JP2011511270A - ナノサブ構造を有する3次元ナノ構造を製作するための方法、および、この方法によって得ることのできる金属先端を有する絶縁角錐、ナノ開口を有する角錐、および、水平および/または垂直なナノワイヤを有する角錐 - Google Patents
ナノサブ構造を有する3次元ナノ構造を製作するための方法、および、この方法によって得ることのできる金属先端を有する絶縁角錐、ナノ開口を有する角錐、および、水平および/または垂直なナノワイヤを有する角錐 Download PDFInfo
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Abstract
【選択図】図1
Description
ω=α−R=t/sin(α/2)−R
によって与えられる厚さωを有する。コーナーに残された材料は、集積回路製作において、「ストリンガー(stringer)」と呼ばれ、通常、望ましくないものであると考えられている。コーナーリソグラフィーにおいては、ストリンガーは、ワイヤ構造および先端の構造材料を構成し、または、その後の加工ステップにおけるマスク材料として使用される。一般的な加工方法は、いくつかの基本的ステップ、すなわち、(1)金型加工、(2)構造材料の共形的成膜、(3)構造層の等方的な薄化、ナノワイヤが鋭い凹形コーナーに残る、(4)金型の除去、からなる。
この例の目的は、金属先端とともに絶縁マイクロ角錐を生成することである。最終的に、この種の構造は、例えば、局所的な電気的または電気化学的な測定のために、高度なSPMにおいて使用されてもよい。図1は、ナノサブ構造金属先端を支持する酸化物角錐のための加工方式を示す。加工は、金型加工によって、この場合には、<111>面によって境界を画定される角錐ホールを生成するための<100>シリコンウェーハにおけるKOHエッチングによって開始した。次に、窒化ケイ素(220nm)が、LPCVDによって成膜され(共形的成膜)、そして、50%のHFによって等方的に除去された(室温において84分間)。これは、時間調節されたエッチングステップであり、角錐ホールの4つの傾斜リブ(α=109.4°)における窒化ケイ素を除去するために、1.23倍のオーバーエッチングを必要とし、かつ、先端に窒化ケイ素をほんの少しだけ残すことを必要とした。エッチング速度を較正するために、同じ厚さの窒化ケイ素を含むダミーウェーハが、並行してエッチングされた。角錐のための酸化ケイ素構造材料が、残留窒化ケイ素を反転マスクとして用いて、シリコンの局所的酸化(LOCOS)(J.A.Appels,E.Kooi,M.M.Paffen,J.J.H.Schatorje,W.Verkuylen,「Local oxidation of silicon and its applications in semiconductor−device technology」,Philips Res.,25(1970),pp.118−132を参照)によって形成された。LOCOSステップは、1000℃において35分間だけ実行されたウェット酸化であり、270nmの層をもたらした。次に、先端の窒化ケイ素が、高温のH3PO4中において除去され(180℃において30分間)、そして、金属先端を生成するために、30nmのクロムが、スパッタリングによって成膜された。最後に、シリコン金型が、TMAH中において除去された。TMAHは、酸化ケイ素と比較して、シリコンに対する高い選択性を有する。(表1)[7]、TMAHは、このステップに適したエッチャントである。図2は、寸法が300nmよりも小さいクロム先端を有する加工された酸化ケイ素角錐を示す。
この例の目的は、先端の近くに調整可能なナノサブ構造開口を備えた角錐を生成することである。加工は、<100>シリコンウェーハにおける角錐金型のKOHエッチングによって開始した。次に、500nmのLPCVD窒化ケイ素構造材料が、共形的に成膜され、それに続いて、330nmのLPCVDポリシリコンが成膜された。このポリシリコン層は、その後のステップにおけるエッチングマスクの役割をなした。第2の窒化ケイ素の層(120nm)が成膜され、そして、先端に存在するわずかな残留物を除いてすべての窒化ケイ素を除去するために、50%のHF中において等方的にエッチングされた(図3a)。この残留物は、ポリシリコンのLOCOSステップ(900℃において10分間のウェット酸化)において反転マスクとして使用された(図3b)。窒化ケイ素残留物を除去した後、ポリシリコンの時間調節されたエッチングが、それに続き、これは、角錐の頂点から開始し、そして、角錐の側面に沿って移動した(図3c)。このステップの期間は、形成されるべきナノ開口の高さを決定する。典型的には、330nmのポリシリコンからなる局限された層は、100nmよりも小さい酸化ケイ素ピンホールを介して供給された5wt%のTMAH溶液中において4.2×102nm/分の速度で横方向にエッチングされる。次に、酸化ケイ素が、除去され、そして、第1の窒化ケイ素が、50%のHF中においてエッチングされた。このステップは、窒化ケイ素ナノワイヤおよび先端を残さなければならないので(図3d)、これは、同様に、時間調節されたエッチングステップである。図4は、寸法が約1μmの開口を備えた典型的な加工結果を示す。開口の寸法および位置は、特に窒化ケイ素層の厚さによって、および、ポリシリコンエッチング時間によって、調整されてもよい。
この例においては、垂直ナノワイヤおよび架設された水平窒化ケイ素ナノワイヤが、酸化ケイ素金型の鋭い凹形コーナーに生成された。この架設ナノワイヤは、コーナーリソグラフィーを用いて、比較的に長く、細く、かつ、かなり複雑な3次元構造を生成できることを例示するものである。
例2の場合と同様に、最初に、調整可能なナノ開口を備えたSiN角錐が生成される。それに続いて、構造材料をさらに2回だけ共形的に成膜することによって、かつ、これまでに成膜された構造層を犠牲エッチングすることによって、液体または気体のためのチャンネルが形成される。最後に、シリコン金型を除去した後、ナノ開口を備えた液体/気体供給チャンネルを含む自由懸垂逆角錐(free hanging inverted pyramid)が残る。
Claims (16)
- i)少なくとも1つの鋭い凹形コーナーを備えた金型を提供するステップと、
ii)少なくとも1つの構造材料を前記少なくとも1つの鋭い凹形コーナーに共形的に成膜するステップと、
iii)前記構造材料を等方的に除去するステップと、
iv)少なくとも1つの他の構造材料を成膜するステップと、
v)事前に成膜された前記構造材料を除去するステップと、
vi)ナノサブ構造を形成するステップと、
vii)前記金型を除去するステップであって、前記ナノサブ構造を有する3次元ナノ構造を提供する、ステップと
を含む、ナノサブ構造を有する3次元ナノ構造を製作する方法。 - 前記金型が角錐金型である請求項1に記載の方法。
- 前記ステップiv)において、他の構造材料が、シリコン金型の局所的酸化によって、および/または、ポリシリコンなどの以前に成膜された構造材料の酸化によって成膜される請求項1または2に記載の方法。
- 前記ナノサブ構造を形成するステップvi)が、金属、プラスチック、多孔質材料またはそれらの混合物などのさらなる材料を成膜することを含む請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
- 前記材料成膜が金属先端を有する絶縁角錐を形成する請求項4に記載の方法。
- 前記ステップii)において、2つ以上の異なる構造材料が成膜され、好ましくは、3つの異なる構造材料が成膜される請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
- 前記ナノサブ構造を形成するステップvi)が、前記ステップii)において成膜された2つ以上の異なる構造材料の中の少なくとも1つを時間調節して除去することを含む請求項6に記載の方法。
- 前記3つの異なる構造材料が成膜され、前記ステップv)において、最初に成膜された構造材料が、等方性エッチングによって除去される請求項6または7に記載の方法。
- 前記ステップvi)が、ナノ開口を有する角錐を形成する請求項7または8に記載の方法。
- 前記ナノ開口が、例えば金属成膜のためのマスクの役割をなす請求項9に記載の方法。
- i)少なくとも1つの水平および/または垂直な鋭い凹形コーナーを備えた金型を提供するステップと、
ii)少なくとも1つの構造材料を少なくとも前記鋭い凹形コーナーに共形的に成膜するステップと、
iii)前記構造材料を等方的に除去するステップであって、前記3次元に配置されたナノワイヤを形成する、ステップと
を含む、3次元に配置されたナノワイヤの形で、好ましくは、水平および/または垂直なナノワイヤの形で、ナノサブ構造を有する3次元ナノ構造を製作するための方法。 - 前記ナノサブ構造が水平ワイヤおよび垂直ワイヤを備えた請求項10に記載の方法。
- 前記水平ワイヤが架設水平ワイヤである請求項10または11に記載の方法。
- 請求項5に記載の方法によって得ることのできる中空または材料を充填された先端を有する絶縁角錐。
- 請求項9に記載の方法によって得ることのできるナノ開口を有する角錐。
- 請求項11〜13のいずれかに記載の方法によって得ることのできる3次元に配置されたナノワイヤ、好ましくは、水平および/または垂直なナノワイヤ。
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