JP2012040653A - Method of grinding workpiece - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of grinding a workpiece capable of more reducing the thickness of the workpiece which is formed by gathering electronic component elements easy to be broken in a certain direction by in-feed grinding, and capable of preventing the electronic component elements from being broken and chipped.SOLUTION: In the method of grinding the workpiece, the workpiece 6 is disposed on a chuck table 12 so that the rotation center O of the chuck table 12 to be driven for rotation is positioned outside a lower surface of the workpiece 6. A grinding wheel 13 which is driven to rotate in the same direction as the chuck table 12 is made to abut on the top surface of the workpiece 6 while rotating the chuck table 12 to grind the workpiece 6 from the top surface thereof.

Description

本発明は、複数の電子部品素子に分割することが予定されているワークを研削するワークの研削方法に関し、より詳細には、インフィード研削によりワークを研削し、ワークの厚みを薄くするワークの研削方法に関する。   The present invention relates to a workpiece grinding method for grinding a workpiece that is scheduled to be divided into a plurality of electronic component elements. More specifically, the present invention relates to a workpiece grinding method that reduces the thickness of a workpiece by grinding the workpiece by in-feed grinding. The present invention relates to a grinding method.

半導体素子の薄型化にともなって、シリコンなどからなる半導体ウェーハの厚みを薄くするために、様々な研削方法が用いられている。   Along with the thinning of semiconductor elements, various grinding methods are used to reduce the thickness of a semiconductor wafer made of silicon or the like.

例えば下記の特許文献1には、図9に示すワーク研削装置が開示されている。ワーク研削装置101では、ワーク103が、回転駆動されるチャックテーブル104上に載置されている。   For example, Patent Document 1 below discloses a workpiece grinding apparatus shown in FIG. In the workpiece grinding apparatus 101, a workpiece 103 is placed on a chuck table 104 that is rotationally driven.

また、ワーク103の上方には、研削ホイール105が配置されている。研削ホイール105は、チャックテーブル104と同方向に、ただしチャックテーブル104よりも高速で回転駆動される。研削ホイール105は、回転軸106の周りに回転駆動されるが、上下方向移動装置107により上下方向に移動され得る。研削に際しては、チャックテーブル104の上面において、回転中心上に、ワーク103の下面の中心が位置するように、ワーク103を載置する。そして、回転しているワーク103の上面に、研削ホイール105を当接させ、ワーク103を研削する。この場合、ワーク103の上面の全面を均一に研削するために、研削ホイール105の下面の回転による軌道がワーク103の上面の回転中心を通過するように、研削ホイール105が、ワーク103の上面に当接される。このように、ワークと、研削ホイールの双方を同方向に回転させつつ研磨する方法は、インフィード研削と称されている。   A grinding wheel 105 is disposed above the workpiece 103. The grinding wheel 105 is driven to rotate in the same direction as the chuck table 104 but at a higher speed than the chuck table 104. The grinding wheel 105 is rotationally driven around the rotation shaft 106, but can be moved in the vertical direction by the vertical movement device 107. When grinding, the workpiece 103 is placed so that the center of the lower surface of the workpiece 103 is positioned on the center of rotation on the upper surface of the chuck table 104. Then, the grinding wheel 105 is brought into contact with the upper surface of the rotating work 103 to grind the work 103. In this case, in order to uniformly grind the entire upper surface of the workpiece 103, the grinding wheel 105 is placed on the upper surface of the workpiece 103 so that the trajectory due to the rotation of the lower surface of the grinding wheel 105 passes through the rotation center of the upper surface of the workpiece 103. Abutted. Thus, the method of polishing while rotating both the workpiece and the grinding wheel in the same direction is called in-feed grinding.

他方、下記の特許文献2には、インフィード研削と、クリープフィード研削とを組み合わせたウェーハの研削方法が開示されている。特許文献2では、まず、特許文献1に記載のインフィード研削方法と同様にして、半導体ウェーハを研削する。図10に示すように、特許文献2に記載の研削方法では、回転駆動されるチャックテーブル111上に、ウェーハ112が載置されている。図10では、ウェーハ112は、既にインフィード研削により研削された後の状態とされている。インフィード研削では、チャックテーブル111の回転中心が、円盤状のウェーハ112の中心に位置するようにウェーハ112をチャックテーブル111上に載置する。次に、チャックテーブル111を回転しつつ、研削ホイールによりウェーハ112の上面を研削する。   On the other hand, the following Patent Document 2 discloses a wafer grinding method in which in-feed grinding and creep feed grinding are combined. In Patent Document 2, first, a semiconductor wafer is ground in the same manner as the in-feed grinding method described in Patent Document 1. As shown in FIG. 10, in the grinding method described in Patent Document 2, a wafer 112 is placed on a chuck table 111 that is rotationally driven. In FIG. 10, the wafer 112 has already been ground by in-feed grinding. In in-feed grinding, the wafer 112 is placed on the chuck table 111 so that the center of rotation of the chuck table 111 is positioned at the center of the disk-shaped wafer 112. Next, while rotating the chuck table 111, the upper surface of the wafer 112 is ground by a grinding wheel.

インフィード研削によれば、図10に示すように、ウェーハ112の回転中心112aから、放射状に径方向外側に延びる多数の研削痕113が生じる。このような研削痕113をなくすために、特許文献2に記載の研削方法では、インフィード研削されたウェーハ112をチャックテーブル111を図示の矢印A方向に移動させつつ、図示の矢印B方向に回転されている研削ホイール114によりさらに研磨する。すなわち、クリープフィード研削によりさらにウェーハ112を研削する。従って、上記研削痕113をなくし、上面が平滑なウェーハを得ることができる。   According to the infeed grinding, as shown in FIG. 10, a large number of grinding marks 113 extending radially outward from the rotation center 112 a of the wafer 112 are generated. In order to eliminate such grinding marks 113, in the grinding method described in Patent Document 2, the infeed-ground wafer 112 is rotated in the direction indicated by the arrow B while the chuck table 111 is moved in the direction indicated by the arrow A. Further polishing is performed by the grinding wheel 114. That is, the wafer 112 is further ground by creep feed grinding. Therefore, the grinding marks 113 can be eliminated, and a wafer having a smooth upper surface can be obtained.

特開平7−32252号公報JP-A-7-32252 特開2010−16181号公報JP 2010-16181 A

特許文献1に記載のようなインフィード研削では、図10に示したような研削痕113が多数生じる。ところで、シリコンなどからなるワークは、結晶方位により、へき開しやすい方向すなわち割れ易い方向がある。従って、ワークのなかに、上記研削痕の延びる方向が、割れ易い方向と一致していたり、割れ易い方向に近い領域が存在する。このような領域では、ワークを分割する工程において、個片化されたチップの割れや欠けが生じやすいという問題があった。   In the in-feed grinding as described in Patent Document 1, many grinding marks 113 as shown in FIG. 10 are generated. By the way, a workpiece made of silicon or the like has a direction that is easy to cleave, that is, a direction that is easily cracked, depending on the crystal orientation. Accordingly, there is a region in the workpiece where the grinding trace extends in the same direction as the fragile direction or near the fragile direction. In such a region, there has been a problem that the chip that has been separated into pieces is likely to be broken or chipped in the process of dividing the workpiece.

特許文献2に記載の研削方法では、クリープフィード研削によりこのような研削痕をなくすことができるとされている。しかしながら、インフィード研削と、クリープフィード研削とを組み合わせるため、研削装置が複雑となり、装置のコストが高くつくという問題があった。加えて、インフィード研削により厚みが薄くなったウェーハをさらにクリープフィード研削すると、ウェーハの搬送等の作業中にウェーハが割れたり、欠けたりするという問題もあった。   In the grinding method described in Patent Document 2, it is said that such grinding marks can be eliminated by creep feed grinding. However, since in-feed grinding and creep feed grinding are combined, there is a problem that the grinding apparatus becomes complicated and the cost of the apparatus is high. In addition, when creep feed grinding is further performed on a wafer whose thickness has been reduced by in-feed grinding, there has been a problem that the wafer is cracked or chipped during operations such as wafer transfer.

上記のような問題を有するため、クリープフィード研削は、実際にはあまり広く用いられていないのが現状である。   Due to the above problems, creep feed grinding is not widely used in practice.

なお、半導体素子に限らず、様々な電子部品素子において、薄型化を果たすために、集合体の段階で厚みを薄くすることが求められている。従って、上記のような研削方法は、ウェーハだけでなく、様々な電子部品素子集合体の研削にも用いられている。しかしながら、やはり割れ易い方向を有する電子部品素子等が集合されている集合体では、研削後の電子部品素子において、割れや欠けが生じるおそれがあった。   In addition to semiconductor elements, various electronic component elements are required to be thinned at the assembly stage in order to reduce the thickness. Therefore, the grinding method as described above is used not only for wafers but also for grinding various electronic component element assemblies. However, in an assembly in which electronic component elements and the like having directions that are easily broken are gathered, there is a possibility that the ground electronic component elements may be cracked or chipped.

本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、割れ易い方向を有する電子部品素子が集合されているワークの厚みを、インフィード研削により薄くすることができ、しかも電子部品素子の割れや欠けが生じ難い、ワークの研削方法を提供することにある。   The object of the present invention is to eliminate the above-mentioned disadvantages of the prior art, and to reduce the thickness of a work in which electronic component elements having a fragile direction are gathered by infeed grinding. An object of the present invention is to provide a method for grinding a workpiece, which is less likely to cause chipping.

本発明に係るワークの研削方法は、複数の電子部品素子に分割されることが予定されている集合体であり、割れ易い方向を有するワークを研削するワークの研削方法であって、回転駆動されるテーブルの回転中心が前記ワークの下面の外側に位置するように前記テーブル上に前記ワークを配置して前記テーブルを回転させる工程と、回転している前記テーブル上の前記ワークの上面に、前記テーブルと同一方向に回転駆動されている研削ホイールを当接させ、前記ワークを上面から研削する工程とを備える、ワークの研削方法である。   A workpiece grinding method according to the present invention is an assembly that is scheduled to be divided into a plurality of electronic component elements, and is a workpiece grinding method for grinding a workpiece having a fragile direction, and is rotationally driven. Placing the work on the table so that the center of rotation of the table is positioned outside the lower surface of the work and rotating the table; and on the upper surface of the work on the rotating table, A method of grinding a workpiece, comprising the step of abutting a grinding wheel that is rotationally driven in the same direction as the table and grinding the workpiece from the upper surface.

本発明に係るワークの研削方法のある特定の局面では、前記研削ホイールにより前記ワークを研削した際に前記ワーク上面に形成される研削痕が延びる方向が、前記ワークの割れ易い方向と交差する方向である。従って、割れや欠けを確実に抑制することができる。   In a specific aspect of the workpiece grinding method according to the present invention, a direction in which a grinding mark formed on the upper surface of the workpiece extends when the workpiece is ground by the grinding wheel intersects a direction in which the workpiece is easily cracked. It is. Therefore, it is possible to reliably suppress cracking and chipping.

本発明に係るワークの研削方法の他の特定の局面では、前記テーブル上に、複数の前記ワークを各ワークの下面の外側に前記テーブルの回転中心が位置するように配置し、前記研削ホイールにより前記複数のワークを研削する。この場合には、生産性を高めることができる。   In another specific aspect of the workpiece grinding method according to the present invention, a plurality of the workpieces are arranged on the table so that the rotation center of the table is positioned outside the lower surface of each workpiece, and the grinding wheel The plurality of workpieces are ground. In this case, productivity can be improved.

本発明に係るワークの研削方法のさらに他の特定の局面では、前記複数のワークが、前記テーブル上において、前記回転中心の周りにおける周方向に均一に分散配置されている。この場合には、さらに加工効率を向上させることができる。   In still another specific aspect of the workpiece grinding method according to the present invention, the plurality of workpieces are uniformly distributed in a circumferential direction around the rotation center on the table. In this case, the processing efficiency can be further improved.

本発明に係るワークの研削方法では、チャックテーブルの回転中心がワークの下面の外側に位置するようにワークを配置し、チャックテーブルを回転させつつ、研削ホイールをワークの上面に当接させてワークを研削するため、研削痕がワークの中心から放射状に延びずに、ワークの上面において、ほぼ同じ方向に研削痕が延びることとなる。従って、ワークの割れ易い方向と、研削痕が交差するようにワークをチャックテーブル上に配置することにより、研削後のワークや、ワークを分割して得られる電子部品素子の割れや欠けを確実に抑制することができる。   In the workpiece grinding method according to the present invention, the workpiece is arranged such that the center of rotation of the chuck table is located outside the lower surface of the workpiece, and the grinding wheel is brought into contact with the upper surface of the workpiece while rotating the chuck table. Therefore, the grinding trace does not extend radially from the center of the workpiece, and the grinding trace extends in substantially the same direction on the upper surface of the workpiece. Therefore, by placing the work on the chuck table so that the direction in which the work is easily cracked and the grinding marks intersect, the work after grinding and the electronic component elements obtained by dividing the work can be reliably cracked or chipped. Can be suppressed.

よって、装置及び工程が複雑なクリープフィード研削を併用することなく、簡便なインフィード研削により、高い生産性で割れや欠けが生じ難い電子部品素子を得ることが可能となる。   Therefore, it is possible to obtain an electronic component element that is less prone to cracking and chipping with high productivity by simple infeed grinding without using creep feed grinding with complicated equipment and processes.

本発明の一実施形態のワークの研削方法における、チャックテーブル、ワーク及び研削ホイールの位置関係を説明するための模式的平面図である。It is a typical top view for demonstrating the positional relationship of a chuck table, a workpiece | work, and a grinding wheel in the grinding method of the workpiece | work of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係るワークの研削方法に用いられる研削装置の概略構成を示す正面図である。It is a front view which shows schematic structure of the grinding device used for the grinding method of the workpiece | work which concerns on one Embodiment of this invention. (a)〜(c)は、本発明の一実施形態におけるワーク研削工程によりワークが研削される過程を説明するための各模式的正面断面図である。(A)-(c) is each typical front sectional drawing for demonstrating the process in which a workpiece | work is ground by the workpiece | work grinding process in one Embodiment of this invention. 比較例のワークの研削方法におけるチャックテーブル、ワーク及び研削ホイールの位置関係を示す模式的平面図である。It is a typical top view which shows the positional relationship of the chuck table in the grinding method of the workpiece | work of a comparative example, a workpiece | work, and a grinding wheel. 比較例のワークの研削方法において、ワーク内の各電子部品チップにおけるクラックを説明するための実体顕微鏡写真である。It is a stereomicrograph for demonstrating the crack in each electronic component chip | tip in a workpiece | work in the grinding method of the workpiece | work of a comparative example. 比較例のワークの研削方法における回転中心位置と、ワーク中のクラック及びチッピングが生じている部分との関係を示す模式的平面図である。It is a schematic top view which shows the relationship between the rotation center position in the grinding method of the workpiece | work of a comparative example, and the part in which the crack and chipping have arisen in a workpiece | work. 実施形態のワークの研削方法における回転中心位置と、ワーク中のクラック及びチッピングが生じている部分との関係を示す模式的平面図である。It is a typical top view showing the relation between the rotation center position in the grinding method of the work of an embodiment, and the part in which the crack and chipping in a work have arisen. 本発明の変形例に係るワークの研削方法におけるワーク、チャックテーブル及び研削ホイールの位置関係を説明するための模式的平面図である。It is a typical top view for demonstrating the positional relationship of the workpiece | work, the chuck table, and the grinding wheel in the grinding method of the workpiece | work which concerns on the modification of this invention. 従来のワーク研削装置を説明するための模式的正面図である。It is a typical front view for demonstrating the conventional workpiece grinding apparatus. 従来のワークの研削方法の他の例を説明するための斜視図である。It is a perspective view for demonstrating the other example of the grinding method of the conventional workpiece | work.

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。   Hereinafter, the present invention will be clarified by describing specific embodiments of the present invention with reference to the drawings.

本発明の一実施形態に係るワークの研削方法として、基板上に実装された複数の弾性表面波素子チップが樹脂により一体化されたワークを研削する工程を説明する。   As a workpiece grinding method according to an embodiment of the present invention, a process of grinding a workpiece in which a plurality of surface acoustic wave element chips mounted on a substrate are integrated with a resin will be described.

図3(a)に示すように、アルミナからなる基板1上に、複数の電極ランド2a,2bを備える領域が複数形成されている。各領域に、LiTaOからなる圧電基板を用いたSAW素子チップ3がフリップチップボンディング法により実装されている。すなわち、各SAW素子チップ3の入出力用および接地用のパッド(図示せず)は、バンプ4a,4bを介して、電極ランド2a,2bに電気的に接続されている。さらに、基板1上には、複数のSAW素子チップ3を被覆するように、樹脂層5が形成されている。以上のように、ワーク6は基板1に実装された複数のSAW素子チップ3が樹脂層5により一体化されて成るSAW素子の集合体である。したがって、後にワーク6が分割されることにより、個片化した複数のSAW素子が得られる。 As shown in FIG. 3A, a plurality of regions including a plurality of electrode lands 2a and 2b are formed on a substrate 1 made of alumina. In each region, a SAW element chip 3 using a piezoelectric substrate made of LiTaO 3 is mounted by a flip chip bonding method. That is, the input / output and ground pads (not shown) of each SAW element chip 3 are electrically connected to the electrode lands 2a and 2b via the bumps 4a and 4b. Further, a resin layer 5 is formed on the substrate 1 so as to cover the plurality of SAW element chips 3. As described above, the workpiece 6 is an assembly of SAW elements in which a plurality of SAW element chips 3 mounted on the substrate 1 are integrated by the resin layer 5. Therefore, by dividing the work 6 later, a plurality of separated SAW elements can be obtained.

本実施形態のワークの研削方法では、図3(a)に示す上記ワーク6を上面から研磨し、図3(b)及び(c)に示すように、その厚みを薄くしていく。図3(b)では、ワーク6の上面から樹脂層5を研削し、SAW素子チップ3の圧電基板の上面が露出している状態とされている。本実施形態では、ワーク6をさらに研磨し、図3(c)に示すように、SAW素子チップ3の圧電基板の厚みを薄くするように、ワーク6を研削する。それによって、目的とする厚みの圧電基板を有するSAW素子チップ3が得られる。   In the workpiece grinding method of this embodiment, the workpiece 6 shown in FIG. 3A is polished from the upper surface, and the thickness thereof is reduced as shown in FIGS. 3B and 3C. In FIG. 3B, the resin layer 5 is ground from the upper surface of the work 6 and the upper surface of the piezoelectric substrate of the SAW element chip 3 is exposed. In this embodiment, the workpiece 6 is further polished, and the workpiece 6 is ground so as to reduce the thickness of the piezoelectric substrate of the SAW element chip 3 as shown in FIG. Thereby, a SAW element chip 3 having a piezoelectric substrate with a desired thickness is obtained.

上記ワーク6を研削するにあたり、図2に示すワーク研削装置11を用いる。ワーク研削装置11は、図9に示した従来のインフィード研削に用いられるワーク研削装置101とほぼ同様に構成されている。すなわち、回転駆動されるチャックテーブル12上にワーク6を載置し、真空吸着して固定する。チャックテーブル12は、ワーク研削装置11に内蔵されているモーターなどの回転駆動源により回転駆動される。   In grinding the workpiece 6, a workpiece grinding apparatus 11 shown in FIG. 2 is used. The workpiece grinding apparatus 11 is configured in substantially the same manner as the workpiece grinding apparatus 101 used for the conventional in-feed grinding shown in FIG. That is, the workpiece 6 is placed on the chuck table 12 that is rotationally driven and fixed by vacuum suction. The chuck table 12 is rotationally driven by a rotational drive source such as a motor built in the workpiece grinding apparatus 11.

他方、研削ホイール13が上下方向移動装置14に接続されている。上下方向移動装置14により、研削ホイール13は上下方向に移動される。また、研削ホイール13は回転軸15に連結されており、回転軸15を回転駆動することにより、研削ホイール13が回転駆動される。研削ホイール13は、略円盤状の支持部13aの下面に、円環状のホイール部13bが連ねられた形状を有する。円環状のホイール部13bの下面には、周方向に沿って複数の砥石が固定されている。   On the other hand, the grinding wheel 13 is connected to the vertical movement device 14. The grinding wheel 13 is moved in the vertical direction by the vertical movement device 14. Further, the grinding wheel 13 is connected to the rotary shaft 15, and the grinding wheel 13 is rotationally driven by rotationally driving the rotary shaft 15. The grinding wheel 13 has a shape in which an annular wheel portion 13b is connected to the lower surface of a substantially disc-shaped support portion 13a. A plurality of grindstones are fixed to the lower surface of the annular wheel portion 13b along the circumferential direction.

図1は、チャックテーブル12と、ワーク6と、上記研削ホイール13のホイール部13bとの位置関係を示す模式的平面図である。ここでは、複数の砥石を図示するために、研削ホイール13の支持部13aを省略し、ホイール部13bを透かし、下方の複数の砥石13cを図示している。複数の砥石13cは、ホイール部13bの周方向において均等な間隔で分散配置されている。   FIG. 1 is a schematic plan view showing the positional relationship among the chuck table 12, the workpiece 6, and the wheel portion 13 b of the grinding wheel 13. Here, in order to illustrate a plurality of grindstones, the support portion 13a of the grinding wheel 13 is omitted, the wheel portion 13b is watermarked, and a plurality of grindstones 13c below are illustrated. The plurality of grindstones 13c are distributed and arranged at equal intervals in the circumferential direction of the wheel portion 13b.

本実施形態のワークの研削方法の特徴は、図1に示すように、チャックテーブル12の回転中心Oが、ワーク6の下面の外側に位置するようにワーク6をチャックテーブル12上に載置し研磨を行うことにある。言い換えれば、回転中心Oの外側の位置にワーク6を配置する。ワーク研削装置11では、チャックテーブル12を図示の矢印で示すように回転中心Oの周りに、反時計周りに回転させる。   The workpiece grinding method of this embodiment is characterized in that the workpiece 6 is placed on the chuck table 12 so that the rotation center O of the chuck table 12 is located outside the lower surface of the workpiece 6 as shown in FIG. It is to perform polishing. In other words, the workpiece 6 is arranged at a position outside the rotation center O. In the workpiece grinding apparatus 11, the chuck table 12 is rotated counterclockwise around the rotation center O as indicated by the arrow in the figure.

他方、研削ホイール13もまた、反時計方向すなわちチャックテーブル12と同一方向に回転される。すなわち、図示の矢印で示すように円環状のホイール部13bの中心Pの周りに、反時計周りにホイール部13bを回転する。研削ホイール13の回転速度は、チャックテーブル12の回転速度よりも高くされている。   On the other hand, the grinding wheel 13 is also rotated counterclockwise, that is, in the same direction as the chuck table 12. That is, the wheel portion 13b is rotated counterclockwise around the center P of the annular wheel portion 13b as indicated by the arrow in the figure. The rotational speed of the grinding wheel 13 is higher than the rotational speed of the chuck table 12.

研削ホイール13が回転されると、ホイール部13bの下面に固定されている複数の砥石13cが、反時計回りに移動する。この砥石13cの移動による軌跡は円を描くこととなる。   When the grinding wheel 13 is rotated, the plurality of grindstones 13c fixed to the lower surface of the wheel portion 13b move counterclockwise. The locus by the movement of the grindstone 13c draws a circle.

ワーク6の研削に際しては、図2に示した上下方向移動装置14を駆動し、回転されている研削ホイール13をワーク6の上面に当接させる。従って、上記円の軌跡を描いている砥石13cにより、ワーク6の上面が研削される。この場合、上記砥石13cの移動による軌跡である円が、回転中心Oを通るように研削ホイール13をチャックテーブル12に対して位置決めしておく。   When grinding the workpiece 6, the vertical movement device 14 shown in FIG. 2 is driven to bring the rotating grinding wheel 13 into contact with the upper surface of the workpiece 6. Therefore, the upper surface of the workpiece 6 is ground by the grindstone 13c that describes the locus of the circle. In this case, the grinding wheel 13 is positioned with respect to the chuck table 12 so that the circle which is the locus by the movement of the grindstone 13c passes through the rotation center O.

チャックテーブル12が回転し、ワーク6は、チャックテーブル12上において、回転中心Oの周りに反時計方向に回転される。そして、研削ホイールのホイール部13bが上記のように反時計方向に相対的に高い回転速度で回転されることになる。従って、ワーク6の上面の全面が、研削ホイール13により研磨される。よって、ワーク6の上面が、図3(a)に示す状態から図3(c)に示す状態まで薄くなるように、すなわちワーク6の厚みを薄くするようにワーク6を研削することができる。   The chuck table 12 is rotated, and the workpiece 6 is rotated counterclockwise around the rotation center O on the chuck table 12. Then, the wheel portion 13b of the grinding wheel is rotated at a relatively high rotational speed in the counterclockwise direction as described above. Accordingly, the entire upper surface of the workpiece 6 is polished by the grinding wheel 13. Therefore, the workpiece 6 can be ground so that the upper surface of the workpiece 6 is thinned from the state shown in FIG. 3A to the state shown in FIG. 3C, that is, the thickness of the workpiece 6 is reduced.

上記のように、本実施形態のワークの研削方法は、装置及び工程が比較的簡単なインフィード研削法である。インフィード研削法では、ワーク6の上面に研削痕が生じる。しかしながら、ワーク6がチャックテーブル12上において、回転中心Oから外れた位置に載置されているため、ワーク6の上面に形成される複数の研削痕Sは、ほぼ同じ方向に延びることとなる。ここで、ほぼ同じ方向とは、必ずしも複数の研削痕Sが平行であることを意味せず、曲線状の研削痕Sが、所定の間隔を隔てて略同じ方向に延びていることを意味する。   As described above, the workpiece grinding method of this embodiment is an infeed grinding method in which the apparatus and the process are relatively simple. In the infeed grinding method, grinding marks are generated on the upper surface of the workpiece 6. However, since the workpiece 6 is placed on the chuck table 12 at a position deviating from the rotation center O, the plurality of grinding marks S formed on the upper surface of the workpiece 6 extend in substantially the same direction. Here, “substantially the same direction” does not necessarily mean that the plurality of grinding traces S are parallel, but means that the curved grinding traces S extend in substantially the same direction at a predetermined interval. .

従って、ワーク6において、割れや欠けが生じやすい方向が存在する場合、割れや欠けが生じやすい方向と研削痕Sが交差する方向となるように、ワーク6を配置しておけば、ワーク6における割れや欠けを抑制することができる。また、ワーク6を各SAW素子チップ3が実装された領域毎に分割して得られる個々のSAW素子における割れや欠けも抑制することができる。   Accordingly, when there is a direction in which the workpiece 6 is likely to be cracked or chipped, if the workpiece 6 is arranged so that the direction in which the crack or chip is likely to occur and the grinding mark S intersect, Cracking and chipping can be suppressed. Further, it is possible to suppress cracks and chippings in individual SAW elements obtained by dividing the workpiece 6 into regions where the SAW element chips 3 are mounted.

このような本実施形態による効果を、図4に示す比較例の研削方法と対比することにより具体的に説明する。   Such an effect of the present embodiment will be specifically described by comparing with the grinding method of the comparative example shown in FIG.

図4は、特許文献1に記載のような従来のインフィード研削によるワークの研削方法を説明するための模式的平面図である。ここでは、対比を容易とするために、チャックテーブル及び研削ホイールの参照番号は、上記実施形態と同一とする。従来のインフィード研削法では、チャックテーブル12の回転中心Oに、ワークWの下面の中心が位置するようにワークWをチャックテーブル12上に載置する。そして、研削ホイール13の研削砥石13cの描く軌跡が回転中心Oを通るように研削ホイール13を位置決めし、回転させる。この場合、ワークWは回転中心Oの周りに回転される。従って、ワークWの上面の全面を研削することはできるが、研削痕121は、ワーク6の上面において、回転中心Oから放射状に延びることとなる。従って、複数の研削痕121の方向は、様々である。よって、ワークWにおいて、割れ易い方向が、例えば、矩形のワークWの上面の対角線方向と平行な方向である場合、該方向と近い研削痕121が生じている部分では、ワークWの割れや欠けが生じやすくなる。   FIG. 4 is a schematic plan view for explaining a conventional method of grinding a workpiece by in-feed grinding as described in Patent Document 1. Here, in order to facilitate comparison, the reference numbers of the chuck table and the grinding wheel are the same as those in the above embodiment. In the conventional in-feed grinding method, the workpiece W is placed on the chuck table 12 so that the center of the lower surface of the workpiece W is positioned at the rotation center O of the chuck table 12. Then, the grinding wheel 13 is positioned and rotated so that the locus drawn by the grinding wheel 13c of the grinding wheel 13 passes through the rotation center O. In this case, the workpiece W is rotated around the rotation center O. Accordingly, the entire upper surface of the workpiece W can be ground, but the grinding trace 121 extends radially from the rotation center O on the upper surface of the workpiece 6. Therefore, the directions of the plurality of grinding marks 121 are various. Therefore, when the direction in which the workpiece W is easily cracked is, for example, a direction parallel to the diagonal direction of the upper surface of the rectangular workpiece W, the workpiece W is cracked or chipped in the portion where the grinding mark 121 is generated. Is likely to occur.

これに対して、図1に示すワーク6では、複数本の研削痕Sは、矩形の平面形状を有するワーク6の一方の長辺側から他方の長辺側に延びるように略同じ方向とされている。従って、例えばワークの割れ易い方向が対角線方向や一対の短辺を結ぶ方向である場合には、割れ易い方向と研削痕Sの方向が交差しているため、ワーク6における割れや欠けが生じ難い。   On the other hand, in the workpiece 6 shown in FIG. 1, the plurality of grinding marks S have substantially the same direction so as to extend from one long side to the other long side of the workpiece 6 having a rectangular planar shape. ing. Therefore, for example, when the direction in which the workpiece is easily broken is a diagonal direction or a direction connecting a pair of short sides, the direction in which the workpiece is easily broken and the direction of the grinding mark S intersect with each other. .

本実施形態では、上述したように、図3(a)〜(c)に示すように、樹脂層5の厚みを研削し、さらにSAW素子チップ3の圧電基板の厚みを薄くするまで研削する。圧電基板がLiTaOからなる場合、LiTaOの結晶方位によりへき開しやすい方向が存在する。 In the present embodiment, as described above, as shown in FIGS. 3A to 3C, the thickness of the resin layer 5 is ground, and further, the SAW element chip 3 is ground until the thickness of the piezoelectric substrate is reduced. When the piezoelectric substrate is made of LiTaO 3, there is a direction that is easy to cleave due to the crystal orientation of LiTaO 3 .

図5は、上記ワーク6を、図4に示した比較例の方法で研削した場合の各SAW素子チップの圧電基板部分におけるクラックが発生している状態を示す実体顕微鏡写真である。ここで、平面形状は矩形の複数の圧電基板の上面がマトリクス状に配置されている構造が示されている。この複数の圧電基板において、矢印で示すように、略対角線方向に延びるクラックが生じている。LiTaOやLiNbOなどの圧電単結晶では、結晶方位により、へき開方向が存在する。本実施形態では、図5に矢印で示すクラックの方向は、本実施形態で用いられているLiTaOのへき開方向に相当する。従って、へき開方向と、上記研削痕が一致もしくは近接している場合、図示のようなクラックが生じているものと考えられる。 FIG. 5 is a stereomicrograph showing a state where cracks are generated in the piezoelectric substrate portion of each SAW element chip when the workpiece 6 is ground by the method of the comparative example shown in FIG. Here, the planar shape shows a structure in which the upper surfaces of a plurality of rectangular piezoelectric substrates are arranged in a matrix. In the plurality of piezoelectric substrates, cracks extending in a substantially diagonal direction are generated as indicated by arrows. A piezoelectric single crystal such as LiTaO 3 or LiNbO 3 has a cleavage direction depending on the crystal orientation. In the present embodiment, the crack direction indicated by an arrow in FIG. 5 corresponds to the cleavage direction of LiTaO 3 used in the present embodiment. Therefore, when the cleavage direction coincides with or is close to the grinding mark, it is considered that a crack as shown in the figure has occurred.

上記比較例におけるワークW内の複数の圧電基板における上記クラックやチッピングが生じている部分の分布を図6に模式的に平面図で示す。図6は、ワークW内に位置しているマトリクス状に配置されたSAW素子チップの位置を模式的に示し、斜線のハッチングで付した部分Bが、SAW素子チップの圧電基板において上記のようなクラックもしくはチッピングが生じている部分を示す。すなわち、図6のハッチングが付されている部分Bが、上記クラックが生じている部分を示す。また、逆向きの斜めのハッチングが付されたSAW素子チップ部分Cでは、チッピングが生じていることを示す。なお、チッピングとは、圧電基板の欠けが生じているものをいうものとする。   FIG. 6 is a plan view schematically showing the distribution of the cracked and chipped portions in the plurality of piezoelectric substrates in the workpiece W in the comparative example. FIG. 6 schematically shows the positions of the SAW element chips arranged in a matrix located in the workpiece W, and the hatched portion B indicates the above-described portion of the SAW element chip piezoelectric substrate. Indicates a portion where cracking or chipping has occurred. That is, a hatched portion B in FIG. 6 indicates a portion where the crack is generated. Further, in the SAW element chip portion C to which the diagonal hatching in the reverse direction is given, it indicates that chipping has occurred. Note that the chipping means that the piezoelectric substrate is chipped.

図6から明らかなように、回転中心Oに対し、ワークの対角線方向に沿ってチッピングやクラックが多く生じていることがわかる。   As is apparent from FIG. 6, it can be seen that many chippings and cracks occur along the diagonal direction of the workpiece with respect to the rotation center O.

図7は、上記実施形態において、同様にワーク6を研削した場合のチッピングやクラックが生じている部分の分布を示す模式的平面図である。図7から明らかなように、上記実施形態では、クラックやチッピングがほとんど生じていないことがわかる。   FIG. 7 is a schematic plan view showing the distribution of portions where chipping and cracks occur when the workpiece 6 is similarly ground in the embodiment. As is apparent from FIG. 7, it can be seen that in the above embodiment, cracks and chipping hardly occur.

これは、上述したように、ワーク6が、チャックテーブル12の回転中心Oからずらされており、複数の研削痕Sは、矩形のワークの一対の長辺を結ぶ方向に延びており、使用しているLiTaOのへき開方向と交差しているためである。 As described above, the workpiece 6 is shifted from the rotation center O of the chuck table 12, and the plurality of grinding marks S extend in a direction connecting a pair of long sides of the rectangular workpiece. This is because it intersects the cleavage direction of LiTaO 3 .

よって、使用しているワークにおける割れ易い方向、例えば上記のような単結晶のへき開方向と、研削痕が交差するようにワークを配置すれば、上記実施形態のように、ワークにおけるクラックや欠けを効果的に抑制し得ることがわかる。   Therefore, if the workpiece is arranged in such a way that the grinding mark intersects the direction in which the workpiece being used is easily cracked, for example, the cleavage direction of the single crystal as described above, cracks and chips in the workpiece can be obtained as in the above embodiment. It turns out that it can suppress effectively.

なお、ワーク6をチャックテーブル上に載置するにあたっては、上記のように回転中心Oがワークの下面に位置しないように、ワーク6を回転中心からずらせばよく、その場合のずらし方については、ワーク6における割れ易い方向と研削痕の延びる方向が交差するように考慮すればよい。このワークの割れ易い方向は、使用するワーク6の材質により予め既知である。また、研削痕の方向は、ワーク6の載置位置と、研削ホイール13に設けられた複数の砥石13cの描く軌跡とにより容易に推測することができる。従って、上記割れ易い方向と研削痕が交差するようにワーク6をチャックテーブル12上に載置することは、容易に行い得る。   In placing the workpiece 6 on the chuck table, the workpiece 6 may be shifted from the rotation center so that the rotation center O is not located on the lower surface of the workpiece as described above. What is necessary is just to consider so that the direction in which the workpiece | work 6 is easy to crack and the direction where a grinding trace extends cross | intersect. The direction in which the workpiece is easily broken is known in advance depending on the material of the workpiece 6 to be used. Further, the direction of the grinding mark can be easily estimated from the mounting position of the workpiece 6 and the trajectory drawn by the plurality of grindstones 13 c provided on the grinding wheel 13. Therefore, it is possible to easily place the workpiece 6 on the chuck table 12 so that the cracking direction and the grinding mark intersect.

上記実施形態では、LiTaOの研削によるクラックやチッピングを抑制したが、本発明は、LiTaOやLiNbOなどの圧電単結晶に限らず、シリコンウェーハなどの半導体ウェーハ、あるいは半導体以外の様々な材料からなる、ただし特定の方向に割れ易い方向を有する電子部品材料の研削に広く用いることができる。 In the above embodiment, cracks and chipping due to grinding of LiTaO 3 were suppressed, but the present invention is not limited to piezoelectric single crystals such as LiTaO 3 and LiNbO 3, and various materials other than semiconductor wafers such as silicon wafers or semiconductors. However, it can be widely used for grinding electronic component materials having a direction that is easily broken in a specific direction.

また、上記実施形態では、図1に示したように、チャックテーブル12上に、1つのワーク6を配置したが、図8に示すように、複数のワーク6A〜6Dをチャックテーブル12上に回転中心Oの周りにおける周方向に均一に分散配置し、研削してもよい。この場合においても、複数のワーク6A〜6Cは、回転中心Oがワーク6A〜6Dの下面の外側に位置するように、言い換えればチャックテーブル12の回転中心Oからはずれたところにワーク6A〜6Dを配置すればよい。それによって、複数のワーク6A〜6Dを同時に研磨でき、上記実施形態に比べて生産性を高めることができる。   In the above embodiment, as shown in FIG. 1, one workpiece 6 is arranged on the chuck table 12. However, as shown in FIG. 8, a plurality of workpieces 6 </ b> A to 6 </ b> D are rotated on the chuck table 12. Dispersion may be uniformly distributed in the circumferential direction around the center O and ground. Even in this case, the plurality of workpieces 6A to 6C are arranged so that the rotation center O is positioned outside the lower surfaces of the workpieces 6A to 6D, in other words, the workpieces 6A to 6D are displaced from the rotation center O of the chuck table 12. What is necessary is just to arrange. Thereby, the plurality of workpieces 6A to 6D can be polished at the same time, and the productivity can be improved as compared with the above embodiment.

1…基板
2a,2b…電極ランド
3…SAW素子チップ
4a,4b…バンプ
5…樹脂層
6,6A〜6D…ワーク
11…ワーク研削装置
12…チャックテーブル
13…研削ホイール
13a…支持部
13b…ホイール部
14…上下方向移動装置
15…回転軸
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Board | substrate 2a, 2b ... Electrode land 3 ... SAW element chip 4a, 4b ... Bump 5 ... Resin layer 6, 6A-6D ... Workpiece | work 11 ... Work grinding apparatus 12 ... Chuck table 13 ... Grinding wheel 13a ... Support part 13b ... Wheel Part 14 ... Vertical movement device 15 ... Rotating shaft

Claims (4)

複数の電子部品素子に分割されることが予定されている集合体であり、割れ易い方向を有するワークを研削するワークの研削方法であって、
回転駆動されるテーブルの回転中心が前記ワークの下面の外側に位置するように前記テーブル上に前記ワークを配置して前記テーブルを回転させる工程と、
回転している前記テーブル上の前記ワークの上面に、前記テーブルと同一方向に回転駆動されている研削ホイールを当接させ、前記ワークを上面から研削する工程とを備える、ワークの研削方法。
It is an assembly that is scheduled to be divided into a plurality of electronic component elements, a workpiece grinding method for grinding a workpiece having a fragile direction,
Placing the work on the table and rotating the table so that the rotation center of the table to be rotated is positioned outside the lower surface of the work;
A method for grinding a workpiece, comprising: bringing a grinding wheel that is rotationally driven in the same direction as the table into contact with an upper surface of the workpiece on the rotating table, and grinding the workpiece from the upper surface.
前記研削ホイールにより前記ワークを研削した際に前記ワーク上面に形成される研削痕が延びる方向が、前記ワークの割れ易い方向と交差する方向である、請求項1に記載のワークの研削方法。   The workpiece grinding method according to claim 1, wherein a direction in which a grinding mark formed on the upper surface of the workpiece extends when the workpiece is ground by the grinding wheel is a direction intersecting with a direction in which the workpiece is easily cracked. 前記テーブル上に、複数の前記ワークを各ワークの下面の外側に前記テーブルの回転中心が位置するように配置し、前記研削ホイールにより前記複数のワークを研削する、請求項1または2に記載のワークの研削方法。   The plurality of workpieces are arranged on the table so that the rotation center of the table is positioned outside the lower surface of each workpiece, and the plurality of workpieces are ground by the grinding wheel. Workpiece grinding method. 前記複数のワークが、前記テーブル上において、前記回転中心の周りにおける周方向に均一に分散配置されている、請求項3に記載のワークの研削方法。   The workpiece grinding method according to claim 3, wherein the plurality of workpieces are uniformly distributed in a circumferential direction around the rotation center on the table.
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