JP2012058514A - Semiconductor integrated circuit, and operation method of the same - Google Patents

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真嗣 山野
Takeshi Yoshinaga
健 吉永
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To save storage capacity of a built-in memory used for an image drawing process and an image display process.SOLUTION: First and second display units 2A and 2B of a semiconductor integrated circuit output first and second mutually independent display data 6A and 6B, respectively. First, second, and third storage sections 4A, 4B, and 4C of a built-in memory 4 store respectively first, second, and third image data 5A, 5B, and 5C which are mutually independent. First and second selectors 3A and 3B includes first, second, and third input terminals and first, second, and third output terminals. The first input terminals of the selectors 3A and 3B are connected to an output of the first storage section 4A, the second input terminals of the selectors 3A and 3B are connected to an output of the second storage section 4B, the third input terminals of the selectors 3A and 3B are connected to an output of the third storage section 4C, and output terminals of the selectors 3A and 3B are connected to an input of the display units 2A and 2B.

Description

本発明は、画像処理機能を内蔵する半導体集積回路およびその動作方法に関し、特に画像の描画処理と表示処理に使用される内蔵メモリの記憶容量の節約を可能とするのに有効な技術に関するものである。   The present invention relates to a semiconductor integrated circuit having an image processing function and an operation method thereof, and more particularly to a technique effective for enabling saving of a storage capacity of an internal memory used for image drawing processing and display processing. is there.

従来から、LCD(液晶表示)デバイスやCRT(陰極線管)表示装置等の表示画面に画像を表示するためには、表示すべき画像データをフレームメモリと呼ばれるバッファメモリにバッファリングすると言う描画処理が実行される。描画処理が完了されると、フレームメモリに格納された画像データが順次に読み出されて表示デバイスに転送されて表示処理が実行される。   Conventionally, in order to display an image on a display screen of an LCD (liquid crystal display) device, a CRT (cathode ray tube) display device, or the like, a drawing process of buffering image data to be displayed in a buffer memory called a frame memory has been performed. Executed. When the drawing process is completed, the image data stored in the frame memory is sequentially read out and transferred to the display device, and the display process is executed.

下記特許文献1の従来の技術には、フレームバッファを2面用意して、それらのフレームバッファを交互に表示バッファと更新バッファ(描画バッファ)に割り当てること(メモリインターリーブ)が記載されている。また更に下記特許文献1の実施例には、3面のフレームバッファを用意して、それらを交互に表示バッファ、次表示バッファ、更新バッファとして割り当てることによって表示データの更新記憶処理の効率を大として、表示画面上にグラフィックスを高速に表示することが記載されている。   The prior art of Patent Document 1 below describes that two frame buffers are prepared and these frame buffers are alternately allocated to a display buffer and an update buffer (drawing buffer) (memory interleaving). Further, in the embodiment of the following Patent Document 1, three frames of frame buffers are prepared, and these are alternately assigned as a display buffer, a next display buffer, and an update buffer, thereby increasing the efficiency of display data update storage processing. It is described that graphics are displayed on a display screen at high speed.

特開平5−333830号 公報JP-A-5-333830

本発明者等は本発明に先立って、高性能の中央処理ユニット(CPU)のコアと大容量SRAMを内蔵して、グラフックス表示機能とディスプレー・コントローラ機能とを搭載する半導体集積回路の開発に従事した。1Mバイトの大容量SRAMは中央処理ユニット(CPU)のプログラム領域とワーク領域として使用されるだけではなく、画像および動画のフレームバッファとしても使用されることで、最大で480画素×240画素のWQVGA(Wide Quarter Video Graphics Array)のサイズで、16ビット階調デジタルRGB表示出力が可能とされる。尚、SRAMは、スタティックランダムアクセスメモリの略称である。   Prior to the present invention, the inventors engaged in the development of a semiconductor integrated circuit incorporating a high-performance central processing unit (CPU) core and a large-capacity SRAM and mounting a graphics display function and a display controller function. did. A 1-Mbyte large-capacity SRAM is used not only as a program area and work area for a central processing unit (CPU), but also as a frame buffer for images and moving images. 16-bit gradation digital RGB display output is possible with the size of (Wide Quarter Video Graphics Array). Note that SRAM is an abbreviation for static random access memory.

この半導体集積回路の用途としては、車載用デジタル・オーディオ機器、自動車のダッシュボード、車載機器向けのグラフィックス用途、車体の側面と背面のカメラ画像を表示する車載情報機器等が想定された。従って、半導体集積回路のグラフックス表示とディスプレー・コントローラ機能とには、マルチウィンドウ表示や、複数の画像を所定の透過率で1フレームの画像に合成すると言うアルファブレンド(αブレンド)の機能が必要とされた。   Applications of this semiconductor integrated circuit were assumed to be in-vehicle digital audio devices, automobile dashboards, graphics applications for in-vehicle devices, in-vehicle information devices that display camera images on the side and back of the vehicle body, and the like. Therefore, the graphic display and display controller function of a semiconductor integrated circuit requires a multi-window display and an alpha blend (α blend) function that combines a plurality of images into one frame image with a predetermined transmittance. It was done.

このマルチウィンドウ表示やアルファブレンドの表示動作のためには、複数のフレームの描画処理と表示処理とが必要となるので、半導体集積回路の内蔵SRAMのメモリ使用量が増大すると言う問題が本発明に先立って本発明者等による検討によって明らかとされた。   This multi-window display or alpha blend display operation requires drawing processing and display processing of a plurality of frames, and therefore the present invention has a problem that the memory usage of the built-in SRAM of the semiconductor integrated circuit increases. It was clarified in advance by examination by the present inventors.

図1は、本発明に先立って本発明者等によって検討された表示機能を搭載した半導体集積回路1の構成を示す図である。   FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit 1 equipped with a display function studied by the present inventors prior to the present invention.

図1に示した本発明に先立って本発明者等によって検討された半導体集積回路1は、表示ユニット2と、選択ユニット3と、内蔵SRAM4とによって構成されている。   The semiconductor integrated circuit 1 studied by the inventors prior to the present invention shown in FIG. 1 includes a display unit 2, a selection unit 3, and a built-in SRAM 4.

表示ユニット2は、マルチウィンドウ表示やアルファブレンドの機能を実現するために、第1の表示ユニット2Aと第2の表示ユニット2Bとを含んでいる。   The display unit 2 includes a first display unit 2A and a second display unit 2B in order to realize multi-window display and alpha blending functions.

複数の画像または動画のフレームバッファとして使用可能な内蔵SRAM4は、第1のSRAMアレー4Aと第2のSRAMアレー4Bと第3のSRAMアレー4Cと第4のSRAMアレー4Dとを含んでいる。   The built-in SRAM 4 that can be used as a frame buffer for a plurality of images or moving images includes a first SRAM array 4A, a second SRAM array 4B, a third SRAM array 4C, and a fourth SRAM array 4D.

選択ユニット3は、内蔵SRAM4の4個のSRAMアレー4A〜Dに格納された画像データを選択して第1の表示ユニット2Aと第2の表示ユニット2Bとに供給するために、第1のセレクタ3Aと第2のセレクタ3Bとを含んでいる。すなわち、第1のセレクタ3Aの第1入力端子と第2入力端子と第2のセレクタ3Bの第1入力端子と第2入力端子とは第1のSRAMアレー4Aと第2のSRAMアレー4Bと第3のSRAMアレー4Cと第4のSRAMアレー4Dにそれぞれ接続され、第1のセレクタ3Aの出力端子と第2のセレクタ3Bの出力端子とは第1の表示ユニット2Aと第2の表示ユニット2Bとにそれぞれ接続されている。   The selection unit 3 selects the image data stored in the four SRAM arrays 4A to 4D of the built-in SRAM 4 and supplies them to the first display unit 2A and the second display unit 2B. 3A and a second selector 3B are included. That is, the first input terminal and the second input terminal of the first selector 3A, the first input terminal and the second input terminal of the second selector 3B are the first SRAM array 4A, the second SRAM array 4B, and the second input terminal. 3 SRAM array 4C and 4th SRAM array 4D, respectively. The output terminal of the first selector 3A and the output terminal of the second selector 3B are the first display unit 2A and the second display unit 2B. Are connected to each.

図1は、第1のSRAMアレー4Aに格納された第1画像データ5Aが第1のセレクタ3Aによって選択され第1の表示ユニット2Aによって第1の表示データ6Aとして表示され、また第4のSRAMアレー4Dに格納された第2画像データ5Bが第2のセレク3Bによって選択され第2の表示ユニット2Bによって第2の表示データ6Bとして表示される様子も示している。   FIG. 1 shows that the first image data 5A stored in the first SRAM array 4A is selected by the first selector 3A and displayed as the first display data 6A by the first display unit 2A. It also shows how the second image data 5B stored in the array 4D is selected by the second select 3B and displayed as the second display data 6B by the second display unit 2B.

また図1に示した半導体集積回路1は、選択ユニット3の第1のセレクタ3Aの選択動作と第2のセレク3Bの選択動作とを切り換えることによって、表示ユニット2の第1の表示ユニット2Aと第2の表示ユニット2Bとによって表示される表示画面を順次に切り換えることが可能である。新しい表示画面を表示する以前に、当然新しい表示画面を描画する処理が必要となる。   In addition, the semiconductor integrated circuit 1 shown in FIG. 1 switches the selection operation of the first selector 3A and the selection operation of the second selector 3B of the selection unit 3 to switch the first display unit 2A of the display unit 2 It is possible to sequentially switch the display screen displayed by the second display unit 2B. Before the new display screen is displayed, it is naturally necessary to draw a new display screen.

図2は、図1の表示処理の後に、第1のセレクタ3Aによって表示非選択とされた第2のSRAMアレー4Bに第3画像データ5Cが描画される処理を示す図である。この図2に示した描画処理の間にも、第1のSRAMアレー4Aに格納された第1画像データ5Aが第1のセレクタ3Aによって選択され、第1の表示ユニット2Aによって第1の表示データ6Aとして表示されている。   FIG. 2 is a diagram showing a process in which the third image data 5C is drawn on the second SRAM array 4B which is not selected by the first selector 3A after the display process of FIG. Also during the drawing process shown in FIG. 2, the first image data 5A stored in the first SRAM array 4A is selected by the first selector 3A, and the first display data is displayed by the first display unit 2A. Displayed as 6A.

図3は、図2に示した第3画像データ5Cの描画処理の後に、第2のSRAMアレー4Bに描画され格納された第3画像データ5Cが第1のセレクタ3Aによって選択され第1の表示ユニット2Aによって第1の表示データ6Aとして表示され、また第4のSRAMアレー4Dに格納された第2画像データ5Bが第2のセレク3Bによって選択され第2の表示ユニット2Bによって第2の表示データ6Bとして表示される様子を示す図である。この図3に示した第3画像データ5Cの表示処理の間にも、第2のセレクタ3Bによって表示非選択とされた第3のSRAMアレー4Cに第4画像データ5Dが描画されるものである。   In FIG. 3, after the drawing process of the third image data 5C shown in FIG. 2, the third image data 5C drawn and stored in the second SRAM array 4B is selected by the first selector 3A and is displayed in the first display. The second image data 5B displayed as the first display data 6A by the unit 2A and stored in the fourth SRAM array 4D is selected by the second select 3B, and the second display data 2B is displayed by the second display unit 2B. It is a figure which shows a mode that it displays as 6B. Also during the display process of the third image data 5C shown in FIG. 3, the fourth image data 5D is drawn on the third SRAM array 4C which is not selected by the second selector 3B. .

図4は、図3の表示処理および描画処理の後に、第2のSRAMアレー4Bに格納された第3画像データ5Cが第1のセレクタ3Aによって選択され第1の表示ユニット2Aによって第1の表示データ6Aとして表示され、また第3のSRAMアレー4Cに描画され格納された第4画像データ5Dが第2のセレク3Bによって選択されて第2の表示ユニット2Bによって第2の表示データ6Bとして表示される様子を示す図である。   In FIG. 4, after the display process and the drawing process of FIG. 3, the third image data 5C stored in the second SRAM array 4B is selected by the first selector 3A and the first display unit 2A performs the first display. The fourth image data 5D displayed as data 6A and drawn and stored in the third SRAM array 4C is selected by the second select 3B and displayed as the second display data 6B by the second display unit 2B. FIG.

以上説明したように、表示ユニット2と、選択ユニット3と、4個のSRAMアレー4A〜Dの内蔵SRAM4とによって構成された図1に示す半導体集積回路1を使用することによって、マルチウィンドウ表示やアルファブレンドの表示動作を実現することが可能である。しかし、図1に示した半導体集積回路1では、内蔵SRAM4のメモリ使用量が大きいと言う問題があった。   As described above, by using the semiconductor integrated circuit 1 shown in FIG. 1 constituted by the display unit 2, the selection unit 3, and the built-in SRAM 4 of the four SRAM arrays 4A to 4D, a multi-window display or It is possible to realize an alpha blend display operation. However, the semiconductor integrated circuit 1 shown in FIG. 1 has a problem that the memory usage of the built-in SRAM 4 is large.

例えば、第1の表示データ6Aと第2の表示データ6Bの各表示サイズが480画素×240画素のWQVGAのサイズで、1画素が16ビット階調デジタルRGB表示の場合には、4個のSRAMアレー4A〜Dの各SRAMアレーの記憶容量は230.4KB(キロバイト)のサイズとなり、4個のSRAMアレー4A〜Dの合計の記憶容量は921.6KBとなる。   For example, if each display size of the first display data 6A and the second display data 6B is a WQVGA size of 480 pixels × 240 pixels and one pixel is a 16-bit gradation digital RGB display, four SRAMs are displayed. The storage capacity of each SRAM array in the arrays 4A to 4D is 230.4 KB (kilobytes), and the total storage capacity of the four SRAM arrays 4A to 4D is 921.6 KB.

従って、1MB(8Mbit)の大容量の内蔵SRAM4を図1に示した半導体集積回路1に集積化したとしても、残りの記憶容量は78.4KB程度となり、中央処理ユニット(CPU)のプログラム領域とワーク領域として使用するには不十分なものである。   Therefore, even if the built-in SRAM 4 having a large capacity of 1 MB (8 Mbit) is integrated in the semiconductor integrated circuit 1 shown in FIG. 1, the remaining storage capacity is about 78.4 KB, and the program area of the central processing unit (CPU) It is insufficient for use as a work area.

本発明は、以上のような本発明に先立った本発明者等による検討の結果、なされたものである。   The present invention has been made as a result of the examination by the present inventors prior to the present invention as described above.

従って、本発明の目的とするところは、画像処理機能を内蔵する半導体集積回路において、画像の描画処理と表示処理に使用される内蔵メモリの記憶容量の節約を可能とすることにある。   Accordingly, an object of the present invention is to make it possible to save the storage capacity of a built-in memory used for image drawing processing and display processing in a semiconductor integrated circuit incorporating an image processing function.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。   The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

本願において開示される発明のうちの代表的なものについて簡単に説明すれば下記のとおりである。   A typical one of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

すなわち、本発明の代表的な実施の形態による半導体集積回路(1)は、第1の表示ユニット(2A)および第2の表示ユニット(2B)と、第1のセレクタ(3A)および第2のセレクタ(3B)と、第1の記憶部(4A)と第2の記憶部(4B)と第3の記憶部(4C)とを有する内蔵メモリ(4)とを具備する。   That is, the semiconductor integrated circuit (1) according to the representative embodiment of the present invention includes a first display unit (2A) and a second display unit (2B), a first selector (3A), and a second display unit. A built-in memory (4) having a selector (3B), a first storage unit (4A), a second storage unit (4B), and a third storage unit (4C) is provided.

前記第1の表示ユニット(2A)の出力と前記第2の表示ユニット(2B)の出力とは、相互に独立した第1の表示データ(6A)と第2の表示データ(6B)とをそれぞれ出力可能である。   The output of the first display unit (2A) and the output of the second display unit (2B) are the first display data (6A) and the second display data (6B) which are independent from each other. Output is possible.

前記第1の記憶部(4A)と前記第2の記憶部(4B)と前記第3の記憶部(4C)とは、相互に独立した第1の画像データ(5A)と第2の画像データ(5B)と第3の画像データ(5C)を格納可能である。   The first storage unit (4A), the second storage unit (4B), and the third storage unit (4C) include first image data (5A) and second image data that are independent of each other. (5B) and third image data (5C) can be stored.

前記第1のセレクタ(3A)と前記第2のセレクタ(3B)の各セレクタは、第1入力端子と第2入力端子と第3入力端子と出力端子とを少なくとも有する。   Each selector of the first selector (3A) and the second selector (3B) has at least a first input terminal, a second input terminal, a third input terminal, and an output terminal.

前記第1のセレクタ(3A)の前記第1入力端子と前記第2のセレクタ(3B)の前記第1入力端子とは前記第1の記憶部(4A)の出力と接続され、前記第1のセレクタ(3A)の前記第2入力端子と前記第2のセレクタ(3B)の前記第2入力端子とは前記第2の記憶部(4B)の出力と接続され、前記第1のセレクタ(3A)の前記第3入力端子と前記第2のセレクタ(3B)の前記第3入力端子とは前記第3の記憶部(4C)の出力と接続される。   The first input terminal of the first selector (3A) and the first input terminal of the second selector (3B) are connected to the output of the first storage unit (4A), and the first input terminal The second input terminal of the selector (3A) and the second input terminal of the second selector (3B) are connected to the output of the second storage unit (4B), and the first selector (3A) The third input terminal and the third input terminal of the second selector (3B) are connected to the output of the third storage unit (4C).

前記第1のセレクタ(3A)の前記出力端子と前記第2のセレクタ(3B)の前記出力端子とは、前記第1の表示ユニット(2A)の入力と前記第2の表示ユニット(2B)の入力とにそれぞれ接続されたことを特徴とする(図5参照)。   The output terminal of the first selector (3A) and the output terminal of the second selector (3B) are connected to the input of the first display unit (2A) and the second display unit (2B). It is characterized by being connected to the input (see FIG. 5).

本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記の通りである。   The effects obtained by the representative ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

すなわち、本発明によれば、画像の描画処理と表示処理に使用される内蔵メモリの記憶容量の節約を可能とすることができる。   That is, according to the present invention, it is possible to save the storage capacity of the built-in memory used for image drawing processing and display processing.

図1は、本発明に先立って本発明者等によって検討された表示機能を搭載した半導体集積回路1の構成を示す図であり、また第1のSRAMアレー4Aに格納された第1画像データ5Aが第1のセレクタ3Aによって選択され第1の表示ユニット2Aによって第1の表示データ6Aとして表示され、また第4のSRAMアレー4Dに格納された第2画像データ5Bが第2のセレク3Bによって選択され第2の表示ユニット2Bによって第2の表示データ6Bとして表示される様子も示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit 1 equipped with a display function studied by the present inventors prior to the present invention, and the first image data 5A stored in the first SRAM array 4A. Is selected by the first selector 3A and displayed as the first display data 6A by the first display unit 2A, and the second image data 5B stored in the fourth SRAM array 4D is selected by the second selector 3B. It is also a diagram showing how the second display unit 2B displays the second display data 6B. 図2は、図1の表示処理の後に、第1のセレクタ3Aによって表示非選択とされた第2のSRAMアレー4Bに第3画像データ5Cが描画される処理を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a process in which the third image data 5C is drawn on the second SRAM array 4B which is not selected by the first selector 3A after the display process of FIG. 図3は、図2に示した第3画像データ5Cの描画処理の後に、第2のSRAMアレー4Bに描画され格納された第3画像データ5Cが第1のセレクタ3Aによって選択され第1の表示ユニット2Aによって第1の表示データ6Aとして表示され、また第4のSRAMアレー4Dに格納された第2画像データ5Bが第2のセレク3Bによって選択され第2の表示ユニット2Bによって第2の表示データ6Bとして表示される様子を示す図である。In FIG. 3, after the drawing process of the third image data 5C shown in FIG. 2, the third image data 5C drawn and stored in the second SRAM array 4B is selected by the first selector 3A and is displayed in the first display. The second image data 5B displayed as the first display data 6A by the unit 2A and stored in the fourth SRAM array 4D is selected by the second select 3B, and the second display data 2B is displayed by the second display unit 2B. It is a figure which shows a mode that it displays as 6B. 図4は、図3の表示処理および描画処理の後に、第2のSRAMアレー4Bに格納された第3画像データ5Cが第1のセレクタ3Aによって選択され第1の表示ユニット2Aによって第1の表示データ6Aとして表示され、また第3のSRAMアレー4Cに描画され格納された第4画像データ5Dが第2のセレク3Bによって選択されて第2の表示ユニット2Bによって第2の表示データ6Bとして表示される様子を示す図である。In FIG. 4, after the display process and the drawing process of FIG. 3, the third image data 5C stored in the second SRAM array 4B is selected by the first selector 3A and the first display unit 2A performs the first display. The fourth image data 5D displayed as data 6A and drawn and stored in the third SRAM array 4C is selected by the second select 3B and displayed as the second display data 6B by the second display unit 2B. FIG. 図5は、表示機能を搭載した本発明の実施の形態1による半導体集積回路1の構成を示す図であり、また第1のSRAMアレー4Aに格納された第1画像データ5Aが第1のセレクタ3Aによって選択され第1の表示ユニット2Aによって第1の表示データ6Aとして表示され、また第3のSRAMアレー4Cに格納された第2画像データ5Bが第2のセレク3Bによって選択され第2の表示ユニット2Bによって第2の表示データ6Bとして表示される様子も示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a configuration of the semiconductor integrated circuit 1 according to the first embodiment of the present invention having a display function, and the first image data 5A stored in the first SRAM array 4A is the first selector. The second image data 5B selected by 3A and displayed as the first display data 6A by the first display unit 2A and stored in the third SRAM array 4C is selected by the second select 3B and the second display. It is a figure which also shows a mode that it displays as 2nd display data 6B by the unit 2B. 図6は、図5に示した第3画像データ5Cの描画処理によって第2のSRAMアレー4Bに描画され格納された第3画像データ5Cが第1のセレクタ3Aによって選択され第1の表示ユニット2Aによって第1の表示データ6Aとして表示され、また第3のSRAMアレー4Cに格納された第2画像データ5Bが第2のセレク3Bによって選択され第2の表示ユニット2Bによって第2の表示データ6Bとして表示される様子を示す図である。In FIG. 6, the third image data 5C drawn and stored in the second SRAM array 4B by the drawing process of the third image data 5C shown in FIG. 5 is selected by the first selector 3A and the first display unit 2A. Is displayed as the first display data 6A, and the second image data 5B stored in the third SRAM array 4C is selected by the second select 3B and is used as the second display data 6B by the second display unit 2B. It is a figure which shows a mode that it displays. 図7は、図6に示した第2画像データ5Bと第3画像データ5Cとの表示処理の間に、第1のセレクタ3Aと第2のセレクタ3Bによって表示非選択とされた第1のSRAMアレー4Aに第4画像データ5Dが描画される様子を示す図である。FIG. 7 shows the first SRAM that is not selected by the first selector 3A and the second selector 3B during the display processing of the second image data 5B and the third image data 5C shown in FIG. It is a figure which shows a mode that the 4th image data 5D is drawn on the array 4A. 図8は、図7の表示処理および描画処理の後に、第2のSRAMアレー4Bに格納された第3画像データ5Cが第1のセレクタ3Aによって選択され第1の表示ユニット2Aによって第1の表示データ6Aとして表示され、また第1のSRAMアレー4Aに描画され格納された第4画像データ5Dが第2のセレク3Bによって選択されて第2の表示ユニット2Bによって第2の表示データ6Bとして表示される様子を示す図である。In FIG. 8, after the display process and the drawing process of FIG. 7, the third image data 5C stored in the second SRAM array 4B is selected by the first selector 3A and the first display unit 2A performs the first display. The fourth image data 5D displayed as data 6A and drawn and stored in the first SRAM array 4A is selected by the second select 3B and displayed as the second display data 6B by the second display unit 2B. FIG. 図9は、表示機能を搭載した本発明の実施の形態2によるより具体的な半導体集積回路1の構成を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a more specific configuration of the semiconductor integrated circuit 1 according to the second embodiment of the present invention in which the display function is mounted. 図10は、図9に示す本発明の実施の形態2による具体的な半導体集積回路1に内蔵された内蔵SRAM4とビデオディスプレーコントローラVDCとを使用することによって実現されるアルファブレンド動作を説明する図である。FIG. 10 is a diagram for explaining an alpha blending operation realized by using the built-in SRAM 4 and the video display controller VDC built in the specific semiconductor integrated circuit 1 according to the second embodiment of the present invention shown in FIG. It is. 図11は、表示機能を搭載した本発明の他の実施の形態による半導体集積回路1の構成を示す図であり、表示用バッファの第1のSRAMアレー4Aに格納された第1画像データ5Aが第1の表示ユニット2Aによって第1の表示データ6Aとして表示され、表示用バッファの第3のSRAMアレー4Cに格納された第2画像データ5Bが第2の表示ユニット2Bによって第2の表示データ6Bとして表示される様子も示し、また第1画像データ5Aと第2画像データ5Bの表示処理の間に描画用バッファの第2のSRAMアレー4Bに第3画像データ5Cが描画される処理が実行される様子も示している。FIG. 11 is a diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit 1 according to another embodiment of the present invention equipped with a display function. First image data 5A stored in the first SRAM array 4A of the display buffer is shown in FIG. The second display data 2B is displayed by the second display unit 2B on the second image data 5B which is displayed as the first display data 6A by the first display unit 2A and stored in the third SRAM array 4C of the display buffer. In addition, a process of drawing the third image data 5C in the second SRAM array 4B of the drawing buffer is executed between the display processes of the first image data 5A and the second image data 5B. It also shows how it works. 図12は、図11に示した第3画像データ5Cの描画処理によって描画用バッファの第2のSRAMアレー4Bに描画され格納された第3画像データ5Cが表示用バッファ4Aにコピーされ、表示用バッファの第1のSRAMアレー4Aに格納された第3画像データ5Cのコピー画像データが第1の表示ユニット2Aによって第1の表示データ6Aとして表示され、表示用バッファの第3のSRAMアレー4Cに格納された第2画像データ5Bが第2の表示ユニット2Bによって第2の表示データ6Bとして表示される様子を示す図である。In FIG. 12, the third image data 5C drawn and stored in the second SRAM array 4B of the drawing buffer by the drawing process of the third image data 5C shown in FIG. 11 is copied to the display buffer 4A and displayed. The copy image data of the third image data 5C stored in the first SRAM array 4A in the buffer is displayed as the first display data 6A by the first display unit 2A, and is displayed in the third SRAM array 4C in the display buffer. It is a figure which shows a mode that the stored 2nd image data 5B is displayed as the 2nd display data 6B by the 2nd display unit 2B. 図13は、図12に示した第2画像データ5Bと第3画像データ5Cの表示処理の間に、描画用バッファの第2のSRAMアレー4Bに第4画像データ5Dが描画される様子を示す図である。FIG. 13 shows a state in which the fourth image data 5D is drawn in the second SRAM array 4B of the drawing buffer during the display processing of the second image data 5B and the third image data 5C shown in FIG. FIG. 図14は、図13に示した第4画像データ5Dの描画処理によって描画用バッファの第2のSRAMアレー4Bに描画され格納された第4画像データ5Dが表示用バッファ4Cにコピーされ、表示用バッファの第3のSRAMアレー4Cに格納された第4画像データ5Dのコピー画像データが第2の表示ユニット2Bによって第2の表示データ6Bとして表示され、表示用バッファの第1のSRAMアレー4Aに格納された第3画像データ5Cが第1の表示ユニット2Aによって第1の表示データ6Aとして表示される様子を示す図である。In FIG. 14, the fourth image data 5D drawn and stored in the second SRAM array 4B of the drawing buffer by the drawing process of the fourth image data 5D shown in FIG. 13 is copied to the display buffer 4C and displayed. The copy image data of the fourth image data 5D stored in the third SRAM array 4C of the buffer is displayed as the second display data 6B by the second display unit 2B, and is displayed in the first SRAM array 4A of the display buffer. It is a figure which shows a mode that the stored 3rd image data 5C is displayed as 1st display data 6A by the 1st display unit 2A.

1.実施の形態の概要
まず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。代表的な実施の形態についての概要説明で括弧を付して参照する図面の参照符号は、それが付された構成要素の概念に含まれるものを例示するに過ぎない。
1. First, an outline of a typical embodiment of the invention disclosed in the present application will be described. Reference numerals in the drawings referred to with parentheses in the outline description of the representative embodiments merely exemplify what are included in the concept of the components to which the reference numerals are attached.

〔1〕本発明の代表的な実施の形態による半導体集積回路(1)は、第1の表示ユニット(2A)および第2の表示ユニット(2B)と、第1のセレクタ(3A)および第2のセレクタ(3B)と、第1の記憶部(4A)と第2の記憶部(4B)と第3の記憶部(4C)とを有する内蔵メモリ(4)とを具備する。   [1] A semiconductor integrated circuit (1) according to a typical embodiment of the present invention includes a first display unit (2A), a second display unit (2B), a first selector (3A), and a second display unit. And a built-in memory (4) having a first storage unit (4A), a second storage unit (4B), and a third storage unit (4C).

前記第1の表示ユニット(2A)の出力と前記第2の表示ユニット(2B)の出力とは、相互に独立した第1の表示データ(6A)と第2の表示データ(6B)とをそれぞれ出力可能である。   The output of the first display unit (2A) and the output of the second display unit (2B) are the first display data (6A) and the second display data (6B) which are independent from each other. Output is possible.

前記第1の記憶部(4A)と前記第2の記憶部(4B)と前記第3の記憶部(4C)とは、相互に独立した第1の画像データ(5A)と第2の画像データ(5B)と第3の画像データ(5C)を格納可能である。   The first storage unit (4A), the second storage unit (4B), and the third storage unit (4C) include first image data (5A) and second image data that are independent of each other. (5B) and third image data (5C) can be stored.

前記第1のセレクタ(3A)と前記第2のセレクタ(3B)の各セレクタは、第1入力端子と第2入力端子と第3入力端子と出力端子とを少なくとも有する。   Each selector of the first selector (3A) and the second selector (3B) has at least a first input terminal, a second input terminal, a third input terminal, and an output terminal.

前記第1のセレクタ(3A)の前記第1入力端子と前記第2のセレクタ(3B)の前記第1入力端子とは前記第1の記憶部(4A)の出力と接続され、前記第1のセレクタ(3A)の前記第2入力端子と前記第2のセレクタ(3B)の前記第2入力端子とは前記第2の記憶部(4B)の出力と接続され、前記第1のセレクタ(3A)の前記第3入力端子と前記第2のセレクタ(3B)の前記第3入力端子とは前記第3の記憶部(4C)の出力と接続される。   The first input terminal of the first selector (3A) and the first input terminal of the second selector (3B) are connected to the output of the first storage unit (4A), and the first input terminal The second input terminal of the selector (3A) and the second input terminal of the second selector (3B) are connected to the output of the second storage unit (4B), and the first selector (3A) The third input terminal and the third input terminal of the second selector (3B) are connected to the output of the third storage unit (4C).

前記第1のセレクタ(3A)の前記出力端子と前記第2のセレクタ(3B)の前記出力端子とは、前記第1の表示ユニット(2A)の入力と前記第2の表示ユニット(2B)の入力とにそれぞれ接続されたことを特徴とする(図5参照)。   The output terminal of the first selector (3A) and the output terminal of the second selector (3B) are connected to the input of the first display unit (2A) and the second display unit (2B). It is characterized by being connected to the input (see FIG. 5).

前記実施の形態によれば、画像の描画処理と表示処理に使用される内蔵メモリの記憶容量の節約を可能とすることができる。   According to the embodiment, it is possible to save the storage capacity of the built-in memory used for image drawing processing and display processing.

好適な実施の形態では、前記第1のセレクタ(3A)と前記第2のセレクタ(3B)とは、前記内蔵メモリ(4)の前記第1の記憶部(4A)と前記第2の記憶部(4B)と前記第3の記憶部(4C)に格納された前記第1の画像データ(5A)と前記第2の画像データ(5B)と前記第3の画像データ(5C)から2個のデータ(5A、5B)を選択して前記第1の表示データ(6A)および前記第2の表示データ(6B)として前記第1の表示ユニット(2A)の前記入力と前記第2の表示ユニット(2B)の前記入力に供給可能とされたことを特徴とする(図5参照)。   In a preferred embodiment, the first selector (3A) and the second selector (3B) are the first storage unit (4A) and the second storage unit of the built-in memory (4). (4B), the first image data (5A), the second image data (5B), and the third image data (5C) stored in the third storage unit (4C). By selecting data (5A, 5B), the first display data (6A) and the second display data (6B) as the input of the first display unit (2A) and the second display unit ( 2B) can be supplied to the input (see FIG. 5).

他の好適な実施の形態では、前記第1のセレクタ(3A)と前記第2のセレクタ(3B)とによって選択された前記2個のデータ(5A、5B)に応答して前記第1の表示ユニット(2A)の前記出力と前記第2の表示ユニット(2B)の前記出力とが前記第1の表示データ(6A)と前記第2の表示データ(6B)とをそれぞれ出力することを特徴とする(図5参照)。   In another preferred embodiment, the first display is responsive to the two data (5A, 5B) selected by the first selector (3A) and the second selector (3B). The output of the unit (2A) and the output of the second display unit (2B) output the first display data (6A) and the second display data (6B), respectively. (See FIG. 5).

更に他の好適な実施の形態では、前記第1と前記第2のセレクタによって選択された前記2個のデータに応答して前記第1と前記第2の表示ユニットの前記出力から前記第1と前記第2の表示データが出力された後、前記2個のデータの選択時に前記第1のセレクタ(3A)と前記第2のセレクタ(3B)とによって非選択とされた残りの1個のデータ(5C)が選択されることを特徴とする(図6参照)。   In still another preferred embodiment, in response to the two data selected by the first and second selectors, the first and second display units output the first and second outputs from the first and second display units. After the second display data is output, the remaining one piece of data that is not selected by the first selector (3A) and the second selector (3B) when the two pieces of data are selected. (5C) is selected (see FIG. 6).

より好適な実施の形態では、前記残りの1個のデータ(5C)は前記第1のセレクタ(3A)と前記第2のセレクタ(3B)の一方のセレクタ(3A)によって選択されて、前記一方のセレクタ(3A)によって選択された前記残りの1個のデータ(5C)に応答して前記第1の表示ユニット(2A)と前記第2の表示ユニット(2B)の一方の表示ユニット(2A)により前記第1の表示データ(6A)と前記第2の表示データ(6B)の一方の表示データ(6A)が出力されることを特徴とする(図6参照)。   In a more preferred embodiment, the remaining one data (5C) is selected by one selector (3A) of the first selector (3A) and the second selector (3B), and the one of the one data (5C) is selected. One display unit (2A) of the first display unit (2A) and the second display unit (2B) in response to the remaining one data (5C) selected by the selector (3A) Thus, one display data (6A) of the first display data (6A) and the second display data (6B) is output (see FIG. 6).

他のより好適な実施の形態では、前記第1の表示ユニット(2A)の前記出力と前記第2の表示ユニット(2B)の前記出力とからそれぞれ出力される前記第1の表示データ(6A)と前記第2の表示データ(6B)とは、マルチウィンドウ表示とアルファブレンド表示とマルチディスプレー表示とのいずれかに利用されることを特徴とする。   In another more preferred embodiment, the first display data (6A) output from the output of the first display unit (2A) and the output of the second display unit (2B), respectively. The second display data (6B) is used for any of multi-window display, alpha blend display, and multi-display display.

更に他のより好適な実施の形態による半導体集積回路(1)は、第1入力端子と第2入力端子と第3入力端子と出力端子とを少なくとも有する第3のセレクタ(3C)と、第3の表示データを出力から出力可能な第3の表示ユニット(2C)とを更に具備する。   The semiconductor integrated circuit (1) according to still another more preferred embodiment includes a third selector (3C) having at least a first input terminal, a second input terminal, a third input terminal, and an output terminal, and a third selector. And a third display unit (2C) capable of outputting the display data from the output.

前記第3のセレクタ(3C)の前記第1入力端子は前記第1のセレクタ(3A)の前記第1入力端子および前記第2のセレクタ(3B)の前記第1入力端子と接続され、前記第3のセレクタ(3C)の前記第2入力端子は前記第1のセレクタ(3A)の前記第2入力端子および前記第2のセレクタ(3B)の前記第2入力端子と接続され、前記第3のセレクタ(3C)の前記第3入力端子は前記第1のセレクタ(3A)の前記第3入力端子および前記第2のセレクタ(3B)の前記第3入力端子と接続される。   The first input terminal of the third selector (3C) is connected to the first input terminal of the first selector (3A) and the first input terminal of the second selector (3B). The second input terminal of the third selector (3C) is connected to the second input terminal of the first selector (3A) and the second input terminal of the second selector (3B), and the third input terminal The third input terminal of the selector (3C) is connected to the third input terminal of the first selector (3A) and the third input terminal of the second selector (3B).

前記第3のセレクタ(3C)の前記出力端子は、前記第3の表示ユニット(2C)の入力と接続されたことを特徴とする(図9参照)。   The output terminal of the third selector (3C) is connected to the input of the third display unit (2C) (see FIG. 9).

別のより好適な実施の形態による半導体集積回路(1)は、プロセッサユニット(10、11)と、プロセッサバス(12)と、中間層バス(17A〜17F)と、周辺バス(22)と、第1バスブリッジ(13〜16)と、第2バスブリッジ(18、19)と、周辺デバイス(23〜28)とを更に具備する。   A semiconductor integrated circuit (1) according to another more preferred embodiment includes a processor unit (10, 11), a processor bus (12), an intermediate layer bus (17A-17F), a peripheral bus (22), A first bus bridge (13 to 16), a second bus bridge (18, 19), and peripheral devices (23 to 28) are further provided.

前記プロセッサユニットは前記プロセッサバスと接続され、前記プロセッサバスは前記第1バスブリッジを介して前記中間層バスと接続され、前記中間層バスは前記第2バスブリッジ(18、19)を介して前記周辺バスと接続され、前記周辺バスは前記周辺デバイスと接続される。   The processor unit is connected to the processor bus, the processor bus is connected to the intermediate layer bus via the first bus bridge, and the intermediate layer bus is connected to the intermediate bus via the second bus bridge (18, 19). The peripheral bus is connected to the peripheral device.

前記内蔵メモリ(4)は前記中間層バスに接続されたランダムアクセスメモリ(RAM)であり、前記第1の記憶部(4A)と前記第2の記憶部(4B)と前記第3の記憶部(4C)とはそれぞれ前記内蔵メモリ(4)の前記ランダムアクセスメモリ(RAM)の第1のメモリアレーと第2のメモリアレーと第3のメモリアレーとである。   The built-in memory (4) is a random access memory (RAM) connected to the intermediate layer bus, and the first storage unit (4A), the second storage unit (4B), and the third storage unit. (4C) is a first memory array, a second memory array, and a third memory array of the random access memory (RAM) of the built-in memory (4), respectively.

前記第1の表示ユニット(2A)と前記第2の表示ユニット(2B)と前記第3の表示ユニット(2C)と、前記第1のセレクタ(3A)と前記第2のセレクタ(3B)と前記第3のセレクタ(3C)とは、前記中間層バスに接続されたビデオディスプレーコントローラ(VDC)を構成するものである。   The first display unit (2A), the second display unit (2B), the third display unit (2C), the first selector (3A), the second selector (3B), and the The third selector (3C) constitutes a video display controller (VDC) connected to the intermediate layer bus.

前記ランダムアクセスメモリには、前記プロセッサユニットのための動作プログラムが格納可能とされ、更に前記ビデオディスプレーコントローラのための前記第1の画像データと前記第2の画像データと前記第3の画像データとが格納可能であることを特徴とする(図9参照)。   The random access memory can store an operation program for the processor unit, and further, the first image data, the second image data, and the third image data for the video display controller, Can be stored (see FIG. 9).

更に別のより好適な実施の形態では、前記中間層バスは、第1画像内部バス(17C)と第2画像内部バス(17D)と第3画像内部バス(17E)と第4画像内部バス(17F)とを含む。   In still another more preferred embodiment, the intermediate layer bus includes a first image internal bus (17C), a second image internal bus (17D), a third image internal bus (17E), and a fourth image internal bus ( 17F).

前記ビデオディスプレーコントローラ(VDC)は、出力が前記第1画像内部バスと接続されることにより画像情報を前記第1画像内部バスに供給する画像入力ユニット(7)と、入力が前記第2画像内部バスと接続された第1の画像ダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラ(9A)と、入力が前記第3画像内部バスと接続された第2の画像ダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラ(9B)と、入力が前記第4画像内部バスと接続された第3の画像ダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラ(9C)とを含む。   The video display controller (VDC) has an image input unit (7) for supplying image information to the first image internal bus by connecting an output to the first image internal bus, and an input is connected to the second image internal bus. A first image direct memory access controller (9A) connected to the bus; a second image direct memory access controller (9B) whose input is connected to the third image internal bus; and an input Includes a third image direct memory access controller (9C) connected to the fourth image internal bus.

前記第1画像内部バスに前記第1のメモリアレーの入力端子と前記第2のメモリアレーの入力端子と前記第3のメモリアレーの入力端子とが接続されることによって、前記第1画像内部バスの前記画像情報は前記第1のメモリアレーと前記第2のメモリアレーと前記第3のメモリアレーとに格納可能とされる。   The first image internal bus is connected to the input terminal of the first memory array, the input terminal of the second memory array, and the input terminal of the third memory array to the first image internal bus. The image information can be stored in the first memory array, the second memory array, and the third memory array.

前記第2画像内部バスに前記第1のメモリアレーの第1出力端子と前記第2のメモリアレーの第1出力端子と前記第3のメモリアレーの第1出力端子とが接続され、前記第3画像内部バスに前記第1のメモリアレーの第2出力端子と前記第2のメモリアレーの第2出力端子と前記第3のメモリアレーの第2出力端子とが接続され、前記第4画像内部バスに前記第1のメモリアレーの第3出力端子と前記第2のメモリアレーの第3出力端子と前記第3のメモリアレーの第3出力端子とが接続される。   A first output terminal of the first memory array, a first output terminal of the second memory array, and a first output terminal of the third memory array are connected to the second image internal bus; A second output terminal of the first memory array, a second output terminal of the second memory array, and a second output terminal of the third memory array are connected to the image internal bus, and the fourth image internal bus is connected. And a third output terminal of the first memory array, a third output terminal of the second memory array, and a third output terminal of the third memory array.

前記第1の画像ダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラの出力は前記第1のセレクタの前記第1入力端子と前記第2のセレクタの前記第1入力端子と前記第3のセレクタの前記第1入力端子とに接続されて、前記第2の画像ダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラの出力は前記第1のセレクタの前記第2入力端子と前記第2のセレクタの前記第2入力端子と前記第3のセレクタの前記第2入力端子とに接続されて、前記第3の画像ダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラの出力は前記第1のセレクタの前記第3入力端子と前記第2のセレクタの前記第3入力端子と前記第3のセレクタの前記第3入力端子とに接続されたことを特徴とする(図9参照)。   The output of the first image direct memory access controller is the first input terminal of the first selector, the first input terminal of the second selector, and the first input terminal of the third selector. And the output of the second image direct memory access controller is connected to the second input terminal of the first selector, the second input terminal of the second selector, and the third selector. And the output of the third image direct memory access controller is connected to the second input terminal of the first selector and the third input terminal of the second selector. And the third input terminal of the third selector (see FIG. 9).

具体的な実施の形態では、前記第1と前記第2と前記第3のメモリアレーとにそれぞれ格納された第1と第2と第3の画像情報とは、前記第2と前記第3と前記第4の画像内部バスおよび前記第1と前記第2と前記第3の画像ダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラおよび前記第1と前記第2と前記第3のセレクタを介して、前記第1と前記第2と前記第3の表示ユニットの前記入力に並列に供給可能とされたことを特徴とする(図9参照)。   In a specific embodiment, the first, second, and third image information respectively stored in the first, second, and third memory arrays are the second, the third, and the third, respectively. Via the fourth image internal bus, the first, second, and third image direct memory access controllers and the first, second, and third selectors, It is possible to supply in parallel to the inputs of the second and third display units (see FIG. 9).

最も具体的な実施の形態では、前記プロセッサユニットは中央処理ユニット(10)を含み、前記内蔵メモリ(4)は前記中間層バスに接続されたスタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)であり、前記スタティックランダムアクセスメモリには、前記中央処理ユニットのための前記動作プログラムが格納可能とされたことを特徴とする(図9参照)。   In the most specific embodiment, the processor unit includes a central processing unit (10), and the built-in memory (4) is a static random access memory (SRAM) connected to the intermediate layer bus, and the static random The access memory can store the operation program for the central processing unit (see FIG. 9).

〔2〕本発明の別の観点の代表的な実施の形態は、第1の表示ユニット(2A)および第2の表示ユニット(2B)と、第1のセレクタ(3A)および第2のセレクタ(3B)と、第1の記憶部(4A)と第2の記憶部(4B)と第3の記憶部(4C)とを有する内蔵メモリ(4)とを具備する半導体集積回路(1)の動作方法である。   [2] A typical embodiment of another aspect of the present invention includes a first display unit (2A) and a second display unit (2B), a first selector (3A) and a second selector ( 3B), the operation of the semiconductor integrated circuit (1) including the built-in memory (4) having the first storage unit (4A), the second storage unit (4B), and the third storage unit (4C). Is the method.

前記第1の表示ユニット(2A)の出力と前記第2の表示ユニット(2B)の出力とは、相互に独立した第1の表示データ(6A)と第2の表示データ(6B)とをそれぞれ出力可能である。   The output of the first display unit (2A) and the output of the second display unit (2B) are the first display data (6A) and the second display data (6B) which are independent from each other. Output is possible.

前記第1の記憶部(4A)と前記第2の記憶部(4B)と前記第3の記憶部(4C)とは、相互に独立した第1の画像データ(5A)と第2の画像データ(5B)と第3の画像データ(5C)を格納可能である。   The first storage unit (4A), the second storage unit (4B), and the third storage unit (4C) include first image data (5A) and second image data that are independent of each other. (5B) and third image data (5C) can be stored.

前記第1のセレクタ(3A)と前記第2のセレクタ(3B)の各セレクタは、第1入力端子と第2入力端子と第3入力端子と出力端子とを少なくとも有する。   Each selector of the first selector (3A) and the second selector (3B) has at least a first input terminal, a second input terminal, a third input terminal, and an output terminal.

前記第1のセレクタ(3A)の前記第1入力端子と前記第2のセレクタ(3B)の前記第1入力端子とは前記第1の記憶部(4A)の出力と接続され、前記第1のセレクタ(3A)の前記第2入力端子と前記第2のセレクタ(3B)の前記第2入力端子とは前記第2の記憶部(4B)の出力と接続され、前記第1のセレクタ(3A)の前記第3入力端子と前記第2のセレクタ(3B)の前記第3入力端子とは前記第3の記憶部(4C)の出力と接続される。   The first input terminal of the first selector (3A) and the first input terminal of the second selector (3B) are connected to the output of the first storage unit (4A), and the first input terminal The second input terminal of the selector (3A) and the second input terminal of the second selector (3B) are connected to the output of the second storage unit (4B), and the first selector (3A) The third input terminal and the third input terminal of the second selector (3B) are connected to the output of the third storage unit (4C).

前記第1のセレクタ(3A)の前記出力端子と前記第2のセレクタ(3B)の前記出力端子とは、前記第1の表示ユニット(2A)の入力と前記第2の表示ユニット(2B)の入力とにそれぞれ接続される(図5参照)。   The output terminal of the first selector (3A) and the output terminal of the second selector (3B) are connected to the input of the first display unit (2A) and the second display unit (2B). Each is connected to the input (see FIG. 5).

前記第1のセレクタ(3A)と前記第2のセレクタ(3B)とは、前記内蔵メモリ(4)の前記第1の記憶部(4A)と前記第2の記憶部(4B)と前記第3の記憶部(4C)に格納された前記第1の画像データ(5A)と前記第2の画像データ(5B)と前記第3の画像データ(5C)から2個のデータ(5A、5B)を選択して前記第1の表示データ(6A)および前記第2の表示データ(6B)として前記第1の表示ユニット(2A)の前記入力と前記第2の表示ユニット(2B)の前記入力に供給可能とされたことを特徴とする(図5参照)。   The first selector (3A) and the second selector (3B) are the first storage unit (4A), the second storage unit (4B) and the third storage unit of the built-in memory (4). Two data (5A, 5B) from the first image data (5A), the second image data (5B), and the third image data (5C) stored in the storage unit (4C) Select and supply the first display data (6A) and the second display data (6B) to the input of the first display unit (2A) and the input of the second display unit (2B). This is characterized by being made possible (see FIG. 5).

前記実施の形態によれば、画像の描画処理と表示処理に使用される内蔵メモリの記憶容量の節約を可能とすることができる。   According to the embodiment, it is possible to save the storage capacity of the built-in memory used for image drawing processing and display processing.

2.実施の形態の詳細
次に、実施の形態について更に詳述する。尚、発明を実施するための最良の形態を説明するための全図において、前記の図と同一の機能を有する部品には同一の符号を付して、その繰り返しの説明は省略する。
2. Details of Embodiment Next, the embodiment will be described in more detail. In all the drawings for explaining the best mode for carrying out the invention, components having the same functions as those in the above-mentioned drawings are denoted by the same reference numerals, and repeated description thereof is omitted.

[実施の形態1]
《半導体集積回路の構成》
図5は、表示機能を搭載した本発明の実施の形態1による半導体集積回路1の構成を示す図である。
[Embodiment 1]
<Configuration of semiconductor integrated circuit>
FIG. 5 is a diagram showing a configuration of the semiconductor integrated circuit 1 according to the first embodiment of the present invention that is equipped with a display function.

図5に示す本発明の実施の形態1による半導体集積回路1が、図1に示した本発明に先立って本発明者等によって検討された半導体集積回路1と相違するのは、次の点である。   The semiconductor integrated circuit 1 according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 5 is different from the semiconductor integrated circuit 1 examined by the inventors prior to the present invention shown in FIG. is there.

最初に、図5に示した本発明の実施の形態1による半導体集積回路1では、複数の画像または動画のフレームバッファとして使用可能な内蔵SRAM4は、第1のSRAMアレー4Aと第2のSRAMアレー4Bと第3のSRAMアレー4Cとを含んでいる。   First, in the semiconductor integrated circuit 1 according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 5, the built-in SRAM 4 that can be used as a frame buffer for a plurality of images or moving images includes the first SRAM array 4A and the second SRAM array. 4B and a third SRAM array 4C.

次に、選択ユニット3の第1のセレクタ3Aと第2のセレクタ3Bとは、3入力端子を有するセレクタで構成されている。   Next, the first selector 3A and the second selector 3B of the selection unit 3 are composed of selectors having three input terminals.

更に、選択ユニット3の第1のセレクタ3Aと第2のセレクタ3Bとは、内蔵SRAM4の3個のSRAMアレー4A、4B、4C中に格納された画像データを選択して第1の表示ユニット2Aと第2の表示ユニット2Bとに供給するものである。すなわち、第1のセレクタ3Aの第1入力端子と第2のセレクタ3Bの第1入力端子とは第1のSRAMアレー4Aと接続され、第1のセレクタ3Aの第2入力端子と第2のセレクタ3Bの第2入力端子とは第2のSRAMアレー4Bと接続され、最後に第1のセレクタ3Aの第3入力端子と第2のセレクタ3Bの第3入力端子とは第3のSRAMアレー4Cと接続されている。また、第1のセレクタ3Aの出力端子と第2のセレクタ3Bの出力端子とは、それぞれ第1の表示ユニット2Aと第2の表示ユニット2Bとに接続されている。   Further, the first selector 3A and the second selector 3B of the selection unit 3 select the image data stored in the three SRAM arrays 4A, 4B, 4C of the built-in SRAM 4 and select the first display unit 2A. And the second display unit 2B. That is, the first input terminal of the first selector 3A and the first input terminal of the second selector 3B are connected to the first SRAM array 4A, and the second input terminal of the first selector 3A and the second selector are connected. The 3B second input terminal is connected to the second SRAM array 4B. Finally, the third input terminal of the first selector 3A and the third input terminal of the second selector 3B are the third SRAM array 4C. It is connected. The output terminal of the first selector 3A and the output terminal of the second selector 3B are connected to the first display unit 2A and the second display unit 2B, respectively.

《半導体集積回路の表示動作》
図5は、第1のSRAMアレー4Aに格納された第1画像データ5Aが第1のセレクタ3Aによって選択され第1の表示ユニット2Aによって第1の表示データ6Aとして表示され、また第3のSRAMアレー4Cに格納された第2画像データ5Bが第2のセレク3Bによって選択され第2の表示ユニット2Bによって第2の表示データ6Bとして表示される様子も示している。
<< Display operation of semiconductor integrated circuit >>
FIG. 5 shows that the first image data 5A stored in the first SRAM array 4A is selected by the first selector 3A and displayed as the first display data 6A by the first display unit 2A. It also shows how the second image data 5B stored in the array 4C is selected by the second select 3B and displayed as the second display data 6B by the second display unit 2B.

また図5に示した半導体集積回路1は、図1に示した半導体集積回路1と全く同様に、選択ユニット3の第1のセレクタ3Aの選択動作と第2のセレク3Bの選択動作とを切り換えることによって、表示ユニット2の第1の表示ユニット2Aと第2の表示ユニット2Bとによって表示される表示画面を順次に切り換えることが可能である。また新しい表示画面を表示する以前には、当然新しい表示画面を描画する処理が必要である。   Further, the semiconductor integrated circuit 1 shown in FIG. 5 switches between the selection operation of the first selector 3A and the selection operation of the second select 3B of the selection unit 3, just like the semiconductor integrated circuit 1 shown in FIG. Thus, the display screen displayed by the first display unit 2A and the second display unit 2B of the display unit 2 can be sequentially switched. In addition, before displaying a new display screen, it is naturally necessary to draw a new display screen.

また、図5に示した第1画像データ5Aと第2画像データ5Bの表示処理の間に、第1のセレクタ3Aと第2のセレクタ3Bとによって表示非選択とされた第2のSRAMアレー4Bに第3画像データ5Cが描画される処理が実行されるものである。   In addition, during the display processing of the first image data 5A and the second image data 5B shown in FIG. 5, the second SRAM array 4B that is not selected by the first selector 3A and the second selector 3B. In addition, a process of drawing the third image data 5C is executed.

図6は、図5に示した第3画像データ5Cの描画処理によって第2のSRAMアレー4Bに描画され格納された第3画像データ5Cが第1のセレクタ3Aによって選択され第1の表示ユニット2Aによって第1の表示データ6Aとして表示され、また第3のSRAMアレー4Cに格納された第2画像データ5Bが第2のセレク3Bによって選択され第2の表示ユニット2Bによって第2の表示データ6Bとして表示される様子を示す図である。   In FIG. 6, the third image data 5C drawn and stored in the second SRAM array 4B by the drawing process of the third image data 5C shown in FIG. 5 is selected by the first selector 3A and the first display unit 2A. Is displayed as the first display data 6A, and the second image data 5B stored in the third SRAM array 4C is selected by the second select 3B and is used as the second display data 6B by the second display unit 2B. It is a figure which shows a mode that it displays.

図7は、図6に示した第2画像データ5Bと第3画像データ5Cとの表示処理の間に、第1のセレクタ3Aと第2のセレクタ3Bによって表示非選択とされた第1のSRAMアレー4Aに第4画像データ5Dが描画される様子を示す図である。   FIG. 7 shows the first SRAM that is not selected by the first selector 3A and the second selector 3B during the display processing of the second image data 5B and the third image data 5C shown in FIG. It is a figure which shows a mode that the 4th image data 5D is drawn on the array 4A.

図8は、図7の表示処理および描画処理の後に、第2のSRAMアレー4Bに格納された第3画像データ5Cが第1のセレクタ3Aによって選択され第1の表示ユニット2Aによって第1の表示データ6Aとして表示され、また第1のSRAMアレー4Aに描画され格納された第4画像データ5Dが第2のセレク3Bによって選択されて第2の表示ユニット2Bによって第2の表示データ6Bとして表示される様子を示す図である。   In FIG. 8, after the display process and the drawing process of FIG. 7, the third image data 5C stored in the second SRAM array 4B is selected by the first selector 3A and the first display unit 2A performs the first display. The fourth image data 5D displayed as data 6A and drawn and stored in the first SRAM array 4A is selected by the second select 3B and displayed as the second display data 6B by the second display unit 2B. FIG.

また、図8に示した第3画像データ5Cと第4画像データ5Dの表示処理の間に、第1のセレクタ3Aと第2のセレクタ3Bとによって表示非選択とされた第3のSRAMアレー4Cに第1画像データ5Aが描画される処理が実行されるものである。   Further, the third SRAM array 4C that is not selected by the first selector 3A and the second selector 3B during the display processing of the third image data 5C and the fourth image data 5D shown in FIG. A process for drawing the first image data 5A is executed.

《実施の形態1による効果》
以上説明したように第1と第2の表示ユニット2A、2Bによって構成された表示ユニット2と、3入力端子を有する第1と第2のセレクタ3A、3Bによって構成された選択ユニット3と、3個のSRAMアレー4A、4B、4Cの内蔵SRAM4とによって構成された図5に示す半導体集積回路1を使用することによって、マルチウィンドウ表示やアルファブレンドの表示動作を実現することが可能である。しかし、図5に示した半導体集積回路1によれば、内蔵SRAM4のメモリ使用量を節約することが可能となる。
<< Effects of Embodiment 1 >>
As described above, the display unit 2 constituted by the first and second display units 2A and 2B, the selection unit 3 constituted by the first and second selectors 3A and 3B having three input terminals, and 3 By using the semiconductor integrated circuit 1 shown in FIG. 5 configured by the SRAM arrays 4A, 4B, and 4C, it is possible to realize multi-window display and alpha blend display operation. However, according to the semiconductor integrated circuit 1 shown in FIG. 5, the memory usage of the built-in SRAM 4 can be saved.

例えば、第1の表示データ6Aと第2の表示データ6Bの各表示サイズが480画素×240画素のWQVGAのサイズで、1画素が16ビット階調デジタルRGB表示の場合には、3個のSRAMアレー4A、4B、4Cの各SRAMアレーの記憶容量は230.4KB(キロバイト)のサイズとなり、3個のSRAMアレー4A、4B、4Cの合計の記憶容量は691.2KBとなる。   For example, if each display size of the first display data 6A and the second display data 6B is a WQVGA size of 480 pixels × 240 pixels and one pixel is a 16-bit gradation digital RGB display, three SRAMs are displayed. The storage capacity of each of the SRAM arrays 4A, 4B, and 4C is 230.4 KB (kilobytes), and the total storage capacity of the three SRAM arrays 4A, 4B, and 4C is 691.2 KB.

従って、1MBの大容量の内蔵SRAM4を図5に示した半導体集積回路1に集積化した場合には、残りの記憶容量は308.8KB程度となり、中央処理ユニット(CPU)のプログラム領域とワーク領域として使用するのに十分なものである。   Accordingly, when the built-in SRAM 4 having a large capacity of 1 MB is integrated in the semiconductor integrated circuit 1 shown in FIG. 5, the remaining storage capacity is about 308.8 KB, and the program area and work area of the central processing unit (CPU). It is enough to use as.

[実施の形態2]
《より具体的な半導体集積回路の構成》
図9は、表示機能を搭載した本発明の実施の形態2によるより具体的な半導体集積回路1の構成を示す図である。
[Embodiment 2]
<< More specific configuration of semiconductor integrated circuit >>
FIG. 9 is a diagram showing a more specific configuration of the semiconductor integrated circuit 1 according to the second embodiment of the present invention in which the display function is mounted.

図9に示す本発明の実施の形態2による具体的な半導体集積回路1は、図5に示した本発明の実施の形態1による半導体集積回路1と同様に表示ユニット2と選択ユニット3と内蔵SRAM4を含むだけではなく、それ以外の機能ブロックを含んだものである。   A specific semiconductor integrated circuit 1 according to the second embodiment of the present invention shown in FIG. 9 is similar to the semiconductor integrated circuit 1 according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. It includes not only the SRAM 4 but also other functional blocks.

すなわち、図9に示す本発明の実施の形態2による半導体集積回路1は、まず中央処理ユニット(CPU)10と浮動小数点演算ユニット(FPU)11とを含んでいる。中央処理ユニット11と浮動小数点演算ユニット11には、CPUバス(CPU bus)12を介して、キャッシュコントローラ(Cache Cnt)13、命令キャッシュメモリ(Int Cache)14、オペランドキュッシュメモリ(Operand Cache)15、高速SRAM(HS RAM)16が接続されている。   That is, the semiconductor integrated circuit 1 according to the second embodiment of the present invention shown in FIG. 9 first includes a central processing unit (CPU) 10 and a floating point arithmetic unit (FPU) 11. The central processing unit 11 and the floating point arithmetic unit 11 are connected to a cache controller (Cache Cnt) 13, an instruction cache memory (Int Cache) 14, an operand cache memory (Operand Cache) 15, via a CPU bus 12. A high-speed SRAM (HS RAM) 16 is connected.

キャッシュコントローラ13、命令キャッシュメモリ14、オペランドキュッシュメモリ15には、内部CPUバス(Int CPU bus)17Aを介して周辺コントローラ(Peri Cnt)19と内蔵SRAM4とが接続されている。   A peripheral controller (Peri Cnt) 19 and a built-in SRAM 4 are connected to the cache controller 13, the instruction cache memory 14, and the operand cache memory 15 via an internal CPU bus (Int CPU bus) 17A.

高速SRAM16には、内部DMAバス(Int DMA bus)17Bを介してダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラ(DMA Cnt)18と内蔵SRAM4とが接続されている。   A direct memory access controller (DMA Cnt) 18 and a built-in SRAM 4 are connected to the high-speed SRAM 16 via an internal DMA bus 17B.

また内部CPUバス17Aと内部DMAバス17Bには、内蔵SRAM4内部の6個のSRAMアレー4A〜4Fが接続されている。   Also, six SRAM arrays 4A to 4F inside the built-in SRAM 4 are connected to the internal CPU bus 17A and the internal DMA bus 17B.

ダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラ18と周辺コントローラ19とには、周辺バス(Peri bus)22を介して、汎用入出力ポート(General I/O port)23、SDタイプのフラッシュメモリカードが接続可能なSDホストインターフェース(SD host I/F)24、NANDタイプのフラッシュメモリカードが接続可能なNANDタイプフラッシュメモリコントローラ(NAND flash memory Cnt)25、アナログ/デジタル変換器(ADC)26、シリアル入出力ポート(Serial I/O port)27、他の周辺ポート28等が接続されている。例えば、他の周辺ポート28からは、デジタル音声信号が生成可能であって、デジタル音声信号は外部のデジタル/アナログ変換器でアナログ音声信号に変換された後にオーディオ増幅器とスピーカーとに供給される。   A general-purpose input / output port (General I / O port) 23 and an SD type flash memory card can be connected to the direct memory access controller 18 and the peripheral controller 19 via a peripheral bus (Peri bus) 22. SD host interface (SD host I / F) 24, NAND type flash memory controller (NAND flash memory Cnt) 25 to which a NAND type flash memory card can be connected, analog / digital converter (ADC) 26, serial input / output port ( Serial I / O port) 2 7 and other peripheral ports 28 are connected. For example, a digital audio signal can be generated from the other peripheral port 28. The digital audio signal is converted into an analog audio signal by an external digital / analog converter and then supplied to an audio amplifier and a speaker.

更に図9では図示されていないが、周辺バス22には、外部USB(Universal Serial Bus)デバイスが接続可能なUSBポートと、外部の同期DRAM(SDRAM)デバイスが接続可能なSDRAMポート等が接続されている。   Although not shown in FIG. 9, the peripheral bus 22 is connected to a USB port to which an external USB (Universal Serial Bus) device can be connected and an SDRAM port to which an external synchronous DRAM (SDRAM) device can be connected. ing.

《表示機能》
図9に示す半導体集積回路1は、外部から画像データが供給可能な画像入力ポート(Video in port)20を含んでいる。
<Display function>
The semiconductor integrated circuit 1 shown in FIG. 9 includes an image input port (Video in port) 20 through which image data can be supplied from the outside.

画像入力ポート20に外部から供給される画像データは、ビデオディスプレーコントローラVDC内部の画像入力ニユット(Video in)7を介して第1内部画像バス(IV1-bus)17Cに供給される。第1内部画像バス17Cには内蔵SRAM4内部の6個のSRAMアレー4A〜4Fの6個の入力端子が接続されているので、第1内部画像バス17Cの画像データは内蔵SRAM4の6個のSRAMアレー4A〜4Fの任意のアレーに格納可能とされる。内蔵SRAM4の合計の記憶容量は1MB(正確には、1,024KB)に設定され、6個のSRAMアレー4A〜4Fの各SRAMアレーは適切な記憶容量サイズに設定される。   Image data supplied from the outside to the image input port 20 is supplied to a first internal image bus (IV1-bus) 17C via an image input unit (Video in) 7 in the video display controller VDC. Since the six internal terminals of the six SRAM arrays 4A to 4F in the internal SRAM 4 are connected to the first internal image bus 17C, the image data in the first internal image bus 17C is the six SRAMs in the internal SRAM 4. The data can be stored in any of the arrays 4A to 4F. The total storage capacity of the built-in SRAM 4 is set to 1 MB (exactly, 1,024 KB), and each of the six SRAM arrays 4A to 4F is set to an appropriate storage capacity size.

内蔵SRAM4内部の6個のSRAMアレー4A〜4Fの6個の第1出力端子は、第2内部画像バス(IV2-bus)17Dを介してビデオディスプレーコントローラVDCの第1のダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラ(DMA Cnt)9Aに接続されている。内蔵SRAM4内部の6個のSRAMアレー4A〜4Fの6個の第2出力端子は、第3内部画像バス(IV3-bus)17Eを介してビデオディスプレーコントローラVDCの第2のダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラ(DMA Cnt)9Bに接続されている。内蔵SRAM4内部の6個のSRAMアレー4A〜4Fの6個の第3出力端子は、第4内部画像バス(IV4-bus)17Fを介してビデオディスプレーコントローラVDCの第3のダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラ(DMA Cnt)9Cに接続されている。   The six first output terminals of the six SRAM arrays 4A to 4F in the built-in SRAM 4 are connected to the first direct memory access of the video display controller VDC via the second internal image bus (IV2-bus) 17D. It is connected to a controller (DMA Cnt) 9A. Six second output terminals of the six SRAM arrays 4A to 4F in the built-in SRAM 4 are connected to the second direct memory access of the video display controller VDC via a third internal image bus (IV3-bus) 17E. It is connected to the controller (DMA Cnt) 9B. Six third output terminals of the six SRAM arrays 4A to 4F in the built-in SRAM 4 are connected to the third direct memory access of the video display controller VDC via a fourth internal image bus (IV4-bus) 17F. It is connected to a controller (DMA Cnt) 9C.

従って、内蔵SRAM4の6個のSRAMアレー4A〜4Fの任意のアレーから生成される画像データは、第2内部画像バス17Dと第3内部画像バス17Eと第4内部画像バス17Fとのいずれかの内部バスを介して、第1と第2と第3のダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラ9A、9B、9Cとのいずれかのコントローラの入力端子に供給可能とされる。第1と第2と第3のダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラ9A、9B、9Cの任意のコントローラの出力端子から画像データは、選択ユニット3内部で3入力端子のセレクタで構成された第1のセレクタ3Aと第2のセレクタ3Bと第3のセレクタ3Cとのいずれかを介してラインバッファメモリ8の第1と第2と第3のラインバッファメモリ(Line Buff)8A、8B、8Cとのいずれかのコントローラの入力端子に供給可能とされる。   Therefore, image data generated from any of the six SRAM arrays 4A to 4F of the built-in SRAM 4 is one of the second internal image bus 17D, the third internal image bus 17E, and the fourth internal image bus 17F. Via the internal bus, it can be supplied to the input terminal of one of the first, second, and third direct memory access controllers 9A, 9B, 9C. The image data from the output terminals of any one of the first, second and third direct memory access controllers 9A, 9B and 9C is a first input which is composed of a selector of three input terminals inside the selection unit 3. Any of the first, second, and third line buffer memories (Line Buff) 8A, 8B, 8C of the line buffer memory 8 via any one of the selector 3A, the second selector 3B, and the third selector 3C. It can be supplied to the input terminal of the controller.

ラインバッファメモリ8の第1と第2と第3のラインバッファメモリ8A、8B、8Cの3個の出力端子は表示ユニット2の第1と第2と第3の表示ユニット2A、2B、2Cの3個の入力端子に接続され、第1と第2と第3の表示ユニット2A、2B、2Cの3個の出力端子は画像処理ユニット(Video Processing Unit)21の3個の入力端子に接続される。更にビデオディスプレーコントローラVDCの画像処理ユニット21の出力端子は、半導体集積回路1の外部の液晶表示デバイスLCDの画像入力端子に接続されている。   Three output terminals of the first, second, and third line buffer memories 8A, 8B, and 8C of the line buffer memory 8 are connected to the first, second, and third display units 2A, 2B, and 2C of the display unit 2, respectively. The three output terminals of the first, second, and third display units 2A, 2B, and 2C are connected to the three input terminals of an image processing unit (Video Processing Unit) 21. The Further, the output terminal of the image processing unit 21 of the video display controller VDC is connected to the image input terminal of the liquid crystal display device LCD outside the semiconductor integrated circuit 1.

従って、図9に示す本発明の実施の形態2による具体的な半導体集積回路1に内蔵された内蔵SRAM4とビデオディスプレーコントローラVDCとを使用することによって、内蔵SRAM4の6個のSRAMアレー4A〜4Fの任意の3個のアレーから生成される3個の画像データは、第2内部画像バス17Dと第3内部画像バス17Eと第4内部画像バス17Fを介して、第1と第2と第3のダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラ9A、9B、9Cの3個の入力端子に同時にまた並列に供給可能とされる。その結果、第1と第2と第3のダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラ9A、9B、9Cの3個の出力端子から生成される3個の画像データは、選択ユニット3の第1のセレクタ3Aと第2のセレクタ3Bと第3のセレクタ3Cを介してラインバッファメモリ8の第1と第2と第3のラインバッファメモリ8A、8B、8Cの3個の入力端子および表示ユニット2の第1と第2と第3の表示ユニット2A、2B、2Cの3個の入力端子に同時にまた並列に供給可能とされる。   Therefore, by using the built-in SRAM 4 and the video display controller VDC built in the specific semiconductor integrated circuit 1 according to the second embodiment of the present invention shown in FIG. 9, the six SRAM arrays 4A to 4F of the built-in SRAM 4 are used. Three image data generated from any three arrays of the first, second, and third images via the second internal image bus 17D, the third internal image bus 17E, and the fourth internal image bus 17F. The direct memory access controllers 9A, 9B and 9C can be supplied simultaneously and in parallel. As a result, the three image data generated from the three output terminals of the first, second and third direct memory access controllers 9A, 9B and 9C are converted into the first selector 3A of the selection unit 3. The first, second, and third line buffer memories 8A, 8B, and 8C of the line buffer memory 8 and the first of the display unit 2 through the second selector 3B and the third selector 3C. In addition, it can be supplied to the three input terminals of the second and third display units 2A, 2B and 2C simultaneously and in parallel.

その結果、ビデオディスプレーコントローラVDCの画像処理ユニット21は、ラインバッファメモリ8の第1と第2と第3のラインバッファメモリ8A、8B、8Cの3個の出力端子から生成される3枚のフレーム画像の画素をそれぞれ所定の透過率で1枚のフレーム画像に合成すると言うアルファブレンドの動作を実行することが可能となる。その際、ラインバッファメモリ8において、第1のラインバッファメモリ8Aの出力端子から生成されるフレーム画像と第2のラインバッファメモリ8Bの出力端子から生成されるフレーム画像と第3のラインバッファメモリ8Cの出力端子から生成されるフレーム画像とは、例えばアルファブレンド合成フレーム画像の最下層と中間層と最上層にそれぞれ対応するものとなる。   As a result, the image processing unit 21 of the video display controller VDC has three frames generated from the three output terminals of the first, second and third line buffer memories 8A, 8B and 8C of the line buffer memory 8. It is possible to execute an alpha blending operation in which each pixel of an image is synthesized into one frame image with a predetermined transmittance. At that time, in the line buffer memory 8, the frame image generated from the output terminal of the first line buffer memory 8A, the frame image generated from the output terminal of the second line buffer memory 8B, and the third line buffer memory 8C. The frame image generated from the output terminal corresponds to, for example, the lowermost layer, the intermediate layer, and the uppermost layer of the alpha blend composite frame image.

《アルファブレンド動作》
図10は、図9に示す本発明の実施の形態2による具体的な半導体集積回路1に内蔵された内蔵SRAM4とビデオディスプレーコントローラVDCとを使用することによって実現されるアルファブレンド動作を説明する図である。
《Alpha blend operation》
FIG. 10 is a diagram for explaining an alpha blending operation realized by using the built-in SRAM 4 and the video display controller VDC built in the specific semiconductor integrated circuit 1 according to the second embodiment of the present invention shown in FIG. It is.

図10に示したように、ラインバッファメモリ8では、第1のラインバッファメモリ8Aの出力端子から生成されるフレーム画像によって合成前の最下層100が生成されて、第2のラインバッファメモリ8Bの出力端子から生成されるフレーム画像によって合成前の中間層101が生成されて、第3のラインバッファメモリ8Cの出力端子から生成されるフレーム画像によって合成前の最上層102が生成される。その結果、ビデオディスプレーコントローラVDCの画像処理ユニット21は、最下層100の画素と中間層101の画素と最上層102の画素をそれぞれ所定の透過率で合成すると言うアルファブレンドの動作103を実行する。アルファブレンドの動作103の実行によって、1枚のアルファブレンド合成フレーム画像104が生成される。   As shown in FIG. 10, in the line buffer memory 8, the lowest layer 100 before composition is generated by the frame image generated from the output terminal of the first line buffer memory 8A, and the second line buffer memory 8B The intermediate layer 101 before synthesis is generated by the frame image generated from the output terminal, and the uppermost layer 102 before synthesis is generated by the frame image generated from the output terminal of the third line buffer memory 8C. As a result, the image processing unit 21 of the video display controller VDC executes an alpha blend operation 103 in which the pixels of the lowermost layer 100, the pixels of the intermediate layer 101, and the pixels of the uppermost layer 102 are respectively combined with a predetermined transmittance. By executing the alpha blend operation 103, one alpha blend composite frame image 104 is generated.

《他の動作モード》
更に、半導体集積回路1の動作モードを他の動作モードに変更することによって、マルチウィンドウ表示やピクチャーインピクチャー表示を実現することも可能である。この際に、ラインバッファメモリ8の第1と第2と第3のラインバッファメモリ8A、8B、8Cの3個の出力端子から同時にまた並列に生成される3個の画像データは、マルチウィンドウ表示画面やピクチャーインピクチャー表示画面等の3個の相違する表示領域の描画処理に利用されるものである。
《Other operation modes》
Furthermore, it is possible to realize multi-window display or picture-in-picture display by changing the operation mode of the semiconductor integrated circuit 1 to another operation mode. At this time, the three image data generated simultaneously and in parallel from the three output terminals of the first, second and third line buffer memories 8A, 8B and 8C of the line buffer memory 8 are displayed in a multi-window display. This is used for drawing processing of three different display areas such as a screen and a picture-in-picture display screen.

《実施の形態2による効果》
以上説明したように第1と第2と第3の表示ユニット2A、2B、2Cによって構成された表示ユニット2と3入力端子を有する第1と第2と第3のセレクタ3A、3B、3Cによって構成された選択ユニット3と6個のSRAMアレー4A〜4Fによって構成された内蔵SRAM4とを使用することによって、マルチウィンドウ表示やアルファブレンドの表示動作の実現が可能であり、更に内蔵SRAM4のメモリ使用量を節約することが可能となる。
<< Effects of Embodiment 2 >>
As described above, the display unit 2 constituted by the first, second, and third display units 2A, 2B, and 2C, and the first, second, and third selectors 3A, 3B, and 3C having three input terminals. By using the configured selection unit 3 and the built-in SRAM 4 composed of the six SRAM arrays 4A to 4F, it is possible to realize multi-window display and alpha blend display operation, and further use the memory of the built-in SRAM 4. The amount can be saved.

例えば、図10において、最下層100の画像フレームと中間層101の画像フレームと最上層102の画像フレームの各表示サイズが480画素×240画素のWQVGAのサイズで、1画素が16ビット階調デジタルRGB表示の場合には、内蔵SRAM4の使用記憶容量は691.2KBとなる。   For example, in FIG. 10, the display size of the image frame of the lowermost layer 100, the image frame of the intermediate layer 101, and the image frame of the uppermost layer 102 is WQVGA size of 480 pixels × 240 pixels, and one pixel is a 16-bit gradation digital. In the case of RGB display, the used storage capacity of the built-in SRAM 4 is 691.2 KB.

従って、1MBの大容量の内蔵SRAM4を図9に示した半導体集積回路1に集積化した場合には、残りの記憶容量は308.8KB程度となり、中央処理ユニット(CPU)10の動作プログラムを格納するためのプログラム領域やワーク領域として使用するのに十分なものである。更に図10に示したようなアルファブレンドの表示動作を実現する際に、外部SDRAM等のような外部メモリデバイスを使用する必要がないので、高速と低消費電力の表示動作とすることが可能となる。   Therefore, when the 1 MB large-capacity built-in SRAM 4 is integrated in the semiconductor integrated circuit 1 shown in FIG. 9, the remaining storage capacity is about 308.8 KB, and the operation program of the central processing unit (CPU) 10 is stored. This is sufficient for use as a program area or work area. Further, when realizing the alpha blend display operation as shown in FIG. 10, it is not necessary to use an external memory device such as an external SDRAM, so that a display operation with high speed and low power consumption can be achieved. Become.

以上説明した図9に示す本発明の実施の形態2による具体的な半導体集積回路1に内蔵された豊富な画像処理機能と高性能の中央処理ユニット11と浮動小数点演算ユニット11と大容量の内蔵SRAM4を利用することで、車載用デジタル・オーディオ機器、自動車のダッシュボード、車載機器向けのグラフィックス用途、車体の側面と背面のカメラ画像を表示する車載情報機器等に半導体集積回路1を応用した際に高性能画像処理機能を実現することが可能となる。   Various image processing functions built in the specific semiconductor integrated circuit 1 according to the second embodiment of the present invention shown in FIG. 9 shown in FIG. 9 described above, a high-performance central processing unit 11, a floating point arithmetic unit 11, and a large capacity built-in. By using the SRAM 4, the semiconductor integrated circuit 1 is applied to an in-vehicle digital audio device, an automobile dashboard, a graphics application for an in-vehicle device, an in-vehicle information device that displays a camera image of the side and back of the vehicle body, and the like. In this case, it is possible to realize a high-performance image processing function.

以上、本発明者によってなされた発明を種々の実施の形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。   As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on various embodiments. However, the present invention is not limited thereto, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.

例えば、半導体集積回路1へのDRAMロジック混載半導体製造プロセスの適用によって、半導体集積回路1に内蔵される大容量の内蔵SRAM4は半導体チップ占有面積が小さな大容量の内蔵DRAMに置換されることが可能となる。   For example, by applying a DRAM logic mixed semiconductor manufacturing process to the semiconductor integrated circuit 1, the large-capacity built-in SRAM 4 built in the semiconductor integrated circuit 1 can be replaced with a large-capacity built-in DRAM having a small semiconductor chip occupation area. It becomes.

更に図9の本発明の実施の形態2による半導体集積回路1でラインバッファメモリ8の3個のラインバッファメモリ8A、8B、8Cの3個の出力端子から並列に生成される3個の画像データは、パーソナルコンピュータやワークステーション等に複数台のディスプレーデバイスを接続して表示するマルチディスプレー動作に利用することも可能である。   Furthermore, in the semiconductor integrated circuit 1 according to the second embodiment of the present invention shown in FIG. 9, three image data generated in parallel from the three output terminals of the three line buffer memories 8A, 8B, 8C of the line buffer memory 8. Can be used for a multi-display operation in which a plurality of display devices are connected to a personal computer, a workstation or the like for display.

更に図9の本発明の実施の形態2による半導体集積回路1では、例えば周辺バス22にフラッシュメモリやリードオンリーメモリ(ROM)等の不揮発性メモリを接続して、この不揮発性メモリに中央処理ユニット11の動作プログラムを格納することが可能である。更に、この不揮発性メモリには、ビデオディスプレーコントローラVDCの表示ユニット2の第1と第2と第3の表示ユニット2A、2B、2Cの3個の出力端子から生成される3個の画像データの一部分の画素データを格納することも可能である。   Further, in the semiconductor integrated circuit 1 according to the second embodiment of the present invention shown in FIG. 9, for example, a nonvolatile memory such as a flash memory or a read only memory (ROM) is connected to the peripheral bus 22, and the central processing unit is connected to the nonvolatile memory. Eleven operation programs can be stored. Further, in this non-volatile memory, three image data generated from the three output terminals of the first, second and third display units 2A, 2B and 2C of the display unit 2 of the video display controller VDC are stored. It is also possible to store a part of pixel data.

[他の実施の形態]
更に図11、図12、図13、図14に示すように、3個の内蔵SRAMアレー4A、4B、4Cの2個の内蔵SRAMアレー4A、4Cを表示用バッファとして使用して、残り1個の内蔵SRAM4Bアレーをデータ作成のための描画用バッファとして使用することも可能である。このデータ作成用バッファ4Bでの描画処理によって画像データを取り込んだ後、2個の表示用バッファ4A、4Cの選択されたいずれか一方にそのデータをコピーすることでダブルバッファリングを実行することも可能である。
[Other embodiments]
Further, as shown in FIGS. 11, 12, 13, and 14, two built-in SRAM arrays 4A, 4C, three built-in SRAM arrays 4A, 4B, and 4C are used as display buffers, and the remaining one. The built-in SRAM 4B array can be used as a drawing buffer for creating data. It is also possible to execute double buffering by capturing image data by drawing processing in the data creation buffer 4B and copying the data to one of the two display buffers 4A and 4C. Is possible.

図11は、表示機能を搭載した本発明の他の実施の形態による半導体集積回路1の構成を示す図であり、表示用バッファの第1のSRAMアレー4Aに格納された第1画像データ5Aが第1の表示ユニット2Aによって第1の表示データ6Aとして表示され、表示用バッファの第3のSRAMアレー4Cに格納された第2画像データ5Bが第2の表示ユニット2Bによって第2の表示データ6Bとして表示される様子も示している。   FIG. 11 is a diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit 1 according to another embodiment of the present invention equipped with a display function. First image data 5A stored in the first SRAM array 4A of the display buffer is shown in FIG. The second display data 2B is displayed by the second display unit 2B on the second image data 5B which is displayed as the first display data 6A by the first display unit 2A and stored in the third SRAM array 4C of the display buffer. It also shows how it is displayed as.

また図11に示した第1画像データ5Aと第2画像データ5Bの表示処理の間に、描画用バッファの第2のSRAMアレー4Bに第3画像データ5Cが描画される処理が実行されるものである。   In addition, during the display process of the first image data 5A and the second image data 5B shown in FIG. 11, a process of drawing the third image data 5C in the second SRAM array 4B of the drawing buffer is executed. It is.

図12は、図11に示した第3画像データ5Cの描画処理によって描画用バッファの第2のSRAMアレー4Bに描画され格納された第3画像データ5Cが表示用バッファ4Aにコピーされ、表示用バッファの第1のSRAMアレー4Aに格納された第3画像データ5Cのコピー画像データが第1の表示ユニット2Aによって第1の表示データ6Aとして表示され、表示用バッファの第3のSRAMアレー4Cに格納された第2画像データ5Bが第2の表示ユニット2Bによって第2の表示データ6Bとして表示される様子を示す図である。   In FIG. 12, the third image data 5C drawn and stored in the second SRAM array 4B of the drawing buffer by the drawing process of the third image data 5C shown in FIG. 11 is copied to the display buffer 4A and displayed. The copy image data of the third image data 5C stored in the first SRAM array 4A in the buffer is displayed as the first display data 6A by the first display unit 2A, and is displayed in the third SRAM array 4C in the display buffer. It is a figure which shows a mode that the stored 2nd image data 5B is displayed as the 2nd display data 6B by the 2nd display unit 2B.

図13は、図12に示した第2画像データ5Bと第3画像データ5Cの表示処理の間に、描画用バッファの第2のSRAMアレー4Bに第4画像データ5Dが描画される様子を示す図である。   FIG. 13 shows a state in which the fourth image data 5D is drawn in the second SRAM array 4B of the drawing buffer during the display processing of the second image data 5B and the third image data 5C shown in FIG. FIG.

図14は、図13に示した第4画像データ5Dの描画処理によって描画用バッファの第2のSRAMアレー4Bに描画され格納された第4画像データ5Dが表示用バッファ4Cにコピーされ、表示用バッファの第3のSRAMアレー4Cに格納された第4画像データ5Dのコピー画像データが第2の表示ユニット2Bによって第2の表示データ6Bとして表示され、表示用バッファの第1のSRAMアレー4Aに格納された第3画像データ5Cが第1の表示ユニット2Aによって第1の表示データ6Aとして表示される様子を示す図である。   In FIG. 14, the fourth image data 5D drawn and stored in the second SRAM array 4B of the drawing buffer by the drawing process of the fourth image data 5D shown in FIG. 13 is copied to the display buffer 4C and displayed. The copy image data of the fourth image data 5D stored in the third SRAM array 4C of the buffer is displayed as the second display data 6B by the second display unit 2B, and is displayed in the first SRAM array 4A of the display buffer. It is a figure which shows a mode that the stored 3rd image data 5C is displayed as 1st display data 6A by the 1st display unit 2A.

また、図14に示した第3画像データ5Cと第4画像データ5Dの表示処理の間に、描画用バッファの第2のSRAMアレー4Bに他の画像データ5Dが描画されることも可能である。   Further, during the display processing of the third image data 5C and the fourth image data 5D shown in FIG. 14, it is also possible to draw other image data 5D in the second SRAM array 4B of the drawing buffer. .

1…半導体集積回路
2、2A〜2C…表示ユニット
3…選択ユニット
3A〜3C…セレクタ
4…内蔵SRAM
4A〜4F…SRAMアレー
5A〜5D…画像データ
6A〜6D…表示データ
7…画像入力ニユット(Video in)
8、8A〜8C…ラインバッファメモリ(Line Buff)
9A〜9C…ダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラ(DMA Cnt)
10…中央処理ユニット(CPU)
11…浮動小数点演算ユニット(FPU)
12…CPUバス(CPU bus)
13…キャッシュコントローラ(Cache Cnt)
14…命令キャッシュメモリ(Int Cache)
15…オペランドキュッシュメモリ(Operand Cache)
16…高速SRAM(HS RAM)
17A…内部CPUバス(Int CPU bus)
17B…内部DMAバス(Int DMA bus)
17C…第1内部画像バス(IV1-bus)
17D…第2内部画像バス(IV2-bus)
17E…第3内部画像バス(IV3-bus)
17F…第4内部画像バス(IV4-bus)
18…ダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラ(DMA Cnt)
19…周辺コントローラ(Peri Cnt)
20…画像入力ポート(Video in port)
21…画像処理ユニット(Video Processing Unit)
22…周辺バス(Peri bus)
23…汎用入出力ポート(General I/O port)
24…SDホストインターフェース(SD host I/F)
25…NANDタイプフラッシュメモリコントローラ(NAND flash memory Cnt)
26…アナログ/デジタル変換器(ADC)
27…シリアル入出力ポート(Serial I/O port)
28…他の周辺ポート
LCD…外部の液晶表示デバイス
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor integrated circuit 2, 2A-2C ... Display unit 3 ... Selection unit 3A-3C ... Selector 4 ... Built-in SRAM
4A to 4F ... SRAM array 5A to 5D ... Image data 6A to 6D ... Display data 7 ... Image input unit (Video in)
8, 8A-8C ... Line buffer memory (Line Buff)
9A to 9C: Direct memory access controller (DMA Cnt)
10: Central processing unit (CPU)
11: Floating point arithmetic unit (FPU)
12 ... CPU bus
13 ... Cache controller (Cache Cnt)
14: Instruction cache memory (Int Cache)
15 ... Operand Cache
16 ... High-speed SRAM (HS RAM)
17A ... Internal CPU bus
17B ... Int DMA bus
17C ... First internal image bus (IV1-bus)
17D ... Second internal image bus (IV2-bus)
17E ... Third internal image bus (IV3-bus)
17F ... 4th internal image bus (IV4-bus)
18 ... Direct memory access controller (DMA Cnt)
19 ... Peripheral controller (Peri Cnt)
20. Image input port (Video in port)
21 ... Video Processing Unit
22 ... Peri bus
23 ... General I / O port
24 ... SD host interface (SD host I / F)
25 ... NAND flash memory controller (NAND flash memory Cnt)
26 ... Analog / digital converter (ADC)
27: Serial I / O port
28 ... Other peripheral ports LCD ... External liquid crystal display device

Claims (20)

半導体集積回路は、第1の表示ユニットおよび第2の表示ユニットと、第1のセレクタおよび第2のセレクタと、第1の記憶部と第2の記憶部と第3の記憶部とを有する内蔵メモリとを具備して、
前記第1の表示ユニットの出力と前記第2の表示ユニットの出力とは、相互に独立した第1の表示データと第2の表示データとをそれぞれ出力可能であり、
前記第1の記憶部と前記第2の記憶部と前記第3の記憶部とは、相互に独立した第1の画像データと第2の画像データと第3の画像データを格納可能であり、
前記第1のセレクタと前記第2のセレクタの各セレクタは、第1入力端子と第2入力端子と第3入力端子と出力端子とを少なくとも有して、
前記第1のセレクタの前記第1入力端子と前記第2のセレクタの前記第1入力端子とは前記第1の記憶部の出力と接続され、前記第1のセレクタの前記第2入力端子と前記第2のセレクタの前記第2入力端子とは前記第2の記憶部の出力と接続され、前記第1のセレクタの前記第3入力端子と前記第2のセレクタの前記第3入力端子とは前記第3の記憶部の出力と接続され、
前記第1のセレクタの前記出力端子と前記第2のセレクタの前記出力端子とは、前記第1の表示ユニットの入力と前記第2の表示ユニットの入力とにそれぞれ接続されたことを特徴とする半導体集積回路。
A semiconductor integrated circuit includes a first display unit, a second display unit, a first selector, a second selector, a first storage unit, a second storage unit, and a third storage unit. A memory,
The output of the first display unit and the output of the second display unit can output first display data and second display data independent of each other, respectively.
The first storage unit, the second storage unit, and the third storage unit are capable of storing the first image data, the second image data, and the third image data that are independent from each other.
Each selector of the first selector and the second selector has at least a first input terminal, a second input terminal, a third input terminal, and an output terminal,
The first input terminal of the first selector and the first input terminal of the second selector are connected to an output of the first storage unit, and the second input terminal of the first selector and the first input terminal The second input terminal of the second selector is connected to the output of the second storage unit, and the third input terminal of the first selector and the third input terminal of the second selector are the Connected to the output of the third storage unit,
The output terminal of the first selector and the output terminal of the second selector are respectively connected to an input of the first display unit and an input of the second display unit. Semiconductor integrated circuit.
請求項1において、
前記第1のセレクタと前記第2のセレクタとは、前記内蔵メモリの前記第1の記憶部と前記第2の記憶部と前記第3の記憶部に格納された前記第1の画像データと前記第2の画像データと前記第3の画像データから2個のデータを選択して前記第1の表示データおよび前記第2の表示データとして前記第1の表示ユニットの前記入力と前記第2の表示ユニットの前記入力に供給可能とされたことを特徴とする半導体集積回路。
In claim 1,
The first selector and the second selector include the first image data stored in the first storage unit, the second storage unit, and the third storage unit of the internal memory, and the Two pieces of data are selected from the second image data and the third image data, and the input and the second display of the first display unit are used as the first display data and the second display data. A semiconductor integrated circuit which can be supplied to the input of a unit.
請求項2において、
前記第1のセレクタと前記第2のセレクタとによって選択された前記2個のデータに応答して前記第1の表示ユニットの前記出力と前記第2の表示ユニットの前記出力とが前記第1の表示データと前記第2の表示データとをそれぞれ出力することを特徴とする半導体集積回路。
In claim 2,
The output of the first display unit and the output of the second display unit are responsive to the two data selected by the first selector and the second selector. Display data and said 2nd display data are output, respectively, The semiconductor integrated circuit characterized by the above-mentioned.
請求項3において、
前記第1と前記第2のセレクタによって選択された前記2個のデータに応答して前記第1と前記第2の表示ユニットの前記出力から前記第1と前記第2の表示データが出力された後、前記2個のデータの選択時に前記第1のセレクタと前記第2のセレクタとによって非選択とされた残りの1個のデータが選択されることを特徴とする半導体集積回路。
In claim 3,
In response to the two data selected by the first and second selectors, the first and second display data are output from the outputs of the first and second display units. Thereafter, when the two pieces of data are selected, the remaining one piece of data that has not been selected by the first selector and the second selector is selected.
請求項4において、
前記残りの1個のデータは前記第1のセレクタと前記第2のセレクタの一方のセレクタによって選択されて、前記一方のセレクタによって選択された前記残りの1個のデータに応答して前記第1の表示ユニットと前記第2の表示ユニットの一方の表示ユニットにより前記第1の表示データと前記第2の表示データの一方の表示データが出力されることを特徴とする半導体集積回路。
In claim 4,
The remaining one data is selected by one of the first selector and the second selector, and in response to the remaining one data selected by the one selector, the first data One display data of the first display data and the second display data is output by one display unit of the second display unit and the second display unit.
請求項5において、
前記第1の表示ユニットの前記出力と前記第2の表示ユニットの前記出力とからそれぞれ出力される前記第1の表示データと前記第2の表示データとは、マルチウィンドウ表示とアルファブレンド表示とマルチディスプレー表示とのいずれかに利用されることを特徴とする半導体集積回路。
In claim 5,
The first display data and the second display data respectively output from the output of the first display unit and the output of the second display unit are a multi-window display, an alpha blend display, and a multi-display. A semiconductor integrated circuit used for either display display.
請求項5において、
前記半導体集積回路は、第1入力端子と第2入力端子と第3入力端子と出力端子とを少なくとも有する第3のセレクタと、第3の表示データを出力から出力可能な第3の表示ユニットとを更に具備して、
前記第3のセレクタの前記第1入力端子は前記第1のセレクタの前記第1入力端子および前記第2のセレクタの前記第1入力端子と接続され、前記第3のセレクタの前記第2入力端子は前記第1のセレクタの前記第2入力端子および前記第2のセレクタの前記第2入力端子と接続され、前記第3のセレクタの前記第3入力端子は前記第1のセレクタの前記第3入力端子および前記第2のセレクタの前記第3入力端子と接続され、
前記第3のセレクタの前記出力端子は、前記第3の表示ユニットの入力と接続されたことを特徴とする半導体集積回路。
In claim 5,
The semiconductor integrated circuit includes a third selector having at least a first input terminal, a second input terminal, a third input terminal, and an output terminal, and a third display unit capable of outputting third display data from an output. Further comprising
The first input terminal of the third selector is connected to the first input terminal of the first selector and the first input terminal of the second selector, and the second input terminal of the third selector. Is connected to the second input terminal of the first selector and the second input terminal of the second selector, and the third input terminal of the third selector is the third input of the first selector. A terminal and the third input terminal of the second selector;
The semiconductor integrated circuit, wherein the output terminal of the third selector is connected to an input of the third display unit.
請求項7において、
前記半導体集積回路は、プロセッサユニットと、プロセッサバスと、中間層バスと、周辺バスと、第1バスブリッジと、第2バスブリッジと、周辺デバイスとを更に具備して、
前記プロセッサユニットは前記プロセッサバスと接続され、前記プロセッサバスは前記第1バスブリッジを介して前記中間層バスと接続され、前記中間層バスは前記第2バスブリッジを介して前記周辺バスと接続され、前記周辺バスは前記周辺デバイスと接続され、
前記内蔵メモリは前記中間層バスに接続されたランダムアクセスメモリであり、前記第1の記憶部と前記第2の記憶部と前記第3の記憶部とはそれぞれ前記内蔵メモリの前記ランダムアクセスメモリの第1のメモリアレーと第2のメモリアレーと第3のメモリアレーとであり、
前記第1の表示ユニットと前記第2の表示ユニットと前記第3の表示ユニットと、前記第1のセレクタと前記第2のセレクタと前記第3のセレクタとは、前記中間層バスに接続されたビデオディスプレーコントローラを構成するものであり、
前記ランダムアクセスメモリには、前記プロセッサユニットのための動作プログラムが格納可能とされ、更に前記ビデオディスプレーコントローラのための前記第1の画像データと前記第2の画像データと前記第3の画像データとが格納可能であることを特徴とする半導体集積回路。
In claim 7,
The semiconductor integrated circuit further comprises a processor unit, a processor bus, an intermediate layer bus, a peripheral bus, a first bus bridge, a second bus bridge, and a peripheral device,
The processor unit is connected to the processor bus, the processor bus is connected to the intermediate layer bus via the first bus bridge, and the intermediate layer bus is connected to the peripheral bus via the second bus bridge. The peripheral bus is connected to the peripheral device;
The internal memory is a random access memory connected to the intermediate layer bus, and the first storage unit, the second storage unit, and the third storage unit are respectively the random access memory of the internal memory. A first memory array, a second memory array, and a third memory array;
The first display unit, the second display unit, the third display unit, the first selector, the second selector, and the third selector are connected to the intermediate layer bus. It constitutes a video display controller,
The random access memory can store an operation program for the processor unit, and further, the first image data, the second image data, and the third image data for the video display controller, A semiconductor integrated circuit characterized in that can be stored.
請求項8において、
前記中間層バスは、第1画像内部バスと第2画像内部バスと第3画像内部バスと第4画像内部バスとを含み、
前記ビデオディスプレーコントローラは、出力が前記第1画像内部バスと接続されることにより画像情報を前記第1画像内部バスに供給する画像入力ユニットと、入力が前記第2画像内部バスと接続された第1の画像ダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラと、入力が前記第3画像内部バスと接続された第2の画像ダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラと、入力が前記第4画像内部バスと接続された第3の画像ダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラとを含み、
前記第1画像内部バスに前記第1のメモリアレーの入力端子と前記第2のメモリアレーの入力端子と前記第3のメモリアレーの入力端子とが接続されることによって、前記第1画像内部バスの前記画像情報は前記第1のメモリアレーと前記第2のメモリアレーと前記第3のメモリアレーとに格納可能とされ、
前記第2画像内部バスに前記第1のメモリアレーの第1出力端子と前記第2のメモリアレーの第1出力端子と前記第3のメモリアレーの第1出力端子とが接続され、前記第3画像内部バスに前記第1のメモリアレーの第2出力端子と前記第2のメモリアレーの第2出力端子と前記第3のメモリアレーの第2出力端子とが接続され、前記第4画像内部バスに前記第1のメモリアレーの第3出力端子と前記第2のメモリアレーの第3出力端子と前記第3のメモリアレーの第3出力端子とが接続され、
前記第1の画像ダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラの出力は前記第1のセレクタの前記第1入力端子と前記第2のセレクタの前記第1入力端子と前記第3のセレクタの前記第1入力端子とに接続されて、前記第2の画像ダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラの出力は前記第1のセレクタの前記第2入力端子と前記第2のセレクタの前記第2入力端子と前記第3のセレクタの前記第2入力端子とに接続されて、前記第3の画像ダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラの出力は前記第1のセレクタの前記第3入力端子と前記第2のセレクタの前記第3入力端子と前記第3のセレクタの前記第3入力端子とに接続されたことを特徴とする半導体集積回路。
In claim 8,
The intermediate layer bus includes a first image internal bus, a second image internal bus, a third image internal bus, and a fourth image internal bus,
The video display controller has an image input unit for supplying image information to the first image internal bus by connecting an output to the first image internal bus, and an input connected to the second image internal bus. One image direct memory access controller, a second image direct memory access controller whose input is connected to the third image internal bus, and a second one whose input is connected to the fourth image internal bus. 3 image direct memory access controllers,
The first image internal bus is connected to the input terminal of the first memory array, the input terminal of the second memory array, and the input terminal of the third memory array to the first image internal bus. The image information can be stored in the first memory array, the second memory array, and the third memory array,
A first output terminal of the first memory array, a first output terminal of the second memory array, and a first output terminal of the third memory array are connected to the second image internal bus; A second output terminal of the first memory array, a second output terminal of the second memory array, and a second output terminal of the third memory array are connected to the image internal bus, and the fourth image internal bus is connected. A third output terminal of the first memory array, a third output terminal of the second memory array, and a third output terminal of the third memory array;
The output of the first image direct memory access controller is the first input terminal of the first selector, the first input terminal of the second selector, and the first input terminal of the third selector. And the output of the second image direct memory access controller is connected to the second input terminal of the first selector, the second input terminal of the second selector, and the third selector. And the output of the third image direct memory access controller is connected to the second input terminal of the first selector and the third input terminal of the second selector. And a third input terminal of the third selector.
請求項9において、
前記第1と前記第2と前記第3のメモリアレーとにそれぞれ格納された第1と第2と第3の画像情報とは、前記第2と前記第3と前記第4の画像内部バスおよび前記第1と前記第2と前記第3の画像ダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラおよび前記第1と前記第2と前記第3のセレクタを介して、前記第1と前記第2と前記第3の表示ユニットの前記入力に並列に供給可能とされたことを特徴とする半導体集積回路。
In claim 9,
The first, second, and third image information stored in the first, second, and third memory arrays, respectively, are the second, third, and fourth image internal buses, and The first, second, and third image direct memory access controllers and the first, second, and third selectors through the first, second, and third selectors. A semiconductor integrated circuit characterized in that it can be supplied in parallel to the input of the display unit.
請求項10において、
前記プロセッサユニットは中央処理ユニットを含み、前記内蔵メモリは前記中間層バスに接続されたスタティックランダムアクセスメモリであり、前記スタティックランダムアクセスメモリには、前記中央処理ユニットのための前記動作プログラムが格納可能とされたことを特徴とする半導体集積回路。
In claim 10,
The processor unit includes a central processing unit, and the internal memory is a static random access memory connected to the intermediate layer bus, and the operation program for the central processing unit can be stored in the static random access memory A semiconductor integrated circuit characterized by the above.
第1の表示ユニットおよび第2の表示ユニットと、第1のセレクタおよび第2のセレクタと、第1の記憶部と第2の記憶部と第3の記憶部とを有する内蔵メモリとを具備する半導体集積回路の動作方法であって、
前記第1の表示ユニットの出力と前記第2の表示ユニットの出力とは、相互に独立した第1の表示データと第2の表示データとをそれぞれ出力可能であり、
前記第1の記憶部と前記第2の記憶部と前記第3の記憶部とは、相互に独立した第1の画像データと第2の画像データと第3の画像データを格納可能であり、
前記第1のセレクタと前記第2のセレクタの各セレクタは、第1入力端子と第2入力端子と第3入力端子と出力端子とを少なくとも有して、
前記第1のセレクタの前記第1入力端子と前記第2のセレクタの前記第1入力端子とは前記第1の記憶部の出力と接続され、前記第1のセレクタの前記第2入力端子と前記第2のセレクタの前記第2入力端子とは前記第2の記憶部の出力と接続され、前記第1のセレクタの前記第3入力端子と前記第2のセレクタの前記第3入力端子とは前記第3の記憶部の出力と接続され、
前記第1のセレクタの前記出力端子と前記第2のセレクタの前記出力端子とは、前記第1の表示ユニットの入力と前記第2の表示ユニットの入力とにそれぞれ接続され、
前記第1のセレクタと前記第2のセレクタとは、前記内蔵メモリの前記第1の記憶部と前記第2の記憶部と前記第3の記憶部に格納された前記第1の画像データと前記第2の画像データと前記第3の画像データから2個のデータを選択して前記第1の表示データおよび前記第2の表示データとして前記第1の表示ユニットの前記入力と前記第2の表示ユニットの前記入力に供給可能とされたことを特徴とする半導体集積回路の動作方法。
A first display unit; a second display unit; a first selector; a second selector; and a built-in memory having a first storage unit, a second storage unit, and a third storage unit. A method for operating a semiconductor integrated circuit, comprising:
The output of the first display unit and the output of the second display unit can output first display data and second display data independent of each other, respectively.
The first storage unit, the second storage unit, and the third storage unit are capable of storing the first image data, the second image data, and the third image data that are independent from each other.
Each selector of the first selector and the second selector has at least a first input terminal, a second input terminal, a third input terminal, and an output terminal,
The first input terminal of the first selector and the first input terminal of the second selector are connected to an output of the first storage unit, and the second input terminal of the first selector and the first input terminal The second input terminal of the second selector is connected to the output of the second storage unit, and the third input terminal of the first selector and the third input terminal of the second selector are the Connected to the output of the third storage unit,
The output terminal of the first selector and the output terminal of the second selector are respectively connected to an input of the first display unit and an input of the second display unit;
The first selector and the second selector include the first image data stored in the first storage unit, the second storage unit, and the third storage unit of the internal memory, and the Two pieces of data are selected from the second image data and the third image data, and the input and the second display of the first display unit are used as the first display data and the second display data. A method of operating a semiconductor integrated circuit, characterized in that it can be supplied to the input of a unit.
請求項12において、
前記第1のセレクタと前記第2のセレクタとによって選択された前記2個のデータに応答して前記第1の表示ユニットの前記出力と前記第2の表示ユニットの前記出力とが前記第1の表示データと前記第2の表示データとをそれぞれ出力することを特徴とする半導体集積回路の動作方法。
In claim 12,
The output of the first display unit and the output of the second display unit are responsive to the two data selected by the first selector and the second selector. A method of operating a semiconductor integrated circuit, wherein display data and the second display data are respectively output.
請求項13において、
前記第1と前記第2のセレクタによって選択された前記2個のデータに応答して前記第1と前記第2の表示ユニットの前記出力から前記第1と前記第2の表示データが出力された後、前記2個のデータの選択時に前記第1のセレクタと前記第2のセレクタとによって非選択とされた残りの1個のデータが選択されることを特徴とする半導体集積回路の動作方法。
In claim 13,
In response to the two data selected by the first and second selectors, the first and second display data are output from the outputs of the first and second display units. Thereafter, when the two pieces of data are selected, the remaining one piece of data that has not been selected by the first selector and the second selector is selected.
請求項14において、
前記残りの1個のデータは前記第1のセレクタと前記第2のセレクタの一方のセレクタによって選択されて、前記一方のセレクタによって選択された前記残りの1個のデータに応答して前記第1の表示ユニットと前記第2の表示ユニットの一方の表示ユニットにより前記第1の表示データと前記第2の表示データの一方の表示データが出力されることを特徴とする半導体集積回路の動作方法。
In claim 14,
The remaining one data is selected by one of the first selector and the second selector, and in response to the remaining one data selected by the one selector, the first data One of the first display data and the second display data is output from one display unit of the display unit and the second display unit. A method for operating a semiconductor integrated circuit, wherein:
請求項15において、
前記第1の表示ユニットの前記出力と前記第2の表示ユニットの前記出力とからそれぞれ出力される前記第1の表示データと前記第2の表示データとは、マルチウィンドウ表示とアルファブレンド表示とマルチディスプレー表示とのいずれかに利用されることを特徴とする半導体集積回路の動作方法。
In claim 15,
The first display data and the second display data respectively output from the output of the first display unit and the output of the second display unit are a multi-window display, an alpha blend display, and a multi-display. A method for operating a semiconductor integrated circuit, which is used for display display.
請求項15において、
前記半導体集積回路は、第1入力端子と第2入力端子と第3入力端子と出力端子とを少なくとも有する第3のセレクタと、第3の表示データを出力から出力可能な第3の表示ユニットとを更に具備して、
前記第3のセレクタの前記第1入力端子は前記第1のセレクタの前記第1入力端子および前記第2のセレクタの前記第1入力端子と接続され、前記第3のセレクタの前記第2入力端子は前記第1のセレクタの前記第2入力端子および前記第2のセレクタの前記第2入力端子と接続され、前記第3のセレクタの前記第3入力端子は前記第1のセレクタの前記第3入力端子および前記第2のセレクタの前記第3入力端子と接続され、
前記第3のセレクタの前記出力端子は、前記第3の表示ユニットの入力と接続されたことを特徴とする半導体集積回路の動作方法。
In claim 15,
The semiconductor integrated circuit includes a third selector having at least a first input terminal, a second input terminal, a third input terminal, and an output terminal, and a third display unit capable of outputting third display data from an output. Further comprising
The first input terminal of the third selector is connected to the first input terminal of the first selector and the first input terminal of the second selector, and the second input terminal of the third selector. Is connected to the second input terminal of the first selector and the second input terminal of the second selector, and the third input terminal of the third selector is the third input of the first selector. A terminal and the third input terminal of the second selector;
The method of operating a semiconductor integrated circuit, wherein the output terminal of the third selector is connected to an input of the third display unit.
請求項17において、
前記半導体集積回路は、プロセッサユニットと、プロセッサバスと、中間層バスと、周辺バスと、第1バスブリッジと、第2バスブリッジと、周辺デバイスとを更に具備して、
前記プロセッサユニットは前記プロセッサバスと接続され、前記プロセッサバスは前記第1バスブリッジを介して前記中間層バスと接続され、前記中間層バスは前記第2バスブリッジを介して前記周辺バスと接続され、前記周辺バスは前記周辺デバイスと接続され、
前記内蔵メモリは前記中間層バスに接続されたランダムアクセスメモリであり、前記第1の記憶部と前記第2の記憶部と前記第3の記憶部とはそれぞれ前記内蔵メモリの前記ランダムアクセスメモリの第1のメモリアレーと第2のメモリアレーと第3のメモリアレーとであり、
前記第1の表示ユニットと前記第2の表示ユニットと前記第3の表示ユニットと、前記第1のセレクタと前記第2のセレクタと前記第3のセレクタとは、前記中間層バスに接続されたビデオディスプレーコントローラを構成するものであり、
前記ランダムアクセスメモリには、前記プロセッサユニットのための動作プログラムが格納可能とされ、更に前記ビデオディスプレーコントローラのための前記第1の画像データと前記第2の画像データと前記第3の画像データとが格納可能であることを特徴とする半導体集積回路の動作方法。
In claim 17,
The semiconductor integrated circuit further comprises a processor unit, a processor bus, an intermediate layer bus, a peripheral bus, a first bus bridge, a second bus bridge, and a peripheral device,
The processor unit is connected to the processor bus, the processor bus is connected to the intermediate layer bus via the first bus bridge, and the intermediate layer bus is connected to the peripheral bus via the second bus bridge. The peripheral bus is connected to the peripheral device;
The internal memory is a random access memory connected to the intermediate layer bus, and the first storage unit, the second storage unit, and the third storage unit are respectively the random access memory of the internal memory. A first memory array, a second memory array, and a third memory array;
The first display unit, the second display unit, the third display unit, the first selector, the second selector, and the third selector are connected to the intermediate layer bus. It constitutes a video display controller,
The random access memory can store an operation program for the processor unit, and further, the first image data, the second image data, and the third image data for the video display controller, A method for operating a semiconductor integrated circuit, wherein:
請求項18において、
前記中間層バスは、第1画像内部バスと第2画像内部バスと第3画像内部バスと第4画像内部バスとを含み、
前記ビデオディスプレーコントローラは、出力が前記第1画像内部バスと接続されることにより画像情報を前記第1画像内部バスに供給する画像入力ユニットと、入力が前記第2画像内部バスと接続された第1の画像ダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラと、入力が前記第3画像内部バスと接続された第2の画像ダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラと、入力が前記第4画像内部バスと接続された第3の画像ダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラとを含み、
前記第1画像内部バスに前記第1のメモリアレーの入力端子と前記第2のメモリアレーの入力端子と前記第3のメモリアレーの入力端子とが接続されることによって、前記第1画像内部バスの前記画像情報は前記第1のメモリアレーと前記第2のメモリアレーと前記第3のメモリアレーとに格納可能とされ、
前記第2画像内部バスに前記第1のメモリアレーの第1出力端子と前記第2のメモリアレーの第1出力端子と前記第3のメモリアレーの第1出力端子とが接続され、前記第3画像内部バスに前記第1のメモリアレーの第2出力端子と前記第2のメモリアレーの第2出力端子と前記第3のメモリアレーの第2出力端子とが接続され、前記第4画像内部バスに前記第1のメモリアレーの第3出力端子と前記第2のメモリアレーの第3出力端子と前記第3のメモリアレーの第3出力端子とが接続され、
前記第1の画像ダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラの出力は前記第1のセレクタの前記第1入力端子と前記第2のセレクタの前記第1入力端子と前記第3のセレクタの前記第1入力端子とに接続されて、前記第2の画像ダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラの出力は前記第1のセレクタの前記第2入力端子と前記第2のセレクタの前記第2入力端子と前記第3のセレクタの前記第2入力端子とに接続されて、前記第3の画像ダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラの出力は前記第1のセレクタの前記第3入力端子と前記第2のセレクタの前記第3入力端子と前記第3のセレクタの前記第3入力端子とに接続され、
前記第1と前記第2と前記第3のメモリアレーとにそれぞれ格納された第1と第2と第3の画像情報とは、前記第2と前記第3と前記第4の画像内部バスおよび前記第1と前記第2と前記第3の画像ダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラおよび前記第1と前記第2と前記第3のセレクタを介して、前記第1と前記第2と前記第3の表示ユニットの前記入力に並列に供給可能とされたことを特徴とする半導体集積回路の動作方法。
In claim 18,
The intermediate layer bus includes a first image internal bus, a second image internal bus, a third image internal bus, and a fourth image internal bus,
The video display controller has an image input unit for supplying image information to the first image internal bus by connecting an output to the first image internal bus, and an input connected to the second image internal bus. One image direct memory access controller, a second image direct memory access controller whose input is connected to the third image internal bus, and a second one whose input is connected to the fourth image internal bus. 3 image direct memory access controllers,
The first image internal bus is connected to the input terminal of the first memory array, the input terminal of the second memory array, and the input terminal of the third memory array to the first image internal bus. The image information can be stored in the first memory array, the second memory array, and the third memory array,
A first output terminal of the first memory array, a first output terminal of the second memory array, and a first output terminal of the third memory array are connected to the second image internal bus; A second output terminal of the first memory array, a second output terminal of the second memory array, and a second output terminal of the third memory array are connected to the image internal bus, and the fourth image internal bus is connected. A third output terminal of the first memory array, a third output terminal of the second memory array, and a third output terminal of the third memory array;
The output of the first image direct memory access controller is the first input terminal of the first selector, the first input terminal of the second selector, and the first input terminal of the third selector. And the output of the second image direct memory access controller is connected to the second input terminal of the first selector, the second input terminal of the second selector, and the third selector. And the output of the third image direct memory access controller is connected to the second input terminal of the first selector and the third input terminal of the second selector. And the third input terminal of the third selector,
The first, second, and third image information stored in the first, second, and third memory arrays, respectively, are the second, third, and fourth image internal buses, and The first, second, and third image direct memory access controllers and the first, second, and third selectors through the first, second, and third selectors. A method of operating a semiconductor integrated circuit, characterized in that it can be supplied in parallel to the input of a display unit.
請求項19において、
前記プロセッサユニットは中央処理ユニットを含み、前記内蔵メモリは前記中間層バスに接続されたスタティックランダムアクセスメモリであり、前記スタティックランダムアクセスメモリには、前記中央処理ユニットのための前記動作プログラムが格納可能とされたことを特徴とする半導体集積回路の動作方法。
In claim 19,
The processor unit includes a central processing unit, and the internal memory is a static random access memory connected to the intermediate layer bus, and the operation program for the central processing unit can be stored in the static random access memory A method of operating a semiconductor integrated circuit, wherein
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