JP2012054320A - リードフレーム、ヒートシンクの取付構造、半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ヒートシンクとその上面側に配された端子板及び発熱体とを、モールド樹脂で封止した構成の半導体装置において、ヒートシンクと発熱体や端子板との相対的な位置精度を確保できると同時に、ヒートシンクと発熱体や端子板との電気的な短絡を防止できるようにする。
【解決手段】端子板３，４と、この端子板３，４と共に板状のヒートシンクをその厚さ方向から挟み込む狭持用リード７と、これら端子板３，４及び狭持用リード７を一体に連結する板状の枠体部５とを備え、狭持用リード７が、枠体部５に対して弾性変形可能に形成されると共に、ヒートシンク及び端子板３，４を封止するモールド樹脂の形成予定領域の外側に配されていることを特徴とする半導体装置製造用のリードフレーム１を提供する。
【選択図】図１

Description

この発明は、半導体装置、その製造に使用するリードフレーム、ヒートシンクの取付構造、及び、半導体装置の製造方法に関する。

従来、半導体チップのように通電によって発熱する発熱体をモールド樹脂で封止する半導体装置には、例えば特許文献１のように、銅やアルミニウム等の金属製のヒートシンクを取り付けて構成されたものがある。図１９，２０に示すように、この半導体装置２００はリードフレーム２０１を用いて製造されている。また、半導体装置２００の製造に際しては、リードフレーム２０１を構成する複数のリードの一部（固定用リード２０４）をヒートシンク２０２に形成された突起２０６（かしめ部）に係合させた上でカシメ加工を施すことにより、突起２０６に係合した固定用リード２０４をヒートシンク２０２に固定させている。
このようにヒートシンク２０２をリードフレーム２０１に固定しておくことは、半導体装置２００の製造に際して、ヒートシンク２０２と発熱体２０３やこれに電気接続される他のリード（端子用リード２０５）との相対的な位置精度を向上させる上で、非常に有効である。

特開２００６−２２２２５９号公報

しかしながら、上記従来の半導体装置２００には、ヒートシンク２０２に固定された固定用リード２０４が残ってしまうことで、この固定用リード２０４を介してヒートシンク２０２と端子用リード２０５やこれに接続された発熱体２０３との間で電気的な短絡が生じる虞があるため、半導体装置２００が固定リードを備えることは好ましくない。なお、この電気的な短絡は、半導体装置２００の小型化などに伴って、固定用リード２０４と端子用リード２０５との間隔が狭まることに起因して、特に生じ易くなる。

本発明は、上述した事情に鑑みたものであって、ヒートシンクと発熱体や端子用リードとの相対的な位置精度を確保できると同時に、ヒートシンクと発熱体や端子用リードとの電気的な短絡を防止することが可能な半導体装置、その製造に使用するリードフレーム、リードフレームに対するヒートシンクの取付構造、及び、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

この課題を解決するために、本発明のリードフレームは、板状のヒートシンクと、当該ヒートシンクの上面側に配される端子板と、当該端子板に電気接続される発熱体と、これらヒートシンク、端子板及び発熱体を封止するモールド樹脂とを備える半導体装置の製造に用いるリードフレームであって、
前記端子板と、当該端子板と共に前記ヒートシンクをその厚さ方向から挟み込む狭持用リードと、これら端子板及び狭持用リードを一体に連結する板状の枠体部とを備え、
前記狭持用リードは、前記枠体部に対して弾性変形可能に形成されると共に、前記モールド樹脂の形成予定領域の外側に配されていることを特徴とする。

そして、本発明の半導体装置の製造方法は、前記リードフレームを用意するフレーム準備工程と、前記端子板と前記狭持用リードとの間に板状のヒートシンクをその厚さ方向から挟み込んで、当該ヒートシンクをリードフレームに取り付ける取付工程と、前記ヒートシンクの上面側において前記リードフレームあるいは前記ヒートシンクに発熱体を搭載し、当該発熱体と前記端子板とを電気接続する接続工程と、前記ヒートシンク、前記端子板及び前記発熱体をモールド樹脂により封止し、かつ、前記狭持用リード及び前記枠体部を前記モールド樹脂の外側に位置させる樹脂封止工程と、前記枠体部及び前記狭持用リードを前記端子板から切り落とす切断工程と、を順番に実施することを特徴とする。

このように半導体装置を製造する場合、モールド樹脂が形成されるまでの間においては、端子板と狭持用リードとによってヒートシンクが挟み込まれていることで、ヒートシンクと端子板や発熱体との位置決めが維持される。また、モールド樹脂の形成後の状態においては、モールド樹脂によってヒートシンクと端子板や発熱体との位置決めが維持されている。したがって、上記のように製造された半導体装置では、ヒートシンクと発熱体や端子板との相対的な位置精度の向上を図ることができる。また、従来のようなカシメ加工も不要となるため、半導体装置の製造効率向上も図ることができる。
さらに、上記のように製造された半導体装置では、狭持用リードが切り落とされているため、狭持用リードに起因するヒートシンクと端子板との電気的な短絡も防止することができる。

なお、前記リードフレームにおいては、前記端子板及び前記狭持用リードが複数形成され、複数の端子板が、平面視した前記ヒートシンクの中央を基準として互いに対称な位置に配され、かつ、複数の狭持用リードが、平面視した前記ヒートシンクの中央を基準とした対称な位置に配されていることがより好ましい。
この構成のリードフレームによれば、半導体装置を製造する際に、ヒートシンクを安定した状態で端子板と狭持用リードとの間に挟み込むことができる。

そして、前記リードフレームにヒートシンクを取り付けた本発明のヒートシンクの取付構造は、前記ヒートシンクに、その下面から窪むと共に当該下面に隣り合う側面に開口し、前記狭持用リードを収容可能な有底の収容孔を形成したことを特徴とする。

この構成では、端子板及び狭持用リードによりヒートシンクを挟み込む際に、ヒートシンクに対して当接する狭持用リードの当接部分（先端部）が収容孔に収容されることになる。なお、狭持用リードは、ヒートシンクの下面と同じ側に向く収容孔の底面に当接するため、端子板及び狭持用リードによりヒートシンクを挟み込むことは可能となである。そして、このようにヒートシンクをリードフレームに取り付ける際には、狭持用リードの当接部分がヒートシンクの収容孔に係合するため、リードフレーム１とヒートシンク８との相対的な位置決めを容易に行うことができる。

そして、ヒートシンクをリードフレームに取り付けた状態においては、狭持用リードがヒートシンクの下面から突出することを防止できるため、リードフレームに取り付けられたヒートシンクは、その下面を下に向けた状態でも安定して載置することができる。したがって、ヒートシンクを取り付けた後に実施する半導体装置の各製造工程において、この取付構造体を容易に取り扱うことができる。
また、収容孔は、狭持用リードと共にモールド樹脂の外側に位置するため、ヒートシンクを下側にして半導体装置を各種装置に装着する際には、この収容孔を各種装置に対する半導体装置の位置決めのリファレンスとして利用することも可能である。

なお、前記取付構造では、前記ヒートシンクの下面に開口する前記収容孔の開口縁に、前記収容孔の底面側から前記ヒートシンクの下面に向かうにしたがって、前記収容孔の外側に広がる傾斜案内面が形成されていると好ましい。
この場合には、ヒートシンクに対する狭持用リードの当接部分（先端部）を収容孔に収容する際に、狭持用リードと収容孔の相対位置がずれていても、狭持用リードの当接部分が収容孔の傾斜案内面に当接することで、収容孔内に導かれるため、容易かつ確実に狭持用リードの当接部分を収容孔に収容することができる。

さらに、前記取付構造では、前記収容孔に、その底面から窪んで前記ヒートシンクの上面まで貫通する貫通孔が形成されていてもよい。

また、前記製造方法においては、前記接続工程後から前記樹脂封止工程前までの間に、前記ヒートシンクを前記端子板から離間させるように前記狭持用リードの弾性力に抗って前記厚さ方向に移動させ、前記樹脂封止工程においては、前記ヒートシンクと前記端子板との離間状態を保持するとよい。
この製造方法では、樹脂封止工程において形成されるモールド樹脂がヒートシンクと端子板との隙間に入り込むことで、ヒートシンクと端子板とを電気的に絶縁させることができる。言い換えれば、端子板とヒートシンクとの間にこれらを電気的に絶縁させる別個の部材を介在させる必要が無いため、半導体装置の部品点数を減らして、製造コストの削減を図ることができる。

そして、前記製造方法によって製造される本発明の半導体装置は、少なくとも前記ヒートシンクの上面、前記端子板及び前記発熱体が、前記モールド樹脂内に埋設されていることを特徴とする。

本発明によれば、ヒートシンクと発熱体や端子板との相対的な位置精度を確保できると同時に、ヒートシンクと発熱体や端子板との電気的な短絡を防止することが可能となる。

本発明の第一実施形態に係るリードフレームを示す斜視図である。 図１のリードフレームを用いた半導体装置の製造方法を説明する図であり、リードフレームにヒートシンク、半導体チップ及びボンディングワイヤを取り付けた状態を示す斜視図である。 図２の状態を示す上面図である。 図３のＡ−Ａ矢視断面図である。 図１のリードフレームを用いた半導体装置の製造方法を説明する図であり、モールド樹脂を形成した状態を示す上面図である。 図５のＢ−Ｂ矢視断面図である。 図５のＣ−Ｃ矢視断面図である。 図１のリードフレームを用いた半導体装置の製造方法を説明する図であり、端子板の基端板部を枠体部から切り離した状態を示す上面図である。 図１のリードフレームを用いた半導体装置の製造方法を説明する図であり、端子板の基端板部の屈曲工程を示す上面図である。 本発明の第二実施形態に係るリードフレーム及びヒートシンクの取付構造を示す斜視図である。 図１０の取付構造をヒートシンクの下面側から見た状態を示しており、（ａ）は要部拡大斜視図、（ｂ）は要部拡大断面図である。 図１０に示すリードフレーム及びヒートシンクによって製造される半導体装置を示す上面図である。 第二実施形態のヒートシンクの取付構造の変形例を示す要部拡大断面図である。 本発明の第三実施形態に係るリードフレーム及びヒートシンクの取付構造を示す上面図である。 本発明の第四実施形態に係るリードフレーム及びヒートシンクの取付構造を示す斜視図である。 図１５のリードフレーム及びヒートシンクの取付構造を示す概略断面図である。 第一〜第四実施形態に係るリードフレームの変形例を示す要部拡大斜視図である。 第一〜第四実施形態に係るリードフレームの変形例を示す要部拡大斜視図である。 従来の半導体装置の一例を示す概略断面図である。 図１９の半導体装置の製造段階を示しており、リードフレームにヒートシンクを取り付けた状態を示す概略上面図である。

〔第一実施形態〕
以下、図１〜９を参照して本発明の第一実施形態について説明する。
この実施形態に係るリードフレームは、図９に示すように、ヒートシンク８、複数の端子板３，４、半導体チップ（発熱体）９及びボンディングワイヤ（接続子）１０をモールド樹脂１１で封止した構成の半導体装置１００の製造に使用するものである。
図１に示すように、リードフレーム１は、銅板をはじめとする導電性板材に、半導体チップ９を搭載する板状のダイパッド２、半導体チップ９に電気接続するための複数の端子板３，４、これらダイパッド２及び複数の端子板３，４の周囲に配されて複数の端子板３，４を一体に連結する枠体部５、及び、ダイパッド２と枠体部５とを連結する連結リード６を形成して大略構成されている。このリードフレーム１は、導電性板材にプレス加工やエッチング加工等を施すことで得られる。

なお、図示例のリードフレーム１には、一つの半導体装置１００の製造に要するダイパッド２、端子板３，４及び連結リード６のユニットが一つだけ形成されているが、例えば、枠体部５を介して複数のユニットが連ねて形成されていてもよい。すなわち、リードフレーム１は、複数の半導体装置１００を同時に製造できるように構成されていてもよい。
枠体部５は、平面視矩形状の内縁を有する外枠部５１、及び、外枠部５１の内縁と複数の端子板３，４とを接続する複数のタイバー５２を備えて構成されている。この枠体部５は、その全体が平板状に形成されている。
各端子板３，４は、平面視した外枠部５１の内縁から内側に延びる平板状に形成されており、タイバー５２に接続される基端板部３１，４１と、基端板部３１，４１に対して外枠部５１内縁の内側に突出した先端板部３２，４２と備えている。

各端子板３，４の先端板部３２，４２は、半導体装置１００において、ボンディングワイヤ１０によって半導体チップ９に電気接続されると共にモールド樹脂１１によって封止されるインナーリード部をなす部分である。一方、基端板部３１，４１は、モールド樹脂１１から外側に突出して半導体チップ９を外部に電気接続するためのアウターリード部をなす部分である（図３，９等参照）。なお、枠体部５のタイバー５２は、この基端板部３１，４１の幅方向（導電性板材の面方向に沿って端子板３，４の長手方向に直交する方向）の両側端に接続されており、これによって、各端子板３，４が外枠部５１に連結されている。以上のように形成される各端子板３，４は、枠体部５と同一の高さに位置している。
そして、複数の端子板３，４は、一対の端子板３，４がタイバー５２側から互いに近づく方向に延びるように配されている。すなわち、一対の端子板３，４はその延在方向に配列されている。

ダイパッド２は、平面視略矩形の板状に形成され、外枠部５１の内縁側に間隔をあけて配されている。さらに詳細に説明すれば、ダイパッド２は、一対の端子板３，４の先端板部３２，４２との間に間隔をあけて配されている。このダイパッド２は、端子板３，４と同一の高さに位置している。
連結リード６は、前述した端子板３，４と同様に、平面視でタイバー５２から外枠部５１の内縁の内側に向けて突出する帯板状に形成されており、その先端部がダイパッド２に接続されている。なお、本実施形態では、連結リード６が、一対の端子板３，４の一方（第一端子板３）に対して端子板３，４の幅方向に間隔をあけて配され、タイバー５２から第一端子板３と同じ方向に延出しているが、例えば、他方の端子板（第二端子板４）に対して端子板３，４の幅方向に間隔をあけて配され、この第二端子板４と同じ方向に延出してもよい。また、連結リード６は、例えば、ダイパッド２から端子板３，４の幅方向に延びて、外枠部５１に直接接続されていてもよい。

そして、本実施形態のリードフレーム１では、これら一つのダイパッド２、一つの連結リード６及び一対の端子板３，４からなるユニットが二組形成され、これら二組のユニットによって一つの半導体装置１００が製造されるようになっている。これら二組のユニットは、二つのダイパッド２が端子板３，４の幅方向に間隔をあけて隣り合うように、平面視で互いに逆向きに配されている。
より具体的に説明すれば、本実施形態では、一方のユニットの第一端子板３と他方のユニットの第二端子板４とが、端子板３，４の幅方向に間隔をあけて隣り合うように配置されている。また、二つの連結リード６は、枠体部５から互いに逆向きに延びており、それぞれ端子板３，４の幅方向に隣り合う一方のユニットの第一端子板３と他方のユニットの第二端子板４との間に配置されている。
これにより、二組のユニットをなす一対二組の端子板３，４は、平面視したヒートシンク８の中央を基準として互いに対称となる位置に配されている（図３参照）。また、二つのダイパッド２も、端子板３，４と同様に、ヒートシンク８の中央を基準として互いに対称となる位置に配されている。なお、本実施形態では、二組のユニットが平面視で互いに逆向きに配されているため、二組のユニットをなす二つの第一端子板３、及び、二つの第二端子板４が、それぞれヒートシンク８の中央を基準として互いに対称となる位置に配されている。

さらに、本実施形態のリードフレーム１は、端子板３，４と共にヒートシンク８をその厚さ方向から挟み込む狭持用リード７を備えている。
狭持用リード７は、前述した端子板３，４や連結リード６と同様に、平面視でタイバー５２から外枠部５１の内縁の内側に向けて突出する帯板状に形成されることに加え、その長手方向の中途部分で折り曲げ加工を施すことで、枠体部５に対してその厚さ方向にも突出している。

より詳細に説明すれば、狭持用リード７は、タイバー５２に接続されて枠体部５と同一の高さに位置する基端部７１と、基端部７１に対して枠体部５の厚さ方向にずれて低く位置する先端部７２と、枠体部５の厚さ方向に延びて基端部７１及び先端部７２を相互に連結する段差部７３とを一体に形成して構成されている。
この狭持用リード７において、先端部７２は平面視矩形状に形成されている。また、基端部７１及び先端部７２は平面視で互いに離れて位置しており、段差部７３はこれら基端部７１及び先端部７２に対して斜めに折り曲げられている。さらに、枠体部５の厚さ方向に沿って先端部７２の上面７２ａから端子板３，４の先端板部３２，４２の下面３２ｂ，４２ｂ（図４参照）に至る隙間の寸法は、ヒートシンク８の厚さ寸法よりも小さくなるように設定されている。
そして、この狭持用リード７は、その先端部７２が基端部７１に対して枠体部５の厚さ方向に移動するように、枠体部５に対して弾性変形可能とされている。

以上のように構成される狭持用リード７は複数（図示例では二つ）形成され、それぞれ平面視でタイバー５２から端子板３，４と同じ方向に突出するように、端子板３，４に対してその幅方向に間隔をあけて配されている。さらに、複数の狭持用リード７は、平面視したヒートシンク８の中央を基準として互いに対称となる位置に配され、また、平面視したモールド樹脂１１の形成予定領域の外側に配されている（図３参照）。
したがって、図示例のように狭持用リード７が二つ形成されている場合には、一方の狭持用リード７Ａが、一つの連結リード６及び一対の端子板３，４からなる二組のユニットのうち一方をなす第一端子板３に隣り合わせて位置し、他方の狭持用リード７Ｂが、他方のユニットをなす第一端子板３に隣り合わせて位置していればよい。この場合、二つの狭持用リード７Ａ，７Ｂは平面視した狭持用リード７の突出方向に対向しない。

なお、例えば狭持用リード７が四つ形成されている場合には、各狭持用リード７が、幅方向に配列された第一端子板３及び第二端子板４の配列方向の両端に隣り合うように位置していればよい。
さらに、本実施形態のように、連結リード６が幅方向に配列された第一端子板３及び第二端子板４の間に配置されない場合には、例えば、二つの狭持用リード７が平面視した狭持用リード７の突出方向に対向するように、各狭持用リード７を幅方向に配列された第一端子板３と第二端子板４との間に配置してもよい。

次に、このリードフレーム１を用いて半導体装置１００を製造する方法の一例について説明する。
半導体装置１００を製造する際には、はじめに上記構成のリードフレーム１を用意する（フレーム準備工程）。次いで、図２〜４に示すように、複数の端子板３，４（及びダイパッド２）と狭持用リード７との間にヒートシンク８をその厚さ方向から挟みこんで、ヒートシンク８をリードフレーム１に取り付ける（取付工程）。この工程においては、複数の端子板３，４及び狭持用リード７が平面視したヒートシンク８の中央を基準として互いに対称に位置するように、ヒートシンク８を取り付ければよい。このようにリードフレーム１にヒートシンク８を取り付けた取付構造の状態では、狭持用リード７が弾性変形して、狭持用リード７の先端部７２の上面７２ａと端子板３，４の下面３２ｂ，４２ｂとの間の隙間寸法が取付工程前と比較して大きくなる。このため、狭持用リード７の弾性力によって狭持用リード７の先端部７２がヒートシンク８の下面８ｂに当接し、ヒートシンク８が端子板３，４の先端板部３２，４２と狭持用リード７の先端部７２との間に挟み込まれるように固定されることになる。
なお、ヒートシンク８は、半導体チップ９において生じた熱を効率よく放熱する役割を果たすものである。このヒートシンク８は、少なくとも銅（Ｃｕ）、タングステン、モリブデン等の放熱性の高い材料によって形成されていればよいが、例えばこれに加えてＮｉメッキを施したものでもよい。

その後、ヒートシンク８の上面８ａ側に位置するダイパッド２の上面２ａに板状の半導体チップ９を搭載した上で、ボンディングワイヤ１０により半導体チップ９と一対の端子板３，４とを電気接続する（接続工程）。ここで、半導体チップ９は、上面９ａ及び下面９ｂに電極を有し、ダイオード等のように通電により発熱するものである。
したがって、この接続工程においては、半田等のように導電性を有する導電性接合剤を介して半導体チップ９の下面９ｂをダイパッド２の上面２ａに接合した上で、ダイパッド２の上面２ａ及び半導体チップ９の上面９ａと端子板３，４をなす先端板部３２，４２の上面３２ａ，４２ａとの間にそれぞれボンディングワイヤ１０を配することで、半導体チップ９が一対の端子板３，４に電気接続されることになる。

その後、図６，７に示すように、ヒートシンク８を端子板３，４の下面３２ｂ，４２ｂから離間させるように狭持用リード７の弾性力に抗って枠体部５の厚さ方向に移動させる（押下工程）。この押下工程においては、ヒートシンク８の上面８ａにピン等を押し当てる等して、ヒートシンク８をその上面８ａ側から下面８ｂ側に移動させればよい。この押下工程後の状態においては、ヒートシンク８の上面８ａとダイパッド２や端子板３，４との間に隙間が形成されている。

また、図３，５〜７に示すように、ヒートシンク８の上面８ａ、複数の端子板３，４の先端板部３２，４２、複数の連結リード６の先端部、半導体チップ９及びボンディングワイヤ１０をモールド樹脂１１により封止し、枠体部５、複数の端子板３，４の基端板部３１，４１、複数の連結リード６の基端部及び狭持用リード７をモールド樹脂１１の外側に位置させる（樹脂封止工程）。この樹脂封止工程後の状態では、ヒートシンク８の下面８ｂ及び側面８ｃが、モールド樹脂１１によって封止されずに外方に露出している。
また、樹脂封止工程においては、前述した押下工程において生じたヒートシンク８の上面８ａとダイパッド２や端子板３，４との離間状態が保持され、これによって、ヒートシンク８とダイパッド２や端子板３，４との隙間にもモールド樹脂１１が充填されることになる。

ここで、前述した離間状態の保持について具体的に説明すれば、樹脂封止工程では、図３，７に示すように、平面視したヒートシンク８の上面８ａのうち、ダイパッド２、端子板３，４の先端板部３２，４２及び連結リード６の先端部が配置された領域（モールド樹脂１１の形成予定領域）のみをモールド樹脂１１により封止する。そして、この形成予定領域の外側に位置するヒートシンク８の上面８ａの残部領域Ｓ１は、モールド樹脂１１によって覆わずに外方に露出させておく。
したがって、樹脂封止工程におけるヒートシンク８の上面８ａとダイパッド２や端子板３，４との離間状態は、樹脂封止工程において封止されないヒートシンク８の上面８ａの残部領域Ｓ１にピン等を押し付けることで保持することができる。なお、ヒートシンク８を押し下げるピン等の部材は、例えばモールド樹脂１１の形成に使用するモールド用金型に形成しておけばよく、前述した押下工程は例えば樹脂封止工程と同時に実施されてもよい。

樹脂封止工程後には、図８に示すように、端子板３，４の基端板部３１，４１を枠体部５から切り離す（第一切断工程）。そして、この第一切断工程後の状態においては、基端板部３１，４１に接続されたタイバー５２が切り落とされていることで、複数の端子板３，４が互いに電気的に分離されている。一方、連結リード６は、タイバー５２を介して外枠部５１に接続されている。なお、図示例では、狭持用リード７もタイバー５２によって外枠部５１に接続されているが、例えばこの第一切断工程において切り落とされていてもよい。
また、この工程においては、図示例のように、端子板３，４と外枠部５１や連結リード６とを接続するタイバー５２が切り落とされていてもよいが、例えばこのタイバー５２を外枠部５１から切り落とさずに、端子板３，４の基端板部３１，４１とタイバー５２とを切断により分離するだけでもよい。

その後、図９に示すように、各端子板３，４の基端板部３１，４１がモールド樹脂１１の外面に沿って配されるように、基端板部３１，４１をモールド樹脂１１内に埋設された端子板３，４の先端板部３２，４２に対して屈曲させる（屈曲工程）。なお、本実施形態では、各基端板部３１，４１がモールド樹脂の側面（外面）１１ｃ及び上面（外面）１１ａの両方に沿って配されるように、各基端板部３１，４１を二箇所において屈曲している。
最後に、モールド樹脂１１の外側に位置する枠体部５及び連結リード６の基端部を、モールド樹脂１１内に埋設された連結リード６の先端部から切り離す（第二切断工程）ことで、半導体装置１００の製造が完了する。なお、狭持用リード７は、ヒートシンク８に押し付けられているだけで固定されていないため、第二切断工程を実施することで、枠体部５と共に半導体装置１００から離すことができる。

以上のようにして製造される半導体装置１００では、ヒートシンク８の上面８ａの一部、端子板３，４の先端板部３２，４２、連結リード６の先端部、半導体チップ９及びボンディングワイヤ１０がモールド樹脂１１内に埋設されている。そして、アウターリード部をなす端子板３，４の基端板部３１，４１が、モールド樹脂１１の外方に突出し、モールド樹脂１１の側面１１ｃ及び上面１１ａに配されている。一方、連結リード６は、モールド樹脂１１の外面から外方に露出しているものの、突出していない。
また、この半導体装置１００では、ヒートシンク８の上面８ａの残部（残部領域Ｓ１）がモールド樹脂１１の外方に位置している。

さらに、ヒートシンク８とダイパッド２及び端子板３，４との間にモールド樹脂１１が介在していることで、ヒートシンク８とダイパッド２及び端子板３，４とが電気的に絶縁されている。また、一体に形成されたダイパッド２及び連結リード６と、端子板３，４の先端板部３２，４２とが、これらの間に介在するモールド樹脂１１によって電気的に絶縁されている。
そして、ヒートシンク８の下面８ｂがモールド樹脂１１の外側に露出しているため、通電によって半導体チップ９において生じた熱は、主にダイパッド２、モールド樹脂１１及びヒートシンク８に伝えられて、ヒートシンク８の下面８ｂから外部に放熱することができる。

以上のように、本実施形態のリードフレーム１を用いて半導体装置１００を製造すれば、取付工程後から押下工程や樹脂封止工程の前までの間においては、端子板３，４と狭持用リード７とによってヒートシンク８が挟み込まれているため、ヒートシンク８と端子板３，４やダイパッド２に搭載された半導体チップ９との位置決めが維持される。また、樹脂封止工程後の状態においては、モールド樹脂１１によってヒートシンク８と端子板３，４やダイパッド２、半導体チップ９との位置決めが維持されることになる。したがって、本実施形態の製造方法で製造された半導体装置１００では、ヒートシンク８と端子板３，４やダイパッド２、半導体チップ９との相対的な位置精度の向上を図ることができる。また、本実施形態の製造方法では、従来のようなカシメ加工も不要となるため、半導体装置１００の製造効率向上も図ることができる。

さらに、本実施形態の製造方法で製造された半導体装置１００には、狭持用リード７が構成要素として含まれないため、狭持用リード７に起因するヒートシンク８と端子板３，４との電気的な短絡も防止することができる。
また、本実施形態のリードフレーム１では、複数の端子板３，４及び狭持用リード７が、それぞれ平面視したヒートシンク８の中央を基準として対称な位置に配されているため、取付工程において、ヒートシンク８を安定した状態で複数の端子板３，４と複数の狭持用リード７との間に挟み込むことができる。
さらに、本実施形態の製造方法で押下工程を実施することで、製造後の半導体装置１００では、モールド樹脂１１によってヒートシンク８とダイパッド２及び端子板３，４とを電気的に絶縁させることができる。言い換えれば、ヒートシンク８とダイパッド２及び端子板３，４との間にこれらを電気的に絶縁させる別個の部材を介在させる必要が無いため、半導体装置１００の部品点数を減らして、製造コストの削減を図ることができる。

さらに、本実施形態の半導体装置１００の製造方法によれば、一つの半導体装置１００の製造に要するダイパッド２、連結リード６及び端子板３，４のユニットを同一のリードフレーム１に複数形成した場合に、屈曲工程において複数の半導体装置１００が同一の枠体部５に支持された状態で、複数の端子板３，４の屈曲加工を一度にまとめて実施することが可能となる。また、屈曲工程において複数の半導体装置１００が同一の枠体部に支持されていることで、複数の半導体装置１００を別個の治具等により個別に支持する必要がなくなり、半導体装置１００の製造効率の向上を図ることができる。

なお、第一実施形態の製造方法では、第二切断工程が屈曲工程後に実施されるとしたが、例えば屈曲工程よりも前に実施されてもよい。この場合、第一切断工程及び第二切断工程は、これらの工程を同時に実施する一つの切断工程としてもよい。
さらに、第一実施形態の半導体装置１００では、モールド樹脂１１の外側に突出する基端板部３１，４１がモールド樹脂１１の上面１１ａに沿うように屈曲されているが、例えばモールド樹脂１１の外面から離れるように突出していても構わない。言い換えれば、半導体装置１００の製造方法は、例えば屈曲工程を備えていなくても構わない。

〔第二実施形態〕
次に、図１０〜１２を参照して本発明の第二実施形態について説明する。
この実施形態の構成は、図１０，１１に示すように、第一実施形態の構成と比較して、ヒートシンク８の形状のみが異なっており、リードフレーム１は第一実施形態と同様である。
図１０，１１に示すように、この実施形態に係るヒートシンク８には、その下面８ｂから窪む有底の収容孔８１が形成されている。この収容孔８１は、ヒートシンク８の下面８ｂに隣り合う側面８ｃに開口し、狭持用リード７の先端部７２（当接部分）をヒートシンク８の下面８ｂ側及び側面８ｃ側から収容できるように形成されている。
すなわち、収容孔８１が開口するヒートシンク８の側面８ｃから見た収容孔８１の幅寸法は、狭持用リード７の先端部７２の幅寸法と比較して、同等あるいは微小に大きくなるように設定されている。なお、図示例では、ヒートシンク８の下面８ｂから窪む収容孔８１の深さ寸法が、狭持用リード７の先端部７２の厚さ寸法よりも大きく設定されているが、少なくとも先端部７２の厚さ寸法以上に設定されていればよい。

また、図示例の収容孔８１では、狭持用リード７の先端部７２を収容できるように、その幅寸法がヒートシンク８の側面８ｃから窪む方向に向けて所定長さだけ一定とされているが、窪む方向の前方側においては当該幅寸法が漸次小さくなるように形成されている。より具体的に説明すれば、ヒートシンク８の下面８ｂから見た収容孔８１のうち、ヒートシンク８の側面８ｃから窪む方向の前方側の平面視形状が、丸みを帯びた円弧状に形成されている。
したがって、狭持用リード７の先端部７２は、収容孔８１のうちヒートシンク８の側面８ｃ側の領域のみに収容されることになる。

そして、ヒートシンク８の下面８ｂに開口する収容孔８１の開口縁には、収容孔８１の底面側からヒートシンク８の下面８ｂに向かうにしたがって、収容孔８１の外側に広がる傾斜案内面８２が形成されている。
さらに、この収容孔８１には、その底面から窪んでヒートシンク８の上面８ａまで貫通する貫通孔８３が形成されている。なお、貫通孔８３は、収容孔８１の底面が残るように、平面視で収容孔８１よりも小さい相似形状に形成されている。また、図示例において、貫通孔８３は収容孔８１と同様にヒートシンク８の側面８ｃに開口しているが、例えば開口していなくてもよい。

以上のように構成されたヒートシンク８を用いて半導体装置を製造する場合には、第一実施形態と同様のフレーム準備工程、取付工程、接続工程、押下工程、樹脂封止工程、第一切断工程、屈曲工程、第二切断工程を適宜実施すればよく、これにより、図１２に示す半導体装置１０１が得られる。
したがって、本実施形態では、第一実施形態と同様の効果を奏する。さらに、半導体装置１０１の製造方法のうち取付工程においては、狭持用リード７の先端部７２が、ヒートシンク８の収容孔８１に収容されると共に収容孔８１の底面に当接することで、端子板３，４と狭持用リード７によりヒートシンク８を挟み込むことができる。また、取付工程においては、狭持用リード７の先端部７２がヒートシンク８の収容孔８１に係合するため、リードフレーム１とヒートシンク８との相対的な位置決めを容易に行うことができる。
さらに、取付工程において狭持用リード７の先端部７２を収容孔８１に収容する際、狭持用リード７と収容孔８１の相対位置がずれていたとしても、狭持用リード７の先端部７２が収容孔８１の傾斜案内面８２に当接することで、収容孔８１内に導かれるため、容易かつ確実に狭持用リード７の先端部７２を収容孔８１に収容することができる。

さらに、ヒートシンク８をリードフレーム１に取り付けたヒートシンク８の取付構造では、狭持用リード７がヒートシンク８の下面８ｂから突出することも防止できるため、リードフレーム１に取り付けられたヒートシンク８は、その下面８ｂを下に向けた状態でも安定して載置することができる。したがって、取付工程よりも後に実施する製造方法の各工程において、ヒートシンク８の取付構造体を容易に取り扱うことができる。
また、収容孔８１は、狭持用リード７と共にモールド樹脂１１の外側に位置するため、ヒートシンク８を下側にして半導体装置１０１を各種装置に装着する際には、この収容孔８１を各種装置に対する半導体装置１０１の位置決めのリファレンスとして利用することも可能である。特に、図１２に示すように、製造後の半導体装置１０１の状態では、貫通孔８３によって収容孔８１の位置をヒートシンク８の上面８ａ側から視認できるため、各種装置に対する半導体装置１０１の装着を容易に行うことができる。

第二実施形態においては、ヒートシンク８の下面８ｂから見た収容孔８１の平面視形状が、狭持用リード７の先端部７２と異なる形状に形成されているが、例えば先端部７２に対応する形状に形成されていてもよい。この場合には、収容孔８１内の領域全体を埋めるように、先端部７２を収容孔８１に収容することができる。
また、第二実施形態においては、収容孔８１に連なる貫通孔８３が形成されるとしたが、例えば図１３に示すように、有底の収容孔８１のみが形成されていてもよい。さらに、傾斜案内面８２も特に形成されていなくても構わない。

〔第三実施形態〕
次に、図１４を参照して本発明の第三実施形態について説明する。
この実施形態の構成は、図１４に示すように、第一実施形態の構成と比較して、リードフレームの構成のみが異なっており、他の構成は第一実施形態と同様である。
図１４に示すように、この実施形態に係るリードフレーム１２は、第一実施形態と同様のダイパッド２、端子板３，４、枠体部５及び連結リード６を備えて構成されている。そして、このリードフレーム１２に備える狭持用リード７は、平面視した外枠部５１の内縁から直接内側に延びて形成されており、その延出方向は端子板３，４の幅方向とされている。この狭持用リード７は、第一実施形態と同様に、複数（図示例では二つ）形成され、これら複数の狭持用リード７は、平面視したヒートシンク８の中央を基準として互いに対称となる位置に配されている。

以上のように構成されたリードフレーム１２を用いて半導体装置を製造する場合には、第一実施形態と同様のフレーム準備工程、取付工程、接続工程、押下工程、樹脂封止工程、第一切断工程、屈曲工程、第二切断工程を適宜実施すればよい。
したがって、本実施形態では、第一実施形態と同様の効果を奏する。また、本実施形態の構成であっても、第二実施形態と同様にヒートシンク８に収容孔８１や貫通孔８３等が形成されていてもよく、この場合には、第二実施形態と同様の効果を奏する。

〔第四実施形態〕
次に、図１５，１６を参照して本発明の第三実施形態について説明する。
この実施形態の構成は、図１５，１６に示すように、第一実施形態の構成と比較して、リードフレームの構成のみが異なっており、他の構成は第一実施形態と同様である。
図１５，１６に示すように、この実施形態に係るリードフレーム１３は、銅板をはじめとする導電性板材に、複数の端子板１２０，１３０と、複数の狭持用リード１４０と、これら端子板１２０，１３０及び狭持用リード１４０を一体に連結する枠体部５とを形成して大略構成されており、枠体部５の構成は第一実施形態と同様である。なお、図示例のリードフレーム１３は、一つの半導体装置の製造に要する構成のみ記載されているが、複数の半導体装置を同時に製造できるように構成されていてもよい。

各端子板１２０，１３０は、第一実施形態と同様に、平面視した外枠部５１の内縁から内側に突出するように形成されており、その長手方向の中途部分で折曲げ加工を施すことにより断面視クランク形状を呈している。
すなわち、各端子板１２０，１３０は、枠体部５と同一の高さ位置に配されてタイバー５２に接続される平板状の基端板部１２１，１３１と、基端板部１２１，１３１に対して枠体部５の厚さ方向にずれて低く位置する平板状の先端板部１２２，１３２と、枠体部５の厚さ方向に延びて基端板部１２１，１３１及び先端板部１２２，１３２を相互に連結する平板状の段差板部１２３，１３３とを一体に形成して構成されている。なお、タイバー５２は、基端板部１２１，１３１の両側端に接続されている。

複数の端子板１２０，１３０は、一対の端子板１２０，１３０が互いに近づくように逆向きに突出し、一対の端子板１２０，１３０の先端板部１２２，１３２同士が間隔をあけて隣り合うように配列されている。
そして、一対の端子板１２０，１３０のうちの一方（第一端子板１２０）を構成する先端板部１２２は、他方の端子板（第二端子板１３０）の先端板部１３２よりも端子板１２０，１３０の突出方向に長く形成され、半導体チップ９を搭載する配置部をなしている。ここで、第一端子板１２０において半導体チップ９を搭載する先端板部１２２の面は、枠体部５側に向く上面１２２ａである。したがって、本実施形態の第一端子板１２０は、第一実施形態のダイパッド２を一つの端子板３，４に一体に形成した構成に相当している。
これら第一端子板１２０及び第二端子板１３０は、それぞれ複数（図示例では二つ）形成され、それぞれ端子板１２０，１３０の幅方向に間隔をあけて配列されている。なお、第一端子板１２０及び第二端子板１３０の配列方向は互いに平行している。そして、本実施形態では、これら複数の端子板１２０，１３０が、平面視したヒートシンク８の中央を基準として互いに対称となる位置に配されている。

狭持用リード１４０は、第一実施形態の狭持用リード７と同様に、端子板１２０，１３０と共にヒートシンク８をその厚さ方向から挟み込む役割を果たすものであり、枠体部５に対してその厚さ方向に突出している。
より詳細に説明すれば、狭持用リード１４０は、前述した端子板１２０，１３０と同様に、平面視でタイバー５２から外枠部５１の内縁の内側に向けて突出する帯状に形成され、折曲げ加工を施すことにより断面Ｌ字状とされている。すなわち、狭持用リード１４０は、タイバー５２に対して折り曲げられることで端子板１２０，１３０の段差板部１２３，１３３と同じ方向に延びる段差部１４３と、段差部１４３の突出方向の先端に対して折り曲げられた状態で接続され、枠体部５の厚さ方向にずれて低く位置する先端部１４２とを備えている。

ここで、狭持用リード１４０の先端部１４２は、その形状が第一実施形態の狭持用リード７と同様とされ、端子板１２０，１３０を構成する先端板部１２２，１３２の下面１２２ｂ，１３２ｂよりも下方に離れて位置している。さらに、枠体部５の厚さ方向に沿って先端部１４２の上面１４２ａから端子板１２０，１３０の先端板部１２２，１３２の下面１２２ｂ，１３２ｂに至る隙間の寸法は、ヒートシンク８の厚さ寸法よりも小さくなるように設定されている。なお、図示例において、狭持用リード１４０の段差部１４３は、タイバー５２や先端部１４２に対して垂直に折り曲げられているが、例えば第一実施形態と同様に、斜めに折り曲げられていてもよい。
そして、この狭持用リード１４０は、その先端部１４２が枠体部５に対してその厚さ方向に移動するように、枠体部５に対して弾性変形可能とされている。

以上のように構成される狭持用リード１４０は、第一実施形態と同様に複数（図示例では二つ）形成され、それぞれ平面視でタイバー５２から第一端子板１２０あるいは第二端子板１３０と同じ方向に突出するように、第一端子板１２０や第二端子板１３０に対してその幅方向に間隔をあけて配されている。
さらに、複数の狭持用リード１４０は、平面視したヒートシンク８の中央を基準として互いに対称となる位置に配されている。より具体的に説明すれば、図示例のように、第一端子板１２０とその幅方向に間隔をあけて配される一方の狭持用リード１４０Ａが、複数の第一端子板１２０の配列方向の一方の端部に位置する場合には、他方の狭持用リード１４０Ｂが、複数の第二端子板１３０の配列方向の他方の端部に位置すればよい。この場合、二つの狭持用リード１４０Ａ，１４０Ｂは平面視した狭持用リード１４０の突出方向に対向しない。また、例えば、一方の狭持用リード１４０Ａが二つの第一端子板１２０の間に位置する場合には、他方の狭持用リード１４０Ｂを二つの第二端子板１３０の間に位置させればよい。この場合、二つの狭持用リード１４０Ａ，１４０Ｂは平面視した狭持用リード１４０の突出方向に対向することになる。

以上のように構成されたリードフレーム１３を用いて半導体装置を製造する場合には、第一実施形態と同様のフレーム準備工程、取付工程、接続工程、押下工程、樹脂封止工程、第一切断工程、屈曲工程、第二切断工程を適宜実施すればよい。したがって、本実施形態では、第一実施形態と同様の効果を奏する。
なお、本実施形態の製造方法では、接続工程において半導体チップ９を第一端子板１２０の先端板部１２２の上面１２２ａに搭載するだけで、半導体チップ９と第一端子板１２０とを電気接続できる。また、ボンディングワイヤ１０を半導体チップ９と第二端子板１３０の先端板部１３２の上面１３２ａとの間に配することで、半導体チップ９と第二端子板１３０とを電気接続することができる。

さらに、樹脂封止工程においては、複数の端子板１２０，１３０の先端板部１２２，１３２及び段差板部１２３，１３３、半導体チップ９及びボンディングワイヤ１０をモールド樹脂により封止し、枠体部５、複数の端子板１２０，１３０の基端板部１２１，１３１及び狭持用リード１４０をモールド樹脂の外側に位置させればよい。また、この製造方法で製造される半導体装置では、端子板１２０，１３０の基端板部１２１，１３１がモールド樹脂の上面及び側面との角部から突出することがある。この場合には、例えば屈曲工程において、端子板１２０，１３０の基端板部１２１，１３１がモールド樹脂の上面に沿って配されるように基端板部１２１，１３１を屈曲すればよい。
なお、本実施形態の構成であっても、第二実施形態と同様にヒートシンク８に収容孔８１や貫通孔８３等が形成されていてもよいし、また、第三実施形態と同様に狭持用リード１４０が外枠部５１から端子板１２０，１３０の幅方向に延びるように形成されていてもよい。これらの場合には、第二、第三実施形態と同様の効果を奏する。

以上、上記実施形態により本発明の詳細を説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、リードフレーム１，１２，１３を構成する狭持用リード７（１４０）の先端部７２（１４２）は、平面視矩形状に形成されるとしたが、例えば図１７に示すように、平面視矩形状のものから角部を落とした平面視多角形状に形成されてもよいし、例えば図１８に示すように、その先端に丸みを帯びた平面視円弧状に形成されていてもよい。なお、図１８に示す形状の先端部７２の場合、図１１に示す収容孔８１内の領域全体を埋めるように、先端部７２を収容孔８１に収容することが可能である。

また、全ての実施形態の半導体装置１００，１０１では、モールド樹脂１１がヒートシンク８とダイパッド２や端子板３，４，１２０，１３０との間に充填されることになるが、少なくともヒートシンク８とダイパッド２や端子板３，４，１２０，１３０とが電気的に絶縁されていればよい。例えば、ヒートシンク８とダイパッド２や端子板３，４，１２０，１３０との間に、セラミックス等の電気的な絶縁材料からなる絶縁性板材が挟み込まれていてもよい。
そして、絶縁性板材を備える半導体装置を製造する場合には、ヒートシンク８をリードフレーム１，１２，１３に取り付ける取付工程において、絶縁性板材をヒートシンク８とダイパッド２や端子板３，４，１２０，１３０との間に挟み込めばよい。このように半導体装置を製造する場合、ヒートシンク８を端子板３，４，１２０，１３０の下面３２ｂ，４２ｂ，１２２ｂ，１３２ｂから離間させるように枠体部５の厚さ方向に移動させる押下工程は特に実施しなくてもよい。

また、上記実施形態の半導体装置１００，１０１では、ヒートシンク８の上面８ａのみがモールド樹脂１１によって封止されているが、少なくともヒートシンク８の下面８ｂが外方に露出していればよく、例えばヒートシンク８の側面８ｃがモールド樹脂１１によって封止されていてもよい。
さらに、半導体チップ９と端子板３，４，１２０，１３０との電気接続には、ボンディングワイヤ１０を用いるとしたが、例えば導電性を有する帯板状に形成された接続板（接続子）を用いてもよい。
また、全ての実施形態のリードフレーム１，１２（１３）には、半導体装置１００，１０１の構成要素として一対の端子板３，４（１２０，１３０）が二組形成されているが、例えば一組だけ形成されていてもよいし、三組以上形成されていてもよい。

さらに、半導体チップ９は、その上面９ａ及び下面９ｂの両方に電極を有するとしたが、少なくともダイパッド２に搭載されればよく、例えば上面９ａのみに複数の電極を有してもよい。この場合には、例えばボンディングワイヤ１０や接続板等の接続子により複数の端子板３，４，１３０と半導体チップ９とを電気接続すればよい。また、この場合、半導体チップ９は、リードフレーム１，１２，１３のダイパッド２や端子板１２０に搭載されることに限らず、例えばヒートシンク８の上面８ａに直接搭載されてもよい。すなわち、リードフレーム１，１２，１３は、半導体チップ９を搭載するダイパッド２等の搭載部を備えていなくてもよい。
また、上記実施形態の半導体装置１００は、発熱体として半導体チップ９を備えるとしたが、リードフレーム１，１２，１３の端子板３，４，１２０，１３０に電気接続できるものであれば、発熱体として他の電子部品・電気部品を備えていてもよい。

１，１２，１３ リードフレーム
２ ダイパッド
３ 第一端子板
４ 第二端子板
５ 枠体部
６ 連結リード
７，７Ａ，７Ｂ 狭持用リード
８ ヒートシンク
８ａ 上面
８ｂ 下面
８ｃ 側面
８１ 収容孔
８２ 傾斜案内面
８３ 貫通孔
９ 半導体チップ（発熱体）
１０ ボンディングワイヤ（接続子）
１１ モールド樹脂
１００，１０１ 半導体装置
１２０ 第一端子板
１３０ 第二端子板
１４０，１４０Ａ，１４０Ｂ 狭持用リード

Claims (8)

1. 板状のヒートシンクと、当該ヒートシンクの上面側に配される端子板と、当該端子板に電気接続される発熱体と、これらヒートシンク、端子板及び発熱体を封止するモールド樹脂とを備える半導体装置の製造に用いるリードフレームであって、
   前記端子板と、当該端子板と共に前記ヒートシンクをその厚さ方向から挟み込む狭持用リードと、これら端子板及び狭持用リードを一体に連結する板状の枠体部とを備え、
   前記狭持用リードは、前記枠体部に対して弾性変形可能に形成されると共に、前記モールド樹脂の形成予定領域の外側に配されていることを特徴とするリードフレーム。
2. 前記端子板及び前記狭持用リードが複数形成され、
   複数の端子板が、平面視した前記ヒートシンクの中央を基準として互いに対称な位置に配され、かつ、複数の狭持用リードが、平面視した前記ヒートシンクの中央を基準とした対称な位置に配されていることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
3. 請求項１又は請求項２に記載のリードフレームに前記ヒートシンクを取り付けたヒートシンクの取付構造であって、
   前記ヒートシンクには、その下面から窪むと共に当該下面に隣り合う側面に開口し、前記狭持用リードを収容可能な有底の収容孔が形成されていることを特徴とするヒートシンクの取付構造。
4. 前記ヒートシンクの下面に開口する前記収容孔の開口縁に、前記収容孔の底面側から前記ヒートシンクの下面に向かうにしたがって、前記収容孔の外側に広がる傾斜案内面が形成されていることを特徴とする請求項２に記載のヒートシンクの取付構造。
5. 前記収容孔に、その底面から窪んで前記ヒートシンクの上面まで貫通する貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載のヒートシンクの取付構造。
6. 請求項１又は請求項２に記載のリードフレームを用意するフレーム準備工程と、
   前記端子板と前記狭持用リードとの間に板状のヒートシンクをその厚さ方向から挟み込んで、当該ヒートシンクをリードフレームに取り付ける取付工程と、
   前記ヒートシンクの上面側において前記リードフレームあるいは前記ヒートシンクに発熱体を搭載し、当該発熱体と前記端子板とを電気接続する接続工程と、
   前記ヒートシンク、前記端子板及び前記発熱体をモールド樹脂により封止し、かつ、前記狭持用リード及び前記枠体部を前記モールド樹脂の外側に位置させる樹脂封止工程と、
   前記枠体部及び前記狭持用リードを前記端子板から切り落とす切断工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 前記接続工程後から前記樹脂封止工程前までの間に、前記ヒートシンクを前記端子板から離間させるように前記狭持用リードの弾性力に抗って前記厚さ方向に移動させ、
   前記樹脂封止工程においては、前記ヒートシンクと前記端子板との離間状態を保持することを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
8. 請求項６又は請求項７に記載の製造方法によって製造される半導体装置であって、
   少なくとも前記ヒートシンクの上面、前記端子板及び前記発熱体が、前記モールド樹脂内に埋設されていることを特徴とする半導体装置。

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