JP2012037513A - トランスジューサの情報使用装置及び方法 - Google Patents

Abstract

【課題】複数のトランスジューサに対して、単一のトランスジューサ電子データ・シート（ＴＥＤＳ）を用いる。
【解決手段】複数のトランスジューサ１０２、１２０、１３０の内、ノード１１０のトランスジューサ１０２がメモリ・コンポーネント１０４に結合される。プロセッサ１５０は、トランスジューサ１０２、１２０、１３０及びメモリ・コンポーネント１０４の間に結合される。トランスジューサ１０２に関する情報がメモリ・コンポーネント１０４に蓄積されると共に、トランスジューサ１２０及び１３０に関する情報もメモリ・コンポーネント１０４に蓄積される。プロセッサ１５０は、メモリ・コンポーネントに蓄積された情報をダウンロードし、トランスジューサ１０２、１２０、１３０から測定データを受け、校正などのために蓄積情報を測定データに適用する。
【選択図】図１

Description

本発明は、複数のトランスジューサ又は複数チャネルに関する情報を蓄積して使用する装置及び方法に関する。

トランスジューサ電子データ・シート（ＴＥＤＳ：Transducer Electronic Data Sheet）は、校正データ、識別情報、製造者情報などのトランスジューサ情報を蓄積している。ＴＥＤＳフォーマットは、標準化されており、スマート・トランスジューサ・インタフェース標準のＩＥＥＥ１４５１にて定義されている。ＴＥＤＳは、トランスジューサに取り付けられたメモリ・デバイスに蓄積され、このトランスジューサとインタフェースする測定機器又は制御システムが必要とする情報を含んでいる。ＩＥＥＥ標準での定義のように、各トランスジューサは、それ専用のメモリ・デバイスを有し、その特定のメモリ・デバイスは、そのトランスジューサに関係する情報を単に蓄積する。

特開２０１０−１７５３３４号公報

そこで、複数のトランスジューサに対して、単一のＴＥＤＳを用いる装置及び方法が望まれている。

本発明の態様は、次の通りである。
（１）メモリ・コンポーネントに結合された第１トランスジューサと；第２トランスジューサと； 上記第１トランスジューサ、上記第２トランスジューサ及び上記メモリ・コンポーネントの間に結合されたプロセッサとを具え；上記第１トランスジューサに関する情報が上記メモリ・コンポーネントに蓄積され、上記第２トランスジューサに関する情報が上記メモリ・コンポーネントに蓄積され、上記プロセッサは、上記メモリ・コンポーネントから上記蓄積された情報をダウンロードし、上記第１トランスジューサ及び上記第２トランスジューサから測定データを受け、上記蓄積された情報を上記受けた測定データに適用するシステム。
（２）１個以上の追加のトランスジューサを更に具え；上記１個以上の追加のトランスジューサに関する追加情報を上記メモリ・コンポーネントに蓄積し；上記プロセッサが上記１個以上の追加のトランスジューサに結合されて上記１個以上の追加のトランスジューサからの追加の測定データを受ける態様１のシステム。
（３）上記蓄積された情報が各トランスジューサ用の電子データ・シートを含み；各電子データ・シートがトランスジューサ識別情報及びトランスジューサ校正情報を含む態様１のシステム。
（４）上記第１トランスジューサ又は上記第２トランスジューサからの上記受けた測定データに上記蓄積された情報を適用することは、上記第１トランスジューサ又は上記第２トランスジューサの各々の少なくとも校正情報に基づいて上記受けた測定データを調整する態様３のシステム。
（５）上記第１トランスジューサ及び上記第２トランスジューサは、異なる形式のトランスジューサである態様１のシステム。
（６）各トランジスタをインデックスに割り当て、特定のトランスジューサのみに適用する蓄積情報の各々がインデックスに対応する態様１のシステム。
（７）上記メモリ・コンポーネントが不揮発性リード・オンリ・メモリである態様１のシステム。
（８）第１トランスジューサと；該第１トランスジューサに結合された蓄積手段とを具え；該蓄積手段は、上記第１トランスジューサ及び少なくとも１個の他のトランスジューサに関する校正情報を蓄積する装置。
（９）上記蓄積手段は、上記第１トランスジューサ及び少なくとも１個の他のトランスジューサに関する識別及び位置の情報を更に蓄積する態様８の装置。
（１０）上記第１トランスジューサ及び上記少なくとも１個の他のトランスジューサが加速度計であり；上記蓄積手段が不揮発性リード・オンリ・メモリである態様８の装置。
（１１）上記蓄積された校正情報は、上記蓄積された校正情報が適用される対応トランスジューサのみを識別するようにインデックスされた態様８の装置。
（１２）上記第１トランスジューサ、上記蓄積手段及び上記少なくとも１個の他のトランスジューサに結合されたプロセッサを更に具え；該プロセッサは、上記インデックスされた蓄積校正情報を読み出し、上記第１トランスジューサ及び上記少なくとも１個の他のトランスジューサから受けた測定データに適切に適用する態様１１の装置。
（１３）校正データを電気的に蓄積する方法であって；複数のトランスジューサを校正するステップと；上記複数のトランスジューサの各々の識別及び校正の情報をメモリ・コンポーネントに蓄積するステップとを具え；上記メモリ・コンポーネントが上記複数のトランスジューサの１個に結合する方法。
（１４）更に、インデックスを上記複数のトランスジューサに割り当てるステップを具え；上記蓄積された識別及び校正の情報の少なくとも第１部分が上記インデックスにより特定のトランスジューサにリンクされ、上記蓄積された識別及び校正の第２部分が上記複数のトランスジューサの全てに適用される態様１３の方法。
（１５）測定データについて上記複数のトランスジューサの少なくとも１個に問い合わせるステップと；上記複数のトランスジューサの少なくとも１個に対応する上記蓄積された校正情報を取り出すステップと；上記取り出した蓄積校正情報に少なくとも基づいて上記測定データを調整するステップを更に具えた態様１３の方法。
（１６）上記複数のトランスジューサの少なくとも１個は、上記複数のトランスジューサの残りと異なる形式である態様１３の方法。
（１７）上記複数のトランスジューサの少なくとも１個を再校正するステップと、上記メモリ・コンポーネント内の上記複数のトランスジューサの少なくとも１個の校正情報を更新するステップとを更に具えた態様１３の方法。
（１８）複数のトランスジューサを用いる方法であって、該複数のトランスジューサの少なくとも１個にメモリ・コンポーネントが結合され、上記複数のトランスジューサの全ての識別情報及び校正データが上記メモリ・コンポーネントに蓄積され；上記複数のトランスジューサの第１トランスジューサからの測定データを受け；上記複数のトランスジューサの上記第１トランスジューサ用の校正データを上記メモリ・コンポーネントから読み出し；少なくとも上記校正データに基づき上記受けた測定データを調整する方法。
（１９）上記メモリ・コンポーネントが不揮発性リード・オンリ・メモリである態様１８の方法。
（２０）上記複数のトランスジューサの少なくとも１個が異なる形式である態様１８の方法。

よって、本発明は、トランスジューサに直接結合されたメモリ（メモリ・コンポーネント）は、特定のトランスジューサ用のデータ・シート情報だけでなく、システム内の他のトランスジューサ用のデータ・シート情報も蓄積できる。システム内の各トランスジューサに独自のインデックスを割り当て、特定のトランスジューサに対応するデータを区別するために、メモリに蓄積されたデータにインデックスを付ける。トランスジューサは、同じ形式である必要がない。メモリ内に蓄積された情報は、識別情報及び校正データを含むが、これに限定されるものではない。プロセッサは、メモリからの情報を読み取り、トランスジューサが取り込んだ測定データにこの情報を適用する。

本発明により、複数のトランスジューサに関する情報を蓄積するのに用いる単一の電子データ・シートの例及び本発明の構成を添付図に示す。これら図は、説明のためであり、これらに本発明を限定するものではない。

プロセッサがアクセス可能な複数のトランスジューサを示す本発明の一実施例のブロック図であり、トランスジューサの全てに関する情報を蓄積するメモリ・コンポーネントにこれらトランスジューサの１個のみが結合している。 単一のメモリ・コンポーネントに蓄積された３個の異なるトランスジューサに関する情報を含むメモリ・マップの例を示す図である。 本発明により、複数のトランスジューサと単一のメモリ・コンポーネントへの校正データの蓄積との校正処理の例を示す流れ図である。 本発明により、単一のメモリ・コンポーネントから複数のトランスジューサ用の蓄積データを取り出して用いる処理の例を示す流れ図である。

本発明の種々の概念及び例を以下に説明する。以下の説明は、これらの例を完全に理解し説明するための特定の詳細に関する説明である。しかし、これら詳細に限定されることなく本発明を実現できることが当業者には理解できよう。さらに、関連説明を不必要に不明瞭にしないために、いくつかの既知の構成又は機能については図示せず説明もしないこともある。

以下の説明で用いる用語は、本発明の特定例の詳細説明に関連して用いられていても、合理的な範囲で広い意味に解釈されるものである。ある用語は、後述のように特定されるが、任意の限定された解釈における用語は、明細書にて明確且つ限定的に定義される。

後述する本発明の実施例により、トランスジューサに直接結合されたメモリ・コンポーネントは、そのトランスジューサと、システム内の他の１個以上のトランスジューサとに関するデータ・シート情報も含んでいる。複数のトランスジューサは、インデックス又は名前及び情報に独自に割り当てられる。これらインデックス又は名前及び情報は、そのインデックス又は名前で識別される特定のトランスジューサに対応し、メモリに蓄積された情報のどの部分がどのトランスジューサに適用されるについて混乱することを防ぐ。メモリ内のデータは、システム・プロセッサによりダウンロードされ、トランスジューサにより取り込まれた任意の測定データに適切に適用され、プロセッサに送られる。

図１は、本発明により、プロセッサ１５０が通信し、複数のトランスジューサ１０２、１２０、１３０からのデータを受信できるブロック図１００を示し、複数のトランスジューサに関するデータが単一のメモリ・コンポーネント１０４に蓄積されている。このメモリ・コンポーネント１０４は、トランスジューサの１個１０２に直接結合している。トランスジューサ１０２、１２０、１３０は、加速度計、マイクロフォン、電圧センサ、熱電対、抵抗温度検出器などを含む任意の形式のセンサ又はアクチュエータでよいが、これらに限定されるものではない。説明を明瞭にするため、図１では３個のトランスジューサのみを示す。しかし、このシステムに４個以上のトランスジューサを用いることもできる。トランスジューサは、全てが同じ形式にもできる。代わりに、１個以上のトランスジューサを異なる形式にもできる。プロセッサ１５０を用いて、トランスジューサ１０２、１２０、１３０が取込みこれらトランスジューサから受けたデータを用いるアプリケーションを実行し、メモリ・コンポーネント１０４をアクセスできる。一実施例において、複数のプロセッサ（図示せず）がメモリ・コンポーネント１０４をアクセスすると共に、トランスジューサ１０２、１２０、１３０が取り込んだデータを受けることができる。

ノード１１０は、トランスジューサ１０２及びメモリ・コンポーネント１０４を含んでいる。ノード１１０は、スマート・トランスジューサ用のＩＥＥＥ１４５１．４標準に記載の如きＴＥＤＳノードに類似している。メモリ・コンポーネント１０４は、トランスジューサ１０２、１２０、１３０の全てに関する蓄積データに用いる。これらデータは、以下に限定されるものではないが、トランスジューサの形式及び製造者識別子などの基本ＴＥＤＳ情報と、標準ＴＥＤＳ情報とを含んでいる。この標準ＴＥＤＳ情報は、トランスジューサ用の典型的なデータ・シート内に見つけることができ、トランスジューサ感度での変動を調整する測定レンジ及び校正データなどである。メモリ・コンポーネント１０４は、任意の形式のＲＡＭ、ＲＯＭ、若しくは揮発性又は不揮発性メモリの任意の組合せである。ＩＥＥＥのＴＥＤＳノード内のメモリは、その特定ノードにおけるトランスジューサに関する情報を単に蓄積するが、本発明の実施例では、トランスジューサ１０２を有するノード１１０内に存在するメモリ・コンポーネント１０４は、ノード１１０内のトランスジューサ１０２と、このノード１１０の外部に存在する他のトランスジューサ１２０、１３０との両方の情報を含む。ノード１１０は、追加の機能（図示せず）を有する他の要素、例えば、スイッチ及びカウンタを含むこともできる。

本発明の一実施例において、ＴＥＤＳノード１１０及びプロセッサ１５０の間のインタフェースは、1-WIRE（登録商標）コミュニケーション・プロトコルを用い、シリアル・シグナリング・プロトコルが単一の信号及び接地リターンを組合せる。ＴＥＤＳノード１１０との双方向性通信は、プロセッサ１５０により開始する。

ＩＥＥＥ１４５１標準は、異なる形式のトランスジューサ用の異なるＴＥＤＳテンプレート・フォーマットを定義する。同じＩＥＥＥテンプレートを用いて、単一のメモリ・コンポーネントにおける複数のトランスジューサに関する情報を蓄積できる。しかし、識別用インデックスを用いて、特定のトランスジューサに対応するデータにラベルを付ける。

図２は、単一のメモリ・コンポーネントに蓄積されたメモリ・マップ例２００を示し、このメモリ・マップは、３個の異なるトランスジューサ用の情報を含んでいる。このマップの第１列は、メモリ・マップ内の要素の記述を示す。第２列は、対応するメモリ・マップ要素の単位があるならばその単位を特定する。第３列は、対応メモリ・マップ要素に割り当てられたビット数を示す。第４列は、メモリの位置が読み出し（Ｒ）であるか、書き込み（Ｗ）であるか、これらの両方であるかを示す。第５列は、要素のデータ形式と、要素が実行する値のレンジとを示す。メモリ・マップ２００を特定のアプリケーションに用いることができ、３軸加速度計のＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸に対応する３個の加速度計の情報が蓄積される。

メモリ・マップ２００における最初の８個の要素は、ＣＲＣ（巡回冗長検査）と、製造者ＩＤ（識別子）と、加速度計のモデル＃（番号）と、加速度計のバージョン文字と、加速度計のバージョン番号と、加速度計のシリアル番号と、変動チェック用のビット指定の高と、ＴＥＤＳ情報をマッピングするのに用いるＴＥＤＳテンプレート識別子とである。これは、全ての加速度計に適用する。その理由は、３個の加速度計の全てが同じ形式のトランスジューサであり、ある製造者が制作した単一のデバイスの部分のためである。同様に、メモリ・マップ２００の残りの１３個の要素は、トランスジューサが校正された際の基準周波数と、トランスジューサが校正された際の基準温度と、加速度計のハイパス遮断周波数と、加速度計のロウパス遮断周波数と、トランスジューサ剛性と、トランスジューサ質量ビロウ・ゲージ（transducer mass below gage）と、トランスジューサ重量と、校正日と、加速度計を校正した人の校正イニシャルと、校正日から開始する校正が有効な校正期間と、加速度計を校正した施設の測定場所識別子と、加速度計の剛性と、３個の加速度計の各々で同じ質量ゲージとである。本発明の一実施例において、このメモリ・マップを加速度計に用いる際、質量ゲージ要素には関心がない。よって、どの加速度計にその情報を適用できるかを区別するために、これら要素の名前には、インデックス識別を必要としない。

しかし、メモリ・マップ２００内の９番目、１０番目及び１１番目の要素である感度Ｘ＠基準状態、感度Ｙ＠基準状態、及び感度Ｚ＠基準状態は、夫々Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸に沿って加速度を測定する特別な加速度計に明確に適用する。要素の名前にインデックスを付し、加速度計の軸に情報を適用する点に留意されたい。よって、感度Ｘは、Ｘ軸方向での加速度を測定するトランスジューサに適用し、感度Ｙは、Ｙ軸方向での加速度を測定するトランスジューサに適用し、感度Ｚは、Ｚ軸方向での加速度を測定するトランスジューサに適用する。３つの軸の各々を測定する加速度計の感度を異ならせることができるので、３個の加速度計の各々に対して個別情報を提供する必要がある。本発明の一実施例において、各トランスジューサに対して、異なる校正状態を測定できる。感度値は、加速度計から出力する実際の測定値を求めるのに用いる比率乗数（ratio multiplier）である。例えば、１００ｍＶ／ｇ加速度計の軸の１つが、１００ｍＶ／ｇに設定された既知の振動で９９ｍＶ／ｇを測定すると、記録した感度値は９９ｍＶ／ｇである。よって、プロセッサがセンサの感度を読み出すと、全ての測定データを１ｍＶ／ｇだけオフセットするので、９９ｍＶ／ｇの読みが正確に１００ｍＶ／ｇとなる。

本発明の一実施例において、メモリ・マップに蓄積された校正定数を用いて、非常に正確なセンサを提供できる。例えば、コストを大幅に低減して、＋／−２０％の確度のセンサを＋／−５％の確度に校正できる。従来は、コンポーネントを試験し分類して特定の確度内の単位を見つけた。代わりに、抵抗器及びコンデンサの如きハードウェアを用いて、コンポーネント値を目盛りにより調整してもよい。しかし、トランスジューサの感度及びオフセットのデータを測定しメモリ・マップに蓄積することにより、その特定のトランスジューサが測定したデータを数学的に計算して、適切な調整ができる。よって、トランスジューサを必要な確度レベル内にするために、確度が予め分類されたトランスジューサや、付属のハードウェアを有するトランスジューサに比較して、比較的安価なコストで、高確度のトランスジューサを達成できる。

さらに、多数のトランスジューサのデータ・シートが単一のメモリ・コンポーネントに蓄積された場合、その情報の全てを読み出して各トランスジューサのデータを分離するのに要する時間は、各トランスジューサに取り付けられた個別のメモリ・コンポーネントを読み出すのに要する時間よりも大幅に短い。よって、多数のトランスジューサ用の情報を蓄積した単一のメモリ・コンポーネントを用いるので、処理時間が大幅に短縮する。

図３は、単一メモリ・コンポーネントに校正データを蓄積し、複数のトランスジューサを校正する処理の例３００を示す流れ図である。

ステップ３０５にて、システムは、校正すべき複数のトランスジューサの各々にインデックスを割り当てる。インデックスは、トランスジューサの任意の独自のラベルであり、例えば、数字ラベル、アルファベット・ラベル、３軸トランスジューサのｘ、ｙ及びｚ軸の如き他の任意の従来のラベルにできる。

ステップ３１０にて、システムは第１トランスジューサを校正する。ステップ３１５にて、システムは、ＴＥＤＳテンプレートの如き適切なフォーマットで第１トランスジューサ用の情報をファイルにセーブ（蓄積）する。ファイルに蓄積された情報は、図２のメモリ・マップ２００に示すデータを含むが、これに限定されるものではない。ステップ３２０にて、システムは、他のトランスジューサを校正する。ステップ３３０にて、システムは、このトランスジューサの情報をステップ３１５と同じファイルに又は別のファイルにセーブする。

ステップ３３５にて、システムは、校正する他のトランスジューサが更にあるか否かを判断する。校正すべき他のトランスジューサがあれば（ステップ３３５でイエス）、処理は、ステップ３２０に戻り次のトランスジューサを校正する。校正すべき他のトランスジューサがなければ（ステップ３３５でノー）、処理はステップ３４０に進む。このステップ３４０において、システムは、複数のトランスジューサについて記述する１つ以上のファイルからの情報をメモリ・コンポーネントに書き込む。このメモリ・コンポーネントは、処理３００の期間中に校正されたトランスジューサの１個に直接結合されている。メモリ・コンポーネントへのデータ転送処理は、ＩＥＥＥ１４５１標準に記載されているのと同じにできる。この処理は、ステップ３９９で終了する。

トランスジューサを再校正するためにも、校正処理３００を使用できる。以前の校正の有効期間が満了した場合、又は、以前の校正と異なる状況でトランスジューサを使用しなければならない場合に、トランスジューサを再校正する必要がある。

図４は、単一のメモリ・コンポーネントから複数のトランスジューサ用蓄積データを取り出して用いる処理の例４００を説明する流れ図である。

ステップ４０５にて、システムは、複数のトランスジューサの１個に直接結合されているメモリ・コンポーネントからデータをダウンロードする。次に、ステップ４１０にて、システムは、第１トランスジューサからデータを取り込む。

判断ステップ４１５にて、システムは、他のトランスジューサからのデータを取り込む必要があるか否かを判断する。他のトランスジューサからのデータが必要ならば（ステップ４１５でイエス）、処理は、ステップ４２０に進み、他のトランスジューサからのデータを取り込む。次に、処理は、判断ステップ４１５に戻る。他のトランスジューサからのデータが必要でなければ（ステップ４１５でノー）、処理は、ステップ４３０に進み、システムは、ダウンロードされたデータから関連校正データにアクセスする。

本発明の一実施例において、上述のステップ４１０、４１５、４２０で説明したように、特定トランスジューサからのデータが必要かに応じて、各トランスジューサから独立してではなく、システム内の全てのトランスジューサからのデータを自動的に順次取り込むことができる。しかし、全てのトランスジューサからの測定データが取り込まれると、プロセッサは、関連データを判断でき、ステップ４３０にて、システムは、関連校正データにアクセスできる。

ステップ４３５にて、システムは、測定データのオフセットを調整し、感度データを適用するなどして、校正データを用いて、測定データの計算を実行する。処理は、ステップ４９９で終了する。

上述及び請求項を通じて、文脈が明確に要求していない限り、用語「具える」、「具え」などは、排他的に又は網羅的な観念とは対照的に含むという概念である（即ち、「含むが限定するものではない」という概念である）。ここで用いる用語「接続された」、「結合された」又はこれらの任意の変形は、間接又は直接のいずれかで２つ以上の要素の間を任意に接続又は結合する意味であり、複数要素間の接続の結合は、物理的、論理的又はこれらの組合せである。更に、用語「ここで」、「上述」、「後述」及び類似の意味の用語は、本特許出願に用いる場合、全体としての本願を参照するものであり、本願の任意の特定部分を参照するのではない。文脈が許すならば、単一又は複数の数を用いる上述の詳細な説明内の用語は、夫々複数又は単一の数も含むものである。２つ以上の項目のリストを参照する用語「又は」は、用語の以下の解釈の全てをカバーする。すなわち、リスト内の任意の項目、リスト内の全ての項目、リスト内の項目の任意の組合せをカバーする。

本発明の実施例の上述の詳細説明は、上述で開示した正確な形式に本発明を網羅的に又は限定するものではない。本発明の特定例を説明のために記載したが、当業者に理解できる如く、種々の均等な変更が本発明の要旨内で可能である。処理又はブロックが本願にて所定順序に示されたが、別の実施例では、異なる順序でステップのルーチンを実行してもよいし、又は異なる順序のブロックを有するシステムを用いてもよい。いくつかの処理又はブロックを削除、移動、追加、再分割、組合せ及び／又は変更して、別の又は再組合せを提供してもよい。また、処理又はブロックを一連に実行するように時間的に示したが、これら処理又はブロックを並行に実行又はインプリメンテーションしてもよいし、異なる時間に実行してもよい。更に、ここで示した任意特定の数は単なる例である。異なる値又は範囲を別の実施例に用いてもよいことが理解できよう。

ここで用いた種々の実例及び開示は、上述のシステム以外のシステムにも適用できる。上述の種々の例の要素及び動作を組合せて、本発明の別の実施例を実現できる。

上述では、特許及び他の文献を参照した。必要ならば、これら参照文献に開示されているシステム、機能及び概念を用いて本発明を変更し、本発明の更なる実施例を提供できる。

上述の説明を考慮して、これら変形変更を本発明に適用できる。上述は、本発明のある実施例について説明し、予期できる最良モードについて説明したが、細部がどの様に説明に登場しようが、本発明は、多くの方法で実現できる。このシステムの細部は、そのインプリメンテーションの細部にて考慮の上変更でき、依然ここで説明した本発明の範囲内である。上述で気付くように、本発明のある特徴又は概念を説明する際に用いた特定の用語は、その用語に関係する本発明の任意特定の特徴、機能又は概念をここで再定義することを意味しない。一般的に、上述の詳細説明がかかる用語を明示的に定義しない限り、以下の請求項で用いる用語は、本明細書で説明した特定の例に本発明を限定するものではない。よって、本発明の実際の範囲は、開示した例のみを含むのではなく、本発明を実現又はインプリメンテーションする全ての等化の方法も含む。

本発明の概念は、請求項に記載したとおりであるが、本発明の種々の概念をいくつかの形式で表せる。

１０２、１２０、１３０ トランスジューサ
１０４ メモリ・コンポーネント
１１０ ノード
１５０ プロセッサ

Claims (4)

1. メモリ・コンポーネントに結合された第１トランスジューサと、
   第２トランスジューサと、
   上記第１トランスジューサ、上記第２トランスジューサ及び上記メモリ・コンポーネントの間に結合されたプロセッサとを具え、
   上記第１トランスジューサに関する情報が上記メモリ・コンポーネントに蓄積され、上記第２トランスジューサに関する情報が上記メモリ・コンポーネントに蓄積され、上記プロセッサは、上記メモリ・コンポーネントから上記蓄積された情報をダウンロードし、上記第１トランスジューサ及び上記第２トランスジューサから測定データを受け、上記蓄積された情報を上記受けた測定データに適用するトランスジューサの情報使用装置。
2. 第１トランスジューサと、
   該第１トランスジューサに結合された蓄積手段とを具え、
   該蓄積手段は、上記第１トランスジューサ及び少なくとも１個の他のトランスジューサに関する校正情報を蓄積するトランスジューサの情報使用装置。
3. 校正データを電気的に蓄積する方法であって、
   複数のトランスジューサを校正するステップと、
   上記複数のトランスジューサの各々の識別及び校正の情報をメモリ・コンポーネントに蓄積するステップとを具え、
   上記メモリ・コンポーネントが上記複数のトランスジューサの１個に結合するトランスジューサ情報使用方法。
4. 複数のトランスジューサを用いる方法であって、該複数のトランスジューサの少なくとも１個にメモリ・コンポーネントが結合され、上記複数のトランスジューサの全ての識別情報及び校正データが上記メモリ・コンポーネントに蓄積され、
   上記複数のトランスジューサの第１トランスジューサからの測定データを受け、
   上記複数のトランスジューサの上記第１トランスジューサ用の校正データを上記メモリ・コンポーネントから読み出し、
   少なくとも上記校正データに基づき上記受けた測定データを調整する
   トランスジューサの情報使用方法。

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