JP2011522034A - C環4位でカップリングしているフラボノイド、プロアントシアニジン、及びそれらのアナログの調製方法 - Google Patents
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Abstract
Description
式(A)
(a)フラバン−3−オール構造を有する化合物のヒドロキシ基をオキソ基に転化して、前記化合物のフラバン−3−オンを生成するステップ;
(b)前記化合物のフラバン−3−オンを、酸化剤の存在下で求核性芳香族部分を含む化合物と接触させるステップ;
(c)前記フラバン−3−オン化合物のC環4位炭素と求核性芳香族部分の炭素との間に炭素−炭素結合を形成させるステップ;及び
(d)フラバン−3−オン部分を還元して、C環4位炭素において求核性部分で置換されている対応するフラバン−3−オール化合物を得るステップ
を含む方法が提供される。
(a)フラバン−3−オール構造を有し、C環4位炭素において非置換である化合物を用意するステップ;
(b)求核性芳香族部分を有する化合物を用意するステップ;
(c)フラバン−3−オール構造を有する化合物のヒドロキシ基をオキソ基に転化して、前記化合物のフラバン−3−オンを生成するステップ;
(d)前記化合物のフラバン−3−オンを、酸化剤の存在下で求核性芳香族部分を含む化合物と接触させるステップ;
(e)フラバン−3−オン化合物のC環4位炭素と求核性芳香族部分の炭素との間に炭素−炭素結合を形成させるステップ;
(f)フラバン−3−オン部分を還元して、対応するフラバン−3−オール化合物を得るステップであって、前記化合物が、その化合物の3,4−シス立体配置と3,4−トランス立体配置との混合物中でC環4位炭素において求核性芳香族部分で置換されているステップ;及び
(g)前記化合物の3,4−シス立体配置と3,4−トランス立体配置を分離するステップ
を含む方法が提供される。
(a)式(I)で表わされるフラバン−3−オールの3−オキソ−誘導体(以下「3−オキソ−誘導体」)を用意するステップ:
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、及びR9はそれぞれ独立に、−H基、−OH基、ヒドロカルビル基、糖部分、及び−OR10からなる群から選択され;
R10は、ヒドロカルビル基、アシル基、及びベンジル基からなる群から選択され;
R1〜R10のいずれか1つにおけるヒドロカルビル基、及びアシル基は、1〜10個の炭素原子を含む];
(b)プロアントシアニジン又はプロアントシアニジンアナログの少なくとも一部分を構成することになっており、求核性芳香族部分を有する追加の化合物(以下「追加化合物」)を用意するステップ;
(c)3−オキソ−誘導体及び追加化合物の各フェノール基及び各糖ヒドロキシ基を保護して、保護された前記3−オキソ−誘導体及び保護された前記追加化合物を生成するステップ;
(d)前記保護された3−オキソ−誘導体又はいずれのフェノール性ヒドロキシ基も糖ヒドロキシ基も含まない前記3−オキソ−誘導体を、酸化剤の存在下で、前記保護された追加化合物又はいずれのフェノール基も糖ヒドロキシ基も含まない前記追加化合物と接触させるステップ;
(e)3−オキソ−誘導体の4位における炭素原子(式(I)において「*」で示す)と前記追加化合物の求核性芳香族部分の一部分である炭素原子との間に直接C−C結合を形成させるステップ;
(f)任意で、かつ前記追加化合物が、そのC環4位において置換基を有さず、そのC環3位においてヒドロキシ基を有するフラボノイド基本骨格構造を有する場合、ヒドロキシド基を酸化して、第2の3−オキソ−誘導体を生成するステップ;
(g)さらに任意で、プロアントシアニジン又はプロアントシアニジンアナログの少なくとも一部分を構成するための、求核性芳香族部分を有する第2の追加化合物(以下「第2の追加化合物」)を用意するステップ;
(h)第2の3−オキソ−誘導体を、酸化剤の存在下で第2の追加化合物と接触させるステップ;
(i)任意で、得られるプロアントシアニジン又はプロアントシアニジンアナログに所望の数のモノマー単位を組み込むことを実現するのに必要な回数だけ、ステップ(f)、(g)、及び(h)を繰り返すステップ;
(j)さらに任意で、得られたプロアントシアニジン又はプロアントシアニジンアナログを還元して、得られる生成物に導入されたそれぞれの3−オキソ誘導体単位の様々なC環3位におけるオキソ基をヒドロキシド基に転化するステップ;及び
(k)任意で、フェノール又は糖ヒドロキシの保護基のいずれか又はすべてを除去して、脱保護したヒドロキシ化合物を得るステップ
を含む。
[実施例]
NMRスペクトル
NMR実験をBrucker Avance分光計(600MHz)で実施した。SiMe4を基準物質としてすべてのNMR試料に添加した。
質量スペクトル
MASPEC IIデータシステムを備えたVG 70 SEQ質量分析計を用いて、高分解能質量スペクトルを70eVで記録した。
スプレー試薬:濃H2SO4中ホルムアルデヒド(40%)の2%(v/v)溶液。
TLC溶媒の略語:A=アセトン、DCM=ジクロロメタン、EtOAc=酢酸エチル、EtOH=エタノール、H=ヘキサン、MeOH=メタノール、T=トルエン。
IRスペクトル:IRスペクトルをBruker Tensor 27 FT-IRシングルビーム機器で記録した。使用した標準試料セルは、ZnSe単結晶を装備したPike Miracle1回反射減衰全反射(ATR)であった。測定は400cm−1〜4000cm−1の範囲にわたって行われ、キャリアは使用せず、バックグラウンド測定はその都度行った。
スキーム1
スキーム2
スキーム3
Claims (14)
- 以下のステップを含む、フラバン−3−オール構造を有する化合物の非置換C環4位炭素に求核性芳香族部分を導入する方法:
(a)フラバン−3−オール構造を有する化合物のヒドロキシ基をオキソ基に転化して、前記化合物のフラバン−3−オンを生成するステップ;
(b)前記化合物のフラバン−3−オンを、酸化剤の存在下で求核性芳香族部分を含む化合物と接触させるステップ;
(c)前記フラバン−3−オン化合物のC環4位炭素と求核性芳香族部分の炭素との間に炭素−炭素結合を形成させるステップ;及び
(d)フラバン−3−オン部分を還元して、C環4位炭素において求核性部分で置換されている対応するフラバン−3−オール化合物を得るステップ。 - 以下のステップを含む、置換基をそのC環3位及びC環4位炭素に3,4−シス立体配置で有するフラボノイドを調製する方法:
(a)フラバン−3−オール構造を有し、C環4位炭素において非置換である化合物を用意するステップ;
(b)求核性芳香族部分を有する化合物を用意するステップ;
(c)フラバン−3−オール構造を有する化合物のヒドロキシ基をオキソ基に転化して、前記化合物のフラバン−3−オンを生成するステップ;
(d)前記化合物のフラバン−3−オンを、酸化剤の存在下で求核性芳香族部分を含む化合物と接触させるステップ;
(e)フラバン−3−オン化合物のC環4位炭素と求核性芳香族部分の炭素との間に炭素−炭素結合を形成させるステップ;
(f)フラバン−3−オン部分を還元して、対応するフラバン−3−オール化合物を得るステップであって、前記化合物が、その化合物の3,4−シス立体配置と3,4−トランス立体配置との混合物中でC環4位炭素において求核性芳香族部分で置換されているステップ;及び
(g)前記化合物の3,4−シス立体配置と3,4−トランス立体配置を分離するステップ。 - (a)式(I)で表わされるフラバン−3−オールの3−オキソ−誘導体(以下「3−オキソ−誘導体」)を準備するステップ;
[式中、
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、及びR9はそれぞれ独立に、−H基、−OH基、ヒドロカルビル基、糖部分、及び−OR10からなる群から選択され;
R10は、ヒドロカルビル基、アシル基、及びベンジル基からなる群から選択され;
R1〜R10のいずれか1つにおけるヒドロカルビル基、及びアシル基は、1〜10個の炭素原子を含む];
(b)プロアントシアニジン又はプロアントシアニジンアナログの少なくとも一部分を構成する、求核性芳香族部分を有する追加の化合物(以下「追加化合物」)を用意するステップ;
(c)3−オキソ−誘導体及び追加化合物の各フェノール基及び各糖ヒドロキシ基を保護して、保護された前記3−オキソ−誘導体及び保護された前記追加化合物を生成するステップ;
(d)前記保護された3−オキソ−誘導体又はいずれのフェノール性ヒドロキシ基も糖ヒドロキシ基も含まない前記3−オキソ−誘導体を、酸化剤の存在下で、前記保護された追加化合物又はいずれのフェノール基も糖ヒドロキシ基も含まない前記追加化合物と接触させるステップ;
(e)3−オキソ−誘導体の4位における炭素原子(式(I)において「*」で示す)と前記追加化合物の求核性芳香族部分の一部分である炭素原子との間に直接C−C結合を形成させるステップ;
(f)任意で、かつ前記追加化合物が、そのC環4位において置換基を有さず、そのC環3位においてヒドロキシ基を有するフラボノイド基本骨格構造を有する場合、ヒドロキシド基を酸化して、第2の3−オキソ−誘導体を生成するステップ;
(g)さらに任意で、プロアントシアニジン又はプロアントシアニジンアナログの少なくとも一部分を構成するための、求核性芳香族部分を有する第2の追加化合物(以下「第2の追加化合物」)を用意するステップ;
(h)第2の3−オキソ−誘導体を、酸化剤の存在下で第2の追加化合物と接触させるステップ;
(i)任意で、得られるプロアントシアニジン又はプロアントシアニジンアナログに所望の数のモノマー単位を組み込むことを実現するのに必要な回数だけ、ステップ(f)、(g)、及び(h)を繰り返すステップ;
(j)さらに任意で、得られたプロアントシアニジン又はプロアントシアニジンアナログを還元して、得られる生成物に導入されたそれぞれの3−オキソ誘導体単位の様々なC環3位におけるオキソ基をヒドロキシド基に転化するステップ;及び
(k)任意で、フェノール又は糖ヒドロキシの保護基のいずれか又はすべてを除去して、脱保護したヒドロキシ化合物を得るステップ
を含む、プロアントシアニジン及びプロアントシアニジンアナログを調製するための、請求項1又は2に記載の方法。 - R1〜R10として選択することができるヒドロカルビル基が、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、及びデシルからなる直鎖状ヒドロカルビル基の群、並びにシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニル、及びシクロデシルからなる環状ヒドロカルビル基の群である、請求項3に記載の方法。
- R10として選択することができるヒドロカルビル基が、ベンジル基又はアシル基である、請求項3に記載の方法。
- 糖部分が、単糖、二糖、オリゴ糖、多糖、及びこれらの糖のアナログからなる群から選択される、請求項3に記載の方法。
- 求核性芳香族部分を有する化合物が、フェノール、フラバニル、又はフラボノイド部分を有する化合物からなる群から選択される、請求項1又は2に記載の方法。
- 求核性芳香族部分を有する化合物が、保護されたフェノール部分を有する化合物であり、好ましくは1,3,5トリ−メトキシベンゼンである、請求項1又は2に記載の方法。
- 求核性芳香族部分を有する化合物が、保護されたフラバニル又はフラボノイド部分を有する化合物であり、好ましくは5,7,3’,4’−テトラ−O−メチルカテキンである、請求項1又は2に記載の方法。
- 酸化剤が、AgBF4、Pb(OAc)4、DDQ、OsO4、トレンス試薬、KMnO4、及びクロロクロム酸ピリジニウムからなる群から選択される、請求項1又は2に記載の方法。
- 酸化剤がAgBF4である、請求項14に記載の方法。
- 求核性芳香族部分を有する化合物、3−オキソ−誘導体、及び酸化剤が、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、又は前記化合物及び3−オキソ−誘導体を溶解することができる任意の非プロトン性溶媒からなる群から選択される溶媒の存在下で混合される、請求項1又は2に記載の方法。
- 以下のステップを含む、置換基をそのC環3位及びC環4位炭素に有するフラボノイド化合物の混合物を調製する方法であって、
(a)フラバン−3−オール構造を有し、C環4位炭素において非置換である化合物を用意するステップ;
(b)求核性芳香族部分を有する化合物を用意するステップ;
(c)フラバン−3−オール構造を有する化合物のヒドロキシ基をオキソ基に転化して、前記化合物のフラバン−3−オンを生成するステップ;
(d)前記化合物のフラバン−3−オンを、酸化剤の存在下で求核性芳香族部分を含む化合物と接触させるステップ;
(e)フラバン−3−オン化合物のC環4位炭素と求核性芳香族部分の炭素との間に炭素−炭素結合を形成させるステップ;及び
(f)フラバン−3−オン部分を還元して、対応するフラバン−3−オール化合物を得るステップであって、前記化合物は、その化合物の3,4−シス立体配置と3,4−トランス立体配置の混合物中でC環4位炭素において求核性芳香族部分で置換されているステップ。 - 請求項13に記載の方法で調製された、置換基をそのC環3位及びC環4位炭素を有するフラボノイド化合物の混合物であって、前記化合物の3,4−シス立体配置が、前記化合物の3,4−トランス立体配置より多い量で存在する混合物。
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