JP2011529640A - スポットが調整される能動スポットアレイリソグラフィ用投影機システム - Google Patents
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Abstract
Description
個別制御可能ミラーの平坦性から外れていない領域は、結像レンズひとみの照明装置ひとみで占められている限定された領域内に実質的にとどまる角度で、光を反射する。しかし、ミラーの個別制御可能ミラーの、ミラーの周辺エッジ及び表面不整構造のいずれをも含む、平坦性から外れている他の領域は、照明装置ひとみによって占められる結像レンズひとみの限定された領域をこえて結像レンズひとみの残余領域まで拡がる、様々な角度で光を反射する。
12 照明装置
14 パターン発生器
16 個別制御可能素子
18 投影装置
20 ビームダンプ
22 結像光学系
24 集束素子アレイ(マイクロレンズアレイ)
26 集束素子(マイクロレンズ)
28 視野絞り
30 リレーレンズ
32 マイクロレンズ焦点
34 集束スポット
36 感光性基板表面
38 感光性基板
40 ステージ
42 投影装置光軸
44 照明装置アパーチャ絞り
46 結像光学系アパーチャ絞り
50 拡大光源
52 ビーム
54 プロファイラー
56 ユニフォーマイザー
58 リレー
63 集光レンズ
64,65 複眼レンズ
70 マイクロミラー
72 等高線
74 反射面
76 反射面窪み
78 マイクロミラーエッジ
80 軸光線
82,88 反射光線
84,92 基準軸
86 主光線
120,140 アポダイザー
Claims (10)
- 能動スポットアレイ投影システムにおいて、
光ビームの対応する交軸セグメントを光路に沿って選択的に送るための、周辺境界及び前記周辺境界内の不整構造を有する個別制御可能素子を有する空間光変調器、
前記光ビームの前記交軸セグメントを集束させてスポットにするための個々の集束素子を有する、前記光路に沿う集束素子アレイ、
前記個々の集束素子上に前記空間光変調器の前記個別制御可能素子を結像させるための前記光路に沿う結像光学系、及び
前記スポットの光分布を調整し、同時に隣接スポット間のクロストークは制限するために、前記個別制御可能素子の前記不整構造から生じる前記交軸セグメント内の角度分布光を少なくともある程度は減衰させるが、前記個別制御可能素子の前記周辺境界から生じる前記交軸セグメント内の大角度分布光の減衰は回避するように構成された、前記光路に沿う空間周波数フィルタ、
を備えることを特徴とするシステム。 - 前記光ビームで前記空間光変調器の前記個別制御可能素子を照明するための照明装置をさらに備え、前記照明装置が出射ひとみを有し、前記出射ひとみが、前記空間光変調器の前記個別制御可能素子の整形構造に入射した前記光ビームは実質的に前記照明装置ひとみによって占められる前記結像光学系のひとみの限定された領域内にとどまり、前記空間光変調器の前記個別制御可能素子の前記不整形構造に入射した前記光ビームは前記照明装置ひとみによって占められる前記結像光学系ひとみの前記限定された領域をこえて拡がるような寸法につくられ、前記空間周波数フィルタが、前記結像光学系ひとみの中間ラジアル帯内の光を減衰させ、前記中間ラジアル帯が、(a)前記個別制御可能素子の前記不整構造から生じる光を減衰させるために前記照明装置ひとみによって占められる前記結像光学系ひとみの前記限定された領域をこえて径方向に拡がり、(b)前記個別制御可能素子の前記周辺境界から生じる前記交軸セグメント内の前記光の少なくとも一部が前記結像光学系ひとみを通過するように前記結像光学系ひとみの周辺から径方向にオフセットされている、
ことを特徴とする請求項1に記載のシステム。 - 前記空間周波数フィルタが、収斂して前記スポットを形成する角度分布の間のラジアル対称性を高めるために前記中間ラジアル帯の角度によって隔てられた領域内の光を減衰させることを特徴とする請求項3に記載のシステム。
- 前記空間周波数フィルタが前記結像光学系のアパーチャ絞りの近傍に配置されたアポダイザーであることを特徴とする請求項4に記載のシステム。
- 前記空間周波数フィルタが、(a)前記結像光学系のアパーチャ絞りの近傍に配置された位相板または(b)前記空間変調器及び前記集束素子アレイの一方の近傍に配置された干渉フィルタであることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記空間光変調器がデジタルマイクロミラーデバイスであり、前記個別制御可能素子が光ビームの前記対応する交軸セグメントを光路に沿って送る第1の位置と光ビームの前記対応する交軸セグメントを別の方向に送る第2の位置の間で独立に切換え可能であるミラーを有することを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記不整構造が平坦性から外れる前記ミラー内の傾斜変動を含み、前記周辺境界が前記ミラーのエッジに対応して、前記空間周波数フィルタが、平坦性から外れる傾斜の範囲にしたがう角度でオフセットされた角度分布光は減衰させるが、前記集束素子アレイの前記個々の集束素子上への前記ミラーエッジの結像に寄与する角度分布光の減衰は制限することを特徴とする請求項6に記載のシステム。
- 能動スポットアレイ投影システム内で集束スポットを整形する方法において、
光ビームの対応する交軸セグメントを光路に沿って集束素子アレイに選択的に送るための個別制御可能素子を有する空間光変調器を照明する工程、
前記集束素子アレイの個々の集束素子に到達する前記光ビームの前記交軸セグメントをスポットに集束する工程、及び
前記スポットの光分布を調整し、同時に隣接スポット間のクロストークは制限するために、前記個別制御可能素子の周辺境界から生じる前記交軸セグメント内の大角度分布光のいくらかの減衰は回避しながら、前記個別制御可能素子の不整構造から生じる前記交軸セグメント内の角度分布光のいくらかを減衰させる工程、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記集束素子アレイの前記個々の集束素子上に前記空間光変調器の前記個別制御可能素子を結像させる工程を含み、前記照明する工程が第1の開口数を有するアパーチャを通して前記空間光変調器の前記個別制御可能素子を照明する工程を含み、前記結像させる工程が前記第1の開口数より大きい第2の開口数を有するアパーチャを通して前記空間光変調器の前記個別制御可能素子を結像させる工程を含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 前記空間光変調器の前記個別制御可能素子を前記集束素子アレイの前記個々の集束素子上に結像させるための結像光学系の入射ひとみの制限された領域を占めるように照明装置を構成する工程を含み、前記減衰させる工程が、前記照明装置によって占められ、前記結像光学系の入射ひとみの周辺からオフセットされた、前記限定された領域の外側にある前記入射ひとみ内の光を減衰させる工程を含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US8538708P | 2008-07-31 | 2008-07-31 | |
US61/085,387 | 2008-07-31 | ||
PCT/US2009/004227 WO2010014164A1 (en) | 2008-07-31 | 2009-07-21 | Active spot array lithographic projector system with regulated spots |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011529640A true JP2011529640A (ja) | 2011-12-08 |
JP5620379B2 JP5620379B2 (ja) | 2014-11-05 |
Family
ID=41198639
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011521108A Expired - Fee Related JP5620379B2 (ja) | 2008-07-31 | 2009-07-21 | スポットが調整される能動スポットアレイリソグラフィ用投影機システム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8421997B2 (ja) |
JP (1) | JP5620379B2 (ja) |
KR (1) | KR101614562B1 (ja) |
CN (1) | CN102112926B (ja) |
TW (1) | TWI420252B (ja) |
WO (1) | WO2010014164A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100283978A1 (en) * | 2009-05-07 | 2010-11-11 | Ultratech,Inc. | LED-based UV illuminators and lithography systems using same |
US8823921B2 (en) | 2011-08-19 | 2014-09-02 | Ultratech, Inc. | Programmable illuminator for a photolithography system |
US8845163B2 (en) | 2012-08-17 | 2014-09-30 | Ultratech, Inc. | LED-based photolithographic illuminator with high collection efficiency |
US9163929B2 (en) | 2012-08-23 | 2015-10-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Tomographic image generation apparatus having modulation and correction device and method of operating the same |
CN109946907A (zh) | 2017-12-20 | 2019-06-28 | 中强光电股份有限公司 | 投影装置 |
CN109358030B (zh) * | 2018-11-26 | 2020-10-30 | 浙江大学 | 一种具有自动对准功能的多色超分辨显微镜系统 |
US20220326156A1 (en) * | 2021-04-07 | 2022-10-13 | Illumina, Inc. | Adaptable illumination pattern for sample analysis |
CN117950283A (zh) * | 2024-03-27 | 2024-04-30 | 之江实验室 | 基于千束焦斑独立调控的超分辨灰度刻写装置及方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP3200894B2 (ja) * | 1991-03-05 | 2001-08-20 | 株式会社日立製作所 | 露光方法及びその装置 |
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US7187399B2 (en) * | 2003-07-31 | 2007-03-06 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Exposure head with spatial light modulator |
US6967711B2 (en) * | 2004-03-09 | 2005-11-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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US7751113B2 (en) * | 2006-01-23 | 2010-07-06 | Texas Instruments Incorporated | Micromirrors having mirror plates with tapered edges |
-
2009
- 2009-07-21 JP JP2011521108A patent/JP5620379B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-07-21 WO PCT/US2009/004227 patent/WO2010014164A1/en active Application Filing
- 2009-07-21 KR KR1020117004359A patent/KR101614562B1/ko active IP Right Grant
- 2009-07-21 CN CN200980131156.0A patent/CN102112926B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-07-28 TW TW098125449A patent/TWI420252B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-07-29 US US12/511,372 patent/US8421997B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110036849A (ko) | 2011-04-11 |
CN102112926A (zh) | 2011-06-29 |
WO2010014164A1 (en) | 2010-02-04 |
KR101614562B1 (ko) | 2016-05-02 |
TW201015232A (en) | 2010-04-16 |
US8421997B2 (en) | 2013-04-16 |
TWI420252B (zh) | 2013-12-21 |
JP5620379B2 (ja) | 2014-11-05 |
CN102112926B (zh) | 2014-04-09 |
US20100026979A1 (en) | 2010-02-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120723 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130829 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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