JP2012079526A - Conductive connection sheet, method of connecting terminals, method of forming connection terminal and electronic apparatus - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a conductive connection sheet which aggregates a metallic material selectively between terminals without leaving the metallic material in a resin component and can connect these terminals electrically, and to provide a method of connecting terminals by using such a conductive connection sheet, and a method of forming a connection terminal, and a highly reliable electronic apparatus.SOLUTION: The conductive connection sheet 1 consists of a laminate including resin composition layers 11, 13, a first metal layer 121 composed of a first metallic material having a low melting point, and a second metal layer 122 composed of a second metallic material having a melting point lower than that of the first metallic material. When it is arranged on a semiconductor chip (substrate) having terminals 21, it consists of first parts 15 to be arranged on the terminals 21, and second parts 16 other than the first parts 15, and the first metal layer 121 is provided selectively corresponding to the first parts 15.

Description

本発明は、導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法および電子機器に関する。   The present invention relates to a conductive connection sheet, a method for connecting terminals, a method for forming connection terminals, and an electronic device.

近年、電子機器の高機能化および小型化の要求に伴い、電子材料における接続端子間の狭ピッチ化がますます進む方向にあり、微細な配線回路における端子間接続も高度化している。   In recent years, along with the demand for higher functionality and miniaturization of electronic equipment, the pitch between connection terminals in electronic materials is becoming increasingly narrow, and the connection between terminals in a fine wiring circuit is also becoming more sophisticated.

端子間接続方法としては、例えば、ＩＣチップ等の電子部品を回路基板（搭載基板）に電気的に接続する際に異方性導電接着剤または異方性導電フィルムを用いて多数の端子間を一括で接続するフリップチップ接続技術が知られている。このような異方性導電接着剤または異方性導電フィルムは、熱硬化性樹脂を主成分とする接着剤に導電性粒子を分散させたフィルムまたはペーストであり、これを接続すべき電子部材の間に配置して熱圧着することにより、対向する多数の端子間を一括で接続することができる一方、接着剤中の樹脂によって隣接する端子間の絶縁性を確保することが可能となる。   As an inter-terminal connection method, for example, when an electronic component such as an IC chip is electrically connected to a circuit board (mounting board), a large number of terminals are connected using an anisotropic conductive adhesive or an anisotropic conductive film. Flip chip connection technology for connecting in a lump is known. Such an anisotropic conductive adhesive or anisotropic conductive film is a film or paste in which conductive particles are dispersed in an adhesive mainly composed of a thermosetting resin, and the electronic member to be connected thereto By disposing them in between and thermocompression bonding, a large number of opposing terminals can be connected together, while insulation between adjacent terminals can be ensured by the resin in the adhesive.

しかし、異方性導電接着剤または異方性導電フィルムにおいて、導電性粒子の凝集を制御することは困難であり、導電性粒子と端子、または導電性粒子同士が十分に接触せずに対向する端子間の一部が導通しなかったり、対向する端子間（導通性領域）以外の樹脂（絶縁性領域）中に導電性粒子が残存して隣接する端子間の絶縁性が十分に確保されないという問題があった。このため、端子間のさらなる狭ピッチ化に対応することが困難な状況であった。   However, in the anisotropic conductive adhesive or anisotropic conductive film, it is difficult to control the aggregation of the conductive particles, and the conductive particles and the terminals or the conductive particles face each other without sufficiently contacting each other. Some of the terminals do not conduct, or conductive particles remain in the resin (insulating region) other than between the opposing terminals (conducting region), and insulation between adjacent terminals is not sufficiently secured. There was a problem. For this reason, it was difficult to cope with further narrowing of the pitch between terminals.

他方、電子部材に接続端子を製造する場合、従来は金属パッドが設けられた基板上に半田ペーストを印刷し、半田リフロー装置等を用いて半田ペーストを加熱溶融させて行っていた。しかし、この方法では、接続端子が狭ピッチである場合、半田ペーストを印刷する時に使用するマスクのコストが高くなり、また接続端子が小さいと印刷できない場合があった。   On the other hand, when manufacturing a connection terminal on an electronic member, conventionally, a solder paste is printed on a substrate provided with a metal pad, and the solder paste is heated and melted using a solder reflow apparatus or the like. However, in this method, when the connection terminals have a narrow pitch, the cost of the mask used when printing the solder paste increases, and if the connection terminals are small, printing may not be possible.

また、半田ボールを接続端子に搭載し、半田リフロー装置等を用いて半田ボールを加熱溶融させて行う方法では、接続端子が小さいと、半田ボールの作製コストが高くなり、また、小径の半田ボールを作製することが技術的に困難な場合があった。   Also, in the method in which solder balls are mounted on the connection terminals and the solder balls are heated and melted using a solder reflow device or the like, if the connection terminals are small, the manufacturing cost of the solder balls increases, and the solder balls having a small diameter In some cases, it was technically difficult to fabricate.

特開昭６１−２７６８７３号公報JP-A 61-276873 特開２００４−２６０１３１号公報JP 2004-260131 A

かかる問題点を解決することを目的に、樹脂成分を含有する樹脂組成物層と、低融点の金属材料で構成される金属層とを備える積層体により構成される導電接続シートが検討されている。   In order to solve such problems, a conductive connection sheet composed of a laminate including a resin composition layer containing a resin component and a metal layer composed of a low melting point metal material has been studied. .

かかる構成の導電接続シートを、対向する端子間に配置した状態で、低融点の金属材料を融点以上の温度で加熱すると、溶融した金属材料が選択的に、対向する端子同士間に凝集し、さらに、この端子間を除く領域には樹脂成分が充填されることから、対向する多数の端子同士を一括して選択的に凝集した金属材料で接続することができ、さらに、樹脂組成物中に含まれる樹脂成分により隣接する端子間の絶縁性が確保することができるようになる。   In a state where the conductive connection sheet having such a configuration is arranged between the terminals facing each other, when the metal material having a low melting point is heated at a temperature equal to or higher than the melting point, the molten metal material is selectively aggregated between the terminals facing each other, Furthermore, since the resin component is filled in the region excluding the space between the terminals, a large number of terminals facing each other can be connected together by a metal material that has been selectively agglomerated, and further, in the resin composition The resin component contained makes it possible to ensure insulation between adjacent terminals.

しかしながら、隣接する端子間におけるピッチの大きさ等によっては、溶融した金属材料を対向する端子同士間に選択的に凝集させることができず、対向する端子同士が位置する領域以外の領域において、樹脂成分中に金属材料が残存し、これに起因して、隣接する端子間における絶縁性が十分に確保できないという問題が生じる。   However, depending on the size of the pitch between adjacent terminals, the molten metal material cannot be selectively agglomerated between the opposing terminals, and in a region other than the region where the opposing terminals are located, the resin A metal material remains in the component, and this causes a problem that insulation between adjacent terminals cannot be sufficiently secured.

そこで、本発明の目的は、樹脂成分中に金属材料を残存させることなく、端子同士間に選択的に金属材料を凝集させて、これら端子同士を電気的に接続することができる導電接続シート、かかる導電接続シートを用いた端子間の接続方法、接続端子の形成方法、および、信頼性の高い電子機器を提供することにある。   Therefore, the purpose of the present invention is to selectively agglomerate the metal material between the terminals without leaving the metal material in the resin component, and to electrically connect these terminals. An object of the present invention is to provide a connection method between terminals using such a conductive connection sheet, a method of forming a connection terminal, and a highly reliable electronic device.

このような目的は、下記（１）〜（１５）に記載の本発明により達成される。
（１） 樹脂成分を含有する樹脂組成物層と、低融点の第１の金属材料で構成される第１の金属層と、前記第１の金属材料より低融点の第２の金属材料で構成される第２の金属層とを備える積層体により構成される導電接続シートであって、
当該導電接続シートを、端子を有する基材上に配置する際に、前記端子上に配置されるべき第１の部分と、この第１の部分以外の第２の部分とからなり、
前記第１の金属層は、前記第１の部分に対応して選択的に設けられていることを特徴とする導電接続シート。 Such an object is achieved by the present invention described in the following (1) to (15).
(1) A resin composition layer containing a resin component, a first metal layer composed of a first metal material having a low melting point, and a second metal material having a melting point lower than that of the first metal material. A conductive connection sheet composed of a laminate including the second metal layer,
When arranging the conductive connection sheet on a substrate having terminals, the conductive connection sheet comprises a first part to be arranged on the terminal and a second part other than the first part,
The conductive connection sheet, wherein the first metal layer is selectively provided corresponding to the first portion.

（２） 前記第１の金属層の融点と前記第２の金属層の融点との差は、２０℃以上である上記（１）に記載の導電接続シート。   (2) The conductive connection sheet according to (1), wherein the difference between the melting point of the first metal layer and the melting point of the second metal layer is 20 ° C. or higher.

（３） 前記第２の金属層は、前記第１の部分および前記第２の部分の双方に、ほぼ均一な厚さで設けられている上記（１）または（２）に記載の導電接続シート。   (3) The conductive connection sheet according to (1) or (2), wherein the second metal layer is provided with a substantially uniform thickness on both the first portion and the second portion. .

（４） 前記第２の金属層は、前記第２の部分において、部分的に設けられている上記（３）に記載の導電接続シート。   (4) The conductive connection sheet according to (3), wherein the second metal layer is partially provided in the second portion.

（５） 前記第１の金属層と前記第２の金属層とは、互いに接触して積層されている上記（３）または（４）に記載の導電接続シート。   (5) The conductive connection sheet according to (3) or (4), wherein the first metal layer and the second metal layer are laminated in contact with each other.

（６） 前記第２の金属層は、前記第２の部分に対応して、選択的に設けられている上記（１）または（２）に記載の導電接続シート。   (6) The conductive connection sheet according to (1) or (2), wherein the second metal layer is selectively provided corresponding to the second portion.

（７） 前記第１の金属層と前記第２の金属層とで、１つの層が構成される上記（６）に記載の導電接続シート。   (7) The conductive connection sheet according to (6), wherein the first metal layer and the second metal layer constitute one layer.

（８） 前記基材と対向配置される対向基材を接着し、かつ、前記基材が有する端子と、前記対向配置される対向基材が有する端子とを電気的に接続するものである上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の導電接続シート。   (8) The above, wherein the opposing substrate disposed opposite to the substrate is bonded, and the terminal included in the substrate is electrically connected to the terminal included in the opposing substrate disposed oppositely. The conductive connection sheet according to any one of (1) to (7).

（９） 前記第１の金属層および第２の金属層は、それぞれ、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）および銅（Ｃｕ）からなる群から選択される少なくとも２種以上の金属の合金または錫の単体である上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の導電接続シート。   (9) The first metal layer and the second metal layer are tin (Sn), lead (Pb), silver (Ag), bismuth (Bi), indium (In), zinc (Zn), nickel, respectively. (Ni), antimony (Sb), iron (Fe), aluminum (Al), gold (Au), germanium (Ge) and an alloy or tin of at least two metals selected from the group consisting of copper (Cu) The conductive connection sheet according to any one of (1) to (8), wherein the conductive connection sheet is a simple substance.

（１０） 前記第１の金属層および第２の金属層は、それぞれ、Ｓｎ−Ｐｂ合金、Ｓｎ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金またはＳｎ−Ａｇ合金を主材料として構成される上記（９）に記載の導電接続シート。   (10) The first metal layer and the second metal layer are each composed of a Sn—Pb alloy, a Sn—Bi alloy, a Sn—Ag—Cu alloy, or a Sn—Ag alloy as a main material. ) Conductive connection sheet.

（１１） 前記積層体において、前記樹脂組成物層は、第１の樹脂組成物層および第２の樹脂組成物層とで構成され、前記積層体は、前記第１の樹脂組成物層、前記第１の金属層、前記第２の金属層および前記第２の樹脂組成物層がこの順で積層されたもので構成される上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の導電接続シート。   (11) In the laminate, the resin composition layer includes a first resin composition layer and a second resin composition layer, and the laminate includes the first resin composition layer, The conductive connection sheet according to any one of (1) to (10), wherein the first metal layer, the second metal layer, and the second resin composition layer are laminated in this order. .

（１２） 上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載の導電接続シートを、前記基材が有する端子と、対向基材が有する端子同士の間に配置する配置工程と、前記第１の金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物層が変形可能な温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程と、前記樹脂組成物を硬化または固化させる硬化・固化工程とを有することを特徴とする端子間の接続方法。   (12) An arrangement step in which the conductive connection sheet according to any one of (1) to (11) is disposed between the terminals of the base material and the terminals of the counter base material, and the first A heating step of heating the conductive connection sheet at a temperature that is equal to or higher than a melting point of the metal material and the resin composition layer is deformable; and a curing / solidification step of curing or solidifying the resin composition. The connection method between the terminals characterized.

（１３） 上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載の導電接続シートを、前記基材上に配置する配置工程と、前記第１の金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物層が変形可能な温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程とを有することを特徴とする接続端子の形成方法。   (13) An arrangement step of arranging the conductive connection sheet according to any one of (1) to (11) on the base material, a melting point of the first metal material or more, and the resin composition And a heating step of heating the conductive connection sheet at a temperature at which the physical layer can be deformed.

（１４） 前記基材が有する端子と、対向基材が有する端子とが、上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載の導電接続シートを用いて形成された接続部を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。   (14) The terminal of the base material and the terminal of the counter base material are electrically connected via a connection portion formed using the conductive connection sheet according to any one of (1) to (11). A semiconductor device characterized by being connected to the semiconductor device.

（１５） 前記基材が有する端子と、対向基材が有する端子とが、上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載の導電接続シートを用いて形成された接続部を介して電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。   (15) The terminal of the base material and the terminal of the counter base material are electrically connected via a connection portion formed using the conductive connection sheet according to any one of (1) to (11). An electronic device characterized by being connected to

本発明の導電接続シートを用いて、端子同士間を電気的に接続する接続部の形成に適用すると、端子同士の間に位置する第１の部分に十分量の金属材料を供給することができるとともに、第１の部分以外の第２の部分に余分な金属材料が供給されるのを防止することができる。そのため、加熱溶融した金属材料を選択的に第１の部分すなわち端子同士の間に凝集させて接続部を形成し、その周囲に樹脂成分により構成される封止層を形成する際に、封止層中に金属材料が残存するのを的確に抑制または防止することができる。その結果、封止層により隣接する端子間の絶縁性が確保されるので、隣接する端子同士の間でリーク電流が生じるのを確実に防止することができる。   When the conductive connection sheet of the present invention is used to form a connection portion that electrically connects terminals, a sufficient amount of metal material can be supplied to the first portion located between the terminals. At the same time, it is possible to prevent excess metal material from being supplied to the second part other than the first part. Therefore, the metal material that has been heated and melted is selectively agglomerated between the first portions, that is, between the terminals to form a connection portion, and when a sealing layer composed of a resin component is formed around it, sealing is performed. It is possible to accurately suppress or prevent the metal material from remaining in the layer. As a result, insulation between adjacent terminals is ensured by the sealing layer, so that it is possible to reliably prevent a leak current from occurring between adjacent terminals.

さらに、導電接続シートを用いて、電極上に対応して設けられた接続端子の形成に適用すると、加熱溶融した金属材料を、電極が位置する第１の部分に選択的に凝集させて接続端子を形成し、第１の部分以外の第２の部分の周囲に樹脂成分により構成される補強層を形成する際に、補強層中に金属材料が残存するのを的確に抑制または防止することができる。その結果、補強層により隣接する接続端子間の絶縁性が確保されるので、隣接する接続端子同士の間でリーク電流が生じるのを確実に防止することができる。   Furthermore, when applied to the formation of a connection terminal provided on the electrode by using a conductive connection sheet, the metal material heated and melted is selectively agglomerated in the first portion where the electrode is located to connect the connection terminal. Forming a reinforcing layer composed of a resin component around the second part other than the first part, it is possible to accurately suppress or prevent the metal material from remaining in the reinforcing layer. it can. As a result, insulation between adjacent connection terminals is ensured by the reinforcing layer, so that leakage current can be reliably prevented from occurring between adjacent connection terminals.

本発明の導電接続シートを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。It is a longitudinal section showing an example of a semiconductor device manufactured using the conductive connection sheet of the present invention. 本発明の導電接続シートの第１の構成を示す縦断面図である。It is a longitudinal section showing the 1st composition of the conductive connection sheet of the present invention. 本発明の端子間の接続方法を用いて、半導体装置が備える接続部および封止層を製造する方法を説明するための縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the method to manufacture the connection part and sealing layer with which a semiconductor device is provided using the connection method between the terminals of this invention. 本発明の接続端子の形成方法を用いて、半導体チップが備える端子に対応して接続端子を形成する方法を説明するための縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the method of forming a connection terminal corresponding to the terminal with which a semiconductor chip is provided using the formation method of the connection terminal of this invention. 本発明の導電接続シートの第２の構成を示す縦断面図である。It is a longitudinal section showing the 2nd composition of the conductive connection sheet of the present invention. 本発明の導電接続シートの第２の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the 2nd structure of the electrically conductive connection sheet | seat of this invention. 本発明の導電接続シートの第３の構成を示す縦断面図である。It is a longitudinal section showing the 3rd composition of the conductive connection sheet of the present invention. 本発明の導電接続シートの他の構成を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the other structure of the electrically conductive connection sheet | seat of this invention. 導電接続シートが備える金属層の全体形状を示す平面図である。It is a top view which shows the whole metal layer shape with which an electroconductive connection sheet is provided.

以下、本発明の導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法および電子機器を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。   Hereinafter, a conductive connection sheet, a connection method between terminals, a connection terminal formation method, and an electronic device according to the present invention will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.

まず、本発明の導電接続シートを説明するのに先立って、本発明の導電接続シートを用いて製造された半導体装置について説明する。   First, prior to describing the conductive connection sheet of the present invention, a semiconductor device manufactured using the conductive connection sheet of the present invention will be described.

＜半導体装置＞
図１は、本発明の導電接続シートを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 <Semiconductor device>
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an example of a semiconductor device manufactured using the conductive connection sheet of the present invention. In the following description, the upper side in FIG. 1 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

図１に示す半導体装置１０は、半導体チップ（半導体素子）２０と、半導体チップ２０を支持するインターポーザー（基板）３０と、複数の導電性を有するバンプ（端子）７０とを有している。   A semiconductor device 10 shown in FIG. 1 includes a semiconductor chip (semiconductor element) 20, an interposer (substrate) 30 that supports the semiconductor chip 20, and a plurality of conductive bumps (terminals) 70.

インターポーザー３０は、絶縁基板であり、例えばポリイミド・エポキシ・シアネート・ビスマレイミドトリアジン（ＢＴレジン）等の各種樹脂材料で構成されている。このインターポーザー３０の平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。   The interposer 30 is an insulating substrate and is made of various resin materials such as polyimide, epoxy, cyanate, bismaleimide triazine (BT resin). The plan view shape of the interposer 30 is usually a square such as a square or a rectangle.

さらに、インターポーザー３０の上面（一方の面）には、例えば、銅等の導電性金属材料で構成される端子４１が、所定形状で設けられている。   Further, a terminal 41 made of a conductive metal material such as copper is provided in a predetermined shape on the upper surface (one surface) of the interposer 30.

また、インターポーザー３０には、その厚さ方向に貫通して、図示しない複数のビア（スルーホール：貫通孔）が形成されている。   The interposer 30 is formed with a plurality of vias (through holes: through holes) (not shown) penetrating in the thickness direction.

各バンプ７０は、それぞれ、各ビアを介して、一端（上端）が端子４１の一部に電気的に接続され、他端（下端）は、インターポーザー３０の下面（他方の面）から突出している。   Each bump 70 has one end (upper end) electrically connected to a part of the terminal 41 via each via, and the other end (lower end) protruding from the lower surface (the other surface) of the interposer 30. Yes.

バンプ７０のインターポーザー３０から突出する部分は、ほぼ球形状（Ｂａｌｌ状）をなしている。   A portion of the bump 70 protruding from the interposer 30 has a substantially spherical shape (Ball shape).

このバンプ７０は、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材を主材料として構成されている。   The bumps 70 are mainly composed of a brazing material such as solder, silver brazing, copper brazing, or phosphor copper brazing.

また、インターポーザー３０上には、複数（本実施形態では３つ）の端子４１が形成されている。この端子４１に、接続部８１を介して、半導体チップ２０が有する複数（本実施形態では３つ）の端子２１が電気的に接続されている。   A plurality (three in this embodiment) of terminals 41 are formed on the interposer 30. A plurality (three in this embodiment) of terminals 21 included in the semiconductor chip 20 are electrically connected to the terminals 41 via connection portions 81.

なお、本実施形態では、図１に示すように、端子２１は、半導体チップ２０に形成されている面側から突出する構成をなしており、端子４１も、インターポーザー３０から突出する構成をなしている。   In the present embodiment, as shown in FIG. 1, the terminal 21 is configured to protrude from the surface side formed on the semiconductor chip 20, and the terminal 41 is also configured to protrude from the interposer 30. ing.

また、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間の間隙には、各種樹脂材料で構成される封止材が充填され、この封止材の硬化物により、封止層８０が形成されている。この封止層８０は、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との接合強度を向上させる機能や、前記間隙への異物や水分等の浸入を防止する機能を有している。   Further, a gap between the semiconductor chip 20 and the interposer 30 is filled with a sealing material made of various resin materials, and a sealing layer 80 is formed by a cured product of this sealing material. . The sealing layer 80 has a function of improving the bonding strength between the semiconductor chip 20 and the interposer 30 and a function of preventing entry of foreign matter, moisture, and the like into the gap.

かかる構成の半導体装置１０において、接続部８１と封止層８０との形成に、本発明の導電接続シートが適用される。   In the semiconductor device 10 having such a configuration, the conductive connection sheet of the present invention is applied to the formation of the connection portion 81 and the sealing layer 80.

すなわち、本発明の導電接続シートは、半導体チップ（基材）２０と、対向配置されるインターポーザー（対向基材）３０とを接着し、かつ、端子２１と端子４１とを電気的に接続するために用いられる。   That is, the conductive connection sheet of the present invention adheres the semiconductor chip (base material) 20 and the interposer (opposite base material) 30 disposed to face each other, and electrically connects the terminal 21 and the terminal 41. Used for.

以下、本発明の導電接続シートについて説明する。
本発明の導電接続シートは、樹脂成分を含有する樹脂組成物層と、低融点の第１の金属材料で構成される第１の金属層と、前記第１の金属材料より低融点の第２の金属材料で構成される第２の金属層とを備える積層体により構成されるものであり、このものを、端子を有する基材上に配置する際に、前記端子上に配置されるべき第１の部分と、この第１の部分以外の第２の部分とからなり、第１の金属層は、第１の部分に対応して選択的に設けられていることを特徴とする。 Hereinafter, the conductive connection sheet of the present invention will be described.
The conductive connection sheet of the present invention includes a resin composition layer containing a resin component, a first metal layer composed of a low melting point first metal material, and a second melting point lower than that of the first metal material. And a second metal layer composed of a second metal layer, and when this is disposed on a base material having a terminal, the second metal layer is disposed on the terminal. 1 part and 2nd parts other than this 1st part, The 1st metal layer is selectively provided corresponding to the 1st part, It is characterized by the above-mentioned.

このような導電接続シートを用いて、端子同士間を電気的に接続する接続部の形成に適用すると、対向する端子同士が位置する第１の部分に十分量の金属材料を供給することができるとともに、この第１の部分以外の第２の部分に余分な金属材料が供給されるのを防止することができる。そのため、加熱溶融した金属材料を第１の部分に位置する端子同士の間に選択的に凝集させて接続部を形成し、その周囲である第２の部分に樹脂成分により構成される封止層を形成する際に、封止層中に金属材料が残存するのを的確に抑制または防止することができる。その結果、第２の部分に位置する封止層により、隣接する端子間の絶縁性が確保されるので、隣接する端子同士の間でリーク電流が生じるのを確実に防止することができる。   When such a conductive connection sheet is used to form a connection portion that electrically connects terminals, a sufficient amount of metal material can be supplied to the first portion where the opposing terminals are located. At the same time, it is possible to prevent extra metal material from being supplied to the second part other than the first part. Therefore, the sealing material is formed of a resin component in the second portion that is the periphery of the metal material that has been heated and melted by selectively aggregating between the terminals located in the first portion to form a connection portion. It is possible to accurately suppress or prevent the metal material from remaining in the sealing layer. As a result, since the insulation between adjacent terminals is ensured by the sealing layer located in the second portion, it is possible to reliably prevent leakage current from occurring between adjacent terminals.

さらに、導電接続シートを用いて、端子上に対応して設けられた接続端子の形成に適用すると、端子が位置する第１の部分に十分量の金属材料を供給することができるとともに、この第１の部分以外の第２の部分に余分な金属材料が供給されるのを防止することができる。そのため加熱溶融した金属材料を第１の部分に位置する端子上に選択的に凝集させて接続端子を形成し、その周囲である第２の部分に樹脂成分により構成される補強層を形成する際に、補強層中に金属材料が残存するのを的確に抑制または防止することができる。その結果、第２の部分に位置する補強層により隣接する接続端子間の絶縁性が確保されるので、隣接する接続端子同士の間でリーク電流が生じるのを確実に防止することができる。   Furthermore, when the conductive connection sheet is used to form connection terminals provided corresponding to the terminals, a sufficient amount of metal material can be supplied to the first portion where the terminals are located. It is possible to prevent extra metal material from being supplied to the second portion other than the first portion. Therefore, when the heat-melted metal material is selectively agglomerated on the terminal located in the first part to form the connection terminal, and the reinforcing layer composed of the resin component is formed in the second part around it. In addition, it is possible to accurately suppress or prevent the metal material from remaining in the reinforcing layer. As a result, the insulation between the adjacent connection terminals is ensured by the reinforcing layer positioned in the second portion, so that it is possible to reliably prevent a leak current from occurring between the adjacent connection terminals.

＜導電接続シート（第１の構成）＞
まず、本発明の導電接続シートの第１の構成について説明する。 <Conductive connection sheet (first configuration)>
First, the 1st structure of the electrically conductive connection sheet | seat of this invention is demonstrated.

図２は、本発明の導電接続シートの第１の構成を示す縦断面図であり、より詳しくは、第１の構成の導電接続シートを半導体チップとインターポーザーとの間に配置した状態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。   FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing a first configuration of the conductive connection sheet of the present invention, and more specifically shows a state in which the conductive connection sheet having the first configuration is arranged between the semiconductor chip and the interposer. It is a longitudinal cross-sectional view. In the following description, the upper side in FIG. 2 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

第１の構成では、導電接続シート１は、図２に示すように、第１の樹脂組成物層１１と、金属層１２と、第２の樹脂組成物層１３とがこの順に互いに接合するように積層された三層構造をなす積層体、すなわち、第１の樹脂組成物層１１と第２の樹脂組成物層１３との間で金属層１２がこれらに互いに接合する構成を有する三層構造をなす積層体で構成されるものであり、半導体チップ（基板）２０とインターポーザー（対向基板）３０とを電気的に接続する際に、対向する端子２１と端子４１との間に配置される第１の部分１５と、この第１の部分１５以外の第２の部分１６とからなるものである。   In the first configuration, as shown in FIG. 2, in the conductive connection sheet 1, the first resin composition layer 11, the metal layer 12, and the second resin composition layer 13 are joined together in this order. A three-layer structure having a three-layer structure, that is, a three-layer structure in which the metal layer 12 is bonded to each other between the first resin composition layer 11 and the second resin composition layer 13. When the semiconductor chip (substrate) 20 and the interposer (counter substrate) 30 are electrically connected, they are arranged between the opposing terminal 21 and the terminal 41. The first portion 15 and a second portion 16 other than the first portion 15 are included.

かかる構成の導電接続シート１において、金属層１２は、低融点の第１の金属材料で構成される第１の金属層１２１と、第１の金属材料より低融点の第２の金属材料で構成される第２の金属層１２２とが互いに接触するように積層された積層体で構成され、第１の金属層１２１は、第１の部分１５に対応して選択的に設けられ、第２の金属層１２２は、箔状（層状）をなし、第１の部分１５および第２の部分１６の双方にほぼ均一な厚さで設けられている。   In the conductive connection sheet 1 having such a configuration, the metal layer 12 includes a first metal layer 121 made of a first metal material having a low melting point, and a second metal material having a lower melting point than the first metal material. The first metal layer 121 is selectively provided corresponding to the first portion 15, and the second metal layer 122 is laminated so as to be in contact with each other. The metal layer 122 has a foil shape (layer shape), and is provided with a substantially uniform thickness on both the first portion 15 and the second portion 16.

また、第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３が、樹脂成分を含有する樹脂組成物で構成されている。   Moreover, the 1st resin composition layer 11 and the 2nd resin composition layer 13 are comprised with the resin composition containing a resin component.

以下、導電接続シート１を構成する各層について順次説明するが、第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３については、ともに、樹脂成分を含有する樹脂組成物で構成されるため、第１の樹脂組成物層１１を代表に説明する。   Hereinafter, although each layer which comprises the conductive connection sheet 1 is demonstrated one by one, both the 1st resin composition layer 11 and the 2nd resin composition layer 13 are comprised with the resin composition containing a resin component. Therefore, the first resin composition layer 11 will be described as a representative.

また、第１の金属層１２１および第２の金属層１２２について、その構成材料は、融点が異なること以外、ともに、低融点の金属材料で構成されるため、第１の金属層１２１を代表に説明する。   In addition, the first metal layer 121 and the second metal layer 122 are composed of low melting point metal materials except that their melting points are different, so that the first metal layer 121 is representative. explain.

なお、以下では、第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３を、単に「樹脂組成物層１１」および「樹脂組成物層１３」と言うこともある。さらに、第１の金属層１２１および第２の金属層１２２を、それぞれ、単に「金属層１２１」および「金属層１２２」と言うこともある。   Hereinafter, the first resin composition layer 11 and the second resin composition layer 13 may be simply referred to as “resin composition layer 11” and “resin composition layer 13”. Furthermore, the first metal layer 121 and the second metal layer 122 may be simply referred to as “metal layer 121” and “metal layer 122”, respectively.

＜＜樹脂組成物層１１＞＞
樹脂組成物層１１は、本実施形態では、樹脂成分を含有する樹脂組成物で構成される。 << Resin composition layer 11 >>
In the present embodiment, the resin composition layer 11 is composed of a resin composition containing a resin component.

なお、本発明では、樹脂組成物としては、室温で液状、固形状のいずれの形態も使用することができる。なお、本明細書中において、「室温で液状」とは室温（２５℃程度）で一定の形態を持たない状態を意味し、ペースト状もこれに含まれる。   In the present invention, the resin composition can be used in a liquid or solid form at room temperature. In the present specification, “liquid at room temperature” means a state that does not have a certain form at room temperature (about 25 ° C.), and includes a paste form.

樹脂組成物は、樹脂成分を含有するものであれば、特に限定されず、硬化性樹脂組成物または熱可塑性樹脂組成物を用いることができる。   The resin composition is not particularly limited as long as it contains a resin component, and a curable resin composition or a thermoplastic resin composition can be used.

硬化性樹脂組成物としては、加熱により硬化する硬化性樹脂組成物、および、化学線を照射することにより硬化する硬化性樹脂組成物等が挙げられ、これらの中でも、加熱により硬化する硬化性樹脂組成物が好ましく用いられる。加熱により硬化する硬化性樹脂組成物は、硬化後の線膨張率や弾性率等の機械特性に優れる。   Examples of the curable resin composition include a curable resin composition that is cured by heating and a curable resin composition that is cured by irradiation with actinic radiation. Among these, a curable resin that is cured by heating. A composition is preferably used. The curable resin composition cured by heating is excellent in mechanical properties such as linear expansion coefficient and elastic modulus after curing.

また、熱可塑性樹脂組成物としては、所定の温度に加熱することにより、成形が可能な程度に柔軟性を有するものであれば、特に限定されるものではない。   In addition, the thermoplastic resin composition is not particularly limited as long as it is flexible enough to be molded by heating to a predetermined temperature.

（ａ）硬化性樹脂組成物
硬化性樹脂組成物は、硬化性樹脂成分を含有し、加熱することにより溶融し硬化するものである。 (A) Curable resin composition A curable resin composition contains a curable resin component, and is melted and cured by heating.

また、硬化性樹脂組成物には、硬化性樹脂成分の他に、必要に応じて、フラックス機能を有する化合物、フィルム形成性樹脂、硬化剤、硬化促進剤、シランカップリング剤等が含まれていてもよい。   In addition to the curable resin component, the curable resin composition contains a compound having a flux function, a film-forming resin, a curing agent, a curing accelerator, a silane coupling agent, and the like as necessary. May be.

以下、硬化性樹脂組成物に含まれる各種材料について詳述する。
（i）硬化性樹脂成分
硬化性樹脂成分は、加熱することにより溶融し硬化するものであれば特に限定されないが、通常、半導体装置製造用の接着剤成分として使用できるものが用いられる。 Hereinafter, various materials contained in the curable resin composition will be described in detail.
(I) Curable resin component Although a curable resin component will not be specifically limited if it melts and hardens | cures by heating, Usually, what can be used as an adhesive agent component for semiconductor device manufacture is used.

このような硬化性樹脂成分としては、特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、シリコーン樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、ポリエステル樹脂（不飽和ポリエステル樹脂）、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂、ポリイミド樹脂（ポリイミド前駆体樹脂）、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、マレイミド樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。特に、これらの中でも、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性に優れるという観点からエポキシ樹脂が好ましい。なお、これらの硬化性樹脂成分は１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。   Such a curable resin component is not particularly limited. For example, epoxy resin, phenoxy resin, silicone resin, oxetane resin, phenol resin, (meth) acrylate resin, polyester resin (unsaturated polyester resin), diallyl phthalate resin , Maleimide resin, polyimide resin (polyimide precursor resin), bismaleimide-triazine resin and the like. In particular, the use of a thermosetting resin containing at least one selected from the group consisting of epoxy resins, (meth) acrylate resins, phenoxy resins, polyester resins, polyimide resins, silicone resins, maleimide resins, and bismaleimide-triazine resins. preferable. Among these, an epoxy resin is preferable from the viewpoint of excellent curability and storage stability, heat resistance, moisture resistance, and chemical resistance of a cured product. In addition, these curable resin components may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

前記エポキシ樹脂としては、特に限定されず、室温で液状および室温で固形状のいずれのエポキシ樹脂をも使用することができる。また、室温で液状のエポキシ樹脂と室温で固形状のエポキシ樹脂とを併用することも可能である。硬化性樹脂組成物が液状の場合には、室温で液状のエポキシ樹脂を用いることが好ましく、硬化性樹脂組成物が固形状の場合には、液状および固形状のいずれのエポキシ樹脂も使用することが可能であり、さらに、フィルム形成性樹脂成分を硬化性樹脂組成物が含有する構成とするのが好ましい。   The epoxy resin is not particularly limited, and any epoxy resin that is liquid at room temperature and solid at room temperature can be used. It is also possible to use an epoxy resin that is liquid at room temperature and an epoxy resin that is solid at room temperature. When the curable resin composition is liquid, it is preferable to use an epoxy resin that is liquid at room temperature. When the curable resin composition is solid, both liquid and solid epoxy resins should be used. Furthermore, it is preferable that the curable resin composition contains a film-forming resin component.

室温（２５℃）で液状のエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種を組み合わせて用いることができる。   Although it does not specifically limit as a liquid epoxy resin at room temperature (25 degreeC), A bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, etc. are mentioned, Among these, it can use combining 1 type or 2 types. .

室温で液状のエポキシ樹脂のエポキシ当量は、１５０〜３００ｇ／ｅｑであることが好ましく、１６０〜２５０ｇ／ｅｑであることがより好ましく、１７０〜２２０ｇ／ｅｑであることが特に好ましい。前記エポキシ当量が上記下限未満になると、用いるエポキシ樹脂の種類によっては、硬化物の収縮率が大きくなる傾向があり、半導体装置１０やこの半導体装置１０を備える電子機器に反りが生じるおそれがある。また、前記上限を超えると、硬化性樹脂組成物にフィルム形成性樹脂成分を併用する構成とした場合に、フィルム形成性樹脂成分、特にポリイミド樹脂との反応性が低下する傾向をしめすことがある。   The epoxy equivalent of the epoxy resin that is liquid at room temperature is preferably 150 to 300 g / eq, more preferably 160 to 250 g / eq, and particularly preferably 170 to 220 g / eq. When the epoxy equivalent is less than the lower limit, depending on the type of epoxy resin used, the shrinkage of the cured product tends to increase, and the semiconductor device 10 and the electronic device including the semiconductor device 10 may be warped. Moreover, when it exceeds the said upper limit, when it is set as the structure which uses a film-forming resin component together with a curable resin composition, it may show the tendency for the reactivity with a film-forming resin component, especially a polyimide resin to fall. .

さらに、室温（２５℃）で固形状のエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、３官能エポキシ樹脂、４官能エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、固形３官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等が好ましく用いられる。   Further, the epoxy resin solid at room temperature (25 ° C.) is not particularly limited, but bisphenol A type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin. , A glycidyl ester type epoxy resin, a trifunctional epoxy resin, a tetrafunctional epoxy resin, and the like. Among these, one kind or two or more kinds can be used in combination. Among these, solid trifunctional epoxy resins, cresol novolac type epoxy resins, and the like are preferably used.

なお、室温で固形状のエポキシ樹脂のエポキシ当量は、１５０〜３０００ｇ／ｅｑが好ましく、１６０〜２５００ｇ／ｅｑがより好ましく、１７０〜２０００ｇ／ｅｑが特に好ましい。   In addition, 150-3000 g / eq is preferable, as for the epoxy equivalent of a solid epoxy resin at room temperature, 160-2500 g / eq is more preferable, and 170-2000 g / eq is especially preferable.

室温で固形状のエポキシ樹脂の軟化点は、４０〜１２０℃程度であることが好ましく、５０〜１１０℃程度であることがより好ましく、６０〜１００℃程度であることが特に好ましい。前記軟化点が前記範囲内にあると、硬化性樹脂組成物のタック性を抑えることができ、容易に取り扱うことが可能となる。   The softening point of the epoxy resin that is solid at room temperature is preferably about 40 to 120 ° C, more preferably about 50 to 110 ° C, and particularly preferably about 60 to 100 ° C. When the softening point is within the above range, tackiness of the curable resin composition can be suppressed, and the softening point can be easily handled.

また、硬化性樹脂組成物において、上述した硬化性樹脂成分の配合量は、使用する硬化性樹脂組成物の形態に応じて適宜設定することができる。   Moreover, in the curable resin composition, the blending amount of the curable resin component described above can be appropriately set according to the form of the curable resin composition to be used.

例えば、液状の硬化性樹脂組成物の場合には、硬化性樹脂成分の配合量は、硬化性樹脂組成物中において、１０重量％以上であることが好ましく、１５重量％以上であることがより好ましく、２０重量％以上であることがさらに好ましく、２５重量％以上であることがさらにより好ましく、３０重量％以上であることがなお好ましく、３５重量％以上であることが特に好ましい。また、１００重量％未満であることが好ましく、９５重量％以下であることがより好ましく、９０重量％以下がさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、５５重量％以下であることが特に好ましい。   For example, in the case of a liquid curable resin composition, the blending amount of the curable resin component is preferably 10% by weight or more, more preferably 15% by weight or more in the curable resin composition. It is preferably 20% by weight or more, more preferably 25% by weight or more, still more preferably 30% by weight or more, and particularly preferably 35% by weight or more. Further, it is preferably less than 100% by weight, more preferably 95% by weight or less, further preferably 90% by weight or less, still more preferably 75% by weight or less, and 65% by weight or less. Is still more preferable, and it is especially preferable that it is 55 weight% or less.

また、固形状の硬化性樹脂組成物の場合には、硬化性樹脂成分の配合量は、硬化性樹脂組成物中において、５重量％以上であることが好ましく、１０重量％以上であることがより好ましく、１５重量％以上であることがさらに好ましく、２０重量％以上であることが特に好ましい。また、９０重量％以下であることが好ましく、８５重量％以下であることがより好ましく、８０重量％以下であることがさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、５５重量％以下であることが特に好ましい。   In the case of a solid curable resin composition, the amount of the curable resin component in the curable resin composition is preferably 5% by weight or more, and preferably 10% by weight or more. More preferably, it is more preferably 15% by weight or more, and particularly preferably 20% by weight or more. Further, it is preferably 90% by weight or less, more preferably 85% by weight or less, still more preferably 80% by weight or less, still more preferably 75% by weight or less, and 65% by weight or less. It is still more preferable that it is 55% by weight or less.

硬化性樹脂組成物における硬化性樹脂成分の配合量が前記範囲内にあると、端子２１、４１間の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することが可能となる。   When the blending amount of the curable resin component in the curable resin composition is within the above range, the electrical connection strength and the mechanical adhesive strength between the terminals 21 and 41 can be sufficiently secured.

（ii）フィルム形成性樹脂成分
上述したように、硬化性樹脂組成物として、固形状のものを使用する場合、硬化性樹脂組成物には、前記硬化性樹脂成分の他に、さらにフィルム形成性樹脂成分を含有する構成とするのが好ましい。 (Ii) Film-forming resin component As described above, when a solid resin is used as the curable resin composition, in addition to the curable resin component, the film-forming resin is further included in the curable resin composition. A constitution containing a resin component is preferred.

このようなフィルム形成性樹脂成分としては、有機溶媒に可溶であり、単独で成膜性を有するものであれば特に限定されるものではなく、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂のいずれのものも使用することができ、また、これらを組み合わせて用いることもできる。   Such a film-forming resin component is not particularly limited as long as it is soluble in an organic solvent and has a film-forming property alone, and is any one of a thermoplastic resin or a thermosetting resin. Can also be used, and these can also be used in combination.

具体的には、フィルム形成性樹脂成分としては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリプロピレン樹脂、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロン等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これら中でも、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂およびポリイミド樹脂が好ましい。   Specifically, the film-forming resin component is not particularly limited. For example, (meth) acrylic resin, phenoxy resin, polyester resin, polyurethane resin, polyimide resin, polyamideimide resin, siloxane-modified polyimide resin, polybutadiene resin , Polypropylene resin, styrene-butadiene-styrene copolymer, styrene-ethylene-butylene-styrene copolymer, polyacetal resin, polyvinyl butyral resin, polyvinyl acetal resin, butyl rubber, chloroprene rubber, polyamide resin, acrylonitrile-butadiene copolymer, Examples include acrylonitrile-butadiene-acrylic acid copolymer, acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer, polyvinyl acetate, nylon, and the like. In combination it can be used. Among these, (meth) acrylic resins, phenoxy resins, polyester resins, polyamide resins and polyimide resins are preferable.

なお、本明細書中において、「（メタ）アクリル系樹脂」とは、（メタ）アクリル酸およびその誘導体の重合体、または（メタ）アクリル酸およびその誘導体と他の単量体との共重合体を意味する。ここで、「（メタ）アクリル酸」等と表記するときは、「アクリル酸またはメタクリル酸」等を意味する。   In this specification, “(meth) acrylic resin” refers to a polymer of (meth) acrylic acid and its derivatives, or a co-polymerization of (meth) acrylic acid and its derivatives and other monomers. Means coalescence. Here, the expression “(meth) acrylic acid” or the like means “acrylic acid or methacrylic acid” or the like.

（メタ）アクリル系樹脂としては、特に限定されず、例えば、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸ブチル、ポリアクリル酸−２−エチルヘキシル等のポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル、ポリメタクリル酸ブチル等のポリメタクリル酸エステル、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリアクリルアミド、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、アクリロニトリル−スチレン共重合体、メタクリル酸メチル−スチレン共重合体、メタクリル酸メチル−アクリロニトリル共重合体、メタクリル酸メチル−α−メチルスチレン共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート−メタクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート−アクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、アクリル酸ブチル−アクリロニトリル−アクリル酸共重合体、アクリル酸エチル−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド共重合体等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エチル−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド共重合体が好ましい。   The (meth) acrylic resin is not particularly limited. For example, polyacrylic acid such as polyacrylic acid, polymethacrylic acid, polymethyl acrylate, polyethyl acrylate, polybutyl acrylate, and polyacrylic acid-2-ethylhexyl. Acid ester, polymethyl methacrylate, polyethyl methacrylate, polymethacrylate such as polybutyl methacrylate, polyacrylonitrile, polymethacrylonitrile, polyacrylamide, butyl acrylate-ethyl acrylate-acrylonitrile copolymer, acrylonitrile- Butadiene copolymer, acrylonitrile-butadiene-acrylic acid copolymer, acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer, acrylonitrile-styrene copolymer, methyl methacrylate-styrene copolymer, methacryl Methyl-acrylonitrile copolymer, methyl methacrylate-α-methylstyrene copolymer, butyl acrylate-ethyl acrylate-acrylonitrile-2-hydroxyethyl methacrylate-methacrylic acid copolymer, butyl acrylate-ethyl acrylate-acrylonitrile 2-hydroxyethyl methacrylate-acrylic acid copolymer, butyl acrylate-acrylonitrile-2-hydroxyethyl methacrylate copolymer, butyl acrylate-acrylonitrile-acrylic acid copolymer, ethyl acrylate-acrylonitrile-N, N- A dimethyl acrylamide copolymer etc. are mentioned, Among these, it can use 1 type or in combination of 2 or more types. Among them, butyl acrylate-ethyl acrylate-acrylonitrile copolymer and ethyl acrylate-acrylonitrile-N, N-dimethylacrylamide copolymer are preferable.

また、フェノキシ樹脂の骨格は、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡタイプ、ビスフェノールＦタイプおよびビフェニルタイプ等が挙げられる。   Further, the skeleton of the phenoxy resin is not particularly limited, and examples thereof include bisphenol A type, bisphenol F type, and biphenyl type.

また、ポリイミド樹脂としては、繰り返し単位中にイミド結合を持つ樹脂であれば特に限定されず、例えば、ジアミンと酸二無水物を反応させ、得られたポリアミド酸を加熱、脱水閉環することにより得られるものが挙げられる。   The polyimide resin is not particularly limited as long as it has an imide bond in the repeating unit. For example, the polyimide resin is obtained by reacting diamine and acid dianhydride and heating and dehydrating and ring-closing the resulting polyamic acid. Can be mentioned.

ジアミンとしては、特に限定されず、例えば、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノジフェニル、４，６−ジメチル−ｍ−フェニレンジアミン、２，５−ジメチル−ｐ−フェニレンジアミン等の芳香族ジアミン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン等のシロキサンジアミンが挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the diamine include, but are not limited to, aromatics such as 3,3′-dimethyl-4,4′-diaminodiphenyl, 4,6-dimethyl-m-phenylenediamine, and 2,5-dimethyl-p-phenylenediamine. Siloxane diamines such as group diamines and 1,3-bis (3-aminopropyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, and one or more of these may be used in combination. it can.

また、酸二無水物としては、例えば、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、ピロメリット酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the acid dianhydride include 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic acid, pyromellitic dianhydride, 4,4′-oxydiphthalic dianhydride, and the like. Among them, one kind or a combination of two or more kinds can be used.

ポリイミド樹脂としては、溶剤に可溶なものでも、不溶なものでもよいが、他の成分（硬化性樹脂成分）と混合する際のワニス化が容易であり、取扱性に優れている点で溶剤可溶性のものが好ましい。特に、様々な有機溶媒に溶解できる点でシロキサン変性ポリイミド樹脂を用いることが好ましい。   The polyimide resin may be either soluble or insoluble in the solvent, but it is easy to varnish when mixed with other components (curable resin component), and is a solvent because it is easy to handle. Soluble ones are preferred. In particular, a siloxane-modified polyimide resin is preferably used because it can be dissolved in various organic solvents.

フィルム形成性樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、８，０００〜１，０００，０００程度であるのが好ましく、８，５００〜９５０，０００程度であるのがより好ましく、９，０００〜９００，０００程度であるのがさらに好ましい。フィルム形成性樹脂の重量平均分子量が上記の範囲であると、成膜性を向上させることが可能で、かつ、硬化前の樹脂組成物層１１の流動性を抑制することができる。   The weight average molecular weight of the film-forming resin is not particularly limited, but is preferably about 8,000 to 1,000,000, more preferably about 8,500 to 950,000, and 9,000 to More preferably, it is about 900,000. When the weight average molecular weight of the film-forming resin is within the above range, the film-forming property can be improved, and the fluidity of the resin composition layer 11 before curing can be suppressed.

なお、フィルム形成性樹脂の重量平均分子量は、例えば、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）により測定することができる。   In addition, the weight average molecular weight of film-forming resin can be measured by GPC (gel permeation chromatography), for example.

また、フィルム形成性樹脂成分としては、このものの市販品を使用することができ、さらに、本発明の効果を損ねない範囲で、可塑剤、安定剤、無機フィラー、帯電防止剤や顔料等の各種添加剤を配合したものを使用することもできる。   In addition, as the film-forming resin component, a commercial product of this product can be used, and further, various plasticizers, stabilizers, inorganic fillers, antistatic agents, pigments, etc., as long as the effects of the present invention are not impaired. What mix | blended the additive can also be used.

また、硬化性樹脂組成物において、上述したフィルム形成性樹脂成分の配合量は、使用する硬化性樹脂組成物の形態に応じて適宜設定することができる。   Moreover, in the curable resin composition, the blending amount of the film-forming resin component described above can be appropriately set according to the form of the curable resin composition to be used.

例えば、固形状の硬化性樹脂組成物の場合には、フィルム形成性樹脂成分の配合量は、硬化性樹脂組成物中において、５重量％以上であることが好ましく、１０重量％以上であることがより好ましく、１５重量％以上であることがさらに好ましい。また、５０重量％以下であることが好ましく、４５重量％以下であることがより好ましく、４０重量％以下であることがさらに好ましい。フィルム形成性樹脂成分の配合量が前記範囲内にあると溶融前の硬化性樹脂組成物の流動性を抑制することができ、樹脂組成物層１１を容易に取り扱うことが可能となる。   For example, in the case of a solid curable resin composition, the blending amount of the film-forming resin component is preferably 5% by weight or more and preferably 10% by weight or more in the curable resin composition. Is more preferable, and it is further more preferable that it is 15 weight% or more. Further, it is preferably 50% by weight or less, more preferably 45% by weight or less, and further preferably 40% by weight or less. When the blending amount of the film-forming resin component is within the above range, the fluidity of the curable resin composition before melting can be suppressed, and the resin composition layer 11 can be easily handled.

（iii）フラックス機能を有する化合物
硬化性樹脂組成物として、前記硬化性樹脂成分の他に、さらにフラックス機能を有する化合物を含有する構成とするのが好ましい。フラックス機能を有する化合物は、端子２１、４１および金属層１２に形成された表面酸化膜を還元する作用を有するものである。そのため、硬化性樹脂組成物中に、かかる化合物が含まれていると、後述する、接続部および封止層の形成方法で詳述するように、たとえ、端子２１、４１および金属層１２の表面に酸化膜が形成されたとしても、この化合物の作用により酸化膜を確実に除去することができる。その結果、溶融状態の金属層１２がより高い選択性をもって、端子２１、４１同士の間に凝集することとなる。 (Iii) Compound having a flux function It is preferable that the curable resin composition further contains a compound having a flux function in addition to the curable resin component. The compound having a flux function has an action of reducing the surface oxide films formed on the terminals 21 and 41 and the metal layer 12. Therefore, if such a compound is contained in the curable resin composition, the surfaces of the terminals 21 and 41 and the metal layer 12 will be described in detail as will be described later in connection method and sealing layer formation method. Even if an oxide film is formed, the oxide film can be reliably removed by the action of this compound. As a result, the molten metal layer 12 aggregates between the terminals 21 and 41 with higher selectivity.

このようなフラックス機能を有する化合物としては、特に限定されないが、例えば、フェノール性水酸基および／またはカルボキシル基を有する化合物が好ましく用いられる。   Although it does not specifically limit as a compound which has such a flux function, For example, the compound which has a phenolic hydroxyl group and / or a carboxyl group is used preferably.

フェノール性水酸基を有する化合物としては、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、２，６−キシレノール、ｐ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、ｍ−エチルフェノール、２，３−キシレノール、メシトール、３，５−キシレノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、カテコール、ｐ−ｔｅｒｔ−アミルフェノール、レゾルシノール、ｐ−オクチルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビフェノール、ジアリルビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＡ、トリスフェノール、テトラキスフェノール等のフェノール性水酸基を含有するモノマー類、フェノールノボラック樹脂、ｏ−クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＦノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のフェノール製水酸基を含有する樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the compound having a phenolic hydroxyl group include phenol, o-cresol, 2,6-xylenol, p-cresol, m-cresol, o-ethylphenol, 2,4-xylenol, 2,5-xylenol, m- Ethylphenol, 2,3-xylenol, mesitol, 3,5-xylenol, p-tert-butylphenol, catechol, p-tert-amylphenol, resorcinol, p-octylphenol, p-phenylphenol, bisphenol F, bisphenol A, biphenol , Monomers containing phenolic hydroxyl groups such as diallyl bisphenol F, diallyl bisphenol A, trisphenol, tetrakisphenol, phenol novolac resin, o-cresol novolac resin, bisphenol Le F novolak resins, resins and the like containing phenol manufactured hydroxyl group, such as bisphenol A novolac resin may be used singly or in combination of two or more of them.

また、カルボキシル基を有する化合物としては、例えば、脂肪族酸無水物、脂環式酸無水物、芳香族酸無水物、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等が挙げられる。前記脂肪族酸無水物としては、無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物等が挙げられる。前記脂環式酸無水物としては、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物等が挙げられる。前記芳香族酸無水物としては、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート、グリセロールトリストリメリテート等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of the compound having a carboxyl group include aliphatic acid anhydrides, alicyclic acid anhydrides, aromatic acid anhydrides, aliphatic carboxylic acids, and aromatic carboxylic acids. Examples of the aliphatic acid anhydride include succinic anhydride, polyadipic acid anhydride, polyazeline acid anhydride, polysebacic acid anhydride, and the like. Examples of the alicyclic acid anhydride include methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methylhymic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, trialkyltetrahydrophthalic anhydride, methylcyclohexene dicarboxylic acid. An anhydride etc. are mentioned. Examples of the aromatic acid anhydride include phthalic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenone tetracarboxylic acid anhydride, ethylene glycol bistrimellitate, glycerol trislimitate, etc. Species or a combination of two or more can be used.

脂肪族カルボン酸としては、特に限定されないが、例えば、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ピバル酸、カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、オレイン酸、フマル酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸、グルタル酸、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジオン酸、ピメリン酸等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、下記式（１）：   The aliphatic carboxylic acid is not particularly limited, for example, formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, pivalic acid, caproic acid, caprylic acid, lauric acid, myristic acid, palmitic acid, stearic acid, acrylic acid, Methacrylic acid, crotonic acid, oleic acid, fumaric acid, maleic acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, sebacic acid, dodecanedioic acid, pimelic acid, etc. Two or more kinds can be used in combination. Among these, the following formula (1):

ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）n−ＣＯＯＨ （１）
（式（１）中、ｎは１〜２０の整数である。）
で表される脂肪族カルボン酸が好ましく用いられ、これらのうち、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジオン酸がより好ましく用いられる。 HOOC- (CH 2) n -COOH ( 1)
(In Formula (1), n is an integer of 1-20.)
Of these, adipic acid, sebacic acid, and dodecanedioic acid are more preferably used.

芳香族カルボン酸の構造は、特に限定されないが、下記式（２）または下記式（３）で表される化合物が好ましい。   The structure of the aromatic carboxylic acid is not particularly limited, but a compound represented by the following formula (2) or the following formula (3) is preferable.

Figure 2012079526
［式中、Ｒ1〜Ｒ5は、それぞれ独立して、１価の有機基であり、Ｒ1〜Ｒ5の少なくとも一つは水酸基である。］
Figure 2012079526
 [Wherein, R 1 to R 5 are each independently a monovalent organic group, and at least one of R 1 to R 5 is a hydroxyl group. ]

Figure 2012079526
［式中、Ｒ6〜Ｒ20は、それぞれ独立して、１価の有機基であり、Ｒ6〜Ｒ20の少なくとも一つは水酸基またはカルボキシル基である。］
Figure 2012079526
 [Wherein, R 6 to R 20 are each independently a monovalent organic group, and at least one of R 6 to R 20 is a hydroxyl group or a carboxyl group. ]

このような芳香族カルボン酸としては、例えば、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ヘミメリット酸、トリメリット酸、トリメシン酸、メロファン酸、プレーニト酸、ピロメリット酸、メリット酸、キシリル酸、ヘメリト酸、メシチレン酸、プレーニチル酸、トルイル酸、ケイ皮酸、サリチル酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）等の安息香酸誘導体、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体、フェノールフタリン、ジフェノール酸等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。   Examples of such aromatic carboxylic acids include benzoic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, hemimellitic acid, trimellitic acid, trimesic acid, merophanic acid, planitic acid, pyromellitic acid, meritic acid, and xylic acid. , Hemelic acid, mesitylene acid, prenylic acid, toluic acid, cinnamic acid, salicylic acid, 2,3-dihydroxybenzoic acid, 2,4-dihydroxybenzoic acid, gentisic acid (2,5-dihydroxybenzoic acid), 2,6 -Benzoic acid derivatives such as dihydroxybenzoic acid, 3,5-dihydroxybenzoic acid, gallic acid (3,4,5-trihydroxybenzoic acid), 1,4-dihydroxy-2-naphthoic acid, 3,5-dihydroxy- 2-naphthoic acid, naphthoic acid derivatives such as 3,5-dihydroxy-2-naphthoic acid, phenolphthaline Diphenol acid and the like, it can be used singly or in combination of two or more of them.

このようなフラックス機能を有する化合物は、金属層１２と端子２１、４１とが電気的に接続し得るように、金属層１２および端子２１、４１の表面酸化膜を還元する作用を示すとともに、硬化性樹脂成分を硬化する硬化剤としての機能、すなわち、硬化性樹脂成分と反応可能な官能基を有するものであるのが好ましい。   The compound having such a flux function exhibits an action of reducing the surface oxide film of the metal layer 12 and the terminals 21 and 41 and is cured so that the metal layer 12 and the terminals 21 and 41 can be electrically connected. It preferably has a function as a curing agent for curing the curable resin component, that is, a functional group capable of reacting with the curable resin component.

このような官能基は、硬化性樹脂成分の種類に応じて適宜選択され、例えば、硬化性樹脂成分がエポキシ樹脂の場合、カルボキシル基、水酸基、アミノ基のようなエポキシ基と反応可能な官能基が挙げられる。このようなフラックス機能を有する化合物は、硬化性樹脂組成物の溶融時には金属層１２および端子２１、４１に形成された表面酸化膜を還元してこれらの表面の濡れ性を高め、接続部８１を容易に形成し、端子２１、４１間を電気的に接続することが可能となる。さらに、接続部８１により端子２１、４１間に電気的な接続が完了した後においては、この化合物は、硬化剤として作用し、硬化性樹脂成分に付加して樹脂の弾性率またはＴｇを高める機能を発揮する。したがって、このようなフラックス機能を有する化合物をフラックスとして用いるとフラックス洗浄が不要であり、また、フラックスの残存に起因するイオンマイグレーションの発生等を的確に抑制または防止することが可能となる。   Such a functional group is appropriately selected according to the type of the curable resin component. For example, when the curable resin component is an epoxy resin, a functional group capable of reacting with an epoxy group such as a carboxyl group, a hydroxyl group, and an amino group. Is mentioned. The compound having such a flux function reduces the surface oxide film formed on the metal layer 12 and the terminals 21 and 41 when the curable resin composition is melted to improve the wettability of these surfaces, and the connection portion 81 is formed. It can be easily formed and the terminals 21 and 41 can be electrically connected. Furthermore, after the electrical connection between the terminals 21 and 41 is completed by the connecting portion 81, this compound acts as a curing agent and is added to the curable resin component to increase the elastic modulus or Tg of the resin. Demonstrate. Therefore, when a compound having such a flux function is used as the flux, flux cleaning is unnecessary, and the occurrence of ion migration due to the remaining flux can be suppressed or prevented accurately.

このような作用を備えるフラックス機能を有する化合物としては、少なくとも１つのカルボキシル基を有する化合物が挙げられる。例えば、硬化性樹脂成分がエポキシ樹脂の場合、脂肪族ジカルボン酸およびカルボキシル基とフェノール性水酸基とを有する化合物等が挙げられる。   Examples of the compound having such a function and having a flux function include compounds having at least one carboxyl group. For example, when the curable resin component is an epoxy resin, examples thereof include aliphatic dicarboxylic acids and compounds having a carboxyl group and a phenolic hydroxyl group.

前記脂肪族ジカルボン酸としては、特に限定されないが、脂肪族炭化水素基にカルボキシル基が２個結合した化合物が挙げられる。前記脂肪族炭化水素基は、飽和または不飽和の非環式であってもよいし、飽和または不飽和の環式であってもよい。また、脂肪族炭化水素基が非環式の場合には直鎖状でも分岐状でもよい。   Although it does not specifically limit as said aliphatic dicarboxylic acid, The compound which two carboxyl groups couple | bonded with the aliphatic hydrocarbon group is mentioned. The aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated acyclic, or may be saturated or unsaturated cyclic. Further, when the aliphatic hydrocarbon group is acyclic, it may be linear or branched.

このような脂肪族ジカルボン酸としては、例えば、前記式（１）においてｎが１〜２０の整数である化合物が挙げられる。前記式（１）中のｎが前記範囲内にあると、フラックス活性、接着時のアウトガスおよび硬化性樹脂組成物の硬化後の弾性率およびガラス転移温度のバランスが良好となる。特に、硬化性樹脂組成物の硬化後の弾性率の増加を抑制し、インターポーザー３０等の被接着物との接着性を向上させることができるという観点から、ｎは３以上であることが好ましく、弾性率の低下を抑制し、接続信頼性をさらに向上させることができるという観点から、ｎは１０以下であることが好ましい。   Examples of such aliphatic dicarboxylic acids include compounds in which n is an integer of 1 to 20 in the formula (1). When n in the formula (1) is within the above range, the balance between the flux activity, the outgas at the time of adhesion, the elastic modulus after curing of the curable resin composition, and the glass transition temperature becomes good. In particular, n is preferably 3 or more from the viewpoint that the increase in the elastic modulus after curing of the curable resin composition can be suppressed and the adhesion with an adherend such as the interposer 30 can be improved. From the viewpoint of suppressing the decrease in elastic modulus and further improving the connection reliability, n is preferably 10 or less.

また、前記式（１）で示される脂肪族ジカルボン酸としては、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ウンデカン二酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、テトラデカン二酸、ペンタデカン二酸、オクタデカン二酸、ノナデカン二酸、エイコサン二酸等が挙げられる。中でも、アジピン酸、スベリン酸、セバシン酸、ドデンカン二酸が好ましく、セバシン酸がより好ましい。   Examples of the aliphatic dicarboxylic acid represented by the formula (1) include glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, undecanedioic acid, dodecanedioic acid, tridecanedioic acid, and tetradecanedioic acid. Pentadecanedioic acid, octadecanedioic acid, nonadecanedioic acid, eicosanedioic acid and the like. Among these, adipic acid, suberic acid, sebacic acid and dodencandioic acid are preferable, and sebacic acid is more preferable.

さらに、カルボキシル基とフェノール性水酸基とを有する化合物としては、サリチル酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）等の安息香酸誘導体、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体、フェノールフタリン、ジフェノール酸等が挙げられる。中でも、フェノールフタリン、ゲンチジン酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，６−ジヒドロキシ安息香酸が好ましく、フェノールフタリン、ゲンチジン酸がより好ましい。   Further, examples of the compound having a carboxyl group and a phenolic hydroxyl group include salicylic acid, 2,3-dihydroxybenzoic acid, 2,4-dihydroxybenzoic acid, gentisic acid (2,5-dihydroxybenzoic acid), and 2,6-dihydroxy. Benzoic acid derivatives such as benzoic acid, 3,4-dihydroxybenzoic acid, gallic acid (3,4,5-trihydroxybenzoic acid), 1,4-dihydroxy-2-naphthoic acid, 3,5-dihydroxy-2- Examples thereof include naphthoic acid derivatives such as naphthoic acid, phenolphthaline, and diphenolic acid. Of these, phenolphthaline, gentisic acid, 2,4-dihydroxybenzoic acid, and 2,6-dihydroxybenzoic acid are preferable, and phenolphthaline and gentisic acid are more preferable.

上述のようなフラックス機能を有する化合物は、１種単独で用いても２種以上を併用して用いるようにしてもよい。   The compounds having the flux function as described above may be used alone or in combination of two or more.

なお、いずれの化合物も吸湿しやすく、ボイド発生の原因となるため、本発明においては、使用前に予め乾燥させることが好ましい。   In addition, since any compound easily absorbs moisture and causes voids, in the present invention, it is preferably dried in advance before use.

フラックス機能を有する化合物の含有量は、使用する樹脂組成物の形態に応じて適宜設定することができる。   Content of the compound which has a flux function can be suitably set according to the form of the resin composition to be used.

例えば、樹脂組成物が液状の場合、フラックス機能を有する化合物の含有量は、硬化性樹脂組成物の全重量に対して、１重量％以上が好ましく、２重量％以上がより好ましく、３重量％以上が特に好ましい。また、５０重量％以下が好ましく、４０重量％以下がより好ましく、３０重量％以下がさらに好ましく、２５重量％以下が特に好ましい。   For example, when the resin composition is liquid, the content of the compound having a flux function is preferably 1% by weight or more, more preferably 2% by weight or more, and more preferably 3% by weight with respect to the total weight of the curable resin composition. The above is particularly preferable. Moreover, 50 weight% or less is preferable, 40 weight% or less is more preferable, 30 weight% or less is further more preferable, and 25 weight% or less is especially preferable.

また、固形状の樹脂組成物の場合には、フラックス機能を有する化合物の含有量は、硬化性樹脂組成物の全重量に対して、１重量％以上が好ましく、２重量％以上がより好ましく、３重量％以上が特に好ましい。また、５０重量％以下が好ましく、４０重量％以下がより好ましく、３０重量％以下がさらに好ましく、２５重量％以下が特に好ましい。   In the case of a solid resin composition, the content of the compound having a flux function is preferably 1% by weight or more, more preferably 2% by weight or more based on the total weight of the curable resin composition, 3% by weight or more is particularly preferable. Moreover, 50 weight% or less is preferable, 40 weight% or less is more preferable, 30 weight% or less is further more preferable, and 25 weight% or less is especially preferable.

フラックス機能を有する化合物の含有量が上記範囲内であると、金属層１２および端子２１、４１の表面酸化膜を電気的に接合できるように確実に除去することができる。さらに、樹脂組成物が硬化性樹脂組成物の場合、硬化時に、硬化性樹脂成分に効率よく付加して硬化性樹脂組成物の弾性率またはＴｇを高めることができる。また、未反応のフラックス機能を有する化合物に起因するイオンマイグレーションの発生を抑制することができる。   When the content of the compound having the flux function is within the above range, the metal layer 12 and the surface oxide films of the terminals 21 and 41 can be reliably removed so that they can be electrically joined. Furthermore, when the resin composition is a curable resin composition, it can be efficiently added to the curable resin component at the time of curing to increase the elastic modulus or Tg of the curable resin composition. Moreover, generation | occurrence | production of the ion migration resulting from the compound which has an unreacted flux function can be suppressed.

（iｖ）硬化剤
硬化剤としては、特に限定されないが、例えば、フェノール類、アミン類、チオール類等が挙げられる。このような硬化剤は、硬化性樹脂成分の種類等に応じて適宜選択することができる。例えば、硬化性樹脂成分としてエポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂との良好な反応性、硬化時の低寸法変化および硬化後の適切な物性（例えば、耐熱性、耐湿性等）が得られる点で硬化剤としてフェノール類を用いることが好ましく、硬化性樹脂成分の硬化後の物性が優れている点で２官能以上のフェノール類がより好ましく用いられる。なお、このような硬化剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用して用いてもよい。 (Iv) Curing agent The curing agent is not particularly limited, and examples thereof include phenols, amines, and thiols. Such a hardening | curing agent can be suitably selected according to the kind etc. of curable resin component. For example, when an epoxy resin is used as the curable resin component, good reactivity with the epoxy resin, low dimensional change during curing, and appropriate physical properties after curing (eg heat resistance, moisture resistance, etc.) are obtained. In view of the above, it is preferable to use a phenol as a curing agent, and a bifunctional or higher functional phenol is more preferably used in terms of excellent physical properties after curing of the curable resin component. In addition, such a hardening | curing agent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

フェノール類としては、例えば、ビスフェノールＡ、テトラメチルビスフェノールＡ、ジアリルビスフェノールＡ、ビフェノール、ビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＦ、トリスフェノール、テトラキスフェノール、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、溶融粘度、エポキシ樹脂との反応性が良好であり、硬化後の物性が優れている点でフェノールノボラック樹脂およびクレゾールノボラック樹脂が好ましい。   Examples of phenols include bisphenol A, tetramethylbisphenol A, diallyl bisphenol A, biphenol, bisphenol F, diallyl bisphenol F, trisphenol, tetrakisphenol, phenol novolac resin, cresol novolac resin, etc. Species or a combination of two or more can be used. Among these, a phenol novolac resin and a cresol novolac resin are preferable from the viewpoints of good melt viscosity, reactivity with an epoxy resin, and excellent physical properties after curing.

また、硬化性樹脂組成物において、上述した硬化剤の配合量は、使用する硬化性樹脂成分や硬化剤の種類、およびフラックス機能を有する化合物が硬化剤として機能する官能基を有する場合、その官能基の種類や使用量によって適宜設定される。   In addition, in the curable resin composition, the amount of the curing agent described above is such that the type of the curable resin component and the curing agent to be used, and the compound having a flux function have a functional group that functions as a curing agent. It is set as appropriate depending on the type of group and the amount used.

例えば、硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いた場合、硬化剤の含有量は硬化性樹脂組成物の全重量に対して、０．１〜５０重量％程度であるのが好ましく、０．２〜４０重量％程度であるのがより好ましく、０．５〜３０重量％程度であるのがさらに好ましい。硬化剤の含有量が前記範囲内にあると端子２１、４１間に形成された接続部８１の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することができる。   For example, when an epoxy resin is used as the curable resin, the content of the curing agent is preferably about 0.1 to 50% by weight with respect to the total weight of the curable resin composition, 0.2 to 40 It is more preferably about wt%, and further preferably about 0.5 to 30 wt%. When the content of the curing agent is within the above range, the electrical connection strength and the mechanical adhesive strength of the connection portion 81 formed between the terminals 21 and 41 can be sufficiently ensured.

（ｖ）硬化促進剤
また、上述したように、硬化性樹脂組成物には、さらに、硬化促進剤を添加することができる。これにより、硬化性樹脂組成物を、確実かつ容易に硬化させることができる。 (V) Curing accelerator As described above, a curing accelerator can be further added to the curable resin composition. Thereby, a curable resin composition can be hardened reliably and easily.

硬化促進剤としては、特に限定されないが、例えば、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４−メチルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンのイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシジメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール化合物が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。   Although it does not specifically limit as a hardening accelerator, For example, imidazole, 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2- Phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methyl Imidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2, 4 Diamino-6- [2′-methylimidazolyl (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-undecylimidazolyl (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2 , 4-Diamino-6- [2'-ethyl-4-methylimidazolyl (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl (1')]-ethyl -Isocyanuric acid adduct of s-triazine, isocyanuric acid adduct of 2-phenylimidazole, isocyanuric acid adduct of 2-methylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxydimethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl- Examples include imidazole compounds such as 5-hydroxymethylimidazole, and one or more of these may be used in combination. Kill.

また、硬化性樹脂組成物において、上述した硬化促進剤の配合量は、使用する硬化促進剤の種類に応じて適宜設定することができる。   Moreover, in the curable resin composition, the blending amount of the above-described curing accelerator can be appropriately set according to the type of the curing accelerator to be used.

例えば、イミダゾール化合物を使用する場合には、イミダゾール化合物の配合量は、硬化性樹脂組成物中において０．００１重量％以上であることが好ましく、０．００３重量％以上であることがより好ましく、０．００５重量％以上であることがさらに好ましい。また、１．０重量％以下であることが好ましく、０．７重量％以下であることがより好ましく、０．５重量％以下であることがさらに好ましい。イミダゾール化合物の配合量が前記下限未満になると、用いる硬化促進剤の種類によっては、硬化促進剤としての作用が十分に発揮されず、硬化性樹脂組成物を十分に硬化できない傾向を示すことがある。また、イミダゾール化合物の配合量が前記上限を超えると、硬化性樹脂組成物の硬化が完了する前に溶融状態の金属層１２が端子２１、４１の表面に十分に移動できず、絶縁性領域に形成される封止層８０中に金属層１２の一部が残存し、封止層８０における絶縁性が十分に確保できなくなるおそれがある。   For example, when an imidazole compound is used, the amount of the imidazole compound is preferably 0.001% by weight or more, more preferably 0.003% by weight or more in the curable resin composition, More preferably, it is 0.005% by weight or more. Further, it is preferably 1.0% by weight or less, more preferably 0.7% by weight or less, and further preferably 0.5% by weight or less. When the blending amount of the imidazole compound is less than the lower limit, depending on the type of the curing accelerator to be used, the effect as the curing accelerator may not be sufficiently exhibited, and the curable resin composition may not be sufficiently cured. . Moreover, when the compounding quantity of an imidazole compound exceeds the said upper limit, before the hardening of a curable resin composition is completed, the metal layer 12 of a molten state cannot fully move to the surface of the terminals 21 and 41, but it is in an insulating area | region. There is a possibility that a part of the metal layer 12 remains in the sealing layer 80 to be formed, and the insulation in the sealing layer 80 cannot be sufficiently secured.

（ｖi）シランカップリング剤
また、上述したように、硬化性樹脂組成物には、さらに、シランカップリング剤を添加することができる。 (Vi) Silane Coupling Agent As described above, a silane coupling agent can be further added to the curable resin composition.

シランカップリング剤としては、特に限定されないが、例えば、エポキシシランカップリング剤、芳香族含有アミノシランカップリング剤等が挙げられる。このようなシランカップリング剤を添加することにより、インターポーザー３０等の接合部材（被着体）と硬化性樹脂組成物との密着性を高めることができる。   Although it does not specifically limit as a silane coupling agent, For example, an epoxy silane coupling agent, an aromatic containing aminosilane coupling agent, etc. are mentioned. By adding such a silane coupling agent, it is possible to improve the adhesion between the joining member (adhered body) such as the interposer 30 and the curable resin composition.

なお、このようなシランカップリング剤は１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用して用いることもできる。   In addition, such a silane coupling agent may be used individually by 1 type, and can also be used in combination of 2 or more type.

また、硬化性樹脂組成物において、上述したシランカップリング剤の配合量は、前記接合部材や硬化性樹脂成分等の種類に応じて適宜設定される。例えば、硬化性樹脂組成物中において０．０１重量％以上であることが好ましく、０．０５重量％以上であることがより好ましく、０．１重量％以上であることがさらに好ましい。また、２重量％以下であることが好ましく、１．５重量％以下であることがより好ましく、１重量％以下であることがさらに好ましい。   Moreover, in the curable resin composition, the blending amount of the silane coupling agent described above is appropriately set according to the types of the joining member, the curable resin component, and the like. For example, in the curable resin composition, it is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.05% by weight or more, and further preferably 0.1% by weight or more. Further, it is preferably 2% by weight or less, more preferably 1.5% by weight or less, and further preferably 1% by weight or less.

なお、硬化性樹脂組成物には、上述した各成分の他に、さらに、可塑剤、安定剤、粘着付与剤、滑剤、酸化防止剤、充填剤、帯電防止剤および顔料等が配合されていてもよい。   In addition to the components described above, the curable resin composition further contains a plasticizer, a stabilizer, a tackifier, a lubricant, an antioxidant, a filler, an antistatic agent, a pigment, and the like. Also good.

また、上述したような硬化性樹脂組成物は、上記各成分を混合・分散させることによって調製することができる。各成分の混合方法や分散方法は特に限定されず、従来公知の方法で混合、分散させることができる。   Moreover, the curable resin composition as described above can be prepared by mixing and dispersing the above components. The mixing method and dispersion method of each component are not specifically limited, It can mix and disperse | distribute by a conventionally well-known method.

また、前記各成分を溶媒中でまたは無溶媒下で混合して液状の硬化性樹脂組成物を調製してもよい。このとき用いられる溶媒としては、各成分に対して不活性なものであれば特に限定はないが、例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、ジイソブチルケトン（ＤＩＢＫ）、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール（ＤＡＡ）等のケトン類、ベンゼン、キシレン、トルエン等の芳香族炭化水素類、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール等のアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソルブ類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ニ塩基酸エステル（ＤＢＥ）、３−エトキシプロピオン酸エチル（ＥＥＰ）、ジメチルカーボネート（ＤＭＣ）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。また、溶媒の使用量は、溶媒に混合した成分の固形分濃度が１０〜６０重量％となる量であることが好ましい。   Moreover, you may prepare the liquid curable resin composition by mixing each said component in a solvent or under absence of solvent. The solvent used at this time is not particularly limited as long as it is inert to each component. For example, acetone, methyl ethyl ketone (MEK), methyl isobutyl ketone (MIBK), diisobutyl ketone (DIBK), cyclohexanone, Ketones such as diacetone alcohol (DAA), aromatic hydrocarbons such as benzene, xylene and toluene, alcohols such as methyl alcohol, ethyl alcohol, isopropyl alcohol and n-butyl alcohol, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, Cellosolves such as methyl cellosolve acetate and ethyl cellosolve acetate, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), tetrahydrofuran (THF), dimethylformamide (DMF), dibasic acid ester (DBE), 3 Ethyl ethoxypropionate (EEP), dimethyl carbonate (DMC) and the like, can be used singly or in combination of two or more of them. Moreover, it is preferable that the usage-amount of a solvent is an quantity from which the solid content concentration of the component mixed with the solvent will be 10 to 60 weight%.

（ｂ）熱可塑性樹脂組成物
熱可塑性樹脂組成物は、熱可塑性樹脂成分を含有し、所定温度により軟化するものである。 (B) Thermoplastic resin composition The thermoplastic resin composition contains a thermoplastic resin component and softens at a predetermined temperature.

また、熱可塑性樹脂組成物には、熱可塑性樹脂成分の他に、必要に応じて、フラックス機能を有する化合物、フィルム形成性樹脂、シランカップリング剤等が含まれていてもよい。   In addition to the thermoplastic resin component, the thermoplastic resin composition may contain a compound having a flux function, a film-forming resin, a silane coupling agent, and the like, if necessary.

（i）熱可塑性樹脂成分
熱可塑性樹脂成分としては、特に限定されないが、例えば、酢酸ビニル系、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、塩化ビニル樹脂、（メタ）アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、イソブチレン樹脂、ビニルエーテル樹脂、液晶ポリマー樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリウレタン樹脂、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル等が挙げられる。これら熱可塑性樹脂成分は、単一の重合体でもよく、これら熱可塑性樹脂成分の少なくとも２種以上の共重合体でもよい。 (I) Thermoplastic resin component The thermoplastic resin component is not particularly limited. For example, vinyl acetate, polyvinyl alcohol resin, polyvinyl butyral resin, vinyl chloride resin, (meth) acrylic resin, phenoxy resin, polyester resin, polyimide Resin, polyamideimide resin, siloxane-modified polyimide resin, polybutadiene resin, acrylic resin, styrene resin, polyethylene resin, polypropylene resin, polyamide resin, cellulose resin, isobutylene resin, vinyl ether resin, liquid crystal polymer resin, polyphenylene sulfide resin, polyphenylene ether resin, Polyethersulfone resin, polyetherimide resin, polyetheretherketone resin, polyurethane resin, styrene-butadiene-styrene copolymer, styrene- Tylene-butylene-styrene copolymer, polyacetal resin, polyvinyl acetal resin, butyl rubber, chloroprene rubber, acrylonitrile-butadiene copolymer, acrylonitrile-butadiene-acrylic acid copolymer, acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer, polyvinyl acetate Etc. These thermoplastic resin components may be a single polymer, or may be a copolymer of at least two of these thermoplastic resin components.

熱可塑性樹脂成分の軟化点は、特に限定されないが、導電接続シート１を構成する金属層１２の融点より１０℃以上低いことが好ましく、２０℃以上低いことがより好ましく、３０℃以上低いことがさらに好ましい。   The softening point of the thermoplastic resin component is not particularly limited, but is preferably 10 ° C. or more lower than the melting point of the metal layer 12 constituting the conductive connection sheet 1, more preferably 20 ° C. or more, and more preferably 30 ° C. or less. Further preferred.

また、熱可塑性樹脂成分の分解温度は、特に限定されないが、金属層１２の融点よりも１０℃以上高いことが好ましく、２０℃以上高いことがより好ましく、３０℃以上高いことがさらに好ましい。   Further, the decomposition temperature of the thermoplastic resin component is not particularly limited, but is preferably higher by 10 ° C. or higher than the melting point of the metal layer 12, more preferably higher by 20 ° C., and further preferably higher by 30 ° C. or higher.

また、熱可塑性樹脂組成物において、上述した熱可塑性樹脂成分の配合量は、使用する熱可塑性樹脂組成物の形態に応じて適宜設定される。   In the thermoplastic resin composition, the amount of the thermoplastic resin component described above is appropriately set according to the form of the thermoplastic resin composition to be used.

例えば、液状の熱可塑性樹脂組成物の場合には、熱可塑性樹脂成分の配合量は、熱可塑性樹脂組成物中において、１０重量％以上であることが好ましく、１５重量％以上であることがより好ましく、２０重量％以上であることがさらに好ましく、２５重量％以上であることがさらにより好ましく、３０重量％以上であることがなお好ましく、３５重量％以上であることが特に好ましい。また、１００重量％以下であることが好ましく、９５重量％以下であることがより好ましく、９０重量％以下がさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、５５重量％以下であることが特に好ましい。   For example, in the case of a liquid thermoplastic resin composition, the blending amount of the thermoplastic resin component is preferably 10% by weight or more, more preferably 15% by weight or more in the thermoplastic resin composition. It is preferably 20% by weight or more, more preferably 25% by weight or more, still more preferably 30% by weight or more, and particularly preferably 35% by weight or more. Further, it is preferably 100% by weight or less, more preferably 95% by weight or less, still more preferably 90% by weight or less, still more preferably 75% by weight or less, and 65% by weight or less. Is still more preferable, and it is especially preferable that it is 55 weight% or less.

また、固形状の熱可塑性樹脂組成物の場合には、熱可塑性樹脂成分の配合量は、熱可塑性樹脂組成物中において、５重量％以上であることが好ましく、１０重量％以上であることがより好ましく、１５重量％以上であることがさらに好ましく、２０重量％以上であることが特に好ましい。また、９０重量％以下であることが好ましく、８５重量％以下であることがより好ましく、８０重量％以下であることがさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、５５重量％以下であることが特に好ましい。   In the case of a solid thermoplastic resin composition, the amount of the thermoplastic resin component is preferably 5% by weight or more, and preferably 10% by weight or more in the thermoplastic resin composition. More preferably, it is more preferably 15% by weight or more, and particularly preferably 20% by weight or more. Further, it is preferably 90% by weight or less, more preferably 85% by weight or less, still more preferably 80% by weight or less, still more preferably 75% by weight or less, and 65% by weight or less. It is still more preferable that it is 55% by weight or less.

熱可塑性樹脂組成物における熱可塑性樹脂成分の配合量が前記範囲内にあると、端子２１、４１間の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することが可能となる。   When the blending amount of the thermoplastic resin component in the thermoplastic resin composition is within the above range, the electrical connection strength and the mechanical adhesive strength between the terminals 21 and 41 can be sufficiently ensured.

（ii）その他の添加剤
また、熱可塑性樹脂成分の他、フラックス機能を有する化合物、フィルム形成性樹脂、シランカップリング剤や、可塑剤、安定剤、粘着付与剤、滑剤、酸化防止剤、充填剤、帯電防止剤および顔料等が配合されていてもよいが、これらのものは、前述した「（ａ）硬化性樹脂組成物」において説明したものと同じものを用いることができる。さらに、好ましい化合物およびその配合量等についても同様である。 (Ii) Other additives In addition to thermoplastic resin components, compounds having a flux function, film-forming resins, silane coupling agents, plasticizers, stabilizers, tackifiers, lubricants, antioxidants, filling An agent, an antistatic agent, a pigment, and the like may be blended, but these can be the same as those described in the above-mentioned “(a) curable resin composition”. Further, the same applies to preferred compounds and their blending amounts.

なお、本発明においては、上述したもののうち、樹脂組成物としては、硬化性樹脂組成物を用いることが好ましい。中でも、樹脂組成物の全重量に対して、エポキシ樹脂１０〜９０重量％、硬化剤０．１〜５０重量％、フィルム形成性樹脂５〜５０重量％及びフラックス機能を有する化合物１〜５０重量％を含むものがより好ましい。また、樹脂組成物の全重量に対して、エポキシ樹脂２０〜８０重量％、硬化剤０．２〜４０重量％、フィルム形成性樹脂１０〜４５重量％及びフラックス機能を有する化合物２〜４０重量％を含むものがさらに好ましい。また、樹脂組成物の全重量に対して、エポキシ樹脂３５〜５５重量％、硬化剤０．５〜３０重量％、フィルム形成性樹脂１５〜４０重量％及びフラックス機能を有する化合物３〜２５重量％を含むものが特に好ましい。これにより、端子２１、４１間の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することが可能となる。   In addition, in this invention, it is preferable to use a curable resin composition as a resin composition among what was mentioned above. Among them, the epoxy resin is 10 to 90% by weight, the curing agent is 0.1 to 50% by weight, the film-forming resin is 5 to 50% by weight, and the compound having a flux function is 1 to 50% by weight based on the total weight of the resin composition More preferably, it contains The epoxy resin is 20 to 80% by weight, the curing agent is 0.2 to 40% by weight, the film-forming resin is 10 to 45% by weight, and the compound having a flux function is 2 to 40% by weight with respect to the total weight of the resin composition. More preferably, those containing The epoxy resin is 35 to 55% by weight, the curing agent is 0.5 to 30% by weight, the film-forming resin is 15 to 40% by weight, and the compound having a flux function is 3 to 25% by weight with respect to the total weight of the resin composition. Those containing are particularly preferred. As a result, it is possible to sufficiently ensure the electrical connection strength and the mechanical adhesive strength between the terminals 21 and 41.

また、導電接続シート１における樹脂組成物層１１の厚みは、特に限定されないが、１μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがより好ましく、５μｍ以上であることがさらに好ましい。また、樹脂組成物層１１の厚みは、２００μｍ以下であることが好ましく、１５０μｍ以下であることがより好ましく、１００μｍ以下であることがさらに好ましい。樹脂組成物層１１の厚みが前記範囲内にあると、隣接する端子２１、４１間の間隙に樹脂組成物を十分に充填して封止層８０を形成することができ、樹脂組成物の硬化後または固化後の機械的接着強度および対向する端子２１、４１間の電気的接続を十分に確保することができ、接続部８１の形成も可能にすることができる。   Moreover, the thickness of the resin composition layer 11 in the conductive connection sheet 1 is not particularly limited, but is preferably 1 μm or more, more preferably 3 μm or more, and further preferably 5 μm or more. The thickness of the resin composition layer 11 is preferably 200 μm or less, more preferably 150 μm or less, and further preferably 100 μm or less. When the thickness of the resin composition layer 11 is within the above range, the gap between the adjacent terminals 21 and 41 can be sufficiently filled with the resin composition to form the sealing layer 80, and the resin composition can be cured. The mechanical adhesion strength after or after solidification and the electrical connection between the opposing terminals 21 and 41 can be sufficiently ensured, and the connection portion 81 can be formed.

以上のような構成の樹脂組成物層１１、１３が、導電接続シート１において、後述する本発明の端子間の接続方法および本発明の接続端子の形成方法において、それぞれ形成される封止層８０および補強層８６を構成する構成材料となるものである。   The resin composition layers 11 and 13 having the above-described configuration are formed in the conductive connection sheet 1 in the connection method between terminals according to the present invention and the connection terminal formation method according to the present invention described later, respectively. And it becomes a constituent material constituting the reinforcing layer 86.

＜＜金属層１２１＞＞
金属層１２１は、低融点の金属材料で構成され、本発明では、第１の部分１５に対して、選択的に設けられるものである。 << metal layer 121 >>
The metal layer 121 is made of a metal material having a low melting point, and is selectively provided to the first portion 15 in the present invention.

かかる金属層（金属箔層）１２１は、融点以上に加熱されると溶融し、さらに、樹脂組成物層１１、１３がフラックス機能を有する化合物を含む場合、樹脂組成物層１１、１３に含まれるフラックス機能を有する化合物の作用により、金属層１２１の表面に形成された酸化膜が還元されるため、溶融状態の金属層１２１の濡れ性が向上する。そのため、端子２１、４１との間に選択的に金属層１２１（および金属層１２２）が凝集し、最終的には、このものの固化物により、接続部８１が形成される。   The metal layer (metal foil layer) 121 melts when heated to a melting point or higher, and is further included in the resin composition layers 11 and 13 when the resin composition layers 11 and 13 include a compound having a flux function. Since the oxide film formed on the surface of the metal layer 121 is reduced by the action of the compound having the flux function, the wettability of the molten metal layer 121 is improved. Therefore, the metal layer 121 (and the metal layer 122) is selectively aggregated between the terminals 21 and 41, and finally, the connection portion 81 is formed by the solidified material.

ここで、本発明では、低融点の金属材料は、その融点が、３３０℃以下、好ましくは３００℃以下、より好ましくは２８０℃以下、さらに好ましくは２６０℃以下のものが適宜選択される。これにより、半導体装置１０を形成するための端子２１、４１間の接続においては、半導体装置１０の各種部材が熱履歴により損傷してしまうのを的確に抑制または防止することができる。   Here, in the present invention, a low melting point metal material having a melting point of 330 ° C. or lower, preferably 300 ° C. or lower, more preferably 280 ° C. or lower, further preferably 260 ° C. or lower is appropriately selected. Thereby, in the connection between the terminals 21 and 41 for forming the semiconductor device 10, it is possible to accurately suppress or prevent the various members of the semiconductor device 10 from being damaged by the thermal history.

さらに、接続部８１形成後、すなわち端子２１、４１間の接続後における半導体装置１０の耐熱性を確保するという観点からは、低融点の金属材料は、その融点が１００℃以上、好ましくは１１０℃以上、より好ましくは１２０℃以上であるものが適宜選択される。   Further, from the viewpoint of ensuring the heat resistance of the semiconductor device 10 after the connection portion 81 is formed, that is, after the connection between the terminals 21 and 41, the low melting point metal material has a melting point of 100 ° C. or higher, preferably 110 ° C. As described above, a material having a temperature of 120 ° C. or higher is appropriately selected.

なお、低融点の金属材料すなわち金属層１２１の融点は、示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定することができる。   Note that the melting point of the low melting point metal material, that is, the metal layer 121 can be measured by a differential scanning calorimeter (DSC).

このような低融点の金属材料は、上述した融点を有し、さらに、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、金属層１２１の表面に形成された酸化膜が除去可能なものであれば、特に限定されず、例えば、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）および銅（Ｃｕ）からなる群から選択される少なくとも２種以上の金属の合金、または錫の単体等が挙げられる。   Such a low-melting-point metal material has the above-described melting point, and further, as long as the oxide film formed on the surface of the metal layer 121 can be removed by the reducing action of the compound having a flux function. For example, tin (Sn), lead (Pb), silver (Ag), bismuth (Bi), indium (In), zinc (Zn), nickel (Ni), antimony (Sb), iron (Fe) , An alloy of at least two kinds of metals selected from the group consisting of aluminum (Al), gold (Au), germanium (Ge) and copper (Cu), or a simple substance of tin.

このような合金のうち、低融点の金属材料としては、その溶融温度および機械的物性等を考慮すると、Ｓｎ−Ｐｂの合金、鉛フリー半田であるＳｎ−Ｂｉの合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕの合金、Ｓｎ−Ａｇの合金等のＳｎを含む合金で構成されるのが好ましい。   Among these alloys, as a low melting point metal material, considering its melting temperature, mechanical properties, etc., an Sn—Pb alloy, an Sn—Bi alloy that is a lead-free solder, an Sn—Ag—Cu alloy It is preferable to be composed of an alloy containing Sn, such as an alloy or an Sn—Ag alloy.

なお、低融点の金属材料としてＳｎ−Ｐｂの合金を用いた場合、錫の含有率は、３０重量％以上１００重量％未満であることが好ましく、３５重量％以上１００重量％未満であることがより好ましく、４０重量％以上１００重量％未満であることがさらに好ましい。また、鉛フリー半田を用いた場合、錫の含有率は、１５重量％以上１００重量％未満であることが好ましく、２０重量％以上１００重量％未満であることがより好ましく、２５重量％以上１００重量％未満であることがさらに好ましい。   When an Sn—Pb alloy is used as the low melting point metal material, the tin content is preferably 30% by weight or more and less than 100% by weight, and preferably 35% by weight or more and less than 100% by weight. More preferably, it is more preferably 40% by weight or more and less than 100% by weight. When lead-free solder is used, the content of tin is preferably 15% by weight or more and less than 100% by weight, more preferably 20% by weight or more and less than 100% by weight, and more preferably 25% by weight or more and 100% by weight. More preferably, it is less than% by weight.

具体的には、例えば、Ｓｎ−Ｐｂの合金としては、Ｓｎ−３７Ｐｂ（融点１８３℃）、鉛フリー半田としては、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕ（融点２１７℃）、Ｓｎ−３．５Ａｇ（融点２２１℃）、Ｓｎ−５８Ｂｉ（融点１３９℃）、Ｓｎ−９．０Ｚｎ（融点１９９℃）、Ｓｎ−３．５Ａｇ−０．５Ｂｉ−３．０Ｉｎ（融点１９３℃）、Ａｕ−２０Ｓｎ（融点２８０℃）等が挙げられ、特に、Ｓｎ−３７ＰｂまたはＳｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕが好ましく用いられる。   Specifically, for example, Sn-37Pb (melting point 183 ° C.) is used as an Sn—Pb alloy, and Sn-3.0Ag-0.5Cu (melting point 217 ° C.), Sn-3.5Ag is used as a lead-free solder. (Melting point 221 ° C), Sn-58Bi (melting point 139 ° C), Sn-9.0Zn (melting point 199 ° C), Sn-3.5Ag-0.5Bi-3.0In (melting point 193 ° C), Au-20Sn (melting point) In particular, Sn-37Pb or Sn-3.0Ag-0.5Cu is preferably used.

以上のような構成の金属層１２１と金属層１２２とが、導電接続シート１において、後述する本発明の端子間の接続方法および本発明の接続端子の形成方法において、それぞれ形成される接続部８１および接続端子８５を構成する構成材料となるものである。   The connection part 81 in which the metal layer 121 and the metal layer 122 having the above-described configuration are formed in the conductive connection sheet 1 in the connection method between terminals of the present invention and the connection terminal formation method of the present invention described later, respectively. And it becomes a constituent material which constitutes the connection terminal 85.

なお、導電接続シート１において、上述した低融点の金属材料の配合量、すなわち、金属層１２（金属層１２１と金属層１２２との合計）の占有量は、導電接続シート１において、５重量％以上であることが好ましく、２０重量％以上であることがより好ましく、３０重量％以上であることがさらに好ましい。また、１００重量％未満であることが好ましく、８０重量％以下であることがより好ましく、７０重量％以下であることがさらに好ましい。   In the conductive connection sheet 1, the amount of the low melting point metal material described above, that is, the occupation amount of the metal layer 12 (the total of the metal layer 121 and the metal layer 122) is 5% by weight in the conductive connection sheet 1. Preferably, the content is 20% by weight or more, and more preferably 30% by weight or more. Moreover, it is preferable that it is less than 100 weight%, It is more preferable that it is 80 weight% or less, It is further more preferable that it is 70 weight% or less.

導電接続シート１における金属材料の配合量すなわち金属層１２の占有量が前記下限未満になると金属層１２を構成する金属材料の不足により未接続の端子２１、４１が生じるおそれがあり、また、前記上限を超えると金属材料の余剰により隣接する端子２１、４１間で接続部８１によるブリッジを起こし、ショートが生じるおそれがある。   If the blending amount of the metal material in the conductive connection sheet 1, that is, the occupation amount of the metal layer 12 is less than the lower limit, there is a possibility that unconnected terminals 21 and 41 are generated due to a shortage of the metal material constituting the metal layer 12. If the upper limit is exceeded, a surplus of the metal material may cause bridging by the connecting portion 81 between the adjacent terminals 21 and 41, which may cause a short circuit.

あるいは、金属層１２の占有量を導電接続シート１に対する体積比率で定義してもよい。例えば、金属層１２の占有量（配合量）は、導電接続シート１に対して１体積％以上であることが好ましく、５体積％以上であることがより好ましく、１０体積％以上であることがさらに好ましい。また、９０体積％以下であることが好ましく、８０体積％以下であることがより好ましく、７０体積％以下であることがさらに好ましい。金属層１２の占有量が前記下限未満になると金属層１２を構成する金属材料の不足により未接続の端子２１、４１が生じるおそれがあり、また、前記上限を超えると金属材料の余剰により隣接する端子２１、４１間で接続部８１によるブリッジを起こし、ショートが生じるおそれがある。   Alternatively, the occupation amount of the metal layer 12 may be defined by a volume ratio with respect to the conductive connection sheet 1. For example, the occupation amount (blending amount) of the metal layer 12 is preferably 1% by volume or more, more preferably 5% by volume or more, and more preferably 10% by volume or more with respect to the conductive connection sheet 1. Further preferred. Moreover, it is preferable that it is 90 volume% or less, It is more preferable that it is 80 volume% or less, It is further more preferable that it is 70 volume% or less. If the occupied amount of the metal layer 12 is less than the lower limit, there is a possibility that unconnected terminals 21 and 41 may be generated due to a shortage of the metal material constituting the metal layer 12, and if the upper limit is exceeded, the metal layer 12 is adjacent due to surplus metal material. There is a possibility that a bridge is formed between the terminals 21 and 41 by the connecting portion 81 and a short circuit occurs.

以上のような構成の導電接続シート１は、半導体チップ２０が有する端子２１と、インターポーザー３０が有する端子４１とを電気的に接続する際に、端子２１と端子４１との間に配置されるべき第１の部分１５と、この第１の部分１５以外の第２の部分１６とからなり、第１の構成では、第１の金属層１２１は、第１の部分１５に対応して選択的に設けられ、第２の金属層１２２は、箔状（層状）をなし、第１の部分１５および第２の部分１６の双方に、ほぼ均一な厚さで設けられているが、かかる点に関する説明は後に行うこととする。   The conductive connection sheet 1 having the above configuration is disposed between the terminal 21 and the terminal 41 when the terminal 21 included in the semiconductor chip 20 and the terminal 41 included in the interposer 30 are electrically connected. Power first portion 15 and second portion 16 other than the first portion 15, and in the first configuration, the first metal layer 121 is selectively corresponding to the first portion 15. The second metal layer 122 has a foil shape (layer shape), and is provided with a substantially uniform thickness on both the first portion 15 and the second portion 16. The explanation will be given later.

なお、導電接続シート１の厚みは、特に限定されないが、１μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがより好ましく、５μｍ以上であることがさらに好ましく、また、２００μｍ以下であることが好ましく、１５０μｍ以下であることがより好ましく、１００μｍ以下であることがさらに好ましい。導電接続シート１の厚みが前記範囲内にあると隣接する端子２１、４１間の間隙に樹脂組成物で構成される封止層８０を十分に充填することができる。また、樹脂成分の硬化後または固化後の機械的接着強度および対向する端子間の電気的接続を十分に確保することができる。また、目的や用途に応じた接続端子の製造も可能にすることができる。   The thickness of the conductive connection sheet 1 is not particularly limited, but is preferably 1 μm or more, more preferably 3 μm or more, further preferably 5 μm or more, and preferably 200 μm or less. 150 μm or less is more preferable, and 100 μm or less is further preferable. When the thickness of the conductive connection sheet 1 is within the above range, the gap between the adjacent terminals 21 and 41 can be sufficiently filled with the sealing layer 80 made of the resin composition. In addition, the mechanical adhesive strength after the resin component is cured or solidified and the electrical connection between the opposing terminals can be sufficiently ensured. In addition, it is possible to manufacture a connection terminal according to the purpose and application.

また、本実施形態では、金属層１２および端子２１、４１に酸化膜が形成されている場合に、この酸化膜を除去することを目的に、第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３を構成する樹脂組成物には、フラックス機能を有する化合物が含まれていてもよいと説明したが、樹脂組成物には、フラックス機能を有する化合物に代えて、酸化防止剤が含まれていてもよい。   In the present embodiment, when an oxide film is formed on the metal layer 12 and the terminals 21 and 41, the first resin composition layer 11 and the second resin are used for the purpose of removing the oxide film. Although it has been described that the resin composition constituting the composition layer 13 may contain a compound having a flux function, the resin composition contains an antioxidant instead of the compound having a flux function. It may be.

＜導電接続シート１の製造方法＞
次に、上述したような第１の構成の導電接続シート１は、例えば、以下のような製造方法により、製造することができる。 <Method for producing conductive connection sheet 1>
Next, the conductive connection sheet 1 having the first configuration as described above can be manufactured by, for example, the following manufacturing method.

本実施形態の導電接続シートの製造方法は、第１の樹脂組成物層１１と、この第１の樹脂組成物層１１上に形成された金属層１２とを備える導電接続シート形成用シートを得る第１の工程と、金属層１２上に第１の樹脂組成物層１３を形成する第２の工程とを有する。   The manufacturing method of the conductive connection sheet of this embodiment obtains the sheet for conductive connection sheet formation provided with the 1st resin composition layer 11 and the metal layer 12 formed on this 1st resin composition layer 11. A first step and a second step of forming the first resin composition layer 13 on the metal layer 12.

以下、各工程について説明する。
［１］第１の工程
まず、ポリエステル樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂等のシートや、表面がフッ素樹脂やシリコーン樹脂で離型処理された基材等の剥離基材上に、第１の樹脂組成物層１１を形成する。 Hereinafter, each step will be described.
[1] First Step First, a first resin composition is formed on a release substrate such as a sheet of polyester resin, fluororesin, silicone resin, or a substrate whose surface is release-treated with fluororesin or silicone resin. The physical layer 11 is formed.

この剥離基材上への第１の樹脂組成物層１１の形成は、例えば、以下のようにして行われる。   Formation of the 1st resin composition layer 11 on this peeling base material is performed as follows, for example.

（i）２５℃で樹脂組成物が液状をなす場合
第１の樹脂組成物層１１を構成する樹脂組成物が、２５℃で液状をなす場合、剥離基材上に、液状をなす樹脂組成物を供給して液状の樹脂組成物を付着させた後、この樹脂組成物を所定温度で半硬化させることにより第１の樹脂組成物層１１が形成される。 (I) When the resin composition forms a liquid at 25 ° C. When the resin composition constituting the first resin composition layer 11 forms a liquid at 25 ° C., the resin composition forms a liquid on the release substrate. The first resin composition layer 11 is formed by supplying a liquid resin composition and then semi-curing the resin composition at a predetermined temperature.

なお、形成すべき第１の樹脂組成物層１１に厚さの制御が必要な場合には、液状の樹脂組成物が供給された剥離基材を一定の間隙を有するバーコーターを通過させたり、液状の樹脂組成物をスプレーコーター等により、剥離基材に吹き付けることにより、目的とする厚さの第１の樹脂組成物層１１を容易に製造することができる。   When the thickness of the first resin composition layer 11 to be formed needs to be controlled, the release substrate supplied with the liquid resin composition is passed through a bar coater having a certain gap, By spraying the liquid resin composition onto the release substrate with a spray coater or the like, the first resin composition layer 11 having a target thickness can be easily manufactured.

また、巻重状の剥離基材を使用する場合、剥離基材上に、液状の樹脂組成物を直接塗布し、その後、この樹脂組成物を半硬化させつつ巻き取ることにより、第１の樹脂組成物層１１が設けられた巻重状の剥離基材を得ることができる。   When using a wound release substrate, the liquid resin composition is directly applied on the release substrate, and then the first resin is wound by semi-curing the resin composition. A wound release substrate provided with the composition layer 11 can be obtained.

（ii）２５℃で樹脂組成物が固形状をなす場合
第１の樹脂組成物層１１を構成する樹脂組成物が、２５℃で固形状をなす場合、まず、樹脂組成物を有機溶剤に溶解してワニスを得る。そして、このワニスを剥離基材上に供給（塗布）して付着させた後、所定の温度で乾燥させることにより第１の樹脂組成物層１１が形成される。 (Ii) When the resin composition is solid at 25 ° C. When the resin composition constituting the first resin composition layer 11 is solid at 25 ° C., first, the resin composition is dissolved in an organic solvent. And get the varnish. And after supplying (application | coating) and attaching this varnish on a peeling base material, the 1st resin composition layer 11 is formed by making it dry at predetermined temperature.

なお、形成すべき第１の樹脂組成物層１１に厚さの制御が必要な場合には、ワニスが供給された剥離基材を一定の間隙を有するバーコーターを通過させたり、ワニスをスプレーコーター等により、剥離基材に吹き付けることにより、目的とする厚さの第１の樹脂組成物層１１を容易に製造することができる。   In addition, when the thickness of the first resin composition layer 11 to be formed needs to be controlled, the release substrate supplied with the varnish is passed through a bar coater having a certain gap, or the varnish is spray coated. The first resin composition layer 11 having a target thickness can be easily manufactured by spraying on the peeling base material.

また、巻重状の剥離基材を使用する場合、剥離基材上に、ワニスを直接塗布し、その後、このワニスを乾燥させつつ巻き取ることにより、第１の樹脂組成物層１１が設けられた巻重状の剥離基材を得ることができる。   Moreover, when using a rolled release substrate, the first resin composition layer 11 is provided by directly applying the varnish on the release substrate and then winding the varnish while drying it. A rolled-up release substrate can be obtained.

次に、剥離基材上に形成された第１の樹脂組成物層１１の剥離基材と反対側の面のほぼ全面に、第２の金属材料を用いた、蒸着、スパッタ、めっき等の各種成膜法（気相成膜法および液相成膜法）により、第２の金属層１２２を形成する。次いで、第１の部分１５に対応する領域に開口部を有するマスクを用意し、第１の金属材料を用いた、蒸着、スパッタ、めっき等の各種成膜法により、第１の部分に対して選択的に、第１の金属層１２１を形成する。これにより、第１の樹脂組成物層１１上に、第２の金属層１２２と第１の金属層１２１とがこの順で積層された積層体で構成される金属層１２が形成される。   Next, various types of vapor deposition, sputtering, plating, etc. using the second metal material on almost the entire surface of the first resin composition layer 11 formed on the release substrate opposite to the release substrate. The second metal layer 122 is formed by a film formation method (vapor phase film formation method and liquid phase film formation method). Next, a mask having an opening in a region corresponding to the first portion 15 is prepared, and the first portion is formed on the first portion by various film forming methods such as vapor deposition, sputtering, and plating using the first metal material. Optionally, the first metal layer 121 is formed. Thereby, the metal layer 12 comprised by the laminated body on which the 2nd metal layer 122 and the 1st metal layer 121 were laminated | stacked in this order on the 1st resin composition layer 11 is formed.

［２］第２の工程
次に、金属層１２上に第２の樹脂組成物層１３を形成する。 [2] Second Step Next, the second resin composition layer 13 is formed on the metal layer 12.

この金属層１２上への第２の樹脂組成物層１３の形成は、例えば、金属層１２上に直接第２の樹脂組成物層１３を形成する場合、前記工程［１］において、剥離基材上に第１の樹脂組成物層１１を形成する場合に説明したのと同様の方法を用いて行うことができる。   For example, when the second resin composition layer 13 is formed directly on the metal layer 12, the second resin composition layer 13 is formed on the metal layer 12 in the step [1]. A method similar to that described in the case of forming the first resin composition layer 11 may be used.

また、第２の樹脂組成物層１３を、前記工程［１］において剥離基材上に第１の樹脂組成物層１１を形成したのと同様に、剥離基材上に形成した場合には、金属層１２と第２の樹脂組成物層１３とが対向した状態で、これらを熱ロールでラミネートして金属層１２に第２の樹脂組成物層１３を圧着することで、金属層１２上に第２の樹脂組成物層１３を形成することができる。   In addition, when the second resin composition layer 13 is formed on the release substrate in the same manner as the first resin composition layer 11 is formed on the release substrate in the step [1], In a state where the metal layer 12 and the second resin composition layer 13 face each other, they are laminated with a heat roll, and the second resin composition layer 13 is pressure-bonded to the metal layer 12, so that the metal layer 12 is placed on the metal layer 12. The second resin composition layer 13 can be formed.

なお、本工程［２］に先立って、金属層１２には、第２の樹脂組成物層１３との密着性を高めるため、その表面粗さを向上させることを目的に、エンボス加工を施すようにしてもよい。
以上のような工程を経て、導電接続シート１を得ることができる。 Prior to this step [2], the metal layer 12 is embossed for the purpose of improving the surface roughness in order to enhance the adhesion with the second resin composition layer 13. It may be.
Through the steps as described above, the conductive connection sheet 1 can be obtained.

この導電接続シート１が、例えば、半導体装置１０が備える接続部８１および封止層８０の形成に用いられる。   This conductive connection sheet 1 is used, for example, for forming the connection portion 81 and the sealing layer 80 included in the semiconductor device 10.

ここで、接続部８１と封止層８０との形成は、導電接続シート１を用いて、端子２１、４１との間に接続部８１が形成され、さらに、この接続部８１を取り囲むように封止層８０が形成されて隣接する接続部８１が絶縁されることにより行われるが、これら接続部８１と封止層８０との形成に、導電接続シート１を用いた、本発明の端子間の接続方法または本発明の接続端子の形成方法が適用される。   Here, the connection part 81 and the sealing layer 80 are formed by using the conductive connection sheet 1 so that the connection part 81 is formed between the terminals 21 and 41 and is further sealed so as to surround the connection part 81. This is done by forming the stop layer 80 and insulating the adjacent connection portions 81. The connection portions 81 and the sealing layer 80 are formed between the terminals of the present invention using the conductive connection sheet 1 for the formation. The connection method or the connection terminal forming method of the present invention is applied.

＜本発明の端子間の接続方法＞
以下では、まず、本発明の端子間の接続方法を適用して、接続部８１と封止層８０とを形成する場合について詳述する。 <Connection method between terminals of the present invention>
Below, the case where the connection part 81 and the sealing layer 80 are formed first by applying the connection method between the terminals of this invention is explained in full detail.

図３は、本発明の端子間の接続方法を用いて、半導体装置が備える接続部および封止層を製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。   FIG. 3 is a longitudinal sectional view for explaining a method of manufacturing a connection portion and a sealing layer included in a semiconductor device by using the method for connecting terminals according to the present invention. In the following description, the upper side in FIG. 3 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

以下に説明する接続部８１および封止層８０の形成方法では、導電接続シート１を半導体チップ（基材）２０が有する端子２１と、インターポーザー（対向基材）３０に設けられた端子４１との間に配置する配置工程と、第１の金属材料の融点以上であり、かつ、樹脂組成物層１１、１３が変形可能な温度に導電接続シート１を加熱する加熱工程と、前記樹脂組成物を硬化または固化させる硬化（固化）工程とを有している。   In the method of forming the connection portion 81 and the sealing layer 80 described below, the terminal 21 provided on the semiconductor chip (base material) 20 with the conductive connection sheet 1 and the terminal 41 provided on the interposer (opposite base material) 30 A heating step of heating the conductive connection sheet 1 to a temperature that is higher than the melting point of the first metal material and the resin composition layers 11 and 13 can be deformed, and the resin composition. Curing (solidification) step of curing or solidifying the material.

なお、接続部８１および封止層８０を形成するに際し、導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される場合と、熱可塑性樹脂組成物で構成される場合とでは、その形成方法が若干異なる。そのため、以下では、樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される場合を第１実施形態とし、熱可塑性樹脂組成物で構成される場合を第２実施形態として実施形態ごとに説明する。   In addition, when forming the connection part 81 and the sealing layer 80, when the resin composition layers 11 and 13 with which the electroconductive connection sheet 1 is provided are comprised with a curable resin composition, it is comprised with a thermoplastic resin composition. In some cases, the formation method is slightly different. Therefore, in the following, the case where the resin composition layers 11 and 13 are made of a curable resin composition is referred to as a first embodiment, and the case where the resin composition layers 11 and 13 are made of a thermoplastic resin composition is referred to as a second embodiment for each embodiment. explain.

＜＜第１実施形態＞＞
導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される第１実施形態では、半導体チップ２０が有する端子２１と、インターポーザー３０に設けられた端子４１との間に導電接続シート１を配置する配置工程と、第１の金属層１２１（第１の金属材料）の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない温度で導電接続シート１を加熱する加熱工程と、硬化性樹脂組成物の硬化を完了させる硬化工程とを有している。 << First Embodiment >>
In the first embodiment in which the resin composition layers 11 and 13 included in the conductive connection sheet 1 are formed of a curable resin composition, between the terminal 21 provided in the semiconductor chip 20 and the terminal 41 provided in the interposer 30. The disposing step of disposing the conductive connection sheet 1 and the curing of the curable resin composition that is equal to or higher than the melting point of the first metal layer 121 (first metal material) and that constitutes the resin composition layers 11 and 13. It has the heating process which heats the conductive connection sheet 1 at the temperature which is not completed, and the hardening process which completes hardening of curable resin composition.

以下、各工程について詳述する。
［１］配置工程
まず、半導体チップ２０と、端子４１が設けられたインターポーザー３０とを用意する。 Hereinafter, each process is explained in full detail.
[1] Arrangement Step First, the semiconductor chip 20 and the interposer 30 provided with the terminals 41 are prepared.

次いで、インターポーザー３０の端子４１側の面における、半導体チップ２０を搭載すべき搭載領域６５に導電接続シート１を載置する。このとき、導電接続シート１を、金属層１２において、第１の金属層１２１が選択的に設けられている第１の部分１５が、端子４１に対応するように配置する。   Next, the conductive connection sheet 1 is placed on the mounting region 65 where the semiconductor chip 20 is to be mounted on the surface of the interposer 30 on the terminal 41 side. At this time, the conductive connection sheet 1 is disposed in the metal layer 12 so that the first portion 15 where the first metal layer 121 is selectively provided corresponds to the terminal 41.

そして、この状態で、ロールラミネータまたはプレス等の装置を用いて、導電接続シート１をインターポーザー３０の端子４１側の面に熱圧着させる。これにより、第１の樹脂組成物層１１が溶融状態（変形可能な状態）となるため、インターポーザー３０から突出する端子４１は、第１の樹脂組成物層１１中に埋入することとなる。   In this state, the conductive connection sheet 1 is thermocompression bonded to the surface of the interposer 30 on the terminal 41 side using a roll laminator or a press. Thereby, since the 1st resin composition layer 11 will be in a molten state (deformable state), the terminal 41 which protrudes from the interposer 30 will be embedded in the 1st resin composition layer 11. FIG. .

さらに、この状態を維持したまま、インターポーザー３０の搭載領域６５に半導体チップ２０を載置する。この際、これらが備える端子２１と端子４１とがそれぞれ対向するように、インターポーザー３０に半導体チップ２０を位置あわせする（図３（ａ）参照。）。換言すれば、第１の部分１５に対して端子２１が対応するように、インターポーザー３０に半導体チップ２０を位置あわせする。   Further, the semiconductor chip 20 is mounted on the mounting area 65 of the interposer 30 while maintaining this state. At this time, the semiconductor chip 20 is aligned with the interposer 30 so that the terminals 21 and the terminals 41 provided in these faces each other (see FIG. 3A). In other words, the semiconductor chip 20 is aligned with the interposer 30 so that the terminal 21 corresponds to the first portion 15.

これにより、半導体チップ２０を、導電接続シート１を介してインターポーザー３０の搭載領域６５に配置したとき、対向する端子２１、４１同士の間には、導電接続シート１の第１の部分１５が、端子２１、４１以外の領域には、第２の部分１６が位置することになる。   Thereby, when the semiconductor chip 20 is disposed in the mounting area 65 of the interposer 30 via the conductive connection sheet 1, the first portion 15 of the conductive connection sheet 1 is between the opposing terminals 21 and 41. In the region other than the terminals 21 and 41, the second portion 16 is located.

なお、導電接続シート１は、図３（ａ）に示すように、インターポーザー３０の端子４１側に熱圧着される場合に限らず、半導体チップ２０の端子２１側に熱圧着されていてもよいし、これらの双方に熱圧着されていてもよい。   3A, the conductive connection sheet 1 is not limited to being thermocompression bonded to the terminal 41 side of the interposer 30, but may be thermocompression bonded to the terminal 21 side of the semiconductor chip 20. However, it may be thermocompression bonded to both of them.

［２］加熱工程
次に、前記配置工程［１］において、搭載領域６５において、半導体チップ２０とインターポーザー３０との間に配置された導電接続シート１を、図３（ｂ）に示すように、第１の金属層１２１の融点以上で加熱する。 [2] Heating Step Next, in the placement step [1], the conductive connection sheet 1 placed between the semiconductor chip 20 and the interposer 30 in the mounting region 65 is as shown in FIG. Then, heating is performed at a temperature equal to or higher than the melting point of the first metal layer 121.

加熱温度は、第１の金属層１２１の融点以上であればよく、例えば、加熱時間を短くするなど、加熱時間を調整することによって、金属材料が硬化性樹脂組成物中を移動できる範囲すなわち「硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない」範囲であれば、その上限は特に制限されない。   The heating temperature should just be more than melting | fusing point of the 1st metal layer 121, for example, the range which a metal material can move in the curable resin composition by adjusting heating time, such as shortening heating time, ie, " The upper limit is not particularly limited as long as the curing of the curable resin composition is not completed.

具体的には、加熱温度は、第１の金属層１２１の融点より５℃以上高い温度であるのが好ましく、１０℃以上高い温度であるのがより好ましく、２０℃以上高い温度であるのがさらに好ましく、３０℃以上高い温度であるのが特に好ましい。   Specifically, the heating temperature is preferably 5 ° C or more higher than the melting point of the first metal layer 121, more preferably 10 ° C or more, and more preferably 20 ° C or more. More preferably, the temperature is particularly preferably 30 ° C. or higher.

具体的には、加熱温度は、使用する第１の金属層１２１および硬化性樹脂組成物の組成等によって適宜設定されるが、１００℃以上であることが好ましく、１３０℃以上であることがより好ましく、１４０℃以上であることがさらに好ましく、１５０℃以上であることが最も好ましい。なお、接続すべき半導体チップ２０およびインターポーザー３０等の熱劣化を防止するという観点から、加熱温度は、２６０℃以下であることが好ましく、２５０℃以下であることがより好ましく、２４０℃以下であることがさらに好ましい。   Specifically, the heating temperature is appropriately set depending on the composition of the first metal layer 121 and the curable resin composition used, but is preferably 100 ° C. or higher, and more preferably 130 ° C. or higher. Preferably, it is 140 ° C. or higher, and most preferably 150 ° C. or higher. The heating temperature is preferably 260 ° C. or lower, more preferably 250 ° C. or lower, and 240 ° C. or lower from the viewpoint of preventing thermal deterioration of the semiconductor chip 20 and interposer 30 to be connected. More preferably it is.

このような温度で導電接続シート１を加熱すると、金属層１２（第１の金属層１２１および第２の金属層１２２の双方）が溶融し、溶融した金属層１２すなわち低融点の金属材料（第１の金属材料および第２の金属材料の双方）が、樹脂組成物層１１、１３中を移動できるようになる。   When the conductive connection sheet 1 is heated at such a temperature, the metal layer 12 (both the first metal layer 121 and the second metal layer 122) is melted, and the molten metal layer 12, that is, a low-melting-point metal material (first metal layer). Both the first metal material and the second metal material) can move in the resin composition layers 11 and 13.

この際、硬化性樹脂組成物にフラックス機能を有する化合物が含まれる場合、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、たとえ金属層１２の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜は、還元されることにより除去されることとなる。そのため、溶融状態の金属材料は、濡れ性が高められた状態であり、金属結合が促されていることから、対向して配置された端子２１、４１間に凝集し易い状態となる。   At this time, when a compound having a flux function is included in the curable resin composition, even if an oxide film is formed on the surface of the metal layer 12 due to the reducing action of the compound having the flux function, It is removed by being reduced. Therefore, the molten metal material is in a state in which the wettability is enhanced and the metal bonding is promoted, so that the molten metal material is likely to be aggregated between the terminals 21 and 41 arranged opposite to each other.

さらに、たとえ端子２１、４１の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜も、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、除去され、その濡れ性が高められることとなる。その結果、金属材料との金属結合が促され、かかる観点からも、対向して配置された端子２１、４１間に溶融状態の金属材料が凝集し易い状態となる。   Further, even if an oxide film is formed on the surfaces of the terminals 21 and 41, this oxide film is also removed by the reducing action of the compound having a flux function, and its wettability is enhanced. As a result, metal bonding with the metal material is promoted, and from this point of view, the molten metal material is easily aggregated between the terminals 21 and 41 arranged to face each other.

なお、第１の構成では、金属層１２が層状をなしており、導電接続シート１中には、金属材料で構成される粒子等が含まれていないため、溶融状態の金属層１２が複数個に分断されて端子２１、４１の表面に凝集する際に、その一部が端子４１に凝集することなく樹脂組成物層１１、１３中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、封止層８０に金属層１２の一部が残存することに起因するリーク電流の発生を確実に防止することができる。   In the first configuration, the metal layer 12 has a layer shape, and the conductive connection sheet 1 does not include particles or the like made of a metal material. It is possible to accurately suppress or prevent a part of the resin composition layers 11 and 13 from being agglomerated on the terminals 41 when they are divided into pieces and aggregated on the surfaces of the terminals 21 and 41. it can. Therefore, it is possible to reliably prevent the occurrence of a leakage current due to a part of the metal layer 12 remaining in the sealing layer 80.

以上のことから、溶融状態の金属材料は、硬化性樹脂成分中を移動して端子２１、４１間に選択的に凝集する。   From the above, the molten metal material moves through the curable resin component and selectively aggregates between the terminals 21 and 41.

このとき、本実施形態では、前記工程［１］で説明したように、半導体チップ２０を搭載すべき搭載領域６５において、対向する端子２１、４１同士の間に、第１の金属層１２１が選択的に形成されている第１の部分１５が対応するように導電接続シート１が配置されている。すなわち、対向する端子２１、４１同士が位置する領域には第１の部分１５が対応し、それ以外の領域には第２の部分１６が対応するように、インターポーザー３０上に導電接続シート１が配置されている。   At this time, in the present embodiment, as described in the step [1], the first metal layer 121 is selected between the opposing terminals 21 and 41 in the mounting region 65 where the semiconductor chip 20 is to be mounted. The conductive connection sheet 1 is arranged so as to correspond to the first portion 15 that is formed manually. That is, the conductive connection sheet 1 on the interposer 30 so that the first portion 15 corresponds to the region where the opposing terminals 21 and 41 are located, and the second portion 16 corresponds to the other region. Is arranged.

このことから、対向する端子２１、４１が位置する第１の部分１５では、第２の金属材料よりも高融点の第１の金属材料で構成される第１の金属層１２１が選択的に配置されることとなる。   Therefore, in the first portion 15 where the opposing terminals 21 and 41 are located, the first metal layer 121 made of the first metal material having a melting point higher than that of the second metal material is selectively disposed. Will be.

換言すれば、端子２１、４１同士の間に金属材料を選択的に凝集させてこれらを電気的に接合すべき第１の部分１５では第１の金属材料および第２の金属材料の双方が存在し、金属材料を残存させることなく樹脂成分を充填して絶縁性を維持すべき第２の部分１６では第２の金属材料が単独で存在することとなる。   In other words, both the first metal material and the second metal material are present in the first portion 15 where the metal material is selectively aggregated between the terminals 21 and 41 and these should be electrically joined. In addition, the second metal material is present alone in the second portion 16 that should be filled with the resin component without leaving the metal material to maintain insulation.

そのため、第１の金属層１２１および第２の金属層１２２の双方が溶融する第１の金属層（第１の金属材料）１２１の融点よりも高い温度で導電接続シート１を加熱すると、まず、融点が低い第２の金属層１２２が溶融し、その後融点が高い第１の金属層１２１が溶融する。そのため、第２の部分１６において単独で存在する第２の金属層（第２の金属材料）１２２が、溶融状態となることで、第１の金属層１２１、すなわち第１の部分１５に向かって、樹脂組成物層１１、１３中を移動（凝集）することとなる。   Therefore, when the conductive connection sheet 1 is heated at a temperature higher than the melting point of the first metal layer (first metal material) 121 in which both the first metal layer 121 and the second metal layer 122 are melted, The second metal layer 122 having a low melting point is melted, and then the first metal layer 121 having a high melting point is melted. Therefore, the second metal layer (second metal material) 122 that exists alone in the second portion 16 is in a molten state, so that it moves toward the first metal layer 121, that is, the first portion 15. Then, it moves (aggregates) in the resin composition layers 11 and 13.

したがって、凝集する金属材料（溶融した第１の金属層１２１および第２の金属層１２２）をより高い選択性をもって、第１の部分１５に位置する端子４１上に凝集させることができる。そして、凝集した金属材料の量が増大するにしたがって、最終的には、凝集した金属材料を介して端子２１と端子４１とが接続される。   Therefore, the aggregating metal materials (the melted first metal layer 121 and the second metal layer 122) can be agglomerated on the terminal 41 located in the first portion 15 with higher selectivity. As the amount of the aggregated metal material increases, the terminal 21 and the terminal 41 are finally connected via the aggregated metal material.

すなわち、図３（ｃ）に示すように、端子２１、４１の間には金属材料で構成される接続部８１が形成され、端子２１と端子４１とが接続部８１を介して電気的に接続される。このとき、接続部８１の周囲を取り囲んで硬化性樹脂組成物が、金属材料を混在することなく充填されて封止層８０が形成される。その結果、隣接する端子２１、４１間の絶縁性が確保されることから、隣接する端子２１、４１間のショートが防止されることとなる。   That is, as shown in FIG. 3C, a connection part 81 made of a metal material is formed between the terminals 21 and 41, and the terminal 21 and the terminal 41 are electrically connected via the connection part 81. Is done. At this time, the sealing layer 80 is formed by filling the curable resin composition surrounding the connection portion 81 without mixing the metal material. As a result, insulation between the adjacent terminals 21 and 41 is ensured, so that a short circuit between the adjacent terminals 21 and 41 is prevented.

なお、加熱温度は、最終的に、第１の金属層１２１の融点以上に設定すればよく、まず、第２の金属層１２２の融点よりも高く第１の金属層１２１の融点よりも低い温度に設定し、次いで、第１の金属層１２１の融点よりも高い温度に設定するようにしてもよい。かかる構成とすれば、第１の金属層１２１に先立って第２の金属層１２２を溶融状態にすることができるため、溶融状態の第２の金属層１２２をより確実に第１の部分１５に位置する第１の金属層１２１に向かって移動させることができる。   Note that the heating temperature may be finally set to be equal to or higher than the melting point of the first metal layer 121. First, the heating temperature is higher than the melting point of the second metal layer 122 and lower than the melting point of the first metal layer 121. Then, it may be set to a temperature higher than the melting point of the first metal layer 121. With such a configuration, the second metal layer 122 can be in a molten state prior to the first metal layer 121, so the second metal layer 122 in the molten state can be more securely attached to the first portion 15. It can be moved toward the first metal layer 121 located.

なお、第１の金属層１２１の融点と第２の金属層１２２の融点との差は、第２の金属層１２２の融点の方が第１の金属層１２１の融点よりも低くなっていれば良いが、２０℃以上であるのが好ましく、３０〜１００℃程度であるのがより好ましい。これにより、本工程［２］において、溶融状態の第２の金属層１２２の第１の金属層１２１に対する凝集が開始された後に、第１の金属層１２１を確実に溶融状態とすることができる。そのため、溶融状態の第２の金属層１２２をより的確に第１の部分１５に位置する第１の金属層１２１に凝集させることができる。   Note that the difference between the melting point of the first metal layer 121 and the melting point of the second metal layer 122 is such that the melting point of the second metal layer 122 is lower than the melting point of the first metal layer 121. Although it is good, it is preferably 20 ° C. or higher, and more preferably about 30 to 100 ° C. Thereby, in this process [2], after aggregation of the 2nd metal layer 122 of a molten state with respect to the 1st metal layer 121 is started, the 1st metal layer 121 can be reliably made into a molten state. . Therefore, the molten second metal layer 122 can be more accurately aggregated into the first metal layer 121 located in the first portion 15.

このような第１の金属層１２１と第２の金属層１２２との組み合わせとしては、例えば、第２の金属層１２２がＳｎ−５８Ｂｉ（融点１３９℃）で構成され、第１の金属層１２１がＳｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕ（融点２１７℃）、Ｓｎ−３．５Ａｇ（融点２２１℃）、Ｓｎ−９．０Ｚｎ（融点１９９℃）、Ｓｎ−３．５Ａｇ−０．５Ｂｉ−３．０Ｉｎ（融点１９３℃）のうちの何れかで構成される場合や、第２の金属層１２２がＳｎ−３７Ｐｂ（融点１８３℃）で構成され、第１の金属層１２１がＡｕ−２０Ｓｎ（融点２８０℃）で構成される場合等が挙げられる。   As such a combination of the first metal layer 121 and the second metal layer 122, for example, the second metal layer 122 is made of Sn-58Bi (melting point: 139 ° C.), and the first metal layer 121 is made of Sn-3.0Ag-0.5Cu (melting point 217 ° C.), Sn-3.5Ag (melting point 221 ° C.), Sn-9.0Zn (melting point 199 ° C.), Sn-3.5Ag-0.5Bi-3.0In (Melting point 193 ° C.), the second metal layer 122 is made of Sn-37Pb (melting point 183 ° C.), and the first metal layer 121 is Au-20Sn (melting point 280 ° C.). ) And the like.

また、本構成において、第１の部分１５における金属層１２の厚さ、すなわち、第１の金属層１２１と第２の金属層１２２の合計厚さは、特に限定されるものではなく、対向する端子２１、４１間のギャップ、および隣接する端子間２１、４１の離隔距離等に応じて適宜設定されるが、上記のように、半導体チップ２０とこれを搭載するインターポーザー３０における端子２１、４１間の接続においては、第１の部分１５における金属層１２の厚みは、０．５μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることがより好ましく、２μｍ以上であることがさらに好ましく、また、２００μｍ以下であることが好ましく、１５０μｍ以下であることがより好ましく、１００μｍ以下であることがさらに好ましい。第１の部分１５における金属層１２の厚みが前記下限未満になると金属層１２を構成する金属材料の不足により未接続の端子２１、４１が生じるおそれがあり、また、前記上限を超えると金属材料の余剰により隣接する端子２１、４１間で接続部８１によるブリッジを起こし、ショートが生じるおそれがある。   In the present configuration, the thickness of the metal layer 12 in the first portion 15, that is, the total thickness of the first metal layer 121 and the second metal layer 122 is not particularly limited, and is opposed. Although appropriately set according to the gap between the terminals 21 and 41 and the separation distance between the adjacent terminals 21 and 41, as described above, the terminals 21 and 41 in the semiconductor chip 20 and the interposer 30 on which the semiconductor chip 20 is mounted. In the connection between them, the thickness of the metal layer 12 in the first portion 15 is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm or more, further preferably 2 μm or more, and 200 μm. Or less, more preferably 150 μm or less, and even more preferably 100 μm or less. If the thickness of the metal layer 12 in the first portion 15 is less than the lower limit, unconnected terminals 21 and 41 may be generated due to a shortage of the metal material constituting the metal layer 12, and if the upper limit is exceeded, the metal material There is a risk that a short circuit may occur due to bridging by the connecting portion 81 between the adjacent terminals 21 and 41 due to surplus.

さらに、本構成では、第１の部分１５における金属層１２の厚さ、すなわち第１の金属層１２１と第２の金属層１２２の合計厚さが、第２の部分１６における金属層１２の厚さ、すなわち第２の金属層１２２の厚さよりも厚くなっているが、第１の部分における金属層１２の厚さをＡ［μｍ］とし、第２の部分における金属層１２の厚さをＢ［μｍ］としたとき、これらの厚さの比であるＡ／Ｂは、２〜２０程度であるのが好ましく、３〜１０程度であるのがより好ましい。これにより、溶融状態の第２の金属層１２２を、より優れた選択性をもって、第１の金属層１２１に凝集させることができるようになる。   Further, in this configuration, the thickness of the metal layer 12 in the first portion 15, that is, the total thickness of the first metal layer 121 and the second metal layer 122 is the thickness of the metal layer 12 in the second portion 16. That is, the thickness of the metal layer 12 in the first part is A [μm], and the thickness of the metal layer 12 in the second part is B. When it is set to [μm], A / B which is a ratio of these thicknesses is preferably about 2 to 20, more preferably about 3 to 10. As a result, the molten second metal layer 122 can be aggregated into the first metal layer 121 with better selectivity.

以上のような導電接続シート１を用いた接続部８１および封止層８０の形成方法では、加熱溶融した金属材料を選択的に端子２１、４１間で凝集させて接続部８１を形成し、その周囲に硬化性樹脂組成物で構成された封止層８０を形成することができる。その結果、隣接する端子２１、４１間の絶縁性を確保してリーク電流の発生を確実に防ぐことができるので、端子２１、４１間の接続部８１を介した接続の接続信頼性を高めることができる。   In the method of forming the connection part 81 and the sealing layer 80 using the conductive connection sheet 1 as described above, the connection part 81 is formed by selectively agglomerating the heated and melted metal material between the terminals 21 and 41, A sealing layer 80 made of a curable resin composition can be formed around the periphery. As a result, the insulation between the adjacent terminals 21 and 41 can be secured and the occurrence of leakage current can be reliably prevented, so that the connection reliability of the connection via the connection portion 81 between the terminals 21 and 41 is improved. Can do.

また、微細な配線回路においても多数の端子２１、４１間の電気的接続を一括で実施することが可能となる。さらに、次工程［３］において、硬化性樹脂組成物を硬化させることにより接続部８１および封止層８０の機械的強度を高めることができる。   In addition, even in a fine wiring circuit, electrical connection between a large number of terminals 21 and 41 can be performed collectively. Furthermore, in the next step [3], the mechanical strength of the connection portion 81 and the sealing layer 80 can be increased by curing the curable resin composition.

なお、本工程［２］では、対向する端子２１、４１間の距離を近づけるように、半導体チップ２０とインターポーザー３０とを加圧した状態で加熱してもよい。例えば、図３（ｂ）中の半導体チップ２０とインターポーザー３０とが接近する方向に公知の熱圧着装置等の手段を用いて加熱および加圧することにより、対向する端子２１、４１間の距離を一定に制御することができるため、対向する端子２１、４１間の接続部８１による電気的な接続信頼性を高めることが可能となる。   In this step [2], the semiconductor chip 20 and the interposer 30 may be heated in a pressurized state so that the distance between the opposing terminals 21 and 41 is reduced. For example, the distance between the terminals 21 and 41 facing each other can be increased by heating and pressurizing the semiconductor chip 20 and the interposer 30 in FIG. Since it can be controlled to be constant, it is possible to increase the electrical connection reliability by the connecting portion 81 between the opposing terminals 21 and 41.

さらに、加圧または加熱する際に超音波や電場等を加えたり、レーザーや電磁誘導等の特殊加熱を適用してもよい。   Furthermore, when applying pressure or heating, an ultrasonic wave or an electric field may be applied, or special heating such as laser or electromagnetic induction may be applied.

なお、本構成では、図２に示すように、第１の金属層１２１は、第１の部分１５において、第２の金属層１２２の全面を覆うように形成されている場合について説明したが、かかる場合に限定されず、平面視で第２の金属層１２２の少なくとも一部に形成されていればよく、その形状は特に限定されるものではない。   In the present configuration, as shown in FIG. 2, the first metal layer 121 has been described so as to cover the entire surface of the second metal layer 122 in the first portion 15. The shape is not particularly limited, and the shape is not particularly limited as long as it is formed on at least a part of the second metal layer 122 in a plan view.

［３］硬化工程
次に、前記加熱工程［２］において、接続部８１と封止層８０とを形成した後、硬化性樹脂組成物を硬化させることにより、封止層８０を固定する。 [3] Curing Step Next, in the heating step [2], after forming the connecting portion 81 and the sealing layer 80, the sealing layer 80 is fixed by curing the curable resin composition.

これにより、端子２１、４１間の接続部８１による電気的信頼性、および、封止層８０による機械的信頼性の双方を十分に確保することができる。   Thereby, both the electrical reliability by the connection part 81 between the terminals 21 and 41 and the mechanical reliability by the sealing layer 80 are fully securable.

特に本実施形態では、高溶融粘度時に高絶縁抵抗値を有する硬化性樹脂組成物を使用しているため、封止層（絶縁性領域）８０の絶縁性をより確実に確保することができる。   In particular, in this embodiment, since the curable resin composition having a high insulation resistance value at the time of high melt viscosity is used, the insulation of the sealing layer (insulating region) 80 can be more reliably ensured.

硬化性樹脂組成物の硬化は、硬化性樹脂組成物を加熱することによって実施することができる。硬化性樹脂組成物の硬化温度は、硬化性樹脂組成物の組成に応じて適宜設定することができる。具体的には、前記加熱工程［２］での加熱温度より少なくとも５℃低い温度であることが好ましく、少なくとも１０℃低い温度であることがより好ましい。より具体的には、１００℃以上であることが好ましく、１２０℃以上であることがより好ましく、１３０℃以上であることがさらに好ましく、１５０℃以上であることが最も好ましい。また、３００℃以下であることが好ましく、２６０℃以下であることがより好ましく、２５０℃以下であることがさらに好ましく、２４０℃以下であることが最も好ましい。硬化温度が前記範囲内にあると、導電接続シート１が熱分解してしまうのを確実に防止しつつ、硬化性樹脂組成物を十分に硬化させることができる。   Curing of the curable resin composition can be carried out by heating the curable resin composition. The curing temperature of the curable resin composition can be appropriately set according to the composition of the curable resin composition. Specifically, the temperature is preferably at least 5 ° C. lower than the heating temperature in the heating step [2], and more preferably at least 10 ° C. lower. More specifically, it is preferably 100 ° C. or higher, more preferably 120 ° C. or higher, further preferably 130 ° C. or higher, and most preferably 150 ° C. or higher. Moreover, it is preferable that it is 300 degrees C or less, It is more preferable that it is 260 degrees C or less, It is more preferable that it is 250 degrees C or less, It is most preferable that it is 240 degrees C or less. When the curing temperature is within the above range, the curable resin composition can be sufficiently cured while reliably preventing the conductive connection sheet 1 from being thermally decomposed.

以上のような工程を経て、搭載領域６５において、半導体チップ２０とインターポーザー３０との間に、接続部８１および封止層８０が形成されることから、半導体チップ２０とインターポーザー３０とが電気的に接続される。   Through the steps described above, since the connection portion 81 and the sealing layer 80 are formed between the semiconductor chip 20 and the interposer 30 in the mounting region 65, the semiconductor chip 20 and the interposer 30 are electrically connected. Connected.

＜＜第２実施形態＞＞
導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が熱可塑性樹脂組成物で構成される第２実施形態では、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間に導電接続シート１を配置する配置工程と、第１の金属層１２１（第１の金属材料）の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する熱可塑性樹脂組成物が軟化する温度で導電接続シート１を加熱する加熱工程と、熱可塑性樹脂組成物を固化させる固化工程とを有している。 << Second Embodiment >>
In the second embodiment in which the resin composition layers 11, 13 included in the conductive connection sheet 1 are made of a thermoplastic resin composition, an arrangement step of arranging the conductive connection sheet 1 between the semiconductor chip 20 and the interposer 30. Heating the conductive connection sheet 1 at a temperature equal to or higher than the melting point of the first metal layer 121 (first metal material) and at which the thermoplastic resin composition constituting the resin composition layers 11 and 13 is softened. A step and a solidifying step of solidifying the thermoplastic resin composition.

以下、各工程について詳述する。
［１］配置工程
樹脂組成物層１１、１３が熱可塑性樹脂組成物で構成される本実施形態においても、樹脂組成物層１１、１３が熱硬化性樹脂組成物で構成される前記第１実施形態と同様にして、インターポーザー３０の端子４１側の面における、半導体チップ２０を搭載すべき搭載領域６５に導電接続シート１を載置する。このとき、導電接続シート１を、第１の金属層１２１が選択的に設けられている第１の部分１５が、端子４１に対応するように配置する。 Hereinafter, each process is explained in full detail.
[1] Arrangement Step The first embodiment in which the resin composition layers 11 and 13 are made of a thermosetting resin composition also in the present embodiment in which the resin composition layers 11 and 13 are made of a thermoplastic resin composition. In the same manner as the embodiment, the conductive connection sheet 1 is placed on the mounting region 65 where the semiconductor chip 20 is to be mounted on the surface of the interposer 30 on the terminal 41 side. At this time, the conductive connection sheet 1 is disposed so that the first portion 15 in which the first metal layer 121 is selectively provided corresponds to the terminal 41.

［２］加熱工程
次に、前記配置工程［１］において、半導体チップ２０と、端子４１が設けられたインターポーザー３０との間に配置された導電接続シート１を、図３（ｂ）に示すように、第１の金属層１２１の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する熱可塑性樹脂組成物が軟化する温度で加熱する。 [2] Heating Step Next, the conductive connection sheet 1 arranged between the semiconductor chip 20 and the interposer 30 provided with the terminals 41 in the arrangement step [1] is shown in FIG. Thus, it heats at the temperature which is more than melting | fusing point of the 1st metal layer 121, and the thermoplastic resin composition which comprises the resin composition layers 11 and 13 softens.

加熱温度は、第１の金属層１２１の融点より５℃以上高い温度であるのが好ましく、１０℃以上高い温度であるのがより好ましく、２０℃以上高い温度であるのがさらに好ましく、３０℃以上高い温度であるのが特に好ましい。   The heating temperature is preferably 5 ° C or higher than the melting point of the first metal layer 121, preferably 10 ° C or higher, more preferably 20 ° C or higher, more preferably 30 ° C. A higher temperature is particularly preferable.

具体的には、加熱温度は、使用する第１の金属層１２１および熱可塑性樹脂組成物の組成等によって適宜設定されるが、例えば、前述した第１実施形態の加熱工程［２］で説明したのと同様の温度範囲に設定される。   Specifically, the heating temperature is appropriately set depending on the composition of the first metal layer 121 and the thermoplastic resin composition to be used. For example, as described in the heating step [2] of the first embodiment described above. It is set to the same temperature range as.

このような温度で導電接続シート１を加熱すると、金属層１２（第１の金属層１２１および第２の金属層１２２の双方）が溶融し、溶融した金属層１２すなわち低融点の金属材料（第１の金属材料および第２の金属材料の双方）が、樹脂組成物層１１、１３中を移動できるようになる。   When the conductive connection sheet 1 is heated at such a temperature, the metal layer 12 (both the first metal layer 121 and the second metal layer 122) is melted, and the molten metal layer 12, that is, a low-melting-point metal material (first metal layer). Both the first metal material and the second metal material) can move in the resin composition layers 11 and 13.

この際、熱可塑性樹脂組成物にフラックス機能を有する化合物が含まれる場合、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、たとえ金属層１２の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜は、還元されることにより除去されることとなる。そのため、溶融状態の金属材料は、濡れ性が高められた状態であり、金属結合が促されていることから、対向して配置された端子２１、４１間に凝集し易い状態となる。   At this time, when a compound having a flux function is included in the thermoplastic resin composition, even if an oxide film is formed on the surface of the metal layer 12 due to the reducing action of the compound having the flux function, It is removed by being reduced. Therefore, the molten metal material is in a state in which the wettability is enhanced and the metal bonding is promoted, so that the molten metal material is likely to be aggregated between the terminals 21 and 41 arranged opposite to each other.

さらに、たとえ端子２１、４１の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜も、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、除去され、その濡れ性が高められることとなる。その結果、金属材料との金属結合が促され、かかる観点からも、対向して配置された端子２１、４１間に溶融状態の金属材料が凝集し易い状態となる。   Further, even if an oxide film is formed on the surfaces of the terminals 21 and 41, this oxide film is also removed by the reducing action of the compound having a flux function, and its wettability is enhanced. As a result, metal bonding with the metal material is promoted, and from this point of view, the molten metal material is easily aggregated between the terminals 21 and 41 arranged to face each other.

なお、第１の構成では、金属層１２が層状をなしており、導電接続シート１中には、金属材料で構成される粒子等が含まれていないため、溶融状態の金属層１２が複数個に分断されて端子２１、４１の表面に凝集する際に、その一部が端子４１に凝集することなく樹脂組成物層１１、１３中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、封止層８０に金属層１２の一部が残存することに起因するリーク電流の発生を確実に防止することができる。   In the first configuration, the metal layer 12 has a layer shape, and the conductive connection sheet 1 does not include particles or the like made of a metal material. It is possible to accurately suppress or prevent a part of the resin composition layers 11 and 13 from being agglomerated on the terminals 41 when they are divided into pieces and aggregated on the surfaces of the terminals 21 and 41. it can. Therefore, it is possible to reliably prevent the occurrence of a leakage current due to a part of the metal layer 12 remaining in the sealing layer 80.

以上のことから、溶融状態の金属材料は、熱可塑性樹脂成分中を移動して端子２１、４１間に選択的に凝集する。   From the above, the molten metal material moves through the thermoplastic resin component and selectively aggregates between the terminals 21 and 41.

このとき、本実施形態では、前記工程［１］で説明したように、半導体チップ２０を搭載すべき搭載領域６５において、対向する端子２１、４１同士の間に、第１の金属層１２１が選択的に形成されている第１の部分１５が対応するように導電接続シート１が配置されている。すなわち、対向する端子２１、４１同士が位置する領域には第１の部分１５が対応し、それ以外の領域には第２の部分１６が対応するように、インターポーザー３０上に導電接続シート１が配置されている。   At this time, in the present embodiment, as described in the step [1], the first metal layer 121 is selected between the opposing terminals 21 and 41 in the mounting region 65 where the semiconductor chip 20 is to be mounted. The conductive connection sheet 1 is arranged so as to correspond to the first portion 15 that is formed manually. That is, the conductive connection sheet 1 on the interposer 30 so that the first portion 15 corresponds to the region where the opposing terminals 21 and 41 are located, and the second portion 16 corresponds to the other region. Is arranged.

このことから、対向する端子２１、４１が位置する第１の部分１５では、第２の金属材料よりも高融点の第１の金属材料で構成される第１の金属層１２１が選択的に配置されることとなる。   Therefore, in the first portion 15 where the opposing terminals 21 and 41 are located, the first metal layer 121 made of the first metal material having a melting point higher than that of the second metal material is selectively disposed. Will be.

換言すれば、端子２１、４１同士の間に金属材料を選択的に凝集させてこれらを電気的に接合すべき第１の部分１５では第１の金属材料および第２の金属材料の双方が存在し、金属材料を残存させることなく樹脂成分を充填して絶縁性を維持すべき第２の部分１６では第２の金属材料が単独で存在することとなる。   In other words, both the first metal material and the second metal material are present in the first portion 15 where the metal material is selectively aggregated between the terminals 21 and 41 and these should be electrically joined. In addition, the second metal material is present alone in the second portion 16 that should be filled with the resin component without leaving the metal material to maintain insulation.

そのため、第１の金属層１２１および第２の金属層１２２の双方が溶融する第１の金属層（第１の金属材料）１２１の融点よりも高い温度で導電接続シート１を加熱すると、まず、融点が低い第２の金属層１２２が溶融し、その後融点が高い第１の金属層１２１が溶融する。そのため、第２の部分１６において単独で存在する第２の金属層（第２の金属材料）１２２が、溶融状態となることで、第１の金属層１２１、すなわち第１の部分１５に向かって、樹脂組成物層１１、１３中を移動（凝集）することとなる。   Therefore, when the conductive connection sheet 1 is heated at a temperature higher than the melting point of the first metal layer (first metal material) 121 in which both the first metal layer 121 and the second metal layer 122 are melted, The second metal layer 122 having a low melting point is melted, and then the first metal layer 121 having a high melting point is melted. Therefore, the second metal layer (second metal material) 122 that exists alone in the second portion 16 is in a molten state, so that it moves toward the first metal layer 121, that is, the first portion 15. Then, it moves (aggregates) in the resin composition layers 11 and 13.

したがって、凝集する金属材料（溶融した第１の金属層１２１および第２の金属層１２２）をより高い選択性をもって、第１の部分１５に位置する端子４１上に凝集させることができる。そして、凝集した金属材料の量が増大するにしたがって、最終的には、凝集した金属材料を介して端子２１と端子４１とが接続される。   Therefore, the aggregating metal materials (the melted first metal layer 121 and the second metal layer 122) can be agglomerated on the terminal 41 located in the first portion 15 with higher selectivity. As the amount of the aggregated metal material increases, the terminal 21 and the terminal 41 are finally connected via the aggregated metal material.

すなわち、図３（ｃ）に示すように、端子２１、４１の間には金属材料で構成される接続部８１が形成され、端子２１と端子４１とが接続部８１を介して電気的に接続される。このとき、接続部８１の周囲を取り囲んで熱可塑性樹脂組成物が、金属材料を混在することなく充填されて封止層８０が形成される。その結果、隣接する端子２１、４１間の絶縁性が確保されることから、隣接する端子２１、４１間のショートが防止されることとなる。   That is, as shown in FIG. 3C, a connection part 81 made of a metal material is formed between the terminals 21 and 41, and the terminal 21 and the terminal 41 are electrically connected via the connection part 81. Is done. At this time, the sealing layer 80 is formed by surrounding the periphery of the connecting portion 81 and filling the thermoplastic resin composition without mixing metal materials. As a result, insulation between the adjacent terminals 21 and 41 is ensured, so that a short circuit between the adjacent terminals 21 and 41 is prevented.

以上のような接続部８１および封止層８０の形成方法では、加熱溶融した金属材料を選択的に端子２１、４１間で凝集させて接続部８１を形成し、その周囲に熱可塑性樹脂組成物で構成された封止層８０を形成することができる。その結果、隣接する端子２１、４１間の絶縁性を確保してリーク電流の発生を確実に防ぐことができるので、端子２１、４１間の接続部８１を介した接続の接続信頼性を高めることができる。   In the method for forming the connection portion 81 and the sealing layer 80 as described above, the metal material heated and melted is selectively aggregated between the terminals 21 and 41 to form the connection portion 81, and the thermoplastic resin composition is formed around the connection portion 81. The sealing layer 80 comprised by this can be formed. As a result, the insulation between the adjacent terminals 21 and 41 can be secured and the occurrence of leakage current can be reliably prevented, so that the connection reliability of the connection via the connection portion 81 between the terminals 21 and 41 is improved. Can do.

また、微細な配線回路においても多数の端子２１、４１間の電気的接続を一括で実施することが可能となる。さらに、次工程［３］において、熱可塑性樹脂組成物を固化させることにより接続部８１および封止層８０の機械的強度を高めることができる。   In addition, even in a fine wiring circuit, electrical connection between a large number of terminals 21 and 41 can be performed collectively. Furthermore, in the next step [3], the mechanical strength of the connection portion 81 and the sealing layer 80 can be increased by solidifying the thermoplastic resin composition.

［３］固化工程
次に、前記加熱工程［２］において、接続部８１と封止層８０とを形成した後、熱可塑性樹脂組成物を固化させることにより、封止層８０を固定する。 [3] Solidification Step Next, in the heating step [2], after forming the connection portion 81 and the sealing layer 80, the sealing layer 80 is fixed by solidifying the thermoplastic resin composition.

これにより、端子２１、４１間の接続部８１による電気的信頼性、および、封止層８０による機械的信頼性の双方を十分に確保することができる。   Thereby, both the electrical reliability by the connection part 81 between the terminals 21 and 41 and the mechanical reliability by the sealing layer 80 are fully securable.

熱可塑性樹脂組成物の固化は、前記加熱工程［２］で加熱した熱可塑性樹脂組成物を冷却することによって実施することができる。   Solidification of the thermoplastic resin composition can be carried out by cooling the thermoplastic resin composition heated in the heating step [2].

熱可塑性樹脂組成物の冷却による熱可塑性樹脂組成物の固化すなわち封止層８０の固定は、熱可塑性樹脂組成物の組成に応じて適宜選択される。具体的には、自然冷却による方法でもよく、また、冷気を吹きつける等の方法から適宜選択される。   Solidification of the thermoplastic resin composition by cooling of the thermoplastic resin composition, that is, fixing of the sealing layer 80 is appropriately selected according to the composition of the thermoplastic resin composition. Specifically, a method by natural cooling may be used, and a method such as blowing cold air is appropriately selected.

熱可塑性樹脂組成物の固化温度は、特に限定されないが、金属層１２の融点より低いことが好ましい。具体的には、熱可塑性樹脂組成物の固化温度は、金属層１２の融点より１０℃以上低いことが好ましく、２０℃以上低いことがより好ましい。また、熱可塑性樹脂組成物の固化温度は、５０℃以上であることが好ましく、６０℃以上であることがより好ましく、１００℃以上であることがさらに好ましい。熱可塑性樹脂組成物の固化温度が前記範囲内にあると、接続部８１を確実に形成することができるとともに、封止層８０を優れた耐熱性を発揮するものとすることができる。その結果、隣接する端子２１、４１間の絶縁性が的確に確保され、隣接する端子２１、４１間のショートをより確実に防止することができる。   The solidification temperature of the thermoplastic resin composition is not particularly limited, but is preferably lower than the melting point of the metal layer 12. Specifically, the solidification temperature of the thermoplastic resin composition is preferably 10 ° C. or more lower than the melting point of the metal layer 12, more preferably 20 ° C. or more. Moreover, it is preferable that the solidification temperature of a thermoplastic resin composition is 50 degreeC or more, It is more preferable that it is 60 degreeC or more, It is further more preferable that it is 100 degreeC or more. When the solidification temperature of the thermoplastic resin composition is within the above range, the connecting portion 81 can be reliably formed, and the sealing layer 80 can exhibit excellent heat resistance. As a result, insulation between the adjacent terminals 21 and 41 can be ensured accurately, and a short circuit between the adjacent terminals 21 and 41 can be prevented more reliably.

以上のような工程を経て、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間に、接続部８１および封止層８０が形成される。   Through the steps as described above, the connection portion 81 and the sealing layer 80 are formed between the semiconductor chip 20 and the interposer 30.

なお、第１実施形態および第２実施形態では、半導体チップ２０とインターポーザー３０とがそれぞれ備える端子２１と端子４１との間に、接続部８１を形成して電気的に接続する場合について説明したが、かかる場合に限定されず、各種電子機器が有する電子部品が備える端子同士を電気的に接続する場合に適用することができ、電子部品としては、例えば、半導体ウエハ、リジッド基板およびフレキシブル基板等が挙げられる。   In the first embodiment and the second embodiment, the case where the connection portion 81 is formed and electrically connected between the terminal 21 and the terminal 41 included in the semiconductor chip 20 and the interposer 30 has been described. However, the present invention is not limited to this case, and can be applied to electrically connecting terminals included in electronic components of various electronic devices. Examples of the electronic components include a semiconductor wafer, a rigid substrate, and a flexible substrate. Is mentioned.

＜本発明の接続端子の形成方法＞
次に、本発明の接続端子の形成方法を用いて、接続部８１と封止層８０とを形成する場合について説明する。 <Method for Forming Connection Terminal of the Present Invention>
Next, the case where the connection part 81 and the sealing layer 80 are formed using the connection terminal forming method of the present invention will be described.

この場合、まず、本発明の接続端子の形成方法を適用して、半導体チップ２０に、端子２１に対応して接続端子８５を形成するともに、この接続端子８５を取り囲むように補強層８６を形成し、次いで、これら接続端子８５と補強層８６が設けられた半導体チップ２０を、インターポーザー３０に接続（実装）することで、半導体チップ２０とインターポーザー３０との間に接続部８１と封止層８０とが形成される。   In this case, first, a connection terminal 85 is formed on the semiconductor chip 20 corresponding to the terminal 21 by applying the connection terminal forming method of the present invention, and a reinforcing layer 86 is formed so as to surround the connection terminal 85. Then, the semiconductor chip 20 provided with the connection terminals 85 and the reinforcing layer 86 is connected (mounted) to the interposer 30, so that the connection portion 81 is sealed between the semiconductor chip 20 and the interposer 30. Layer 80 is formed.

以下では、本発明の接続端子の形成方法を適用して、半導体チップ２０の端子２１側の面に接続端子８５と補強層８６とを形成する方法について詳述する。   Hereinafter, a method for forming the connection terminal 85 and the reinforcing layer 86 on the surface on the terminal 21 side of the semiconductor chip 20 by applying the connection terminal forming method of the present invention will be described in detail.

図４は、本発明の接続端子の形成方法を用いて、半導体チップが備える端子に対応して接続端子を形成する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。   FIG. 4 is a longitudinal sectional view for explaining a method of forming connection terminals corresponding to the terminals provided in the semiconductor chip using the connection terminal forming method of the present invention. In the following description, the upper side in FIG. 4 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

以下に説明する接続端子８５および補強層８６の形成方法では、半導体チップ２０上に導電接続シート１を配置する配置工程と、第１の金属材料の融点以上であり、かつ、樹脂組成物層１１、１３が変形可能な温度に導電接続シート１を加熱する加熱工程とを有している。   In the method for forming the connection terminal 85 and the reinforcing layer 86 described below, the resin composition layer 11 has a disposing step of disposing the conductive connection sheet 1 on the semiconductor chip 20 and the melting point of the first metal material. , 13 has a heating step of heating the conductive connection sheet 1 to a deformable temperature.

なお、接続端子８５と補強層８６とを形成するに際し、導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される場合と、熱可塑性樹脂組成物で構成される場合とでは、その形成方法が若干異なる。そのため、以下では、樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される場合を第３実施形態とし、熱可塑性樹脂組成物で構成される場合を第４実施形態として実施形態ごとに説明する。   In addition, when forming the connection terminal 85 and the reinforcement layer 86, when the resin composition layers 11 and 13 with which the conductive connection sheet 1 is provided are composed of a curable resin composition, it is composed of a thermoplastic resin composition. In some cases, the formation method is slightly different. Therefore, in the following, the case where the resin composition layers 11 and 13 are made of a curable resin composition is referred to as a third embodiment, and the case where the resin composition layers 11 and 13 are made of a thermoplastic resin composition is described as a fourth embodiment for each embodiment. explain.

＜＜第３実施形態＞＞
導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される第３実施形態では、半導体チップ２０上に導電接続シート１を配置する配置工程と、第１の金属層１２１（第１の金属材料）の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない温度で導電接続シート１を加熱する加熱工程とを有している。 << Third Embodiment >>
In the third embodiment in which the resin composition layers 11 and 13 included in the conductive connection sheet 1 are made of a curable resin composition, an arrangement step of arranging the conductive connection sheet 1 on the semiconductor chip 20, and a first metal layer A heating step of heating the conductive connecting sheet 1 at a temperature equal to or higher than the melting point of 121 (first metal material) and at which the curing of the curable resin composition constituting the resin composition layers 11 and 13 is not completed. ing.

以下、各工程について詳述する。
［１］配置工程
まず、半導体チップ２０を用意する。 Hereinafter, each process is explained in full detail.
[1] Arrangement Step First, the semiconductor chip 20 is prepared.

次いで、半導体チップ２０の端子２１側の面上に導電接続シート１を載置する。このとき、導電線接続シート１の第１の部分１５が端子２１に対応し、第２の部分１６が端子２１以外の領域に対応するように配置する。また、本実施形態では、金属層１２の第１の金属層１２１が形成されているのと反対側の面、すなわち導電接続シート１の第１の樹脂組成物層１１側の面が、半導体チップ２０と対向するように、半導体チップ２０上に導電接続シート１を載置する（図４（ａ）参照。）。   Next, the conductive connection sheet 1 is placed on the surface of the semiconductor chip 20 on the terminal 21 side. At this time, it arrange | positions so that the 1st part 15 of the conductive wire connection sheet | seat 1 may respond | correspond to the terminal 21, and the 2nd part 16 may respond | correspond to area | regions other than the terminal 21. FIG. In the present embodiment, the surface of the metal layer 12 opposite to the side where the first metal layer 121 is formed, that is, the surface of the conductive connection sheet 1 on the first resin composition layer 11 side is the semiconductor chip. The conductive connection sheet 1 is placed on the semiconductor chip 20 so as to face 20 (see FIG. 4A).

そして、この状態で、ロールラミネータまたはプレス等の装置を用いて、導電接続シート１を半導体チップ２０の端子２１側の面に熱圧着させる。これにより、第１の樹脂組成物層１１が溶融状態となるため、半導体チップ２０から突出する端子２１は、第１の樹脂組成物層１１中に埋入することとなる。   In this state, the conductive connection sheet 1 is thermocompression bonded to the surface on the terminal 21 side of the semiconductor chip 20 using an apparatus such as a roll laminator or a press. Thereby, since the first resin composition layer 11 is in a molten state, the terminals 21 protruding from the semiconductor chip 20 are embedded in the first resin composition layer 11.

［２］加熱工程
次に、前記配置工程［１］において、インターポーザー３０上に配置された導電接続シート１（金属層１２）を、図４（ｂ）に示すように、第１の金属層１２１（第１の金属材料）の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない温度で加熱する。 [2] Heating step Next, in the arrangement step [1], the conductive connection sheet 1 (metal layer 12) arranged on the interposer 30 is formed with the first metal layer as shown in FIG. It heats at the temperature which is more than melting | fusing point of 121 (1st metal material), and the hardening of the curable resin composition which comprises the resin composition layers 11 and 13 is not completed.

導電接続シート１を加熱する温度は、前記第１実施形態の加熱工程［２］で導電接続シート１を加熱した温度と同様の温度に設定される。   The temperature for heating the conductive connection sheet 1 is set to the same temperature as the temperature for heating the conductive connection sheet 1 in the heating step [2] of the first embodiment.

このような温度で導電接続シート１を加熱すると、金属層１２（第１の金属層１２１および第２の金属層１２２の双方）が溶融し、溶融した金属層１２すなわち低融点の金属材料（第１の金属材料および第２の金属材料の双方）が、樹脂組成物層１１、１３中を移動できるようになる。   When the conductive connection sheet 1 is heated at such a temperature, the metal layer 12 (both the first metal layer 121 and the second metal layer 122) is melted, and the molten metal layer 12, that is, a low-melting-point metal material (first metal layer). Both the first metal material and the second metal material) can move in the resin composition layers 11 and 13.

この際、硬化性樹脂組成物にフラックス機能を有する化合物が含まれる場合、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、たとえ金属層１２の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜は、還元されることにより除去されることとなる。そのため、溶融状態の金属材料は、濡れ性が高められた状態であり、金属結合が促されていることから、端子２１上に凝集し易い状態となる。   At this time, when a compound having a flux function is included in the curable resin composition, even if an oxide film is formed on the surface of the metal layer 12 due to the reducing action of the compound having the flux function, It is removed by being reduced. Therefore, the molten metal material is in a state in which the wettability is enhanced and the metal bonding is promoted, so that the molten metal material is easily aggregated on the terminal 21.

さらに、たとえ端子２１の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜も、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、除去され、その濡れ性が高められることとなる。その結果、金属材料との金属結合が促され、かかる観点からも、対向して配置された端子２１間に溶融状態の金属材料が凝集し易い状態となる。   Further, even if an oxide film is formed on the surface of the terminal 21, this oxide film is also removed by the reducing action of the compound having a flux function, and its wettability is enhanced. As a result, metal bonding with the metal material is promoted, and from this point of view, the molten metal material is easily aggregated between the terminals 21 arranged to face each other.

なお、第１の構成では、金属層１２が層状をなしており、導電接続シート１中には、金属材料で構成される粒子等が含まれていないため、溶融状態の金属層１２が複数個に分断されて端子２１上に凝集する際に、その一部が端子２１に凝集することなく樹脂組成物層１１、１３中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、補強層８６に金属層１２の一部が残存することに起因するリーク電流の発生を確実に防止することができる。   In the first configuration, the metal layer 12 has a layer shape, and the conductive connection sheet 1 does not include particles or the like made of a metal material. It is possible to accurately suppress or prevent a part of the resin composition layers 11 and 13 from being agglomerated on the terminal 21 when the resin composition layers 11 and 13 are aggregated on the terminal 21. Therefore, it is possible to reliably prevent the occurrence of a leakage current due to a part of the metal layer 12 remaining in the reinforcing layer 86.

以上のことから、溶融状態の金属材料は、硬化性樹脂成分中を移動して端子２１上に選択的に凝集する。   From the above, the molten metal material moves through the curable resin component and selectively aggregates on the terminal 21.

このとき、本実施形態では、前記工程［１］で説明したように、端子２１上に、第１の金属層１２１が選択的に形成されている第１の部分１５が対応するように導電接続シート１が配置されている。すなわち、端子２１が位置する領域には第１の部分１５が対応し、それ以外の領域には第２の部分１６が対応するように、半導体チップ２０上に導電接続シート１が配置されている。   At this time, in the present embodiment, as described in the step [1], the conductive connection is performed so that the first portion 15 in which the first metal layer 121 is selectively formed on the terminal 21 corresponds. Sheet 1 is arranged. That is, the conductive connection sheet 1 is arranged on the semiconductor chip 20 so that the first portion 15 corresponds to the region where the terminal 21 is located, and the second portion 16 corresponds to the other region. .

このことから、端子２１が位置する第１の部分１５では、第２の金属材料よりも高融点の第１の金属材料で構成される第１の金属層１２１が選択的に配置されることとなる。   From this, in the first portion 15 where the terminal 21 is located, the first metal layer 121 made of the first metal material having a higher melting point than the second metal material is selectively disposed. Become.

換言すれば、端子２１上に金属材料を選択的に凝集させて接続端子８５を形成すべき第１の部分１５では第１の金属材料および第２の金属材料の双方が存在し、金属材料を残存させることなく樹脂成分を充填して補強層８６を形成すべき第２の部分１６では第２の金属材料が単独で存在することとなる。   In other words, both the first metal material and the second metal material exist in the first portion 15 where the connection terminal 85 is to be formed by selectively aggregating the metal material on the terminal 21, and the metal material is In the second portion 16 where the reinforcing layer 86 is to be formed by filling the resin component without remaining, the second metal material is present alone.

そのため、第１の金属層１２１および第２の金属層１２２の双方が溶融する第１の金属層（第１の金属材料）１２１の融点よりも高い温度で導電接続シート１を加熱すると、まず、融点が低い第２の金属層１２２が溶融し、その後融点が高い第１の金属層１２１が溶融する。そのため、第２の部分１６において単独で存在する第２の金属層（第２の金属材料）１２２が、溶融状態となることで、第１の金属層１２１、すなわち第１の部分１５に向かって、樹脂組成物層１１、１３中を移動（凝集）することとなる。   Therefore, when the conductive connection sheet 1 is heated at a temperature higher than the melting point of the first metal layer (first metal material) 121 in which both the first metal layer 121 and the second metal layer 122 are melted, The second metal layer 122 having a low melting point is melted, and then the first metal layer 121 having a high melting point is melted. Therefore, the second metal layer (second metal material) 122 that exists alone in the second portion 16 is in a molten state, so that it moves toward the first metal layer 121, that is, the first portion 15. Then, it moves (aggregates) in the resin composition layers 11 and 13.

したがって、凝集する金属材料（溶融した第１の金属層１２１および第２の金属層１２２）をより高い選択性をもって、第１の部分１５に位置する端子２１上に凝集させることができる。そして、凝集した金属材料の量が増大するにしたがって、最終的には、凝集した金属材料により接続端子８５が形成される。   Therefore, the aggregating metal materials (the melted first metal layer 121 and second metal layer 122) can be agglomerated on the terminal 21 located in the first portion 15 with higher selectivity. As the amount of the agglomerated metal material increases, finally, the connection terminal 85 is formed from the agglomerated metal material.

すなわち、図４（ｃ）に示すように、端子２１の表面には金属材料で構成される接続端子８５が形成される。このとき、接続端子８５の周囲を取り囲んで硬化性樹脂組成物が、金属材料が混在することなく充填されて補強層８６が形成される。その結果、隣接する接続端子８５間の絶縁性が確保されることから、隣接する接続端子８５間のショートが確実に防止されることとなる。   That is, as shown in FIG. 4C, a connection terminal 85 made of a metal material is formed on the surface of the terminal 21. At this time, the reinforcing layer 86 is formed by filling the curable resin composition surrounding the connection terminal 85 without mixing the metal material. As a result, insulation between the adjacent connection terminals 85 is ensured, so that a short circuit between the adjacent connection terminals 85 is reliably prevented.

以上のような接続端子８５および補強層８６の形成方法では、加熱溶融した金属材料を選択的に端子２１に凝集させて接続端子８５を形成し、その周囲に硬化性樹脂組成物で構成された補強層８６を形成することができる。その結果、隣接する接続端子８５間の絶縁性を確保することができる。   In the method for forming the connection terminal 85 and the reinforcing layer 86 as described above, the metal material heated and melted is selectively aggregated on the terminal 21 to form the connection terminal 85, and the periphery thereof is made of a curable resin composition. A reinforcing layer 86 can be formed. As a result, insulation between adjacent connection terminals 85 can be ensured.

また、微細なピッチで複数の端子２１を有する半導体チップ２０においても端子２１に対応して複数の接続端子８５を一括して形成することが可能となる。   Further, even in the semiconductor chip 20 having a plurality of terminals 21 at a fine pitch, a plurality of connection terminals 85 can be collectively formed corresponding to the terminals 21.

なお、本工程［２］では、導電接続シート１と端子２１との距離を近づけるように、導電接続シート１と半導体チップ２０とを加圧した状態で加熱してもよい。例えば、図４（ｂ）中の導電接続シート１と半導体チップ２０とが接近する方向に公知の熱圧着装置等の手段を用いて加熱および加圧することにより、導電接続シート１と端子２１との距離を一定に制御することができるため、端子２１の表面における溶融状態の金属材料の凝集能をより高めることが可能となる。   In this step [2], the conductive connection sheet 1 and the semiconductor chip 20 may be heated in a pressurized state so that the distance between the conductive connection sheet 1 and the terminal 21 is reduced. For example, the conductive connection sheet 1 and the terminal 21 are heated and pressed using means such as a known thermocompression bonding device in a direction in which the conductive connection sheet 1 and the semiconductor chip 20 in FIG. Since the distance can be controlled to be constant, it is possible to further enhance the aggregating ability of the molten metal material on the surface of the terminal 21.

さらに、加圧または加熱する際に超音波や電場等を加えたり、レーザーや電磁誘導等の特殊加熱を適用してもよい。   Furthermore, when applying pressure or heating, an ultrasonic wave or an electric field may be applied, or special heating such as laser or electromagnetic induction may be applied.

以上のような工程［１］および工程［２］を経て、接続端子８５および補強層８６が形成される。すなわち、接続端子８５および補強層８６を形成するための、配置工程［１］および加熱工程［２］に、本発明の接続端子の形成方法が適用される。   The connection terminal 85 and the reinforcing layer 86 are formed through the process [1] and the process [2] as described above. That is, the connection terminal forming method of the present invention is applied to the arrangement step [1] and the heating step [2] for forming the connection terminal 85 and the reinforcing layer 86.

なお、本実施形態のように、樹脂組成物層１１、１３に含まれる樹脂成分として、硬化性樹脂成分を用いる場合、前記加熱工程［２］では、硬化性樹脂組成物を完全には硬化させない状態としておくのが好ましい。これにより、接続端子８５と補強層８６とが設けられた半導体チップ２０を、インターポーザー３０に実装する際に、補強層８６を加熱することで、再度、溶融状態とすることができるようになる。   In addition, when using a curable resin component as a resin component contained in the resin composition layers 11 and 13 as in this embodiment, in the heating step [2], the curable resin composition is not completely cured. It is preferable to keep the state. As a result, when the semiconductor chip 20 provided with the connection terminals 85 and the reinforcing layer 86 is mounted on the interposer 30, the reinforcing layer 86 can be heated to be in a molten state again. .

以上のように、導電接続シート１を用いて半導体チップ２０に形成された端子２１に対応して接続端子８５を形成する場合、導電接続シート１の第１の部分１５が端子２１に対応し、第２の部分１６が端子２１以外の領域に対応するように、導電接続シート１を半導体チップ２０上に配置して加熱することにより、溶融状態の金属層１２が端子２１上に選択的に凝集し、その結果、接続端子８５が形成されることとなる。   As described above, when the connection terminal 85 is formed corresponding to the terminal 21 formed on the semiconductor chip 20 using the conductive connection sheet 1, the first portion 15 of the conductive connection sheet 1 corresponds to the terminal 21, By arranging and heating the conductive connection sheet 1 on the semiconductor chip 20 so that the second portion 16 corresponds to a region other than the terminal 21, the molten metal layer 12 is selectively aggregated on the terminal 21. As a result, the connection terminal 85 is formed.

このような接続端子８５と補強層８６とが設けられた半導体チップ２０を、インターポーザー３０に配置した状態で、接続端子８５と補強層８６とを加熱することにより、接続端子８５が再び溶融状態となるため、その後、このものを冷却することで、インターポーザー３０と半導体チップ２０との間に、接続部８１と封止層８０とが形成され、その結果、インターポーザー３０と半導体チップ２０とが電気的に接続される。   By heating the connection terminal 85 and the reinforcement layer 86 in a state where the semiconductor chip 20 provided with the connection terminal 85 and the reinforcement layer 86 is disposed in the interposer 30, the connection terminal 85 is melted again. Therefore, after that, by cooling this, the connection portion 81 and the sealing layer 80 are formed between the interposer 30 and the semiconductor chip 20, and as a result, the interposer 30 and the semiconductor chip 20 Are electrically connected.

そして、本実施形態では、樹脂組成物層１１、１３に含まれる樹脂成分として、硬化性樹脂成分が含まれ、このものが未硬化の状態のものも存在するため、硬化性樹脂組成物を硬化させることにより、封止層８０を固定する。これにより、接続部８１および封止層８０の機械的強度を高めることができる。   And in this embodiment, since the curable resin component is contained as a resin component contained in the resin composition layers 11 and 13 and this thing exists in an uncured state, the curable resin composition is cured. By doing so, the sealing layer 80 is fixed. Thereby, the mechanical strength of the connection part 81 and the sealing layer 80 can be raised.

＜＜第４実施形態＞＞
導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が熱可塑性樹脂組成物で構成される第４実施形態では、半導体チップ２０上に導電接続シート１を配置する配置工程と、第１の金属層１２１の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する熱可塑性樹脂組成物が軟化する温度で導電接続シート１を加熱する加熱工程とを有している。 << Fourth Embodiment >>
In the fourth embodiment in which the resin composition layers 11 and 13 included in the conductive connection sheet 1 are made of a thermoplastic resin composition, an arrangement step of arranging the conductive connection sheet 1 on the semiconductor chip 20, and a first metal layer A heating step of heating the conductive connection sheet 1 at a temperature equal to or higher than the melting point of 121 and a temperature at which the thermoplastic resin composition constituting the resin composition layers 11 and 13 is softened.

以下、各工程について詳述する。
［１］配置工程
樹脂組成物層１１、１３が熱可塑性樹脂組成物で構成される本実施形態においても、樹脂組成物層１１、１３が熱硬化性樹脂組成物で構成される前記第３実施形態と同様にして、導電接続シート１を半導体チップ２０の端子２１側の面に熱圧着（配置）させる。 Hereinafter, each process is explained in full detail.
[1] Arrangement Step The third embodiment in which the resin composition layers 11 and 13 are made of a thermosetting resin composition also in the present embodiment in which the resin composition layers 11 and 13 are made of a thermoplastic resin composition. Similarly to the embodiment, the conductive connection sheet 1 is thermocompression-bonded (arranged) to the surface of the semiconductor chip 20 on the terminal 21 side.

［２］加熱工程
次に、前記配置工程［１］において、半導体チップ２０上に配置された導電接続シート１（金属層１２）を、図４（ｂ）に示すように、金属層１２の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する熱可塑性樹脂組成物が軟化する温度で加熱する。 [2] Heating Step Next, in the placement step [1], the conductive connection sheet 1 (metal layer 12) placed on the semiconductor chip 20 is melted as shown in FIG. It heats at the temperature which the above and the thermoplastic resin composition which comprises the resin composition layers 11 and 13 soften.

導電接続シート１を加熱する温度は、前記第１実施形態の加熱工程［２］で導電接続シート１を加熱した温度と同様の温度に設定される。   The temperature for heating the conductive connection sheet 1 is set to the same temperature as the temperature for heating the conductive connection sheet 1 in the heating step [2] of the first embodiment.

このような温度で導電接続シート１を加熱すると、金属層１２（第１の金属層１２１および第２の金属層１２２の双方）が溶融し、溶融した金属層１２すなわち低融点の金属材料（第１の金属材料および第２の金属材料の双方）が、樹脂組成物層１１、１３中を移動できるようになる。   When the conductive connection sheet 1 is heated at such a temperature, the metal layer 12 (both the first metal layer 121 and the second metal layer 122) is melted, and the molten metal layer 12, that is, a low-melting-point metal material (first metal layer). Both the first metal material and the second metal material) can move in the resin composition layers 11 and 13.

この際、熱可塑性樹脂組成物にフラックス機能を有する化合物が含まれる場合、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、たとえ金属層１２の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜は、還元されることにより除去されることとなる。そのため、溶融状態の金属材料は、濡れ性が高められた状態であり、金属結合が促されていることから、端子２１上に凝集し易い状態となる。   At this time, when a compound having a flux function is included in the thermoplastic resin composition, even if an oxide film is formed on the surface of the metal layer 12 due to the reducing action of the compound having the flux function, It is removed by being reduced. Therefore, the molten metal material is in a state in which the wettability is enhanced and the metal bonding is promoted, so that the molten metal material is easily aggregated on the terminal 21.

さらに、たとえ端子２１の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜も、フラックス機能を有する化合物の還元作用により、除去され、その濡れ性が高められることとなる。その結果、金属材料との金属結合が促され、かかる観点からも、対向して配置された端子２１間に溶融状態の金属材料が凝集し易い状態となる。   Further, even if an oxide film is formed on the surface of the terminal 21, this oxide film is also removed by the reducing action of the compound having a flux function, and its wettability is enhanced. As a result, metal bonding with the metal material is promoted, and from this point of view, the molten metal material is easily aggregated between the terminals 21 arranged to face each other.

なお、第１の構成では、金属層１２が層状をなしており、導電接続シート１中には、金属材料で構成される粒子等が含まれていないため、溶融状態の金属層１２が複数個に分断されて端子２１上に凝集する際に、その一部が端子２１に凝集することなく樹脂組成物層１１、１３中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、補強層８６に金属層１２の一部が残存することに起因するリーク電流の発生を確実に防止することができる。   In the first configuration, the metal layer 12 has a layer shape, and the conductive connection sheet 1 does not include particles or the like made of a metal material. It is possible to accurately suppress or prevent a part of the resin composition layers 11 and 13 from being agglomerated on the terminal 21 when the resin composition layers 11 and 13 are aggregated on the terminal 21. Therefore, it is possible to reliably prevent the occurrence of a leakage current due to a part of the metal layer 12 remaining in the reinforcing layer 86.

以上のことから、溶融状態の金属材料は、熱可塑性樹脂成分中を移動して端子２１上に選択的に凝集する。   From the above, the molten metal material moves through the thermoplastic resin component and selectively aggregates on the terminal 21.

このとき、本実施形態では、前記工程［１］で説明したように、端子２１上に、第１の金属層１２１が選択的に形成されている第１の部分１５が対応するように導電接続シート１が配置されている。すなわち、端子２１が位置する領域には第１の部分１５が対応し、それ以外の領域には第２の部分１６が対応するように、半導体チップ２０上に導電接続シート１が配置されている。   At this time, in the present embodiment, as described in the step [1], the conductive connection is performed so that the first portion 15 in which the first metal layer 121 is selectively formed on the terminal 21 corresponds. Sheet 1 is arranged. That is, the conductive connection sheet 1 is arranged on the semiconductor chip 20 so that the first portion 15 corresponds to the region where the terminal 21 is located, and the second portion 16 corresponds to the other region. .

このことから、端子２１が位置する第１の部分１５では、第２の金属材料よりも高融点の第１の金属材料で構成される第１の金属層１２１が選択的に配置されることとなる。   From this, in the first portion 15 where the terminal 21 is located, the first metal layer 121 made of the first metal material having a higher melting point than the second metal material is selectively disposed. Become.

換言すれば、端子２１上に金属材料を選択的に凝集させて接続端子８５を形成すべき第１の部分１５では第１の金属材料および第２の金属材料の双方が存在し、金属材料を残存させることなく樹脂成分を充填して補強層８６を形成すべき第２の部分１６では第２の金属材料が単独で存在することとなる。   In other words, both the first metal material and the second metal material exist in the first portion 15 where the connection terminal 85 is to be formed by selectively aggregating the metal material on the terminal 21, and the metal material is In the second portion 16 where the reinforcing layer 86 is to be formed by filling the resin component without remaining, the second metal material is present alone.

そのため、第１の金属層１２１および第２の金属層１２２の双方が溶融する第１の金属層（第１の金属材料）１２１の融点よりも高い温度で導電接続シート１を加熱すると、まず、融点が低い第２の金属層１２２が溶融し、その後融点が高い第１の金属層１２１が溶融する。そのため、第２の部分１６において単独で存在する第２の金属層（第２の金属材料）１２２が、溶融状態となることで、第１の金属層１２１、すなわち第１の部分１５に向かって、樹脂組成物層１１、１３中を移動（凝集）することとなる。   Therefore, when the conductive connection sheet 1 is heated at a temperature higher than the melting point of the first metal layer (first metal material) 121 in which both the first metal layer 121 and the second metal layer 122 are melted, The second metal layer 122 having a low melting point is melted, and then the first metal layer 121 having a high melting point is melted. Therefore, the second metal layer (second metal material) 122 that exists alone in the second portion 16 is in a molten state, so that it moves toward the first metal layer 121, that is, the first portion 15. Then, it moves (aggregates) in the resin composition layers 11 and 13.

したがって、凝集する金属材料（溶融した第１の金属層１２１および第２の金属層１２２）をより高い選択性をもって、第１の部分１５に位置する端子２１上に凝集させることができる。そして、凝集した金属材料の量が増大するにしたがって、最終的には、凝集した金属材料により接続端子８５が形成される。   Therefore, the aggregating metal materials (the melted first metal layer 121 and second metal layer 122) can be agglomerated on the terminal 21 located in the first portion 15 with higher selectivity. As the amount of the agglomerated metal material increases, finally, the connection terminal 85 is formed from the agglomerated metal material.

すなわち、図４（ｃ）に示すように、端子２１の表面には金属材料で構成される接続端子８５が形成される。この際、熱可塑性樹脂組成物が冷却されることにより、金属材料が混在することなく熱可塑性樹脂組成物が接続端子８５の周囲を取り囲んで固化することで、補強層８６が形成される。その結果、隣接する接続端子８５間の絶縁性が確保されることから、隣接する接続端子８５間のショートが確実に防止されることとなる。   That is, as shown in FIG. 4C, a connection terminal 85 made of a metal material is formed on the surface of the terminal 21. At this time, the thermoplastic resin composition is cooled, so that the thermoplastic resin composition surrounds and solidifies the periphery of the connection terminal 85 without mixing the metal material, whereby the reinforcing layer 86 is formed. As a result, insulation between the adjacent connection terminals 85 is ensured, so that a short circuit between the adjacent connection terminals 85 is reliably prevented.

以上のような接続端子８５および補強層８６の形成方法では、加熱溶融した金属材料を選択的に端子２１に凝集させて接続端子８５を形成し、その周囲に熱可塑性樹脂組成物で構成された補強層８６を形成することができる。その結果、隣接する接続端子８５間の絶縁性を確保することができる。   In the method of forming the connection terminal 85 and the reinforcing layer 86 as described above, the metal material heated and melted is selectively aggregated on the terminal 21 to form the connection terminal 85, and the periphery thereof is formed of the thermoplastic resin composition. A reinforcing layer 86 can be formed. As a result, insulation between adjacent connection terminals 85 can be ensured.

また、微細なピッチで複数の端子２１を有する半導体チップ２０においても端子２１に対応して複数の接続端子８５を一括して形成することが可能となる。   Further, even in the semiconductor chip 20 having a plurality of terminals 21 at a fine pitch, a plurality of connection terminals 85 can be collectively formed corresponding to the terminals 21.

なお、本工程［２］では、導電接続シート１と端子２１との距離を近づけるように、導電接続シート１と半導体チップ２０とを加圧した状態で加熱してもよい。例えば、図４（ｂ）中の導電接続シート１と半導体チップ２０とが接近する方向に公知の熱圧着装置等の手段を用いて加熱および加圧することにより、導電接続シート１と端子２１との距離を一定に制御することができるため、端子２１の表面における溶融状態の金属材料の凝集能をより高めることが可能となる。   In this step [2], the conductive connection sheet 1 and the semiconductor chip 20 may be heated in a pressurized state so that the distance between the conductive connection sheet 1 and the terminal 21 is reduced. For example, the conductive connection sheet 1 and the terminal 21 are heated and pressed using means such as a known thermocompression bonding device in a direction in which the conductive connection sheet 1 and the semiconductor chip 20 in FIG. Since the distance can be controlled to be constant, it is possible to further enhance the aggregating ability of the molten metal material on the surface of the terminal 21.

さらに、加圧または加熱する際に超音波や電場等を加えたり、レーザーや電磁誘導等の特殊加熱を適用してもよい。   Furthermore, when applying pressure or heating, an ultrasonic wave or an electric field may be applied, or special heating such as laser or electromagnetic induction may be applied.

以上のような工程［１］および工程［２］を経て、接続端子８５および補強層８６が形成される。すなわち、接続端子８５および補強層８６を形成するための、配置工程［１］および加熱工程［２］に、本発明の接続端子の形成方法が適用される。   The connection terminal 85 and the reinforcing layer 86 are formed through the process [1] and the process [2] as described above. That is, the connection terminal forming method of the present invention is applied to the arrangement step [1] and the heating step [2] for forming the connection terminal 85 and the reinforcing layer 86.

以上のように、導電接続シート１を用いて半導体チップ２０の端子２１側の面に接続端子８５を形成する場合、接続端子８５を形成しようとする部分に、導電接続シート１を配置して加熱することにより、溶融状態の金属層１２が端子２１上に選択的に凝集し、その結果、接続端子８５が形成されることとなる。   As described above, when the connection terminal 85 is formed on the surface on the terminal 21 side of the semiconductor chip 20 using the conductive connection sheet 1, the conductive connection sheet 1 is arranged and heated in a portion where the connection terminal 85 is to be formed. As a result, the molten metal layer 12 is selectively agglomerated on the terminal 21, and as a result, the connection terminal 85 is formed.

このような接続端子８５と補強層８６とが設けられた半導体チップ２０を、インターポーザー３０に配置した状態で、接続端子８５と補強層８６とを加熱することにより、接続端子８５が再び溶融状態となるため、その後、このものを冷却することで、インターポーザー３０と半導体チップ２０との間に、接続部８１と封止層８０とが形成され、その結果、インターポーザー３０と半導体チップ２０とが電気的に接続される。   By heating the connection terminal 85 and the reinforcement layer 86 in a state where the semiconductor chip 20 provided with the connection terminal 85 and the reinforcement layer 86 is disposed in the interposer 30, the connection terminal 85 is melted again. Therefore, after that, by cooling this, the connection portion 81 and the sealing layer 80 are formed between the interposer 30 and the semiconductor chip 20, and as a result, the interposer 30 and the semiconductor chip 20 Are electrically connected.

以上のような工程を経て、半導体チップ２０の端子２１上に、接続端子８５が形成され、この接続端子８５を取り囲むように補強層８６が形成される。   Through the steps described above, the connection terminal 85 is formed on the terminal 21 of the semiconductor chip 20, and the reinforcing layer 86 is formed so as to surround the connection terminal 85.

なお、第３実施形態および第４実施形態では、半導体チップ２０が備える端子２１に対応するように接続端子８５を形成する場合に、本発明の接続端子の形成方法を適用する場合ついて説明したが、この場合に限定されず、各種電子機器に用いられる電子部品が備える端子（電極）上に、接続端子（バンプ）を形成する場合に適用することができ、各種電子部品としては、例えば、半導体ウエハおよびフレキシブル基板等が挙げられる。   In the third embodiment and the fourth embodiment, the case where the connection terminal forming method of the present invention is applied when the connection terminal 85 is formed so as to correspond to the terminal 21 included in the semiconductor chip 20 has been described. The present invention is not limited to this case, and can be applied to the case where connection terminals (bumps) are formed on terminals (electrodes) included in electronic parts used in various electronic devices. Examples of various electronic parts include semiconductors A wafer, a flexible substrate, etc. are mentioned.

また、前記第１〜第４実施形態では、半導体チップ２０とインターポーザー３０との間に、図２に示した第１の構成の導電接続シート１を配置して接続部８１および封止層８０を形成する場合について説明したが、導電接続シートの構成は、かかる場合に限定されず、例えば、以下に示すような第２、第３の構成の導電接続シートを用いることができる。   Further, in the first to fourth embodiments, the conductive connection sheet 1 having the first configuration shown in FIG. 2 is disposed between the semiconductor chip 20 and the interposer 30 to connect the connection portion 81 and the sealing layer 80. However, the configuration of the conductive connection sheet is not limited to this case, and for example, conductive connection sheets having the second and third configurations as described below can be used.

＜導電接続シート（第２の構成）＞
図５は、本発明の導電接続シートの第２の構成例を示す縦断面図、図６は、第２の構成例の導電接続シートの構成を示す平面図である。なお、以下の説明では、図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 <Conductive connection sheet (second configuration)>
FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing a second configuration example of the conductive connection sheet of the present invention, and FIG. 6 is a plan view showing the configuration of the conductive connection sheet of the second configuration example. In the following description, the upper side in FIG. 5 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

以下、本発明の導電接続シートの第２の構成例である導電接続シート１００について説明するが、前述した導電接続シート１との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。   Hereinafter, the conductive connection sheet 100, which is a second configuration example of the conductive connection sheet of the present invention, will be described, focusing on the differences from the conductive connection sheet 1 described above, and the same matters will be described. Omitted.

導電接続シート１００では、このものが備える第２の金属層１２２の第２の部分１６における構成が異なること以外は、前述した導電接続シート１と同様の構成である。   The conductive connection sheet 100 has the same configuration as that of the conductive connection sheet 1 described above except that the configuration of the second portion 16 of the second metal layer 122 included in the conductive connection sheet 100 is different.

すなわち、導電接続シート１００では、第２の部分１６において、図５に示すように、第２の金属層１２２が部分的に設けられていること以外は、前述した導電接続シート１と同様の構成である。   That is, in the conductive connection sheet 100, the second portion 16 has the same configuration as that of the conductive connection sheet 1 described above except that the second metal layer 122 is partially provided as shown in FIG. It is.

かかる構成の導電接続シート１００によっても、前述した本発明の端子間の接続方法および本発明の接続端子の形成方法を適用して、接続部８１および接続端子８５を形成することができる。   Also with the conductive connection sheet 100 having such a configuration, the connection portion 81 and the connection terminal 85 can be formed by applying the connection method between terminals of the present invention and the connection terminal formation method of the present invention described above.

なお、この第２の構成のように、第２の部分において第２の金属層１２２が部分的に設けられていることにより、導電接続シート１００を加熱して、第２の金属層１２２を端子２１、４１同士間に凝集させる際に、この第２の金属層１２２が部分的に設けられている領域において、第２の金属層１２２を容易に分断させることができるので、端子２１、４１同士間に対する凝集力の向上を図ることができる。   As in the second configuration, since the second metal layer 122 is partially provided in the second portion, the conductive connection sheet 100 is heated to connect the second metal layer 122 to the terminal. Since the second metal layer 122 can be easily divided in the region where the second metal layer 122 is partially provided when aggregating between the terminals 21, 41, the terminals 21, 41 are The cohesive force can be improved.

また、第２の金属層１２２は、第２の部分１６において、平面視で部分的に形成されていればよく、その形状は特に限定されず、一定の形状が繰り返しパターン状に形成されていてもよいし、形状が不規則であってもよいし、規則的な形状と不規則な形状とが混在していてもよい。   The second metal layer 122 only needs to be partially formed in the second portion 16 in plan view, and the shape thereof is not particularly limited, and a certain shape is repeatedly formed in a pattern. Alternatively, the shape may be irregular, and a regular shape and an irregular shape may be mixed.

具体的には、図６に示すように、例えば、第２の部分における第２の金属層１２２の形状としては、点線の抜き模様状（ａ）、実線の抜き模様状（ｂ）またはチェッカー模様状（ｃ）等が挙げられる。なお、これらの形状は一例であり、目的や用途に応じてこれらの形状を組み合わせたり、変形させて用いることができる。   Specifically, as shown in FIG. 6, for example, as the shape of the second metal layer 122 in the second portion, a dotted line pattern (a), a solid line pattern (b), or a checker pattern (C) etc. are mentioned. These shapes are examples, and these shapes can be combined or deformed depending on the purpose and application.

なお、上記（ａ）〜（ｃ）に示すように、第２の部分のほぼ中央で第２の金属層１２２が２つに分断される構成とすることにより、端子２１、４１同士間に対する凝集力の向上を図ることができるとともに、第２の部分に位置する第２の金属層１２２が封止層８０中に残存するのを的確に抑制または防止することができる。   In addition, as shown to said (a)-(c), by making it the structure which the 2nd metal layer 122 is divided | segmented into two in the approximate center of a 2nd part, aggregation with respect to between terminals 21 and 41 is carried out. The force can be improved, and the second metal layer 122 positioned in the second portion can be accurately suppressed or prevented from remaining in the sealing layer 80.

＜導電接続シート（第３の構成）＞
図７は、本発明の導電接続シートの第３の構成例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図７中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 <Conductive connection sheet (third configuration)>
FIG. 7 is a longitudinal sectional view showing a third configuration example of the conductive connection sheet of the present invention. In the following description, the upper side in FIG. 7 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

以下、本発明の導電接続シートの第３の構成例である導電接続シート１０１について説明するが、前述した導電接続シート１との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。   Hereinafter, although the conductive connection sheet 101 which is the 3rd structural example of the conductive connection sheet of this invention is demonstrated, it demonstrates centering around difference with the conductive connection sheet 1 mentioned above, and the description is demonstrated about the same matter. Omitted.

導電接続シート１０１では、このものが備える第２の金属層１２２の構成が異なること以外は、前述した導電接続シート１と同様の構成である。   The conductive connection sheet 101 has the same configuration as that of the conductive connection sheet 1 described above except that the configuration of the second metal layer 122 included therein is different.

すなわち、本構成では、第２の金属層１２２は、第１の部分１５および第２の部分１６の双方に設けられることなく、第２の部分１６に対応して、選択的に設けられている。   That is, in this configuration, the second metal layer 122 is selectively provided corresponding to the second portion 16 without being provided on both the first portion 15 and the second portion 16. .

さらに、第１の金属層１２１と第２の金属層１２２とは、その厚さがほぼ等しくなっている。   Furthermore, the first metal layer 121 and the second metal layer 122 have substantially the same thickness.

また、第１の金属層１２１が第１の部分１５に対応して選択的に設けられ、第２の金属層１２２が第２の部分１６に対応して選択的に設けられており、互いに相補的な形状をなしているため、それぞれを重ね合わせることにより、第１の金属層１２１と第２の金属層１２２とで、１つの層が形成されている。   In addition, the first metal layer 121 is selectively provided corresponding to the first portion 15, and the second metal layer 122 is selectively provided corresponding to the second portion 16, and is complementary to each other. Therefore, the first metal layer 121 and the second metal layer 122 form one layer by overlapping each other.

かかる構成の導電接続シート１０１によっても、前述した本発明の端子間の接続方法および本発明の接続端子の形成方法を適用して、接続部８１および接続端子８５を形成することができる。   Also with the conductive connection sheet 101 having such a configuration, the connection portion 81 and the connection terminal 85 can be formed by applying the connection method between terminals of the present invention and the connection terminal formation method of the present invention described above.

また、この第３の構成では、図７に示すように、第１の金属層１２１および第２の金属層１２２の厚さがほぼ等しくなっている場合について説明したが、かかる限定されず、互いに異なっていても良く、前記第１の構成で説明したように、第２の金属層１２２よりも第１の金属層１２１が厚くなっているのが好ましい。これにより、溶融状態の第２の金属層１２２を、より優れた選択性をもって、第１の金属層１２１に凝集させることができるようになる。   In the third configuration, as shown in FIG. 7, the case where the thicknesses of the first metal layer 121 and the second metal layer 122 are substantially equal has been described. The first metal layer 121 is preferably thicker than the second metal layer 122 as described in the first configuration. As a result, the molten second metal layer 122 can be aggregated into the first metal layer 121 with better selectivity.

なお、本発明では、第１の部分１５に対応して選択的に第１の金属層１２１が設けられていればよく、上述した第１の構成〜第３の構成の導電接続シート１、１００、１０１に限定されず、例えば、第２の構成と第３の構成との導電接続シートを組み合わせるようにしてもよい。   In addition, in this invention, the 1st metal layer 121 should just be provided selectively corresponding to the 1st part 15, and the electrically conductive connection sheet | seats 1 and 100 of the 1st structure mentioned above-the 3rd structure. , 101, for example, the conductive connection sheets of the second configuration and the third configuration may be combined.

また、前述した第１の構成〜第３の構成の導電接続シート１、１００、１０１では、第１の金属層１２１と第２の金属層１２２とが互いに接触するように積層された積層体である場合について説明したが、これに限定されず、例えば、第１の金属層１２１と第２の金属層１２２とを個別に設けることとし、これらの間に、前記樹脂組成物層１１、１３と同様の構成の樹脂組成物層を介在させるようにしてもよい。   In the conductive connection sheets 1, 100, 101 of the first configuration to the third configuration described above, the first metal layer 121 and the second metal layer 122 are stacked so as to be in contact with each other. Although there has been described a case, the present invention is not limited to this. For example, the first metal layer 121 and the second metal layer 122 are provided separately, and the resin composition layers 11 and 13 are interposed between them. You may make it interpose the resin composition layer of the same structure.

さらに、第１の部分１５に対応して、選択的に設けられている第１の金属層１２１は、その形成領域が、必ずしも、前記第１の構成〜第３の構成で示したように、第１の部分１５の平面視形状に対して完全に一致する必要はなく、平面視において、第１の部分１５に対して、第１の金属層１２１の形成領域の少なくとも一部が重なっていればよい。   Further, the first metal layer 121 selectively provided corresponding to the first portion 15 has a formation region that is not necessarily shown in the first to third configurations. It is not necessary to completely match the shape of the first portion 15 in plan view, and at least a part of the formation region of the first metal layer 121 overlaps the first portion 15 in plan view. That's fine.

具体的には、平面視における選択的に設けられた第１の金属層１２１の大きさが第１の部分１５よりも小さく、第１の金属層１２１が第１の部分１５内に形成されている場合（図８（ａ）参照）、平面視における選択的に設けられた第１の金属層１２１の大きさが第１の部分１５よりも大きく、第１の金属層１２１が第１の部分１５を包含する領域に形成されている場合（図８（ｂ）参照）、平面視における選択的に設けられた第１の金属層１２１の大きさが第１の部分１５の大きさとほぼ同様であり、第１の金属層１２１が第１の部分１５と第２の部分１６との境界線を跨ぐように形成されている場合（図８（ｃ）参照）等が挙げられる。   Specifically, the size of the first metal layer 121 selectively provided in plan view is smaller than that of the first portion 15, and the first metal layer 121 is formed in the first portion 15. (See FIG. 8A), the size of the first metal layer 121 selectively provided in plan view is larger than that of the first portion 15, and the first metal layer 121 is the first portion. 15 (see FIG. 8B), the size of the first metal layer 121 selectively provided in plan view is substantially the same as the size of the first portion 15. There is a case where the first metal layer 121 is formed so as to straddle the boundary line between the first portion 15 and the second portion 16 (see FIG. 8C).

また、本発明では、金属層１２は、第１の金属層１２１が第１の部分１５に対応して設けられている限りにおいて、平面視における、その全体形状は特に限定されるものではない。   In the present invention, the entire shape of the metal layer 12 in plan view is not particularly limited as long as the first metal layer 121 is provided corresponding to the first portion 15.

すなわち、金属層１２が、平面視で樹脂組成物層１１の一部に形成されている場合、一定の形状が繰り返しパターン状に形成されていてもよいし、形状が不規則であってもよいし、規則的な形状と不規則な形状とが混在していてもよい。   That is, when the metal layer 12 is formed on a part of the resin composition layer 11 in plan view, a certain shape may be repeatedly formed in a pattern shape, or the shape may be irregular. However, a regular shape and an irregular shape may be mixed.

具体的には、図９に示すように、樹脂組成物層１１の上に、各種形状にパターニングされた金属層１２が形成されている。例えば、金属層１２の形状としては、点線の抜き模様状（ａ）、縞模様状（ｂ）、水玉模様状（ｃ）、矩形模様状（ｄ）、チェッカー模様状（ｅ）、額縁状（ｆ）、格子模様状（ｇ）または多重の額縁状（ｈ）等が挙げられる。なお、これらの形状は一例であり、目的や用途に応じてこれらの形状を組み合わせたり、変形させて用いることができる。   Specifically, as shown in FIG. 9, a metal layer 12 patterned in various shapes is formed on the resin composition layer 11. For example, the shape of the metal layer 12 may be a dotted pattern (a), a striped pattern (b), a polka dot pattern (c), a rectangular pattern (d), a checkered pattern (e), a frame shape ( f), lattice pattern shape (g), multiple frame shape (h) and the like. These shapes are examples, and these shapes can be combined or deformed depending on the purpose and application.

以上、本発明の導電接続シート、端子間の接続方法、接続端子の形成方法および電子機器について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。   As described above, the conductive connection sheet, the connection method between the terminals, the formation method of the connection terminal, and the electronic device of the present invention have been described, but the present invention is not limited to these.

例えば、本発明の導電接続シートの各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。   For example, the configuration of each part of the conductive connection sheet of the present invention can be replaced with an arbitrary one that can exhibit the same function, or an arbitrary configuration can be added.

また、本発明の端子間の接続方法および接続端子の形成方法には、必要に応じて任意の工程が追加されてもよい。   Moreover, arbitrary processes may be added to the connection method between terminals and the formation method of a connection terminal of this invention as needed.

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．評価方法
各実施例および各比較例の導電接続シートを用いて、対向する端子同士を接続するために作製した端子接続体において、端子間の接続抵抗、導通路（接続部）形成性および導通路以外の領域に位置する封止層に残存する金属層の有無を以下の方法により測定または評価した。 Next, specific examples of the present invention will be described.
1. Evaluation method In the terminal connection body produced in order to connect opposing terminals using the conductive connection sheet of each Example and each comparative example, the connection resistance between terminals, a conduction path (connection part) formability, and a conduction path The presence or absence of a metal layer remaining in the sealing layer located in a region other than the above was measured or evaluated by the following method.

（１）接続抵抗
得られた端子接続体中の対向する端子間の抵抗を４端子法（抵抗計：岩崎通信機（株）製、「デジタルマルチメータＶＯＡ７５１０」、測定プローブ：日置電機(株)製、「ピン型リード９７７１」）により１２点測定し、その平均値が３０ｍΩ未満の場合を「Ａ」、３０ｍΩ以上の場合を「Ｂ」と判定した。 (1) Connection resistance The resistance between opposing terminals in the obtained terminal connection body is determined by a four-terminal method (resistance meter: manufactured by Iwasaki Tsushinki Co., Ltd., “Digital Multimeter VOA7510”, measurement probe: Hioki Electric Co., Ltd.) 12 points were measured by “Pin type lead 9771”), and “A” was determined when the average value was less than 30 mΩ, and “B” was determined when the average value was 30 mΩ or more.

（２）導通路形成性
得られた端子接続体中の対向する端子１０組について、その端子間の断面を走査型電子顕微鏡（日本電子（株）製、「ＪＳＭ−７４０１Ｆ」）で観察し、１０組全てにおいて半田により円柱状の導通路（接続部）が形成されている場合を「Ａ」、１組でも導通路が形成されていない端子が存在する場合を「Ｂ」、隣接している端子とショート接触している場合を「Ｃ」と判定した。 (2) Conducting path forming property With respect to 10 sets of opposing terminals in the obtained terminal connection body, the cross section between the terminals was observed with a scanning electron microscope ("JSM-7401F" manufactured by JEOL Ltd.), “A” indicates that a cylindrical conductive path (connecting portion) is formed by solder in all 10 sets, and “B” indicates that there is a terminal in which no conductive path is formed even in one set, which are adjacent. The case of short contact with the terminal was determined as “C”.

（３）残存金属層の有無
得られた端子接続体の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）（日本電子社製、型番「ＪＳＭ−７４０１Ｆ」）で観察し、全ての金属層（金属材料）が対向する端子間の導通路形成に寄与している場合を「Ａ」、導通路形成に寄与せずに対向する端子間（接続部）以外の樹脂（封止層）中に金属層の一部が残存している場合を「Ｂ」と判定した。 (3) Presence or absence of residual metal layer The cross section of the obtained terminal connector was observed with a scanning electron microscope (SEM) (manufactured by JEOL Ltd., model number “JSM-7401F”), and all metal layers (metal materials) were observed. "A" when contributing to the formation of a conduction path between opposing terminals, a part of the metal layer in the resin (sealing layer) other than between the opposing terminals (connection part) without contributing to the formation of the conduction path Was left as “B”.

２．導電接続シートの作製
［実施例１］
まず、エポキシ樹脂として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、「ＥＰＩＣＬＯＮ−８４０Ｓ」、エポキシ当量１８５ｇ／ｅｑ、エポキシ樹脂１）を、硬化剤として、フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、「ＰＲ−５３６４７」）を、フィルム形成性樹脂として、変性ビフェノール型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、「ＹＸ−６９５４」）を、フラックス機能を有する化合物として、セバシン酸（東京化成工業社製）を、シランカップリング剤として、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、「ＫＢＭ−３０３」）を、硬化促進剤として、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、「キュアゾール２Ｐ４ＭＺ」）をそれぞれ用意した。 2. Preparation of conductive connection sheet [Example 1]
First, bisphenol A type epoxy resin (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, "EPICLON-840S", epoxy equivalent 185 g / eq, epoxy resin 1) is used as an epoxy resin, and phenol novolac resin (manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) is used as a curing agent. , “PR-53647”) as a film-forming resin, modified biphenol type epoxy resin (manufactured by Japan Epoxy Resin, “YX-6594”) as a compound having a flux function, and sebacic acid (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.). ) As a silane coupling agent, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., “KBM-303”) as a curing accelerator, 2-phenyl-4-methyl Imidazole (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., “Curazole 2P4MZ”) We were prepared, respectively.

そして、導電接続シートが備える樹脂組成物層を形成するための樹脂組成物を、表１に示すような配合比で混合することにより調製した。   And it prepared by mixing the resin composition for forming the resin composition layer with which an electrically conductive connection sheet is provided with a compounding ratio as shown in Table 1.

その後、樹脂組成物層を形成するための樹脂組成物を、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解することにより、樹脂固形分４０％の樹脂組成物のワニスを調製した。そして、得られたワニスを、コンマコーターを用いて、ポリエステルシートに塗布し、９０℃×５分間の条件で乾燥させて、ポリエステルシート上に、厚さ３０μｍの第１の樹脂組成物層を形成した。さらに、上記と同様の工程を経ることで、異なるポリエステルシート上に、厚さ３０μｍの第２の樹脂組成物層を形成した。   Thereafter, the resin composition for forming the resin composition layer was dissolved in methyl ethyl ketone (MEK) to prepare a resin composition varnish having a resin solid content of 40%. Then, the obtained varnish was applied to a polyester sheet using a comma coater, and dried at 90 ° C. for 5 minutes to form a first resin composition layer having a thickness of 30 μm on the polyester sheet. did. Furthermore, a second resin composition layer having a thickness of 30 μm was formed on a different polyester sheet through the same steps as described above.

次に、ポリエステルシート上の第１の樹脂組成物層の上面の全面に、Ｓｎ／Ｂｉ＝４２／５８（重量比）を蒸着源として用いた真空蒸着法により、厚さ５μｍになるまで第２の金属層（Ｓｎ／Ｂｉ＝４２／５８（重量比）、融点：１３９℃）を形成し、その後、第１の部分に対応する領域に開口部を有するマスクを用いて、Ｓｎ／Ｐｂ＝６３／３７（重量比）を蒸着源として用いた真空蒸着法により、第１の部分に対応して選択的に厚さ５μｍの第１の金属層（Ｓｎ／Ｐｂ＝６３／３７（重量比）、融点：１８３℃）を形成することで、第１の樹脂組成物層上に、第１の金属層と第２の金属層との積層体で構成される金属層を形成した。   Next, on the entire upper surface of the first resin composition layer on the polyester sheet, the second thickness is increased to 5 μm by vacuum deposition using Sn / Bi = 42/58 (weight ratio) as a deposition source. Metal layer (Sn / Bi = 42/58 (weight ratio), melting point: 139 ° C.), and then using a mask having an opening in a region corresponding to the first portion, Sn / Pb = 63 A first metal layer (Sn / Pb = 63/37 (weight ratio)) having a thickness of 5 μm selectively corresponding to the first portion by a vacuum deposition method using / 37 (weight ratio) as a deposition source. (Melting point: 183 ° C.), a metal layer composed of a laminate of the first metal layer and the second metal layer was formed on the first resin composition layer.

次に、形成した金属層と、予めポリエステルシート上に設けられた第２の樹脂組成物層とを対向した状態とし、これらを熱ロールで６０℃、０．３ＭＰａ、０．３ｍ／ｍｉｎの条件でラミネートして金属層に第２の樹脂組成物層を圧着することで、金属層上に第２の樹脂組成物層１３を形成した。   Next, the formed metal layer and the second resin composition layer previously provided on the polyester sheet are opposed to each other, and these are heated at 60 ° C., 0.3 MPa, 0.3 m / min. The second resin composition layer 13 was formed on the metal layer by laminating and pressing the second resin composition layer on the metal layer.

その後、２つのポリエステルシートを第１の樹脂組成物層および第２の樹脂組成物層からそれぞれ剥離させることにより、第１の金属層が第１の部分に対応して選択的に設けられ、第２の金属層が箔状（層状）をなし、第１の部分および第２の部分の双方にほぼ均一な厚さで設けられている実施例１の導電接続シートを得た。   Thereafter, the two polyester sheets are peeled off from the first resin composition layer and the second resin composition layer, respectively, so that the first metal layer is selectively provided corresponding to the first portion, The conductive connection sheet of Example 1 was obtained in which the two metal layers were in the form of a foil (layered), and were provided with a substantially uniform thickness on both the first part and the second part.

［実施例２、３］
第１の金属層を形成する際に用いる蒸着源と、第２の金属層を形成する際に用いる蒸着源とを、それぞれ、表１に示したものを用いたこと以外は、前記実施例１と同様にして導電接続シートを製造した。 [Examples 2 and 3]
Example 1 except that the vapor deposition source used when forming the first metal layer and the vapor deposition source used when forming the second metal layer were those shown in Table 1, respectively. A conductive connection sheet was produced in the same manner as described above.

［実施例４］
まず、前記実施例１と同様にして、２つのポリエステルシート上に、それぞれ、第１の樹脂組成物層および第２の樹脂組成物層を形成した。 [Example 4]
First, in the same manner as in Example 1, a first resin composition layer and a second resin composition layer were formed on two polyester sheets, respectively.

次に、支持基材（ポリテトラフルオロエチレン）上の全面に、Ｓｎ／Ｂｉ＝４２／５８（重量比）を蒸着源として用いた真空蒸着法により、厚さ５μｍの第２の金属層（Ｓｎ／Ｂｉ＝４２／５８（重量比）、融点：１３９℃）を形成した後、回路形成時に使用する感光性レジストで被覆し、露光、現像後に、第１の部分の金属層をエッチングし、感光性レジストを剥離することで、第２の部分に対応して選択的に厚さ５μｍの第２の金属層を形成した。その後、第１の部分に対応する領域に開口部を有するマスクを用いて、Ｓｎ／Ｐｂ＝６３／３７（重量比）を蒸着源として用いた真空蒸着法により、第１の部分に対応して選択的に厚さ５μｍの第１の金属層（Ｓｎ／Ｐｂ＝６３／３７（重量比）、融点：１８３℃）を形成することで、支持基材上に、第１の部分に第１の金属層が第２の部分に第２の金属層がそれぞれ選択的に設けられた１つの層で構成される金属層を形成した。   Next, a second metal layer (Sn) having a thickness of 5 μm is formed on the entire surface of the support substrate (polytetrafluoroethylene) by vacuum deposition using Sn / Bi = 42/58 (weight ratio) as a deposition source. / Bi = 42/58 (weight ratio), melting point: 139 ° C.), and then coated with a photosensitive resist used for circuit formation, and after exposure and development, the metal layer of the first portion is etched and exposed to light. The second metal layer having a thickness of 5 μm was selectively formed corresponding to the second portion by removing the conductive resist. Then, using a mask having an opening in a region corresponding to the first part, by vacuum deposition using Sn / Pb = 63/37 (weight ratio) as a deposition source, corresponding to the first part. By selectively forming a first metal layer (Sn / Pb = 63/37 (weight ratio), melting point: 183 ° C.) having a thickness of 5 μm, the first portion is formed on the supporting substrate on the first portion. A metal layer composed of one layer in which the second metal layer was selectively provided in the second portion was formed.

次に、支持基材上に形成した金属層を、予めポリエステルシート上に設けられた第１の樹脂組成物層に転写させることにより、第１の樹脂組成物層上に、第１の金属層と第２の金属層とが１つの層で構成される金属層を形成した。   Next, the first metal layer is formed on the first resin composition layer by transferring the metal layer formed on the support substrate to the first resin composition layer previously provided on the polyester sheet. And a second metal layer formed as a single layer.

次に、第１の樹脂組成物層上に形成した金属層と、予めポリエステルシート上に設けられた第２の樹脂組成物層とを対向した状態とし、これらを熱ロールで６０℃、０．３ＭＰａ、０．３ｍ／ｍｉｎの条件でラミネートして金属層に第２の樹脂組成物層を圧着することで、金属層上に第２の樹脂組成物層を形成した。   Next, the metal layer formed on the first resin composition layer and the second resin composition layer previously provided on the polyester sheet are opposed to each other, and these are heated with a hot roll at 60 ° C., 0. The second resin composition layer was formed on the metal layer by laminating under the conditions of 3 MPa and 0.3 m / min and pressing the second resin composition layer onto the metal layer.

その後、前記実施例１と同様にして、２つのポリエステルシートを第１の樹脂組成物層および第２の樹脂組成物層からそれぞれ剥離させることにより、第１の部分に第１の金属層が第２の部分に第２の金属層がそれぞれ選択的に設けられた１つの層で構成される実施例４の導電接続シートを得た。   Thereafter, in the same manner as in Example 1, the two polyester sheets are peeled off from the first resin composition layer and the second resin composition layer, respectively, so that the first metal layer is formed in the first portion. A conductive connection sheet of Example 4 constituted by one layer in which the second metal layer was selectively provided in the portion 2 was obtained.

［実施例５、６］
第１の金属層を形成する際に用いる蒸着源と、第２の金属層を形成する際に用いる蒸着源とを、それぞれ、表１に示したものを用いたこと以外は、前記実施例４と同様にして導電接続シートを製造した。 [Examples 5 and 6]
Example 4 except that the vapor deposition source used when forming the first metal layer and the vapor deposition source used when forming the second metal layer were those shown in Table 1, respectively. A conductive connection sheet was produced in the same manner as described above.

［比較例１］
まず、前記実施例１と同様にして、２つのポリエステルシート上に、それぞれ、第１の樹脂組成物層および第２の樹脂組成物層を形成した。 [Comparative Example 1]
First, in the same manner as in Example 1, a first resin composition layer and a second resin composition layer were formed on two polyester sheets, respectively.

次に、支持基材上の全面に、Ｓｎ／Ｐｂ＝６３／３７（重量比）を蒸着源として用いた真空蒸着法により、厚さ５μｍの第１の金属層（Ｓｎ／Ｐｂ＝６３／３７（重量比）、融点：１８３℃）を形成した後、回路形成時に使用する感光性レジストで被覆し、露光、現像後に、第１の部分の金属層をエッチングし、感光性レジストを剥離することで、第２の部分に対応して選択的に厚さ５μｍの第１の金属層を形成した。その後、支持基材の全面に、Ｓｎ／Ｂｉ＝４２／５８（重量比）を蒸着源として用いた真空蒸着法により、第１の部分の厚さが５μｍになるまで第２の金属層（Ｓｎ／Ｂｉ＝４２／５８（重量比）、融点：１３９℃）を形成することで、支持基材上に、第２の部分に第１の金属層が第１の部分および第２の部分の双方に第２の金属層がそれぞれ設けられた１つの層で構成される金属層を形成した。   Next, a first metal layer (Sn / Pb = 63/37) having a thickness of 5 μm is formed on the entire surface of the support substrate by a vacuum evaporation method using Sn / Pb = 63/37 (weight ratio) as an evaporation source. (Weight ratio), melting point: 183 ° C.), and then coated with a photosensitive resist used at the time of circuit formation, and after exposure and development, the metal layer of the first part is etched to peel off the photosensitive resist. Thus, a first metal layer having a thickness of 5 μm was selectively formed corresponding to the second portion. Thereafter, the second metal layer (Sn) is formed on the entire surface of the supporting base material by a vacuum deposition method using Sn / Bi = 42/58 (weight ratio) as a deposition source until the thickness of the first portion becomes 5 μm. / Bi = 42/58 (weight ratio), melting point: 139 ° C.), the first metal layer is formed on the support base material in the second portion, and both the first portion and the second portion. A metal layer composed of one layer provided with a second metal layer was formed.

次に、支持基材上に形成した金属層を、予めポリエステルシート上に設けられた第１の樹脂組成物層に転写させることにより、第１の樹脂組成物層上に、第１の金属層と第２の金属層との積層体で構成される金属層を形成した。   Next, the first metal layer is formed on the first resin composition layer by transferring the metal layer formed on the support substrate to the first resin composition layer previously provided on the polyester sheet. And a metal layer composed of a laminate of the second metal layer.

次に、第１の樹脂組成物層上に形成した金属層と、予めポリエステルシート上に設けられた第２の樹脂組成物層とを対向した状態とし、これらを熱ロールで６０℃、０．３ＭＰａ、０．３ｍ／ｍｉｎの条件でラミネートして圧着することで、金属層上に第２の樹脂組成物層を形成した。   Next, the metal layer formed on the first resin composition layer and the second resin composition layer previously provided on the polyester sheet are opposed to each other, and these are heated with a hot roll at 60 ° C., 0. A second resin composition layer was formed on the metal layer by laminating and pressure bonding under conditions of 3 MPa and 0.3 m / min.

その後、前記実施例１と同様にして、２つのポリエステルシートを第１の樹脂組成物層および第２の樹脂組成物層からそれぞれ剥離させることにより、第１の金属層が第２の部分に対応して選択的に設けられ、第２の金属層が箔状（層状）をなし、第１の部分および第２の部分の双方にほぼ均一な厚さで設けられている比較例１の導電接続シートを得た。   Thereafter, in the same manner as in Example 1, the first metal layer corresponds to the second portion by separating the two polyester sheets from the first resin composition layer and the second resin composition layer, respectively. The conductive connection of Comparative Example 1 is provided selectively, and the second metal layer has a foil shape (layer shape) and is provided with a substantially uniform thickness in both the first portion and the second portion. A sheet was obtained.

［比較例２］
第１の金属層を形成する際に用いる蒸着源と、第２の金属層を形成する際に用いる蒸着源とを、それぞれ、表２に示したものを用いたこと、すなわち、第１の金属層を第２の金属層よりも低融点のもので構成したこと以外は、前記実施例４と同様にして導電接続シートを製造した。 [Comparative Example 2]
The vapor deposition source used when forming the first metal layer and the vapor deposition source used when forming the second metal layer were those shown in Table 2, that is, the first metal. A conductive connection sheet was produced in the same manner as in Example 4 except that the layer was composed of a material having a lower melting point than that of the second metal layer.

３．導電接続シートを用いた端子間の接続
次に、各実施例および各比較例の導電接続シートを用いて、対向する端子間の接続を行った。 3. Connection Between Terminals Using Conductive Connection Sheet Next, connection between opposing terminals was performed using the conductive connection sheets of each Example and each Comparative Example.

より詳しくは、まず、基板として、ＦＲ−４基材（厚み０．１ｍｍ）と回路層（銅回路、厚み１２μｍ）とで構成され、銅回路上にＮｉ／Ａｕメッキ（厚み３μｍ）を施して形成された接続端子（端子径１００μｍ、隣接する端子の中心間距離３００μｍ）を有するものを２つ用意した。   More specifically, first, the substrate is composed of an FR-4 base material (thickness 0.1 mm) and a circuit layer (copper circuit, thickness 12 μm), and Ni / Au plating (thickness 3 μm) is applied on the copper circuit. Two devices having a formed connection terminal (terminal diameter: 100 μm, distance between centers of adjacent terminals: 300 μm) were prepared.

次に、実施例および比較例ごとに、かかる構成の基板間に、各実施例および各比較例の導電接続シートを配置し、この状態で、熱圧着装置（筑波メカニクス社製、「ＴＭＶ１−２００ＡＳＢ」）を用いて、表１、２に示すような条件で熱圧着（基板間ギャップ５０μｍ）を施して、対向する端子同士の間に接続部を形成することにより、端子間を電気的に接続した。その後、１８０℃で１時間加熱することにより樹脂組成物を硬化させて端子接続体を得た。   Next, for each of the examples and comparative examples, the conductive connection sheets of the examples and comparative examples are arranged between the substrates having such a configuration. In this state, a thermocompression bonding apparatus (manufactured by Tsukuba Mechanics Co., Ltd., “TMV1-200ASB”). )), And thermocompression bonding (inter-substrate gap of 50 μm) is performed under the conditions shown in Tables 1 and 2 to form a connection portion between the opposing terminals, thereby electrically connecting the terminals. did. Then, the resin composition was hardened by heating at 180 degreeC for 1 hour, and the terminal connection body was obtained.

次に、得られた端子接続体について、前述した評価方法を用いて、対向する端子間の接続抵抗、端子間の導通路形成性および絶縁性領域中の残存半田の有無を前記方法に従って評価した。その結果を表１、２に示す。   Next, using the evaluation method described above, the obtained terminal connection body was evaluated according to the method described above for connection resistance between opposing terminals, conduction path formation between terminals, and presence of residual solder in the insulating region. . The results are shown in Tables 1 and 2.

Figure 2012079526
Figure 2012079526

Figure 2012079526
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表１に示したように、各実施例では、第１の部分すなわち端子に対応する部分に選択的に第１の金属層が形成されていることに起因して、第２の金属層を選択的に端子同士の間に凝集させることができ、各評価とも優れた結果が得られることが判った。   As shown in Table 1, in each example, the second metal layer is selected because the first metal layer is selectively formed in the first portion, that is, the portion corresponding to the terminal. Thus, it can be aggregated between the terminals, and it was found that excellent results were obtained in each evaluation.

これに対して、表２に示したように、各比較例では、第２の金属層を端子同士の間に選択的に凝集させることができず、その結果、各評価とも各実施例と比較して明らかに劣る結果となった。   On the other hand, as shown in Table 2, in each comparative example, the second metal layer could not be selectively aggregated between the terminals, and as a result, each evaluation was compared with each example. The result was clearly inferior.

１、１００、１０１ 導電接続シート
１０ 半導体装置
１１ 第１の樹脂組成物層
１２ 金属層
１２１ 第１の金属層
１２２ 第２の金属層
１３ 第２の樹脂組成物層
１５ 第１の部分
１６ 第２の部分
２０ 半導体チップ
２１ 端子
３０ インターポーザー
４１ 端子
６５ 搭載領域
７０ バンプ（端子）
８０ 封止層
８１ 接続部
８５ 接続端子
８６ 補強層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,100,101 Conductive connection sheet 10 Semiconductor device 11 1st resin composition layer 12 Metal layer 121 1st metal layer 122 2nd metal layer 13 2nd resin composition layer 15 1st part 16 2nd Part 20 Semiconductor chip 21 Terminal 30 Interposer 41 Terminal 65 Mounting area 70 Bump (terminal)
80 Sealing layer 81 Connection portion 85 Connection terminal 86 Reinforcing layer

Claims (15)

樹脂成分を含有する樹脂組成物層と、低融点の第１の金属材料で構成される第１の金属層と、前記第１の金属材料より低融点の第２の金属材料で構成される第２の金属層とを備える積層体により構成される導電接続シートであって、
当該導電接続シートを、端子を有する基材上に配置する際に、前記端子上に配置されるべき第１の部分と、この第１の部分以外の第２の部分とからなり、
前記第１の金属層は、前記第１の部分に対応して選択的に設けられていることを特徴とする導電接続シート。 A resin composition layer containing a resin component, a first metal layer composed of a first metal material having a low melting point, and a second metal material composed of a second metal material having a lower melting point than the first metal material. A conductive connection sheet comprising a laminate comprising two metal layers,
When arranging the conductive connection sheet on a substrate having terminals, the conductive connection sheet comprises a first part to be arranged on the terminal and a second part other than the first part,
The conductive connection sheet, wherein the first metal layer is selectively provided corresponding to the first portion. 前記第１の金属層の融点と前記第２の金属層の融点との差は、２０℃以上である請求項１に記載の導電接続シート。   The conductive connection sheet according to claim 1, wherein the difference between the melting point of the first metal layer and the melting point of the second metal layer is 20 ° C or higher. 前記第２の金属層は、前記第１の部分および前記第２の部分の双方に、ほぼ均一な厚さで設けられている請求項１または２に記載の導電接続シート。   The conductive connection sheet according to claim 1, wherein the second metal layer is provided with a substantially uniform thickness on both the first portion and the second portion. 前記第２の金属層は、前記第２の部分において、部分的に設けられている請求項３に記載の導電接続シート。   The conductive connection sheet according to claim 3, wherein the second metal layer is partially provided in the second portion. 前記第１の金属層と前記第２の金属層とは、互いに接触して積層されている請求項３または４に記載の導電接続シート。   The conductive connection sheet according to claim 3 or 4, wherein the first metal layer and the second metal layer are laminated in contact with each other. 前記第２の金属層は、前記第２の部分に対応して、選択的に設けられている請求項１または２に記載の導電接続シート。   The conductive connection sheet according to claim 1, wherein the second metal layer is selectively provided corresponding to the second portion. 前記第１の金属層と前記第２の金属層とで、１つの層が構成される請求項６に記載の導電接続シート。   The conductive connection sheet according to claim 6, wherein the first metal layer and the second metal layer constitute one layer. 前記基材と対向配置される対向基材を接着し、かつ、前記基材が有する端子と、前記対向配置される対向基材が有する端子とを電気的に接続するものである請求項１ないし７のいずれかに記載の導電接続シート。   The counter substrate disposed opposite to the substrate is bonded, and the terminal included in the substrate is electrically connected to the terminal included in the counter substrate disposed opposite to the substrate. The conductive connection sheet according to any one of 7. 前記第１の金属層および第２の金属層は、それぞれ、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）および銅（Ｃｕ）からなる群から選択される少なくとも２種以上の金属の合金または錫の単体である請求項１ないし８のいずれかに記載の導電接続シート。   The first metal layer and the second metal layer are tin (Sn), lead (Pb), silver (Ag), bismuth (Bi), indium (In), zinc (Zn), and nickel (Ni), respectively. An alloy of at least two metals selected from the group consisting of antimony (Sb), iron (Fe), aluminum (Al), gold (Au), germanium (Ge) and copper (Cu), or a simple substance of tin The conductive connection sheet according to any one of claims 1 to 8. 前記第１の金属層および第２の金属層は、それぞれ、Ｓｎ−Ｐｂ合金、Ｓｎ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金またはＳｎ−Ａｇ合金を主材料として構成される請求項９に記載の導電接続シート。   The said 1st metal layer and 2nd metal layer are respectively comprised by using Sn-Pb alloy, Sn-Bi alloy, Sn-Ag-Cu alloy, or Sn-Ag alloy as a main material. Conductive connection sheet. 前記積層体において、前記樹脂組成物層は、第１の樹脂組成物層および第２の樹脂組成物層とで構成され、前記積層体は、前記第１の樹脂組成物層、前記第１の金属層、前記第２の金属層および前記第２の樹脂組成物層がこの順で積層されたもので構成される請求項１ないし１０のいずれかに記載の導電接続シート。   In the laminate, the resin composition layer includes a first resin composition layer and a second resin composition layer, and the laminate includes the first resin composition layer and the first resin composition layer. The conductive connection sheet according to any one of claims 1 to 10, comprising a metal layer, the second metal layer, and the second resin composition layer laminated in this order. 請求項１ないし１１のいずれかに記載の導電接続シートを、前記基材が有する端子と、対向基材が有する端子同士の間に配置する配置工程と、前記第１の金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物層が変形可能な温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程と、前記樹脂組成物を硬化または固化させる硬化・固化工程とを有することを特徴とする端子間の接続方法。   The arrangement | positioning process which arrange | positions the electrically conductive connection sheet in any one of Claims 1 thru | or 11 between the terminal which the said base material has, and the terminals which an opposing base material has, and more than melting | fusing point of a said 1st metal material. And a heating step for heating the conductive connection sheet at a temperature at which the resin composition layer can be deformed, and a curing / solidification step for curing or solidifying the resin composition. Connection method. 請求項１ないし１１のいずれかに記載の導電接続シートを、前記基材上に配置する配置工程と、前記第１の金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物層が変形可能な温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程とを有することを特徴とする接続端子の形成方法。   It is more than melting | fusing point of the said 1st metal material, the arrangement | positioning process which arrange | positions the electrically conductive connection sheet in any one of Claim 1 thru | or 11 on the said base material, and the said resin composition layer is deformable. And a heating step of heating the conductive connection sheet at a temperature. 前記基材が有する端子と、対向基材が有する端子とが、請求項１ないし１１のいずれかに記載の導電接続シートを用いて形成された接続部を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。   The terminal which the said base material has, and the terminal which an opposing base material has are electrically connected through the connection part formed using the electrically conductive connection sheet in any one of Claim 1 thru | or 11. A semiconductor device characterized by the above. 前記基材が有する端子と、対向基材が有する端子とが、請求項１ないし１１のいずれかに記載の導電接続シートを用いて形成された接続部を介して電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。   The terminal which the said base material has, and the terminal which an opposing base material has are electrically connected through the connection part formed using the electrically conductive connection sheet in any one of Claim 1 thru | or 11. Electronic equipment characterized by
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