JP2012015183A - 化合物半導体ウェハ、及び化合物半導体デバイス用ウェハの製造方法 - Google Patents
化合物半導体ウェハ、及び化合物半導体デバイス用ウェハの製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】高品質のデバイス層が作製可能で、かつGaAs基板の剥離が容易な化合物半導体ウェハ、及び化合物半導体デバイス用ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】GaAs基板上にデバイス層を有する化合物半導体ウェハ10において、GaAs基板1とデバイス層3の間に劈開性の優れた層状化合物からなる剥離層2を備えたものである。
【選択図】図1
【解決手段】GaAs基板上にデバイス層を有する化合物半導体ウェハ10において、GaAs基板1とデバイス層3の間に劈開性の優れた層状化合物からなる剥離層2を備えたものである。
【選択図】図1
Description
本発明は、GaAs基板上にデバイス層を有する化合物半導体ウェハ、及び化合物半導体デバイス用ウェハの製造方法に関するものである。
従来より、表面が(100)面であるGaAs基板は、LED、太陽電池、光学レンズなど各種光学デバイス層作製用の基板として用いられている。これらデバイス材料の製造過程では、GaAs基板に所望のエピタキシャル膜を成長させてデバイス層を形成した後、GaAs基板を除去している。
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、特許文献1がある。
ところで、GaAs基板の除去は、通常、研磨により行うので、加工コストがかかる。さらにデバイス層にダメージを残さないように基板を研磨するには高度なノウハウが必要であり、また一定の歩留でデバイス層にも不良が発生してしまう。
そこで、本発明の目的は、高品質のデバイス層が作製可能で、かつGaAs基板の剥離が容易な化合物半導体ウェハ、及び化合物半導体デバイス用ウェハの製造方法を提供することにある。
上記目的を達成すべく本発明は、GaAs基板上にデバイス層を有する化合物半導体ウェハにおいて、前記GaAs基板と前記デバイス層の間に劈開性の優れた層状化合物からなる剥離層を備えた化合物半導体ウェハである。
また、前記GaAs基板は表面が(100)面であってもよい。
また、前記層状化合物はGaSeであってもよい。
また、前記剥離層は厚さが50nm以上であってもよい。
また、本発明は、前記化合物半導体ウェハを用い、前記デバイス層と前記GaAs基板とを前記層状化合物からなる剥離層で剥離し、前記デバイス層からなる化合物半導体デバイス用ウェハを製造する化合物半導体デバイス用ウェハの製造方法である。
本発明によれば、GaAs基板上に高品質のデバイス層が作製可能で、かつGaAs基板を容易に剥離してデバイス製造することができる。また、剥離したGaAs基板は再利用することで、製造コストを低減させることができる。
以下、本発明の好適な一実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。
図1は、本発明の化合物半導体ウェハの概略的な断面構造図である。
図1に示すように、化合物半導体ウェハ10は、GaAs基板1と、剥離層2と、デバイス層3と、を順次形成してなるものである。
GaAs基板1は、表面が(100)面であるn型GaAs基板結晶であることが好ましく、表面は鏡面(エピレディー)に処理されている。表面が(100)面であるGaAs基板1は、LED用、太陽電池用、レンズ用など様々のデバイス材料のエピタキシャル成長基板として一般に用いられており、結晶成長方法、表面処理技術、共に高品質の製造方法が確立している。なお、(100)面から特定の結晶方向に傾けた基板(オフ基板)についても本発明に適用可能である。
剥離層2は、劈開性の優れた層状化合物であり、この層状化合物としては、例えば、GaSeを用いることができる。
剥離層2はMOCVD法(有機金属気相成長法)またはスパッタリング法により、厚さが50nm以上となるように形成する。後述するGaAs基板1の剥離を確実にするために、また剥離したGaAs基板1を再利用するためには、剥離層2の厚さは50nm以上であることが好ましい。
デバイス層3は、従来から表面が(100)面であるGaAs基板1上にエピタキシャル成長して使用されていたものであれば、LED用、太陽電池用、レンズ用など様々のデバイス材料を成長可能である。
次に、本発明の化合物半導体ウェハを用いた化合物半導体デバイス用ウェハの製造方法について説明する。
化合物半導体デバイス用ウェハは、上述のようにして形成した化合物半導体ウェハ10を用いて、デバイス層3とGaAs基板1とを層状化合物からなる剥離層2で剥離することで製造する。
この剥離は、粘着テープを貼り付けてGaAs基板1を剥がすことで行う。この際、デバイス層3に剥離層2が残る場合には、剥離層2に対して粘着テープによる剥離を再度行うことで、剥離層2を完全に除去することができる。
このようにして製造した化合物半導体デバイス用ウェハは、LED用、太陽電池用、レンズ用など様々のデバイス材料として使用できる。
本発明の作用効果を述べる。
従来のようにGaAs基板上に直接デバイス層を成長する製造方法の場合、エピタキシャル成長のあとGaAs基板を研磨によって除去する必要があった。
これに対し、本発明ではGaAs基板1とデバイス層3の間に、例えばGaSeからなる剥離層2を形成している。GaSeからなる剥離層2はGaAsと同じ化合物半導体なので、GaAs上に平坦で良質の結晶膜を形成しやすい。またGaSeは層状化合物であり、層間は弱いファンデルワールス力で結合されているので容易に剥離できる。そのため、表面が(100)面であるGaAs基板1/GaSeからなる剥離層2上に、所望のデバイス層3を形成した後、粘着テープを貼り付けて、容易に表面が(100)面であるGaAs基板1を剥がす事ができる。
以上より本発明によれば、GaAs基板1上に高品質のデバイス層3が作製可能で、かつGaAs基板1を容易に剥離してデバイス製造することができる。また、剥離したGaAs基板1は再利用できるので、製造コストを低減させることができる。
本実施例ではGaAs単結晶をVGF(Vertical Gradient Freeze:垂直温度勾配凝固)法で成長し、これをスライスして表面が(100)面であるGaAs基板1とした。このGaAs基板1の外径は4インチの円形であり、Siドーピングでn型伝導性を有し、目標とするキャリア濃度は0.5〜3.5×1018cm-3である。その他主要なスペックは次のとおりである。
面方位=(100)±0.1°
EPD(Etch Pit Density)≦5000cm-3
表面平坦度:TTV≦15nm、 WARP≦15nm
表面仕上げ:鏡面(エピレディー)
面方位=(100)±0.1°
EPD(Etch Pit Density)≦5000cm-3
表面平坦度:TTV≦15nm、 WARP≦15nm
表面仕上げ:鏡面(エピレディー)
GaSeからなる剥離層2はスパッタリング法で作製した。10-2torrのAr雰囲気中で、GaSe結晶をターゲットとし、上記表面が(100)面であるGaAs基板1を対向させて、GaSe単結晶膜からなる剥離層2を形成させた。
前記表面が(100)面であるGaAs基板1/GaSeからなる剥離層2のウェハ上には、従来GaAs基板1の(100)面上に直接成長できていた材料なら、ユーザーの用途に応じて各種デバイス材料の成長が可能である。
試みとして、デバイス材料を構成する材料層の一例であるAlGaAs層をMOCVD法にて成長させた。表面が(100)面であるGaAs基板1/GaSeからなる剥離層2のウェハをMOCVD炉内に設置し、基板温度650℃に保持し、原料としてTMG(トリメチルガリウム)、TMA(トリメチルアルミニウム)、AsH3(アルシン)を供給した。その結果、良質のAl0.2GaAs層を成長することができた。
このように、本発明によれば、GaAs基板1上に剥離層2を形成した場合であっても、高品質のデバイス層3を作製可能である。
1 GaAs基板
2 剥離層
3 デバイス層
10 化合物半導体ウェハ
2 剥離層
3 デバイス層
10 化合物半導体ウェハ
Claims (5)
- GaAs基板上にデバイス層を有する化合物半導体ウェハにおいて、前記GaAs基板と前記デバイス層の間に劈開性の優れた層状化合物からなる剥離層を備えたことを特徴とする化合物半導体ウェハ。
- 前記GaAs基板は表面が(100)面である請求項1に記載の化合物半導体ウェハ。
- 前記層状化合物はGaSeである請求項1又は2に記載の化合物半導体ウェハ。
- 前記剥離層は厚さが50nm以上である請求項1〜3いずれかに記載の化合物半導体ウェハ。
- 請求項1〜4いずれかに記載の化合物半導体ウェハを用い、前記デバイス層と前記GaAs基板とを前記層状化合物からなる剥離層で剥離し、前記デバイス層からなる化合物半導体デバイスウェハを製造することを特徴とする化合物半導体デバイス用ウェハの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010147867A JP2012015183A (ja) | 2010-06-29 | 2010-06-29 | 化合物半導体ウェハ、及び化合物半導体デバイス用ウェハの製造方法 |
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