JP2012044100A - レーザ光源装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体レーザの取付精度の低下を招くことなく、半導体レーザを支持する基台の製造コストを削減することができるようにする。
【解決手段】半導体レーザ31を支持する基台38と半導体レーザとの間に取付部材53を介装し、半導体レーザと取付部材とを加熱硬化型の銀ペースト71により固着する。この銀ペーストは、半導体レーザの保証温度よりも低い硬化温度を有するとともに半導体レーザの動作温度よりも高い耐熱性を有し、取付部材は、銀ペーストの硬化温度よりも高い耐熱性を有する材料で形成されたものとする。
【選択図】図4
【解決手段】半導体レーザ31を支持する基台38と半導体レーザとの間に取付部材53を介装し、半導体レーザと取付部材とを加熱硬化型の銀ペースト71により固着する。この銀ペーストは、半導体レーザの保証温度よりも低い硬化温度を有するとともに半導体レーザの動作温度よりも高い耐熱性を有し、取付部材は、銀ペーストの硬化温度よりも高い耐熱性を有する材料で形成されたものとする。
【選択図】図4
Description
本発明は、半導体レーザを用いたレーザ光源装置に関し、特に画像表示装置の光源に用いられるレーザ光源装置に関するものである。
近年、画像表示装置の光源に半導体レーザを用いる技術が注目されている。この半導体レーザは、従来から画像表示装置に多用されてきた水銀ランプに比較して、色再現性がよい点、瞬時点灯が可能である点、長寿命である点、高効率で消費電力を低減することができる点、ならびに小型化が容易である点など、種々の利点を有している。
このような画像表示装置に用いられるレーザ光源装置においては、緑色レーザ光を直接出力する半導体レーザに高出力のものがないため、半導体レーザから励起用レーザ光を出力させ、この励起用レーザ光でレーザ媒体を励起させて赤外レーザ光を出力させ、この赤外レーザ光の波長を波長変換素子で変換して緑色レーザ光を出力するようにした技術が知られている(例えば特許文献1参照)。
前記のような構成の緑色レーザ光源装置は、半導体レーザの他に、レーザ媒体や波長変換素子などの種々の光学部材を有するため、これらの部材を基台に一体的に支持させる構成とするとよいが、半導体レーザは非常に小型の部品であるため、ねじ止めにより基台に取り付けることが難しい。そこで、接着剤を用いて半導体レーザを基台に固定することになる。
また、前記のような構成の緑色レーザ光源装置では、レーザ媒体や波長変換素子での変換ロスにより、半導体レーザの出力を高くする必要があり、これにより半導体レーザの発熱が顕著になるため、放熱対策が重要となるが、半導体レーザの発熱を基台側に放熱する構成とすると、放熱性を高めるために、熱抵抗が小さい接着剤、具体的には銀ペーストを採用することが望ましい。特にエポキシ樹脂を用いた加熱硬化型の銀ペーストは、接着強度が高いため、半導体レーザを基台に確実に固定する上で都合がよい。
一方、基台は量産性に優れたダイカスト材料が望ましい。ところが、ダイカスト材料は耐熱性が低く、加熱硬化型の銀ペーストを用いて、ダイカスト材料からなる基台に半導体レーザを固着する構成とすると、銀ペーストを加熱硬化させる工程で基台が高温に曝されるため、基台が変形して半導体レーザの取付精度が低下するという問題が生じる。この半導体レーザの取付精度の低下は、光軸のずれを生じさせて、レーザ光の出力が適切に行われなくなる事態を招くことから、避ける必要がある。
本発明は、このような従来技術の問題点を解消するべく案出されたものであり、その主な目的は、半導体レーザの取付精度の低下を招くことなく、半導体レーザを支持する基台の製造コストを削減することができるように構成されたレーザ光源装置を提供することにある。
本発明のレーザ光源装置は、レーザ光を出力する半導体レーザと、この半導体レーザを支持する基台と、この基台と前記半導体レーザとの間に介装される取付部材と、を備え、前記半導体レーザと前記取付部材とが加熱接着型の接着材料により固着され、この接着材料は、前記半導体レーザの保証温度よりも低い接着温度を有するとともに前記半導体レーザの動作温度よりも高い耐熱性を有し、前記取付部材は、前記接着材料の接着温度よりも高い耐熱性を有する材料で形成された構成とする。
本発明によれば、接着材料により半導体レーザと取付部材とを固着した上で、取付部材を基台に取り付けることにより、接着材料による固着工程で基台が高温に曝されることを避けることができる。このため、半導体レーザの取付精度の低下を回避することができ、また、基台を、耐熱性が比較的低いダイカスト材料で製作することができ、このダイカスト材料は比較的安価で量産性に優れているため、製造コストを削減することができる。
前記課題を解決するためになされた第1の発明は、レーザ光を出力する半導体レーザと、この半導体レーザを支持する基台と、この基台と前記半導体レーザとの間に介装される取付部材と、を備え、前記半導体レーザと前記取付部材とが加熱接着型の接着材料により固着され、この接着材料は、前記半導体レーザの保証温度よりも低い接着温度を有するとともに前記半導体レーザの動作温度よりも高い耐熱性を有し、前記取付部材は、前記接着材料の接着温度よりも高い耐熱性を有する材料で形成された構成とする。
これによると、接着材料により半導体レーザと取付部材とを固着した上で、取付部材を基台に取り付けることにより、接着材料による固着工程で基台が高温に曝されることを避けることができる。このため、半導体レーザの取付精度の低下を回避することができ、また、基台を、耐熱性が比較的低いダイカスト材料で製作することができ、このダイカスト材料は比較的安価で量産性に優れているため、製造コストを削減することができる。
また、接着材料の接着温度が半導体レーザの保証温度よりも低いため、接着材料による固着工程で半導体レーザが熱的損傷を受けることを避けることができる。また、取付部材が接着材料の接着温度よりも高い耐熱性を有するため、接着材料による固着工程で取付部材の寸法精度が低下することを避けることができる。また、接着材料の耐熱性が半導体レーザの動作温度よりも高いため、レーザ光源装置の動作中に接着材料が耐熱温度を超える温度状態となることがないため、動作中の発熱で接着材料が劣化して、半導体レーザの取付精度が低下したり、半導体レーザが脱落することを避けることができる。
また、第2の発明は、前記第1の発明において、前記接着材料は、銀粉末とバインダ樹脂と溶剤とを含む銀ペーストである構成とする。
これによると、作業性がよいため、組み付け工程を効率化することができる。また、銀粉末により熱抵抗が小さくなるため、半導体レーザの発熱を取付部材を介して基台に逃して放熱する場合の放熱性を高めることができる。また、銀粉末により電気抵抗が小さくなるため、取付部材を介して半導体レーザに給電する場合の通電ロスを低減することができる。さらに、バインダ樹脂により高い接着強度が得られるため、半導体レーザと取付部材とを強固に固着して、半導体レーザが脱落することを防止することができる。
また、第3の発明は、前記第1若しくは第2の発明において、前記基台は、ダイカスト用亜鉛合金からなる構成とする。
これによると、耐熱性が低いものの、高い寸法精度を確保することができるため、半導体レーザの取付精度を高めることができる。また、比較的安価で量産性に優れているため、製造コストを削減することができる。なお、取付部材と基台とはビスなどの締結手段により締結される構成とすればよい。
また、第4の発明は、前記第1乃至第3の発明において、前記取付部材および前記接着材料は導電性を有し、前記取付部材に、その取付部材および前記接着材料を介して前記半導体レーザに給電するための導体が接続された構成とする。
これによると、半導体レーザの電気的接続の作業が容易になる。
また、第5の発明は、前記第1乃至第4の発明において、前記半導体レーザは、励起用レーザ光を出力するものであり、この半導体レーザから出力された励起用レーザ光により励起されて赤外レーザ光を出力するレーザ媒体と、このレーザ媒体から出力された赤外レーザ光の波長を変換して緑色レーザ光を出力する波長変換素子と、を備え、前記レーザ媒体および前記波長変換素子が、前記半導体レーザともに前記基台に一体的に支持された構成とする。
これによると、高出力の緑色レーザ光を出力することができる。この場合、レーザ媒体や波長変換素子での変換ロスにより、半導体レーザの出力を高くする必要があり、これにより半導体レーザの発熱が大きくなるが、接着材料や取付部材に熱抵抗が小さい材料を用いることで、放熱を効率良く行うことができる。
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明による画像表示装置1の概略構成図である。この画像表示装置1は、所要の画像をスクリーンに投影表示するものであり、緑色レーザ光を出力する緑色レーザ光源装置2と、赤色レーザ光を出力する赤色レーザ光源装置3と、青色レーザ光を出力する青色レーザ光源装置4と、映像信号に応じて各レーザ光源装置2〜4からのレーザ光の変調を行う液晶反射型の空間光変調器5と、各レーザ光源装置2〜4からのレーザ光を反射させて空間光変調器5に照射させるとともに空間光変調器5から出射された変調レーザ光を透過させる偏光ビームスプリッタ6と、各レーザ光源装置2〜4から出射されるレーザ光を偏光ビームスプリッタ6に導くリレー光学系7と、偏光ビームスプリッタ6を透過した変調レーザ光をスクリーンに投射する投射光学系8と、を備えている。
この画像表示装置1は、いわゆるフィールドシーケンシャル方式でカラー画像を表示するものであり、各レーザ光源装置2〜4から各色のレーザ光が時分割で順次出力され、各色のレーザ光による画像が残像によってカラー画像として認識される。
リレー光学系7は、各レーザ光源装置2〜4から出射される各色のレーザ光を平行ビームに変換するコリメータレンズ11〜13と、コリメータレンズ11〜13を通過した各色のレーザ光を所要の方向に導く第1および第2のダイクロイックミラー14,15と、ダイクロイックミラー14,15により導かれたレーザ光を拡散させる拡散板16と、拡散板16を通過したレーザ光を収束レーザに変換するフィールドレンズ17と、を備えている。
投射光学系8からスクリーンSに向けてレーザ光が出射される側を前側とすると、青色レーザ光源装置4から青色レーザ光が後方に向けて出射され、この青色レーザ光の光軸に対して緑色レーザ光の光軸および赤色レーザ光の光軸が互いに直交するように、緑色レーザ光源装置2および赤色レーザ光源装置3から緑色レーザ光および赤色レーザ光が出射され、この青色レーザ光、赤色レーザ光、および緑色レーザ光が、2つのダイクロイックミラー14,15で同一の光路に導かれる。すなわち、青色レーザ光と緑色レーザ光が第1のダイクロイックミラー14で同一の光路に導かれ、青色レーザ光および緑色レーザ光と赤色レーザ光が第2のダイクロイックミラー15で同一の光路に導かれる。
第1および第2のダイクロイックミラー14,15は、表面に所定の波長のレーザ光を透過および反射させるための膜が形成されたものであり、第1のダイクロイックミラー14は、青色レーザ光を透過するとともに緑色レーザ光を反射させる。第2のダイクロイックミラー15は、赤色レーザ光を透過するとともに青色レーザ光および緑色レーザ光を反射させる。
これらの各光学部材は、筐体21に支持されている。この筐体21は、各レーザ光源装置2〜4で発生した熱を放熱する放熱体として機能し、アルミニウムや銅などの熱伝導性の高い材料で形成されている。
緑色レーザ光源装置2は、側方に向けて突出した状態で筐体21に形成された取付部22に取り付けられている。この取付部22は、リレー光学系7の収容スペースの前方と側方にそれぞれ位置する前壁部23と側壁部24とが交わる角部から側壁部24に直交する向きに突出した状態で設けられている。赤色レーザ光源装置3は、ホルダ25に保持された状態で側壁部24の外面側に取り付けられている。青色レーザ光源装置4は、ホルダ26に保持された状態で前壁部23の外面側に取り付けられている。
赤色レーザ光源装置3および青色レーザ光源装置4は、いわゆるCANパッケージで構成され、レーザ光を出力するレーザチップが、ステムに支持された状態で缶状の外装部の中心軸上に光軸が位置するように配置されたものであり、外装部の開口に設けられたガラス窓からレーザ光が出射される。この赤色レーザ光源装置3および青色レーザ光源装置4は、ホルダ25,26に開設された取付孔27,28に圧入するなどしてホルダ25,26に対して固定される。青色レーザ光源装置4および赤色レーザ光源装置3のレーザチップの発熱は、ホルダ25,26を介して筐体21に伝達されて放熱され、各ホルダ25,26は、アルミニウムや銅などの熱伝導率の高い材料で形成されている。
緑色レーザ光源装置2は、励起用レーザ光を出力する半導体レーザ31と、半導体レーザ31から出力された励起用レーザ光を集光する集光レンズであるFAC(Fast-Axis Collimator)レンズ32およびロッドレンズ33と、励起用レーザ光により励起されて基本レーザ光(赤外レーザ光)を出力するレーザ媒体34と、基本レーザ光の波長を変換して半波長レーザ光(緑色レーザ光)を出力する波長変換素子35と、レーザ媒体34とともに共振器を構成する凹面ミラー36と、励起用レーザ光および基本波長レーザ光の漏洩を阻止するガラスカバー37と、各部を支持する基台38と、各部を覆うカバー体39と、を備えている。
この緑色レーザ光源装置2は、基台38を筐体21の取付部22に取り付けて固定され、緑色レーザ光源装置2と筐体21の側壁部24との間に所要の幅(例えば0.5mm以下)の間隙が形成される。これにより、緑色レーザ光源装置2の熱が赤色レーザ光源装置3に伝わりにくくなり、赤色レーザ光源装置3の昇温を抑制して、温度特性の悪い赤色レーザ光源装置3を安定的に動作させることができる。また、赤色レーザ光源装置3の所要の光軸調整代(例えば0.3mm程度)を確保するため、緑色レーザ光源装置2と赤色レーザ光源装置3との間に所要の幅(例えば0.3mm以上)の間隙が設けられている。
図2は、緑色レーザ光源装置2におけるレーザ光の状況を示す模式図である。半導体レーザ31のレーザチップ41は、波長808nmの励起用レーザ光を出力する。FACレンズ32は、レーザ光のファースト軸(光軸方向に対して直交し且つ図の紙面に沿う方向)の拡がりを低減する。ロッドレンズ33は、レーザ光のスロー軸(図の紙面に対して直交する方向)の拡がりを低減する。
レーザ媒体34は、いわゆる固体レーザ結晶であり、ロッドレンズ33を通過した波長808nmの励起用レーザ光により励起されて波長1064nmの基本波長レーザ光(赤外レーザ光)を出力する。このレーザ媒体34は、Y(イットリウム)VO4(バナデート)からなる無機光学活性物質(結晶)にNd(ネオジウム)をドーピングしたものであり、より具体的には、母材であるYVO4のYに蛍光を発する元素であるNd+3に置換してドーピングしたものである。
レーザ媒体34におけるロッドレンズ33に対向する側には、波長808nmの励起用レーザ光に対する反射防止と、波長1064nmの基本波長レーザ光および波長532nmの半波長レーザ光に対する高反射の機能を有する膜42が形成されている。レーザ媒体34における波長変換素子35に対向する側には、波長1064nmの基本波長レーザ光および波長532nmの半波長レーザ光に対する反射防止の機能を有する膜43が形成されている。
波長変換素子35は、いわゆるSHG(Second Harmonics Generation)素子であり、レーザ媒体34から出力される波長1064nmの基本波長レーザ光(赤外レーザ光)の波長を変換して波長532nmの半波長レーザ光(緑色レーザ光)を生成する。この波長変換素子35は、強誘電体結晶に、分極が反転した領域とそのままの領域を交互に形成した、周期的な分極反転構造を備えたものであり、分極反転周期方向(分極反転領域の配列方向)に基本波長レーザ光を入射させる。なお、強誘電体結晶には、例えばLN(ニオブ酸リチウム)にMgOを添加したものが用いられる。
波長変換素子35におけるレーザ媒体34に対向する側には、波長1064nmの基本波長レーザ光に対する反射防止と、波長532nmの半波長レーザ光に対する高反射の機能を有する膜44が形成されている。波長変換素子35における凹面ミラー36に対向する側には、波長1064nmの基本波長レーザ光および波長532nmの半波長レーザ光に対する反射防止の機能を有する膜45が形成されている。
凹面ミラー36は、波長変換素子35に対向する側に凹面を有し、この凹面には、波長1064nmの基本波長レーザ光に対する高反射と、波長532nmの半波長レーザ光に対する反射防止の機能を有する膜46が形成されている。これにより、レーザ媒体34の膜42と凹面ミラー36の膜46との間で、波長1064nmの基本波長レーザ光が共振して増幅される。
波長変換素子35では、レーザ媒体34から入射した波長1064nmの基本波長レーザ光の一部が波長532nmの半波長レーザ光に変換され、変換されずに波長変換素子35を通過した波長1064nmの基本波長レーザ光は、凹面ミラー36で反射されて波長変換素子35に再度入射し、波長532nmの半波長レーザ光に変換される。この波長532nmの半波長レーザ光は、波長変換素子35の膜44で反射されて波長変換素子35から出射される。
ここで、レーザ媒体34から波長変換素子35に入射して波長変換素子35で波長変化されて波長変換素子35から出射されるレーザ光のビームB1と、凹面ミラー36で一旦反射されて波長変換素子35に入射して膜44で反射されて波長変換素子35から出射されるレーザ光のビームB2とが干渉を起こすと、出力が低下する。そこで、波長変換素子35を光軸方向に対して傾斜させて、屈折作用によりレーザ光のビームB1、B2が互いに干渉しないようにしており、これにより出力低下を避けることができる。
なお、図1に示したガラスカバー37には、波長808nmの励起用レーザ光および波長1064nmの基本波長レーザ光が外部に漏洩することを防止するため、これらのレーザ光を透過しない膜が形成されている。
図3は、緑色レーザ光源装置2の斜視図である。半導体レーザ31、FACレンズ32、ロッドレンズ33、レーザ媒体34、波長変換素子35、および凹面ミラー36は、基台38に一体的に支持されている。基台38の底面51は光軸方向に対して平行となる。ここでは、基台38の底面51に対して直交する方向を高さ方向とし、この高さ方向および光軸方向に対して直交する方向を幅方向とする。なお、高さ方向は必ずしも上下方向とはならない。
半導体レーザ31は、レーザ光を出力するレーザチップ41をマウント部材52に実装したものである。レーザチップ41は、光軸方向に長い帯板状をなし、光出射面をFACレンズ32側に向けた状態で、平板状をなすマウント部材52の一面の幅方向の略中心位置に固着されている。この半導体レーザ31は、取付部材53を介して基台38に固定される。
FACレンズ32およびロッドレンズ33は、集光レンズホルダ54に保持される。この集光レンズホルダ54は、支持部材55を介して基台38に固定される。集光レンズホルダ54は、光軸方向に移動可能に支持部材55に連結されており、また支持部材55は、高さ方向に移動可能に基台38に連結されており、これにより集光レンズホルダ54、すなわちFACレンズ32およびロッドレンズ33の位置が、高さ方向および光軸方向について調整される。FACレンズ32およびロッドレンズ33は位置調整作業の前に集光レンズホルダ54に接着剤で固定され、位置調整作業の後に、集光レンズホルダ54と支持部材55と基台38とが接着剤で互いに固定される。
レーザ媒体34は、レーザ媒体ホルダ56に保持される。このレーザ媒体ホルダ56は、支持部材57を介して基台38に固定される。
波長変換素子35は、波長変換素子ホルダ58に保持される。この波長変換素子ホルダ58は、第1および第2の支持部材59,60を介して基台38に固定される。波長変換素子ホルダ58は、第1の支持部材59に傾動可能に連結されており、これにより波長変換素子ホルダ58すなわち波長変換素子35の傾斜角度が調整される。第1の支持部材59は、第2の支持部材60に幅方向に移動可能に連結されており、第2の支持部材60は、基台38に高さ方向に移動可能に連結されており、これにより波長変換素子ホルダ58すなわち波長変換素子35の位置が、高さ方向および幅方向について調整される。波長変換素子35は位置調整作業の前に波長変換素子ホルダ58に接着剤で固定され、位置調整作業の後に、波長変換素子ホルダ58と第1および第2の支持部材59,60と基台38とが接着剤で互いに固定される。
凹面ミラー36は、基台38に一体的に形成された保持部61に保持される。ガラスカバー37は、図1に示したカバー体39に保持される。
図4は、緑色レーザ光源装置2における半導体レーザ31、取付部材53、および基台38の分解斜視図である。半導体レーザ31は非常に小型の部品であるため、ねじ止めにより基台38に取り付けることが難しい。そこで、接着剤により半導体レーザ31と取付部材53とを固着する。特にここでは、接着剤に加熱硬化型の銀ペースト71が用いられる。銀ペースト71は、銀粉末と熱硬化性のバインダ樹脂と溶剤とを含む。バインダ樹脂には、例えば硬化剤による硬化反応により硬化する一液型のエポキシ樹脂が採用される。この銀ペースト71において硬化反応を生じる硬化温度は180℃程度となり、この銀ペースト71の硬化温度が接着時の温度(すなわち接着温度)であり、半導体レーザ31と取付部材53とを銀ペースト71で接着する際に、この硬化温度まで銀ペースト71が加熱される。
銀ペースト71は作業性がよいため、組み付け工程を効率化することができる。また、バインダ樹脂(エポキシ樹脂)により高い接着強度が得られるため、半導体レーザ31と取付部材53とを強固に固着して、半導体レーザ31が脱落することを避けることができる。
基台38は、ダイカスト用亜鉛合金(ZDC2)からなるダイカスト成型品である。ダイカスト用亜鉛合金は、比較的安価であり、融点(387℃)が低いため生産性がよく、さらに複雑な形状を精度よく製作することができる。一方、比較的低い温度(例えば130℃)で塑性変形を生じる特性(クリープ性)があり、この耐熱温度を超える高温状態に曝すと、基台38により支持される半導体レーザ31などの各部材の取付精度を低下させる。
なお、基台38は、ダイカスト用亜鉛合金の粉末とバインダ樹脂とを混合して射出成型を行う、いわゆる金属粉末射出成型法(メタルインジェクション)により製作してもよい。また、基台38の形成材料としては、ダイカスト用亜鉛合金の他に、例えばダイカスト用アルミニウム合金なども可能である。
取付部材53は、例えば金属材料(例えば銅やアルミニウムなど)からなる板材をプレス加工して形成されたものである。これにより、取付部材53の製作が容易になるため、製造コストを削減することができる。取付部材53は、箱形状をなし、半導体レーザ31の底面72が銀ペースト71を介して当接する取付面73と、基台38の支持面74に当接する底面75とが平行となるように形成されている。また、基台38の支持面74は底面51に平行となるように形成されており、これによりレーザチップ41が基台38の底面51に対して平行に配置される。
なお、取付部材53は、後述するように、半導体レーザ31の発熱を取付部材53を介して基台38に逃して放熱する際の放熱性を高めるため、熱抵抗が小さい金属材料、例えば銅やアルミニウムあるいはこれらを主体とした合金などで形成することが望ましいが、前記のように板材のプレス加工により形成されたものに限定されず、例えば削り出し加工により形成されたものとしてもよい。
取付部材53は、ねじ止めにより基台38に固定される。特にここでは、ビス76により取付部材53が基台38に締結される。ビス76は、基台38の底面51側から挿通孔77に挿通され、取付部材53に形成されたねじ孔78に螺合する。基台38の支持面74には突起79が形成されており、この突起79を、取付部材53に開設された孔80に嵌合させることで、基台38に対する取付部材53の位置決めが行われる。
図5は、半導体レーザ31と取付部材53と基台38との組立工程の手順を示す図である。ここでは、図4の取付部材53の取付面73に銀ペースト71を塗布し(図5のST101)、図4の銀ペースト71が塗布された取付部材53の取付面73上に半導体レーザ31を載置する(図5のST102)。そして、図4の半導体レーザ31を取付部材53に載置した状態で高温炉で加熱するキュアリングを行う(図5のST103)。このキュアリングは、例えば180度で2時間行われる。ついで、常温放置による冷却を行った上で(図5のST104)、ねじ止めにより図4の取付部材53を基台38に組み付ける(図5のST105)。
このように銀ペースト71により半導体レーザ31を取付部材53に固着した上で、取付部材53を基台38に固定することにより、銀ペースト71による固着工程で基台38が高温に曝されることを避けることができる。このため、基台38を、銀ペースト71の硬化温度(すなわち接着温度、例えば180℃)より低い耐熱性を有するダイカスト材料(ダイカスト用亜鉛合金)で形成しても、基台38の寸法精度が低下することがない。
銀ペースト71は、半導体レーザ31の保証温度(例えば250℃)よりも低い硬化温度(すなわち接着温度、例えば180℃)を有する。また、取付部材53は、銀ペースト71の硬化温度よりも高い耐熱性を有する。このため、半導体レーザ31を銀ペースト71により取付部材53に固着する工程で、半導体レーザ31が熱的損傷を受けることを避けることができ、また、取付部材53が銀ペースト71の硬化温度より高温となっても、取付部材53の寸法精度が低下することはない。
また、図3に示したように、取付部材53には、その取付部材53および銀ペースト71による接着層を介してレーザチップ41に給電するためのリード(導体)65が接続されている。半導体レーザ31のマウント部材52の下面側には、レーザチップ41に給電する電極が設けられており、この電極が銀ペースト71による接着層を介して取付部材53と電気的に接続される。一方、半導体レーザ31の上面側には、レーザチップ41に給電するリード66が設けられており、リード65,66を介してレーザ駆動部67から供給される駆動電圧がレーザチップ41に印加される。
取付部材53は、電気抵抗が小さい銅やアルミニウムなどの金属材料で形成されている。また、取付部材53と半導体レーザ31との間の銀ペースト71による接着層は、銀ペースト71に含まれる銀粉末により電気抵抗が小さい。このため、通電ロスを小さく抑えることができる。
また、半導体レーザ31のレーザチップ41に給電すると、レーザチップ41で発生した熱がマウント部材52に伝達され、さらに銀ペースト71による接着層および取付部材53を介して基台38に伝達される。銀ペースト71による接着層は、銀ペースト71に含まれる銀粉末により熱抵抗が小さい。また、取付部材53は、熱抵抗が小さい銅やアルミニウムなどの金属材料で形成されている。このため、半導体レーザ31の熱を効率よく放熱することができる。
基台38に伝達された熱は、基台38の底面51から、図1に示した筐体21の取付部22に伝達されて空気中に放熱される。なお、基台38からの放熱をより効率的に行うために、基台38や取付部22の放熱面にヒートシンクなどの冷却を促進する部材を取り付けるようにしてもよい。
銀ペースト71は、半導体レーザ31の動作温度(例えば100℃)よりも高い硬化温度(すなわち接着温度、例えば180℃)を有し、銀ペースト71の耐熱温度は、半導体レーザ31の動作温度より高くなる。したがって、緑色レーザ光源装置2の動作中に、銀ペースト71が耐熱温度を超える温度状態となることがない。また、取付部材53も、半導体レーザ31の動作温度よりも高い耐熱性を有する。このため、動作中の発熱で半導体レーザ31の取付精度が低下したり、半導体レーザ31が脱落したりすることはない。
図6は、本画像表示装置1をノート型の情報処理装置81に内蔵した例を示す斜視図である。情報処理装置81の筐体82には、画像表示装置1が出没自在に格納される収容スペースが、キーボードの裏面側に形成されており、不使用時には画像表示装置1が筐体82内に収容され、使用時には画像表示装置1が筐体82から引き出されて、画像表示装置1を回動自在に支持するベース部83に対して画像表示装置1を所要の角度に回動させることで、画像表示装置1からのレーザ光をスクリーンに投射させることができる。
なお、前記の例では、半導体レーザ31と取付部材53とを固着する接着材料に銀ペーストを用いたが、本発明はこれに限定されるものではない。銀粉末以外の金属粉末やカーボンなどの熱伝導性および導電性を有する粒子を用いたその他の接着剤も可能である。さらに、本発明における接着材料は、ペースト状のものに限定されない。すなわち、熱伝導性および導電性を有する粒子とバインダ樹脂を予めフィルム状に成形した接着シートも可能である。また、本発明における接着材料は、半導体レーザ31の動作温度で軟化したり脆弱化しない耐熱性を有するものであれば、加熱硬化型の接着材料の他に、熱可塑性樹脂を用いた加熱溶融型の接着材料も可能である。
本発明にかかるレーザ光源装置は、半導体レーザの取付精度の低下を招くことなく、半導体レーザを支持する基台の製造コストを削減することができる効果を有し、画像表示装置の光源に用いられるレーザ光源装置などとして有用である。
1 画像表示装置
2 緑色レーザ光源装置
3 赤色レーザ光源装置
4 青色レーザ光源装置
31 半導体レーザ
32 FACレンズ(集光レンズ)
33 ロッドレンズ(集光レンズ)
34 レーザ媒体
35 波長変換素子
36 凹面ミラー
37 ガラスカバー
38 基台
39 カバー体
41 レーザチップ
52 マウント部材
53 取付部材
71 銀ペースト(接着材料)
65 リード(導体)
2 緑色レーザ光源装置
3 赤色レーザ光源装置
4 青色レーザ光源装置
31 半導体レーザ
32 FACレンズ(集光レンズ)
33 ロッドレンズ(集光レンズ)
34 レーザ媒体
35 波長変換素子
36 凹面ミラー
37 ガラスカバー
38 基台
39 カバー体
41 レーザチップ
52 マウント部材
53 取付部材
71 銀ペースト(接着材料)
65 リード(導体)
本発明のレーザ光源装置は、レーザ光を出力する半導体レーザと、この半導体レーザを支持する基台と、この基台と前記半導体レーザとの間に介装される取付部材と、を備え、前記半導体レーザと前記取付部材とが加熱接着型の接着材料により固着され、この接着材料は、前記半導体レーザの保証温度よりも低い接着温度を有するとともに前記半導体レーザの動作温度よりも高い耐熱性を有し、前記取付部材は、前記接着材料の接着温度よりも高い耐熱性を有する材料で形成され、前記基台は、接着材料の接着温度より低い耐熱性を有するダイカスト材料で形成された構成とする。
前記課題を解決するためになされた第1の発明は、レーザ光を出力する半導体レーザと、この半導体レーザを支持する基台と、この基台と前記半導体レーザとの間に介装される取付部材と、を備え、前記半導体レーザと前記取付部材とが加熱接着型の接着材料により固着され、この接着材料は、前記半導体レーザの保証温度よりも低い接着温度を有するとともに前記半導体レーザの動作温度よりも高い耐熱性を有し、前記取付部材は、前記接着材料の接着温度よりも高い耐熱性を有する材料で形成され、前記基台は、接着材料の接着温度より低い耐熱性を有するダイカスト材料で形成された構成とする。
また、第4の発明は、前記第1乃至第3の発明において、前記半導体レーザと前記取付部材とが前記接着材料により固着された後、前記基台と前記取付部材とがネジ止めされた構成とする。
これによると、作業性がよいため、組み付け工程を効率化することができる。また、接着材料の接着温度が半導体レーザの保証温度よりも低いため、接着材料による固着工程で半導体レーザが熱的損傷を受けることを避けることができる。また、取付部材が接着材料の接着温度よりも高い耐熱性を有するため、接着材料による固着工程で取付部材の寸法精度が低下することを避けることができる。また、接着材料の耐熱性が半導体レーザの動作温度よりも高いため、レーザ光源装置の動作中に接着材料が耐熱温度を超える温度状態となることがないため、動作中の発熱で接着材料が劣化して、半導体レーザの取付精度が低下したり、半導体レーザが脱落することを避けることができる。
本発明のレーザ光源装置は、レーザ光を出力し、その上面に第1の給電リードを有する半導体レーザと、この半導体レーザを支持する基台と、この基台と半導体レーザとの間に介装され、第2の給電リードを有する金属製の取付部材と、半導体レーザと取付部材とを固着する接着層と、を備え、接着層は銀粉末とバインダ樹脂と溶剤とを含む加熱接着型の銀ペーストにより形成され、この銀ペーストは、半導体レーザの保証温度よりも低い接着温度を有するとともに半導体レーザの動作温度よりも高い耐熱性を有し、取付部材は、銀ペーストの接着温度よりも高い耐熱性を有し熱抵抗および電気抵抗が小さい金属材料で形成され、前記基台は、銀ペーストの接着温度より低い耐熱性を有するダイカスト用亜鉛合金で形成され、接着層を介して半導体レーザと取付部材との固着が行われた後、基台と取付部材とがネジ止めされ、半導体レーザが有する第1の給電リードが、前記電極および接着層を介して取付部材が有する第2の給電リードと電気的に接続された構成とする。
前記課題を解決するためになされた第1の発明は、レーザ光を出力し、その上面に第1の給電リードを有する半導体レーザと、この半導体レーザを支持する基台と、この基台と半導体レーザとの間に介装され、第2の給電リードを有する金属製の取付部材と、半導体レーザと取付部材とを固着する接着層と、を備え、接着層は銀粉末とバインダ樹脂と溶剤とを含む加熱接着型の銀ペーストにより形成され、この銀ペーストは、半導体レーザの保証温度よりも低い接着温度を有するとともに半導体レーザの動作温度よりも高い耐熱性を有し、取付部材は、銀ペーストの接着温度よりも高い耐熱性を有し熱抵抗および電気抵抗が小さい金属材料で形成され、前記基台は、銀ペーストの接着温度より低い耐熱性を有するダイカスト用亜鉛合金で形成され、接着層を介して半導体レーザと取付部材との固着が行われた後、基台と取付部材とがネジ止めされ、半導体レーザが有する第1の給電リードが、前記電極および接着層を介して取付部材が有する第2の給電リードと電気的に接続された構成とする。
また、接着材料の接着温度が半導体レーザの保証温度よりも低いため、接着材料による固着工程で半導体レーザが熱的損傷を受けることを避けることができる。また、取付部材が接着材料の接着温度よりも高い耐熱性を有するため、接着材料による固着工程で取付部材の寸法精度が低下することを避けることができる。また、接着材料の耐熱性が半導体レーザの動作温度よりも高いため、レーザ光源装置の動作中に接着材料が耐熱温度を超える温度状態となることがないため、動作中の発熱で接着材料が劣化して、半導体レーザの取付精度が低下したり、半導体レーザが脱落することを避けることができる。それとともに、半導体レーザが有する第1の給電リード、取付部材が有する第2の給電リードを介してレーザ駆動部から供給される電圧が、熱抵抗および電気抵抗が小さい金属材料で形成されている取付部材および銀ペーストを介して半導体レーザ上のレーザチップに印加される。このため、通電ロスを小さく抑えることができ、半導体レーザの熱を基台の底面から効率よく放熱することができる。
Claims (5)
- レーザ光を出力する半導体レーザと、
この半導体レーザを支持する基台と、
この基台と前記半導体レーザとの間に介装される取付部材と、を備え、
前記半導体レーザと前記取付部材とが加熱接着型の接着材料により固着され、この接着材料は、前記半導体レーザの保証温度よりも低い接着温度を有するとともに前記半導体レーザの動作温度よりも高い耐熱性を有し、前記取付部材は、前記接着材料の接着温度よりも高い耐熱性を有する材料で形成されたことを特徴とするレーザ光源装置。 - 前記接着材料は、銀粉末とバインダ樹脂と溶剤とを含む銀ペーストであることを特徴とする請求項1に記載のレーザ光源装置。
- 前記基台は、ダイカスト用亜鉛合金からなることを特徴とする請求項1若しくは請求項2に記載のレーザ光源装置。
- 前記取付部材および前記接着材料は導電性を有し、
前記取付部材に、その取付部材および前記接着材料を介して前記半導体レーザに給電するための導体が接続されたことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のレーザ光源装置。 - 前記半導体レーザは、励起用レーザ光を出力するものであり、
この半導体レーザから出力された励起用レーザ光により励起されて赤外レーザ光を出力するレーザ媒体と、このレーザ媒体から出力された赤外レーザ光の波長を変換して緑色レーザ光を出力する波長変換素子と、を備え、
前記レーザ媒体および前記波長変換素子が、前記半導体レーザともに前記基台に一体的に支持されたことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のレーザ光源装置。
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