JP2012009504A - Light-emitting device - Google Patents
Light-emitting device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012009504A JP2012009504A JP2010141799A JP2010141799A JP2012009504A JP 2012009504 A JP2012009504 A JP 2012009504A JP 2010141799 A JP2010141799 A JP 2010141799A JP 2010141799 A JP2010141799 A JP 2010141799A JP 2012009504 A JP2012009504 A JP 2012009504A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- substrate
- light emitting
- spacer
- sealing material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
本発明は、基板に搭載した発光素子(LED)から横方向に光を出射するLEDパッケージおよびLEDパッケージを実装した発光装置に関する。 The present invention relates to an LED package that emits light in a lateral direction from a light emitting element (LED) mounted on a substrate, and a light emitting device on which the LED package is mounted.
基板に搭載した発光素子から横方向(基板に平行な方向)に光を出射する、いわゆるサイドビュー型のLEDパッケージは、例えば特許文献1に記載されているように、基板上にLEDチップを搭載し、LEDチップを透明樹脂で被覆し、透明樹脂の一側面を除いた側面と上面を反射層で包囲した構成である。LEDチップの発した光は、透明樹脂を通って反射層で反射され、反射層で包囲されていない一側面から出射される。特許文献1では、三色の発光色のLEDチップを、基板主平面上に三角形または直線状に配置することにより、簡単な構成で、高さの低い多色式サイドビュー型LEDパッケージを実現できると開示している。
A so-called side-view type LED package that emits light in a lateral direction (a direction parallel to the substrate) from a light-emitting element mounted on the substrate has an LED chip mounted on the substrate as described in
サイドビュー型LEDパッケージは、導光板と組み合わせ、液晶表示装置等の光源とするのが一般的な用途として知られている。この場合、サイドビュー型LEDパッケージの光を効率よく導光板の端面に入射させる必要があるが、サイドビュー型LEDパッケージは指向特性が上側に傾く傾向があり、導光板への入射効率向上の妨げになる。指向特性が上側に傾くのは、LEDチップは上方への出射光強度が大きいためである。 It is known as a general application that a side view type LED package is used as a light source such as a liquid crystal display device in combination with a light guide plate. In this case, the light of the side-view type LED package needs to be efficiently incident on the end face of the light guide plate. However, the side-view type LED package tends to have a directional characteristic inclined upward, which hinders improvement in the incidence efficiency on the light guide plate. become. The reason why the directivity characteristic is inclined upward is that the LED chip has high intensity of outgoing light.
また、従来のサイドビュー型LEDパッケージは、高さの低減に限界がある。具体的には、LEDチップを搭載する基板の基材の厚みは、実用レベルで薄型化に適したガラスエポキシやエポキシ製の基材で数十μm程度、例えば50μm程度である。基板の基材の両面には、電極としてそれぞれ銅箔(5〜20μm程度)を貼り付ける。基材にスルーホールをあけ、銅メッキによりスルーホール内に銅を充填すると、銅箔の表面にも銅めっき層が20μm程度形成される。さらに、銅めっき層の上にニッケルめっきや金(銀)めっきを行い、ワイヤボンディング性を高める。このため、片面の電極(銅箔とめっき層)厚みは、40〜50μm程度になる。基材の厚みを50μmとした場合、両面の電極を含めると、基板の厚みは、130μm以上になる。図6は、この基板401を用いて製造した従来のサイドビュー型LEDパッケージの図面である。上記の基板401上にLEDチップ402を搭載し、LEDチップを挟むようにスペーサ403を配置する。スペーサ403を配置した領域以外の基板401上面を透明樹脂404で被覆し、LEDチップ402を埋め込んでいる。スペーサ403と透明樹脂404の上面は、光反射層405が配置されている。このような構成の場合、LEDチップの厚みを50μmとして、製品厚みの薄型化の限界は200μm程度となる。
Further, the conventional side view type LED package has a limit in reducing the height. Specifically, the thickness of the base material of the substrate on which the LED chip is mounted is about several tens μm, for example, about 50 μm, for a glass epoxy or epoxy base material suitable for thinning at a practical level. Copper foil (about 5 to 20 μm) is pasted as an electrode on both surfaces of the base material of the substrate. When a through hole is formed in a base material and copper is filled in the through hole by copper plating, a copper plating layer of about 20 μm is formed also on the surface of the copper foil. Furthermore, nickel plating or gold (silver) plating is performed on the copper plating layer to enhance wire bonding. For this reason, the thickness of the electrode (copper foil and plating layer) on one side is about 40 to 50 μm. When the thickness of the substrate is 50 μm, the thickness of the substrate becomes 130 μm or more when both electrodes are included. FIG. 6 is a drawing of a conventional side-view type LED package manufactured using this
本発明の目的は、薄型で、指向特性が上側に偏らないサイドビュー型発光装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a side-view type light-emitting device that is thin and has a directional characteristic that is not biased upward.
上記目的を達成するために、本発明のサイドビュー型発光装置は、基板と、基板の下面に搭載された発光素子と、発光素子に電気的に接続された内部電極と、基板の下面の少なくとも両脇領域に配置されたスペーサと、基板の下面のスペーサが配置されていない領域を封止する封止材とを有する。基板の下面、および、スペーサの発光素子と対向する面は、発光素子の光を反射する性質であり、封止材は、発光素子の光に対して透明である。封止材の下面、および、封止材の下面とスペーサの下面との境界は、発光素子の光を反射する光反射層で覆われている。スペーサの下面の光反射層が配置されていない領域には、外部電極層が配置されている。 In order to achieve the above object, a side-view light-emitting device of the present invention includes a substrate, a light-emitting element mounted on the lower surface of the substrate, an internal electrode electrically connected to the light-emitting element, and at least a lower surface of the substrate. It has the spacer arrange | positioned at a both-side area | region, and the sealing material which seals the area | region where the spacer of the lower surface of a board | substrate is not arrange | positioned. The lower surface of the substrate and the surface of the spacer facing the light emitting element have a property of reflecting the light of the light emitting element, and the sealing material is transparent to the light of the light emitting element. The lower surface of the sealing material and the boundary between the lower surface of the sealing material and the lower surface of the spacer are covered with a light reflecting layer that reflects light from the light emitting element. An external electrode layer is disposed in a region where the light reflecting layer is not disposed on the lower surface of the spacer.
例えば、封止材の下面は、スペーサの下面と同一面上に位置し、光反射層と外部電極層は、同一面上に並べて配置されている構成とする。 For example, the lower surface of the sealing material is positioned on the same plane as the lower surface of the spacer, and the light reflecting layer and the external electrode layer are arranged side by side on the same plane.
また例えば、封止材の下面は、スペーサの下面よりも下側に突出し、光反射層は、外部電極層よりに下に突出した位置にある構成とする。 For example, the lower surface of the sealing material protrudes below the lower surface of the spacer, and the light reflecting layer is in a position protruding downward from the external electrode layer.
本発明の別の態様の発光装置は、実装基板と、実装基板上に配置された一対の実装用電極と、実装用電極に実装されたサイドビュー型発光装置とを有し、サイドビュー型発光装置は、基板と、基板の下面に搭載された発光素子と、発光素子に電気的に接続された内部電極と、基板の下面の少なくとも両脇に配置されたスペーサと、基板の下面のスペーサが配置されていない領域を封止する封止材とを有する構成とする。基板の下面、および、スペーサの発光素子と対向する面は、発光素子の光を反射する性質であり、封止材は、発光素子の光に対して透明である。封止材の下面、および、封止材の下面とスペーサの下面との境界は、発光素子の光を反射する光反射層で覆われている。スペーサの下面の光反射層が配置されていない領域には、外部電極層が配置されている。 A light-emitting device according to another aspect of the present invention includes a mounting substrate, a pair of mounting electrodes disposed on the mounting substrate, and a side-view light-emitting device mounted on the mounting electrode. The apparatus includes a substrate, a light emitting element mounted on the lower surface of the substrate, an internal electrode electrically connected to the light emitting element, a spacer disposed on at least both sides of the lower surface of the substrate, and a spacer on the lower surface of the substrate. It is set as the structure which has the sealing material which seals the area | region which is not arrange | positioned. The lower surface of the substrate and the surface of the spacer facing the light emitting element have a property of reflecting the light of the light emitting element, and the sealing material is transparent to the light of the light emitting element. The lower surface of the sealing material and the boundary between the lower surface of the sealing material and the lower surface of the spacer are covered with a light reflecting layer that reflects light from the light emitting element. An external electrode layer is disposed in a region where the light reflecting layer is not disposed on the lower surface of the spacer.
例えば、封止材の下面は、スペーサの下面よりも下側に突出し、光反射層は、外部電極層よりに下に突出した位置にあり、一対の実装用電極の間の空間に挿入されている構成とする。 For example, the lower surface of the sealing material protrudes below the lower surface of the spacer, and the light reflecting layer is in a position protruding downward from the external electrode layer, and is inserted into the space between the pair of mounting electrodes. The configuration is as follows.
本発明の発光装置は、基板を上側に配置し、基板の下面の少なくも両脇領域にスペーサを、中央領域には発光素子を搭載し、封止材で封止する。封止材の下面および、封止材の下面とスペーサの下面との境界は、光反射層で覆われ、外部電極層は光反射層で覆われていないスペーサ下面に配置する。このため、少なくとも従来の発光装置の基板下面に存在した外部電極層の厚さ分だけ薄型のサイドビュー型発光装置が得られる。また、封止材の下面を、スペーサの下面よりも下側に突出させた場合には、光反射層は、外部電極層より下に突出し、実装基板の実装用電極の間の空間に挿入することができるため、さらに薄型化することができる。また、基板の下面に発光素子を搭載することにより、出射光の指向性が上向きになるのを防止できる。 In the light-emitting device of the present invention, the substrate is arranged on the upper side, the spacer is mounted on at least both sides of the lower surface of the substrate, and the light-emitting element is mounted on the central region, and sealed with a sealing material. The lower surface of the sealing material and the boundary between the lower surface of the sealing material and the lower surface of the spacer are covered with the light reflecting layer, and the external electrode layer is arranged on the lower surface of the spacer not covered with the light reflecting layer. Therefore, a side-view type light emitting device that is as thin as at least the thickness of the external electrode layer existing on the lower surface of the substrate of the conventional light emitting device can be obtained. Further, when the lower surface of the sealing material protrudes below the lower surface of the spacer, the light reflecting layer protrudes below the external electrode layer and is inserted into the space between the mounting electrodes on the mounting substrate. Therefore, the thickness can be further reduced. Further, by mounting the light emitting element on the lower surface of the substrate, the directivity of the emitted light can be prevented from being upward.
本発明の一実施の形態のLEDパッケージおよび発光装置について図面を用いて説明する。なお、LEDパッケージは実装基板に実装される側を下側として説明する。 An LED package and a light emitting device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The LED package will be described with the side mounted on the mounting board as the lower side.
(第1の実施形態)
本発明では、LEDチップを搭載する基板がLEDパッケージの上側に位置する構成とし、LEDパッケージの下面に位置する外部電極層と反射樹脂層を、同一平面上に並べて配置する。これにより、LEDパッケージ全体の厚さを低減するとともに、基板の反射特性を利用して半導体パッケージの指向特性を下向きにする。
(First embodiment)
In the present invention, the substrate on which the LED chip is mounted is configured to be positioned above the LED package, and the external electrode layer and the reflective resin layer positioned on the lower surface of the LED package are arranged side by side on the same plane. Thus, the thickness of the entire LED package is reduced, and the directivity characteristics of the semiconductor package are made downward by utilizing the reflection characteristics of the substrate.
以下、具体的に第1の実施形態のLEDパッケージおよびそれを用いた発光装置の構成について説明する。図1(a)〜(e)に、第1の実施形態のLEDパッケージ100の上面図、正面図、側面図、下面図および斜視図を示す。図2には、LEDパッケージ100を実装基板に搭載した発光装置の正面図を示す。図1(a)〜(e)のように、LEDパッケージ100は、下面側に一対の内部電極2,3が形成された基板1と、内部電極3にダイボンディングされたLEDチップ10とを備えている。LEDチップ10内の上面側電極は、ダイボンディングにより内部電極3に電気的に接続され、LEDチップ10内の下面側電極は、ボンディングワイヤ9により内部電極2に電気的に接続されている。基板1の下面は、光反射性が高いことが好ましく、例えば、白色のガラスエポキシ基板を用いる。LEDチップ10は、所望の発光波長のものを用いる。また、基板1にはLEDチップ10を複数搭載することも可能である。内部電極2、3は、ダイボンディングおよびワイヤボンディングに適した構造であるとともに、光反射性が高いことが好ましい。例えば内部電極2、3は、表面がAgメッキ層を備える構造とする。
Hereinafter, the structure of the LED package of 1st Embodiment and a light-emitting device using the same is demonstrated concretely. 1A to 1E are a top view, a front view, a side view, a bottom view, and a perspective view of an
基板1の下面の両脇領域には、スペーサ4,5が固定されている。スペーサ4,5は、LEDチップ10に対向する面が反射面となるため、その材質は光反射性が高いことが好ましく、例えば白色のガラスエポキシ基板(エポキシ樹脂に白色のガラス不織布を織り込んだ基板)を用いる。スペーサ4、5には、それぞれ円柱を半分にした形状のスルーホール4a,5aが形成されている。
スペーサ4,5で挟まれた空間は、LEDチップ10の発する光に対して透明な樹脂11によって充填され、LEDチップ10を封止している。透明樹脂11の下面は、スペーサ4,5の下面と一致している。すなわち、透明樹脂11の下面とスペーサ4,5の下面は、同じ高さの平面を形成している。透明樹脂11としては、例えばエポキシ樹脂、ハイブリッド樹脂、フェニル系シリコーン樹脂を用いる。
The space between the
スペーサ4,5の下面、スルーホール4a,5aの内壁、ならびにスルーホール4a,5aから露出される基板1の下面は、外部電極層6、7によって覆われている。スルーホール4a,5aから露出される基板1の下面を覆う外部電極層6、7は、内部電極2,3と接することにより電気的に接続されている。
The lower surfaces of the
透明樹脂11の下面は、光反射層8で覆われている。光反射層8は、光漏れが無いように、透明樹脂11の下面とスペーサ4,5下面との境界、ならびに、スペーサ4,5下面のうち透明樹脂11に隣接する一部領域まで覆っている。外部電極層6,7は、スペーサ4,5の下面の光反射層8が配置されていない領域を覆っている。よって、光反射層8の端部は、外部電極層6,7の端部と突き合わされている。光反射層8の材質は、光反射性の高い材料、例えば、光反射性の粒子(酸化チタン粒子等)を分散させた樹脂を用いる。
The lower surface of the
光反射層8は、図示していないが、LEDパッケージ100の背面側の透明樹脂11の側面も覆っている。これにより、LEDパッケージ100の透明樹脂11は、上面、両側面がそれぞれ、基板1、スペーサ4により覆われ、下面および背面が光反射層8により覆われた構成となるため、LEDパッケージ100の正面側の透明樹脂11の側面が光を出射する開口となる。
Although not shown, the
また、図1では、一対のスペーサ4,5が基板の両脇領域に配置された構造であるが、本実施形態のスペーサの形状はこの構造に限られるものではなく、スペーサ4,5が基板1の少なくとも両脇領域に固定され、少なくとも一つの側面から光を出射する構造であればよい。例えば、スペーサが、LEDパッケージ100の両脇のみならず背面にも配置されている形状であってもよい。具体的には、例えばスペーサ4、5を、上面から見て半円状の凹部を持つような一つの部材としてもかまわない。この場合、凹部の内部空間がスペーサ4,5に挟まれた空間に該当し、この内部空間にLEDチップ10が配置され、透明樹脂11により充填される。半円状の凹部の直線部が開口となり、円弧状部が開口に対向する反射面(背面)となる。このような形状のスペーサを用いる場合、背面には光反射層8を設ける必要はない。透明樹脂11の下面、および、スペーサの下面の凹部周辺部(透明樹脂11とスペーサとの境界)も光反射層8で覆されていることが望ましい。スペーサ下面の光反射層8の端部は、スペーサの下面において、外部電極層6,7の端部と突き合わされている。
Further, in FIG. 1, a pair of
LEDパッケージ100を実装基板20に搭載した発光装置は、図2のような構造になる。実装基板20上に予め設けられた一対の半田ランド30、31上に、LEDパッケージ100の下面の電極6,7が位置合わせして搭載され、半田ランド30、31と電極6、7が半田層40、41によって接合されている。
The light emitting device in which the
このような構造の発光装置において、実装基板20から電流を供給すると、電流は、半田ランド30、31および半田層40、41を介して、外部電極層6に供給され、外部電極層6、7から内部電極2、3およびボンディングワイヤ10を介してLEDチップ10に供給される。これにより、LEDチップ10が所定の波長の光を発する。LEDチップ10から発せられた光は、透明樹脂11を通過し、透明樹脂の上面、側面、下面および背面を覆っている基板1、スペーサ4、光反射層8で反射され、透明樹脂11の正面の側面から出射される。このように、側面を出射開口とするサイドビュー型のLEDパッケージ100が提供される。
In the light emitting device having such a structure, when a current is supplied from the mounting
本実施形態のLEDパッケージ100は、基板1が上面側に、光反射層8が下面側に位置するようにしたことにより、光反射層8と外部電極層6,7を同一面(底面)上に並べて配置することができる。このため、従来例の図6のように基板の下面に外部電極層を配置し、上面全体を光反射層で覆う構造と比較し、外部電極層の厚さ分だけ、LEDパッケージ100の厚さを低減することができ、薄型のLEDパッケージ100を提供することができる。
In the
また、基板1を上面側に配置し、その下面にLEDチップ10を下向きに搭載したことにより、LEDチップ10から下向きに出射される光量が多くなり、かつ、反射層8として白樹脂を使用した場合では反射されず透過してしまう一部の光も、実装基板20により反射し利用することができる。実装基板20の反射層8の直下に半田ランド30と導通しないように金属層を設けるなど、反射層をさらに設けることも可能である。このように本実施形態では、LEDパッケージ100の出射光の指向性が下向きになり、かつ、従来利用されなかった反射層8の透過光も利用可能になるため、導光板の端面から光を入射させる光源として用いた場合、入射効率を向上させることができる。
In addition, by arranging the
次に、LEDパッケージ100の製造方法について説明する。なお、以下の製造工程ではLEDパッケージは上下逆の状態で製造される。以下では、製造工程中での上下を用いて説明を行う。まず、基板1が縦横に複数連結された大きさの大判の基板を用意する。大判の基板は、最終工程で基板1の連結位置で切り出すことにより、複数のLEDパッケージ100に分割される。
Next, a method for manufacturing the
大判基板を内部電極2,3となる銅メッキパターンが形成された面を上向きに配置し、スルーホール4a,5aがあけられたスペーサ4,5となる基板をその上に重ね合わせる。このとき、スルーホール4a,5aが大判基板上の複数の基板1の境界を跨ぐように重ね合わせる。スルーホール4a,5a内とスペーサ4,5上の一部に銅めっきを行う。
A large-sized substrate is placed with the surface on which the copper plating pattern to be the
大判基板上のパターンまでドリル等でLEDチップ10搭載用の空間を設け、パターンを露出させる。LEDチップ搭載用の空間をドリル等によりほぼ円形の穴形状に形成する場合、最終工程で基板を切り出す際に、円形の穴の中央を分割の境界位置とする。これにより、半円状の空間を持つLEDパッケージ100を向かい合わせに並べて一度に製造可能な配置となる。大判基板のLEDチップ搭載用の空間の周囲に残っている基板部分が、スペーサ4,5となる。LEDチップ搭載用の空間は、大判基板と重ねる前に予め設けてあってもよい。
A space for mounting the
スペーサ4,5の上面、スルーホール4a,5aの内壁、スルーホール4a,5aの底に露出された基板1、および、大判基板上のパターンの銅めっきに、さらにニッケル、銀メッキを成膜することにより、外部電極6,7および内部電極2,3を設ける。その後、内部電極2,3の上にLEDチップ10をダイボンディングし、LEDチップ10の上部電極を内部電極2にワイヤボンディング9により接続する。
Further, nickel and silver plating are formed on the copper plating of the pattern on the upper surface of the
スペーサ4,5で挟まれた空間に未硬化の透明樹脂11を充填し、硬化させ、スペーサ4と同じ高さの透明樹脂11を形成する。透明樹脂の上に、さらに、光反射層8の樹脂材料を流し込んで硬化させ、所定の厚さの光反射層8を形成する。光反射層8の樹脂材料は、スペーサ4,5上の外部電極層6,7を覆ってしまわないように、金型を用いて透明樹脂11の上面およびスペーサ4,5の上面の電極で覆われていない領域のみに流し込む。このとき金型は、複数のLEDパッケージ100の光反射層8を一度に設けることができるように大判基板の分割時の境界位置を越え、一列に樹脂が流れるような形状にすることが望ましい。
The space between the
金型から大判基板を取り出し、大判基板を所定の境界位置で切り出し、個々の基板1に分割する。これにより、スペーサ4,5は、円柱状のスルーホール4a,5aを半分にする位置で分割される。以上により、図1(a)〜(e)のLEDパッケージ100が製造される。
The large substrate is taken out from the mold, and the large substrate is cut out at a predetermined boundary position and divided into
以上のように、第1の実施形態では、基板1を上面側に配置したことにより、下面に電極6,7と光反射層8が並んで配置されて発光装置を簡単な構成で製造することができる。
As described above, in the first embodiment, by arranging the
(第2の実施形態)
第2の実施形態では、半田ランド30,31の間に生じる半田ランドの高さ分の空間を利用し、透明樹脂11を下向きに凸の形状にすることにより、明るさ維持に必要な開口径を確保しながら、スペーサ4,5を薄くする。
(Second Embodiment)
In the second embodiment, the space for the height of the solder lands generated between the solder lands 30 and 31 is used, and the
図3(a)〜(e)に、第2の実施形態のLEDパッケージ200の上面図、正面図、側面図、下面図および斜視図を示す。図4には、LEDパッケージ200を実装基板に搭載した発光装置の正面図を示す。図1(a)〜(e)のように、LEDパッケージ200は、透明樹脂11の底面がスペーサ4,5の底面よりも下側に突出している。これにより、スペーサ4,5の高さを、第1の実施形態のLEDパッケージ100よりも低減しても、LEDパッケージ200の出射開口径、すなわち透明樹脂11の側面積を維持することができる。
3A to 3E are a top view, a front view, a side view, a bottom view, and a perspective view of the
光反射層8は、突出した透明樹脂11の底面を覆うように配置されているため、光反射層8の底面は、外部電極層6、7の底面よりも下側に突出している。実装基板20に実装した際には、突出した光反射層8および透明樹脂11は、図4のように一対の半田ランド30,31および一対の半田層40,41の間に生じるこれらの高さ分の空間内に挿入される。これにより、半田ランド30,31間の空間を有効に活用して、LEDパッケージ200およびこれを搭載した発光装置の厚みを低減することができる。他の構成は、第1の実施形態と同様であるので説明を省略する。
Since the
一般に、半田ランド30,31の厚みと半田層40,41の厚みは、合わせて100μm以上であるため、透明樹脂11および光反射層8を外部電極層6、7の上面よりも100μm以上突出させることができる。すなわち、スペーサ4,5の厚さを100μm程度低減した薄型のLEDパッケージ200およびこれを搭載した発光装置を提供することができる。なお、実装基板20の半田ランド間の領域に凹部を形成することも可能であり、この場合、LEDパッケージの突出量は、半田ランドおよび半田層の厚みに制限されることなく設定することができるため、より薄型の発光装置を提供できる。
In general, since the thickness of the solder lands 30 and 31 and the thickness of the solder layers 40 and 41 are 100 μm or more in total, the
また、本実施形態では、基板1を上側に配置したことにより、下向きに凸形状のLEDパッケージ200でありながら、基板1の形状は平面のままである。このため、基板1を下向きに凸形状に加工する場合と比較して、基板1上に形成される内部電極2,3の信頼性を高めることができる。
Moreover, in this embodiment, since the board |
また、第2の実施形態のLEDパッケージ200は、第1の実施形態と同様に基板1を上面側に配置し、その下面にLEDチップ10を下向きに搭載したことにより、LEDチップ10から下向きに出射される光量が多くなり、かつ、反射層8として白樹脂を使用した場合では反射されず透過してしまう一部の光も実装基板20により反射し利用することができる。実装基板20の反射層8の直下に半田ランド30と導通しないように金属層を設けるなど、反射層をさらに設けることも可能である。このように本実施形態では、LEDパッケージ100の出射光の指向性が下向きになり、かつ、従来利用されなかった反射層8の透過光も利用可能になるため、導光板の端面から光を入射させる光源として用いた場合、入射効率を向上させることができる。
Moreover, the
本発明のLEDパッケージ200は、基板1を上面側に配置した構造であるので、下向きに凸型の形状を容易に製造することができるという利点もある。以下、第2の実施形態のLEDパッケージ200の製造方法を説明する。なお、以下の製造工程ではLEDパッケージは上下逆の状態で製造される。以下では、製造工程中での上下を用いて説明を行う。
Since the
基板1が縦横に複数連結された大判の基板を用意する。大判基板を内部電極2,3となる銅メッキパターンが形成された面を上向きに配置し、スルーホール4a,5aがあけられたスペーサ4,5となる基板をその上に重ね合わせる。このとき、スルーホール4a,5aが大判基板上の複数の基板1の境界を跨ぐように重ね合わせる。スルーホール4a,5a内とスペーサ4,5上の一部に銅めっきを行う。
A large-sized substrate in which a plurality of
大判基板上のパターンまでドリル等でLEDチップ10搭載用の空間を設け、パターンを露出させる。LEDチップ搭載用の空間をドリル等によりほぼ円形の穴形状に形成する場合、最終工程で基板を切り出す際に、円形の穴の中央を分割の境界位置とすることで、半円状の空間を持つLEDパッケージ100を向かい合わせに並べて一度に製造可能な配置となる。大判基板のLEDチップ搭載用の空間の周囲に残っている基板部分が、スペーサ4,5となる。LEDチップ搭載用の空間は、大判基板と重ねる前に予め設けてあってもよい。
A space for mounting the
スペーサ4,5の上面、スルーホール4a,5aの内壁、スルーホール4a,5aの底に露出された基板1、および、大判基板上のパターンの銅めっきに、さらにニッケル、銀メッキを成膜することにより、外部電極6,7および内部電極2,3を設ける。その後、内部電極2,3の上にLEDチップ10をダイボンディングし、LEDチップ10の上部電極を内部電極2にワイヤボンディング9により接続する。
Further, nickel and silver plating are formed on the copper plating of the pattern on the upper surface of the
スペーサ4,5で挟まれた空間に未硬化の透明樹脂11を、スペーサ4,5の上面よりも所定の高さだけ盛り上がるように充填する。その後硬化させ、スペーサ4、5よりも突出した透明樹脂11を形成する。その後、スルーホール4a,5aと外部電極層6,7を覆い、透明樹脂11を囲むような開口があけられたメタルマスクを配置し、光反射層8の樹脂材料を流し込んで硬化させ光反射層8を形成する。その後、大判基板を切り出し、個々の基板1に分割される。これにより、スペーサ4,5は円柱状のスルーホール4a,5aを半分にする位置で分割される。以上により、第2の実施形態のLEDパッケージ200が製造される。
The uncured
第1の実施形態のように金型を用いる製造方法では、分割前の大判基板上に複数の発光装置に渡って光反射層8がひと繋ぎとなるように形成される。このため、分割前の光反射層8は、樹脂の収縮により大判基板の反りの原因になる可能性がある。しかし、第2の実施形態のようにメタルマスクを用いた場合には、分割後のLEDパッケージ毎に光反射層8を分離した状態で初めから形成することが可能となり、樹脂の収縮による反りを防ぐことができる。
In the manufacturing method using a mold as in the first embodiment, the
なお、図3および図4では、透明樹脂11の下面が滑らかな曲面形状に突出している例を示したが、本発明は、透明樹脂11の下面形状は曲面形状に限定されるものではなく、矩形に突出した形状にすることも可能である。
3 and 4 show an example in which the lower surface of the
(第3の実施形態)
第3の実施形態として、複数の光出射開口を備えたサイドビュー型LEDパッケージ300を図5(a)〜(e)を用いて説明する。
(Third embodiment)
As a third embodiment, a side view
第3の実施形態のLEDパッケージ300は、図5(a)〜(e)のように基板1がほぼ正方形であり、正面、左右の側面、および背面の四方向から光を出射する。すなわち、透明樹脂11の4つの側面がそれぞれ光の出射開口となる。
In the
スペーサは、図5(d)に示したように、基板1の4つの角部に配置する。ここでは、円筒を1/4に分割した形状の4つのスペーサ4、4’、5、5’を基板1の4つの角部に配置している。
The spacers are disposed at the four corners of the
透明樹脂11は、スペーサ4、4’、5、5’が配置されていない基板1の下面領域全面に充填される。また、透明樹脂11の下面は、第2の実施形態と同様にスペーサ4、4’、5、5’の下面よりも下向きに突出している。光反射層8は、突出した透明樹脂11の底面を覆うように配置されている。
The
本実施形態のLEDパッケージ300は、透明樹脂11および光反射層8を下向きに突出させた形状であるため、第2の実施形態と同様にスペーサ4、4’、5、5’を半田ランドの間の空間に挿入することができ、薄型の発光装置を提供することができる。
Since the
なお、第3の実施形態のLEDパッケージ300は、出射開口を四方向に備える構成であったが、4つの出射開口のいくつか、または、出射開口の一部分を光反射層で覆い、出射開口の数や大きさを制限する構成とすることも可能である。また、出射口は4つに限らず、例えば対向する位置に配置された2つであっても構わない。
The
また、第3の実施形態のLEDパッケージ300を透明樹脂11および光反射層8を下向きに突出させない第1の実施形態の構造にすることももちろん可能である。
It is of course possible to make the
本発明のLEDパッケージおよび発光装置は、サイドビュー型LEDパッケージが使用される用途全般、例えば、導光板と組み合わせて、液晶表示装置等の光源や、一般照明光源として好適に用いることができる。 The LED package and the light emitting device of the present invention can be suitably used as a light source for a liquid crystal display device or a general illumination light source in combination with a general use in which a side view type LED package is used, for example, a light guide plate.
1…基板、2,3…内部電極、4,4’、5,5’…スペーサ、4a,5a…スルーホール、6,7…外部電極層、8…光反射層、9…ボンディングワイヤ、10…LEDチップ、11…透明樹脂、20…実装基板、30、31…半田ランド、40,41…半田層、100、200、300…LEDパッケージ
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記基板の下面、および、前記スペーサの前記発光素子と対向する面は、前記発光素子の光を反射する性質であり、前記封止材は、前記発光素子の光に対して透明であり、
前記封止材の下面、および、前記封止材の下面と前記スペーサの下面との境界は、前記発光素子の光を反射する光反射層で覆われ、
前記スペーサの下面の前記光反射層が配置されていない領域には、外部電極層が配置されていることを特徴とするサイドビュー型発光装置。 A substrate, a light emitting element mounted on the lower surface of the substrate, an internal electrode electrically connected to the light emitting element, a spacer disposed at least on both sides of the lower surface of the substrate, and a lower surface of the substrate A sealing material for sealing a region where the spacer is not disposed;
The lower surface of the substrate and the surface of the spacer facing the light emitting element have a property of reflecting the light of the light emitting element, and the sealing material is transparent to the light of the light emitting element,
The lower surface of the sealing material, and the boundary between the lower surface of the sealing material and the lower surface of the spacer are covered with a light reflecting layer that reflects light of the light emitting element,
A side view type light emitting device, wherein an external electrode layer is disposed in a region of the lower surface of the spacer where the light reflecting layer is not disposed.
前記サイドビュー型発光装置は、基板と、該基板の下面に搭載された発光素子と、前記発光素子に電気的に接続された内部電極と、前記基板の下面の少なくとも両脇に配置されたスペーサと、前記基板の下面の前記スペーサが配置されていない領域を封止する封止材とを有し、
前記基板の下面、および、前記スペーサの前記発光素子と対向する面は、前記発光素子の光を反射する性質であり、前記封止材は、前記発光素子の光に対して透明であり、
前記封止材の下面、および、前記封止材の下面と前記スペーサの下面との境界は、前記発光素子の光を反射する光反射層で覆われ、
前記スペーサの下面の前記光反射層が配置されていない領域には、外部電極層が配置されていることを特徴とする発光装置。 A mounting substrate, a pair of mounting electrodes disposed on the mounting substrate, and a side-view light-emitting device mounted on the mounting electrode;
The side view type light emitting device includes a substrate, a light emitting element mounted on the lower surface of the substrate, an internal electrode electrically connected to the light emitting element, and a spacer disposed on at least both sides of the lower surface of the substrate. And a sealing material that seals a region of the lower surface of the substrate where the spacer is not disposed,
The lower surface of the substrate and the surface of the spacer facing the light emitting element have a property of reflecting the light of the light emitting element, and the sealing material is transparent to the light of the light emitting element,
The lower surface of the sealing material, and the boundary between the lower surface of the sealing material and the lower surface of the spacer are covered with a light reflecting layer that reflects light of the light emitting element,
An external electrode layer is disposed in a region where the light reflection layer is not disposed on the lower surface of the spacer.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010141799A JP5436353B2 (en) | 2010-06-22 | 2010-06-22 | Light emitting device |
CN201110170274.1A CN102299236B (en) | 2010-06-22 | 2011-06-22 | Light-emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010141799A JP5436353B2 (en) | 2010-06-22 | 2010-06-22 | Light emitting device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012009504A true JP2012009504A (en) | 2012-01-12 |
JP5436353B2 JP5436353B2 (en) | 2014-03-05 |
Family
ID=45359523
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010141799A Active JP5436353B2 (en) | 2010-06-22 | 2010-06-22 | Light emitting device |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5436353B2 (en) |
CN (1) | CN102299236B (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016086148A (en) * | 2014-10-24 | 2016-05-19 | 日亜化学工業株式会社 | Light emitting device and manufacturing method of the same |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110660893B (en) * | 2019-09-06 | 2021-08-17 | 深圳市银宝山新科技股份有限公司 | Light-emitting element packaging structure and manufacturing method and manufacturing equipment thereof |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003218401A (en) * | 2002-01-18 | 2003-07-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
JP2004087973A (en) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Sharp Corp | Surface-mount side surface-emitting diode and its manufacturing method |
JP2008288230A (en) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Citizen Electronics Co Ltd | Backlight light source |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100649679B1 (en) * | 2005-07-19 | 2006-11-27 | 삼성전기주식회사 | Side emitting led package and blu using the same |
JP2007059612A (en) * | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Sharp Corp | Light emitting diode |
-
2010
- 2010-06-22 JP JP2010141799A patent/JP5436353B2/en active Active
-
2011
- 2011-06-22 CN CN201110170274.1A patent/CN102299236B/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003218401A (en) * | 2002-01-18 | 2003-07-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
JP2004087973A (en) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Sharp Corp | Surface-mount side surface-emitting diode and its manufacturing method |
JP2008288230A (en) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Citizen Electronics Co Ltd | Backlight light source |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016086148A (en) * | 2014-10-24 | 2016-05-19 | 日亜化学工業株式会社 | Light emitting device and manufacturing method of the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102299236A (en) | 2011-12-28 |
JP5436353B2 (en) | 2014-03-05 |
CN102299236B (en) | 2015-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102215923B1 (en) | Manufacturing method for light emitting module and light emitting module | |
US10593846B2 (en) | Semiconductor light-emitting device, method for producing same, and display device | |
JP4744178B2 (en) | Light emitting diode | |
KR100732267B1 (en) | Linear light source and production method therefor and surface emission device | |
JP6299176B2 (en) | LIGHT EMITTING DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND LIGHTING DEVICE EQUIPPED WITH THE LIGHT EMITTING DEVICE | |
US20070114555A1 (en) | Light emitting element, production method thereof, backlight unit having the light emitting element, and production method thereof | |
JP6024352B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
JPWO2014087938A1 (en) | LED module | |
JP2011003706A (en) | Light emitting device and method of manufacturing the same | |
JP2012182276A (en) | Light emitting unit and display device | |
JP2013143430A (en) | Semiconductor light-emitting device, and illuminating device using the same | |
JP2013183020A (en) | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same | |
US11329203B2 (en) | Light emitting device including covering member and optical member | |
JP2013115116A (en) | Led module | |
TW202121705A (en) | Light emitting device and led package | |
JP5803925B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
US8366307B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
JP2014060343A (en) | Method of manufacturing light-emitting diode, light-emitting diode | |
JP5286122B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device | |
JP5350947B2 (en) | Light emitting diode | |
JP5436353B2 (en) | Light emitting device | |
US11506933B2 (en) | Light-emitting module, method for manufacturing the same, and liquid-crystal display device | |
JP2005167136A (en) | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same | |
JP2020021910A (en) | Method of manufacturing light-emitting module and light-emitting module | |
JP6680258B2 (en) | Light source |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130614 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131031 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131119 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131210 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5436353 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |