JP2012060168A - Substrate processing device, maintenance method for substrate processing device, control method for substrate processing device, protection method for substrate processing device, and manufacturing method for semiconductor device, and device state transition method - Google Patents

Substrate processing device, maintenance method for substrate processing device, control method for substrate processing device, protection method for substrate processing device, and manufacturing method for semiconductor device, and device state transition method Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing device of which maintenance operation can be done safely by a maintenance man even when the substrate processing device is turned on.SOLUTION: A substrate processing device comprises: a transition instruction part for causing a device state to transition from a waiting state where it is possible to enter the substrate processing device and it is possible to receive execution instructions of a recipe to an execution ready state where it is impossible to enter the substrate processing device and it is possible to execute the recipe; an event detection part for detecting generation of a specific event in which the transition from the waiting state to the execution ready state is forbidden and for notifying the transition instruction part of the generation; and a control part for forbidding the transition from the waiting state to the execution ready state when the generation of the specific event is detected to have been generated.

Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置、基板処理装置の制御方法、半導体デバイスの製造方法及び装置状態遷移方法に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate, a control method for a substrate processing apparatus, a semiconductor device manufacturing method, and an apparatus state transition method.

従来、DRAMやIC等のデバイスの製造工程の一工程として、処理条件及び処理手順が定義されたレシピに基づいて基板を処理する基板処理工程が実施されてきた。かかる工程を実施する基板処理装置の各部の動作は、制御部によって制御されている。   2. Description of the Related Art Conventionally, a substrate processing step for processing a substrate based on a recipe in which processing conditions and processing procedures are defined has been performed as a step of manufacturing a device such as a DRAM or an IC. The operation of each part of the substrate processing apparatus that performs this process is controlled by the control part.

前記基板処理装置のメンテナンス(保守作業)は、部品交換や修理又は各部の動作確認や各部の再調整を行うために、基板処理装置の内部に保守員が立ち入って行われる。その際、メンテナンス作業に費やす時間の短縮等のため、基板処理装置の電源を入れたまま、メンテナンス作業が行われる場合があった。   Maintenance (maintenance work) of the substrate processing apparatus is performed by maintenance personnel entering the substrate processing apparatus in order to perform component replacement, repair, operation check of each part, and readjustment of each part. At that time, in order to shorten the time spent for the maintenance work, the maintenance work may be performed while the substrate processing apparatus is turned on.

しかしながら、基板処理装置の電源を入れたままでメンテナンス作業が行われるため、メンテナンス中に、保守員の意図しないところで状態移行条件が満たされてしまい、自動的に実行可能状態に遷移され、所定のレシピが実行されてしまう恐れがあった。   However, since the maintenance work is performed with the substrate processing apparatus turned on, the state transition condition is satisfied at a place not intended by the maintenance staff during the maintenance, and the state is automatically changed to an executable state. There was a risk of being executed.

本発明は、基板処理装置の電源を入れたままメンテナンスを行っても、保守員が安全にメンテナンス作業を行うことができる基板処理装置、基板処理装置の制御方法、半導体デバイスの製造方法及び装置状態遷移方法を提供することを目的とする。   The present invention relates to a substrate processing apparatus, a method for controlling a substrate processing apparatus, a method for manufacturing a semiconductor device, and an apparatus state in which maintenance personnel can safely perform maintenance work even if maintenance is performed with the substrate processing apparatus turned on. The purpose is to provide a transition method.

本発明の一態様によれば、基板処理装置内への立ち入りが可能な装置状態であってレシピの実行指示を受け付け可能な待機状態から、前記基板処理装置内への立ち入りが不可能な装置状態であってレシピの実行可能な実行可能状態へ、装置状態を遷移させる遷移指示部と、前記待機状態から前記実行可能状態への遷移を禁止する所定のイベントの発生を検知して前記遷移指示部に通知するイベント検知部と、を備え、前記所定のイベントの発生を検知したら、前記待機状態から前記実行可能状態への遷移を禁止させる制御部を有する基板処理装置が提供される。   According to one aspect of the present invention, an apparatus state in which entry into the substrate processing apparatus is possible, and an apparatus state in which entry into the substrate processing apparatus is impossible from a standby state in which a recipe execution instruction can be accepted. A transition instruction unit that transitions the apparatus state to an executable state where the recipe can be executed, and the transition instruction unit that detects the occurrence of a predetermined event that prohibits the transition from the standby state to the executable state And a substrate processing apparatus having a control unit that prohibits transition from the standby state to the executable state when the occurrence of the predetermined event is detected.

本発明の他の態様によれば、基板処理装置に電源が入れられた直後の初期状態から、前記基板処理装置内への立ち入りが可能な装置状態であって所定のレシピの実行指示を受け付け可能な待機状態へ、装置状態を遷移させる工程と、前記待機状態から、前記基板処理装置内への立ち入りが不可能な装置状態であって前記所定のレシピの実行可能な実行可能状態へ、装置状態を遷移させる工程と、前記実行可能状態から、前記所定のレシピに定義された処理条件及び処理手順に沿って所定の処理を実行する実行中状態へ、装置状態を遷移させる工程と、を有する基板処理装置の制御方法であって、前記待機状態において、前記待機状態から前記実行可能状態への遷移を禁止する所定のイベントが発生したら、前記待機状態から前記実行可能状態への遷移を禁止させて前記所定のレシピを実行させない基板処理装置の制御方法が提供される。   According to another aspect of the present invention, an apparatus can enter the substrate processing apparatus from an initial state immediately after the substrate processing apparatus is turned on, and can accept a predetermined recipe execution instruction. A process of transitioning the apparatus state to a standby state, and the apparatus state from the standby state to an executable state in which the predetermined recipe can be executed in an apparatus state incapable of entering the substrate processing apparatus And a step of transitioning the apparatus state from the executable state to a running state in which a predetermined process is executed in accordance with the processing conditions and processing procedures defined in the predetermined recipe. A control method for a processing apparatus, wherein a predetermined event that prohibits transition from the standby state to the executable state occurs in the standby state, and the executable state from the standby state Transition is prohibited in the control method of a substrate processing apparatus that does not perform the predetermined recipe is provided.

本発明のさらに他の態様によれば、基板処理装置に電源が入れられた直後の初期状態から、前記基板処理装置内への立ち入りが可能な装置状態であって所定のレシピの実行指示
を受け付け可能な待機状態へ、装置状態を遷移させる工程と、前記待機状態から、前記基板処理装置内への立ち入りが不可能な装置状態であって前記所定のレシピの実行可能な実行可能状態へ、装置状態を遷移させる工程と、前記実行可能状態から、前記所定のレシピに定義された処理条件及び処理手順に沿って所定の処理を実行する実行中状態へ、装置状態を遷移させる工程と、を有し、前記実行中状態では、前記所定のレシピを実行して、基板に所定の処理を実行する半導体デバイスの製造方法であって、前記待機状態において、前記待機状態から前記実行可能状態への遷移を禁止する所定のイベントが発生したら、前記待機状態から前記実行可能状態への遷移を禁止させて前記所定のレシピを実行させない半導体デバイスの製造方法が提供される。
According to still another aspect of the present invention, the apparatus is in an apparatus state in which entry into the substrate processing apparatus is possible from an initial state immediately after the substrate processing apparatus is turned on, and an instruction to execute a predetermined recipe is received. A process of transitioning the apparatus state to a possible standby state, and the apparatus from the standby state to an executable state in which the predetermined recipe can be executed in an apparatus state incapable of entering the substrate processing apparatus A state transition step, and a step of transitioning the apparatus state from the executable state to a running state in which a predetermined process is executed in accordance with the processing condition and processing procedure defined in the predetermined recipe. In the in-execution state, the semiconductor device manufacturing method executes the predetermined recipe to execute a predetermined process on the substrate, and is executable from the standby state in the standby state. When a predetermined event for prohibiting a transition to state occurs, the manufacturing method of the from the standby state by prohibiting the transition of the to the executable state not executing the predetermined recipe semiconductor device is provided.

本発明のさらに他の態様によれば、装置に電源が入れられた直後の初期状態から、前記装置内への立ち入りが可能な装置状態であって所定のレシピの実行指示を受け付け可能な待機状態へ、装置状態を遷移させ、前記待機状態から、前記装置内への立ち入りが不可能な装置状態であって前記所定のレシピの実行可能な実行可能状態へ、装置状態を遷移させ、前記実行可能状態から、前記所定のレシピに定義された処理条件及び処理手順に沿って所定の処理を実行する実行中状態へ、装置状態を遷移させ、前記所定のレシピが終了したら、前記実行中状態から前記待機状態へ装置状態を遷移させる装置状態遷移方法であって、前記待機状態から前記実行可能状態への遷移を禁止する所定のイベントが発生したら、前記待機状態から前記実行可能状態への遷移を禁止させる装置状態遷移方法が提供される。   According to still another aspect of the present invention, the apparatus is in an apparatus state in which the apparatus can enter the apparatus from the initial state immediately after the apparatus is turned on, and can receive a predetermined recipe execution instruction. The device state is changed, the device state is changed from the standby state to a device state incapable of entering the device and the predetermined recipe can be executed, and the execution is possible. When the apparatus state is transitioned from the state to an executing state in which a predetermined process is executed in accordance with the processing conditions and processing procedures defined in the predetermined recipe, and when the predetermined recipe is completed, A device state transition method for transitioning a device state to a standby state, wherein when a predetermined event that prohibits transition from the standby state to the executable state occurs, the execution is possible from the standby state. Device state transition process to prohibit the transition to state is provided.

本発明に係る基板処理装置によれば、基板処理装置に電源を入れたままでメンテナンス作業を行っても、自動的に所定のレシピが実行されないようにすることにより、メンテナンス作業時の安全性が向上する。   According to the substrate processing apparatus of the present invention, even when a maintenance operation is performed while the substrate processing apparatus is turned on, a predetermined recipe is not automatically executed, thereby improving safety during the maintenance operation. To do.

本発明の一実施形態に係る基板処理システムの概要構成図である。1 is a schematic configuration diagram of a substrate processing system according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る基板処理装置の斜透視図である。It is a perspective view of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る基板処理装置の側面透視図である。It is side surface perspective drawing of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る基板処理装置の処理炉の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the processing furnace of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る基板処理装置が備える基板処理用コントローラ及びその周辺のブロック構成図である。It is a block block diagram of the substrate processing controller with which the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention is provided, and its periphery. 本発明の一実施形態に係る基板処理装置と群管理装置との通信状態,基板処理装置の状態,基板処理用コントローラと基板搬送系との通信状態の定義を例示する図である。It is a figure which illustrates the definition of the communication state of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention, a group management apparatus, the state of a substrate processing apparatus, and the communication state of a substrate processing controller and a substrate conveyance system. 本発明の一実施形態に係る基板処理装置の状態遷移を説明する図である。It is a figure explaining the state transition of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る基板処理及びパージクリーニング処理を例示するフロー図である。It is a flowchart which illustrates the board | substrate process and purge cleaning process which concern on one Embodiment of this invention.

<本発明の一実施形態>
以下に、本発明の一実施形態について説明する。
<One Embodiment of the Present Invention>
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described.

(1)基板処理システムの構成
まず、図1を用いて、本発明の一実施形態に係る基板処理システムの構成について説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理システムの概要構成図である。
(1) Configuration of Substrate Processing System First, the configuration of a substrate processing system according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.

図1に示すように、本実施形態に係る基板処理システムは、少なくとも一台の基板処理装置100と、この基板処理装置100とデータ交換可能なように接続されるホストコン
ピュータ600や群管理装置500と、を備えている。基板処理装置100は、処理手順及び処理条件が定義されたレシピに基づく処理プロセスを実行するように構成されている。基板処理装置100と群管理装置500及び/又はホストコンピュータ600との間は、例えば構内回線(LAN)や広域回線(WAN)等のネットワーク400により接続されている。
As shown in FIG. 1, the substrate processing system according to the present embodiment includes at least one substrate processing apparatus 100, and a host computer 600 and a group management apparatus 500 connected to the substrate processing apparatus 100 so as to exchange data. And. The substrate processing apparatus 100 is configured to execute a processing process based on a recipe in which processing procedures and processing conditions are defined. The substrate processing apparatus 100 and the group management apparatus 500 and / or the host computer 600 are connected by a network 400 such as a local line (LAN) or a wide area line (WAN).

(2)基板処理装置の構成
続いて、本実施形態に係る基板処理装置100の構成について、図2,図3を参照しながら説明する。図2は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の斜透視図である。図3は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の側面透視図である。なお、本実施形態にかかる基板処理装置100は、所定のレシピにしたがって、例えばウエハ等の基板に酸化、拡散処理、CVD処理などを行う縦型の装置として構成されている。
(2) Configuration of Substrate Processing Apparatus Next, the configuration of the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a perspective view of the substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention. FIG. 3 is a side perspective view of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment is configured as a vertical apparatus that performs oxidation, diffusion processing, CVD processing, and the like on a substrate such as a wafer according to a predetermined recipe.

図2、図3に示すように、本実施形態に係る基板処理装置100は、耐圧容器として構成された筐体111を備えている。筐体111の正面壁111aの正面前方部には、メンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口103が開設されている。正面メンテナンス口103には、正面メンテナンス口103を開閉する立ち入り機構として一対の正面メンテナンス扉104が設けられている。シリコン等のウエハ(基板)200を収納したポッド(基板収容器)110が、筐体111内外へウエハ200を搬送するキャリアとして使用される。   As shown in FIGS. 2 and 3, the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment includes a housing 111 configured as a pressure vessel. A front maintenance port 103 serving as an opening provided for maintenance is provided in the front front portion of the front wall 111a of the casing 111. The front maintenance port 103 is provided with a pair of front maintenance doors 104 as an access mechanism for opening and closing the front maintenance port 103. A pod (substrate container) 110 containing a wafer (substrate) 200 such as silicon is used as a carrier for transporting the wafer 200 into and out of the housing 111.

筐体111の正面壁111aには、ポッド搬入搬出口(基板収容器搬入搬出口)112が、筐体111内外を連通するように開設されている。ポッド搬入搬出口112は、フロントシャッタ(基板収容器搬入搬出口開閉機構)113によって開閉されるようになっている。ポッド搬入搬出口112の正面前方側には、載置部としてロードポート(基板収容器受渡し台)114が設置されている。ロードポート114上には、ポッド110を載置されると共に位置合わせされるように構成されている。ポッド110は、OHT(Overhead Hoist Transport)等の工程内搬送装置(図示せず)によってロードポート114上に搬送されるように構成されている。   A pod loading / unloading port (substrate container loading / unloading port) 112 is opened on the front wall 111 a of the housing 111 so as to communicate between the inside and the outside of the housing 111. The pod loading / unloading port 112 is opened and closed by a front shutter (substrate container loading / unloading port opening / closing mechanism) 113. On the front front side of the pod loading / unloading port 112, a load port (substrate container delivery table) 114 is installed as a mounting portion. On the load port 114, the pod 110 is placed and aligned. The pod 110 is configured to be transferred onto the load port 114 by an in-process transfer device (not shown) such as OHT (Overhead Hoist Transport).

筐体111内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚(基板収容器載置棚)105が設置されている。回転式ポッド棚105上には、複数個のポッド110が保管されるように構成されている。回転式ポッド棚105は、垂直に立設されて水平面内で間欠的に回転される支柱116と、支柱116に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板(基板収容器載置台)117と、を備えている。複数枚の棚板117は、ポッド110を複数個それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。   A rotary pod shelf (substrate container mounting shelf) 105 is installed at an upper portion of the housing 111 at a substantially central portion in the front-rear direction. A plurality of pods 110 are stored on the rotary pod shelf 105. The rotary pod shelf 105 includes a support column 116 that is erected vertically and is intermittently rotated in a horizontal plane, and a plurality of shelf plates (substrate containers) that are radially supported by the support column 116 at the upper, middle, and lower positions. Mounting stage) 117. The plurality of shelf plates 117 are configured to hold a plurality of pods 110 in a state where they are mounted.

筐体111内におけるロードポート114と回転式ポッド棚105との間には、ポッド搬送装置(基板収容器搬送装置)118が設置されている。ポッド搬送装置118は、ポッド110を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ(基板収容器昇降機構)118aと、搬送機構としてのポッド搬送機構(基板収容器搬送機構)118bとで構成されている。ポッド搬送装置118は、ポッドエレベータ118aとポッド搬送機構118bとの連続動作により、ロードポート114、回転式ポッド棚105、ポッドオープナ(基板収容器蓋体開閉機構)121との間で、ポッド110を相互に搬送するように構成されている。   A pod transfer device (substrate container transfer device) 118 is installed between the load port 114 and the rotary pod shelf 105 in the housing 111. The pod transfer device 118 includes a pod elevator (substrate container lifting mechanism) 118a that can be moved up and down while holding the pod 110, and a pod transfer mechanism (substrate container transfer mechanism) 118b as a transfer mechanism. The pod transfer device 118 moves the pod 110 between the load port 114, the rotary pod shelf 105, and the pod opener (substrate container lid opening / closing mechanism) 121 by the continuous operation of the pod elevator 118a and the pod transfer mechanism 118b. It is comprised so that it may convey mutually.

筐体111内の下部には、サブ筐体119が筐体111内の前後方向の略中央部から後端にわたって設けられている。サブ筐体119の正面壁119aには、ウエハ200をサブ筐体119内外に搬送する一対のウエハ搬入搬出口(基板搬入搬出口)120が、垂直方向に上下二段に並べられて設けられている。上下段のウエハ搬入搬出口120には、ポ
ッドオープナ121がそれぞれ設置されている。
A sub-housing 119 is provided in the lower part of the housing 111 from the substantially central portion in the front-rear direction to the rear end in the housing 111. A pair of wafer loading / unloading ports (substrate loading / unloading ports) 120 that transfer the wafer 200 into and out of the sub-casing 119 are provided on the front wall 119a of the sub-casing 119 so as to be arranged vertically in two stages. Yes. Pod openers 121 are respectively installed at the upper and lower wafer loading / unloading ports 120.

各ポッドオープナ121は、ポッド110を載置する一対の載置台122と、ポッド110のキャップ(蓋体)を着脱するキャップ着脱機構(蓋体着脱機構)123とを備えている。ポッドオープナ121は、載置台122上に載置されたポッド110のキャップをキャップ着脱機構123によって着脱することにより、ポッド110のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。   Each pod opener 121 includes a pair of mounting bases 122 on which the pod 110 is mounted, and a cap attaching / detaching mechanism (lid attaching / detaching mechanism) 123 that attaches / detaches a cap (cover) of the pod 110. The pod opener 121 is configured to open and close the wafer loading / unloading port of the pod 110 by attaching / detaching the cap of the pod 110 placed on the placing table 122 by the cap attaching / detaching mechanism 123.

サブ筐体119内には、ポッド搬送装置118や回転式ポッド棚105等が設置された空間から流体的に隔絶された移載室124が構成されている。移載室124の前側領域にはウエハ移載機構(基板移載機構)125が設置されている。ウエハ移載機構125は、ウエハ200を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置(基板移載装置)125aと、ウエハ移載装置125aを昇降させるウエハ移載装置エレベータ(基板移載装置昇降機構)125bとで構成されている。図2に示すように、ウエハ移載装置エレベータ125bは、サブ筐体119の移載室124の前方領域右端部と筐体111右側の端部との間に設置されている。ウエハ移載装置125aは、ウエハ200の載置部としてのツイーザ(基板保持体)125cを備えている。これらウエハ移載装置エレベータ125b及びウエハ移載装置125aの連続動作により、ウエハ200をボート(基板保持具)217に対して装填(チャージング)及び脱装(ディスチャージング)することが可能に構成されている。   In the sub casing 119, a transfer chamber 124 that is fluidly isolated from a space in which the pod transfer device 118, the rotary pod shelf 105, and the like are installed is configured. A wafer transfer mechanism (substrate transfer mechanism) 125 is installed in the front region of the transfer chamber 124. The wafer transfer mechanism 125 includes a wafer transfer device (substrate transfer device) 125a that can rotate or linearly move the wafer 200 in the horizontal direction, and a wafer transfer device elevator (substrate transfer device) that moves the wafer transfer device 125a up and down. (Elevating mechanism) 125b. As shown in FIG. 2, the wafer transfer device elevator 125 b is installed between the right end of the front area of the transfer chamber 124 of the sub-housing 119 and the right end of the housing 111. The wafer transfer device 125 a includes a tweezer (substrate holding body) 125 c as a mounting portion for the wafer 200. The wafer 200 can be loaded (charged) and unloaded (discharged) with respect to the boat (substrate holder) 217 by the continuous operation of the wafer transfer device elevator 125b and the wafer transfer device 125a. ing.

移載室124の後側領域には、ボート217を収容して待機させる待機部126が構成されている。待機部126の上方には、処理炉202が設けられている。処理炉202の下端部は、炉口シャッタ(炉口開閉機構)147により開閉されるように構成されている。   In the rear region of the transfer chamber 124, a standby unit 126 that houses and waits for the boat 217 is configured. A processing furnace 202 is provided above the standby unit 126. The lower end portion of the processing furnace 202 is configured to be opened and closed by a furnace port shutter (furnace port opening / closing mechanism) 147.

図2に示すように、サブ筐体119の待機部126右端部と筐体111右側端部との間には、ボート217を昇降させるボートエレベータ(基板保持具昇降機構)115が設置されている。ボートエレベータ115の昇降台には、連結具としてのアーム128が連結されている。アーム128には、蓋体としてのシールキャップ219が水平に据え付けられている。シールキャップ219は、ボート217を垂直に支持し、処理炉202の下端部を閉塞可能なように構成されている。   As shown in FIG. 2, a boat elevator (substrate holder lifting mechanism) 115 that lifts and lowers the boat 217 is installed between the right end of the standby section 126 and the right end of the casing 111 of the sub casing 119. . An arm 128 as a connecting tool is connected to the elevator platform of the boat elevator 115. A seal cap 219 serving as a lid is horizontally installed on the arm 128. The seal cap 219 is configured to support the boat 217 vertically and to close the lower end portion of the processing furnace 202.

主に、回転式ポッド棚105,ボートエレベータ115,ポッド搬送装置(基板収容器搬送装置)118,ウエハ移載機構(基板移載機構)125,ボート217及び後述の回転機構254により、本実施形態に係る基板搬送系が構成されている。これら回転式ポッド棚105,ボートエレベータ115,ポッド搬送装置(基板収容器搬送装置)118,ウエハ移載機構(基板移載機構)125,ボート217及び回転機構254は、後述のサブコントローラとしての搬送コントローラ11に電気的に接続されている。   This embodiment is mainly composed of a rotary pod shelf 105, a boat elevator 115, a pod transfer device (substrate container transfer device) 118, a wafer transfer mechanism (substrate transfer mechanism) 125, a boat 217, and a rotation mechanism 254 described later. The substrate transfer system according to the above is configured. The rotary pod shelf 105, the boat elevator 115, the pod transfer device (substrate container transfer device) 118, the wafer transfer mechanism (substrate transfer mechanism) 125, the boat 217, and the rotation mechanism 254 are transferred as a sub-controller described later. The controller 11 is electrically connected.

ボート217は複数本の保持部材を備えている。ボート217は、複数枚(例えば、50枚〜125枚程度)のウエハ200を、その中心を揃えて垂直方向に整列させた状態でそれぞれ水平に保持するように構成されている。   The boat 217 includes a plurality of holding members. The boat 217 is configured to hold a plurality of wafers 200 (for example, about 50 to 125 wafers) horizontally in a state where the centers are aligned in the vertical direction.

図2に示すように、移載室124のウエハ移載装置エレベータ125b側及びボートエレベータ115側と反対側である左側端部には、クリーンユニット134が設置されている。クリーンユニット134は、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア133を供給するよう供給ファン及び防塵フィルタで構成されている。ウエハ移載装置125aとクリーンユニット134との間には、ウエハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置(図示せず)が設置されている。   As shown in FIG. 2, a clean unit 134 is installed at the left end of the transfer chamber 124 opposite to the wafer transfer device elevator 125b side and the boat elevator 115 side. The clean unit 134 includes a supply fan and a dustproof filter so as to supply a clean atmosphere or clean air 133 that is an inert gas. Between the wafer transfer device 125a and the clean unit 134, a notch alignment device (not shown) is installed as a substrate alignment device for aligning the circumferential position of the wafer.

クリーンユニット134から吹き出されたクリーンエア133は、図示しないノッチ合わせ装置、ウエハ移載装置125a、待機部126にあるボート217の周囲を流通した後、図示しないダクトにより吸い込まれて筐体111の外部に排気されるか、もしくはクリーンユニット134の吸い込み側である一次側(供給側)にまで循環されてクリーンユニット134によって移載室124内に再び吹き出されるように構成されている。   The clean air 133 blown out from the clean unit 134 flows around the boat 217 in the notch alignment device, wafer transfer device 125a, and standby unit 126 (not shown), and is then sucked in by a duct (not shown) to the outside of the casing 111. Or is circulated to the primary side (supply side) that is the suction side of the clean unit 134 and is blown out again into the transfer chamber 124 by the clean unit 134.

なお、筐体111,サブ筐体119の外周には基板処理装置100内への立ち入り機構として図示しない複数の装置カバーが取り付けられている。これら装置カバーは、メンテナンス作業時に取り外して保守員が基板処理装置100内に立ち入り可能となっている。これら装置カバーと相対する筐体111,サブ筐体119の端部には、立ち入りセンサとしてのドアスイッチ130が設けられている。また、正面メンテナンス扉104と相対する筐体111の端部にも立ち入りセンサとしてドアスイッチ130が設けられている。また、ロードポート114上には、ポッド110の載置を検知する基板検知センサ140が設けられている。これらドアスイッチ130及び基板検知センサ140等のスイッチ,センサ類は、後述する入出力コントローラ15を介して後述の基板処理装置用コントローラ240に電気的に接続されている。   A plurality of device covers (not shown) are attached to the outer periphery of the housing 111 and the sub-housing 119 as a mechanism for entering the substrate processing apparatus 100. These apparatus covers are removed during maintenance work, and maintenance personnel can enter the substrate processing apparatus 100. A door switch 130 is provided as an entrance sensor at the ends of the casing 111 and the sub casing 119 facing the device cover. Also, a door switch 130 is provided as an entrance sensor at the end of the casing 111 facing the front maintenance door 104. A substrate detection sensor 140 that detects the placement of the pod 110 is provided on the load port 114. The switches and sensors such as the door switch 130 and the substrate detection sensor 140 are electrically connected to a substrate processing apparatus controller 240 described later via an input / output controller 15 described later.

(3)基板処理装置の動作
次に、本実施形態にかかる基板処理装置100の動作について、図2,図3を参照しながら説明する。
(3) Operation of Substrate Processing Apparatus Next, the operation of the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.

図2、図3に示すように、ポッド110が工程内搬送装置(図示せず)によってロードポート114に供給されると、基板検知センサ140によりポッド110が検知され、ポッド搬入搬出口112がフロントシャッタ113によって開放される。そして、ロードポート114の上のポッド110が、ポッド搬送装置118によってポッド搬入搬出口112から筐体111内部へと搬入される。   As shown in FIGS. 2 and 3, when the pod 110 is supplied to the load port 114 by an in-process transfer device (not shown), the pod 110 is detected by the substrate detection sensor 140, and the pod loading / unloading port 112 is at the front. It is opened by the shutter 113. Then, the pod 110 on the load port 114 is carried into the housing 111 from the pod carry-in / out port 112 by the pod carrying device 118.

筐体111内部へと搬入されたポッド110は、ポッド搬送装置118によって回転式ポッド棚105の棚板117上へ自動的に搬送されて一時的に保管される。その後、ポッド110は、棚板117上から一方のポッドオープナ121の載置台122上に移載される。なお、筐体111内部へと搬入されたポッド110は、ポッド搬送装置118によって直接ポッドオープナ121の載置台122上に移載されてもよい。この際、ポッドオープナ121のウエハ搬入搬出口120はキャップ着脱機構123によって閉じられており、移載室124内にはクリーンエア133が流通され、充満されている。例えば、移載室124内にクリーンエア133として窒素ガスが充満することにより、移載室124内の酸素濃度が例えば20ppm以下となり、大気雰囲気である筐体111内の酸素濃度よりも遥かに低くなるように設定されている。   The pod 110 carried into the housing 111 is automatically transferred onto the shelf plate 117 of the rotary pod shelf 105 by the pod transfer device 118 and temporarily stored. Thereafter, the pod 110 is transferred from the shelf 117 onto the mounting table 122 of one pod opener 121. Note that the pod 110 carried into the housing 111 may be directly transferred onto the mounting table 122 of the pod opener 121 by the pod transfer device 118. At this time, the wafer loading / unloading port 120 of the pod opener 121 is closed by the cap attaching / detaching mechanism 123, and clean air 133 is circulated and filled in the transfer chamber 124. For example, when the transfer chamber 124 is filled with nitrogen gas as clean air 133, the oxygen concentration in the transfer chamber 124 becomes, for example, 20 ppm or less, which is much lower than the oxygen concentration in the casing 111 that is an atmospheric atmosphere. It is set to be.

載置台122上に載置されたポッド110は、その開口側端面がサブ筐体119の正面壁119aにおけるウエハ搬入搬出口120の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構123によって取り外され、ウエハ出し入れ口が開放される。その後、ウエハ200は、ウエハ移載装置125aのツイーザ125cによってウエハ出し入れ口を通じてポッド110内からピックアップされ、ノッチ合わせ装置にて方位が整合された後、移載室124の後方にある待機部126内へ搬入され、ボート217内に装填(チャージング)される。ボート217内にウエハ200を装填したウエハ移載装置125aは、ポッド110に戻り、次のウエハ200をボート217内に装填する。   The pod 110 mounted on the mounting table 122 is pressed against the opening edge of the wafer loading / unloading port 120 in the front wall 119a of the sub-housing 119, and the cap is removed by the cap attaching / detaching mechanism 123. Then, the wafer loading / unloading port is opened. Thereafter, the wafer 200 is picked up from the pod 110 through the wafer loading / unloading port by the tweezer 125c of the wafer transfer device 125a, aligned in the notch alignment device, and then in the standby unit 126 at the rear of the transfer chamber 124. Are loaded into the boat 217 (charging). The wafer transfer device 125 a loaded with the wafer 200 in the boat 217 returns to the pod 110 and loads the next wafer 200 into the boat 217.

この一方(上段または下段)のポッドオープナ121におけるウエハ移載機構125によるウエハ200のボート217への装填作業中に、他方(下段または上段)のポッドオ
ープナ121の載置台122上には、別のポッド110が回転式ポッド棚105上からポッド搬送装置118によって搬送されて移載され、ポッドオープナ121によるポッド110の開放作業が同時進行される。
During the loading operation of the wafer 200 to the boat 217 by the wafer transfer mechanism 125 in the one (upper or lower) pod opener 121, the other (lower or upper) pod opener 121 is placed on the mounting table 122. The pod 110 is transferred from the rotary pod shelf 105 by the pod transfer device 118 and transferred, and the opening operation of the pod 110 by the pod opener 121 is simultaneously performed.

予め指定された枚数のウエハ200がボート217内に装填されると、炉口シャッタ147によって閉じられていた処理炉202の下端部が、炉口シャッタ147によって開放される。続いて、ウエハ200群を保持したボート217は、シールキャップ219がボートエレベータ115によって上昇されることにより処理炉202内へ搬入(ローディング)されていく。   When a predetermined number of wafers 200 are loaded into the boat 217, the lower end portion of the processing furnace 202 closed by the furnace port shutter 147 is opened by the furnace port shutter 147. Subsequently, the boat 217 holding the wafer 200 group is loaded into the processing furnace 202 when the seal cap 219 is lifted by the boat elevator 115.

ローディング後は、処理炉202内にてウエハ200に任意の処理が実施される。処理後は、ノッチ合わせ装置135でのウエハの整合工程を除き、上述の手順とほぼ逆の手順で、処理後のウエハ200を格納したボート217が処理室201内より搬出され、処理後のウエハ200を格納したポッド110が筐体111外へと搬出される。   After loading, arbitrary processing is performed on the wafer 200 in the processing furnace 202. After the processing, the boat 217 storing the processed wafers 200 is unloaded from the processing chamber 201 in a procedure almost opposite to the above procedure except for the wafer alignment process in the notch aligner 135, and the processed wafers are processed. The pod 110 storing 200 is carried out of the casing 111.

(4)処理炉の構成
続いて、本実施形態にかかる処理炉202の構成について、図4を用いて説明する。図4は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置100の処理炉202の縦断面図である。
(4) Configuration of Processing Furnace Next, the configuration of the processing furnace 202 according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a longitudinal sectional view of the processing furnace 202 of the substrate processing apparatus 100 according to one embodiment of the present invention.

図4に示すように、処理炉202は、反応管としてのプロセスチューブ203を備えている。プロセスチューブ203は、内部反応管としてのインナーチューブ204と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ205と、を備えている。インナーチューブ204は、例えば石英(SiO)または炭化シリコン(SiC)等の耐熱性材料により構成されている。インナーチューブ204は、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ204内の筒中空部には、基板としてのウエハ200を処理する処理室201が形成されている。処理室201内は、後述するボート217を収容可能なように構成されている。アウターチューブ205は、インナーチューブ204と同心円状に設けられている。アウターチューブ205は、内径がインナーチューブ204の外径よりも大きく、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。アウターチューブ205は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料により構成されている。 As shown in FIG. 4, the processing furnace 202 includes a process tube 203 as a reaction tube. The process tube 203 includes an inner tube 204 as an internal reaction tube and an outer tube 205 as an external reaction tube provided on the outside thereof. The inner tube 204 is made of a heat resistant material such as quartz (SiO 2 ) or silicon carbide (SiC). The inner tube 204 is formed in a cylindrical shape with an upper end and a lower end opened. A processing chamber 201 for processing a wafer 200 as a substrate is formed in a hollow cylindrical portion in the inner tube 204. The processing chamber 201 is configured to accommodate a boat 217 described later. The outer tube 205 is provided concentrically with the inner tube 204. The outer tube 205 has an inner diameter larger than the outer diameter of the inner tube 204, is formed in a cylindrical shape with the upper end closed and the lower end opened. The outer tube 205 is made of a heat resistant material such as quartz or silicon carbide.

プロセスチューブ203の外側には、プロセスチューブ203の側壁面を囲うように、加熱機構としてのヒータ206が設けられている。ヒータ206は円筒形状に構成されている。ヒータ206は、保持板としてのヒータベース251に支持されることにより垂直に据え付けられている。   A heater 206 as a heating mechanism is provided outside the process tube 203 so as to surround the side wall surface of the process tube 203. The heater 206 has a cylindrical shape. The heater 206 is vertically installed by being supported by a heater base 251 as a holding plate.

アウターチューブ205の下方には、アウターチューブ205と同心円状になるように、マニホールド209が配設されている。マニホールド209は、例えばステンレス等により構成されている。マニホールド209は、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド209は、インナーチューブ204の下端部とアウターチューブ205の下端部とにそれぞれ係合している。マニホールド209は、インナーチューブ204の下端部とアウターチューブ205の下端部とを支持するように設けられている。なお、マニホールド209とアウターチューブ205との間には、シール部材としてのOリング220aが設けられている。マニホールド209がヒータベース251に支持されることにより、プロセスチューブ203は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ203とマニホールド209とにより反応容器が形成される。   A manifold 209 is disposed below the outer tube 205 so as to be concentric with the outer tube 205. The manifold 209 is made of, for example, stainless steel. The manifold 209 is formed in a cylindrical shape with an upper end and a lower end opened. The manifold 209 is engaged with the lower end portion of the inner tube 204 and the lower end portion of the outer tube 205, respectively. The manifold 209 is provided to support the lower end portion of the inner tube 204 and the lower end portion of the outer tube 205. An O-ring 220a as a seal member is provided between the manifold 209 and the outer tube 205. By supporting the manifold 209 on the heater base 251, the process tube 203 is installed vertically. A reaction vessel is formed by the process tube 203 and the manifold 209.

後述するシールキャップ219には、ガス導入部としての処理ガスノズル230a及び
パージガスノズル230bが処理室201内に連通するように接続されている。処理ガスノズル230aには、処理ガス供給管232aが接続されている。処理ガス供給管232の上流側(処理ガスノズル230aとの接続側と反対側)には、ガス流量制御器としてのMFC(マスフローコントローラ)241aを介して、図示しない処理ガス供給源等が接続されている。また、パージガスノズル230bには、パージガス供給管232bが接続されている。パージガス供給管232bの上流側(パージガスノズル230bとの接続側と反対側)には、ガス流量制御器としてのMFC(マスフローコントローラ)241bを介して、図示しないパージガス供給源等が接続されている。
A processing gas nozzle 230 a and a purge gas nozzle 230 b as gas introduction portions are connected to a seal cap 219 described later so as to communicate with the inside of the processing chamber 201. A processing gas supply pipe 232a is connected to the processing gas nozzle 230a. A processing gas supply source (not shown) or the like is connected to the upstream side of the processing gas supply pipe 232 (the side opposite to the connection side with the processing gas nozzle 230a) via an MFC (mass flow controller) 241a as a gas flow rate controller. Yes. A purge gas supply pipe 232b is connected to the purge gas nozzle 230b. A purge gas supply source (not shown) or the like is connected to the upstream side of the purge gas supply pipe 232b (on the opposite side to the connection side with the purge gas nozzle 230b) via an MFC (mass flow controller) 241b as a gas flow rate controller.

主に、処理ガス供給源(図示しない)、MFC241a、処理ガス供給管232a及び処理ガスノズル230aにより、本実施形態に係る処理ガス供給系が構成されている。主に、パージガス供給源(図示しない)、MFC241b、パージガス供給管232b及びパージガスノズル230bにより、本実施形態に係るパージガス供給系が構成されている。主に、処理ガス供給系及びパージガス供給系により、本実施形態に係るガス供給系が構成されている。MFC241a,241bには、後述のサブコントローラとしてのガス供給コントローラ14が電気的に接続されている。   A processing gas supply system according to this embodiment is mainly configured by a processing gas supply source (not shown), the MFC 241a, the processing gas supply pipe 232a, and the processing gas nozzle 230a. A purge gas supply system according to this embodiment is mainly configured by a purge gas supply source (not shown), the MFC 241b, the purge gas supply pipe 232b, and the purge gas nozzle 230b. The gas supply system according to this embodiment is mainly constituted by the processing gas supply system and the purge gas supply system. A gas supply controller 14 as a sub-controller described later is electrically connected to the MFCs 241a and 241b.

マニホールド209には、処理室201内の雰囲気を排気する排気管231が設けられている。排気管231は、インナーチューブ204とアウターチューブ205との隙間によって形成される筒状空間250の下端部に配置されている。排気管231は、筒状空間250に連通している。排気管231の下流側(マニホールド209との接続側と反対側)には、圧力検知器としての圧力センサ245、例えばAPC(Auto Pressure Contoroller)として構成された圧力調整装置242、真空ポンプ等の真空排気装置246が上流側から順に接続されている。主に、排気管231、圧力センサ245、圧力調整装置242及び真空排気装置246により、本実施形態に係るガス排気機構が構成されている。圧力調整装置242及び圧力センサ245には、後述のサブコントローラとしての圧力コントローラ13が電気的に接続されている。   The manifold 209 is provided with an exhaust pipe 231 that exhausts the atmosphere in the processing chamber 201. The exhaust pipe 231 is disposed at the lower end portion of the cylindrical space 250 formed by the gap between the inner tube 204 and the outer tube 205. The exhaust pipe 231 communicates with the cylindrical space 250. On the downstream side of the exhaust pipe 231 (on the side opposite to the connection side with the manifold 209), a pressure sensor 245 as a pressure detector, for example, a pressure regulator 242 configured as an APC (Auto Pressure Controller), a vacuum such as a vacuum pump, etc. The exhaust device 246 is connected in order from the upstream side. The gas exhaust mechanism according to the present embodiment is mainly configured by the exhaust pipe 231, the pressure sensor 245, the pressure adjusting device 242, and the vacuum exhaust device 246. A pressure controller 13 as a sub-controller described later is electrically connected to the pressure adjusting device 242 and the pressure sensor 245.

マニホールド209の下方には、マニホールド209の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ219が設けられている。シールキャップ219は、マニホールド209の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ219は、例えばステンレス等の金属により構成されている。シールキャップ219は、円盤状に形成されている。シールキャップ219の上面には、マニホールド209の下端と当接するシール部材としてのOリング220bが設けられている。   Below the manifold 209, a seal cap 219 is provided as a furnace port lid that can airtightly close the lower end opening of the manifold 209. The seal cap 219 is brought into contact with the lower end of the manifold 209 from the lower side in the vertical direction. The seal cap 219 is made of a metal such as stainless steel. The seal cap 219 is formed in a disc shape. On the upper surface of the seal cap 219, an O-ring 220b is provided as a seal member that comes into contact with the lower end of the manifold 209.

シールキャップ219の中心部付近であって処理室201と反対側には、ボートを回転させる回転機構254が設置されている。回転機構254の回転軸255は、シールキャップ219を貫通してボート217を下方から支持している。回転機構254は、ボート217を回転させることでウエハ200を回転させることが可能に構成されている。   A rotation mechanism 254 for rotating the boat is installed near the center of the seal cap 219 and on the side opposite to the processing chamber 201. The rotation shaft 255 of the rotation mechanism 254 passes through the seal cap 219 and supports the boat 217 from below. The rotation mechanism 254 is configured to be able to rotate the wafer 200 by rotating the boat 217.

シールキャップ219は、プロセスチューブ203の外部に垂直に設備された基板保持具昇降機構としてのボートエレベータ115によって、垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ219を昇降させることにより、ボート217を処理室201内外へ搬送することが可能に構成されている。回転機構254及びボートエレベータ115には、後述のサブコントローラとしての搬送コントローラ11が電気的に接続されている。   The seal cap 219 is configured to be lifted and lowered in the vertical direction by a boat elevator 115 as a substrate holder lifting mechanism vertically installed outside the process tube 203. By moving the seal cap 219 up and down, the boat 217 can be transferred into and out of the processing chamber 201. A conveyance controller 11 as a sub-controller described later is electrically connected to the rotation mechanism 254 and the boat elevator 115.

上述したように、基板保持具としてのボート217は、複数枚のウエハ200を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。ボート217は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料により構成されている。ボート21
7の下部には、断熱部材としての断熱板216が水平姿勢で多段に複数枚配置されている。断熱板216は、円板形状に形成されている。断熱板216は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料により構成されている。断熱板216は、ヒータ206からの熱をマニホールド209側に伝えにくくするように構成されている。
As described above, the boat 217 as a substrate holder is configured to hold a plurality of wafers 200 in a multi-stage by aligning the wafers 200 in a horizontal posture and in a state where their centers are aligned with each other. The boat 217 is made of a heat resistant material such as quartz or silicon carbide. Boat 21
7, a plurality of heat insulating plates 216 as heat insulating members are arranged in a horizontal posture in multiple stages. The heat insulating plate 216 is formed in a disc shape. The heat insulating plate 216 is made of a heat resistant material such as quartz or silicon carbide. The heat insulating plate 216 is configured to make it difficult to transfer heat from the heater 206 to the manifold 209 side.

プロセスチューブ203内には、温度検知器としての温度センサ263が設置されている。主に、ヒータ206及び温度センサ263により、本実施形態に係る加熱機構が構成されている。これらヒータ206と温度センサ263とには、後述のサブコントローラとしての温度コントローラ12が電気的に接続されている。   A temperature sensor 263 as a temperature detector is installed in the process tube 203. The heater 206 and the temperature sensor 263 mainly constitute the heating mechanism according to this embodiment. A temperature controller 12 as a sub-controller described later is electrically connected to the heater 206 and the temperature sensor 263.

主に、処理炉202、加熱機構、ガス供給系、ガス排気機構、シールキャップ219、回転機構219、ボートエレベータ115、ボート217、各種サブコントローラ及びセンサにより、本実施形態に係る基板処理系が構成されている。   The substrate processing system according to this embodiment is mainly configured by the processing furnace 202, a heating mechanism, a gas supply system, a gas exhaust mechanism, a seal cap 219, a rotating mechanism 219, a boat elevator 115, a boat 217, various sub-controllers, and sensors. Has been.

(5)処理炉の動作
続いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、上記構成に係る処理炉202を用いてCVD法によりウエハ200上に薄膜を形成する方法について、図4を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置100を構成する各部の動作は基板処理装置用コントローラ240により制御される。この場合、基板処理装置用コントローラ240は、ウエハ200上に薄膜を形成するためのレシピとして、最適な基板処理レシピ(プロセスレシピ)を選択して実行する。
(5) Operation of Processing Furnace Subsequently, as one step of the semiconductor device manufacturing process, a method of forming a thin film on the wafer 200 by the CVD method using the processing furnace 202 according to the above configuration will be described with reference to FIG. explain. In the following description, the operation of each part constituting the substrate processing apparatus 100 is controlled by the substrate processing apparatus controller 240. In this case, the substrate processing apparatus controller 240 selects and executes an optimum substrate processing recipe (process recipe) as a recipe for forming a thin film on the wafer 200.

複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)されると、図4に示すように、複数枚のウエハ200を保持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内に搬入(ボートローディング)される。この状態で、シールキャップ219はOリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。   When a plurality of wafers 200 are loaded into the boat 217 (wafer charge), as shown in FIG. 4, the boat 217 holding the plurality of wafers 200 is lifted by the boat elevator 115 and loaded into the processing chamber 201. (Boat loading). In this state, the seal cap 219 seals the lower end of the manifold 209 via the O-ring 220b.

処理室201内が所望の圧力(真空度)となるように、真空排気装置246によって真空排気される。この際、圧力センサ245が測定した圧力値に基づき、圧力調整装置242の弁の開度がフィードバック制御される。また、処理室201内が所望の温度となるように、ヒータ206によって加熱される。この際、温度センサ263が検知した温度値に基づき、ヒータ206への通電量がフィードバック制御される。続いて、回転機構254により、ボート217及びウエハ200が回転させられる。   The processing chamber 201 is evacuated by the evacuation device 246 so that a desired pressure (degree of vacuum) is obtained. At this time, based on the pressure value measured by the pressure sensor 245, the opening degree of the valve of the pressure adjusting device 242 is feedback-controlled. In addition, the heater 206 is heated so that the inside of the processing chamber 201 has a desired temperature. At this time, the energization amount to the heater 206 is feedback controlled based on the temperature value detected by the temperature sensor 263. Subsequently, the boat 217 and the wafers 200 are rotated by the rotation mechanism 254.

次いで、処理ガス供給源から供給されてMFC241aにて所望の流量となるように制御された処理ガスは、ガス供給管232a内を流通してノズル230aから処理室201内に導入される。導入された処理ガスは処理室201内を上昇し、インナーチューブ204の上端開口から筒状空間250内に流出して排気管231から排気される。ガスは、処理室201内を通過する際にウエハ200の表面と接触し、この際に熱CVD反応によってウエハ200の表面上に薄膜が堆積(デポジション)される。   Next, the processing gas supplied from the processing gas supply source and controlled to have a desired flow rate by the MFC 241a flows through the gas supply pipe 232a and is introduced into the processing chamber 201 from the nozzle 230a. The introduced processing gas rises in the processing chamber 201, flows out from the upper end opening of the inner tube 204 into the cylindrical space 250, and is exhausted from the exhaust pipe 231. The gas comes into contact with the surface of the wafer 200 when passing through the processing chamber 201, and at this time, a thin film is deposited on the surface of the wafer 200 by a thermal CVD reaction.

予め設定された処理時間が経過すると、パージガス供給源から供給されてMFC241bにて所望の流量となるように制御されたパージガスが処理室201内に供給され、処理室201内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室201内の圧力が常圧に復帰される。   When a preset processing time has elapsed, purge gas supplied from a purge gas supply source and controlled to have a desired flow rate by the MFC 241b is supplied into the processing chamber 201, and the processing chamber 201 is replaced with an inert gas. At the same time, the pressure in the processing chamber 201 is returned to normal pressure.

その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降されてマニホールド209の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ200を保持するボート217がマニホールド209の下端からプロセスチューブ203の外部へと搬出(ボートアンロー
ディング)される。その後、処理済のウエハ200はボート217より取り出され、ポッド110内へ格納される(ウエハディスチャージ)。
Thereafter, the seal cap 219 is lowered by the boat elevator 115 to open the lower end of the manifold 209, and the boat 217 holding the processed wafer 200 is carried out from the lower end of the manifold 209 to the outside of the process tube 203 (boat unloading). Loading). Thereafter, the processed wafer 200 is taken out from the boat 217 and stored in the pod 110 (wafer discharge).

このように、ウエハ200等に基板を処理する基板処理レシピ(プロセスレシピ)は、少なくとも、搬入(ボートローディング)工程と、処理条件及び処理手順に沿って基板に処理を施す工程と、搬出(ボートローディング)工程と、を実行するように定義されている。さらには、本実施形態のように、ウエハチャージやウエハディスチャージを実行するように定義されている場合がある。   As described above, a substrate processing recipe (process recipe) for processing a substrate on the wafer 200 or the like includes at least a loading (boat loading) step, a step of processing a substrate according to processing conditions and processing steps, and an unloading (boat). Loading) process. Furthermore, as in this embodiment, it may be defined to execute wafer charge or wafer discharge.

(6)基板処理装置用コントローラの構成
続いて、処理炉202を構成する各部の動作を制御する基板処理装置用コントローラ240及びその周辺のブロック構成を、図5〜図8を参照しながら説明する。
(6) Configuration of Controller for Substrate Processing Apparatus Subsequently, the controller for substrate processing apparatus 240 that controls the operation of each part constituting the processing furnace 202 and its peripheral block configuration will be described with reference to FIGS. .

図5は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置が備える基板処理用コントローラ及びその周辺のブロック構成図である。図6は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置と群管理装置との通信状態,基板処理装置の状態,基板処理用コントローラと基板搬送系との通信状態の定義を例示する図である。図7は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置100の状態遷移を説明する図である。図8は、本発明の一実施形態に係る基板処理及びパージクリーニング処理を例示するフロー図である。   FIG. 5 is a block diagram of a substrate processing controller and its surroundings provided in the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 6 is a diagram illustrating definitions of the communication state between the substrate processing apparatus and the group management apparatus, the state of the substrate processing apparatus, and the communication state between the substrate processing controller and the substrate transport system according to an embodiment of the present invention. . FIG. 7 is a diagram illustrating state transition of the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention. FIG. 8 is a flowchart illustrating substrate processing and purge cleaning processing according to an embodiment of the invention.

(基板処理装置用コントローラ)
基板処理装置用コントローラ240は、主制御部としてのCPU(中央処理装置)1a、一時格納部としてのメモリ(RAM)1b、固定記憶装置(記憶部)としてのハードディスク(HDD)1c、通信制御部としての送受信モジュール1d、時計機能(図示せず)を備えたコンピュータとして構成されている。ハードディスク1cには、遷移指示プログラムファイル、イベント検知プログラムファイル、プロセスレシピとしての基板処理レシピや保守レシピとしてのパージクリーニング処理レシピ等のレシピファイルの他、各種画面ファイル、各種アイコンファイル等(いずれも図示せず)が格納されている。又、遷移指示部2、イベント検知部3は、それぞれ遷移指示プログラムファイル、イベント検知プログラムが実行されると、メモリ1b上に実現される。
(Controller for substrate processing equipment)
The substrate processing apparatus controller 240 includes a CPU (central processing unit) 1a as a main control unit, a memory (RAM) 1b as a temporary storage unit, a hard disk (HDD) 1c as a fixed storage unit (storage unit), and a communication control unit. As a computer having a transmission / reception module 1d and a clock function (not shown). The hard disk 1c includes a transition instruction program file, an event detection program file, a recipe file such as a substrate processing recipe as a process recipe and a purge cleaning process recipe as a maintenance recipe, various screen files, various icon files, etc. (Not shown) is stored. The transition instruction unit 2 and the event detection unit 3 are realized on the memory 1b when the transition instruction program file and the event detection program are executed, respectively.

基板処理レシピは、ウエハ200を処理する処理条件や処理手順等が定義されたレシピである。上述したように、基板処理レシピ(プロセスレシピ)は、少なくとも、搬入(ボートローディング)工程と、処理条件及び処理手順に沿って基板に処理を施す工程と、搬出(ボートローディング)工程と、を実行するように定義されており、さらにウエハチャージやウエハディスチャージを実行するように定義されている場合がある。また、パージクリーニング処理レシピは、処理室201内にパージガスを供給して処理室201内をパージクリーニングする処理条件や処理手順等が定義されたレシピである。なお、パージクリーニング処理レシピは、プロセスレシピと同様に、ボート217の搬入工程や搬出工程、ウエハチャージやウエハディスチャージをさらに実行するように定義されている場合がある。レシピファイルには、外燃コントローラ10、搬送コントローラ11、温度コントローラ12、圧力コントローラ13、ガス供給コントローラ14等のサブコントローラに送信する設定値(制御値)や送信タイミング等が、基板処理及びパージクリーニング処理のステップ毎に設定されている。   The substrate processing recipe is a recipe in which processing conditions and processing procedures for processing the wafer 200 are defined. As described above, the substrate processing recipe (process recipe) executes at least a loading (boat loading) step, a step of processing a substrate according to processing conditions and processing steps, and a carrying out (boat loading) step. In some cases, it is further defined to execute wafer charge or wafer discharge. The purge cleaning processing recipe is a recipe in which processing conditions, processing procedures, and the like for purging the inside of the processing chamber 201 by supplying purge gas into the processing chamber 201 are defined. Note that the purge cleaning process recipe may be defined to further execute a loading process and an unloading process of the boat 217, a wafer charge, and a wafer discharge, like the process recipe. The recipe file includes setting values (control values) to be transmitted to sub controllers such as the external combustion controller 10, the transport controller 11, the temperature controller 12, the pressure controller 13, and the gas supply controller 14, the transmission timing, etc., for substrate processing and purge cleaning. It is set for each processing step.

基板処理装置用コントローラ240には、操作部としてのタッチパネル7が接続されている。タッチパネル7は、上述の基板搬送系、基板処理系への操作コマンドの入力を受け付ける操作画面を表示すると共に、操作コマンドの入力があった際、その旨を後述のイベント検知部3に通知するように構成されている。かかる操作画面は、基板搬送系や基板処理系の状態を確認したり、基板搬送系や基板処理系への動作指示を入力したりするための
各種表示欄及び操作ボタンを備えている。なお、操作部はタッチパネル7として構成されている場合に限らず、パソコンのように、モニタとキーボードとにより構成されていてもよい。
A touch panel 7 as an operation unit is connected to the substrate processing apparatus controller 240. The touch panel 7 displays an operation screen for accepting input of operation commands to the above-described substrate transport system and substrate processing system, and notifies the event detection unit 3 described later when an operation command is input. It is configured. The operation screen includes various display fields and operation buttons for confirming the state of the substrate transfer system and the substrate processing system and inputting operation instructions to the substrate transfer system and the substrate processing system. The operation unit is not limited to being configured as the touch panel 7, and may be configured with a monitor and a keyboard like a personal computer.

(基板処理装置用コントローラと群管理装置との接続)
基板処理装置用コントローラ240の送受信モジュール1dは、ホストコンピュータ600やモニタサーバ等の群管理装置500に、ネットワーク400を介して通信可能に接続されている。
(Connection between substrate processing equipment controller and group management equipment)
The transmission / reception module 1 d of the substrate processing apparatus controller 240 is communicably connected to a group management apparatus 500 such as a host computer 600 or a monitor server via a network 400.

なお、図6の上段に示すように、基板処理装置100(基板処理装置用コントローラ240の送受信モジュール1d)と群管理装置500との通信状態には、例えばオフライン(OFF LINE)及びオンライン(ON LINE)の2つの状態がある。又、図示しないが、ホストコンピュータ600との通信状態も群管理装置500と同様にオンラインとオフラインの2つの状態がある。   As shown in the upper part of FIG. 6, the communication state between the substrate processing apparatus 100 (transmission / reception module 1 d of the substrate processing apparatus controller 240) and the group management apparatus 500 includes, for example, offline (OFF LINE) and online (ON LINE). There are two states. Although not shown, the communication state with the host computer 600 has two states, online and offline, like the group management apparatus 500.

オフラインとは、以下の2つの状態を含む。1つめの状態は、基板処理装置100と群管理装置500との接続が切断中であり、群管理装置500からのコマンド入力による基板処理装置100の操作が無効であり、後述するタッチパネル7からのコマンド入力による基板処理装置100の操作が有効な状態である。2つめの状態は、基板処理装置100と群管理装置500とが接続中であるが、群管理装置500からのコマンド入力による基板処理装置100の操作が無効であり、タッチパネル7からのコマンド入力による基板処理装置100の操作が有効な状態である。   The offline includes the following two states. In the first state, the connection between the substrate processing apparatus 100 and the group management apparatus 500 is being disconnected, and the operation of the substrate processing apparatus 100 by the command input from the group management apparatus 500 is invalid. The operation of the substrate processing apparatus 100 by command input is in a valid state. In the second state, the substrate processing apparatus 100 and the group management apparatus 500 are connected, but the operation of the substrate processing apparatus 100 by the command input from the group management apparatus 500 is invalid, and the command input from the touch panel 7 is performed. The operation of the substrate processing apparatus 100 is in an effective state.

また、オンラインとは、基板処理装置100と群管理装置500とが接続中であり、群管理装置500からのコマンド入力によって基板処理装置100の操作が有効な状態である。   On-line is a state in which the substrate processing apparatus 100 and the group management apparatus 500 are connected, and the operation of the substrate processing apparatus 100 is enabled by a command input from the group management apparatus 500.

送受信モジュール1dは、群管理装置500との通信を制御すると共に、群管理装置500との通信状態がオフラインになった際に、その旨を後述のイベント検知部3に通知するように構成されている。   The transmission / reception module 1d is configured to control communication with the group management device 500 and to notify the event detection unit 3 described later when the communication state with the group management device 500 goes offline. Yes.

(基板処理装置用コントローラとサブコントローラとの接続)
基板処理装置用コントローラ240の送受信モジュール1dには、サブコントローラとしての外燃コントローラ10、搬送コントローラ11、温度コントローラ12、圧力コントローラ13、ガス供給コントローラ14、及び入出力コントローラ15がそれぞれ接続されている。
(Connection between substrate processing controller and sub-controller)
The external combustion controller 10, the transfer controller 11, the temperature controller 12, the pressure controller 13, the gas supply controller 14, and the input / output controller 15 as sub-controllers are connected to the transmission / reception module 1d of the substrate processing apparatus controller 240, respectively. .

外燃コントローラ10は、処理炉202が備える外燃装置(図示せず)による燃焼動作を制御するように構成されている。外燃コントローラ10は、外燃装置(図示せず)に内蔵されたセンサがそれぞれ所定の値や異常な値等を示した際に、後述のイベント検知部3にその旨の通知を行うように構成されている。   The external combustion controller 10 is configured to control a combustion operation by an external combustion device (not shown) provided in the processing furnace 202. When the sensors built in the external combustion device (not shown) each show a predetermined value, an abnormal value, or the like, the external combustion controller 10 notifies the event detection unit 3 described later to that effect. It is configured.

搬送コントローラ11は、基板搬送系を構成する回転式ポッド棚105,ボートエレベータ115、ポッド搬送装置(基板収容器搬送装置)118、ウエハ移載機構(基板移載機構)125、ボート217及び回転機構254の搬送動作をそれぞれ制御するように構成されている。また、図示しないが基板搬送系を構成する回転式ポッド棚105,ボートエレベータ115,ポッド搬送装置(基板収容器搬送装置)118,ウエハ移載機構(基板移載機構)125,ボート217及び回転機構254には、それぞれセンサが内蔵されている。搬送コントローラ11は、これらのセンサがそれぞれ所定の値や異常な値等を示した際に、後述のイベント検知部3にその旨の通知を行うように構成されている。   The transfer controller 11 includes a rotary pod shelf 105, a boat elevator 115, a pod transfer device (substrate container transfer device) 118, a wafer transfer mechanism (substrate transfer mechanism) 125, a boat 217, and a rotation mechanism that constitute a substrate transfer system. It is configured to control each of the 254 transport operations. Although not shown, a rotary pod shelf 105, a boat elevator 115, a pod transfer device (substrate container transfer device) 118, a wafer transfer mechanism (substrate transfer mechanism) 125, a boat 217, and a rotation mechanism constituting a substrate transfer system. Each sensor 254 has a built-in sensor. The transport controller 11 is configured to notify the event detection unit 3 described later when each of these sensors indicates a predetermined value or an abnormal value.

なお、基板処理用コントローラ240(基板処理装置用コントローラ240の送受信モジュール1d)と搬送コントローラ11との通信状態には、図6の下段に示すように、例えばローカル(LOCAL)及びリモート(REMOTE)の2つの状態がある。ローカル(LOCAL)とは、基板処理用コントローラ240と基板搬送系との接続が切断中であり、基板処理用コントローラ240からのコマンド入力による基板搬送系の操作が無効であり、タッチパネル7からのコマンド入力による基板搬送系の操作が無効な状態である。リモート(REMOTE)とは、基板処理用コントローラ240と基板搬送系とが接続中であり、基板処理装置用コントローラ240からのコマンド入力による基板搬送系の操作が有効な状態である。   Note that the communication state between the substrate processing controller 240 (transmission / reception module 1d of the substrate processing apparatus controller 240) and the transfer controller 11 includes, for example, local (LOCAL) and remote (REMOTE) as shown in the lower part of FIG. There are two states. Local (LOCAL) means that the connection between the substrate processing controller 240 and the substrate transport system is being disconnected, the operation of the substrate transport system by command input from the substrate processing controller 240 is invalid, and the command from the touch panel 7 The operation of the substrate transfer system by input is invalid. Remote (REMOTE) is a state in which the substrate processing controller 240 and the substrate transport system are being connected, and the operation of the substrate transport system by command input from the substrate processing apparatus controller 240 is effective.

温度コントローラ12は、処理炉202のヒータ206の温度を制御することで処理炉202内の温度を調節すると共に、温度センサ263が所定の値や異常な値等を示した際に、後述のイベント検知部3にその旨の通知を行うように構成されている。   The temperature controller 12 controls the temperature of the heater 206 of the processing furnace 202 to adjust the temperature in the processing furnace 202, and when the temperature sensor 263 indicates a predetermined value or an abnormal value, an event described later It is configured to notify the detection unit 3 to that effect.

圧力コントローラ13は、圧力センサ245により検知された圧力値に基づいて、処理室201内の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように、圧力調整装置242を制御すると共に、圧力センサ245が所定の値や異常な値等を示した際に、後述のイベント検知部3にその旨の通知を行うように構成されている。   The pressure controller 13 controls the pressure adjustment device 242 based on the pressure value detected by the pressure sensor 245 so that the pressure in the processing chamber 201 becomes a desired pressure at a desired timing, and the pressure sensor 245. Is a predetermined value or an abnormal value, the event detection unit 3 described later is notified to that effect.

ガス供給コントローラ14は、処理ガス供給管232a,パージガス供給管232bからのガスの供給や停止を、ガスバルブ(図示せず)を開閉させることにより制御するように構成されている。また、ガス供給コントローラ14は、処理室201内に供給するガスの流量が所望のタイミングにて所望の流量となるように、MFC241a,241bを制御するように構成されている。ガス供給コントローラ14は、ガスバルブ(図示せず)やMFC241a,241bの備えるセンサ(図示せず)が所定の値や異常な値等を示した際に、後述のイベント検知部3にその旨の通知を行うように構成されている。   The gas supply controller 14 is configured to control the supply and stop of gas from the processing gas supply pipe 232a and the purge gas supply pipe 232b by opening and closing a gas valve (not shown). Further, the gas supply controller 14 is configured to control the MFCs 241a and 241b so that the flow rate of the gas supplied into the processing chamber 201 becomes a desired flow rate at a desired timing. When a gas valve (not shown) or a sensor (not shown) included in the MFC 241a, 241b shows a predetermined value or an abnormal value, the gas supply controller 14 notifies the event detection unit 3 described later to that effect. Is configured to do.

入出力コントローラ15は、ドアスイッチ130及び基板検知センサ140等のスイッチ,センサ類をON/OFFさせて、筐体111,サブ筐体119,正面メンテナンス扉104等の開閉や、ロードポート114上へのポッド110の載置を検知するように構成されている。入出力コントローラ15は、スイッチやセンサ類の検知結果から所定のイベントを検知又は異常の発生を検知して、イベント検知部3にその旨の通知を行うように構成されている。   The input / output controller 15 turns on / off the switches and sensors such as the door switch 130 and the substrate detection sensor 140 to open / close the casing 111, the sub casing 119, the front maintenance door 104, etc., and to the load port 114. It is configured to detect the placement of the pod 110. The input / output controller 15 is configured to detect a predetermined event or detect the occurrence of an abnormality from the detection results of the switches and sensors, and notify the event detection unit 3 to that effect.

(イベント検知部)
イベント検知プログラムファイルは、ハードディスク1cからメモリ1bに読み出されてCPU1aに実行されることにより、後述するイベント検知部3を基板処理装置用コントローラ240に実現するように構成されている。
(Event detector)
The event detection program file is read from the hard disk 1c to the memory 1b and executed by the CPU 1a so that the event detection unit 3 described later is realized in the controller for substrate processing apparatus 240.

イベント検知部3は、種々のイベントの発生を検知して、後述する遷移指示部2に通知するように構成されている。具体的には、イベント検知部3は、外燃コントローラ10、搬送コントローラ11、温度コントローラ12、圧力コントローラ13、ガス供給コントローラ14、及び入出力コントローラ15、タッチパネル7、送受信モジュール1dから所定のイベントを検出した旨の通知を受けたら、その旨を遷移指示部2に通知するように構成されている。   The event detection unit 3 is configured to detect the occurrence of various events and notify the transition instruction unit 2 described later. Specifically, the event detection unit 3 receives predetermined events from the external combustion controller 10, the transport controller 11, the temperature controller 12, the pressure controller 13, the gas supply controller 14, the input / output controller 15, the touch panel 7, and the transmission / reception module 1d. When the notification of the detection is received, the transition instruction unit 2 is notified of the notification.

例えば、イベント検知部3は、外燃装置(図示せず)に内蔵されたセンサがそれぞれ所定の値や異常な値等を示した旨の通知を外燃コントローラ10から受信したら、その旨を遷移指示部2に通知するように構成されている。   For example, when the event detection unit 3 receives a notification from the external combustion controller 10 that a sensor incorporated in the external combustion device (not shown) indicates a predetermined value or an abnormal value, the event detection unit 3 changes the state. It is configured to notify the instruction unit 2.

また例えば、イベント検知部3は、基板搬送系を構成する回転式ポッド棚105,ボートエレベータ115,ポッド搬送装置(基板収容器搬送装置)118,ウエハ移載機構(基板移載機構)125,ボート217及び回転機構254に内蔵されたセンサがそれぞれ所定の値や異常な値等を示した旨の通知を搬送コントローラ11から受信したら、その旨を遷移指示部2に通知するように構成されている。   In addition, for example, the event detection unit 3 includes a rotary pod shelf 105, a boat elevator 115, a pod transfer device (substrate container transfer device) 118, a wafer transfer mechanism (substrate transfer mechanism) 125, a boat, which constitute a substrate transfer system. 217 and a sensor built in the rotation mechanism 254 are configured to notify the transition instructing unit 2 when a notification that the sensor indicates a predetermined value or an abnormal value is received from the transport controller 11. .

また例えば、イベント検知部3は、温度センサ263や圧力センサ245が所定の値や異常な値等を示した旨の通知を温度コントローラ12や圧力コントローラ13から受信したら、その旨を遷移指示部2に通知するように構成されている。   Further, for example, when the event detection unit 3 receives a notification from the temperature controller 12 or the pressure controller 13 that the temperature sensor 263 or the pressure sensor 245 indicates a predetermined value or an abnormal value, the transition instruction unit 2 Configured to notify.

また例えば、イベント検知部3は、ガスバルブ(図示せず)やMFC241a,241bの備えるセンサ(図示せず)が所定の値や異常な値等が所定の値や異常な値等を示した旨の通知をガス供給コントローラ14から受信したら、その旨を遷移指示部2に通知するように構成されている。   Further, for example, the event detection unit 3 indicates that a gas valve (not shown) or a sensor (not shown) included in the MFCs 241a and 241b indicates that a predetermined value, an abnormal value, or the like indicates a predetermined value, an abnormal value, or the like. When the notification is received from the gas supply controller 14, it is configured to notify the transition instruction unit 2 to that effect.

また例えば、イベント検知部3は、筐体111,サブ筐体119,正面メンテナンス扉104等が開閉された旨の通知や、ロードポート114上へポッド110が載置された旨の通知、すなわち、ドアスイッチ130及び基板検知センサ140等のスイッチ,センサ類からの検知結果を、入出力コントローラ15から受信したら、その旨を遷移指示部2に通知するように構成されている。   Further, for example, the event detection unit 3 may notify that the casing 111, the sub casing 119, the front maintenance door 104, etc. are opened or closed, or that the pod 110 is placed on the load port 114, that is, When the detection results from the switches and sensors such as the door switch 130 and the substrate detection sensor 140 are received from the input / output controller 15, a notification to that effect is sent to the transition instruction unit 2.

また例えば、イベント検知部3は、サブコントローラ(外燃コントローラ10、搬送コントローラ11、温度コントローラ12、圧力コントローラ13、ガス供給コントローラ14)や入出力コントローラ15との通信状態がオフラインになった旨の通知を送受信モジュール1dから受信したら、その旨を遷移指示部2に通知するように構成されている。   Further, for example, the event detection unit 3 indicates that the communication state with the sub-controller (external combustion controller 10, transport controller 11, temperature controller 12, pressure controller 13, gas supply controller 14) or input / output controller 15 is offline. When the notification is received from the transmission / reception module 1d, it is configured to notify the transition instruction unit 2 to that effect.

また例えば、イベント検知部3は、群管理装置500との通信状態がオフラインになった旨の通知を送受信モジュール1dから受信したら、その旨を遷移指示部2に通知するように構成されている。   For example, when the event detection unit 3 receives a notification from the transmission / reception module 1d that the communication state with the group management device 500 is offline, the event detection unit 3 notifies the transition instruction unit 2 to that effect.

なお、遷移指示部2とイベント検知部3との間の通信は、遷移指示プログラム及びイベント検知プログラムが起動するときにメモリ1b内に動的に確保される共有メモリ領域等を利用して行われるように構成されている。例えば、遷移指示部2或いはイベント検知部3のいずれか一方が共有メモリ領域等にメッセージを書き込むと、他方が所定のタイミングで共有メモリ領域等に書き込まれたメッセージを読み出すように構成されている。   Communication between the transition instruction unit 2 and the event detection unit 3 is performed using a shared memory area or the like that is dynamically secured in the memory 1b when the transition instruction program and the event detection program are activated. It is configured as follows. For example, when either the transition instruction unit 2 or the event detection unit 3 writes a message in the shared memory area or the like, the other reads the message written in the shared memory area or the like at a predetermined timing.

(遷移指示部)
遷移指示プログラムファイルは、ハードディスク1cからメモリ1bに読み出されてCPU1aに実行されることにより、基板処理装置用コントローラ240に遷移指示部2を実現するように構成されている。
(Transition instruction part)
The transition instruction program file is read from the hard disk 1c to the memory 1b and executed by the CPU 1a, so that the transition instruction unit 2 is realized in the substrate processing apparatus controller 240.

遷移指示部2は、基板処理装置100の装置状態(装置モード)を、図7に示すように、初期状態(RESETモード)、待機状態(IDLEモード)、実行可能状態(STANDBYモード)、実行中状態(RUNモード)及び終了状態(ENDモード)の5つの状態の間で遷移させるように構成されている。これら5つの状態を図6の中段に示す。   As shown in FIG. 7, the transition instruction unit 2 sets the device state (device mode) of the substrate processing apparatus 100 in an initial state (RESET mode), a standby state (IDLE mode), an executable state (STANDBY mode), and being executed. It is configured to transition between five states: a state (RUN mode) and an end state (END mode). These five states are shown in the middle of FIG.

図7に示すように、基板処理装置100の電源が投入(POWER On)されると、遷移指示部2が、基板処理装置100の各部の状態を初期状態(RESETモード)にするように構成されている。   As shown in FIG. 7, when the power of the substrate processing apparatus 100 is turned on (POWER ON), the transition instruction unit 2 is configured to set the state of each part of the substrate processing apparatus 100 to the initial state (RESET mode). ing.

初期状態(RESETモード)とは、基板処理装置100の電源が投入された直後の初期の状態(POWER On)、又は基板処理装置100にトラブルが発生して基板処理装置100がリセットされた直後の初期の状態である。具体的には、基板搬送系を構成する例えば回転式ポッド棚105,ボートエレベータ115,ポッド搬送装置(基板収容器搬送装置)118,ウエハ移載機構(基板移載機構)125,ボート217及び回転機構254は、それぞれ原点位置に移動して停止状態となる。また、基板処理系、例えばガス排気機構、加熱機構、ガス供給系はそれぞれ停止状態となる。また、タッチパネル7には初期画面が表示され、送受信モジュール1dは群管理装置500やホストコンピュータ600との通信が可能な状態となる。   The initial state (RESET mode) is an initial state (POWER ON) immediately after the substrate processing apparatus 100 is turned on, or a state immediately after the substrate processing apparatus 100 is reset due to a trouble occurring in the substrate processing apparatus 100. This is the initial state. Specifically, for example, a rotary pod shelf 105, a boat elevator 115, a pod transfer device (substrate container transfer device) 118, a wafer transfer mechanism (substrate transfer mechanism) 125, a boat 217 and a rotation constituting the substrate transfer system. The mechanisms 254 are moved to the origin positions and are stopped. Further, the substrate processing system, for example, the gas exhaust mechanism, the heating mechanism, and the gas supply system are stopped. In addition, an initial screen is displayed on the touch panel 7, and the transmission / reception module 1 d can communicate with the group management apparatus 500 and the host computer 600.

基板処理装置100の各部の状態が初期状態(RESETモード)となったら、遷移指示部2は、基板処理装置100の装置状態を、基板処理装置100内への立ち入りが可能な状態であって、基板処理レシピ又はパージクリーニング処理レシピの実行指示を受け付け可能な待機状態(IDLEモード)に遷移させるように構成されている。   When the state of each part of the substrate processing apparatus 100 becomes the initial state (RESET mode), the transition instruction unit 2 is in a state where the apparatus state of the substrate processing apparatus 100 can enter the substrate processing apparatus 100, and It is configured to shift to a standby state (IDLE mode) in which an instruction to execute a substrate processing recipe or a purge cleaning processing recipe can be received.

待機状態(IDLEモード)とは、基板処理装置100内への立ち入りが可能な装置状態であって、レシピの実行指示を受け付け可能な状態である。待機状態(IDLEモード)は、正面メンテナンス扉104を開けたり、装置カバー(図示しない)を取り外したりして、保守員が基板処理装置100内に立ち入り、メンテナンス作業を行うことが可能な状態等をいう。具体的には、基板処理系、例えば加熱機構のヒータ206への電力供給を停止している(或いは、ヒータ206が常温(デフォルト)になるように電力を供給している)状態や、基板搬送系を構成する例えばウエハ移載機構(基板移載機構)125が、原点位置で駆動停止(フィックス)しており自動的に動作しない(或いは、保守員の手により直接、ウエハ移載機構(基板移載機構)125を安全に動かせる)状態を含み、保守員が基板処理装置100内で安全に作業を行える状態をいう。   The standby state (IDLE mode) is an apparatus state in which entry into the substrate processing apparatus 100 is possible, and a state in which a recipe execution instruction can be received. The standby state (IDLE mode) is a state where the maintenance staff can enter the substrate processing apparatus 100 and perform maintenance work by opening the front maintenance door 104 or removing the apparatus cover (not shown). Say. Specifically, the power supply to the substrate processing system, for example, the heater 206 of the heating mechanism is stopped (or the power is supplied so that the heater 206 is at room temperature (default)), or the substrate is transported. For example, the wafer transfer mechanism (substrate transfer mechanism) 125 that constitutes the system stops driving (fixes) at the origin position and does not automatically operate (or the wafer transfer mechanism (substrate) directly by the maintenance staff. This means a state in which the maintenance staff can safely work in the substrate processing apparatus 100, including a state in which the transfer mechanism 125) can be moved safely.

基板処理装置100の装置状態が待機状態(IDLEモード)となったら、遷移指示部2は、所定のイベントの発生を待つ「待ち状態」になると共に、基板処理装置用コントローラ240の時計機能を利用し、待機状態(IDLEモード)への遷移を完了させてからの経過時間の測定を開始する。   When the apparatus state of the substrate processing apparatus 100 becomes a standby state (IDLE mode), the transition instruction unit 2 enters a “waiting state” for waiting for the occurrence of a predetermined event and uses the clock function of the substrate processing apparatus controller 240. Then, the measurement of the elapsed time after completing the transition to the standby state (IDLE mode) is started.

そして、上述の「待ち状態」となっている間、イベント検知部3から所定のイベントの発生を検知した旨の通知を受けたら、遷移指示部2は、基板処理装置100の装置状態を、待機状態(IDLEモード)から実行可能状態(STANDBYモード)への遷移を禁止させ、待機状態(IDLEモード)のまま保持させるように構成されている。   When the notification indicating that the occurrence of a predetermined event has been detected from the event detection unit 3 while in the “waiting state” described above, the transition instruction unit 2 sets the apparatus state of the substrate processing apparatus 100 to the standby state. Transition from the state (IDLE mode) to the executable state (STANDBY mode) is prohibited, and the state is kept in the standby state (IDLE mode).

ここで、所定のイベントとは、例えば、(a)筐体111,サブ筐体119,正面メンテナンス扉104等が開とされたこと(例えばドアスイッチ130からその旨の通知があったこと)、(b)基板処理装置100と群管理装置500との接続が切断中となり、群管理装置500からのコマンド入力による基板処理装置100の操作が無効となり、タッチパネル7からのコマンド入力による基板処理装置100の操作が有効な状態となったこと、(c)基板処理用コントローラ240と基板搬送系との接続が切断中となり、基板処理用コントローラ240からのコマンド入力による基板搬送系の操作が無効となり、タッチパネル7からのコマンド入力による基板搬送系の操作が無効な状態となったこと(上述のローカル(LOCAL)状態になったこと)、等が該当する。このようなイベントを、以下では遷移禁止イベントともいう。   Here, the predetermined event is, for example, (a) the case 111, the sub case 119, the front maintenance door 104, etc. are opened (for example, the door switch 130 has been notified to that effect), (B) The connection between the substrate processing apparatus 100 and the group management apparatus 500 is being disconnected, the operation of the substrate processing apparatus 100 by a command input from the group management apparatus 500 becomes invalid, and the substrate processing apparatus 100 by a command input from the touch panel 7 (C) The connection between the substrate processing controller 240 and the substrate transfer system is being disconnected, and the operation of the substrate transfer system by the command input from the substrate processing controller 240 becomes invalid. The operation of the substrate transfer system by the command input from the touch panel 7 has become invalid (the above-mentioned local (LOCAL) state) Became possible), etc. is applicable. Hereinafter, such an event is also referred to as a transition prohibition event.

また、基板処理装置100は、遷移指示部2が上述の「待ち状態」となっている間、ロードポート114上にウエハ200が収納されたポッド110が載置されると、待機状態
(IDLEモード)から実行可能状態(STANDBYモード)に遷移される。実行可能状態(STANDBYモード)とは、基板処理装置100内への立ち入りが不可能な装置状態であって、かつレシピが実行可能な状態である。実行可能状態(STANDBYモード)で群管理装置500又はタッチパネル7から基板処理レシピの実行指示(開始指示)が入力されると、遷移指示部2は、基板処理装置100の装置状態を、実行可能状態(STANDBYモード)から基板処理レシピの実行中状態(RUNモード)に遷移させるように構成されている。具体的には、工程内搬送装置(図示せず)によってロードポート114上にポッド110が載置されると、基板検知センサ140がポッド110を検知し、ポッド110がロードポート114に載置された旨がイベント検知部3を介して遷移指示部2に通知されるように構成されている。さらに、群管理装置500又はタッチパネル7から基板処理レシピの実行指示(開始指示)が入力されると、前記実行指示が遷移指示部2に通知されるように構成されている。そして、遷移指示部2は、基板処理装置100の装置状態を、実行可能状態(STANDBYモード)から基板処理レシピの実行中状態(RUNモード)に遷移させるように構成されている。
Further, when the pod 110 containing the wafer 200 is placed on the load port 114 while the transition instruction unit 2 is in the “waiting state” described above, the substrate processing apparatus 100 is in a standby state (IDLE mode). ) To an executable state (STANDBY mode). The executable state (STANDBY mode) is an apparatus state in which entry into the substrate processing apparatus 100 is impossible and a recipe can be executed. When a substrate processing recipe execution instruction (start instruction) is input from the group management apparatus 500 or the touch panel 7 in the executable state (STANDBY mode), the transition instruction unit 2 changes the apparatus state of the substrate processing apparatus 100 to the executable state. It is configured to make a transition from the (STANDBY mode) to the executing state (RUN mode) of the substrate processing recipe. Specifically, when the pod 110 is placed on the load port 114 by an in-process transfer device (not shown), the substrate detection sensor 140 detects the pod 110 and the pod 110 is placed on the load port 114. Is notified to the transition instruction unit 2 via the event detection unit 3. Furthermore, when an execution instruction (start instruction) for a substrate processing recipe is input from the group management apparatus 500 or the touch panel 7, the execution instruction is notified to the transition instruction unit 2. And the transition instruction | indication part 2 is comprised so that the apparatus state of the substrate processing apparatus 100 may be changed from the executable state (STANDBY mode) to the executing state (RUN mode) of a substrate processing recipe.

また、遷移指示部2が上述の「待ち状態」となっている間、ロードポート114上にウエハ200が収容されたポッド110が載置されず、または群管理装置500又はタッチパネル7から基板処理レシピの実行指示が入力されず、またはイベント検知部3から所定のイベント(遷移禁止イベント)の発生を検知した旨の通知を受けることなく、所定の時間が経過したら、遷移指示部2は、基板処理装置100の装置状態を待機状態(IDLEモード)から実行可能状態(STANDBYモード)に自動的に遷移させるように構成されている。その後、遷移指示部2は、基板処理装置100の装置状態を、実行可能状態(STANDBYモード)から、保守レシピとしてのパージクリーニング処理レシピを実行する実行中状態(RUNモード)に自動的に遷移させるように構成されている。   While the transition instruction unit 2 is in the “waiting state” described above, the pod 110 containing the wafer 200 is not placed on the load port 114, or the substrate processing recipe is received from the group management apparatus 500 or the touch panel 7. If the execution instruction is not input, or the predetermined time has elapsed without receiving a notification from the event detection unit 3 that the occurrence of the predetermined event (transition prohibited event) has been detected, the transition instruction unit 2 The apparatus state of the apparatus 100 is configured to automatically transition from a standby state (IDLE mode) to an executable state (STANDBY mode). Thereafter, the transition instruction unit 2 automatically transitions the apparatus state of the substrate processing apparatus 100 from an executable state (STANDBY mode) to a running state (RUN mode) in which a purge cleaning process recipe as a maintenance recipe is executed. It is configured as follows.

実行中状態(RUNモード)とは、レシピファイルに定義された各種レシピを実行中の状態である。実行中状態(RUNモード)においては、基板処理用コントローラ240は、レシピファイルの記載に基づいて、外燃コントローラ10、搬送コントローラ11、温度コントローラ12、圧力コントローラ13、及びガス供給コントローラ14等のサブコントローラに対し、所定のタイミングで所定の設定値(制御値)を送信するように構成されている。   The in-execution state (RUN mode) is a state in which various recipes defined in the recipe file are being executed. In the in-execution state (RUN mode), the substrate processing controller 240 is a sub controller such as the external combustion controller 10, the transport controller 11, the temperature controller 12, the pressure controller 13, and the gas supply controller 14 based on the description in the recipe file. A predetermined set value (control value) is transmitted to the controller at a predetermined timing.

なお、遷移指示部2は、実行中状態(RUNモード)である際、群管理装置500又はタッチパネル7からの基板処理レシピの実行指示を受け付けても、パージクリーニング処理レシピの進行を中断させることなく基板処理レシピの開始を待機させ、パージクリーニング処理工程が終了した後、基板処理工程を開始するように構成されている。   Note that the transition instruction unit 2 does not interrupt the progress of the purge cleaning process recipe even when the execution instruction of the substrate processing recipe is received from the group management device 500 or the touch panel 7 in the running state (RUN mode). It is configured to wait for the start of the substrate processing recipe and start the substrate processing step after the purge cleaning processing step is completed.

基板処理レシピ或いはパージクリーニング処理レシピの実行が完了したら、遷移指示部2は、基板処理装置100の状態を、実行中状態(RUNモード)から終了状態(ENDモード)に遷移させる。終了状態(ENDモード)とは、レシピの実行を終了した状態である。なお、終了状態(ENDモード)は、レシピが正常に終了した正常終了状態と、何らかのトラブルによりレシピが異常終了した異常終了状態と、の2つの状態がある。   When the execution of the substrate processing recipe or the purge cleaning processing recipe is completed, the transition instruction unit 2 changes the state of the substrate processing apparatus 100 from the executing state (RUN mode) to the end state (END mode). The end state (END mode) is a state in which the execution of the recipe is ended. Note that the end state (END mode) has two states: a normal end state in which the recipe ends normally and an abnormal end state in which the recipe ends abnormally due to some trouble.

なお、実行可能状態(STANDBYモード)において、例えばタッチパネル7に表示された操作画面上のIDLEボタンを押下操作することにより、実行可能状態(STANDBYモード)から待機状態(IDLEモード)に強制的に遷移させることが可能である。この場合、例えば、生産ラインが何らかの都合により、一時的に停止してポッド110(ウエハ200)を待つ際に有効である。また、待機状態(IDLEモード)、実行可能状態(STANDBYモード)、実行中状態(RUNモード)及び終了状態(ENDモード)のうち、いずれか1つの状態において、例えば操作画面上のRESETボタンを押下
操作することにより、初期状態(RESETモード)に強制的に遷移させることが可能である。この場合、例えば、何らかの装置トラブル等が生じ、基板処理装置100を初期状態(RESETモード)に戻す際に有効である。
In the executable state (STANDBY mode), for example, by pressing the IDLE button on the operation screen displayed on the touch panel 7, the state is forcibly changed from the executable state (STANDBY mode) to the standby state (IDLE mode). It is possible to make it. In this case, for example, it is effective when the production line temporarily stops for some reason and waits for the pod 110 (wafer 200). Also, in any one of the standby state (IDLE mode), the executable state (STANDBY mode), the executing state (RUN mode), and the end state (END mode), for example, the RESET button on the operation screen is pressed. By operating, it is possible to forcibly shift to the initial state (RESET mode). In this case, for example, it is effective when an apparatus trouble or the like occurs and the substrate processing apparatus 100 is returned to the initial state (RESET mode).

(7)基板処理装置の状態遷移の動作
続いて、基板処理装置100の状態遷移の動作について、図7,図8を参照しながら説明する。
(7) State Transition Operation of Substrate Processing Apparatus Next, the state transition operation of the substrate processing apparatus 100 will be described with reference to FIGS.

(初期状態(RESETモード))
図7に示すように、基板処理装置100の電源が投入(POWER On)されると、遷移指示部2が、基板処理装置100の各部の状態を初期状態(RESETモード)にする。
(Initial state (RESET mode))
As shown in FIG. 7, when the power of the substrate processing apparatus 100 is turned on (POWER ON), the transition instruction unit 2 sets the state of each part of the substrate processing apparatus 100 to the initial state (RESET mode).

(待機状態(IDLEモード))
基板処理装置100の各部の状態が初期状態(RESETモード)となったら、遷移指示部2は、基板処理装置100の状態を、基板処理装置100内への立ち入りが可能な状態であって、基板処理レシピ又はパージクリーニング処理レシピの実行指示を受け付け可能な待機状態(IDLEモード)に遷移させる。
(Standby state (IDLE mode))
When the state of each part of the substrate processing apparatus 100 becomes the initial state (RESET mode), the transition instruction unit 2 is in a state where the state of the substrate processing apparatus 100 can enter the substrate processing apparatus 100 and A transition is made to a standby state (IDLE mode) in which an instruction to execute a process recipe or purge cleaning process recipe can be received.

基板処理装置100の装置状態が待機状態(IDLEモード)となったら、遷移指示部2は、所定のイベントの発生を待つ「待ち状態」になると共に、基板処理装置用コントローラ240の時計機能を利用し、経過時間の測定を開始する。   When the apparatus state of the substrate processing apparatus 100 becomes a standby state (IDLE mode), the transition instruction unit 2 enters a “waiting state” for waiting for the occurrence of a predetermined event and uses the clock function of the substrate processing apparatus controller 240. And start measuring elapsed time.

そして、上述の「待ち状態」となっている間、イベント検知部3から所定のイベント(遷移禁止イベント)の発生を検知した旨の通知を受けたら、遷移指示部2は、基板処理装置100の状態を、待機状態(IDLEモード)から実行可能状態(STANDBYモード)への遷移を禁止させ、待機状態(IDLEモード)のまま保持させる。   When the notification indicating that the occurrence of a predetermined event (transition prohibited event) has been detected from the event detection unit 3 while in the “waiting state” described above, the transition instruction unit 2 The state is prohibited from transitioning from the standby state (IDLE mode) to the executable state (STANDBY mode) and held in the standby state (IDLE mode).

また、上述の「待ち状態」となっている間、ロードポート114上にポッド110が載置され、群管理装置500又はタッチパネル7から基板処理レシピの実行指示が入力されると、遷移指示部2は、基板処理装置100の装置状態を、待機状態(IDLEモード)から実行可能状態(STANDBYモード)に遷移させる。その後、基板処理用コントローラ240が所定の基板処理レシピを選択(準備)したら、遷移指示部2は、基板処理装置100の装置状態を、実行可能状態(STANDBYモード)から実行中状態(RUNモード)に遷移させる。   Further, when the pod 110 is placed on the load port 114 while the “waiting state” is in the above-described state and a substrate processing recipe execution instruction is input from the group management device 500 or the touch panel 7, the transition instruction unit 2. Shifts the state of the substrate processing apparatus 100 from the standby state (IDLE mode) to the executable state (STANDBY mode). After that, when the substrate processing controller 240 selects (prepares) a predetermined substrate processing recipe, the transition instruction unit 2 changes the apparatus state of the substrate processing apparatus 100 from the executable state (STANDBY mode) to the executing state (RUN mode). Transition to.

また、上述の「待ち状態」となっている間、ロードポート114上にポッド110が載置されず、または群管理装置500又はタッチパネル7から基板処理レシピの実行指示が入力されず、またはイベント検知部3から所定のイベント(遷移禁止イベント)の発生を検知した旨の通知を受けることなく、所定の時間が経過したら、遷移指示部2は、基板処理装置100の装置状態を、待機状態(IDLEモード)から実行可能状態(STANDBYモード)に自動的に遷移させる。その後、基板処理用コントローラ240が所定のクリーニングレシピを選択(準備)したら、遷移指示部2は、基板処理装置100の装置状態を、実行可能状態(STANDBYモード)から実行中状態(RUNモード)に遷移させる。   Further, during the above-described “waiting state”, the pod 110 is not placed on the load port 114, or the execution instruction of the substrate processing recipe is not input from the group management device 500 or the touch panel 7, or the event detection When a predetermined time has elapsed without receiving a notification from the unit 3 that the occurrence of a predetermined event (transition prohibition event) has been detected, the transition instruction unit 2 changes the apparatus state of the substrate processing apparatus 100 to the standby state (IDLE). Mode) to an executable state (STANDBY mode) automatically. After that, when the substrate processing controller 240 selects (prepares) a predetermined cleaning recipe, the transition instruction unit 2 changes the apparatus state of the substrate processing apparatus 100 from the executable state (STANDBY mode) to the executing state (RUN mode). Transition.

(実行中状態(RUNモード))
実行中状態(RUNモード)においては、基板処理用コントローラ240は、ロードポート114上にポッド110が載置(基板処理装置100にウエハ200が投入)されていたら、基板処理レシピを実行し、レシピファイルの記載に基づいて、外燃コントローラ
10、搬送コントローラ11、温度コントローラ12、圧力コントローラ13、及びガス供給コントローラ14等のサブコントローラに対し、所定のタイミングで所定の設定値(制御値)を送信する。このように、群管理装置500又はタッチパネル7から基板処理レシピの実行指示が入力されると、実行中状態(RUNモード)において、基板処理用コントローラ240は基板処理レシピを実行する。また、基板処理装置100内にウエハ200が投入されずに実行中状態(RUNモード)に遷移されると、実行中状態(RUNモード)において、基板処理用コントローラ240は保守レシピとしてのパージクリーニング処理レシピを実行する。
(Running state (RUN mode))
In the execution state (RUN mode), the substrate processing controller 240 executes the substrate processing recipe when the pod 110 is placed on the load port 114 (the wafer 200 is loaded into the substrate processing apparatus 100), and the recipe Based on the description in the file, a predetermined set value (control value) is transmitted at a predetermined timing to sub-controllers such as the external fuel controller 10, the transport controller 11, the temperature controller 12, the pressure controller 13, and the gas supply controller 14. To do. As described above, when an instruction to execute a substrate processing recipe is input from the group management device 500 or the touch panel 7, the substrate processing controller 240 executes the substrate processing recipe in the executing state (RUN mode). In addition, when the wafer 200 is not put into the substrate processing apparatus 100 and transitioned to the running state (RUN mode), the substrate processing controller 240 performs purge cleaning processing as a maintenance recipe in the running state (RUN mode). Run the recipe.

(終了状態(ENDモード))
基板処理レシピ或いはパージクリーニング処理レシピの実行が完了したら、遷移指示部2は、基板処理装置100の装置状態を、実行中状態(RUNモード)から終了状態(ENDモード)に遷移させる。
(End status (END mode))
When the execution of the substrate processing recipe or the purge cleaning processing recipe is completed, the transition instruction unit 2 changes the apparatus state of the substrate processing apparatus 100 from the executing state (RUN mode) to the end state (END mode).

そして、基板処理装置100の装置状態が終了状態(ENDモード)となったら、遷移指示部2は基板処理装置100の装置状態を終了状態(ENDモード)から待機状態(IDLEモード)に遷移させ、以降図8に例示するように上述の動作を繰り返す。   When the apparatus state of the substrate processing apparatus 100 becomes the end state (END mode), the transition instruction unit 2 changes the apparatus state of the substrate processing apparatus 100 from the end state (END mode) to the standby state (IDLE mode), Thereafter, the above operation is repeated as illustrated in FIG.

(8)本実施形態にかかる効果
本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果を奏する。
(8) Effects according to the present embodiment According to the present embodiment, the following one or more effects are achieved.

(a)本実施形態によれば、待機状態(IDLEモード)において、所定のイベント(遷移禁止イベント)の発生を検知した旨の通知を受けたら、基板処理装置100の装置状態を、基板処理装置100内への立ち入りが可能な装置状態であって、レシピの実行指示を受け付け可能な待機状態(IDLEモード)から基板処理装置100内への立ち入りが不可能な装置状態であって、レシピの実行可能な実行可能状態(STANDBYモード)への遷移を禁止させるように構成されている。これにより、保守員が待機状態(IDLEモード)のまま基板処理装置100のメンテナンスを行っても、基板処理装置100が自動的に待機状態(IDLEモード)から実行可能状態(STANDBYモード)に遷移することを抑制できる。 (A) According to the present embodiment, upon receiving a notification that the occurrence of a predetermined event (transition prohibition event) has been detected in the standby state (IDLE mode), the apparatus state of the substrate processing apparatus 100 is changed to the substrate processing apparatus. 100 is an apparatus state in which entry into the apparatus 100 is possible, and an apparatus state in which entry into the substrate processing apparatus 100 is impossible from a standby state (IDLE mode) in which an instruction to execute a recipe can be received, and execution of a recipe is performed. It is configured to prohibit the transition to a possible executable state (STANDBY mode). Thereby, even if the maintenance staff performs the maintenance of the substrate processing apparatus 100 in the standby state (IDLE mode), the substrate processing apparatus 100 automatically transitions from the standby state (IDLE mode) to the executable state (STANDBY mode). This can be suppressed.

(b)本実施形態によれば、待機状態(IDLEモード)において、ロードポート114上にポッド110が載置されず、または群管理装置500又はタッチパネル7から基板処理レシピの実行指示が入力されず、またはイベント検知部3から所定のイベント(遷移禁止イベント)の発生を検知した旨の通知を受けることなく、所定の時間が経過したら、基板処理装置100の装置状態をパージクリーニング処理レシピを実行するために実行中状態(RUNモード)に遷移させるように構成されている。これにより、基板処理工程の空き時間に自動的にパージクリーニング処理工程を行うことができるので、処理室201内を常にクリーンな状態に保持することができると共に、生産性を向上させることができる。 (B) According to the present embodiment, in the standby state (IDLE mode), the pod 110 is not placed on the load port 114, or the execution instruction of the substrate processing recipe is not input from the group management device 500 or the touch panel 7. Alternatively, when a predetermined time has passed without receiving a notification from the event detection unit 3 that the occurrence of a predetermined event (transition prohibition event) has been detected, the apparatus state of the substrate processing apparatus 100 is executed as a purge cleaning process recipe. Therefore, it is configured to transit to the running state (RUN mode). Accordingly, since the purge cleaning process can be automatically performed during the idle time of the substrate process, the inside of the process chamber 201 can be always kept clean and productivity can be improved.

(c)本実施形態によれば、待機状態(IDLEモード)において、筐体111,サブ筐体119,正面メンテナンス扉104等が開いたら、基板処理装置100の装置状態を、待機状態(IDLEモード)から実行可能状態(STANDBYモード)へ遷移させるのを禁止するように構成されている。これにより、保守員が待機状態(IDLEモード)のまま基板処理装置100のメンテナンスを行う際、筐体111,サブ筐体119,正面メンテナンス扉104等を開けても、基板処理装置100が保守員の指示なく待機状態(IDLEモード)から実行可能状態(STANDBYモード)に遷移することを抑制できる。 (C) According to the present embodiment, when the casing 111, the sub casing 119, the front maintenance door 104, etc. are opened in the standby state (IDLE mode), the apparatus state of the substrate processing apparatus 100 is changed to the standby state (IDLE mode). ) To an executable state (STANDBY mode). As a result, when maintenance personnel perform maintenance of the substrate processing apparatus 100 in the standby state (IDLE mode), the substrate processing apparatus 100 is maintained even if the casing 111, the sub-casing 119, the front maintenance door 104, etc. are opened. It is possible to suppress the transition from the standby state (IDLE mode) to the executable state (STANDBY mode) without an instruction.

(d)本実施形態によれば、待機状態(IDLEモード)において、基板処理用コントローラ240と基板搬送系との接続がローカル(LOCAL)となったら、基板処理装置100の装置状態を、待機状態(IDLEモード)から実行可能状態(STANDBYモード)へ遷移させるのを禁止するように構成されている。これにより、保守員が待機状態(IDLEモード)のまま基板処理装置100のメンテナンスを行う際、基板搬送系をローカル(LOCAL)で操作中に、所定の時間が経過しても、基板処理装置100が待機状態(IDLEモード)から実行可能状態(STANDBYモード)に遷移することを抑制できる。 (D) According to the present embodiment, when the connection between the substrate processing controller 240 and the substrate transport system is local (LOCAL) in the standby state (IDLE mode), the apparatus state of the substrate processing apparatus 100 is changed to the standby state. It is configured to prohibit the transition from the (IDLE mode) to the executable state (STANDBY mode). Thus, when maintenance personnel perform maintenance of the substrate processing apparatus 100 in the standby state (IDLE mode), the substrate processing apparatus 100 is operated even if a predetermined time elapses while the substrate transport system is operated locally (LOCAL). Can be suppressed from the standby state (IDLE mode) to the executable state (STANDBY mode).

(e)本実施形態によれば、待機状態(IDLEモード)において、基板処理装置100と群管理装置500との接続がオフライン(OFF LINE)となったら、基板処理装置100の装置状態を、待機状態(IDLEモード)から実行可能状態(STANDBYモード)へ遷移させるのを禁止するように構成されている。これにより、保守員が待機状態(IDLEモード)のまま基板処理装置100のメンテナンスを行う際、基板処理装置100と群管理装置500との接続をオフライン(OFF LINE)にしても、基板処理装置100が自動的に待機状態(IDLEモード)から実行可能状態(STANDBYモード)に遷移することを抑制できる。 (E) According to the present embodiment, when the connection between the substrate processing apparatus 100 and the group management apparatus 500 becomes offline (OFF LINE) in the standby state (IDLE mode), the apparatus state of the substrate processing apparatus 100 is changed to the standby state. It is configured to prohibit the transition from the state (IDLE mode) to the executable state (STANDBY mode). Accordingly, when the maintenance staff performs the maintenance of the substrate processing apparatus 100 in the standby state (IDLE mode), even if the connection between the substrate processing apparatus 100 and the group management apparatus 500 is set to offline (OFF LINE), the substrate processing apparatus 100. Can be automatically suppressed from the standby state (IDLE mode) to the executable state (STANDBY mode).

(f)本実施形態によれば、実行中状態(RUNモード)において、群管理装置500又はタッチパネル7からの基板処理レシピの実行指示を受け付けても、パージクリーニング処理レシピの進行を中断させることなく基板処理レシピの開始を待機させ、パージクリーニング処理工程が終了した後、基板処理工程を開始するように構成されている。これにより、パージクリーニング処理レシピを途中で終了することなく確実に最後まで実行できるので、処理室201内を常にクリーンな状態に保持することができる。 (F) According to the present embodiment, even if an instruction to execute a substrate processing recipe is received from the group management apparatus 500 or the touch panel 7 in the running state (RUN mode), the progress of the purge cleaning process recipe is not interrupted. It is configured to wait for the start of the substrate processing recipe and start the substrate processing step after the purge cleaning processing step is completed. Thereby, since the purge cleaning process recipe can be surely executed to the end without being terminated halfway, the inside of the process chamber 201 can be always kept clean.

<本発明の他の実施形態>
なお、本実施形態では、「待ち状態」となっている間、所定の時間が経過したら、自動的に保守レシピ(パージクリーニング処理レシピ)を実行するよう構成されているが、本実施形態には限定されず、「待ち時間」が所定の時間続いても、実行可能状態(STANDBYモード)までの遷移とし、保守レシピの実行指示を待つよう構成してもよい。又、保守レシピを実行するには、手動(例えば保守員がタッチパネル7を操作)により実行可能状態(STANBYモード)に遷移させなければならないよう構成してもよい。又、基板処理装置の一例として半導体製造装置を示しているが、半導体製造装置に限らず、LCD装置のようなガラス基板を処理する装置であってもよい。また、基板処理の具体的内容は不問であり、成膜処理だけでなく、アニール処理、酸化処理、窒化処理、拡散処理等の処理であってもよい。また、成膜処理は、例えばCVD、PVD、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理であってもよい。
<Other Embodiments of the Present Invention>
In the present embodiment, the maintenance recipe (purge cleaning process recipe) is automatically executed when a predetermined time has elapsed while in the “waiting state”. Without being limited thereto, even if the “waiting time” continues for a predetermined time, it may be configured to transition to an executable state (STANDBY mode) and wait for a maintenance recipe execution instruction. Further, in order to execute the maintenance recipe, the maintenance recipe may be changed to the executable state (STANDBY mode) manually (for example, a maintenance person operates the touch panel 7). Further, a semiconductor manufacturing apparatus is shown as an example of the substrate processing apparatus, but the apparatus is not limited to the semiconductor manufacturing apparatus, and may be an apparatus for processing a glass substrate such as an LCD device. Further, the specific content of the substrate processing is not questioned, and it may be processing such as annealing processing, oxidation processing, nitriding processing, and diffusion processing as well as film forming processing. The film formation process may be, for example, a process for forming a CVD, PVD, oxide film, or nitride film, or a process for forming a film containing a metal.

以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described concretely, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, It can change variously in the range which does not deviate from the summary.

<本発明の好ましい態様>
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
<Preferred embodiment of the present invention>
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be additionally described.

本発明の一態様によれば、
処理条件及び処理手順が定義されたレシピを実行して、所定の処理を施す基板処理装置であって、
前記基板処理装置の各部の動作を制御する制御部を備え、
前記制御部は、
前記基板処理装置の装置状態を、前記基板処理装置内への立ち入りが可能な装置状態で
あって、前記レシピの実行指示を受け付け可能な待機状態から、前記基板処理装置内への立ち入りが不可能な装置状態であって、前記レシピの実行可能な実行可能状態へ遷移させる遷移指示部と、
前記待機状態から前記実行可能状態への遷移を禁止する所定のイベントの発生を検知して前記遷移指示部に通知するイベント検知部と、
を備え、
前記遷移指示部は、前記イベントの発生を検知した旨の通知を受けたら、前記待機状態から前記実行可能状態への遷移を禁止させる
基板処理装置が提供される。
According to one aspect of the invention,
A substrate processing apparatus that executes a recipe in which processing conditions and processing procedures are defined, and performs predetermined processing,
A control unit for controlling the operation of each unit of the substrate processing apparatus;
The controller is
The apparatus state of the substrate processing apparatus is an apparatus state in which entry into the substrate processing apparatus is possible, and entry into the substrate processing apparatus is impossible from a standby state in which an instruction to execute the recipe can be received. A transition instruction unit for transitioning to an executable state where the recipe is executable,
An event detector that detects the occurrence of a predetermined event that prohibits transition from the standby state to the executable state and notifies the transition instruction unit;
With
When the transition instruction unit receives a notification that the occurrence of the event has been detected, a substrate processing apparatus is provided that prohibits transition from the standby state to the executable state.

好ましくは、前記レシピは、前記基板を処理する基板処理レシピである。   Preferably, the recipe is a substrate processing recipe for processing the substrate.

また、好ましくは、
前記基板処理装置は、前記基板を収容する処理室を備え、
前記レシピは、前記処理室内にパージガスを供給して前記処理室内をパージクリーニング処理するパージクリーニング処理レシピである。
Also preferably,
The substrate processing apparatus includes a processing chamber for storing the substrate,
The recipe is a purge cleaning process recipe in which a purge gas is supplied into the processing chamber to purge the processing chamber.

また、好ましくは、
前記基板処理装置は、前記基板処理装置内への立ち入り機構と、
前記立ち入り機構が開状態となった旨を前記イベント検知部に通知する立ち入りセンサと、
を備え、
前記イベント検知部は、前記待機状態において、前記立ち入りセンサからの前記開状態の旨の通知を受けたら、前記所定のイベントの発生を検知して前記遷移指示部に通知する。
Also preferably,
The substrate processing apparatus includes a mechanism for entering the substrate processing apparatus,
An entry sensor for notifying the event detection unit that the entry mechanism has been opened;
With
In the standby state, the event detection unit detects the occurrence of the predetermined event and notifies the transition instruction unit when receiving the notification of the open state from the entry sensor.

また、好ましくは、
前記基板処理装置は、
前記基板を前記処理室内外へ搬送する基板搬送系と、
前記基板搬送系への操作コマンドの入力を受け付けると共に、前記操作コマンドの入力があった旨をイベント検知部に通知する操作部と、
を備え、
前記イベント検知部は、前記待機状態において、前記操作部からの前記基板搬送系への前記操作コマンドの入力があった旨の通知を受けたら、前記所定のイベントの発生を検知して前記遷移指示部に通知する。
Also preferably,
The substrate processing apparatus includes:
A substrate transfer system for transferring the substrate into and out of the processing chamber;
An operation unit that receives an input of an operation command to the substrate transfer system and notifies the event detection unit that the operation command has been input;
With
When the event detection unit receives a notification from the operation unit that the operation command is input to the substrate transfer system in the standby state, the event detection unit detects the occurrence of the predetermined event and performs the transition instruction. Notify the department.

また、好ましくは、
前記基板処理装置は、
前記基板を処理する基板処理系と、
前記基板処理系への操作コマンドの入力を受け付けると共に、前記操作コマンドの入力があった旨を前記イベント検知部に通知する操作部と、
を備え、
前記イベント検知部は、前記待機状態において、前記操作部からの前記基板処理系への前記操作コマンドの入力があった旨の通知を受けたら、前記所定のイベントの発生を検知して前記遷移指示部に通知する。
Also preferably,
The substrate processing apparatus includes:
A substrate processing system for processing the substrate;
An operation unit that receives an operation command input to the substrate processing system and notifies the event detection unit that the operation command has been input,
With
When the event detection unit receives a notification that the operation command is input to the substrate processing system from the operation unit in the standby state, the event detection unit detects the occurrence of the predetermined event and performs the transition instruction. Notify the department.

また、好ましくは、
前記基板処理装置は、群管理装置に接続されて該群管理装置との通信を制御すると共に、前記群管理装置との通信状態がオフラインになった旨をイベント検知部に通知する通信制御部を備え、
前記イベント検知部は、前記待機状態において、前記群管理装置との通信がオフラインになった旨の通知を受けたら、前記所定のイベントの発生を検知して前記遷移指示部に通知する。
Also preferably,
The substrate processing apparatus is connected to a group management apparatus to control communication with the group management apparatus, and a communication control unit that notifies the event detection unit that the communication state with the group management apparatus is offline. Prepared,
In the standby state, when receiving notification that the communication with the group management device is offline, the event detection unit detects the occurrence of the predetermined event and notifies the transition instruction unit.

また、好ましくは、
前記基板処理装置は、
前記基板を収容する基板収容器が載置される載置部と、
前記載置部に前記基板収容器が載置された旨を前記イベント検知部に通知する基板検知センサと、
を備え、
前記遷移指示部は、
前記基板処理装置の装置状態を前記待機状態に遷移させた後、所定時間内に前記イベント検知部からの前記所定のイベントの発生を検知した旨の通知を受けたら、前記基板処理装置の装置状態を、前記待機状態から前記実行可能状態への遷移を禁止させ、
前記所定時間内に前記イベント検知部からの前記イベントの発生を検知した旨の通知を受けることなく、前記基板検知センサからの前記基板収容器が載置された旨の通知を受けたら、前記基板処理装置の装置状態を、前記待機状態から前記実行可能状態に遷移させて前記基板処理レシピの実行指示を待ち、
前記所定時間内に前記イベント検知部からの前記イベントの発生を検知した旨の通知を受けなかったら、前記基板処理装置の装置状態を、前記待機状態から前記実行可能状態に遷移させ、前記パージクリーニング処理レシピを実行させる。
Also preferably,
The substrate processing apparatus includes:
A placement unit on which a substrate container for housing the substrate is placed;
A substrate detection sensor for notifying the event detection unit that the substrate container has been placed on the placement unit;
With
The transition instruction unit
After receiving the notification that the occurrence of the predetermined event is detected from the event detection unit within a predetermined time after the apparatus state of the substrate processing apparatus is changed to the standby state, the apparatus state of the substrate processing apparatus Prohibiting the transition from the standby state to the executable state,
When receiving the notification that the substrate container is placed from the substrate detection sensor without receiving the notification that the occurrence of the event is detected from the event detection unit within the predetermined time, the substrate Transition the apparatus state of the processing apparatus from the standby state to the executable state and wait for an instruction to execute the substrate processing recipe.
If the notification that the occurrence of the event is detected is not received from the event detection unit within the predetermined time, the apparatus state of the substrate processing apparatus is changed from the standby state to the executable state, and the purge cleaning is performed. Run the processing recipe.

また、好ましくは、
前記基板処理装置は、
前記基板を加熱する加熱機構と、
前記加熱機構の温度を制御して前記基板を所定温度に調節すると共に、前記加熱機構が異常になった旨を前記イベント検知部に通知する温度制御部と、
を備え、
前記イベント検知部は、前記待機状態において、前記温度制御部からの前記加熱機構が異常になった旨の通知を受けたら、前記所定のイベントの発生を検知して前記遷移指示部に通知する。
Also preferably,
The substrate processing apparatus includes:
A heating mechanism for heating the substrate;
A temperature control unit that controls the temperature of the heating mechanism to adjust the substrate to a predetermined temperature, and notifies the event detection unit that the heating mechanism has become abnormal,
With
When the event detection unit receives a notification from the temperature control unit that the heating mechanism has become abnormal in the standby state, the event detection unit detects the occurrence of the predetermined event and notifies the transition instruction unit.

また、好ましくは、
前記基板処理装置は、
前記処理室内の雰囲気を排気するガス排気機構と、
前記ガス排気機構を制御して前記処理室内の圧力を調節すると共に、前記ガス排気機構が異常になった旨を前記イベント検知部に通知する圧力制御部と、
を備え、
前記イベント検知部は、前記待機状態において、前記圧力制御部からの前記ガス排気機構が異常になった旨の通知を受けたら、前記所定のイベントの発生を検知して前記遷移指示部に通知する。
Also preferably,
The substrate processing apparatus includes:
A gas exhaust mechanism for exhausting the atmosphere in the processing chamber;
A pressure control unit that controls the gas exhaust mechanism to adjust the pressure in the processing chamber, and notifies the event detection unit that the gas exhaust mechanism has become abnormal;
With
In the standby state, the event detection unit detects the occurrence of the predetermined event and notifies the transition instruction unit when receiving a notification from the pressure control unit that the gas exhaust mechanism has become abnormal. .

また、好ましくは、
前記基板処理装置は、
前記基板を収容する基板収容器が載置される載置部と、
前記載置部に載置された前記基板収容器を前記基板処理装置の所定位置に搬送する基板収容器搬送装置と、
前記基板収容器搬送装置を制御すると共に、該基板収容器搬送装置が異常になったら、前記イベント検知部に通知する搬送制御部と、
を備え、
前記イベント検知部は、前記待機状態において、前記搬送制御部からの前記基板収容器搬送装置が異常になった旨の通知を受けたら、前記所定のイベントの発生を検知して前記遷移指示部に通知する。
Also preferably,
The substrate processing apparatus includes:
A placement unit on which a substrate container for housing the substrate is placed;
A substrate container transport device for transporting the substrate container placed on the placement unit to a predetermined position of the substrate processing apparatus;
While controlling the substrate container transfer device, and when the substrate container transfer device becomes abnormal, a transfer control unit to notify the event detection unit,
With
When the event detection unit receives a notification from the transfer control unit that the substrate container transfer device has become abnormal in the standby state, the event detection unit detects the occurrence of the predetermined event and notifies the transition instruction unit. Notice.

また、好ましくは、
前記基板処理装置は、
前記基板収容器搬送装置内外から前記基板を搬送する基板搬送装置と、
前記基板搬送装置を制御すると共に、該基板搬送装置が異常になったら、前記イベント検知部に通知する搬送制御部と、
を備え、
前記イベント検知部は、前記待機状態において、前記搬送制御部からの前記基板搬送装置が異常になった旨の通知を受けたら、前記所定のイベントの発生を検知して前記遷移指示部に通知する。
Also preferably,
The substrate processing apparatus includes:
A substrate transfer device for transferring the substrate from inside and outside the substrate container transfer device;
While controlling the substrate transfer device, and when the substrate transfer device becomes abnormal, a transfer control unit to notify the event detection unit,
With
When the event detection unit receives a notification from the transfer control unit that the substrate transfer apparatus has become abnormal in the standby state, the event detection unit detects the occurrence of the predetermined event and notifies the transition instruction unit .

また、好ましくは、
前記基板処理装置は、
前記処理室内で前記基板を保持する基板保持具と、
前記基板保持具を前記処理室内に昇降させる基板保持具昇降機構と、
前記基板保持具昇降機構を制御すると共に、該基板保持具昇降機構が異常になったら、前記イベント検知部に通知する搬送制御部と、
を備え、
前記イベント検知部は、前記待機状態において、前記搬送制御部からの前記基板保持具昇降機構が異常になった旨の通知を受けたら、前記所定のイベントの発生を検知して前記遷移指示部に通知する。
Also preferably,
The substrate processing apparatus includes:
A substrate holder for holding the substrate in the processing chamber;
A substrate holder lifting mechanism for raising and lowering the substrate holder into the processing chamber;
While controlling the substrate holder lifting mechanism, if the substrate holder lifting mechanism becomes abnormal, a transfer control unit for notifying the event detection unit,
With
In the standby state, when the event detection unit receives a notification from the transfer control unit that the substrate holder lifting mechanism has become abnormal, the event detection unit detects the occurrence of the predetermined event and notifies the transition instruction unit. Notice.

また、好ましくは、
前記基板処理装置は、
前記処理室内で前記基板保持具を回転させる回転機構と、
前記回転機構を制御すると共に、該回転機構が異常になったら、前記イベント検知部に通知する回転機構制御部と、
を備え、
前記イベント検知部は、前記待機状態において、前記回転機構制御部からの前記回転機構が異常になった旨の通知を受けたら、前記所定のイベントの発生を検知して前記遷移指示部に通知する。
Also preferably,
The substrate processing apparatus includes:
A rotation mechanism for rotating the substrate holder in the processing chamber;
The rotation mechanism control unit that controls the rotation mechanism and notifies the event detection unit when the rotation mechanism becomes abnormal.
With
In the standby state, when the event detection unit receives a notification from the rotation mechanism control unit that the rotation mechanism has become abnormal, the event detection unit detects the occurrence of the predetermined event and notifies the transition instruction unit .

好ましくは、
前記制御部は、中央処理装置、メモリ、記憶部、表示部、入力部及び通信部を有するコンピュータとして構成され、
前記記憶部には、遷移指示プログラム、イベント検知プログラムが格納され、
前記遷移指示プログラムは、前記記憶部から前記メモリに読み出されて前記中央処理装置に実行されることで前記制御部に前記遷移指示部を実現し、
前記イベント検知プログラムは、前記記憶部から前記メモリに読み出されて前記中央処理装置に実行されることで前記制御部に前記イベント検知部を実現する。
Preferably,
The control unit is configured as a computer having a central processing unit, a memory, a storage unit, a display unit, an input unit, and a communication unit,
The storage unit stores a transition instruction program and an event detection program,
The transition instruction program is read from the storage unit to the memory and executed by the central processing unit to realize the transition instruction unit in the control unit,
The event detection program is read from the storage unit to the memory and executed by the central processing unit, thereby realizing the event detection unit in the control unit.

好ましくは、前記遷移指示部は、前記パージクリーニング処理レシピを実行中、前記基板処理レシピの実行指示を受け付けても、前記パージクリーニング処理レシピの進行を中断させることなく前記基板処理レシピの開始を待機させ、前記パージクリーニング処理レシピの終了後に前記基板処理レシピを開始させる。   Preferably, the transition instruction unit waits for the start of the substrate processing recipe without interrupting the progress of the purge cleaning processing recipe even when the execution instruction of the substrate processing recipe is received while the purge cleaning processing recipe is being executed. And the substrate processing recipe is started after completion of the purge cleaning processing recipe.

2 遷移指示部
3 イベント検知部
200 ウエハ(基板)
240 基板処理装置用コントローラ(制御部)
2 Transition instruction unit 3 Event detection unit 200 Wafer (substrate)
240 Controller for substrate processing apparatus (control unit)

Claims (14)

基板処理装置内への立ち入りが可能な装置状態であって所定のレシピの実行指示を受け付け可能な待機状態と、前記基板処理装置内への立ち入りが不可能な装置状態であってレシピの実行可能な実行可能状態と、を含む装置状態を保持する基板処理装置であって、
前記待機状態におけるメンテナンス作業中、所定時間内に前記待機状態から前記実行可能状態への遷移を禁止する所定のイベントの発生を検知したら、前記所定時間が経過しても前記待機状態から前記実行可能状態への遷移を禁止させて前記待機状態のまま保持させるように構成される基板処理装置。
The apparatus is ready to enter the substrate processing apparatus and is in a standby state in which an instruction to execute a predetermined recipe can be received, and the apparatus is incapable of entering the substrate processing apparatus and can execute a recipe. A substrate processing apparatus that holds an apparatus state including an executable state,
During the maintenance work in the standby state, if the occurrence of a predetermined event that prohibits the transition from the standby state to the executable state is detected within a predetermined time, the execution is possible from the standby state even if the predetermined time has elapsed. A substrate processing apparatus configured to prohibit transition to a state and maintain the standby state.
基板処理装置内への立ち入りが可能な装置状態であって所定のレシピの実行指示を受け付け可能な待機状態と、前記基板処理装置内への立ち入りが不可能な装置状態であってレシピの実行可能な実行可能状態と、を含む装置状態を保持する基板処理装置のメンテナンス方法であって、
前記待機状態におけるメンテナンス作業中、所定時間内に前記待機状態から前記実行可能状態への遷移を禁止する所定のイベントの発生を検知したら、前記所定時間が経過しても前記待機状態から前記実行可能状態への遷移を禁止させて前記待機状態のまま保持させるように構成される基板処理装置のメンテナンス方法。
The apparatus is ready to enter the substrate processing apparatus and is in a standby state in which an instruction to execute a predetermined recipe can be received, and the apparatus is incapable of entering the substrate processing apparatus and can execute a recipe. A maintenance method for a substrate processing apparatus for maintaining an apparatus state including an executable state,
During the maintenance work in the standby state, if the occurrence of a predetermined event that prohibits the transition from the standby state to the executable state is detected within a predetermined time, the execution is possible from the standby state even if the predetermined time has elapsed. A maintenance method for a substrate processing apparatus configured to prohibit transition to a state and maintain the standby state.
基板処理装置内への立ち入りが可能な装置状態であって所定のレシピの実行指示を受け付け可能な待機状態と、前記基板処理装置内への立ち入りが不可能な装置状態であってレシピの実行可能な実行可能状態と、前記所定のレシピに定義された処理条件及び処理手順に沿って所定の処理を実行する実行中状態と、を含む装置状態を保持する基板処理装置であって、
前記待機状態において、
所定時間内にロードポート上に基板が収容された基板収容器が載置されると、前記待機状態から前記実行可能状態へ装置状態を遷移させ、前記所定のレシピとして基板処理レシピの実行指示が入力されると、前記実行可能状態から前記実行中状態へ装置状態を遷移させるように構成され、
前記ロードポート上に基板が収容された基板処理容器が載置されず、前記待機状態から前記実行可能状態への遷移を禁止する所定のイベントが発生しないで前記所定時間が経過したら、前記待機状態から前記実行可能状態へ装置状態を遷移させ、前記所定のレシピとして保守レシピを実行するため前記実行可能状態から前記実行中状態へ装置状態を遷移させるように構成される基板処理装置。
The apparatus is ready to enter the substrate processing apparatus and is in a standby state in which an instruction to execute a predetermined recipe can be received, and the apparatus is incapable of entering the substrate processing apparatus and can execute a recipe. A substrate processing apparatus that holds an apparatus state that includes an executable state and a running state in which a predetermined process is executed in accordance with a processing condition and a processing procedure defined in the predetermined recipe,
In the standby state,
When a substrate container containing a substrate is placed on the load port within a predetermined time, the apparatus state is changed from the standby state to the executable state, and an instruction to execute a substrate processing recipe is issued as the predetermined recipe. When input, the device state is configured to transition from the executable state to the executing state,
When the predetermined time elapses without the occurrence of a predetermined event that prohibits the transition from the standby state to the executable state without placing a substrate processing container containing a substrate on the load port, the standby state A substrate processing apparatus configured to transition the apparatus state from the executable state to the in-execution state in order to transition the apparatus state from the executable state to the executable state and execute a maintenance recipe as the predetermined recipe.
基板処理装置内への立ち入りが可能な装置状態であって所定のレシピの実行指示を受け付け可能な待機状態と、前記基板処理装置内への立ち入りが不可能な装置状態であってレシピの実行可能な実行可能状態と、前記所定のレシピに定義された処理条件及び処理手順に沿って所定の処理を実行する実行中状態と、を含む装置状態を保持する基板処理装置の制御方法であって、
前記待機状態において、
所定時間内にロードポート上に基板が収容された基板収容器が載置されると、前記待機状態から前記実行可能状態へ装置状態を遷移させ、前記所定のレシピとして基板処理レシピの実行指示が入力されると、前記実行可能状態から前記実行中状態へ装置状態を遷移させるように構成され、
前記ロードポート上に基板が収容された基板処理容器が載置されず、前記待機状態から前記実行可能状態への遷移を禁止する所定のイベントが発生しないで前記所定時間が経過したら、前記待機状態から前記実行可能状態へ装置状態を遷移させ、前記所定のレシピとして保守レシピを実行するため前記実行可能状態から前記実行中状態へ装置状態を遷移させるように構成される基板処理装置の制御方法。
The apparatus is ready to enter the substrate processing apparatus and is in a standby state in which an instruction to execute a predetermined recipe can be received, and the apparatus is incapable of entering the substrate processing apparatus and can execute a recipe. A control method of a substrate processing apparatus for holding an apparatus state including an executable state and an executing state in which a predetermined process is executed in accordance with a processing condition and a processing procedure defined in the predetermined recipe,
In the standby state,
When a substrate container containing a substrate is placed on the load port within a predetermined time, the apparatus state is changed from the standby state to the executable state, and an instruction to execute a substrate processing recipe is issued as the predetermined recipe. When input, the device state is configured to transition from the executable state to the executing state,
When the predetermined time elapses without the occurrence of a predetermined event that prohibits the transition from the standby state to the executable state without placing a substrate processing container containing a substrate on the load port, the standby state A method for controlling a substrate processing apparatus, wherein the apparatus state is shifted from the executable state to the in-execution state in order to transition the apparatus state from the executable state to the executable state and execute a maintenance recipe as the predetermined recipe.
基板処理装置内への立ち入りが可能な装置状態であって所定のレシピの実行指示を受け付け可能な待機状態と、前記基板処理装置内への立ち入りが不可能な装置状態であってレシピの実行可能な実行可能状態と、前記所定のレシピに定義された処理条件及び処理手順に沿って所定の処理を実行する実行中状態と、前記所定のレシピの実行を終了した終了状態と、を含む装置状態を保持する基板処理装置であって、
前記待機状態において、
ロードポート上に基板が収容された基板収容器が載置されず、前記待機状態から前記実行可能状態への遷移を禁止する所定のイベントが発生しないで前記所定時間が経過したら、前記待機状態から前記実行可能状態へ装置状態を遷移させ、前記所定のレシピとして保守レシピを実行するため前記実行可能状態から前記実行中状態へ装置状態を遷移させるように構成され、
前記所定のレシピの実行を終了すると、前記実行中状態から前記終了状態へ装置状態を遷移させた後、前記終了状態から前記待機状態へ遷移させる基板処理装置。
The apparatus is ready to enter the substrate processing apparatus and is in a standby state in which an instruction to execute a predetermined recipe can be received, and the apparatus is incapable of entering the substrate processing apparatus and can execute a recipe. An apparatus state including a ready state, a running state in which a predetermined process is executed in accordance with processing conditions and a processing procedure defined in the predetermined recipe, and an end state in which the execution of the predetermined recipe is finished A substrate processing apparatus for holding
In the standby state,
When the predetermined time elapses without the occurrence of a predetermined event that prohibits the transition from the standby state to the executable state without placing a substrate container in which a substrate is stored on the load port, The apparatus state is changed to the executable state, and the apparatus state is changed from the executable state to the in-execution state in order to execute a maintenance recipe as the predetermined recipe.
When the execution of the predetermined recipe ends, the substrate processing apparatus changes the apparatus state from the in-execution state to the end state and then changes from the end state to the standby state.
基板処理装置内への立ち入りが可能な装置状態であって所定のレシピの実行指示を受け付け可能な待機状態と、前記基板処理装置内への立ち入りが不可能な装置状態であってレシピの実行可能な実行可能状態と、前記所定のレシピに定義された処理条件及び処理手順に沿って所定の処理を実行する実行中状態と、前記所定のレシピの実行を終了した終了状態と、を含む装置状態を保持する基板処理装置の保守方法であって、
ロードポート上に基板が収容された基板収容器が載置されず、前記待機状態から前記実行可能状態への遷移を禁止する所定のイベントが発生しないで前記所定時間が経過したら、前記待機状態から前記実行可能状態へ装置状態を遷移させ、前記所定のレシピとして保守レシピを実行するため前記実行可能状態から前記実行中状態へ装置状態を遷移させるように構成され、
前記所定のレシピの実行を終了すると、前記実行中状態から前記終了状態へ装置状態を遷移させた後、前記終了状態から前記待機状態へ遷移させる基板処理装置の保守方法。
The apparatus is ready to enter the substrate processing apparatus and is in a standby state in which an instruction to execute a predetermined recipe can be received, and the apparatus is incapable of entering the substrate processing apparatus and can execute a recipe. An apparatus state including a ready state, a running state in which a predetermined process is executed in accordance with processing conditions and a processing procedure defined in the predetermined recipe, and an end state in which the execution of the predetermined recipe is finished A maintenance method of a substrate processing apparatus for holding
When the predetermined time elapses without the occurrence of a predetermined event that prohibits the transition from the standby state to the executable state without placing a substrate container in which a substrate is stored on the load port, The apparatus state is changed to the executable state, and the apparatus state is changed from the executable state to the in-execution state in order to execute a maintenance recipe as the predetermined recipe.
When the execution of the predetermined recipe is finished, the maintenance method for the substrate processing apparatus is caused to make a transition from the running state to the finished state and then to make the transition from the finished state to the standby state.
基板処理装置内への立ち入りが可能な装置状態であって所定のレシピの実行指示を受け付け可能な待機状態において、所定時間内にロードポート上に基板が収容された基板収容器が載置されると、前記待機状態から基板処理装置内への立ち入りが不可能な装置状態であってレシピの実行可能な実行可能状態へ装置状態を遷移させ、
前記所定のレシピとして基板処理レシピの実行指示が入力されると、前記実行可能状態から前記所定のレシピに定義された処理条件及び処理手順に沿って所定の処理を実行する実行中状態へ装置状態を遷移させるように構成される基板処理装置。
A substrate container in which a substrate is accommodated on a load port is placed within a predetermined time in a standby state in which the apparatus can enter the substrate processing apparatus and can receive an instruction to execute a predetermined recipe. And transition from the standby state to the executable state where the recipe can be executed in an apparatus state in which entry into the substrate processing apparatus is impossible,
When an instruction to execute a substrate processing recipe is input as the predetermined recipe, the apparatus state is changed from the executable state to an in-execution state in which a predetermined process is executed in accordance with processing conditions and processing procedures defined in the predetermined recipe. A substrate processing apparatus configured to make a transition.
基板処理装置内への立ち入りが可能な装置状態であって所定のレシピの実行指示を受け付け可能な待機状態において、所定時間内にロードポート上に基板が収容された基板収容器が載置されず、前記待機状態から基板処理装置内への立ち入りが不可能な装置状態であってレシピの実行可能な実行可能状態への遷移を禁止する所定のイベントが発生しないで前記所定時間が経過したら、前記待機状態から前記実行可能状態へ装置状態を遷移させ、
前記所定のレシピとして保守レシピを実行するために、前記実行可能状態から前記所定のレシピに定義された処理条件及び処理手順に沿って所定の処理を実行する実行中状態へ装置状態を遷移させるように構成される基板処理装置。
In a stand-by state in which the apparatus can enter the substrate processing apparatus and can receive an instruction to execute a predetermined recipe, the substrate container in which the substrate is stored on the load port is not placed within a predetermined time. When the predetermined time elapses without occurrence of a predetermined event that prohibits the transition from the standby state to the executable state where the recipe is executable in an apparatus state in which entry into the substrate processing apparatus is impossible. Transition the device state from the standby state to the executable state,
In order to execute a maintenance recipe as the predetermined recipe, the apparatus state is shifted from the executable state to an in-execution state in which predetermined processing is executed in accordance with processing conditions and processing procedures defined in the predetermined recipe. The substrate processing apparatus comprised in.
基板処理装置内への立ち入りが可能な装置状態であって所定のレシピの実行指示を受け付け可能な待機状態において、所定時間内にロードポート上に基板が収容された基板収容器が載置されると、前記待機状態から基板処理装置内への立ち入りが不可能な装置状態であってレシピの実行可能な実行可能状態へ装置状態を遷移させる工程と、
前記所定のレシピとして基板処理レシピの実行指示が入力されると、前記実行可能状態
から所定のレシピに定義された処理条件及び処理手順に沿って所定の処理を実行する実行中状態へ装置状態を遷移させる工程を含み、
前記実行中状態では、前記基板処理レシピが実行される半導体装置の製造方法。
A substrate container in which a substrate is accommodated on a load port is placed within a predetermined time in a standby state in which the apparatus can enter the substrate processing apparatus and can receive an instruction to execute a predetermined recipe. And transitioning the apparatus state from the standby state to an executable state where the recipe is executable in an apparatus state incapable of entering the substrate processing apparatus;
When an instruction to execute a substrate processing recipe is input as the predetermined recipe, the apparatus state is changed from the executable state to an in-execution state in which predetermined processing is performed in accordance with processing conditions and processing procedures defined in the predetermined recipe. Including a transition step,
A method of manufacturing a semiconductor device in which the substrate processing recipe is executed in the executing state.
基板処理装置内への立ち入りが可能な装置状態であって所定のレシピの実行指示を受け付け可能な待機状態において、所定時間内にロードポート上に基板が収容された基板収容器が載置されず、前記待機状態から前記基板処理装置内への立ち入りが不可能な装置状態であってレシピの実行可能な実行可能状態への遷移を禁止する所定のイベントが発生しないで前記所定時間が経過したら、前記待機状態から前記実行可能状態へ装置状態を遷移させる工程と、
前記所定のレシピとして保守レシピを実行するために、前記実行可能状態から前記所定のレシピに定義された処理条件及び処理手順に沿って所定の処理を実行する実行中状態へ装置状態を遷移させる工程を含み、
前記実行中状態では、前記保守レシピが実行される基板処理装置の保守方法。
In a stand-by state in which the apparatus can enter the substrate processing apparatus and can receive an instruction to execute a predetermined recipe, the substrate container in which the substrate is stored on the load port is not placed within a predetermined time. When the predetermined time has elapsed without the occurrence of a predetermined event that prohibits the transition from the standby state to the executable state where the recipe can be executed in an apparatus state in which entry into the substrate processing apparatus is impossible. Transitioning the device state from the standby state to the executable state;
A step of transitioning the apparatus state from the executable state to an in-execution state in which a predetermined process is executed in accordance with a processing condition and a processing procedure defined in the predetermined recipe in order to execute a maintenance recipe as the predetermined recipe Including
A maintenance method for a substrate processing apparatus in which the maintenance recipe is executed in the running state.
基板処理装置内への立ち入りが可能な装置状態であってレシピの実行指示を受け付け可能な待機状態から、所定時間経過したら前記基板処理装置内への立ち入りが不可能な装置状態であってレシピの実行可能な実行可能状態へ、装置状態を遷移させる遷移指示部と、
前記待機状態から前記実行可能状態への遷移を禁止する所定のイベントの発生を検知して前記遷移指示部に通知するイベント検知部と、を備え、
前記所定時間内に前記所定のイベントの発生を検知したら、前記所定時間が経過しても前記待機状態から前記実行可能状態への遷移を禁止させて前記待機状態を保持させるように構成される制御部を有する基板処理装置。
The apparatus is in an apparatus state in which entry into the substrate processing apparatus is possible and a recipe execution instruction can be accepted. A transition instruction unit that transitions the device state to an executable executable state;
An event detector that detects the occurrence of a predetermined event that prohibits transition from the standby state to the executable state and notifies the transition instruction unit;
A control configured to hold the standby state by prohibiting the transition from the standby state to the executable state even if the predetermined time has elapsed if the occurrence of the predetermined event is detected within the predetermined time Substrate processing apparatus having a portion.
基板処理装置内への立ち入りが可能な装置状態であって所定のレシピの実行指示を受け付け可能な待機状態から、所定時間経過したら前記基板処理装置内への立ち入りが不可能な装置状態であって前記処理のレシピの実行可能な実行可能状態へ、装置状態を遷移させる工程を有する基板処理装置の制御方法であって、
前記所定時間内に前記待機状態から前記実行可能状態への遷移を禁止する所定のイベントが発生したら、前記待機状態から前記実行可能状態への遷移を禁止させて前記待機状態を保持させることにより、前記所定のレシピを実行させない基板処理装置の制御方法。
It is an apparatus state in which entry into the substrate processing apparatus is possible and entry into the substrate processing apparatus is impossible after a predetermined time from a standby state in which a predetermined recipe execution instruction can be accepted. A method for controlling a substrate processing apparatus, comprising a step of transitioning an apparatus state to an executable state in which the recipe for the process is executable,
When a predetermined event that prohibits the transition from the standby state to the executable state within the predetermined time occurs, by prohibiting the transition from the standby state to the executable state, by holding the standby state, A method of controlling a substrate processing apparatus that does not execute the predetermined recipe.
基板処理装置内への立ち入りが可能な装置状態であって所定のレシピの実行指示を受け付け可能な待機状態から、所定時間経過したら前記基板処理装置内への立ち入りが不可能な装置状態であって前記所定のレシピの実行可能な実行可能状態へ、装置状態を遷移させる工程と、
前記実行可能状態から、前記所定のレシピに定義された処理条件及び処理手順に沿って所定の処理を実行する実行中状態へ、装置状態を遷移させる工程と、
を有する半導体装置の製造方法であって、
前記所定時間内に、前記待機状態から前記実行可能状態への遷移を禁止する所定のイベントが発生せず、且つロードポート上に基板が収容された基板収容器が載置されていれば、前記待機状態から前記実行可能状態へ装置状態を遷移させ、前記所定のレシピとして基板処理レシピの実行指示が入力されると、前記実行可能状態から前記実行中状態へ装置状態を遷移させ、
前記実行中状態では、前記基板処理レシピが実行される半導体装置の製造方法。
It is an apparatus state in which entry into the substrate processing apparatus is possible and entry into the substrate processing apparatus is impossible after a predetermined time from a standby state in which a predetermined recipe execution instruction can be accepted. Transitioning the device state to an executable state where the predetermined recipe is executable;
Transitioning the apparatus state from the executable state to an executing state in which a predetermined process is executed in accordance with the processing conditions and processing procedures defined in the predetermined recipe;
A method of manufacturing a semiconductor device having
If a predetermined event that prohibits transition from the standby state to the executable state within the predetermined time does not occur and a substrate container in which a substrate is stored on the load port is placed, When the apparatus state is transitioned from the standby state to the executable state, and the execution instruction of the substrate processing recipe is input as the predetermined recipe, the apparatus state is transitioned from the executable state to the in-execution state,
A method of manufacturing a semiconductor device in which the substrate processing recipe is executed in the executing state.
装置に電源が入れられた直後の初期状態から、前記装置内への立ち入りが可能な装置状態であって所定のレシピの実行指示を受け付け可能な待機状態へ、装置状態を遷移させ、
前記待機状態から、所定時間経過したら前記装置内への立ち入りが不可能な装置状態であって前記所定のレシピの実行可能な実行可能状態へ、装置状態を遷移させる装置状態遷
移方法であって、
前記所定時間内に前記待機状態から前記実行可能状態への遷移を禁止する所定のイベントが発生したら、前記待機状態から前記実行可能状態への遷移を禁止させて前記待機状態を保持する装置状態遷移方法。
From the initial state immediately after the device is turned on, the device state transitions from the initial state to the standby state in which it is possible to enter the device and accept the execution instruction of the predetermined recipe,
An apparatus state transition method for transitioning the apparatus state from the standby state to an executable state in which the predetermined recipe can be executed after the predetermined time has elapsed,
Device state transition that prohibits transition from the standby state to the executable state and maintains the standby state when a predetermined event that prohibits transition from the standby state to the executable state occurs within the predetermined time Method.
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