JP2012056251A - Method for preventing corrosion of metallic layer, sulphurization-resistant laminate, semiconductor light emitting device and silicone resin composition - Google Patents

Method for preventing corrosion of metallic layer, sulphurization-resistant laminate, semiconductor light emitting device and silicone resin composition Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for preventing corrosion of a metallic layer which can inhibit corrosion (e.g., discoloration) of a metallic layer by making the metallic layer highly sulphurization-resistant.SOLUTION: The method for preventing corrosion of the metallic layer is to inhibit corrosion of the metallic layer by the following procedures: The metallic layer which can be obtained from a metal belonging to the Group 11 of the periodic table, is covered with a silicone resin layer which is available from a silicone resin composition. This silicone resin composition contains (A) 100 pts.mass of organopolysiloxane with at least not less than one reactive functional group selected from the group consisting of an epoxy group, a (meth)acryloyl group, an amino group, a carbinol group, a mercapto group, a carboxyl group and a phenol group, in one molecule; and (B) 0.01 to 5 pts.mass of zinc compound. Thus, the metallic layer is made corrosion-inhibitive.

Description

本発明は、金属層の腐食防止方法、耐硫化性を有する、積層体、半導体発光装置およびシリコーン樹脂組成物に関する。   The present invention relates to a method for preventing corrosion of a metal layer, a laminate having resistance to sulfidation, a semiconductor light emitting device, and a silicone resin composition.

オルガノポリシロキサン系エラストマーはその構造的特徴から気体透過性が高く、オルガノポリシロキサン系エラストマーを含有する組成物は発光素子封止材等に使用されている(例えば、特許文献1〜3)。   Organopolysiloxane elastomers are highly gas permeable due to their structural characteristics, and compositions containing organopolysiloxane elastomers are used as light-emitting device sealing materials (for example, Patent Documents 1 to 3).

特開2007−302825号公報JP 2007-302825 A 特開2004−203923号公報JP 2004-203923 A 特開平7−97433号公報Japanese Patent Laid-Open No. 7-97433

しかしながら、オルガノポリシロキサン系エラストマーを含有する組成物を用いて形成される、封止材やコーティング剤を有する機器を、腐食性ガス(特に硫化水素)雰囲気下に置いた場合、オルガノポリシロキサン系エラストマーの空気透過性が高いがゆえに、組成物が腐食性ガスを透過させて、組成物によって封止または被覆されている、被着体や基材などが腐食(例えば、変色)してしまう。
特に、オルガノポリシロキサン系エラストマーを含有する組成物が半導体発光装置に封止材として使用される場合、空気中の硫化水素によって半導体発光装置内にある銀メッキ製のリフレクタが経時で変色しやすく、その結果、半導体発光装置の輝度が低下してしまうことを本願発明者らは見出した。
However, when a device having a sealing material or a coating agent formed using a composition containing an organopolysiloxane elastomer is placed in a corrosive gas (especially hydrogen sulfide) atmosphere, the organopolysiloxane elastomer Since the air permeability of the composition is high, the composition allows the corrosive gas to permeate, and the adherend or the substrate that is sealed or covered with the composition is corroded (for example, discolored).
In particular, when a composition containing an organopolysiloxane elastomer is used as a sealing material in a semiconductor light-emitting device, the silver-plated reflector in the semiconductor light-emitting device is easily discolored over time due to hydrogen sulfide in the air, As a result, the inventors of the present application have found that the luminance of the semiconductor light emitting device is lowered.

本発明者らは、亜鉛化合物を含有するシリコーン樹脂組成物が、非共有電子対を有する腐食性ガス(例えば、硫化水素、アミン類)を捕捉し、金属の腐食を防止すること(例えば、耐硫化性を発現させて銀の変色を抑える。)を見出してし、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、金属層の耐硫化性を優れたものとし、金属層の腐食(例えば変色)を抑制することができる金属層の腐食防止方法、ならびに耐硫化性、透明性に優れるシリコーン樹脂組成物、これを用いる積層体および半導体発光装置を次のとおり提供する。
The inventors of the present invention have disclosed that a silicone resin composition containing a zinc compound captures corrosive gas (for example, hydrogen sulfide, amines) having an unshared electron pair and prevents corrosion of a metal (for example, resistance to resistance). And the present invention was completed.
That is, the present invention provides a metal layer corrosion prevention method capable of suppressing the corrosion (for example, discoloration) of the metal layer, and a silicone resin excellent in sulfide resistance and transparency. A composition, a laminate using the composition, and a semiconductor light emitting device are provided as follows.

1. 第11族の金属を用いて得られる金属層を、
(A)エポキシ基、(メタ)アクリロイル基、アミノ基、カルビノール基、メルカプト基、カルボキシル基およびフェノール基から選ばれる反応性官能基を1分子中に少なくとも1つ以上有するオルガノポリシロキサン100質量部と、(B)亜鉛化合物0.01〜5質量部とを含有するシリコーン樹脂組成物を用いて得られるシリコーン樹脂層で覆い、
前記金属層の腐食を防止する、金属層の腐食防止方法。
2. 前記金属層の上に前記シリコーン樹脂組成物を厚さ1mmに付与し硬化させて、前記金属層とシリコーン樹脂層とを有する積層体とし、
前記積層体を560ppmの硫化水素ガス中に23℃の条件下で置く耐硫化試験を行い、前記耐硫化試験の前および前記耐硫化試験開始から24時間後における、前記積層体の分光反射率を分光反射率計を用いて測定し、前記分光反射率を式[分光反射率維持率=(耐硫化試験後の分光反射率/耐硫化試験前の分光反射率)×100]に当てはめ算出される分光反射率維持率が80%以上である、上記1に記載の金属層の腐食防止方法。
3. 前記亜鉛化合物が、亜鉛塩および/または亜鉛錯体である上記1または2に記載の、金属層の腐食防止方法。
4. 前記亜鉛化合物が下記式(1)および/または下記式(2)で表されるものである、上記1〜3のいずれかに記載の金属層の腐食防止方法。
Zn(O−CO−R12 (1)
[式(1)中、R1は炭素数1〜18のアルキル基、アリール基である。]
Zn(R2COCHCOR32 (2)
[式(2)中、R2、R3は同一または異なる炭素数1〜18の1価の炭化水素基、アルコキシ基である。]
5. 前記第11族の金属が、銅、銀および金からなる群から選ばれる少なくとも1種である上記1〜4のいずれかに記載の、金属層の腐食防止方法。
6. (A)エポキシ基、(メタ)アクリロイル基、アミノ基、カルビノール基、メルカプト基、カルボキシル基およびフェノール基から選ばれる反応性官能基を1分子中に少なくとも1つ以上有するオルガノポリシロキサン100質量部と、(B)亜鉛化合物0.01〜5質量部とを含有するシリコーン樹脂組成物であり、
第11族の金属を用いて得られる金属層の上に当該シリコーン樹脂組成物を厚さ1mmに付与し硬化させて、前記金属層とシリコーン樹脂層とを有する積層体とし、
前記積層体を560ppmの硫化水素ガス中に23℃の条件下で置く耐硫化試験を行い、前記耐硫化試験の前および前記耐硫化試験開始から24時間後における、前記積層体の分光反射率を分光反射率計を用いて測定し、前記分光反射率を式[分光反射率維持率=(耐硫化試験後の分光反射率/耐硫化試験前の分光反射率)×100]に当てはめ算出される分光反射率維持率が80%以上であるシリコーン樹脂組成物。
7. 第11族の金属を用いて得られるリフレクタおよび半導体発光素子を封止するために使用される上記6に記載のシリコーン樹脂組成物。
8. 第11族の金属を用いて得られる金属層と、
上記6または7に記載のシリコーン樹脂組成物を用いて得られるシリコーン樹脂層とを有する積層体。
9. 前記金属層と前記シリコーン樹脂層との間に半導体発光素子を有する上記8に記載の積層体。
10. 半導体発光素子と、凹部を有する枠体と、封止材とを有し、
前記半導体発光素子は前記凹部の底部に配置され、
前記枠体は前記凹部の側面および/または底面に第11族の金属を用いて得られるリフレクタを備え、
前記封止材は前記半導体発光素子および前記リフレクタを封止し、
前記封止材が、上記6または7に記載のシリコーン樹脂組成物を用いて得られる半導体発光装置。
1. A metal layer obtained using a Group 11 metal,
(A) 100 parts by mass of an organopolysiloxane having at least one reactive functional group selected from epoxy group, (meth) acryloyl group, amino group, carbinol group, mercapto group, carboxyl group and phenol group in one molecule And (B) a silicone resin layer obtained by using a silicone resin composition containing 0.01 to 5 parts by mass of a zinc compound,
A method for preventing corrosion of a metal layer, which prevents corrosion of the metal layer.
2. On the metal layer, the silicone resin composition is applied to a thickness of 1 mm and cured to obtain a laminate having the metal layer and the silicone resin layer,
A sulfidation test is performed in which the laminate is placed in 560 ppm hydrogen sulfide gas at 23 ° C., and the spectral reflectance of the laminate is measured before the sulfidation test and 24 hours after the start of the sulfidation test. Measured using a spectral reflectometer and calculated by fitting the spectral reflectance to the formula [spectral reflectance maintenance ratio = (spectral reflectance after sulfidation test / spectral reflectance before sulfidation test) × 100]. 2. The method for preventing corrosion of a metal layer according to 1 above, wherein the spectral reflectance maintenance factor is 80% or more.
3. 3. The method for preventing corrosion of a metal layer according to 1 or 2 above, wherein the zinc compound is a zinc salt and / or a zinc complex.
4). 4. The method for preventing corrosion of a metal layer according to any one of 1 to 3, wherein the zinc compound is represented by the following formula (1) and / or the following formula (2).
Zn (O—CO—R 1 ) 2 (1)
[In Formula (1), R < 1 > is a C1-C18 alkyl group and an aryl group. ]
Zn (R 2 COCHCOR 3 ) 2 (2)
Wherein (2), R 2, R 3 are the same or different monovalent hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, an alkoxy group. ]
5. 5. The method for preventing corrosion of a metal layer according to any one of 1 to 4 above, wherein the Group 11 metal is at least one selected from the group consisting of copper, silver and gold.
6). (A) 100 parts by mass of an organopolysiloxane having at least one reactive functional group selected from epoxy group, (meth) acryloyl group, amino group, carbinol group, mercapto group, carboxyl group and phenol group in one molecule And (B) a silicone resin composition containing 0.01 to 5 parts by mass of a zinc compound,
On the metal layer obtained using a Group 11 metal, the silicone resin composition is applied to a thickness of 1 mm and cured to form a laminate having the metal layer and the silicone resin layer,
A sulfidation test is performed in which the laminate is placed in 560 ppm hydrogen sulfide gas at 23 ° C., and the spectral reflectance of the laminate is measured before the sulfidation test and 24 hours after the start of the sulfidation test. Measured using a spectral reflectometer and calculated by fitting the spectral reflectance to the formula [spectral reflectance maintenance ratio = (spectral reflectance after sulfidation test / spectral reflectance before sulfidation test) × 100]. A silicone resin composition having a spectral reflectance maintenance factor of 80% or more.
7). 7. The silicone resin composition as described in 6 above, which is used to seal a reflector and a semiconductor light emitting device obtained using a Group 11 metal.
8). A metal layer obtained using a Group 11 metal;
A laminate having a silicone resin layer obtained by using the silicone resin composition described in 6 or 7 above.
9. 9. The laminate according to 8 above, having a semiconductor light emitting element between the metal layer and the silicone resin layer.
10. A semiconductor light emitting element, a frame having a recess, and a sealing material;
The semiconductor light emitting device is disposed at the bottom of the recess,
The frame includes a reflector obtained using a Group 11 metal on a side surface and / or a bottom surface of the recess,
The sealing material seals the semiconductor light emitting element and the reflector,
8. A semiconductor light-emitting device, wherein the sealing material is obtained using the silicone resin composition according to 6 or 7 above.

本発明の金属層の腐食防止方法によれば、金属層の耐硫化性を優れたものとし、金属層の腐食(例えば変色)を抑制することができる。
本発明のシリコーン樹脂組成物、本発明の積層体は耐硫化性、透明性に優れる。
本発明の半導体発光装置は耐硫化性、透明性に優れ、優れた輝度を維持することができる。
According to the method for preventing corrosion of a metal layer of the present invention, the metal layer can be excellent in sulfidation resistance, and corrosion (for example, discoloration) of the metal layer can be suppressed.
The silicone resin composition of the present invention and the laminate of the present invention are excellent in sulfidation resistance and transparency.
The semiconductor light-emitting device of the present invention is excellent in sulfidation resistance and transparency, and can maintain excellent luminance.

図1は、本発明の積層体の一例を模式的に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of the laminate of the present invention. 図2は、本発明の積層体の別の一例を模式的に示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing another example of the laminate of the present invention. 図3は、本発明の半導体発光装置の一例を模式的に示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an example of the semiconductor light emitting device of the present invention. 図4は、本発明の半導体発光装置の別の一例を模式的に示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing another example of the semiconductor light emitting device of the present invention. 図5は、本発明の半導体発光装置の別の一例を模式的に示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing another example of the semiconductor light emitting device of the present invention. 図6は、本発明のシリコーン樹脂組成物および/または本発明の半導体発光装置を用いたLED表示器の一例を模式的に示す図である。FIG. 6 is a diagram schematically showing an example of an LED display using the silicone resin composition of the present invention and / or the semiconductor light emitting device of the present invention.

以下、金属層の腐食防止方法、本発明の積層体、半導体発光装置およびシリコーン樹脂組成物について詳細に説明する。   Hereinafter, the method for preventing corrosion of a metal layer, the laminate of the present invention, a semiconductor light emitting device and a silicone resin composition will be described in detail.

まず、本発明の金属層の腐食防止方法について説明する。
本発明の金属層の腐食防止方法は、
第11族の金属から得られる金属層を、
(A)エポキシ基、(メタ)アクリロイル基、アミノ基、カルビノール基、メルカプト基、カルボキシル基およびフェノール基から選ばれる反応性官能基を1分子中に少なくとも1つ以上有するオルガノポリシロキサン100質量部と、(B)亜鉛化合物0.01〜5質量部とを含有するシリコーン樹脂組成物から得られるシリコーン樹脂層で覆い、
前記金属層の腐食を防止する方法である。
First, the method for preventing corrosion of a metal layer according to the present invention will be described.
The method for preventing corrosion of a metal layer according to the present invention includes:
A metal layer obtained from a Group 11 metal,
(A) 100 parts by mass of an organopolysiloxane having at least one reactive functional group selected from epoxy group, (meth) acryloyl group, amino group, carbinol group, mercapto group, carboxyl group and phenol group in one molecule And (B) a silicone resin layer obtained from a silicone resin composition containing 0.01 to 5 parts by mass of a zinc compound,
This is a method for preventing corrosion of the metal layer.

本願発明者らは、シリコーン樹脂層に含まれる亜鉛化合物が、空気に含まれる腐蝕性ガスを捕捉して金属の耐腐蝕性(例えば、耐硫化性、耐アミン性)を維持することを見出した。本発明において、シリコーン樹脂層が亜鉛化合物を含有することによって、シリコーン樹脂層はその硬度を硬くしなくても十分な耐腐蝕性(特に耐硫化性)を有する。
本発明において、シリコーン樹脂層は外気と金属層との間にあって、空気がシリコーン樹脂層を透過するのに伴い、空気中の腐蝕性ガス(例えば、硫化水素、アミン類のような非共有電子対を有するガス)をシリコーン樹脂層中の亜鉛化合物がキャッチして、腐蝕性ガスが金属層を腐食(例えば、変色)することを防止することができると本願発明者は考える。
なお上記メカニズムは本願発明者の推測であり、仮にメカニズムが上記以外のものであっても本発明の範囲内である。
The inventors of the present application have found that the zinc compound contained in the silicone resin layer captures the corrosive gas contained in the air and maintains the corrosion resistance of the metal (for example, sulfidation resistance and amine resistance). . In the present invention, when the silicone resin layer contains a zinc compound, the silicone resin layer has sufficient corrosion resistance (especially sulfidation resistance) without increasing its hardness.
In the present invention, the silicone resin layer is between the outside air and the metal layer, and corrosive gases in the air (for example, unshared electron pairs such as hydrogen sulfide and amines) as the air permeates the silicone resin layer. The present inventor considers that the zinc compound in the silicone resin layer can catch the gas) and prevent the corrosive gas from corroding (for example, discoloring) the metal layer.
In addition, the said mechanism is a presumption of this inventor, and even if a mechanism is a thing other than the above, it is in the scope of the present invention.

本発明の金属層の腐食防止方法に使用されるシリコーン樹脂組成物は、(A)エポキシ基、(メタ)アクリロイル基、アミノ基、カルビノール基、メルカプト基、カルボキシル基およびフェノール基から選ばれる反応性官能基を1分子中に少なくとも1つ以上有するオルガノポリシロキサン100質量部と、(B)亜鉛化合物0.01〜5質量部とを含有する。
なお、本発明の金属層の腐食防止方法に使用されるシリコーン樹脂組成物は、本発明の積層体、本発明の半導体発光装置に使用されるものと同じである。本発明の金属層の腐食防止方法に使用されるシリコーン樹脂組成物は本発明のシリコーン樹脂組成物と組成が同じであるので、本発明の金属層の腐食防止方法に使用されるシリコーン樹脂組成物を本発明のシリコーン樹脂組成物として以下に説明する。
The silicone resin composition used in the method for preventing corrosion of a metal layer of the present invention is a reaction selected from (A) an epoxy group, a (meth) acryloyl group, an amino group, a carbinol group, a mercapto group, a carboxyl group, and a phenol group. 100 parts by mass of an organopolysiloxane having at least one or more functional functional group in one molecule and 0.01 to 5 parts by mass of (B) zinc compound.
The silicone resin composition used in the method for preventing corrosion of a metal layer of the present invention is the same as that used for the laminate of the present invention and the semiconductor light emitting device of the present invention. Since the silicone resin composition used in the method for preventing corrosion of a metal layer of the present invention has the same composition as the silicone resin composition of the present invention, the silicone resin composition used in the method of preventing corrosion of a metal layer of the present invention Is described below as a silicone resin composition of the present invention.

シリコーン樹脂組成物(本発明のシリコーン樹脂組成物)に含有されるオルガノポリシロキサンは、(A)エポキシ基、(メタ)アクリロイル基、アミノ基、カルビノール基、メルカプト基、カルボキシル基およびフェノール基から選ばれる反応性官能基を1分子中に少なくとも1つ以上有し、オルガノポリシロキサン骨格を有するシリコーンである。   The organopolysiloxane contained in the silicone resin composition (silicone resin composition of the present invention) is composed of (A) epoxy group, (meth) acryloyl group, amino group, carbinol group, mercapto group, carboxyl group and phenol group. It is a silicone having at least one reactive functional group selected per molecule and having an organopolysiloxane skeleton.

オルガノポリシロキサンが有する炭化水素基は特に制限されない。例えば、フェニル基のような芳香族基;アルキル基;アルケニル基が挙げられる。
オルガノポリシロキサンは例えば、シリコーンオイル、シリコーンゴム、シリコーンレジンのいずれであってもよい。オルガノポリシロキサンはジオルガノポリシロキサンであるのが好ましい態様の1つとして挙げられる。
オルガノポリシロキサンの主鎖は直鎖、分岐、三次元のいずれであってもよい。
オルガノポリシロキサンとしては、例えば、エポキシ基、(メタ)アクリロイル基、アミノ基、カルビノール基、メルカプト基、カルボキシル基およびフェノール基から選ばれる反応性官能基を1分子中に少なくとも1つ以上有するオルガノポリジアルキルシロキサンが挙げられる。
硬化性に優れるという観点から、オルガノポリシロキサンは2個以上の反応性官能基を有するオルガノポリジアルキルシロキサンであるのが好ましい。
反応性官能基はオルガノポリシロキサンの末端または両末端に結合することができ、側鎖として結合することができる。反応性官能基は有機基を介してオルガノポリシロキサンに結合することができる。有機基は特に制限されない。例えば、2価の、脂肪族炭化水素基(鎖状、分岐を含む)、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、これらの組み合わせが挙げられる。反応性官能基としてのカルボキシル基は、例えば無水コハク酸基、無水マレイン酸基のような酸無水物基を含む。
オルガノポリシロキサンは、例えば、下記式(3)で表されるものが挙げられる。
The hydrocarbon group that the organopolysiloxane has is not particularly limited. Examples thereof include an aromatic group such as a phenyl group; an alkyl group; and an alkenyl group.
The organopolysiloxane may be, for example, any of silicone oil, silicone rubber, and silicone resin. One preferred embodiment of the organopolysiloxane is a diorganopolysiloxane.
The main chain of the organopolysiloxane may be linear, branched or three-dimensional.
Examples of the organopolysiloxane include an organo group having at least one reactive functional group selected from epoxy group, (meth) acryloyl group, amino group, carbinol group, mercapto group, carboxyl group and phenol group in one molecule. Polydialkylsiloxane is mentioned.
From the viewpoint of excellent curability, the organopolysiloxane is preferably an organopolydialkylsiloxane having two or more reactive functional groups.
The reactive functional group can be bonded to the end or both ends of the organopolysiloxane, and can be bonded as a side chain. The reactive functional group can be bonded to the organopolysiloxane via an organic group. The organic group is not particularly limited. For example, a divalent aliphatic hydrocarbon group (including a chain and a branch), an alicyclic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, and a combination thereof can be given. The carboxyl group as the reactive functional group includes an acid anhydride group such as a succinic anhydride group and a maleic anhydride group.
Examples of the organopolysiloxane include those represented by the following formula (3).


(式中、R4は同一または異なり、炭素数1〜18のアルキル基またはアリール基を示し、X1、X2、X3はそれぞれ独立にエポキシ基、(メタ)アクリロイル基、アミノ基、カルビノール基、メルカプト基、カルボキシル基およびフェノール基から選ばれる反応性官能基を示し、反応性官能基は有機基を介してケイ素原子と結合してもよくこの場合X1、X2、X3はそれぞれ有機基を含むことができ、nは1以上の整数であり、mは0以上の整数であり、m+nは1以上の整数であり、a、b、cはそれぞれ0以上の整数であり、a+b+cは1以上の整数である。)

(Wherein R 4 is the same or different and represents an alkyl group or aryl group having 1 to 18 carbon atoms, and X 1 , X 2 and X 3 are each independently an epoxy group, a (meth) acryloyl group, an amino group, a carbyl group; It represents a reactive functional group selected from a nor group, a mercapto group, a carboxyl group and a phenol group, and the reactive functional group may be bonded to a silicon atom via an organic group. In this case, X 1 , X 2 and X 3 are Each may contain an organic group, n is an integer of 1 or more, m is an integer of 0 or more, m + n is an integer of 1 or more, and a, b, and c are each an integer of 0 or more, a + b + c is an integer of 1 or more.)

式(3)中、R4で表される炭素数1〜18のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基等が挙げられる。R4で表されるアリール基としては、例えばフェニル基、ナフチル基が挙げられる。アリール基はその炭素数を18以下とすることができる。このうち、R4で表される基はメチル基またはフェニル基であることが好ましく、メチル基であることがより好ましい。R4は同一でも異なっていてもよい。
また、式(3)中、nはオルガノポリシロキサンの重量平均分子量に対応する数値とすることができる。作業性、耐クラック性に優れるという観点から、m+nは10〜15,000の整数であるのが好ましい。
In formula (3), examples of the alkyl group having 1 to 18 carbon atoms represented by R 4 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, and a tert-butyl group. Is mentioned. Examples of the aryl group represented by R 4 include a phenyl group and a naphthyl group. The aryl group can have 18 or less carbon atoms. Of these, the group represented by R 4 is preferably a methyl group or a phenyl group, and more preferably a methyl group. R 4 may be the same or different.
Moreover, in Formula (3), n can be made into the numerical value corresponding to the weight average molecular weight of organopolysiloxane. From the viewpoint of excellent workability and crack resistance, m + n is preferably an integer of 10 to 15,000.

オルガノポリシロキサンはその製造について特に制限されない。例えば従来公知のものが挙げられる。
オルガノポリシロキサンの分子量は、耐熱着色安定性に優れ、硬化時間、可使時間が適切な長さとなり硬化性に優れ、硬化物物性に優れるという観点から、500〜1,000,000であるのが好ましく、6,000〜100,000であるのがより好ましい。なお、本発明において、ポリシロキサンの分子量は、クロロホルムを溶媒とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算の重量平均分子量であるものとする。
The organopolysiloxane is not particularly limited for its production. For example, a conventionally well-known thing is mentioned.
The molecular weight of the organopolysiloxane is 500 to 1,000,000 from the viewpoint of excellent heat-resistant coloring stability, curing time and pot life having an appropriate length, excellent curability, and excellent cured product properties. Is preferable, and it is more preferable that it is 6,000-100,000. In addition, in this invention, the molecular weight of polysiloxane shall be the weight average molecular weight of polystyrene conversion by the gel permeation chromatography (GPC) which uses chloroform as a solvent.

オルガノポリシロキサンは、それぞれ単独でまたは2種以上を組み合わせて使用することができる。
オルガノポリシロキサンを2種以上組み合わせる場合、2種以上のオルガノポリシロキサンは互いに同じ反応性官能基を有してもよいし、異なる反応性官能基を有してもよい。
また、ある1種類の反応性官能基を有するオルガノポリシロキサンに対して、その反応性官能基と反応し、硬化剤として働く反応性官能基を有するオルガノポリシロキサンを組み合わせることができる。例えば、エポキシ基含有オルガノポリシロキサンと、(メタ)アクリロイル基、アミノ基、カルビノール基、メルカプト基、カルボキシル基およびフェノール基から選ばれる反応性官能基を1分子中に少なくとも1つ以上有するオルガノポリシロキサンとの組み合わせ;(メタ)アクリロイル基含有オルガノポリシロキサンと、メルカプト基含有オルガノポリシロキサンとの組み合わせが挙げられる。
The organopolysiloxanes can be used alone or in combination of two or more.
When combining two or more types of organopolysiloxanes, the two or more types of organopolysiloxanes may have the same reactive functional group or different reactive functional groups.
In addition, an organopolysiloxane having a reactive functional group that reacts with the reactive functional group and acts as a curing agent can be combined with an organopolysiloxane having one kind of reactive functional group. For example, an organopolysiloxane having an epoxy group-containing organopolysiloxane and at least one reactive functional group selected from (meth) acryloyl group, amino group, carbinol group, mercapto group, carboxyl group and phenol group in one molecule Combinations with siloxanes: Combinations of (meth) acryloyl group-containing organopolysiloxanes and mercapto group-containing organopolysiloxanes.

ある1種類の反応性官能基を有するオルガノポリシロキサンに対して、その反応性官能基と反応し、硬化剤として働く反応性官能基を有するオルガノポリシロキサンを組み合わせる場合、硬化剤として働く反応性官能基を有するオルガノポリシロキサンの量は、その反応性官能基が、ある1種類の反応性官能基を有するオルガノポリシロキサンが有する反応性官能基に対して、0.1〜2当量となる量とすることができる。   When an organopolysiloxane having a reactive functional group reacts with the reactive functional group and the organopolysiloxane having a reactive functional group acting as a curing agent is combined, the reactive function acting as a curing agent is combined. The amount of the organopolysiloxane having a group is such that the reactive functional group is 0.1 to 2 equivalents relative to the reactive functional group of the organopolysiloxane having one kind of reactive functional group. can do.

シリコーン樹脂組成物(本発明のシリコーン樹脂組成物)に含有される亜鉛化合物について以下に説明する。
亜鉛化合物は、亜鉛を含む化合物であれば特に制限されない。例えば、亜鉛塩;亜鉛錯体;亜鉛アルコラート;亜鉛華、スズ酸亜鉛などの亜鉛酸化物が挙げられる。なかでも、耐硫化性、透明性により優れるという観点から、亜鉛塩および/または亜鉛錯体であるのが好ましい。亜鉛塩は亜鉛と酸(無機酸、有機酸を含む。)とから形成される塩であれば特に制限されない。亜鉛錯体は亜鉛と配位子とから形成されるキレート化合物であれば特に制限されない。
The zinc compound contained in the silicone resin composition (silicone resin composition of the present invention) will be described below.
The zinc compound is not particularly limited as long as it is a compound containing zinc. Examples thereof include zinc salts; zinc complexes; zinc alcoholates; zinc oxides such as zinc white and zinc stannate. Of these, zinc salts and / or zinc complexes are preferred from the viewpoint of superior sulfidation resistance and transparency. The zinc salt is not particularly limited as long as it is a salt formed from zinc and an acid (including inorganic acid and organic acid). The zinc complex is not particularly limited as long as it is a chelate compound formed from zinc and a ligand.

亜鉛化合物としては、具体的には例えば、下記式(1)、式(2)で表されるもの、サリチル酸化合物の亜鉛錯体、ジアミン化合物の亜鉛錯体が挙げられる。
式(1)で表される亜鉛化合物は以下のとおりである。
Zn(O−CO−R12 (1)
式(1)中、R1が炭素数1〜18のアルキル基、アリール基である。炭素数1〜18のアルキル基、アリール基は上記と同義である。式中のCOはカルボニル基(C=O)である。
式(1)で表される亜鉛化合物が塩である場合、亜鉛塩としては例えば、下記式(1′)が挙げられる。

上記式(1′)中、R1は式(1)と同様である。
式(1)で表される亜鉛化合物としては、例えば、亜鉛アセテート、亜鉛2−エチルヘキサノエート、亜鉛オクトエート、亜鉛ネオデカネート;亜鉛アセチルアセテート;亜鉛(メタ)アクリレート;亜鉛サリチレート等のカルボン酸塩が挙げられる。
Specific examples of the zinc compound include those represented by the following formulas (1) and (2), a zinc complex of a salicylic acid compound, and a zinc complex of a diamine compound.
The zinc compound represented by the formula (1) is as follows.
Zn (O—CO—R 1 ) 2 (1)
In formula (1), R 1 is an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an aryl group. A C1-C18 alkyl group and an aryl group are synonymous with the above. CO in the formula is a carbonyl group (C═O).
When the zinc compound represented by the formula (1) is a salt, examples of the zinc salt include the following formula (1 ′).

In the above formula (1 ′), R 1 is the same as in formula (1).
Examples of the zinc compound represented by the formula (1) include zinc acetate, zinc 2-ethylhexanoate, zinc octoate, zinc neodecanate; zinc acetyl acetate; zinc (meth) acrylate; and carboxylate such as zinc salicylate. Can be mentioned.

式(2)で表される亜鉛化合物は以下のとおりである。
Zn(R2COCHCOR32 (2)
式(2)中、R2、R3は同一または異なる炭素数1〜18の1価の炭化水素基、アルコキシ基である。式中のR2COCHCOR3は、それぞれ、
2−C(−O−)=CH−C(=O)−R3または
2−C(=O)−CH=C(−O−)−R3である。R2COCHCOR3はC−O−で亜鉛と結合する(C−O−Zn)。
式(2)で表される亜鉛化合物が錯体である場合、亜鉛錯体としては例えば、下記式(2′)が挙げられる。

上記式(2′)中、R2、R3は式(2)と同様であり、同一の(R2COCHCOR3)内にあるR2、R3は入れ替わっていてもよい。
炭素数1〜18の1価の炭化水素基としては例えば炭素数1〜18のアルキル基、アリール基が挙げられる。炭素数1〜18のアルキル基、アリール基は上記と同義である。
アルコキシ基としては例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基が挙げられる。
式(2)で表される亜鉛化合物としては、例えば、ビス(アセチルアセトナート)亜鉛錯体、2,2,6,6,6テトラメチル−3,5−ヘプタンジオネート亜鉛錯体等が挙げられる。
The zinc compound represented by Formula (2) is as follows.
Zn (R 2 COCHCOR 3 ) 2 (2)
In formula (2), R 2 and R 3 are the same or different monovalent hydrocarbon groups having 1 to 18 carbon atoms and alkoxy groups. R 2 COCHCOR 3 in the formula is
R 2 —C (—O—) ═CH—C (═O) —R 3 or R 2 —C (═O) —CH═C (—O —) — R 3 . R 2 COCHCOR 3 is C—O— bonded to zinc (C—O—Zn).
When the zinc compound represented by the formula (2) is a complex, examples of the zinc complex include the following formula (2 ′).

In the above formula (2 '), R 2, R 3 is the same as equation (2), R 2, R 3 , which are in the same (R 2 COCHCOR 3) may be interchanged.
Examples of the monovalent hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms include an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms and an aryl group. A C1-C18 alkyl group and an aryl group are synonymous with the above.
Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, and a propoxy group.
Examples of the zinc compound represented by the formula (2) include bis (acetylacetonato) zinc complex, 2,2,6,6,6 tetramethyl-3,5-heptanedionate zinc complex, and the like.

亜鉛化合物は、金属層の耐硫化性をより優れたものとし、金属層の腐食(例えば変色)をより抑制することができるという観点から、式(1)または式(2)で表されるもの、これらの併用であるのが好ましく、亜鉛アセテート、亜鉛2−エチルヘキサノエート、亜鉛オクトエート、亜鉛ネオデカネート、亜鉛アセチルアセテート、亜鉛(メタ)アクリレート、亜鉛サリチレート、ビス(アセチルアセトナート)亜鉛錯体、2,2,6,6,6テトラメチル−3,5−ヘプタンジオネート亜鉛錯体がより好ましい。
亜鉛化合物はそれぞれ単独でまたは2種以上を組み合わせて使用することができる。
The zinc compound is represented by the formula (1) or the formula (2) from the viewpoint that the sulfidation resistance of the metal layer is more excellent and corrosion (for example, discoloration) of the metal layer can be further suppressed. These are preferably used in combination, such as zinc acetate, zinc 2-ethylhexanoate, zinc octoate, zinc neodecanate, zinc acetyl acetate, zinc (meth) acrylate, zinc salicylate, bis (acetylacetonate) zinc complex, 2 2,6,6,6 tetramethyl-3,5-heptanedionate zinc complex is more preferred.
Zinc compounds can be used alone or in combination of two or more.

本発明において、亜鉛化合物の量はオルガノポリシロキサン100質量部に対して0.01〜5質量部である。このような範囲の場合、耐硫化性、透明性に優れる。
耐硫化性、透明性により優れるという観点から、亜鉛化合物の量はオルガノポリシロキサン100質量部に対して、0.1〜1質量部であるのが好ましい。
In this invention, the quantity of a zinc compound is 0.01-5 mass parts with respect to 100 mass parts of organopolysiloxane. In such a range, it is excellent in sulfidation resistance and transparency.
From the viewpoint of better resistance to sulfidation and transparency, the amount of the zinc compound is preferably 0.1 to 1 part by mass with respect to 100 parts by mass of the organopolysiloxane.

シリコーン樹脂組成物(本発明のシリコーン樹脂組成物)はさらに硬化剤を含有することができる。硬化剤は特に制限されない。オルガノポリシロキサンが有する反応性官能基の種類に応じて適宜選択することができる。
硬化剤としては、例えば、ポリアミン化合物、ポリアミド化合物、ジシアンジアミド、酸無水物、カルボン酸化合物、フェノール樹脂が挙げられる。具体的には例えば、エポキシ基含有オルガノポリシロキサン用の硬化剤としては、例えば、エチレンジアミン、トリエチレンペンタミン、ヘキサメチレンジアミン、ダイマー酸変性エチレンジアミン、N−エチルアミノピペラジン、イソホロンジアミン等の脂肪族アミン類;メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジアミン、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェノルスルホン、4,4’−ジアミノジフェノルメタン、4,4’−ジアミノジフェノルエーテル等の芳香族アミン類;メルカプトプロピオン酸エステル、エポキシ樹脂の末端メルカプト化合物等のメルカプタン類;ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールAD、ビスフェノールS、テトラメチルビスフェノールA、テトラメチルビスフェノールF、テトラメチルビスフェノールAD、テトラメチルビスフェノールS、テトラブロモビスフェノールA、テトラクロロビスフェノールA、テトラフルオロビスフェノールA、ビフェノール、ジヒドロキシナフタレン、1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、4,4−(1−(4−(1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル)フェニル)エチリデン)ビスフェノール、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、ビスフェノールAノボラック、臭素化フェノールノボラック、臭素化ビスフェノールAノボラック等のフェノール樹脂類;前記フェノール樹脂類の芳香環を水素化したポリオール類;ポリアゼライン酸無水物、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物、ノルボルナン−2,3−ジカルボン酸無水物、メチル−5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物、メチル−ノルボルナン−2,3−ジカルボン酸無水物等の脂環式酸無水物類;無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸等の芳香族酸無水物類;2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール等のイミダゾール類及びその塩類、上記脂肪族アミン類、芳香族アミン類、及び/又はイミダゾール類とエポキシ樹脂との反応により得られるアミンアダクト類;アジピン酸ジヒドラジド等のヒドラジン類;ジメチルベンジルアミン、1,8−ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデカ−7−エン等の第3級アミン類;トリフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類;ジシアンジアミド等が挙げられる。
The silicone resin composition (silicone resin composition of the present invention) can further contain a curing agent. The curing agent is not particularly limited. It can select suitably according to the kind of reactive functional group which organopolysiloxane has.
Examples of the curing agent include polyamine compounds, polyamide compounds, dicyandiamide, acid anhydrides, carboxylic acid compounds, and phenol resins. Specific examples of curing agents for epoxy group-containing organopolysiloxanes include aliphatic amines such as ethylenediamine, triethylenepentamine, hexamethylenediamine, dimer acid-modified ethylenediamine, N-ethylaminopiperazine, and isophoronediamine. Metaphenylenediamine, paraphenylenediamine, 3,3′-diaminodiphenylsulfone, 4,4′-diaminodiphenolsulfone, 4,4′-diaminodiphenolmethane, 4,4′-diaminodiphenol ether Aromatic amines such as mercaptopropionate, mercaptans such as terminal mercapto compounds of epoxy resins; bisphenol A, bisphenol F, bisphenol AD, bisphenol S, tetramethylbisphenol A, tetramethylbisphenol Nord F, tetramethylbisphenol AD, tetramethylbisphenol S, tetrabromobisphenol A, tetrachlorobisphenol A, tetrafluorobisphenol A, biphenol, dihydroxynaphthalene, 1,1,1-tris (4-hydroxyphenyl) methane, 4, 4- (1- (4- (1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl) phenyl) ethylidene) bisphenol, phenol novolak, cresol novolak, bisphenol A novolak, brominated phenol novolak, brominated bisphenol A novolak, etc. Phenol resins obtained by hydrogenating the aromatic ring of the phenol resins; polyazeline acid anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, methylhexa Drophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, 5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride, norbornane-2,3-dicarboxylic anhydride, methyl-5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride, methyl -Alicyclic acid anhydrides such as norbornane-2,3-dicarboxylic acid anhydride; aromatic acid anhydrides such as phthalic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride; 2-methylimidazole, 2- Imidazoles such as ethyl-4-methylimidazole and 2-phenylimidazole and their salts, the above aliphatic amines, aromatic amines, and / or amine adducts obtained by reacting imidazoles with epoxy resins; adipic acid Hydrazines such as dihydrazide; dimethylbenzylamine, 1,8-diazabicyclo [5,4,0] un Ca 7 tertiary amines such as ene; organic phosphines such as triphenylphosphine; dicyandiamide, and the like.

上記化合物を、エポキシ基、(メタ)アクリロイル基、アミノ基、カルビノール基、メルカプト基、カルボキシル基およびフェノール基から選ばれる反応性官能基を1分子中に少なくとも1つ以上有するオルガノポリシロキサンの硬化剤として使用することができる。   Curing of organopolysiloxane having at least one reactive functional group selected from epoxy group, (meth) acryloyl group, amino group, carbinol group, mercapto group, carboxyl group and phenol group in one molecule. It can be used as an agent.

硬化剤(オルガノポリシロキサンを硬化剤として使用する場合はその合計量)の量は、硬化性に優れるという観点から、オルガノポリシロキサンが有する反応性官能基に対して硬化剤が有する官能基が0.1〜2当量となる量であるのが好ましい。   From the viewpoint of excellent curability, the amount of the curing agent (the total amount when the organopolysiloxane is used as the curing agent) is 0 in the functional group of the curing agent with respect to the reactive functional group of the organopolysiloxane. It is preferable that the amount is from 1 to 2 equivalents.

シリコーン樹脂組成物(本発明のシリコーン樹脂組成物)は、上記の成分以外に、本発明の目的や効果を損なわない範囲で必要に応じてさらに添加剤を含有することができる。
添加剤としては、例えば、亜鉛化合物以外の亜鉛を含む化合物、亜鉛以外の金属を含む金属化合物および2元金属化合物[例えば、Zn−M−OCORのようなものが挙げられる。Mは亜鉛以外の金属であり、Rは炭化水素基である。]からなる群から選ばれる少なくとも1種との併用;ラジカル開始剤(熱ラジカル開始剤、光ラジカル開始剤を含む。)、無機フィラー、酸化防止剤、滑剤、紫外線吸収剤、熱光安定剤、分散剤、帯電防止剤、重合禁止剤、消泡剤、硬化促進剤、溶剤、蛍光物質(無機物、有機物を含む。)、老化防止剤、ラジカル禁止剤、接着性改良剤、難燃剤、界面活性剤、保存安定性改良剤、オゾン老化防止剤、増粘剤、可塑剤、放射線遮断剤、核剤、カップリング剤、導電性付与剤、リン系過酸化物分解剤、顔料、金属不活性化剤、物性調整剤が挙げられる。各種添加剤は特に制限されない。例えば、従来公知のものが挙げられる。
In addition to the above components, the silicone resin composition (silicone resin composition of the present invention) can further contain additives as necessary within a range that does not impair the purpose and effect of the present invention.
Examples of the additive include a compound containing zinc other than a zinc compound, a metal compound containing a metal other than zinc, and a binary metal compound [such as Zn-M-OCOR. M is a metal other than zinc, and R is a hydrocarbon group. A radical initiator (including a thermal radical initiator and a photo radical initiator), an inorganic filler, an antioxidant, a lubricant, an ultraviolet absorber, a thermal light stabilizer, Dispersant, antistatic agent, polymerization inhibitor, antifoaming agent, curing accelerator, solvent, fluorescent substance (including inorganic and organic substances), anti-aging agent, radical inhibitor, adhesion improver, flame retardant, surface activity Agent, storage stability improver, ozone anti-aging agent, thickener, plasticizer, radiation blocking agent, nucleating agent, coupling agent, conductivity-imparting agent, phosphorus peroxide decomposing agent, pigment, metal deactivation Agents and physical property modifiers. Various additives are not particularly limited. For example, a conventionally well-known thing is mentioned.

無機蛍光物質としては、例えば、LEDに広く利用されている、イットリウム、アルミニウム、ガーネット系のYAG系蛍光体、ZnS系蛍光体、Y22S系蛍光体、赤色発光蛍光体、青色発光蛍光体、緑色発光蛍光体が挙げられる。 Examples of the inorganic fluorescent material include yttrium, aluminum, garnet-based YAG phosphors, ZnS phosphors, Y 2 O 2 S phosphors, red-emitting phosphors, and blue-emitting phosphors that are widely used in LEDs. Body and green light emitting phosphor.

シリコーン樹脂組成物(本発明のシリコーン樹脂組成物)は、貯蔵安定性に優れるという観点から、実質的に水を含まないのが好ましい態様の1つとして挙げられる。本発明において実質的に水を含まないとは、シリコーン樹脂組成物中における水の量が0.1質量%以下であることをいう。
また、シリコーン樹脂組成物は、作業環境性に優れるという観点から、実質的に溶媒を含まないのが好ましい態様の1つとして挙げられる。本発明において実質的に溶媒を含まないとは、シリコーン樹脂組成物中における溶媒の量が1質量%以下であることをいう。
The silicone resin composition (silicone resin composition of the present invention) is mentioned as one of the preferred embodiments that does not substantially contain water from the viewpoint of excellent storage stability. In the present invention, “substantially free of water” means that the amount of water in the silicone resin composition is 0.1% by mass or less.
Moreover, from the viewpoint that the silicone resin composition is excellent in work environment properties, it is mentioned as one of preferable embodiments that substantially does not contain a solvent. In the present invention, the phrase “substantially containing no solvent” means that the amount of the solvent in the silicone resin composition is 1% by mass or less.

シリコーン樹脂組成物(本発明のシリコーン樹脂組成物)は、その製造について特に制限されない。例えば、オルガノポリシロキサンと亜鉛化合物と必要に応じて使用することができる、硬化剤、添加剤とを混合することによって製造することができる。
シリコーン樹脂組成物は、1液型または2液型として製造することが可能である。
The production of the silicone resin composition (silicone resin composition of the present invention) is not particularly limited. For example, it can be produced by mixing an organopolysiloxane and a zinc compound with a curing agent and an additive that can be used as necessary.
The silicone resin composition can be manufactured as a one-pack type or a two-pack type.

シリコーン樹脂組成物(本発明のシリコーン樹脂組成物)を適用することができる被着体としては、例えば、金属(例えば、第11族の金属)、ガラス、プラスチック、ゴム、半導体(例えば、半導体発光素子)が挙げられる。シリコーン樹脂組成物から得られるシリコーン樹脂層は被着体と接着することができる。
第11族の金属は、銅、銀および金からなる群から選ばれる少なくとも1種であるのが好ましい。
Examples of the adherend to which the silicone resin composition (silicone resin composition of the present invention) can be applied include, for example, metals (for example, Group 11 metals), glass, plastics, rubbers, and semiconductors (for example, semiconductor light emitting devices). Element). The silicone resin layer obtained from the silicone resin composition can be adhered to the adherend.
The Group 11 metal is preferably at least one selected from the group consisting of copper, silver and gold.

本発明の金属層の腐食防止方法において、第11族の金属から得られる金属層をシリコーン樹脂組成物(本発明のシリコーン樹脂組成物)から得られるシリコーン樹脂層で覆う。
本発明の金属層の腐食防止方法によって、第11族の金属から得られる金属層をシリコーン樹脂組成物(本発明のシリコーン樹脂組成物)から得られるシリコーン樹脂層で覆ったものは、本発明の積層体と同じである。
以下、本発明の金属層の腐食防止方法を説明することによって、本発明の積層体、その製造方法;本発明の半導体発光装置、その製造方法を説明するものとする。
In the method for preventing corrosion of a metal layer of the present invention, a metal layer obtained from a Group 11 metal is covered with a silicone resin layer obtained from a silicone resin composition (silicone resin composition of the present invention).
The metal layer obtained from the Group 11 metal by the method for preventing corrosion of a metal layer of the present invention is covered with a silicone resin layer obtained from a silicone resin composition (silicone resin composition of the present invention). It is the same as the laminate.
Hereinafter, by explaining the method for preventing corrosion of a metal layer according to the present invention, the laminated body according to the present invention, the manufacturing method thereof; the semiconductor light emitting device according to the present invention, and the manufacturing method thereof will be described.

本発明の金属層の腐食防止方法において、シリコーン樹脂層は金属層を直接覆ってもよい。また、シリコーン樹脂層と金属層との間に例えば別の透明な層(例えば、樹脂層、ガラス層、空気層)や半導体発光素子を有してもよい。
本発明の金属層の腐食防止方法において、金属層をシリコーン樹脂層で覆う方法は特に制限されない。例えば、金属層にシリコーン樹脂組成物を付与し、シリコーン樹脂組成物が付与された金属層を加熱および/または光照射をしてシリコーン樹脂組成物を硬化させてシリコーン樹脂層とし、積層体(本発明の積層体)を得る方法が挙げられる。
In the method for preventing corrosion of a metal layer of the present invention, the silicone resin layer may directly cover the metal layer. Further, for example, another transparent layer (for example, a resin layer, a glass layer, an air layer) or a semiconductor light emitting element may be provided between the silicone resin layer and the metal layer.
In the method for preventing corrosion of a metal layer of the present invention, the method for covering the metal layer with a silicone resin layer is not particularly limited. For example, a silicone resin composition is applied to a metal layer, and the metal layer to which the silicone resin composition is applied is heated and / or irradiated with light to cure the silicone resin composition to form a silicone resin layer. The method of obtaining the laminated body of invention is mentioned.

本発明の金属層の腐食防止方法(本発明の積層体、本発明の半導体発光装置)において、シリコーン樹脂組成物を金属層に付与する方法は特に制限されない。例えば、ディスペンサーを使用する方法、ポッティング法、スクリーン印刷、トランスファー成形、インジェクション成形が挙げられる。   In the method for preventing corrosion of a metal layer of the present invention (the laminate of the present invention, the semiconductor light emitting device of the present invention), the method for applying the silicone resin composition to the metal layer is not particularly limited. Examples thereof include a method using a dispenser, a potting method, screen printing, transfer molding, and injection molding.

本発明の金属層の腐食防止方法(本発明の積層体、本発明の半導体発光装置)において、シリコーン樹脂組成物を加熱する際の温度は、硬化性(例えば、密閉系内における硬化性)、接着性、耐熱着色安定性、および透明性と接着強度とのバランスに優れ、硬化時間、可使時間を適切な長さとすることができ、縮合反応による副生成物であるアルコールが発泡するのをより抑制でき、硬化物のクラックを抑制でき、硬化物の平滑性、成形性、物性に優れるという観点から、80℃〜150℃付近で硬化させるのが好ましく、150℃付近がより好ましい。   In the method for preventing corrosion of the metal layer of the present invention (the laminate of the present invention, the semiconductor light emitting device of the present invention), the temperature at which the silicone resin composition is heated is curable (for example, curable in a closed system), Excellent balance between adhesiveness, heat-resistant coloring stability, transparency and adhesive strength, curing time and pot life can be set to appropriate lengths, and alcohol as a by-product due to condensation reaction is foamed. From the viewpoint that the cured product can be further suppressed, cracks of the cured product can be suppressed, and the smoothness, moldability, and physical properties of the cured product are excellent, curing is preferably performed at about 80 ° C. to 150 ° C., and more preferably about 150 ° C.

本発明の金属層の腐食防止方法(本発明の積層体、本発明の半導体発光装置)において、シリコーン樹脂組成物を光照射で硬化させる場合用いる光は特に制限されない。例えば、紫外線、電子線が挙げられる。   In the method for preventing corrosion of a metal layer of the present invention (the laminate of the present invention, the semiconductor light emitting device of the present invention), the light used for curing the silicone resin composition by light irradiation is not particularly limited. Examples thereof include ultraviolet rays and electron beams.

本発明の金属層の腐食防止方法(本発明の積層体、本発明の半導体発光装置)において、硬化は、硬化性、透明性に優れるという観点から、実質的に無水の条件下で行うことができる。本発明において、硬化が実質的に無水の条件下でなされるとは、加熱および/または光照射における環境の大気中の湿度が10%RH以下であることをいう。   In the method for preventing corrosion of a metal layer of the present invention (laminated body of the present invention, semiconductor light emitting device of the present invention), curing is performed under substantially anhydrous conditions from the viewpoint of excellent curability and transparency. it can. In the present invention, the phrase “curing is performed under substantially anhydrous conditions” means that the atmospheric humidity of the environment in heating and / or light irradiation is 10% RH or less.

本発明の金属層の腐食防止方法(本発明の積層体、本発明の半導体発光装置)において使用されるシリコーン樹脂組成物(本発明のシリコーン樹脂組成物)は、
前記金属層の上に前記シリコーン樹脂組成物を厚さ1mmに付与し硬化させて、前記金属層とシリコーン樹脂層とを有する積層体とし、
前記積層体を560ppmの硫化水素ガス中に23℃の条件下で置く耐硫化試験を行い、前記耐硫化試験の前および前記耐硫化試験開始から24時間後における、前記積層体の分光反射率を分光反射率計を用いて測定し、前記分光反射率を式[分光反射率維持率=耐硫化試験後の分光反射率/耐硫化試験前の分光反射率×100]に当てはめ算出される分光反射率維持率が80%以上であるのが好ましい。
The silicone resin composition (the silicone resin composition of the present invention) used in the method for preventing corrosion of a metal layer of the present invention (the laminate of the present invention, the semiconductor light-emitting device of the present invention),
On the metal layer, the silicone resin composition is applied to a thickness of 1 mm and cured to obtain a laminate having the metal layer and the silicone resin layer,
A sulfidation test is performed in which the laminate is placed in 560 ppm hydrogen sulfide gas at 23 ° C., and the spectral reflectance of the laminate is measured before the sulfidation test and 24 hours after the start of the sulfidation test. Spectral reflectance measured by using a spectral reflectometer and calculated by fitting the spectral reflectance to the formula [spectral reflectance maintenance rate = spectral reflectance after sulfidation resistance test / spectral reflectance before sulfurization resistance × 100]. The rate maintenance rate is preferably 80% or more.

本発明において分光反射率維持率は以下の方法で測定された。
<積層体の作製>
すなわち、まず、前記金属層の上に前記シリコーン樹脂組成物を厚さ1mmに付与し十分に硬化させて、前記金属層とシリコーン樹脂層とを有する積層体とした。なお同じ積層体のサンプルを2つ作製した。積層体の硬化は、シリコーン樹脂組成物が加熱硬化型である場合、または熱ラジカル開始剤を含有する場合は、150℃の条件下で3時間加熱するとする。シリコーン樹脂組成物が光照射で硬化する場合、その硬化は高圧水銀灯照射条件下で積算光量8,000mJ/cm2で光照射をするとする。シリコーン樹脂組成物がカチオン重合で重合する場合、その硬化は150℃の条件下で3時間加熱するとする。
<耐硫化試験>
次に、サンプルのうちの1つの積層体を用いて、これを560ppmの硫化水素ガス中に23℃の条件下で置く耐硫化試験を行った。
耐硫化試験の詳細は以下のとおりである。
耐硫化試験:10Lのデシケーターの底に粉状に粉砕した硫化鉄を10g程度(塩酸0.5mmolに対して大過剰)を置き、この硫化鉄の上方に、硫化鉄に接触しないように目皿(貫通孔を有する)をデシケーター内に取り付け、この目皿の上に積層体(硬化後のサンプル)を置いた。次に、大過剰の硫化鉄に0.5mmolの塩酸を滴下することにより、0.25mmolの硫化水素(濃度:560ppm)を発生させた(反応式:FeS+2HCl→FeCl2+H2S)。
本発明において耐硫化試験での硫化水素の濃度は理論値であるものとする。耐硫化試験では塩酸を0.5mmol添加しているので硫化水素は0.25mmol(0.25mmol×22.4リットル=5.6ミリリットル)生成する。故に硫化水素の濃度は
[5.6ミリリットル/10リットル(デシケータの容積)]×106=560ppm
となる。
<分光反射率の測定>
そして、前記耐硫化試験の前および前記耐硫化試験開始(硫化水素の発生開始)から24時間後における、前記積層体の分光反射率を分光反射率計を用いて測定した。
<評価方法>
得られた、耐硫化試験後の分光反射率および耐硫化試験前の分光反射率を式[分光反射率維持率=(耐硫化試験後の分光反射率/耐硫化試験前の分光反射率)×100]に当てはめて分光反射率維持率を算出した。
算出された分光反射率維持率が80%以上である場合、耐硫化性が良好であると評価した。
In the present invention, the spectral reflectance maintenance factor was measured by the following method.
<Production of laminate>
That is, first, the silicone resin composition was applied to a thickness of 1 mm on the metal layer and sufficiently cured to obtain a laminate having the metal layer and the silicone resin layer. Two samples of the same laminate were produced. When the silicone resin composition is a thermosetting type or contains a thermal radical initiator, the laminated body is heated at 150 ° C. for 3 hours. In the case where the silicone resin composition is cured by light irradiation, it is assumed that the curing is performed by light irradiation with an integrated light amount of 8,000 mJ / cm 2 under irradiation conditions of a high-pressure mercury lamp. When the silicone resin composition is polymerized by cationic polymerization, the curing is performed by heating at 150 ° C. for 3 hours.
<Sulfurization resistance test>
Next, a sulfidation resistance test was performed using one laminate of the samples and placing it in 560 ppm hydrogen sulfide gas at 23 ° C.
Details of the sulfidation resistance test are as follows.
Sulfur resistance test: Place 10 g of powdered iron sulfide (a large excess with respect to 0.5 mmol of hydrochloric acid) on the bottom of a 10-liter desiccator and place it above the iron sulfide so that it does not come into contact with the iron sulfide. (Having through-holes) was mounted in a desiccator, and the laminate (cured sample) was placed on the eye plate. Next, 0.25 mmol of hydrogen sulfide (concentration: 560 ppm) was generated by dropping 0.5 mmol of hydrochloric acid into a large excess of iron sulfide (reaction formula: FeS + 2HCl → FeCl 2 + H 2 S).
In the present invention, the concentration of hydrogen sulfide in the sulfidation resistance test is a theoretical value. In the sulfidation resistance test, 0.5 mmol of hydrochloric acid is added, so that 0.25 mmol (0.25 mmol × 22.4 liters = 5.6 ml) of hydrogen sulfide is generated. Therefore, the concentration of hydrogen sulfide is [5.6 ml / 10 liter (desiccator volume)] × 10 6 = 560 ppm.
It becomes.
<Measurement of spectral reflectance>
And the spectral reflectance of the said laminated body was measured using the spectral reflectometer before the said sulfidation resistance test and 24 hours after the said sulfidation resistance test start (hydrogen sulfide generation | occurrence | production start).
<Evaluation method>
The obtained spectral reflectance after the sulfuration resistance test and spectral reflectance before the sulfuration resistance test are expressed by the formula [spectral reflectance maintenance ratio = (spectral reflectance after sulfurization test / spectral reflectance before sulfurization test) × 100] and the spectral reflectance maintenance factor was calculated.
When the calculated spectral reflectance maintenance factor was 80% or more, it was evaluated that the sulfide resistance was good.

本発明において、金属層の変色による耐硫化性の評価は以下のように行われた。
まず、分光反射率維持率の測定と同様に、積層体を作製し、耐硫化試験を行った。耐硫化試験開始から24時間後における、シリコーン樹脂層でおおわれた金属層の変色を目視で確認した。
耐硫化試験開始から24時間後において、耐硫化試験をした積層体の金属層の面が、耐硫化試験をしていない積層体と比べて変色しなかったものを「○」、変色したものを「×」とした。
In the present invention, the evaluation of sulfidation resistance by discoloration of the metal layer was performed as follows.
First, similarly to the measurement of the spectral reflectance maintenance rate, a laminate was prepared and a sulfuration resistance test was performed. The discoloration of the metal layer covered with the silicone resin layer 24 hours after the start of the sulfidation test was visually confirmed.
24 hours after the start of the sulfidation test, “○” indicates that the surface of the metal layer of the laminate subjected to the sulfidation test was not discolored compared to the laminate not subjected to the sulfidation test, It was set as “x”.

シリコーン樹脂組成物(本発明のシリコーン樹脂組成物)を用いて得られる硬化物[シリコーン樹脂層、封止材](硬化物の厚さが2mmである場合)は、JIS K0115:2004に準じ紫外・可視吸収スペクトル測定装置(島津製作所社製、以下同様。)を用いて波長400nmにおいて測定された透過率が、80%以上であるのが好ましく、85%以上であるのがより好ましい。   A cured product [silicone resin layer, sealing material] (when the thickness of the cured product is 2 mm) obtained using the silicone resin composition (silicone resin composition of the present invention) is an ultraviolet ray according to JIS K0115: 2004. The transmittance measured at a wavelength of 400 nm using a visible absorption spectrum measuring apparatus (manufactured by Shimadzu Corporation, the same shall apply hereinafter) is preferably 80% or more, and more preferably 85% or more.

また、シリコーン樹脂組成物を用いて得られる硬化物[シリコーン樹脂層、封止材]は、初期硬化の後耐熱試験[初期硬化後の硬化物(厚さ:2mm)を100℃の条件下に500時間置く試験]を行いその後の硬化物について、JIS K0115:2004に準じ紫外・可視スペクトル測定装置を用いて波長400nmにおいて測定された光透過率が、80%以上であるのが好ましく、85%以上であるのがより好ましい。   Moreover, the cured product [silicone resin layer, sealing material] obtained using the silicone resin composition is subjected to a heat resistance test after initial curing [cured product after initial curing (thickness: 2 mm) at 100 ° C. The test is conducted for 500 hours], and the cured product thereafter has a light transmittance of preferably 80% or more measured at a wavelength of 400 nm using an ultraviolet / visible spectrum measuring apparatus in accordance with JIS K0115: 2004, and 85% The above is more preferable.

シリコーン樹脂組成物を用いて得られる硬化物[シリコーン樹脂層、封止材]は、その光透過性保持率(耐熱試験後の光透過率/初期硬化の際の光透過率×100)が、70〜100%であるのが好ましく、80〜100%であるのがより好ましい。   The cured product [silicone resin layer, sealing material] obtained using the silicone resin composition has a light transmission retention ratio (light transmittance after heat resistance test / light transmittance during initial curing × 100). It is preferably 70 to 100%, and more preferably 80 to 100%.

シリコーン樹脂組成物(本発明のシリコーン樹脂組成物)は、例えば、接着剤、プライマー、封止材(例えば、半導体発光装置用)として使用することができる。シリコーン樹脂組成物(本発明のシリコーン樹脂組成物)を適用することができる半導体発光素子としては、例えば、発光ダイオード(LED)、有機電界発光素子(有機EL)、レーザーダイオード、LEDアレイが挙げられる。LEDチップの種類としては、例えば、ハイパワーLED、高輝度LED、汎用輝度LEDが挙げられる。
また、シリコーン樹脂組成物(本発明のシリコーン樹脂組成物)は、例えば、ディスプレイ材料、光記録媒体材料、光学機器材料、光部品材料、光ファイバー材料、光・電子機能有機材料、半導体集積回路周辺材料等の用途に用いることができる。
The silicone resin composition (silicone resin composition of the present invention) can be used, for example, as an adhesive, a primer, or a sealing material (for example, for a semiconductor light emitting device). Examples of the semiconductor light emitting device to which the silicone resin composition (silicone resin composition of the present invention) can be applied include a light emitting diode (LED), an organic electroluminescent device (organic EL), a laser diode, and an LED array. . Examples of the LED chip include a high power LED, a high luminance LED, and a general luminance LED.
The silicone resin composition (silicone resin composition of the present invention) includes, for example, display materials, optical recording medium materials, optical equipment materials, optical component materials, optical fiber materials, optical / electronic functional organic materials, and semiconductor integrated circuit peripheral materials. It can be used for such applications.

本発明の積層体について以下に説明する。
本発明の積層体は、
第11族の金属から得られる金属層と、
本発明のシリコーン樹脂組成物を用いて得られるシリコーン樹脂層とを有する積層体である。
The laminated body of this invention is demonstrated below.
The laminate of the present invention is
A metal layer obtained from a Group 11 metal;
It is a laminated body which has a silicone resin layer obtained using the silicone resin composition of this invention.

本発明の積層体に使用されるシリコーン樹脂組成物は本発明のシリコーン樹脂組成物であれば特に制限されない。
本発明の積層体に使用される金属層は本発明の金属層の腐食防止方法に使用される金属層と同じである。
本発明の積層体は、金属層とシリコーン樹脂層との間に半導体発光素子を有するのが好ましい態様の1つとして挙げられる。半導体発光素子は特に制限されない。例えば、上記と同義のものが挙げられる。
The silicone resin composition used for the laminate of the present invention is not particularly limited as long as it is the silicone resin composition of the present invention.
The metal layer used in the laminate of the present invention is the same as the metal layer used in the method for preventing corrosion of the metal layer of the present invention.
The laminated body of this invention is mentioned as one of the aspects with preferable having a semiconductor light-emitting device between a metal layer and a silicone resin layer. The semiconductor light emitting device is not particularly limited. For example, the same thing as the above is mentioned.

本発明の積層体について添付の図面を用いて以下に説明する。
図1は、本発明の積層体の一例を模式的に示す断面図である。
図1において、積層体100は金属層120とシリコーン樹脂層102とを有する。
The laminated body of this invention is demonstrated below using attached drawing.
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of the laminate of the present invention.
In FIG. 1, the laminate 100 includes a metal layer 120 and a silicone resin layer 102.

図2は、本発明の積層体の別の一例を模式的に示す断面図である。
図2において、積層体200は金属層220と半導体発光素子203とシリコーン樹脂層202とを有する。積層体200は半導体発光素子203とシリコーン樹脂層202との間にさらに透明な層(図示せず。)を有することができる。透明な層としては、例えば、樹脂層、ガラス層、空気層が挙げられる。
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing another example of the laminate of the present invention.
In FIG. 2, the laminate 200 includes a metal layer 220, a semiconductor light emitting element 203, and a silicone resin layer 202. The laminated body 200 can further include a transparent layer (not shown) between the semiconductor light emitting element 203 and the silicone resin layer 202. Examples of the transparent layer include a resin layer, a glass layer, and an air layer.

本発明の半導体発光装置について以下に説明する。
本発明の半導体発光装置は、
半導体発光素子と、凹部を有する枠体と、封止材とを有し、
前記半導体発光素子は前記凹部の底部に配置され、
前記枠体は前記凹部の側面および/または底面に第11族の金属から得られるリフレクタを備え、
前記封止材は前記半導体発光素子および前記リフレクタを封止し、
前記封止材が、本発明のシリコーン樹脂組成物を用いて得られる半導体発光装置である。
The semiconductor light emitting device of the present invention will be described below.
The semiconductor light emitting device of the present invention is
A semiconductor light emitting element, a frame having a recess, and a sealing material;
The semiconductor light emitting device is disposed at the bottom of the recess,
The frame includes a reflector obtained from a Group 11 metal on the side and / or bottom of the recess,
The sealing material seals the semiconductor light emitting element and the reflector,
The sealing material is a semiconductor light emitting device obtained using the silicone resin composition of the present invention.

本発明の半導体発光装置に使用されるシリコーン樹脂組成物は本発明のシリコーン樹脂組成物であれば特に制限されない。
本発明の半導体発光装置に使用されるリフレクタは本発明の金属層の腐食防止方法に使用される金属層とその材質が同じである。
The silicone resin composition used in the semiconductor light emitting device of the present invention is not particularly limited as long as it is the silicone resin composition of the present invention.
The reflector used in the semiconductor light emitting device of the present invention is the same material as the metal layer used in the method for preventing corrosion of a metal layer of the present invention.

本発明の半導体発光装置について添付の図面を用いて以下に説明する。
図3は、本発明の半導体発光装置の一例を模式的に示す断面図である。
図3において、半導体発光装置300は、半導体発光素子303と、凹部302を有する枠体304と、封止材308とを有し、半導体発光素子303は凹部302の底部(図示せず。)に配置され、枠体304は凹部302の側面および/または底面(図示せず。)に第11族の金属から得られるリフレクタ320を備え、封止材308は半導体発光素子303およびリフレクタ320を封止する。
封止材308は、本発明のシリコーン樹脂組成物を硬化させたものである。凹部302において斜線部306まで本発明のシリコーン樹脂組成物で充填してもよい。または符号308の部分を他の透明な層とし斜線部306を本発明の半導体発光装置が有する封止材とすることができる。封止材は蛍光物質等を含有することができる。
半導体発光装置は1個当たり、1個のまたは複数の半導体発光素子を有することができる。半導体発光素子は発光層(マウント部材と接する面の反対面)を上にして枠体内に配置すればよい。
半導体発光素子303は、枠体304と基板310とから形成される、凹部302の底部(図示せず。)に配置され、マウント部材301で固定されている。
枠体304が有する端部312、314が一体的に結合して、リフレクタが底面、または側面および底部を形成する場合リフレクタの底部の上に半導体発光素子を配置することができる。
リフレクタ320は凹部302の底部(図示せず。)から遠ざかるほど断面寸法が大きくなる、テーパ状の開口端(図示せず。)を有するものとすることができる。
マウント部材としては例えば銀ペースト、樹脂が挙げられる。半導体発光素子303の各電極(図示せず。)と外部電極309とは導電性ワイヤー307によってワイヤーボンディングされている。
The semiconductor light emitting device of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an example of the semiconductor light emitting device of the present invention.
In FIG. 3, the semiconductor light emitting device 300 includes a semiconductor light emitting element 303, a frame 304 having a recess 302, and a sealing material 308, and the semiconductor light emitting element 303 is on the bottom (not shown) of the recess 302. The frame body 304 includes a reflector 320 obtained from a Group 11 metal on the side surface and / or bottom surface (not shown) of the recess 302, and the sealing material 308 seals the semiconductor light emitting element 303 and the reflector 320. To do.
The sealing material 308 is obtained by curing the silicone resin composition of the present invention. The recessed portion 302 may be filled up to the shaded portion 306 with the silicone resin composition of the present invention. Alternatively, the portion denoted by reference numeral 308 may be another transparent layer, and the hatched portion 306 may be a sealing material included in the semiconductor light emitting device of the present invention. The sealing material can contain a fluorescent substance or the like.
Each semiconductor light emitting device can have one or a plurality of semiconductor light emitting elements. The semiconductor light emitting device may be disposed in the frame with the light emitting layer (the surface opposite to the surface in contact with the mount member) facing up.
The semiconductor light emitting element 303 is disposed on the bottom (not shown) of the recess 302 formed from the frame 304 and the substrate 310, and is fixed by the mount member 301.
When the end portions 312 and 314 included in the frame body 304 are integrally coupled to form a bottom surface, a side surface, and a bottom portion, the semiconductor light emitting element can be disposed on the bottom portion of the reflector.
The reflector 320 may have a tapered opening end (not shown) whose sectional dimension increases as the distance from the bottom (not shown) of the recess 302 increases.
Examples of the mounting member include silver paste and resin. Each electrode (not shown) of the semiconductor light emitting element 303 and the external electrode 309 are wire bonded by a conductive wire 307.

半導体発光装置300は、凹部302を封止材308、306または302(部分308と部分306とを合わせた部分)で封止することができる。
半導体発光装置をこのように封止することによって、耐硫化性を高めリフレクタ(金属層、特に銀、銀メッキ層)の腐食(例えば、変色。具体的には銀の変色)を抑制することができ、半導体発光装置の輝度や透明性を低下させることがない。
また、凹部を封止材で封止することによって、封止材は低硬度で硬化収縮が小さいため、封止材が硬化収縮によって凹部からのハガレたり、ワイヤーを断線するのを抑制することができる。
In the semiconductor light emitting device 300, the recess 302 can be sealed with a sealing material 308, 306, or 302 (a portion in which the portion 308 and the portion 306 are combined).
By sealing the semiconductor light emitting device in this way, the resistance to sulfidation is enhanced and corrosion (for example, discoloration, specifically, discoloration of silver) of the reflector (metal layer, particularly silver, silver plating layer) can be suppressed. And the luminance and transparency of the semiconductor light emitting device are not lowered.
In addition, by sealing the recess with the sealing material, the sealing material has low hardness and small curing shrinkage, so that the sealing material can be prevented from peeling from the recess or breaking the wire due to curing shrinkage. it can.

図4は、本発明の半導体発光装置の別の一例を模式的に示す断面図である。
図4において、半導体発光装置400は図3に示す半導体発光装置300の上にレンズ401を有する。レンズ401は本発明のシリコーン樹脂組成物を用いて形成されてもよい。
FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing another example of the semiconductor light emitting device of the present invention.
In FIG. 4, a semiconductor light emitting device 400 has a lens 401 on the semiconductor light emitting device 300 shown in FIG. The lens 401 may be formed using the silicone resin composition of the present invention.

図5は、本発明の半導体発光装置の別の一例を模式的に示す断面図である。
図5において、半導体発光装置500は、半導体発光素子503と、凹部(図示せず。)を有する枠体(図示せず。)を含む基板510と、封止材502とを有し、半導体発光素子503は凹部の底部(図示せず。)に配置され、枠体は凹部の側面および/または底面(図示せず。)に第11族の金属から得られるリフレクタ520を備え、封止材502は半導体発光素子503およびリフレクタ520を封止し、ランプ機能を有する樹脂506の内部に基板510、インナーリード505を有し、封止材502が上述のシリコーン樹脂組成物から得られ、耐硫化性を有する半導体発光装置である。
図5において、枠体(図示せず。)と基板510とを一体に形成することができる。
半導体発光素子503は、基板510上にマウント部材501で固定されている。マウント部材としては、例えば、銀ペースト、樹脂が挙げられる。
半導体発光素子503の各電極(図示せず。)はインナーリード505と導電性ワイヤー507によってワイヤーボンディングさせている。
樹脂506を本発明のシリコーン樹脂組成物を用いて形成することができる。
FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing another example of the semiconductor light emitting device of the present invention.
In FIG. 5, a semiconductor light emitting device 500 includes a semiconductor light emitting element 503, a substrate 510 including a frame (not shown) having a recess (not shown), and a sealing material 502. The element 503 is disposed at the bottom (not shown) of the recess, and the frame includes a reflector 520 obtained from a Group 11 metal on the side and / or bottom (not shown) of the recess. Encapsulates the semiconductor light emitting element 503 and the reflector 520, and has a substrate 510 and inner leads 505 inside a resin 506 having a lamp function, and the encapsulant 502 is obtained from the above-described silicone resin composition, and is resistant to sulfidation. A semiconductor light emitting device having
In FIG. 5, a frame (not shown) and the substrate 510 can be integrally formed.
The semiconductor light emitting element 503 is fixed on the substrate 510 with a mount member 501. Examples of the mount member include silver paste and resin.
Each electrode (not shown) of the semiconductor light emitting element 503 is wire-bonded by an inner lead 505 and a conductive wire 507.
Resin 506 can be formed using the silicone resin composition of the present invention.

本発明のシリコーン樹脂組成物および/または本発明の半導体発光装置をLED表示器に利用する場合について添付の図面を用いて説明する。   The case where the silicone resin composition of the present invention and / or the semiconductor light emitting device of the present invention is used for an LED display will be described with reference to the accompanying drawings.

図6は、本発明のシリコーン樹脂組成物および/または本発明の半導体発光装置を用いたLED表示器の一例を模式的に示す図である。
図6において、LED表示器600は、半導体発光装置601を筐体604の内部にマトリックス状に配置し、半導体発光装置601を封止材606で封止し、筐体604の一部に遮光部材605を配置して構成されている。本発明のシリコーン樹脂組成物を封止材606に使用することができる。また、半導体発光装置601として本発明の半導体発光装置を使用することができる。
FIG. 6 is a diagram schematically showing an example of an LED display using the silicone resin composition of the present invention and / or the semiconductor light emitting device of the present invention.
In FIG. 6, an LED display 600 includes a semiconductor light emitting device 601 arranged in a matrix inside a housing 604, the semiconductor light emitting device 601 is sealed with a sealing material 606, and a light shielding member is formed on a part of the housing 604. 605 is arranged. The silicone resin composition of the present invention can be used for the sealing material 606. Further, the semiconductor light emitting device of the present invention can be used as the semiconductor light emitting device 601.

本発明の半導体発光装置の用途としては、例えば、自動車用ランプ(ヘッドランプ、テールランプ、方向ランプ等)、家庭用照明器具、工業用照明器具、舞台用照明器具、ディスプレイ、信号、プロジェクターが挙げられる。   Applications of the semiconductor light emitting device of the present invention include, for example, automotive lamps (head lamps, tail lamps, directional lamps, etc.), household lighting fixtures, industrial lighting fixtures, stage lighting fixtures, displays, signals, and projectors. .

以下に、実施例を示して本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。
1.オルガノポリシロキサンの製造
両端にシラノール基を有するポリジメチルシロキサン(重量平均分子量28,000、商品名ss70、信越化学工業社製)100質量部、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン(商品名KBM503、信越化学工業社製)4質量部、および触媒として2−エチルへキサン酸スズ(関東化学社製)0.01質量部を反応容器に入れ、圧力を10mmHg、温度を80℃に保ちながら6時間反応させた。
得られた反応物について1H−NMR分析を行い、ポリジメチルシロキサンの両末端がメタクリルオキシプロピルジメトキシシリル基であることを確認した。
得られたポリジメチルシロキサンを(A)ポリシロキサン4とする。
(A)ポリシロキサン4の重量平均分子量は、クロロホルムを溶媒とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算(以下同様)で、35,000であった。
Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples. However, the present invention is not limited to these.
1. Production of organopolysiloxane Polydimethylsiloxane having silanol groups at both ends (weight average molecular weight 28,000, trade name ss70, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 100 parts by mass, methacryloxypropyltrimethoxysilane (trade name KBM503, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 4 parts by mass) and 0.01 part by mass of tin 2-ethylhexanoate (manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.) as a catalyst were placed in a reaction vessel and reacted for 6 hours while maintaining the pressure at 10 mmHg and the temperature at 80 ° C. .
The obtained reaction product was subjected to 1 H-NMR analysis to confirm that both ends of the polydimethylsiloxane were methacryloxypropyldimethoxysilyl groups.
Let the obtained polydimethylsiloxane be (A) polysiloxane 4.
(A) The weight average molecular weight of polysiloxane 4 was 35,000 in terms of polystyrene by gel permeation chromatography (GPC) using chloroform as a solvent (hereinafter the same).

2.評価
以下に示す方法で分光反射率維持率、耐硫化性(金属の変色の評価)、透明性を評価した。結果を第1表に示す。
2.1.分光反射率維持率
硬化サンプル作製:銀メッキ上に下記のとおり製造したシリコーン樹脂組成物を厚さ1mm程度になるよう塗布し、シリコーン樹脂組成物を以下の硬化条件で硬化させて、硬化サンプルを作製した。
2. Evaluation Spectral reflectance maintenance factor, sulfidation resistance (evaluation of discoloration of metal), and transparency were evaluated by the following methods. The results are shown in Table 1.
2.1. Spectral reflectance maintenance rate Hardened sample preparation: The silicone resin composition manufactured as follows is applied onto silver plating so that the thickness is about 1 mm, the silicone resin composition is cured under the following curing conditions, and a cured sample is prepared. Produced.

硬化条件
・シリコーン樹脂組成物(ポリシロキサン)がエポキシ基を有する場合:150℃で3時間
・シリコーン組成物が熱ラジカル開始剤を含有する場合:150℃で3時間
Curing conditions-When the silicone resin composition (polysiloxane) has an epoxy group: 3 hours at 150 ° C-When the silicone composition contains a thermal radical initiator: 3 hours at 150 ° C

耐硫化試験:10Lのデシケーターの底に粉状に粉砕した硫化鉄を10g程度(塩酸0.5mmolに対して大過剰)を置き、この硫化鉄の上方に、硫化鉄に接触しないように目皿(貫通孔を有する)をデシケーター内に取り付け、この目皿の上に硬化サンプルを置いた。次に、大過剰の硫化鉄に0.5mmolの塩酸を滴下することにより、0.25mmolの硫化水素(濃度の理論値:560ppm)を発生させた(反応式:FeS+2HCl→FeCl2+H2S)。耐硫化試験における温度は23℃とする。
分光反射率の測定:そして、前記耐硫化試験の前および前記耐硫化試験開始(硫化水素の発生開始)から24時間後における、前記積層体の分光反射率を分光反射率計(ウシオ電機社製のURE−30)を用いて475nmの条件で測定した。
評価方法:得られた、耐硫化試験後の分光反射率および耐硫化試験前の分光反射率を式[分光反射率維持率=(耐硫化試験後の分光反射率/耐硫化試験前の分光反射率)×100]に当てはめて分光反射率維持率を算出した。
算出された分光反射率維持率が95%以上である場合を「◎」、80%以上95%未満である場合を「○」、65%以上80%未満である場合を「△」、65%未満である場合を「×」と評価した。
Sulfur resistance test: Place 10 g of powdered iron sulfide (a large excess with respect to 0.5 mmol of hydrochloric acid) on the bottom of a 10-liter desiccator and place it above the iron sulfide so that it does not come into contact with the iron sulfide. (Having through-holes) was mounted in a desiccator, and the cured sample was placed on the eye plate. Next, 0.25 mmol of hydrogen sulfide (concentration theoretical value: 560 ppm) was generated by dropping 0.5 mmol of hydrochloric acid into a large excess of iron sulfide (reaction formula: FeS + 2HCl → FeCl 2 + H 2 S). . The temperature in the sulfidation resistance test is 23 ° C.
Spectral reflectance measurement: The spectral reflectance of the laminate was measured before the sulfurization resistance test and 24 hours after the start of the sulfurization resistance test (starting generation of hydrogen sulfide). URE-30) was measured under the condition of 475 nm.
Evaluation method: The obtained spectral reflectance after the anti-sulfurization test and the spectral reflectance before the anti-sulfurization test are expressed by the formula [spectral reflectance maintenance ratio = (spectral reflectance after the anti-sulfurization test / spectral reflection before the anti-sulfurization test]. Ratio) × 100], and the spectral reflectance maintenance factor was calculated.
The case where the calculated spectral reflectance maintenance factor is 95% or more is “◎”, the case where it is 80% or more and less than 95% is “◯”, the case where it is 65% or more and less than 80% is “Δ”, 65% The case where it was less than "x" was evaluated.

2.2.耐硫化性(金属の変色の評価)
まず、分光反射率維持率の測定と同様に、積層体を作製し、耐硫化試験を行った。耐硫化試験開始から24時間後における、シリコーン樹脂層でおおわれた金属層の変色を目視で確認した。
目視により試験開始から24時間後に変色が確認されなかったものを「○」、目視により試験開始から24時間後に変色が確認されたものを「×」とした。
2.2. Sulfide resistance (evaluation of discoloration of metals)
First, similarly to the measurement of the spectral reflectance maintenance rate, a laminate was prepared and a sulfuration resistance test was performed. The discoloration of the metal layer covered with the silicone resin layer 24 hours after the start of the sulfidation test was visually confirmed.
The case where the color change was not confirmed visually after 24 hours from the start of the test was “◯”, and the case where the color change was visually confirmed 24 hours after the start of the test was indicated as “X”.

2.2.透明性(光透過率評価試験)
光透過率評価試験において、下記のようにして得られたシリコーン樹脂組成物を150℃の条件下で12時間硬化させて得られた初期硬化物、および耐熱試験(初期硬化物をさらに150℃の条件下で10日間加熱する試験。)後の硬化物(いずれも厚さが2mm。)についてそれぞれ、JIS K0115:2004に準じ紫外・可視吸収スペクトル測定装置(島津製作所社製)を用いて波長400nmにおける透過率を測定した。また、耐熱試験後の光透過率の初期の光透過率に対する保持率を下記計算式によって求めた。
光透過率保持率(%)=[(耐熱試験後の光透過率)/(初期の光透過率)]×100
透明性の評価結果として上記のようにして得られた光透明率保持率(%)を第1表に示す。
2.2. Transparency (light transmittance evaluation test)
In the light transmittance evaluation test, an initial cured product obtained by curing the silicone resin composition obtained as described below at 150 ° C. for 12 hours, and a heat resistance test (the initial cured product was further cured at 150 ° C. A test of heating for 10 days under the conditions.) For each of the cured products (both having a thickness of 2 mm), a wavelength of 400 nm using an ultraviolet / visible absorption spectrum measuring apparatus (manufactured by Shimadzu Corporation) according to JIS K0115: 2004, respectively. The transmittance was measured. Moreover, the retention with respect to the initial light transmittance of the light transmittance after the heat resistance test was obtained by the following formula.
Light transmittance holding ratio (%) = [(light transmittance after heat resistance test) / (initial light transmittance)] × 100
Table 1 shows the light transparency retention ratio (%) obtained as described above as the evaluation result of transparency.

3.シリコーン樹脂組成物の製造
下記第1表に示す成分を同表に示す量(単位:質量部)で用い、これらを真空かくはん機で均一に混合してシリコーン樹脂組成物を製造した。
3. Production of Silicone Resin Composition The components shown in Table 1 below were used in the amounts shown in the same table (unit: parts by mass), and these were uniformly mixed with a vacuum stirrer to produce a silicone resin composition.

第1表に示されている各成分の詳細は以下のとおりである。
・ポリシロキサン1:x−22−163C(エポキシ変性シリコーン、信越化学社製)、重量平均分子量5,400、平均官能基数2個
・ポリシロキサン2:X−22−169B(エポキシ変性シリコーン、信越化学社製)、重量平均分子量3,400、平均官能基数2個
・ポリシロキサン3:x−22−161A(アミノ変性シリコーン、信越化学社製)、重量平均分子量1,600、平均官能基数2個
・ポリシロキサン4:上記のとおり製造したメタクリル化シリコーン、重量平均分子量35,000、平均官能基数2個
・ポリシロキサン5:KF−2001(メルカプト変性シリコーン、信越化学社製)、重量平均分子量6,000、平均官能基数3個
・ポリシロキサン6:x−22−3701E(カルボキシル変性シリコーン、信越化学社製)、重量平均分子量30,000、平均官能基数7個
・ポリシロキサン7:DMS−Z21(両末端無水コハク酸変性シリコーン、Gelest社製)、下記構造式で表されるポリシロキサン、重量平均分子量700、平均官能基数2個

・(B)亜鉛金属化合物1:亜鉛錯体、Znビスアセチルアセトナート(関東化学製)
・(B)亜鉛金属化合物2:亜鉛塩、ビス(エチルヘキサン酸)Zn、(ホープ製薬製)
・(E)アルミ化合物:Alアセチルアセトナート
・(E)マグネシウム化合物:ビス(2−エチルヘキサン酸)Mg(商品名:ニッカオクチックスマグネシウム、日本化学産業社製)
・ラジカル開始剤:熱ラジカル開始剤、化合物名1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、商品名パーオクタO(日油社製)
・アミン化合物:特殊アミン、サンアプロ社製
The details of each component shown in Table 1 are as follows.
Polysiloxane 1: x-22-163C (epoxy modified silicone, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), weight average molecular weight 5,400, average number of functional groups 2 polysiloxane 2: X-22-169B (epoxy modified silicone, Shin-Etsu Chemical) ), Weight average molecular weight 3,400, average number of functional groups 2-polysiloxane 3: x-22-161A (amino-modified silicone, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), weight average molecular weight 1,600, average number of functional groups 2 Polysiloxane 4: methacrylated silicone prepared as described above, weight average molecular weight 35,000, average number of functional groups 2 polysiloxane 5: KF-2001 (mercapto-modified silicone, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), weight average molecular weight 6,000 , Average functional group number 3 ・ Polysiloxane 6: x-22-3701E (carboxyl-modified silicone, Koshi Chemical Co., Ltd.), weight average molecular weight 30,000, average number of functional groups 7 ・ Polysiloxane 7: DMS-Z21 (both ends succinic anhydride-modified silicone, manufactured by Gelest), polysiloxane represented by the following structural formula, Weight average molecular weight 700, average number of functional groups 2

(B) Zinc metal compound 1: zinc complex, Zn bisacetylacetonate (manufactured by Kanto Chemical)
(B) Zinc metal compound 2: zinc salt, bis (ethylhexanoic acid) Zn, (Hope Pharmaceutical)
-(E) Aluminum compound: Al acetylacetonate-(E) Magnesium compound: bis (2-ethylhexanoic acid) Mg (trade name: Nikka Octix Magnesium, manufactured by Nippon Kagaku Sangyo Co., Ltd.)
-Radical initiator: thermal radical initiator, compound name 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy-2-ethylhexanoate, trade name perocta O (manufactured by NOF Corporation)
・ Amine compound: Special amine, manufactured by San Apro

4.結果
第1表に示す結果から明らかなように、亜鉛化合物を含有しない比較例1〜7の組成物を用いて得られたシリコーン樹脂層で覆われた、第11族の金属から得られる金属層は、変色してしまい耐硫化性が低かった。
これに対して、実施例1〜7の組成物を用いて得られたシリコーン樹脂層で覆われた、第11族の金属から得られる金属層は、変色がなく耐硫化性が高い。また、実施例1〜7の組成物を用いて得られたシリコーン樹脂層は透明性に優れた。
また、実施例1〜7の組成物を用いて得られたシリコーン樹脂層について目視で状態を確認したところ、シリコーン樹脂層にクラックの発生はなかった。
また、分光反射率維持率の評価で使用された硬化サンプルのシリコーン樹脂層の厚さを1mmから0.8mmに代えたほかは実施例1〜7と同様にして分光反射率維持率を評価した場合も実施例1〜7と同様の結果が得られた。
4). Results As is apparent from the results shown in Table 1, a metal layer obtained from a Group 11 metal covered with a silicone resin layer obtained using the compositions of Comparative Examples 1 to 7 not containing a zinc compound. Was discolored and had low sulfidation resistance.
On the other hand, the metal layer obtained from the metal of Group 11 covered with the silicone resin layer obtained using the compositions of Examples 1 to 7 has no discoloration and has high sulfidation resistance. Moreover, the silicone resin layer obtained using the composition of Examples 1-7 was excellent in transparency.
Moreover, when the state was visually confirmed about the silicone resin layer obtained using the composition of Examples 1-7, generation | occurrence | production of the crack was not found in the silicone resin layer.
Further, the spectral reflectance maintenance ratio was evaluated in the same manner as in Examples 1 to 7, except that the thickness of the silicone resin layer of the cured sample used in the evaluation of the spectral reflectance maintenance ratio was changed from 1 mm to 0.8 mm. In this case, the same results as in Examples 1 to 7 were obtained.

このように、本発明の金属層の腐食防止方法によれば、金属層の腐食(例えば、変色)を抑制することができるので、金属層の腐食による例えば金属層の光反射性を経時的に維持して光源(例えば半導体発光装置)の輝度が低下するのを抑制することができる。また、本発明の金属層の腐食防止方法において得られるシリコーン樹脂層は透明性に優れ、例えば光源の輝度を低下させることがない。また、本発明の金属層の腐食防止方法において得られるシリコーン樹脂層は、硬さが適切でクラックが発生しにくく、例えば半導体発光装置内のワイヤー等を断線させることがない。
本発明の積層体、本発明の半導体発光装置、本発明のシリコーン樹脂組成物は、本発明の金属層の腐食防止方法と同様の効果を達成することができる。
As described above, according to the method for preventing corrosion of a metal layer of the present invention, corrosion (for example, discoloration) of the metal layer can be suppressed. It is possible to maintain and suppress a decrease in luminance of the light source (for example, a semiconductor light emitting device). Moreover, the silicone resin layer obtained in the method for preventing corrosion of a metal layer of the present invention is excellent in transparency and does not lower the luminance of the light source, for example. In addition, the silicone resin layer obtained by the method for preventing corrosion of a metal layer according to the present invention is suitable in hardness and hardly cracks, and does not break, for example, a wire in a semiconductor light emitting device.
The laminated body of the present invention, the semiconductor light emitting device of the present invention, and the silicone resin composition of the present invention can achieve the same effects as the corrosion prevention method for a metal layer of the present invention.

100、200 積層体
102、202 シリコーン樹脂層
120、220 金属層
203 半導体発光素子
300、400、500 半導体発光装置
301、501 マウント部材
302、502 凹部、シリコーン樹脂層
303、503 半導体発光素子
304 枠体
306 斜線部(シリコーン樹脂層)
307、507 導電性ワイヤー
308 シリコーン樹脂層(その他の透明な層)
309 外部電極
312、314 端部
310、510 基板
320、520 リフレクタ
401 レンズ
505 インナーリード
506 樹脂
600 LED表示器
601 半導体発光装置
604 筐体
605 遮光部材
606 封止材
100, 200 Laminated body 102, 202 Silicone resin layer 120, 220 Metal layer 203 Semiconductor light emitting element 300, 400, 500 Semiconductor light emitting device 301, 501 Mounting member 302, 502 Recess, Silicone resin layer 303, 503 Semiconductor light emitting element 304 Frame body 306 Shaded area (silicone resin layer)
307, 507 Conductive wire 308 Silicone resin layer (other transparent layers)
309 External electrode 312, 314 End 310, 510 Substrate 320, 520 Reflector 401 Lens 505 Inner lead 506 Resin 600 LED display 601 Semiconductor light emitting device 604 Housing 605 Light shielding member 606 Sealing material

Claims (10)

第11族の金属を用いて得られる金属層を、
(A)エポキシ基、(メタ)アクリロイル基、アミノ基、カルビノール基、メルカプト基、カルボキシル基およびフェノール基から選ばれる反応性官能基を1分子中に少なくとも1つ以上有するオルガノポリシロキサン100質量部と、(B)亜鉛化合物0.01〜5質量部とを含有するシリコーン樹脂組成物を用いて得られるシリコーン樹脂層で覆い、
前記金属層の腐食を防止する、金属層の腐食防止方法。
A metal layer obtained using a Group 11 metal,
(A) 100 parts by mass of an organopolysiloxane having at least one reactive functional group selected from epoxy group, (meth) acryloyl group, amino group, carbinol group, mercapto group, carboxyl group and phenol group in one molecule And (B) a silicone resin layer obtained by using a silicone resin composition containing 0.01 to 5 parts by mass of a zinc compound,
A method for preventing corrosion of a metal layer, which prevents corrosion of the metal layer.
前記金属層の上に前記シリコーン樹脂組成物を厚さ1mmに付与し硬化させて、前記金属層とシリコーン樹脂層とを有する積層体とし、
前記積層体を560ppmの硫化水素ガス中に23℃の条件下で置く耐硫化試験を行い、前記耐硫化試験の前および前記耐硫化試験開始から24時間後における、前記積層体の分光反射率を分光反射率計を用いて測定し、前記分光反射率を式[分光反射率維持率=(耐硫化試験後の分光反射率/耐硫化試験前の分光反射率)×100]に当てはめ算出される分光反射率維持率が80%以上である、請求項1に記載の金属層の腐食防止方法。
On the metal layer, the silicone resin composition is applied to a thickness of 1 mm and cured to obtain a laminate having the metal layer and the silicone resin layer,
A sulfidation test is performed in which the laminate is placed in 560 ppm hydrogen sulfide gas at 23 ° C., and the spectral reflectance of the laminate is measured before the sulfidation test and 24 hours after the start of the sulfidation test. Measured using a spectral reflectometer and calculated by fitting the spectral reflectance to the formula [spectral reflectance maintenance ratio = (spectral reflectance after sulfidation test / spectral reflectance before sulfidation test) × 100]. The method for preventing corrosion of a metal layer according to claim 1, wherein the spectral reflectance maintenance factor is 80% or more.
前記亜鉛化合物が、亜鉛塩および/または亜鉛錯体である請求項1または2に記載の、金属層の腐食防止方法。   The method for preventing corrosion of a metal layer according to claim 1 or 2, wherein the zinc compound is a zinc salt and / or a zinc complex. 前記亜鉛化合物が下記式(1)および/または下記式(2)で表されるものである、請求項1〜3のいずれかに記載の金属層の腐食防止方法。
Zn(O−CO−R12 (1)
[式(1)中、R1は炭素数1〜18のアルキル基、アリール基である。]
Zn(R2COCHCOR32 (2)
[式(2)中、R2、R3は同一または異なる炭素数1〜18の1価の炭化水素基、アルコキシ基である。]
The method for preventing corrosion of a metal layer according to any one of claims 1 to 3, wherein the zinc compound is represented by the following formula (1) and / or the following formula (2).
Zn (O—CO—R 1 ) 2 (1)
[In Formula (1), R < 1 > is a C1-C18 alkyl group and an aryl group. ]
Zn (R 2 COCHCOR 3 ) 2 (2)
Wherein (2), R 2, R 3 are the same or different monovalent hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, an alkoxy group. ]
前記第11族の金属が、銅、銀および金からなる群から選ばれる少なくとも1種である請求項1〜4のいずれかに記載の、金属層の腐食防止方法。   The method for preventing corrosion of a metal layer according to any one of claims 1 to 4, wherein the Group 11 metal is at least one selected from the group consisting of copper, silver and gold. (A)エポキシ基、(メタ)アクリロイル基、アミノ基、カルビノール基、メルカプト基、カルボキシル基およびフェノール基から選ばれる反応性官能基を1分子中に少なくとも1つ以上有するオルガノポリシロキサン100質量部と、(B)亜鉛化合物0.01〜5質量部とを含有するシリコーン樹脂組成物であり、
第11族の金属を用いて得られる金属層の上に当該シリコーン樹脂組成物を厚さ1mmに付与し硬化させて、前記金属層とシリコーン樹脂層とを有する積層体とし、
前記積層体を560ppmの硫化水素ガス中に23℃の条件下で置く耐硫化試験を行い、前記耐硫化試験の前および前記耐硫化試験開始から24時間後における、前記積層体の分光反射率を分光反射率計を用いて測定し、前記分光反射率を式[分光反射率維持率=(耐硫化試験後の分光反射率/耐硫化試験前の分光反射率)×100]に当てはめ算出される分光反射率維持率が80%以上であるシリコーン樹脂組成物。
(A) 100 parts by mass of an organopolysiloxane having at least one reactive functional group selected from epoxy group, (meth) acryloyl group, amino group, carbinol group, mercapto group, carboxyl group and phenol group in one molecule And (B) a silicone resin composition containing 0.01 to 5 parts by mass of a zinc compound,
On the metal layer obtained using a Group 11 metal, the silicone resin composition is applied to a thickness of 1 mm and cured to form a laminate having the metal layer and the silicone resin layer,
A sulfidation test is performed in which the laminate is placed in 560 ppm hydrogen sulfide gas at 23 ° C., and the spectral reflectance of the laminate is measured before the sulfidation test and 24 hours after the start of the sulfidation test. Measured using a spectral reflectometer and calculated by fitting the spectral reflectance to the formula [spectral reflectance maintenance ratio = (spectral reflectance after sulfidation test / spectral reflectance before sulfidation test) × 100]. A silicone resin composition having a spectral reflectance maintenance factor of 80% or more.
第11族の金属を用いて得られるリフレクタおよび半導体発光素子を封止するために使用される請求項6に記載のシリコーン樹脂組成物。   The silicone resin composition of Claim 6 used in order to seal the reflector and semiconductor light-emitting device which are obtained using a group 11 metal. 第11族の金属を用いて得られる金属層と、
請求項6または7に記載のシリコーン樹脂組成物を用いて得られるシリコーン樹脂層とを有する積層体。
A metal layer obtained using a Group 11 metal;
The laminated body which has a silicone resin layer obtained using the silicone resin composition of Claim 6 or 7.
前記金属層と前記シリコーン樹脂層との間に半導体発光素子を有する請求項8に記載の積層体。   The laminated body of Claim 8 which has a semiconductor light-emitting device between the said metal layer and the said silicone resin layer. 半導体発光素子と、凹部を有する枠体と、封止材とを有し、
前記半導体発光素子は前記凹部の底部に配置され、
前記枠体は前記凹部の側面および/または底面に第11族の金属を用いて得られるリフレクタを備え、
前記封止材は前記半導体発光素子および前記リフレクタを封止し、
前記封止材が、請求項6または7に記載のシリコーン樹脂組成物を用いて得られる半導体発光装置。
A semiconductor light emitting element, a frame having a recess, and a sealing material;
The semiconductor light emitting device is disposed at the bottom of the recess,
The frame includes a reflector obtained using a Group 11 metal on a side surface and / or a bottom surface of the recess,
The sealing material seals the semiconductor light emitting element and the reflector,
The semiconductor light-emitting device obtained by using the silicone resin composition of Claim 6 or 7 for the said sealing material.
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