JP2012035320A - シリコンインゴットの連続鋳造装置および連続鋳造方法 - Google Patents
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【課題】鋳造されたシリコンインゴットから切り出されたウェーハにおいて、局所的に金属不純物により汚染された異常部が発生するのを抑え、金属不純物による汚染を低減できるシリコンインゴットの連続鋳造装置および連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】電磁鋳造法により多結晶シリコンを連続的に鋳造する際に用いられ、導電性を有し、シリコン原料を溶解させて連続鋳造する無底の冷却ルツボ7と、冷却ルツボ7を固定する天板10と、冷却ルツボ7の外側を囲繞し、冷却ルツボ7の内側に装入されたシリコン原料を電磁誘導により加熱する誘導コイル8とをチャンバー1内に備えたシリコンインゴットの連続鋳造装置において、冷却ルツボ7の上面に冷却ルツボの内側と外側を仕切る仕切り部材17を設けることを特徴とするシリコンインゴットの連続鋳造装置である。
【選択図】図1
【解決手段】電磁鋳造法により多結晶シリコンを連続的に鋳造する際に用いられ、導電性を有し、シリコン原料を溶解させて連続鋳造する無底の冷却ルツボ7と、冷却ルツボ7を固定する天板10と、冷却ルツボ7の外側を囲繞し、冷却ルツボ7の内側に装入されたシリコン原料を電磁誘導により加熱する誘導コイル8とをチャンバー1内に備えたシリコンインゴットの連続鋳造装置において、冷却ルツボ7の上面に冷却ルツボの内側と外側を仕切る仕切り部材17を設けることを特徴とするシリコンインゴットの連続鋳造装置である。
【選択図】図1
Description
本発明は、太陽電池用基板の素材であるシリコンインゴットの連続鋳造装置および連続鋳造方法に関し、さらに詳しくは、鋳造されたシリコンインゴットから切り出されたウェーハにおいて、局所的に金属不純物により汚染された異常部が発生するのを抑え、金属不純物による汚染を低減できるシリコンインゴットの連続鋳造装置および連続鋳造方法に関する。
近年、CO2排出による地球温暖化問題やエネルギー資源の枯渇問題が深刻化しており、それらの問題の対応策の一つとして、無尽蔵に降りそそぐ太陽光エネルギーを活用する太陽光発電が注目されている。太陽光発電は、太陽電池を使用して太陽光エネルギーを直接電力に変換する発電方式であり、太陽電池の基板には、多結晶のシリコンウェーハを用いるのが主流である。
太陽電池用の多結晶シリコンウェーハは、一方向性凝固のシリコンインゴットを素材とし、このインゴットをスライスして製造される。このため、太陽電池の普及を図るには、シリコンウェーハの品質を確保するとともに、コストを低減する必要があり、その前段階で、高品質のシリコンインゴットを安価に製造することが要求される。この要求に対応できる方法として、例えば、特許文献1に開示されるように、電磁誘導を利用した連続鋳造方法であるEMC法(Electromagnetic Casting法、電磁鋳造法)が実用化されている。
図3は、従来のEMC法に用いられる連続鋳造装置(以下、単に「EMC炉」ともいう。)の構成を示す模式図である。同図に示すように、EMC炉はチャンバー1を備える。チャンバー1は、内部を外気から隔離し鋳造に適した不活性ガス雰囲気に維持する二重壁構造の水冷容器である。チャンバー1の上壁には、開閉可能なシャッター2を介し、図示しない原料供給装置が連結されている。チャンバー1は、上部の側壁に不活性ガス導入口5が設けられ、下部の側壁に排気口6が設けられている。
チャンバー1内には、無底の冷却ルツボ7、誘導コイル8およびアフターヒーター9が配置されている。無底の冷却ルツボ7は角筒状であり、融解容器としてのみならず、鋳型としても機能し、熱伝導性および電気伝導性に優れた金属(例えば、銅)からなる。この冷却ルツボ7は、上部を残して周方向で複数の短冊状の素片に分割され、内部を流通する冷却水によって強制冷却される。このような冷却ルツボ7は、通常、天板10に固定され、天板10はチャンバー1の上壁に取付けられた支持棒16に固定される。天板10はステンレス鋼といった金属からなり、その内部には冷却ルツボ7に給排される冷却水が流通する。
誘導コイル8は、冷却ルツボ7の外側を囲繞するように、冷却ルツボ7と同芯に周設され、図示しない電源装置に接続されている。アフターヒーター9は、冷却ルツボ7と同芯に、冷却ルツボ7の下方に連設され、冷却ルツボ7から引き下げられるシリコンインゴット3を加熱して、その軸方向に適切な温度勾配を与えつつ、長時間かけて室温まで冷却する。
また、チャンバー1内には、原料供給装置に連結されたシャッター2の下方に原料導入管11が取り付けられている。シャッター2の開閉に伴って、粒状や塊状のシリコン原料12が原料供給装置から原料導入管11内に供給され、冷却ルツボ7の内側に装入される。
チャンバー1の底壁には、アフターヒーター9の下方に、インゴット3を抜き出すための引出し口4が設けられ、この引出し口4はガスでシールされている。インゴット3は、引出し口4を貫通して下降する支持台15によって支えられながら引き下げられる。
冷却ルツボ7の真上には、プラズマトーチ14が昇降可能に設けられている。プラズマトーチ14は、図示しないプラズマ電源装置の一方の極に接続され、他方の極は、インゴット3側に接続されている。このプラズマトーチ14を、下降させ冷却ルツボ7内に挿入される。
このようなEMC炉を用いたEMC法では、無底の冷却ルツボ7の内側にシリコン原料12を装入し、誘導コイル8に交流電流を印加するとともに、下降させたプラズマトーチ14に通電を行う。このとき、冷却ルツボ7を構成する短冊状の各素片が互いに電気的に分割されていることから、誘導コイル8による電磁誘導に伴って各素片内で渦電流が発生し、冷却ルツボ7の内壁の渦電流が冷却ルツボ7内に磁界を発生させる。これにより、冷却ルツボ7内のシリコン原料12は電磁誘導加熱されて融解し、溶融シリコン13が形成される。また、プラズマトーチ14とシリコン原料12、さらには溶融シリコン13との間にプラズマアークが発生し、そのジュール熱によっても、シリコン原料12が加熱されて融解し、電磁誘導加熱の負担を軽減して効率良く溶融シリコン13が形成される。
溶融シリコン13は、冷却ルツボ7の内壁の渦電流に伴って生じる磁界と、溶融シリコン13の表面に発生する電流との相互作用により、溶融シリコン13の表面の内側法線方向に力(ピンチ力)を受けるため、冷却ルツボ7と非接触の状態に保持される。無底の冷却ルツボ7内でシリコン原料12を融解させながら、溶融シリコン13を支える支持台15を徐々に下降させると、誘導コイル8の下端から遠ざかるにつれて誘導磁界が小さくなることから、発熱量およびピンチ力が減少し、さらに冷却ルツボ7からの冷却により、溶融シリコン13は外周から凝固が進行する。そして、支持台15の下降に伴ってシリコン原料12を連続的に装入し、融解および凝固を継続することにより、溶融シリコン13が一方向に凝固し、インゴット3を連続して鋳造することができる。
このようなEMC法によれば、溶融シリコン13と無底の冷却ルツボ7との接触が軽減されるため、その接触に伴う冷却ルツボ7からの不純物の汚染が防止され、高品質のインゴット3を得ることができる。しかも、連続鋳造であることから、安価に一方向凝固されたインゴット3を製造することが可能になる。
従来のEMC炉を用いたEMC法によるシリコンインゴットの連続鋳造方法では、鋳造されたシリコンインゴットから切り出されたウェーハについて、FeやNi、Cr、Znといった金属不純物による汚染を評価するライフタイム評価を実施すると、局所的に金属不純物に汚染された部分が存在する。
後述する図6は、従来のシリコンインゴットの連続鋳造装置および連続鋳造方法により鋳造されたインゴットから切り出されたウェーハについて、ライフタイムの評価により得られたライフタイムマップを示す図である。同図に示すライフタイムマップは、後述する実施例の比較例により得られたウェーハのものであり、ウェーハ外周40aを二点鎖線で示し、凡例に示すように白色と黒色の濃淡によりライフタイム値の分布を表す。同図に示すライフタイムマップでは、ウェーハ外周40aのうちの1辺で低ライフタイム領域が確認されるとともに、3箇所の局所的にライフタイム値が低下している異常部が確認される。
このような局所的にライフタイム値が低下している異常部が発生すると、切り出されたウェーハを太陽電池に用いた際、光電変換効率を悪化させる。したがって、ライフタイムの異常部の発生を低減し、すなわち、鋳造されるインゴットの金属不純物による汚染を低減し、太陽電池に用いた際に光電変換効率を向上させることが望まれる。
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、鋳造されたシリコンインゴットから切り出されたウェーハにおいて、局所的に金属不純物により汚染された異常部が発生するのを抑え、金属不純物による汚染を低減できるシリコンインゴットの連続鋳造装置および連続鋳造方法を提供することを目的としている。
本発明者らは、種々の試験を行い、鋭意検討を重ねた結果、EMC炉を用いてEMC法によりシリコンインゴットを連続鋳造する際に発生して堆積する粒子が、局所的に金属不純物により汚染された異常部を発生させる要因であると推測した。
図4は、従来の連続鋳造装置を用いたEMC法によるシリコンインゴットの連続鋳造する際に粒子が堆積する様子を示す模式図であり、同図(a)は連続鋳造を開始した直後の状態、同図(b)は粒子が堆積し始めた状態、同図(c)は多量の粒子が堆積した状態、同図(d)は堆積した粒子が冷却ルツボ内に崩れ落ちる状態をそれぞれ示す。同図では、図示しないチャンバー内に配置された冷却ルツボ7と、誘導コイル8と、プラズマトーチ14と、天板10と、支持棒16と、溶融シリコン13と、インゴット3とを示す。
同図(a)に示すように、連続鋳造を開始した直後は天板10の上面および冷却ルツボ7の上面に粒子は存在しない。連続鋳造を開始すると、冷却ルツボに装入されたシリコン原料を誘導コイルおよびプラズマトーチにより溶解する際、シリコン原料の一部が蒸発してベーパーとなる。このベーパーは、チャンバー内を雰囲気流れに流されて冷却され、シリコン粒子となりチャンバー内を浮遊する。このチャンバー内を浮遊するシリコン粒子の一部は、同図(b)に示すように、天板10の上面および冷却ルツボ7の上面に落下する。
ここで、チャンバー内を浮遊するシリコン粒子は、シリコン原料から発生することから、高純度のシリコンからなる。しかし、シリコン粒子の一部は、チャンバー内を浮遊する際にステンレス鋼からなる天板といった炉内部品または炉内部品が放出する金属不純物と接触して汚染され、天板10の上面および冷却ルツボ7の上面に落下する。
また、シリコン原料に含まれる微少な粒子径の原料は、その一部が冷却ルツボに装入される際に熱対流や不活性ガスの導入および排出により発生する炉内の雰囲気流れに流され、チャンバー内を浮遊する。この微少なシリコン原料の粒子も、チャンバー内を浮遊して金属不純物に汚染され、天板10の上面および冷却ルツボ7の上面に落下する場合がある。
さらに、インゴットを連続鋳造する際は炉内が高温となるため、炉内部品から金属不純物が放出され、粒子となってチャンバー内を浮遊し、天板10の上面および冷却ルツボ7の上面に落下する場合がある。
このように蒸発したシリコン原料から発生するシリコン粒子や、微少なシリコン原料の粒子、金属不純物の粒子といったチャンバー内を浮遊する粒子を、以下では「金属不純物含有粒子」と総称する。
チャンバー内を浮遊する金属不純物含有粒子は、同図(c)に示すように、インゴットの引き下げに伴って天板10の上面および冷却ルツボ7の上面に堆積する。さらにインゴットを引き下げると、同図(d)に示すように、天板10の上面および冷却ルツボ7の上面に堆積した金属不純物含有粒子が冷却ルツボの内側に迫り出し、その一部が冷却ルツボの内側に崩れ落ちる。
本発明者らは、金属不純物含有粒子が天板の上面および冷却ルツボの上面に堆積して冷却ルツボ内に崩れ落ちることにより、シリコン原料とともに溶解および凝固し、鋳造されるインゴットを金属不純物で汚染した結果、鋳造されたインゴットから切り出されたウェーハにおいて、局所的に金属不純物により汚染された(ライフタイム値が低下した)異常部を形成すると考えた。
本発明者らは、さらに種々の試験を行い、鋭意検討を重ねた結果、EMC法に用いる連続鋳造装置において、冷却ルツボの上面に冷却ルツボの内側と外側を仕切る仕切り部材を設けることにより、天板の上面および冷却ルツボの上面に堆積した金属不純物含有粒子が冷却ルツボ内に崩れ落ちるのを低減でき、鋳造されたシリコンインゴットから切り出されたウェーハにおいて、局所的に金属不純物により汚染された異常部が発生するのを抑えられることを知見した。
本発明は、上記の知見に基づいて完成したものであり、下記(1)〜(3)のシリコンインゴットの連続鋳造装置、下記(4)のシリコンインゴットの連続鋳造方法を要旨としている。
(1)電磁鋳造法により多結晶シリコンを連続的に鋳造する際に用いられ、導電性を有し、シリコン原料を溶解させて連続鋳造する無底の冷却ルツボと、前記冷却ルツボを固定する天板と、前記冷却ルツボの外側を囲繞し、前記冷却ルツボの内側に装入されたシリコン原料を電磁誘導により加熱する誘導コイルとをチャンバー内に備えたシリコンインゴットの連続鋳造装置において、
前記冷却ルツボの上面に冷却ルツボの内側と外側を仕切る仕切り部材を設けることを特徴とするシリコンインゴットの連続鋳造装置。
前記冷却ルツボの上面に冷却ルツボの内側と外側を仕切る仕切り部材を設けることを特徴とするシリコンインゴットの連続鋳造装置。
(2)前記仕切り部材の上面を内側から外側に向かって低くなるように傾斜させ、前記仕切り部材の内側の面を前記冷却ルツボの内側の面と段差なく連続させることを特徴とする請求項1に記載のシリコンインゴットの連続鋳造装置。
(3)前記仕切り部材がシリコン、SiC、石英、アルミナまたはカーボンからなることを特徴とする請求項1または2に記載のシリコンインゴットの連続鋳造装置。
(4)請求項1〜3のいずれかに記載の連続鋳造装置を用い、電磁鋳造法により多結晶シリコンを連続的に鋳造することを特徴とするシリコンインゴットの連続鋳造方法。
本発明のシリコンインゴットの連続鋳造装置および連続鋳造方法は、金属不純物含有粒子が天板の上面に堆積し、崩れ落ちて冷却ルツボ内に混入するのを低減することができる。このため、鋳造されたインゴットから切り出されたウェーハおいて、局所的なライフタイムの低下の発生を抑え、金属不純物による汚染を低減できる。
以下に、本発明のシリコンインゴットの連続鋳造装置および連続鋳造方法の実施形態を図面に基づいて説明する。
〔第1実施形態の連続鋳造装置〕
図1は、本発明の一実施形態であるシリコンインゴットの連続鋳造装置を説明する模式図である。同図に示す本発明における電磁鋳造装置は、前記図3に示す連続鋳造装置の構成を基本とし、それと同じ構成には同一の符号を付し、重複する説明は適宜省略する。同図に示す連続鋳造装置は、前記図3に記す連続鋳造装置に、仕切り部材17を加えたものである。
図1は、本発明の一実施形態であるシリコンインゴットの連続鋳造装置を説明する模式図である。同図に示す本発明における電磁鋳造装置は、前記図3に示す連続鋳造装置の構成を基本とし、それと同じ構成には同一の符号を付し、重複する説明は適宜省略する。同図に示す連続鋳造装置は、前記図3に記す連続鋳造装置に、仕切り部材17を加えたものである。
図2は、本発明の一実施形態に用いる仕切り部材を説明する模式図であり、同図(a)は上面図、同図(b)は同図(a)の矢印A−Aにおける断面図である。同図は、前記図1に示す連続鋳造装置における冷却ルツボ7、誘導コイル8、天板10および仕切り部材17を示す。
本実施形態のシリコンインゴットの連続鋳造装置は、電磁鋳造法により多結晶シリコンを連続的に鋳造する際に用いられ、導電性を有し、シリコン原料を溶解させて連続鋳造する無底の冷却ルツボ7と、冷却ルツボを固定する天板10と、冷却ルツボの外側を囲繞し、冷却ルツボの内側に装入されたシリコン原料を電磁誘導により加熱する誘導コイルとをチャンバー1内に備えたシリコンインゴットの連続鋳造装置において、冷却ルツボ7の上面に冷却ルツボの内側と外側を仕切る仕切り部材17を設けることを特徴とする。
図1および図2に示すように、角筒状の冷却ルツボ7と同芯に、角筒状であって、冷却ルツボの内側(シリコン原料が装入される側)と外側(誘導コイル8が配置される側)を仕切る仕切り部材17を、冷却ルツボ7の上面に設ける。これにより、天板の上面に堆積した金属不純物含有粒子を仕切り部材17で受け止めることができ、金属不純物含有粒子は冷却ルツボの内側に崩れ落ちることなく、天板の上面に堆積する。このため、本実施形態の連続鋳造装置は、金属不純物含有粒子が崩れ落ちて冷却ルツボ内に混入するのを低減できる。
天板10の上面に堆積する金属不純物含有の量は、鋳造されるインゴットの質量や炉内を清掃することなく鋳造するインゴットの本数、装入されるシリコン原料の粒子径等によって大きく変動する。このため、本実施形態の連続鋳造装置では、金属不純物含有粒子が堆積する高さに応じて、仕切り部材の高さhを適宜調整する。
仕切り部材の上面を水平面とすると、仕切り部材の上面に金属不純物含有粒子が堆積し、堆積した粒子が冷却ルツボの内側に崩れ落ちるおそれがある。また、シリコン原料が装入されて鋳造が行われる仕切り部材の内側または冷却ルツボの内側に段差があると、その段差に金属不純物含有粒子が堆積し、堆積した粒子が崩れ落ちて溶融シリコンに混入するおそれがある。
したがって、本実施形態の連続鋳造装置は、仕切り部材の上面を内側から外側に向かって低くなるように傾斜させ、仕切り部材の内側の面を無底冷却ルツボの内側の面と段差なく連続させるのが好ましい。仕切り部材17の上面を内側から外側に向かって低くなるように傾斜させることにより、仕切り部材の上面に落下した金属不純物含有粒子は、傾斜に沿って流れ落ちて天板10の上面に堆積するので、堆積した粒子が冷却ルツボ内に混入するのをさらに低減できる。
仕切り部材の上面を傾斜させる角度、すなわち、仕切り部材の上面と内側の面がなす角度αは、20°〜45°にするのが好ましい。仕切り部材の上面と内側の面がなす角度が20°未満であると、角部が鋭角となりすぎて加工および取り扱いが困難となる。一方、仕切り部材の上面と内側の面がなす角度が45°を超えると、EMC法によりインゴットを連続鋳造する際に上面に金属不純物含有粒子が堆積し易くなり、堆積したシリコン粒子が冷却ルツボの内側に崩れ落ちるおそれがある。
冷却ルツボの上面に設けられる仕切り部材は、EMC法によりインゴットを連続鋳造する際に冷却ルツボの熱が伝導して高温となることから、高温でも一定の強度を有することが求められる。また、仕切り部材は、チャンバー内に配置されることから、インゴットを汚染するFeやNi、Cr、Znといった金属不純物を含まないことが求められる。このため、本実施形態の連続鋳造装置は、仕切り部材の素材として、シリコン、SiC、石英、アルミナまたはカーボンを用いるのが好ましい。
本実施形態の連続鋳造装置では、EMC法によりインゴットを連続鋳造する際に高温となった仕切り部材17が溶解して破損すると、破損品が冷却ルツボ内に混入して品質に影響を与えたり、破損程度が大きいと冷却ルツボ7やヒータを破損したりし保守作業が困難となるので、仕切り部材17は内部に冷却水を流通させて温度を調整するのが好ましい。これにより、仕切り部材が溶損するのを防止できる。
このように本実施形態の連続鋳造装置は、冷却ルツボの上面に冷却ルツボの内側と外側を仕切る仕切り部材を設け、天板の上面に堆積した金属不純物含有粒子を仕切り部材で受け止めることにより、金属不純物含有粒子が崩れ落ちて冷却ルツボ内に混入するのを低減できる。
〔第2実施形態の連続鋳造装置〕
次に、本発明の第2実施形態の連続鋳造装置について説明する。本実施形態は、電磁鋳造法により多結晶シリコンを連続的に鋳造する際に用いられ、導電性を有し、シリコン原料を溶解させて連続鋳造する無底の冷却ルツボと、冷却ルツボを固定する天板と、冷却ルツボの外側を囲繞し、冷却ルツボの内側に装入されたシリコン原料を電磁誘導により加熱する誘導コイルとをチャンバー内に備えたシリコンインゴットの連続鋳造装置において、冷却ルツボの上端を天板の上面より上方に位置させることを特徴とする。
次に、本発明の第2実施形態の連続鋳造装置について説明する。本実施形態は、電磁鋳造法により多結晶シリコンを連続的に鋳造する際に用いられ、導電性を有し、シリコン原料を溶解させて連続鋳造する無底の冷却ルツボと、冷却ルツボを固定する天板と、冷却ルツボの外側を囲繞し、冷却ルツボの内側に装入されたシリコン原料を電磁誘導により加熱する誘導コイルとをチャンバー内に備えたシリコンインゴットの連続鋳造装置において、冷却ルツボの上端を天板の上面より上方に位置させることを特徴とする。
冷却ルツボの上端を天板の上面より上方に位置させ、天板の上面に堆積した金属不純物含有粒子を冷却ルツボで受け止めることにより、シリコン粒子は冷却ルツボの内側に崩れ落ちることなく、天板の上面に堆積する。したがって、本実施形態の連続鋳造装置は、金属不純物含有粒子が崩れ落ちて冷却ルツボ内に混入するのを低減できる。
〔第3実施形態の連続鋳造装置〕
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。本実施形態は、電磁鋳造法により多結晶シリコンを連続的に鋳造する際に用いられ、導電性を有し、シリコン原料を溶解させて連続鋳造する無底の冷却ルツボと、冷却ルツボを固定する天板と、冷却ルツボの外側を囲繞し、冷却ルツボの内側に装入されたシリコン原料を電磁誘導により加熱する誘導コイルとをチャンバー内に備えたシリコンインゴットの連続鋳造装置において、天板を冷却ルツボから遠ざかるのに伴い低くなるように傾斜させさせることを特徴とする。
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。本実施形態は、電磁鋳造法により多結晶シリコンを連続的に鋳造する際に用いられ、導電性を有し、シリコン原料を溶解させて連続鋳造する無底の冷却ルツボと、冷却ルツボを固定する天板と、冷却ルツボの外側を囲繞し、冷却ルツボの内側に装入されたシリコン原料を電磁誘導により加熱する誘導コイルとをチャンバー内に備えたシリコンインゴットの連続鋳造装置において、天板を冷却ルツボから遠ざかるのに伴い低くなるように傾斜させさせることを特徴とする。
天板を冷却ルツボから遠ざかるのに伴い低くなるように傾斜させ、すなわち、天板の上面および下面を四角錐台の側面状とする。これにより、天板の上面に落下した金属不純物含有粒子の多くは、堆積することなく天板10の傾斜に沿って落下する。また、シリコン粒子が天板の上面に到着して堆積した場合でも、天板10の傾斜に沿って崩れ落ちる。このため、本実施形態の連続鋳造装置は、金属不純物含有粒子が崩れ落ちて冷却ルツボ内に混入するのを低減できる。
〔第4実施形態の連続鋳造装置〕
次に、本発明の第4の実施形態について説明する。本実施形態は、電磁鋳造法により多結晶シリコンを連続的に鋳造する際に用いられ、導電性を有し、シリコン原料を溶解させて連続鋳造する無底の冷却ルツボと、冷却ルツボの外側を囲繞し、冷却ルツボの内側に装入されたシリコン原料を電磁誘導により加熱する誘導コイルとをチャンバー内に備えたシリコンインゴットの連続鋳造装置において、複数の棒状の固定部材に冷却ルツボを固定することを特徴とする。
次に、本発明の第4の実施形態について説明する。本実施形態は、電磁鋳造法により多結晶シリコンを連続的に鋳造する際に用いられ、導電性を有し、シリコン原料を溶解させて連続鋳造する無底の冷却ルツボと、冷却ルツボの外側を囲繞し、冷却ルツボの内側に装入されたシリコン原料を電磁誘導により加熱する誘導コイルとをチャンバー内に備えたシリコンインゴットの連続鋳造装置において、複数の棒状の固定部材に冷却ルツボを固定することを特徴とする。
本実施形態の連続鋳造装置は、天板に代えて複数の棒状の固定部材を用いて冷却ルツボを固定する。複数の棒状の固定部材は、固定部材上に堆積する金属不純物含有粒子の量が、天板の上面に比して顕著に少なくなることから、金属不純物含有粒子が崩れ落ちて冷却ルツボ内に混入するのを低減できる。この際、固定部材として丸棒状のものを用いるのが好ましい。これにより、固定部材上に到着した金属不純物含有粒子の多くは周方向に沿って落下し、堆積した場合でも周方向に沿って崩れ落ちることから、金属不純物含有粒子が崩れ落ちて冷却ルツボ内に混入するのをさらに低減できるからである。
〔本発明の連続鋳造方法〕
本発明のシリコンインゴットの連続鋳造方法は、前述の本発明の連続鋳造装置を用い、電磁鋳造法により多結晶シリコンを連続的に鋳造することを特徴とする。このため、本発明のシリコンインゴットの連続鋳造方法は、チャンバー内を浮遊して堆積した金属不純物含有粒子が冷却ルツボ内に混入するのを低減できることから、シリコン原料とともに金属不純物含有粒子が溶解、凝固して鋳造されるインゴットが金属不純物で汚染されるのを低減できる。その結果、鋳造されたインゴットから切り出されたウェーハにおいて、局所的なライフタイムの異常部が発生するのを抑え、金属不純物による汚染を低減することができる。
本発明のシリコンインゴットの連続鋳造方法は、前述の本発明の連続鋳造装置を用い、電磁鋳造法により多結晶シリコンを連続的に鋳造することを特徴とする。このため、本発明のシリコンインゴットの連続鋳造方法は、チャンバー内を浮遊して堆積した金属不純物含有粒子が冷却ルツボ内に混入するのを低減できることから、シリコン原料とともに金属不純物含有粒子が溶解、凝固して鋳造されるインゴットが金属不純物で汚染されるのを低減できる。その結果、鋳造されたインゴットから切り出されたウェーハにおいて、局所的なライフタイムの異常部が発生するのを抑え、金属不純物による汚染を低減することができる。
本発明のシリコンインゴットの連続鋳造装置および連続鋳造方法の効果を確認するため、下記の試験を行った。
[試験条件]
本発明例では、前記図1および図2に示す連続鋳造装置を用い、冷却ルツボの上面に冷却ルツボの内側と外側を仕切る仕切り部材を設けた状態で、EMC法により引き下げ長さが7000mmからなるシリコンインゴットを連続鋳造した。この際、仕切り部材の上面と内側の面がなす角度αが30°となるように仕切り部材の上面を内側から外側に向かって低くなるように傾斜させるとともに、仕切り部材の内側の面を冷却ルツボの内側の面を段差なく連続させた。また、仕切り部材の素材としてシリコンを用いた。
本発明例では、前記図1および図2に示す連続鋳造装置を用い、冷却ルツボの上面に冷却ルツボの内側と外側を仕切る仕切り部材を設けた状態で、EMC法により引き下げ長さが7000mmからなるシリコンインゴットを連続鋳造した。この際、仕切り部材の上面と内側の面がなす角度αが30°となるように仕切り部材の上面を内側から外側に向かって低くなるように傾斜させるとともに、仕切り部材の内側の面を冷却ルツボの内側の面を段差なく連続させた。また、仕切り部材の素材としてシリコンを用いた。
比較例では、前記図3に示す連続鋳造装置を用い、仕切り部材を設けることなく、EMC法によりシリコンインゴットを連続鋳造した。本発明例および比較例ともに鋳造されたインゴットを切断して鋳肌面を除去した後、インゴットを切断して分割した。
図5は、シリコンインゴットを分割する位置を示す模式図である。同図に示すように、シリコンインゴット3は引き下げ軸に平行な面において縦2個、横3個に分割し、引き下げ軸方向を長手方向とする6個の分割インゴット31とした。本発明例および比較例ともに斜線を付した位置の分割インゴット31からウェーハを切り出し、60枚のサンプルを採取した。
本発明例および比較例ともに採取したウェーハを研磨した後、フッ硝酸で表面ダメージ層をエッチングし、その後、バッファードフッ酸(BHF)で表面酸化膜を除去した。さらに、ウェーハ表面をヨウ素によりケミカルパシベーションした後、μ−PCD法によりウェーハ表面のライフタイム値を測定して金属不純物による汚染を調査した。
ライフタイムの評価は、平均ライフタイム値を算出するとともに、局所的にライフタイム値が低下している異常部の有無を判定して行った。ここで、平均ライフタイム値は、測定されたバルクライフタイム値を、ウェーハ全面で平均したものである。
異常部の有無の判定は、ライフタイムの評価で得られたライフタイムマップを観察して行った。後述する図6は、比較例により得られたウェーハのライフタイムマップの一例を示す図であり、白色と黒色の濃淡によりライフタイム値の分布を示す。図6に示すようなライフタイムマップにおいて、白色を除き、灰色または黒色で表される部分をライフタイムが低下している部分とした。
局所的にライフタイム値が低下している異常部の有無を判定する際は、ウェーハ外周の一辺に存在する低ライフタイム領域を除き、直径20mm以上のライフタイム値が低下している部分が存在する場合を異常部有りとし、直径20mm以上のライフタイム値が低下している部分が存在しない場合を異常部無しとした。
ここで、ウェーハ外周の一辺に存在する低ライフタイム領域は、金属不純物含有粒子が冷却ルツボ内に混入して形成されるものではなく、鋳造されたインゴットを常温まで冷却する過程でインゴットの外周から汚染されて形成される。このため、同一の分割インゴットから切り出されたウェーハには、通常、全て同様の低ライフタイムサイクル領域が存在する。本実施例では、本発明の連続鋳造装置および連続鋳造方法により、金属不純物含有粒子が冷却ルツボ内に混入するのを低減する効果を検証するため、局所的にライフタイム値が低下している異常部の有無を判定する際は、ウェーハ外周の一辺に存在する低ライフタイム領域を除いた。
表1に、採取したウェーハにおけるライフタイム異常部の発生率および平均ライフタイム値を示す。表1に示す異常部発生率は、採取したウェーハに占める異常部有りと確認されたウェーハの割合を百分率で表したものである。また、表1に示す平均ライフタイム値は、採取したウェーハの平均ライフタイム値を平均したものを、比較例のライフタイム値を基準(1.0)として相対値で表したものである。
[試験結果]
図6は、従来のシリコンインゴットの連続鋳造装置および連続鋳造方法により得られたウェーハのライフタイムマップの一例を示す図である。同図ではウェーハ外周40aを二点鎖線で示す。また、同図では、凡例に示すように白色と黒色の濃淡によりライフタイム値の分布を表し、白色部はライフタイムが最も高く、黒色が濃くなるとともにライフタイム値が低下し、黒色部はライフタイムが最も低いことを示す。同図に示す従来法により得られたウェーハのライフタイムマップの一例では、低ライフタイム領域を除いて、3箇所のライフタイム値が低下している異常部が確認された。
図6は、従来のシリコンインゴットの連続鋳造装置および連続鋳造方法により得られたウェーハのライフタイムマップの一例を示す図である。同図ではウェーハ外周40aを二点鎖線で示す。また、同図では、凡例に示すように白色と黒色の濃淡によりライフタイム値の分布を表し、白色部はライフタイムが最も高く、黒色が濃くなるとともにライフタイム値が低下し、黒色部はライフタイムが最も低いことを示す。同図に示す従来法により得られたウェーハのライフタイムマップの一例では、低ライフタイム領域を除いて、3箇所のライフタイム値が低下している異常部が確認された。
図7は、本発明のシリコンインゴットの連続鋳造装置および連続鋳造方法により得られたウェーハのライフタイムマップの一例を示す図である。同図では、前記図6と同様に、ウェーハ外周40aを二点鎖線で示し、凡例に示すように白色と黒色の濃淡によりライフタイム値の分布を表す。同図に示す本発明例により得られたウェーハのライフタイムマップの一例では、低ライフタイム領域を除くと、ライフタイム値が低下している異常部は確認されなかった。
表1に示す結果から、ライフタイム異常部の発生率は、比較例が90%であったのに対し、本発明例が5%であった。また、平均ライフタイム値は、比較例を1.0とすると、本発明例は1.4であった。したがって、冷却ルツボの上面に角筒状の仕切り部材を設け、金属不純物含有粒子が天板の上面に堆積し、崩れ落ちて冷却ルツボ内に混入するのを低減することにより、鋳造されたインゴットから切り出されたウェーハにおいて、局所的にライフタイム値が低下した異常部の発生を低減でき、ライフタイム値を向上できることが確認された。
これらから、本発明のシリコンインゴットの連続鋳造装置およびそれを用いた連続鋳造方法は、天板の上面に堆積した金属不純物含有粒子が冷却ルツボ内に混入するのを低減することにより、鋳造されたインゴットから切り出されたウェーハにおいて、局所的なライフタイムの低下の発生を抑え、金属不純物による汚染を低減できることが明らかになった。
本発明のシリコンインゴットの連続鋳造装置および連続鋳造方法は、金属不純物含有粒子が天板の上面に堆積し、崩れ落ちて冷却ルツボ内に混入するのを低減することができる。このため、鋳造されたインゴットから切り出されたウェーハおいて、局所的なライフタイムの低下の発生を抑え、金属不純物による汚染を低減できる。
したがって、本発明のシリコンインゴットの連続鋳造装置および連続鋳造方法を、太陽電池用ウェーハの製造に適用すれば、太陽電池の品質向上に大きく寄与することができる。
1:チャンバー、 2:シャッター、 3:シリコンインゴット、 4:引出し口、
5:不活性ガス導入口、 6:排気口、 7:無底冷却ルツボ、 8:誘導コイル、
9:アフターヒーター、 10:天板、 11:原料導入管、 12:シリコン原料、
13:溶融シリコン、 14:プラズマトーチ、 15:支持台、 16:支持棒、
17:仕切り部材、 18:シリコン粒子(金属不純物含有粒子)、
31:分割インゴット、 40:ウェーハ、 40a:ウェーハ外周、
α:仕切り部材の上面と内側の面がなす角度、 h:仕切り部材の高さ
5:不活性ガス導入口、 6:排気口、 7:無底冷却ルツボ、 8:誘導コイル、
9:アフターヒーター、 10:天板、 11:原料導入管、 12:シリコン原料、
13:溶融シリコン、 14:プラズマトーチ、 15:支持台、 16:支持棒、
17:仕切り部材、 18:シリコン粒子(金属不純物含有粒子)、
31:分割インゴット、 40:ウェーハ、 40a:ウェーハ外周、
α:仕切り部材の上面と内側の面がなす角度、 h:仕切り部材の高さ
Claims (4)
- 電磁鋳造法により多結晶シリコンを連続的に鋳造する際に用いられ、導電性を有し、シリコン原料を溶解させて連続鋳造する無底の冷却ルツボと、前記冷却ルツボを固定する天板と、前記冷却ルツボの外側を囲繞し、前記冷却ルツボの内側に装入されたシリコン原料を電磁誘導により加熱する誘導コイルとをチャンバー内に備えたシリコンインゴットの連続鋳造装置において、
前記冷却ルツボの上面に冷却ルツボの内側と外側を仕切る仕切り部材を設けることを特徴とするシリコンインゴットの連続鋳造装置。 - 前記仕切り部材の上面を内側から外側に向かって低くなるように傾斜させ、前記仕切り部材の内側の面を前記冷却ルツボの内側の面と段差なく連続させることを特徴とする請求項1に記載のシリコンインゴットの連続鋳造装置。
- 前記仕切り部材がシリコン、SiC、石英、アルミナまたはカーボンからなることを特徴とする請求項1または2に記載のシリコンインゴットの連続鋳造装置。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の連続鋳造装置を用い、電磁鋳造法により多結晶シリコンを連続的に鋳造することを特徴とするシリコンインゴットの連続鋳造方法。
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CN109913929A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-06-21 | 常州大学 | 一种新型铸锭坩埚贴膜及其制备方法 |
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