JP2011258607A - Electronic component module - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress deterioration of insulation resistance in an electronic component module in which an electronic component chip is joined, with solder, to a multilayer substrate having a ferrite base layer.SOLUTION: The electronic component module includes: a multilayer substrate 12 having base layers 12a-12c made of ferrite; land electrodes 21-24 provided on an upper surface of the multilayer substrate 12; electronic component elements 13 and 14 mounted on the multilayer substrate 12 to be electrically connected with the land electrodes 21-24 and joined to the land electrodes 21-24 with solder; and an insulative material layer 51 formed to extend from at least a part of outer peripheral edges of land electrodes 21-24 onto a part of upper surfaces of the land electrodes 21-24.

Description

本発明は、多層基板上にICチップなどの電子部品素子が搭載されている電子部品モジュールに関し、より詳細には、フェライト基板層を有する多層基板上に半田を用いて電子部品素子が接合されている構造を有する電子部品モジュールに関する。   The present invention relates to an electronic component module in which an electronic component element such as an IC chip is mounted on a multilayer substrate. More specifically, the electronic component element is bonded to the multilayer substrate having a ferrite substrate layer using solder. The present invention relates to an electronic component module having a structure.

従来、電子機器の小型化を図るために、基板上に複数の電子部品チップを搭載してなる電子部品モジュールが種々提案されている。例えば下記の特許文献1には、このような電子部品モジュールに用いられるセラミック積層基板が開示されている。図7(a)及び(b)は、特許文献1に記載のセラミック積層基板の部分切欠平面図及び部分切欠断面図である。   Conventionally, various electronic component modules in which a plurality of electronic component chips are mounted on a substrate have been proposed in order to reduce the size of electronic devices. For example, Patent Document 1 below discloses a ceramic laminated substrate used in such an electronic component module. FIGS. 7A and 7B are a partially cutaway plan view and a partially cutaway sectional view of the ceramic laminated substrate described in Patent Document 1. FIG.

セラミック多層基板101では、ガラスセラミックスからなる複数のセラミック層102が積層されている。また、セラミック多層基板101内には、内部電極が形成されている。この内部電極に電気的に接続されるようにビアホール電極103が設けられている。ビアホール電極103は、セラミック多層基板101の上面に至っている。セラミック多層基板101の上面には、電極ランド104が形成されている。高周波電子部品チップがセラミック多層基板101上に搭載され、電極ランド104上に、高周波電子部品チップの電極が接合される。   In the ceramic multilayer substrate 101, a plurality of ceramic layers 102 made of glass ceramics are laminated. An internal electrode is formed in the ceramic multilayer substrate 101. A via hole electrode 103 is provided so as to be electrically connected to the internal electrode. The via-hole electrode 103 reaches the upper surface of the ceramic multilayer substrate 101. Electrode lands 104 are formed on the upper surface of the ceramic multilayer substrate 101. The high frequency electronic component chip is mounted on the ceramic multilayer substrate 101, and the electrode of the high frequency electronic component chip is bonded onto the electrode land 104.

電極ランド104の外縁部の少なくとも一部を被覆するように、電極ランド104の外側にオーバーコート層105が設けられている。   An overcoat layer 105 is provided outside the electrode land 104 so as to cover at least a part of the outer edge of the electrode land 104.

特許文献1では、上記オーバーコート層105の形成により、電極ランド104のセラミック多層基板101への密着強度が高められている。   In Patent Document 1, the formation of the overcoat layer 105 increases the adhesion strength of the electrode land 104 to the ceramic multilayer substrate 101.

オーバーコート層105は、基板と同一材料により、あるいは絶縁性材料に着色剤を微量添加した材料により形成されている。   The overcoat layer 105 is formed of the same material as that of the substrate or a material obtained by adding a small amount of a colorant to an insulating material.

特許文献1では、オーバーコート層105の表面と、電極ランド104のオーバーコート層105に覆われていない露出部分とを同一平面上とするように、電極ランド104の外周近傍部分が基板内に埋設されている。それによって、電子部品の実装時の安定性を高めることができ、かつフラックス等の洗浄残渣の除去が容易であるとされている。   In Patent Document 1, the vicinity of the outer periphery of the electrode land 104 is embedded in the substrate so that the surface of the overcoat layer 105 and the exposed portion of the electrode land 104 not covered by the overcoat layer 105 are on the same plane. Has been. Thereby, it is said that the stability at the time of mounting electronic components can be enhanced, and removal of cleaning residues such as flux is easy.

特開2002−198637JP2002-198637

上記のように、特許文献1では、ガラスセラミックスからなる積層セラミック基板と電極ランドとの密着性を高めるために上記絶縁層が形成されているにすぎない。   As described above, in Patent Document 1, the insulating layer is merely formed in order to improve the adhesion between the laminated ceramic substrate made of glass ceramics and the electrode land.

また、オーバーコート層と電極ランドとの段差を解消するために、電極ランドの露出部分と、オーバーコート層の表面とを同一平面内に位置させている。すなわち、オーバーコート層と電極ランドとの段差におけるフラックス残渣による電極ランドの腐食、すなわちケミカルマイグレーションを防止し、かつフラックスの洗浄を容易としているにすぎない。   Further, in order to eliminate the step between the overcoat layer and the electrode land, the exposed portion of the electrode land and the surface of the overcoat layer are positioned in the same plane. That is, the corrosion of the electrode land due to the flux residue at the step between the overcoat layer and the electrode land, that is, chemical migration is prevented, and the flux is simply cleaned.

他方、本願発明者らは、電子部品モジュールの中でも、フェライトからなる基板層を有する多層基板を用いた電子部品モジュールでは、ランド電極上に半田により電子部品チップを接合した場合、フェライトがフラックスにより侵食され、ランド電極と多層基板の内層に設けられランド電極と異なる電位に接続される内部導電体との間の絶縁抵抗IRの劣化が生じることを初めて見出した。特許文献1には、このようなフェライトからなる基板層を有する多層基板からなるモジュール基板の半田付け時の特有の問題点については何ら示されていない。   On the other hand, the present inventors, among electronic component modules, in an electronic component module using a multilayer substrate having a substrate layer made of ferrite, when the electronic component chip is joined to the land electrode by solder, the ferrite is eroded by the flux. It has been found for the first time that the insulation resistance IR deteriorates between the land electrode and the internal conductor provided in the inner layer of the multilayer substrate and connected to the land electrode at a different potential. Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-228688 does not describe any particular problems at the time of soldering of a module substrate composed of a multilayer substrate having a substrate layer composed of ferrite.

本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、フェライトからなる基板層を有する多層基板上に電子部品素子が実装されている電子部品モジュールであって、ランド電極と多層基板の内層に設けられており、ランド電極と異なる電位に接続される内部導電体との間の絶縁抵抗IRの劣化を抑制することを可能とした電子部品モジュールを提供することにある。   An object of the present invention is an electronic component module in which an electronic component element is mounted on a multilayer substrate having a substrate layer made of ferrite in view of the above-described state of the prior art, and is provided on the inner layer of the land electrode and the multilayer substrate. It is an object of the present invention to provide an electronic component module that can suppress deterioration of insulation resistance IR between a land electrode and an internal conductor connected to a different potential.

本発明にかかる電子部品モジュールは、上面と、下面とを有し、フェライトからなる基板層を有する多層基板と、前記多層基板の上面に設けられたランド電極と、前記多層基板のランド電極に電気的に接続されるように該多層基板に実装された電子部品素子と、前記電子部品素子と前記ランド電極とを接合しており、かつ半田からなる接合剤と、前記多層基板の上面に設けられており、かつ前記ランド電極の外側の領域から該ランド電極の外周縁の少なくとも一部を超えて前記ランド電極の上面の一部に入り込むように形成された絶縁性材料層とを備える。   An electronic component module according to the present invention includes a multilayer substrate having a top surface and a bottom surface and having a substrate layer made of ferrite, a land electrode provided on the top surface of the multilayer substrate, and an electric current connected to the land electrode of the multilayer substrate. An electronic component element mounted on the multilayer substrate so as to be connected to each other, a bonding agent made of solder for bonding the electronic component element and the land electrode, and an upper surface of the multilayer substrate. And an insulating material layer formed so as to enter a part of the upper surface of the land electrode from a region outside the land electrode beyond at least a part of the outer peripheral edge of the land electrode.

本発明にかかる電子部品モジュールのある特定の局面では、上記絶縁性材料層はフェライトからなる。その場合には、多層基板と同じくフェライトを用いて、絶縁性材料層を形成することができる。従って、材料の種類を少なくすることができる。よって、製造工程及びコストを低減することができる。   On the specific situation with the electronic component module concerning this invention, the said insulating material layer consists of ferrite. In that case, the insulating material layer can be formed using ferrite as in the multilayer substrate. Therefore, the types of materials can be reduced. Therefore, the manufacturing process and cost can be reduced.

本発明にかかる電子部品モジュールの他の特定の局面では、前記多層基板内において前記ランド電極とは異なる電位に接続される第1,第2の内部導電体が設けられており、前記第1の内部導電体の前記ランド電極との距離が、前記第2の内部導電体と前記ランド電極の間の距離よりも小さくされている。前記ランド電極の前記第1の内部導電体側の端縁において、前記絶縁性材料層が該端縁から前記ランド電極の内側に至っている部分の長さが、前記ランド電極の前記第2の前記内部導電体側の端縁において前記絶縁性材料層が該端縁を超えて前記ランド電極の内側に至っている部分の長さよりも長くされている。この場合には、内部導電体と相対的に近接しているランド電極の端縁において、絶縁性材料層がランド電極の内側に至っている部分の長さが相対的に長くされているので、絶縁抵抗の劣化をより確実に抑制することができる。   In another specific aspect of the electronic component module according to the present invention, first and second internal conductors connected to a potential different from the land electrode in the multilayer substrate are provided, and the first The distance between the internal conductor and the land electrode is smaller than the distance between the second internal conductor and the land electrode. At the edge of the land electrode on the first internal conductor side, the length of the portion where the insulating material layer extends from the edge to the inside of the land electrode is the second internal of the land electrode. The length of the insulating material layer at the edge on the conductor side is longer than the length of the portion extending beyond the edge and reaching the inside of the land electrode. In this case, at the edge of the land electrode that is relatively close to the internal conductor, the length of the portion where the insulating material layer reaches the inside of the land electrode is relatively long. Resistance degradation can be more reliably suppressed.

本発明にかかる電子部品モジュールのさらに他の特定の局面では、前記多層基板の前記上面が、フェライト基板層の上面である。このようにフェライト基板層が多層基板の最上部に位置していたとしても、絶縁抵抗の劣化を確実に抑制することができる。   In still another specific aspect of the electronic component module according to the present invention, the upper surface of the multilayer substrate is an upper surface of a ferrite substrate layer. Thus, even if the ferrite substrate layer is located at the uppermost part of the multilayer substrate, it is possible to reliably suppress the deterioration of the insulation resistance.

本発明にかかる電子部品モジュールのさらに別の特定の局面では、前記多層基板が、非磁性体フェライト基板層と、磁性体フェライト基板層とを有する。このように、本発明においては、多層基板は、非磁性体フェライト基板層と磁性体フェライト基板層とを有する構造であってもよい。特に、多層基板は、磁性体フェライト基板層と、磁性体フェライト基板層の上下に積層された非磁性体フェライト基板層とを有することが好ましい。この場合には、磁性体フェライト基板層が両側の非磁性体フェライト基板層で挟持されているので、磁性体フェライト基板層内に、インダクタンス値の高いコイル等を形成することができる。   In still another specific aspect of the electronic component module according to the present invention, the multilayer substrate includes a non-magnetic ferrite substrate layer and a magnetic ferrite substrate layer. Thus, in the present invention, the multilayer substrate may have a structure having a non-magnetic ferrite substrate layer and a magnetic ferrite substrate layer. In particular, the multilayer substrate preferably has a magnetic ferrite substrate layer and a non-magnetic ferrite substrate layer laminated above and below the magnetic ferrite substrate layer. In this case, since the magnetic ferrite substrate layer is sandwiched between the nonmagnetic ferrite substrate layers on both sides, a coil having a high inductance value can be formed in the magnetic ferrite substrate layer.

本発明にかかる電子部品モジュールでは、多層基板内にコイル導体が設けられていてもよい。多層基板がフェライト層を有するため、コイル導体を内部に設けた場合、インダクタンス値の高いコイルを構成することができる。   In the electronic component module according to the present invention, a coil conductor may be provided in the multilayer substrate. Since the multilayer substrate has a ferrite layer, when a coil conductor is provided inside, a coil having a high inductance value can be configured.

本発明にかかる電子部品モジュールでは、上記ランド電極の外周縁の少なくとも一部からランド電極の上面の一部に入り込むように絶縁性材料層が設けられているため、絶縁性材料層の下方にランド電極が位置している部分では、絶縁性材料層がフラックスにより侵食されたとしても、下方のランド電極により、ランド電極の下方の多層基板層の侵食が生じ難い。加えて、絶縁性材料層が設けられている部分におけるランド電極外周縁部分では、絶縁性材料層がフラックスにより侵食されることになるため、フラックスによる下方の多層基板層の侵食が生じ難い。従って、ランド電極と多層基板の内層に設けられランド電極と異なる電位に接続される内部導電体との間の絶縁抵抗の劣化を確実に抑制することができる。   In the electronic component module according to the present invention, since the insulating material layer is provided so as to enter a part of the upper surface of the land electrode from at least a part of the outer peripheral edge of the land electrode, the land material is provided below the insulating material layer. In the portion where the electrode is located, even if the insulating material layer is eroded by the flux, the lower land electrode hardly erodes the multilayer substrate layer below the land electrode. In addition, since the insulating material layer is eroded by the flux at the outer peripheral edge portion of the land electrode in the portion where the insulating material layer is provided, the lower multilayer substrate layer is hardly eroded by the flux. Therefore, it is possible to reliably suppress the deterioration of the insulation resistance between the land electrode and the internal conductor provided in the inner layer of the multilayer substrate and connected to a potential different from that of the land electrode.

(a)及び(b)は、本発明の一実施形態の電子部品モジュールの要部を説明するための部分切欠平面図及び部分切欠正面断面図である。(A) And (b) is the partial notch top view and partial notch front sectional drawing for demonstrating the principal part of the electronic component module of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の電子部品モジュールの回路構成を示す略図的回路図である。It is a schematic circuit diagram which shows the circuit structure of the electronic component module of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の電子部品モジュールの正面断面図である。It is front sectional drawing of the electronic component module of one Embodiment of this invention. 図3に示した実施形態の電子部品モジュールにおいて絶縁性材料層の図示を省略した構造を示す模式的平面図である。FIG. 4 is a schematic plan view showing a structure in which an illustration of an insulating material layer is omitted in the electronic component module of the embodiment shown in FIG. 3. 図3に示した実施形態の電子部品モジュールの積層構造を説明するための模式的平面図である。It is a typical top view for demonstrating the laminated structure of the electronic component module of embodiment shown in FIG. 図3に示した実施形態の電子部品モジュールにおける、ランド電極と、絶縁性材料層と、内部の導電体との関係を説明するための部分切欠正面断面図である。FIG. 4 is a partially cutaway front sectional view for explaining a relationship among a land electrode, an insulating material layer, and an internal conductor in the electronic component module of the embodiment shown in FIG. 3. (a)は、従来のセラミック積層基板の部分切欠平面図であり、(b)はその部分切欠正面断面図である。(A) is the partial notch top view of the conventional ceramic laminated substrate, (b) is the partial notch front sectional drawing.

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。   Hereinafter, the present invention will be clarified by describing specific embodiments of the present invention with reference to the drawings.

図1(a)及び(b)は、本発明の一実施形態に係る電子部品モジュールの要部を説明するための部分切欠平面図及び部分切欠正面断面図である。   FIGS. 1A and 1B are a partially cutaway plan view and a partially cutaway front sectional view for explaining the main part of an electronic component module according to an embodiment of the present invention.

図1(b)に示すように、セラミック多層基板1上に、ランド電極2が形成されている。セラミック多層基板1は、磁性体フェライトからなる基板層1a〜1cを有する。   As shown in FIG. 1B, land electrodes 2 are formed on a ceramic multilayer substrate 1. The ceramic multilayer substrate 1 has substrate layers 1a to 1c made of magnetic ferrite.

セラミック多層基板1は、フェライト基板層1a〜1c以外の他のフェライト基板層及び/またはフェライト以外の絶縁性材料からなる基板層を積層した構造を有していてもよい。また、セラミック多層基板1は、磁性または非磁性のフェライト基板層のみを積層した構造を有していてもよい。   The ceramic multilayer substrate 1 may have a structure in which a ferrite substrate layer other than the ferrite substrate layers 1a to 1c and / or a substrate layer made of an insulating material other than ferrite is laminated. The ceramic multilayer substrate 1 may have a structure in which only magnetic or nonmagnetic ferrite substrate layers are laminated.

ランド電極2は、Al、Cu、Ag、Auなどの適宜の金属もしくは合金からなる。ランド電極2は、電子部品チップが搭載される電極である。搭載に際しては、ランド電極2上に半田3が付与される。加熱により半田3を溶融し、電子部品チップの下面のバンプもしくは端子電極に、半田3からなる接合材によりランド電極2が接合される。ランド電極2の平面形状は特に限定されないが、本実施形態では、矩形の平面形状を有する。すなわち、ランド電極2は、対向し合う2つの辺2a,2cと、対向し合う2つの辺2b,2dとを有する。   The land electrode 2 is made of an appropriate metal or alloy such as Al, Cu, Ag, or Au. The land electrode 2 is an electrode on which an electronic component chip is mounted. In mounting, the solder 3 is applied on the land electrode 2. The solder 3 is melted by heating, and the land electrode 2 is bonded to the bump or terminal electrode on the lower surface of the electronic component chip by a bonding material made of the solder 3. The planar shape of the land electrode 2 is not particularly limited, but in the present embodiment, it has a rectangular planar shape. That is, the land electrode 2 has two sides 2a and 2c that face each other and two sides 2b and 2d that face each other.

本実施形態では、辺2b及び辺2dの外側の領域からランド電極2の内側に被さるように、絶縁性材料層4,5が形成されている。絶縁性材料層4,5は、適宜の絶縁性材料からなる。好ましくは、フェライト基板層1a〜1cと同様に、絶縁性材料層4,5はフェライトからなる。その場合には、フェライト基板層1aと同じ材料を利用して絶縁性材料層4,5を形成することができる。従って、材料の種類を少なくすることができる。   In the present embodiment, the insulating material layers 4 and 5 are formed so as to cover the inside of the land electrode 2 from the regions outside the sides 2b and 2d. The insulating material layers 4 and 5 are made of an appropriate insulating material. Preferably, like the ferrite substrate layers 1a to 1c, the insulating material layers 4 and 5 are made of ferrite. In that case, the insulating material layers 4 and 5 can be formed using the same material as the ferrite substrate layer 1a. Therefore, the types of materials can be reduced.

半田3は、電子部品チップを搭載する際に付与されるものである。従って、電子部品チップを搭載する前には、図1(a)及び(b)に示す半田3は付与されていない。半田付けに際しては、半田3を含む半田ペーストをディスペンス法や転写法などの公知の方法でランド電極2上に塗布する。次に電子部品チップを搭載する。加熱により電子部品チップをランド電極に半田付けする。   The solder 3 is applied when an electronic component chip is mounted. Accordingly, the solder 3 shown in FIGS. 1A and 1B is not applied before mounting the electronic component chip. At the time of soldering, a solder paste containing the solder 3 is applied onto the land electrode 2 by a known method such as a dispensing method or a transfer method. Next, an electronic component chip is mounted. The electronic component chip is soldered to the land electrode by heating.

図1(a)及び(b)では、ランド電極2の辺2b,2d側の部分は、絶縁性材料層4,5で覆われている。辺2a,2c側の部分は、絶縁性材料層で覆われていない。従って、半田ペーストに含まれるフラックスが広がり、ランド電極2の辺2a,2cからフラックスが多層基板表面に至る。従って、辺2a,2c近傍部分においてフェライト基板層1aがフラックスにより侵食する。   In FIGS. 1A and 1B, the portions on the sides 2 b and 2 d side of the land electrode 2 are covered with insulating material layers 4 and 5. The portions on the sides 2a and 2c are not covered with an insulating material layer. Accordingly, the flux contained in the solder paste spreads, and the flux reaches the surface of the multilayer substrate from the sides 2a and 2c of the land electrode 2. Accordingly, the ferrite substrate layer 1a is eroded by the flux in the vicinity of the sides 2a and 2c.

これに対して、絶縁性樹脂層4,5で覆われている辺2b,2d側の部分では、フラックスが絶縁性樹脂層4,5の表面を濡れ広がる。この場合、絶縁性樹脂層4,5はフラックスにより侵食されるが、絶縁性樹脂層4,5の下方にランド電極2が位置している部分では、ランド電極2により、ランド電極2の下方のフェライト基板層1aの侵食が防止される。また、辺2b,2d及びその外側近傍部分では、絶縁性樹脂層4,5がフラックスにより侵食されることにより、絶縁性樹脂層4,5の下方のフェライト基板層1aの侵食が確実に防止される。すなわち、絶縁性樹脂層4,5が設けられているため、多層基板1を構成しているフェライト基板層1a〜1cの侵食を確実に抑制することができる。   On the other hand, in the portions on the sides 2b and 2d side covered with the insulating resin layers 4 and 5, the flux wets and spreads on the surfaces of the insulating resin layers 4 and 5. In this case, the insulating resin layers 4 and 5 are eroded by the flux. However, in the portion where the land electrode 2 is located below the insulating resin layers 4 and 5, the land electrode 2 is provided below the land electrode 2. Corrosion of the ferrite substrate layer 1a is prevented. In addition, the insulating resin layers 4 and 5 are eroded by the flux in the sides 2b and 2d and in the vicinity of the outside thereof, so that the ferrite substrate layer 1a below the insulating resin layers 4 and 5 is reliably prevented from being eroded. The That is, since the insulating resin layers 4 and 5 are provided, the erosion of the ferrite substrate layers 1a to 1c constituting the multilayer substrate 1 can be reliably suppressed.

上記絶縁材料層に覆われていない辺2a,2c側の部分については内層まで侵食するが、絶縁性樹脂層4、5で覆われている辺2b,2d側の部分については下層のランド電極がその侵食を阻止する。   The sides on the sides 2a and 2c that are not covered with the insulating material layer erode to the inner layer, but the lower land electrodes are on the sides 2b and 2d that are covered with the insulating resin layers 4 and 5. Stop the erosion.

具体的には、図1(b)において、余剰のフラックスは、矢印Aで示すように、絶縁性材料層4,5の上を伝い、絶縁性材料層4,5のランド電極2とは反対側の端部に向かって進むこととなる。この場合、フラックスにより絶縁性材料層4,5が侵食されることになる。しかしながら、絶縁性材料層4,5の下方にランド電極2が位置している部分では、ランド電極2により下方のフェライト基板層1aの侵食が防止される。そして、ランド電極2の辺2b,2d及びその外側近傍では、絶縁性材料層4,5がフラックスで侵食されることになるため、絶縁性材料層4,5の直下に位置しているフェライト基板層1aのフラックスによる侵食が確実に抑制される。すなわち、ランド電極2の辺2b及びその外側近傍において、セラミック多層基板1のフェライト基板層1aへのフラックスの侵入を確実に抑制することができる。   Specifically, in FIG. 1B, the surplus flux travels on the insulating material layers 4 and 5 as shown by the arrow A, and is opposite to the land electrode 2 of the insulating material layers 4 and 5. Proceed toward the end of the side. In this case, the insulating material layers 4 and 5 are eroded by the flux. However, in the portion where the land electrode 2 is located below the insulating material layers 4 and 5, the land electrode 2 prevents the lower ferrite substrate layer 1a from being eroded. Further, since the insulating material layers 4 and 5 are eroded by the flux in the vicinity of the sides 2b and 2d of the land electrode 2 and the outside thereof, the ferrite substrate positioned immediately below the insulating material layers 4 and 5 Erosion due to the flux of the layer 1a is reliably suppressed. That is, intrusion of the flux into the ferrite substrate layer 1a of the ceramic multilayer substrate 1 can be reliably suppressed in the side 2b of the land electrode 2 and in the vicinity of the outside thereof.

絶縁性材料層が設けられていないランド電極2の辺2a,2cが位置している部分においては、余剰のフラックスがセラミック多層基板1のフェライト基板層1a内に侵入する。フラックスがセラミック多層基板1のフェライト基板層1aに侵入すると、フェライト中の酸化物成分がフラックスにより溶解し、フェライト基板層1aが侵食される。その結果、フェライト多層基板の侵食によりランド電極2と、ランド電極2と隔てられており、ランド電極2と異なる電位に接続される内部導電体との間の絶縁抵抗が低下する。   In a portion where the sides 2 a and 2 c of the land electrode 2 where the insulating material layer is not provided is located, surplus flux penetrates into the ferrite substrate layer 1 a of the ceramic multilayer substrate 1. When the flux enters the ferrite substrate layer 1a of the ceramic multilayer substrate 1, the oxide component in the ferrite is dissolved by the flux, and the ferrite substrate layer 1a is eroded. As a result, the erosion of the ferrite multilayer substrate separates the land electrode 2 from the land electrode 2, and the insulation resistance between the land electrode 2 and the internal conductor connected to a different potential is lowered.

なお、フラックスが、絶縁性材料層4のランド電極2とは反対側の端部4aや、絶縁性材料層5の端部5aに至るおそれはある。しかしながら、端部4a,5aではフェライト基板層1a表面が侵食されたとしても、ランド電極2と、内部導電体6,7との間の絶縁抵抗IRにはほとんど影響を与えない。また絶縁材料層4が、隣接するランド電極に形成された絶縁材料層につながる場合には、絶縁性材料層がフラックスにより侵食されるため、絶縁性材料層の直下に位置しているフェライト基板層1aにフラックスが侵食し難い。   Note that the flux may reach the end 4 a of the insulating material layer 4 opposite to the land electrode 2 or the end 5 a of the insulating material layer 5. However, even if the surface of the ferrite substrate layer 1a is eroded at the end portions 4a and 5a, the insulation resistance IR between the land electrode 2 and the internal conductors 6 and 7 is hardly affected. Further, when the insulating material layer 4 is connected to the insulating material layer formed on the adjacent land electrode, the insulating material layer is eroded by the flux, so that the ferrite substrate layer positioned immediately below the insulating material layer It is difficult for the flux to erode to 1a.

上記のように、本実施形態では、セラミック多層基板1に設けられたランド電極2の外周縁の少なくとも一部において、ランド電極2の外側の領域からランド電極2の外周縁の一部を超えてランド電極2内に至るように絶縁性材料層4,5が設けられているため、絶縁抵抗の低下を確実に抑制することができる。   As described above, in the present embodiment, at least a part of the outer peripheral edge of the land electrode 2 provided on the ceramic multilayer substrate 1 exceeds a part of the outer peripheral edge of the land electrode 2 from a region outside the land electrode 2. Since the insulating material layers 4 and 5 are provided so as to reach the land electrode 2, a decrease in insulation resistance can be reliably suppressed.

上記のように、絶縁性材料層4,5は、フラックスによりそれ自身が侵食され、フラックスの絶縁性材料層4,5の下方のフェライト基板層1aの侵入を抑制するように作用する。この場合、好ましくは、絶縁性材料層4,5のランド電極2内の端部からランド電極2の辺2b,2dに向かうにつれて、その高さが高くされていることが好ましい。それによって、フラックスのランド電極2の辺2b,2d側への広がりを抑制することができる。   As described above, the insulating material layers 4 and 5 are eroded by the flux and act to suppress the intrusion of the ferrite substrate layer 1a below the insulating material layers 4 and 5 of the flux. In this case, it is preferable that the height of the insulating material layers 4 and 5 increases from the end in the land electrode 2 toward the sides 2b and 2d of the land electrode 2. Thereby, the spread of the flux toward the sides 2b and 2d of the land electrode 2 can be suppressed.

なお、ランド電極2とは異なる電位に接続される内部導電体6,7のうち、内部導電体6とランド電極2との間の距離Xは、ランド電極2と内部導電体7との間の距離Yよりも短い。このような構造においては、好ましくは、ランド電極2と内部導電体との間の距離が短い側、すなわちランド電極2の辺2d側において、絶縁性材料層5のオーバーコート長L1を、辺2b側におけるオーバーコート長L2よりも長くすることが望ましい。それによって、絶縁抵抗の低下をより効果的に抑制することができる。これは、ランド電極2に近い内部導電体6側においては、上記フラックスの付着による絶縁抵抗の低下がより大きく影響を与えるためである。従って、好ましくは、図1(b)に示すように、ランド電極2に対し異なる電位に接続される内部導電体が複数ある場合、ランド電極2の相対的に近い内部導電体6側の外周縁部分において、上記オーバーコート長を相対的に長くすることが望ましい。   Of the internal conductors 6 and 7 connected to a potential different from that of the land electrode 2, the distance X between the internal conductor 6 and the land electrode 2 is between the land electrode 2 and the internal conductor 7. It is shorter than the distance Y. In such a structure, the overcoat length L1 of the insulating material layer 5 is preferably set to the side 2b on the side where the distance between the land electrode 2 and the internal conductor is short, that is, on the side 2d side of the land electrode 2. It is desirable to make it longer than the overcoat length L2 on the side. Thereby, a decrease in insulation resistance can be more effectively suppressed. This is because, on the side of the internal conductor 6 close to the land electrode 2, a decrease in insulation resistance due to the adhesion of the flux has a greater influence. Therefore, preferably, when there are a plurality of internal conductors connected to different potentials with respect to the land electrode 2, as shown in FIG. In the portion, it is desirable to make the overcoat length relatively long.

なお、オーバーコート長とは、絶縁性材料層4,5がランド電極2の外周縁を超えて電極ランドの内側に至っている部分の長さをいうものとする。   The overcoat length refers to the length of the portion where the insulating material layers 4 and 5 extend beyond the outer peripheral edge of the land electrode 2 and reach the inner side of the electrode land.

本願発明者らは、前述したように、フェライト基板層を有するセラミック多層基板では、上記フラックスがセラミック多層基板表面に到達すると、セラミック多層基板表面が侵食され、それによってランド電極と、異なる電位に接続される内部導電体との間の絶縁抵抗が劣化するという問題を初めて見出したものである。本実施形態のように、上記絶縁性材料層4,5を設けることにより、このような絶縁抵抗の低下を確実に抑制することができる。   As described above, the inventors of the present invention, in the ceramic multilayer substrate having the ferrite substrate layer, when the flux reaches the surface of the ceramic multilayer substrate, the ceramic multilayer substrate surface is eroded, thereby connecting to the land electrode at a different potential. This is the first finding of the problem that the insulation resistance with the internal conductor is deteriorated. By providing the insulating material layers 4 and 5 as in the present embodiment, such a decrease in insulation resistance can be reliably suppressed.

特開2005-209881には、絶縁性材料層4,5と同様に、電極に部分的にオーバーコートされる絶縁性材料層が開示されているが、該絶縁性材料層は、ガラスセラミックスからなる基板への電極の密着強度を高めるために設けられていたものにすぎない。すなわち、フェライトからなる基板における絶縁抵抗の低下という本願発明をなす前提となった問題点は、特開2005-209881には、には何ら示されていない。また、前述した特許文献1では、フラックスが段差に残留することによる影響を抑制するために、オーバーコート層と電極表面とを面一にする構成が開示されている。しかしながら、特許文献2の構成は、単にフラックスの除去を容易とするものにすぎず、特許文献1においても、フェライトからなる基板におけるフラックスの侵食による絶縁抵抗の劣化については何ら示されていない。   Japanese Patent Laid-Open No. 2005-209881 discloses an insulating material layer that is partially overcoated on the electrode, as in the case of the insulating material layers 4 and 5, and the insulating material layer is made of glass ceramics. It is only provided to increase the adhesion strength of the electrode to the substrate. That is, the problem that is the premise of the present invention that the insulation resistance of a substrate made of ferrite is lowered is not disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2005-209881. Further, Patent Document 1 described above discloses a configuration in which the overcoat layer and the electrode surface are flush with each other in order to suppress the influence caused by the flux remaining in the steps. However, the configuration of Patent Document 2 merely facilitates flux removal, and Patent Document 1 does not show any deterioration in insulation resistance due to flux erosion in a substrate made of ferrite.

本発明は、図1(a)及び(b)に示したように、フェライト基板層1aを有するセラミック多層基板1におけるランド電極2の外周縁におけるフラックスの侵食による絶縁抵抗の低下を抑制することを特徴とするものである。従って、上記ランド電極2の外周縁の全周において、外周縁から内側に至るように絶縁性材料層が形成されていてもよい。   As shown in FIGS. 1A and 1B, the present invention suppresses a decrease in insulation resistance due to flux erosion at the outer peripheral edge of the land electrode 2 in the ceramic multilayer substrate 1 having the ferrite substrate layer 1a. It is a feature. Therefore, an insulating material layer may be formed so as to extend from the outer peripheral edge to the inner side along the entire outer peripheral edge of the land electrode 2.

次に、図2〜図6を参照して、上記実施形態と同様に、絶縁性材料層がセラミック多層基板上に設けられている本発明の第2の実施形態を説明する。第2の実施形態の電子部品モジュールは、図2に示す回路構成を有する。   Next, a second embodiment of the present invention in which an insulating material layer is provided on a ceramic multilayer substrate will be described with reference to FIGS. The electronic component module of the second embodiment has a circuit configuration shown in FIG.

図3に示すように、電子部品モジュール11は、セラミック多層基板12と、セラミック多層基板12上に搭載されるICチップ13及びコンデンサ14とを有する。   As shown in FIG. 3, the electronic component module 11 includes a ceramic multilayer substrate 12, an IC chip 13 and a capacitor 14 mounted on the ceramic multilayer substrate 12.

電子部品モジュール11では、セラミック多層基板12内にコイル15が内蔵されている。   In the electronic component module 11, a coil 15 is built in the ceramic multilayer substrate 12.

また、ICチップ13は、DC−DCコンバータの制御ICチップである。   The IC chip 13 is a control IC chip for a DC-DC converter.

電子部品モジュール11は、制御ICチップ13とコイル15及びコンデンサ14とにより構成されたDC−DCコンバータモジュールである。   The electronic component module 11 is a DC-DC converter module including a control IC chip 13, a coil 15, and a capacitor 14.

ICチップ13のスイッチング端子13fに、セラミック多層基板12内に内蔵されているコイル15の一端が接続されている。コイル15の他端が出力端子16に接続されている。コイル15と出力端子16との間の接続点17とグラウンド端子18との間にコンデンサ14が接続されている。このコンデンサ14が、セラミック多層基板12に搭載されている。   One end of a coil 15 built in the ceramic multilayer substrate 12 is connected to the switching terminal 13 f of the IC chip 13. The other end of the coil 15 is connected to the output terminal 16. A capacitor 14 is connected between a connection point 17 between the coil 15 and the output terminal 16 and a ground terminal 18. The capacitor 14 is mounted on the ceramic multilayer substrate 12.

入力電圧端子13dに電池が接続される。出力端子16から電池電圧の変動によらず一定の電圧が出力される。EN端子13gの入力信号がハイのときDC−DCコンバータを動作させ、ローの場合、動作停止にする。   A battery is connected to the input voltage terminal 13d. A constant voltage is output from the output terminal 16 regardless of variations in battery voltage. When the input signal of the EN terminal 13g is high, the DC-DC converter is operated, and when low, the operation is stopped.

上記電子部品モジュール11の具体的構造を図3〜図5を参照して説明する。   A specific structure of the electronic component module 11 will be described with reference to FIGS.

図3に示すように、電子部品モジュール11では、セラミック多層基板12上に、上記ICチップ13及びコンデンサ14が搭載されている。   As shown in FIG. 3, in the electronic component module 11, the IC chip 13 and the capacitor 14 are mounted on a ceramic multilayer substrate 12.

セラミック多層基板12は、本実施形態では、上から順に、非磁性体フェライト基板層12a、磁性体フェライト基板層12b及び非磁性体フェライト基板層12cを順に積層した構造を有する。このような積層構造は、磁性体グリーンシートの積層体の上下に、非磁性体フェライトグリーンシートを適宜の枚数積層し、一体化した後、焼成することにより得ることができる。   In the present embodiment, the ceramic multilayer substrate 12 has a structure in which a non-magnetic ferrite substrate layer 12a, a magnetic ferrite substrate layer 12b, and a non-magnetic ferrite substrate layer 12c are sequentially stacked from the top. Such a laminated structure can be obtained by laminating an appropriate number of non-magnetic ferrite green sheets above and below the laminated body of magnetic green sheets, integrating them, and firing.

セラミック多層基板12内には、複数の磁性体フェライト層間を接続するように設けられたコイル導体により前述したコイル15が構成されている。このようなコイル15は、Al、Cu、Agなどの適宜の導電ペーストを、磁性体グリーンシート上に印刷し、上記セラミック多層基板12を得る焼成工程により焼結することにより得ることができる。より詳細には、複数枚の磁性体グリーンシート上に、コイルの巻回部分を導電ペーストの印刷により形成する。次に、ビアホール電極により各巻回部分を接続することにより、コイル15を構成するコイル導体を形成することができる。このようなセラミック多層基板12に内蔵されるコイル15は、周知の積層コイルの製造方法により実現することができる。   In the ceramic multilayer substrate 12, the coil 15 described above is constituted by a coil conductor provided so as to connect a plurality of magnetic ferrite layers. Such a coil 15 can be obtained by printing an appropriate conductive paste such as Al, Cu, Ag or the like on a magnetic green sheet and sintering it by a firing step to obtain the ceramic multilayer substrate 12. More specifically, a coil winding portion is formed on a plurality of magnetic green sheets by printing a conductive paste. Next, the coil conductor which comprises the coil 15 can be formed by connecting each winding part by a via-hole electrode. Such a coil 15 incorporated in the ceramic multilayer substrate 12 can be realized by a known laminated coil manufacturing method.

本実施形態では、磁性体フェライト基板層12b内に上記コイル15が形成されており、かつ磁性体フェライト基板層12bの上下が非磁性体フェライト基板層12a,12cからなるため、大きなインダクタンスのコイル15を得ることができる。   In the present embodiment, the coil 15 is formed in the magnetic ferrite substrate layer 12b, and the upper and lower sides of the magnetic ferrite substrate layer 12b are made of the nonmagnetic ferrite substrate layers 12a and 12c. Can be obtained.

もっとも、本発明においては、セラミック多層基板12を構成する基板層は本実施形態の構造に限定されるものではない。すなわち、フェライト基板層以外の絶縁性基板層を積層していてもよい。また、非磁性体フェライト基板層と、磁性体フェライト基板層の双方を積層したものに限らず、磁性体フェライト基板層のみによりセラミック多層基板12が形成されていてもよく、また非磁性体フェライト基板層のみによりセラミック多層基板12が形成されていてもよい。   However, in the present invention, the substrate layer constituting the ceramic multilayer substrate 12 is not limited to the structure of this embodiment. That is, an insulating substrate layer other than the ferrite substrate layer may be laminated. Further, the ceramic multilayer substrate 12 may be formed of only the magnetic ferrite substrate layer, not limited to the laminate of both the nonmagnetic ferrite substrate layer and the magnetic ferrite substrate layer, or the nonmagnetic ferrite substrate. The ceramic multilayer substrate 12 may be formed of only layers.

図3に示すように、セラミック多層基板12の上面には、ランド電極21〜24が形成されている。もっとも、図4に平面図で示すように、ランド電極21〜24以外に、ランド電極25,26もセラミック多層基板12の上面に形成されている。   As shown in FIG. 3, land electrodes 21 to 24 are formed on the upper surface of the ceramic multilayer substrate 12. However, as shown in a plan view in FIG. 4, in addition to the land electrodes 21 to 24, land electrodes 25 and 26 are also formed on the upper surface of the ceramic multilayer substrate 12.

なお、図4では、理解を容易とするために、図3の絶縁性材料層の図示は省略してある。すなわち、図4は、セラミック多層基板12上において、絶縁性材料層を除去した状態を示す平面図であり、後述の図5は、上記絶縁性材料層が形成されている本実施形態で用いられるセラミック多層基板12の模式的平面図である。   In FIG. 4, the illustration of the insulating material layer in FIG. 3 is omitted for easy understanding. That is, FIG. 4 is a plan view showing a state where the insulating material layer is removed on the ceramic multilayer substrate 12, and FIG. 5 described later is used in the present embodiment in which the insulating material layer is formed. 2 is a schematic plan view of a ceramic multilayer substrate 12. FIG.

ランド電極21〜26のうち、ランド電極21,22,25,26は、ICチップ13の下面の端子電極に接合される部分である。このうち、ランド電極25は、図2に入力電圧端子13dに相当する。また、ランド電極21は、ICチップ13のEN端子に接続されている。他方、ランド電極26は、図2のスイッチング端子13fに相当する。ランド電極22は、図2のグラウンド端子13eに相当する。さらに、ランド電極23は、図2の接続点17に相当し、ランド電極24は図2のコンデンサ14が接続されるグラウンド端子18に相当する。   Of the land electrodes 21 to 26, the land electrodes 21, 22, 25, and 26 are portions joined to the terminal electrodes on the lower surface of the IC chip 13. Among these, the land electrode 25 corresponds to the input voltage terminal 13d in FIG. The land electrode 21 is connected to the EN terminal of the IC chip 13. On the other hand, the land electrode 26 corresponds to the switching terminal 13f of FIG. The land electrode 22 corresponds to the ground terminal 13e in FIG. Further, the land electrode 23 corresponds to the connection point 17 in FIG. 2, and the land electrode 24 corresponds to the ground terminal 18 to which the capacitor 14 in FIG. 2 is connected.

図3では、図4のランド電極21,22,23,24が設けられている部分の断面が模式的に示されている。   3 schematically shows a cross section of a portion where the land electrodes 21, 22, 23, and 24 of FIG. 4 are provided.

また、図4及び図5では、一点鎖線により、セラミック多層基板12の下面12eに形成されているランド電極31〜33が略図的セラミック多層基板12を透かして一点鎖線で示されている。図4及び図5では、セラミック多層基板12内に設けられた前述のコイル15の巻回部分が破線で略図的に示されている。   4 and 5, the land electrodes 31 to 33 formed on the lower surface 12e of the ceramic multilayer substrate 12 are indicated by a one-dot chain line through the schematic ceramic multilayer substrate 12 by a one-dot chain line. 4 and 5, the winding portion of the coil 15 provided in the ceramic multilayer substrate 12 is schematically shown by a broken line.

まず、図3及び図4により、セラミック多層基板12内の構造を説明し、次に図5を参照して、上記絶縁性材料層を設けたセラミック多層基板12を説明することとする。   First, the structure in the ceramic multilayer substrate 12 will be described with reference to FIGS. 3 and 4, and the ceramic multilayer substrate 12 provided with the insulating material layer will be described with reference to FIG.

図3に戻り、セラミック多層基板12内には、コイル15の一端に接続される内部導電体41が、セラミック多層基板12の中間高さ位置に形成されている。内部導電体41は、図面の紙背方向へ延ばされており、図示しないビアホール電極により図4のランド電極26に接続されている。ランド電極26は図2のスイッチング端子13fに相当する。他方、コイル15の他端は、内部導電体41よりも下方に設けられた内部導電体43に接続されている。   Returning to FIG. 3, in the ceramic multilayer substrate 12, an internal conductor 41 connected to one end of the coil 15 is formed at an intermediate height position of the ceramic multilayer substrate 12. The internal conductor 41 is extended in the paper back direction of the drawing, and is connected to the land electrode 26 of FIG. 4 by a via hole electrode (not shown). The land electrode 26 corresponds to the switching terminal 13f in FIG. On the other hand, the other end of the coil 15 is connected to an internal conductor 43 provided below the internal conductor 41.

ビアホール電極48の一端がランド電極22に接続されている。ビアホール電極48の他端が図示しない内部導電体によりビアホール電極47に接続されている。ビアホール電極47により下方のランド電極33に接続されている。   One end of the via hole electrode 48 is connected to the land electrode 22. The other end of the via hole electrode 48 is connected to the via hole electrode 47 by an internal conductor (not shown). The via hole electrode 47 is connected to the lower land electrode 33.

また、コンデンサ14の一方の電極14aが、ランド電極23に接続されている。ランド電極23は、セラミック多層基板12に設けられたビアホール電極44に接続されている。ビアホール電極44は、セラミック多層基板12内に埋設された内部導電体45に接続されている。内部導電体45が、ビアホール電極46に接続されている。従って、コイル15の端部と、コンデンサ14の電極14aとが電気的に接続されている。また、ビアホール電極46が、下面のランド電極32に接続されている。下面のランド電極32は、図2における出力端子16に相当する。   One electrode 14 a of the capacitor 14 is connected to the land electrode 23. The land electrode 23 is connected to a via hole electrode 44 provided on the ceramic multilayer substrate 12. The via-hole electrode 44 is connected to an internal conductor 45 embedded in the ceramic multilayer substrate 12. An internal conductor 45 is connected to the via hole electrode 46. Therefore, the end of the coil 15 and the electrode 14a of the capacitor 14 are electrically connected. The via hole electrode 46 is connected to the land electrode 32 on the lower surface. The land electrode 32 on the lower surface corresponds to the output terminal 16 in FIG.

コンデンサ14の電極14bがビアホール電極47により下方のランド電極33に接続されている。   The electrode 14 b of the capacitor 14 is connected to the lower land electrode 33 by a via hole electrode 47.

EN端子が接続されたランド電極21にビアホール電極49の一端が接続されている。ビアホール電極49の他端が図示しない内部導電体により図示しないビアホール電極に接続されている。このビアホール電極により下方のランド電極34に接続されている。   One end of a via-hole electrode 49 is connected to the land electrode 21 to which the EN terminal is connected. The other end of the via hole electrode 49 is connected to a via hole electrode (not shown) by an internal conductor (not shown). The via hole electrode is connected to the lower land electrode 34.

また、図4では、セラミック多層基板12の上面の電極形状の理解を容易にするために、ランド電極21〜24の少なくとも外周縁の一部からランド電極21〜24に入り込み得る絶縁性材料層を図示していない。もっとも、図3に示すように、各ランド電極21〜24において、ランド電極21〜24の外周縁から内側に入り込み得る絶縁性材料層51が設けられている。この絶縁性材料層51の設けられた平面図を図5に示す。図5では、絶縁性材料層51を斜線のハッチングを付して示す。   In FIG. 4, in order to facilitate understanding of the electrode shape on the upper surface of the ceramic multilayer substrate 12, an insulating material layer that can enter the land electrodes 21 to 24 from at least a part of the outer peripheral edge of the land electrodes 21 to 24. Not shown. However, as shown in FIG. 3, each land electrode 21 to 24 is provided with an insulating material layer 51 that can enter the inside from the outer peripheral edge of the land electrodes 21 to 24. A plan view in which the insulating material layer 51 is provided is shown in FIG. In FIG. 5, the insulating material layer 51 is shown with hatching.

図5に示すように、図4に示した平面形状において、さらに上記絶縁性材料層51が、ランド電極21〜24の外周縁の少なくとも一部を超えてランド電極21〜24内に至るように形成されている。   As shown in FIG. 5, in the planar shape shown in FIG. 4, the insulating material layer 51 further extends into at least part of the outer peripheral edge of the land electrodes 21 to 24 and reaches the land electrodes 21 to 24. Is formed.

なお、図4及び図5において、コイル15が下方に位置している部分を破線で示すこととする。また、内部導電体45が下方に位置している部分を二点鎖線で示すこととする。   In FIGS. 4 and 5, the portion where the coil 15 is positioned below is indicated by a broken line. A portion where the internal conductor 45 is located below is indicated by a two-dot chain line.

ランド電極24の部分を代表して絶縁性材料層51を説明する。図6に示すように、ランド電極24の下方には、異なる電位に接続される内部導電体として、コイル15が位置する。   The insulating material layer 51 will be described as a representative of the land electrode 24. As shown in FIG. 6, the coil 15 is located below the land electrode 24 as an internal conductor connected to different potentials.

従って、ランド電極24上に、半田を用いてコンデンサ14を搭載する際に、フラックスが、ランド電極24の上面を伝い、セラミック多層基板12側に達するおそれがある。この場合、本実施形態では、絶縁性材料層51が、ランド電極24のコイル15が位置する側の端部24a側において、絶縁性材料層51が設けられている。すなわち、絶縁性材料層51は、セラミック多層基板12の上面において、ランド電極24の外側の領域から、端部24aを超えてランド電極24上に位置している。従って、フラックスは、端部24a側に至らず、絶縁性材料層51上を矢印Bで示すように移動することとなる。よって、本実施形態において、図1(a)及び(b)で示した絶縁性材料層と同様に、絶縁性材料層51が設けられているため、セラミック多層基板12のランド電極24の端部24a近傍における侵食を確実に抑制することができる。よって、絶縁抵抗の低下を抑制することができる。   Accordingly, when the capacitor 14 is mounted on the land electrode 24 using solder, the flux may travel along the upper surface of the land electrode 24 and reach the ceramic multilayer substrate 12 side. In this case, in this embodiment, the insulating material layer 51 is provided on the end 24a side of the land electrode 24 on the side where the coil 15 is located. That is, the insulating material layer 51 is located on the land electrode 24 from the region outside the land electrode 24 over the end 24 a on the upper surface of the ceramic multilayer substrate 12. Therefore, the flux does not reach the end 24a side, but moves on the insulating material layer 51 as indicated by an arrow B. Therefore, in this embodiment, since the insulating material layer 51 is provided in the same manner as the insulating material layer shown in FIGS. 1A and 1B, the end portion of the land electrode 24 of the ceramic multilayer substrate 12 is provided. Erosion in the vicinity of 24a can be reliably suppressed. Therefore, a decrease in insulation resistance can be suppressed.

他のランド電極21〜23においても同様である。すなわち、図3に示すように、ランド電極23では、上記異なる電位に接続されるコイル15が下方に位置しているため、ランド電極23では、その外周縁の全周にわたり絶縁性材料層51が形成されている。   The same applies to the other land electrodes 21 to 23. That is, as shown in FIG. 3, in the land electrode 23, the coil 15 connected to the different potentials is positioned below, and therefore, in the land electrode 23, the insulating material layer 51 is formed over the entire outer periphery. Is formed.

また、ランド電極21においても、絶縁性材料層51a,51bが設けられている。もっとも、ランド電極21では、異なる電位に接続される内部導電体45に近い側の端部21a側における絶縁性材料層51bの前述したオーバーコート長が、反対側の端部21b側における絶縁性材料層51aのオーバーコート長よりも長くされている。   The land electrode 21 is also provided with insulating material layers 51a and 51b. However, in the land electrode 21, the above-described overcoat length of the insulating material layer 51b on the end 21a side close to the internal conductor 45 connected to a different potential is equal to the insulating material on the opposite end 21b side. It is longer than the overcoat length of the layer 51a.

また、ランド電極22では、絶縁性材料層51がランド電極22の全外周縁を超えてランド電極22上に至るように形成されている。すなわち、ランド電極22の下方に異なる電位に接続される内部導電体45が形成されているため、ランド電極22の全周にわたり、上記絶縁性材料層51が形成されている。   In the land electrode 22, the insulating material layer 51 is formed so as to extend over the entire outer peripheral edge of the land electrode 22 and reach the land electrode 22. That is, since the internal conductor 45 connected to different potentials is formed below the land electrode 22, the insulating material layer 51 is formed over the entire circumference of the land electrode 22.

また、ランド電極25,26においても、同様に絶縁性樹脂層51が形成されている。   In the land electrodes 25 and 26, the insulating resin layer 51 is similarly formed.

ランド電極26とコイル15の一端とは互いに接続されており同電位である。従って、ランド電極26のコイル15に近い側の部分に絶縁材料層51を特に設ける必要はない。一方、ランド電極26と内部導電体45とは異なる電位に接続される。従って、ランド電極26の内部導電体45に近い側の部分に絶縁性材料層51が設けられる。   The land electrode 26 and one end of the coil 15 are connected to each other and have the same potential. Therefore, it is not necessary to provide the insulating material layer 51 in the portion of the land electrode 26 on the side close to the coil 15. On the other hand, the land electrode 26 and the internal conductor 45 are connected to different potentials. Therefore, the insulating material layer 51 is provided on the portion of the land electrode 26 closer to the internal conductor 45.

このように、本実施形態の電子部品モジュール11では、セラミック多層基板12の上面に形成されたランド電極21〜26において、その外周縁の少なくとも一部を超えてランド電極上面に至るように絶縁性材料層51が形成されているため、図1に示した実施形態と同様に、絶縁抵抗の低下を効果的に抑制することができる。   Thus, in the electronic component module 11 of the present embodiment, the land electrodes 21 to 26 formed on the upper surface of the ceramic multilayer substrate 12 are insulative so as to reach at least the part of the outer peripheral edge and reach the upper surface of the land electrode. Since the material layer 51 is formed, a decrease in insulation resistance can be effectively suppressed as in the embodiment shown in FIG.

また、特に図示はしないが、下面側のランド電極31〜34においても、同様に絶縁性材料層を形成してもよい。すなわち、電子部品モジュール11を、さらに他の基板上に搭載する際には、下面側のランド電極31〜34が用いられる。このランド電極31〜34を半田付けにより他の回路基板に接合する場合、同様に、フラックスによりセラミック多層基板12の侵食をランド電極31〜34の外周縁部分において防止するために、絶縁性材料層を設けることが好ましい。   Further, although not shown in particular, an insulating material layer may be similarly formed in the land electrodes 31 to 34 on the lower surface side. That is, when the electronic component module 11 is further mounted on another substrate, the land electrodes 31 to 34 on the lower surface side are used. When the land electrodes 31 to 34 are joined to another circuit board by soldering, similarly, in order to prevent the ceramic multilayer substrate 12 from being eroded by the flux at the outer peripheral edge portions of the land electrodes 31 to 34, an insulating material layer is used. Is preferably provided.

ランド電極33と、コイル15とは、異なる電位に接続される。従って、ランド電極33のコイル15に近い側の部分に絶縁性材料層52が設けられる。   The land electrode 33 and the coil 15 are connected to different potentials. Therefore, the insulating material layer 52 is provided on the portion of the land electrode 33 on the side close to the coil 15.

また、本発明においては、セラミック多層基板において、複数のランド電極の全てに上記絶縁性材料層が設けられる必要はない。もっとも、好ましくは、全てのランド電極において、上記絶縁性材料層を設けることが望ましい。   In the present invention, it is not necessary to provide the insulating material layer on all of the plurality of land electrodes in the ceramic multilayer substrate. However, it is preferable to provide the insulating material layer in all land electrodes.

なお、上記実施形態では、ICチップ13を搭載するためのランド電極として、矩形のランド電極を示した。もっとも、ICチップを搭載するためのランド電極は、通常、円形の平面形状を有することが多い。従って、ランド電極の平面形状は円形であってもよい。   In the above embodiment, a rectangular land electrode is shown as a land electrode for mounting the IC chip 13. However, a land electrode for mounting an IC chip usually has a circular planar shape in many cases. Accordingly, the planar shape of the land electrode may be circular.

また、ランド電極21にEN端子13g、ランド電極22にグラウンド端子13e、ランド電極31に電圧入力端子13d、ランド電極26にスイッチング端子13fが接続されていたたが、必ずしもこのような構成に限定されない。また、ICチップ13の端子数も特に限定されない。   Further, the EN terminal 13g is connected to the land electrode 21, the ground terminal 13e is connected to the land electrode 22, the voltage input terminal 13d is connected to the land electrode 31, and the switching terminal 13f is connected to the land electrode 26. However, the present invention is not necessarily limited to such a configuration. . Further, the number of terminals of the IC chip 13 is not particularly limited.

また、上記実施形態では、セラミック多層基板12上にICチップ13及びコンデンサ14が搭載されていたが、本発明において、セラミック多層基板に搭載される電子部品チップはICチップ13及びコンデンサ14に限定されるものではない。   In the above embodiment, the IC chip 13 and the capacitor 14 are mounted on the ceramic multilayer substrate 12. However, in the present invention, the electronic component chips mounted on the ceramic multilayer substrate are limited to the IC chip 13 and the capacitor 14. It is not something.

また、セラミック多層基板12内に、インダクタンスを構成するコイル15が形成されていたが、コイル15に加えて、さらに他のコイルや他の電子部品素子がセラミック多層基板12内に形成されていてもよい。また、セラミック多層基板12内に、コイルなどの電子部品素子が構成されておらずともよい。   In addition, the coil 15 constituting the inductance is formed in the ceramic multilayer substrate 12. However, in addition to the coil 15, other coils and other electronic component elements may be formed in the ceramic multilayer substrate 12. Good. In addition, electronic component elements such as coils may not be formed in the ceramic multilayer substrate 12.

具体的な実験例につき説明する。   A specific experimental example will be described.

セラミック多層基板として、以下の積層構造を有し、かつ前述した図3〜図5に示すコイル15及び内部導電体等が形成された積層基板を用意した。   As the ceramic multilayer substrate, a multilayer substrate having the following multilayer structure and having the coil 15 and the internal conductor shown in FIGS. 3 to 5 described above was prepared.

セラミック多層基板の基板層の構成:非磁性体フェライト層12a、フェライト基板層12b及び非磁性体フェライト基板層12cからなる積層体を用いた。非磁性体フェライト層12aにおいて内部導電体45の上方に位置する非磁性セラミックグリーンシートの枚数を1枚、2枚、4枚または6枚とした。このようにして、ランド電極22と内部導電体45との距離をそれぞれ25μm、50μm、100μmまたは150μmに異ならせた複数種のセラミック多層基板を用意した。   Configuration of substrate layer of ceramic multilayer substrate: A laminate composed of a non-magnetic ferrite layer 12a, a ferrite substrate layer 12b, and a non-magnetic ferrite substrate layer 12c was used. The number of non-magnetic ceramic green sheets positioned above the internal conductor 45 in the non-magnetic ferrite layer 12a was one, two, four, or six. Thus, a plurality of types of ceramic multilayer substrates were prepared in which the distance between the land electrode 22 and the internal conductor 45 was changed to 25 μm, 50 μm, 100 μm, or 150 μm, respectively.

上記セラミック多層基板上に、設けられている上記ランド電極22が形成されている部分において、絶縁性材料層51を上述したように形成した。ただし、ランド電極22の端部24aと、異なる電位に接続される内部導電体45との間の距離を25、50または100μmとした3種類の構造を用意した。そして、上記3種類のセラミック多層基板上に、絶縁性材料層51のオーバーコート長を、50、100または150μmとなるように絶縁性材料層51を形成した。このようにして得られた各実施例の電子部品モジュール11において、高温高湿度環境試験を行って後ランド電極22が接続されているランド電極33と、内部導電体45の他端が接続されているランド電極32との間の絶縁抵抗を測定した。上記絶縁抵抗の測定に際しては、ランド電極32とランド電極33との間にDC15Vを印加して流れる電流を測定することにより、電圧と電流の比として絶縁抵抗を算出した。その絶縁抵抗により、ランド電極22と、内部導電体45との間の絶縁抵抗を評価した。   On the ceramic multilayer substrate, the insulating material layer 51 was formed as described above in the portion where the land electrode 22 provided was formed. However, three types of structures were prepared in which the distance between the end 24a of the land electrode 22 and the internal conductor 45 connected to a different potential was 25, 50, or 100 μm. Then, the insulating material layer 51 was formed on the three types of ceramic multilayer substrates so that the overcoat length of the insulating material layer 51 was 50, 100, or 150 μm. In the electronic component module 11 of each example obtained in this way, the high temperature and high humidity environment test is performed, and the land electrode 33 to which the land electrode 22 is connected is connected to the other end of the internal conductor 45. The insulation resistance with the land electrode 32 is measured. In measuring the insulation resistance, the insulation resistance was calculated as a ratio of voltage to current by measuring the current flowing by applying DC 15V between the land electrode 32 and the land electrode 33. The insulation resistance between the land electrode 22 and the internal conductor 45 was evaluated based on the insulation resistance.

なお、ICチップ13の絶縁抵抗は小さいのでICチップ13及びコンデンサ14を搭載しないではんだペーストのみを塗布した。   Since the insulation resistance of the IC chip 13 is small, only the solder paste was applied without mounting the IC chip 13 and the capacitor 14.

結果を下記の表1に示す。   The results are shown in Table 1 below.

また、比較のために、上記絶縁性材料層が形成されていない下記の表1に示す比較例1〜4の電子部品モジュールを用意した。この比較例1〜4の電子部品モジュールについても同様に絶縁抵抗を測定した。結果を下記の表1に示す。   For comparison, electronic component modules of Comparative Examples 1 to 4 shown in Table 1 below in which the insulating material layer was not formed were prepared. The insulation resistance was similarly measured for the electronic component modules of Comparative Examples 1 to 4. The results are shown in Table 1 below.

下記の表1では、比較例1において、フラックスが塗布される前のランド電極22と内部導電体45との絶縁抵抗を上記のようにランド電極32とランド電極33との間の絶縁抵抗を測定することにより測定し、この値を基準絶縁抵抗値とした。そして、ランド電極24にフラックスを付与し高温高湿度環境試験を行った後のランド電極22と内部導電体45との絶縁抵抗、すなわち上記のようにして測定された絶縁抵抗値が、上記基準絶縁抵抗値と比較してlog10(絶縁抵抗値)低下量が1以上の場合に絶縁抵抗の劣化ありとした。また、上記絶縁抵抗の低下が、log10(絶縁抵抗値)低下量が1未満である場合には、絶縁抵抗の劣化なしとした。   In Table 1 below, in Comparative Example 1, the insulation resistance between the land electrode 22 and the internal conductor 45 before the flux is applied and the insulation resistance between the land electrode 32 and the land electrode 33 are measured as described above. This value was used as a reference insulation resistance value. The insulation resistance between the land electrode 22 and the internal conductor 45 after applying the flux to the land electrode 24 and performing the high-temperature and high-humidity test, that is, the insulation resistance value measured as described above is the reference insulation. When the amount of decrease in log 10 (insulation resistance value) was 1 or more compared to the resistance value, the insulation resistance was considered to be deteriorated. Further, when the decrease in the insulation resistance was less than 1 for log 10 (insulation resistance value), the insulation resistance was not deteriorated.

Figure 2011258607
Figure 2011258607

表1から明らかなように、比較例2〜4では、絶縁性材料層が設けられていないため、絶縁抵抗が劣化した。   As is clear from Table 1, in Comparative Examples 2 to 4, since the insulating material layer was not provided, the insulation resistance deteriorated.

これに対して、実施例1〜8では、いずれも内部導電体45とランド電極22との間の距離は、100μm以下と小さいが、絶縁抵抗の劣化は認められなかった。もっとも、実施例6では、内部導電体45とランド電極22との間の距離が25μmと短く、しかも絶縁性材料層51のオーバーコート長が50μmと小さかったため、絶縁抵抗の劣化は基準絶縁抵抗値と比べてlog10(絶縁抵抗値)低下量が3であった。   In contrast, in each of Examples 1 to 8, the distance between the internal conductor 45 and the land electrode 22 was as small as 100 μm or less, but the insulation resistance was not deteriorated. However, in Example 6, the distance between the internal conductor 45 and the land electrode 22 was as short as 25 μm and the overcoat length of the insulating material layer 51 was as small as 50 μm. The amount of decrease in log 10 (insulation resistance value) was 3.

さらに、実施例6及び実施例7では、内部導電体45とランド電極22との間の距離が25μmと非常に小さいにもかかわらず、絶縁抵抗の劣化はlog10(絶縁抵抗値)低下量が1未満であり、ほとんど認められなかった。従って、絶縁抵抗の劣化を抑制しつつ、セラミック多層基板の小型化及び高密度化を図り得ることがわかる。   Furthermore, in Example 6 and Example 7, although the distance between the internal conductor 45 and the land electrode 22 is as very small as 25 μm, the deterioration of the insulation resistance is 1 log 10 (insulation resistance value). It was less and was hardly recognized. Therefore, it can be seen that the ceramic multilayer substrate can be reduced in size and density while suppressing deterioration of the insulation resistance.

1…セラミック多層基板
1a〜1c…フェライト基板層
2…ランド電極
2a〜2d…辺
3…半田
4,5…絶縁性材料層
4a,5a…端部
6,7…内部導電体
11…電子部品モジュール
12…セラミック多層基板
12a,12c…非磁性体フェライト基板層
12b…磁性体フェライト基板層
12e…下面
13…ICチップ
13d…入力電圧端子
13e…グラウンド端子
13f…スイッチング端子
13g…EN端子
14…コンデンサ
14a,14b…電極
15…コイル
16…出力端子
17…接続点
18…グラウンド端子
21〜26…ランド電極
21a,21b…端部
22a,22b…端部
24a…端部
31〜34…ランド電極
41,43,45,48,49…内部導電体
44,46,47…ビアホール電極
51,52…絶縁性材料層
51a,51b…絶縁性材料層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Ceramic multilayer substrate 1a-1c ... Ferrite board | substrate layer 2 ... Land electrode 2a-2d ... Side 3 ... Solder 4, 5 ... Insulating material layer 4a, 5a ... End part 6, 7 ... Internal conductor 11 ... Electronic component module DESCRIPTION OF SYMBOLS 12 ... Ceramic multilayer substrate 12a, 12c ... Nonmagnetic ferrite substrate layer 12b ... Magnetic ferrite substrate layer 12e ... Bottom surface 13 ... IC chip 13d ... Input voltage terminal 13e ... Ground terminal 13f ... Switching terminal 13g ... EN terminal 14 ... Capacitor 14a , 14b ... Electrode 15 ... Coil 16 ... Output terminal 17 ... Connection point 18 ... Ground terminal 21-26 ... Land electrode 21a, 21b ... End 22a, 22b ... End 24a ... End 31-34 ... Land electrode 41, 43 , 45, 48, 49 ... internal conductors 44, 46, 47 ... via hole electrodes 51, 52 ... insulation Insulating material layers 51a, 51b ... insulating material layers

Claims (7)

上面と、下面とを有し、フェライトからなる基板層を有する多層基板と、
前記多層基板の上面に設けられたランド電極と、
前記多層基板のランド電極に電気的に接続されるように該多層基板に実装された電子部品素子と、
前記電気部品素子と前記ランド電極とを接合しており、かつ半田からなる接合剤と、
前記多層基板の上面に設けられており、かつ前記ランド電極の外側の領域から該ランド電極の外周縁の少なくとも一部を超えて前記ランド電極の上面の一部に入り込むように形成された絶縁性材料層とを備える、電子部品モジュール。
A multilayer substrate having a top surface and a bottom surface and having a substrate layer made of ferrite;
Land electrodes provided on the upper surface of the multilayer substrate;
An electronic component element mounted on the multilayer substrate so as to be electrically connected to the land electrode of the multilayer substrate;
Bonding the electrical component element and the land electrode, and a bonding agent made of solder;
An insulating property provided on the upper surface of the multilayer substrate and formed so as to enter a part of the upper surface of the land electrode from a region outside the land electrode beyond at least a part of the outer peripheral edge of the land electrode. An electronic component module comprising a material layer.
前記絶縁性材料層がフェライトからなる、請求項1に記載の電子部品モジュール。   The electronic component module according to claim 1, wherein the insulating material layer is made of ferrite. 前記多層基板内において前記ランド電極とは異なる電位に接続される第1,第2の内部導電体が設けられており、前記第1の内部導電体の前記ランド電極との距離が、前記第2の内部導電体と前記ランド電極の間の距離よりも小さくされており、前記ランド電極の前記第1の内部導電体側の端縁において、前記絶縁性材料層が該端縁から前記ランド電極の内側に至っている部分の長さが、前記ランド電極の前記第2の前記内部導電体側の端縁において前記絶縁性材料層が該端縁を超えて前記ランド電極の内側に至っている部分の長さよりも長くされている、請求項1又は2に記載の電子部品モジュール。   First and second internal conductors connected to a potential different from that of the land electrode are provided in the multilayer substrate, and a distance between the first internal conductor and the land electrode is set to the second electrode. The distance between the inner conductor and the land electrode is smaller than the distance between the land electrode and the first inner conductor side edge of the land electrode. Is longer than the length of the portion of the land electrode on the second inner conductor side where the insulating material layer extends beyond the edge and reaches the inside of the land electrode. The electronic component module according to claim 1, wherein the electronic component module is lengthened. 前記多層基板の前記上面が、フェライト基板層の上面である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の電気部品モジュール。   The electrical component module according to claim 1, wherein the upper surface of the multilayer substrate is an upper surface of a ferrite substrate layer. 前記多層基板が、非磁性体フェライト基板層と、磁性体フェライト基板層とを有する、請求項1〜4のいずれか1項に記載の電子部品モジュール。   5. The electronic component module according to claim 1, wherein the multilayer substrate includes a non-magnetic ferrite substrate layer and a magnetic ferrite substrate layer. 前記多層基板が、磁性体フェライト基板層と、磁性体フェライト基板層の上下に積層された非磁性体フェライト基板層とを有する、請求項5に記載の電子部品モジュール。   6. The electronic component module according to claim 5, wherein the multilayer substrate includes a magnetic ferrite substrate layer and nonmagnetic ferrite substrate layers laminated on and under the magnetic ferrite substrate layer. 7. 前記多層基板内にコイル導体が設けられている、請求項1〜6のいずれか1項に記載の電子部品モジュール。   The electronic component module according to claim 1, wherein a coil conductor is provided in the multilayer substrate.
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