JP2012104514A - Semiconductor wafer manufacturing method and semiconductor wafer - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体ウエハの表面に存在する保護テープを、剥離テープを利用して除去する工程を有する半導体ウエハの製造方法及び半導体ウエハに関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor wafer and a semiconductor wafer including a step of removing a protective tape existing on the surface of a semiconductor wafer using a peeling tape.
従来、半導体ウエハの表面に存在する保護テープを、剥離テープを利用して除去する工程を有する半導体ウエハの製造方法としては、例えば、特許文献１がある。この特許文献１では、半導体ウエハ上のパターンを形成するダイシング溝と半導体ウエハから保護テープが剥離される境目となる剥離ラインとが保護テープ剥離過程で一致しない方向から保護テープを剥離テープと一体にして剥離することで、半導体ウエハを破損させることなく保護テープを剥離するようにしている。 Conventionally, as a method for manufacturing a semiconductor wafer having a step of removing the protective tape existing on the surface of the semiconductor wafer using a peeling tape, there is, for example, Patent Document 1. In this Patent Document 1, the protective tape is integrated with the peeling tape from the direction in which the dicing grooves for forming the pattern on the semiconductor wafer and the peeling line that becomes the boundary from which the protective tape is peeled off from the semiconductor wafer do not coincide with each other in the protective tape peeling process. The protective tape is peeled off without damaging the semiconductor wafer.
しかしながら、特許文献１の場合においても、半導体ウエハを薄くした場合等には、保護テープを剥離する際に、半導体ウエハが破損する可能性がある。このため、半導体ウエハを破損させることなく効率よく保護テープを剥離することが更に望まれている。 However, even in the case of Patent Document 1, when the semiconductor wafer is thinned, the semiconductor wafer may be damaged when the protective tape is peeled off. For this reason, it is further desired to efficiently peel off the protective tape without damaging the semiconductor wafer.
本発明は上記事実を考慮し、半導体ウエハを破損させることなく効率よく保護テープを剥離することができる半導体ウエハの製造方法及び半導体ウエハを得ることを課題とする。 In view of the above facts, an object of the present invention is to obtain a semiconductor wafer manufacturing method and a semiconductor wafer that can efficiently peel off a protective tape without damaging the semiconductor wafer.
請求項１に記載の発明の半導体ウエハの製造方法は、表面に接着する保護テープとの接着面積を低減させるための接着面積低減部を、前記保護テープを剥離するための剥離テープの剥離開始位置または前記剥離開始位置の近傍となる半導体ウエハの部位に形成する接着面積低減部形成工程と、前記半導体ウエハの表面に保護テープを貼付ける保護テープ貼付工程と、前記半導体ウエハの裏面を研削する研削工程と、前記半導体ウエハの表面における前記保護テープ上の前記接着面積低減部と重なる位置に、前記接着面積低減部が前記剥離開始位置または前記剥離開始位置の近傍となるように剥離テープを貼付ける剥離テープ貼付工程と、前記剥離テープを前記接着面積低減部が前記剥離開始位置または前記剥離開始位置の近傍となるように、前記保護テープとともに前記半導体ウエハの表面から剥離する剥離工程と、を有する。 The manufacturing method of the semiconductor wafer of the invention according to claim 1 is characterized in that an adhesive area reducing portion for reducing an adhesive area with a protective tape that adheres to the surface is a peeling start position of a peeling tape for peeling the protective tape. Alternatively, an adhesion area reducing portion forming step formed in a portion of the semiconductor wafer that is in the vicinity of the peeling start position, a protective tape attaching step of attaching a protective tape to the surface of the semiconductor wafer, and grinding for grinding the back surface of the semiconductor wafer Affixing the release tape so that the adhesion area reduction part is at the peeling start position or in the vicinity of the peeling start position at a position overlapping the adhesion area reduction part on the protective tape on the surface of the semiconductor wafer A peeling tape attaching step, and the peeling tape so that the adhesion area reduction part is in the vicinity of the peeling start position or the peeling start position, With serial protective tape having a peeling step of peeling from the surface of the semiconductor wafer.
請求項５に記載の発明の半導体ウエハは、表面に接着する保護テープとの接着面積を低減させるための接着面積低減部が、前記保護テープを剥離するための剥離テープの剥離開始位置または前記剥離開始位置の近傍となる部位に形成されている。 According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the semiconductor wafer according to the fifth aspect, wherein the adhesive area reducing unit for reducing the adhesive area with the protective tape that adheres to the surface is the peeling tape peeling start position for peeling the protective tape or the peeling. It is formed at a site that is in the vicinity of the start position.
本発明の半導体ウエハの製造方法及び半導体ウエハは、上記方法としたので、半導体ウエハを破損させることなく効率よく保護テープを剥離することができる。 Since the semiconductor wafer manufacturing method and the semiconductor wafer according to the present invention are the above-described methods, the protective tape can be efficiently peeled without damaging the semiconductor wafer.
（第１実施形態）
次に、本発明の半導体ウエハの製造方法及び半導体ウエハの第１実施形態を図１〜図８に従って説明する。なお、「半導体ウエハ」については、以下、単に「ウエハ」という。
(First embodiment)
Next, a method for manufacturing a semiconductor wafer and a first embodiment of the semiconductor wafer according to the present invention will be described with reference to FIGS. The “semiconductor wafer” is hereinafter simply referred to as “wafer”.
（接着面積低減部形成工程）
図１（Ａ）に示すように、本実施形態では、研削工程（バックグラインド処理ともいう）を行う前のウエハ１０の周辺部を、オリエンテーションフラップＯＦを除く全域に渡って破線で示すように削る。これによって、図１（Ｂ）に示されるように、ウエハ１０の外周１０Ａの一部に、ウエハ１０の径方向外側に向かって突出した接着面積低減部としての凸部（突起部）１２を形成する。また、凸部１２の平面視形状は半円形状とされており、例えば、６インチ径のシリコン（Ｓｉ）ウエハ１０の場合には、最大突出量Ｈ１が０．１ｍｍ〜０．５ｍｍとされ、最大幅Ｔ１は最大突出量Ｈ１と同等の範囲としている。
(Adhesion area reduction part formation process)
As shown in FIG. 1A, in the present embodiment, the peripheral portion of the wafer 10 before performing the grinding step (also referred to as a back grinding process) is cut as shown by a broken line over the entire area excluding the orientation flap OF. . As a result, as shown in FIG. 1B, a convex portion (protrusion portion) 12 as a bonding area reduction portion protruding toward the radially outer side of the wafer 10 is formed on a part of the outer periphery 10A of the wafer 10. To do. Further, the plan view shape of the convex portion 12 is a semicircular shape. For example, in the case of a 6-inch diameter silicon (Si) wafer 10, the maximum protrusion amount H1 is 0.1 mm to 0.5 mm, The maximum width T1 is in a range equivalent to the maximum protrusion amount H1.
なお、この凸部１２は後述する保護テープの剥離工程で、ウエハ１０が割れ難い面方位に形成する。また、凸部１２の平面視形状は半円形状に限定されず、三角形状や矩形状等の他の形状としてもよい。また、図中の符号２２はダイシング溝を示している。 In addition, this convex part 12 is formed in a surface orientation in which the wafer 10 is difficult to break in a protective tape peeling process described later. Moreover, the planar view shape of the convex part 12 is not limited to semicircular shape, It is good also as other shapes, such as a triangular shape and a rectangular shape. Moreover, the code | symbol 22 in a figure has shown the dicing groove | channel.
（保護テープ貼付工程）
図２に示すように、保護テープ貼付工程では、半導体ウエハ１０の表面１０Ｂの全域に保護テープ１４を貼付ける。
(Protective tape application process)
As shown in FIG. 2, in the protective tape attaching step, the protective tape 14 is attached to the entire surface 10 </ b> B of the semiconductor wafer 10.
（研削工程）
図３に示すように、研削工程では、ウエハ１０を作業台１６に裏面１０Ｃを上方に向けてセットし、裏面１０Ｃを研削装置１８によって研削する。この場合、例えば、図４（Ａ）に示すように、６インチ径のウエハ１０の厚さＭ１（Ｍ１＝４００μｍ〜７００μｍ）を、図４（Ｂ）に示すように、厚さＭ２（Ｍ２＝２００μｍ）以下に加工する。
(Grinding process)
As shown in FIG. 3, in the grinding process, the wafer 10 is set on the work table 16 with the back surface 10 </ b> C facing upward, and the back surface 10 </ b> C is ground by the grinding device 18. In this case, for example, as shown in FIG. 4A, the thickness M1 (M1 = 400 μm to 700 μm) of the 6-inch diameter wafer 10 is changed to the thickness M2 (M2 = M2 = as shown in FIG. 4B). 200 μm) or less.
（剥離テープ貼付工程）
図５及び図６に示すように、剥離テープ貼付工程では、図６に示す作業台１６にセットした半導体ウエハ１０の表面１０Ｂにおける保護テープ１４の上に、保護テープ１４を剥離するための剥離テープ２０を貼り付ける。
(Peeling tape application process)
As shown in FIGS. 5 and 6, in the peeling tape attaching step, the peeling tape for peeling the protective tape 14 on the protective tape 14 on the surface 10B of the semiconductor wafer 10 set on the work table 16 shown in FIG. 20 is pasted.
図５に示されるように、剥離テープ２０の幅Ｗ１は、ウエハ１０の直径Ｒ１よりも幅が狭くなっている。また、剥離テープ２０は、少なくともウエハ１０の外周１０Ａに形成された凸部１２の一部に重なる位置、好ましくは、完全に重なる（凸部１２を覆う）位置に貼り付ける。この際、ウエハ１０の外周１０Ａに形成された凸部１２が、剥離開始位置（剥離の起点）Ｐ１となるように剥離テープ２０を貼り付ける。 As shown in FIG. 5, the width W <b> 1 of the peeling tape 20 is narrower than the diameter R <b> 1 of the wafer 10. Further, the peeling tape 20 is affixed to a position that overlaps at least a part of the convex portion 12 formed on the outer periphery 10 </ b> A of the wafer 10, preferably a position that completely overlaps (covers the convex portion 12). At this time, the peeling tape 20 is affixed so that the convex portion 12 formed on the outer periphery 10A of the wafer 10 becomes the peeling start position (peeling start point) P1.
（剥離工程）
図７及び図８に示すように、剥離工程では、テープ巻取り装置４０によって、剥離テープ２０とともに保護テープ１４を巻取ることで、半導体ウエハ１０の表面１０Ｂから保護テープ１４を剥離する（除去する）。この時、ウエハ１０の外周１０Ａに形成された凸部１２を、剥離開始位置Ｐ１とする。なお、図８の矢印Ａは、剥離テープ２０の巻取り方向を示している。
(Peeling process)
As shown in FIGS. 7 and 8, in the peeling step, the protective tape 14 is peeled off (removed from) the surface 10 </ b> B of the semiconductor wafer 10 by winding the protective tape 14 together with the peeling tape 20 by the tape winding device 40. ). At this time, the convex portion 12 formed on the outer periphery 10A of the wafer 10 is set as a peeling start position P1. Note that an arrow A in FIG. 8 indicates a winding direction of the peeling tape 20.
この結果、剥離テープ２０を剥離してゆくことにより、この剥離テープ２０に貼付け支持されて一体となった保護テープ１４がウエハ１０の表面１０Ｂから剥離される。 As a result, by peeling off the peeling tape 20, the protective tape 14 that is attached to and supported by the peeling tape 20 is peeled off from the surface 10 </ b> B of the wafer 10.
この際、図８に示すように、ウエハ１０の外周１０Ａに形成された凸部１２が、剥離開始位置Ｐ１となり、この剥離開始位置Ｐ１においてウエハ１０の凸部１２と保護テープ１４との接着面積が小さくなる。このため、ウエハ１０が保護テープ１４にあまり引張られないで剥離する。 At this time, as shown in FIG. 8, the convex portion 12 formed on the outer periphery 10A of the wafer 10 becomes the peeling start position P1, and the adhesion area between the convex portion 12 of the wafer 10 and the protective tape 14 at the peeling start position P1. Becomes smaller. For this reason, the wafer 10 is peeled off without being pulled too much by the protective tape 14.
なお、保護テープ１４の剥離位置がある程度ウエハ１０の中心部に近づくと、ウエハ１０の外周１０Ａの近傍に比べて、ウエハ１０が保護テープ１４に引張られないで剥離するようになる。 When the peeling position of the protective tape 14 approaches the center of the wafer 10 to some extent, the wafer 10 peels without being pulled by the protective tape 14 as compared with the vicinity of the outer periphery 10A of the wafer 10.
また、図７に示すように、剥離テープ２０は、ウエハ１０のダイシング溝２２と、ウエハ１０から保護テープ１４が剥離される境目となる剥離ライン１４Ａとが一致しなし方向（ウエハ１０のオリエンテーションフラップＯＦの垂直二等分線Ｓ１に沿った方向及び、この垂直二等分線Ｓ１に直交する直線Ｓ２の方向と一致しなし方向）を剥離開始位置Ｐ１に設定することが好ましく。この剥離開始位置Ｐ１としては、例えばウエハ１０上に形成されたダイシング溝２２の角部２２Ａの外側に設定し、凸部１２を形成する。 Further, as shown in FIG. 7, the peeling tape 20 has a dicing groove 22 of the wafer 10 and a peeling line 14 </ b> A serving as a boundary where the protective tape 14 is peeled from the wafer 10 in a non-coordinate direction (orientation flap of the wafer 10). It is preferable to set the direction along the perpendicular bisector S1 of OF and the direction of the straight line S2 perpendicular to the perpendicular bisector S1 to the peeling start position P1. For example, the peeling start position P1 is set outside the corner portion 22A of the dicing groove 22 formed on the wafer 10, and the convex portion 12 is formed.
なお、上記ウエハ１０への保護テープ１４や剥離テープ２０の貼り付け作業や剥離作業は、既存の装置が使用可能である。 In addition, the existing apparatus can be used for the affixing work and the peeling work of the protective tape 14 and the peeling tape 20 on the wafer 10.
（作用・効果）
従って、本実施形態では、接着面積低減部形成工程において、ウエハ１０の外周１０Ａに形成した凸部１２の面積が、凸部１２を形成する前のウエハ１０の外周１０Ａの面積に比べて小さくなる。また、ウエハ１０の外周１０Ａに形成された凸部１２が、保護テープ１４を剥離する際の剥離開始位置Ｐ１となっている。
(Action / Effect)
Therefore, in the present embodiment, in the bonding area reducing portion forming step, the area of the convex portion 12 formed on the outer periphery 10A of the wafer 10 is smaller than the area of the outer periphery 10A of the wafer 10 before forming the convex portion 12. . Further, the convex portion 12 formed on the outer periphery 10 </ b> A of the wafer 10 is a peeling start position P <b> 1 when peeling the protective tape 14.
このため、剥離開始位置Ｐ１において、ウエハ１０の外周１０Ａに形成した凸部１２と保護テープ１４との接着面積が、凸部１２を形成する前のウエハ１０と保護テープ１４との接着面積に比べて小さくなり、保護テープ１４とウエハ１０との密着性を低くすることができる（接着力を小さくすることができる）。 For this reason, in the peeling start position P1, the adhesion area between the convex portion 12 formed on the outer periphery 10A of the wafer 10 and the protective tape 14 is larger than the adhesion area between the wafer 10 and the protective tape 14 before the convex portion 12 is formed. And the adhesion between the protective tape 14 and the wafer 10 can be lowered (adhesion can be reduced).
この結果、剥離テープ２０を剥離するときに、保護テープ１４がウエハ１０の表面１０Ｂ上から剥離し易くなる。このため、ウエハ１０に作用する力が低減されることで、ウエハ１０を破損させることなく、効率よく保護テープ１４を剥離することができる。 As a result, when the peeling tape 20 is peeled off, the protective tape 14 is easily peeled off from the surface 10B of the wafer 10. For this reason, since the force acting on the wafer 10 is reduced, the protective tape 14 can be efficiently peeled without damaging the wafer 10.
また、本実施形態では、ウエハ１０の外周１０Ａに凸部１２を設けるという、ウエハ（デバイス）１０側の対策によって、ウエハ１０を破損させることなく、効率よく保護テープ１４を剥離することができる。このため、既存の半導体ウエハの製造装置を使用でき、装置の性能向上対策は必要ない。 Further, in the present embodiment, the protective tape 14 can be efficiently peeled without damaging the wafer 10 by taking a measure on the wafer (device) 10 side of providing the convex portion 12 on the outer periphery 10 </ b> A of the wafer 10. For this reason, an existing semiconductor wafer manufacturing apparatus can be used, and no measures for improving the performance of the apparatus are required.
（第２実施形態）
次に、本発明の半導体ウエハの製造方法の第２実施形態を図９及び図１０に従って説明する。
なお、第１実施形態と同一部材に付いては、同一符号を付してその説明を省略する。
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the semiconductor wafer manufacturing method of the present invention will be described with reference to FIGS.
In addition, about the same member as 1st Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and the description is abbreviate | omitted.
（接着面積低減部形成工程）
図９に示されるように、本実施形態では、研削工程を行う前のウエハ１０の表面１０Ｂにおける外周１０Ａの近傍の一部を除去し接着面積低減部としての凹部（溝）３０を円弧状に形成する。なお、この凹部３０は、外周１０Ａから所定距離Ｌ１離れた位置（例えば、外周１０Ａから１ｍｍ以内の位置）に、所定の長さＫ１（例えば、１ｍｍ〜２０ｍｍ）で形成する。
(Adhesion area reduction part formation process)
As shown in FIG. 9, in this embodiment, a part of the surface 10 </ b> B of the wafer 10 before the grinding process is removed in the vicinity of the outer periphery 10 </ b> A so that the concave portion (groove) 30 as the adhesion area reducing portion is formed in an arc shape. Form. The recess 30 is formed with a predetermined length K1 (for example, 1 mm to 20 mm) at a position separated from the outer periphery 10A by a predetermined distance L1 (for example, a position within 1 mm from the outer periphery 10A).
図１０（Ａ）に示される如く、凹部３０の幅Ｖ１は１００μｍ程度とされており、凹部３０の深さＤ１は１０μｍ程度とされている。 As shown in FIG. 10A, the width V1 of the recess 30 is about 100 μm, and the depth D1 of the recess 30 is about 10 μm.
（保護テープ貼付工程）
保護テープ貼付工程では、第１実施形態と同様に、半導体ウエハ１０の表面１０Ｂの全域に保護テープ１４を貼付ける。
(Protective tape application process)
In the protective tape attaching step, the protective tape 14 is attached to the entire surface 10B of the semiconductor wafer 10 as in the first embodiment.
（研削工程）
研削工程では、第１実施形態と同様に、ウエハ１０を作業台に裏面１０Ｃを上方に向けてセットし、裏面１０Ｃを研削装置によって研削する。この場合、例えば、６インチ径のウエハ１０の厚さＭ１（Ｍ１＝４００〜７００μｍ）を、厚さＭ２（Ｍ２＝２００μｍ）以下に加工する。
(Grinding process)
In the grinding step, as in the first embodiment, the wafer 10 is set on the work table with the back surface 10C facing upward, and the back surface 10C is ground by a grinding device. In this case, for example, the thickness M1 (M1 = 400 to 700 μm) of the 6-inch diameter wafer 10 is processed to a thickness M2 (M2 = 200 μm) or less.
（剥離テープ貼付工程）
剥離テープ貼付工程では、第１実施形態と同様に、半導体ウエハ１０の表面１０Ｂにおける保護テープ１４の上に、保護テープ１４を剥離するための剥離テープ２０を貼り付ける。
(Peeling tape application process)
In the peeling tape sticking step, the peeling tape 20 for peeling the protective tape 14 is stuck on the protective tape 14 on the surface 10B of the semiconductor wafer 10 as in the first embodiment.
この際、図９に二点鎖線で示すように、剥離テープ２０の幅Ｗ１は、ウエハ１０の径Ｒ１よりも幅が狭くなっている。また、剥離テープ２０は、少なくともウエハ１０の外周１０Ａの近傍に形成された凹部３０の一部に重なる位置、好ましくは、完全に重なる（凸部１２を覆う）位置に貼り付ける。この際、ウエハ１０の外周１０Ａの近傍に形成された凹部３０が、剥離開始位置Ｐ１の近傍となるように貼り付ける。 At this time, as indicated by a two-dot chain line in FIG. 9, the width W <b> 1 of the peeling tape 20 is narrower than the diameter R <b> 1 of the wafer 10. Further, the peeling tape 20 is affixed to a position that overlaps at least a part of the recess 30 formed in the vicinity of the outer periphery 10 </ b> A of the wafer 10, preferably a position that completely overlaps (covers the protrusion 12). At this time, the recess 30 formed in the vicinity of the outer periphery 10A of the wafer 10 is attached so as to be in the vicinity of the peeling start position P1.
（剥離工程）
図１０（Ａ）に示すように、剥離工程では、第１実施形態と同様にテープ巻取り装置によって、剥離テープ２０とともに保護テープ１４を巻取ることで、半導体ウエハ１０の表面１０Ｂから保護テープ１４を剥離する（除去する）。この時、ウエハ１０の表面１０Ｂに形成された凹部３０の外側近傍が、剥離開始位置Ｐ１となるため、保護テープ１４の剥離位置が凹部３０に達しない剥離初期には、ウエハ１０が保護テープ１４に引張れる。
(Peeling process)
As shown in FIG. 10A, in the peeling process, the protective tape 14 is wound from the surface 10B of the semiconductor wafer 10 by winding the protective tape 14 together with the peeling tape 20 by the tape take-up device as in the first embodiment. Is removed (removed). At this time, since the vicinity of the outer side of the recess 30 formed on the surface 10B of the wafer 10 is the peeling start position P1, the wafer 10 is attached to the protective tape 14 at the initial stage of peeling when the peeling position of the protective tape 14 does not reach the recess 30. Pull on.
しかしながら、図１０（Ｂ）に示すように、保護テープ１４の剥離位置が凹部３０に達すると、凹部３０では、ウエハ１０が保護テープ１４に密着していないため、ウエハ１０が保護テープ１４に引張られない。 However, as shown in FIG. 10B, when the peeling position of the protective tape 14 reaches the recess 30, the wafer 10 is pulled to the protective tape 14 in the recess 30 because the wafer 10 is not in close contact with the protective tape 14. I can't.
なお、保護テープ１４の剥離位置がある程度ウエハ１０の中心部に近づくと、ウエハ１０の外周１０Ａの近傍に比べて、ウエハ１０が保護テープ１４に引張られないで剥離する。 When the peeling position of the protective tape 14 approaches the central portion of the wafer 10 to some extent, the wafer 10 peels without being pulled by the protective tape 14 as compared with the vicinity of the outer periphery 10 </ b> A of the wafer 10.
このため、剥離テープ２０を剥離してゆくことにより、この剥離テープ２０に貼付け支持されて一体となった保護テープ１４がウエハ１０の表面１０Ｂ上から剥離されてゆく。 For this reason, by peeling off the peeling tape 20, the protective tape 14 attached to and supported by the peeling tape 20 is peeled off from the surface 10 </ b> B of the wafer 10.
なお、第１実施形態と同様に、剥離テープ２０は、ウエハ１０のダイシング溝２２と、ウエハ１０から保護テープ１４が剥離される境目となる剥離ラインとが一致しなし方向を剥離開始位置Ｐ１に設定することが好ましく。この剥離開始位置Ｐ１としては、例えばウエハ１０上に形成されたダイシング溝２２の角部２２Ａの外側に設定し、凹部３０を形成する。 As in the first embodiment, the peeling tape 20 has the dicing groove 22 of the wafer 10 and the peeling line that becomes the boundary from which the protective tape 14 is peeled off from the wafer 10 so that the direction of the peeling tape 20 is the peeling start position P1. It is preferable to set. For example, the peeling start position P1 is set outside the corner 22A of the dicing groove 22 formed on the wafer 10, and the recess 30 is formed.
また、上記ウエハ１０への保護テープ１４や剥離テープ２０の貼り付け作業や剥離作業は、既存の装置が使用可能である。 In addition, an existing apparatus can be used for attaching and peeling the protective tape 14 and the peeling tape 20 to the wafer 10.
（作用・効果）
従って、本実施形態では、接着面積低減部形成工程において、ウエハ１０の表面１０Ｂにおける外周１０Ａの近傍に凹部３０を形成することで、凹部３０では、ウエハ１０の表面１０Ｂと保護テープ１４とが密着しない。また、ウエハ１０の表面１０Ｂに形成された凹部３０の近傍の外側が、保護テープ１４の剥離開始位置Ｐ１となっている。
(Action / Effect)
Therefore, in the present embodiment, in the bonding area reduction portion forming step, the recess 30 is formed in the vicinity of the outer periphery 10A on the surface 10B of the wafer 10, so that the surface 10B of the wafer 10 and the protective tape 14 are in close contact with each other in the recess 30. do not do. Further, the outer side in the vicinity of the recess 30 formed on the surface 10B of the wafer 10 is a peeling start position P1 of the protective tape 14.
このため、保護テープ１４の剥離開始位置Ｐ１の近傍において、ウエハ１０に形成した凹部３０と保護テープ１４との接着面積が、凹部３０を形成する前のウエハ１０の表面１０Ｂと保護テープ１４との接着面積に比べて小さくなり、保護テープ１４とウエハ１０との密着性を低くすることができる（接着力を小さくできる）。 For this reason, in the vicinity of the peeling start position P <b> 1 of the protective tape 14, the bonding area between the concave portion 30 formed on the wafer 10 and the protective tape 14 is such that the surface 10 </ b> B of the wafer 10 before the concave portion 30 is formed and the protective tape 14. Compared to the adhesion area, the adhesion between the protective tape 14 and the wafer 10 can be reduced (adhesion can be reduced).
この結果、剥離テープ２０を巻き取るときに、保護テープ１４がウエハ１０の表面１０Ｂ上から剥離し易くなり、ウエハ１０に作用する力が低減されることで、ウエハ１０を破損させることなく、効率よく保護テープ１４を剥離することができる。 As a result, when the peeling tape 20 is wound up, the protective tape 14 is easily peeled off from the surface 10B of the wafer 10, and the force acting on the wafer 10 is reduced, so that the wafer 10 is not damaged and the efficiency is improved. The protective tape 14 can be peeled off well.
また、本実施形態では、ウエハ１０の表面１０Ｂにおける外周１０Ａの近傍に凹部３０を設けるという、ウエハ（デバイス）１０側の対策によって、ウエハ１０を破損させることなく、効率よく保護テープ１４を剥離することができる。このため、既存の半導体ウエハの製造装置を使用でき、装置の性能向上対策は必要ない。 Further, in the present embodiment, the protective tape 14 is efficiently peeled without damaging the wafer 10 by taking a countermeasure on the wafer (device) 10 side in which the recess 30 is provided in the vicinity of the outer periphery 10A on the surface 10B of the wafer 10. be able to. For this reason, an existing semiconductor wafer manufacturing apparatus can be used, and no measures for improving the performance of the apparatus are required.
また、本実施形態では、ウエハ１０に凹部３０を設ける工程が、ウエハプロセスに影響しないため、ウエハプロセス完了後でなく、ウエハプロセス以前やウエハプロセスの途中に凹部３０を設けることも可能である。 In the present embodiment, the step of providing the recess 30 in the wafer 10 does not affect the wafer process. Therefore, it is possible to provide the recess 30 before or during the wafer process, not after the wafer process is completed.
（その他の実施形態）
以上に於いては、本発明を特定の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内にて他の種々の実施形態が可能であることは当業者にとって明らかである。例えば、図１１に示す第３実施形態では、第２実施形態の凹部３０を、ウエハ１０におけるオリエンテーションフラップＯＦを除く外周１０Ａの近傍の全域に形成している。
(Other embodiments)
In the above, the present invention has been described in detail for specific embodiments. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various other embodiments are possible within the scope of the present invention. It will be apparent to those skilled in the art. For example, in the third embodiment shown in FIG. 11, the recess 30 of the second embodiment is formed in the entire area of the wafer 10 in the vicinity of the outer periphery 10 </ b> A excluding the orientation flap OF.
また、図１２に示す第４実施形態のように、凹部３０を剥離テープの剥離方向と直交する方向等へ伸びる直線形状としてもよい。 Further, as in the fourth embodiment shown in FIG. 12, the recess 30 may have a linear shape extending in a direction orthogonal to the peeling direction of the peeling tape.
また、上記第１実施形態では、ウエハ１０におけるオリエンテーションフラップＯＦを除く周辺部を全域に渡って削ることで、接着面積低減部としての凸部１２を形成したが、凸部１２を形成する方法はこれに限定されず、ウエハ１０における周辺部の一部を削る方法や、ウエハ１０の外周１０Ａに凸部１２を追加する方法でもよい。 Moreover, in the said 1st Embodiment, although the peripheral part except the orientation flap OF in the wafer 10 was shaved over the whole area, the convex part 12 as an adhesion area reduction part was formed, The method of forming the convex part 12 is The method is not limited to this, and a method of cutting a part of the peripheral portion of the wafer 10 or a method of adding the convex portion 12 to the outer periphery 10 </ b> A of the wafer 10 may be used.
また、接着面積低減部としては、凸部１２、凹部３０以外に、図１３に示す第５実施形態のように、ウエハ１０の外周１０Ａの一部に形成した切欠４０でもよい。また、接着面積低減部としては、貫通孔やウエハ１０の表面１０Ｂに半導体ウエハ１０の表面１０Ｂと保護テープ１４との接着面積を低減させるためのシボ加工を施す等の他の構成としてもよい。 In addition to the convex portion 12 and the concave portion 30, the adhesion area reducing portion may be a notch 40 formed in a part of the outer periphery 10A of the wafer 10 as in the fifth embodiment shown in FIG. In addition, the adhesion area reducing unit may have other configurations such as a textured process for reducing the adhesion area between the surface 10B of the semiconductor wafer 10 and the protective tape 14 on the through hole or the surface 10B of the wafer 10.
１０ 半導体ウエハ
１０Ａ 半導体ウエハの外周
１０Ｂ 半導体ウエハの表面
１０Ｃ 半導体ウエハの裏面
１２ 半導体ウエハの凸部（接着面積低減部）
１４ 保護テープ
１４Ａ 保護テープの剥離ライン
２０ 剥離テープ
２２ ダイシング溝
３０ 半導体ウエハの凹部（接着面積低減部）
４０ 半導体ウエハの切欠（接着面積低減部）
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Semiconductor wafer 10A The outer periphery of a semiconductor wafer 10B The surface of a semiconductor wafer 10C The back surface of a semiconductor wafer 12 The convex part (adhesion area reduction part) of a semiconductor wafer
DESCRIPTION OF SYMBOLS 14 Protective tape 14A Peeling line of protective tape 20 Peeling tape 22 Dicing groove 30 Recessed part of semiconductor wafer (bonding area reduction part)
40 Notch of semiconductor wafer (adhesion area reduction part)
Claims (8)
前記半導体ウエハの表面に保護テープを貼付ける保護テープ貼付工程と、
前記半導体ウエハの裏面を研削する研削工程と、
前記半導体ウエハの表面における前記保護テープ上の前記接着面積低減部と重なる位置に、前記接着面積低減部が前記剥離開始位置または前記剥離開始位置の近傍となるように剥離テープを貼付ける剥離テープ貼付工程と、
前記剥離テープを前記接着面積低減部が前記剥離開始位置または前記剥離開始位置の近傍となるように、前記保護テープとともに前記半導体ウエハの表面から剥離する剥離工程と、
を有する半導体ウエハの製造方法。 An adhesion area reducing portion for reducing the adhesion area with the protective tape that adheres to the surface is formed at a part of the semiconductor wafer that is at or near the peeling start position of the peeling tape for peeling the protective tape. A bonding area reduction part forming step,
A protective tape attaching step of attaching a protective tape to the surface of the semiconductor wafer;
A grinding step of grinding the back surface of the semiconductor wafer;
Applying a release tape on the surface of the semiconductor wafer to attach the release tape so that the adhesion area reduction portion is located near the release start position or the release start position at a position overlapping the adhesion area reduction portion on the protective tape. Process,
A peeling step of peeling the peeling tape from the surface of the semiconductor wafer together with the protective tape so that the adhesion area reducing portion is in the vicinity of the peeling start position or the peeling start position;
The manufacturing method of the semiconductor wafer which has this.
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