JP2007266812A

JP2007266812A - Surface acoustic wave filter, and antenna multicoupler

Info

Publication number: JP2007266812A
Application number: JP2006087044A
Authority: JP
Inventors: Shunichi Seki; 関　　俊一; Hiroyuki Nakamura; 弘幸中村
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2006-03-28
Filing date: 2006-03-28
Publication date: 2007-10-11

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem of a conventional surface acoustic wave filter that an in-band characteristic is deteriorated in a cascade connection configuration. <P>SOLUTION: A surface acoustic wave filter 100 disclosed herein is configured with: a first vertical mode filter 107 configured by arranging IDT electrodes 102, 103, 104 and reflector electrodes 105, 106 formed on a piezoelectric substrate 101 closely to each other along a propagation direction of a surface acoustic wave; and a second vertical mode filter 113 configured by arranging IDT electrodes 108, 109, 110 and reflector electrodes 111, 112 closely to each other along the propagation direction of the surface acoustic wave. The first vertical mode filter 107 and the second vertical mode filter 113 are connected in cascade via a static capacitor 114. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、携帯電話等の通信機器に用いられる通過帯域特性に優れ、急峻な減衰特性を有する弾性表面波フィルタに関する。また、本発明はそのような弾性表面波フィルタを有するアンテナ共用器に関する。 The present invention relates to a surface acoustic wave filter that has excellent passband characteristics and has steep attenuation characteristics used in communication equipment such as mobile phones. The present invention also relates to an antenna duplexer having such a surface acoustic wave filter.

近年、通信機器の発展に伴い、特に、携帯電話等に使用されるデバイスの高性能化、小型化が期待されている。携帯電話等では、フィルタとして、弾性表面波フィルタが広く用いられており、低ロス化、及び高減衰化に加え、小型化が期待されている。 In recent years, with the development of communication equipment, high performance and downsizing of devices used for mobile phones are expected. In mobile phones and the like, surface acoustic wave filters are widely used as filters, and in addition to low loss and high attenuation, miniaturization is expected.

以下、従来の弾性表面波フィルタについて説明する。図１３に、従来の弾性表面波フィルタの構成を示す。弾性表面波フィルタ１１００は、圧電基板１１０１上に形成される、ＩＤＴ電極１１０２、１１０３、１１０４と反射器電極１１０５、１１０６とを弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置して構成される第１の縦モード型フィルタ１１０７と、ＩＤＴ電極１１０８、１１０９、１１１０と反射器電極１１１１、１１１２とを弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置して構成される第２の縦モード型フィルタ１１１３とにより構成される。ＩＤＴ電極１１０２、１１０４の一方の電極指は接地され、ＩＤＴ電極１１０３の一方の電極指は入力端子ＩＮに接続される。ＩＤＴ電極１１０２、１１０４の一方の電極指は共通化されてＩＤＴ電極１１０８、１１１０の一方の電極指に接続され、ＩＤＴ電極１１０３の他方の電極指、及びＩＤＴ電極１１０９の一方の電極指は接地される。ＩＤＴ電極１１０８、１１１０の他方の電極指は接地され、ＩＤＴ電極１１０９の他方の電極指は出力端子ＯＵＴに接続される。以上の構成とすることにより、弾性表面波フィルタ１１００は、第１、及び第２の縦モード型フィルタ１１０７、１１１３が縦続接続された構成となる。図１４に示すのは、弾性表面波フィルタ１１００の通過特性である。従来の構成においては、通過特性において通過帯域の低周波数側が欠けた形となっている。 Hereinafter, a conventional surface acoustic wave filter will be described. FIG. 13 shows a configuration of a conventional surface acoustic wave filter. The surface acoustic wave filter 1100 is configured by first arranging IDT electrodes 1102, 1103, 1104 and reflector electrodes 1105, 1106 formed on the piezoelectric substrate 1101 in close proximity along the propagation direction of the surface acoustic wave. Of the longitudinal mode type filter 1107, and IDT electrodes 1108, 1109, and 1110 and reflector electrodes 1111 and 1112 are arranged close to each other along the propagation direction of the surface acoustic wave. Composed. One electrode finger of the IDT electrodes 1102 and 1104 is grounded, and one electrode finger of the IDT electrode 1103 is connected to the input terminal IN. One electrode finger of IDT electrodes 1102 and 1104 is shared and connected to one electrode finger of IDT electrodes 1108 and 1110, and the other electrode finger of IDT electrode 1103 and one electrode finger of IDT electrode 1109 are grounded. The The other electrode finger of the IDT electrodes 1108 and 1110 is grounded, and the other electrode finger of the IDT electrode 1109 is connected to the output terminal OUT. With the above configuration, the surface acoustic wave filter 1100 has a configuration in which the first and second longitudinal mode filters 1107 and 1113 are connected in cascade. FIG. 14 shows the pass characteristic of the surface acoustic wave filter 1100. In the conventional configuration, the low frequency side of the pass band is missing in the pass characteristics.

また、従来の弾性表面波フィルタに関しては、図１３とは異なる縦続接続の構成が開示されている（例えば、特許文献１、２参照）。
特開平１１−９７９６６号公報特開２００２−１１１４３２号公報 Further, regarding a conventional surface acoustic wave filter, a configuration of cascade connection different from that in FIG. 13 is disclosed (for example, refer to Patent Documents 1 and 2).
JP 11-97966 A JP 2002-111432 A

しかしながら、前記従来の技術では、第１、及び第２の縦モード型フィルタの接続点においてインピーダンスの不整合が生じ、通過特性において通過帯域の低周波数側が欠けた形となり、通過帯域幅が減少し、ロスが大きくなるという課題があった。 However, in the conventional technique, impedance mismatch occurs at the connection point of the first and second longitudinal mode filters, and the low frequency side of the pass band is lost in the pass characteristics, thereby reducing the pass band width. There was a problem that the loss increased.

本発明は、前記従来の課題を解決するもので、通過帯域特性に優れ、急峻な減衰特性を有する弾性表面波フィルタを提供することを目的とする。また、本発明はそのような弾性表面波フィルタを用いて、高性能なアンテナ共用器を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above-described conventional problems, and an object thereof is to provide a surface acoustic wave filter that has excellent passband characteristics and has steep attenuation characteristics. Another object of the present invention is to provide a high-performance antenna duplexer using such a surface acoustic wave filter.

前記従来の課題を解決するために、本発明の弾性表面波フィルタは、圧電基板と、前記圧電基板上に形成された複数のＩＤＴ電極により構成される第１の縦モード型フィルタと、前記圧電基板上に形成された複数のＩＤＴ電極により構成される第２の縦モード型フィルタとを備え、前記第１の縦モード型フィルタと前記第２の縦モード型フィルタは、静電容量を直列に介して縦続接続されることを特徴とする弾性表面波フィルタである。 In order to solve the conventional problems, a surface acoustic wave filter according to the present invention includes a piezoelectric substrate, a first longitudinal mode filter configured by a plurality of IDT electrodes formed on the piezoelectric substrate, and the piezoelectric A second longitudinal mode type filter composed of a plurality of IDT electrodes formed on the substrate, wherein the first longitudinal mode type filter and the second longitudinal mode type filter have capacitances in series. It is a surface acoustic wave filter characterized by being connected in cascade.

本構成によって、優れた通過帯域特性、及び急峻な減衰特性を有する弾性表面波フィルタを実現することができる。 With this configuration, a surface acoustic wave filter having excellent passband characteristics and steep attenuation characteristics can be realized.

また、上記弾性表面波フィルタにおいては、前記静電容量は、前記圧電基板の誘電率を利用して構成しても良い。 In the surface acoustic wave filter, the capacitance may be configured by using a dielectric constant of the piezoelectric substrate.

上記構成によって、小型で、優れた通過帯域特性、及び急峻な減衰特性を有する縦モード型の弾性表面波フィルタを実現することができる。 With the above configuration, a longitudinal mode type surface acoustic wave filter having a small size, excellent passband characteristics, and steep attenuation characteristics can be realized.

また、上記弾性表面波フィルタにおいては、前記静電容量は、前記圧電基板上に形成される対向する配線電極により構成しても良い。 In the surface acoustic wave filter, the capacitance may be constituted by opposing wiring electrodes formed on the piezoelectric substrate.

上記構成によって、小型で、優れた通過帯域特性、及び急峻な減衰特性を有する縦モード型の弾性表面波フィルタを実現することができるものである。 With the above-described configuration, a longitudinal mode type surface acoustic wave filter having a small size, excellent passband characteristics, and steep attenuation characteristics can be realized.

また、上記弾性表面波フィルタにおいては、前記静電容量は、前記圧電基板上に形成されるＩＤＴ電極により構成しても良い。 In the surface acoustic wave filter, the capacitance may be constituted by an IDT electrode formed on the piezoelectric substrate.

また、上記弾性表面波フィルタにおいては、前記静電容量を構成するＩＤＴ電極の共振周波数、及び反共振周波数は、弾性表面波フィルタの通過帯域外に設定されていることが好ましい。 In the surface acoustic wave filter, it is preferable that the resonance frequency and anti-resonance frequency of the IDT electrode constituting the capacitance are set outside the passband of the surface acoustic wave filter.

また、上記弾性表面波フィルタにおいては、前記静電容量は、前記圧電基板上で、第１の配線電極と誘電体層と第２の配線電極とが立体交差することにより構成しても良い。 In the surface acoustic wave filter, the capacitance may be configured by three-dimensionally intersecting the first wiring electrode, the dielectric layer, and the second wiring electrode on the piezoelectric substrate.

上記構成によって、小型で、優れた通過帯域特性、及び急峻な減衰特性を有する弾性表面波フィルタを実現することができるものである。 With the above configuration, a surface acoustic wave filter having a small size, excellent passband characteristics, and steep attenuation characteristics can be realized.

また、上記弾性表面波フィルタにおいては、前記静電容量は、前記第１の配線電極と前記第２の配線電極とが立体交差する面積を制御することを調整しても良い。 In the surface acoustic wave filter, the capacitance may be adjusted to control an area where the first wiring electrode and the second wiring electrode intersect three-dimensionally.

また、上記弾性表面波フィルタにおいては、前記静電容量は、前記誘電体層の厚みを制御することにより調整しても良い。 In the surface acoustic wave filter, the capacitance may be adjusted by controlling the thickness of the dielectric layer.

また、上記弾性表面波フィルタにおいては、前記静電容量は、前記圧電基板の外部に作製しても良い。 In the surface acoustic wave filter, the capacitance may be produced outside the piezoelectric substrate.

また、上記弾性表面波フィルタにおいては、前記静電容量は、前記圧電基板が実装されるパッケージまたはパネル内に作製しても良い。 In the surface acoustic wave filter, the capacitance may be produced in a package or panel on which the piezoelectric substrate is mounted.

また、上記弾性表面波フィルタにおいては、前記第１の縦モード型フィルタと前記第２の縦モード型フィルタは、第１、及び第２の信号線により、それぞれ静電容量を直列に介して縦続接続しても良い。 In the surface acoustic wave filter, the first longitudinal mode filter and the second longitudinal mode filter are cascaded via a first signal line and a second signal line, respectively, through a capacitance in series. You may connect.

また、上記弾性表面波フィルタにおいては、前記第１、及び第２の信号線を流れる信号の位相が逆相であることが好ましい。 In the surface acoustic wave filter, it is preferable that the signals flowing through the first and second signal lines have opposite phases.

上記構成によって、小型で、優れた通過帯域特性、及び急峻な減衰特性を有するとともに、信号線の結合を低減して減衰特性が改善できる弾性表面波フィルタを実現することができるものである。 With the above configuration, it is possible to realize a surface acoustic wave filter that is small in size, has excellent passband characteristics, and steep attenuation characteristics, and that can improve the attenuation characteristics by reducing signal line coupling.

また、上記弾性表面波フィルタにおいては、前記第１の縦モード型フィルタと前記第２の縦モード型フィルタの少なくとも一方は、平衡型端子を有することが好ましい。 In the surface acoustic wave filter, it is preferable that at least one of the first longitudinal mode filter and the second longitudinal mode filter has a balanced terminal.

上記構成によって、小型で、優れた通過帯域特性、及び急峻な減衰特性を有するとともに、平衡型端子を有する弾性表面波フィルタを実現することができるものである。 With the above configuration, a surface acoustic wave filter having a small size, excellent passband characteristics, and steep attenuation characteristics, and having a balanced terminal can be realized.

また、本発明のアンテナ共用器は、送信フィルタと受信フィルタとを備えたアンテナ共用器であって、前記送信フィルタまたは受信フィルタの少なくとも一方の、第１、第２の縦モード型フィルタを静電容量を直列に介して縦続接続された弾性表面波フィルタにより構成されていることを特徴とするアンテナ共用器である。 The antenna duplexer according to the present invention is an antenna duplexer including a transmission filter and a reception filter, wherein at least one of the transmission filter and the reception filter is electrostatically connected to the first and second longitudinal mode filters. An antenna duplexer comprising a surface acoustic wave filter having capacitors connected in series via a series.

上記構成によって、小型で、優れた通過帯域特性、及び急峻な減衰特性を有するアンテナ共用器を実現することができるものである。 With the above configuration, it is possible to realize a small antenna duplexer having excellent passband characteristics and steep attenuation characteristics.

本発明の弾性表面波フィルタによれば、小型で、通過帯域特性に優れ、急峻な減衰特性を有する弾性表面波フィルタを提供することを目的とする。また、本発明の弾性表面波フィルタによれば、バランス特性に優れた平衡型弾性表面波フィルタを実現することができる。更に、本発明の弾性表面波フィルタを用いることにより、高性能なアンテナ共用器を実現することができる。 According to the surface acoustic wave filter of the present invention, it is an object to provide a surface acoustic wave filter that is small in size, excellent in passband characteristics, and having steep attenuation characteristics. Further, according to the surface acoustic wave filter of the present invention, a balanced surface acoustic wave filter having excellent balance characteristics can be realized. Furthermore, a high-performance antenna duplexer can be realized by using the surface acoustic wave filter of the present invention.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における弾性表面波フィルタの構成図である。図１において、弾性表面波フィルタ１００は、圧電基板１０１上に形成される、ＩＤＴ電極１０２、１０３、１０４と反射器電極１０５、１０６とを弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置して構成される第１の縦モード型フィルタ１０７と、ＩＤＴ電極１０８、１０９、１１０と反射器電極１１１、１１２とを弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置して構成される第２の縦モード型フィルタ１１３とにより構成される。ＩＤＴ電極１０２、１０４の一方の電極指は接地され、ＩＤＴ電極１０３の一方の電極指は入力端子ＩＮに接続される。ＩＤＴ電極１０２、１０４の一方の電極指は共通化され、静電容量１１４を介してＩＤＴ電極１０８、１１０の一方の電極指に接続され、ＩＤＴ電極１０３の他方の電極指、及びＩＤＴ電極１０９の一方の電極指は接地される。ＩＤＴ電極１０８、１１０の他方の電極指は接地され、ＩＤＴ電極１０９の他方の電極指は出力端子ＯＵＴに接続される。以上の構成とすることにより、弾性表面波フィルタ１００は、第１、及び第２の縦モード型フィルタ１０７、１１３が静電容量１１４を直列に介して縦続接続された構成となる。図２に、本実施の形態における弾性表面波フィルタの通過特性を示す。図２において、２０１は本実施の形態における弾性表面波フィルタの通過特性であり、本構成を適用することにより、２０２は従来の弾性表面波フィルタの通過特性である。通過帯域の低周波数側の欠けがなくなり、通過特性が改善されて、広帯域化、低ロス化、急峻な減衰特性が実現できている。 (Embodiment 1)
FIG. 1 is a configuration diagram of a surface acoustic wave filter according to Embodiment 1 of the present invention. In FIG. 1, a surface acoustic wave filter 100 is formed by arranging IDT electrodes 102, 103, 104 and reflector electrodes 105, 106 formed on a piezoelectric substrate 101 close to each other along the propagation direction of the surface acoustic wave. The first longitudinal mode type filter 107, the IDT electrodes 108, 109, 110 and the reflector electrodes 111, 112 are arranged close to each other along the propagation direction of the surface acoustic wave. And a filter 113. One electrode finger of the IDT electrodes 102 and 104 is grounded, and one electrode finger of the IDT electrode 103 is connected to the input terminal IN. One electrode finger of the IDT electrodes 102 and 104 is made common and connected to one electrode finger of the IDT electrodes 108 and 110 via the capacitance 114, and the other electrode finger of the IDT electrode 103 and the IDT electrode 109 One electrode finger is grounded. The other electrode finger of the IDT electrodes 108 and 110 is grounded, and the other electrode finger of the IDT electrode 109 is connected to the output terminal OUT. With the above configuration, the surface acoustic wave filter 100 has a configuration in which the first and second longitudinal mode filters 107 and 113 are connected in cascade through the capacitance 114 in series. FIG. 2 shows the pass characteristics of the surface acoustic wave filter according to the present embodiment. In FIG. 2, 201 is the pass characteristic of the surface acoustic wave filter according to the present embodiment. By applying this configuration, 202 is the pass characteristic of the conventional surface acoustic wave filter. The loss of the pass band on the low frequency side is eliminated, the pass characteristic is improved, and a wide band, a low loss, and a steep attenuation characteristic can be realized.

以上説明したように、本実施の形態の構成とすることにより、通過特性に優れた弾性表面波フィルタを実現できるものである。 As described above, a surface acoustic wave filter having excellent pass characteristics can be realized by adopting the configuration of the present embodiment.

なお、本実施の形態において、弾性表面波フィルタの縦続接続の構成に関してはこれに限るものではなく、第１、及び第２の縦モード型フィルタが静電容量を直列に介して接続されていればよい。例えば、図３に示すように、弾性表面波フィルタ３００は、ＩＤＴ電極１０２、１０４の一方の電極指が入力端子ＩＮに接続され、ＩＤＴ電極１０８、１１０の他方の電極指が出力端子ＯＵＴに接続され、ＩＤＴ電極１０３とＩＤＴ電極１０９とが静電容量３０１を介して接続されていてもかまわない。 In the present embodiment, the configuration of the cascade connection of the surface acoustic wave filters is not limited to this, and the first and second longitudinal mode filters may be connected via a capacitance in series. That's fine. For example, as shown in FIG. 3, in the surface acoustic wave filter 300, one electrode finger of the IDT electrodes 102 and 104 is connected to the input terminal IN, and the other electrode finger of the IDT electrodes 108 and 110 is connected to the output terminal OUT. The IDT electrode 103 and the IDT electrode 109 may be connected via the capacitance 301.

また、図４に示すように、弾性表面波フィルタ４００は、ＩＤＴ電極１０２、１０４の他方の電極指とＩＤＴ電極１０８、１１０の一方の電極指とがそれぞれ静電容量４０１、４０２を介して接続されていてもかまわない。 As shown in FIG. 4, the surface acoustic wave filter 400 is connected to the other electrode finger of the IDT electrodes 102 and 104 and one electrode finger of the IDT electrodes 108 and 110 via capacitances 401 and 402, respectively. It may be done.

また、図５に示すように、弾性表面波フィルタ５００は、ＩＤＴ電極１０２、１０４の他方の電極指とＩＤＴ電極１０８、１１０の一方の電極指とがそれぞれ静電容量５０１、５０２を介して接続され、ＩＤＴ電極１０９の他方の電極指は平衡型出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２に接続されていてもかまわない。上記図５の構成において、静電容量５０１、および５０２を調整することにより、優れたバランス特性を実現することができる。 In addition, as shown in FIG. 5, the surface acoustic wave filter 500 is connected to the other electrode finger of the IDT electrodes 102 and 104 and one electrode finger of the IDT electrodes 108 and 110 via capacitances 501 and 502, respectively. The other electrode finger of the IDT electrode 109 may be connected to the balanced output terminals OUT1 and OUT2. In the configuration of FIG. 5 described above, excellent balance characteristics can be realized by adjusting the capacitances 501 and 502.

さらに、本実施の形態において、電極指の上下の向きに関してもこれに限るものではない。例えば、図４、図５で示した構成の場合、第１、及び第２の縦モード型フィルタを接続する信号線を流れる信号の電気的位相が逆相となるように、電極指の向きを調整することにより、空間的な結合による特性の劣化を防ぐことが可能となる。 Further, in the present embodiment, the vertical direction of the electrode fingers is not limited to this. For example, in the case of the configuration shown in FIGS. 4 and 5, the electrode fingers are oriented so that the electrical phase of the signal flowing through the signal line connecting the first and second longitudinal mode filters is opposite. By adjusting, it becomes possible to prevent deterioration of characteristics due to spatial coupling.

（実施の形態２）
以下、本発明の弾性表面波フィルタの構成について、図面を用いて説明する。 (Embodiment 2)
Hereinafter, the structure of the surface acoustic wave filter of the present invention will be described with reference to the drawings.

図６は、本発明の実施の形態２における弾性表面波フィルタの構成図である。図６において、弾性表面波フィルタ６００は、圧電基板６０１上に形成される、ＩＤＴ電極６０２、６０３、６０４と反射器電極６０５、６０６とを弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置して構成される第１の縦モード型フィルタ６０７と、ＩＤＴ電極６０８、６０９、６１０と反射器電極６１１、６１２とを弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置して構成される第２の縦モード型フィルタ６１３とにより構成される。ＩＤＴ電極６０２、６０４の一方の電極指は接地され、ＩＤＴ電極６０３の一方の電極指は入力端子ＩＮに接続される。ＩＤＴ電極６０２、６０４の一方の電極指は配線電極６１４、ＩＤＴ電極６１５、配線電極６１６を介してＩＤＴ電極６０８、６１０の一方の電極指に接続され、ＩＤＴ電極６０３の他方の電極指、及びＩＤＴ電極６０９の一方の電極指は接地される。ＩＤＴ電極６０８、６１０の他方の電極指は接地され、ＩＤＴ電極６０９の他方の電極指は出力端子ＯＵＴに接続される。ここで、ＩＤＴ電極６１５は、静電容量として動作するように設定されており、その共振周波数、反共振周波数は弾性表面波フィルタ６００の通過帯域外に設定されている。以上の構成とすることにより、弾性表面波フィルタ６００は、第１、及び第２の縦モード型フィルタ６０７、６１３がＩＤＴ電極６１５により形成される静電容量が直列に介して縦続接続された構成となる。 FIG. 6 is a configuration diagram of a surface acoustic wave filter according to Embodiment 2 of the present invention. In FIG. 6, a surface acoustic wave filter 600 is configured by arranging IDT electrodes 602, 603, and 604 and reflector electrodes 605 and 606, which are formed on a piezoelectric substrate 601, in close proximity along the propagation direction of the surface acoustic wave. First longitudinal mode filter 607, IDT electrodes 608, 609, and 610 and reflector electrodes 611 and 612 are arranged close to each other along the propagation direction of the surface acoustic wave. And a filter 613. One electrode finger of the IDT electrodes 602 and 604 is grounded, and one electrode finger of the IDT electrode 603 is connected to the input terminal IN. One electrode finger of the IDT electrodes 602 and 604 is connected to one electrode finger of the IDT electrodes 608 and 610 via the wiring electrode 614, the IDT electrode 615 and the wiring electrode 616, and the other electrode finger of the IDT electrode 603 and the IDT One electrode finger of the electrode 609 is grounded. The other electrode finger of the IDT electrodes 608 and 610 is grounded, and the other electrode finger of the IDT electrode 609 is connected to the output terminal OUT. Here, the IDT electrode 615 is set so as to operate as a capacitance, and its resonance frequency and anti-resonance frequency are set outside the pass band of the surface acoustic wave filter 600. With the above configuration, the surface acoustic wave filter 600 has a configuration in which the first and second longitudinal mode filters 607 and 613 are cascade-connected through the series of capacitances formed by the IDT electrodes 615. It becomes.

本構成を適用することにより、弾性表面波フィルタの通過特性は、通過帯域の低周波数側の欠けがなくなり、通過特性が改善されて、広帯域化、低ロス化、急峻な減衰特性が実現でき、さらに、同一の圧電基板上に静電容量を構成することができるので、外付け部品を使用することなく小型化を実現することができる。 By applying this configuration, the pass characteristic of the surface acoustic wave filter eliminates chipping on the low frequency side of the pass band, improves the pass characteristic, and can realize a wide band, low loss, and a steep attenuation characteristic. Furthermore, since the capacitance can be formed on the same piezoelectric substrate, it is possible to achieve downsizing without using external parts.

以上説明したように、本実施の形態の構成とすることにより、小型で、通過特性に優れた弾性表面波フィルタを実現できるものである。 As described above, by adopting the configuration of the present embodiment, a surface acoustic wave filter that is small in size and excellent in pass characteristics can be realized.

なお、本実施の形態において、弾性表面波フィルタの縦続接続の構成や電極指の向きに関しては限るものではなく、静電容量を介して縦続接続できる構成であればよい。 In the present embodiment, the configuration of the cascade connection of the surface acoustic wave filter and the direction of the electrode fingers are not limited, and any configuration can be used as long as it can be cascaded via the capacitance.

また、ＩＤＴ電極６１５を他のＩＤＴ電極と同じ向きに伝搬方向に向かって配置しているが、これはＩＤＴ電極を回転させ、伝搬方向と異なる向きとしてもかまわない。 Further, although the IDT electrode 615 is arranged in the same direction as the other IDT electrodes in the propagation direction, this may be a direction different from the propagation direction by rotating the IDT electrode.

また、静電容量はＩＤＴ電極に限るものではなく、圧電基板上に形成される対向する配線電極により構成されていてもかまわない。例えば、図７に示すように、弾性表面波フィルタ７００において、配線電極７０１と配線電極７０２とをギャップを設けて対向させて静電容量を構成してもよい。本実施の形成の静電容量に関しては、圧電基板の誘電率を利用しても静電容量を形成する構成であればよい。 Further, the capacitance is not limited to the IDT electrode, and may be configured by opposing wiring electrodes formed on the piezoelectric substrate. For example, as shown in FIG. 7, in the surface acoustic wave filter 700, the capacitance may be configured by providing a gap between the wiring electrode 701 and the wiring electrode 702. With respect to the capacitance formed in this embodiment, any configuration may be used as long as the capacitance is formed even if the dielectric constant of the piezoelectric substrate is used.

また、本実施の形態において、静電容量の形成に関してはこれに限るものではない。例えば、図８に示すように、弾性表面波フィルタ８００は、配線電極８０１と誘電体層８０２と配線電極８０３とが立体交差する構成としてもかまわない。図９に図８のＡ−Ａ’の断面図を示すように、誘電体層８０２を介して配線電極８０１、８０３が立体交差する構成とすることにより、静電容量を介した縦続接続を実現することができる。なお、この場合には、立体交差する配線電極の面積や誘電体層の厚みを制御することにより静電容量の大きさを調整することができ、誘電体層を薄くすれば、小さい面積で所望の静電容量を実現することができ、さらに小型化が実現できるものである。 In the present embodiment, the formation of capacitance is not limited to this. For example, as shown in FIG. 8, the surface acoustic wave filter 800 may have a configuration in which the wiring electrode 801, the dielectric layer 802, and the wiring electrode 803 are three-dimensionally crossed. As shown in the cross-sectional view along AA 'of FIG. 8 in FIG. 9, the wiring electrodes 801 and 803 are three-dimensionally crossed via the dielectric layer 802, thereby realizing the cascade connection via the capacitance. can do. In this case, the size of the electrostatic capacity can be adjusted by controlling the area of the wiring electrodes and the thickness of the dielectric layer which are three-dimensionally crossed. The electrostatic capacity can be realized, and further downsizing can be realized.

また、誘電体層としては、ＳｉＯ₂やＳｉＮ、樹脂系材料などを絶縁性を確保できるものであればかまわない。 The dielectric layer may be made of SiO ₂ , SiN, resin material, or the like that can ensure insulation.

（実施の形態３）
図１０は、本発明の実施の形態３における弾性表面波フィルタの構成図である。図１０において、弾性表面波フィルタ９００は、圧電基板９０１上に形成される、ＩＤＴ電極９０２、９０３、９０４と反射器電極９０５、９０６とを弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置して構成される第１の縦モード型フィルタ９０７と、ＩＤＴ電極９０８、９０９、９１０と反射器電極９１１、９１２とを弾性表面波の伝搬方向に沿って近接配置して構成される第２の縦モード型フィルタ９１３とにより構成される。ＩＤＴ電極９０２、９０４の一方の電極指は接地され、ＩＤＴ電極９０３の一方の電極指は入力端子ＩＮに接続される。ＩＤＴ電極９０２、９０４の一方の電極指は共通化され、出力端子ＯＵＴ−Ｃに接続される。ＩＤＴ電極９０８、９１０の一方の電極指は共通化され、入力端子ＩＮ−Ｃに接続される。ＩＤＴ電極９０３の他方の電極指、及びＩＤＴ電極９０９の一方の電極指は接地される。ＩＤＴ電極９０８、９１０の他方の電極指に接地され、ＩＤＴ電極９０９の他方の電極指は出力端子ＯＵＴに接続される。図１１は、上記圧電基板９００をパネル９２０に実装したときの断面図である。出力端子ＯＵＴ−Ｃおよび入力端子ＩＮ−Ｃはパネル内の誘電体層９２１を内部電極９２２で挟んで作製した静電容量を直列に介して接続される。以上の構成とすることにより、弾性表面波フィルタ９００は、第１、及び第２の縦モード型フィルタ９０７、９１３が静電容量を直列に介して縦続接続された構成となる。 (Embodiment 3)
FIG. 10 is a configuration diagram of a surface acoustic wave filter according to Embodiment 3 of the present invention. In FIG. 10, a surface acoustic wave filter 900 is formed by arranging IDT electrodes 902, 903, and 904 and reflector electrodes 905 and 906 in proximity to each other along the propagation direction of surface acoustic waves, which are formed on a piezoelectric substrate 901. First longitudinal mode type filter 907, IDT electrodes 908, 909, 910 and reflector electrodes 911, 912 are arranged close to each other along the propagation direction of the surface acoustic wave. And a filter 913. One electrode finger of the IDT electrodes 902 and 904 is grounded, and one electrode finger of the IDT electrode 903 is connected to the input terminal IN. One electrode finger of the IDT electrodes 902 and 904 is shared and connected to the output terminal OUT-C. One electrode finger of the IDT electrodes 908 and 910 is shared and connected to the input terminal IN-C. The other electrode finger of the IDT electrode 903 and one electrode finger of the IDT electrode 909 are grounded. The other electrode finger of the IDT electrodes 908 and 910 is grounded, and the other electrode finger of the IDT electrode 909 is connected to the output terminal OUT. FIG. 11 is a cross-sectional view when the piezoelectric substrate 900 is mounted on the panel 920. The output terminal OUT-C and the input terminal IN-C are connected via a series of capacitances produced by sandwiching the dielectric layer 921 in the panel between the internal electrodes 922. With the above configuration, the surface acoustic wave filter 900 has a configuration in which the first and second longitudinal mode filters 907 and 913 are cascade-connected through the capacitance in series.

本構成を適用することにより、弾性表面波フィルタの通過特性は、通過帯域の低周波数側の欠けがなくなり、通過特性が改善されて、広帯域化、低ロス化、急峻な減衰特性が実現でき、さらに、実装基板内に静電容量を構成することができるので、実装面積が小さくでき小型化を実現することができる。 By applying this configuration, the pass characteristic of the surface acoustic wave filter eliminates chipping on the low frequency side of the pass band, improves the pass characteristic, and can realize a wide band, low loss, and a steep attenuation characteristic. Furthermore, since a capacitance can be formed in the mounting substrate, the mounting area can be reduced and downsizing can be realized.

なお、本実施の形態において、静電容量はパネル内の積層構成により作製されるものに限るものではなく、同一層でＩＤＴ電極構成にしてもかまわない。この構成によると更に低背化が図られ小型化を実現することができる。 In the present embodiment, the capacitance is not limited to that produced by the laminated structure in the panel, and the IDT electrode structure may be formed in the same layer. According to this configuration, the height can be further reduced and downsizing can be realized.

また、圧電基板の実装はパネルに限るものではなく、キャビティ構造のパッケージに実装してもかまわない。 In addition, the mounting of the piezoelectric substrate is not limited to the panel, and may be mounted on a package having a cavity structure.

（実施の形態４）
以下、本発明のアンテナ共用器の構成について、図面を用いて説明する。 (Embodiment 4)
Hereinafter, the configuration of the antenna duplexer of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１２は、本発明の実施の形態３におけるアンテナ共用器の構成図である。図１２において、アンテナ共用器１０００は、送信フィルタ１００１と受信フィルタ１００２とにより構成される。送信フィルタ１００１の出力側と受信フィルタ１００２の入力側は共通化されてアンテナ端子ＡＮＴに接続される。送信フィルタ１００１の入力側は送信端子Ｔｘに接続され、受信フィルタ１００２の出力側は受信端子Ｒｘに接続される。また、受信フィルタ１００２の出力側は平衡型となる構成である。ここで、送信フィルタ１００１もしくは受信フィルタ１００２に本実施の形態１あるいは本実施の形態２で示した弾性表面波フィルタを適用することにより、通過特性に優れ、急峻な減衰特性を有するアンテナ共用器を実現することができる。 FIG. 12 is a configuration diagram of an antenna duplexer according to Embodiment 3 of the present invention. In FIG. 12, the antenna duplexer 1000 includes a transmission filter 1001 and a reception filter 1002. The output side of the transmission filter 1001 and the input side of the reception filter 1002 are shared and connected to the antenna terminal ANT. The input side of the transmission filter 1001 is connected to the transmission terminal Tx, and the output side of the reception filter 1002 is connected to the reception terminal Rx. The output side of the reception filter 1002 is a balanced type. Here, by applying the surface acoustic wave filter shown in the first embodiment or the second embodiment to the transmission filter 1001 or the reception filter 1002, an antenna duplexer having excellent pass characteristics and steep attenuation characteristics can be obtained. Can be realized.

なお、本実施の形態において、受信フィルタが平衡型端子を有する構成としたが、これに限るものではなく、不平衡型のアンテナ共用器としてもかまわないし、また、送信フィルタが平衡型端子を有する構成としてもかまわない。 In this embodiment, the reception filter has a balanced terminal. However, the present invention is not limited to this, and an unbalanced antenna duplexer may be used, and the transmission filter has a balanced terminal. It does not matter as a configuration.

また、本実施の形態１あるいは本実施の形態２をアンテナ共用器に適用するとしたが、本発明の弾性表面波フィルタはアンテナ共用器に限らず、モジュールや通信機器等にも適用可能である。 In addition, although the first embodiment or the second embodiment is applied to the antenna duplexer, the surface acoustic wave filter of the present invention is not limited to the antenna duplexer but can be applied to a module, a communication device, or the like.

本発明にかかる弾性表面波フィルタは、通過帯域特性に優れ、急峻な減衰特性を有するアンテナ共用器として有用である。また、高周波モジュールや通信機器などの用途にも応用できる。 The surface acoustic wave filter according to the present invention is excellent as a passband characteristic and useful as an antenna duplexer having a steep attenuation characteristic. It can also be applied to applications such as high-frequency modules and communication equipment.

本発明の実施の形態１における弾性表面波フィルタの構成図Configuration diagram of a surface acoustic wave filter according to Embodiment 1 of the present invention. 本実施の形態における弾性表面波フィルタの通過特性図Passing characteristic diagram of surface acoustic wave filter in this embodiment 本発明の実施の形態１における弾性表面波フィルタの他の構成図Another block diagram of the surface acoustic wave filter in Embodiment 1 of the present invention 本発明の実施の形態１における弾性表面波フィルタの他の構成図Another block diagram of the surface acoustic wave filter in Embodiment 1 of the present invention 本発明の実施の形態１における弾性表面波フィルタの他の構成図Another block diagram of the surface acoustic wave filter in Embodiment 1 of the present invention 本発明の実施の形態２における弾性表面波フィルタの構成図Configuration diagram of surface acoustic wave filter in Embodiment 2 of the present invention 本発明の実施の形態２における弾性表面波フィルタの他の構成図Another block diagram of the surface acoustic wave filter in Embodiment 2 of the present invention 本発明の実施の形態２における弾性表面波フィルタの他の構成図Another block diagram of the surface acoustic wave filter in Embodiment 2 of the present invention 図８におけるＡ−Ａ’の断面図Sectional view of A-A 'in FIG. 本発明の実施の形態３における弾性表面波フィルタの他の構成図Another block diagram of the surface acoustic wave filter in Embodiment 3 of the present invention 本発明の実施の形態３における弾性表面波フィルタの実装断面図Mounting sectional view of a surface acoustic wave filter according to Embodiment 3 of the present invention 本発明の実施の形態４におけるアンテナ共用器の構成図Configuration diagram of antenna duplexer in Embodiment 4 of the present invention 従来の弾性表面波フィルタの構成図Configuration of conventional surface acoustic wave filter 従来の弾性表面波フィルタの通過特性図Passing characteristics of conventional surface acoustic wave filter

Explanation of symbols

１００弾性表面波フィルタ
１０１圧電基板
１０２、１０３、１０４ＩＤＴ電極
１０５、１０６反射器電極
１０７第１の縦モード型フィルタ
１０８、１０９、１１０ＩＤＴ電極
１１１、１１２反射器電極
１１３第２の縦モード型フィルタ
１１４静電容量
２０１本実施の形態における弾性表面波フィルタの通過特性
２０２従来の弾性表面波フィルタの通過特性
３００弾性表面波フィルタ
３０１静電容量
４００弾性表面波フィルタ
４０１、４０２静電容量
５００弾性表面波フィルタ
５０１、５０２静電容量
６００弾性表面波フィルタ
６０１圧電基板
６０２、６０３、６０４ＩＤＴ電極
６０５、６０６反射器電極
６０７第１の縦モード型フィルタ
６０８、６０９、６１０ＩＤＴ電極
６１１、６１２反射器電極
６１３第２の縦モード型フィルタ
６１４配線電極
６１５ＩＤＴ電極
６１６配線電極
７００弾性表面波フィルタ
７０１、７０２配線電極
８００弾性表面波フィルタ
８０１配線電極
８０２誘電体層
８０３配線電極
９００弾性表面波フィルタ
９０１圧電基板
９０２、９０３、９０４ＩＤＴ電極
９０５、９０６反射器電極
９０７第１の縦モード型フィルタ
９０８、９０９、９１０ＩＤＴ電極
９１１、９１２反射器電極
９１３第２の縦モード型フィルタ
９２０パネル
９２１誘電体層
９２２内部電極
１０００アンテナ共用器
１００１送信フィルタ
１００２受信フィルタ
１１００弾性表面波フィルタ
１１０１圧電基板
１１０２、１１０３、１１０４ＩＤＴ電極
１１０５、１１０６反射器電極
１１０７第１の縦モード型フィルタ
１１０８、１１０９、１１１０ＩＤＴ電極
１１１１、１１１２反射器電極
１１１３第２の縦モード型フィルタ DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Surface acoustic wave filter 101 Piezoelectric substrate 102,103,104 IDT electrode 105,106 Reflector electrode 107 1st longitudinal mode type filter 108,109,110 IDT electrode 111,112 Reflector electrode 113 2nd longitudinal mode type filter 114 Electrostatic capacity 201 Passing characteristics of surface acoustic wave filter in this embodiment 202 Passing characteristics of conventional surface acoustic wave filter 300 Surface acoustic wave filter 301 Electrostatic capacity 400 Surface acoustic wave filters 401 and 402 Electrostatic capacity 500 Elastic surface Wave filter 501, 502 Capacitance 600 Surface acoustic wave filter 601 Piezoelectric substrate 602, 603, 604 IDT electrode 605, 606 Reflector electrode 607 First longitudinal mode type filter 608, 609, 610 IDT electrode 611, 612 Reflector electrode 613 Second longitudinal mode filter 614 Wiring electrode 615 IDT electrode 616 Wiring electrode 700 Surface acoustic wave filter 701, 702 Wiring electrode 800 Surface acoustic wave filter 801 Wiring electrode 802 Dielectric layer 803 Wiring electrode 900 Surface acoustic wave filter 901 Piezoelectric substrate 902 , 903, 904 IDT electrode 905, 906 Reflector electrode 907 First longitudinal mode type filter 908, 909, 910 IDT electrode 911, 912 Reflector electrode 913 Second longitudinal mode type filter 920 Panel 921 Dielectric layer 922 Internal electrode 1000 antenna duplexer 1001 transmission filter 1002 reception filter 1100 surface acoustic wave filter 1101 piezoelectric substrate 1102, 1103, 1104 IDT electrode 1105, 1106 reflector electrode 1107 first longitudinal mode type Data 1108,1109,1110 IDT electrodes 1111 and 1112 reflector electrodes 1113 second longitudinal mode type filter

Claims

A piezoelectric substrate;
A first longitudinal mode filter constituted by a plurality of IDT electrodes formed on the piezoelectric substrate;
A second longitudinal mode type filter comprising a plurality of IDT electrodes formed on the piezoelectric substrate;
The surface acoustic wave filter according to claim 1, wherein the first longitudinal mode type filter and the second longitudinal mode type filter are connected in cascade through an electrostatic capacitance in series.

The surface acoustic wave filter according to claim 1, wherein the electrostatic capacitance is configured using a dielectric constant of the piezoelectric substrate.

The surface acoustic wave filter according to claim 2, wherein the electrostatic capacitance is configured by opposing wiring electrodes formed on the piezoelectric substrate.

The surface acoustic wave filter according to claim 2, wherein the capacitance is configured by an IDT electrode formed on the piezoelectric substrate.

5. The surface acoustic wave filter according to claim 4, wherein a resonance frequency and an anti-resonance frequency of the IDT electrode constituting the capacitance are set outside a pass band of the surface acoustic wave filter.

2. The elastic surface according to claim 1, wherein the capacitance is configured by three-dimensionally intersecting the first wiring electrode, the dielectric layer, and the second wiring electrode on the piezoelectric substrate. Wave filter.

The surface acoustic wave filter according to claim 6, wherein the capacitance is adjusted by an area where the first wiring electrode and the second wiring electrode intersect three-dimensionally.

The surface acoustic wave filter according to claim 6, wherein the capacitance is adjusted by controlling a thickness of the dielectric layer.

The surface acoustic wave filter according to claim 1, wherein the capacitance is produced outside the piezoelectric substrate.

The surface acoustic wave filter according to claim 9, wherein the electrostatic capacitance is produced in a package or a panel on which the piezoelectric substrate is mounted.

The first longitudinal mode type filter and the second longitudinal mode type filter are respectively connected in cascade by capacitances in series by first and second signal lines. 2. The surface acoustic wave filter according to 1.

12. The surface acoustic wave filter according to claim 11, wherein phases of signals flowing through the first and second signal lines are opposite in phase.

The surface acoustic wave filter according to claim 1, wherein at least one of the first longitudinal mode filter and the second longitudinal mode filter has a balanced terminal.

An antenna duplexer having a transmission filter and a reception filter,
An antenna characterized in that the first and second longitudinal mode filters of at least one of the transmission filter and the reception filter are constituted by surface acoustic wave filters cascaded with capacitances in series. Duplexer.