JP2012099698A - 光半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 活性層が量子ドットと前記量子ドットを上下方向で挟む面内全領域に形成される第1の半導体層及び第2の半導体層と、前記量子ドットの周囲に設けられた第3の半導体層とからなる量子ドット構造体を有し、前記量子ドット構造体を構成する第1の半導体層は、前記量子ドットと接する側と反対の面で第4の半導体層と接するとともに、前記量子ドット構造体を構成する第2の半導体層は、前記量子ドットと接する側と反対の面で第5の半導体層と接し、前記第1の半導体層及び第2の半導体層の禁制帯幅は、量子ドットの禁制帯幅と同じか或いは大きく、前記第3の半導体層の禁制帯幅は、前記量子ドット、前記第1の半導体層及び第2の半導体層の禁制帯幅より大きく、前記、第4の半導体層及び前記第5の半導体層の禁制帯幅は、前記第1の半導体層及び第2の半導体層の禁制帯幅より大きくする。
【選択図】 図1
Description
2 一導電型クラッド層
3 第4の半導体層
4 第6の半導体層
5 逆導電型クラッド層
6 逆導電型コンタクト層
10 量子ドット活性層
11 量子ドット層
12 第1の半導体層
13 量子ドット
14 第3の半導体層
15 第2の半導体層
16 第5の半導体層
17 キャリア
21 n型GaAs基板
22 n型Al0.4Ga0.6Asクラッド層
23 i型GaAs光閉じ込め層
24 ウェッティング層
25 InAs量子ドット
26 GaAsキャップ層
27 InAs薄膜層
28 i型GaAs障壁層
29 量子ドット活性層
30 i型GaAs光閉じ込め層
31 p型Al0.4Ga0.6Asクラッド層
32 p+型GaAsコンタクト層
33 リッジ
34,39 保護膜
35,40 低誘電率埋込層
36 p側電極
37 n側電極
38 ハイメサ構造
51 n型GaAs基板
52 n型AlGaAsクラッド層
53 GaAs光閉じ込め層
54 量子ドット活性層
55 量子ドット層
56 InAsウェッティング層
57 InAs量子ドット
58 キャップ層
59 GaAs障壁層
60 GaAs光閉じ込め層
61 p型AlGaAsクラッド層
62 p型GaAsコンタクト層
63 電子
64 正孔
Claims (6)
- 活性層が量子ドットと前記量子ドットを上下方向で挟む面内全領域に形成される第1の半導体層及び第2の半導体層と、前記量子ドットの周囲に設けられた第3の半導体層とからなる量子ドット構造体を有し、
前記量子ドット構造体を構成する第1の半導体層は、前記量子ドットと接する側と反対の面で第4の半導体層と接するとともに、前記量子ドット構造体を構成する第2の半導体層は、前記量子ドットと接する側と反対の面で第5の半導体層と接し、
前記第1の半導体層及び第2の半導体層の禁制帯幅は、前記量子ドットの禁制帯幅と同じか或いは大きく、
前記第3の半導体層の禁制帯幅は、前記量子ドット、前記第1の半導体層及び第2の半導体層の禁制帯幅より大きく、
前記第4の半導体層及び前記第5の半導体層の禁制帯幅は、前記第1の半導体層及び第2の半導体層の禁制帯幅より大きい
ことを特徴とする光半導体素子。 - 前記量子ドット、前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層が、InxGa1−xAs(0<x≦1)からなることを特徴とする請求項1に記載の光半導体素子。
- 前記量子ドット内に形成される量子準位が、基底準位のみであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の光半導体素子。
- 前記第1の半導体層及び第2の半導体層が、一次元閉じ込め量子井戸層を形成することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の光半導体素子。
- 第4の半導体層上に自己組織化成長技術により第1の半導体層及び量子ドットを形成する工程と、
前記第1の半導体層上及び前記量子ドットの周囲に前記量子ドットを完全に埋め込まないように前記第1の半導体層及び前記量子ドットより禁制帯幅の大きな第3の半導体層を形成する工程と、
前記第3の半導体層及び前記量子ドットを覆うように前記第3の半導体層より禁制帯幅の小さな第2の半導体層を形成する工程と、
前記第2の半導体層上に、第5の半導体層を形成する工程と
を少なくとも有することを特徴とする光半導体素子の製造方法。 - 前記第2の半導体層の形成工程が、前記第3の半導体層から露出する前記量子ドットの突出部を真空中で前記量子ドットの形成温度より高温で熱処理することによって、前記量子ドットの突出部を面内拡散する工程であることを特徴とする請求項5に記載の光半導体素子の製造方法。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10289996A (ja) * | 1997-04-15 | 1998-10-27 | Fujitsu Ltd | 半導体量子ドット及びその製造方法 |
JP2000012961A (ja) * | 1998-06-23 | 2000-01-14 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ |
JP2005109020A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体基板 |
JP2007042840A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-15 | Fujitsu Ltd | 量子ドット光半導体素子の製造方法 |
JP2007318165A (ja) * | 2000-10-06 | 2007-12-06 | Stc Unm | 量子ドットレーザ |
JP2008047684A (ja) * | 2006-08-15 | 2008-02-28 | Fujitsu Ltd | 半導体発光素子、その製造方法および半導体発光装置 |
JP2010509772A (ja) * | 2006-11-13 | 2010-03-25 | ザ トラスティーズ オブ プリンストン ユニヴァシティ | エネルギー囲み障壁に埋設された量子ドットを有する中間バンド感光性デバイス |
-
2010
- 2010-11-04 JP JP2010247201A patent/JP5672983B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10289996A (ja) * | 1997-04-15 | 1998-10-27 | Fujitsu Ltd | 半導体量子ドット及びその製造方法 |
JP2000012961A (ja) * | 1998-06-23 | 2000-01-14 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ |
JP2007318165A (ja) * | 2000-10-06 | 2007-12-06 | Stc Unm | 量子ドットレーザ |
JP2005109020A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体基板 |
JP2007042840A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-15 | Fujitsu Ltd | 量子ドット光半導体素子の製造方法 |
JP2008047684A (ja) * | 2006-08-15 | 2008-02-28 | Fujitsu Ltd | 半導体発光素子、その製造方法および半導体発光装置 |
JP2010509772A (ja) * | 2006-11-13 | 2010-03-25 | ザ トラスティーズ オブ プリンストン ユニヴァシティ | エネルギー囲み障壁に埋設された量子ドットを有する中間バンド感光性デバイス |
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