JP2012027412A - Optical element and manufacturing method thereof - Google Patents

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Jinichi Kasuya
仁一 粕谷
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Konica Minolta Opto Inc
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical element allowing deterioration of a resin to be suppressed and light resistance to be enhanced.SOLUTION: An object lens for an optical pickup device using a light source having a wavelength range from 400 to 410 nm is disclosed as an exemplary optical element. The object lens comprises a resin molded part 50 made of a cycloolefin resin, on which a first film 62 is formed of a high density material having a mixing ratio of SiO:AlO=90 to 99:1 to 10 and a density of equal to or higher than 2.0 g/cm.

Description

本発明は光学素子およびその製造方法に関し、特に耐光性に優れる光学素子およびその製造方法に関する。   The present invention relates to an optical element and a method for manufacturing the same, and more particularly to an optical element having excellent light resistance and a method for manufacturing the same.

青色光のピックアップ用途に使用される対物レンズなどの樹脂性の光学素子においては、青色レーザ(波長405nm)を照射すると、樹脂が白濁・変形(劣化)しやすくその場合には球面収差が変動し、ディスクへの書出しや読込みが不可能になってしまう。これに対しては、構成材料として耐光性の高いシクロオレフィンが使用され対処されているが、樹脂の劣化は、そのほかに、大気中や樹脂内の酸素が原因となり引き起こされるとも考えられている。
特許文献1の技術は、複数層の膜からなる反射防止膜が開示されており、具体的には1層目と2層目とをSiOで構成しその膜厚を400nm以上と比較的厚膜化して耐光性を確保し、さらにその上層部において高屈折率材料によるTiO膜をイオンプレーティング法で形成して緻密化し、酸素バリア性を付加して耐光性向上を図っている(たとえば段落0048〜0053など参照)。
In resinous optical elements such as objective lenses used for blue light pickup applications, irradiation with blue laser (wavelength 405 nm) makes the resin easily clouded and deformed (deteriorated), in which case the spherical aberration fluctuates. , Writing to and reading from the disc becomes impossible. To cope with this, cycloolefin having high light resistance is used as a constituent material, and it is considered that the deterioration of the resin is caused by oxygen in the atmosphere or in the resin.
The technique of Patent Document 1 discloses an antireflection film composed of a plurality of layers. Specifically, the first layer and the second layer are made of SiO, and the film thickness is relatively thick at 400 nm or more. In order to improve the light resistance, an TiO 2 film made of a high refractive index material is formed and densified by an ion plating method in the upper layer portion, and an oxygen barrier property is added (for example, paragraph) 0048-0053 etc.).

特開2005−266780号公報JP 2005-266780 A 特開2004−157497号公報JP 2004-157497 A

確かにこの方法では、耐光性を向上させることはできると考えられる。
しかしながら、同じ材料による1,2層目のSiO膜の膜厚を400nmと厚くすると、クラックが発生しやすく、それが発生した場合には大気中の酸素が樹脂に侵入し当該樹脂の劣化を促すし、成膜にも時間がかかる。
さらに、高屈折率材料によるTiO膜をイオンプレーティング法で緻密にすることはできても、十分な酸素バリア性まで確保することは難しく、樹脂が青色レーザで白濁・変形し劣化することはありうるし、イオンプレーティング法を使用すること自体が設備コストの増大につながる。
したがって、本発明の主な目的は、青色レーザを使用した場合でも樹脂の劣化を抑制し、耐光性を向上させることができる光学素子およびその製造方法を提供することにある。
Certainly, this method can improve the light resistance.
However, when the film thickness of the first and second SiO films made of the same material is increased to 400 nm, cracks are likely to occur, and when this occurs, oxygen in the atmosphere enters the resin and promotes deterioration of the resin. However, it takes time to form a film.
Furthermore, even if the TiO 2 film made of a high refractive index material can be made dense by the ion plating method, it is difficult to secure a sufficient oxygen barrier property, and the resin is clouded and deformed by a blue laser and deteriorates. There is a possibility that the use of the ion plating method itself increases the equipment cost.
Accordingly, a main object of the present invention is to provide an optical element capable of suppressing deterioration of a resin and improving light resistance even when a blue laser is used, and a method for manufacturing the same.

上記課題を解決するため本発明の一態様によれば、
波長400〜410nmの光源を用いた光ピックアップ装置用の光学素子において、
シクロオレフィン樹脂製の基材を備え、
前記基材上には、SiO:Al=90〜99:1〜10の混合比を有しかつ密度が2.0g/cm以上の高密度材料による第1の膜が形成されていることを特徴とする光学素子が提供される。
In order to solve the above problems, according to one aspect of the present invention,
In an optical element for an optical pickup device using a light source having a wavelength of 400 to 410 nm,
Provided with a base material made of cycloolefin resin,
A first film made of a high-density material having a mixing ratio of SiO 2 : Al 2 O 3 = 90 to 99: 1 to 10 and a density of 2.0 g / cm 3 or more is formed on the substrate. An optical element is provided.

本発明の他の態様によれば、
波長400〜410nmの光源を用いた光ピックアップ装置用の光学素子を製造する光学素子の製造方法において、
シクロオレフィン樹脂を成形して基材を製造する工程と、
SiO:Al=90〜99:1〜10の混合比を有しかつ密度が2.0g/cm以上の高密度材料を蒸着し、第1の膜を前記基材上に形成する工程と、
を備えることを特徴とする光学素子の製造方法が提供される。
According to another aspect of the invention,
In a method for manufacturing an optical element for manufacturing an optical element for an optical pickup device using a light source having a wavelength of 400 to 410 nm,
Forming a base material by molding a cycloolefin resin;
A high-density material having a mixing ratio of SiO 2 : Al 2 O 3 = 90 to 99: 1 to 10 and a density of 2.0 g / cm 3 or more is deposited to form a first film on the substrate. And a process of
A method for manufacturing an optical element is provided.

本発明によれば、樹脂基材上に高密度材料による第1の膜が形成されているから、青色レーザを使用した場合でも樹脂の劣化を抑制し、耐光性を向上させことができる。   According to the present invention, since the first film made of a high-density material is formed on the resin base material, deterioration of the resin can be suppressed and light resistance can be improved even when a blue laser is used.

本発明の好ましい実施形態で使用される光ピックアップ装置の概略構成を示す図面である。It is drawing which shows schematic structure of the optical pick-up apparatus used by preferable embodiment of this invention. 本発明の好ましい実施形態で使用される反射防止膜の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the anti-reflective film used by preferable embodiment of this invention.

以下、図面を参照しながら本発明の好ましい実施形態について説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1に示す通り、光ピックアップ装置30には、半導体レーザ発振器32が具備されている。半導体レーザ発振器32は、BD(Blu-ray Disc)用として波長400〜410nmの特定波長(例えば405nm)のブルーレーザ光(青色レーザ)を出射するようになっている。光ピックアップ装置30は光学装置の一例であり、半導体レーザ発振器32は光源の一例である。   As shown in FIG. 1, the optical pickup device 30 includes a semiconductor laser oscillator 32. The semiconductor laser oscillator 32 emits blue laser light (blue laser) having a specific wavelength (for example, 405 nm) having a wavelength of 400 to 410 nm for BD (Blu-ray Disc). The optical pickup device 30 is an example of an optical device, and the semiconductor laser oscillator 32 is an example of a light source.

半導体レーザ発振器32から出射されるブルーレーザ光の光軸上には、半導体レーザ発振器32から離間する方向に向かって、コリメータ33、ビームスプリッタ34、1/4波長板35、絞り36、対物レンズ37が順次配設されている。   On the optical axis of the blue laser light emitted from the semiconductor laser oscillator 32, a collimator 33, a beam splitter 34, a quarter wavelength plate 35, a diaphragm 36, and an objective lens 37 are arranged in a direction away from the semiconductor laser oscillator 32. Are sequentially arranged.

ビームスプリッタ34と近接した位置であって、上述したブルーレーザ光の光軸と直交する方向には、2組のレンズからなるセンサーレンズ群38、センサー39が順次配設されている。   A sensor lens group 38 and a sensor 39 each including two sets of lenses are sequentially arranged at a position close to the beam splitter 34 and in a direction orthogonal to the optical axis of the blue laser light described above.

対物レンズ37は、高密度な光ディスクD(BD用光ディスク)に対向した位置に配置されており、半導体レーザ発振器32から出射されたブルーレーザ光を光ディスクDの一面上に集光するようになっている。対物レンズ37は光学素子の一例であり、像側開口数NAが0.7以上となっている。対物レンズ37の周縁部にはフランジ部が形成されており、当該フランジ部が2次元アクチュエータ40に装着されている。2次元アクチュエータ40の動作により、対物レンズ37は光軸上を移動自在となっている。   The objective lens 37 is disposed at a position facing the high-density optical disk D (BD optical disk), and condenses the blue laser light emitted from the semiconductor laser oscillator 32 on one surface of the optical disk D. Yes. The objective lens 37 is an example of an optical element, and the image-side numerical aperture NA is 0.7 or more. A flange portion is formed on the peripheral edge of the objective lens 37, and the flange portion is attached to the two-dimensional actuator 40. The objective lens 37 is movable on the optical axis by the operation of the two-dimensional actuator 40.

図1中拡大図に示す通り、対物レンズ37は主には樹脂成形部50で構成されており、樹脂成形部50の表面52には反射防止膜60が形成されている。樹脂成形部50は基材の一例である。
本実施形態では、対物レンズ37は樹脂成形部50と反射防止膜60とで構成され、反射防止膜60が対物レンズ37の表面37aに形成されている。反射防止膜60は対物レンズ37の表面37aに加えて、その反対面(表面37b)に形成されてもよい。
As shown in the enlarged view of FIG. 1, the objective lens 37 is mainly composed of a resin molded portion 50, and an antireflection film 60 is formed on the surface 52 of the resin molded portion 50. The resin molding part 50 is an example of a base material.
In the present embodiment, the objective lens 37 includes a resin molded portion 50 and an antireflection film 60, and the antireflection film 60 is formed on the surface 37 a of the objective lens 37. In addition to the surface 37 a of the objective lens 37, the antireflection film 60 may be formed on the opposite surface (surface 37 b).

樹脂成形部50は主には、ブルーレーザ光への耐光性の観点から、脂環式構造を有する重合体からなる樹脂、好ましくはシクロオレフィン樹脂で構成されている。
脂環式構造を有する重合体からなる樹脂としては、例えば、下記の樹脂1,2を使用することができ、反射防止膜60との密着性を高める上では、樹脂1を使用するのが好ましい。
当該樹脂の具体例としては、日本ゼオン製ZEONEX、三井化学製APEL、JSR製アートン、TOPAS ADVANCED POLYMERS Gmbh製TOPASなどが挙げられる。
The resin molding part 50 is mainly composed of a resin made of a polymer having an alicyclic structure, preferably a cycloolefin resin, from the viewpoint of light resistance to blue laser light.
As the resin made of a polymer having an alicyclic structure, for example, the following resins 1 and 2 can be used. In order to improve the adhesion with the antireflection film 60, it is preferable to use the resin 1. .
Specific examples of the resin include ZEONEX manufactured by Nippon Zeon, APEL manufactured by Mitsui Chemicals, Arton manufactured by JSR, TOPAS manufactured by TOPAS ADVANCED POLYMERS Gmbh, and the like.

[樹脂1]
樹脂材料1は、重量平均分子量(Mw)が1,000〜1,000,000である重合体全繰り返し単位中に、下記式(1)で表される脂環式構造を有する繰り返し単位(a)と、下記式(2)及び/又は下記式(3)で表される鎖状構造の繰り返し単位(b)とを、合計含有量が90重量%以上になるように含有し、さらに繰り返し単位(b)の含有量が1重量%以上10重量%未満であり、繰り返し単位(a)の連鎖が下記関係式(Z)を満たす脂環式炭化水素系共重合体を含有することが好ましい。
A≦0.3×B … (Z)
関係式(Z)中、A=(脂環式構造を有する繰り返し単位の連鎖の重量平均分子量)であり、B=(脂環式炭化水素系共重合体の重量平均分子量(Mw)×(脂環式構造を有する繰り返し単位数/脂環式炭化水素系共重合体を構成する全繰り返し単位数)である。
[Resin 1]
Resin material 1 has a repeating unit (a) having an alicyclic structure represented by the following formula (1) in a polymer all repeating unit having a weight average molecular weight (Mw) of 1,000 to 1,000,000. ) And a repeating unit (b) having a chain structure represented by the following formula (2) and / or the following formula (3) so that the total content is 90% by weight or more, and further the repeating unit The content of (b) is preferably 1% by weight or more and less than 10% by weight, and the chain of the repeating unit (a) preferably contains an alicyclic hydrocarbon copolymer that satisfies the following relational formula (Z).
A ≦ 0.3 × B (Z)
In relational formula (Z), A = (weight average molecular weight of a chain of repeating units having an alicyclic structure), and B = (weight average molecular weight (Mw) of alicyclic hydrocarbon copolymer) × (aliphatic The number of repeating units having a cyclic structure / the total number of repeating units constituting the alicyclic hydrocarbon-based copolymer).

Figure 2012027412
Figure 2012027412

Figure 2012027412
Figure 2012027412

Figure 2012027412
Figure 2012027412

式(1)、式(2)及び式(3)中のR1〜R13は、それぞれ独立に、水素原子、鎖状炭化水素基、ハロゲン原子、アルコキシ基、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、シアノ基、アミド基、イミド基、シリル基、及び極性基(ハロゲン原子、アルコキシ基、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、シアノ基、アミド基、イミド基、又はシリル基)で置換された鎖状炭化水素基等を表す。その中でも水素原子又は炭素原子数1〜6個の鎖状炭化水素基の場合が、耐熱性、低吸水性に優れるので好ましい。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子を挙げることができる。極性基で置換された鎖状炭化水素基としては、例えば炭素原子数1〜20、好ましくは1〜10、より好ましくは1〜6のハロゲン化アルキル基が挙げられる。鎖状炭化水素基としては、例えば炭素原子数1〜20、好ましくは1〜10、より好ましくは1〜6のアルキル基;炭素原子数2〜20、好ましくは2〜10、より好ましくは2〜6のアルケニル基が挙げられる。   R1 to R13 in formula (1), formula (2), and formula (3) are each independently a hydrogen atom, chain hydrocarbon group, halogen atom, alkoxy group, hydroxy group, ether group, ester group, cyano group. Chain carbonization substituted with groups, amide groups, imide groups, silyl groups, and polar groups (halogen atoms, alkoxy groups, hydroxy groups, ether groups, ester groups, cyano groups, amide groups, imide groups, or silyl groups) Represents a hydrogen group or the like. Among these, a hydrogen atom or a chain hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms is preferable because of excellent heat resistance and low water absorption. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. Examples of the chain hydrocarbon group substituted with a polar group include halogenated alkyl groups having 1 to 20, preferably 1 to 10, more preferably 1 to 6 carbon atoms. As the chain hydrocarbon group, for example, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms; 2 to 20 carbon atoms, preferably 2 to 10 carbon atoms, more preferably 2 to 2 carbon atoms. 6 alkenyl groups.

式(1)中のXは脂環式炭化水素基を表し、それを構成する炭素数は、通常4個〜20個、好ましくは4個〜10個、より好ましくは5個〜7個である。脂環式構造を構成する炭素数をこの範囲にすることで複屈折を低減することができる。また脂環式構造は単環構造に限らず、例えばノルボルナン環やジシクロヘキサン環などの多環構造のものでもよい。   X in Formula (1) represents an alicyclic hydrocarbon group, and the number of carbon atoms constituting the group is usually 4 to 20, preferably 4 to 10, and more preferably 5 to 7. . Birefringence can be reduced by setting the number of carbon atoms constituting the alicyclic structure within this range. The alicyclic structure is not limited to a monocyclic structure, and may be a polycyclic structure such as a norbornane ring or a dicyclohexane ring.

脂環式炭化水素基は、炭素−炭素不飽和結合を有してもよいが、その含有量は、全炭素−炭素結合の10%以下、好ましくは5%以下、より好ましくは3%以下である。脂環式炭化水素基の炭素−炭素不飽和結合をこの範囲とすることで、透明性、耐熱性が向上する。また、脂環式炭化水素基を構成する炭素には、水素原子、炭化水素基、ハロゲン原子、アルコキシ基、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、シアノ基、アミド基、イミド基、シリル基、及び極性基(ハロゲン原子、アルコキシ基、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、シアノ基、アミド基、イミド基、又はシリル基)で置換された鎖状炭化水素基等が結合していてもよく、中でも水素原子又は炭素原子数1〜6個の鎖状炭化水素基が耐熱性、低吸水性の点で好ましい。   The alicyclic hydrocarbon group may have a carbon-carbon unsaturated bond, but its content is 10% or less, preferably 5% or less, more preferably 3% or less of the total carbon-carbon bonds. is there. By setting the carbon-carbon unsaturated bond of the alicyclic hydrocarbon group within this range, transparency and heat resistance are improved. The carbon constituting the alicyclic hydrocarbon group includes a hydrogen atom, a hydrocarbon group, a halogen atom, an alkoxy group, a hydroxy group, an ether group, an ester group, a cyano group, an amide group, an imide group, a silyl group, and A chain hydrocarbon group or the like substituted with a polar group (halogen atom, alkoxy group, hydroxy group, ether group, ester group, cyano group, amide group, imide group, or silyl group) may be bonded. A hydrogen atom or a chain hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms is preferred in terms of heat resistance and low water absorption.

また、式(3)中の「………」は、主鎖中の炭素−炭素飽和、又は炭素−炭素不飽和結合を示すが、透明性、耐熱性を強く要求される場合、不飽和結合の含有率は、主鎖を構成する全炭素−炭素間結合の、通常10%以下、好ましくは5%以下、より好ましくは3%以下である。   In addition, “...” In the formula (3) represents carbon-carbon saturation or carbon-carbon unsaturated bond in the main chain, but unsaturated bond is required when transparency and heat resistance are strongly required. The content of is usually 10% or less, preferably 5% or less, more preferably 3% or less, of all the carbon-carbon bonds constituting the main chain.

式(1)で表される繰り返し単位の中でも、下記式(4)で表される繰り返し単位が、耐熱性、低吸水性の点で優れている。   Among the repeating units represented by the formula (1), the repeating unit represented by the following formula (4) is excellent in terms of heat resistance and low water absorption.

Figure 2012027412
Figure 2012027412

式(2)で表される繰り返し単位の中でも、下記式(5)で表される繰り返し単位が、耐熱性、低吸水性の点で優れている。   Among the repeating units represented by the formula (2), the repeating unit represented by the following formula (5) is excellent in terms of heat resistance and low water absorption.

Figure 2012027412
Figure 2012027412

式(3)で表される繰り返し単位の中でも、下記式(6)で表される繰り返し単位が、耐熱性、低吸水性の点で優れている。   Among the repeating units represented by the formula (3), the repeating unit represented by the following formula (6) is excellent in terms of heat resistance and low water absorption.

Figure 2012027412
Figure 2012027412

式(4)、式(5)及び式(6)中の、Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf、Rg、Rh、Ri、Rj、Rk、Rl、Rm、Rnはそれぞれ独立に水素原子または低級鎖状炭化水素基を示し、水素原子または炭素数1〜6の低級アルキル基が、耐熱性、低吸水性の点で優れている。   In formula (4), formula (5) and formula (6), Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, Ri, Rj, Rk, Rl, Rm and Rn are each independently a hydrogen atom. Alternatively, it represents a lower chain hydrocarbon group, and a hydrogen atom or a lower alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is excellent in terms of heat resistance and low water absorption.

式(2)及び式(3)で表される鎖状構造の繰り返し単位の中では、式(3)で表される鎖状構造の繰り返し単位の方が、得られる炭化水素系重合体の強度特性に優れている。   Among the repeating units having a chain structure represented by the formulas (2) and (3), the repeating unit having a chain structure represented by the formula (3) is stronger in the obtained hydrocarbon polymer. Excellent characteristics.

本発明においては、炭化水素共重合体中の、式(1)で表される脂環式構造を有する繰り返し単位(a)と、式(2)及び/又は式(3)で表される鎖状構造の繰り返し単位(b)との合計含有量は、重量基準で、通常90%以上、好ましくは95%以上、より好ましくは97%以上である。合計含有量を上記範囲にすることで、低複屈折性、耐熱性、低吸水性、機械強度が高度にバランスされる。   In the present invention, a repeating unit (a) having an alicyclic structure represented by the formula (1) and a chain represented by the formula (2) and / or the formula (3) in the hydrocarbon copolymer. The total content with the repeating unit (b) of the shape structure is usually 90% or more, preferably 95% or more, more preferably 97% or more, on a weight basis. By setting the total content within the above range, low birefringence, heat resistance, low water absorption, and mechanical strength are highly balanced.

脂環式炭化水素系共重合体における鎖状構造の繰り返し単位(b)の含有量は使用目的に応じて適宜選択されるが、通常、重量基準で1%以上10%未満、好ましくは1%以上8%以下、より好ましくは2%以上6%以下の範囲である。繰り返し単位(b)の含有量が上記範囲にあると、低複屈折性、耐熱性、低吸水性が高度にバランスされる。   The content of the repeating unit (b) having a chain structure in the alicyclic hydrocarbon copolymer is appropriately selected according to the purpose of use, but is usually 1% or more and less than 10%, preferably 1% on a weight basis. It is 8% or less, more preferably 2% or more and 6% or less. When the content of the repeating unit (b) is in the above range, low birefringence, heat resistance, and low water absorption are highly balanced.

また、繰り返し単位(a)の連鎖長は、脂環式炭化水素系共重合体の分子鎖長に対して十分に短く、具体的には、A=(脂環式構造を有する繰り返し単位連鎖の重量平均分子量)、B=(脂環式炭化水素系共重合体の重量平均分子量(Mw)×(脂環式構造を有する繰り返し単位数/脂環式炭化水素系共重合体を構成する全繰り返し単位数))とした時、AがBの30%以下であり、好ましくは20%以下、より好ましくは15%以下、特に好ましくは10%以下の範囲である。Aがこの範囲外では、低複屈折性に劣る。   Further, the chain length of the repeating unit (a) is sufficiently shorter than the molecular chain length of the alicyclic hydrocarbon copolymer, specifically, A = (repeating unit chain having an alicyclic structure). Weight average molecular weight), B = (Weight average molecular weight of alicyclic hydrocarbon copolymer (Mw) × (number of repeating units having alicyclic structure / all repeats constituting alicyclic hydrocarbon copolymer) A) is 30% or less of B, preferably 20% or less, more preferably 15% or less, and particularly preferably 10% or less. When A is outside this range, the low birefringence is poor.

上記「脂環式構造を有する重合体」の製造方法については、従来公知の方法で製造可能である。   About the manufacturing method of the said "polymer which has an alicyclic structure", it can manufacture by a conventionally well-known method.

例えば、脂環式炭化水素系共重合体の製造方法は、(1)芳香族ビニル系化合物と共重合可能なその他のモノマーとを共重合し、主鎖及び芳香環の炭素−炭素不飽和結合を水素化する方法、(2)脂環式ビニル系化合物と共重合可能なその他のモノマーとを共重合し、必要に応じて水素化する方法等が挙げられる。   For example, the method for producing an alicyclic hydrocarbon-based copolymer includes: (1) copolymerizing an aromatic vinyl-based compound with another monomer that can be copolymerized, and carbon-carbon unsaturated bonds of the main chain and aromatic ring And (2) a method of copolymerizing an alicyclic vinyl compound with another monomer copolymerizable and hydrogenating as necessary.

[樹脂2]
樹脂2は、α−オレフィンと、下記一般式(I)または(II)で表される環状オレフィンの共重合体からなる樹脂である。
[Resin 2]
Resin 2 is a resin comprising a copolymer of an α-olefin and a cyclic olefin represented by the following general formula (I) or (II).

Figure 2012027412
…式(I)
Figure 2012027412
... Formula (I)

式(I)中、nは0または1であり、mは0または正の整数であり、kは0または1であり、R1乃至R18ならびにRa及びRbはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子または炭化水素基を表す。 In the formula (I), n is 0 or 1, m is 0 or a positive integer, k is 0 or 1, and R 1 to R 18 and R a and R b are each independently a hydrogen atom. Represents a halogen atom or a hydrocarbon group.

Figure 2012027412
…式(II)
Figure 2012027412
... Formula (II)

式(II)中、p及びqはそれぞれ独立に、0または正の整数であり、r及びsはそれぞれ独立に、0、1または2を表し、R21乃至R39はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表す。 In the formula (II), p and q are each independently 0 or a positive integer, r and s each independently represent 0, 1 or 2, and R 21 to R 39 are each independently a hydrogen atom. Represents a halogen atom, a hydrocarbon group or an alkoxy group.

[一般式(I)及び(II)で表される環状オレフィン]
上記一般式(I)において、nは0または1であり、mは0または正の整数であり、kは0または1である。なお、kが1の場合には、kを用いて表される環は6員環となり、kが0の場合にはこの環は5員環となる。
[Cyclic olefins represented by general formulas (I) and (II)]
In the above general formula (I), n is 0 or 1, m is 0 or a positive integer, and k is 0 or 1. When k is 1, the ring represented by k is a 6-membered ring, and when k is 0, this ring is a 5-membered ring.

1〜R18ならびにRa及びRbは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子または炭化水素基である。ここで、ハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子である。 R 1 to R 18 and R a and R b are each independently a hydrogen atom, a halogen atom or a hydrocarbon group. Here, the halogen atom is a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom.

また、炭化水素基としては、通常、炭素原子数1〜20のアルキル基、炭素原子数1〜20のハロゲン化アルキル基、炭素原子数3〜15のシクロアルキル基または芳香族炭化水素基が挙げられる。より具体的には、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、アミル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基及びオクタデシル基などが挙げられる。これらアルキル基はハロゲン原子で置換されていてもよい。   Moreover, as a hydrocarbon group, a C1-C20 alkyl group, a C1-C20 halogenated alkyl group, a C3-C15 cycloalkyl group, or an aromatic hydrocarbon group is mentioned normally. It is done. More specifically, examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an amyl group, a hexyl group, an octyl group, a decyl group, a dodecyl group, and an octadecyl group. These alkyl groups may be substituted with a halogen atom.

シクロアルキル基としては、シクロヘキシル基が挙げられ、芳香族炭化水素基としてはフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。さらに上記一般式(I)において、R15とR16とが、R17とR18とが、R15とR17とが、R16とR18とが、R15とR18とが、あるいはR16とR17とがそれぞれ結合して(互いに共同して)、単環または多環の基を形成していてもよく、しかもこのようにして形成された単環または多環が二重結合を有していてもよい。ここで形成される単環または多環としては、具体的に以下のようなものが挙げられる。 Examples of the cycloalkyl group include a cyclohexyl group, and examples of the aromatic hydrocarbon group include a phenyl group and a naphthyl group. Further, in the general formula (I), R 15 and R 16 are R 17 and R 18 , R 15 and R 17 are R 16 and R 18 , R 15 and R 18 are R 16 and R 17 may be bonded to each other (in cooperation with each other) to form a monocyclic or polycyclic group, and the monocyclic or polycyclic ring thus formed is a double bond You may have. Specific examples of the monocyclic or polycyclic ring formed here include the following.

Figure 2012027412
Figure 2012027412

なお、上記例示した単環または多環において、1または2の番号を付した炭素原子は、前記一般式(I)においてそれぞれR15(R16)またはR17(R18)結合している炭素原子を表す。 In the above-exemplified monocyclic or polycyclic ring, the carbon atom numbered 1 or 2 is carbon bonded to R 15 (R 16 ) or R 17 (R 18 ) in the general formula (I), respectively. Represents an atom.

また、R15とR16とで、またはR17とR18とでアルキリデン基を形成していてもよい。このようなアルキリデン基は、通常は炭素原子数2〜20のアルキリデン基であり、このようなアルキリデン基の具体的な例としては、エチリデン基、プロピリデン基及びイソプロピリデン基が挙げられる。 R 15 and R 16 , or R 17 and R 18 may form an alkylidene group. Such an alkylidene group is usually an alkylidene group having 2 to 20 carbon atoms, and specific examples of such an alkylidene group include an ethylidene group, a propylidene group, and an isopropylidene group.

一般式(II)において、p及びqはそれぞれ独立に、0または正の整数であり、r及びsはそれぞれ独立に、0、1または2である。また、R21〜R39はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基またはアルコキシ基である。 In general formula (II), p and q are each independently 0 or a positive integer, and r and s are each independently 0, 1 or 2. R 21 to R 39 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydrocarbon group or an alkoxy group.

ここでハロゲン原子は、上記一般式(I)中のハロゲン原子と同じである。また炭化水素基としては、通常、炭素原子数1〜20のアルキル基、炭素原子数3〜15のシクロアルキル基または芳香族炭化水素基が挙げられる。より具体的には、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、アミル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基及びオクタデシル基などが挙げられる。これらアルキル基はハロゲン原子で置換されていてもよい。   Here, the halogen atom is the same as the halogen atom in the general formula (I). Moreover, as a hydrocarbon group, a C1-C20 alkyl group, a C3-C15 cycloalkyl group, or an aromatic hydrocarbon group is mentioned normally. More specifically, examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an amyl group, a hexyl group, an octyl group, a decyl group, a dodecyl group, and an octadecyl group. These alkyl groups may be substituted with a halogen atom.

シクロアルキル基としては、シクロヘキシル基が挙げられ、芳香族炭化水素基としては、アリール基、アラルキル基などが挙げられ、具体的には、フェニル基、トリル基、ナフチル基、ベンジル基、フェニルエチル基などが挙げられる。   Examples of the cycloalkyl group include a cyclohexyl group. Examples of the aromatic hydrocarbon group include an aryl group and an aralkyl group. Specifically, the phenyl group, the tolyl group, the naphthyl group, the benzyl group, and the phenylethyl group. Etc.

アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などが挙げられる。ここで、R29及びR30が結合している炭素原子と、R33が結合している炭素原子またはR31が結合している炭素原子とは、直接あるいは炭素原子数1〜3のアルキレン基を介して結合していてもよい。すなわち、上記二個の炭素原子がアルキレン基を介して結合している場合には、R29とR33とが、または、R30とR31とが互いに共同して、メチレン基(−CH2−)、エチレン基(−CH2CH2−)またはプロピレン基(−CH2CH2CH2−)の内のいずれかのアルキレン基を形成している。 Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, and a propoxy group. Here, the carbon atom to which R 29 and R 30 are bonded and the carbon atom to which R 33 is bonded or the carbon atom to which R 31 is bonded are directly or an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms. It may be connected via. That is, when the two carbon atoms are bonded via an alkylene group, R 29 and R 33 , or R 30 and R 31 jointly form a methylene group (—CH 2 -), Ethylene group (—CH 2 CH 2 —) or propylene group (—CH 2 CH 2 CH 2 —) of any alkylene group is formed.

さらに、r=s=0のとき、R35とR32またはR35とR39とは互いに結合して単環または多環の芳香族環を形成していてもよい。具体的には、r=s=0のとき、R35とR32とにより形成される以下のような芳香族環が挙げられる。 Further, when r = s = 0, R 35 and R 32 or R 35 and R 39 may be bonded to each other to form a monocyclic or polycyclic aromatic ring. Specifically, when r = s = 0, the following aromatic rings formed by R 35 and R 32 are exemplified.

Figure 2012027412
Figure 2012027412

ここで、qは、一般式(II)におけるqと同義である。   Here, q is synonymous with q in the general formula (II).

本発明に係る一般式(I)または(II)で表される環状オレフィンとしては、具体的には、ビシクロ−2−ヘプテン誘導体(ビシクロヘプト−2−エン誘導体)、トリシクロ−3−デセン誘導体、トリシクロ−3−ウンデセン誘導体、テトラシクロ−3−ドデセン誘導体、ペンタシクロ−4−ペンタデセン誘導体、ペンタシクロペンタデカジエン誘導体、ペンタシクロ−3−ペンタデセン誘導体、ペンタシクロ−3−ヘキサデセン誘導体、ペンタシクロ−4−ヘキサデセン誘導体、ヘキサシクロ−4−ヘプタデセン誘導体、ヘプタシクロ−5−エイコセン誘導体、ヘプタシクロ−4−エイコセン誘導体、ヘプタシクロ−5−ヘンエイコセン誘導体、オクタシクロ−5−ドコセン誘導体、ノナシクロ−5−ペンタコセン誘導体、ノナシクロ−6−ヘキサコセン誘導体、シクロペンタジエン−アセナフチレン付加物、1,4−メタノ−1,4,4a,9a−テトラヒドロフルオレン誘導体、1,4−メタノ−1,4,4a,5,10,10a−ヘキサヒドロアントラセン誘導体などが挙げられる。   Specific examples of the cyclic olefin represented by the general formula (I) or (II) according to the present invention include bicyclo-2-heptene derivatives (bicyclohept-2-ene derivatives), tricyclo-3-decene derivatives, tricyclo -3-undecene derivatives, tetracyclo-3-dodecene derivatives, pentacyclo-4-pentadecene derivatives, pentacyclopentadecadiene derivatives, pentacyclo-3-pentadecene derivatives, pentacyclo-3-hexadecene derivatives, pentacyclo-4-hexadecene derivatives, hexacyclo- 4-heptadecene derivative, heptacyclo-5-eicosene derivative, heptacyclo-4-eicosene derivative, heptacyclo-5-heneicosene derivative, octacyclo-5-docosene derivative, nonacyclo-5-pentacocene derivative, nonacyclo-6 Xacocene derivative, cyclopentadiene-acenaphthylene adduct, 1,4-methano-1,4,4a, 9a-tetrahydrofluorene derivative, 1,4-methano-1,4,4a, 5,10,10a-hexahydroanthracene derivative Etc.

以下に、本発明に係る一般式(I)または(II)で表される環状オレフィンのより具体的な例を示すが、本発明ではこれら例示する化合物にのみ限定されるものではない。   Specific examples of the cyclic olefin represented by the general formula (I) or (II) according to the present invention are shown below, but the present invention is not limited to these exemplified compounds.

《ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン誘導体》
1)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン
2)6−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン
3)5,6−ジメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン
4)1−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン
5)6−エチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン
6)6−n−ブチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン
7)6−イソブチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン
8)7−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、等
<< Bicyclo [2.2.1] hept-2-ene derivative >>
1) Bicyclo [2.2.1] hept-2-ene 2) 6-Methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene 3) 5,6-Dimethylbicyclo [2.2.1] hept- 2-ene 4) 1-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene 5) 6-ethylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene 6) 6-n-butylbicyclo [2. 2.1] Hept-2-ene 7) 6-Isobutylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene 8) 7-Methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, etc.

《テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン誘導体》
9)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
10)8−メチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
11)8−エチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
12)8−プロピルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
13)8−ブチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
14)8−イソブチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
15)8−ヘキシルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
16)8−シクロヘキシルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
17)8−ステアリルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
18)5,10−ジメチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
19)2,10−ジメチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
20)8,9−ジメチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
21)8−エチル−9−メチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
22)11,12−ジメチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
23)2,7,9−トリメチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
24)9−エチル−2,7−ジメチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
25)9−イソブチル−2,7−ジメチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
26)9,11,12−トリメチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
27)9−エチル−11,12−ジメチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
28)9−イソブチルー11,12−ジメチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
29)5,8,9,10−テトラメチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
30)8−エチリデンテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
31)8−エチリデン−9−メチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
32)8−エチリデン−9−エチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
33)8−エチリデン−9−イソプロピルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
34)8−エチリデン−9−ブチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
35)8−n−プロピリデンテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
36)8−n−プロピリデン−9−メチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
37)8−n−プロピリデン−9−エチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
38)8−n−プロピリデン−9−イソプロピルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
39)8−n−プロピリデン−9−ブチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
40)8−イソプロピリデンテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
41)8−イソプロピリデン−9−メチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
42)8−イソプロピリデン−9−エチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
43)8−イソプロピリデン−9−イソプロピルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
44)8−イソプロピリデン−9−ブチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
45)8−クロロテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
46)8−ブロモテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
47)8−フルオロテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン
48)8,9−ジクロロテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、等
<< Tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1,7,10 ] -3-dodecene derivative >>
9) Tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 10) 8-Methyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 11) 8-ethyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 12) 8-propyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 13) 8-Butyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 14) 8-isobutyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 15) 8-hexyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 16) 8-cyclohexyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 17) 8-stearyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 18) 5,10-dimethyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 19) 2,10-dimethyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 20) 8,9-dimethyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 21) 8-ethyl-9-methyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 22) 11,12-dimethyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 23) 2,7,9-trimethyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 24) 9-ethyl-2,7-dimethyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 25) 9-isobutyl-2,7-dimethyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 26) 9,11,12-trimethyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 27) 9-ethyl-11,12-dimethyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 28) 9-isobutyl-11,12-dimethyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 29) 5,8,9,10-tetramethyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 30) 8-ethylidenetetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 31) 8-ethylidene-9-methyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 32) 8-ethylidene-9-ethyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 33) 8-ethylidene-9-isopropyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 34) 8-ethylidene-9-butyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 35) 8-n-propylidenetetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 36) 8-n-propylidene-9-methyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 37) 8-n-propylidene-9-ethyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 38) 8-n-propylidene-9-isopropyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 39) 8-n-propylidene-9-butyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 40) 8-isopropylidenetetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 41) 8-isopropylidene-9-methyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 42) 8-isopropylidene-9-ethyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 43) 8-isopropylidene-9-isopropyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 44) 8-isopropylidene-9-butyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 45) 8-chlorotetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 46) 8-Bromotetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 47) 8-fluorotetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 48) 8,9-dichlorotetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene, etc.

《ヘキサシクロ[6.6.1.13,6.110,13.02,7.09,14]−4−ヘプタデセン
誘導体》
49)ヘキサシクロ[6.6.1.13,6.110,13.02,7.09,14]−4−ヘプタデ
セン
50)12−メチルヘキサシクロ[6.6.1.13,6.110,13.02,7.09,14]−
4−ヘプタデセン
51)12−エチルヘキサシクロ[6.6.1.13,6.110,13.02,7.09,14]−
4−ヘプタデセン
52)12−イソブチルヘキサシクロ[6.6.1.13,6.110,13.02,7.09,14
]−4−ヘプタデセン
53)1,6,10−トリメチル−12−イソブチルヘキサシクロ[6.6.1.13,6.110,13.02,7.09,14]−4−ヘプタデセン、等
<< Hexacyclo [6.6.1.1 3,6 . 1 10,13 . 0 2,7 . 0 9,14] -4-heptadecene derivative "
49) Hexacyclo [6.6.1.1 3,6 . 1 10,13 . 0 2,7 . 0 9,14] -4-heptadecene 50) 12-methyl hexa cyclo [6.6.1.1 3, 6. 1 10,13 . 0 2,7 . 0 9,14 ] −
4-Heptadecene 51) 12-ethylhexacyclo [6.6.1.1 3,6 . 1 10,13 . 0 2,7 . 0 9,14 ] −
4-heptadecene 52) 12-isobutylhexacyclo [6.6.1.1 3,6 . 1 10,13 . 0 2,7 . 0 9,14
] -4-heptadecene 53) 1,6,10-trimethyl-12-isobutylhexacyclo [6.6.1.1 3,6 . 1 10,13 . 0 2,7 . 0 9,14] -4-heptadecene, etc.

《オクタシクロ[8.8.0.12,9.14,7.111,18.113,16.03,8.012,17]−5−ドコセン誘導体》
54)オクタシクロ[8.8.0.12,9.14,7.111,18.113,16.03,8.012,17]−5−ドコセン
55)15−メチルオクタシクロ[8.8.0.12,9.14,7.111,18.113,16.03,8.012,17]−5−ドコセン
56)15−エチルオクタシクロ[8.8.0.12,9.14,7.111,18.113,16.03,8.012,17]−5−ドコセン、等
<< Octacyclo [8.8.0.1 2,9 . 1 4,7 . 1 11,18 . 1 13,16 . 0 3,8 . 0 12,17 ] -5-docosene derivative >>
54) Octacyclo [8.8.0.1 2,9 . 1 4,7 . 1 11,18 . 1 13,16 . 0 3,8 . 0 12,17 ] -5-docosene 55) 15-methyloctacyclo [8.8.0.1 2,9 . 1 4,7 . 1 11,18 . 1 13,16 . 0 3,8 . 0 12,17 ] -5-docosene 56) 15-ethyloctacyclo [8.8.0.1 2,9 . 1 4,7 . 1 11,18 . 1 13,16 . 0 3,8 . 0 12,17 ] -5-docosene, etc.

《ペンタシクロ[6.6.1.13,6.02,7.09,14]−4−ヘキサデセン誘導体》
57)ペンタシクロ[6.6.1.13,6.02,7.09,14]−4−ヘキサデセン
58)1,3−ジメチルペンタシクロ[6.6.1.13,6.02,7.09,14]−4−ヘキサデセン
59)1,6−ジメチルペンタシクロ[6.6.1.13,6.02,7.09,14]−4−ヘキサデセン
60)15,16−ジメチルペンタシクロ[6.6.1.13,6.02,7.09,14]−4−ヘキサデセン、等
<< Pentacyclo [6.6.1.1 3,6 . 0 2,7 . 0 9,14 ] -4-hexadecene derivative >>
57) Pentacyclo [6.6.1.1 3,6 . 0 2,7 . 0 9,14 ] -4-hexadecene 58) 1,3-dimethylpentacyclo [6.6.1.1 3,6 . 0 2,7 . 0 9,14 ] -4-hexadecene 59) 1,6-dimethylpentacyclo [6.6.1.1 3,6 . 0 2,7 . 0 9,14 ] -4-hexadecene 60) 15,16-dimethylpentacyclo [6.6.1.1 3,6 . 0 2,7 . 0 9,14 ] -4-hexadecene, etc.

《ヘプタシクロ−5−エイコセン誘導体あるいはヘプタシクロ−5−ヘンエイコセン誘導体》
61)ヘプタシクロ[8.7.0.12,9.14,7.111,17.03,8.012,16]−5−
エイコセン
62)ヘプタシクロ[8.8.0.12,9.14,7.111,18.03,8.012,17]−5−
ヘンエイコセン、等
<Heptacyclo-5-eicosene derivative or heptacyclo-5-heneicosene derivative>
61) Heptacyclo [8.7.0.1 2,9 . 1 4,7 . 1 11,17 . 0 3,8 . 0 12,16 ] -5
Eicosene 62) Heptacyclo [8.8.0.1 2,9 . 1 4,7 . 1 11,18 . 0 3,8 . 0 12,17 ] -5
Henikosen, etc.

《トリシクロ[4.3.0.12,5]−3−デセン誘導体》
63)トリシクロ[4.3.0.12,5]−3−デセン
64)2−メチルトリシクロ[4.3.0.12,5]−3−デセン
65)5−メチルトリシクロ[4.3.0.12,5]−3−デセン、等
<< Tricyclo [4.3.0.1 2,5 ] -3-decene derivative >>
63) Tricyclo [4.3.0.1 2,5 ] -3-decene 64) 2-Methyltricyclo [4.3.0.1 2,5 ] -3-decene 65) 5-Methyltricyclo [ 4.3.0.1 2,5 ] -3-decene, etc.

《トリシクロ[4.4.0.12,5]−3−ウンデセン誘導体》
66)トリシクロ[4.4.0.12,5]−3−ウンデセン
67)10−メチルトリシクロ[4.4.0.12,5]−3−ウンデセン、等
<< Tricyclo [4.4.0.1 2,5 ] -3-undecene derivative >>
66) Tricyclo [4.4.0.1 2,5 ] -3-undecene 67) 10-Methyltricyclo [4.4.0.1 2,5 ] -3-undecene, etc.

《ペンタシクロ[6.5.1.13,6.02,7.09,13]−4−ペンタデセン誘導体》
68)ペンタシクロ[6.5.1.13,6.02,7.09,13]−4−ペンタデセン
69)1,3−ジメチルペンタシクロ[6.5.1.13,6.02,7.09,13]−4−ペンタデセン
70)1,6−ジメチルペンタシクロ[6.5.1.13,6.02,7.09,13]−4−ペンタデセン
71)14,15−ジメチルペンタシクロ[6.5.1.13,6.02,7.09,13]−4−ペンタデセン、等
<< Pentacyclo [6.5.1.1 3,6 . 0 2,7 . 0 9,13 ] -4-pentadecene derivative >>
68) Pentacyclo [6.5.1.1 3,6 . 0 2,7 . 0 9,13 ] -4-pentadecene 69) 1,3-dimethylpentacyclo [6.5.1.1 3,6 . 0 2,7 . 0 9,13 ] -4-pentadecene 70) 1,6-dimethylpentacyclo [6.5.1.1 3,6 . 0 2,7 . 0 9,13 ] -4-pentadecene 71) 14,15-dimethylpentacyclo [6.5.1.1 3,6 . 0 2,7 . 0 9,13 ] -4-pentadecene, etc.

《ジエン化合物》
72)ペンタシクロ[6.5.1.13,6.02,7.09,13]−4、10−ペンタデカジエン、等
<Diene compound>
72) Pentacyclo [6.5.1.1 3,6 . 0 2,7 . 0 9,13] -4, 10- pentadecadien, etc.

《ペンタシクロ[7.4.0.12,6.19,12.08,13]−3−ペンタデセン誘導体》
73)ペンタシクロ[7.4.0.12,6.19,12.08,13]−3−ペンタデセン
74)メチル置換ペンタシクロ[7.4.0.12,6.19,12.08,13]−3−ペンタデセン、等
<< Pentacyclo [7.4.0.1 2,6 . 1 9,12 . 0 8,13 ] -3-pentadecene derivative >>
73) Pentacyclo [7.4.0.1 2,6 . 1 9,12 . 0 8,13] -3-pentadecene 74) methyl-substituted pentacyclo [7.4.0.1 2,6. 1 9,12 . 0 8,13 ] -3-pentadecene, etc.

《ヘプタシクロ[8.7.0.13,6.110,17.112,15.02,7.011,16]−4−エ
イコセン誘導体》
75)ヘプタシクロ[8.7.0.13,6.110,17.112,15.02,7.011,16]−4
−エイコセン
76)ジメチル置換ヘプタシクロ[8.7.0.13,6.110,17.112,15.02,7.011,16]−4−エイコセン、等
<< Heptacyclo [8.7.0.1 3,6 . 1 10,17 . 1 12,15 . 0 2,7 . 0 11,16 ] -4-eicosene derivative >>
75) Heptacyclo [8.7.0.1 3,6 . 1 10,17 . 1 12,15 . 0 2,7 . 0 11,16 ] -4
-Eicosene 76) Dimethyl-substituted heptacyclo [8.7.0.1 3,6 . 1 10,17 . 1 12,15 . 0 2,7 . 0 11,16 ] -4-Eicosen, etc.

《ノナシクロ[10.9.1.14,7.113,20.115,18.03,8.02,10.012,21
14,19]−5−ペンタコセン誘導体》
77)ノナシクロ[10.9.1.14,7.113,20.115,18.03,8.02,10.012,21.014,19]−5−ペンタコセン
78)トリメチル置換ノナシクロ[10.9.1.14,7.113,20.115,18.03,8.02,10.012,21.014,19]−5−ペンタコセン、等
<< Nonacyclo [10.9.1.1 4,7 . 1 13,20 . 1 15,18 . 0 3,8 . 0 2,10 . 0 12,21 .
0 14, 19] -5-pentacosenoic derivative "
77) Nonacyclo [10.9.1.1 4,7 . 1 13,20 . 1 15,18 . 0 3,8 . 0 2,10 . 0 12,21 . 0 14,19] -5-pentacosene 78) trimethyl-substituted Nonashikuro [10.9.1.1 4, 7. 1 13,20 . 1 15,18 . 0 3,8 . 0 2,10 . 0 12,21 . 0 14, 19] -5-pentacosenoic, etc.

《ペンタシクロ[8.4.0.12,5.19,12.08,13]−3−ヘキサデセン誘導体》
79)ペンタシクロ[8.4.0.12,5.19,12.08,13]−3−ヘキサデセン
80)11−メチル−ペンタシクロ[8.4.0.12,5.19,12.08,13]−3−ヘキサデセン
81)11−エチル−ペンタシクロ[8.4.0.12,5.19,12.08,13]−3−ヘキサデセン
82)10,11−ジメチル−ペンタシクロ[8.4.0.12,5.19,12.08,13
−3−ヘキサデセン、等
<< Pentacyclo [8.4.0.1 2,5 . 1 9,12 . 0 8,13 ] -3-hexadecene derivative >>
79) Pentacyclo [8.4.0.1 2,5 . 1 9,12 . 0 8,13 ] -3-hexadecene 80) 11-methyl-pentacyclo [8.4.0.1 2,5 . 1 9,12 . 0 8,13 ] -3-hexadecene 81) 11-ethyl-pentacyclo [8.4.0.1 2,5 . 1 9,12 . 0 8,13 ] -3-hexadecene 82) 10,11-dimethyl-pentacyclo [8.4.0.1 2,5 . 1 9,12 . 0 8,13 ]
-3-hexadecene, etc.

《ヘプタシクロ[8.8.0.14,7.111,18.113,16.03,8.012,17]−5−ヘ
ンエイコセン誘導体》
83)ヘプタシクロ[8.8.0.14,7.111,18.113,16.03,8.012,17]−5
−ヘンエイコセン
84)15−メチル−ヘプタシクロ[8.8.0.14,7.111,18.113,16.03,8.012,17]−5−ヘンエイコセン
85)トリメチル−ヘプタシクロ[8.8.0.14,7.111,18.113,16.03,8.012,17]−5−ヘンエイコセン、等
<< Heptacyclo [8.8.0.1 4,7 . 1 11,18 . 1 13,16 . 0 3,8 . 0 12,17 ] -5- Heneicosene derivative >>
83) Heptacyclo [8.8.0.1 4,7 . 1 11,18 . 1 13,16 . 0 3,8 . 0 12,17 ] -5
Haneicosene 84) 15-Methyl-heptacyclo [8.8.0.1 4,7 . 1 11,18 . 1 13,16 . 0 3,8 . 0 12,17 ] -5- Heneicosene 85) Trimethyl-heptacyclo [8.8.0.1 4,7 . 1 11,18 . 1 13,16 . 0 3,8 . 0 12,17 ] -5- Haneikosen , etc.

《ノナシクロ[10.10.1.15,8.114,21.116,19.02,11.04,9.013,22
.015,20]−5−ヘキサコセン誘導体》
86)ノナシクロ[10.10.1.15,8.114,21.116,19.02,11.04,9.013,22.015,20]−5−ヘキサコセン、等
<< Nonacyclo [10.10.1 5,8 . 1 14,21 . 1 16,19 . 0 2,11 . 0 4,9 . 0 13,22
. 0 15,20] -5-hexacosenoic derivative "
86) Nonacyclo [10.10.1 5,8 . 1 14,21 . 1 16,19 . 0 2,11 . 0 4,9 . 0 13,22 . 0 15,20] -5-hexacosenoic, etc.

《その他》
87)5−フェニル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン
88)5−メチル−5−フェニル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン
89)5−ベンジル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン
90)5−トリル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン
91)5−(エチルフェニル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン
92)5−(イソプロピルフェニル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン
93)5−(ビフェニル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン
94)5−(β−ナフチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン
95)5−(α−ナフチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン
96)5−(アントラセニル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン
97)5,6−ジフェニル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン
98)シクロペンタジエン−アセナフチレン付加物
99)1,4−メタノ−1,4,4a,9a−テトラヒドロフルオレン
100)1,4−メタノ−1,4,4a,5,10,10a−ヘキサヒドロアントラセン
101)8−フェニル−テトラシクロ[4.4.0.03,5.17,10]−3−ドデセン
102)8−メチル−8−フェニル−テトラシクロ[4.4.0.03,5.17,10]−3−ドデセン
103)8−ベンジル−テトラシクロ[4.4.0.03,5.17,10]−3−ドデセン
104)8−トリル−テトラシクロ[4.4.0.03,5.17,10]−3−ドデセン
105)8−(エチルフェニル)−テトラシクロ[4.4.0.03,5.17,10]−3−ドデセン
106)8−(イソプロピルフェニル)−テトラシクロ[4.4.0.03,5.17,10]−3−ドデセン
107)8,9−ジフェニル−テトラシクロ[4.4.0.03,5.17,10]−3−ドデセン
108)8−(ビフェニル)−テトラシクロ[4.4.0.03,5.17,10]−3−ドデセン
109)8−(β−ナフチル)−テトラシクロ[4.4.0.03,5.17,10]−3−ドデセン
110)8−(α−ナフチル)−テトラシクロ[4.4.0.03,5.17,10]−3−ドデセン
111)8−(アントラセニル)−テトラシクロ[4.4.0.03,5.17,10]−3−ドデセン
112)(シクロペンタジエン−アセナフチレン付加物)に、シクロペンタジエンを更に付加した化合物
113)11,12−ベンゾ−ペンタシクロ[6.5.1.13,6.02,7.09,13]−4−ペンタデセン
114)11,12−ベンゾ−ペンタシクロ[6.5.1.13,6.02,7.09,13]−4−ヘキサデセン
115)11−フェニル−ヘキサシクロ[6.6.1.13,6.110,13.02,7.09,14]−4−ヘプタデセン
116)14,15−ベンゾ−ヘプタシクロ[8.7.0.12,9.14,7.111,17
3,8.012,16]−5−エイコセン
<Others>
87) 5-Phenyl-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene 88) 5-Methyl-5-phenyl-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene 89) 5-Benzyl-bicyclo [ 2.2.1] hept-2-ene 90) 5-tolyl-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene 91) 5- (ethylphenyl) -bicyclo [2.2.1] hept-2 -Ene 92) 5- (isopropylphenyl) -bicyclo [2.2.1] hept-2-ene 93) 5- (biphenyl) -bicyclo [2.2.1] hept-2-ene 94) 5- ( β-naphthyl) -bicyclo [2.2.1] hept-2-ene 95) 5- (α-naphthyl) -bicyclo [2.2.1] hept-2-ene 96) 5- (anthracenyl) -bicyclo [2.2.1] Hept-2-ene 97) 5,6 Diphenyl-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene 98) Cyclopentadiene-acenaphthylene adduct 99) 1,4-methano-1,4,4a, 9a-tetrahydrofluorene 100) 1,4-methano-1 4,4a, 5,10,10a-hexahydroanthracene 101) 8-phenyl-tetracyclo [4.4.0.0 3,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 102) 8-methyl-8-phenyl-tetracyclo [4.4.0.0 3,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 103) 8-benzyl-tetracyclo [4.4.0.0 3,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 104) 8-Tolyl-tetracyclo [4.4.0.0 3,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 105) 8- (ethylphenyl) -tetracyclo [4.4.0.0 3,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 106) 8- (Isopropylphenyl) -tetracyclo [4.4.0.0 3,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 107) 8,9-diphenyl-tetracyclo [4.4.0.0 3,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 108) 8- (biphenyl) -tetracyclo [4.4.0.0 3,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 109) 8- (β-naphthyl) -tetracyclo [4.4.0.0 3,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 110) 8- (α-naphthyl) -tetracyclo [4.4.0.0 3,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 111) 8- (anthracenyl) -tetracyclo [4.4.0.0 3,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene 112) (cyclopentadiene-acenaphthylene adduct) and cyclopentadiene further added 113) 11,12-benzo-pentacyclo [6.5.1.1 3,6 . 0 2,7 . 0 9,13 ] -4-pentadecene 114) 11,12-benzo-pentacyclo [6.5.1.1 3,6 . 0 2,7 . 0 9,13] -4-hexadecene 115) 11-phenyl - hexacyclo [6.6.1.1 3, 6. 1 10,13 . 0 2,7 . 0 9,14] -4-heptadecene 116) 14,15-benzo - heptacyclo [8.7.0.1 2,9. 1 4,7 . 1 11,17 .
0 3,8 . 0 12,16 ] -5-Eicosen

[α−オレフィン]
共重合体を構成するα−オレフィンとしては、例えば、エチレン、プロピレン、1−ブテン、1−ペンテン、1−ヘキセン、1−オクテン、1−デセン、1−ドデセン、1−テトラデセン、1−ヘキサデセン、1−オクタデセン、1−エイコセンなどの直鎖状α−オレフィン;4−メチル−1−ペンテン、3−メチル−1−ペンテン、3−メチル−1−ブテンなどの分岐状α−オレフィンなどが挙げられる。好ましくは、炭素原子数が2〜20のα−オレフィンが好ましい。このような直鎖状または分岐状のα−オレフィンは置換基で置換されていても良く、また1種単独、或いは2種以上組合わせて用いることができる。
[Α-olefin]
Examples of the α-olefin constituting the copolymer include ethylene, propylene, 1-butene, 1-pentene, 1-hexene, 1-octene, 1-decene, 1-dodecene, 1-tetradecene, 1-hexadecene, Examples include linear α-olefins such as 1-octadecene and 1-eicosene; branched α-olefins such as 4-methyl-1-pentene, 3-methyl-1-pentene and 3-methyl-1-butene. . An α-olefin having 2 to 20 carbon atoms is preferable. Such a linear or branched α-olefin may be substituted with a substituent, and may be used singly or in combination of two or more.

置換基としては、種々のものが挙げられ特に制限はないが、代表的なものとしてアルキル、アリール、アニリノ、アシルアミノ、スルホンアミド、アルキルチオ、アリールチオ、アルケニル、シクロアルキル、シクロアルケニル、アルキニル、複素環、アルコキシ、アリールオキシ、複素環オキシ、シロキシ、アミノ、アルキルアミノ、イミド、ウレイド、スルファモイルアミノ、アルコキシカルボニルアミノ、アリールオキシカルボニルアミノ、アルコキシカルボニル、アリールオキシカルボニル、複素環チオ、チオウレイド、ヒドロキシル及びメルカプトの各基、並びにスピロ化合物残基、有橋炭化水素化合物残基、スルホニル、スルフィニル、スルホニルオキシ、スルファモイル、ホスホリル、カルバモイル、アシル、アシルオキシ、オキシカルボニル、カルボキシル、シアノ、ニトロ、ハロゲン置換アルコキシ、ハロゲン置換アリールオキシ、ピロリル、テトラゾリル等の各基及びハロゲン原子等が挙げられる。   Examples of the substituent include various substituents, but typical examples include alkyl, aryl, anilino, acylamino, sulfonamido, alkylthio, arylthio, alkenyl, cycloalkyl, cycloalkenyl, alkynyl, heterocycle, Alkoxy, aryloxy, heterocyclic oxy, siloxy, amino, alkylamino, imide, ureido, sulfamoylamino, alkoxycarbonylamino, aryloxycarbonylamino, alkoxycarbonyl, aryloxycarbonyl, heterocyclic thio, thioureido, hydroxyl and mercapto As well as spiro compound residues, bridged hydrocarbon compound residues, sulfonyl, sulfinyl, sulfonyloxy, sulfamoyl, phosphoryl, carbamoyl, acyl, acyloxy, Alkoxycarbonyl, carboxyl, cyano, nitro, halogen-substituted alkoxy, halogen-substituted aryloxy, pyrrolyl, and the like each group and a halogen atom tetrazolyl, and the like.

上記アルキル基としては炭素数1〜32のものが好ましく、直鎖でも分岐でもよい。アリール基としては、フェニル基が好ましい。   As said alkyl group, a C1-C32 thing is preferable and may be linear or branched. As the aryl group, a phenyl group is preferable.

アシルアミノ基としては、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基;スルホンアミド基としては、アルキルスルホニルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基;アルキルチオ基、アリールチオ基におけるアルキル成分、アリール成分は上記のアルキル基、アリール基が挙げられる。   As acylamino group, alkylcarbonylamino group, arylcarbonylamino group; as sulfonamide group, alkylsulfonylamino group, arylsulfonylamino group; alkylthio group, alkyl component in arylthio group, aryl component is the above alkyl group, aryl group Is mentioned.

アルケニル基としては炭素数2〜23のもの、シクロアルキル基としては炭素数3〜12、特に5〜7のものが好ましく、アルケニル基は直鎖でも分岐でもよい。シクロアルケニル基としては炭素数3〜12、特に5〜7のものが好ましい。   The alkenyl group preferably has 2 to 23 carbon atoms, and the cycloalkyl group preferably has 3 to 12 carbon atoms, particularly 5 to 7 carbon atoms. The alkenyl group may be linear or branched. The cycloalkenyl group preferably has 3 to 12 carbon atoms, particularly 5 to 7 carbon atoms.

ウレイド基としては、アルキルウレイド基、アリールウレイド基;スルファモイルアミノ基としてはアルキルスルファモイルアミノ基、アリールスルファモイルアミノ基;複素環基としては5〜7員のものが好ましく、具体的には2−フリル、2−チエニル、2−ピリミジニル、2−ベンゾチアゾリル等;飽和複素環としては5〜7員のものが好ましく、具体的にはテトラヒドロピラニル、テトラヒドロチオピラニル等;複素環オキシ基としては5〜7員の複素環を有するものが好ましく、例えば、3,4,5,6−テトラヒドロピラニル−2−オキシ、1−フェニルテトラゾール−5−オキシ等;複素環チオ基としては5〜7員の複素環チオ基が好ましく、例えば2−ピリジルチオ、2−ベンゾチアゾリルチオ、2,4−ジフェノキシ−1,3,5−トリアゾール−6−チオ等;シロキシ基としてはトリメチルシロキシ、トリエチルシロキシ、ジメチルブチルシロキシ等;イミド基としては琥珀酸イミド、3−ヘプタデシル琥珀酸イミド、フタルイミド、グルタルイミド等;スピロ化合物残基としてはスピロ[3.3]ヘプタン−1−イル等;有橋炭化水素化合物残基としてはビシクロ[2.2.1]ヘプタン−1−イル、トリシクロ[3.3.1.13.7]デカン−1−イル、7,7−ジメチル−ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−1−イル等が挙げられる。   The ureido group is preferably an alkylureido group or an arylureido group; the sulfamoylamino group is preferably an alkylsulfamoylamino group or an arylsulfamoylamino group; 2-furyl, 2-thienyl, 2-pyrimidinyl, 2-benzothiazolyl, etc .; the saturated heterocyclic ring is preferably a 5- to 7-membered one, specifically tetrahydropyranyl, tetrahydrothiopyranyl, etc .; heterocyclic oxy The group preferably has a 5- to 7-membered heterocyclic ring, such as 3,4,5,6-tetrahydropyranyl-2-oxy, 1-phenyltetrazol-5-oxy, etc .; 5- to 7-membered heterocyclic thio groups are preferred, for example 2-pyridylthio, 2-benzothiazolylthio, 2,4-diphenoxy-1 3,5-triazole-6-thio, etc .; as siloxy group, trimethylsiloxy, triethylsiloxy, dimethylbutylsiloxy, etc .; as imide group, succinimide, 3-heptadecyl succinimide, phthalimide, glutarimide, etc .; remaining spiro compound As the group, spiro [3.3] heptan-1-yl and the like; as the bridged hydrocarbon compound residue, bicyclo [2.2.1] heptan-1-yl, tricyclo [3.3.1.13.7 Decan-1-yl, 7,7-dimethyl-bicyclo [2.2.1] heptan-1-yl, and the like.

スルホニル基としては、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、ハロゲン置換アルキルスルホニル基、ハロゲン置換アリールスルホニル基等;スルフィニル基としては、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基等;スルホニルオキシ基としては、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基等;スルファモイル基としては、N,N−ジアルキルスルファモイル基、N,N−ジアリールスルファモイル基、N−アルキル−N−アリールスルファモイル等;ホスホリル基としては、アルコキシホスホリル基、アリールオキシホスホリル基、アルキルホスホリル基、アリールホスホリル基等;カルバモイル基としては、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N,N−ジアリールカルバモイル基、N−アルキル−N−アリールカルバモイル基等;アシル基としては、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基等;アシルオキシ基としては、アルキルカルボニルオキシ基等;オキシカルボニル基としては、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基等;ハロゲン置換アルコキシ基としてはα−ハロゲン置換アルコキシ基等;ハロゲン置換アリールオキシ基としては、テトラフルオロアリールオキシ基、ペンタフルオロアリールオキシ基等;ピロリル基としては1−ピロリル等;テトラゾリル基としては1−テトラゾリル等の各基が挙げられる。   As the sulfonyl group, an alkylsulfonyl group, an arylsulfonyl group, a halogen-substituted alkylsulfonyl group, a halogen-substituted arylsulfonyl group, etc .; As a sulfinyl group, an alkylsulfinyl group, an arylsulfinyl group, etc .; As a sulfonyloxy group, an alkylsulfonyloxy group , Arylsulfonyloxy groups, etc .; as sulfamoyl groups, N, N-dialkylsulfamoyl groups, N, N-diarylsulfamoyl groups, N-alkyl-N-arylsulfamoyl groups, etc .; as phosphoryl groups, alkoxy A phosphoryl group, an aryloxyphosphoryl group, an alkylphosphoryl group, an arylphosphoryl group, etc .; examples of the carbamoyl group include an N, N-dialkylcarbamoyl group, an N, N-diarylcarbamoyl group, and an N-alkyl-N group. An arylcarbamoyl group and the like; an acyl group such as an alkylcarbonyl group and an arylcarbonyl group; an acyloxy group such as an alkylcarbonyloxy group and the like; an oxycarbonyl group such as an alkoxycarbonyl group and an aryloxycarbonyl group; a halogen-substituted alkoxy group Α-halogen-substituted alkoxy group and the like; halogen-substituted aryloxy groups such as tetrafluoroaryloxy group and pentafluoroaryloxy group; pyrrolyl group such as 1-pyrrolyl and the like; tetrazolyl group such as 1-tetrazolyl and the like Groups.

上記置換基の他に、トリフルオロメチル、ヘプタフルオロ−i−プロピル、ノニルフルオロ−t−ブチル等の各基や、テトラフルオロアリール基、ペンタフルオロアリール基なども好ましく用いられる。更に、これらの置換基は、他の置換基で置換されてもよい。   In addition to the above substituents, groups such as trifluoromethyl, heptafluoro-i-propyl, nonylfluoro-t-butyl, tetrafluoroaryl groups, pentafluoroaryl groups and the like are also preferably used. Furthermore, these substituents may be substituted with other substituents.

また、共重合体中の非環状モノマー含有量は、成型性の観点から20質量%以上であることが好ましく、25%以上で90%以下であることがより好ましく、30%以上で85%以下であることがさらに好ましい。   Further, the acyclic monomer content in the copolymer is preferably 20% by mass or more from the viewpoint of moldability, more preferably 25% or more and 90% or less, and 30% or more and 85% or less. More preferably.

反射防止膜60は機能膜の一例であり、複数の層を積層した多層構造を有している。
詳しくは、図2に示す通り、樹脂成形部50の表面52上には1層目の第1の膜62が直に形成され、第1の膜62上に2層目の第2の膜64が形成され、第2の膜64上に3層目の第3の膜66が形成されている。
The antireflection film 60 is an example of a functional film, and has a multilayer structure in which a plurality of layers are stacked.
Specifically, as shown in FIG. 2, the first film 62 of the first layer is directly formed on the surface 52 of the resin molded portion 50, and the second film 64 of the second layer is formed on the first film 62. The third film 66 of the third layer is formed on the second film 64.

第1の膜62は、SiO:Al=90〜99:1〜10の混合比を有しかつ密度が2.0g/cm以上の高密度材料から構成されている。当該高密度材料としてはメルク(株)製HDL5が好適に使用される。ここでいう「密度」とは、粒状(直径1〜2mm程度)の当該高密度材料を、1l(リットル)の容器に充填して測定した値であり、高密度材料としてメルク(株)製HDL5を使用する場合は、メルク(株)の測定方法にしたがって測定した値である。
第1の膜62はSiOとAlとで構成され、これら2つの化合物の混合比の合計が100となることが好ましい。
第1の膜62は、波長400〜410nmの光に対する屈折率が1.47〜1.52であり、膜厚が15〜300nmである。
The first film 62 is made of a high-density material having a mixing ratio of SiO 2 : Al 2 O 3 = 90 to 99: 1 to 10 and a density of 2.0 g / cm 3 or more. As the high density material, HDL5 manufactured by Merck Co., Ltd. is preferably used. “Density” as used herein is a value measured by filling a granular (about 1 to 2 mm in diameter) high-density material into a 1 l (liter) container. As a high-density material, HDL5 manufactured by Merck Ltd. Is the value measured according to the measurement method of Merck Co., Ltd.
The first film 62 is composed of SiO 2 and Al 2 O 3, and the total mixing ratio of these two compounds is preferably 100.
The first film 62 has a refractive index with respect to light having a wavelength of 400 to 410 nm of 1.47 to 1.52, and a film thickness of 15 to 300 nm.

第2の膜64は、波長400〜410nmの光に対する屈折率が1.61以上の高屈折率材料から構成されており、好ましくはZrO,TiO,ZrOとTiOとの混合物,Ta,TaとTiOとの混合物のいずれかで構成されている。第2の膜64はSc,LaO,LaF,Y,HfO,TaO,TiO,NbSiN又はこれらの混合物で構成されてもよい。
第2の膜64は、膜厚が15〜1000nmである。
The second film 64 is made of a high refractive index material having a refractive index of 1.61 or more with respect to light having a wavelength of 400 to 410 nm, preferably ZrO 2 , TiO 2 , a mixture of ZrO 2 and TiO 2 , Ta It is composed of any of 2 O 5 , a mixture of Ta 2 O 5 and TiO 2 . The second film 64 may be composed of Sc 2 O 3 , LaO 3 , LaF 2 , Y 2 O 3 , HfO 2 , TaO, TiO 2 , Nb 2 O 3 SiN, or a mixture thereof.
The second film 64 has a thickness of 15 to 1000 nm.

第3の膜66は、第1の膜62と同様の膜である。
なお、本実施形態では、反射防止膜60は第1の膜62だけで構成してもよいし、第1の膜62と第2の膜64とで構成してもよい。第1の膜62だけで構成する場合、低屈折率材料と高屈折率材料とによる各膜を交互に積層した場合に比較して、反射防止性能が低下する可能性がある。
もちろん、反射防止膜60は、第3の膜66に対し、さらに第1の膜62と第2の膜64とを交互に積層して4層以上の層構造を有するものであってもよい。
The third film 66 is the same film as the first film 62.
In the present embodiment, the antireflection film 60 may be composed of only the first film 62 or may be composed of the first film 62 and the second film 64. In the case of only the first film 62, the antireflection performance may be reduced as compared with the case where the films of the low refractive index material and the high refractive index material are alternately laminated.
Of course, the antireflection film 60 may have a layer structure of four or more layers by alternately stacking the first film 62 and the second film 64 on the third film 66.

第1の膜62と第3の膜66とを、異種材料による膜で構成してもよい。
たとえば、第1の膜をSiO:Al=90〜99:1〜10の混合比を有しかつ密度が2.0g/cm以上の高密度材料で構成し、第3の膜をSiOなどの低屈折率材料で構成してもよい。
逆に、第1の膜をSiOなどの低屈折率材料で構成し、第3の膜をSiO:Al=90〜99:1〜10の混合比を有しかつ密度が2.0g/cm以上の高密度材料で構成してもよい。なお、SiO:Al=90〜99:1〜10の混合比を有しかつ密度が2.0g/cm以上の高密度材料で構成される膜を、樹脂成形部50の表面52上に直に形成してもよいし、当該高密度材料で構成される膜と表面52との間に、異種材料による膜を形成してもよい。
The first film 62 and the third film 66 may be composed of films made of different materials.
For example, the first film is made of a high-density material having a mixing ratio of SiO 2 : Al 2 O 3 = 90 to 99: 1 to 10 and a density of 2.0 g / cm 3 or more. May be made of a low refractive index material such as SiO 2 .
Conversely, the first film is made of a low refractive index material such as SiO 2 , and the third film has a mixing ratio of SiO 2 : Al 2 O 3 = 90 to 99: 1 to 10 and a density of 2 It may be composed of a high density material of 0.0 g / cm 3 or more. In addition, the surface of the resin molding part 50 is made of a film made of a high-density material having a mixing ratio of SiO 2 : Al 2 O 3 = 90 to 99: 1 to 10 and a density of 2.0 g / cm 3 or more. The film may be formed directly on the surface 52, or a film made of a different material may be formed between the film made of the high-density material and the surface 52.

続いて、対物レンズ37の製造方法の一例について説明する。   Then, an example of the manufacturing method of the objective lens 37 is demonstrated.

始めに、上記樹脂を、一定条件下で金型に対し射出成形し、所定形状を有する樹脂成形部50を形成する。
その後、上記高密度材料を蒸着源として、樹脂成形部50の表面52に対し、真空蒸着処理を実行し、第1の膜62を形成する。
その後、真空蒸着処理により、第1の膜62上に第2の膜64を形成し、第2の膜64上に第3の膜66を形成する。4層以上の層構造を有する反射防止膜60を形成する場合には、第1の膜62(または第3の膜66)の形成する工程と第2の膜64を形成する工程とを、繰り返し実行すればよい。
以上の処理により、樹脂成形部50の表面52に対し反射防止膜60を形成することができ、これにより対物レンズ37を製造することができる。
First, the resin is injection molded into a mold under a certain condition to form a resin molded portion 50 having a predetermined shape.
Thereafter, using the high-density material as a deposition source, a vacuum deposition process is performed on the surface 52 of the resin molded portion 50 to form the first film 62.
Thereafter, a second film 64 is formed on the first film 62 and a third film 66 is formed on the second film 64 by vacuum deposition. In the case of forming the antireflection film 60 having a layer structure of four or more layers, the step of forming the first film 62 (or the third film 66) and the step of forming the second film 64 are repeated. Just do it.
Through the above processing, the antireflection film 60 can be formed on the surface 52 of the resin molded part 50, whereby the objective lens 37 can be manufactured.

続いて、光ピックアップ装置30の動作について説明する。   Next, the operation of the optical pickup device 30 will be described.

光ディスクDへの情報の記録動作時や光ディスクDに記録された情報の再生動作時に、半導体レーザ発振器32からブルーレーザ光が出射される。出射されたブルーレーザ光は、コリメータ33を透過して無限平行光にコリメートされた後、ビームスプリッタ34を透過して、1/4波長板35を透過する。さらに、当該ブルーレーザ光は絞り36及び対物レンズ37を透過した後、光ディスクDの保護基板Dを介して情報記録面Dに集光スポットを形成する。 Blue laser light is emitted from the semiconductor laser oscillator 32 during an operation of recording information on the optical disc D or an operation of reproducing information recorded on the optical disc D. The emitted blue laser light passes through the collimator 33 and is collimated into infinite parallel light, then passes through the beam splitter 34 and passes through the quarter wavelength plate 35. Furthermore, after passing through the blue laser beam aperture 36 and the objective lens 37, forms a converged spot on an information recording surface D 2 through the protective substrate D 1 of the optical disc D.

集光スポットを形成したブルーレーザ光は、光ディスクDの情報記録面Dで情報ビットによって変調され、情報記録面Dによって反射される。そして、この反射光は、対物レンズ37及び絞り36を順次透過した後、1/4波長板35によって偏光方向が変更され、ビームスプリッタ34で反射する。その後、当該反射光は、センサーレンズ群38を透過して非点収差が与えられ、センサー39で受光されて、最終的には、センサー39によって光電変換されることによって電気的な信号となる。 Blue laser light that formed the concentrated light spot is modulated by the information recording surface D 2 of the optical disk D by the information bits, is reflected by the information recording surface D 2. Then, the reflected light is sequentially transmitted through the objective lens 37 and the diaphragm 36, the polarization direction is changed by the quarter wavelength plate 35, and the reflected light is reflected by the beam splitter 34. Thereafter, the reflected light passes through the sensor lens group 38 to be given astigmatism, is received by the sensor 39, and finally is photoelectrically converted by the sensor 39 to become an electrical signal.

以後、このような動作が繰り返し行われ、光ディスクDに対する情報の記録動作や、光ディスクDに記録された情報の再生動作が完了する。   Thereafter, such an operation is repeatedly performed, and the operation of recording information on the optical disc D and the operation of reproducing information recorded on the optical disc D are completed.

以上の本実施形態によれば、対物レンズ37には、反射防止膜60の一部として高密度材料による第1の膜62と第3の膜66とが形成されている。第1の膜62や第3の膜66は、一定の組成を有しかつ密度が高いという特殊な材料により構成されており、耐光性に優れる(下記実施例参照)。
また、第1の膜62や第3の膜66は、膜厚が15〜300nmとそれほど厚くはないため、ブルーレーザ光の照射を受け続けてもクラックは発生しにくいし、膜厚が300nmを超える膜を形成する場合に比較して成膜時間の短縮も図ることができる。
さらに、対物レンズ37には、特殊な材料による第1の膜62や第3の膜66が形成されているから、高屈折率材料による第2の膜64をイオンプレーティング法により形成し当該膜を緻密化する必要もないから、設備コストが増大することもない。
According to the present embodiment described above, the first lens 62 and the third film 66 made of a high-density material are formed on the objective lens 37 as a part of the antireflection film 60. The first film 62 and the third film 66 are made of a special material having a constant composition and high density, and are excellent in light resistance (see the following examples).
In addition, since the first film 62 and the third film 66 are not so thick as 15 to 300 nm, cracks hardly occur even if the film is continuously irradiated with blue laser light, and the film thickness is 300 nm. The film formation time can be shortened as compared with the case of forming a film exceeding the thickness.
Further, since the first film 62 and the third film 66 made of a special material are formed on the objective lens 37, the second film 64 made of a high refractive index material is formed by an ion plating method. Since there is no need for densification, the equipment cost does not increase.

実施例1では、使用可能な高密度材料(Alの混合比)を検討した。
まず、シクロオレフィン樹脂(APEL-NH)樹脂を射出成形して樹脂成形部(樹脂製レンズ)を形成した。樹脂製レンズは、有効径1mm、軸上厚1.57mmのブルーレーザ光専用の光ピックアップ装置の対物レンズとした。
当該樹脂成形部に対し、Alの混合比が1%,2%,5%,8%,10%,12%の各高密度材料(メルク(株)社製HDL5)を、真空蒸着法により成膜したところ、混合比が1〜10%の場合には成膜可能であったものの、混合比が12%の場合には成膜することができなかった。
このことから、高密度材料としては、Alの混合比が1〜10%の範囲において使用可能であることがわかった。
In Example 1, usable high-density materials (mixing ratio of Al 2 O 3 ) were examined.
First, cycloolefin resin (APEL-NH) resin was injection molded to form a resin molded portion (resin lens). The resin lens was an objective lens of an optical pickup device dedicated to blue laser light having an effective diameter of 1 mm and an axial thickness of 1.57 mm.
High-density materials (HDL5 manufactured by Merck & Co., Inc.) having a mixing ratio of Al 2 O 3 of 1%, 2%, 5%, 8%, 10%, and 12% are vacuum-deposited on the resin molded part. When the film was formed by this method, the film could be formed when the mixing ratio was 1 to 10%, but the film could not be formed when the mixing ratio was 12%.
From this, it was found that the high-density material can be used when the mixing ratio of Al 2 O 3 is in the range of 1 to 10%.

実施例2では、耐光性に優れる膜材料を検討した。
(1)サンプルの作製
実施例1と同様の樹脂成形部を形成した。その後、当該樹脂成形部に対し、SiO材料,SiO材料,SiO:Al=90〜99:1〜10の標準材料(メルク(株)社製L5)および高密度材料(メルク(株)社製HDL5)の各材料による単層膜を真空蒸着法により形成し、これらを「サンプル1〜4」とした(表1参照)。表1には各材料の物性(密度,波長405nmの光に対する屈折率,膜厚)も併せて記載している。
特に、サンプル1のL5とサンプル4のHDL5とは、互いに化学組成は同じであるが比重が異なっている。サンプル1,2,4では膜厚を耐光試験(次項目参照)波長の1/4である100nmとし、サンプル3では膜厚を耐光試験波長とほぼ同じの400nmとしている。
In Example 2, a film material having excellent light resistance was examined.
(1) Preparation of sample The resin molding part similar to Example 1 was formed. Thereafter, a standard material (L5 manufactured by Merck & Co., Inc.) and a high-density material (Merck (Merck Corp.)) of SiO 2 material, SiO material, SiO 2 : Al 2 O 3 = 90 to 99: 1 to 10 for the resin molded part. A single layer film made of each material of HDL5) manufactured by Co., Ltd. was formed by vacuum deposition, and these were designated as “Samples 1 to 4” (see Table 1). Table 1 also shows the physical properties (density, refractive index with respect to light having a wavelength of 405 nm, film thickness) of each material.
In particular, L5 of sample 1 and HDL5 of sample 4 have the same chemical composition but different specific gravity. In samples 1, 2, and 4, the film thickness is set to 100 nm, which is 1/4 of the wavelength of the light resistance test (see next item), and in sample 3, the film thickness is set to 400 nm, which is substantially the same as the light resistance test wavelength.

(2)サンプルの評価
(2.1)耐熱試験とその結果
各サンプルを、85℃の温度環境下で1週間放置し、1週間経過後にクラック(膜割れ)が発生しているか否かを顕微鏡で観察した。その観察結果を表1に示す。
表1中、○,×の基準は下記のとおりである。
「○」…クラックの発生は認められない
「×」…クラックの発生が認められる
(2.2)耐光試験とその結果
85℃の温度環境下において、各サンプルに対し、波長405nmのブルーレーザを150mWで1週間照射し続け、照射前後の球面収差を表面干渉計で測定してその変動を算出し、その算出結果から膜の耐光性を評価した。評価結果を表1に示す。
表1中、◎,○,△,×の基準は下記のとおりである。
「◎」…変動量が±10mλ未満である
「○」…変動量が±10mλ以上で±20mλ未満である
「△」…変動量が±20mλ以上で±50mλ未満である
「×」…変動量が±50mλ以上である
(2) Sample evaluation (2.1) Heat resistance test and results Each sample was allowed to stand in a temperature environment of 85 ° C. for 1 week, and whether or not cracks (film cracks) had occurred after 1 week had passed. Observed at. The observation results are shown in Table 1.
In Table 1, the criteria for ○ and × are as follows.
“○”: No cracks are observed “×”: Cracks are observed (2.2) Light resistance test and results Under a temperature environment of 85 ° C., a blue laser with a wavelength of 405 nm is applied to each sample. Irradiation was continued for 1 week at 150 mW, and spherical aberration before and after irradiation was measured with a surface interferometer to calculate the variation, and the light resistance of the film was evaluated from the calculation result. The evaluation results are shown in Table 1.
In Table 1, the criteria for ◎, ○, △, × are as follows.
“◎”: The fluctuation amount is less than ± 10 mλ “O”: The fluctuation amount is ± 10 mλ or more and less than ± 20 mλ “△”: The fluctuation amount is ± 20 mλ or more and less than ± 50 mλ “×”: The fluctuation amount Is ± 50 mλ or more

Figure 2012027412
Figure 2012027412

(3)まとめ
表1に示すとおり、耐熱試験では、樹脂成形部が膨張するが、サンプル2,3はその膨張に追従できず、クラックが発生していた。耐光試験では、サンプル4はサンプル1〜3より結果が優れており、耐光性が向上していた。
これらの結果から、一定組成の高密度材料による膜を形成することは、耐熱性に依存せずに、耐光性を向上させることが可能であることがわかる。
(3) Summary As shown in Table 1, in the heat resistance test, the resin molded part expanded, but Samples 2 and 3 could not follow the expansion, and cracks were generated. In the light resistance test, the result of Sample 4 was superior to that of Samples 1 to 3, and the light resistance was improved.
From these results, it can be seen that forming a film of a high density material having a constant composition can improve light resistance without depending on heat resistance.

実施例3では、高密度材料による膜の最適膜厚を検討した。
実施例1と同様の樹脂成形部を形成した。その後、当該樹脂成形部に対し、高密度材料(メルク(株)社製HDL5)の各材料による単層膜を、膜厚を10nmから300nmを超える値まで変動させながら真空蒸着法により形成し、これらを「サンプル11〜18」とした(表2参照)。
その後、実施例2と同様の耐光試験をおこない、実施例2と同様の評価で最適な膜厚を検討した。
In Example 3, the optimum film thickness of a film made of a high-density material was examined.
A resin molded part similar to that in Example 1 was formed. Thereafter, a single layer film made of each material of high density material (HDL5 manufactured by Merck Co., Ltd.) is formed on the resin molded part by a vacuum deposition method while changing the film thickness from 10 nm to a value exceeding 300 nm. These were designated as “Samples 11 to 18” (see Table 2).
Thereafter, the same light resistance test as in Example 2 was performed, and the optimum film thickness was examined by the same evaluation as in Example 2.

Figure 2012027412
Figure 2012027412

表2に示すとおり、サンプル12〜17では耐光性は良好であるものの、膜厚が10nmのサンプル11では耐光性が低下しており、膜厚が300nmを超えるサンプル18では耐光試験中にクラックが発生し、球面収差の測定自体ができなかった。
これらの結果から、膜厚を15〜300nmとするのが、耐光性の向上に最適であることがわかった。
As shown in Table 2, although the light resistance is good in samples 12 to 17, the light resistance is lowered in sample 11 having a film thickness of 10 nm, and cracks are observed during the light resistance test in sample 18 having a film thickness exceeding 300 nm. The spherical aberration was not measured.
From these results, it was found that the film thickness of 15 to 300 nm is optimal for improving light resistance.

実施例4では、高密度材料による膜を含む最適な膜構成を検討した。
(1)サンプルの作製
実施例1と同様の樹脂成形部を形成した。その後、当該樹脂成形部に対し、表3に記載の単層または複数層の膜を、真空蒸着処理により形成・積層し、膜構成に応じて「サンプル21〜27」とした。
表3中、「膜構成」の項目で最も下に配置された層が1層目の第1の膜であり、樹脂成形部に直に形成した膜である。
表3中、サンプル22の樹脂成形部に対しては、酸化処理を施した。酸化処理として、60℃,80%RH環境下で48時間保存した。サンプル2の第1の膜(SiO)は、抵抗加熱法を用いた真空蒸着処理により形成した。
表3中、サンプル22の「OA600」は、蒸着源としてオプトラン社製OA600を用いて当該蒸着源を蒸発させ作製した膜であって、(Ta+5%TiO)膜である。OA600の膜を形成する際には、高周波電源により放電しながら成膜し、当該膜を緻密化した。
In Example 4, an optimum film configuration including a film made of a high-density material was examined.
(1) Preparation of sample The resin molding part similar to Example 1 was formed. Thereafter, a single-layer or multi-layer film shown in Table 3 was formed and laminated on the resin molded portion by vacuum vapor deposition treatment, and “samples 21 to 27” were formed according to the film configuration.
In Table 3, the lowest layer in the “film configuration” item is the first first film, which is a film formed directly on the resin molded portion.
In Table 3, the resin-molded portion of sample 22 was subjected to oxidation treatment. As an oxidation treatment, it was stored for 48 hours in an environment of 60 ° C. and 80% RH. The first film (SiO) of sample 2 was formed by vacuum vapor deposition using a resistance heating method.
In Table 3, “OA600” of Sample 22 is a film prepared by evaporating the deposition source using OA600 manufactured by Optran as the deposition source, and is a (Ta 2 O 5 + 5% TiO 2 ) film. When forming the film of OA600, the film was formed while discharging with a high-frequency power source, and the film was densified.

(2)サンプルの評価
(2.1)耐光試験とその結果
実施例2と同様の耐光試験をおこない、実施例2と同様の評価で最適な膜構成を検討した。
(2.2)反射防止性能の評価
日立製分光光度計U−4100を用いて、波長405nmの光に対する各サンプル21〜27の透過率(%)を測定した。測定結果を表3に示す。
表3中、◎,○の基準は下記のとおりである。
「◎」…透過率が93%以上である
「○」…透過率が93%未満で91%以上である
(2) Sample Evaluation (2.1) Light Resistance Test and Results The light resistance test similar to that of Example 2 was performed, and the optimum film configuration was examined by the same evaluation as in Example 2.
(2.2) Evaluation of antireflection performance Using Hitachi spectrophotometer U-4100, the transmittance | permeability (%) of each sample 21-27 with respect to the light of wavelength 405nm was measured. Table 3 shows the measurement results.
In Table 3, the criteria for ◎ and ○ are as follows.
“◎”: The transmittance is 93% or more “◯”: The transmittance is less than 93% and 91% or more

Figure 2012027412
Figure 2012027412

(3)まとめ
表3に示すとおり、高密度材料による膜を含むサンプル23〜27は、これを含まないサンプル21,22より耐光性に優れていた。ただ、サンプル23は、高密度材料による膜が単層であるため、多層構造のサンプル24〜27より反射防止性能が低下していた。
これらの結果から、一定組成の高密度材料による膜を含み、各層の膜厚を一定の範囲に収めることは、耐光性を向上させるのに有用であることがわかった。
(3) Summary As shown in Table 3, Samples 23 to 27 including a film made of a high-density material were superior in light resistance to Samples 21 and 22 not including this. However, since the sample 23 is a single-layer film made of a high-density material, the antireflection performance is lower than that of the samples 24-27 having a multilayer structure.
From these results, it was found that including a film of a high density material having a constant composition and keeping the thickness of each layer within a certain range is useful for improving light resistance.

30 光ピックアップ装置
32 半導体レーザ発振器
33 コリメータ
34 ビームスプリッタ
35 1/4波長板
36 絞り
37 対物レンズ
37a,37b 表面
38 センサーレンズ群
39 センサー
40 2次元アクチュエータ
50 樹脂成形部
52 表面
60 反射防止膜
62 第1の膜
64 第2の膜
66 第3の膜
D 光ディスク
保護基板
情報記録面
DESCRIPTION OF SYMBOLS 30 Optical pick-up apparatus 32 Semiconductor laser oscillator 33 Collimator 34 Beam splitter 35 1/4 wavelength plate 36 Aperture 37 Objective lens 37a, 37b Surface 38 Sensor lens group 39 Sensor 40 Two-dimensional actuator 50 Resin molding part 52 Surface 60 Antireflection film 62 1st 1 film 64 second film 66 third film D optical disk D 1 protective substrate D 2 information recording surface

Claims (8)

波長400〜410nmの光源を用いた光ピックアップ装置用の光学素子において、
シクロオレフィン樹脂製の基材を備え、
前記基材上には、SiO:Al=90〜99:1〜10の混合比を有しかつ密度が2.0g/cm以上の高密度材料による第1の膜が形成されていることを特徴とする光学素子。
In an optical element for an optical pickup device using a light source having a wavelength of 400 to 410 nm,
Provided with a base material made of cycloolefin resin,
A first film made of a high-density material having a mixing ratio of SiO 2 : Al 2 O 3 = 90 to 99: 1 to 10 and a density of 2.0 g / cm 3 or more is formed on the substrate. An optical element.
請求項1に記載の光学素子において、
前記第1の膜の波長400〜410nmにおける屈折率が1.47〜1.52であり、前記第1の膜の膜厚が15〜300nmであることを特徴とする光学素子。
The optical element according to claim 1,
An optical element, wherein the first film has a refractive index of 1.47 to 1.52 at a wavelength of 400 to 410 nm, and the thickness of the first film is 15 to 300 nm.
請求項1または2に記載の光学素子において、
前記第1の膜上には、波長400〜410nmにおける屈折率が1.61以上で膜厚が15〜1000nmの第2の膜が形成されていることを特徴とする光学素子。
The optical element according to claim 1 or 2,
An optical element, wherein a second film having a refractive index of 1.61 or more and a film thickness of 15 to 1000 nm at a wavelength of 400 to 410 nm is formed on the first film.
請求項3に記載の光学素子において、
前記基材上には、前記第1の膜と前記第2の膜とが交互に積層されていることを特徴とする光学素子。
The optical element according to claim 3.
The optical element, wherein the first film and the second film are alternately laminated on the base material.
波長400〜410nmの光源を用いた光ピックアップ装置用の光学素子を製造する光学素子の製造方法において、
シクロオレフィン樹脂を成形して基材を製造する工程と、
SiO:Al=90〜99:1〜10の混合比を有しかつ密度が2.0g/cm以上の高密度材料を蒸着し、第1の膜を前記基材上に形成する工程と、
を備えることを特徴とする光学素子の製造方法。
In a method for manufacturing an optical element for manufacturing an optical element for an optical pickup device using a light source having a wavelength of 400 to 410 nm,
Forming a base material by molding a cycloolefin resin;
A high-density material having a mixing ratio of SiO 2 : Al 2 O 3 = 90 to 99: 1 to 10 and a density of 2.0 g / cm 3 or more is deposited to form a first film on the substrate. And a process of
An optical element manufacturing method comprising:
請求項5に記載の光学素子の製造方法において、
前記第1の膜の波長400〜410nmにおける屈折率が1.47〜1.52であり、前記第1の膜の膜厚が15〜300nmであることを特徴とする光学素子の製造方法。
In the manufacturing method of the optical element according to claim 5,
The method of manufacturing an optical element, wherein the first film has a refractive index of 1.47 to 1.52 at a wavelength of 400 to 410 nm, and the film thickness of the first film is 15 to 300 nm.
請求項5または6に記載の光学素子の製造方法において、
波長400〜410nmにおける屈折率が1.61以上で膜厚が15〜1000nmの第2の膜を前記第1の膜上に形成する工程を備えることを特徴とする光学素子の製造方法。
In the manufacturing method of the optical element according to claim 5 or 6,
A method for manufacturing an optical element, comprising: forming a second film having a refractive index of 1.61 or more and a thickness of 15 to 1000 nm on a wavelength of 400 to 410 nm on the first film.
請求項7に記載の光学素子の製造方法において、
前記第1の膜を形成する工程を再度実行するか、または前記第1の膜を形成する工程と前記第2の膜を形成する工程とを繰り返し実行し、前記第1の膜と前記第2の膜とを交互に積層する工程を備えることを特徴とする光学素子の製造方法。
In the manufacturing method of the optical element according to claim 7,
The step of forming the first film is executed again, or the step of forming the first film and the step of forming the second film are repeatedly executed, and the first film and the second film are formed. A process for producing an optical element comprising the step of alternately laminating the film.
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