JP2012047828A - レジスト処理方法及びレジスト付き基体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】所定の露光前ベーク温度条件で露光前ベークを行い、且つ、所定の露光後ベーク温度条件で露光後ベークを行った後の試験用レジスト層に対して現像処理を行い、露光前ベーク温度条件及び露光後ベーク温度条件毎の残膜率を得る工程と、露光前ベーク温度軸及び露光後ベーク温度軸を有するグラフにて前記残膜率が95%以上の領域における温度条件で、前記試験用レジスト層と同組成且つ基体上に形成されたレジスト層に対して露光前ベーク及び露光後ベークを行う。
【選択図】図3
Description
このプロトンにより、レジストを構成する高分子鎖の側鎖が切断される。そして、レジストを構成する高分子鎖はアルカリ現像液に対する保護基を失う。
その結果、化学増幅型レジストにおける電子線描画部は、アルカリ現像液に対して溶解することになる。
また、レジストの残膜率という面においても、化学増幅型レジストは他のレジストに比べて劣る面もある。
基体上に形成されたレジスト層に対し、前記レジスト層形成後かつパターン露光前に露光前ベークを行い、パターン露光後かつ現像処理前に露光後ベークを行うレジスト処理方法において、
所定の露光前ベーク温度条件で露光前ベークが行われ、且つ、所定の露光後ベーク温度条件で露光後ベークが行われた後の試験用レジスト層に対して現像処理を行い、露光前ベーク温度条件及び露光後ベーク温度条件毎の残膜率を得る工程と、
露光前ベーク温度軸及び露光後ベーク温度軸を有するグラフにて前記残膜率が95%以上の領域における温度条件で、前記試験用レジスト層と同組成且つ基体上に形成されたレジスト層に対して露光前ベーク及び露光後ベークを行う工程と、
を有することを特徴とするレジスト処理方法である。
なお、残膜率とは、未露光部を現像処理したときの残膜率のことをいう。
本発明の第2の態様は、
基体上に形成されたレジスト層に対し、前記レジスト層形成後かつパターン露光前に露光前ベークを行い、パターン露光後かつ現像処理前に露光後ベークを行うレジスト処理方法において、
露光前ベークが行われた後の試験用レジスト層に対して現像処理を行い、露光前ベーク温度条件毎の残膜率を得る工程と、
露光後ベークが行われた後の試験用レジスト層に対して現像処理を行い、露光後ベーク温度条件毎の残膜率を得る工程と、
露光前ベーク温度軸及び露光後ベーク温度軸を有するグラフにて前記残膜率が95%以上の領域における温度条件で、前記試験用レジスト層と同組成且つ基体上に形成されたレジスト層に対して露光前ベーク及び露光後ベークを行う工程と、
を有することを特徴とするレジスト処理方法である。
なお、残膜率とは、未露光部を現像処理したときの残膜率のことをいう。
本発明の第3の態様は、
第2の態様に記載の発明において、
前記残膜率良好領域を得るための試験用レジスト層に対して行われる露光後ベークは、
露光前ベーク温度条件毎の残膜率を得る工程において95%以上の残膜率が得られる露光前ベーク温度条件と同じ温度条件で行うことを特徴とする。
本発明の第4の態様は、
第1ないし第3のいずれかの態様に記載の発明において、
前記残膜率良好領域の中の最大の残膜率における温度条件にて露光前ベーク及び露光後ベークを行うことを特徴とする。
本発明の第5の態様は、
基体上に形成されたレジスト層に対し、前記レジスト層形成後かつパターン露光前に露光前ベークを行い、パターン露光後かつ現像処理前に露光後ベークを行うレジスト付き基体の製造方法において、
露光前ベーク及び露光後ベークが行われた後の試験用レジスト層に対して現像処理を行い、露光前ベーク温度条件及び露光前ベーク温度条件毎の残膜率を得る工程と、
露光前ベーク温度軸及び露光後ベーク温度軸を有するグラフにて前記残膜率が95%以上の領域における温度条件で、前記試験用レジスト層と同組成且つ基体上に形成されたレジスト層に対して露光前ベーク及び露光後ベークを行う工程と、
を有することを特徴とするレジスト付き基体の製造方法である。
なお、前記残膜率とは、未露光部を現像処理したときの残膜率のことをいう。
する最適ベーク温度に固定されているのが現状であった。
さらに、PBの温度とPEBの温度との間で、残膜率について相関関係を有するという知見を得た。
以下、本発明の実施形態を説明する。
本発明の実施の形態においては、次の順序で説明を行う。
1.モールド製造のための準備工程の説明
1)試験用レジスト層の準備
2)試験用レジスト層に対する露光前ベーク(PB)
3)試験用レジスト層に対する露光後ベーク(PEB)
4)残膜率良好領域を示すグラフの作成
2.モールド製造工程の説明
1)基板の準備
2)レジストの塗布
3)残膜率良好領域内の温度条件における露光前ベーク(PB)、パターン描画、残膜率良好領域内の温度条件における露光後ベーク(PEB)
4)リンス処理・乾燥
5)基板へのエッチング
6)モールドの完成
3.実施の形態の効果に関する説明
本実施形態においては、モールドを製造する前に、レジスト塗布後の露光前ベーク(PB)及び露光後ベーク(PEB)における適切な条件を求めるために、試験用レジスト層に対して現像処理を行う。
また、露光後ベーク(PEB)とは、パターン露光後かつ現像処理前に行われるベーク処理である。
試験用レジスト層としては、適当な試験用基体の上に設けたものであれば良い。ただ、この試験の結果を本実施形態におけるモールドの製造に用いることから、可能な限りモールドの製造条件と試験用レジスト層に対する試験の条件とを同条件にするのが好ましい。
スト層が設けられたものを含む。
まとめると、基板を含む物質であって、レジスト層が設けられるべき対象となる物質そのものを指すものとする。レジスト層を設け、ベーク処理を行うことができる物質であれば、本発明における基体として使用することができる。
本実施形態においては、円盤形状の石英からなる試験用基板を用いて説明する。以降、この石英基板を試験用基板ともいう。
上述のように化学増幅型試験用レジスト層を試験用基板上に形成した後、本実施形態においては、試験用レジスト層に対して、所定のパターン描画のための露光前に、露光前ベーク(PB)を行う。
次に、PBにおける残膜率を求めるための試験用レジスト層とは別に、所定の温度にてPBが行われた後、パターン露光がなされた試験用レジスト層に対して露光後ベーク(PEB)を行う。
のPEB温度に応じた残膜率を得る。
その後、各試験用レジスト層の残膜率の結果をグラフにまとめる。このグラフは、X軸をPB温度軸、Y軸をPEB温度軸としたグラフである。
1)基板の準備
まず、本実施形態においてはインプリントモールドとなるマスターモールド20製造のための基板1を用意する(図1(a))。
この基板1は、マスターモールド20として用いることができるのならば構わない。そして、先に述べた試験用レジスト層が設けられる基板に用いられるもので良い。
本実施形態においては、円盤形状の石英基板1を用いて説明する。以降、この石英基板1を単に基板1ともいう。
この基板1に対して必要に応じ適宜洗浄・ベーク処理を行った後、本実施形態においては、図1(b)に示すように、化学増幅型レジストを基板1に対して塗布し、レジスト層4を基板1上に形成する。この化学増幅型レジストの塗布方法については、試験用レジスト層と同様で良い。特に、化学増幅型レジストの種類については、試験用レジスト層とモールド製造用レジスト層(いわゆる本番処理用レジスト層)とを同組成とする。
化学増幅型レジスト層4を基板1上に形成した後、本実施形態においては、上述の通り、残膜率良好領域のPB温度条件及びPEB温度条件において、レジスト層4付き基板1に対して、PB、そして所定のパターンのパターン露光及びPEBを行い、その後、現像処理を行う。
レジストパターンを有する基板1に対し、必要に応じてリンス処理を行った後、乾燥処理を行う。
続いて、ドライエッチング装置を用い、フッ素系ガスを用いたエッチングを石英基板1に対して行う。この際、前記レジスト層をマスクとして基板1をエッチング加工し、図1(d)に示すように、微細パターンに対応した溝を基板1に施す。
以上の工程を経た後、必要があれば基板1の洗浄等を行う。このようにして、図1(e)に示すようなマスターモールド20を完成させる。
以上のような本実施形態においては、以下の効果を得ることができる。
即ち、PB及びPEBにおいて、基板1とレジスト層4との間の高い残膜率を得ることができる適切な温度条件を得ることができる。
その結果、本番となるモールド製造工程において、化学増幅型レジスト層における未露光部については高残膜率を維持でき、高解像度を得ることができる。
実施の形態1では残膜率良好領域を求めたが、図3(b)に示すように、残膜率の代わりにγ値良好領域を求めても良い。
実施の形態1ではPEBにおける残膜率を求める際に、既に所定の温度でPBを行った試験用レジスト層を用いた。つまり、PBの結果に関わらず、PEBについて各時間及び温度条件で試験用レジスト層を作製していた。
具体的には、残膜率良好領域を得るための試験用レジスト層に対して行われる露光後ベークを、露光前ベーク温度条件毎の残膜率を得る工程において95%以上の残膜率が得られる露光前ベーク温度条件と同じ温度条件で行う。
その結果、残膜率やγ値を得る手間が省け、ひいてはコストの削減、工程全体としての効率化を図ることができる。
先に述べた実施の形態1においては、基板1の上に直接レジスト層4を設けた場合について主に述べたが、本実施形態においては、基板1上にハードマスク層を設け、その上にレジスト層4を設けた場合について説明する。なお、以下の説明において特筆しない部分
については、実施の形態1と同様である。
説明手順としては、以下の通りである。
1.基板上へのハードマスク層の形成
2.ハードマスク層へのレジスト層の形成
3.パターン描画・現像
4.第1のエッチング(酸化防止層や導電層へのパターン形成)
5.第2のエッチング(石英基板へのパターン形成)
6.残存ハードマスク層除去
まず、図2(a)の石英基板1をスパッタリング装置に導入する。そして本実施形態においては、タンタル(Ta)とハフニウム(Hf)の合金からなるターゲットをアルゴンガスでスパッタリングし、タンタル−ハフニウム合金からなる導電層2を成膜し、基板1上に形成される溝に対応する微細パターンを有するハードマスク層の内の下層(導電層2)とする(図2(b))。
なお、本実施形態における「ハードマスク層」は、単一又は複数の層からなり、基板上への溝のエッチングに用いられる層状のもののことを指すものとする。ただし、ハードマスク層における酸化防止層3は、導電層2を兼ねても良い。その場合はTaHfのような導電層は省略可能である。
このように、基板上にハードマスク層を設けたものを、本実施形態においてはマスクブランクスという。
次に、図2(c)に示すように、前記マスクブランクスにおけるハードマスク層に対して電子線描画用のレジストを塗布する。この際、実施の形態1と同様の手法で、レジスト塗布後かつ露光前にベーク(PB)を行う。
なお、レジスト層4は複数層設けても良い。例えば、レジスト層4における下層レジストを非化学増幅型レジストとし、上層レジストを化学増幅型レジストとしても良い。
その後、電子線にて微細パターンをレジスト層4に描画する。レジスト層への微細パタ
ーン描画後、実施の形態1と同様の手法で、露光後にベーク(PEB)を行う。その後、レジスト層4を現像し、レジストにおける電子線描画した部分を除去し、図2(d)に示すような所望の微細パターンに対応するレジストパターンを形成する。
その後、基板1上にレジストパターンが形成された基板1を、ドライエッチング装置に導入する。そして、実質的に酸素を含まない塩素ガスによる第1のエッチングを行い、レジスト層4が除去された部分の導電層2及び酸化防止層3を除去する(図2(e))。この際、導電層2の酸化防止という観点から、還元性ガスを導入しながら第1のエッチングを行っても良い。なお、この時のエッチング終点は、反射光学式の終点検出器を用いることで判別する。
続いて、第1のエッチングで用いられたガスを真空排気した後、実施の形態1と同様の手法で、フッ素系ガスを用いた第2のエッチングを石英基板1に対して行う。その後、アルカリ溶液や酸溶液にてレジストを除去する。
このように作製された残存ハードマスク層除去前モールド10に対し、第1のエッチングと同様の手法で、引き続いて残存ハードマスク層除去前モールド10上に残存するハードマスク層をドライエッチングにて除去する工程が行われ、それによりモールド20が作製される(図2(g))。
以下、上述の実施の形態の変形例について説明する。
上述の実施の形態では化学増幅型レジストを設けたが、この化学増幅型レジストの組成物の一例を挙げれば、重合性不飽和単量体、光重合開始剤、などの光酸発生剤(アンモニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩等のオニウム塩、ジアゾジスルホン系、トリフェニルスルホニウム系など)、界面活性剤(フッ素系、ノニオン系、シリコーン系など)、離型剤、シランカップリング剤、重合禁止剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、老化防止剤、可塑剤、密着促進剤、熱重合開始剤、着色剤、無機粒子、エラストマー粒子、酸化防止剤、光酸増殖剤、光塩基発生剤、塩基性化合物、流動調整剤、消泡剤、分散剤、有機溶剤、水などが挙げられる。
層に微細パターンを描画することが挙げられる。
本実施例においては、まず、残膜率良好領域を求めるために、基板1として円盤状シリコンウエハ(外径150mm、厚み0.7mm)を用いた(図1(a))。この基板1に対して、ホットプレートにて200℃で10分間ベークを行い、基板1上の脱水処理を行った。その後、基板1を冷却プレート上に載置して、基板1を冷却した。
low molecular resistをプロピレングリコールモノメチルエーテルで希釈(Cyclic low molecular resist:プロピレングリコールモノメチルエーテル=1:9)し、レジスト液を予め用意した。このレジスト液を基板1上に3ml程滴下し、3000rpmで60秒間基板1を回転させた。
を1対1としたライン・アンド・スペース・パターンを描画した。そして、電子線描画部の寸法が8〜30nmの範囲で3nmごとにライン幅を変化させて描画した。
なお、現像条件としては、この基板1のレジスト層を、2.38%のTMAHにて60秒間現像した。現像後、基板1を回転させ続け、基板1の乾燥処理を行った。
なお、モールド製造工程は、試験用レジスト層の作製方法と同様である。
比較例においてはPB及びPEBを110℃に固定して行った以外は、実施例と同様に試料を作製した。また、図4に示すように、比較例においても実施例と同様に、レジスト感度曲線を得た。
なお、比較例及び本実施例(残膜率95%以上の領域)以外の結果についても、図4に掲載した。
実施例においては、図4に示すとおり、未露光部の残膜率が良好であった。なお、図3(a)(b)を重ね合わせることにより、PBが100℃の時にはPEBを88℃〜94℃の範囲とするのが好ましいことがわかった。
2 導電層
3 酸化防止層
4 化学増幅型レジスト層
10 残存ハードマスク層除去前モールド
20 モールド(マスターモールド)
Claims (5)
- 基体上に形成されたレジスト層に対し、前記レジスト層形成後かつパターン露光前に露光前ベークを行い、パターン露光後かつ現像処理前に露光後ベークを行うレジスト処理方法において、
所定の露光前ベーク温度条件で露光前ベークが行われ、且つ、所定の露光後ベーク温度条件で露光後ベークが行われた後の試験用レジスト層に対して現像処理を行い、露光前ベーク温度条件及び露光後ベーク温度条件毎の残膜率を得る工程と、
露光前ベーク温度軸及び露光後ベーク温度軸を有するグラフにて前記残膜率が95%以上の領域における温度条件で、前記試験用レジスト層と同組成且つ基体上に形成されたレジスト層に対して露光前ベーク及び露光後ベークを行う工程と、
を有することを特徴とするレジスト処理方法。
なお、残膜率とは、未露光部を現像処理したときの残膜率のことをいう。 - 基体上に形成されたレジスト層に対し、前記レジスト層形成後かつパターン露光前に露光前ベークを行い、パターン露光後かつ現像処理前に露光後ベークを行うレジスト処理方法において、
露光前ベークが行われた後の試験用レジスト層に対して現像処理を行い、露光前ベーク温度条件毎の残膜率を得る工程と、
露光後ベークが行われた後の試験用レジスト層に対して現像処理を行い、露光後ベーク温度条件毎の残膜率を得る工程と、
露光前ベーク温度軸及び露光後ベーク温度軸を有するグラフにて前記残膜率が95%以上の領域における温度条件で、前記試験用レジスト層と同組成且つ基体上に形成されたレジスト層に対して露光前ベーク及び露光後ベークを行う工程と、
を有することを特徴とするレジスト処理方法。
なお、残膜率とは、未露光部を現像処理したときの残膜率のことをいう。 - 前記残膜率良好領域を得るための試験用レジスト層に対して行われる露光後ベークは、露光前ベーク温度条件毎の残膜率を得る工程において95%以上の残膜率が得られる露光前ベーク温度条件と同じ温度条件で行うことを特徴とする請求項2に記載のレジスト処理方法。
- 前記残膜率良好領域の中の最大の残膜率における温度条件にて、基体上に形成されたレジスト層に対して、露光前ベーク及び露光後ベークを行うことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載のレジスト処理方法。
- 基体上に形成されたレジスト層に対し、前記レジスト層形成後かつパターン露光前に露光前ベークを行い、パターン露光後かつ現像処理前に露光後ベークを行うレジスト付き基体の製造方法において、
露光前ベーク及び露光後ベークが行われた後の試験用レジスト層に対して現像処理を行い、露光前ベーク温度条件及び露光前ベーク温度条件毎の残膜率を得る工程と、
露光前ベーク温度軸及び露光後ベーク温度軸を有するグラフにて前記残膜率が95%以上の領域における温度条件で、前記試験用レジスト層と同組成且つ基体上に形成されたレジスト層に対して露光前ベーク及び露光後ベークを行う工程と、
を有することを特徴とするレジスト付き基体の製造方法。
なお、前記残膜率とは、未露光部を現像処理したときの残膜率のことをいう。
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