JP2011259516A - Surface acoustic wave filter and communication apparatus using the same - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a compact surface acoustic wave filter with an improved pass-band characteristic.SOLUTION: The acoustic wave filter includes a piezoelectric substrate, a plurality of IDT electrodes formed on the piezoelectric substrate, a first wiring electrode and a second wiring electrode respectively connected to the plurality of the IDT electrodes. The first wiring electrode is connected to the IDT electrode at the input side. The second wiring electrode is connected to the IDT electrode at the output side. The first and second wiring electrodes intersect three-dimensionally with each other via an insulating layer and an electrode width of the first wiring electrode 501 is smaller the others in a three-dimensional intersection.

Description

本発明は、弾性表面波フィルタ及びそれを用いた通信機器に関する。   The present invention relates to a surface acoustic wave filter and a communication device using the same.

近年、通信機器の発展に伴い、特に、携帯電話等に使用されるデバイスの高性能化、小型化が期待されている。携帯電話等では、フィルタとして、弾性表面波フィルタが広く用いられており、低ロス化、及び高減衰化に加え、小型化が期待されている。   In recent years, with the development of communication equipment, high performance and downsizing of devices used for mobile phones are expected. In mobile phones and the like, surface acoustic wave filters are widely used as filters, and in addition to low loss and high attenuation, miniaturization is expected.

以下、従来の弾性表面波フィルタについて説明する。図１４に、従来の弾性表面波フィルタの構成を示す。弾性表面波フィルタ１４００は、圧電基板１４０１上に、ＩＤＴ電極１４０２、１４０３、１４０４と反射器電極１４０５、１４０６とにより構成され、ＩＤＴ電極１４０２、１４０３、１４０４と反射器電極１４０５、１４０６は弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置される。ＩＤＴ電極１４０２、１４０３、１４０４の一方の電極指は、電極パッド１４０７、１４０８、１４０９に配線されてそれぞれ接地端子ＧＮＤ、入力端子ＩＮ、接地端子ＧＮＤに接続される。ＩＤＴ電極１４０２、１４０４の他方の電極指は、配線電極１４１０を介して電極パッド１４１１に接続されて出力端子ＯＵＴに接続される。ＩＤＴ電極１４０３の他方の電極指は、電極パッド１４１２に配線されて接地端子ＧＮＤに接続される。以上の構成とすることにより、弾性表面波フィルタ１４００は縦モード型の弾性表面波フィルタの構成となる。   Hereinafter, a conventional surface acoustic wave filter will be described. FIG. 14 shows a configuration of a conventional surface acoustic wave filter. The surface acoustic wave filter 1400 includes IDT electrodes 1402, 1403, and 1404 and reflector electrodes 1405 and 1406 on a piezoelectric substrate 1401, and the IDT electrodes 1402, 1403 and 1404 and reflector electrodes 1405 and 1406 are formed by surface acoustic waves. Are arranged close to each other along the propagation direction. One electrode finger of the IDT electrodes 1402, 1403, and 1404 is wired to the electrode pads 1407, 1408, and 1409, and is connected to the ground terminal GND, the input terminal IN, and the ground terminal GND, respectively. The other electrode finger of the IDT electrodes 1402 and 1404 is connected to the electrode pad 1411 through the wiring electrode 1410 and connected to the output terminal OUT. The other electrode finger of the IDT electrode 1403 is wired to the electrode pad 1412 and connected to the ground terminal GND. With the above configuration, the surface acoustic wave filter 1400 has a configuration of a longitudinal mode type surface acoustic wave filter.

また、弾性表面波フィルタの小型化のために、配線電極の一部を互いに、絶縁体を挟んで立体交差させる技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。   In addition, a technique for three-dimensionally intersecting part of wiring electrodes with an insulator interposed therebetween is disclosed in order to reduce the size of the surface acoustic wave filter (see, for example, Patent Document 1).

特開２００４−２８２７０７号公報JP 2004-282707 A

しかしながら、従来では、電極パッドが配線電極に囲まれた構成となっており、弾性表面波フィルタのサイズが大きくなるという問題があった。また、配線電極を立体交差させた場合には、配線電極同士で容量結合が生じ、通過帯域特性が劣化するという問題があった。   Conventionally, however, the electrode pad is surrounded by the wiring electrodes, and there is a problem that the size of the surface acoustic wave filter is increased. Further, when the wiring electrodes are three-dimensionally crossed, capacitive coupling occurs between the wiring electrodes, and there is a problem that the passband characteristics are deteriorated.

本発明は、上記問題を解決するもので、小型で、減衰特性に優れる弾性表面波フィルタ及び通信機器を提供することを目的とする。   The present invention solves the above-described problems, and an object thereof is to provide a surface acoustic wave filter and a communication device that are small in size and excellent in attenuation characteristics.

上記従来の問題を解決するために本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に形成された複数のＩＤＴ電極と、前記複数のＩＤＴ電極にそれぞれ接続される第１、及び第２の配線電極とを備えた弾性表面波フィルタであって、前記第１の配線電極は入力側のＩＤＴ電極に接続され、前記第２の配線電極は出力側のＩＤＴ電極に接続され、前記第１、及び前記第２の配線電極とは絶縁層を介して立体交差するとともに前記第１の配線電極は、立体交差部において、電極幅が他よりも小さい構成としたものである。   In order to solve the above-described conventional problems, the present invention provides a piezoelectric substrate, a plurality of IDT electrodes formed on the piezoelectric substrate, and first and second wiring electrodes respectively connected to the plurality of IDT electrodes. The first wiring electrode is connected to an input-side IDT electrode, the second wiring electrode is connected to an output-side IDT electrode, the first and The first wiring electrode has a configuration in which the electrode width is smaller than the others at the three-dimensional intersection portion while three-dimensionally intersecting with the second wiring electrode through an insulating layer.

上記構成によって、小型で、優れた減衰特性を有する弾性表面波フィルタを実現することができる。   With the above configuration, a surface acoustic wave filter having a small size and excellent attenuation characteristics can be realized.

上記弾性表面波フィルタにおいては、前記複数のＩＤＴ電極は弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置されることが好ましい。   In the surface acoustic wave filter, it is preferable that the plurality of IDT electrodes are arranged close to each other along the propagation direction of the surface acoustic wave.

上記構成によって、小型で、優れた減衰特性を有する縦モード型の弾性表面波フィルタを実現することができるものである。   With the above-described configuration, a longitudinal mode type surface acoustic wave filter having a small size and excellent attenuation characteristics can be realized.

また、上記弾性表面波フィルタにおいては、前記絶縁層が誘電体材料により構成されていることが好ましい。   In the surface acoustic wave filter, the insulating layer is preferably made of a dielectric material.

上記構成によって、小型で、優れた減衰特性を有する弾性表面波フィルタを実現することができるものである。   With the above configuration, a surface acoustic wave filter having a small size and excellent attenuation characteristics can be realized.

また、上記弾性表面波フィルタにおいては、前記第１、及び前記第２の配線電極の立体交差部における容量を制御することにより、通過特性における減衰極を制御することが好ましい。   In the surface acoustic wave filter, it is preferable to control the attenuation pole in the pass characteristic by controlling the capacitance at the three-dimensional intersection of the first and second wiring electrodes.

上記構成によって、減衰極周波数の制御が可能な弾性表面波フィルタを実現することができるものである。   With the above configuration, a surface acoustic wave filter capable of controlling the attenuation pole frequency can be realized.

また、上記弾性表面波フィルタにおいては、前記容量は、立体交差部における配線電極の幅により制御されることが好ましい。   In the surface acoustic wave filter, the capacitance is preferably controlled by the width of the wiring electrode at the three-dimensional intersection.

上記構成によって、減衰極周波数の制御が可能な弾性表面波フィルタを実現することができるものである。   With the above configuration, a surface acoustic wave filter capable of controlling the attenuation pole frequency can be realized.

また、上記弾性表面波フィルタにおいては、前記容量は、立体交差部における絶縁層の厚みにより制御されることが好ましい。   In the surface acoustic wave filter, the capacitance is preferably controlled by the thickness of the insulating layer at the three-dimensional intersection.

上記構成によって、減衰極周波数の制御が可能な弾性表面波フィルタを実現することができるものである。   With the above configuration, a surface acoustic wave filter capable of controlling the attenuation pole frequency can be realized.

また、上記弾性表面波フィルタにおいては、前記第１または前記第２の配線電極の少なくとも一方において、他の電極部との接続部の電極幅が他の部分の電極幅よりも大きいことが好ましい。   In the surface acoustic wave filter, it is preferable that in at least one of the first and second wiring electrodes, an electrode width of a connection portion with another electrode portion is larger than an electrode width of another portion.

上記構成によって、減衰特性を改善するとともに、低ロスな弾性表面波フィルタを実現することができるものである。   With the above configuration, it is possible to improve the attenuation characteristics and to realize a low-loss surface acoustic wave filter.

また、従来の問題を解決するために本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に形成された第１、第２、第３のＩＤＴ電極と、反射器電極とを備えた弾性表面波フィルタであって、前記第１、第２、第３のＩＤＴ電極と反射器電極とは弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置される構成であって、前記第１、第２、第３のＩＤＴ電極における一方の電極指は共通化されて接地され、前記第１、第３のＩＤＴ電極における他方の電極指は第１の配線電極を介して入力端子あるいは出力端子の一方に接続され、前記第２のＩＤＴ電極における他方の電極指は第２の配線電極を介して入力端子あるいは出力端子の他方に接続され、前記第１、及び前記第２の配線電極とは絶縁層を介して立体交差するとともに前記第１の配線電極は、立体交差部において、電極幅が他よりも小さい構成としたものである。   In order to solve the conventional problem, the present invention provides a surface acoustic wave filter including a piezoelectric substrate, first, second, and third IDT electrodes formed on the piezoelectric substrate, and a reflector electrode. The first, second and third IDT electrodes and the reflector electrode are arranged close to each other along the propagation direction of the surface acoustic wave, and the first, second and third One electrode finger of the IDT electrode is shared and grounded, and the other electrode finger of the first and third IDT electrodes is connected to one of the input terminal and the output terminal via the first wiring electrode, The other electrode finger of the second IDT electrode is connected to the other of the input terminal or the output terminal via the second wiring electrode, and the first and second wiring electrodes are three-dimensionally crossed via an insulating layer. And the first wiring electrode is located at the three-dimensional intersection. , In which electrode width is smaller configuration than the other.

上記構成によって、小型で、優れた減衰特性を有する弾性表面波フィルタを実現することができるものである。   With the above configuration, a surface acoustic wave filter having a small size and excellent attenuation characteristics can be realized.

また、従来の問題を解決するために本発明は、複数のＩＤＴ電極を弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置される第１の弾性表面波フィルタと、複数のＩＤＴ電極を弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置される第２の弾性表面波フィルタとを備え、前記第１、及び第２の弾性表面波フィルタは第１の配線電極により縦続接続され、前記第２の弾性表面波フィルタにおけるＩＤＴ電極は第２の配線電極により入力端子あるいは出力端子に接続される構成であって、前記第１、及び前記第２の配線電極とは絶縁層を介して立体交差するとともに前記第１の配線電極は、立体交差部において、電極幅が他よりも小さい構成としたものである。   In order to solve the conventional problems, the present invention provides a first surface acoustic wave filter in which a plurality of IDT electrodes are arranged close to each other along the propagation direction of the surface acoustic wave, and a plurality of IDT electrodes are connected to the surface acoustic wave. A second surface acoustic wave filter arranged close to the propagation direction, and the first and second surface acoustic wave filters are cascade-connected by a first wiring electrode, and the second surface acoustic wave The IDT electrode in the filter is configured to be connected to an input terminal or an output terminal by a second wiring electrode, and the first and second wiring electrodes are three-dimensionally crossed via an insulating layer and the first wiring electrode. This wiring electrode has a configuration in which the electrode width is smaller than the others at the three-dimensional intersection.

上記構成によって、小型で、優れた減衰特性を有する２段の縦続接続された弾性表面波フィルタを実現することができるものである。   With the above configuration, a two-stage cascaded surface acoustic wave filter having a small size and excellent attenuation characteristics can be realized.

また、上記弾性表面波フィルタにおいては、前記第１の配線電極は１対の配線電極から構成され、前記１対の配線電極のそれぞれに流れる信号の電気的な位相が逆相であることが好ましい。   In the surface acoustic wave filter, it is preferable that the first wiring electrode is composed of a pair of wiring electrodes, and an electrical phase of a signal flowing through each of the pair of wiring electrodes is opposite. .

上記構成によって、小型で、優れた減衰特性を有する弾性表面波フィルタを実現することができるものである。   With the above configuration, a surface acoustic wave filter having a small size and excellent attenuation characteristics can be realized.

また、上記弾性表面波フィルタにおいては、前記第２の弾性表面波フィルタにおけるＩＤＴ電極の少なくとも一つが、平衡型の入力端子あるいは出力端子に接続されることが好ましい。   In the surface acoustic wave filter, it is preferable that at least one of the IDT electrodes in the second surface acoustic wave filter is connected to a balanced input terminal or output terminal.

上記構成によって、小型で、優れた減衰特性を有する平衡型の弾性表面波フィルタを実現することができるものである。   With the above configuration, a balanced surface acoustic wave filter having a small size and excellent attenuation characteristics can be realized.

また、本発明の通信機器は、送信フィルタと受信フィルタとを備え、前記送信フィルタまたは受信フィルタの少なくとも一方が、請求項１から３のいずれかに記載の弾性表面波フィルタにより構成したものである。   The communication device of the present invention includes a transmission filter and a reception filter, and at least one of the transmission filter or the reception filter is configured by the surface acoustic wave filter according to any one of claims 1 to 3. .

上記構成によって、小型で、高性能な通信機器を実現することができるものである。   With the above configuration, a small and high-performance communication device can be realized.

本発明によれば、小型で、減衰特性に優れる弾性表面波フィルタ及び通信機器を実現することができる。   According to the present invention, it is possible to realize a surface acoustic wave filter and a communication device that are small and have excellent attenuation characteristics.

本発明の実施の形態１における弾性表面波フィルタの構成図Configuration diagram of a surface acoustic wave filter according to Embodiment 1 of the present invention. 図１におけるＡ−Ａ’の断面図Sectional view of A-A 'in FIG. 本発明の実施の形態１における弾性表面波フィルタの等価回路図1 is an equivalent circuit diagram of a surface acoustic wave filter according to Embodiment 1 of the present invention. 本発明の実施の形態１における弾性表面波フィルタの通過特性を示す図The figure which shows the passage characteristic of the surface acoustic wave filter in Embodiment 1 of this invention 本発明の実施の形態１における弾性表面波フィルタの他の構成図Another block diagram of the surface acoustic wave filter in Embodiment 1 of the present invention 本発明の実施の形態１における立体交差部の容量特性を示す図The figure which shows the capacity | capacitance characteristic of the three-dimensional intersection in Embodiment 1 of this invention 本発明の実施の形態１における弾性表面波フィルタの通過特性を示す図The figure which shows the passage characteristic of the surface acoustic wave filter in Embodiment 1 of this invention 本発明の実施の形態１における弾性表面波フィルタの他の構成図Another block diagram of the surface acoustic wave filter in Embodiment 1 of the present invention 本発明の実施の形態２における弾性表面波フィルタの構成図Configuration diagram of surface acoustic wave filter in Embodiment 2 of the present invention 本発明の実施の形態２における弾性表面波フィルタの等価回路図Equivalent circuit diagram of surface acoustic wave filter in Embodiment 2 of the present invention 本発明の実施の形態２における弾性表面波フィルタの通過特性を示す図The figure which shows the passage characteristic of the surface acoustic wave filter in Embodiment 2 of this invention 本発明の実施の形態２における弾性表面波フィルタの他の構成図Another block diagram of the surface acoustic wave filter in Embodiment 2 of the present invention 本発明の実施の形態３における通信機器の構成図Configuration diagram of communication equipment according to Embodiment 3 of the present invention 従来の弾性表面波フィルタの構成図Configuration of conventional surface acoustic wave filter

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における弾性表面波フィルタの構成図である。図１において、弾性表面波フィルタ１００は、圧電基板１０１上に形成されるＩＤＴ電極１０２、１０３、１０４と反射器電極１０５、１０６とにより構成され、ＩＤＴ電極１０２、１０３、１０４と反射器電極１０５、１０６は弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置される。ＩＤＴ電極１０２、１０３、１０４の一方の電極指は、電極パッド１０７に配線され、共通化されて接地端子ＧＮＤに接続される。ＩＤＴ電極１０２、１０４の他方の電極指は、配線電極１０８により電極パッド１０９に配線されて出力端子ＯＵＴに接続される。ＩＤＴ電極１０３の他方の電極指は、配線電極１１０により電極パッド１１１に配線されて入力端子ＩＮに接続される。以上の構成とすることにより、弾性表面波フィルタ１００は縦モード型の弾性表面波フィルタの構成となる。ここで、配線電極１０８と配線電極１１０とは、図２にＡ−Ａ’の断面図を示すように、絶縁層１１２を介して立体交差する構成となる。図３に、本実施の形態における弾性表面波フィルタの等価回路図を示す。図３に示すように、入力端子と出力端子との間には立体交差部により形成される容量Ｃが付加された構成となる。図４に、図３で示した回路構成において容量Ｃを０．４ｐＦとしたときの弾性表面波フィルタの通過特性を示す。図４において、４０１は本発明における弾性表面波フィルタの通過特性であり、４０２は比較のための容量がない従来の構成の弾性表面波フィルタの通過特性である。本実施の形態に示す構成を適用することにより、通過帯域の高周波数側の減衰特性を改善することができる。 (Embodiment 1)
FIG. 1 is a configuration diagram of a surface acoustic wave filter according to Embodiment 1 of the present invention. In FIG. 1, the surface acoustic wave filter 100 includes IDT electrodes 102, 103, 104 and reflector electrodes 105, 106 formed on a piezoelectric substrate 101, and the IDT electrodes 102, 103, 104 and reflector electrode 105. , 106 are arranged close to each other along the propagation direction of the surface acoustic wave. One electrode finger of the IDT electrodes 102, 103, 104 is wired to the electrode pad 107, and is shared and connected to the ground terminal GND. The other electrode finger of the IDT electrodes 102 and 104 is wired to the electrode pad 109 by the wiring electrode 108 and connected to the output terminal OUT. The other electrode finger of the IDT electrode 103 is wired to the electrode pad 111 by the wiring electrode 110 and connected to the input terminal IN. By setting it as the above structure, the surface acoustic wave filter 100 becomes a structure of a longitudinal mode type surface acoustic wave filter. Here, the wiring electrode 108 and the wiring electrode 110 are configured to three-dimensionally intersect via the insulating layer 112, as shown in the cross-sectional view along AA 'in FIG. FIG. 3 shows an equivalent circuit diagram of the surface acoustic wave filter according to the present embodiment. As shown in FIG. 3, a capacitor C formed by a three-dimensional intersection is added between the input terminal and the output terminal. FIG. 4 shows the pass characteristics of the surface acoustic wave filter when the capacitance C is 0.4 pF in the circuit configuration shown in FIG. In FIG. 4, 401 is the pass characteristic of the surface acoustic wave filter according to the present invention, and 402 is the pass characteristic of the surface acoustic wave filter having a conventional configuration without a capacity for comparison. By applying the configuration shown in this embodiment, it is possible to improve the attenuation characteristics on the high frequency side of the passband.

以上説明したように、本実施の形態の構成とすることにより、立体交差部における配線電極の容量を利用して、小型で減衰特性に優れる弾性表面波フィルタを実現することができる。また、本発明の弾性表面波フィルタにおいては、従来の構成のように、電極パッド１４１１が出力端子ＯＵＴの配線に囲まれるような構成にする必要がなく、配線電極を簡易化できるため小型化が実現できる。また、ＩＤＴ電極１０２、１０３、１０４を同一の側で共通の電極パッド１０７にて接地することができるため、接地までの寄生成分を小さくし、接地強度を強くすることができ、減衰特性の改善が実現できるものである。   As described above, by adopting the configuration of the present embodiment, it is possible to realize a surface acoustic wave filter that is small and has excellent attenuation characteristics by using the capacitance of the wiring electrodes at the three-dimensional intersection. Further, in the surface acoustic wave filter of the present invention, unlike the conventional configuration, it is not necessary to have a configuration in which the electrode pad 1411 is surrounded by the wiring of the output terminal OUT. realizable. Further, since the IDT electrodes 102, 103, and 104 can be grounded by the common electrode pad 107 on the same side, the parasitic component up to the ground can be reduced, the grounding strength can be increased, and the attenuation characteristics can be improved. Can be realized.

なお、本実施の形態において、立体交差部はこれに限るものではなく、図５に示すように、配線電極５０１の幅を、立体交差部において他の部分と異ならせて調整することにより、容量の大きさを調整でき、減衰極周波数が調整できる弾性表面波フィルタ５００を実現することができる。図６に示すのは、立体交差部の面積と容量との関係を示す図である。図６において、絶縁層としては、厚みが約１０００ÅのＳｉＯ2薄膜を用いている。図６より、立体交差部の面積を変化させることにより容量を制御することが可能となる。図７に示すのは、図３における容量Ｃの値を０．２ｐＦ、０．３ｐＦ、０．５ｐＦと変えたときの通過特性７０１、７０２、７０３である。容量を大きくするにつれて、減衰極は通過帯域近傍に近づけることができる。このように、立体交差部の面積を変化させることにより、容量の大きさを制御し、減衰極周波数を調整することができる。なお、この容量の制御に関しては、絶縁層の厚みを変えることによっても可能である。 In the present embodiment, the three-dimensional intersection is not limited to this, and as shown in FIG. 5, by adjusting the width of the wiring electrode 501 differently from the other parts in the three-dimensional intersection, The surface acoustic wave filter 500 can be realized in which the size of the filter can be adjusted and the attenuation pole frequency can be adjusted. FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the area of the three-dimensional intersection and the capacity. In FIG. 6, a SiO 2 thin film having a thickness of about 1000 mm is used as the insulating layer. From FIG. 6, it is possible to control the capacity by changing the area of the three-dimensional intersection. FIG. 7 shows pass characteristics 701, 702, and 703 when the value of the capacitance C in FIG. 3 is changed to 0.2 pF, 0.3 pF, and 0.5 pF. As the capacitance is increased, the attenuation pole can be brought closer to the vicinity of the passband. In this way, by changing the area of the three-dimensional intersection, the capacity can be controlled and the attenuation pole frequency can be adjusted. Note that the capacitance can be controlled by changing the thickness of the insulating layer.

また、図８に示すように、配線電極８０１の幅を、他の電極部との接続部８０２、８０３において他の部分よりも広くすることにより、接触抵抗を低減することにより、低ロスな弾性表面波フィルタ８００を実現することができる。   Further, as shown in FIG. 8, the width of the wiring electrode 801 is made wider than the other portions in the connection portions 802 and 803 with the other electrode portions, thereby reducing the contact resistance, thereby reducing the low-loss elasticity. The surface wave filter 800 can be realized.

また、配線電極１０８、１１０は上下逆に構成されていてもかまわない。   Further, the wiring electrodes 108 and 110 may be configured upside down.

また、弾性表面波フィルタの構成に関してはこれに限るものではなく、弾性表面波共振器とを組み合わせた構成であってもかまわない。   Further, the configuration of the surface acoustic wave filter is not limited to this, and a configuration combining a surface acoustic wave resonator may be used.

また、絶縁層に関しては、ＳｉＯ2やＳｉＮ、樹脂系の材料など、絶縁性が確保でき、誘電体として機能する材料であればかまわない。特に、絶縁層としてＳｉＯ2など弾性表面波フィルタの温度補償に使用される材料を用いる場合には、絶縁層がＩＤＴ電極を覆うように構成すれば、温度特性に優れた弾性表面波フィルタを実現することができる。 The insulating layer may be any material that can ensure insulation and functions as a dielectric, such as SiO 2 , SiN, or a resin material. In particular, when a material used for temperature compensation of a surface acoustic wave filter such as SiO 2 is used as an insulating layer, a surface acoustic wave filter having excellent temperature characteristics can be realized if the insulating layer covers the IDT electrode. can do.

また、弾性表面波フィルタの作製に関しては、パッケージへの実装のためパッド電極の厚みを厚くするプロセスを用いる場合があり、この場合には、配線電極の形成を、パッド電極を厚くする工程等と同時に行うことにより、プロセスの工程の数を増やすことなく本発明の弾性表面波フィルタが実現できるものである。   In addition, regarding the production of the surface acoustic wave filter, a process of increasing the thickness of the pad electrode may be used for mounting on the package. In this case, the formation of the wiring electrode, the step of increasing the pad electrode, etc. By carrying out simultaneously, the surface acoustic wave filter of the present invention can be realized without increasing the number of process steps.

（実施の形態２）
以下、本発明の弾性表面波フィルタの構成について、図面を用いて説明する。 (Embodiment 2)
Hereinafter, the structure of the surface acoustic wave filter of the present invention will be described with reference to the drawings.

図９は、本発明の実施の形態２における弾性表面波フィルタの構成図である。図９において、弾性表面波フィルタ９００は、圧電基板９０１上に形成されるＩＤＴ電極９０２、９０３、９０４と反射器電極９０５、９０６とにより構成される第１の縦モード型の弾性表面波フィルタ９０７と、ＩＤＴ電極９０８、９０９、９１０と反射器電極９１１、９１２とにより構成される第２の縦モード型の弾性表面波フィルタ９１３とにより構成される。このとき、ＩＤＴ電極９０２、９０３、９０４と反射器電極９０５、９０６は弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置され、ＩＤＴ電極９０８、９０９、９１０と反射器電極９１１、９１２は弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置される。さらに、ＩＤＴ電極９０２、９０４の一方の電極指は、電極パッドに配線されてそれぞれ接地端子ＧＮＤに接続され、ＩＤＴ電極９０３の一方の電極指は、電極パッドに配線されて入力端子ＩＮに接続される。ＩＤＴ電極９０２、９０４の他方の電極指は、配線電極９１４、９１５を介して、ＩＤＴ電極９０８、９１０の一方の電極指に接続され、ＩＤＴ電極９０３の他方の電極指は、電極パッドに配線されて接地端子ＧＮＤに接続される。ＩＤＴ電極９０９は、２つに分割されて、それぞれ分割された電極指の一方は、配線電極９１６、９１７を介して電極パッドに配線されてそれぞれ出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２に接続される。このとき、配線電極９１４、９１５と配線電極９１６、９１７とは、絶縁層９１８、９１９を介して立体配線される構成となる。また、ＩＤＴ電極９０８、９０９、９１０の他方の電極指は、共通化されて接地端子ＧＮＤに接続される。以上の構成とすることにより、平衡型端子を有する２段に縦続接続された弾性表面波フィルタ９００を構成することができる。   FIG. 9 is a configuration diagram of a surface acoustic wave filter according to Embodiment 2 of the present invention. In FIG. 9, the surface acoustic wave filter 900 is a first longitudinal mode type surface acoustic wave filter 907 composed of IDT electrodes 902, 903, 904 and reflector electrodes 905, 906 formed on a piezoelectric substrate 901. And a second longitudinal mode type surface acoustic wave filter 913 including IDT electrodes 908, 909 and 910 and reflector electrodes 911 and 912. At this time, the IDT electrodes 902, 903, 904 and the reflector electrodes 905, 906 are arranged close to each other along the propagation direction of the surface acoustic wave, and the IDT electrodes 908, 909, 910 and the reflector electrodes 911, 912 Closely arranged along the propagation direction. Further, one electrode finger of the IDT electrodes 902 and 904 is wired to the electrode pad and connected to the ground terminal GND, and one electrode finger of the IDT electrode 903 is wired to the electrode pad and connected to the input terminal IN. The The other electrode finger of the IDT electrodes 902 and 904 is connected to one electrode finger of the IDT electrodes 908 and 910 via the wiring electrodes 914 and 915, and the other electrode finger of the IDT electrode 903 is wired to the electrode pad. Are connected to the ground terminal GND. The IDT electrode 909 is divided into two, and one of the divided electrode fingers is wired to the electrode pad via the wiring electrodes 916 and 917 and connected to the output terminals OUT1 and OUT2, respectively. At this time, the wiring electrodes 914 and 915 and the wiring electrodes 916 and 917 are configured to be three-dimensionally wired through the insulating layers 918 and 919. The other electrode finger of the IDT electrodes 908, 909, and 910 is shared and connected to the ground terminal GND. With the above configuration, it is possible to configure the surface acoustic wave filter 900 cascaded in two stages having balanced terminals.

図１０に、本実施の形態における弾性表面波フィルタの等価回路図を示す。弾性表面波フィルタ９００は、配線電極９１４、９１５と出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２との間に立体交差部により形成される容量Ｃが付加された構成となる。また、配線電極９１４、９１５が第２の弾性表面波フィルタ９１３における入力側に相当することになる。図１１に、図１０で示した回路構成において容量Ｃを０．２ｐＦとしたときの弾性表面波フィルタの通過特性を示す。図１１において、１１０１は本発明における弾性表面波フィルタの通過特性であり、１１０２は比較のための容量がない従来の構成の弾性表面波フィルタの通過特性である。本実施の形態に示す構成を適用することにより、通過帯域の高周波数側の減衰特性を改善することができる。   FIG. 10 shows an equivalent circuit diagram of the surface acoustic wave filter in the present embodiment. The surface acoustic wave filter 900 has a configuration in which a capacitor C formed by a three-dimensional intersection is added between the wiring electrodes 914 and 915 and the output terminals OUT1 and OUT2. The wiring electrodes 914 and 915 correspond to the input side of the second surface acoustic wave filter 913. FIG. 11 shows pass characteristics of the surface acoustic wave filter when the capacitance C is 0.2 pF in the circuit configuration shown in FIG. In FIG. 11, reference numeral 1101 denotes a pass characteristic of the surface acoustic wave filter according to the present invention, and 1102 denotes a pass characteristic of the surface acoustic wave filter having a conventional configuration without a capacity for comparison. By applying the configuration shown in this embodiment, it is possible to improve the attenuation characteristics on the high frequency side of the passband.

以上説明したように、本実施の形態の構成とすることにより、立体交差部における配線電極の容量を利用して、小型で減衰特性に優れる弾性表面波フィルタを実現することができる。また、ＩＤＴ電極９０８、９０９、９１０を同一の側で共通の電極パッドにて接地することができるため、接地までの寄生成分を小さくし、接地強度を強くすることができ、減衰特性の改善が実現できるものである。   As described above, by adopting the configuration of the present embodiment, it is possible to realize a surface acoustic wave filter that is small and has excellent attenuation characteristics by using the capacitance of the wiring electrodes at the three-dimensional intersection. Further, since the IDT electrodes 908, 909, and 910 can be grounded on the same side with a common electrode pad, the parasitic component up to grounding can be reduced, the grounding strength can be increased, and the attenuation characteristics can be improved. It can be realized.

なお、本実施の形態において、立体交差部はこれに限るものではなく、実施の形態１で示したように、配線電極９１６、９１７の幅を、立体交差部において他の部分と異ならせて調整することにより、容量の大きさを制御でき、減衰極周波数が調整できる弾性表面波フィルタ９００を実現することができる。   In this embodiment, the solid intersection is not limited to this, and as shown in the first embodiment, the widths of the wiring electrodes 916 and 917 are adjusted to be different from those of other portions in the solid intersection. By doing so, it is possible to realize the surface acoustic wave filter 900 that can control the size of the capacitance and adjust the attenuation pole frequency.

また、実施の形態１で示したように、配線電極９１６、９１７の幅を、他の電極部との接触部において他の部分よりも広くすることにより、接触抵抗を低減することにより、低ロスな弾性表面波フィルタを実現することができる。   Further, as shown in the first embodiment, the width of the wiring electrodes 916 and 917 is made wider at the contact portion with the other electrode portion than at the other portion, thereby reducing the contact resistance and reducing the loss. A surface acoustic wave filter can be realized.

また、配線電極９１４、９１５と配線電極９１６、９１７は上下逆に構成されていてもかまわない。   The wiring electrodes 914 and 915 and the wiring electrodes 916 and 917 may be configured upside down.

また、図１２に示すようにＩＤＴ電極９０３の他方の電極指が配線電極１２０１を介して接地端子ＧＮＤに接続される構成とすることも可能である。このとき、配線電極１２０１は絶縁層１２０２、１２０３を介して配線電極９１４、９１５と立体交差する構成となる。この場合には、弾性表面波フィルタ１２００において、第１と第２の弾性表面波フィルタ９０７、９１３の間に電極パッドを設ける必要がなく、さらに小型化が実現できるものである。また、配線電極１２０１は、立体交差部において、電極幅が他よりも小さい構成とすることにより、配線電極９１４、９１５の接地面への寄生容量を小さくすることができ、通過帯域特性を改善することができる。   In addition, as shown in FIG. 12, the other electrode finger of the IDT electrode 903 can be connected to the ground terminal GND via the wiring electrode 1201. At this time, the wiring electrode 1201 is three-dimensionally crossed with the wiring electrodes 914 and 915 via the insulating layers 1202 and 1203. In this case, in the surface acoustic wave filter 1200, it is not necessary to provide an electrode pad between the first and second surface acoustic wave filters 907 and 913, and further miniaturization can be realized. Further, the wiring electrode 1201 has a configuration in which the electrode width is smaller than the others at the three-dimensional intersection, so that the parasitic capacitance to the ground plane of the wiring electrodes 914 and 915 can be reduced, and the passband characteristics are improved. be able to.

また、弾性表面波フィルタの構成に関してはこれに限るものではなく、弾性表面波共振器とを組み合わせた構成であってもかまわない。   Further, the configuration of the surface acoustic wave filter is not limited to this, and a configuration combining a surface acoustic wave resonator may be used.

また、絶縁層に関しては、ＳｉＯ2やＳｉＮ、樹脂系の材料など、絶縁性が確保でき、誘電体として機能する材料であればかまわない。特に、絶縁層としてＳｉＯ2など弾性表面波フィルタの温度補償に使用される材料を用いる場合には、絶縁層がＩＤＴ電極を覆うように構成すれば、小型で、帯域内特性、及び温度特性に優れた弾性表面波フィルタを実現することができる。 The insulating layer may be any material that can ensure insulation and functions as a dielectric, such as SiO 2 , SiN, or a resin material. In particular, when a material used for temperature compensation of a surface acoustic wave filter such as SiO 2 is used as the insulating layer, if the insulating layer is configured to cover the IDT electrode, it is small in size and has in-band characteristics and temperature characteristics. An excellent surface acoustic wave filter can be realized.

また、弾性表面波フィルタの作製に関しては、パッケージへの実装のためパッド電極の厚みを厚くするプロセスを用いる場合があり、この場合には、配線電極の形成を、パッド電極を厚くする工程等と同時に行うことにより、プロセスの工程の数を増やすことなく本発明の弾性表面波フィルタが実現できるものである。   In addition, regarding the production of the surface acoustic wave filter, a process of increasing the thickness of the pad electrode may be used for mounting on the package. In this case, the formation of the wiring electrode, the step of increasing the pad electrode, etc. By carrying out simultaneously, the surface acoustic wave filter of the present invention can be realized without increasing the number of process steps.

（実施の形態３）
以下、本発明のアンテナ共用器、高周波モジュール、通信機器の構成について、図面を用いて説明する。 (Embodiment 3)
Hereinafter, configurations of an antenna duplexer, a high-frequency module, and a communication device according to the present invention will be described with reference to the drawings.

図１３は、本発明の実施の形態３における通信機器の構成図である。図１３において、通信機器１３００は、第１、第２の無線回路１３０１、１３０２と切換スイッチ１３０３により構成される。第１の無線回路１３０１は、送信フィルタ１３０４と受信フィルタ１３０５とにより構成されるアンテナ共用器１３０６と、送信回路１と、送信回路１より出力された送信信号を増幅する送信増幅器１３０７と、受信信号を増幅する受信増幅器１３０８と、受信信号が入力される受信回路１とにより構成される。第２の無線回路１３０２は、送信フィルタ１３０９と受信フィルタ１３１０とにより構成されるアンテナ共用器１３１１と、送信回路２と、送信回路２より出力された送信信号を増幅する送信増幅器１３１２と、受信信号を増幅する受信増幅器１３１３と、受信信号が入力される受信回路２とにより構成される。切換スイッチの一方の端子はアンテナ端子ＡＮＴに接続され、他方の２つの端子は、それぞれ第１、第２の無線回路１３０１、１３０２を構成するアンテナ共用器１３０６、１３１１に接続される。以上の構成とすることにより、通信機器１３００は、第１と第２の無線回路１３０１、１３０２を有する複合機の構成となる。ここで、アンテナ共用器１３０６において、送信フィルタ１３０４または受信フィルタ１３０５のいずれかに、実施の形態１または２で示した弾性表面波フィルタを適用することにより、小型で通過帯域特性に優れたアンテナ共用器１３０６を実現することができる。また、アンテナ共用器１３１１において、送信フィルタ１３０９または受信フィルタ１３１０のいずれかに、実施の形態１または２で示した弾性表面波フィルタを適用することにより、小型で通過帯域特性に優れたアンテナ共用器１３１１を実現することができる。さらに、このようなアンテナ共用器１３０６または１３１１を用いて通信機器１３００を構成することにより、小型で高性能な通信機器を実現することができる。   FIG. 13 is a configuration diagram of a communication device according to Embodiment 3 of the present invention. In FIG. 13, the communication device 1300 includes first and second wireless circuits 1301 and 1302 and a changeover switch 1303. The first radio circuit 1301 includes an antenna duplexer 1306 including a transmission filter 1304 and a reception filter 1305, a transmission circuit 1, a transmission amplifier 1307 that amplifies a transmission signal output from the transmission circuit 1, and a reception signal. And a receiving circuit 1 to which a received signal is input. The second radio circuit 1302 includes an antenna duplexer 1311 including a transmission filter 1309 and a reception filter 1310, a transmission circuit 2, a transmission amplifier 1312 that amplifies a transmission signal output from the transmission circuit 2, and a reception signal. And a receiving circuit 2 to which a received signal is input. One terminal of the changeover switch is connected to the antenna terminal ANT, and the other two terminals are connected to the antenna duplexers 1306 and 1311 constituting the first and second radio circuits 1301 and 1302, respectively. With the above configuration, the communication device 1300 has a configuration of a multi-function peripheral having the first and second wireless circuits 1301 and 1302. Here, in the antenna duplexer 1306, by applying the surface acoustic wave filter described in Embodiment 1 or 2 to either the transmission filter 1304 or the reception filter 1305, the antenna sharing is small and excellent in passband characteristics. A device 1306 can be implemented. Further, in the antenna duplexer 1311, the surface acoustic wave filter shown in Embodiment 1 or 2 is applied to either the transmission filter 1309 or the reception filter 1310, so that the antenna duplexer is small and has excellent passband characteristics. 1311 can be realized. Furthermore, by configuring the communication device 1300 using such an antenna duplexer 1306 or 1311, a small and high-performance communication device can be realized.

なお、本実施の形態において、通信機器における無線回路の数や回路構成などはこれに限るものではない。   Note that in this embodiment, the number of wireless circuits and circuit configuration in a communication device are not limited to this.

さらに、本実施の形態におけるアンテナ共用器を用いれば、アンテナ共用器１３０６と送信増幅器１３０７とから構成される高周波モジュール１３１４として実現することも可能でありアンテナ共用器１３０６、１３１１と切換スイッチ１３０３とから構成される高周波モジュール１３１５を実現することが可能であり、小型で高性能な高周波モジュールを実現することができる。   Furthermore, if the antenna duplexer in the present embodiment is used, it can be realized as a high-frequency module 1314 composed of the antenna duplexer 1306 and the transmission amplifier 1307, and the antenna duplexers 1306 and 1311 and the changeover switch 1303 can be used. The high-frequency module 1315 configured can be realized, and a small and high-performance high-frequency module can be realized.

なお、高周波モジュールにおいて、アンテナ共用器と組み合わせるデバイスに関しては、これに限るものではなく、受信増幅器と組み合わせることも可能である。   Note that the device combined with the antenna duplexer in the high-frequency module is not limited to this, and can be combined with a receiving amplifier.

また、本実施の形態においては、高周波モジュール、通信機器に関して、アンテナ共用器を用いた構成となっているが、これは、実施の形態１または２の弾性表面波フィルタを用いた構成の通信機器であってもかまわない。   In the present embodiment, the antenna duplexer is used for the high-frequency module and the communication device. This is a communication device using the surface acoustic wave filter of the first or second embodiment. It doesn't matter.

本発明にかかる弾性表面波フィルタは、小型で通過帯域特性に優れ、各種電子機器に応用できる。   The surface acoustic wave filter according to the present invention is small and excellent in passband characteristics, and can be applied to various electronic devices.

１００ 弾性表面波フィルタ
１０１ 圧電基板
１０２、１０３、１０４ ＩＤＴ電極
１０５、１０６ 反射器電極
１０７、１０９、１１１ 電極パッド
１０８、１１０ 配線電極
１１２ 絶縁層
４０１ 本実施の形態における弾性表面波フィルタの通過特性
４０２ 従来の弾性表面波フィルタの通過特性
５００ 弾性表面波フィルタ
５０１ 配線電極
７０１、７０２、７０３ 本実施の形態における弾性表面波フィルタの通過特性
８０１ 配線電極
８０２、８０３ 他の電極部との接続部
９００ 弾性表面波フィルタ
９０１ 圧電基板
９０２、９０３、９０４ ＩＤＴ電極
９０５、９０６ 反射器電極
９０７ 第１の縦モード型フィルタ
９０８、９０９、９１０ ＩＤＴ電極
９１１、９１２ 反射器電極
９１３ 第２の縦モード型フィルタ
９１４、９１５、９１６、９１７ 配線電極
９１８、９１９ 絶縁層
１１０１ 本実施の形態における弾性表面波フィルタの通過特性
１１０２ 従来の弾性表面波フィルタの通過特性
１２０１ 配線電極
１２０２、１２０３ 絶縁層
１３００ 通信機器
１３０１ 第１の無線回路
１３０２ 第２の無線回路
１３０３ 切換スイッチ
１３０４ 送信フィルタ
１３０５ 受信フィルタ
１３０６ アンテナ共用器
１３０７ 送信増幅器
１３０８ 受信増幅器
１３０９ 送信フィルタ
１３１０ 受信フィルタ
１３１１ アンテナ共用器
１３１２ 送信増幅器
１３１３ 受信増幅器
１３１４、１３１５ 高周波モジュール
１４００ 弾性表面波フィルタ
１４０１ 圧電基板
１４０２、１４０３、１４０４ ＩＤＴ電極
１４０５、１４０６ 反射器電極
１４０７、１４０８、１４０９、１４１１、１４１２ 電極パッド
１４１０ 配線電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Surface acoustic wave filter 101 Piezoelectric substrate 102,103,104 IDT electrode 105,106 Reflector electrode 107,109,111 Electrode pad 108,110 Wiring electrode 112 Insulating layer 401 Passage characteristic of surface acoustic wave filter in this Embodiment 402 Passage characteristics of conventional surface acoustic wave filter 500 Surface acoustic wave filter 501 Wiring electrodes 701, 702, 703 Passing characteristics of surface acoustic wave filter in this embodiment 801 Wiring electrodes 802, 803 Connection portions with other electrode portions 900 Elasticity Surface wave filter 901 Piezoelectric substrate 902, 903, 904 IDT electrode 905, 906 Reflector electrode 907 First longitudinal mode type filter 908, 909, 910 IDT electrode 911, 912 Reflector electrode 913 Second longitudinal mode type filter 914, 915, 16, 917 Wiring electrode 918, 919 Insulating layer 1101 Passing characteristic of surface acoustic wave filter in this embodiment 1102 Passing characteristic of conventional surface acoustic wave filter 1201 Wiring electrode 1202, 1203 Insulating layer 1300 Communication device 1301 First wireless circuit 1302 Second radio circuit 1303 changeover switch 1304 transmission filter 1305 reception filter 1306 antenna duplexer 1307 transmission amplifier 1308 reception amplifier 1309 transmission filter 1310 reception filter 1311 antenna duplexer 1312 transmission amplifier 1313 reception amplifiers 1314 and 1315 high-frequency module 1400 surface acoustic wave Filter 1401 Piezoelectric substrate 1402, 1403, 1404 IDT electrode 1405, 1406 Reflector electrode 1407, 1408, 1409, 141 , 1412 electrode pad 1410 wiring electrode

Claims (13)

圧電基板と、
前記圧電基板上に形成された複数のＩＤＴ電極と、
前記複数のＩＤＴ電極にそれぞれ接続される第１、及び第２の配線電極とを備えた弾性表面波フィルタであって、
前記第１の配線電極は入力側のＩＤＴ電極に接続され、前記第２の配線電極は出力側のＩＤＴ電極に接続され、
前記第１、及び前記第２の配線電極とは絶縁層を介して立体交差する構成であると共に、
前記第１の配線電極は、立体交差部において、電極幅が他よりも小さい構成とすることを特徴とする弾性表面波フィルタ。 A piezoelectric substrate;
A plurality of IDT electrodes formed on the piezoelectric substrate;
A surface acoustic wave filter comprising first and second wiring electrodes respectively connected to the plurality of IDT electrodes,
The first wiring electrode is connected to an input-side IDT electrode, the second wiring electrode is connected to an output-side IDT electrode,
The first and second wiring electrodes are three-dimensionally crossed via an insulating layer, and
The surface acoustic wave filter according to claim 1, wherein the first wiring electrode has a configuration in which the electrode width is smaller than the others at the three-dimensional intersection. 前記複数のＩＤＴ電極は弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置されることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波フィルタ。 The surface acoustic wave filter according to claim 1, wherein the plurality of IDT electrodes are arranged close to each other along a propagation direction of the surface acoustic wave. 前記絶縁層が誘電体材料により構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の弾性表面波フィルタ。 3. The surface acoustic wave filter according to claim 1, wherein the insulating layer is made of a dielectric material. 前記第１、及び前記第２の配線電極の立体交差部における容量を制御することにより、通過特性における減衰極を制御することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の弾性表面波フィルタ。 The surface acoustic wave according to any one of claims 1 to 3, wherein an attenuation pole in a passage characteristic is controlled by controlling a capacitance at a three-dimensional intersection of the first and second wiring electrodes. filter. 前記容量は、立体交差部における配線電極の幅により制御されることを特徴とする請求項４に記載の弾性表面波フィルタ。 The surface acoustic wave filter according to claim 4, wherein the capacitance is controlled by a width of the wiring electrode at the three-dimensional intersection. 前記容量は、立体交差部における絶縁層の厚みにより制御されることを特徴とする請求項４に記載の弾性表面波フィルタ。 The surface acoustic wave filter according to claim 4, wherein the capacitance is controlled by a thickness of an insulating layer at a three-dimensional intersection. 前記第１または前記第２の配線電極の少なくとも一方において、他の電極部との接続部の電極幅が他の部分の電極幅よりも大きいことを特徴とする請求項１または３のいずれかに記載の弾性表面波フィルタ。 4. At least one of the first and second wiring electrodes, an electrode width of a connection portion with another electrode portion is larger than an electrode width of another portion. The surface acoustic wave filter as described. 圧電基板と、
前記圧電基板上に形成された第１、第２、第３のＩＤＴ電極と、
反射器電極とを備えた弾性表面波フィルタであって、
前記第１、第２、第３のＩＤＴ電極と反射器電極とは弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置される構成であって、
前記第１、第２、第３のＩＤＴ電極における一方の電極指は共通化されて接地され、
前記第１、第３のＩＤＴ電極における他方の電極指は第１の配線電極を介して入力端子あるいは出力端子の一方に接続され、
前記第２のＩＤＴ電極における他方の電極指は第２の配線電極を介して入力端子あるいは出力端子の他方に接続され、
前記第１、及び前記第２の配線電極とは絶縁層を介して立体交差する構成であると共に、前記第１配線電極は、立体交差部において、電極幅が他よりも小さい構成とすることを特徴とする弾性表面波フィルタ。 A piezoelectric substrate;
First, second, and third IDT electrodes formed on the piezoelectric substrate;
A surface acoustic wave filter including a reflector electrode,
The first, second, and third IDT electrodes and the reflector electrode are arranged close to each other along the propagation direction of the surface acoustic wave,
One electrode finger of the first, second, and third IDT electrodes is shared and grounded,
The other electrode finger of the first and third IDT electrodes is connected to one of the input terminal and the output terminal via the first wiring electrode,
The other electrode finger of the second IDT electrode is connected to the other of the input terminal or the output terminal via the second wiring electrode,
The first and second wiring electrodes are configured to cross three-dimensionally through an insulating layer, and the first wiring electrode has a configuration in which the electrode width is smaller than the others at the three-dimensional intersection. A characteristic surface acoustic wave filter. 複数のＩＤＴ電極を弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置される第１の弾性表面波フィルタと、
複数のＩＤＴ電極を弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置される第２の弾性表面波フィルタとを備え、
前記第１、及び第２の弾性表面波フィルタは第１の配線電極により縦続接続され、
前記第２の弾性表面波フィルタにおけるＩＤＴ電極は第２の配線電極により入力端子あるいは出力端子に接続される構成であって、
前記第１、及び前記第２の配線電極とは絶縁層を介して立体交差する構成であると共に、前記第１の配線電極は、立体交差部において、電極幅が他よりも小さい構成とすることを特徴とする弾性表面波フィルタ。 A first surface acoustic wave filter in which a plurality of IDT electrodes are arranged close to each other along the propagation direction of the surface acoustic wave;
A second surface acoustic wave filter in which a plurality of IDT electrodes are arranged close to each other along the propagation direction of the surface acoustic wave;
The first and second surface acoustic wave filters are cascaded by a first wiring electrode,
The IDT electrode in the second surface acoustic wave filter is configured to be connected to an input terminal or an output terminal by a second wiring electrode,
The first and second wiring electrodes are configured to cross three-dimensionally through an insulating layer, and the first wiring electrode has a configuration in which the electrode width is smaller than the others at the three-dimensional intersection. A surface acoustic wave filter characterized by the above. 前記第１の配線電極は１対の配線電極から構成され、
前記１対の配線電極のそれぞれに流れる信号の電気的な位相が逆相であることを特徴とする請求項９に記載の弾性表面波フィルタ。 The first wiring electrode is composed of a pair of wiring electrodes,
The surface acoustic wave filter according to claim 9, wherein electrical phases of signals flowing through the pair of wiring electrodes are opposite to each other. 前記第２の弾性表面波フィルタにおけるＩＤＴ電極の少なくとも一つが、平衡型の入力端子あるいは出力端子に接続されることを特徴とする請求項１０に記載の弾性表面波フィルタ。 The surface acoustic wave filter according to claim 10, wherein at least one of IDT electrodes in the second surface acoustic wave filter is connected to a balanced input terminal or output terminal. 前記第１の配線電極は前記圧電基板上に形成された接地端子に接続された請求項１、８、９のいずれかに記載の弾性表面波フィルタ。 The surface acoustic wave filter according to claim 1, wherein the first wiring electrode is connected to a ground terminal formed on the piezoelectric substrate. 送信フィルタと受信フィルタとを備え、前記送信フィルタまたは受信フィルタの少なくとも一方が、請求項１から３のいずれかに記載の弾性表面波フィルタにより構成されていることを特徴とする通信機器。 A communication apparatus comprising a transmission filter and a reception filter, wherein at least one of the transmission filter and the reception filter is constituted by the surface acoustic wave filter according to claim 1.
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