JP2012112717A - Test method of semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体装置のテスト技術に関し、特に、半導体装置をソケットに装着して行うテストの段取り換え時間の短縮化に適用して有効な技術に関する。 The present invention relates to a test technique for a semiconductor device, and more particularly to a technique that is effective when applied to shortening the time required for changing the test performed by mounting a semiconductor device in a socket.
多品種対応型のIC(Integrated Circuit)ハンドラにおいて、恒温槽内に位置する搬送路の交換をなくすようにする技術が開示されている(例えば、特許文献1)。 In a multi-product compatible IC (Integrated Circuit) handler, there has been disclosed a technique for eliminating the exchange of a conveyance path located in a thermostat (for example, Patent Document 1).
また、多品種に対応し得るストッカ装置において、ICの種類変更に対応する段取り変えを迅速、容易に行えるようにする技術が開示されている(例えば、特許文献2)。 In addition, a technology is disclosed that enables quick and easy setup change corresponding to a change in IC type in a stocker apparatus that can handle a wide variety of products (for example, Patent Document 2).
また、ICパッケージ検査用プローブソケットにおいて、ICパッケージの端子の配列数が違っても、ICパッケージの中央位置がソケット本体の中央位置となるようにする技術が開示されている(例えば、特許文献3)。 In addition, in a probe socket for IC package inspection, a technique is disclosed in which the center position of the IC package becomes the center position of the socket body even if the number of terminals of the IC package is different (for example, Patent Document 3). ).
半導体集積回路等が組み込まれた半導体装置等の電子部品の性能を保証する電気的試験においては、電気試験装置に電気的に接続された試験端子を電子部品のリード端子に押圧し、電気的な接触を取ることで、所定の電気特性試験を実施する。 In an electrical test that guarantees the performance of an electronic component such as a semiconductor device in which a semiconductor integrated circuit or the like is incorporated, the test terminal electrically connected to the electrical test device is pressed against the lead terminal of the electronic component to A predetermined electrical property test is performed by making contact.
この電気特性試験においては、被試験対象となる電子部品の形状・大きさあるいは端子数等が生産変動により変更されると、生産する製品に応じて試験設備の切換部品を変更して対応する。 In this electrical characteristic test, when the shape / size or the number of terminals of an electronic part to be tested is changed due to production fluctuation, the switching part of the test equipment is changed according to the product to be produced.
なお、電子部品の品種切り換え等に伴って発生する切り換え作業においては、切り換え回数を少なくするため、電子部品の本体部の幅などに対応して生産品目を装置毎に分類し、切り換えの手間を減らす等の策を講じることが一般的である。 In order to reduce the number of switching operations when switching the type of electronic component, etc., the production items are classified according to the width of the main body of the electronic component, etc. It is common to take measures such as reduction.
ここで、本発明者が検討した自然落下式のハンドラ装置の試験部の構造と動作について説明する。図16は、比較例の自然落下式ハンドラ装置の試験部を示す構成概要図である。なお、試験部は、目的の試験環境温度に対応した温度雰囲気を形成する仕組みを備えている。 Here, the structure and operation of the test section of the natural fall type handler apparatus examined by the present inventors will be described. FIG. 16 is a schematic configuration diagram illustrating a test unit of a natural drop handler device of a comparative example. The test unit has a mechanism for forming a temperature atmosphere corresponding to the target test environment temperature.
試験部には、図16に示すように、半導体装置等の電子部品1の電気的テストが行われる恒温槽20が設置され、この恒温槽20内には、電子部品1のリード端子1aを接触させる試験端子を有するソケット2が配置されている。また、ソケット2には、ソケット2と着脱自在で電気的に接触する電気端子を有するアダプタソケット3と、アダプタソケット3の電気端子が電気的に接続される子基板4とが電気的に接続された状態で恒温槽20外に設けられている。
As shown in FIG. 16, a
なお、恒温槽20には、テスターヘッドとなるインターフェイス筐体5が隣接して配置されており、子基板4は、インターフェイス筐体5の恒温槽側の面に固定されている。一方、インターフェイス筐体5の恒温槽側と反対側の面である電気試験装置(テスター)側の面には、子基板6が固定されている。したがって、子基板4と子基板6は配線21で電気的な接続が行われており、さらに子基板6には図示しない電気試験装置(テスター)と電気的に接続するための複数の電気端子6aが取り付けられている。
Note that an
ここで、インターフェイス筐体5は、温度環境試験時に自然落下式ハンドラからの熱が電気試験装置に印加されないよう、内部に断熱材7を充填する等、断熱機能を具備している。
Here, the
また、恒温槽20の内部には、電子部品1を案内する搬送用レール8と、搬送用レール8との間で電子部品1を挟み込むシュートレール12と、電子部品1の位置決めを担うストッパー9等が配置されている。ストッパー9は、恒温槽外に配置されたシリンダ10に締結されており、自在に進退可能となっている。
Further, inside the
さらに、恒温槽外には、電子部品1を1個ずつソケット2に送り出すための切り出し用シリンダ17や、搬送用レール8と連結され、かつ搬送用レール8をソケット2の方向に押圧せしめるコンタクトシリンダ11等が配置されている。
Further, outside the thermostatic chamber, a
次に、試験部(テスト部)の動作について説明する。 Next, the operation of the test unit (test unit) will be described.
まず、搬送用レール8により案内された複数の電子部品1は、切り出し用シリンダ17によって個別に切り出され、ストッパー9が突出した状態の時に、検査位置まで自重落下(空気の摩擦等の重力以外の外力が存在する状況下での自重による落下のこと)によって搬送される。
First, the plurality of
次いで、図17の比較例に示すように、電子部品1は搬送用レール8とシュートレール12とにより挟持された状態で、コンタクトシリンダ11と連結された押圧板11aにより、ソケット2の方向(H方向)に押圧されて送り出され、電子部品1のリード端子1a(図16参照)をソケット2の試験端子にコンタクトする。このとき、電子部品1はソケット2に装着された状態となる。
Next, as shown in the comparative example of FIG. 17, the
そして、この状態で電気的特性試験(電気的テスト)が行われる。その後、電子部品1の電気的特性試験が終了すると、コンタクトシリンダ11が後退するとともに、図16のバネ13の弾性力によってソケット2から電子部品1が離脱し、かつ搬送用レール8は元の滑走位置に戻る。さらに、ストッパー9が後退することで、電子部品1は、自重落下によって試験部から下方(恒温槽20の外側)に送り出される。
In this state, an electrical characteristic test (electrical test) is performed. Thereafter, when the electrical characteristic test of the
ここで、電子部品1の本体部の幅やリード端子1aの隣間ピッチ等に関してはJEITA(電子情報技術産業協会)等によって規格化が進められており、標準化された法則の範囲で電子部品1の外形は定められている。
Here, standardization of the width of the main body of the
例えば、図18や図19の比較例に示すように、DIP(Dual in-line package、半導体装置)等の電子部品1では、そのモールド端面1bから第1端子1aaまでの距離(L1やL2)は、標準品で図18に示すリードピッチP寸法(L1=P)、もしくはシュリンク品で図19に示すリードピッチP寸法の2分の1(L2=P/2)と規定されている。
For example, as shown in the comparative examples of FIG. 18 and FIG. 19, in the
このとき、図16に示すような試験部を備えた自由落下(自重落下)式ハンドラ等と連結する電気試験装置においては、電子部品1のモールド端面1bで位置決めを行うので、前述のようなJEITA規格等に準拠した標準品とシュリンク品とを両方試験する場合、それぞれの品種に対応した切り換え部品を準備・選択して試験を実施する必要がある。
At this time, in an electric test apparatus connected to a free fall (self-weight drop) type handler or the like having a test section as shown in FIG. 16, positioning is performed on the mold end surface 1b of the
そこで本発明者が検討した結果、以下の問題を見出した。 Thus, as a result of investigation by the present inventor, the following problems were found.
電子部品の電気的テストで品種切り換えが生じると、自然落下式のハンドラ装置では、その試験部において切り換え部品(例えば、搬送用レールやシュートレール等)の交換作業が発生する。この作業は、例えば試験環境温度を0℃以下とするような低温テストの場合、結露防止のため、一旦、空気露点以上に装置温度を上げて切り換え作業を実施し、その後、目的とする試験環境温度に到達させ、安定させるまでの時間を必要とする。この時間は、例えば4時間程度であり、この間はテストが実行できないので、装置の稼働率を低下させてしまう。特に車載用部品等は、近年の顧客仕様の厳格化により試験環境温度が益々高温/低温化している。そのため、試験環境温度と外部温度との温度差が増大し、温度勾配が大きくなることにより、装置の試験部より外部へ逃げる熱量が増大し、試験環境温度への到達時間が伸びてきているので、稼働率は益々低下傾向にある。 When the product type is switched in the electrical test of the electronic component, in the natural drop type handler device, a switching operation of the switching component (for example, a transport rail or a chute rail) occurs in the test section. For example, in the case of a low-temperature test in which the test environment temperature is 0 ° C. or less, for example, in order to prevent condensation, the device temperature is once raised above the air dew point and the switching operation is performed. It takes time to reach temperature and stabilize. This time is, for example, about 4 hours, and the test cannot be executed during this time, so that the operating rate of the apparatus is lowered. Especially for automotive parts, the test environment temperature is getting higher / lower due to the stricter customer specifications in recent years. For this reason, the temperature difference between the test environment temperature and the external temperature increases, and the temperature gradient increases, so the amount of heat that escapes from the test part of the device increases, and the time to reach the test environment temperature has increased. The occupancy rate is decreasing.
また、切り換え部品の取り外しや組み付け作業が伴うため、切り換え時間は、作業者の技能優劣に左右され易いこと、品種切り換え作業の作業品質が安定しないこと、および試験環境を精度良く管理できないこと、といった課題もある。 In addition, because switching parts are removed and assembled, the switching time is easily affected by the skill level of the operator, the quality of the type switching work is not stable, and the test environment cannot be managed accurately. There are also challenges.
さらに、切り換え部品の組み付けに問題があった場合、電子部品の搬送トラブルが発生し、それにより、電子部品のリード端子を曲げてしまう等の電子部品の品質低下を招くといった課題もある。 Furthermore, when there is a problem in the assembly of the switching component, there is a problem that the electronic component transportation trouble occurs, thereby causing the quality degradation of the electronic component such as bending the lead terminal of the electronic component.
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体装置の電気的テストにおいて品種切り換え作業の作業品質の安定化を図ることができる技術を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a technique capable of stabilizing the work quality of the product type switching operation in the electrical test of the semiconductor device.
また、本発明の他の目的は、半導体装置の電気的テストにおいて試験環境を安定して維持することができる技術を提供することにある。 Another object of the present invention is to provide a technique capable of stably maintaining a test environment in an electrical test of a semiconductor device.
また、本発明の他の目的は、半導体装置の品質の安定化を図ることができる技術を提供することにある。 Another object of the present invention is to provide a technique capable of stabilizing the quality of a semiconductor device.
また、本発明の他の目的は、半導体装置の電気的テストにおける品種切り換え時の作業時間の短縮化を図ることができる技術を提供することにある。 Another object of the present invention is to provide a technique capable of shortening the work time at the time of product type switching in an electrical test of a semiconductor device.
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。 The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。 Of the inventions disclosed in this application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.
代表的な実施の形態による半導体装置のテスト方法は、(a)半導体装置を恒温槽の内部の位置決め部に配置する工程と、(b)前記半導体装置を前記恒温槽の内部に配置されたソケットに装着して前記恒温槽の内部で前記半導体装置の電気的テストを行う工程と、を有し、前記(b)工程において、前記恒温槽の外部に設けられた前記ソケットの位置調整機構により前記恒温槽の内部の前記ソケットの位置調整を行って前記ソケットに前記半導体装置を装着するものである。 A test method for a semiconductor device according to a representative embodiment includes: (a) a step of placing the semiconductor device in a positioning portion inside the thermostat; and (b) a socket in which the semiconductor device is placed inside the thermostat. And performing an electrical test of the semiconductor device inside the thermostat, and in the step (b), the socket position adjusting mechanism provided outside the thermostat in the step (b) The position of the socket inside the thermostat is adjusted, and the semiconductor device is mounted in the socket.
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。 Of the inventions disclosed in the present application, effects obtained by typical ones will be briefly described as follows.
半導体装置の電気的テストにおける品種切り換え作業の質の安定化を図ることができる。 It is possible to stabilize the quality of the product switching operation in the electrical test of the semiconductor device.
半導体装置の電気的テストにおいて試験環境を安定して維持することができる。 A test environment can be stably maintained in an electrical test of a semiconductor device.
半導体装置の品質の安定化を図ることができる。 The quality of the semiconductor device can be stabilized.
半導体装置の電気的テストにおける品種切り換え時の作業時間の短縮化を図ることができる。 It is possible to shorten the work time when switching the product type in the electrical test of the semiconductor device.
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。 In the following embodiments, the description of the same or similar parts will not be repeated in principle unless particularly necessary.
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。 Further, in the following embodiment, when it is necessary for the sake of convenience, the description will be divided into a plurality of sections or embodiments, but they are not irrelevant to each other unless otherwise specified. The other part or all of the modifications, details, supplementary explanations, and the like are related.
また、以下の実施の形態において、要素の数など(個数、数値、量、範囲などを含む)に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。 Also, in the following embodiments, when referring to the number of elements (including the number, numerical value, quantity, range, etc.), particularly when clearly indicated and when clearly limited to a specific number in principle, etc. Except, it is not limited to the specific number, and it may be more or less than the specific number.
また、以下の実施の形態において、その構成要素(要素ステップ等も含む)は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。 Further, in the following embodiments, the constituent elements (including element steps) are not necessarily indispensable unless otherwise specified and clearly considered essential in principle. Needless to say.
また、以下の実施の形態において、構成要素等について、「Aからなる」、「Aよりなる」、「Aを有する」、「Aを含む」と言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。 Further, in the following embodiments, regarding constituent elements and the like, when “consisting of A”, “consisting of A”, “having A”, and “including A” are specifically indicated that only those elements are included. It goes without saying that other elements are not excluded except in the case of such cases. Similarly, in the following embodiments, when referring to the shapes, positional relationships, etc. of the components, etc., the shapes are substantially the same unless otherwise specified, or otherwise apparent in principle. And the like are included. The same applies to the above numerical values and ranges.
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that components having the same function are denoted by the same reference symbols throughout the drawings for describing the embodiments, and the repetitive description thereof will be omitted.
(実施の形態1)
図1は本発明の実施の形態1の半導体装置のテストで用いられるテストシステムの構成の一例を示す構成ブロック図、図2は図1に示すテストシステムにおける恒温槽とテスターヘッドの構造の一例を一部切断して示す部分断面図、図3は図2に示すA−A線に沿って一部切断した構造を示す部分断面図、図4は図2に示す構造における半導体装置のソケットへの装着時の構造の一例を示す部分断面図である。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a block diagram showing an example of the configuration of a test system used for testing a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 shows an example of the structure of a thermostatic chamber and a tester head in the test system shown in FIG. FIG. 3 is a partial cross-sectional view showing a partially cut structure taken along the line AA shown in FIG. 2, and FIG. 4 is a view of the structure shown in FIG. It is a fragmentary sectional view which shows an example of the structure at the time of mounting | wearing.
さらに、図5は本発明の実施の形態1の半導体装置の品種切り換え時のソケットの移動状態の一例を示す側面図、図6は本発明の実施の形態1の半導体装置のテスト内容切り換え時のソケットの移動状態の一例を示す側面図である。 5 is a side view showing an example of the movement state of the socket at the time of switching the product type of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention. FIG. 6 is a diagram at the time of switching the test contents of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention. It is a side view which shows an example of the movement state of a socket.
本実施の形態1の半導体装置は、組み立て完了後にソケットに装着してテスターを用いて電気的テストが行われるものであり、本実施の形態1では、前記半導体装置の一例として、図5に示すDIP(Dual in-line package) 30を取り上げて説明する。 The semiconductor device of the first embodiment is mounted on a socket after assembly is completed and an electrical test is performed using a tester. In the first embodiment, an example of the semiconductor device is shown in FIG. DIP (Dual in-line package) 30 is taken up and explained.
DIP30は、半導体チップ37が埋め込まれた本体部30cと、本体部30cから露出する複数の外部端子であるリード端子30aとを有しており、複数のリード端子30aは本体部30cの対向する2辺それぞれに露出している。本体部30cは、例えば、平面視が長方形状となるように形成されており、この本体部30cの対向する長手方向の2辺に複数のリード端子30aが露出して設けられている。その際、対向する2辺において、複数のリード端子30aは、同ピッチで配置されている。
The
なお、本体部30cは、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂等の封止用樹脂から構成されている。
The
次に、DIP30の電気的テストを行う図1に示すテスター14を備えたテストシステムの構成と電気的テストの流れについて説明する。
Next, the configuration of the test system including the
図1は、本実施の形態1の自然落下式(自重落下式)ハンドラを含むテストシステムの一例を示すものであり、その構成について説明する。なお、ここで言う前記自重落下(自然落下)とは、空気の摩擦等の重力以外の外力が存在する状況下での自重による落下のことである。図1に示すテストシステムは、図5に示すDIP30のテストが行われるテスト部(試験部、測定部)20aを有する恒温槽20と、恒温槽20と隣接して配置されたテスターヘッド15と、テスターヘッド15と電気的に接続してテスターヘッド15にテスト用の電気信号を送信するテスター14とを備えている。
FIG. 1 shows an example of a test system including a natural fall type (self-weight fall type) handler according to the first embodiment, and the configuration thereof will be described. In addition, the said dead weight fall (natural fall) said here is the fall by the dead weight in the condition where external forces other than gravity, such as friction of air, exist. The test system shown in FIG. 1 includes a
さらに、恒温槽20に低温/高温エアー29(図2参照)を供給する低温/高温エアー発生器16と、DIP30の恒温槽20内外への搬送を案内するガイド部材である搬送用レール8とが設けられている。
Furthermore, a low-temperature / high-
このテストシステムにおいて、DIP30は、複数個出荷チューブ18に詰め込まれた状態で搬送用レール8にセットされ、傾斜を有した搬送用レール8上を自重によって滑走して目的とする試験環境温度に維持された恒温槽20内のテスト部20aに送り込まれる。
In this test system, a plurality of
その後、DIP30は、恒温槽20内のテスト部20aで位置決めされた後、電気的テストが実施される。
Then, after the
テスト後、DIP30は、テスト結果に応じて分類され、搬送用レール8の下方に配置された出荷チューブ18に収納される。
After the test, the
次に、恒温槽20内のテスト部20aと、テスターヘッド15について図2〜図4を用いて説明する。
Next, the
なお、恒温槽20内のテスト部20aは、目的とする試験環境温度に対応した温度雰囲気を形成する仕組みを備えている。
In addition, the
図2及び図3に示す恒温槽20内には、図5に示すDIP30のリード端子30aを接触させる試験端子2aを備えたソケット2が配置されている。さらに、ソケット2には、ソケット2と着脱自在で電気的に接触する電気端子(図示せず)を有するアダプタソケット3が接続され、さらにアダプタソケット3の前記電気端子が電気的に接続される子基板4が設けられ、これらアダプタソケット3と子基板4がソケット2に電気的に接続された状態で恒温槽20外に設けられている。
In the
また、アダプタソケット3は、ハンドラ(恒温槽20)側とテスター側とを仕切る壁部19の開口部分に配置され、壁部19の恒温槽側と反対側がテスターヘッド側となっており、このテスターヘッド側にはインターフェイス筐体5が配置されている。つまり、壁部19の一方の側に恒温槽20が配置され、他方の側にインターフェイス筐体5が恒温槽20と隣接して配置されている。
The
さらに、インターフェイス筐体5の恒温槽側の側面5aには、この側面5aと分離された状態でかつ摺動自在に設けられたスライドプレート22a,22bが配置され、これらスライドプレート22a,22bに子基板4が取り付けられている。一方、インターフェイス筐体5の恒温槽側と反対側の面であるテスター14(図1参照)側の側面5bには、子基板6が固定されている。
Further,
なお、子基板4と子基板6は複数の配線21で電気的な接続が行われており、さらに子基板6にはテスター14と電気的に接続するための複数の電気端子6aが取り付けられている。
The
また、インターフェイス筐体5は、温度環境試験時に自然落下式ハンドラからの熱がテスター14に印加されないよう、内部に断熱材7を充填する等、断熱機能を具備している。
Further, the
一方、恒温槽20の内部には、DIP30を案内するガイド部材である搬送用レール8と、搬送用レール8との間でDIP30を挟み込む同様のガイド部材であるシュートレール12と、位置決め部20bにおいてDIP30の位置決めを担うストッパー9等が配置されている。ストッパー9は、恒温槽外に配置されたシリンダ10に締結されており、自在に進退可能となっている。
On the other hand, in the
さらに、恒温槽外には、DIP30を1個ずつソケット2に送り出すための切り出し用シリンダ17や、搬送用レール8と連結され、かつ搬送用レール8を押圧板11aを介してソケット2の方向に押圧せしめるコンタクトシリンダ11等が配置されている。
Further, outside the thermostatic chamber, it is connected to the cutting
ここで、本実施の形態1の自然落下式ハンドラでは、恒温槽20内に配置されたソケット2を恒温槽20の外部から図2に示すDIP30の滑走方向(落下方向)Bに沿って微小量移動させることができる位置調整機構を有している。
Here, in the natural drop handler according to the first embodiment, the
前記位置調整機構は、インターフェイス筐体5によって覆われた内部係合部であり、かつ回転体であるカム部23aと、インターフェイス筐体5の外部に露出し、かつカム部23aのシャフト部23bに係合する外部係合部である切り換えレバー23と、カム部23aに係合するスライドプレート22aとを有している。カム部23aは、円板状の回転体であり、シャフト部23bの回転中心に対して偏心した状態でシャフト部23bと接合されており、摺動自在なスライドプレート22aの案内溝22cと係合している。インターフェイス筐体5の外部に回転可能に設けられた切り換えレバー23は、シャフト部23bに連結している。
The position adjusting mechanism is an internal engagement portion covered with the
これにより、図2に示すように切り換えレバー23を回転させると、シャフト部23bが回転するとともにカム部23aも偏心しながら回転し、カム部23aと係合するスライドプレート22aがカム部23aの偏心量に応じてB方向(DIP30の滑走方向)に移動する。すなわち、カム部23aによるカム駆動によってソケット2を微小量移動させることが可能なカム機構を備えている。
Accordingly, when the switching
なお、スライドプレート22a,22bと子基板4とアダプタソケット3とソケット2は、一体となってB方向に動くことが可能な構造となっており、その際、図3に示すように、スライドプレート22a,22bは、それぞれ個々にリニアガイド24を介して直線移動自在に壁部19に支持されている。
The
これにより、本実施の形態1の自然落下式ハンドラでは、恒温槽20の外部から切り換えレバー23を駆動(回転)させることで、スライドプレート22a,22bとアダプタソケット3、及び恒温槽20内に配置されたソケット2をDIP30の滑走方向Bに沿って微小量、高精度に直線移動させることができる。
Thereby, in the natural drop type handler of the first embodiment, the switching
次に、本実施の形態1の半導体装置のテスト方法について説明する。 Next, a test method for the semiconductor device according to the first embodiment will be described.
まず、図2及び図3に示すように、DIP30を搬送用レール8によって案内して恒温槽20の内部の位置決め部20bに配置する。詳細には、搬送用レール8によって案内された複数のDIP30を切り出し用シリンダ17によって個別に切り出し、ストッパー9が突出した状態の時に、位置決め部20bの検査位置まで自重落下(自然落下ともいう)によって搬送する(検査位置に配置する)。
First, as shown in FIGS. 2 and 3, the
したがって、DIP30を搬送用レール8にセットする際には、対向する複数のリード端子30aの端子列が落下方向(図2のB方向)に沿うような向きで搬送用レール8に配置し、これによって搬送用レール8に沿って自重落下を行うことができる。
Therefore, when the
その後、DIP30を恒温槽20の内部に配置されたソケット2に装着する。ここでは、図4に示すように、DIP30を搬送用レール8とシュートレール12とにより挟持した状態で、コンタクトシリンダ11と連結された押圧板11aによってソケット2の方向(C方向)に押圧して送り出し、図5に示すDIP30のリード端子30aをソケット2の試験端子2aにコンタクトさせる。このとき、DIP30はソケット2に装着された状態となる。
Thereafter, the
その際、必要に応じて恒温槽20の外部に設けられたソケット2の位置調整機構によって恒温槽20の内部のソケット2の位置調整を行ってソケット2にDIP30を装着する。前記位置調整機構は、カム機構を備えており、前記カム機構のカム駆動によってソケット2の位置調整を行う。詳細には、切り換えレバー23を所定量回転させて切り換えレバー23に連結したシャフト部23b及びカム部23aを所定量回転させる。カム部23aの回転によって、リニアガイド24に固定されたスライドプレート22a,22bと子基板4、及びアダプタソケット3とソケット2を所定のピッチだけ直線移動させ、これによってDIP30のリード端子30aの位置とソケット2の試験端子2aの位置とを合わせてからDIP30をソケット2に装着する。
At that time, the position of the
装着後、恒温槽20の内部でDIP30の電気的特性試験(電気的テスト)を行う。
After the mounting, an electrical characteristic test (electrical test) of the
テスト時には、図1に示す恒温槽20の外部に設けられたテスター14からテスターヘッド15の子基板4や子基板6を介してDIP30に電気信号を送信して前記電気的テストを行う。
During the test, the electrical test is performed by transmitting an electrical signal from the
その後、DIP30の電気的特性試験が終了すると、コンタクトシリンダ11が後退するとともに、バネ13の弾性力によってソケット2からDIP30が離脱し、かつ搬送用レール8は位置決め部20bの元の滑走位置に戻る。さらに、ストッパー9が後退することで、DIP30は、自重落下によって試験部から下方(恒温槽20の外側)に送り出される。
Thereafter, when the electrical characteristic test of the
次に、恒温槽20内やインターフェイス筐体5の内外の陽圧化について説明する。
Next, the positive pressure inside and outside the
恒温槽20には、図2に示すように外部より露点の低い流体であるドライエアー27(乾燥空気)を内部に取り込むための流体管継ぎ手25aや、図1に示す低温/高温エアー発生器16と連結された流体管継ぎ手25bが設けられているとともに、排気口26が形成されている。
As shown in FIG. 2, the
また、インターフェイス筐体5におけるこの恒温槽20の排気口26と対応した位置には吸入口5cが設けられ、壁部19の貫通孔19aを挟んでその両側に恒温槽20の排気口26とインターフェイス筐体5の吸入口5cが配置されている。さらに、インターフェイス筐体5にも排気口5dが形成されている。
Further, a
したがって、流体管継ぎ手25aから恒温槽20内に取り込まれた流体であるドライエアー27は、恒温槽20内に充填され、一方、流体管継ぎ手25bから取り込まれた低温/高温エアー29は、排気口26、貫通孔19a及び吸入口5cを通ってインターフェイス筐体5の内部に入り込み、さらに排気口5dから外部に放出される。
Therefore, the
すなわち、恒温槽20の内部にはドライエアー27が供給されて陽圧状態となっているとともに、外部より露点が低い状態となっている。
That is,
また、インターフェイス筐体5の外部に設けられた外部係合部である切り換えレバー23の近傍には、切り換えレバー23及びその周囲のインターフェイス筐体5を露点の低い流体であるドライエアー27で満たすためのノズル38が設けられている。つまり、切り換えレバー23及びその周囲のインターフェイス筐体5にもドライエアー27が供給されて陽圧状態が形成されているとともに、露点が低い状態となっている。
Further, in the vicinity of the switching
次に、本実施の形態1の半導体装置のテスト方法における品種切り換え時の操作(作業)について説明する。 Next, an operation (work) at the time of product type switching in the semiconductor device test method of the first embodiment will be described.
図5は、2種類のDIP30を示すものであり、DIP30(D)は24ピン(片側12ピン)であり、DIP30(E)は22ピン(片側11ピン)である。両者のリード間ピッチは同じであるが、相互のモールド端面30bから第1端子30aaまでの距離が異なっているとともに、相互のリード端子30aがリード間ピッチの1/2ずれた配列関係となっている。なお、ソケット2は、リード端子30aの本数の多い方(DIP30(D))に対応した本数の試験端子2aを備えている。
FIG. 5 shows two types of
この状況で、図2に示す切り換えレバー23を所定量回転させると、リード端子間ピッチの1/2だけスライドプレート22a,22bを摺動させるように変位量が設定されたカム部23aがスライドプレート22aに形成された案内溝22c内で回動する。これにより、スライドプレート22a,22bはそれぞれ1/2ピッチ分のみ移動し、スライドプレート22a,22bそれぞれに締結された子基板4上に固定されたアダプタソケット3とソケット2も同変位量、すなわち前記1/2ピッチ分(図5の基準位置28からF量)のみ試験装置内で移動する。
In this situation, when the switching
このような操作を行うことで、ストッパー9によって位置決めされた、DIP30のモールド端面30bから第1端子30aaまでの距離が異なる、標準ピッチ製品・シュリンク製品を電気試験装置の切り換え部品を交換することなく同一の切り換え部品でテストすることができる。
By performing such an operation, the distance from the
また、図6は、DIP30に対してソケット2の試験端子2aの位置を1ピン分ずらして装着して試験マトリクスを変更する場合の装着の切り換え方法を示すものであり、切り換えレバー23の回転によってソケット2の装着位置をずらすものである。例えば、図6に示す例では、通常の試験においてソケット2の1番ピンの試験端子2aをDIP30の1番ピンの第1端子30aaと接触させているのに対して、試験マトリクスの変更によりソケット2の位置を基準位置28からG量ずらすことで、ソケット2の2番ピンの試験端子2aをDIP30の1番ピンの第1端子30aaと接触させるものである。
FIG. 6 shows a mounting switching method when the test matrix is changed by shifting the position of the
ここで、図2においては、案内機構や位置の割り出し部品、カム部23aへの押圧バネ等の部品は省略している。
Here, in FIG. 2, parts such as a guide mechanism, a position indexing part, and a pressing spring to the
また、前記品種切り換え作業では、カム機構を利用した手動による位置切り換えの場合を説明したが、偏心軸にモータ等を接続することにより、自動切り換えとすることも可能である。 Further, in the product switching operation, the case of manual position switching using a cam mechanism has been described. However, automatic switching can be performed by connecting a motor or the like to the eccentric shaft.
また、複数位置の割り出し機構に関しても、カム・リンク・送りねじ・巻き掛け伝達等を用いてもよい。 Further, a cam, a link, a feed screw, a winding transmission, and the like may be used for a multi-position indexing mechanism.
本実施の形態1の半導体装置のテスト方法によれば、恒温槽20の内部に配置されたソケット2の位置を、恒温槽20の外部から自在に調整できるようにしたことにより、半導体装置の品種切り換え時に自重落下式ハンドラ等の電気試験装置(単に試験装置ともいう)に対して、切り換え部品の取り外しや組み付けといった作業が無くなるので、品種切り換え作業の作業品質の安定化を図ることができる。
According to the test method of the semiconductor device of the first embodiment, the position of the
さらに、品種切り換え作業が容易になるので、試験環境の品質が、作業者の技能の優劣による影響を受け難くすることができる。 Furthermore, since the product switching operation is facilitated, the quality of the test environment can be made less susceptible to the influence of operator skill.
また、作業者の技能の優劣に試験環境の品質が左右されなくなるので、DIP30(半導体装置)の品質の安定化を図ることができる。 In addition, since the quality of the test environment is not affected by the superiority or inferiority of the skill of the worker, the quality of the DIP 30 (semiconductor device) can be stabilized.
また、品種切り換え時に前記試験装置に対して、切り換え部品の取り外し・組み付け作業が無くなるので、品種切り換え時間を短縮することができる。 In addition, since there is no need to remove / assemble the switching parts from the test apparatus when switching the product type, the time for switching the product type can be shortened.
また、1種類の部品で複数の製品に対応させることが可能になるので、準備する切り換え部品の数を削減することができる。これにより、DIP30の製造コストの低減を図ることができる。 In addition, since one type of component can be used for a plurality of products, the number of switching components to be prepared can be reduced. Thereby, the manufacturing cost of DIP30 can be reduced.
また、前記試験装置に設けられた切り換えレバー23等の機械部品やインターフェイス筐体5に露点の低い流体であるドライエアー27(例えば、−70℃)を供給して切り換えレバー23やインターフェイス筐体5の周囲を露点の低い流体で満たす構成としたことにより、付着/浸透濡れが発生しなくなるので、結露による電気的なリークやショートの発生を防止することができる。
Also, dry air 27 (for example, −70 ° C.), which is a fluid having a low dew point, is supplied to mechanical parts such as the switching
また、流体管継ぎ手25aを介して露点の低い流体であるドライエアー27を恒温槽20の内部に取り込み、かつテストインターフェイス部の排気口5dから抜ける装置構成としたことで、恒温槽20〜テストインターフェイス部内を周囲環境より陽圧に保つことができる。これにより、恒温槽20〜テストインターフェイス部内への周囲の外気の流入が無くなるので、装置故障を引き起こす結露の発生を抑えることができる。加えて、異物等の侵入も無くなるので、電気試験の信頼性が低下することも防止することができる。
Further, by adopting a device configuration in which
なお、半導体装置の品種切り換えに伴って部品の切り換えを行う場合には、さらに以下のような問題が発生する場合がある。 In addition, the following problems may occur when the parts are switched in accordance with the switching of the semiconductor device type.
自重落下式ハンドラ等の試験装置における品種切り換えに伴う段取り換えでは、半導体装置Aと半導体装置Bの切り換えを単純に実施するだけではなく、DCテスト・スタンバイ電流試験・ホールド試験等、実際に試験を高/低温環境で実施しないと異常が顕在化しない試験項目に対しては適切な試験温度環境を形成した後に試験を実施しなければならない。 When changing the product type in a test equipment such as a self-falling handler, switching between the semiconductor device A and the semiconductor device B is not simply performed, but actual tests such as a DC test, a standby current test, and a hold test are performed. For test items that do not reveal anomalies unless performed in a high / low temperature environment, the test must be performed after an appropriate test temperature environment is created.
一つ目の問題は、例えば、低温(0℃以下)時は、結露防止のため、一旦、空気露点以上に装置温度を上げ、切り換え作業を実施し、その後、目的とする低温試験温度に達するまでの温度安定待ち時間を必要とすることである。 The first problem is, for example, at low temperatures (below 0 ° C), in order to prevent condensation, the temperature of the device is once raised above the air dew point, switching is performed, and then the target low temperature test temperature is reached. The temperature stabilization waiting time is required.
さらに、二つ目の問題として、車載用部品などは、近年の顧客仕様の厳格化により試験環境温度が一層高温/低温化している。そのため、試験環境温度と外部温度との温度差が拡がり、温度勾配が大きくなることで装置の試験部より外部へ逃げる熱量が増大し、試験環境温度への到達時間が伸びることで、装置の稼働率が益々低下傾向に向かっていることである。 Furthermore, as a second problem, the test environment temperature of automotive parts and the like has become higher / lower due to stricter customer specifications in recent years. Therefore, the temperature difference between the test environment temperature and the external temperature is widened, and the amount of heat escaping from the test part of the device increases due to a large temperature gradient, so that the time to reach the test environment temperature is extended, and the operation of the device is increased. The rate is gradually decreasing.
しかしながら、本実施の形態1の半導体装置のテスト方法によれば、半導体装置の品種が切り換わっても外部からソケット2の位置を調整して恒温槽20を開けることなく試験装置の段取り換えを行うことができる。そのため、特に温度環境試験においては、生産している時と同じ環境温度を保ったまま作業を行える。
However, according to the test method of the semiconductor device of the first embodiment, even if the type of the semiconductor device is switched, the test device is replaced without adjusting the position of the
したがって、目的とする試験環境温度に到達するまでの温度待ち時間や、温度が安定するまでの時間を必要としない。半導体装置の電気的テストにおいて、品種切り換えを伴う場合でも試験環境を安定して維持することができ、温度待ち時間や温度安定時間を必要とせずに、切り換え後のテストを迅速に行うことができる。 Therefore, there is no need for a temperature waiting time until the target test environment temperature is reached or a time until the temperature stabilizes. In electrical testing of semiconductor devices, the test environment can be stably maintained even when product types are switched, and tests after switching can be performed quickly without the need for temperature waiting time or temperature stabilization time. .
(実施の形態2)
図7は本発明の実施の形態2において分割式搬送レールを採用した時の恒温槽とテスターヘッドの構造の一例を一部切断して示す部分断面図、図8は図7に示す構造のテスト部における断面構造の一例を一部切断して示す部分断面図、図9は図7に示す分割式搬送レールの基本構造の一例を示す部分断面図、図10は図7に示す分割式搬送レールの基本構造の一例を示す部分断面図である。また、図11は図7に示す分割式搬送レールを動作させるカム機構の構造の一例を示す平面図、図12は第1変形例の分割式搬送レールの基本構造の一例を示す部分断面図、図13は第1変形例の分割式搬送レールの基本構造の一例を示す部分断面図、図14は第2変形例の分割式搬送レールの基本構造の一例を示す部分断面図、図15は第2変形例の分割式搬送レールの基本構造の一例を示す部分断面図である。
(Embodiment 2)
FIG. 7 is a partial cross-sectional view showing an example of the structure of the constant temperature bath and the tester head when the split type transport rail is adopted in the second embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a test of the structure shown in FIG. FIG. 9 is a partial sectional view showing an example of the basic structure of the split-type transport rail shown in FIG. 7, and FIG. 10 is a split-type transport rail shown in FIG. It is a fragmentary sectional view showing an example of the basic structure. 11 is a plan view showing an example of the structure of a cam mechanism for operating the split type transport rail shown in FIG. 7, and FIG. 12 is a partial sectional view showing an example of the basic structure of the split type transport rail of the first modification. FIG. 13 is a partial cross-sectional view showing an example of the basic structure of the split-type transport rail of the first modification, FIG. 14 is a partial cross-sectional view showing an example of the basic structure of the split-type transport rail of the second modification, and FIG. It is a fragmentary sectional view which shows an example of the basic structure of the split-type conveyance rail of 2 modifications.
本実施の形態2では、半導体装置の品種切り換えに伴ってパッケージ本体の大きさ(幅)が変わった際の自然(自重)落下式ハンドラ等の電気試験装置における対応手段、すなわち、パッケージ本体の幅方向(滑走(落下)方向に対して交差する方向)の半導体装置とソケット2との位置合わせ技術について説明する。
In the second embodiment, corresponding means in an electrical test apparatus such as a natural (self-weight) drop-type handler when the size (width) of the package body is changed in accordance with the switching of the type of semiconductor device, that is, the width of the package body. A technique for aligning the semiconductor device in the direction (direction intersecting the sliding (falling) direction) and the
実施の形態1で述べた通り、半導体装置ではそのパッケージ本体の幅に関してもJEITA(電子情報技術産業協会)等によって規格化が進められており、パッケージ厚さが同一のパッケージ種では、その種類は限られている(例えば、幅300mil・350mil・400mil等)。 As described in the first embodiment, the standardization of the width of the package body of a semiconductor device is being promoted by JEITA (Electronic Information Technology Industries Association) and the like for package types having the same package thickness. Limited (for example, 300 mil, 350 mil, 400 mil, etc.).
そこで、本実施の形態2の自然落下式ハンドラ等の試験装置においては、図7及び図8に示すように、半導体装置の搬送系やソケット類を分割構造として可変式としている。 Therefore, in the test apparatus such as the natural drop handler according to the second embodiment, as shown in FIG. 7 and FIG. 8, the transport system and sockets of the semiconductor device are variable and divided.
まず、図7に示すように、DIP30の搬送系においてDIP30の滑走を案内するガイド部材を分割式搬送用レール8bとしている。分割式搬送用レール8bは、DIP30の本体部30c(パッケージ本体)の幅方向に対してその中心付近で左右に分割したものであり、対向して配置された2本の分割式搬送用レール8bによってそれぞれのDIP30の左右の片側ずつを案内する構造となっている。すなわち、DIP30の対向するリード端子30a群にそれぞれ対応した形状の溝部8cが左右両側の分割式搬送用レール8bに形成されている。
First, as shown in FIG. 7, the guide member for guiding the sliding of the
次に分割式搬送用レール8bの可変動作を図7、図9及び図11を用いて説明する。なお、パッケージ本体の幅方向の寸法変更に伴う分割式搬送用レール8bの動作手段の一例は、図11に示すような、回転中心からの距離を変えた割り出し位置を複数箇所持つ板状カム32を回動させるものであり、図11の板状カム32を用いた場合には、幅A、幅B、幅C、幅Dの4種類の大きさの幅に対応させることができる。
Next, the variable operation of the split
図7に示す構造では、まず、ハンドル部材31を回転させるとこのハンドル部材31と連結する板状カム32も回転する。なお、それぞれの分割式搬送用レール8bには板状カム32に係合する位置決めピン33が埋め込まれている。その際、位置決めピン33は、図示しないバネ部材などによって板状カム32の外周に当接しており、板状カム32の回転に伴って板状カム32の外周形状に沿って水平方向に移動自在となっている。
In the structure shown in FIG. 7, first, when the
続いて、所望のレール幅となる位置でハンドル部材31の回転を止め、その位置でボールプランジャ34によって2つの分割式搬送用レール8bの位置決めを行う。
Subsequently, the rotation of the
ここで、図9に示す構造は、板状カム32が回転自在な円板35上に取り付けられている場合であり、ボールプランジャ34はこの円板35に取り付けられており、ハンドル部材31を回転させると、円板35と板状カム32が回転する構造となっている。前述のように板状カム32の回転によって図11に示すA、B、C及びDの4種類の大きさ(幅)に2つの位置決めピン33を動かすことができ、それぞれの位置決めピン33が埋め込まれた2つの分割式搬送用レール8bを幅A、幅B、幅C、幅Dの4種類の何れかに設定することができる。
Here, the structure shown in FIG. 9 is a case where the plate-
このように恒温槽20の位置決め部20b(図2参照)にDIP30を滑走させて配置する分割式搬送用レール8bは、DIP30の本体部30cの複数種類(ここでは4種類)の大きさ(幅)に対応して可動自在な分割構造を備えており、分割式搬送用レール8bのDIP30の本体部30cの大きさ(幅)に対応した可動は、カム機構の板状カム32によるカム駆動によって行われる。
As described above, the
なお、分割式搬送用レール8bを可動するカム駆動以外の他の手段としては、送りねじを用いて連続的に幅を変更する手法、あるいはシリンダの前進・後進端で2つの位置を決める手法等、定型的な機構を用いても可能であることは言うまでもない。
As other means other than the cam drive for moving the divided
また、搬送系の分割式搬送用レール8bと同様にソケット2も分割式構造とすることで、パッケージ本体の幅変更に対応させてソケット2に半導体装置を装着させることができる。
Further, the
図8及び図10を用いて分割式ソケット2bへのDIP30の装着方法について説明する。
A method of attaching the
まず、図8に示すように分割式ソケット2bへの装着時にDIP30を押圧する搬送用レール8には、その押圧面に半導体装置のパッケージ本体(本体部30c)の複数種類の大きさ(幅)に対応した複数の凹部8aが形成されている。この複数の凹部8aは、前記押圧面に形成された段差8dから成るものである。
First, as shown in FIG. 8, the
このパッケージ本体の幅に合わせた段差8dが設けられたことで、恒温槽20の位置決め部20b(図2参照)におけるDIP30の幅方向の引き込みをガイドすることができ、搬送用レール8の停止位置を調整ねじ36によって調整することができる。
By providing the
また、分割式ソケット2bは、分割式子基板4aに固定された分割式アダプタソケット3aに接続されている。DIP30の分割式ソケット2bへの装着は、図10に示すように、DIP30のガイド部材であり、かつ幅方向の大きさに応じて分割配置された分割式シュートレール12aと、凹部8aを備えた搬送用レール8とによって挟持されたDIP30のリード端子30aを、幅方向の大きさに応じてリード端子群の位置に合わせて分割配置された分割式ソケット2bの試験端子2aに接続するように行う。
The
この時の分割式ソケット2bの可動は、例えば、前述のカム機構であってもよいし、また、前述の送りねじ方式やシリンダ方式などを採用してもよい。
At this time, the
以上のように本実施の形態2の自然落下式ハンドラ等の試験装置を用いた半導体装置のテスト方法によれば、パッケージ本体の幅方向に対応するように半導体装置の搬送系やソケット類を分割構造とし、さらに可変式とすることで、同一の部品でより多岐にわたる半導体装置に対しての対応を実現することができる。 As described above, according to the semiconductor device test method using the test apparatus such as the natural drop handler of the second embodiment, the semiconductor device transport system and sockets are divided so as to correspond to the width direction of the package body. By adopting a structure and a variable type, it is possible to realize correspondence to a wider variety of semiconductor devices with the same component.
また、その調整は恒温槽20を開けることなく、外部から行うことができるようになっているので、実施の形態1で前述した効果と同様の効果を得ることができる。
Moreover, since the adjustment can be performed from the outside without opening the
なお、本実施の形態2の自然落下式ハンドラ等の試験装置を用いた半導体装置のテスト方法によって得られるその他の効果については、実施の形態1の効果と同様であるため、その重複説明は省略する。 The other effects obtained by the semiconductor device test method using the test apparatus such as the natural fall handler according to the second embodiment are the same as the effects of the first embodiment, and therefore, redundant description thereof is omitted. To do.
次に、本実施の形態2の変形例について説明する。 Next, a modification of the second embodiment will be described.
図12及び図13に示す第1変形例は、半導体装置が、その外部端子であるリード端子40aがガルウィング状を成すSOP(Small Outline Package)40やTSOP(Thin Small Outline Package) の場合であり、また、図14及び図15に示す第2変形例は、その外部端子であるリード端子50aがJ型を成すSOJ(Small Outline J-leaded Package) 50の場合である。
The first modification shown in FIGS. 12 and 13 is a case where the semiconductor device is an SOP (Small Outline Package) 40 or a TSOP (Thin Small Outline Package) in which the
これらSOP40やSOJ50の場合においても、半導体装置の搬送系やソケット類を分割構造としてパッケージ本体の幅方向の変更に応じて可変式とすることで、図7〜図11に示す前述のDIP30の場合と同様の効果を得ることができる。 Also in the case of these SOP40 and SOJ50, the above-mentioned DIP30 shown in FIGS. 7 to 11 can be made by changing the transport system and sockets of the semiconductor device as a split structure and changing the package system according to the change in the width direction of the package body. The same effect can be obtained.
なお、DIP30、SOP40及びTSOP、もしくはSOJ50など、本実施の形態2の自然落下式のハンドラを用いた半導体装置のテストにおいて、パッケージ本体の対向する2辺から外部端子である複数のリード端子30a,40a,50aが突出したタイプの半導体装置においては全て同様の手法で対応することが可能である。
In the test of the semiconductor device using the natural drop type handler of the second embodiment, such as DIP30, SOP40 and TSOP, or SOJ50, a plurality of
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。 As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments of the invention. However, the present invention is not limited to the embodiments of the invention, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. It goes without saying that it is possible.
例えば、前記実施の形態1で説明した技術(DIP30とソケット2のDIP滑走方向の位置合わせを恒温槽外から行う技術)と前記実施の形態2で説明した技術(DIP30とソケット2のDIP幅方向の位置合わせを恒温槽外から行う技術)は、それぞれ単独の技術であってもよいし、もしくは実施の形態1と実施の形態2を組み合わせた技術であってもよい。
For example, the technique described in the first embodiment (the technique for aligning the
また、前記実施の形態1及び2では、半導体装置とソケット2の位置合わせにおいて、恒温槽外からソケット2を移動させて位置合わせを行う場合を説明したが、恒温槽内の位置決め部20bにおいて、ストッパー9の位置を可変式として半導体装置を移動させて半導体装置とソケット2の位置合わせを行ってもよい。
In the first and second embodiments, the case where the positioning is performed by moving the
本発明は、ソケットに装着して行われる電子装置のテスト方法に好適である。 The present invention is suitable for a test method of an electronic device that is performed by being attached to a socket.
1 電子部品
1a リード端子
1aa 第1端子
1b モールド端面
2 ソケット
2a 試験端子
2b 分割式ソケット
3 アダプタソケット
3a 分割式アダプタソケット
4 子基板
4a 分割式子基板
5 インターフェイス筐体
5a,5b 側面
5c 吸入口
5d 排気口
6 子基板
6a 電気端子
7 断熱材
8 搬送用レール(ガイド部材)
8a 凹部
8b 分割式搬送用レール(ガイド部材)
8c 溝部
8d 段差
9 ストッパー
10 シリンダ
11 コンタクトシリンダ
11a 押圧板
12 シュートレール(ガイド部材)
12a 分割式シュートレール(ガイド部材)
13 バネ
14 テスター
15 テスターヘッド
16 低温/高温エアー発生器
17 切り出し用シリンダ
18 出荷チューブ
19 壁部
19a 貫通孔
20 恒温槽
20a テスト部(測定部、試験部)
20b 位置決め部
21 配線
22a スライドプレート
22b スライドプレート
22c 案内溝
23 切り換えレバー(外部係合部、位置調整機構)
23a カム部(内部係合部、位置調整機構)
23b シャフト部(内部係合部、位置調整機構)
24 リニアガイド
25a,25b 流体管継ぎ手
26 排気口
27 ドライエアー
28 基準位置
29 低温/高温エアー
30 DIP(半導体装置)
30a リード端子(外部端子)
30aa 第1端子(外部端子)
30b モールド端面
30c 本体部
31 ハンドル部材
32 板状カム
33 位置決めピン
34 ボールプランジャ
35 円板
36 調整ねじ
37 半導体チップ
38 ノズル
40 SOP(半導体装置)
40a リード端子(外部端子)
50 SOJ(半導体装置)
50a リード端子(外部端子)
DESCRIPTION OF
8a
12a Split chute rail (guide member)
13
23a Cam part (internal engagement part, position adjustment mechanism)
23b Shaft portion (internal engagement portion, position adjustment mechanism)
24
30a Lead terminal (external terminal)
30aa 1st terminal (external terminal)
30b Mold end face
40a Lead terminal (external terminal)
50 SOJ (semiconductor device)
50a Lead terminal (external terminal)
Claims (15)
(b)前記半導体装置を前記恒温槽の内部に配置されたソケットに装着して前記恒温槽の内部で前記半導体装置の電気的テストを行う工程と、
を有し、
前記(b)工程において、前記恒温槽の外部に設けられた前記ソケットの位置調整機構により前記恒温槽の内部の前記ソケットの位置調整を行って前記ソケットに前記半導体装置を装着することを特徴とする半導体装置のテスト方法。 (A) arranging the semiconductor device in a positioning part inside the thermostat;
(B) attaching the semiconductor device to a socket disposed inside the thermostat and conducting an electrical test of the semiconductor device inside the thermostat;
Have
In the step (b), the position of the socket inside the thermostat is adjusted by the socket position adjusting mechanism provided outside the thermostat, and the semiconductor device is mounted in the socket. A method for testing a semiconductor device.
前記位置調整機構は、前記恒温槽に隣接して配置された筐体によって覆われた内部係合部と、前記筐体の外部に露出しかつ前記内部係合部に係合する外部係合部とを有することを特徴とする半導体装置のテスト方法。 The method for testing a semiconductor device according to claim 1,
The position adjustment mechanism includes an internal engagement portion covered by a housing disposed adjacent to the thermostat, and an external engagement portion exposed to the outside of the housing and engaged with the internal engagement portion. A method for testing a semiconductor device, comprising:
前記恒温槽の内部は、陽圧に保たれていることを特徴とする半導体装置のテスト方法。 The method for testing a semiconductor device according to claim 2,
A test method for a semiconductor device, wherein the inside of the thermostatic chamber is maintained at a positive pressure.
前記外部係合部は、陽圧に保たれていることを特徴とする半導体装置のテスト方法。 The method for testing a semiconductor device according to claim 3,
A test method for a semiconductor device, wherein the external engagement portion is maintained at a positive pressure.
前記恒温槽の内部と前記外部係合部は、ドライエアーが供給されることにより陽圧に保たれていることを特徴とする半導体装置のテスト方法。 The semiconductor device test method according to claim 4,
A test method for a semiconductor device, wherein the inside of the thermostatic chamber and the external engagement portion are maintained at a positive pressure by supplying dry air.
前記位置調整機構はカム機構を備えており、前記カム機構のカム駆動によって前記ソケットの位置調整を行うことを特徴とする半導体装置のテスト方法。 The test method for a semiconductor device according to claim 5,
The semiconductor device testing method, wherein the position adjustment mechanism includes a cam mechanism, and the position of the socket is adjusted by driving the cam mechanism.
前記恒温槽の前記位置決め部に前記半導体装置を配置するガイド部材と前記ソケットは、前記半導体装置の本体部の複数種類の大きさに対応して可動自在な分割構造を備えていることを特徴とする半導体装置のテスト方法。 The method for testing a semiconductor device according to claim 1,
The guide member and the socket for disposing the semiconductor device in the positioning portion of the thermostat have a split structure that is movable in accordance with a plurality of types of sizes of the main body of the semiconductor device. A method for testing a semiconductor device.
前記ガイド部材及び前記ソケットにおける前記半導体装置の前記本体部の大きさに対応した可動は、カム機構のカム駆動によって行うことを特徴とする半導体装置のテスト方法。 The test method of a semiconductor device according to claim 7,
The method of testing a semiconductor device, wherein the guide member and the socket are movable according to the size of the main body of the semiconductor device by a cam drive of a cam mechanism.
前記恒温槽の前記位置決め部に前記半導体装置を配置するガイド部材は、前記半導体装置の本体部の複数種類の大きさに対応した複数の凹部を有していることを特徴とする半導体装置のテスト方法。 The method for testing a semiconductor device according to claim 1,
The semiconductor device test, wherein the guide member for disposing the semiconductor device in the positioning portion of the thermostatic chamber has a plurality of recesses corresponding to a plurality of types of sizes of the main body of the semiconductor device. Method.
前記ソケットの位置調整を、前記半導体装置の滑走方向に沿った方向に行うことを特徴とする半導体装置のテスト方法。 The method for testing a semiconductor device according to claim 1,
A method for testing a semiconductor device, comprising: adjusting the position of the socket in a direction along a sliding direction of the semiconductor device.
前記ソケットの位置調整を、前記半導体装置の滑走方向に交差する方向に行うことを特徴とする半導体装置のテスト方法。 The method for testing a semiconductor device according to claim 1,
A method for testing a semiconductor device, comprising: adjusting the position of the socket in a direction intersecting a sliding direction of the semiconductor device.
前記(a)工程において、前記半導体装置を自重落下させて前記位置決め部に配置することを特徴とする半導体装置のテスト方法。 The method for testing a semiconductor device according to claim 1,
In the step (a), the semiconductor device is dropped by its own weight and placed in the positioning portion.
前記半導体装置は、半導体チップが埋め込まれた本体部と前記本体部から露出する複数の外部端子とを有し、
前記複数の外部端子は前記本体部の対向する2辺に露出しており、
前記自重落下の際に前記半導体装置を、前記複数の外部端子の端子列が落下方向に沿うような向きに配置して落下させることを特徴とする半導体装置のテスト方法。 The test method of a semiconductor device according to claim 12,
The semiconductor device has a main body in which a semiconductor chip is embedded and a plurality of external terminals exposed from the main body.
The plurality of external terminals are exposed on two opposite sides of the main body,
A method of testing a semiconductor device, wherein the semiconductor device is dropped in such a manner that a terminal row of the plurality of external terminals is arranged in a direction along a dropping direction when the weight falls.
前記半導体装置の前記本体部は、封止用樹脂から成ることを特徴とする半導体装置のテスト方法。 The method for testing a semiconductor device according to claim 13,
A test method for a semiconductor device, wherein the body portion of the semiconductor device is made of a sealing resin.
前記(b)工程で前記半導体装置の電気的テストを行う際に、前記恒温槽の外部に設けられたテスターから前記半導体装置に電気信号を送信して前記電気的テストを行うことを特徴とする半導体装置のテスト方法。 The method for testing a semiconductor device according to claim 1,
When the electrical test of the semiconductor device is performed in the step (b), an electrical signal is transmitted to the semiconductor device from a tester provided outside the thermostat, and the electrical test is performed. A method for testing a semiconductor device.
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