JP2011524659A - (ccd)シフトレジスタ内残留電荷排出 - Google Patents
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- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims abstract description 55
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 17
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007619 statistical method Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14887—Blooming suppression
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
- H04N25/626—Reduction of noise due to residual charges remaining after image readout, e.g. to remove ghost images or afterimages
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
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Abstract
Description
Claims (15)
- 電荷蓄積域を複数個有する電荷結合デバイス(CCD)シフトレジスタと、
リセットドレインと、
個々の電荷蓄積域からリセットドレインへと電荷を転送できるようCCDシフトレジスタ・リセットドレイン間に設けられた転送機構と、
それら電荷蓄積域内の非画像電荷をリセットドレインへと転送する第1リセット動作を実行させ、その第1リセット動作の実行後にクロック信号を発生させることで電荷蓄積域のうち1個又は複数個に残留している非画像電荷を別の電荷蓄積域へとシフトさせ、更にその残留非画像電荷をリセットドレインへと転送する第2リセット動作を実行させるタイミング発生器と、
を備えるイメージセンサ。 - 請求項1記載のイメージセンサであって、上記転送機構が複数個の転送ゲートを有し、各転送ゲートが電荷蓄積域に隣接しているイメージセンサ。
- 請求項2記載のイメージセンサであって、上記CCDシフトレジスタとして構成された水平CCDシフトレジスタを備えるイメージセンサ。
- 請求項2記載のイメージセンサであって、上記CCDシフトレジスタとして構成された垂直CCDシフトレジスタを備え、当該垂直CCDシフトレジスタ、上記リセットドレイン及び上記複数個の転送ゲートが、画素アレイ内に形成されるカラムに組み込まれているイメージセンサ。
- 請求項1記載のイメージセンサであって、上記リセットドレインが、上記CCDシフトレジスタ内の全ての電荷蓄積域から電荷を受け入れるコモンリセットドレインであるイメージセンサ。
- 請求項1記載のイメージセンサであって、撮影装置に組み込まれているイメージセンサ。
- 複数個の電荷蓄積域を有する電荷結合デバイス(CCD)シフトレジスタからリセットドレインへと残留非画像電荷を排出させるためイメージセンサ内で実行される方法であって、
(a)CCDシフトレジスタからリセットドレインへと非画像電荷を転送するステップと、
(b)CCDシフトレジスタ内の電荷蓄積域のうち1個又は複数個に残留している非画像電荷を別の電荷蓄積域へとシフトさせるステップと、
(c)シフト先の電荷蓄積域からリセットドレインへとその残留非画像電荷を転送するステップと、
を有する方法。 - 請求項7記載の方法であって、(d)ステップ(b)及び(c)を所定回数に亘り繰り返すステップを有する方法。
- 請求項7記載の方法であって、CCDシフトレジスタからリセットドレインへと非画像電荷を転送する動作が、CCDシフトレジスタからコモンリセットドレインへと非画像電荷を転送する動作である方法。
- 複数個の電荷蓄積域を有する電荷結合デバイス(CCD)シフトレジスタからリセットドレインへと残留非画像電荷を排出させるためイメージセンサ内で実行される方法であって、
(a)転送機構を作動させるステップと、
(b)CCDシフトレジスタからリセットドレインへと非画像電荷を転送するステップと、
(c)CCDシフトレジスタ内の電荷蓄積域のうち1個又は複数個に残留している非画像電荷を別の電荷蓄積域へとシフトさせるステップと、
(d)シフト先の電荷蓄積域からリセットドレインへとその残留非画像電荷を転送するステップと、
を有する方法。 - 請求項10記載の方法であって、上記転送機構を停止させるステップを有する方法。
- 請求項11記載の方法であって、転送機構停止に先立ちステップ(c)及び(d)を所定回数に亘り繰り返すステップを有する方法。
- 請求項12記載の方法であって、ステップ(c)及び(d)が繰り返されている間は上記転送機構を作動させ続ける方法。
- 請求項10記載の方法であって、転送機構を作動させるステップにて、それぞれ電荷蓄積域に隣接する都合複数個の転送ゲートを作動させる方法。
- 請求項10記載の方法であって、CCDシフトレジスタからリセットドレインへと非画像電荷を転送する動作が、CCDシフトレジスタからコモンリセットドレインへと非画像電荷を転送する動作である方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/118,131 US8134630B2 (en) | 2008-05-09 | 2008-05-09 | System and method for draining residual charge from charge-coupled device (CCD) shift registers in image sensors having reset drains |
US12/118,131 | 2008-05-09 | ||
PCT/US2009/002843 WO2009137079A1 (en) | 2008-05-09 | 2009-05-07 | Draining residual charge from (ccd) shift registers |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011524659A true JP2011524659A (ja) | 2011-09-01 |
JP2011524659A5 JP2011524659A5 (ja) | 2012-06-21 |
Family
ID=40983322
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011508509A Pending JP2011524659A (ja) | 2008-05-09 | 2009-05-07 | (ccd)シフトレジスタ内残留電荷排出 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8134630B2 (ja) |
EP (1) | EP2301073B1 (ja) |
JP (1) | JP2011524659A (ja) |
KR (1) | KR20110006677A (ja) |
CN (1) | CN102017155B (ja) |
WO (1) | WO2009137079A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10462391B2 (en) * | 2015-08-14 | 2019-10-29 | Kla-Tencor Corporation | Dark-field inspection using a low-noise sensor |
CN108174116B (zh) * | 2017-12-28 | 2019-11-15 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 一种ccd曝光时间控制方法 |
US11494628B2 (en) * | 2018-03-02 | 2022-11-08 | Aistorm, Inc. | Charge domain mathematical engine and method |
CN113661536B (zh) * | 2020-01-21 | 2023-01-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电子装置、驱动方法和采集方法 |
CN112383726B (zh) * | 2020-10-30 | 2021-07-23 | 厦门大学 | 一种ccd高速信号采集方法和装置 |
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JP2003224255A (ja) * | 2002-01-28 | 2003-08-08 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 固体撮像素子およびこれを用いた撮像装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE69410147T2 (de) | 1993-03-03 | 1998-12-03 | Philips Electronics Nv | Ladungsgekoppelte Anordnung |
JP3213529B2 (ja) * | 1995-11-30 | 2001-10-02 | 三洋電機株式会社 | 撮像装置 |
US6693671B1 (en) | 2000-03-22 | 2004-02-17 | Eastman Kodak Company | Fast-dump structure for full-frame image sensors with lod antiblooming structures |
US7492404B2 (en) * | 2004-08-27 | 2009-02-17 | Eastman Kodak Company | Fast flush structure for solid-state image sensors |
-
2008
- 2008-05-09 US US12/118,131 patent/US8134630B2/en active Active
-
2009
- 2009-05-07 KR KR1020107025157A patent/KR20110006677A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-05-07 JP JP2011508509A patent/JP2011524659A/ja active Pending
- 2009-05-07 CN CN200980115859.4A patent/CN102017155B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-05-07 EP EP09743066.4A patent/EP2301073B1/en not_active Not-in-force
- 2009-05-07 WO PCT/US2009/002843 patent/WO2009137079A1/en active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2002112122A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-12 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 電荷転送装置、ccdイメージセンサおよびccd撮像システム |
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JP2003224255A (ja) * | 2002-01-28 | 2003-08-08 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 固体撮像素子およびこれを用いた撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090278971A1 (en) | 2009-11-12 |
CN102017155B (zh) | 2013-07-17 |
EP2301073B1 (en) | 2014-11-19 |
WO2009137079A1 (en) | 2009-11-12 |
CN102017155A (zh) | 2011-04-13 |
EP2301073A1 (en) | 2011-03-30 |
KR20110006677A (ko) | 2011-01-20 |
US8134630B2 (en) | 2012-03-13 |
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---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
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