JP2012042633A - Method for manufacturing resist pattern - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a resist pattern including: at least (a) a step of forming a photocrosslinking resin layer on a substrate; (b) a step of thinning the photocrosslinking resin layer; (d) a step of exposing a circuit pattern; and (e) a developing step, which includes a conveying step and the exposing step, in which scratch or foreign matter adhesion on the surface of the photocrosslinking resin layer is prevented, causes no contamination on a phototool even when contact exposure is performed, and causes no thickening of lines caused by refraction of light and no polymerization inhibition due to oxygen in the periphery of a step even when the photocrosslinking resin layer has a step.SOLUTION: The method for manufacturing the resist pattern includes (f) a step of sticking a masking film in which a transparent film and a non-photosensitive alkali-soluble adhesive layer are laminated onto a photocrosslinking resin layer after (b) a step of thinning the photocrosslinking resin layer, and includes (g) a step of removing the transparent film after (c) a step of exposing a circuit pattern.

Description

本発明は、微細回路形成用エッチングレジスト又はソルダーレジスト等のレジストパターンの作製方法に関する。   The present invention relates to a method for producing a resist pattern such as an etching resist for forming a fine circuit or a solder resist.

プリント配線板やリードフレームの製造方法として、表面に導電層を設けた絶縁性基板あるいは導電性基板の回路部にエッチングレジスト層を設け、露出している非回路部の導電層をエッチング除去して導電パターンを形成するサブトラクティブ法がある。また、絶縁性基板の回路部にメッキ法で導電層を設けていくアディティブ法やセミアディティブ法がある。   As a method of manufacturing printed wiring boards and lead frames, an etching resist layer is provided on an insulating substrate having a conductive layer on the surface or a circuit portion of the conductive substrate, and the exposed conductive layer of the non-circuit portion is removed by etching. There is a subtractive method for forming a conductive pattern. In addition, there are an additive method and a semi-additive method in which a conductive layer is provided on a circuit portion of an insulating substrate by a plating method.

近年の電子機器の小型、多機能化に伴い、機器内部に使用されるプリント配線板やリードフレームも高密度化や導電パターンの微細化が進められており、サブトラクティブ法により、現在では導体幅が50〜80μm未満、導体間隙が50〜80μmの導電パターンが製造されている。また、さらなる高密度化、微細配線化が進み、導体幅あるいは導体間隙50μm未満の超微細な導電パターンが求められるようになってきている。それに伴って、導電パターンの精度やインピーダンスの要求も高くなっている。このような微細な導電パターンを形成するため、従来から、サブトラクティブ法に代わり、セミアディティブ法が検討されているが、製造工程が大幅に増加するという問題や電解メッキ銅の接着強度不足等の問題があった。そのため、サブトラクティブ法でプリント配線板やリードフレームを製造するのが主流となっている。   As electronic devices have become smaller and more multifunctional in recent years, printed wiring boards and lead frames used inside the devices have been increased in density and conductive patterns. Has a conductive pattern of 50 to less than 80 μm and a conductor gap of 50 to 80 μm. In addition, with higher density and finer wiring, ultrafine conductive patterns with a conductor width or conductor gap of less than 50 μm have been required. Along with this, the requirements for the accuracy and impedance of the conductive pattern are also increasing. In order to form such a fine conductive pattern, a semi-additive method has been studied instead of the subtractive method. However, there are problems such as a significant increase in the manufacturing process and insufficient adhesive strength of electrolytically plated copper. There was a problem. For this reason, the production of printed wiring boards and lead frames by the subtractive method has become the mainstream.

サブトラクティブ法において、エッチングレジスト層は、感光性材料を用いた露光現像工程を有するフォトファブリケーション法、スクリーン印刷法、インクジェット法等によって形成される。この中でも、フォトファブリケーション法におけるネガ型のドライフィルムレジストと呼ばれるシート状の光架橋性樹脂層を用いた方法は、取り扱い性に優れ、テンティングによるスルーホールの保護が可能なことから好適に用いられている。   In the subtractive method, the etching resist layer is formed by a photofabrication method, a screen printing method, an ink jet method or the like having an exposure and development process using a photosensitive material. Among these, the method using a sheet-like photocrosslinkable resin layer called a negative dry film resist in the photofabrication method is preferably used because it is easy to handle and can protect through holes by tenting. It has been.

光架橋性樹脂層を用いた方法では、基板上に光架橋性樹脂層を形成し、露光、現像工程を経てエッチングレジスト層が形成される。微細な導電パターンを形成するためには、微細なエッチングレジスト層を形成させることが必要不可欠である。このために、できる限りレジスト膜厚を薄くする必要がある。光架橋性樹脂層として一般的なドライフィルムレジストでは、例えば、10μm以下の膜厚にすると、ゴミを核とした気泡の混入や凹凸追従性の低下が原因となり、レジスト層の剥がれや断線が発生するという問題があり、微細なエッチングレジスト層を形成させることは困難であった。   In the method using a photocrosslinkable resin layer, a photocrosslinkable resin layer is formed on a substrate, and an etching resist layer is formed through exposure and development steps. In order to form a fine conductive pattern, it is indispensable to form a fine etching resist layer. For this reason, it is necessary to make the resist film thickness as thin as possible. For dry film resists that are common as photocrosslinkable resin layers, for example, if the film thickness is 10 μm or less, the resist layer may be peeled off or disconnected due to the inclusion of bubbles with dust as a core and the decrease in follow-up of unevenness. It is difficult to form a fine etching resist layer.

このような問題を解決すべく、あらかじめ基板上に厚い光架橋性樹脂層を形成し、次に、高濃度の無機アルカリ性化合物を含むアルカリ水溶液を用いて光架橋性樹脂層を薄膜化した後、回路パターンの露光、現像を行ってエッチングレジスト層を形成する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。   In order to solve such a problem, after forming a thick photocrosslinkable resin layer on the substrate in advance, and then thinning the photocrosslinkable resin layer using an aqueous alkali solution containing a high concentration of inorganic alkaline compound, A method of forming an etching resist layer by exposing and developing a circuit pattern has been proposed (see, for example, Patent Document 1).

この方法によると、薄膜で微細なエッチングレジスト層を形成させることが可能であった。しかしながら、従来のドライフィルムレジストであれば、支持フィルムとして主にポリエステルフィルムが現像工程前まで光架橋性樹脂層を保護する状態で積層されているため、搬送工程や露光工程で傷や異物の付着といった問題が発生しにくかったが、上記方法においては、光架橋性樹脂層を薄膜化した後、その膜表面が剥き出しになっているため、傷や異物の付着、光架橋性樹脂層からの転写によるフォトツールの汚染の問題があった。   According to this method, it was possible to form a fine etching resist layer with a thin film. However, in the case of conventional dry film resists, since a polyester film is mainly laminated as a support film in a state that protects the photocrosslinkable resin layer until before the development step, adhesion of scratches and foreign matters in the transport step and exposure step However, in the above method, after the photocrosslinkable resin layer is thinned, the surface of the film is exposed. There was a problem of contamination of the photo tool.

この問題を解決するために、特許文献1では、光架橋性樹脂層を薄膜化処理した後、光架橋性樹脂層上に透明性フィルムを再積層する工程を含む導電パターンの作製方法が提案されている。しかしながら、透明性フィルムを熱圧着で貼り付けただけでは、透明性フィルムと光架橋性樹脂層との密着性が悪く、例えば、露光前にクリーニングローラーを通した場合など、透明性フィルムが剥がれてしまうという問題があった。   In order to solve this problem, Patent Document 1 proposes a method for producing a conductive pattern including a step of thinning a photocrosslinkable resin layer and then re-laminating a transparent film on the photocrosslinkable resin layer. ing. However, the adhesiveness between the transparent film and the photocrosslinkable resin layer is poor only by pasting the transparent film by thermocompression bonding. For example, the transparent film is peeled off when passed through a cleaning roller before exposure. There was a problem that.

また、特許文献1には、孔を有する回路基板の作製方法においても、微細なエッチングレジスト層を形成させるために、薄膜化処理を行う方法が提案されている。具体的には(a)孔を有する基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、(i)孔上及びその周囲部(以下、「ランド部」ともいう)の光架橋性樹脂層を硬化させる工程、(b′)アルカリ水溶液によって未硬化部の光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、(c)回路パターンの露光工程、(d)現像工程、(e)エッチング工程をこの順に含むこと特徴とする導電パターンの作製方法が提案されている。この方法によれば、厚い光架橋性樹脂層を貼り付けた後、孔上及びその周囲部の光架橋性樹脂層をあらかじめ硬化することにより、ランド部では厚いエッチングレジスト層でテンティングすることができ、現像及びエッチング工程においてテント破れが起こりにくい。さらに、ランド部以外では、薄膜化処理した後に回路パターンの露光、現像、エッチングすることによって、微細な回路形成が可能になる。   Patent Document 1 also proposes a method of performing a thinning process in order to form a fine etching resist layer in a method for manufacturing a circuit board having holes. Specifically, (a) a step of forming a photocrosslinkable resin layer on a substrate having a hole, (i) curing the photocrosslinkable resin layer on the hole and its peripheral part (hereinafter also referred to as “land part”). (B ') a step of thinning the photocrosslinkable resin layer of the uncured portion with an alkaline aqueous solution, (c) a circuit pattern exposure step, (d) a development step, and (e) an etching step in this order. A method for producing a conductive pattern including the above has been proposed. According to this method, after the thick photocrosslinkable resin layer is pasted, the photocrosslinkable resin layer on the hole and its surroundings is pre-cured, so that the land portion can be tented with a thick etching resist layer. The tent is not easily broken in the development and etching processes. Further, in a portion other than the land portion, a fine circuit can be formed by exposing, developing, and etching the circuit pattern after the thinning process.

しかしながら、上記と同様に、薄膜化した後の光架橋性樹脂層はその表面が剥き出しになっているため、傷や異物の付着、フォトツールの汚染の問題がある。また、孔上及びその周囲部と薄膜化した部分との間に厚み差(段差)があるため、回路パターンの露光工程において、フォトツールを用いて密着露光すると、段差周囲で光の屈折が大きくなり、線太りによる解像不良が発生する場合があった。また、密着露光の際、真空吸引を行っても、段差周囲で空気が抜け切らず、酸素によるラジカル重合阻害が起こり、膜減りや解像度の悪化が起こることがあった。   However, similarly to the above, since the surface of the photocrosslinkable resin layer after thinning is exposed, there are problems of adhesion of scratches and foreign matter, and contamination of the phototool. In addition, since there is a thickness difference (step) on the hole and between its peripheral part and the thinned part, if the contact exposure is performed using a photo tool in the exposure process of the circuit pattern, the light is refracted around the step. In some cases, poor resolution due to line thickening may occur. Further, even when vacuum suction is performed during contact exposure, air cannot be completely removed around the step, and radical polymerization is inhibited by oxygen, resulting in film loss and resolution degradation.

光架橋性樹脂層を薄膜化処理した後に、光架橋性樹脂層上に透明性フィルムを再積層しても、通常の透明性フィルムでは、光架橋性樹脂層の段差に完全に追従させることは極めて困難で、段差周囲において、上記と同様に、線太りによる解像不良や重合阻害による膜減りや解像度の悪化といった問題が発生する場合があった。   Even if a transparent film is re-laminated on the photocrosslinkable resin layer after thinning the photocrosslinkable resin layer, the normal transparent film can completely follow the steps of the photocrosslinkable resin layer. As described above, it is extremely difficult to cause problems such as poor resolution due to line thickening, film loss due to polymerization inhibition, and deterioration of resolution, similar to the above.

国際公開第2009/096438号パンフレットInternational Publication No. 2009/096438 Pamphlet

本発明の課題は、少なくとも(a)基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、(b)光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、(c)回路パターンの露光工程、(d)現像工程を含むレジストパターンの作製方法において、搬送工程や露光工程で光架橋性樹脂層表面に傷や異物の付着がなく、密着露光を行ってもフォトツールを汚染しないレジストパターンの作製方法を提供することである。また、光架橋性樹脂層に段差があっても、段差周囲で光の屈折による線太りや酸素による重合阻害を生じることのないレジストパターンの作製方法を提供することである。   The problems of the present invention are at least (a) a step of forming a photocrosslinkable resin layer on a substrate, (b) a step of thinning the photocrosslinkable resin layer, (c) an exposure step of a circuit pattern, (d ) In a resist pattern preparation method including a development step, there is no method of creating a resist pattern that does not contaminate the phototool even if contact exposure is performed without any scratches or foreign matter adhering to the surface of the photocrosslinkable resin layer in the transport step or exposure step. Is to provide. It is another object of the present invention to provide a method for producing a resist pattern that does not cause line thickening due to light refraction or inhibition of polymerization by oxygen even when there is a step in the photocrosslinkable resin layer.

(1)(a)基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、(b)光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、(f)透明性フィルムと非感光性のアルカリ可溶性粘着層とが積層したマスキングフィルムを非感光性のアルカリ可溶性粘着層が光架橋性樹脂層上に接するように貼り付ける工程、(c)回路パターンの露光工程、(g)透明性フィルムを除去する工程、(d)現像工程、を含むレジストパターンの作製方法、
(2)(a)基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、(i)光架橋性樹脂層の一部を露光する工程、(b′)露光された領域以外の光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、(f′)透明性フィルムと非感光性のアルカリ可溶性粘着層とが積層したマスキングフィルムを非感光性のアルカリ可溶性粘着層が光架橋性樹脂層に接するように貼り付ける工程、(c)回路パターンの露光工程、(g)透明性フィルムを除去する工程、(d)現像工程、を含むレジストパターンの作製方法、
を見出した。
(1) (a) a step of forming a photocrosslinkable resin layer on the substrate, (b) a step of thinning the photocrosslinkable resin layer, (f) a transparent film and a non-photosensitive alkali-soluble adhesive layer A step of adhering the non-photosensitive alkali-soluble adhesive layer on the photocrosslinkable resin layer, (c) an exposure step of the circuit pattern, (g) a step of removing the transparent film, (D) a resist pattern production method including a development step;
(2) (a) a step of forming a photocrosslinkable resin layer on the substrate, (i) a step of exposing a part of the photocrosslinkable resin layer, (b ′) a photocrosslinkable resin layer other than the exposed region (F ') a masking film in which a transparent film and a non-photosensitive alkali-soluble adhesive layer are laminated so that the non-photosensitive alkali-soluble adhesive layer is in contact with the photocrosslinkable resin layer. A step of attaching, (c) a circuit pattern exposure step, (g) a step of removing the transparent film, and (d) a development step,
I found.

本発明のレジストパターンの作製方法においては、光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行った後、透明性フィルムと非感光性のアルカリ可溶性粘着層が積層したマスキングフィルムを非感光性のアルカリ可溶性粘着層が光架橋性樹脂層に接するように貼り付ける。透明性フィルムに非感光性のアルカリ可溶性粘着層を積層したことで、従来問題となっていた薄膜化後の光架橋性樹脂層と透明性フィルムの密着性が格段に向上する。また、光架橋性樹脂層に段差がある場合でも、その段差に追従するように、マスキングフィルムのアルカリ可溶性粘着層が埋まることで、空気が排除されるため、酸素によるラジカル重合阻害が発生しない。また、段差に非感光性のアルカリ可溶性粘着層が追従することで、透明性フィルムは、基板に対してシワなく平坦に貼り付けられるため、従来問題となっていた段差周囲における光の屈折による線太り起因の解像不良が起こらない。さらに、マスキングフィルムの非感光性のアルカリ可溶性粘着層は、アルカリに可溶であるため、後の現像工程において、光架橋性樹脂層の未硬化部とともに完全に溶解除去されるので、非感光性のアルカリ可溶性粘着層は残存することがない。当然、薄膜化処理を行った後に、光架橋性樹脂層上にマスキングフィルムを貼り付けることによって、搬送工程や露光工程での傷や異物の付着が防止でき、密着露光の際のフォトツールへの汚染の問題も発生しない。   In the method for producing a resist pattern of the present invention, after a thinning treatment of a photocrosslinkable resin layer, a masking film in which a transparent film and a non-photosensitive alkali-soluble adhesive layer are laminated is used as a non-photosensitive alkali-soluble adhesive. The layer is stuck so as to contact the photocrosslinkable resin layer. By laminating the non-photosensitive alkali-soluble adhesive layer on the transparent film, the adhesion between the photocrosslinkable resin layer after thinning and the transparent film, which has been a problem in the past, is significantly improved. Further, even when there is a step in the photocrosslinkable resin layer, the alkali-soluble adhesive layer of the masking film is buried so as to follow the step, so that air is excluded, so that radical polymerization inhibition by oxygen does not occur. In addition, since the non-photosensitive alkali-soluble adhesive layer follows the step, the transparent film is flatly attached to the substrate without wrinkles. There is no resolution failure due to fatness. Furthermore, since the non-photosensitive alkali-soluble adhesive layer of the masking film is soluble in alkali, it is completely dissolved and removed together with the uncured portion of the photocrosslinkable resin layer in the subsequent development process. This alkali-soluble adhesive layer does not remain. Of course, by applying a masking film on the photocrosslinkable resin layer after thinning treatment, it is possible to prevent scratches and adhesion of foreign substances in the transport process and exposure process, and to the photo tool during contact exposure. There is no pollution problem.

光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程を含むレジストパターンの作製方法の一例を示す断面工程図である。It is a cross-sectional process drawing which shows an example of the production method of the resist pattern including the process of thinning a photocrosslinkable resin layer. 本発明のレジストパターンの作製方法(1)の一例を示す断面工程図である。It is sectional process drawing which shows an example of the production method (1) of the resist pattern of this invention. 本発明のレジストパターンの作製方法(2)の一例を示す断面工程図である。It is sectional process drawing which shows an example of the production method (2) of the resist pattern of this invention. 本発明のレジストパターンの作製方法(2)の一例を示す断面工程図である。It is sectional process drawing which shows an example of the production method (2) of the resist pattern of this invention. 本発明のレジストパターンの作製方法(2)の一例を示す断面工程図である。It is sectional process drawing which shows an example of the production method (2) of the resist pattern of this invention.

以下、本発明のレジストパターンの作製方法について詳細に説明する。   Hereinafter, a method for producing a resist pattern of the present invention will be described in detail.

図1は、光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程を含むレジストパターンの作製方法の一例を示す断面工程図である。図1において、絶縁性基板5の片表面に導電層4を設けてなる基板2を使用している。工程(a)では、基板2の導電層4上に光架橋性樹脂層1を形成する。工程(b)では、光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う。工程(c)では、回路パターンに相当する部分の光架橋性樹脂層を露光し、硬化部3を形成する。工程(d)では、光架橋性樹脂層(未硬化部)1を現像により除去し、レジストパターンを得る。   FIG. 1 is a cross-sectional process diagram illustrating an example of a resist pattern manufacturing method including a process of thinning a photocrosslinkable resin layer. In FIG. 1, a substrate 2 in which a conductive layer 4 is provided on one surface of an insulating substrate 5 is used. In the step (a), the photocrosslinkable resin layer 1 is formed on the conductive layer 4 of the substrate 2. In the step (b), the photocrosslinkable resin layer is thinned. In the step (c), the photocrosslinkable resin layer corresponding to the circuit pattern is exposed to form the cured portion 3. In the step (d), the photocrosslinkable resin layer (uncured portion) 1 is removed by development to obtain a resist pattern.

図2は、本発明のレジストパターンの作製方法(1)の一例を示す断面工程図である。図2において、工程(a)で、絶縁性基板5の片表面に導電層4を設けてなる基板2の導電層4上に光架橋性樹脂層1を形成する。工程(b)では、光架橋性樹脂層1の薄膜化処理を行う。工程(f)では、光架橋性樹脂層上に透明性フィルム6と非感光性のアルカリ可溶性粘着層(以下、「粘着層」と略記する場合あり)7とが積層したマスキングフィルム8を貼り付ける。粘着層7が薄膜化後の光架橋性樹脂層と密着するため、クリーンローラー等に通した場合でも、透明性フィルム6が剥がれることはない。工程(c)では、マスキングフィルム8が積層されたままの状態で、回路パターンに相当する部分の光架橋性樹脂層を露光し、硬化部3を形成する。工程(g)では、透明性フィルム6を除去する。工程(d)では、残りの光架橋性樹脂層(未硬化部)1と粘着層7を現像により除去し、レジストパターンを得る。   FIG. 2 is a cross-sectional process diagram illustrating an example of a resist pattern manufacturing method (1) according to the present invention. In FIG. 2, in step (a), the photocrosslinkable resin layer 1 is formed on the conductive layer 4 of the substrate 2 in which the conductive layer 4 is provided on one surface of the insulating substrate 5. In the step (b), the photocrosslinkable resin layer 1 is thinned. In the step (f), a masking film 8 in which a transparent film 6 and a non-photosensitive alkali-soluble adhesive layer (hereinafter sometimes abbreviated as “adhesive layer”) 7 are laminated is pasted on the photocrosslinkable resin layer. . Since the pressure-sensitive adhesive layer 7 is in close contact with the photocrosslinkable resin layer after being thinned, the transparent film 6 is not peeled even when passed through a clean roller or the like. In the step (c), the portion of the photocrosslinkable resin layer corresponding to the circuit pattern is exposed to form the cured portion 3 while the masking film 8 is still laminated. In the step (g), the transparent film 6 is removed. In the step (d), the remaining photocrosslinkable resin layer (uncured portion) 1 and the adhesive layer 7 are removed by development to obtain a resist pattern.

図3は、本発明のレジストパターンの作製方法(2)の一例を示す断面工程図である。図2において、工程(a)で、絶縁性基板5の片表面に導電層4を設けてなる基板2の導電層4上に光架橋性樹脂層1を形成する。工程(i)では、光架橋性樹脂層1の一部を露光して硬化させ、硬化部9を形成する。工程(b′)では、光架橋性樹脂層(未硬化部)1の薄膜化処理を行う。工程(f′)では、光架橋性樹脂層上に透明性フィルム6と粘着層7とが積層したマスキングフィルム8を貼り付ける。粘着層7が薄膜化後の光架橋性樹脂層1及び硬化部9とに密着するため、クリーンローラー等に通した場合でも、透明性フィルム6が剥がれることはない。また、透明性フィルム6が基板に対して、シワなく平坦に貼り付けられ、硬化部9と薄膜化後の光架橋性樹脂層との間の段差に粘着層7が追従することで、段差周囲における光漏れによる解像不良や酸素による重合阻害が起こらない。工程(c)では、マスキングフィルム8が積層されたままの状態で、回路パターンに相当する部分の光架橋性樹脂層を露光し、硬化部3を形成する。工程(g)では、透明性フィルム6を除去する。工程(d)では、残りの光架橋性樹脂層(未硬化部)1とアルカリ可溶性粘着層7を現像により除去し、レジストパターンを得る。   FIG. 3 is a cross-sectional process diagram illustrating an example of a resist pattern manufacturing method (2) according to the present invention. In FIG. 2, in step (a), the photocrosslinkable resin layer 1 is formed on the conductive layer 4 of the substrate 2 in which the conductive layer 4 is provided on one surface of the insulating substrate 5. In the step (i), a part of the photocrosslinkable resin layer 1 is exposed and cured to form a cured portion 9. In the step (b ′), the photocrosslinkable resin layer (uncured portion) 1 is thinned. In the step (f ′), a masking film 8 in which the transparent film 6 and the adhesive layer 7 are laminated is pasted on the photocrosslinkable resin layer. Since the adhesive layer 7 is in close contact with the photocrosslinkable resin layer 1 and the cured portion 9 after being thinned, the transparent film 6 is not peeled even when passed through a clean roller or the like. Further, the transparent film 6 is flatly attached to the substrate without wrinkles, and the adhesive layer 7 follows the step between the cured portion 9 and the photocrosslinkable resin layer after thinning, so that the periphery of the step Insufficient resolution due to light leakage and polymerization inhibition due to oxygen do not occur. In the step (c), the portion of the photocrosslinkable resin layer corresponding to the circuit pattern is exposed to form the cured portion 3 while the masking film 8 is still laminated. In the step (g), the transparent film 6 is removed. In the step (d), the remaining photocrosslinkable resin layer (uncured portion) 1 and the alkali-soluble adhesive layer 7 are removed by development to obtain a resist pattern.

図4〜5は、本発明のレジストパターンの作製方法(2)の一例を示す断面工程図である。基板2には孔10があり、表面及び孔内部に導電層4が設けられている。図4において、工程(a)で、孔10を塞ぐようにして、基板2の表面の導電層4上に光架橋性樹脂層1を形成する。工程(i)では、孔10上及びその周囲部の光架橋性樹脂層1を露光して硬化させ、硬化部9を形成する。工程(b′)では、光架橋性樹脂層(未硬化部)1の薄膜化処理を行う。工程(f′)では、光架橋性樹脂層上に透明性フィルム6と粘着層7とが積層したマスキングフィルム8を貼り付ける。工程(c)では、マスキングフィルム8が積層されたままの状態で、回路パターンに相当する部分の光架橋性樹脂層を露光し、硬化部3を形成する。工程(g)では、透明性フィルム6を除去する。工程(d)では、残りの光架橋性樹脂層(未硬化部)1と粘着層7を現像により除去し、レジストパターンを得る。   4 to 5 are cross-sectional process diagrams showing an example of a resist pattern manufacturing method (2) according to the present invention. The substrate 2 has a hole 10, and a conductive layer 4 is provided on the surface and inside the hole. In FIG. 4, in step (a), the photocrosslinkable resin layer 1 is formed on the conductive layer 4 on the surface of the substrate 2 so as to close the hole 10. In step (i), the photocrosslinkable resin layer 1 on and around the hole 10 is exposed and cured to form a cured portion 9. In the step (b ′), the photocrosslinkable resin layer (uncured portion) 1 is thinned. In the step (f ′), a masking film 8 in which the transparent film 6 and the adhesive layer 7 are laminated is pasted on the photocrosslinkable resin layer. In the step (c), the portion of the photocrosslinkable resin layer corresponding to the circuit pattern is exposed to form the cured portion 3 while the masking film 8 is still laminated. In the step (g), the transparent film 6 is removed. In the step (d), the remaining photocrosslinkable resin layer (uncured portion) 1 and the adhesive layer 7 are removed by development to obtain a resist pattern.

光架橋性樹脂層の形成には、例えば、加熱したゴムロールを加圧して押し当てる熱圧着方式のラミネータ装置を用いることができる。加熱温度は100℃以上であることが好ましい。ラミネート前の基板に、アルカリ脱脂、酸洗等の前処理を施してもよい。   For the formation of the photocrosslinkable resin layer, for example, a thermocompression laminator device that presses and presses a heated rubber roll can be used. The heating temperature is preferably 100 ° C. or higher. The substrate before lamination may be subjected to pretreatment such as alkali degreasing and pickling.

本発明において、表面に導電層を設けた基板が好ましく用いられる。このような基板としては、プリント配線板又はリードフレーム用基板が挙げられる。プリント配線板としては、例えば、フレキシブル基板、リジッド基板が挙げられる。フレキシブル基板の絶縁性基板の厚さは5〜125μmで、その両面もしくは片面に1〜35μmの金属箔層が導電層として設けられており、可撓性が大きい。絶縁性基板の材料には、通常、ポリイミド、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンテレフタレート、液晶ポリマー等が用いられる。絶縁性基板上に金属箔層を有する材料は、接着剤で貼り合わせる接着法、金属箔上に絶縁性基板材料である樹脂の液を塗布するキャスト法、スパッタリングや蒸着法で絶縁性基板である樹脂フィルム上に形成した厚さ数nmの薄い導電層(シード層)の上に電解メッキで金属箔層を形成するスパッタ/メッキ法、熱プレスで貼り付けるラミネート法等のいかなる方法で製造したものを用いてもよい。金属箔層の金属としては、銅、アルミニウム、銀、ニッケル、クロム、あるいはそれらの合金等のいかなる金属を用いることができるが、銅が一般的である。   In the present invention, a substrate having a conductive layer on the surface is preferably used. Examples of such a substrate include a printed wiring board or a lead frame substrate. Examples of the printed wiring board include a flexible substrate and a rigid substrate. The thickness of the insulating substrate of the flexible substrate is 5 to 125 μm, and a metal foil layer of 1 to 35 μm is provided as a conductive layer on both sides or one side, and the flexibility is high. As the material for the insulating substrate, polyimide, polyamide, polyphenylene sulfide, polyethylene terephthalate, liquid crystal polymer, or the like is usually used. The material having the metal foil layer on the insulating substrate is an insulating substrate by an adhesive method of bonding with an adhesive, a casting method of applying a resin liquid which is an insulating substrate material on the metal foil, a sputtering method or a vapor deposition method. Produced by any method, such as sputtering / plating, which forms a metal foil layer by electrolytic plating on a thin conductive layer (seed layer) with a thickness of several nanometers formed on a resin film, or laminating by hot pressing. May be used. As a metal of the metal foil layer, any metal such as copper, aluminum, silver, nickel, chromium, or an alloy thereof can be used, but copper is generally used.

リジッド基板としては、エポキシ樹脂又はフェノール樹脂等を浸漬させた紙基材又はガラス基材を重ねて絶縁性基板とし、その片面もしくは両面に金属箔を導電層として載置し、加熱及び加圧により積層して、金属箔層が設けられたものが挙げられる。また、内層配線パターン加工後、プリプレグ、金属箔等を積層して作製する多層用のシールド板、貫通孔や非貫通孔を有する多層板も挙げられる。厚みは60μm〜3.2mmであり、プリント基板としての最終使用形態により、その材質と厚みが選定される。金属箔層の材料としては、銅、アルミニウム、銀、金等が挙げられるが、銅が最も一般的である。   As a rigid substrate, a paper substrate or glass substrate soaked with an epoxy resin or a phenol resin is overlapped to form an insulating substrate, and a metal foil is placed on one or both sides as a conductive layer, and heated and pressed. A laminated layer provided with a metal foil layer can be used. Moreover, the multilayer board which has a through-hole and a non-through-hole, and the multilayer shield board produced by laminating | stacking a prepreg, metal foil, etc. after an inner layer wiring pattern process is also mentioned. The thickness is 60 μm to 3.2 mm, and the material and thickness thereof are selected according to the final use form as a printed circuit board. Examples of the material for the metal foil layer include copper, aluminum, silver, and gold. Copper is the most common.

孔を有し、表面及び孔内部に導電層が設けられている基板は、例えば、絶縁性基板表面に金属箔層を有する基板に対して、ドリルやレーザーによって孔を形成し、次に、無電解めっき、電解めっき等のめっき処理を施して、孔内部を含む表面にめっき金属層を形成することによって作製される。   For a substrate having a hole and a conductive layer provided on the surface and inside the hole, for example, a hole is formed by drilling or lasering on a substrate having a metal foil layer on the surface of the insulating substrate. It is produced by performing a plating process such as electrolytic plating or electrolytic plating to form a plated metal layer on the surface including the inside of the hole.

これらプリント基板の例は、「プリント回路技術便覧」((社)日本プリント回路工業会編、1987年刊行、(株)日刊工業新聞社刊)や「多層プリント回路ハンドブック」(J.A.スカーレット編、1992年刊行、(株)近代化学社刊)に記載されている。リードフレーム用基板としては、鉄ニッケル合金、銅系合金等の基板が挙げられる。   Examples of these printed circuit boards are “Printed Circuit Technology Handbook” (edited by Japan Printed Circuit Industry Association, published in 1987, published by Nikkan Kogyo Shimbun Co., Ltd.) and “Multilayer Printed Circuit Handbook” (JA Scarlet). Ed., Published in 1992, published by Modern Chemical Co., Ltd.). Examples of the lead frame substrate include iron nickel alloy and copper alloy substrates.

光架橋性樹脂層とは露光部が硬化して現像液に不溶化する樹脂層であり、回路形成用として、ネガ型のドライフィルムレジストが一般的に使用されている。市販のドライフィルムレジストは、少なくとも光架橋性樹脂層を有していて、ポリエステル等の支持層フィルム上に光架橋性樹脂層を設け、場合によってはポリエチレン等の保護フィルムで光架橋性樹脂上を挟んだ三層構成となっているものが多い。本発明において、光架橋性樹脂層として使用できる市販のドライフィルムレジストとしては、例えば、サンフォート(登録商標)シリーズ(旭化成イーマテリアルズ社製)、フォテック(登録商標)シリーズ(日立化成工業社製)、リストン(登録商標)シリーズ(デュポンMRCドライフィルム社製)、ALPHO(登録商標)シリーズ(ニチゴー・モートン社製)等を挙げることができる。   The photocrosslinkable resin layer is a resin layer in which an exposed portion is cured and insolubilized in a developer, and a negative dry film resist is generally used for forming a circuit. A commercially available dry film resist has at least a photocrosslinkable resin layer, and is provided with a photocrosslinkable resin layer on a support layer film such as polyester. In some cases, a protective film such as polyethylene covers the photocrosslinkable resin layer. Many have a three-layer structure. In the present invention, commercially available dry film resists that can be used as the photocrosslinkable resin layer include, for example, Sunfort (registered trademark) series (manufactured by Asahi Kasei E-materials), Photec (registered trademark) series (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.). ), Liston (registered trademark) series (manufactured by DuPont MRC Dry Film), ALPHA (registered trademark) series (manufactured by Nichigo Morton), and the like.

光架橋性樹脂層は、(A)カルボキシル基を含有するポリマー、(B)分子内に少なくとも1個の重合可能なエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物、(C)光重合開始剤を含有してなり、さらに、溶剤、その他添加剤を含有してもよい。それらの配合比率は、感度、解像度、硬化度、テンティング性等の要求される性質のバランスによって決定される。光架橋性樹脂層の組成物の例は「フォトポリマーハンドブック」(フォトポリマー懇話会編、1989年刊行、(株)工業調査会刊)や「フォトポリマー・テクノロジー」(山本亜夫、永松元太郎編、1988年刊行、(株)日刊工業新聞社刊)等に記載されており、所望の光架橋性樹脂組成物を使用することができる。   The photocrosslinkable resin layer comprises (A) a polymer containing a carboxyl group, (B) a photopolymerizable compound having at least one polymerizable ethylenically unsaturated group in the molecule, and (C) a photopolymerization initiator. It may contain and may contain a solvent and other additives further. Their blending ratio is determined by a balance of required properties such as sensitivity, resolution, degree of cure, and tenting properties. Examples of the composition of the photo-crosslinkable resin layer are “Photopolymer Handbook” (edited by Photopolymer Social Society, published in 1989, published by Kogyo Kenkyukai) and “Photopolymer Technology” (edited by Akio Yamamoto and Mototaro Nagamatsu, 1988, published by Nikkan Kogyo Shimbun Co., Ltd., etc., and a desired photocrosslinkable resin composition can be used.

光架橋性樹脂層の厚みは、15〜100μmであることが好ましく、20〜50μmであることがより好ましい。この厚みが15μm未満では、ゴミを核とした気泡の混入や凹凸追従性不良によって、レジスト剥がれや断線が発生する場合がある。一方、100μmを超えると、光架橋性樹脂層の製造コストが高くなるだけでなく、製造した光架橋性樹脂層のエッジフュージョンが顕著で保存性が悪くなる場合がある。   The thickness of the photocrosslinkable resin layer is preferably 15 to 100 μm, and more preferably 20 to 50 μm. If the thickness is less than 15 μm, resist peeling or disconnection may occur due to the mixing of bubbles with dust as a core and the uneven followability. On the other hand, when the thickness exceeds 100 μm, not only the production cost of the photocrosslinkable resin layer is increased, but also the edge fusion of the produced photocrosslinkable resin layer is remarkable and the storage stability may be deteriorated.

工程(b)及び(b′)において、光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う。薄膜化処理には、アルカリ水溶液を好適に使用することができる。アルカリ水溶液としては、リチウム、ナトリウム又はカリウムの炭酸塩又は重炭酸塩等のアルカリ金属炭酸塩、カリウム、ナトリウムのリン酸塩等のアルカリ金属リン酸塩、リチウム、ナトリウム又はカリウムの水酸化物等のアルカリ金属水酸化物、カリウム、ナトリウムのケイ酸塩等のアルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物、エタノールアミン類、エチレンジアミン、プロパンジアミン類、トリエチレンテトラミン、モルホリン等の有機アルカリ性化合物等のうち少なくともいずれか1種を含む。このうち特に好ましい化合物としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられる。アルカリ性化合物の含有量は5〜20質量部が好ましく、さらに好ましくは10〜15質量部である。5質量部未満では、薄膜化処理でムラができやすくなる傾向があり、20質量部を超えると、アルカリ性化合物の析出や分離等が起こりやすくなって、液の経時安定性や作業性が劣る場合がある。溶液のpHは9〜12の範囲とすることが好ましい。また、アルカリ水溶液には、界面活性剤、消泡剤、溶剤等を適宜添加することができる。   In steps (b) and (b ′), the photocrosslinkable resin layer is thinned. An alkaline aqueous solution can be suitably used for the thinning treatment. Examples of alkaline aqueous solutions include alkali metal carbonates such as lithium or sodium or potassium carbonate or bicarbonate, alkali metal phosphates such as potassium or sodium phosphate, lithium, sodium or potassium hydroxide, etc. Among inorganic alkali compounds selected from alkali metal silicates such as alkali metal hydroxides, potassium and sodium silicates, organic alkaline compounds such as ethanolamines, ethylenediamine, propanediamine, triethylenetetramine, morpholine, etc. At least one of them is included. Among these, particularly preferable compounds include sodium carbonate, potassium carbonate, sodium hydroxide, potassium hydroxide and the like. As for content of an alkaline compound, 5-20 mass parts is preferable, More preferably, it is 10-15 mass parts. If the amount is less than 5 parts by mass, unevenness tends to be easily caused by the thinning treatment. If the amount exceeds 20 parts by mass, precipitation or separation of the alkaline compound is likely to occur, resulting in poor stability over time and workability of the liquid. There is. The pH of the solution is preferably in the range of 9-12. Moreover, surfactant, an antifoamer, a solvent, etc. can be suitably added to alkaline aqueous solution.

アルカリ水溶液で薄膜化処理を行った後、水によって十分に基板を洗浄する必要がある。水洗処理の方法として、ディップ方式、パドル方式、スプレー方式等があり、均一性の点からスプレー方式が最も適している。また、光架橋性樹脂層表面を水洗した後、水滴を除去することもできる。水洗水としては、工業用水、水道水、イオン交換水、蒸留水等が挙げられる。樹脂層表面の水滴の除去方法としては、エアーナイフ、吸液性ロール、温風乾燥等が挙げられるが、物理的な接触がなく、除去効率がよいことから、エアーナイフが特に好ましい。   After performing the thinning treatment with an alkaline aqueous solution, it is necessary to sufficiently wash the substrate with water. There are a dip method, a paddle method, a spray method, and the like as a washing method, and the spray method is most suitable from the viewpoint of uniformity. Moreover, after washing the photocrosslinkable resin layer surface with water, water droplets can be removed. Examples of the washing water include industrial water, tap water, ion exchange water, and distilled water. Examples of the method for removing water droplets on the surface of the resin layer include an air knife, a liquid-absorbing roll, and hot air drying. An air knife is particularly preferable because there is no physical contact and good removal efficiency.

光架橋性樹脂層上に支持層フィルムが設けられている場合には、剥がしてから薄膜化処理を実施する。薄膜化処理とは、光架橋性樹脂層の厚みを略均一に薄くする処理のことであり、詳しくは、薄膜化処理を施す前の厚みの0.05〜0.9倍の厚みまで薄くすることをいう。   When the support layer film is provided on the photocrosslinkable resin layer, the thinning treatment is performed after the film is peeled off. The thinning treatment is a treatment for reducing the thickness of the photocrosslinkable resin layer substantially uniformly. Specifically, the thickness is reduced to 0.05 to 0.9 times the thickness before the thinning treatment. That means.

薄膜化処理の方法として、ディップ方式、パドル方式、スプレー方式、ブラッシング、スクレーピング等があり、スプレー方式が光架橋性樹脂層の溶解速度の点からは最も適している。スプレー方式の場合、処理条件(温度、時間、スプレー圧)は、使用する光架橋性樹脂層の溶解速度に合わせて適宜調整される。具体的には、処理温度は10〜50℃が好ましく、より好ましくは15〜40℃、さらに好ましくは15〜35℃である。また、スプレー圧は0.01〜0.5MPaとするのが好ましく、さらに好ましくは0.02〜0.3MPaである。   There are dipping method, paddle method, spray method, brushing, scraping and the like as the thinning treatment method, and the spray method is most suitable from the viewpoint of the dissolution rate of the photocrosslinkable resin layer. In the case of the spray method, the treatment conditions (temperature, time, spray pressure) are appropriately adjusted according to the dissolution rate of the photocrosslinkable resin layer to be used. Specifically, the treatment temperature is preferably 10 to 50 ° C, more preferably 15 to 40 ° C, and further preferably 15 to 35 ° C. The spray pressure is preferably 0.01 to 0.5 MPa, and more preferably 0.02 to 0.3 MPa.

工程(f)及び(f′)において、透明性フィルムと粘着層とが積層したマスキングフィルムを光架橋性樹脂層上に貼り付ける。光架橋性樹脂層に含まれる単量体やオリゴマー等の低分子量成分によるが、薄膜化処理後の光架橋性樹脂層のタック性は、処理前に比べ低減されることが多い。本発明においては、薄膜化処理後の光架橋性樹脂層が低タック性であっても、粘着層が光架橋性樹脂層表面と密着するため、透明性フィルムが容易に剥がれることはない。また、透明性フィルムがあることによって、搬送工程や露光工程での傷や異物の混入による欠陥が非常に少なくなる。   In the steps (f) and (f ′), a masking film in which a transparent film and an adhesive layer are laminated is attached on the photocrosslinkable resin layer. Although it depends on low molecular weight components such as monomers and oligomers contained in the photocrosslinkable resin layer, the tackiness of the photocrosslinkable resin layer after the thinning treatment is often reduced as compared with that before the treatment. In the present invention, even if the photocrosslinkable resin layer after the thinning treatment has low tackiness, the adhesive layer is in close contact with the surface of the photocrosslinkable resin layer, and therefore the transparent film is not easily peeled off. In addition, the presence of the transparent film greatly reduces defects due to scratches and foreign matters in the transport process and exposure process.

マスキングフィルムは、透明性フィルムと粘着層とからなる。透明性フィルムは、現像直前に粘着層から剥離される。透明性フィルムは、短波長可視光線やそれに近い近紫外線の透過率が高いフィルムであればいずれのフィルムでも使用できる。例えば、ポリエステルフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリカーボネートフィルム等が挙げられるが、ポリエステルフィルムが好ましい。ポリエステルとは、芳香族ジカルボン酸又は脂肪族ジカルボン酸とジオールを主たる構成成分とする単量体との重縮合体である。   The masking film is composed of a transparent film and an adhesive layer. The transparent film is peeled off from the adhesive layer immediately before development. As the transparent film, any film can be used as long as it has a high transmittance for short-wavelength visible light or near-ultraviolet rays. For example, although a polyester film, a polyethylene film, a polyvinyl chloride film, a polypropylene film, a polycarbonate film, etc. are mentioned, a polyester film is preferable. Polyester is a polycondensation product of an aromatic dicarboxylic acid or aliphatic dicarboxylic acid and a monomer containing diol as main constituent components.

ポリエステルフィルムを構成するポリエステルには、ジカルボン酸成分として、テレフタル酸、イソフタル酸、フタル酸、ナフタレンジカルボン酸等の芳香族カルボン酸、アジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸、デカンジカルボン酸等の脂肪族カルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸等の脂環族ジカルボン酸を用いることができ、ジオール成分としては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、ブタンジオール、ペンタンジオール、ヘキサンジオール等の脂肪族ジオール、シクロヘキサンジメタノール等の脂環族ジオールを用いることができる。   Polyester constituting the polyester film includes, as dicarboxylic acid components, aromatic carboxylic acids such as terephthalic acid, isophthalic acid, phthalic acid, and naphthalenedicarboxylic acid, and aliphatic carboxylic acids such as adipic acid, azelaic acid, sebacic acid, and decanedicarboxylic acid. An alicyclic dicarboxylic acid such as acid or cyclohexanedicarboxylic acid can be used, and the diol component includes an aliphatic diol such as ethylene glycol, diethylene glycol, butanediol, pentanediol, and hexanediol, and an alicyclic such as cyclohexanedimethanol. Diols can be used.

透明性フィルムとしては、ポリエステルフィルムの中でも、特に、テレフタル酸とエチレングリコールの脱水重合により作られるポリエチレンテレフタレートを主成分とするフィルムを用いることが好ましい。ポリエチレンテレフタレートフィルムは、耐溶剤性、機械的強度があり、ラミネート適性、剥離適性に優れている。また、光学用フィルムとして、透過率、屈折率も優れ、経済的にも有利なことから利用しやすい。   As the transparent film, among polyester films, it is particularly preferable to use a film mainly composed of polyethylene terephthalate produced by dehydration polymerization of terephthalic acid and ethylene glycol. The polyethylene terephthalate film has solvent resistance and mechanical strength, and is excellent in laminate suitability and peelability. Further, it is easy to use as an optical film because it has excellent transmittance and refractive index and is economically advantageous.

また、透明性フィルムは、そのヘイズ値Hが10%以下であることが好ましく、5%以下であることがより好ましく、1.5%以下であることがさらに好ましい。ヘイズ値Hとは濁度を表す値であり、光源により照射され、試料中を透過した光の全透過率Tと試料中で拡散され散乱した光の透過率Dより、H(%)=(D/T)×100として求められる。これは、JIS−K−7105により規定されており、市販のヘイズメーター(例えば、商品名:NDH−500、日本電色工業社製)により容易に測定可能である。ヘイズ値が10%を超えると、透過性が低くなり、光硬化を阻害することがある。ヘイズ値が10%以下の透明性フィルムとしては、例えば、テイジン(登録商標)テトロン(登録商標)フィルム(帝人デュポンフィルム社製)、及びマイラー(登録商標)(帝人デュポンフィルム社製)、メリネックス(登録商標)(帝人デュポンフィルム社製)、ダイアホイル(登録商標)(三菱樹脂社製)、ルミラー(登録商標)(東レフィルム加工社製)等が挙げられる。   Further, the haze value H of the transparent film is preferably 10% or less, more preferably 5% or less, and further preferably 1.5% or less. The haze value H is a value representing turbidity. From the total transmittance T of the light irradiated by the light source and transmitted through the sample and the transmittance D of the light diffused and scattered in the sample, H (%) = ( D / T) × 100. This is defined by JIS-K-7105 and can be easily measured by a commercially available haze meter (for example, trade name: NDH-500, manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd.). When the haze value exceeds 10%, the transparency is lowered, and photocuring may be inhibited. As a transparent film having a haze value of 10% or less, for example, Teijin (registered trademark) Tetoron (registered trademark) film (manufactured by Teijin DuPont Films), Mylar (registered trademark) (manufactured by Teijin DuPont Films), Merinex ( Registered trademark) (manufactured by Teijin DuPont Films), Diafoil (registered trademark) (manufactured by Mitsubishi Plastics), Lumirror (registered trademark) (manufactured by Toray Film Processing Co., Ltd.), and the like.

透明性フィルムの厚みは、10〜25μmであることが好ましく、12〜25μmであることがより好ましい。25μmを超えると、解像度が低下することや、経済的に不利となることがある。一方、10μm未満では、機械的強度が不足し、剥離時に破れが発生しやすくなることがある。   The thickness of the transparent film is preferably 10 to 25 μm, and more preferably 12 to 25 μm. If it exceeds 25 μm, the resolution may be lowered, and it may be economically disadvantageous. On the other hand, when the thickness is less than 10 μm, the mechanical strength is insufficient, and tearing may easily occur during peeling.

粘着層は、短波長可視光線やそれに近い近紫外線に対して感光性がなく、アルカリ水溶液に可溶で、透明性フィルムと薄膜化後の光架橋性樹脂層の中間層として貼り付けられるものであればいずれでもよい。また、現像直前に透明性フィルムと剥離される必要がある。透明性フィルムを剥離した後、光架橋性樹脂層上に粘着層が残存するため、後の工程(d)で完全に溶解するものである必要がある。   The adhesive layer is not sensitive to short-wavelength visible light or near-ultraviolet rays, is soluble in an alkaline aqueous solution, and is attached as an intermediate layer between the transparent film and the photocrosslinkable resin layer after thinning. Any one is acceptable. Moreover, it is necessary to peel from the transparent film immediately before development. After the transparent film is peeled off, the adhesive layer remains on the photocrosslinkable resin layer, so that it needs to be completely dissolved in the subsequent step (d).

粘着層としては、アルカリ水溶液に可溶な重合体を含有していればよく、例えば、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、スチレン系樹脂、エポキシ系樹脂、アミド系樹脂、アミドエポキシ系樹脂、アルキド系樹脂、フェノール系樹脂の有機高分子が挙げられる。このうち、エチレン性不飽和二重結合を有した単量体(重合性単量体)を重合(ラジカル重合等)して得られたものであることが好ましい。また、アルカリ水溶液による現像性を考慮すると、アクリル系樹脂又はメタクリル系樹脂が好ましい。これらのアルカリ水溶液に可溶な重合体は、単独で用いても、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。このようなエチレン性不飽和二重結合を有した単量体としては、例えば、スチレン;ビニルトルエン、α−メチルスチレン、p−メチルスチレン、p−エチルスチレン、p−メトキシスチレン、p−エトキシスチレン、p−クロロスチレン、p−ブロモスチレン等のスチレン誘導体;ジアセトンアクリルアミド等のアクリルアミド;アクリロニトリル;ビニル−n−ブチルエーテル等のビニルアルコールのエステル類;(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸テトラヒドロフルフリルエステル、(メタ)アクリル酸ジメチルアミノエチルエステル、(メタ)アクリル酸ジエチルアミノエチルエステル、(メタ)アクリル酸グリシジルエステル、2,2,2−トリフルオロエチル(メタ)アクリレート、2,2,3,3−テトラフルオロプロピル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリル酸、α−ブロモ(メタ)アクリル酸、α−クロル(メタ)アクリル酸、β−フリル(メタ)アクリル酸、β−スチリル(メタ)アクリル酸等の(メタ)アクリル酸モノエステル;マレイン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸モノメチル、マレイン酸モノエチル、マレイン酸モノイソプロピル等のマレイン酸系単量体;フマル酸、ケイ皮酸、α−シアノケイ皮酸、イタコン酸、クロトン酸、プロピオール酸等が挙げられる。   The adhesive layer only needs to contain a polymer soluble in an alkaline aqueous solution. For example, acrylic resin, methacrylic resin, styrene resin, epoxy resin, amide resin, amide epoxy resin, alkyd resin Examples thereof include organic polymers such as resins and phenolic resins. Among these, it is preferable that it is a thing obtained by superposing | polymerizing (radical polymerization etc.) the monomer (polymerizable monomer) which has an ethylenically unsaturated double bond. In view of developability with an aqueous alkali solution, an acrylic resin or a methacrylic resin is preferable. These polymers soluble in an alkaline aqueous solution may be used alone or in combination of two or more. Examples of such a monomer having an ethylenically unsaturated double bond include styrene; vinyl toluene, α-methyl styrene, p-methyl styrene, p-ethyl styrene, p-methoxy styrene, p-ethoxy styrene. Styrene derivatives such as p-chlorostyrene and p-bromostyrene; acrylamide such as diacetone acrylamide; acrylonitrile; esters of vinyl alcohol such as vinyl-n-butyl ether; (meth) acrylic acid alkyl ester; (meth) acrylic acid Tetrahydrofurfuryl ester, (meth) acrylic acid dimethylaminoethyl ester, (meth) acrylic acid diethylaminoethyl ester, (meth) acrylic acid glycidyl ester, 2,2,2-trifluoroethyl (meth) acrylate, 2,2, 3,3-te Rafluoropropyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid, α-bromo (meth) acrylic acid, α-chloro (meth) acrylic acid, β-furyl (meth) acrylic acid, β-styryl (meth) acrylic acid, etc. (Meth) acrylic acid monoesters; maleic monomers such as maleic acid, maleic anhydride, monomethyl maleate, monoethyl maleate, monoisopropyl maleate; fumaric acid, cinnamic acid, α-cyanocinnamic acid , Itaconic acid, crotonic acid, propiolic acid and the like.

上記(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、下記一般式(I):
CH=C(R)―COOR (I)
[式(I)中、Rは水素原子又はメチル基を示し、Rは炭素数1〜12のアルキル基を示す。]
で示される化合物及びこれらの化合物のアルキル基に水酸基、エポキシ基、ハロゲン原子等が置換した化合物等が挙げられる。
Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester include the following general formula (I):
CH 2 = C (R 1) -COOR 2 (I)
[In Formula (I), R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 2 represents an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms. ]
And compounds in which a hydroxyl group, an epoxy group, a halogen atom, or the like is substituted on the alkyl group of these compounds.

粘着層は、アルカリ水溶液による現像性を考慮すると、カルボキシル基を含有していることが好ましい。従って、カルボキシル基を有する重合性単量体とその他の重合性単量体をラジカル重合させる。カルボキシル基を有する重合性単量体としては、(メタ)アクリル酸、ビニル安息香酸、マレイン酸、無水マレイン酸、イタコン酸、無水イタコン酸、クロトン酸、桂皮酸、アクリル酸二量体等を挙げることができる。このうち、(メタ)アクリル酸が最も好ましい。また、(メタ)アクリル酸の含量は、アルカリ水溶液に可溶な重合体において、モノマー組成比で20質量%以上含まれていることが好ましい。   The adhesive layer preferably contains a carboxyl group in consideration of developability with an alkaline aqueous solution. Therefore, the polymerizable monomer having a carboxyl group and other polymerizable monomer are radically polymerized. Examples of the polymerizable monomer having a carboxyl group include (meth) acrylic acid, vinylbenzoic acid, maleic acid, maleic anhydride, itaconic acid, itaconic anhydride, crotonic acid, cinnamic acid, and acrylic acid dimer. be able to. Of these, (meth) acrylic acid is most preferred. Further, the content of (meth) acrylic acid is preferably 20% by mass or more in terms of the monomer composition ratio in the polymer soluble in the alkaline aqueous solution.

粘着層に用いることができるアルカリ水溶液に可溶な重合体は、単独で、もしくは2種類以上を組み合わせて用いることができる。2種類以上を組み合わせて用いる場合のアルカリ水溶液に可溶な重合体の組み合わせとしては、例えば、異なる共重合成分を有する2種類以上のアルカリ水溶液に可溶な重合体の組み合わせ、異なる質量平均分子量を有する2種類以上のアルカリ水溶液に可溶な重合体の組み合わせ、異なる分散度(質量平均分子量/数平均分子量)を有する2種類以上のアルカリ水溶液に可溶な重合体の組み合わせが挙げられる。   Polymers soluble in an aqueous alkali solution that can be used for the adhesive layer can be used alone or in combination of two or more. As a combination of polymers soluble in an alkaline aqueous solution when two or more types are used in combination, for example, a combination of polymers soluble in two or more alkaline aqueous solutions having different copolymerization components, different mass average molecular weights. Examples thereof include a combination of polymers soluble in two or more types of alkaline aqueous solutions and a combination of polymers soluble in two or more types of alkaline aqueous solutions having different dispersities (mass average molecular weight / number average molecular weight).

粘着層に用いることができるアルカリ水溶液に可溶な重合体の質量平均分子量は、10,000〜200,000であることが好ましく、10,000〜150,000であることがより好ましい。質量平均分子量が10,000未満では、可とう性に劣り、粘着層の被膜を形成するのが困難になる場合があり、一方、200,000を超えると、アルカリ水溶液に対する現像性が悪化する傾向がある。   The mass average molecular weight of a polymer soluble in an alkaline aqueous solution that can be used for the adhesive layer is preferably 10,000 to 200,000, and more preferably 10,000 to 150,000. If the weight average molecular weight is less than 10,000, the flexibility is inferior and it may be difficult to form a coating of the adhesive layer. On the other hand, if it exceeds 200,000, the developability with respect to an aqueous alkali solution tends to deteriorate. There is.

粘着層に用いることができるアルカリ水溶液に可溶な重合体の酸価は、50〜300mgKOH/gであることが好ましく、100〜250mgKOH/gであることがより好ましい。酸価が50mgKOH/g未満では、現像時間が長くなる傾向があり、一方、300mgKOH/gを超えると、薄膜化後の光架橋性樹脂表面に対して貼り付きが悪くなる場合がある。   The acid value of the polymer soluble in an alkaline aqueous solution that can be used for the adhesive layer is preferably 50 to 300 mgKOH / g, and more preferably 100 to 250 mgKOH / g. When the acid value is less than 50 mgKOH / g, the development time tends to be long. On the other hand, when the acid value exceeds 300 mgKOH / g, sticking to the surface of the photocrosslinkable resin after thinning may be deteriorated.

粘着層には、必要に応じて、前述のアルカリ水溶液に可溶な重合体以外の成分として、膜物性をコントロールするため、フタル酸ジブチル、ポリエチレングリコール、p−トルエンスルホンアミド等の可塑剤を添加することができる。これらの可塑剤を添加することで、アルカリ水溶液に可溶な上記重合体のガラス転移温度以下でも柔軟性が得られ、粘着性や可とう性の点でも可塑剤の使用は有用である。このような成分は単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。   If necessary, a plasticizer such as dibutyl phthalate, polyethylene glycol, or p-toluenesulfonamide is added to the adhesive layer as a component other than the polymer soluble in the alkaline aqueous solution as necessary. can do. By adding these plasticizers, flexibility is obtained even below the glass transition temperature of the above polymer soluble in an alkaline aqueous solution, and the use of plasticizers is also useful in terms of tackiness and flexibility. Such components can be used alone or in combination of two or more.

粘着層は、必要に応じて、メタノール、エタノール、n−プロパノール、2−ブタノール、n−ヘキサノール等のアルコール類;アセトン、2−ブタノン等のケトン類;酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸−n−アミル、硫酸メチル、プロピオン酸エチル、フタル酸ジメチル、安息香酸エチル等のエステル類、トルエン、キシレン、ベンゼン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素類;テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、1−メトキシ−2−プロパノール等のエーテル類、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の溶剤又はこれらの混合溶剤に溶解して均一な溶液とすることができる。   If necessary, the adhesive layer is made of alcohols such as methanol, ethanol, n-propanol, 2-butanol and n-hexanol; ketones such as acetone and 2-butanone; ethyl acetate, butyl acetate and acetic acid-n-amyl. , Esters such as methyl sulfate, ethyl propionate, dimethyl phthalate and ethyl benzoate, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, benzene and ethylbenzene; tetrahydrofuran, diethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether It can be dissolved in an ether such as 1-methoxy-2-propanol, a solvent such as N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, or a mixed solvent thereof to obtain a uniform solution.

粘着層の厚みは、乾燥後の厚みで0.5〜10μmであることが好ましく、1〜5μmであることがより好ましい。ただし、本発明において、光架橋性樹脂層に段差がある場合、粘着層がその段差に追従するためには、形成された段差よりも厚い膜厚が必要になる。   The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 0.5 to 10 μm, more preferably 1 to 5 μm, after drying. However, in the present invention, when there is a step in the photocrosslinkable resin layer, in order for the adhesive layer to follow the step, a film thickness larger than the formed step is required.

工程(f)において、薄膜化後の光架橋性樹脂層上にマスキングフィルムを貼り付ける方法としては、光架橋性樹脂層とマスキングフィルムとの間に隙間を生じさせることなく、空気や異物をかむことなく、波打ちなく、略均一に光架橋性樹脂層上にマスキングフィルムを積層できることができれば、いずれの方法でもよい。例えば、ゴムロールを加圧して押し当てる圧着方式のラミネータ装置を用いることができる。この際、ゴムロールは粘着層のガラス転移温度以上に加熱することが好ましく、また、基板とマスキングフィルムの間から光架橋性樹脂層がはみ出して流れ出ないように、圧力や搬送速度等を調節する必要がある。   In the step (f), as a method for attaching the masking film on the photocrosslinkable resin layer after thinning, air or foreign matter is bitten without causing a gap between the photocrosslinkable resin layer and the masking film. Any method may be used as long as the masking film can be laminated on the photocrosslinkable resin layer almost uniformly without undulation. For example, a pressure-bonding laminator device that presses and presses a rubber roll can be used. At this time, the rubber roll is preferably heated to a temperature equal to or higher than the glass transition temperature of the adhesive layer, and it is necessary to adjust the pressure, the conveyance speed, etc. so that the photocrosslinkable resin layer does not flow out between the substrate and the masking film. There is.

工程(f′)において、薄膜化後、段差のある光架橋性樹脂層上にマスキングフィルムを貼り付ける場合、大気圧下において、水平搬送式のゴムロール製のホットロールラミネータを使用すると、段差周囲に微小な気泡の混入が顕著に見られる。特に、搬送方向後方において、混入しやすい。そこで、このような段差周囲に混入する微小な気泡を排除するために、減圧雰囲気下でラミネートすることが好ましい。また、真空ラミネータを使用する場合、マスキングフィルムを加熱して、柔軟性を付与した状態で貼り付けることが好ましい。   In the step (f '), when a masking film is pasted on the photocrosslinkable resin layer having a step after thinning, if a hot roll laminator made of a horizontal transport rubber roll is used under atmospheric pressure, Microbubbles are conspicuously mixed. In particular, it is easy to mix in the rear in the transport direction. Therefore, in order to eliminate such fine bubbles mixed around the step, it is preferable to laminate in a reduced pressure atmosphere. Moreover, when using a vacuum laminator, it is preferable to heat the masking film and attach it in a state where flexibility is imparted.

真空ラミネートの減圧条件は10〜30000Paが好ましく、10〜10000Paがより好ましく、さらに好ましくは10〜1000Paである。真空度が10Pa未満では、減圧時間が長くなりすぎるため好ましくない。一方、真空度が30000Paを超えると、減圧の効果が小さく、段差周囲の微小な気泡が抜け切らない場合がある。ラミネートロールの硬度は60〜100度が好ましく、70〜100度がさらに好ましい。ロール硬度60度未満では、微小な気泡の混入抑制効果が小さく、100度を超えるとロールの製造自体が困難である。ホットロールの加熱温度は、粘着層のガラス転移温度以上に加熱することが好ましい。ロール硬度は、JIS規格(K−6253A)に基づいて、デュロメーターGS−719G(テクロック社製)を用いて測定した値である。   The decompression condition of the vacuum lamination is preferably 10 to 30000 Pa, more preferably 10 to 10000 Pa, and still more preferably 10 to 1000 Pa. If the degree of vacuum is less than 10 Pa, the decompression time becomes too long, which is not preferable. On the other hand, when the degree of vacuum exceeds 30000 Pa, the effect of pressure reduction is small, and minute bubbles around the step may not be completely removed. The hardness of the laminate roll is preferably 60 to 100 degrees, and more preferably 70 to 100 degrees. If the roll hardness is less than 60 degrees, the effect of suppressing the mixing of minute bubbles is small, and if it exceeds 100 degrees, the production of the roll itself is difficult. The heating temperature of the hot roll is preferably heated to be equal to or higher than the glass transition temperature of the adhesive layer. The roll hardness is a value measured using a durometer GS-719G (manufactured by Teclock Corporation) based on the JIS standard (K-6253A).

ラミネータ装置は、一対のゴム製のホットロールを備えた一段式ラミネータ、二対以上のホットロールを備えた多段式ラミネータのどちらも使用できる。多段式ラミネータの場合、ゴム製のホットロールと金属製のホットロールの対を組み合わせて用いてもよい。   As the laminator apparatus, either a single-stage laminator having a pair of rubber hot rolls or a multi-stage laminator having two or more pairs of hot rolls can be used. In the case of a multistage laminator, a pair of a rubber hot roll and a metal hot roll may be used in combination.

工程(c)では、回路パターンの露光を行う。回路パターンの露光方法としては、キセノンランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超高圧水銀灯、UV蛍光灯を光源とした反射画像露光、フォトツールを用いた片面あるいは両面密着露光方式、プロキシミティ方式、プロジェクション方式やレーザー走査露光方式等が挙げられるが、キセノンランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超高圧水銀灯、UV蛍光灯を光源とし、フォトツールを用いた片面、両面密着露光が好適に用いられる。   In step (c), the circuit pattern is exposed. Circuit pattern exposure methods include xenon lamps, high-pressure mercury lamps, low-pressure mercury lamps, ultra-high-pressure mercury lamps, reflected image exposure using UV fluorescent lamps as light sources, single-sided or double-sided contact exposure systems using photo tools, proximity systems, and projection systems. In particular, single-sided and double-sided exposure using a photo tool is preferably used with a xenon lamp, a high-pressure mercury lamp, a low-pressure mercury lamp, an ultrahigh-pressure mercury lamp, or a UV fluorescent lamp as a light source.

工程(g)では、マスキングフィルムのうち透明性フィルムを除去し、工程(d)では、光架橋性樹脂層(未硬化部)と粘着層を現像液で除去して、レジストパターンを形成する。現像方法としては、使用する光架橋性樹脂層と粘着層に見合った現像液を用い、基板の上下方向から基板表面に向かってスプレーを噴射して、エッチングレジストパターンとして不要な部分を除去し、回路パターンに相当するレジストパターンを形成する。一般的には、0.3〜2質量%の炭酸ナトリウム水溶液が使用される。   In the step (g), the transparent film is removed from the masking film, and in the step (d), the photocrosslinkable resin layer (uncured portion) and the adhesive layer are removed with a developer to form a resist pattern. As a development method, using a developer corresponding to the photocrosslinkable resin layer and the adhesive layer to be used, spray is sprayed from the vertical direction of the substrate toward the substrate surface, and unnecessary portions are removed as an etching resist pattern, A resist pattern corresponding to the circuit pattern is formed. In general, an aqueous sodium carbonate solution of 0.3 to 2% by mass is used.

工程(i)では、露光によって光架橋性樹脂層の一部を硬化させ、段差となる領域を形成する。例えば、孔を有し、表面及び孔内部に導電層が設けられている基板の場合、孔上及びその周囲部の光架橋性樹脂層を硬化することにより、ランド部にテンティング強度を有する厚いエッチングレジスト層を形成させることができる。露光方式としては、キセノンランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超高圧水銀灯、UV蛍光灯を光源とした反射画像露光、フォトツールを用いた片面あるいは両面密着露光方式、プロキシミティ方式、プロジェクション方式やレーザー走査露光方式等が挙げられる。   In step (i), a part of the photocrosslinkable resin layer is cured by exposure to form a stepped region. For example, in the case of a substrate having a hole and a conductive layer provided on the surface and inside of the hole, the land part has a tenting strength by curing the photocrosslinkable resin layer on the hole and its peripheral part. An etching resist layer can be formed. Exposure methods include xenon lamps, high-pressure mercury lamps, low-pressure mercury lamps, ultra-high-pressure mercury lamps, reflection image exposure using UV fluorescent lamps as light sources, single-sided or double-sided contact exposure systems using photo tools, proximity systems, projection systems, and laser scanning. Examples include an exposure method.

以下、実施例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited to this Example.

<非感光性のアルカリ可溶性粘着層溶液の調液>
表1〜表4に示す各成分を混合し、非感光性のアルカリ可溶性粘着層溶液A〜Dを調液した。
<Preparation of non-photosensitive alkali-soluble adhesive layer solution>
The components shown in Tables 1 to 4 were mixed to prepare non-photosensitive alkali-soluble adhesive layer solutions A to D.

Figure 2012042633
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Figure 2012042633
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(実施例1〜4)
<マスキングフィルムの作製>
ポリエステルフィルムからなる透明性の支持層フィルム(膜厚16μm)上に、スリットダイコーターを用いて、上記非感光性のアルカリ可溶性粘着層溶液A〜Dを塗布し、乾燥させた後、ポリエチレンフィルムからなる保護フィルム(膜厚30μm)を貼り合わせて、膜厚10μmの非感光性のアルカリ可溶性粘着層を有するマスキングフィルムA〜Dを作製した。
(Examples 1-4)
<Production of masking film>
After applying and drying the non-photosensitive alkali-soluble adhesive layer solutions A to D on a transparent support layer film (film thickness 16 μm) made of a polyester film using a slit die coater, from a polyethylene film Masking films A to D having a non-photosensitive alkali-soluble adhesive layer having a thickness of 10 μm were prepared by laminating protective films (thickness 30 μm).

<工程(a)>
ガラス基材エポキシ樹脂銅張積層板(面積250mm×340mm、銅箔厚み12μm、基材厚み0.4mm、商品名:FR−4、三菱ガス化学社製)上に耐熱シリコンゴムライニング表面処理されたラミネートロールを備えたドライフィルム用ラミネータを用いて、保護フィルムを剥がしながら、ロール温度100℃、エアー圧力0.30MPa、ラミネート速度0.50m/minにて、ドライフィルムレジスト(商品名:サンフォート(登録商標)AQ5038、厚み50μm、旭化成イーマテリアルズ社製)をラミネートした。
<Process (a)>
A heat-resistant silicone rubber lining was surface-treated on a glass-based epoxy resin copper-clad laminate (area 250 mm × 340 mm, copper foil thickness 12 μm, substrate thickness 0.4 mm, trade name: FR-4, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company). Using a laminator for dry film equipped with a laminating roll, a dry film resist (trade name: Sunfort (trade name: Sunfort) with a roll temperature of 100 ° C., an air pressure of 0.30 MPa, and a laminating speed of 0.50 m / min while peeling off the protective film (Registered trademark) AQ5038, thickness 50 μm, manufactured by Asahi Kasei E-Materials Co., Ltd.).

<工程(b)>
支持層フィルムを剥離した後、水平搬送方式の連続処理装置を用いて、ドライフィルムレジストの薄膜化処理を行った。液温25℃、スプレー圧0.05MPaの条件下で、平均膜厚25μmになるように、10%の炭酸ナトリウム溶液を用いて薄膜化処理を行い、十分な水洗処理、冷風乾燥により薄膜化された光架橋性樹脂層を得た。
<Step (b)>
After peeling off the support layer film, the dry film resist was thinned using a horizontal conveyance type continuous processing apparatus. Under the conditions of a liquid temperature of 25 ° C. and a spray pressure of 0.05 MPa, the film is thinned with a 10% sodium carbonate solution so as to have an average film thickness of 25 μm. A photocrosslinkable resin layer was obtained.

<工程(f)>
工程(a)と同じラミネータを用いて、保護フィルムを剥がしながら、ロール温度100℃、エアー圧力0.30MPa、ラミネート速度1.50m/minにて、マスキングフィルムA〜Dをラミネートした。いずれの場合にも、薄膜化後の光架橋性樹脂層とマスキングフィルムの間に微小な気泡の混入は見られず、波打ちなく、平坦に光架橋性樹脂層上にマスキングフィルムを積層することができた。また、露光前にマスキングフィルムの上から微粘着性のクリーンローラー(登録商標)(商品名:RY−501Z、レヨーン工業社製)を用いてクリーニング処理を行ったが、透明性フィルムの剥離は全く見られなかった。
<Step (f)>
Using the same laminator as in step (a), masking films A to D were laminated at a roll temperature of 100 ° C., an air pressure of 0.30 MPa, and a laminating speed of 1.50 m / min while peeling off the protective film. In any case, no fine bubbles are mixed between the photocrosslinkable resin layer and the masking film after thinning, and the masking film can be laminated on the photocrosslinkable resin layer flatly without undulations. did it. In addition, a cleaning process was performed from above the masking film using a slightly sticky clean roller (registered trademark) (trade name: RY-501Z, manufactured by Rayon Kogyo Co., Ltd.) before the exposure. I couldn't see it.

<工程(c)>
ライン/スペース=25/25μmのパターンが描画されたフォトツールを用い、出力3kwの超高圧水銀灯(商品名:URM−300、ウシオライティング社製)を光源に備えた真空密着露光装置で密着露光を行った。
<Step (c)>
Using a photo tool in which a pattern of line / space = 25/25 μm is drawn, contact exposure is performed with a vacuum contact exposure apparatus equipped with a 3 kw ultrahigh pressure mercury lamp (trade name: URM-300, manufactured by Ushio Lighting Co., Ltd.) as a light source. went.

<工程(g)及び(d)>
マスキングフィルムのうち透明性フィルムのみを剥離した後、1質量%の炭酸ナトリウム水溶液(液温度30℃、スプレー圧0.15MPa)を用いて現像処理を行い、光架橋性樹脂層(未硬化部)と粘着層を除去し、レジストパターンを形成した。得られたレジストパターンを光学顕微鏡で観察した結果、ライン/スペース=25/25μmのパターンにおいて、線細りや断線あるいは線太りやショート等の欠陥は見られなかった。
<Steps (g) and (d)>
After peeling off only the transparent film of the masking film, development processing is performed using a 1% by mass sodium carbonate aqueous solution (liquid temperature 30 ° C., spray pressure 0.15 MPa), and a photocrosslinkable resin layer (uncured portion). And the adhesive layer were removed to form a resist pattern. As a result of observing the obtained resist pattern with an optical microscope, defects such as line thinning, disconnection, line thickening, and short-circuiting were not found in the pattern of line / space = 25/25 μm.

(実施例5〜8)
<マスキングフィルムの作製>
ポリエステルフィルムからなる透明性の支持層フィルム(膜厚16μm)上に、スリットダイコーターを用いて、上記非感光性のアルカリ可溶性粘着層溶液A〜Dを塗布し、乾燥させた後、ポリエチレンフィルムからなる保護フィルム(膜厚30μm)を貼り合わせて、膜厚30μmの非感光性のアルカリ可溶性粘着層を有するマスキングフィルムAA〜ADを作製した。
(Examples 5 to 8)
<Production of masking film>
After applying and drying the non-photosensitive alkali-soluble adhesive layer solutions A to D on a transparent support layer film (film thickness 16 μm) made of a polyester film using a slit die coater, from a polyethylene film The masking films AA to AD having a non-photosensitive alkali-soluble adhesive layer having a film thickness of 30 μm were prepared by laminating a protective film (film thickness 30 μm).

<工程(a)>
ガラス基材エポキシ樹脂銅張積層板(面積250mm×340mm、銅箔厚み12μm、基材厚み0.4mm、商品名:FR−4、三菱ガス化学社製)に、ドリルを用いて直径0.5mm及び2.0mmの貫通孔を100穴ずつ形成した後、貫通孔内部と銅箔上に25μm厚のめっき銅層を形成した孔あり銅張積層板を作製した。次に、この銅張積層板上に、耐熱シリコンゴムライニング表面処理されたラミネートロールを備えたドライフィルム用ラミネータを用いて、保護フィルムを剥がしながら、ロール温度100℃、エアー圧力0.30MPa、ラミネート速度0.50m/minにて、ドライフィルムレジスト(商品名:サンフォート(登録商標)AQ5038、厚み50μm、旭化成イーマテリアルズ社製)をラミネートした。
<Process (a)>
Glass substrate epoxy resin copper clad laminate (area 250 mm x 340 mm, copper foil thickness 12 μm, substrate thickness 0.4 mm, trade name: FR-4, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) 0.5 mm in diameter using a drill Then, 100 through-holes of 2.0 mm each were formed, and then a copper-clad laminate with holes in which a plated copper layer having a thickness of 25 μm was formed on the inside of the through-holes and on the copper foil was produced. Next, on this copper clad laminate, using a laminator for dry film provided with a heat-resistant silicone rubber-lined laminate roll, while peeling off the protective film, the roll temperature is 100 ° C., the air pressure is 0.30 MPa, the laminate A dry film resist (trade name: Sunfort (registered trademark) AQ5038, thickness 50 μm, manufactured by Asahi Kasei E-Materials) was laminated at a speed of 0.50 m / min.

<工程(i)>
光架橋性樹脂層を薄膜化する前に、各孔に対して、ランド幅を100μmとしたランドパターンのみが描画されたフォトツールを用い、出力3kwの超高圧水銀灯(商品名:URM−300、ウシオライティング社製)を光源に備えた真空密着露光装置で密着露光を行った。
<Process (i)>
Before thinning the photocrosslinkable resin layer, an ultrahigh pressure mercury lamp with an output of 3 kw (trade name: URM-300, Contact exposure was performed with a vacuum contact exposure apparatus equipped with a light source of USHIO LIGHTING Co., Ltd.

<工程(b′)>
ランド部の光架橋性樹脂層を硬化後、支持層フィルムを剥離し、水平搬送方式の連続処理装置を用いて、ドライフィルムレジストの薄膜化処理を行った。液温25℃、スプレー圧0.05MPaの条件下で、ランド部以外の光架橋性樹脂層(未硬化部)の平均膜厚が25μmになるように、10%の炭酸ナトリウム溶液を用いて薄膜化処理を行い、十分な水洗処理、冷風乾燥により薄膜化された光架橋性樹脂層を得た。
<Process (b ')>
After curing the photocrosslinkable resin layer in the land portion, the support layer film was peeled off, and a dry film resist was thinned using a horizontal transfer type continuous processing apparatus. A thin film using a 10% sodium carbonate solution so that the average film thickness of the photocrosslinkable resin layer (uncured portion) other than the land portion is 25 μm under the conditions of a liquid temperature of 25 ° C. and a spray pressure of 0.05 MPa. The photocrosslinkable resin layer was formed into a thin film by sufficient water washing treatment and cold air drying.

<工程(f′)>
プレス式真空ラミネータ(商品名:MV−302、エムシーケー社製)を用いて、ランド周囲に段差のある基板上に、ロール温度100℃、エアー圧力0.30MPa、ラミネート速度1.00m/min、真空度1000Paにて、保護フィルムを剥がしながらマスキングフィルムAA〜ADをラミネートした。減圧下でラミネーションすることにより、マスキングフィルムの粘着層がランド部の周囲にある段差に追従し、微小な気泡の混入は見られなかった。さらに、段差に粘着層が追従することで、基板に対して波打ちなく、平坦に、光架橋性樹脂層上にマスキングフィルムを形成させることができた。また、露光前にマスキングフィルムの上から微粘着性のクリーンローラー(登録商標)(商品名:RY−501Z、レヨーン工業社製)を用いてクリーニング処理を行ったが、透明性フィルムの剥離は全く見られなかった。
<Process (f ')>
Using a press-type vacuum laminator (trade name: MV-302, manufactured by MC Corporation), a roll temperature of 100 ° C., an air pressure of 0.30 MPa, a laminating speed of 1.00 m / min, vacuum on a substrate having a step around the land. Masking films AA to AD were laminated at a degree of 1000 Pa while peeling off the protective film. By laminating under reduced pressure, the pressure-sensitive adhesive layer of the masking film followed the step around the land portion, and no microbubbles were observed. Furthermore, the masking film was able to be formed on the photocrosslinkable resin layer flatly without undulation with respect to the substrate because the adhesive layer followed the step. In addition, a cleaning process was performed from above the masking film using a slightly sticky clean roller (registered trademark) (trade name: RY-501Z, manufactured by Rayon Kogyo Co., Ltd.) before the exposure. I couldn't see it.

薄膜化処理後、実施例1〜4と同様に、工程(c)、工程(g)、工程(d)を経て、レジストパターンを形成した。ランド部にテンティングされた光架橋性樹脂層を観察したところ、孔全てにおいて、光架橋性樹脂層に破れや剥離は見られなかった。得られたレジストパターンを光学顕微鏡で観察した結果、ライン/スペース=25/25μmのパターンにおいて、線細りや断線あるいは線太りやショート等の欠陥は見られなかった。また、ランド部の周囲にある段差においても、光漏れ等の光の屈折による線太り起因の解像不良は見られなかった。   After the thinning treatment, a resist pattern was formed through steps (c), (g), and (d) as in Examples 1 to 4. When the photocrosslinkable resin layer tented on the land portion was observed, the photocrosslinkable resin layer was not broken or peeled in all the holes. As a result of observing the obtained resist pattern with an optical microscope, defects such as line thinning, disconnection, line thickening, and short-circuiting were not found in the pattern of line / space = 25/25 μm. In addition, in the steps around the land portion, no resolution failure due to line thickening due to light refraction such as light leakage was observed.

(比較例1)
マスキングフィルムAをポリエステルフィルムからなる透明性の支持層フィルム(膜厚16μm)のみとした以外は、実施例1と全く同じ方法で、レジストパターンの作製を行った。薄膜化後の光架橋性樹脂層と上記透明性フィルムの間に微小な気泡の混入は見られず、波打ちなく、平坦に光架橋性樹脂層上に透明性フィルムを積層できることができた。しかしながら、露光前に透明性フィルムの上から微粘着性のクリーンローラー(登録商標)(商品名:RY−501Z、レヨーン工業社製)を用いてクリーニング処理を行ったところ、透明性フィルムに剥離が発生した。これにより、薄膜化後の光架橋性樹脂層は、その表面が剥き出しになり、傷や異物の付着、密着露光におけるフォトツールの汚染の可能性があり、無欠陥のないレジストパターンを作製することが極めて困難だった。
(Comparative Example 1)
A resist pattern was prepared in exactly the same manner as in Example 1, except that the masking film A was only a transparent support layer film (film thickness: 16 μm) made of a polyester film. Fine bubbles were not mixed between the photocrosslinkable resin layer after thinning and the transparent film, and the transparent film could be laminated flatly on the photocrosslinkable resin layer without undulations. However, when the cleaning treatment was performed from above the transparent film using a slightly sticky Clean Roller (registered trademark) (trade name: RY-501Z, manufactured by Rayon Kogyo Co., Ltd.) before the exposure, the transparent film was peeled off. Occurred. As a result, the surface of the photocrosslinkable resin layer after thinning is exposed, and there is a possibility that the photo tool is contaminated with scratches and foreign matters, adhesion exposure, and a resist pattern without defect is produced. Was extremely difficult.

(比較例2)
マスキングフィルムAAをポリエステルフィルムからなる透明性の支持層フィルム(膜厚16μm)のみとした以外は、実施例5と全く同じ方法で、レジストパターンの作製を行った。透明性フィルムのみでは、減圧雰囲気下でのラミネートを行っても、ランド周囲に段差があるため、その高低差を埋めることができず、気泡の混入が顕著に見られた。これにより、酸素による重合阻害が発生し、大きい気泡があった場合には、レジストの断線も確認された。また、100℃に加熱したロールで加熱圧着するために、段差周囲において、薄膜化後の光架橋性樹脂層が凹型に陥没し、その部分で顕著な光漏れによる解像不良が発生していた。
(Comparative Example 2)
A resist pattern was prepared in exactly the same manner as in Example 5 except that the masking film AA was only a transparent support layer film (film thickness 16 μm) made of a polyester film. Even with the transparent film alone, even when laminating in a reduced-pressure atmosphere, there was a step around the land, so that the height difference could not be filled, and air bubbles were noticeably mixed. Thereby, the polymerization inhibition by oxygen occurred, and when there were large bubbles, disconnection of the resist was also confirmed. In addition, since the film was heat-pressed with a roll heated to 100 ° C., the photocrosslinkable resin layer after thinning was depressed into a concave shape around the level difference, and resolving failure due to significant light leakage occurred at that portion. .

本発明は、サブトラクティブ法を用いた微細な導電パターンの作製に広く利用され、実施例で説明したプリント配線板のほか、リードフレームの製造方法にも利用することができる。   The present invention is widely used for producing a fine conductive pattern using a subtractive method, and can be used for a method of manufacturing a lead frame in addition to the printed wiring board described in the embodiments.

1 光架橋性樹脂層(未硬化部)
2 基板
3 光架橋性樹脂層の硬化部
4 導電層
5 絶縁性基板
6 透明性フィルム
7 非感光性のアルカリ可溶性粘着層
8 マスキングフィルム
9 工程(i)で露光された光架橋性樹脂層の硬化部
10 孔
1 Photocrosslinkable resin layer (uncured part)
2 substrate 3 cured portion of photocrosslinkable resin layer 4 conductive layer 5 insulating substrate 6 transparent film 7 non-photosensitive alkali-soluble adhesive layer 8 masking film 9 curing of photocrosslinkable resin layer exposed in step (i) Part 10 hole

Claims (2)

(a)基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、(b)光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、(f)透明性フィルムと非感光性のアルカリ可溶性粘着層とが積層したマスキングフィルムを非感光性のアルカリ可溶性粘着層が光架橋性樹脂層に接するように貼り付ける工程、(c)回路パターンの露光工程、(g)透明性フィルムを除去する工程、(d)現像工程、を含むレジストパターンの作製方法。   (A) a step of forming a photocrosslinkable resin layer on the substrate, (b) a step of thinning the photocrosslinkable resin layer, (f) a transparent film and a non-photosensitive alkali-soluble adhesive layer are laminated. A step of applying the masking film so that the non-photosensitive alkali-soluble adhesive layer is in contact with the photocrosslinkable resin layer, (c) an exposure step of the circuit pattern, (g) a step of removing the transparent film, (d) development A process for producing a resist pattern. (a)基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、(i)光架橋性樹脂層の一部を露光する工程、(b′)露光された領域以外の光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、(f′)透明性フィルムと非感光性のアルカリ可溶性粘着層とが積層したマスキングフィルムを非感光性のアルカリ可溶性粘着層が光架橋性樹脂層に接するように貼り付ける工程、(c)回路パターンの露光工程、(g)透明性フィルムを除去する工程、(d)現像工程、を含むレジストパターンの作製方法。   (A) a step of forming a photocrosslinkable resin layer on the substrate, (i) a step of exposing a part of the photocrosslinkable resin layer, (b ′) thinning of the photocrosslinkable resin layer other than the exposed region. A step of performing a treatment, (f ′) a step of attaching a masking film in which a transparent film and a non-photosensitive alkali-soluble adhesive layer are laminated so that the non-photosensitive alkali-soluble adhesive layer is in contact with the photocrosslinkable resin layer, (C) A circuit pattern exposure step, (g) a step of removing a transparent film, and (d) a development step.
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