JP2012028768A - 電気コネクタ、電気接続システム、およびリソグラフィ装置 - Google Patents

電気コネクタ、電気接続システム、およびリソグラフィ装置 Download PDF

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Abstract

【課題】高電圧に耐えうる電気コンポーネントを有する電気コネクタ、電気接続システム、およびリソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】電気コネクタは、高電圧パッドおよび高電圧プレートを含む。別の電気コネクタに接続される場合、パッドと同じ電圧にある２つのプレートが、電界が低い高電圧の領域を形成する。パッドはこの領域内に位置決めされる。ＥＵＶリソグラフィ装置の静電クランプが、電気コネクタに接続するためのそのようなパッドおよびプレートを有しうる。低電界領域に相互接続を配置することによって、三重点（導体、固体絶縁体およびガス間の接触点）がその領域内に存在しうる。
【選択図】 図６

Description

[0001] 本発明の実施形態は、高電圧電気コネクタ、高電圧電気接続システム、およびリソグラフィ装置に関する。
[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ以上のダイの一部を含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射するいわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
[0003] リソグラフィ装置のコンポーネントは、高電圧電源によって電力が供給される。そのような高電圧に耐えうる電気コネクタおよび電気接続システムが必要である。さらに、かかるコンポーネントも高電圧に耐えることができなければならない。リソグラフィ装置では、高電圧電源を用いて、例えばアクチュエータ、ブレード、またはクランプに電力を供給しうる。アクチュエータを用いて、基板がその上に設置されたテーブルを位置決めしうる。アクチュエータは、投影ビームの一部を遮断するブレードに動力を供給しうる。クランプは、テーブルまでマスクまたは基板を保持する。クランプの一例としては電源に接続された電極を含む静電クランプが挙げられる。
[0004] さらに、リソグラフィ装置以外の適用について、高電圧に耐えることができる電気コネクタおよび電気接続システムがあることが望ましい。高電圧での電気的破壊は電気コンポーネントの少なくとも故障の原因となり、また大抵の場合破壊する。電気的破壊は健康被害をもたらす。具体的には、電気的破壊は、配線またはコンポーネントの高電圧で少なくとも部分的にガスに晒されている箇所において高まる危険性である。例えばコンポーネントの配線の端子の場合に当てはまりうる。
[0005] 破壊が起きると、光学面が損傷され、高感度電子機器に支障を来たす電磁干渉が生成され、また人間に危害が及ぼされうる。放電によって、電源線の任意の絶縁材の品質劣化がもたらされうる。これは電源線の寿命を短縮しうる。放電によって、電磁干渉といった不所望の効果が生じうる。このような電磁干渉は、電気回路に負の影響を及ぼすかおよび／または産業規格に関する法律に違反しうる。
[0006] 高電圧に耐えうる電気コンポーネントを有する電気コネクタ、電気接続システム、およびリソグラフィ装置を提供することが望ましい。
[0007] 本発明の一態様では、
外側シールド層と、
外側絶縁層と、
高電圧プレートと、
内側絶縁層と、
高電圧供給パッドと、
を順に含むラミネートを含み、
パッドは、プレートより小さく、また、ラミネートの平面に実質的に垂直な方向に見た場合に、プレート内に実質的に全体的に位置する、高電圧電気コネクタが提供される。
[0008] 本発明の更なる態様では、基板上にパターンを転写するリソグラフィ装置であって、
基板を構造体に対してクランプする静電クランプを含み、
クランプは、
クランプの外部のコンポーネントに電気的に接続する高電圧受電パッドと、
パッドと実質的に平行な高電圧プレートと、
を含み、パッドは、プレートより小さく、また、プレートの平面に垂直な方向に見た場合に、プレート内に実質的に全体的に位置する、リソグラフィ装置が提供される。
[0009] 本発明の更なる態様では、
高電圧供給パッドを有する高電圧供給電気コネクタと、
供給パッドと電気的に接続する高電圧受電パッドを有する高電圧受電電気コンポーネントと、
を含み、
供給パッドおよび受電パッドの両方の周囲は、供給パッドおよび受電パッドが高電圧にある場合に実質的に等電位の領域内に位置決めされる、高電圧電気接続システムが提供される。
[0010] 本発明の更なる特徴および利点、ならびに本発明の様々な実施形態の構造および動作を、添付図面を参照して以下に詳細に説明する。本発明は、本明細書に記載した具体的な実施形態に限定されないことに留意されたい。このような実施形態は本明細書において例示目的のみに提示される。本明細書に含まれる教示内容に基づき、当業者には追加の実施形態が明らかであろう。
[0011] 本発明の様々な態様の実施形態を、ほんの一例として添付概略図を参照しながら説明する。図中、対応する参照記号は対応する部分を示す。
［0012］ 図１は本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。 ［0013］ 図２は本発明の一実施形態による高電圧電気接続システムの概略図を示す。 ［0014］ 図３は本発明の一実施形態による平面電気コネクタの概略図を示す。 ［0015］ 図４は本発明の一実施形態による平面電気コネクタの概略図を示す。 ［0016］ 図５は本発明の一実施形態による平面電気コネクタの概略図を示す。 ［0017］ 図６は本発明の一実施形態による、２つの電気コネクタを接続する電機接続システムを示す。 ［0018］ 図７は本発明の一実施形態による、電源に接続された静電クランプを示す。 ［0019］ 図８は本発明の一実施形態による、電源に接続されたビームインタセプタを示す。 ［0020］ 図９は本発明の一実施形態による電気コネクタのプレート周りの電界マップの平面図を示す。 ［0021］ 図１０は本発明の一実施形態による電気コネクタのプレート周りの電界マップの平面図を示す。 ［0022］ 図１１は細長い電気コネクタ１１２に電気的に接続された本発明の一実施形態による電気コネクタ６０を示す。 ［0022］ 図１２は細長い電気コネクタ１１２に電気的に接続された本発明の一実施形態による電気コネクタ６０を示す。 ［0023］ 図１３は電気コネクタ６０の平面図を示す。 ［0024］ 図１４は図１３に示す電気コネクタ６０の断面図を示す。 ［0025］ 図１５は電気コネクタ６０を平面図にて示す。 ［0026］ 図１６は図１５の電気コネクタ６０を断面図にて示す。 ［0027］ 図１７は一実施形態による電気コネクタ６０を平面図にて示す。 ［0028］ 図１８は一実施形態による電気コネクタ６０を平面図にて示す。 ［0029］ 図１９は一実施形態による電気コネクタ６０を平面図にて示す。 ［0030］ 図２０は一実施形態による電気コネクタ６０を平面図にて示す。 ［0031］ 図２１は一実施形態による電気コネクタ６０を平面図にて示す。 ［0032］ 図２２は一実施形態による電気コネクタ６０を平面図にて示す。
[0033] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。このリソグラフィ装置は、
[0034] 放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
[0035] パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに接続されたサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
[0036] 基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
[0037] パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳを含む。
[0038] 照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、或いはそれらの任意の組み合せ等の様々なタイプの光コンポーネントを含むことができる。
[0039] サポート構造は、パターニングデバイスを支持する、すなわち、パターニングデバイスの重量を支える。サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否か等の他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
[0040] 本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。放射ビームに付与されたパターンは、例えばそのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しなくてもよいことに留意すべきである。放射ビームに付与されたパターンは、集積回路等のターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応しうる。
[0041] パターニングデバイスは、透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、レべンソン型（alternating）位相シフト、およびハーフトーン型（attenuated）位相シフト等のマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられ、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように各小型ミラーを個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付与する。
[0042] 本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射に、或いは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因に適切な屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学システム、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含すると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な用語「投影システム」と同義であると考えてよい。
[0043] 本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば反射型マスクを採用しているもの）である。或いは、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。
[0044] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルを並行して使うことができ、すなわち予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
[0045] また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、例えば水といった比較的高い屈折率を有する液体によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、例えばマスクと投影システムの間といったリソグラフィ装置内の別の空間に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させることで当技術分野において周知である。本明細書にて使用される「液浸」という用語は、基板のような構造体を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
[0046] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。その場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームは放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合、例えば放射源が水銀ランプである場合、放射源はリソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
[0047] イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタＡＤを含んでもよい。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布を持たせることができる。
[0048] イルミネータＩＬ内に、照射されるパターニング手段上の領域を画定するマスキングデバイスが含まれてもよい。マスキングデバイスは、例えば４つである複数のブレードを含み、それらの位置は例えばステッパモータといったアクチュエータによって制御可能であり、それによりビームの横断面が画定されうる。マスキングデバイスは、パターニング手段に近接して位置決めされる必要はないが、一般にパターニング手段上に結像される平面（パターニング手段の共役面）内にある。マスキング手段の開いた領域は、照射されたパターニング手段上の領域を画定するが、例えば介在する光学部品が１以外の倍率を有する場合は当該領域とは厳密に同じではないことがある。
[0049] 本発明の一実施形態では、マスキングデバイスは、図８に示すように放射ビームＢの一部を捕捉するように配置された不透明ブレード２１１、２１２、２１３、２１４を含むビームインタセプタ２１０を含む。ブレード２１１、２１２、２１３、２１４は、マスクＭＡ、したがってターゲット部分Ｃ上に露光される投影ビームＢのサイズおよび形状を操る。ブレード２１１、２１２、２１３、２１４の動作および位置決めは制御システム２２０によって制御される。投影されたターゲット部分Ｃが基板Ｗ上に十分に位置決めされていない場合、制御システム２００はこの特定のターゲット部分Ｃに対して新しいサイズを決め、それに応じてインタセプタ２１０を作動させるように構成される。
[0050] パターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）はサポート構造（例えばマスクテーブルＭＴ）上に保持されてパターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡは、マスクテーブルＭＴに対してマスクの両面でクランプされうる。両面でマスクＭＡをクランプすることによって、マスクは滑ることなくまたは変形することなく大きい加速度を受けることができる。クランプ力または保持力が薄膜を用いて加えられてよく、この薄膜がマスクの変形をさらに防ぐ。クランプによって、マスクとマスクテーブルＭＴの隣接面間に垂直力が発生し、その結果、マスクとマスクテーブルの接触面間に摩擦が生じる。マスクＭＡの面に対するクランプ力は、静電または機械式クランプ技術を用いて発生されうる。
[0051] ＥＵＶリソグラフィプロセスでは、静電クランプを用いて、マスクＭＡをマスクテーブルＭＴに対して、および／または、基板Ｗを基板テーブルＷＴに対してクランプしうる。図７は、本発明の一実施形態による電気コネクタ６０を介して電源２０に接続された例示的な静電クランプを示す。図７に示す例示的な静電クランプ８０では、チャック８４が、埋め込み電極８３を有する誘電性または僅かに導電性の本体を含む。電源２０を用いて、マスクＭＡまたは基板Ｗとチャック８４との間に、かつ、チャック８４とテーブルＭＴ、ＷＴとの間に電位差を印加し、それにより静電力が、マスクＭＡまたは基板Ｗおよびチャック８４をテーブルＭＴ、ＷＴに対してクランプする。埋め込み電極８３は電源２０に接続される。
[0052] 放射ビームＢは、パターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）上に入射する。マスクＭＡを横断した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点を合わせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使い、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して、例えばマスクライブラリからの機械的な取り出しの後またはスキャン中に、正確に位置決めすることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１の位置決めデバイスＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って実現することができる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらはスクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ上に設けられている場合、パターニングデバイスアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
[0053] 例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
[0054] ステップモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それにより別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
[0055] スキャンモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
[0056] 別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードでは、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
[0057] 本発明のリソグラフィ投影装置では、第１オブジェクトテーブルＭＴ（パターニング手段、マスクを支持するためのサポート構造）および第２オブジェクトテーブルＷＴ（基板テーブル）の少なくとも１つが真空チャンバＶＣ内に設けられる。真空チャンバＶＣ内の真空は例えばポンプである排気手段ＶＥによって生成される。
[0058] 上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、或いは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
[0059] リソグラフィ投影装置内に含まれうる、第１ポジショナＰＭ、第２ポジショナＰＷ、マスキングデバイスに含まれうる任意のブレードを制御するモータ、および任意のクランプは、高電圧電源によって電力が供給される。具体的には、近真空条件において基板Ｗを基板テーブルＷに対してまたはマスクＭをマスクテーブルＭＴに対してクランプするために用いられる静電クランプの電極は、バイポーラ高電圧供給源に接続される。
[0060] 極端紫外光を放射源として使用するリソグラフィ装置では、リソグラフィ装置を通るＥＵＶ放射ビームの経路は真空環境内に閉じ込められる。ここでは、真空とは、１００Ｐａ未満またはさらには例えば１０Ｐａ未満の非常に低い圧力を意味すると解釈される。非常に低い圧力を用いることによって、用いなければガス粒子によって吸収されてしまうＥＵＶ放射量を低減する。
[0061] このようなＥＵＶリソグラフィ装置では、基板および基板テーブルは真空環境内に閉じ込められる。基板を基板テーブルに対してクランプするために、真空クランプの代わりに静電クランプが用いられる。真空クランプは、基板を基板テーブルに対してクランプするのに十分な力を与えるには周囲圧力が低すぎることによって効果的ではない。静電クランプは、リソグラフィ装置内で他の目的、例えばレチクルをレチクルステージに対してクランプするために用いられうる。静電クランプは十分なクランプ力を与えるために高電圧を必要とする。
[0062] 高電圧が用いられる場合、低電圧にて動作する電気コンポーネントの電気的破壊の可能性が増加する。ここでは、高電圧とは１ｋＶより大きい、２ｋＶより大きい、３ｋＶより大きい、５ｋＶより大きい、またはさらには１０ｋＶより大きい電圧を意味すると解釈される。高電圧での電気破壊は、電気コンポーネントの少なくとも故障の原因となり、また大抵の場合は破壊する。
[0063] 電気的破壊は健康被害をもたらす。具体的には、電気的破壊は、配線またはコンポーネントの高電圧で少なくとも部分的にガスに晒されている箇所において高まる危険性である。これは例えば配線またはコンポーネントの端子（terminal）の場合に当てはまりうる。高電圧に耐えうる電気コンポーネントを有する電気コネクタ、電気接続システム、およびリソグラフィ装置を提供することが望ましい。
[0064] リソグラフィ装置は、図７に示すような静電クランプ８０を含みうる。静電クランプ８０は、少なくとも１つの電気コネクタ６０によって高電圧電源２０に接続される。電気コネクタ６０と静電クランプ８０との相互接続は、図２に示すような電気接続システム９０である。複数の電気コネクタ６０が用いられる場合、２つの電気コネクタ６０間の相互接続が電気接続システム９０である。電気コネクタ６０および電気接続システム９０は、リソグラフィ装置以外の適用にも用いられうる。電気接続システム９０は、任意の２つの電気コンポーネント、すなわち必ずしも本発明の電気コネクタ６０または静電クランプ８０ではない任意の２つの電気コンポーネントを接続しうる。
[0065] 具体的に、図２は、本発明の電気接続システム９０を示す。電気接続システム９０は、高電圧供給パッド６１と高電圧受電パッド８１を含む。供給パッド６１と受電パッド８１は互いに電気的に接続されている。供給パッド６１は、電気コネクタ６０の一部である。受電パッド８１は、電気コネクタ６０以外の電気コンポーネントの一部である。この電気コンポーネントは、リソグラフィ装置の静電クランプ８０であってよい。電気コンポーネントは、電気コネクタ６０に相当する別の電気コネクタであってもよい。
[0066] 供給パッド６１および受電パッド１８は、実質的に等電位である領域内に位置決めされる。パッド６１、８２の付近では電圧はあまり変化しない。パッドが配置された領域における電界は、電気接続システム９０が高電圧に接続されていても低い。本発明では、低電界とは約１ｋＶ／ｍｍ未満、約０．５ｋＶ／ｍｍ未満、または好適には約０．３ｋＶ／ｍｍ以下の電界でありうる。電界の強度は、許容公差内であるように確実にされるべきである。電界の許容可能な値は、電気コネクタ６０と、電気接続システム９０の電気コンポーネントを形成するために用いられる材料の誘電強度に依存する。
[0067] パッド６１、８１を実質的に等電位の領域内に位置決めすることによって、電気的破壊の可能性が減少される。供給パッド６１は、雰囲気に少なくとも部分的に露出された電気コネクタ６０の一部である。受電パッド８１は、雰囲気に少なくとも部分的に露出された電気コンポーネントの一部である。供給パッド６１と受電パッド８１とが互いに電気的に接触するようにされる場合、供給パッド６１および受電パッド８１は固体材料のみと接触することが望ましい。具体的には、パッド６１、８１は、電気コネクタ６０または電気コンポーネントの一部を形成する導体、および、固体の絶縁材料で互いに接触することが望ましい。この絶縁材料はポッティング材と呼びうる。
[0068] 実際には、供給パッド６１と受電パッド８１の表面全体を完全に覆うことは非常に困難である。ガスが供給パッド６１および受電パッド８１の少なくとも一方の表面に接触するガスポケット７５がありうる。供給パッド６１および受電パッド８１は固体材料と接触しうる。具体的には供給パッド６１の小さい方の表面は供給パッド絶縁体６８によって覆われうる。供給パッド６１の、受電パッド８１に面する表面とは反対の大きい方の表面は、内側絶縁層６３によって覆われうる。受電パッド８１の小さい方の表面は、受電パッド絶縁体８８によって覆われうる。受電パッド８１の、供給パッド６１に面する表面とは反対の大きい方の表面は、コンポーネント絶縁体８９によって覆われうる。
[0069] 供給パッド６１の表面の一部および受電パッド８１の表面の一部は、ガス（例えばガスポケット７５）と固体絶縁体（例えば供給パッド絶縁体６８および受電パッド絶縁体８８）の両方に接触する。導体（例えばパッド６１、８１）、ガス（例えばガスポケット７５）、および固体絶縁体（例えば絶縁体６８、８８）が接触する点を「三重点」と呼ぶ。
[0070] このような三重点において、電界の大きさが増加される。これは、導体（例えばパッド６１、８１）の表面に垂直な電界の成分が増幅されることによる。増幅係数は、ガスおよび絶縁体の誘電定数に依存する。例えばガスが約１の誘電定数を有する空気であり、固体絶縁体が約３の誘電定数を有するポリイミドである場合、電界の増幅係数や約３倍である。したがって、電気的破壊は、三重点における特に関連のある危険であり、三重点は、望ましくはないが、電気コンポーネントの端子において生じる可能性が最も高い。
[0071] 電子の電界放出は三重点において生じる可能性が最も高い。これは、三重点においてガスのイオン化をもたらしうる。ガスは例えば空気であっても水素であってもよい。コロナ放電が生じて絶縁体が加熱されうる。固体絶縁体は過剰加熱によって破壊されうる。絶縁体として（すなわち供給パッド絶縁体６８および／または受電パッド絶縁体８８として）用いられるポリマー誘電体は、この条件下では分解しうる。絶縁材として用いられるガラスは、結果として生じる機械的応力によってひび割れが入ってしまいうる。
[0072] 部分的な放電が、例えば絶縁体内に存在しうる気泡において生じうる。これらの気泡は、導電面がガスおよび絶縁体と接触しないので三重点ではない。これらの気泡は問題ではあるが、三重点の方がより問題である。
[0073] 電気的破壊の可能性を減少する１つの方法は、電気システムの電圧を下げることである。しかし、本発明では、電気接続システム９０における端子は、電界が低いように等電位に位置決めされる。これにより電気的破壊の可能性が減少される一方で、高電圧を用いることが可能にされる。
[0074] 供給パッド６１と受電パッド８１が等電位の位置にあることを確実にする1つの方法は、パッド６１、８１の両側に高電圧プレートを設けることである。電気接続システム９０では、電気コネクタ６０は高電圧供給プレート６２を含みうる。電気コンポーネント８０は、高電圧受電プレート８２を含みうる。高電圧プレート６２、８２は対応の高電圧パッド６１、８１よりも大きい。好適には高電圧プレート６２、８２は対応の高電圧パッド６１、８１に実質的に平行である。
[0075] 供給パッド６１は、供給パッド６１の面に垂直な方向から見た場合に供給プレート６２内に実質的に全体的に位置する。受電パッド８１は、本断面図で見た場合に例えば受電パッド８１の面に垂直な方向に見た場合に、受電プレート８２内に実質的に全体的に位置する。プレート６２、８２は、パッド６１、８１と実質的に同じ電圧にある。プレート６２、８２は、電圧がその全体で高い領域を生成することを目的とする。パッド６１、８１はこの領域内に位置決めされる。
[0076] パッド６１、８１は、その端としてプレート６２、８２と、プレート６２、８２の周囲間に延在する表面とを有する体積内に実質的に全体的に位置決めされる。
[0077] プレートが実質的に等電位の領域を生成するならば、電気接続システム９０の高電圧パッド６１、８１の一部が、対応の高電圧プレート６２、８２内に位置しないことが可能である。例えば高電圧プレート６２、８２の少なくとも一方が、プレート内に孔またはスリットを有してよく、その位置では、対応の高電圧パッド６１、８１は対応のプレート６２、８２とは重ならない。しかし、実質的に高電圧パッド６１、８１全体が対応の高電圧プレート６２、８２と重なる。
[0078] 電気コネクタ６０の内側絶縁層６３は、電気コネクタ６０の供給パッド６１と高電圧供給プレート６２との間に挿入される。コンポーネント絶縁体８９は、電気コンポーネントの受電パッド８１と高電圧受電プレート８２との間に挿入される。高電圧プレート６２、８２は固体材料によって実質的に囲まれる。具体的には、電気コネクタの高電圧供給プレート６２は、内側絶縁層６３と外側絶縁層６４との間に挟まれる。プレート６２、８２を固体材料によって囲む目的は、プレート６２、８２の表面における三重点の発生を防ぐことである。
[0079] 上述の通り、高電圧プレート６２、８２は、対応の高電圧パッド６１、８１より大きく、実質的に高電圧パッド６１、８１全体に重なるように位置決めされる。好適には重なりの最小距離ｄは少なくともｈであり、ここでｈは高電圧パッド６１、８１と対応の高電圧プレート６２、８２との間の距離である。距離ｈは、パッド６１、８１および対応のプレート６２、８２の面に垂直な方向に測定される。距離ｈは、パッド６１、８１と対応のプレート６２、８２との間の最小距離である。距離ｈは、内側絶縁層６３の厚さか、または、コンポーネント絶縁体８９の厚さである。好適にはプレート６２、８２は、少なくとも距離ｈ分、パッド６１、８１の全周囲に重なる。ｄ＝ｈである場合、パッド６１、８１の表面における電界強度は、最大値（すなわち、プレート６２、８２が設けられない場合）の約１０〜１５％である。ｄ＝０である場合、電界強度は、その最大値の約５０％である。
[0080] 一実施形態では、重なりの距離、すなわち、プレート６２、８２の周囲と対応のパッド６１、８１の周囲との間の最小距離は少なくとも２ｈであり、好適には少なくとも３ｈであり、より好適には少なくとも４ｈであり、さらにより好適には少なくとも５ｈである。ｄが少なくとも５ｈである場合、電界強度は無視できるほど小さい。
[0081] 図３、図４、および図５は、本発明の電気コネクタ６０を示す。電気コネクタ６０はラミネートを含み、このラミネートは、シールド層６５、外側絶縁層６４、高電圧供給プレート６２、内側絶縁層６３、および高電圧供給パッド６１を順に含む。ラミネートは弾性でありうる。絶縁層６３、６４は絶縁材料で作られる。ポリイミド等といったように絶縁材料は弾性でありうる。フロートガラスまたは無アルカリガラス等といったように絶縁材料は非弾性であってもよい。シールド６５、プレート６２、およびパッド６１は、銅等といった導電性材料で作られる。絶縁層がラミネートの外側に位置決めされて、それによりシールド層６５を挟んでもよい。
[0082] 高電圧供給パッド６１は、電気コネクタ６０の端子である。供給パッド６１は、別の電気コネクタ６０の高電圧供給パッド６１または例えばリソグラフィ装置の静電クランプ８０の高電圧受電パッド８１に電気的に接続されうる。高電圧供給プレート６２は、上述したように、電気コネクタ６０が使用中である場合に、供給パッド６１が位置決めされる等電位の領域の形成に貢献する。
[0083] 供給プレート６２と供給パッド６１の寸法間の関係は、本発明の電気接続システム９０に関連して上述したとおりである。具体的には、本説明の様々な部分においてコンポーネントに同じ参照番号を用いる場合、本発明の1つの実施形態に関連して説明したコンポーネントの特性は、それが固有のものであろうと別のコンポーネントに関連するものであろうと、本発明の別の実施形態におけるコンポーネントに同等に適用することができる。
[0084] プレート６２は、電気コネクタ６０が使用中である場合に、供給パッド６１と同じ電圧にある。好適には高電圧供給プレート６２は、ラミネートの同じ層内の高電圧トレースと一体である。
[0085] 図３は、横断面で見た電気コネクタ６０を示す。この横断面は電気コネクタ６０の高電圧トレースの長手方向に垂直である。供給パッド６１は、供給パッド６１の平面において供給パッド絶縁体６８によって囲まれる。供給パッド絶縁体６８は、供給パッド６１の小さい方の表面を覆うように配置される。実際には、供給パッド６１と、電気接続がなされる電気コンポーネントとの間の電気的接触を防ぐことなくして、絶縁材料で供給パッド６１の小さい方の表面全体を覆うことは困難である。したがって、供給パッド６１と供給パッド絶縁体６８との間には気泡７５がありうる。電気的破壊が生じると、供給パッド絶縁体６８が損傷されうる。しかし、プレート６２に垂直な方向に見た場合に供給パッド６１がプレート６２内に実質的に全体的に位置するようにプレート６２が供給パッド６１より大きいことによって、電気的破壊の可能性は減少する。
[0086] 好適には電気コネクタ６０は、供給パッド６１と同じラミネートの層内に供給パッドシールド６６を含む。供給パッド絶縁体６８は、供給パッド６１と供給パッドシールド６６との間に挿入される。シールド層６５および供給パッドシールド６６は電気的に接地される。
[0087] シールド層６５と供給パッドシールド６６は、高電圧プレート６２とトレースとシールド層６５、６６間で電界を閉じ込めることによって電気的破壊を防止することを目的とする。高電圧プレート６２とトレースとシールド層６５、５５間の領域は、内側絶縁層６３および外側絶縁層６４によって充填される。
[0088] 好適には高電圧供給パッド６１は、少なくとも１つの高電圧ビア７０によって高電圧供給プレート６２に電気的に接続される。これにより、電流が、高電圧供給パッド６１まで、高電圧トレース、高電圧供給プレート６２、高電圧ビア７０を通る。
[0089] 図４は、断面で見た電気コネクタ６０を示す。この断面は電気コネクタ６０の高電圧トレースの延長の方向に平行である。高電圧供給プレート６２が位置決めされているラミネートの層において、プレート６２はプレート絶縁体６９によって囲まれうる。プレートは、プレートがラミネートの断面において固体材料によって完全に囲まれるように誘電体６９によってプレートの平面において囲まれる。プレート絶縁体６９は、プレート６２の高電圧トレースとの一体接続を形成するように延長されたセクションを除いて、プレート６２の小さい方の表面を覆う。プレート絶縁体６９は、プレート６２と、電気的に接地されるように構成されたプレートシールド６７との間に挿入される。プレートシールド６７は、プレート６２と同じラミネート層内にある。
[0090] 好適には供給パッドシールド６６は、少なくとも1つの接地ビア７１によってプレートシールド６７に接続される。好適にはプレートシールド６７は、少なくとも１つの接地ビア７１によって接地シールド層６５に接続される。好適には供給パッドシールド６６は、少なくとも１つの接地ビア７１によって接地シールド層６５に接続される。
[0091] 代替の実施形態では、プレート６２は高電圧トレースと一体ではなく、ラミネートの異なる層内にある。この場合、プレート６２は、ビアによって高電圧トレースに電気的に接続されるか、または、プレート６２は、プレート６２が高電圧供給パッド６１と実質的に同じ電圧にあるように別の高電圧供給源に接続されうる。
[0092] 絶縁層または電気コネクタの絶縁のセクションのいずれにも用いられる絶縁材料は、例えばポリイミドまたはフロートガラスで作られうるが、他の公知の絶縁体を用いてもよい。ラミネートの層は、例えばエポキシ接着剤、アクリル接着剤またはポリウレタン接着剤を用いて互いに接着されうる。
[0093] 好適にはラミネートは、供給パッドシールド６６を覆うように構成された、接地シールド絶縁体と呼ばれうる三重点絶縁体７２を含む。三重点絶縁体７２は、供給パッドシールド６６の表面に上述したような三重点の形成を防ぐことを目的とする。三重点絶縁体は、供給パッドシールド６６の外側に面する表面の実質的に全体を覆いうる。三重点絶縁体７２は、高電圧供給パッド６１における孔を含み、それにより供給パッド６１が別の電気コンポーネントに電気的に接続される。
[0094] 図５は、電気コネクタ６０を平面図で示し、紙面がラミネートと同じ平面にある。供給パッド絶縁体６８、供給パッドシールド６６、内側絶縁層６３、および三重点絶縁体７２は説明の便宜上の理由からのみ図示していない。図９に示すように、供給パッド６１は供給プレート６２より小さく、供給プレート６２内に実質的に全体的に位置する。
[0095] 図９は、プレート６２が涙滴形状を取る本発明の一実施形態を示す。この涙滴形状は主に２つの部分から形成されると説明することができる。１つの部分６２ａは例えば実質的に円形または長円形である。実質的に円形の部分６２ａは、供給パッド６１の実質的に全体に重なる。涙滴形状のもう１つの部分はテーパ部分６２ｂである。このテーパ部分は引き伸ばされて高電圧トレース６２ｃを形成する。プレート６２は部分的に円形または楕円形である必要はない。図９における等高線は、プレート６２周りの任意単位での領域における電界強度を示す。電界は、高電圧トレースの端部および高電圧トレースから最も遠い円形部分の縁部において最強である。
[0096] 図１０は、プレート６２が実質的に円形の形状６２ａを有し、高電圧トレース６２ｃは、円形状から半径方向に延在する実施形態を示す。図１０における等高線は、任意単位でプレートを囲む領域における電界強度を示す。図１０から分かるように、プレート６２は円形部分６２ａと高電圧トレース部分６２ｃとの間に稜角６２ｄを含み、この急な角における電界は低い。図９に示すプレートの形状と同様に、電界はプレート６２の先端、すなわち、高電圧トレースの端部および高電圧トレースから最も離れた円形部分の縁部において最強である。
[0097] 他の形状、さらには角度のある形状も可能である。丸みの帯びた形状は、電界値のスパイクを回避するために好ましい。図１０に示すプレート６２の形状の稜角６２ｄは、「内部」の角（すなわち、角は形状の凹部点）である。「外部」形状の角を有する形状は、稜角において高い電界をもたらす。供給パッド６１についても同様に、パッド６１は実質的に円形であってよいが、形状は特に限定されない。
[0098] コネクタのパッド６１の周囲とパッド接地シールド６６との間の最小距離は、約３ｈから約７ｈの範囲内にあり、好適には約４ｈから約６ｈの範囲内にあり、または、より好適には約５ｈである。
[0099] 図６は、本発明の電気接続システム９０を示す。電気接続システム９０は、本発明の２つの電気コネクタ６０間に形成される。供給パッド６１は、互いに電気的に接触している。絶縁シート７３が２つの電気コネクタ６０間に挿入されうる。シート７３は、例えばフルオロポリマーエラストマーで作られうる。他のタイプの絶縁材料をシート７３に用いてもよい。電気コネクタ６０が互いにきつく押されることを可能にして電気接続システム９０におけるガスポケット７５の存在を最小にするために弾性材料を有する材料が好適である。シート７３は、２つの電気コネクタ６０間のガスポケットを埋めることを目的とする。
[00100] シート７３には電気コンタクト７４が刺し通される。コンタクト７４は、ステンレス鋼または銅といった導電性材料で作られる。コンタクト７４はシート７３を通り延在する。コンタクト７４は、２つの電気コネクタ６０が互いに押し付けられるとコンタクト７４が圧縮状態となるようにリーフバネの形態でありうる。これはしっかりとした接続をもたらす助けとなる。図１０に示すようにガスポケットがシート７３とラミネートの対向する表面との間に存在しうる。ガスポケット７５が供給パッド６１の一部に接触している場合、三重点が形成される。パッド６１と同じ電圧にあるプレート６２はパッド６１を囲む等電位の領域を生成する。
[00101] ２つの電気コネクタ６０は、例えばネジまたは機械式クランプによって電気接続システム９０内に一緒に保持されうる。これらは図６には図示しない。
[00102] 図７は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置のセクションを示す。このリソグラフィ装置は、電気コンポーネント８０を含む。コンポーネント８０は、高電圧受電パッド８１と高電圧受電プレート８２を含む。コンポーネント８０の原理は、本発明の電気接続システム９０および電気コネクタ６０に関連して説明した原理と同じである。受電プレート８２は、受電パッド８１が電気コネクタ６０に電気的に接続されて電気接続システム９０を形成すると、等電位の領域の形成に貢献する。コンポーネント８０は、高電圧電源２０に接続される。
[00103] コンポーネントは、図７に示すように静電クランプ８０であってよい。クランプ８０は、受電パッド８１および受電プレート８２を含む。クランプ８０はチャック８４をさらに含み、チャック内には、少なくとも1つのクランプ電極８３が位置決めされる。クランプ電極は、受電パッド８１に電気的に接続される。クランプ８０は、例えば基板Ｗをリソグラフィ装置の基板テーブルＷＴに対してクランプするように用いられる。受電パッド８１および受電プレート８２は、電気コネクタ６０の供給パッド６１および受電プレート６２に関連して説明した特性と同じ特性を有しうる。一実施形態では、電極８３は受電プレート８２として作用する。
[00104] 供給パッド６１は、導電性銀色ペイントによって受電パッド８１に接着されうる。供給パッド６１と受電８１との間の接続の付近は、エポキシ、アクリル、またはポリウレタン接着剤によってポッティングされうる。ポッティング内に気泡が生じる可能性がある。その結果、供給パッド６１の表面および／または受電パッド８１の表面において三重点がありうる。パッド６１、８１を実質的に等電位にある領域内に位置決めすることによって、電気的破壊の可能性が減少される。
[00105] 図８は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の一部を示す。リソグラフィ装置の電気コンポーネント８０は、ブレードの制御システム２２０である。この制御システムが高電圧受電パッド８１および高電圧受電プレート８２を含む。
[00106] 図７および図８では、電気コンポーネント８０は、本発明による電気コネクタ６０を介して高電圧電源２０に接続される。図７および図８は概略図であって縮尺が取られているわけではない。電気コネクタ６０の相対的サイズは、説明の目的のために大きくされている。
[00107] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者には当然のことであるがそのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
[00108] 光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明の実施形態は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
[00109] 本明細書において使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する）、および極端紫外線（ＥＵＶ）（５〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
[00110] 「レンズ」という用語は、文脈によって、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
[00111] 上記の説明は、限定ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
[00112] 図１１および図１２は、細長い電気コネクタ１１２に電気的に接続された、本発明の一実施形態による電気コネクタ６０を示す。電気コネクタ６０は、本発明の任意の実施形態による電気コネクタ６０であってよい。細長い電気コネクタ１１２は電気ワイヤを含んでもよい。細長い電気コネクタ１１２は電気ケーブルを含んでもよい。一実施形態では、細長い電気コネクタ１１２は同軸ケーブルを含む。
[00113] 図１１および図１２では、電気コネクタ６０に電気的に接続された細長い電気コネクタ１１２の断面図を示す。電気コネクタ６０は平面的で弾性でありうる。細長い電気コネクタ１１２は、細長い導電体を含む。細長い導電体は、電気コネクタ６０の高電圧供給パッド６１に電気的に接続する。このことは図１１および図１２に示される。
[00114] 細長い導電体は、断面において、電気絶縁体１１４、１１５によって囲まれうる。電気絶縁体１１４、１１５は、細長い導電体と外側シールドスリーブ１１６との間に配置されうる。細長い導電体は、シールドスリーブ１１６と実質的に同軸でありうる。シールドスリーブ１１６の直径は、供給パッド６１を囲む供給パッドシールド６６の内径と実質的に同じであってよい。
[00115] 図１１は、細長い導電体の断面積が、細長い電気コネクタ１１２の末端に向かって増加する実施形態を示す。細長い導電体の断面積は、電気コネクタ６０の供給パッド６１の面積と実質的に同じでありうる。細長い導電体は、トランペット形状の末端(terminal end)を含みうる。この末端をトランペット端１１１と呼びうる。トランペット端１１１は細長い導電体と一体でありうる。トランペット端１１１は、電気コネクタ６０の供給パッド６１に電気的に接続するように構成される。トランペット端１１１の始まりにおいて細長い導電体の断面積に階段状の変化があってもよい。
[00116] 細長い導電体は、断面において、内側絶縁体１１４によって囲まれうる。内側絶縁体１１４はフルオロカーボン固体を含みうる。一実施形態では、内側絶縁体１１４はＰＴＦＥを含む。内側絶縁体１１４は、図１２に示すように細長い電気コネクタ１１２の長さの実質的に全体に沿って、断面において、細長い導電体を囲みうる。一実施形態では、内側絶縁体１１４は、図１１に示すようにトランペット端１１１を除いて細長い導電体の長さ全体を実質的に囲む。
[00117] 細長い導電体は、断面において、外側絶縁体１１５によって囲まれうる。外側絶縁体１１５は合成ゴムを含みうる。一実施形態では、外側絶縁体１１５はフルオロエラストマーを含む。図１１に示すように、外側絶縁体１１５は細長い導電体のトランペット端１１１の外面に直接接触しうる。
[00118] シールドスリーブ１１６は、外側絶縁体１１５の外面に直接接触しうる。一実施形態では、トランペット端１１１の末端は、外側絶縁体１１５または任意選択的に内側絶縁体１１４の末端と実質的に同一平面である。
[00119] 図１１に示すように、細長い導電体の残りの部分に一体に接続されたトランペット端１１１の端部にガス間隙がありうる。このガス間隙は、細長い導電体の断面積において階段状の変化がある細長い導電体に沿った位置にありうる。このガス間隙は、トランペット端１１１と内側絶縁体１１４との間に配置されうる。
[00120] このガス間隙は、ガス、絶縁体１１４、１１５、および細長い導電体が接触する三重点１１９をもたらす。具体的には、三重点１１９は導電体のトランペット端１１１の外縁において形成されてよく、その位置で、トランペット端１１１の外縁は外側絶縁体１１５とガス間隙内のガスと接触する。外側絶縁体１１５があることにより、三重点１１９における電界が増幅される。三重点１１９における電界は、約１０倍増幅されうる。
[00121] したがって、三重点１１９における電界によって電気的破壊が生じうる危険がある。一実施形態では、外側絶縁体１１５は十分に高い絶縁特性を有し、また、細長い導電体が高電圧にある場合にトランペット端１１１の縁とシールドスリーブ１１６の内面との間の電気的破壊を防ぐように十分な厚さを有する。シールドスリーブ１１６は電気的に接地されうる。一実施形態では、外側絶縁体１１５は、約１ｍｍから約６ｍｍの範囲内、より好適には約２．０ｍｍから約２．９ｍｍの範囲内、好適には約２．４ｍｍの（トランペット端１１１の外縁とシールドスリーブ１１６の内面との間の）厚さを有しうる。
[00122] 図１１に示されるように、三重点１１３が供給パッド６１の外縁に形成されうる。これは、一実施形態において、三重点絶縁体７２が供給パッド６１の縁に接触しないことがあるからである。その結果、電気コネクタ６０が別の電気コネクタに供給パッド６１を介して電気的に接続されている場合でも、供給パッド６１の外縁と供給パッド６１を囲む三重点絶縁体７２の内面との間にガス間隙がありうる。三重点１１３は、間隙内のガスと外側絶縁体１１５と接触する供給パッド６１の外縁に形成される。ガス間隙は、実際には真空、または、実質的に真空であると考えられるように十分に低圧力でありうる。同様に、トランペット端１１１の内面におけるガス間隙も真空圧力にあってよい。
[00123] 供給プレート６２は、細長い電気コネクタ１１２の長手方向から見た場合に、供給プレート６２の領域内に三重点１１３が入るような領域を有する。供給プレート６２があることによって、三重点１１３における電界の減少がもたらされる。したがって、供給プレート６２は三重点１１３における電気的破壊の可能性を減少する。当然ながら、三重点１１３は真の無電界ゾーンにはない。これは、図２に関連して説明したように、真の無電界ゾーンは一対のプレートを必要とするところ、図１１に示す電気接続は単一の高電圧供給プレート６２を有するからである。
[00124] 図１２は、細長い導電体がトランペット端を有さない実施形態を示す。図１２に示す細長い電気コネクタ１１２は、図１１に示す三重点１１９を有さない。これは、三重点１１９による電気的破壊の可能性を減少する。
[00125] しかし、供給パッド６１の外縁において三重点が形成されることは依然として可能である。上述したように、供給プレート６２があることによって、そのような三重点１１３における電界を減少することができる。しかし、弾性平面電気コネクタ６０と細長い電気コネクタ１１２との電気接続の場合、三重点１１３は無電界ゾーン内には位置決めされない。
[00126] 一実施形態では、三重点絶縁体７２は、供給パッド６１の外縁を覆う。三重点絶縁体７２があることによって、三重点１１３の存在が除去される。これにより三重点１１３による電気的破壊の可能性が減少される。三重点絶縁体７２は、供給パッド６１の外側に面している領域の周辺部分上を延在しうる。三重点絶縁体７２は、供給パッド６１の外側の小さい方の縁に直接接触する。三重点絶縁体７２は、供給パッド６１の小さい方の縁全体を実質的に覆う。
[00127] 図１１に示すトランペット端１１１を有さない図１２に示す実施形態では、供給パッド６１の外縁における任意の三重点１１３における電界は特に高いことがある。これは、三重点１１３がありうる供給パッド６１の外縁における特に急な縁をもたらす細長い電気コネクタ１１２の形状によるものである。したがって、細長い電気コネクタ１１２の細長い導電体にトランペット端１１１が含まれない場合に、三重点絶縁体７２が供給パッド６１の外縁を覆うことが特に有利である。
[00128] 図１３は、本発明の一実施形態による電気コネクタ６０を平面図で示す。図１４は、図１３に示す電気コネクタ６０の断面図を示す。図１３では、破線は供給プレート６２とプレート絶縁体６９との境界を表す。供給プレート６２およびプレート絶縁体６９は、電気コネクタ６０の中間層内に配置される。高電圧供給パッド６１と供給パッド絶縁体６８との境界は実線で示す。供給パッド絶縁体６８と供給パッドシールド６６との境界は実線で示す。
[00129] 供給パッド絶縁体６８は、高電圧供給パッド６１の外縁と供給パッドシールド６６の内縁１３１との間の領域内に配置される。供給パッドシールド６６の内縁１３１は、平面図において高電圧供給パッド６１を囲む。平面図とは、電気コネクタ６０を形成するラミネート層の平面に垂直な方向における図である。
[00130] 供給パッドシールド６６の内縁１３１は、実質的に円形状を有しうる。楕円または四辺形といった他の形状も可能である。
[00131] 供給プレート６２は、供給プレート６２の例えば実質的に円形または長円形である部分６２ａから細長く伸びる高電圧トレース６２ｃを含む。高電圧トレース６２ｃは、供給パッドシールド６６の下で供給プレート６２の部分６２ａから伸びる。高電圧トレース６２ｃの外縁１３２は、平面図において高電圧トレース６２ｃが供給パッドシールド６６の内縁１３１を交差する位置において、供給パッドシールド６６の内縁１３１に実質的に垂直でありうる。図１３はこのような配置を示す。
[00132] 図６に示したように、絶縁シート７３は、絶縁シートがなければ存在する表面放電路を遮断するように２つの電気コネクタ６０間に挿入されうる。これにより、導電（例えば炭化）路が形成されることで絶縁体の故障に繋がる表面放電が減少される。表面放電路は少なくとも減少されるかまたは場合により無効化されるが、ガスポケット７５は残ることがある。これは絶縁シート７３の弾性が限られているからである。その結果、三重点がガスポケット７５において生じうる。
[00133] 高電界における三重点はガスポケットにおける部分放電につながり、それによりガスポケットが機械的におよび化学的に腐食してしまう。これは、特にシステムが例えば静電クランプシステム８０において交流電流の影響下にある場合に言えることである。交流電流の影響下にある場合、化学反応によって導電性残留物が形成され、それにより固体絶縁体が破壊されうる。このことは翻って高圧力および高温によって構造が破壊されうる。
[00134] したがって、このような三重点は依然として電気コネクタ６０間の電気接続における望ましくない電気的破壊に繋がりうる。潜在的に問題となる部分放電は、比較的高い電界がある場合にのみ生じる。電気接続システムにおける電界の強度は、電気コネクタ６０の鋭い縁において最大である。ポッティングを用いてガスポケット７５を除去しうる。しかし、ポッティングを用いる場合でも、電界強度が高い鋭い縁における部分放電を完全に回避するためには絶縁は不十分でありうる。電界強度が十分に大きければ、部分放電はポッティング絶縁の破壊をもたらしうる。
[00135] 上述したように、高電圧供給パッド６１より寸法的に大きい供給プレート６２が、電気接続システムにおける三重点の影響を減少することができる。しかし、供給プレート６２の高電圧トレース６２ｃが供給パッドシールド６６の下に延在する位置にて比較的高い電界が生じることは依然として可能である。
[00136] 図１５は、電気コネクタ６０を平面図で示す。図１６は、図１５に示す電気コネクタ６０を断面図で示す。図１５および図１６に示す電気コネクタは、高電圧トレース６２ｃの縁１３２と供給パッドシールド６６の縁１３１との交差点における高い電界強度による部分電気的破壊の問題に対処する。
[00137] 図１５では、破線は、供給プレート６２とプレート絶縁体６９との境界を表す。供給プレート６２およびプレート絶縁体６９は、電気コネクタ６０の中間層内に配置される。高電圧供給パッド６１と供給パッド絶縁体６８との境界を実線で示す。供給パッド絶縁体６８と供給パッドシールド６６との境界を実線で示す。
[00138] 図１５および図１６に示す電気コネクタ６０は、供給パッドシールド６６の内縁１３１が供給プレート６２の外縁１３２を垂直に交差しない点で図１３および図１４に示す電気コネクタ６０とは異なる。実際に、図１５および図１６に示すように、供給パッドシールド６６の内縁１３１は、供給プレート６２の外縁１３２を交差しない。これは、供給パッドシールド６６の内縁１３１は、ラミネートの平面に垂直な方向に見た場合に供給プレート６２内に実質的に全体的に位置するからである。供給プレート６２は、供給パッドシールド６６の内縁１３１によって画定される形状より寸法的に大きい。
[00139] 図１５および図１６に示す電気コネクタ６０の構造の結果、電気接続システムのピーク電界強度は減少される。具体的には、供給パッドシールド６６の内縁１３１における電界強度が減少される。
[00140] これは、そうしなければ電気的破壊は高電圧トレース６２ｃの外縁１３２と接地された供給パッドシールド６６の内縁１３１との交差点において生じうるからである。これは、縁１３１、１３２は共に比較的高い電界強度を示すからである。
[00141] 図１５および図１６に示す構造では、高電圧トレース６２ｃの外縁１３２における電界強度は高いことがある。これは、電界強度は、高電圧の導体の縁において不可避的に高いからである。しかし、図１５の電気コネクタ６０では、高電圧トレース６２ｃの外縁１３２は、供給パッドシールド６６の平面（供給パッドシールド６６の内縁１３１ではなく）に対向する。したがって、高電圧トレース６２ｃの外縁１３２に対向する供給パッドシールド６６における電界強度は比較的低い。
[00142] したがって、電気的破壊の可能性は減少される。これは、電気的破壊は、１つの導体の縁が別の導体の平面に近接することに比べて２つの導体の縁が近接する場合に電気接続システム内の位置で生じる可能性がより高いからである。
[00143] 図１７は、本発明の一実施形態による電気コネクタ６０を平面図で示す。具体的には、図１７に示す電気コネクタの供給プレート６２の形状は、上述したものとは異なる。
[00144] 図１７に示す供給プレート６２はグリッドパターンを有する部分を含む。供給プレート６２は、供給プレート６２は幾つかの絶縁部分１７１を囲む点で不連続的である。したがって、図１７に示す供給プレート６２は、上述した供給プレート６２に比べて密度が低い。
[00145] 図１７の低密度供給プレート６２は、供給プレート６２が高電圧供給源に接続された場合に比較的疎な電界(sparse electric field)を生成することを目的とする。図１７に示す構造では、電界は、大きい面積に亘って広がるので、その集中は減少する。
[00146] 図１７の疎な電界構造は、供給プレート６２の高電圧トレース６２ｃの縁１３２が、供給パッドシールド６６といった接地面の縁１９５を遮断する位置における電界の強度を減少することを目的とする。図１７に示す高電圧トレース６２ｃは、複数の細いトレース６２ｅを含む。細いトレース６２ｅの数は特に限定されない。
[00147] 一実施形態では、細いトレース６２ｅと絶縁部分１７１の総幅に等しい、高電圧トレース６２ｃのグリッドパターンの幅は、高電圧トレース６２ｅと供給パッドシールド６６といった接地面との間の垂直距離よりも約５倍大きい。
[00148] 図１８は、細いトレース６２ｅがハッチパターンの形態を取る本発明の供給プレート６２の一実施形態を示す。供給プレート６２は、ハッチパターンを有する部分を含みうる。これにより、供給プレート６２と、供給パッドシールド６６といった接地面との間の電気的破壊の可能性を減少する疎な電界の効果が生成される。
[00149] 図１９は、電気コネクタ６０の一実施形態を平面図で示す。図１９に示す電気コネクタ６０の供給プレート６２の形状は、上述したものとは異なる。供給プレート６２は、スポークホイール形状の部分を含む。一実施形態では、スポークホイール部は、平面図において、電気コネクタ６０の高電圧供給パッド６１と実質的に同軸である。
[00150] 図１９および図２０では、破線は、高電圧供給パッド６１と供給パッド絶縁体６８との境界と、供給パッド絶縁体６８と供給パッドシールド６６との境界を表す。実線は、供給プレート６２の縁、すなわち、供給プレート６２とプレート絶縁体６９との境界を表す。
[00151] スポークホイールは、供給パッドシールド６６の内縁１３１と供給プレート６２の縁１３２との交差点における電界の強度を減少する。供給プレート６２のスポークホイール部は、複数のスポーク１９１と外側リム１９２を含みうる。供給プレート６２は高電圧トレース６２ｃをさらに含む。
[00152] 高電圧トレース６２ｃの幅は、約１ｍｍから約４ｍｍの範囲内、好適には約１．５ｍｍから約３ｍｍの範囲内、好適には約２ｍｍでありうる。各スポーク１９１の幅は、約０．０５ｍｍから約０．２ｍｍの範囲内、好適には約０．０７５ｍｍから約０．１５ｍｍの範囲内、好適には約０．１ｍｍでありうる。外側リム１９２の幅は、約０．５ｍｍから約２ｍｍの範囲内、好適には約０．７５ｍｍから約１．５ｍｍの範囲内、好適には約１ｍｍでありうる。
[00153] 一実施形態では、高電圧供給パッド６２の直径は、約１ｍｍから約４ｍｍの範囲内、好適には約１．５ｍｍから約３ｍｍの範囲内、好適には約２ｍｍでありうる。一実施形態では、スポークホイール部は中心ハブ１９３を含む。好適には中心ハブ１９３は高電圧供給パッド６１と同軸である。好適には高電圧供給パッド６１は供給プレート６２の中心ハブ１９３内に実質的に全体的に位置する。一実施形態では、中心ハブ１９３の直径は約２ｍｍから約４ｍｍの範囲内、および好適には約３ｍｍである。
[00154] 一実施形態では、供給パッドシールド６６の内縁１３１によって画定される領域の直径は、約２ｍｍから約６ｍｍの範囲内、好適には約３ｍｍから約５ｍｍの範囲内、好適には約４ｍｍである。一実施形態では、供給プレート６２の外側リム１９２の直径は約３ｍｍから約９ｍｍの範囲内、好適には約４ｍｍから約７ｍｍの範囲内、好適には約５ｍｍである。
[00155] 図２０は、電気コネクタ６０の一実施形態を平面図で示す。図２０に示す電気コネクタ６０の供給プレート６２の設計は、上述したものとは異なる。
[00156] 供給プレート６２は、スパイラルスポークを有するホイール部分を含む。供給プレート６２のホイール部分は、中心ハブ１９３、外側リム１９２、および複数のスポーク２０１を含みうる。中心ハブおよび外側リム１９２は、図１９に関連して上述したとおりでありうる。スパイラルスポーク２０１は、図１９に関連して説明したスポーク１９１と同じ幅を有しうる。
[00157] 図２０のスパイラルスポーク２０１は、斜角で供給パッドシールド６６の内縁１３１を遮断する縁２０２を有する。ここでは、斜角とは９０°ではない角度を意味すると解釈される。したがって、スパイラルスポーク２０１の縁２０２と供給パッドシールド６６の内縁１３１との交差点における角度は、図１９の垂直角よりも小さい。
[00158] これは、供給プレート６２の縁と供給パッドシールド６６の内縁１３１との交差点における電気的破壊の可能性を減少することを目的とする。低い角度において電気的破壊が生じる可能性が低いことが観察されている。一実施形態では、供給プレート６２の縁１３２、２０２と、供給パッドシールド６６の交差する縁１３１との間の（平面図における）角度は約７０°未満であり、好適には４５°未満であり、より好適には約３０°未満であり、さらに一層好適には約２０°未満である。
[00159] 図２１は、電気コネクタ６０を平面図で示す。供給プレート６２の形状は、細いトレース６２ｄが斜角で延在することを除いて図１７に示す供給プレートの形状と同様である。したがって、供給プレートの縁１３２と、供給パッドシールド６６といった接地面の縁１９５との間の遮断角は斜めである。
[00160] 好適には交差角は７０°未満であり、より好適には４５°未満であり、さらに好適には約３０°未満であり、さらに一層好適には約２０°未満である。したがって、供給プレート６２は、グリッドパターンを有する部分を含み、（平面図における）供給パッドシールド６６といった接地面の縁１９５と交差する供給プレートの縁は互いに斜めの角度にある。
[00161] 図２２は電気コネクタ６０を平面図で示す。供給プレート６２はミアンダを含む。このミアンダは、供給プレート６２が、供給パッドシールド６６といった接地面の縁１９５を交差する場所と一致する。供給プレート６２の縁１３２は、縁１９５を斜角で交差する。一実施形態ではこの角度は７０°以下、好適には約４５°である。
[00162] 一実施形態では、図１７、図１８、図２１、および／または図２２に示すような供給プレート６２の高電圧トレース６２ｃは高電圧供給パッド６１に接続される。一実施形態では、電気コネクタ６０は静電クランプ８０に接続される。電気コネクタ６０が静電クランプ８０に接続する場合、供給パッドシールド６６に途切れがある。供給パッドシールド６６といった接地面の縁１９５は、高電圧トレース６２ｃを交差する。

Claims (31)

  1. 外側シールド層（６５）と、
    外側絶縁層（６４）と、
    高電圧プレート（６２）と、
    内側絶縁層（６３）と、
    高電圧供給パッド（６１）と、
    を順に含むラミネートを含み、
    前記パッドは、前記プレートより小さく、また、前記ラミネートの平面に垂直な方向に見た場合に、前記プレート内に実質的に全体的に位置する、高電圧電気コネクタ（６０）。
  2. 前記ラミネートの平面に垂直な方向に見た場合に、前記プレートの周囲と前記パッドの周囲との間の最小距離ｄは、少なくともｈであり、好適には少なくとも２ｈであり、好適には少なくとも３ｈであり、より好適には少なくとも４ｈであり、またはさらにより好適には少なくとも５ｈであり、ただし、ｈは、前記ラミネートの前記平面に垂直な方向における前記プレートと前記パッド間の最小距離である、請求項１に記載の電気コネクタ。
  3. 前記プレートは、前記ラミネートの平面に垂直な方向に見た場合に、前記パッドが実質的に円形のセクション内に実質的に全体的に位置するように、前記パッドより大きい前記実質的に円形のセクションと、細長い高電圧トレースを形成する伸ばされたテーパセクションとを有する涙滴形状を有する、請求項１または２に記載の電気コネクタ。
  4. 前記プレートが、前記ラミネートの断面において、固体材料によって完全に囲まれるように、前記プレートは、前記プレートの平面において、誘電体（６９）によって囲まれる、請求項１から３のいずれかに記載の電気コネクタ。
  5. 前記高電圧供給パッド（６１）の小さい方の縁の実質的に全体が、電気絶縁体によって覆われる、請求項１から４のいずれかに記載の電気コネクタ。
  6. 前記高電圧プレート（６２）はグリッドパターンを有する部分またはハッチパターンを有する部分またはスポークホイールの形状の部分を含む、請求項１から５のいずれかに記載の電気コネクタ。
  7. 前記パッドは、前記パッドの平面において、電気的接地に接続されるパッド接地シールド（６６）によって囲まれ、任意選択的に前記プレートは、前記プレートの平面において、電気的接地に接続されるプレート接地シールド（６７）によって囲まれる、請求項１から６のいずれかに記載の電気コネクタ。
  8. 前記パッド接地シールド（６６）の内縁（１３１）は、前記ラミネートの平面に垂直な方向に見た場合に、前記高電圧プレート（６２）内に実質的に全体的に位置する、請求項７に記載の電気コネクタ。
  9. 前記ラミネートの平面に垂直な方向に見た場合に、前記高電圧プレート（６２）の縁（１３２、２０２）が、前記パッド接地シールド（６６）の縁（１３１）を交差し、前記高電圧プレート（６２）の前記縁（１３２、２０２）と前記パッド接地シールド（６６）の前記縁（１３１）との交差角は約４５°未満である、請求項７または８に記載の電気コネクタ。
  10. 前記コネクタは、前記パッド接地シールドを覆うように配置された接地絶縁層（７２）をさらに含む、請求項７から９のいずれかに記載の電気コネクタ。
  11. 前記コネクタの前記パッドの前記周囲と前記パッド接地シールドとの間の最小距離は、約３ｈから約７ｈの範囲内、好適には約４ｈから約６ｈの範囲内、またはより好適には約５ｈである、請求項７から１０のいずれかに記載の電気コネクタ。
  12. 前記外側絶縁層および／または前記内側絶縁層および／または前記接地絶縁層は、ポリイミドで作られる、請求項１から１１のいずれかに記載の電気コネクタ。
  13. 基板上にパターンを転写するリソグラフィ装置であって、
    基板を構造体に対してクランプする静電クランプ（８０）を含み、
    前記クランプは、
    前記クランプの外部のコンポーネント（６０）に電気的に接続する高電圧受電パッド（８１）と、
    前記パッドと実質的に平行な高電圧プレート（８２）と、
    を含み、前記パッドは、前記プレートより小さく、また、前記プレートの平面に垂直な方向に見た場合に、前記プレート内に実質的に全体的に位置する、リソグラフィ装置。
  14. 高電圧供給パッド（６１）を有する高電圧供給電気コネクタ（６０）と、
    前記供給パッドと電気的に接続する高電圧受電パッド（８１）を有する高電圧受電電気コンポーネント（８０）と、
    を含み、
    前記供給パッドおよび前記受電パッドの両方の周囲は、前記供給パッドおよび前記受電パッドが高電圧にある場合に実質的に等電位の領域内に位置決めされる、高電圧電気接続システム（９０）。
  15. 前記コネクタおよび前記コンポーネントは、それぞれ、対応のパッドに実質的に平行な高電圧プレート（６２、８２）をさらに含み、
    各パッドは、前記対応するプレートより小さく、また、前記対応プレートの平面に垂直な方向に見た場合に、前記対応するプレート内に実質的に全体的に位置する、請求項１４に記載の電気接続システム。
  16. 請求項１から１２のいずれかに記載される第１の電気コネクタと、
    請求項１から１２のいずれかに記載される第２の電気コネクタと、
    を含み、
    前記第１の電気コネクタの前記供給パッドは、前記第２の電気コネクタの前記供給パッドと電気的に接触する、高電圧電気接続システム。
  17. 請求項１から１２のいずれかに記載される前記電気コネクタと、
    請求項１３に記載される前記静電クランプと、
    を含み、
    前記第１の電気コネクタの前記供給パッドは、前記静電クランプの前記受電パッドと電気的に接触する、高電圧電気接続システム。
  18. 前記パッドの少なくとも一方の周囲の少なくとも一部分は、ガスと絶縁体の両方に接触する、請求項１４から１７のいずれかに記載の電気接続システム。
  19. 絶縁シート（７３）が前記パッド間に挿入され、電気コンタクト（７４）が前記シートの中を延在して前記パッドに電気的に接続し、前記コンタクトは、前記パッドの平面に垂直な方向に見た場合に前記パッド内に実質的に全体的に位置し、好適には前記コンタクトはリーフバネであり、および／または、任意選択的に前記シートはエラストマーで作られる、請求項１４から１８のいずれかに記載の電気接続システム。
  20. 外側シールド層と、
    外側絶縁層と、
    高電圧プレートと、
    内側絶縁層と、
    高電圧供給パッドと、
    を順に含むラミネートを含み、
    前記パッドは、前記プレートより小さく、また、前記ラミネートの平面に実質的に垂直な方向に見た場合に、前記プレート内に実質的に全体的に位置する、高電圧電気コネクタ。
  21. 前記ラミネートの平面に垂直な方向に見た場合に、前記プレートの周囲と前記パッドの周囲との間の最小距離ｄは、少なくともｈであり、好適には少なくとも２ｈであり、好適には少なくとも３ｈであり、より好適には少なくとも４ｈであり、またはさらにより好適には少なくとも５ｈであり、ただし、ｈは、前記ラミネートの前記平面に垂直な方向における前記プレートと前記パッド間の最小距離である、請求項２０に記載の電気コネクタ。
  22. 前記プレートは、前記ラミネートの平面に垂直な方向に見た場合に、前記パッドが実質的に円形のセクション内に実質的に全体的に位置するように、前記パッドより大きい前記実質的に円形のセクションと、細長い高電圧トレースを形成する伸ばされたテーパセクションとを有する涙滴形状を有する、請求項２０に記載の電気コネクタ。
  23. 前記プレートが、前記ラミネートの断面において、固体材料によって完全に囲まれるように、前記プレートは、前記プレートの平面において、誘電体によって囲まれる、請求項２２に記載の電気コネクタ。
  24. 前記パッドは、前記パッドの平面において、電気的接地に接続されるパッド接地シールドによって囲まれ、前記プレートは、前記プレートの平面において、電気的接地に接続されるプレート接地シールドによって囲まれる、請求項２２に記載の電気コネクタ。
  25. 前記コネクタは、前記パッド接地シールドを覆うように配置された接地絶縁層をさらに含む、請求項２４に記載の電気コネクタ。
  26. 前記コネクタの前記パッドの前記周囲と前記パッド接地シールドとの間の最小距離は、約３ｈから約７ｈの範囲内、好適には約４ｈから約６ｈの範囲内、またはより好適には約５ｈであり、ただし、ｈは、前記ラミネートの前記平面に垂直な方向における前記プレートと前記パッド間の最小距離である、請求項２４に記載の電気コネクタ。
  27. 前記外側絶縁層、前記内側絶縁層、および前記接地絶縁層の少なくとも１つはポリイミドを含む、請求項２０に記載の電気コネクタ。
  28. 第１の電気コネクタおよび第２の電気コネクタを含み、それぞれ、外側シールド層、外側絶縁層、高電圧プレート、内側絶縁層、および高電圧供給パッドを順に有し、前記パッドは、前記プレートより小さく、また、前記ラミネートの平面に垂直な方向に見た場合に前記プレート内に実質的に全体的に位置し、
    前記第１の電気コネクタの前記供給パッドは、前記第２の電気コネクタの前記供給パッドと電気的に接触する、高電圧電気接続システム。
  29. 外側シールド層、外側絶縁層、高電圧プレート、内側絶縁層、および高電圧供給パッドを順に有する電気コネクタであって、前記パッドは、前記プレートより小さく、また、前記ラミネートの平面に垂直な方向に見た場合に前記プレート内に実質的に全体的に位置する、電気コネクタと、
    静電クランプの外部のコンポーネントに電気的に接続する高電圧受電パッドと、前記パッドと実質的に平行な高電圧プレートとを有する静電クランプであって、前記パッドは、前記プレートより小さく、また、前記プレートの平面に垂直な方向に見た場合に前記プレート内に実質的に全体的に位置する、静電クランプと、
    を含み、
    前記電気コネクタの前記供給パッドは、前記静電クランプの前記受電パッドに電気的に接触する、高電圧電気接続システム。
  30. 前記パッドの少なくとも一方の周囲の少なくとも一部分は、ガスと絶縁体の両方に接触する、請求項２９に記載の電気接続システム。
  31. 絶縁シートが前記パッド間に挿入され、電気コンタクトが前記シートの中を延在して前記パッドに電気的に接触し、前記コンタクトは、前記パッドの平面に垂直な方向に見た場合に前記パッド内に実質的に全体的に位置し、好適には前記コンタクトはリーフバネであり、および／または、任意選択的に前記シートはエラストマーで作られる、請求項３０に記載の電気接続システム。
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