JP2011514625A - ギャップ調整可能なプラズマ室内におけるウエハエリア圧力制御のための方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プラズマ処理室において、圧力を安定化させるための方法及び配置構成が提供される。方法は、開ループ方式による粗い圧力調整を提供することと、次いで閉ループ方式による微細な圧力調整を提供することと、を含む。粗い圧力調整は、導通性と閉じ込めリング位置との間の想定される線形関係を用いて閉じ込めリングを迅速に再配置し、プラズマ生成領域内の圧力を迅速におおよその所望の設定点まで持ってくることによって実施される。微細な圧力調整は、少なくとも機械的な真空ポンプ、ターボポンプ、閉じ込めリングの配置、及び/又はこれらの組み合わせを用いて導出圧力設定点を達成することによって実施される。
【選択図】図1
Description
新しい処理室ギャップ位置=X+/−Y (式1)
新しいCRP=A+/−(M×Y) (式2)
ここで、Mは、図3の導通性曲線から決定される傾きである。
Claims (20)
- プラズマ処理室内の圧力を安定化させるための方法であって、
基板を処理するための上側電極及び下側電極であって、処理室ギャップを形成する上側電極及び下側電極を提供することと、
前記上側電極及び前記下側電極の一方に機械的に結合するように構成された第1のメカニズムを提供することと、
閉じ込めリングのセットを提供することと、
前記閉じ込めリングのセットに機械的に結合するように構成された第2のメカニズムを提供することと、
異なる高さ値の前記処理室ギャップに対応する複数の導通性曲線を決定することと、
前記閉じ込めリングのセットの閉じ込めリング位置(CRP)オフセット値を前記異なる高さ値の前記処理室ギャップに相関させることと、
前記処理室ギャップの第1の高さ値を指定することと、
前記第1のメカニズムを移動させることによって、前記処理室ギャップを前記第1の高さ値に調整することと、
前記相関を使用して、現在のCRPからの第1のCRPオフセット値を決定することと、
前記第2のメカニズムを移動させることによって、前記第1のCRPオフセット値を使用して開ループ方式で前記閉じ込めリングのセットを新しいCRPに調整することと、
を備える方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記複数の導通性曲線は、経験的に決定される、方法。 - 請求項2に記載の方法であって、
前記複数の導通性曲線は、前記相関のために、有効導通性範囲にわたって前記CRPと線形であるものと想定される、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記相関は、所定の基板エリア圧力について実施される、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、更に、
前記処理室ギャップの基準値を選択することを備える方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記上側電極は移動可能である、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記下側電極は移動可能である、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、更に、
前記プラズマ処理室のために閉ループ方式の微細な圧力調整を提供することを備える方法。 - 請求項8に記載の方法であって、
前記微細な圧力調整は、ターボポンプの排気速度を制御することによって実施される、方法。 - 請求項8に記載の方法であって、
前記微細な圧力調整は、前記閉じ込めリングの間のギャップを調整することによって実施される、方法。 - コンピュータ可読コードを具現化されたプログラム格納媒体を備える製品であって、前記コンピュータ可読コードは、処理室内の圧力を安定化させるように構成され、
異なる高さ値の処理室ギャップに対応する複数の導通性曲線を決定するためのコンピュータ可読コードと、
閉じ込めリングのセットの閉じ込めリング位置(CRP)オフセット値を前記異なる高さ値の前記処理室ギャップに相関させるためのコンピュータ可読コードと、
前記処理室ギャップの第1の高さ値を指定するためのコンピュータ可読コードと、
上側電極及び下側電極の一方に機械的に結合するように構成された第1のメカニズムを移動させることによって、前記処理室ギャップを前記第1の高さ値に調整するためのコンピュータ可読コードと、
前記相関を使用して、現在のCRPからの第1のCRPオフセット値を決定するためのコンピュータ可読コードと、
前記閉じ込めリングのセットに機械的に結合するように構成された第2のメカニズムを移動させることによって、前記第1のCRPオフセット値を使用して開ループ方式で前記閉じ込めリングのセットを新しいCRPに調整するためのコンピュータ可読コードと、
を備える製品。 - 請求項11に記載の製品であって、
前記複数の導通性曲線は、経験的に決定される、製品。 - 請求項12に記載の製品であって、
前記複数の導通性曲線は、前記相関のために、有効導通性範囲にわたって前記CRPと線形であるものと想定される、製品。 - 請求項11に記載の製品であって、
前記相関は、所定の基板エリア圧力について実施される、製品。 - 請求項11に記載の製品であって、更に、
前記処理室ギャップの基準値を選択するためのコンピュータ可読コードを備える製品。 - 請求項11に記載の製品であって、
前記上側電極は移動可能である、製品。 - 請求項11に記載の製品であって、
前記下側電極は移動可能である、製品。 - 請求項11に記載の製品であって、更に、
前記プラズマ処理室のために閉ループ方式の微細な圧力調整を提供するためのコンピュータ可読コードを備える製品。 - 請求項18に記載の製品であって、
前記微細な圧力調整は、ターボポンプの排気速度を制御することによって実施される、製品。 - 請求項18に記載の製品であって、
前記微細な圧力調整は、前記閉じ込めリングの間のギャップを調整することによって実施される、製品。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US2732808P | 2008-02-08 | 2008-02-08 | |
US61/027,328 | 2008-02-08 | ||
PCT/US2009/033410 WO2009100345A2 (en) | 2008-02-08 | 2009-02-06 | Methods and apparatus for wafer area pressure control in an adjustable gap plasma chamber |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011514625A true JP2011514625A (ja) | 2011-05-06 |
JP5618836B2 JP5618836B2 (ja) | 2014-11-05 |
Family
ID=40939613
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010546056A Active JP5618836B2 (ja) | 2008-02-08 | 2009-02-06 | ギャップ調整可能なプラズマ室内におけるウエハエリア圧力制御のための方法及び装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8290717B2 (ja) |
JP (1) | JP5618836B2 (ja) |
KR (1) | KR101555394B1 (ja) |
CN (1) | CN101971711B (ja) |
TW (1) | TWI516175B (ja) |
WO (1) | WO2009100345A2 (ja) |
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-
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- 2009-02-05 TW TW098103694A patent/TWI516175B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-02-06 CN CN200980104995.3A patent/CN101971711B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-02-06 KR KR1020107017473A patent/KR101555394B1/ko active IP Right Grant
- 2009-02-06 WO PCT/US2009/033410 patent/WO2009100345A2/en active Application Filing
- 2009-02-06 US US12/367,443 patent/US8290717B2/en active Active
- 2009-02-06 JP JP2010546056A patent/JP5618836B2/ja active Active
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---|---|
KR20100118980A (ko) | 2010-11-08 |
US20090204342A1 (en) | 2009-08-13 |
JP5618836B2 (ja) | 2014-11-05 |
US8290717B2 (en) | 2012-10-16 |
WO2009100345A3 (en) | 2009-11-05 |
CN101971711A (zh) | 2011-02-09 |
TWI516175B (zh) | 2016-01-01 |
CN101971711B (zh) | 2013-03-20 |
WO2009100345A2 (en) | 2009-08-13 |
TW201004489A (en) | 2010-01-16 |
KR101555394B1 (ko) | 2015-10-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130122 |
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