第１電極の周囲に反射膜が設けられている
    ことを特徴とする請求項７から１１のいずれか一項に記載の電気装置。
13. 前記反射膜に対して電位の入力が可能に構成されている
    ことを特徴とする請求項１２に記載の電気装置。
14. 前記素子基板の前記機能素子とは反対側の面に前記電子部品と接続される外部接続端子を有し、前記対向基板の少なくとも一部が前記素子基板の前記機能素子とは反対側の面上に延出されてなる延出部と前記外部接続端子とが上下導通部を介して接続されている
    ことを特徴とする請求項７から１３のいずれか一項に記載の電気装置。
15. 前記複数の第１電極との間で保持容量を構成する保持容量線が前記基板内に埋め込まれており、
    前記保持容量線には、前記第１接続配線を挿通させるための挿通孔が形成されている
    ことを特徴とする請求項７から１４のいずれか一項に記載の電気装置。
16. 前記基板を構成する複数の基材のうち、少なくともいずれか一つが耐湿性を有している
    ことを特徴とする請求項７から１５のいずれか一項に記載の電気装置。
17. 前記基板を構成する複数の基材のうち、少なくともいずれか一つの厚さ方向一方の面に耐湿層が設けられている
    ことを特徴とする請求項７から１５のいずれか一項に記載の電気装置。

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