JP2012111050A - Thermal print head - Google Patents

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electrode
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Masaya Yamamoto
将也 山本
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Rohm Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thermal print head that is capable of preventing a protective layer from peeling.SOLUTION: A thermal print head includes: a ceramic substrate 11; an electrode layer 3 supported on the ceramic substrate 11 and including a plurality of pairs of strip-shaped parts 331, 371 arranged in a primary scanning direction each comprising the pair of strip-shaped parts 331, 371 separated in a secondary scanning direction y; a resistor layer 4 including heating parts 41 covering a gap between each pair of strip-shaped parts 331, 371; and a protective layer 5 protecting the electrode layer 3 and the resistor layer 4. The resistor layer 4 includes an electrode covering part 42 interposed between the electrode layer 3 and the protective layer 5.

Description

本発明は、サーマルプリントヘッドに関する。   The present invention relates to a thermal print head.

図37は、従来のサーマルプリントヘッドの一例を示している(たとえば、特許文献1参照)。同図に示されたサーマルプリントヘッド900は、セラミック基板91および配線基板92を有している。セラミック基板91には、グレーズ層93が形成されている。グレーズ層93は、たとえばガラスからなり、主走査方向と直角である断面形状が円弧状とされている。また、セラミック基板91には、電極層94が形成されている。電極層94は、たとえばAuを主成分としており、複数の個別電極941と共通電極942とを有している。電極層94上には、抵抗体層95および保護層96が積層されている。抵抗体層95は、個別電極941と共通電極942とをまたぐように形成されている。保護層96は、電極層94および抵抗体層95を保護するためのものであり、たとえばガラスからなる。セラミック基板91の副走査方向一端寄り部分には、駆動IC97が実装されている。駆動IC97は、複数の個別電極941を介して抵抗体層95に部分的に通電する機能を果たす。駆動IC97と複数の個別電極941および配線基板92とは、ワイヤ98によって接続されている。   FIG. 37 shows an example of a conventional thermal print head (see, for example, Patent Document 1). The thermal print head 900 shown in the figure has a ceramic substrate 91 and a wiring substrate 92. A glaze layer 93 is formed on the ceramic substrate 91. The glaze layer 93 is made of glass, for example, and has a circular cross section that is perpendicular to the main scanning direction. An electrode layer 94 is formed on the ceramic substrate 91. The electrode layer 94 is mainly composed of Au, for example, and has a plurality of individual electrodes 941 and a common electrode 942. A resistor layer 95 and a protective layer 96 are stacked on the electrode layer 94. The resistor layer 95 is formed so as to straddle the individual electrode 941 and the common electrode 942. The protective layer 96 is for protecting the electrode layer 94 and the resistor layer 95, and is made of, for example, glass. A drive IC 97 is mounted on a portion of the ceramic substrate 91 near one end in the sub-scanning direction. The drive IC 97 functions to partially energize the resistor layer 95 through the plurality of individual electrodes 941. The drive IC 97 is connected to the plurality of individual electrodes 941 and the wiring substrate 92 by wires 98.

保護層96は、印刷対象である感熱紙に強く押しあてられる。また、電極層94や抵抗体層95に意図しない外力が作用することを防止する。このため、保護層96は、損傷を受けやすい。保護層96がはがれてしまうと、電極層94や抵抗体層95を適切に保護することができないという問題が生じる。   The protective layer 96 is strongly pressed against the thermal paper to be printed. Further, an unintended external force is prevented from acting on the electrode layer 94 and the resistor layer 95. For this reason, the protective layer 96 is easily damaged. If the protective layer 96 is peeled off, there arises a problem that the electrode layer 94 and the resistor layer 95 cannot be properly protected.

再表2005−120841号公報No. 2005-120841

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、保護層の剥離を防止することが可能なサーマルプリントヘッドを提供することをその課題とする。   The present invention has been conceived under the circumstances described above, and an object of the present invention is to provide a thermal print head capable of preventing peeling of the protective layer.

本発明によって提供されるサーマルプリントヘッドは、基板と、各々が副走査方向に互いに離間した1対の帯状部からなり、かつ主走査方向に配列された複数対の帯状部を有する、上記基板に支持された電極層と、上記各対の帯状部どうしの隙間を覆う発熱部を有する抵抗体層と、上記電極層および上記抵抗体層を保護する保護層と、を備えるサーマルプリントヘッドであって、上記抵抗体層は、上記電極層と上記保護層との間に介在する電極被覆部を有することを特徴としている。   The thermal print head provided by the present invention includes a substrate and a pair of belt-shaped portions each separated from each other in the sub-scanning direction and having a plurality of pairs of belt-shaped portions arranged in the main scanning direction. A thermal print head comprising: a supported electrode layer; a resistor layer having a heating portion that covers a gap between each pair of strip-shaped portions; and a protective layer that protects the electrode layer and the resistor layer. The resistor layer has an electrode covering portion interposed between the electrode layer and the protective layer.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記保護層は、下層、およびこの下層上に積層された上層からなる。   In preferable embodiment of this invention, the said protective layer consists of a lower layer and the upper layer laminated | stacked on this lower layer.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記下層は、SiO2からなり、上記上層は、SiCを含む材料からなる。 In a preferred embodiment of the present invention, the lower layer is made of SiO 2 and the upper layer is made of a material containing SiC.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記電極層は、Auを含む。   In a preferred embodiment of the present invention, the electrode layer contains Au.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記電極層は、Auを含むペーストを印刷した後に、これを焼成することによって形成されている。   In a preferred embodiment of the present invention, the electrode layer is formed by printing a paste containing Au and firing the paste.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記抵抗体層は、TaSiO2またはTaNを含む。 In a preferred embodiment of the present invention, the resistor layer contains TaSiO 2 or TaN.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記抵抗体層は、スパッタ法またはCVD法によって形成されている。   In a preferred embodiment of the present invention, the resistor layer is formed by sputtering or CVD.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記電極層は、主走査方向において隣り合う上記2対の帯状部のうち副走査方向において同じ側に位置する2つの上記帯状部、およびこの帯状部どうしを連結する連結部を有する複数の中継電極と、各々が上記各中継電極の一方の帯状部と上記1対の帯状部を構成する上記帯状部を有する複数の個別電極と、各々が上記複数の中継電極の他方の帯状部と上記1対の帯状部を構成する複数の上記帯状部を有する共通電極と、を有しており、上記電極被覆部は、上記個別電極および上記共通電極それぞれの上記帯状部と、上記中継電極と、を覆っている。   In a preferred embodiment of the present invention, the electrode layer includes two strips located on the same side in the sub-scanning direction among the two pairs of strips adjacent in the main scanning direction, and the strips. A plurality of relay electrodes having connecting portions to be connected; a plurality of individual electrodes each having one band-shaped portion of each of the relay electrodes; and the band-shaped portions constituting the pair of band-shaped portions; The other band-like part of the electrode and the common electrode having the plurality of band-like parts constituting the pair of band-like parts, and the electrode covering part is the band-like form of each of the individual electrode and the common electrode. And the relay electrode.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記共通電極は、主走査方向に隣り合う2つの上記帯状部と、これらの帯状部に繋がる分岐部と、を有しており、上記共通電極の上記2つの帯状部は、2つの上記中継電極の上記帯状部と各別に上記1対の帯状部を構成しており、上記電極被覆部は、上記分岐部を覆っている。   In a preferred embodiment of the present invention, the common electrode includes two strips adjacent to each other in the main scanning direction and a branch portion connected to the strips, and the common electrode includes the two strips. The two strip portions constitute the pair of strip portions separately from the strip portions of the two relay electrodes, and the electrode covering portion covers the branch portion.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記電極層は、各々が上記1対の帯状部の一方を有する複数の個別電極と、これらの個別電極の上記帯状部と上記複数対の帯状部を構成する複数の帯状部、およびこれらの帯状部を繋ぐ連結部を有する共通電極と、を有しており、上記電極被覆部は、上記個別電極および上記共通電極それぞれの上記帯状部を覆っている。   In a preferred embodiment of the present invention, the electrode layer comprises a plurality of individual electrodes each having one of the pair of strips, and the strips and the pairs of strips of the individual electrodes. And a common electrode having a connecting portion that connects these band-like portions, and the electrode covering portion covers the band-like portions of the individual electrodes and the common electrode, respectively.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記基板上に形成されており、主走査方向に対して直角である断面形状が円弧状とされた主走査方向に延びる発熱抵抗体支持部、および副走査方向において上記発熱抵抗体支持部と離間したIC電極支持部、を有するグレーズ層と、上記基板のうち上記発熱抵抗体支持部および上記IC電極支持部に挟まれた領域を覆っており、かつ上記グレーズ層の材質よりも軟化点が低い材質からなるガラス層と、を備えており、上記複数対の帯状部は、上記発熱抵抗体支持部上に形成されており、上記電極層は、各々が上記複数対の帯状部のうち副走査方向において同じ側にあるものに繋がり、かつ上記ガラス層上に形成されているとともに、直線状とされた複数の直行部を有するとともに、上記各個別電極は、上記帯状部に繋がる上記直行部を有しており、上記共通電極は、各々が上記複数の帯状部に繋がる複数の上記直行部を有しており、上記電極被覆部は、上記複数の直行部を覆っている。   In a preferred embodiment of the present invention, a heating resistor support portion formed on the substrate and extending in the main scanning direction in which a cross-sectional shape perpendicular to the main scanning direction is an arc shape, and sub-scanning. A glaze layer having an IC electrode support portion spaced apart from the heating resistor support portion in a direction, covering a region sandwiched between the heating resistor support portion and the IC electrode support portion of the substrate, and A glass layer made of a material having a softening point lower than that of the glaze layer, and the plurality of pairs of strips are formed on the heating resistor support, and each of the electrode layers includes The plurality of pairs of strips connected to ones on the same side in the sub-scanning direction and formed on the glass layer, and have a plurality of straight portions that are linear, and each individual electrode is The straight portion connected to the belt-shaped portion has the plurality of straight portions each connected to the plurality of belt-shaped portions, and the electrode covering portion includes the plurality of straight portions. Covering.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記共通電極は、主走査方向に隣り合う2つの上記帯状部と、これらの帯状部に繋がる分岐部と、を有しており、上記共通電極の上記2つの帯状部は、2つの上記中継電極の上記帯状部と各別に上記1対の帯状部を構成しており、上記分岐部は、上記発熱抵抗体支持部上に形成されている。   In a preferred embodiment of the present invention, the common electrode includes two strips adjacent to each other in the main scanning direction and a branch portion connected to the strips, and the common electrode includes the two strips. The two strip portions constitute the pair of strip portions separately from the strip portions of the two relay electrodes, and the branch portion is formed on the heating resistor support portion.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記各個別電極は、上記直行部に繋がるとともに、上記IC電極支持部上に形成されており、かつ副走査方向に対して傾斜した方向に延びる斜行部を有する。   In a preferred embodiment of the present invention, each individual electrode is connected to the orthogonal portion, and is formed on the IC electrode support portion and extends in a direction inclined with respect to the sub-scanning direction. Have

本発明の好ましい実施の形態においては、上記共通電極は、各々が上記各直行部に繋がるとともに、上記IC電極支持部上に形成されており、かつ副走査方向に対して傾斜した方向に延びる複数の斜行部を有する。   In a preferred embodiment of the present invention, each of the common electrodes is connected to each of the orthogonal portions, is formed on the IC electrode support portion, and extends in a direction inclined with respect to the sub-scanning direction. It has a skew part.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記基板上に形成されており、主走査方向に対して直角である断面形状が円弧状とされた主走査方向に延びる発熱抵抗体支持部、および副走査方向において上記発熱抵抗体支持部と離間したIC電極支持部を有するグレーズ層と、上記基板のうち上記発熱抵抗体支持部および上記IC電極支持部に挟まれた領域を覆っており、かつ上記グレーズ層の材質よりも軟化点が低い材質からなるガラス層と、を備えており、上記複数対の帯状部は、上記発熱抵抗体支持部上に形成されており、上記電極層は、各々が上記複数対の帯状部のうち副走査方向において同じ側にあるものに繋がり、かつ上記ガラス層上に形成されているとともに、直線状とされた複数の直行部を有するとともに、上記各個別電極は、上記帯状部に繋がる上記直行部を有しており、上記電極被覆部は、上記複数の直行部を覆っている。   In a preferred embodiment of the present invention, a heating resistor support portion formed on the substrate and extending in the main scanning direction in which a cross-sectional shape perpendicular to the main scanning direction is an arc shape, and sub-scanning. A glaze layer having an IC electrode support portion spaced apart from the heating resistor support portion in a direction, and covering a region sandwiched between the heating resistor support portion and the IC electrode support portion of the substrate, and the glaze A glass layer made of a material having a softening point lower than that of the material of the layer, and the plurality of pairs of band-shaped portions are formed on the heating resistor support portion, and each of the electrode layers includes While connecting to what is on the same side in a sub-scanning direction among a plurality of pairs of belt-shaped parts and being formed on the glass layer, and having a plurality of straight parts that are linear, each individual electrode, Has the straight portion leading to the serial strip portion, the electrode covering portion covers the plurality of straight portion.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記各個別電極は、上記直行部に繋がるとともに、上記IC電極支持部上に形成されており、かつ副走査方向に対して傾斜した方向に延びる斜行部を有する。   In a preferred embodiment of the present invention, each individual electrode is connected to the orthogonal portion, and is formed on the IC electrode support portion and extends in a direction inclined with respect to the sub-scanning direction. Have

本発明の好ましい実施の形態においては、上記複数の直行部は、互いに平行である。   In a preferred embodiment of the present invention, the plurality of orthogonal portions are parallel to each other.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記複数の直行部は、いずれも副走査方向に対して平行である。   In a preferred embodiment of the present invention, each of the plurality of orthogonal portions is parallel to the sub-scanning direction.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記基板は、セラミックからなる。   In a preferred embodiment of the present invention, the substrate is made of ceramic.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記基板が取り付けられた、金属からなる放熱板をさらに備える。
このような構成によれば、上記保護層には、上記電極層と直接接する部分がない。たとえばAuを主成分とする上記電極層とスパッタ法を用いてガラスによって形成された上記保護層とは、比較的結合力が弱い。一方、たとえばTaSiO2またはTaNからなる上記抵抗体層は、上記保護層との結合力が比較的強い。したがって、上記保護層の剥離を抑制することができる。
In preferable embodiment of this invention, the said board | substrate is further provided with the heat sink made from a metal.
According to such a configuration, the protective layer has no portion in direct contact with the electrode layer. For example, the electrode layer containing Au as a main component and the protective layer formed of glass by sputtering are relatively weak in bonding force. On the other hand, the resistor layer made of TaSiO 2 or TaN, for example, has a relatively strong bonding force with the protective layer. Therefore, peeling of the protective layer can be suppressed.

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。   Other features and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.

本発明の第1実施形態に基づくサーマルプリントヘッドを示す平面図である。It is a top view which shows the thermal print head based on 1st Embodiment of this invention. 図1のサーマルプリントヘッドを示す要部平面図である。It is a principal part top view which shows the thermal print head of FIG. 図2のIII−III線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the III-III line of FIG. 図2のIII−III線に沿う要部断面図である。It is principal part sectional drawing in alignment with the III-III line of FIG. 図2のIII−III線に沿う要部断面図である。It is principal part sectional drawing in alignment with the III-III line of FIG. 図1のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において基板にグレーズ層を形成した状態を示す要部断面図である。It is principal part sectional drawing which shows the state which formed the glaze layer in the board | substrate in an example of the manufacturing method of the thermal print head of FIG. 図1のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において基板にグレーズ層を形成した状態を示す要部断面図である。It is principal part sectional drawing which shows the state which formed the glaze layer in the board | substrate in an example of the manufacturing method of the thermal print head of FIG. 図1のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例においてガラス層を形成した状態を示す要部断面図である。It is principal part sectional drawing which shows the state in which the glass layer was formed in an example of the manufacturing method of the thermal print head of FIG. 図1のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において本体Au層の下層を形成した状態を示す要部断面図である。It is principal part sectional drawing which shows the state in which the lower layer of main body Au layer was formed in an example of the manufacturing method of the thermal print head of FIG. 図1のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において本体Au層の下層を形成した状態を示す要部断面図である。It is principal part sectional drawing which shows the state in which the lower layer of main body Au layer was formed in an example of the manufacturing method of the thermal print head of FIG. 図1のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において本体Au層の上層を形成した状態を示す要部断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a main part showing a state in which an upper layer of a main body Au layer is formed in an example of the method for manufacturing the thermal print head of FIG. 1. 図1のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において本体Au層の上層を形成した状態を示す要部断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a main part showing a state in which an upper layer of a main body Au layer is formed in an example of the method for manufacturing the thermal print head of FIG. 1. 図1のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において補助Au層を形成した状態を示す要部断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a main part showing a state in which an auxiliary Au layer is formed in an example of the method for manufacturing the thermal print head of FIG. 1. 図1のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において補助Au層を形成した状態を示す要部平面図である。FIG. 3 is a plan view of a principal part showing a state in which an auxiliary Au layer is formed in an example of the method for manufacturing the thermal print head of FIG. 1. 図1のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において本体Au層および補助Au層に対してエッチングを施した状態を示す要部平面図である。FIG. 2 is a plan view of a principal part showing a state in which a main body Au layer and an auxiliary Au layer are etched in an example of the method for manufacturing the thermal print head of FIG. 1. 図15のXVI−XVI線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XVI-XVI line | wire of FIG. 図15のXVI−XVI線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XVI-XVI line | wire of FIG. 図1のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において帯状部を沈降させた状態を示す要部断面図である。It is principal part sectional drawing which shows the state which settled the strip | belt-shaped part in an example of the manufacturing method of the thermal print head of FIG. 図1のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において抵抗体層を形成した状態を示す要部平面図である。FIG. 2 is a plan view of a principal part showing a state in which a resistor layer is formed in an example of the method for manufacturing the thermal print head of FIG. 1. 図19のXX−XX線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XX-XX line of FIG. 図1のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において抵抗体層にエッチングを施した状態を示す要部平面図である。FIG. 7 is a plan view of a principal part showing a state in which the resistor layer is etched in an example of the method for manufacturing the thermal print head of FIG. 1. 図21のXXII−XXII線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XXII-XXII line | wire of FIG. 図1のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において保護層の下層を形成した状態を示す要部断面図である。It is principal part sectional drawing which shows the state in which the lower layer of the protective layer was formed in an example of the manufacturing method of the thermal print head of FIG. 図1のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において保護層の上層を形成した状態を示す要部断面図である。It is principal part sectional drawing which shows the state which formed the upper layer of the protective layer in an example of the manufacturing method of the thermal print head of FIG. 図1のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において樹脂層を形成した状態を示す要部断面図である。It is principal part sectional drawing which shows the state in which the resin layer was formed in an example of the manufacturing method of the thermal print head of FIG. 図1のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において駆動ICを実装した状態を示す要部断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a principal part showing a state where a drive IC is mounted in an example of the method for manufacturing the thermal print head of FIG. 本発明の第1実施形態に基づくサーマルプリントヘッドの変形例を示す要部断面図である。It is principal part sectional drawing which shows the modification of the thermal print head based on 1st Embodiment of this invention. 図27のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において本体Au層の下層を形成した状態を示す要部断面図である。FIG. 28 is a fragmentary cross-sectional view showing a state in which a lower layer of a main body Au layer is formed in an example of the method for manufacturing the thermal print head of FIG. 27. 図27のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において本体Au層の上層を形成した状態を示す要部断面図である。FIG. 28 is a fragmentary cross-sectional view showing a state in which the upper layer of the main body Au layer is formed in an example of the method for manufacturing the thermal print head of FIG. 27. 図27のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において本体Au層および補助Au層に対してエッチングを施した状態を示す要部断面図である。FIG. 28 is a cross-sectional view of an essential part showing a state in which the main body Au layer and the auxiliary Au layer are etched in the example of the manufacturing method of the thermal print head of FIG. 27. 図1のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において帯状部を沈降させた状態を示す要部断面図である。It is principal part sectional drawing which shows the state which settled the strip | belt-shaped part in an example of the manufacturing method of the thermal print head of FIG. 本発明の第2実施形態に基づくサーマルプリントヘッドを示す要部平面図である。It is a principal part top view which shows the thermal print head based on 2nd Embodiment of this invention. 図32のXXXIII−XXXIII線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XXXIII-XXXIII line | wire of FIG. 図31のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例において本体Au層および補助Au層に対してエッチングを施した状態を示す要部断面図である。FIG. 32 is a cross-sectional view of a principal part showing a state in which the main body Au layer and the auxiliary Au layer are etched in the example of the manufacturing method of the thermal print head of FIG. 31. 図31のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例においてAg層を形成した状態を示す要部断面図である。FIG. 32 is an essential part cross-sectional view showing a state in which an Ag layer is formed in an example of the method of manufacturing the thermal print head of FIG. 図31のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例においてAg保護層を形成した状態を示す要部断面図である。FIG. 32 is a main part sectional view showing a state in which an Ag protective layer is formed in an example of the method for producing the thermal print head of FIG. 従来のサーマルプリントヘッドの一例を示す要部断面図である。It is principal part sectional drawing which shows an example of the conventional thermal print head.

以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

図1〜図5は、本発明の第1実施形態に基づくサーマルプリントヘッドを示している。本実施形態のサーマルプリントヘッド101は、支持部1、グレーズ層2、電極層3、抵抗体層4、保護層5、樹脂層6、駆動IC7、および封止樹脂82を備えている。サーマルプリントヘッド101は、たとえばバーコードシートやレシートを作成するために感熱紙に対する印刷を施すプリンタに組み込まれるものである。なお、理解の便宜上、図1においては、保護層5および樹脂層6を省略しており、図2においては、樹脂層6の一部および封止樹脂82を省略するとともに、保護層5を二点鎖線によって示している。   1 to 5 show a thermal print head according to a first embodiment of the present invention. The thermal print head 101 of this embodiment includes a support unit 1, a glaze layer 2, an electrode layer 3, a resistor layer 4, a protective layer 5, a resin layer 6, a drive IC 7, and a sealing resin 82. The thermal print head 101 is incorporated in a printer that performs printing on thermal paper in order to create, for example, a barcode sheet or a receipt. For convenience of understanding, the protective layer 5 and the resin layer 6 are omitted in FIG. 1, and a part of the resin layer 6 and the sealing resin 82 are omitted in FIG. This is indicated by the dotted line.

支持部1は、サーマルプリントヘッド101の土台となっている部位であり、セラミック基板11、配線基板12、および放熱板13によって構成されている。セラミック基板11は、たとえばAl23などのセラミックからなり、たとえばその厚さが0.6〜1.0mm程度とされている。図1に示すように、セラミック基板11は、主走査方向xに長く延びる長矩形状とされている。配線基板12は、たとえばガラスエポキシ樹脂からなる基材層とCuなどからなる配線層とが積層された構造を有する。図3に示すように、配線基板12には、サーマルプリントヘッド101をプリンタに接続するためのコネクタ83が取り付けられている。放熱板13は、セラミック基板11からの熱を放散させるためのものであり、たとえばAlなどの金属からなる。 The support unit 1 is a part that is a base of the thermal print head 101, and includes a ceramic substrate 11, a wiring substrate 12, and a heat sink 13. The ceramic substrate 11 is made of ceramic such as Al 2 O 3 and has a thickness of about 0.6 to 1.0 mm, for example. As shown in FIG. 1, the ceramic substrate 11 has a long rectangular shape extending long in the main scanning direction x. The wiring board 12 has a structure in which, for example, a base material layer made of glass epoxy resin and a wiring layer made of Cu or the like are laminated. As shown in FIG. 3, a connector 83 for connecting the thermal print head 101 to the printer is attached to the wiring board 12. The heat radiating plate 13 is for radiating heat from the ceramic substrate 11 and is made of a metal such as Al.

グレーズ層2は、セラミック基板11上に形成されており、たとえば非晶質ガラスなどのガラス材料からなる。このガラス材料の軟化点は、たとえば800〜850℃である。グレーズ層2は、発熱抵抗体支持部21とIC電極支持部22とを有している。発熱抵抗体支持部21は、図2に示すように主走査方向xに長く延びており、図3および図4に示すように、副走査方向yおよび厚さ方向zを含むyz平面の断面形状が円弧状とされている。発熱抵抗体支持部21のサイズは、副走査方向yにおける寸法がたとえば700μm程度、厚さ方向zにおける寸法がたとえば18〜50μm程度である。発熱抵抗体支持部21は、抵抗体層4のうち発熱する部分を印刷対象である感熱紙などに押し当てるために設けられている。IC電極支持部22は、発熱抵抗体支持部21に対して副走査方向yに離間した位置に設けられており、電極層3の一部や駆動IC7を支持している。IC電極支持部22の厚さは、たとえば1.7〜1.8μm程度である。   The glaze layer 2 is formed on the ceramic substrate 11 and is made of a glass material such as amorphous glass. The softening point of this glass material is, for example, 800 to 850 ° C. The glaze layer 2 has a heating resistor support 21 and an IC electrode support 22. The heating resistor support portion 21 extends long in the main scanning direction x as shown in FIG. 2, and as shown in FIGS. 3 and 4, the sectional shape of the yz plane including the sub-scanning direction y and the thickness direction z. Has an arc shape. The size of the heating resistor support 21 is, for example, about 700 μm in the sub-scanning direction y, and about 18-50 μm in the thickness direction z. The heating resistor support 21 is provided to press a portion of the resistor layer 4 that generates heat against thermal paper or the like to be printed. The IC electrode support portion 22 is provided at a position separated from the heating resistor support portion 21 in the sub-scanning direction y, and supports a part of the electrode layer 3 and the drive IC 7. The thickness of the IC electrode support portion 22 is, for example, about 1.7 to 1.8 μm.

セラミック基板11のうち発熱抵抗体支持部21とIC電極支持部22とに挟まれた領域は、ガラス層25によって覆われている。ガラス層25は、軟化点がたとえば680℃程度と、グレーズ層2を形成するガラスよりも軟化点が低いガラスからなる。ガラス層25の厚さは、たとえば2.0μm程度である。図3および図4に示すように、セラミック基板11のうち発熱抵抗体支持部21の図中左方領域の一部は、ガラス層26によって覆われている。ガラス層26は、ガラス層25と同様の材質および厚さである。   A region sandwiched between the heating resistor support 21 and the IC electrode support 22 in the ceramic substrate 11 is covered with a glass layer 25. The glass layer 25 is made of glass having a softening point of, for example, about 680 ° C. and a softening point lower than that of the glass forming the glaze layer 2. The thickness of the glass layer 25 is, for example, about 2.0 μm. As shown in FIGS. 3 and 4, a part of the left side of the ceramic substrate 11 in the drawing of the heating resistor support 21 is covered with a glass layer 26. The glass layer 26 has the same material and thickness as the glass layer 25.

電極層3は、抵抗体層4に通電するための経路を構成するためのものであり、本実施形態においては、本体Au層301および補助Au層304からなる。本体Au層301は、たとえばAu比率が97%程度のレジネートAuからなり、添加元素としてたとえばロジウム、バナジウム、ビスマス、シリコンなどが添加されている。本実施形態においては、本体Au層301は、下層302および上層303によって構成されている。下層302および上層303は、それぞれの厚さがたとえば0.3μm程度である。補助Au層304は、本体Au層301上に積層されており、たとえばAu比率が99.7%程度のレジネートAuからなる。補助Au層304は、その厚さが0.3μm程度である。なお、補助Au層304は、上述した材質のほかに、たとえばAu比率が60%程度であり、かつガラスフリットが混入された材質でもよい。この場合、補助Au層304の厚さは、1.1μm程度である。   The electrode layer 3 is used to form a path for energizing the resistor layer 4. In the present embodiment, the electrode layer 3 includes a main body Au layer 301 and an auxiliary Au layer 304. For example, rhodium, vanadium, bismuth, silicon, or the like is added as an additive element. In the present embodiment, the main body Au layer 301 includes a lower layer 302 and an upper layer 303. Each of the lower layer 302 and the upper layer 303 has a thickness of about 0.3 μm, for example. The auxiliary Au layer 304 is laminated on the main body Au layer 301 and is made of resinate Au having an Au ratio of about 99.7%, for example. The auxiliary Au layer 304 has a thickness of about 0.3 μm. In addition to the materials described above, the auxiliary Au layer 304 may be made of a material having an Au ratio of about 60% and glass frit mixed therein, for example. In this case, the auxiliary Au layer 304 has a thickness of about 1.1 μm.

電極層3は、複数の個別電極33、複数の中継電極37、および共通電極35を有している。   The electrode layer 3 has a plurality of individual electrodes 33, a plurality of relay electrodes 37, and a common electrode 35.

複数の個別電極33は、抵抗体層4に対して部分的に通電するためのものである。各個別電極33は、帯状部331、屈曲部333、直行部334、斜行部335、およびボンディング部336を有している。帯状部331は、副走査方向yに沿って延びる帯状であり、発熱抵抗体支持部21上に位置する。帯状部331の対向縁332は、主走査方向xに沿っている。屈曲部333は、帯状部331につながる部分であり、主走査方向xおよび副走査方向yのいずれに対しても傾斜した部分を有している。本実施形態においては、屈曲部333は、発熱抵抗体支持部21上に形成されている。直行部334は、副走査方向yに平行にまっすぐ延びている。直行部334は、その大部分がガラス層25上に形成されており、一端側部分が発熱抵抗体支持部21に、他端側部分がIC電極支持部22に重なっている。斜行部335は、主走査方向xおよび副走査方向yのいずれに対しても傾斜した方向に延びており、IC電極支持部22上に形成されている。ボンディング部336は、ワイヤ81がボンディングされる部分であり、IC電極支持部22上に形成されている。本実施形態においては、帯状部331、屈曲部333、直行部334、および斜行部335の幅が、たとえば47.5μm程度とされており、ボンディング部336の幅がたとえば80μm程度とされている。   The plurality of individual electrodes 33 are for partially energizing the resistor layer 4. Each individual electrode 33 has a band-shaped portion 331, a bent portion 333, a straight portion 334, a skew portion 335, and a bonding portion 336. The belt-like portion 331 is a belt-like shape extending along the sub-scanning direction y and is located on the heating resistor support portion 21. The opposing edge 332 of the band-shaped portion 331 is along the main scanning direction x. The bent part 333 is a part connected to the belt-like part 331 and has a part inclined with respect to both the main scanning direction x and the sub-scanning direction y. In the present embodiment, the bent portion 333 is formed on the heating resistor support portion 21. The straight part 334 extends straight in parallel to the sub-scanning direction y. Most of the direct part 334 is formed on the glass layer 25, and one end side part overlaps the heating resistor support part 21 and the other end part overlaps the IC electrode support part 22. The oblique portion 335 extends in a direction inclined with respect to both the main scanning direction x and the sub-scanning direction y, and is formed on the IC electrode support portion 22. The bonding part 336 is a part to which the wire 81 is bonded, and is formed on the IC electrode support part 22. In the present embodiment, the width of the band-shaped portion 331, the bent portion 333, the straight portion 334, and the skew portion 335 is set to, for example, about 47.5 μm, and the width of the bonding portion 336 is set to, for example, about 80 μm. .

共通電極35は、複数の個別電極33に対して電気的に逆極性となる部位であり、複数の帯状部351、複数の分岐部353、複数の直行部354、複数の斜行部355、複数の延出部356、および基幹部357を有している。複数の帯状部351は、それぞれが副走査方向yに延びる帯状であり、発熱抵抗体支持部21上に位置する。帯状部351の対向縁352は、主走査方向xに沿っている。本実施形態においては、互いに隣接した2つずつの帯状部351が、2つの帯状部331に挟まれた配置とされている。分岐部353は、2つの帯状部351と1つの直行部354をつなぐ部分であり、Y字状とされている。分岐部353は、発熱抵抗体支持部21上に形成されている。直行部354は、副走査方向yに平行にまっすぐ延びている。直行部354は、その大部分がガラス層25上に形成されており、一端側部分が発熱抵抗体支持部21に、他端側部分がIC電極支持部22に重なっている。斜行部355は、主走査方向xおよび副走査方向yのいずれに対しても傾斜した方向に延びており、IC電極支持部22上に形成されている。延出部356は、斜行部355につながる部分であり、副走査方向yに沿って延びている。基幹部357は、主走査方向xに延びる帯状であり、複数の延出部356がつながっている。本実施形態においては、帯状部351、直行部354、斜行部355、および延出部356の幅が、たとえば47.5μm程度とされている。   The common electrode 35 is a portion that is electrically opposite in polarity to the plurality of individual electrodes 33, and includes a plurality of strip-shaped portions 351, a plurality of branch portions 353, a plurality of orthogonal portions 354, a plurality of skewed portions 355, a plurality of The extended portion 356 and the backbone portion 357 are provided. Each of the plurality of belt-like portions 351 has a belt-like shape extending in the sub-scanning direction y, and is located on the heating resistor support portion 21. The opposing edge 352 of the strip 351 is along the main scanning direction x. In the present embodiment, two band-like portions 351 adjacent to each other are disposed between the two band-like portions 331. The branch part 353 is a part that connects the two belt-like parts 351 and one orthogonal part 354, and has a Y-shape. The branch part 353 is formed on the heating resistor support part 21. The direct part 354 extends straight in parallel to the sub-scanning direction y. Most of the direct portion 354 is formed on the glass layer 25, and one end side portion overlaps the heating resistor support portion 21 and the other end portion overlaps the IC electrode support portion 22. The oblique portion 355 extends in a direction inclined with respect to both the main scanning direction x and the sub-scanning direction y, and is formed on the IC electrode support portion 22. The extension part 356 is a part connected to the skew part 355 and extends along the sub-scanning direction y. The trunk portion 357 has a strip shape extending in the main scanning direction x, and a plurality of extending portions 356 are connected. In the present embodiment, the widths of the belt-like portion 351, the straight portion 354, the skew portion 355, and the extending portion 356 are, for example, about 47.5 μm.

複数の中継電極37は、複数の個別電極33と共通電極35との間に電気的に介在するものである。各中継電極37は、2つの帯状部371と連結部373とを有する。帯状部371は、副走査方向yに延びる帯状であり、発熱抵抗体支持部21上に形成されている。帯状部371の対向縁372は、主走査方向xに沿っている。連結部373は、2つの帯状部371を連結する部分であり、主走査方向xに沿って延びている。   The plurality of relay electrodes 37 are electrically interposed between the plurality of individual electrodes 33 and the common electrode 35. Each relay electrode 37 has two strip portions 371 and a connecting portion 373. The belt-like portion 371 is a belt-like shape extending in the sub-scanning direction y, and is formed on the heating resistor support portion 21. The opposing edge 372 of the belt-like portion 371 is along the main scanning direction x. The connecting portion 373 is a portion that connects the two belt-like portions 371 and extends along the main scanning direction x.

複数の帯状部331,351は、主走査方向xに配列されている。複数の帯状部371は、発熱抵抗体支持部21上において複数の帯状部331,351とは副走査方向yにおいて反対側に配置されている。隣り合う帯状部351の対向縁352と隣り合う中継電極37の隣り合う帯状部371の対向縁372とが副走査方向yに隙間を隔てて互いに対向している。また、隣り合う中継電極37の残りの2つの帯状部371の対向縁372と2つの帯状部331の対向縁332とが副走査方向yに隙間を隔てて互いに対向している。副走査方向yにおいて対向しあう帯状部331と帯状部371とが本発明で言う1対の帯状部を構成している。また、副走査方向yにおいて対向しあう帯状部351と帯状部371とが、本発明で言う1対の帯状部を構成している。そして、主走査方向xに配列されたこれらの帯状部331,351,371が、本発明で言う複数対の帯状部を構成している。   The plurality of strip portions 331 and 351 are arranged in the main scanning direction x. The plurality of strip portions 371 are disposed on the heating resistor support portion 21 on the side opposite to the plurality of strip portions 331 and 351 in the sub-scanning direction y. The facing edge 352 of the adjacent strip-shaped portion 351 and the facing edge 372 of the adjacent strip-shaped portion 371 of the adjacent relay electrode 37 are opposed to each other with a gap in the sub-scanning direction y. Further, the opposing edges 372 of the remaining two strips 371 of the adjacent relay electrodes 37 and the opposing edges 332 of the two strips 331 are opposed to each other with a gap in the sub-scanning direction y. The belt-like portion 331 and the belt-like portion 371 that face each other in the sub-scanning direction y constitute a pair of belt-like portions referred to in the present invention. In addition, the belt-like portion 351 and the belt-like portion 371 facing each other in the sub-scanning direction y constitute a pair of belt-like portions referred to in the present invention. And these strip | belt-shaped parts 331,351,371 arranged in the main scanning direction x comprise the several pairs strip | belt-shaped part said by this invention.

図4および図5に示すように、電極層3は、通常厚部321、薄肉部322、および厚肉部323に区分されている。通常厚部321は、本体Au層301によって構成されており、電極層3の大部分を占めている。薄肉部322は、下層302によって構成されており、複数の帯状部331,351,371の対向縁332,352,372側部分がこれに該当する。厚肉部323は、本体Au層301と補助Au層304とが重なった部分であり、ボンディング部336、延出部356、および基幹部357がこれに相当する。本実施形態においては、通常厚部321の厚さが0.6μm程度、薄肉部322の厚さが0.3μm程度、厚肉部323の厚さが0.9μm程度である。なお、補助Au層304が上述したガラスフリットが混入された材質からなる場合、厚肉部323の厚さは、1.7μm程度である。   As shown in FIGS. 4 and 5, the electrode layer 3 is divided into a normal thick part 321, a thin part 322, and a thick part 323. The normal thickness portion 321 is constituted by the main body Au layer 301 and occupies most of the electrode layer 3. The thin portion 322 is configured by the lower layer 302, and the opposing edge 332, 352, 372 side portion of the plurality of strip-like portions 331, 351, 371 corresponds to this. The thick portion 323 is a portion where the main body Au layer 301 and the auxiliary Au layer 304 overlap each other, and the bonding portion 336, the extension portion 356, and the backbone portion 357 correspond to this. In the present embodiment, the thickness of the thick part 321 is usually about 0.6 μm, the thickness of the thin part 322 is about 0.3 μm, and the thickness of the thick part 323 is about 0.9 μm. When the auxiliary Au layer 304 is made of the material mixed with the glass frit described above, the thickness of the thick part 323 is about 1.7 μm.

図3に示すように、帯状部331,371(帯状部351も同様)は、先端寄りの部分が発熱抵抗体支持部21に対して沈降している。この沈降は、帯状部331,351,371の先端より部分の上面が、発熱抵抗体支持部21と面一となるかこれよりも若干上位に位置する程度である。   As shown in FIG. 3, the belt-like portions 331 and 371 (the same applies to the belt-like portion 351) have a portion near the tip settling with respect to the heating resistor support portion 21. This sedimentation is such that the upper surfaces of the portions of the belt-like portions 331, 351, and 371 are flush with the heating resistor support portion 21 or slightly higher.

抵抗体層4は、電極層3によって部分的に通電されることにより発熱する部位であり、この発熱によって印字ドットが形成される。抵抗体層4は、たとえばTaSiO2またはTaNからなり、その厚さが300〜2000Å程度である。抵抗体層4は、複数の発熱部41および複数の電極被覆部42に区分されている。各発熱部41は、発熱抵抗体支持部21上において、対向縁331,351と対向縁371とに挟まれた隙間を覆う部分であり、通電によって発熱する。電極被覆部42は、電極層3と保護層5との間に介在するように形成されている。本実施形態においては、電極被覆部42は、すべての中継電極37と、すべての帯状部331,351と、すべての屈曲部333と、すべての分岐部353と、すべての直行部334,354と、を覆っている。電極被覆部42は、帯状部331,351,371などのから幅方向において4μm程度はみ出した格好となっている。 The resistor layer 4 is a portion that generates heat when being partially energized by the electrode layer 3, and a print dot is formed by this heat generation. The resistor layer 4 is made of, for example, TaSiO 2 or TaN and has a thickness of about 300 to 2000 mm. The resistor layer 4 is divided into a plurality of heat generating portions 41 and a plurality of electrode covering portions 42. Each heat generating part 41 is a part covering a gap sandwiched between the opposing edges 331 and 351 and the opposing edge 371 on the heating resistor support part 21, and generates heat when energized. The electrode covering portion 42 is formed so as to be interposed between the electrode layer 3 and the protective layer 5. In the present embodiment, the electrode covering portion 42 includes all the relay electrodes 37, all the strip portions 331, 351, all the bent portions 333, all the branch portions 353, and all the orthogonal portions 334, 354. , Covering. The electrode covering portion 42 is shaped to protrude about 4 μm in the width direction from the band-shaped portions 331, 351, 371 and the like.

保護層5は、電極層3および抵抗体層4を保護するためのものであり、本実施形態においては、互いに積層された下層51および上層52からなる。下層51は、たとえばSiO2からなり、その厚さが2μm程度である。上層52は、たとえばSiCを含む材料からなり、その厚さが6μm程度である。保護層5は、セラミック基板11の副走査方向yにおける一端付近から直行部334,354のうちIC電極支持部22上に形成された部分にわたる領域に形成されている。保護層5と電極層3との間には抵抗体層4の電極被覆部42が介在している。これにより、保護層5と電極層3とは接していない。 The protective layer 5 is for protecting the electrode layer 3 and the resistor layer 4. In the present embodiment, the protective layer 5 includes a lower layer 51 and an upper layer 52 that are stacked on each other. The lower layer 51 is made of, for example, SiO 2 and has a thickness of about 2 μm. The upper layer 52 is made of, for example, a material containing SiC and has a thickness of about 6 μm. The protective layer 5 is formed in a region extending from the vicinity of one end of the ceramic substrate 11 in the sub-scanning direction y to a portion formed on the IC electrode support portion 22 in the orthogonal portions 334 and 354. Between the protective layer 5 and the electrode layer 3, an electrode covering portion 42 of the resistor layer 4 is interposed. Thereby, the protective layer 5 and the electrode layer 3 are not in contact.

樹脂層6は、絶縁性の樹脂からなり、電極部61およびIC部62を有している。電極部61は、斜行部335,355や延出部356を覆っている。IC部62は、共通電極35の基幹部357上に形成されており、駆動IC7を支持している。樹脂層6の材質としては、たとえば透明なエポキシ樹脂が挙げられる。   The resin layer 6 is made of an insulating resin and has an electrode part 61 and an IC part 62. The electrode part 61 covers the skewed parts 335 and 355 and the extending part 356. The IC part 62 is formed on the basic part 357 of the common electrode 35 and supports the driving IC 7. Examples of the material of the resin layer 6 include a transparent epoxy resin.

駆動IC7は、複数の個別電極33を介して抵抗体層4の発熱部41を選択的に通電させるものである。駆動IC7は、樹脂層6のIC部62に搭載されている。駆動IC7の上面には、複数のパッド71が2列に形成されている。これらのパッド71のうち副走査方向yにおいて個別電極33に近い側の列に含まれるものは、ワイヤ81を介してボンディング部336に接続されている。複数のパッド71のうち副走査方向yにおいて個別電極33に対して遠い側の列に含まれるものは、ワイヤ81を介して配線基板12に形成された配線パターンに接続されている。この配線パターンは、コネクタ83と駆動IC7とを導通させる。また、共通電極35の基幹部357と配線基板12の上記配線パターンとは、ワイヤ81によって接続されている。   The drive IC 7 selectively energizes the heat generating portion 41 of the resistor layer 4 through the plurality of individual electrodes 33. The drive IC 7 is mounted on the IC portion 62 of the resin layer 6. A plurality of pads 71 are formed in two rows on the upper surface of the drive IC 7. Among these pads 71, those included in a row closer to the individual electrode 33 in the sub-scanning direction y are connected to the bonding part 336 via the wire 81. Among the plurality of pads 71, those included in a row farther from the individual electrode 33 in the sub-scanning direction y are connected to a wiring pattern formed on the wiring substrate 12 via wires 81. This wiring pattern makes the connector 83 and the drive IC 7 conductive. Further, the trunk 357 of the common electrode 35 and the wiring pattern of the wiring board 12 are connected by a wire 81.

封止樹脂82は、たとえば黒色の樹脂からなり、駆動IC7、およびワイヤ81を保護している。本実施形態においては、封止樹脂82の副走査方向yにおける一端が樹脂層6の電極部61に重なっている。また、封止樹脂82の副走査方向yにおける他端は、配線基板12におよんでいる。   The sealing resin 82 is made of, for example, a black resin, and protects the drive IC 7 and the wire 81. In the present embodiment, one end of the sealing resin 82 in the sub-scanning direction y overlaps the electrode portion 61 of the resin layer 6. Further, the other end of the sealing resin 82 in the sub-scanning direction y extends to the wiring board 12.

次に、サーマルプリントヘッド101の製造方法について、図6〜図26を参照しつつ以下に説明する。   Next, a method for manufacturing the thermal print head 101 will be described below with reference to FIGS.

まず、図6および図7に示すように、セラミック基板材料10を用意する。セラミック基板材料10は、セラミック基板11を複数個取り可能な板状材料であり、たとえばAl23などのセラミックからなり、たとえばその厚さが0.6〜1.0mm程度とされている。このセラミック基板材料10に対して、グレーズ層2を形成する。グレーズ層2の形成は、たとえばガラスを含むペーストを発熱抵抗体支持部21およびIC電極支持部22に相当する部分に厚膜印刷した後に、これを焼成することによって行う。本実施形態においては、発熱抵抗体支持部21を、副走査方向yにおける寸法がたとえば700μm程度、厚さ方向zにおける寸法がたとえば18〜50μm程度となるように仕上げる。 First, as shown in FIGS. 6 and 7, a ceramic substrate material 10 is prepared. The ceramic substrate material 10 is a plate-like material from which a plurality of ceramic substrates 11 can be obtained. The ceramic substrate material 10 is made of ceramic such as Al 2 O 3 and has a thickness of about 0.6 to 1.0 mm, for example. The glaze layer 2 is formed on the ceramic substrate material 10. The glaze layer 2 is formed by, for example, printing a paste containing glass on a portion corresponding to the heating resistor support portion 21 and the IC electrode support portion 22 and then baking the paste. In the present embodiment, the heating resistor support 21 is finished so that the dimension in the sub-scanning direction y is, for example, about 700 μm and the dimension in the thickness direction z is, for example, about 18-50 μm.

次いで、図8に示すようにガラス層25,26を形成する。ガラス層25,26の形成は、たとえばガラスを含むペーストを発熱抵抗体支持部21とIC電極支持部22との間の領域および発熱抵抗体支持部21の図中左方領域に厚膜印刷し、これを焼成することによって行う。このときの焼成温度は、たとえば790〜800℃である。また、印刷および焼成は、ガラス層25の厚さが2.0μm程度となるように行う。   Next, as shown in FIG. 8, glass layers 25 and 26 are formed. The glass layers 25 and 26 are formed by, for example, printing a paste containing glass on the region between the heating resistor support 21 and the IC electrode support 22 and the left region of the heating resistor support 21 in the drawing. This is done by firing. The firing temperature at this time is, for example, 790 to 800 ° C. Moreover, printing and baking are performed so that the thickness of the glass layer 25 may be about 2.0 micrometers.

次いで、図9および図10に示すように、下層312を形成する。下層312の形成は、たとえばレジネートAuペーストをセラミック基板材料10の全面に厚膜印刷した後に、これを焼成することによって行う。このときの焼成温度は、たとえば790℃程度である。下層312は、その厚さがたとえば0.3μm程度であり、Au比率が97%程度である。   Next, as shown in FIGS. 9 and 10, a lower layer 312 is formed. The lower layer 312 is formed by, for example, printing a resinate Au paste on the entire surface of the ceramic substrate material 10 and then firing the same. The firing temperature at this time is about 790 ° C., for example. The lower layer 312 has a thickness of, for example, about 0.3 μm and an Au ratio of about 97%.

次いで、図11および図12に示すように、上層313を形成する。上層313の形成は、下層312上にたとえばレジネートAuペーストを厚膜印刷した後に、これを焼成することによって行う。この厚膜印刷においては、図11に示すように、下層312のうち発熱抵抗体支持部21を覆う部分のほとんどを露出させる。このときの焼成温度は、たとえば790℃である。上層313は、その厚さがたとえば0.3μm程度であり、Au比率が97%程度である。下層312および上層313を形成することにより本体Au層311が得られる。   Next, as shown in FIGS. 11 and 12, an upper layer 313 is formed. The upper layer 313 is formed by, for example, printing a resinate Au paste on the lower layer 312 with a thick film and then firing the same. In this thick film printing, as shown in FIG. 11, most of the lower layer 312 that covers the heating resistor support 21 is exposed. The firing temperature at this time is, for example, 790 ° C. The upper layer 313 has a thickness of, for example, about 0.3 μm and an Au ratio of about 97%. The main body Au layer 311 is obtained by forming the lower layer 312 and the upper layer 313.

次いで、図13に示すように、補助Au層314を形成する。補助Au層314の形成は、本体Au層311の一部を覆うようにたとえばレジネートAuペーストを厚膜印刷した後に、これを焼成することによって行う。補助Au層314は、その厚さがたとえば0.3μm程度であり、Au比率が99.7%程度である。本体Au層311および補助Au層314を形成することにより、図14に示すAu層30が得られる。なお、補助Au層314の形成は、粒状のガラスとAuとを含むペーストを厚膜印刷した後に、これを焼成することによって行ってもよい。この場合に得られる補助Au層314は、その厚さが1.1μm程度であり、Au比率が60%程度である。なお、本図に示す切断領域15は、後の工程においてセラミック基板材料10を切断することにより複数のセラミック基板11を得る際に削除される領域である。   Next, as shown in FIG. 13, an auxiliary Au layer 314 is formed. The auxiliary Au layer 314 is formed by, for example, printing a resinate Au paste thickly so as to cover a part of the main body Au layer 311 and then baking it. The auxiliary Au layer 314 has a thickness of, for example, about 0.3 μm and an Au ratio of about 99.7%. The Au layer 30 shown in FIG. 14 is obtained by forming the main body Au layer 311 and the auxiliary Au layer 314. The auxiliary Au layer 314 may be formed by baking a paste containing granular glass and Au, and then baking the paste. The auxiliary Au layer 314 obtained in this case has a thickness of about 1.1 μm and an Au ratio of about 60%. Note that the cutting region 15 shown in this drawing is a region that is deleted when the ceramic substrate material 10 is cut in a later step to obtain a plurality of ceramic substrates 11.

次いで、Au層30に対してパターニングを施す。このパターニングは、Au層30上にフォトリソグラフの手法を用いた感光処理によってマスクを形成し、このマスクを利用したエッチングを施すことによって行う。このパターニングにより、図15〜図17に示すように、下層302および上層303からなる本体Au層301と補助Au層304とを含む電極層3が得られる。電極層3は、上述した通常厚部321、薄肉部322、および厚肉部323を有している。また、電極層3は、上述した複数の個別電極33、複数の中継電極37、および共通電極35に区分けされている。   Next, the Au layer 30 is patterned. This patterning is performed by forming a mask on the Au layer 30 by a photosensitive process using a photolithographic technique and performing etching using this mask. By this patterning, as shown in FIGS. 15 to 17, an electrode layer 3 including a main body Au layer 301 composed of a lower layer 302 and an upper layer 303 and an auxiliary Au layer 304 is obtained. The electrode layer 3 has the normal thick part 321, the thin part 322, and the thick part 323 described above. The electrode layer 3 is divided into the plurality of individual electrodes 33, the plurality of relay electrodes 37, and the common electrode 35 described above.

次いで、上述した各要素が形成されたセラミック基板材料10に対して加熱処理を施す。この加熱処理は、たとえばセラミック基板材料10全体を830℃に昇温する工程をたとえば2回程度繰り返す。この加熱処理によって、グレーズ層2の発熱抵抗体支持部21が軟化する。そして、図18に示すように、複数の帯状部331,351,371が発熱抵抗体支持部21に対して若干沈降する。本実施形態においては、発熱抵抗体支持部21の厚さが18〜50μm程度と比較的薄い。このため、複数の帯状部331,351,371の先端寄り部分は、その上面が発熱抵抗体支持部21の上面とほぼ面一となる程度に沈降するが、これらの根元寄り部分は、発熱抵抗体支持部21に対してほとんど沈降しない。   Next, heat treatment is performed on the ceramic substrate material 10 on which the above-described elements are formed. In this heat treatment, for example, the process of raising the temperature of the entire ceramic substrate material 10 to 830 ° C. is repeated about twice, for example. By this heat treatment, the heating resistor support 21 of the glaze layer 2 is softened. Then, as shown in FIG. 18, the plurality of belt-like portions 331, 351, 371 slightly sink with respect to the heating resistor support portion 21. In the present embodiment, the thickness of the heating resistor support 21 is relatively thin, about 18 to 50 μm. For this reason, the portions close to the tips of the plurality of band-shaped portions 331, 351, 371 sink so that the upper surface thereof is substantially flush with the upper surface of the heating resistor support portion 21, but these portions closer to the roots generate heat resistance. It hardly sinks against the body support part 21.

次いで、図19および図20に示すように、抵抗体層40を形成する。抵抗体層40の形成は、たとえばセラミック基板材料10の全面を覆うように、たとえばTaSiO2またはTaNを材料としたスパッタを施すことによって行う。抵抗体層40は、その厚さがたとえば300〜2000Åμm程度である。 Next, as shown in FIGS. 19 and 20, the resistor layer 40 is formed. The resistor layer 40 is formed by sputtering using, for example, TaSiO 2 or TaN so as to cover the entire surface of the ceramic substrate material 10, for example. The resistor layer 40 has a thickness of about 300 to 2000 μm, for example.

次いで、抵抗体層40に対してパターニングを施す。このパターニングは、抵抗体層40上にフォトリソグラフの手法を用いた感光処理によってマスクを形成し、このマスクを利用したエッチングを施すことによって行う。このパターニングにより、図21および図22に示すように、複数の発熱部41および複数の電極被覆部42を有する抵抗体層4が得られる。   Next, the resistor layer 40 is patterned. This patterning is performed by forming a mask on the resistor layer 40 by a photosensitive process using a photolithographic technique and performing etching using the mask. By this patterning, as shown in FIGS. 21 and 22, the resistor layer 4 having a plurality of heat generating portions 41 and a plurality of electrode covering portions 42 is obtained.

次いで、図23に示すように、下層51を形成する。下層51の形成は、所望の領域を露出させるマスクを形成した後に、たとえばSiO2を用いたスパッタ法またはCVD法を施すことによって行う。下層51は、その厚さがたとえば2.0μm程度である。下層51と電極層3との間には、抵抗体層4の電極被覆部42が介在している。 Next, as shown in FIG. 23, the lower layer 51 is formed. The lower layer 51 is formed by forming a mask that exposes a desired region, and then performing sputtering or CVD using SiO 2 , for example. The lower layer 51 has a thickness of about 2.0 μm, for example. Between the lower layer 51 and the electrode layer 3, the electrode covering portion 42 of the resistor layer 4 is interposed.

次いで、図24に示すように、上層52を形成する。上層52の形成は、下層51と重なるように、たとえばSiCを用いたスパッタ法またはCVD法を施すことによって行う。上層52は、その厚さがたとえば6.0μm程度である。下層51および上層52を形成することにより、厚さがたとえば8.0μm程度の保護層5が得られる。   Next, as shown in FIG. 24, the upper layer 52 is formed. The upper layer 52 is formed by, for example, performing a sputtering method or a CVD method using SiC so as to overlap the lower layer 51. The upper layer 52 has a thickness of about 6.0 μm, for example. By forming the lower layer 51 and the upper layer 52, the protective layer 5 having a thickness of, for example, about 8.0 μm can be obtained.

次いで、図25に示すように、樹脂層6を形成する。樹脂層6は、たとえば透明な樹脂材料を電極部61およびIC部62に相当する領域に塗布することによって行う。   Next, as shown in FIG. 25, the resin layer 6 is formed. The resin layer 6 is performed, for example, by applying a transparent resin material to regions corresponding to the electrode part 61 and the IC part 62.

次いで、図26に示すように、IC部62に駆動IC7を搭載する。次いで、セラミック基板材料10を図13に示した要領で切断することにより複数のセラミック基板10に分割する。さらに、セラミック基板11とコネクタ83を取り付けた配線基板12とを放熱板13に取り付ける。そして、複数のワイヤ81をボンディングする。こののちは、封止樹脂82の形成を行う。以上の工程を経ることにより、サーマルプリントヘッド101が完成する。   Next, as shown in FIG. 26, the driving IC 7 is mounted on the IC unit 62. Next, the ceramic substrate material 10 is cut into a plurality of ceramic substrates 10 by cutting in the manner shown in FIG. Further, the ceramic substrate 11 and the wiring substrate 12 to which the connector 83 is attached are attached to the heat sink 13. Then, a plurality of wires 81 are bonded. After that, the sealing resin 82 is formed. The thermal print head 101 is completed through the above steps.

次に、サーマルプリントヘッド101の作用について説明する。   Next, the operation of the thermal print head 101 will be described.

本実施形態によれば、保護層5には、電極層3と直接接する部分がない。Auを主成分とする電極層3とスパッタ法を用いてガラスによって形成された保護層5とは、比較的結合力が弱い。一方、たとえばTaSiO2またはTaNからなる抵抗体層4は、保護層5との結合力が比較的強い。したがって、保護層5の剥離を抑制することができる。 According to this embodiment, the protective layer 5 does not have a portion in direct contact with the electrode layer 3. The electrode layer 3 containing Au as a main component and the protective layer 5 formed of glass using a sputtering method have a relatively weak bonding force. On the other hand, the resistor layer 4 made of TaSiO 2 or TaN, for example, has a relatively strong bonding force with the protective layer 5. Therefore, peeling of the protective layer 5 can be suppressed.

また、本実施形態によれば、電極層3のうち発熱抵抗体支持部21とIC電極支持部22との間にある部分は、ガラス層25上に形成されている。これらの部分は細かい帯状とされているため、下地が粗いと断線などの不具合を生じやすい。ガラス層25は、たとえばグレーズ層2を形成するガラスよりも軟化点が低いガラスからなるため、その表面を平滑に仕上げやすい。これにより、電極層3の断線を回避することができる。また、電極層3のうちガラス層25上に位置するのは、直行部334,354のみである。直行部334,354は、直線状であるため、たとえば屈曲部に生じやすい偏った応力が作用するおそれがない。したがって、直行部334,354が不当にずれたり曲がったりすることを防止することができる。   Further, according to the present embodiment, the portion of the electrode layer 3 between the heating resistor support portion 21 and the IC electrode support portion 22 is formed on the glass layer 25. Since these portions are in the form of fine bands, problems such as disconnection are likely to occur if the base is rough. Since the glass layer 25 is made of glass having a softening point lower than that of the glass forming the glaze layer 2, for example, the surface thereof can be easily finished smoothly. Thereby, disconnection of the electrode layer 3 can be avoided. Further, only the direct portions 334 and 354 are positioned on the glass layer 25 in the electrode layer 3. Since the straight portions 334 and 354 are linear, there is no possibility that a biased stress that tends to occur at the bent portion, for example, is applied. Therefore, it is possible to prevent the straight portions 334 and 354 from being unduly displaced or bent.

複数の直行部334,354は、互いに平行であり、かつ副走査方向yに沿っている。これにより、同数の直行部334,354を配置する場合に、互いのピッチを最大化することが可能である。これは、直行部334,354どうしが接触してしまうと言った不具合を防止するのに適している。   The plurality of orthogonal portions 334 and 354 are parallel to each other and along the sub-scanning direction y. Thereby, when arrange | positioning the same number of orthogonal parts 334 and 354, it is possible to maximize a mutual pitch. This is suitable for preventing a problem that the direct portions 334 and 354 are in contact with each other.

また、本実施形態においては、直行部334,354を抵抗体層4の電極被覆部42が覆っている。電極被覆部42の当該部分は細い帯状とされている。直行部334,354がずれたり曲がったりしにくいため、電極被覆部42の当該部分どうしが接触してしまうことを回避することができる。   In the present embodiment, the straight portions 334 and 354 are covered with the electrode covering portion 42 of the resistor layer 4. The portion of the electrode covering portion 42 has a thin band shape. Since the direct portions 334 and 354 are not easily displaced or bent, it is possible to avoid contact of the portions of the electrode covering portion 42 with each other.

本実施形態によれば、ボンディング部336は、厚肉部323によって構成されている。厚肉部323は、通常厚部321の厚さが0.6μm程度であるのに対し、厚さが0.9μm程度(あるいは、1.7μm程度)と厚い。これにより、ワイヤ81をボンディングする際の圧力が負荷されても、これによって損傷を受ける可能性が低い。また、ワイヤ81を介してボンディング部336に引っ張り力が作用した場合に、ワイヤ81とボンディング部336との接合部に生じる応力集中を弱める機能を果たす。これにより、ワイヤ81およびボンディング部336のはがれを抑制することができる。   According to this embodiment, the bonding part 336 is configured by the thick part 323. The thick portion 323 is as thick as about 0.9 μm (or about 1.7 μm) while the thickness of the thick portion 321 is usually about 0.6 μm. Thereby, even if the pressure at the time of bonding the wire 81 is loaded, the possibility of being damaged by this is low. In addition, when a tensile force acts on the bonding part 336 via the wire 81, the function of weakening the stress concentration generated at the joint part between the wire 81 and the bonding part 336 is achieved. Thereby, peeling of the wire 81 and the bonding part 336 can be suppressed.

厚肉部323は、本体Au層301と補助Au層304からなる。補助Au層304は、本体Au層301よりもAu比率が高いため、Auからなるワイヤ81との接合力を高めるのに適している。また、補助Au層304がAuおよびガラスが混入された材料からなる場合、補助Au層304の表面が比較的凹凸が多い形状となりやすい。これにより、ボンディング部336とワイヤ81との接触面積を増大させることが可能である。これによっても、ワイヤ81とボンディング部336との接合力を高めることができる。   The thick part 323 includes a main body Au layer 301 and an auxiliary Au layer 304. Since the auxiliary Au layer 304 has a higher Au ratio than the main body Au layer 301, it is suitable for increasing the bonding force with the wire 81 made of Au. In addition, when the auxiliary Au layer 304 is made of a material in which Au and glass are mixed, the surface of the auxiliary Au layer 304 tends to have a shape with a relatively large number of irregularities. Thereby, the contact area between the bonding part 336 and the wire 81 can be increased. Also by this, the joining force between the wire 81 and the bonding part 336 can be increased.

本体Au層301には、添加元素としてロジウム、バナジウム、ビスマス、シリコンなどが添加されている。これらの添加元素は、特にガラスからなるグレーズ層2のIC電極支持部22との接合力を高める効果を発揮する。これにより、ボンディング部336の剥離を好適に防止することができる。   Rhodium, vanadium, bismuth, silicon, or the like is added to the main body Au layer 301 as additive elements. These additive elements exhibit an effect of increasing the bonding force between the glaze layer 2 made of glass and the IC electrode support 22 in particular. Thereby, peeling of the bonding part 336 can be suitably prevented.

また、本実施形態においては、共通電極35の基幹部357も厚肉部323によって構成されている。この厚肉部323には、樹脂層6のIC部62を介して駆動IC7が実装されている。このような構成は、基幹部357のうち駆動IC7が実装された領域に不当な応力集中が生じることを回避するのに適している。また、基幹部357には、配線基板12に繋がるワイヤ81がボンディングされている。基幹部357が厚肉部323によって構成されていることは、ワイヤ81との接合力、およびグレーズ層2のIC電極支持部22との接合力の双方を高めるのに適しており、このワイヤ81および基幹部357の剥離を抑制するのに有利である。   In the present embodiment, the backbone portion 357 of the common electrode 35 is also configured by the thick portion 323. A driving IC 7 is mounted on the thick portion 323 via the IC portion 62 of the resin layer 6. Such a configuration is suitable for avoiding unreasonable stress concentration in the region where the driving IC 7 is mounted in the backbone 357. In addition, a wire 81 connected to the wiring board 12 is bonded to the trunk 357. The fact that the trunk portion 357 is constituted by the thick portion 323 is suitable for increasing both the bonding force with the wire 81 and the bonding force with the IC electrode support portion 22 of the glaze layer 2. Further, it is advantageous for suppressing the peeling of the trunk portion 357.

また、本実施形態によれば、帯状部331,351,371の先端寄り部分は、薄肉部322によって構成されている。これにより、帯状部331,351,371の先端縁332,352,372が顕著な段差となることを抑制することが可能である。これは、抵抗体層4が顕著な段差を覆う構成となることを避けるものであり、抵抗体層4の損傷を回避するのに適している。   In addition, according to the present embodiment, the portions near the leading ends of the strip portions 331, 351, 371 are configured by the thin portion 322. Thereby, it can suppress that the front-end edge 332,352,372 of the strip | belt-shaped parts 331,351,371 is a remarkable level | step difference. This is to prevent the resistor layer 4 from covering a significant step and is suitable for avoiding damage to the resistor layer 4.

帯状部331,351,371の根元側部分や、電極層3のうちこれらにつながる部分は、通常厚部321によって構成されている。これにより、電極層3の電気抵抗値が不当に大きくなってしまうことを防止することができる。   The base side portions of the band-shaped portions 331, 351, and 371 and the portion connected to these in the electrode layer 3 are usually constituted by a thick portion 321. Thereby, it can prevent that the electrical resistance value of the electrode layer 3 becomes unreasonably large.

帯状部331,351,371の先端寄り部分をグレーズ層2の発熱抵抗体支持部21に対して沈降させることにより、発熱抵抗体支持部21と帯状部331,351,371との境界に段差が生じることをさらに抑制することができる。帯状部331,351,371の先端寄り部分と発熱抵抗体支持部21とを面一とすれば段差の解消に好適である。   Steps are formed at the boundaries between the heating resistor support 21 and the strips 331, 351, and 371 by causing the portions near the tip of the strips 331, 351, and 371 to settle against the heating resistor support 21 of the glaze layer 2. This can be further suppressed. If the portions near the leading ends of the belt-like portions 331, 351, and 371 and the heating resistor support portion 21 are flush with each other, it is suitable for eliminating the step.

通常厚部321を下層302および上層303からなる本体Au層301によって構成し、薄肉部322を下層302のみによって構成することにより、通常厚部321と薄肉部322との境界を所望の場所に設けるのに都合がよい。この境界の位置は、厚膜印刷によって規定できるため、相応の精度を確保することができる。   The normal thick part 321 is constituted by the main body Au layer 301 composed of the lower layer 302 and the upper layer 303, and the thin part 322 is constituted only by the lower layer 302, thereby providing a boundary between the normal thick part 321 and the thin part 322 at a desired location. It is convenient for. Since the position of this boundary can be defined by thick film printing, a corresponding accuracy can be ensured.

図27〜図36は、本発明の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。   27 to 36 show another embodiment of the present invention. In these drawings, the same or similar elements as those in the above embodiment are denoted by the same reference numerals as those in the above embodiment.

図27は、サーマルプリントヘッド101の変形例を示している。同図に示されたサーマルプリントヘッド101は、電極層3の構成が上述したサーマルプリントヘッド101と異なっている。この変形例においては、薄肉部322が、本体Au層301の上層303によって構成されている。下層302は、発熱抵抗体支持部21の副走査方向yにおける中心から退避した位置に形成されている。   FIG. 27 shows a modification of the thermal print head 101. The thermal print head 101 shown in the figure is different from the thermal print head 101 described above in the configuration of the electrode layer 3. In this modification, the thin portion 322 is constituted by the upper layer 303 of the main body Au layer 301. The lower layer 302 is formed at a position retracted from the center of the heating resistor support 21 in the sub-scanning direction y.

図28〜図31は、サーマルプリントヘッド101の変形例の製造方法を示している。まず、セラミック基板11にグレーズ層2およびガラス層25を形成した後に、下層312を形成する。このとき、発熱抵抗体支持部21の大部分を露出させるように、下層312を形成する。次いで、セラミック基板材料10のほぼ全面を覆うように、上層313を形成する。さらに、補助Au層314を形成する。そして、Au層30に対してパターニングを施すことにより、図30に示すように、本体Au層301を有する電極層3を形成する。そして、セラミック基板材料10全体を加熱する処理を施すことにより、図31に示すように帯状部331,351,371の先端寄り部分が発熱抵抗体支持部21に対して沈降する。こののちは、図19〜図26を参照して説明した工程を経ることによりサーマルプリントヘッド101の変形例が完成する。   28 to 31 show a manufacturing method of a modified example of the thermal print head 101. First, after forming the glaze layer 2 and the glass layer 25 on the ceramic substrate 11, the lower layer 312 is formed. At this time, the lower layer 312 is formed so that most of the heating resistor support portion 21 is exposed. Next, an upper layer 313 is formed so as to cover almost the entire surface of the ceramic substrate material 10. Further, an auxiliary Au layer 314 is formed. Then, by patterning the Au layer 30, as shown in FIG. 30, the electrode layer 3 having the main body Au layer 301 is formed. Then, by performing a process of heating the entire ceramic substrate material 10, portions near the leading ends of the band-shaped portions 331, 351, 371 are settled with respect to the heating resistor support portion 21 as shown in FIG. Thereafter, the modified example of the thermal print head 101 is completed through the steps described with reference to FIGS.

このような変形例によっても、抵抗体層4の損傷を抑制しつつ、電極層3の電気抵抗値が不当に大きくなってしまうことを回避することができる。   Even with such a modification, it is possible to prevent the electrical resistance value of the electrode layer 3 from becoming unduly large while suppressing damage to the resistor layer 4.

図32および図33は、本発明の第2実施形態に基づくサーマルプリントヘッドを示している。本実施形態のサーマルプリントヘッド102は、電極層3の構成と、Ag層361およびAg保護層53を備える点とが、上述した実施形態と異なっている。   32 and 33 show a thermal print head according to the second embodiment of the present invention. The thermal print head 102 of this embodiment is different from the above-described embodiment in that the configuration of the electrode layer 3 and the Ag layer 361 and the Ag protective layer 53 are provided.

図32に示すように、電極層3は、複数の個別電極33および共通電極35を有する。各個別電極33は、サーマルプリントヘッド101の個別電極33と類似の構成である。共通電極35は、複数の帯状部351、連結部358、迂回部359、および基幹部357を有している。複数の帯状部351は、それぞれが副走査方向yに沿って延びており、主走査方向xに配列されている。各帯状部351の対向縁352は、個別電極33の帯状部331の対向縁332と対向している。連結部358は、基板11の副走査方向y一端寄り部分に形成されており、主走査方向xに長く延びている。連結部358は、複数の帯状部351を連結している。迂回部359は、セラミック基板11の主走査方向x一端寄り部分に形成されており、連結部358と基幹部357とを繋いでいる。   As shown in FIG. 32, the electrode layer 3 has a plurality of individual electrodes 33 and a common electrode 35. Each individual electrode 33 has a configuration similar to that of the individual electrode 33 of the thermal print head 101. The common electrode 35 includes a plurality of strip portions 351, a connecting portion 358, a detour portion 359, and a backbone portion 357. Each of the plurality of strip portions 351 extends along the sub-scanning direction y, and is arranged in the main scanning direction x. The opposing edge 352 of each strip portion 351 is opposed to the opposing edge 332 of the strip portion 331 of the individual electrode 33. The connecting portion 358 is formed near one end of the substrate 11 in the sub-scanning direction y and extends long in the main scanning direction x. The connecting part 358 connects the plurality of strip-like parts 351. The detour portion 359 is formed near the one end of the ceramic substrate 11 in the main scanning direction x, and connects the connecting portion 358 and the backbone portion 357.

本実施形態においては、帯状部331,351の幅が27.3μm程度、主走査方向xにおける隙間が15μm程度とされている。また、ボンディング部336の主走査方向xにおける寸法が55μm程度とされている。   In the present embodiment, the width of the band-shaped portions 331 and 351 is about 27.3 μm, and the gap in the main scanning direction x is about 15 μm. The dimension of the bonding part 336 in the main scanning direction x is about 55 μm.

Ag層361は、共通電極35の連結部358および迂回部359に重なる帯状であり、Agによって形成されている。Ag層361の厚さは、たとえば16μm程度である。   The Ag layer 361 has a strip shape that overlaps the connecting portion 358 and the detour portion 359 of the common electrode 35, and is formed of Ag. The thickness of the Ag layer 361 is, for example, about 16 μm.

Ag保護層53は、Ag層361を保護するためのものであり、Ag層361のすべてを覆う帯状とされている。Ag保護層53は、たとえばガラスからなり、その厚さが4〜10μm程度とされている。   The Ag protective layer 53 is for protecting the Ag layer 361 and has a strip shape covering all of the Ag layer 361. The Ag protective layer 53 is made of, for example, glass and has a thickness of about 4 to 10 μm.

次に、サーマルプリントヘッド102の製造方法の一例について、図34〜36を参照しつつ、以下に説明する。   Next, an example of a method for manufacturing the thermal print head 102 will be described below with reference to FIGS.

まず、図6〜図17を参照して説明した工程と類似の工程を経ることにより、図34に示すように、セラミック基板材料10上にグレーズ層2、ガラス層25,26、および電極層3を形成する。同図に示された状態においては、帯状部331,351は、いまだ発熱抵抗体支持部21に対して沈降していない。   First, the glaze layer 2, the glass layers 25 and 26, and the electrode layer 3 are formed on the ceramic substrate material 10 by performing a process similar to the process described with reference to FIGS. Form. In the state shown in the figure, the band-shaped portions 331 and 351 have not yet settled with respect to the heating resistor support portion 21.

次いで、図35に示すようにAg層361を形成する。Ag層361の形成は、たとえばAgを含むペーストを厚膜印刷した後に、これを焼成することによって行う。このときの焼成工程において、発熱抵抗体支持部21が加熱される。これにより、帯状部331,351が発熱抵抗体支持部21に対して沈降する。   Next, an Ag layer 361 is formed as shown in FIG. The Ag layer 361 is formed by, for example, printing a paste containing Ag on a thick film and then firing the paste. In the firing step at this time, the heating resistor support 21 is heated. As a result, the belt-like portions 331 and 351 settle against the heating resistor support portion 21.

次いで、Ag保護層53を形成する。Ag保護層53の形成は、たとえばガラスペーストを印刷した後に、これを焼成することによって行う。このときの焼成工程において、発熱抵抗体支持部21が再び加熱される。これにより、帯状部331,351の発熱体支持部21に対する沈降が促進される。こののちは、図19〜図26を参照して説明した工程と類似の工程を経ることにより、サーマルプリントヘッド102が完成する。   Next, an Ag protective layer 53 is formed. The Ag protective layer 53 is formed, for example, by printing a glass paste and firing it. In this firing step, the heating resistor support 21 is heated again. Thereby, sedimentation of the belt-like portions 331 and 351 with respect to the heating element support portion 21 is promoted. Thereafter, the thermal print head 102 is completed through steps similar to those described with reference to FIGS.

このような実施形態によれば、共通電極35の連結部358および迂回部359を流れるべき電流が、Ag層361にも流れることとなる。このため、共通電極35の電気抵抗値を低減させることが可能である。また、Ag層361は、ガラスからなるAg保護層53によって、そのすべてが覆われている。サーマルプリントヘッド102の製造工程において、抵抗体層40を形成するときには、Ag層361は、Ag保護層53によってすでに覆われている格好となっている。このため、たとえばスパッタ法やCVD法などを用いて抵抗体層40を形成するときに発生するCF4ガスやO2によってAg層361が変質してしまうことを防止することができる。 According to such an embodiment, the current that should flow through the connecting portion 358 and the detour portion 359 of the common electrode 35 also flows through the Ag layer 361. For this reason, it is possible to reduce the electrical resistance value of the common electrode 35. The Ag layer 361 is entirely covered with an Ag protective layer 53 made of glass. In the manufacturing process of the thermal print head 102, when the resistor layer 40 is formed, the Ag layer 361 is already covered with the Ag protective layer 53. For this reason, it is possible to prevent the Ag layer 361 from being altered by CF 4 gas or O 2 generated when the resistor layer 40 is formed using, for example, sputtering or CVD.

また、Ag層361およびAg保護層53の製造工程と、帯状部331,351の先端寄り部分を沈降させる工程とを兼ねることが可能である。これにより、サーマルプリントヘッド102の製造効率を高めることができる。   Moreover, it is possible to combine the manufacturing process of the Ag layer 361 and the Ag protective layer 53 and the process of settling the portions near the leading ends of the band-shaped portions 331 and 351. Thereby, the manufacturing efficiency of the thermal print head 102 can be improved.

本発明に係るサーマルプリントヘッドは、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係るサーマルプリントヘッドの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。   The thermal print head according to the present invention is not limited to the above-described embodiment. The specific configuration of each part of the thermal print head according to the present invention can be varied in design in various ways.

101,102 サーマルプリントヘッド
1 支持部
10 セラミック基板材料
11 セラミック基板(基板)
12 配線基板
13 放熱板
2 グレーズ層
21 発熱抵抗体支持部
22 IC電極支持部
25,26 ガラス層
3 電極層
301 本体層
302 下層
303 上層
304 補助層
30 Au層
311 本体Au層
312 下層
313 上層
314 補助Au層
321 通常厚部
322 薄肉部
323 厚肉部
33 個別電極
331 帯状部
332 対向縁
333 屈曲部
334 直行部
335 斜行部
336 ボンディング部
35 共通電極
351 帯状部
352 対向縁
353 分岐部
354 直行部
355 斜行部
356 延出部
357 基幹部
358 連結部
359 迂回部
361 Ag層
37 中継電極
371 帯状部
372 対向縁
373 連結部
4 抵抗体層
40 抵抗体層
41 発熱部
42 電極被覆部
5 保護層
51 下層
52 上層
53 Ag保護層
6 樹脂層
61 電極部
62 IC部
7 駆動IC
71 パッド
81 ワイヤ
82 封止樹脂
83 コネクタ
x 主走査方向
y 副走査方向
z 厚さ方向
101, 102 Thermal print head 1 Support section 10 Ceramic substrate material 11 Ceramic substrate (substrate)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 12 Wiring board 13 Heat sink 2 Glaze layer 21 Heating resistor support part 22 IC electrode support parts 25 and 26 Glass layer 3 Electrode layer 301 Main body layer 302 Lower layer 303 Upper layer 304 Auxiliary layer 30 Au layer 311 Main body Au layer 312 Lower layer 313 Upper layer 314 Auxiliary Au layer 321 Normal thick part 322 Thin part 323 Thick part 33 Individual electrode 331 Strip part 332 Opposing edge 333 Bend part 334 Straight part 335 Skew part 336 Bonding part 35 Common electrode 351 Strip part 352 Opposite edge 353 Branch part 354 Direct part Part 355 skew part 356 extension part 357 backbone part 358 connection part 359 detour part 361 Ag layer 37 relay electrode 371 strip part 372 opposing edge 373 connection part 4 resistor layer 40 resistor layer 41 heating part 42 electrode covering part 5 protection Layer 51 Lower layer 52 Upper layer 53 Ag protective layer 6 Resin layer 61 Electrode part 62 IC part 7 IC
71 Pad 81 Wire 82 Sealing resin 83 Connector x Main scanning direction y Sub scanning direction z Thickness direction

Claims (20)

基板と、
各々が副走査方向に互いに離間した1対の帯状部からなり、かつ主走査方向に配列された複数対の帯状部を有する、上記基板に支持された電極層と、
上記各対の帯状部どうしの隙間を覆う発熱部を有する抵抗体層と、
上記電極層および上記抵抗体層を保護する保護層と、
を備えるサーマルプリントヘッドであって、
上記抵抗体層は、上記電極層と上記保護層との間に介在する電極被覆部を有することを特徴とする、サーマルプリントヘッド。
A substrate,
An electrode layer supported by the substrate, each comprising a pair of strips spaced apart from each other in the sub-scanning direction and having a plurality of pairs of strips arranged in the main scanning direction;
A resistor layer having a heat generating portion covering a gap between the pair of strip-shaped portions;
A protective layer for protecting the electrode layer and the resistor layer;
A thermal print head comprising:
The thermal printing head, wherein the resistor layer has an electrode covering portion interposed between the electrode layer and the protective layer.
上記保護層は、下層、およびこの下層上に積層された上層からなる、請求項1に記載のサーマルプリントヘッド。   The thermal print head according to claim 1, wherein the protective layer includes a lower layer and an upper layer laminated on the lower layer. 上記下層は、SiO2からなり、上記上層は、SiCを含む材料からなる、請求項2に記載のサーマルプリントヘッド。 The thermal print head according to claim 2, wherein the lower layer is made of SiO 2 and the upper layer is made of a material containing SiC. 上記電極層は、Auを含む、請求項1ないし3のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。   The thermal print head according to claim 1, wherein the electrode layer contains Au. 上記電極層は、Auを含むペーストを印刷した後に、これを焼成することによって形成されている、請求項4に記載のサーマルプリントヘッド。   The thermal print head according to claim 4, wherein the electrode layer is formed by printing a paste containing Au and firing the paste. 上記抵抗体層は、TaSiO2またはTaNを含む、請求項1ないし5のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。 The thermal print head according to claim 1, wherein the resistor layer includes TaSiO 2 or TaN. 上記抵抗体層は、スパッタ法またはCVD法によって形成されている、請求項6に記載のサーマルプリントヘッド。   The thermal print head according to claim 6, wherein the resistor layer is formed by a sputtering method or a CVD method. 上記電極層は、主走査方向において隣り合う上記2対の帯状部のうち副走査方向において同じ側に位置する2つの上記帯状部、およびこの帯状部どうしを連結する連結部を有する複数の中継電極と、各々が上記各中継電極の一方の帯状部と上記1対の帯状部を構成する上記帯状部を有する複数の個別電極と、各々が上記複数の中継電極の他方の帯状部と上記1対の帯状部を構成する複数の上記帯状部を有する共通電極と、を有しており、
上記電極被覆部は、上記個別電極および上記共通電極それぞれの上記帯状部と、上記中継電極と、を覆っている、請求項1ないし7のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
The electrode layer has a plurality of relay electrodes each having two strips positioned on the same side in the sub-scanning direction among the two pairs of strips adjacent in the main scanning direction, and a connecting portion that connects the strips A plurality of individual electrodes each having one band-shaped portion of each relay electrode and the band-shaped portions constituting the pair of band-shaped portions, and each of the other band-shaped portions of the plurality of relay electrodes and the pair. A common electrode having a plurality of the band-shaped parts constituting the band-shaped part of
The thermal print head according to any one of claims 1 to 7, wherein the electrode covering portion covers the strip portions of the individual electrodes and the common electrode, and the relay electrode.
上記共通電極は、主走査方向に隣り合う2つの上記帯状部と、これらの帯状部に繋がる分岐部と、を有しており、
上記共通電極の上記2つの帯状部は、2つの上記中継電極の上記帯状部と各別に上記1対の帯状部を構成しており、
上記電極被覆部は、上記分岐部を覆っている、請求項8に記載のサーマルプリントヘッド。
The common electrode has two strips adjacent to each other in the main scanning direction, and a branch portion connected to these strips.
The two strips of the common electrode constitute the pair of strips separately from the strips of the two relay electrodes,
The thermal print head according to claim 8, wherein the electrode covering portion covers the branch portion.
上記電極層は、各々が上記1対の帯状部の一方を有する複数の個別電極と、これらの個別電極の上記帯状部と上記複数対の帯状部を構成する複数の帯状部、およびこれらの帯状部を繋ぐ連結部を有する共通電極と、を有しており、
上記電極被覆部は、上記個別電極および上記共通電極それぞれの上記帯状部を覆っている、請求項1ないし7のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
The electrode layer includes a plurality of individual electrodes each having one of the pair of band-shaped portions, a plurality of band-shaped portions constituting the band-shaped portions of the individual electrodes and the plurality of pairs of band-shaped portions, and the band-shaped portions. A common electrode having a connecting portion connecting the portions,
The thermal print head according to any one of claims 1 to 7, wherein the electrode covering portion covers the strip portions of the individual electrodes and the common electrode.
上記基板上に形成されており、主走査方向に対して直角である断面形状が円弧状とされた主走査方向に延びる発熱抵抗体支持部、および副走査方向において上記発熱抵抗体支持部と離間したIC電極支持部、を有するグレーズ層と、
上記基板のうち上記発熱抵抗体支持部および上記IC電極支持部に挟まれた領域を覆っており、かつ上記グレーズ層の材質よりも軟化点が低い材質からなるガラス層と、を備えており、
上記複数対の帯状部は、上記発熱抵抗体支持部上に形成されており、
上記電極層は、各々が上記複数対の帯状部のうち副走査方向において同じ側にあるものに繋がり、かつ上記ガラス層上に形成されているとともに、直線状とされた複数の直行部を有するとともに、
上記各個別電極は、上記帯状部に繋がる上記直行部を有しており、
上記共通電極は、各々が上記複数の帯状部に繋がる複数の上記直行部を有しており、
上記電極被覆部は、上記複数の直行部を覆っている、請求項8または9に記載のサーマルプリントヘッド。
A heating resistor support portion formed on the substrate and extending in the main scanning direction in which a cross-sectional shape perpendicular to the main scanning direction is an arc shape, and spaced apart from the heating resistor support portion in the sub-scanning direction A glaze layer having an IC electrode support,
A glass layer made of a material covering a region sandwiched between the heating resistor support part and the IC electrode support part of the substrate and having a softening point lower than that of the glaze layer, and
The plurality of pairs of strips are formed on the heating resistor support,
Each of the electrode layers is connected to one of the plurality of pairs of strip-shaped portions on the same side in the sub-scanning direction, and is formed on the glass layer, and has a plurality of straight portions that are linear. With
Each of the individual electrodes has the straight part connected to the belt-like part,
The common electrode has a plurality of the orthogonal portions each connected to the plurality of strip portions,
The thermal print head according to claim 8, wherein the electrode covering portion covers the plurality of orthogonal portions.
上記共通電極は、主走査方向に隣り合う2つの上記帯状部と、これらの帯状部に繋がる分岐部と、を有しており、
上記共通電極の上記2つの帯状部は、2つの上記中継電極の上記帯状部と各別に上記1対の帯状部を構成しており、
上記分岐部は、上記発熱抵抗体支持部上に形成されている、請求項11に記載のサーマルプリントヘッド。
The common electrode has two strips adjacent to each other in the main scanning direction, and a branch portion connected to these strips.
The two strips of the common electrode constitute the pair of strips separately from the strips of the two relay electrodes,
The thermal print head according to claim 11, wherein the branch portion is formed on the heating resistor support portion.
上記各個別電極は、上記直行部に繋がるとともに、上記IC電極支持部上に形成されており、かつ副走査方向に対して傾斜した方向に延びる斜行部を有する、請求項11または12に記載のサーマルプリントヘッド。   Each said individual electrode is connected to the said orthogonal part, and is formed on the said IC electrode support part, and has a skew part extended in the direction inclined with respect to the subscanning direction. Thermal print head. 上記共通電極は、各々が上記各直行部に繋がるとともに、上記IC電極支持部上に形成されており、かつ副走査方向に対して傾斜した方向に延びる複数の斜行部を有する、請求項11ないし13のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。   12. The common electrode includes a plurality of skewed portions that are connected to the respective orthogonal portions, are formed on the IC electrode support portion, and extend in a direction inclined with respect to the sub-scanning direction. The thermal print head in any one of thru | or 13. 上記基板上に形成されており、主走査方向に対して直角である断面形状が円弧状とされた主走査方向に延びる発熱抵抗体支持部、および副走査方向において上記発熱抵抗体支持部と離間したIC電極支持部を有するグレーズ層と、
上記基板のうち上記発熱抵抗体支持部および上記IC電極支持部に挟まれた領域を覆っており、かつ上記グレーズ層の材質よりも軟化点が低い材質からなるガラス層と、を備えており、
上記複数対の帯状部は、上記発熱抵抗体支持部上に形成されており、
上記電極層は、各々が上記複数対の帯状部のうち副走査方向において同じ側にあるものに繋がり、かつ上記ガラス層上に形成されているとともに、直線状とされた複数の直行部を有するとともに、
上記各個別電極は、上記帯状部に繋がる上記直行部を有しており、
上記電極被覆部は、上記複数の直行部を覆っている、請求項10に記載のサーマルプリントヘッド。
A heating resistor support portion formed on the substrate and extending in the main scanning direction in which a cross-sectional shape perpendicular to the main scanning direction is an arc shape, and spaced apart from the heating resistor support portion in the sub-scanning direction A glaze layer having an IC electrode support,
A glass layer made of a material covering a region sandwiched between the heating resistor support part and the IC electrode support part of the substrate and having a softening point lower than that of the glaze layer, and
The plurality of pairs of strips are formed on the heating resistor support,
Each of the electrode layers is connected to one of the plurality of pairs of strip-shaped portions on the same side in the sub-scanning direction, and is formed on the glass layer, and has a plurality of straight portions that are linear. With
Each of the individual electrodes has the straight part connected to the belt-like part,
The thermal print head according to claim 10, wherein the electrode covering portion covers the plurality of orthogonal portions.
上記各個別電極は、上記直行部に繋がるとともに、上記IC電極支持部上に形成されており、かつ副走査方向に対して傾斜した方向に延びる斜行部を有する、請求項15に記載のサーマルプリントヘッド。   16. The thermal device according to claim 15, wherein each of the individual electrodes has a skew portion that is connected to the straight portion, is formed on the IC electrode support portion, and extends in a direction inclined with respect to the sub-scanning direction. Print head. 上記複数の直行部は、互いに平行である、請求項11ないし16のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。   The thermal print head according to claim 11, wherein the plurality of orthogonal portions are parallel to each other. 上記複数の直行部は、いずれも副走査方向に対して平行である、請求項17に記載のサーマルプリントヘッド。   The thermal print head according to claim 17, wherein each of the plurality of orthogonal portions is parallel to the sub-scanning direction. 上記基板は、セラミックからなる、請求項1ないし18のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。   The thermal print head according to claim 1, wherein the substrate is made of ceramic. 上記基板が取り付けられた、金属からなる放熱板をさらに備える、請求項19に記載のサーマルプリントヘッド。   The thermal print head of Claim 19 further equipped with the heat sink which consists of a metal with which the said board | substrate was attached.
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