JP2011529640A - スポットが調整される能動スポットアレイリソグラフィ用投影機システム - Google Patents

スポットが調整される能動スポットアレイリソグラフィ用投影機システム Download PDF

Info

Publication number
JP2011529640A
JP2011529640A JP2011521108A JP2011521108A JP2011529640A JP 2011529640 A JP2011529640 A JP 2011529640A JP 2011521108 A JP2011521108 A JP 2011521108A JP 2011521108 A JP2011521108 A JP 2011521108A JP 2011529640 A JP2011529640 A JP 2011529640A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
individually controllable
imaging
pupil
spatial
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011521108A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5620379B2 (ja
Inventor
エフ ミカロスキ,ポール
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Corning Inc
Original Assignee
Corning Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Corning Inc filed Critical Corning Inc
Publication of JP2011529640A publication Critical patent/JP2011529640A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5620379B2 publication Critical patent/JP5620379B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70283Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70275Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70308Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

特に、微細リソグラフィ投影のための能動スポットアレイ投影システム(10)は、個別制御可能素子(16)を有する、デジタルマイクロミラーデバイスのような、空間光変調器(14)を備える。マイクロレンズアレイのような、集束素子アレイ(24)の個々の素子が光ビームの交軸セグメントを集束させてスポット(34)にする。空間光変調器と集束素子アレイの間の結像光学系(22)内において、空間周波数フィルタ(120)が、スポットの光分布を調整すると同時に隣接スポット間のクロストークを制限するため、個別制御可能素子の不整構造から生じる角度分布光はある程度減衰させるが、個別制御可能素子の周辺境界から生じる大角度分布光の減衰は回避する。

Description

関連出願の説明
本出願は、米国特許法第119条e項の下に、2008年7月31日に出願された米国仮特許出願第61/085387号の優先権の恩典を主張する。
個別制御可能な光変調アレイを備える微細リソグラフィ投影システムは能動的に制御されたスポットパターンを感光性基板上に投影する。そのようなシステムは、フラットパネルディスプレイ、プリント回路基板、マイクロマシン及びその他のマイクロエレクトロニクス素子の作成に特に有用である。
従来の微細リソグラフィシステムは(レチクルとも称される)マスクの像を感光性基板上に投影する。改修されているかまたはさらに一層大きいパターンを投影するためには、マスクを異なるパターンまたは拡張されたパターンを有する別のマスクと交換しなければならない。
いわゆる「マスクレス」または「無レチクル」微細リソグラフィシステムは、制御可能なパターンを基板上に生成するための空間光変調アレイ及び投影システムでマスクを置き換える。空間光変調アレイは、感光性基板上にスポットパターンを投影するために光の個々の交軸セグメントの微細リソグラフィシステム透過を調整する。それぞれのスポットは光変調アレイの1つ以上の個別制御可能素子によって調整される。プログラム制御の下で、スポットのパターンは、基板上に連続調節可能なスポットパターンを露光するため、感光性基板の相対平行移動にしたがって変化する。
空間光変調アレイの個別制御可能素子は、光の個々の交軸セグメントが感光性基板に到達するか否かを制御するためのマイクロマシンスイッチとして機能する。回折格子光バルブデバイスによって与えられるような位相シフトまたはデジタルマイクロミラーデバイスによって与えられるような方向制御反射のような、様々な光学機構をスイッチング機能のために用いることができる。
一般に、投影システムはマイクロレンズアレイの対応するマイクロレンズ上に個別制御可能素子のそれぞれの拡大像を形成し、マイクロレンズアレイの個々のマイクロレンズは個々の個別制御可能素子からの光を集束スポットによって集中させる。拡大機能と集束機能は合わせて、隔てられた集束スポットを生じさせる。集束スポットのパターンは、複数の集束スポット列を有し、連続する集束スポット列が基板の全走査領域の選択的照明を与えるように、基板に対する平行移動方向に対して若干傾けられる。
間隔が密な構造を基板上に鮮鋭にパターニングするためには解像度が高いスポットが必要である。高められた解像度は、個別制御可能素子から出てくる光セグメントがそれぞれの焦点を通して導かれ、焦点が中継されて基板上に調整されたスポットを形成する、多段投影システムによって達成される。しかし、個別調整可能素子内の欠陥がスポットの寸法及び形状を歪ませ、よって得られる投影像の解像度を低下させ得る。
例えば、デジタルマイクロミラーデバイスのマイクロマシンミラーは、マイクロミラー面を理想平坦鏡面から逸脱させる表面不整を有し得る。傾斜のずれはマイクロミラーからの光の反射角範囲を拡げ、この結果、集束されたスポットを対応する1つ以上の次元で大きくする。マイクロミラーからの光の拡げられた反射角範囲を取り除くために投影システム内の結像レンズのアパーチャを絞ることは可能であり得るが、寸法が縮小されたアパーチャは隣接するマイクロミラーから出てくる光セグメントを弁別するための投影システムの能力も狭める。隣接マイクロマシンミラー間のそのようないわゆる「クロストーク」はマイクロレンズアレイ上にマイクロミラーの像の重なりを生じさせることによって投影パターンのコントラストを低下させる。それぞれのマイクロレンズがそれぞれに関係付けられたマイクロミラーだけから光を受け取る代わりに、個々のマイクロミラーからの結像が不十分な光が隣接するマイクロレンズまで拡がり、所望の像の生成が求められていない集束スポットをある程度照明する。
本発明の課題は、マスクレス投影システムにおいて、空間光変調器の個別制御可能素子内の欠陥に適応し、投影像の解像度を高めるために、スポットの光分布を調整すると同時に隣接スポット間のクロストークを制限する手段を提供することである。
本発明は、1つ以上の実施形態に対して思い描かれるように、空間光変調器の個別制御可能素子内の欠陥に適応すると同時に、感光性基板上に高解像度パターンを生成する。パターンは、感光性基板面内で相対的に平行移動することができる、制御可能な集束スポットアレイによって生成することができる。制御は、制御しなければ個別制御可能素子の欠陥によって生じたであろう形状歪を補償するために、スポット形状に施すことができる。適応は集束スポットによって所望のエネルギー分布に影響を与えるためにもなされ得る。
能動スポットアレイ投影システムとしての本発明の一態様は、光路に沿って光ビームの対応する交軸セグメントを選択的に送るための個別制御可能素子を有する空間光変調器を備える。個別制御可能素子は周辺境界を周辺境界内のある種の不整構造とともに有し、これは個別制御可能素子の間では普通であり得る。光路に沿う集束素子アレイは光ビームの交軸セグメントを集束させてスポットにするための個々の集束素子を有する。光路に沿う結像光学系は空間光変調器の個別制御可能素子を個々の集束素子上に結像させる。光路に沿う空間周波数フィルタが、隣接スポット間のクロストークを制限しながらスポットの光分布を調整するために、個別制御可能素子の不整構造から生じる光軸セグメント内の光のある空間周波数を少なくともある程度減衰させるが、個別制御可能素子の周辺境界から生じる光軸セグメント内の高光空間周波数の減衰は回避する。ある空間周波数の減衰は、集束素子アレイの個々の集束素子上に結像される空間光変調器の個別制御可能素子の像の解像度を有意に低下させることなく、集束素子アレイ上に入射する光の角度分布を変える。
空間光変調器の個別制御可能素子を光ビームで照明するための照明装置が備えられることが好ましい。好ましい照明装置は、結像光学系の入射ひとみの限定された領域を、空間光変調器の個別制御可能素子の整形構造と出会う光ビームが照明装置ひとみによって占められる結像光学系ひとみの限定された領域内で実質的に維持されるように、占める大きさにつくられた出射ひとみを有する。空間光変調器の個別制御可能素子の不整構造と出会う光ビームは、照明装置ひとみによって占められる結像光学系ひとみの限定された領域をこえて拡がる。
空間周波数フィルタは結像光学系ひとみの中間ラジアル帯内の光を減衰させることが好ましい。中間ラジアル帯は、(a)個別制御可能素子の不整構造から生じる光を減衰させるために照明装置ひとみによって占められる結像光学系ひとみの限定された領域をこえて拡がり、(b)個別制御可能素子の周辺境界から生じる交軸セグメント内の光の少なくとも一部が結像光学系ひとみを通過するように結像光学系ひとみの周辺から径方向にオフセットされる。
中間ラジアル帯への光の減衰の限定に加えて、空間周波数フィルタはさらに光の減衰を、収斂してスポットを形成する角度分布の間のラジアル対称性を復元するために、中間ラジアル帯の角度によって隔てられた領域内に光の減衰を限定することができる。空間周波数フィルタは、結像光学系のアパーチャ絞りの近傍に配置された、アポダイザーまたは位相板の形態をとることができる。しかし、空間周波数フィルタは、結像光学系の視野絞りの近傍に配置された、干渉フィルタの形態をとることもできる。
空間光変調器はデジタルマイクロデバイスとすることができ、個別制御可能素子は、光ビームの対応する交軸セグメントを光路に沿って送る第1の位置と光ビームの対応する交軸セグメントを別の方向に送る第2の位置の間で個々に切り換えることができるミラーを有することができる。個別制御可能素子の不整は、ミラーとスイッチングデバイスの間の連結にともなう窪みの位置を少なくとも含む、平坦性からから外れたミラー内の局所傾斜変動に対応する。個別制御可能素子の周辺境界はミラーのエッジに対応する。
能動スポットアレイ投影システムとしての本発明の別の態様は、光路に沿う光ビームの交軸セグメントを選択的に反射するための個別制御可能ミラーを有するデジタルマイクロミラーデバイスを備える。個別制御可能ミラーは周辺エッジ及び傾斜の変動によって平坦性から外れる表面不整構造を有する。照明装置がデジタルマイクロミラーデバイスの個別制御可能ミラーを光ビームで照明する。光路に沿うマイクロレンズアレイが光ビームの交軸セグメントを集束してスポットにするための個々のマイクロレンズを有する。光路に沿う結像レンズがデジタルマイクロミラーデバイスの個別制御可能ミラーをマイクロレンズアレイの個々のマイクロレンズ上に結像させる。照明装置は結像レンズの入射ひとみの制限された領域を占める大きさにつくられた出射ひとみを有する。ミラーの周辺エッジ及び表面不整構造は平坦性から外れ、よって結像レンズひとみの残余領域を少なくともある程度占める。フィルタが、スポットの形状を調整するために結像レンズひとみの残余領域内の光のいくらかを減衰させ、同時にミラーの周辺エッジをマイクロレンズアレイ上に結像させるために結像レンズひとみの残余領域内に光の他の部分を保持する
個別制御可能ミラーの平坦性から外れていない領域は、結像レンズひとみの照明装置ひとみで占められている限定された領域内に実質的にとどまる角度で、光を反射する。しかし、ミラーの個別制御可能ミラーの、ミラーの周辺エッジ及び表面不整構造のいずれをも含む、平坦性から外れている他の領域は、照明装置ひとみによって占められる結像レンズひとみの限定された領域をこえて結像レンズひとみの残余領域まで拡がる、様々な角度で光を反射する。
フィルタは、結像レンズひとみの残余領域まで拡がる光のある空間周波数を減衰させる、空間周波数フィルタであることが好ましい。低空間周波数範囲にある光は照明装置ひとみによって占められる結像レンズひとみの限定された領域内に配され、中間空間周波数範囲及び高空間周波数範囲にある光は結像レンズひとみの残余領域内に配される。空間周波数フィルタは、ミラーの周辺エッジの結像に寄与する高空間周波数を減衰させずにスポットの形状を調整するための中間範囲の空間周波数のいくらかを減衰させることができる。
本発明のまた別の態様は能動スポットアレイ投影システム内の集束スポットを整形する方法に関わる。個別制御可能素子を有する空間光変調器が照明されて、対応する光ビームの交軸セグメントを光路に沿って集束素子アレイに選択的に送る。集束素子アレイの個々の集束素子に到達する光ビームの交軸セグメントは集束されてスポットになる。個別制御可能素子の不整構造から生じる交軸セグメント内の光のある空間周波数は減衰されるが、個別制御可能素子の周辺境界から生じる交軸セグメント内の光のさらに高いある空間周波数は同様には減衰されず、よって、スポットの光分布が調整され、同時に隣接スポット間のクロストークが制限される。
空間光変調器の個別制御可能素子は集束素子アレイの個々の集束素子上に結像されることが好ましい。空間光変調器の個別制御可能素子は第1の開口数をもつアパーチャを通して照明されることが好ましく、空間光変調器の個別制御可能素子は、第1の開口数より大きい、第2の開口数をもつアパーチャを通して個々の集束素子上に結像されることが好ましい。第1の開口数をもつアパーチャと第2の開口数をもつアパーチャの間の光は減衰を受けることが好ましい。
空間光変調器の個別制御可能素子を集束素子アレイの個々の集束素子上に結像させるための結像光学系の入射ひとみの限定された領域を占めるように、照明装置を構成することができる。結像光学系の入射ひとみ内で減衰された光は、照明装置によって占められる限定された領域の外側にあり、入射ひとみの周辺からオフセットされることが好ましい。
図1は、十分に集束されたスポットを基板上に投影するための、本発明にしたがう能動スポットアレイ投影システムの形態にある微細リソグラフィ投影システムの略図である。 図2は本発明にしたがうパターン発生器として用いられるデジタルマイクロミラーデバイスのマイクロミラーの、大きく拡大され、代表的な表面不整構造を示すために等高線が重ねられている、平面図である。 図3は、平坦性からの軸対称外れを示す、図2のマイクロミラーの線3-3に沿ってとられた断面図である。 図4Aは、回折効果を考慮しない理想マイクロミラーからの光の分布を示す等強度線を含む、投影システム内の結像光学系アパーチャ絞りの平面図である。 図4Bは、図4Aのアパーチャ絞り面内の、垂直方向及び対角方向で一致する強度プロファイルプロットを含むグラフである。 図5Aはミラーエッジの回折効果から生じる光の分布を示す等強度線を含む結像光学系アパーチャ絞りの平面図である。 図5Bは、図4Aのアパーチャ絞り面内の、垂直方向及び対角方向の強度プロファイルプロットを比較するグラフである。 は理想マイクロミラーの反射面及びエッジからの光の分布を組み合わせて示す等強度線を含む結像光学系アパーチャ絞りの平面図である。 図6Bは、図6Aのアパーチャ絞り面内の、垂直方向及び対角方向の強度プロファイルプロットを比較するグラフである。 図7Aは図2に示されるようなマイクロミラーの不整形反射面及びエッジからの光の分布を示す等強度線を含む結像光学系アパーチャ絞りの平面図である。 図7Bは、図7Aのアパーチャ絞り面内の、垂直方向及び2つの対角方向の強度プロファイルプロットを比較するグラフである。 図8Aは、アパーチャ絞り内のエネルギー分布のバランスをとるための4分枝アポダイザーを備える、図7Aの結像光学系アパーチャ絞りの平面図である。 図8Bは、図8Aのアパーチャ絞り面内の、垂直方向及び2つの対角方向の強度プロファイルプロットを比較するグラフである。 図9Aは、アパーチャ絞り内の既にバランスがとられているエネルギー分布へのアポダイザーの限定された効果を示す、図8Aと同じ4分枝アポダイザーを備える図6Aの結像光学系アパーチャ絞りの平面図である。 図9Bは、図9Aのアパーチャ絞り面内の、垂直方向及び対角方向の強度プロファイルプロットを比較するグラフである。 図10Aはマイクロミラーの異なる不整形反射面及びエッジからの光の分布を示す等強度線を含む結像光学系アパーチャ絞りの平面図である。 図10Bは、図10Aのアパーチャ絞り面内の、垂直方向、水平方向及び対角方向の強度プロファイルプロットを比較するグラフである。 図11Aは、アパーチャ絞り内のエネルギー分布のバランスをとるための環形アポダイザーを備える、図10Aの結像光学系アパーチャ絞りの平面図である。 図11Bは、図11Aのアパーチャ絞り面内の、垂直方向、水平方向及び対角方向の強度プロファイルプロットを比較するグラフである。
能動スポットアレイ投影システムの一例として、微細リソグラフィ投影システム10が十分に整形されたスポットのパターンを投影するために本発明にしたがって改修される。個別制御可能素子16を有するパターン発生器14が照明装置12から一様な光を受取り、素子16の制御状態に応じて、投影装置18またはビームダンプ20に光のそれぞれの個別部分を導く。
投影装置18の結像光学系22がパターン発生器14の個別制御可能素子16をマイクロレンズアレイ24の対応するマイクロレンズ26上に結像させる。結像光学系22に対しては、隣接するマイクロレンズ26上への有意なクロストークまたは重なりを生じさせずにマイクロレンズ26上に個別制御可能素子16の拡大像を正確に再現させるに十分な(例えば0.08ないしさらに大きい)開口数が選ばれる。個別制御可能素子16のエッジからの光を遮断するために視野絞り28がマイクロレンズ26の入射ひとみを囲む。リレーレンズ30がマイクロレンズ26の焦点32を集束スポット34のパターンとして感光性基板38の表面36に結像させる。ステージ40が集束スポット34のパターンに対して1つまたはさらに多くの直交する軸に沿って感光性基板38を相対的に平行移動させる。図示されていないが、投影装置18は、集束スポット34を基板表面36上のそれぞれの目的位置に調節するため、投影装置18の光軸42に沿いステージ40に対して平行移動できることが好ましい。
空間光変調器の一タイプであることが好ましい、パターン発生器14は、位相シフト、回折、偏光変調、シャッター開閉または指向性反射を含む、多くの様々な機構に基づく、透過または反射を変調するための様々な形態をとることができる。プログラマブルミラーアレイとして示される、パターン発生器14はテキサスインスツルメンツ社(Texas Instruments Incorporated)からDLP(登録商標)テクノロジーとして販売されているタイプのデジタルマイクロミラーデバイスであることが好ましい。
照明装置12は、拡大するビーム52を放射する拡大光源50,ビーム52をさらに拡大するためのプロファイラー54,ビーム52内の光を積分するためのユニフォーマイザー56及びビーム52の積分された光をパターン発生器14に送るリレー58を備える。拡大光源50は、パターン発生器14のアスペクト比に一致するアスペクト比を有するアレイに配列された、密集発光器を有することが好ましい。例えば、所望のアレイに束ねられた、発光端を有する一束のマルチモード光ファイバ(図示せず)に複数のレーザダイオード(図示せず)を結合させることができる。あるいは、照明装置12に光を注入するために単光源または光源のその他の組合せを用いることができる。プロファイラー54は照明装置アパーチャ絞り44の領域にわたってユニフォーマイザー56に光を結合するための集光レンズ63を有することが好ましい。ユニフォーマイザー56は2つの複眼アレイ64及び65から組み立てられた結像タイプホモジナイザーであることが好ましい。微細リソグラフィシステムのための好ましい照明装置のさらなる詳細は、2008年5月30日に出願された、名称を「マスクレスリソグラフィのためのパターニングシステムの集束スポットの寸法を定めるための照明システム(Illumination System for Sizing Focused Spots of a Patterning System for Maskless Lithography)」とする、共通に譲渡された米国特許出願第61/130363号の明細書に開示されている。この明細書は本明細書に参照として含まれる。
照明装置12はパターン発生器14における結像光学系22の開口数より小さい開口数をパターン発生器14において有する。照明装置アパーチャ絞り44は、(a)結像光学系22のアパーチャ絞り46,(b)マイクロレンズアレイ24の焦点32及び(c)基板表面36上の集束スポット34と共役である。したがって、照明装置アパーチャ絞り44は結像光学系アパーチャ絞り46内に結像光学系アパーチャ絞り46の寸法より小さい寸法で結像される。照明装置12は、空間コヒーレンスに反比例する、コヒーレンスパラメータσと称されるアパーチャ比(結像光学系アパーチャ径に対する照明装置アパーチャ径の比)で、結像光学系22のアパーチャ絞り46の部分領域を占める。集束スポット34は結像光学系アパーチャ絞り46と共役であり、結像光学系アパーチャ絞り46を1より小さいコヒーレンスパラメータの結果として部分領域しか占められないから、集束スポット34の寸法(例えば集束径)も小さくなるが、焦点深度は大きくなる。
照明装置12は結像光学系アパーチャ絞り46の部分領域しか占めないように設計されるが、パターン発生器14の個別制御可能素子16の不整構造及び周辺境界の結果として、光は結像光学系アパーチャ絞り46の残余領域に入る。例えば、デジタルマイクロミラーデバイスのマイクロミラーは平坦性からのずれを含む反射面及びエッジの形態の境界を有し、よって結像光学系22で集められた光の空間コヒーレンスは低下している。平坦性からのずれで反射される光は大反射角を含む範囲にわたり、エッジで回折される光は広い角度範囲にわたる。大反射角で結像光学系22に入る光は、結像光学系46の、そのような光がなければ照明装置アパーチャ絞り44の像によって占められるであろう領域をこえる、領域を占める。
デジタルマイクロミラーデバイスのマイクロミラーを表す、マイクロミラー70の大きく拡大された図が図2及び3に示される。図2のマイクロミラー70上にはマイクロミラー70の反射面74の面内平坦度変動を示す等高線72が重畳されている。等高線72は、(a)切断線3-3に沿う最大曲率の方向に対して垂直な軸に関し概ね軸対称な曲率を有するとしてマイクロミラー70の反射面74の全体形状を表し、(b)マイクロミラー70の裏面への連結具(図示せず)の結果として形成される、マイクロミラー70の中心にある窪み76の形状を表し、(c)マイクロミラー70のエッジに近づく別の表面変動を表す。
図3の断面図は、結像光学系22の光軸42に平行に延びる基準軸84に沿って方位が定められる反射光線82としての、照明装置22からの軸光線80の反射面74の平坦領域からの反射を可能にする角度だけ傾けられたマイクロミラー70を示す。しかし、主光線86のような、結像光学系22からのその他の軸光線は反射面74の非平坦領域に出会い、光軸42に平行な基準軸92に対して角αをなして傾けられた反射光線88として、反射される。例示の目的のため誇張されているが、反射光線88がなす傾き角αは、反射面74の局所領域が平面に対してなす傾き角φの2倍に対応する。すなわち、マイクロミラー70の反射面74の面内の平坦性からの局所的なずれは、結像光学系の光軸42に対して、より大きな角αをなして光を反射するようにはたらく。
図4A〜11A及び4B〜11Bは様々な条件の下での結像光学系22のアパーチャ絞り46内の光の強度プロファイルを示す。例えば、図4Aは、完全に平坦であり、回折効果は全くないと見なされる理想マイクロミラーの図式表示された照明プロファイルを含む、ひとみから見たアパーチャ絞り46を表す。断面プロットとして図4Bにも見ることができる、照明プロファイル100は、対数スケールの等強度線102で表される。光エネルギーのほとんどは、照明プロファイル100の最大面積を囲む、最内等強度線104内にある。照明プロファイル100はアパーチャ絞り46内に中心があり、光軸42に関して対称である。図4Bに見られるように、垂直方向断面及び対角方向断面の強度プロファイルは正確に一致する。最外等強度線106は所望の部分コヒーレンスを達成するための照明装置12内のアパーチャ絞り11の像にほぼ対応する。
理想マイクロミラーのエッジ78からの回折効果だけが図5A及び5Bに示される。マイクロミラーの残りの反射面74からの反射を不可視化するため、図示される回折パターンは照明装置12からのコリメート光によって形成される。光エネルギーのほとんどは最内等強度線108内で光軸42の近傍を中心にしたままであるが、残余光エネルギーの中の高次回折効果がミラーエッジ78の直交する方位に対応する垂直方向及び水平方向に空間周波数分布110を生じさせる。垂直方向プロファイルと対角方向プロファイルの間の差は、アパーチャ絞り46に近づく、高空間周波数において最も明らかである。
理想マイクロミラーの反射面74とエッジ78の複合効果が図6A及び6Bに表される。この場合も、光エネルギーのほとんどは最内等強度線112内で光軸42の周りを中心にしたままであるが、エッジ78の回折効果が小量の光の直交する空間周波数分布114を生じさせる。図6Bに示されるように、垂直方向断面強度プロファイル及び対角方向断面強度プロファイルは、小量の光エネルギーを含む高空間周波数領域を除いて、ほとんど対応している。
アパーチャ絞り46の周辺に近づく高空間周波数は小量の光エネルギーを含むが、回折光の直交分布114内の高空間周波数は、隣接マイクロミラー間のクロストークを回避するに十分な忠実度で、エッジ78をマイクロレンズアレイ24上に結像させるために特に重要である。すなわち、エッジ78から散乱される光を遮断するために視野絞り28がマイクロレンズ26の入射アパーチャを囲んでいるにせよ、マイクロミラー70の個々の像を形成する光エネルギーが視野絞り28をこえて拡がり、隣のアパーチャに入ってはならない。
図2にマイクロミラー70について示されるような平坦度の変動にともなう効果が図7A及び7Bに示される。最内等強度線116が、反射面74の平坦性からのほとんど軸対称のずれに対応する、対角方向プロファイル1に沿って引き伸ばされる。エッジ78からの回折効果も見られ、アパーチャ絞り46の過半にわたって拡がっている。図7Bの2つの対角強度プロファイル1及び2はこの非対称性の大きさを示す。別途に補正を加えなければ、結果は、集束スポット34の引き伸ばしまたはその他の形崩れである。
図8A及び8Bを参照すれば、マイクロミラー70がマイクロレンズアレイ24上に結像される微細度を有意に制限することなくマイクロミラー70の平坦度変動の悪影響を軽減するために、アポダイザー120の形態の空間周波数フィルタがアパーチャ絞り46内の光を減衰させる。アポダイザー120は、対角方向プロファイル1及び2が描かれる2本の対角線に沿って周環132から径方向に延びる4本の分枝122,124,126及び128を有する。分枝122,124,126及び128は、その中に光エネルギーのほとんどが存在するアパーチャ絞り16の中心帯の手前で止まる。しかし、分枝は、集束スポット34の形状を歪ませる原因となる中間空間周波数のいくらかを減衰させる。分枝122,124,126及び128の対角配位により、所望の微細度でエッジ78を結像させるに必要な、垂直軸及び水平軸に沿う高空間周波数が維持される。
図9A及び9Bは同じアポダイザー120及び、図6A及び6Bに示されるような理想マイクロミラーによるエネルギー分布への、その限定された効果を示す。垂直方向強度プロファイルと対角方向強度プロファイルは高空間周波数に限定された最も顕著な差により僅かに異なるだけである。しかし、垂直軸及び水平軸に沿って配された、エッジ78の結像に最も有効な高空間周波数は攪乱されないままでいる。さらに、光エネルギーのほとんど全ては所望の形状の集束スポット34の形成に対して残されている。
垂直軸に関する軸対称曲率に対応するマイクロミラーの平坦度からの別のずれが図10A及び10Bに示される強度パターンで表される。最内等強度線134は水平軸に沿って引き伸ばされて現れ、回転対称集束スポット34を形成するための所望のエネルギー分布から外れている。この場合、より対称な光エネルギー分布を復元するために最も減衰が必要な中間空間周波数は水平軸に沿い、水平軸はエッジ78の結像に必要な回折光の高空間周波数によっても占められている。したがって、光軸42に関して対称にいくらかの中間空間周波数を減衰させるために、図11Aに示されるような、中間環142を有する別形のアポダイザー140が備えられる。中間環142の効果は、図11Bの、垂直方向プロファイル、水平方向プロファイル及び対角方向プロファイルに示されるように、全方向で同じ範囲の空間周波数を除去し、よって得られる結像光学系ひとみ内のエネルギー分布が光軸42に関してさらに対称になることである。
4分枝形のアポダイザー120はマイクロミラーの対角不整構造にともなう中間周波数を、マイクロミラーが集合体としてこのように不整構造にされる程度まで、除去するに好ましいが、円形のアポダイザー140は対角不整構造またはマイクロミラーの全アレイの間において一層ランダムな態様で変わる傾向がある不整構造を処理するに一層有効であろう。円形のアポダイザー140は結像光学系アパーチャ絞り内のアポダイザー自体のエッジ回折効果にともなう悪影響も制限する。
アポダイザー120及び140は、分枝122,124,126及び128によって、また中間環142によって、覆われるアパーチャ帯内の光を完全に遮断するとして示されるが、そのような分枝、環またはアパーチャ帯内のその他のアポダイザー形状は、覆われる帯内の光を可変態様で減衰させるために、ソフトエッジまたはその他の光透過性の構造をもたせて形成することができる。可変減衰により、アポダイザー自体の回折効果を軽減することができ、アパーチャ絞り46内の様々な方向において光エネルギーのバランスをとるためにさらに微細に解像された強度分布を提供することができる。
アポダイザーは、不透明プレートの型抜きまたはそのままでは透明なプレート上への不透明材料被着を含む、様々な既知の手法で形成することができる。
限られた数の実施形態に関して本発明を説明したが、本発明の全体的教示にしたがえば数多くの別の実施形態がなされ得ることが当業者には当然であろう。
10 微細リソグラフィ投影システム
12 照明装置
14 パターン発生器
16 個別制御可能素子
18 投影装置
20 ビームダンプ
22 結像光学系
24 集束素子アレイ(マイクロレンズアレイ)
26 集束素子(マイクロレンズ)
28 視野絞り
30 リレーレンズ
32 マイクロレンズ焦点
34 集束スポット
36 感光性基板表面
38 感光性基板
40 ステージ
42 投影装置光軸
44 照明装置アパーチャ絞り
46 結像光学系アパーチャ絞り
50 拡大光源
52 ビーム
54 プロファイラー
56 ユニフォーマイザー
58 リレー
63 集光レンズ
64,65 複眼レンズ
70 マイクロミラー
72 等高線
74 反射面
76 反射面窪み
78 マイクロミラーエッジ
80 軸光線
82,88 反射光線
84,92 基準軸
86 主光線
120,140 アポダイザー

Claims (10)

  1. 能動スポットアレイ投影システムにおいて、
    光ビームの対応する交軸セグメントを光路に沿って選択的に送るための、周辺境界及び前記周辺境界内の不整構造を有する個別制御可能素子を有する空間光変調器、
    前記光ビームの前記交軸セグメントを集束させてスポットにするための個々の集束素子を有する、前記光路に沿う集束素子アレイ、
    前記個々の集束素子上に前記空間光変調器の前記個別制御可能素子を結像させるための前記光路に沿う結像光学系、及び
    前記スポットの光分布を調整し、同時に隣接スポット間のクロストークは制限するために、前記個別制御可能素子の前記不整構造から生じる前記交軸セグメント内の角度分布光を少なくともある程度は減衰させるが、前記個別制御可能素子の前記周辺境界から生じる前記交軸セグメント内の大角度分布光の減衰は回避するように構成された、前記光路に沿う空間周波数フィルタ、
    を備えることを特徴とするシステム。
  2. 前記光ビームで前記空間光変調器の前記個別制御可能素子を照明するための照明装置をさらに備え、前記照明装置が出射ひとみを有し、前記出射ひとみが、前記空間光変調器の前記個別制御可能素子の整形構造に入射した前記光ビームは実質的に前記照明装置ひとみによって占められる前記結像光学系のひとみの限定された領域内にとどまり、前記空間光変調器の前記個別制御可能素子の前記不整形構造に入射した前記光ビームは前記照明装置ひとみによって占められる前記結像光学系ひとみの前記限定された領域をこえて拡がるような寸法につくられ、前記空間周波数フィルタが、前記結像光学系ひとみの中間ラジアル帯内の光を減衰させ、前記中間ラジアル帯が、(a)前記個別制御可能素子の前記不整構造から生じる光を減衰させるために前記照明装置ひとみによって占められる前記結像光学系ひとみの前記限定された領域をこえて径方向に拡がり、(b)前記個別制御可能素子の前記周辺境界から生じる前記交軸セグメント内の前記光の少なくとも一部が前記結像光学系ひとみを通過するように前記結像光学系ひとみの周辺から径方向にオフセットされている、
    ことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
  3. 前記空間周波数フィルタが、収斂して前記スポットを形成する角度分布の間のラジアル対称性を高めるために前記中間ラジアル帯の角度によって隔てられた領域内の光を減衰させることを特徴とする請求項3に記載のシステム。
  4. 前記空間周波数フィルタが前記結像光学系のアパーチャ絞りの近傍に配置されたアポダイザーであることを特徴とする請求項4に記載のシステム。
  5. 前記空間周波数フィルタが、(a)前記結像光学系のアパーチャ絞りの近傍に配置された位相板または(b)前記空間変調器及び前記集束素子アレイの一方の近傍に配置された干渉フィルタであることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
  6. 前記空間光変調器がデジタルマイクロミラーデバイスであり、前記個別制御可能素子が光ビームの前記対応する交軸セグメントを光路に沿って送る第1の位置と光ビームの前記対応する交軸セグメントを別の方向に送る第2の位置の間で独立に切換え可能であるミラーを有することを特徴とする請求項1に記載のシステム。
  7. 前記不整構造が平坦性から外れる前記ミラー内の傾斜変動を含み、前記周辺境界が前記ミラーのエッジに対応して、前記空間周波数フィルタが、平坦性から外れる傾斜の範囲にしたがう角度でオフセットされた角度分布光は減衰させるが、前記集束素子アレイの前記個々の集束素子上への前記ミラーエッジの結像に寄与する角度分布光の減衰は制限することを特徴とする請求項6に記載のシステム。
  8. 能動スポットアレイ投影システム内で集束スポットを整形する方法において、
    光ビームの対応する交軸セグメントを光路に沿って集束素子アレイに選択的に送るための個別制御可能素子を有する空間光変調器を照明する工程、
    前記集束素子アレイの個々の集束素子に到達する前記光ビームの前記交軸セグメントをスポットに集束する工程、及び
    前記スポットの光分布を調整し、同時に隣接スポット間のクロストークは制限するために、前記個別制御可能素子の周辺境界から生じる前記交軸セグメント内の大角度分布光のいくらかの減衰は回避しながら、前記個別制御可能素子の不整構造から生じる前記交軸セグメント内の角度分布光のいくらかを減衰させる工程、
    を含むことを特徴とする方法。
  9. 前記集束素子アレイの前記個々の集束素子上に前記空間光変調器の前記個別制御可能素子を結像させる工程を含み、前記照明する工程が第1の開口数を有するアパーチャを通して前記空間光変調器の前記個別制御可能素子を照明する工程を含み、前記結像させる工程が前記第1の開口数より大きい第2の開口数を有するアパーチャを通して前記空間光変調器の前記個別制御可能素子を結像させる工程を含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。
  10. 前記空間光変調器の前記個別制御可能素子を前記集束素子アレイの前記個々の集束素子上に結像させるための結像光学系の入射ひとみの制限された領域を占めるように照明装置を構成する工程を含み、前記減衰させる工程が、前記照明装置によって占められ、前記結像光学系の入射ひとみの周辺からオフセットされた、前記限定された領域の外側にある前記入射ひとみ内の光を減衰させる工程を含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。
JP2011521108A 2008-07-31 2009-07-21 スポットが調整される能動スポットアレイリソグラフィ用投影機システム Expired - Fee Related JP5620379B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US8538708P 2008-07-31 2008-07-31
US61/085,387 2008-07-31
PCT/US2009/004227 WO2010014164A1 (en) 2008-07-31 2009-07-21 Active spot array lithographic projector system with regulated spots

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011529640A true JP2011529640A (ja) 2011-12-08
JP5620379B2 JP5620379B2 (ja) 2014-11-05

Family

ID=41198639

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011521108A Expired - Fee Related JP5620379B2 (ja) 2008-07-31 2009-07-21 スポットが調整される能動スポットアレイリソグラフィ用投影機システム

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8421997B2 (ja)
JP (1) JP5620379B2 (ja)
KR (1) KR101614562B1 (ja)
CN (1) CN102112926B (ja)
TW (1) TWI420252B (ja)
WO (1) WO2010014164A1 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100283978A1 (en) * 2009-05-07 2010-11-11 Ultratech,Inc. LED-based UV illuminators and lithography systems using same
US8823921B2 (en) 2011-08-19 2014-09-02 Ultratech, Inc. Programmable illuminator for a photolithography system
US8845163B2 (en) 2012-08-17 2014-09-30 Ultratech, Inc. LED-based photolithographic illuminator with high collection efficiency
US9163929B2 (en) 2012-08-23 2015-10-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Tomographic image generation apparatus having modulation and correction device and method of operating the same
CN109946907A (zh) 2017-12-20 2019-06-28 中强光电股份有限公司 投影装置
CN109358030B (zh) * 2018-11-26 2020-10-30 浙江大学 一种具有自动对准功能的多色超分辨显微镜系统
US20220326156A1 (en) * 2021-04-07 2022-10-13 Illumina, Inc. Adaptable illumination pattern for sample analysis
CN117950283A (zh) * 2024-03-27 2024-04-30 之江实验室 基于千束焦斑独立调控的超分辨灰度刻写装置及方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0684746A (ja) * 1992-03-09 1994-03-25 Hitachi Ltd 投影露光装置及びパタン形成方法
JPH0822943A (ja) * 1994-07-06 1996-01-23 Nikon Corp 投影露光装置
JP2000019713A (ja) * 1998-07-06 2000-01-21 Canon Inc マスク及びそれを用いた露光方法
JP2005062847A (ja) * 2003-07-31 2005-03-10 Fuji Photo Film Co Ltd 露光ヘッド
JP2006179921A (ja) * 2004-12-22 2006-07-06 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及び六角形画像グリッドを使用するデバイス製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3200894B2 (ja) * 1991-03-05 2001-08-20 株式会社日立製作所 露光方法及びその装置
US6379867B1 (en) * 2000-01-10 2002-04-30 Ball Semiconductor, Inc. Moving exposure system and method for maskless lithography system
US6844959B2 (en) * 2002-11-26 2005-01-18 Reflectivity, Inc Spatial light modulators with light absorbing areas
EP1480080A1 (en) * 2003-05-22 2004-11-24 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7187399B2 (en) * 2003-07-31 2007-03-06 Fuji Photo Film Co., Ltd. Exposure head with spatial light modulator
US6967711B2 (en) * 2004-03-09 2005-11-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100918335B1 (ko) * 2004-06-23 2009-09-22 가부시키가이샤 니콘 투영 노광 장치
US7312851B2 (en) * 2004-06-23 2007-12-25 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method in which a reflective projection optical system has a non-circular aperture stop
US7180577B2 (en) * 2004-12-17 2007-02-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a microlens array at an image plane
US7557932B2 (en) * 2005-04-19 2009-07-07 Texas Instruments Incorporated Characterization of micromirror array devices using interferometers
US7751113B2 (en) * 2006-01-23 2010-07-06 Texas Instruments Incorporated Micromirrors having mirror plates with tapered edges

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0684746A (ja) * 1992-03-09 1994-03-25 Hitachi Ltd 投影露光装置及びパタン形成方法
JPH0822943A (ja) * 1994-07-06 1996-01-23 Nikon Corp 投影露光装置
JP2000019713A (ja) * 1998-07-06 2000-01-21 Canon Inc マスク及びそれを用いた露光方法
JP2005062847A (ja) * 2003-07-31 2005-03-10 Fuji Photo Film Co Ltd 露光ヘッド
JP2006179921A (ja) * 2004-12-22 2006-07-06 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及び六角形画像グリッドを使用するデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110036849A (ko) 2011-04-11
CN102112926A (zh) 2011-06-29
WO2010014164A1 (en) 2010-02-04
KR101614562B1 (ko) 2016-05-02
TW201015232A (en) 2010-04-16
US8421997B2 (en) 2013-04-16
TWI420252B (zh) 2013-12-21
JP5620379B2 (ja) 2014-11-05
CN102112926B (zh) 2014-04-09
US20100026979A1 (en) 2010-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5620379B2 (ja) スポットが調整される能動スポットアレイリソグラフィ用投影機システム
US5305054A (en) Imaging method for manufacture of microdevices
US6128068A (en) Projection exposure apparatus including an illumination optical system that forms a secondary light source with a particular intensity distribution
JP5026788B2 (ja) マイクロリソグラフィの照明システム
JP5649569B2 (ja) マスクレスリソグラフィ用パターニングシステムの集束スポット寸法整定のための照明システム
JP6016169B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
JP2008544531A (ja) 瞳ファセットミラー上に減衰素子を備えた二重ファセット照明光学系
JPH0536586A (ja) 像投影方法及び該方法を用いた半導体デバイスの製造方法
CN101796460A (zh) 微光刻投射曝光设备中用于照明掩模的照明系统
JPH06216008A (ja) 照明光学装置
JP5633977B2 (ja) マスクレスリソグラフィのための集束スポットの最適化
JPWO2019146448A1 (ja) 露光装置及び露光方法
JPH0620915A (ja) 結像方法及び該方法を用いたデバイス製造方法
JP3870093B2 (ja) 露光方法及び装置
US20050270508A1 (en) Multi-focus scanning with a tilted mask or wafer
CA2216296C (en) Imaging method for manufacture of microdevices

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120723

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130829

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130903

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20131203

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20131210

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140106

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140114

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140203

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140210

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140214

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140826

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140918

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5620379

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees