JP2011243256A - Suspension flexure substrate, suspension, suspension with head, and hard disk drive - Google Patents

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Shigeki Kono
茂樹 河野
Takanori Maeda
高徳 前田
Ayako Furuse
綾子 古瀬
Masamitsu Watanabe
将光 渡邉
Takeshi Sekiguchi
関口  毅
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a suspension flexure substrate, suspension, suspension with a head, and a hard disk drive which are capable of preventing detachment of a wiring due to an undercut on the bottom of the wiring and also preventing increase in impedance due to the cross-sectional shape of the wiring, without any additional complicated processes.SOLUTION: In etching by a subtractive method, a wiring having an approximately rectangular cross-sectional shape is formed by an anisotropic etching where an etch factor is greater than 5.

Description

本発明は、磁気ヘッドと外部回路とを電気的に接続するための配線が一体的に形成されてなるサスペンション用フレキシャー基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブに関するものである。   The present invention relates to a suspension flexure substrate, a suspension, a suspension with a head, and a hard disk drive, in which wiring for electrically connecting a magnetic head and an external circuit is integrally formed.

近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ(HDD)も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。   In recent years, due to the spread of the Internet and the like, there has been a demand for an increase in the amount of information processing of personal computers and an increase in information processing speed. Increasing information transmission speed is required.

ハードディスクドライブは磁気記録媒体である磁気ディスク、それを高速回転させるスピンドルモータ、磁気ディスクに対して情報を読取または書込する磁気ヘッド、それを高精度に保持しつつ移動させるための各部品、これらの駆動制御回路および信号処理回路などによって構成されている。   A hard disk drive is a magnetic disk that is a magnetic recording medium, a spindle motor that rotates the magnetic disk at high speed, a magnetic head that reads or writes information on the magnetic disk, and each component that moves it while holding it with high precision. Drive control circuit and signal processing circuit.

そして、このハードディスクドライブに用いられる磁気ヘッドサスペンションと呼ばれる部品も、従来の金ワイヤ等の信号線を接続するタイプから、ステンレスのばねに直接銅配線等の信号線が形成されている、いわゆるワイヤレスサスペンションと呼ばれる配線一体型(フレキシャー)に移行しつつある。   In addition, a component called a magnetic head suspension used in the hard disk drive is also a so-called wireless suspension in which a signal line such as a copper wiring is directly formed on a stainless spring from a conventional type in which a signal line such as a gold wire is connected. It is shifting to a wiring integrated type called flexure.

このようなサスペンション用フレキシャー基板に形成される配線は、通常、一対の配線からなる読取側配線と、一対の配線からなる書込側配線とが、それぞれ絶縁層の同一表面上に形成される。さらに、このような一対の配線は、例えば、差動伝送により電気信号の伝送が行われ、一対の配線間には、分布定数回路としての差動伝送路の特性インピーダンスである差動インピーダンスが存在する。この差動インピーダンスは、磁気ヘッドやプリアンプの低インピーダンス化に伴い、インピーダンスマッチングの観点から、低インピーダンス化することが要求されている。   As for wirings formed on such a flexure substrate for suspension, a reading side wiring consisting of a pair of wirings and a writing side wiring consisting of a pair of wirings are usually formed on the same surface of the insulating layer. In addition, such a pair of wires, for example, transmits electrical signals by differential transmission, and there is a differential impedance that is a characteristic impedance of the differential transmission line as a distributed constant circuit between the pair of wires. To do. The differential impedance is required to be lowered from the viewpoint of impedance matching as the impedance of the magnetic head and the preamplifier is lowered.

ここで、上記のサスペンション用フレキシャー基板の製造における配線の形成方法としては、従来フレキシブルプリント配線板の製造に用いられてきたセミアディティブ法と、サブトラクティブ法とが知られている(特許文献1、2)。   Here, as a wiring forming method in the manufacture of the above-described suspension flexure substrate, a semi-additive method and a subtractive method that have been conventionally used for manufacturing a flexible printed wiring board are known (Patent Document 1, 2).

例えば、セミアディティブ法は、基板の絶縁層の表面全面に導体薄膜層を形成し、その導体薄膜層上に配線パターンが開口されたレジストパターンを形成し、前記導体薄膜層からの給電による電解めっき法で前記開口に銅などからなる配線を形成し、その後、レジストパターンを除去して導体薄膜層の露出した部分をエッチング除去する方法である。   For example, in the semi-additive method, a conductive thin film layer is formed on the entire surface of the insulating layer of the substrate, a resist pattern having a wiring pattern opened on the conductive thin film layer, and electrolytic plating by feeding from the conductive thin film layer. In this method, a wiring made of copper or the like is formed in the opening, and then the resist pattern is removed and the exposed portion of the conductive thin film layer is etched away.

一方、サブトラクティブ法においては、例えば、金属支持基板、絶縁層、配線用導体層が順次形成された基材の前記配線用導体層の上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンから露出する配線用導体層をエッチングして配線を形成する。   On the other hand, in the subtractive method, for example, a resist pattern is formed on the wiring conductor layer of the base material on which a metal support substrate, an insulating layer, and a wiring conductor layer are sequentially formed, and wiring exposed from the resist pattern is used. The conductor layer is etched to form a wiring.

なお、従来、前記配線用導体層としては、圧延銅箔などが用いられてきたが、近年では、主に配線の微細化のため、前記配線用導体層は電解めっき法で形成された電解銅になってきており、前記絶縁層と前記配線用導体層の間には、めっき給電のための導体薄膜層が設けられている。この場合には、配線を形成した後に、露出する不要な導体薄膜層を除去することになる。   Conventionally, rolled copper foil or the like has been used as the wiring conductor layer. However, in recent years, the wiring copper layer is formed by electrolytic plating mainly for miniaturization of wiring. A conductive thin film layer for plating power supply is provided between the insulating layer and the wiring conductor layer. In this case, after the wiring is formed, the unnecessary conductive thin film layer exposed is removed.

特開2006−24521号公報JP 2006-24521 A 特開2007−194265号公報JP 2007-194265 A 特開2005−158848号公報JP 2005-158848 A

しかしながら、上述のセミアディティブ法では、図5(a)に示すように、導体薄膜層22A上に形成したレジストパターン25が、導体薄膜層22Aに接触する底部に向かうに従って幅広となる裾引き部を生じるため、電解めっきによりレジストパターンの開口に形成される配線21の断面形状は、図5(b)に示すように、導体薄膜22に接触する底部に、下方に向かうに従って幅狭となるアンダーカット部26を生じる。   However, in the above-described semi-additive method, as shown in FIG. 5A, the resist pattern 25 formed on the conductor thin film layer 22A has a skirt that becomes wider toward the bottom contacting the conductor thin film layer 22A. Therefore, the cross-sectional shape of the wiring 21 formed in the opening of the resist pattern by electrolytic plating is an undercut that becomes narrower toward the bottom at the bottom contacting the conductor thin film 22, as shown in FIG. 5B. Part 26 is produced.

そのため、導体薄膜層の露出する部位をエッチングにより除去すると、このアンダーカット部26に起因して、配線21の底部の導体薄膜22は、配線21の内側に大きくえぐられるようにエッチングされる。そうすると、絶縁層23と導体薄膜22との密着力が大幅に低下して、絶縁層23から導体薄膜22および配線21が剥離するという不具合を生じる。   Therefore, when the exposed portion of the conductive thin film layer is removed by etching, the conductive thin film 22 at the bottom of the wiring 21 is etched so as to be largely removed inside the wiring 21 due to the undercut portion 26. If it does so, the adhesive force of the insulating layer 23 and the conductor thin film 22 will fall significantly, and the malfunction that the conductor thin film 22 and the wiring 21 will peel from the insulating layer 23 will arise.

この導体薄膜22および配線21の剥離を防止する方法として、配線形成後に金属薄膜を全面に形成し、この金属薄膜を形成する金属で、前記アンダーカット部26を充填する方法が提案されている(特許文献3)。しかしながら、このような方法では、複雑な工程が増えることになり、生産性が劣るという不具合がある。   As a method for preventing the conductor thin film 22 and the wiring 21 from being peeled, a method is proposed in which a metal thin film is formed on the entire surface after the wiring is formed, and the undercut portion 26 is filled with the metal forming the metal thin film ( Patent Document 3). However, such a method has a disadvantage that the number of complicated processes increases and productivity is inferior.

一方、上述のサブトラクティブ法であれば、図6(a)に示すように、レジストパターン35の開口に露出する配線用導体層をエッチングして配線31を形成するため、上述のようなアンダーカット部を生じるという不具合は発生せず、密着力の強い配線を得ることができる。   On the other hand, in the case of the subtractive method described above, the wiring 31 is formed by etching the wiring conductor layer exposed in the opening of the resist pattern 35 as shown in FIG. There is no problem of generating a portion, and a wiring having strong adhesion can be obtained.

しかしながら、従来のエッチングにおいては、エッチングファクター(Ef)の値が小さい等方性のエッチングになりやすく、図6(b)に示すように、形成される配線の断面形状は、配線上部の幅が配線底部の幅よりも小さな台形状になり易く、これに伴って、配線間の断面積も、理想的な矩形断面をした配線間の断面積よりも大きくなってしまい、その結果、配線間容量を小さくしてしまう傾向があった。   However, conventional etching is likely to be isotropic etching with a small etching factor (Ef), and as shown in FIG. 6B, the cross-sectional shape of the formed wiring has a width at the top of the wiring. A trapezoidal shape that is smaller than the width of the bottom of the wiring tends to be formed, and as a result, the cross-sectional area between the wirings becomes larger than the cross-sectional area between the wirings having an ideal rectangular cross section. There was a tendency to make it smaller.

ここで、上記のエッチングファクター(Ef)は、サイドエッチングの程度を表す因子であり、配線用導体層11Aの厚さをH、エッチング加工により形成された配線の底部の幅をB、前記配線の上部の幅をTとした場合に、Ef=2H/(B−T)の式から求められる。   Here, the etching factor (Ef) is a factor representing the degree of side etching. The thickness of the wiring conductor layer 11A is H, the width of the bottom of the wiring formed by etching is B, and the wiring When the upper width is T, it is obtained from the equation Ef = 2H / (B−T).

つまり、配線用導体層11Aの厚さ(配線11の高さ)Hが一定の場合、このエッチングファクター(Ef)の値が大きくなるほど、サイドエッチングの程度は小さくなることを示している。従来の等方性の傾向が強いエッチング条件で形成された配線31は、サイドエッチングの程度が大きく、その断面は2H/(B−T)<3.5となる形状であった。   That is, when the thickness (the height of the wiring 11) H of the wiring conductor layer 11A is constant, the degree of side etching decreases as the value of the etching factor (Ef) increases. The wiring 31 formed under the conventional etching conditions with a strong isotropic tendency has a large degree of side etching, and its cross section has a shape of 2H / (BT) <3.5.

それゆえ、サブトラクティブ法で形成された配線は、配線ピッチが同じ場合(通常、配線底部の幅と配線底部間の幅が1:1に設計されている)、セミアディティブ法で形成された配線よりも配線間容量が小さくなり、配線のインピーダンスが大きくなってしまうという傾向があった。   Therefore, when the wiring formed by the subtractive method has the same wiring pitch (usually, the width between the wiring bottom and the wiring bottom is designed to be 1: 1), the wiring formed by the semi-additive method is used. There is a tendency that the inter-wiring capacitance becomes smaller than that, and the impedance of the wiring becomes larger.

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、複雑な工程を増やすことなく、配線底部のアンダーカットに起因する配線の剥離を防止しつつ、配線の断面形状に起因するインピーダンスの増大も防止することができるサスペンション用フレキシャー基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and without increasing the number of complicated steps, while preventing the separation of the wiring due to the undercut at the bottom of the wiring, the impedance also increases due to the cross-sectional shape of the wiring An object of the present invention is to provide a suspension flexure substrate, a suspension, a suspension with a head, and a hard disk drive that can be prevented.

本発明者は、種々研究した結果、サブトラクティブ法におけるエッチングをより異方性のエッチングとする条件を見出し、形成される配線の上部の幅と底部の幅との差を小さくすることにより、複雑な工程を増やすことなく配線底部のアンダーカット発生を防止し、かつ、低インピーダンス化を実現することができることを見出して本発明を完成したものである。   As a result of various studies, the present inventor has found a condition for making the etching in the subtractive method more anisotropic and reducing the difference between the width at the top and the bottom of the formed wiring, thereby making the complex The present invention has been completed by finding that an undercut at the bottom of the wiring can be prevented and an impedance can be reduced without increasing the number of processes.

すなわち、本発明の請求項1に係る発明は、金属支持基板上に形成された絶縁層の上に、複数の並走する配線が形成されているサスペンション用フレキシャー基板において、前記配線は、その底部にアンダーカットが無く、前記配線の高さ(H)、前記配線の底部の幅(B)、前記配線の上部の幅(T)の関係が、2H/(B−T)>5であることを特徴とするサスペンション用フレキシャー基板である。   That is, the invention according to claim 1 of the present invention is a suspension flexure substrate in which a plurality of parallel running wirings are formed on an insulating layer formed on a metal support substrate. There is no undercut, and the relationship between the height (H) of the wiring, the width (B) of the bottom of the wiring, and the width (T) of the top of the wiring is 2H / (B−T)> 5. Is a flexure substrate for suspension.

また、本発明の請求項2に係る発明は、前記配線のピッチが、30μm以下であることを特徴とする請求項1に記載のサスペンション用フレキシャー基板である。   The invention according to claim 2 of the present invention is the flexure substrate for suspension according to claim 1, wherein the pitch of the wiring is 30 μm or less.

また、本発明の請求項3に係る発明は、前記配線の底部の幅(B)が、15μm以下であることを特徴とする請求項1〜2のいずれかに記載のサスペンション用フレキシャー基板である。   The invention according to claim 3 of the present invention is the flexure substrate for suspension according to any one of claims 1 and 2, wherein the width (B) of the bottom of the wiring is 15 μm or less. .

また、本発明の請求項4に係る発明は、請求項1〜3のいずれかに記載のサスペンション用フレキシャー基板を含むことを特徴とするサスペンションである。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a suspension comprising the suspension flexure substrate according to any one of the first to third aspects.

また、本発明の請求項5に係る発明は、請求項4に記載のサスペンションと、前記サスペンションに実装された磁気ヘッドスライダとを有することを特徴とするヘッド付サスペンションである。   According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a suspension with a head comprising the suspension according to the fourth aspect and a magnetic head slider mounted on the suspension.

また、本発明の請求項6に係る発明は、請求項5に記載のヘッド付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブである。   According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a hard disk drive including the suspension with a head according to the fifth aspect.

本発明によれば、サスペンション用フレキシャー基板の配線を、サブトラクティブ法により形成するため、セミアディティブ法により形成した配線のようなアンダーカット部が生じるという不具合は発生しない。それゆえ、複雑な工程を増やすことなく、密着信頼性の高い配線を有するサスペンション用フレキシャー基板を得ることができる。   According to the present invention, since the wiring of the flexure substrate for suspension is formed by the subtractive method, there is no problem that an undercut portion such as the wiring formed by the semi-additive method is generated. Therefore, a suspension flexure substrate having wiring with high adhesion reliability can be obtained without increasing complicated processes.

また、本発明によれば、サスペンション用フレキシャー基板の配線を、エッチングファクターの高い異方性のエッチングにより形成するため、形成された配線はその上部の幅と底部の幅との差が小さい略矩形状の断面形状となるため、その配線間容量は大きくなり、低インピーダンス化されたサスペンション用フレキシャー基板を得ることができる。   Further, according to the present invention, since the wiring of the flexure substrate for suspension is formed by anisotropic etching with a high etching factor, the formed wiring has a substantially rectangular shape with a small difference between the width at the top and the width at the bottom. Since the cross-sectional shape is increased, the inter-wiring capacitance is increased, and a suspension flexure substrate with reduced impedance can be obtained.

本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板の全体像を例示する概略平面図である。1 is a schematic plan view illustrating an overall image of a flexure substrate for suspension according to the present invention. 図1におけるR領域のA−A断面図である。It is AA sectional drawing of the R area | region in FIG. 本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板の配線の断面形状を例示する概略説明図である。It is a schematic explanatory drawing which illustrates the section shape of the wiring of the flexure substrate for suspensions concerning the present invention. 本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板の製造方法の一例を示す製造工程図である。It is a manufacturing process figure which shows an example of the manufacturing method of the flexure board | substrate for suspensions which concerns on this invention. 従来のセミアディティブ法で形成された配線の形状を説明する概略図であり、(a)はレジストパターン形状と配線形状との関係を示す断面図であり、(b)は最終的に得られる配線の形状を示す断面図である。It is the schematic explaining the shape of the wiring formed by the conventional semiadditive method, (a) is sectional drawing which shows the relationship between a resist pattern shape and wiring shape, (b) is wiring finally obtained It is sectional drawing which shows the shape. 従来のサブトラクティブ法で形成された配線の形状を説明する概略図であり、(a)はレジストパターン形状と配線形状との関係を示す断面図であり、(b)は最終的に得られる配線の形状を示す断面図である。It is the schematic explaining the shape of the wiring formed by the conventional subtractive method, (a) is sectional drawing which shows the relationship between a resist pattern shape and wiring shape, (b) is wiring finally obtained It is sectional drawing which shows the shape.

以下、本発明のサスペンション用フレキシャー基板について詳細に説明する。
[サスペンション用フレキシャー基板]
図1は、本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板の全体像を例示する概略平面図である。図1に示されるサスペンション用フレキシャー基板1は、その先端近傍に磁気ヘッドを実装するためのジンバル部2を有しており、ジンバル部2には磁気ヘッドと電気的に接続するための接続端子部が形成されている。
Hereinafter, the flexure substrate for suspension of the present invention will be described in detail.
[Flexible substrate for suspension]
FIG. 1 is a schematic plan view illustrating an overall image of a flexure substrate for suspension according to the present invention. A suspension flexure substrate 1 shown in FIG. 1 has a gimbal portion 2 for mounting a magnetic head in the vicinity of its tip, and the gimbal portion 2 has a connection terminal portion for electrical connection with the magnetic head. Is formed.

一方、サスペンション用フレキシャー基板1の末端近傍には外部回路と接続するための接続端子部3が形成されており、磁気ヘッドと接続するためのジンバル部2の接続端子部と、外部回路と接続するための接続端子部3とを電気的に接続するように、複数の配線4が形成されている。   On the other hand, a connection terminal portion 3 for connection to an external circuit is formed in the vicinity of the end of the suspension flexure substrate 1, and the connection terminal portion of the gimbal portion 2 for connection to the magnetic head is connected to the external circuit. A plurality of wirings 4 are formed so as to be electrically connected to the connection terminal portion 3 for the purpose.

図2は、図1におけるR領域のA−A断面図である。   2 is a cross-sectional view of the R region in FIG.

図2に示すように、本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板は、SUS等からなる金属支持基板14と、その金属支持基板14の上に形成される絶縁層13と、その絶縁層13の上に形成される配線11とを備えている。   As shown in FIG. 2, the suspension flexure substrate according to the present invention includes a metal support substrate 14 made of SUS or the like, an insulating layer 13 formed on the metal support substrate 14, and the insulating layer 13. And a wiring 11 to be formed.

なお、図2においては、配線11に加工される導体層を電解めっきで形成する形態を例示するため、絶縁層13と配線11の間には、導体薄膜12が形成されている。   In FIG. 2, a conductor thin film 12 is formed between the insulating layer 13 and the wiring 11 in order to exemplify a form in which the conductor layer processed into the wiring 11 is formed by electrolytic plating.

また、図2においては図示していないが、配線11を被覆するように絶縁体からなるカバー層が形成されていても良い。   Although not shown in FIG. 2, a cover layer made of an insulator may be formed so as to cover the wiring 11.

本発明において、配線11はサブトラクティブ法により形成されるため、配線11の底部には、セミアディティブ法により形成された配線のようなアンダーカット部は生じない。   In the present invention, since the wiring 11 is formed by the subtractive method, an undercut portion unlike the wiring formed by the semi-additive method does not occur at the bottom of the wiring 11.

それゆえ、上記のアンダーカット部に起因した密着力低下から引き起こされる配線剥離を生じることは無く、本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板は、密着信頼性の高い配線を有する構成となっている。   Therefore, there is no wiring peeling caused by a decrease in adhesion due to the above-mentioned undercut portion, and the flexure substrate for suspension according to the present invention has a configuration having a high adhesion reliability.

また、本発明において、配線11はエッチングファクター(Ef)の値が大きい異方性のエッチングにより形成されるため、形成された配線はその上部の幅と底部の幅との差が小さい略矩形状の断面形状となる。それゆえ、その配線間容量は大きくなり、低インピーダンス化されたサスペンション用フレキシャー基板を得ることができる。   In the present invention, since the wiring 11 is formed by anisotropic etching having a large etching factor (Ef), the formed wiring has a substantially rectangular shape in which the difference between the width at the top and the width at the bottom is small. The cross-sectional shape is as follows. Therefore, the inter-wiring capacitance is increased, and a suspension flexure substrate with reduced impedance can be obtained.

図3は、本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板の配線の断面形状を示す概略説明図である。   FIG. 3 is a schematic explanatory view showing the cross-sectional shape of the wiring of the suspension flexure substrate according to the present invention.

本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板の配線11は、エッチングファクター(Ef)の値が大きい異方性のエッチングにより形成されるため、図3に示すように、前記配線の高さをH、前記配線の底部の幅をB、前記配線の上部の幅をTとした場合に、Hの2倍の値を、BからTを引いた値で割った値が5よりも大きい値を有する形状をしている。   Since the wiring 11 of the flexure substrate for suspension according to the present invention is formed by anisotropic etching having a large etching factor (Ef), the wiring height is H and the wiring as shown in FIG. When the width of the bottom portion of B is B and the width of the upper portion of the wiring is T, the value obtained by dividing the value twice H by the value obtained by subtracting T from B is larger than 5. ing.

すなわち、配線11は、前記配線の高さ(H)、前記配線の底部の幅(B)、前記配線の上部の幅(T)の関係が、2H/(B−T)>5を満たす形状である。   That is, the wiring 11 has a shape in which the relationship among the height (H) of the wiring, the width (B) of the bottom of the wiring, and the width (T) of the top of the wiring satisfies 2H / (B−T)> 5. It is.

このような形状とすることにより、並走する配線間の断面積を、配線ピッチが同じ場合の、従来の台形状の断面形状を有する配線間の断面積よりも小さくすることができ、その結果、配線間容量は大きくなり、低インピーダンス化されたサスペンション用フレキシャー基板を得ることができる。   By adopting such a shape, the cross-sectional area between parallel wirings can be made smaller than the cross-sectional area between wirings having a conventional trapezoidal cross-sectional shape when the wiring pitch is the same, and as a result. The inter-wiring capacity is increased, and a suspension flexure substrate with reduced impedance can be obtained.

また、本発明においては、配線11は上述のような略矩形状の断面形状となるため、従来の断面形状が台形状の配線に比べ、配線の高密度化、微細化に適している。   In the present invention, since the wiring 11 has a substantially rectangular cross-sectional shape as described above, the conventional cross-sectional shape is suitable for increasing the density and miniaturization of the wiring as compared to a trapezoidal wiring.

具体的に説明すると、従来の断面形状が台形状の配線においては、配線の幅(ライン幅)と配線間隔(スペース幅)が1:1の配線パターンを得たい場合には、レジストパターンにおいては、サイドエッチングを考慮して、ライン幅よりもスペース幅(開口幅)を狭くする必要があり(例えば、ライン幅:スペース幅=3:1)、配線ピッチが小さくなるにつれ、このスペース幅のより小さいレジストパターンを形成することが困難になっていた。   More specifically, in a conventional wiring having a trapezoidal cross-sectional shape, when a wiring pattern having a wiring width (line width) and a wiring interval (space width) of 1: 1 is desired, In consideration of side etching, it is necessary to make the space width (opening width) narrower than the line width (for example, line width: space width = 3: 1). It has been difficult to form a small resist pattern.

一方、断面形状が矩形状の配線であれば、サイドエッチングの影響は小さくなるため、レジストパターンにおいても、スペース幅をライン幅と同程度の大きさにすることが可能となり、配線ピッチが小さくなっていく場合でも、レジストパターンを形成することが容易になる。   On the other hand, if the cross-sectional shape of the wiring is rectangular, the influence of side etching is reduced, so even in the resist pattern, the space width can be made as large as the line width, and the wiring pitch is reduced. Even in this case, it becomes easy to form a resist pattern.

そのため、本発明によれば、例えば、配線のピッチが30μm以下、または、配線の底部の幅(B)が15μm以下のような高密度配線、微細配線の要求にも十分に対応可能となる。   Therefore, according to the present invention, for example, it is possible to sufficiently meet the demand for high-density wiring and fine wiring such that the wiring pitch is 30 μm or less or the width (B) of the bottom of the wiring is 15 μm or less.

次に、本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板について、構成ごとに説明する。
[金属支持基板]
金属支持基板14の材料としては、ばね性を有していれば特に限定されるものではないが、例えばSUS、42アロイ、銅、銅合金等を挙げることができ、中でもSUSが好ましい。上記金属支持基板14の厚さは、例えば12μm〜76μmの範囲内であり、中でも14μm〜25μmの範囲内であることが好ましい。
[絶縁層]
絶縁層13の材料としては、所望の絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えばポリイミド等を挙げることができる。また、絶縁層13の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。また、絶縁層13の厚さは、例えば5μm〜20μmの範囲内、中でも8μm〜12μmの範囲内であることが好ましい。
[導体薄膜]
導体薄膜12は、絶縁層13と配線11との間にあり、配線11を形成するための配線用導体層を電解めっき法により形成する場合に存在するものである。より詳しくは、配線11を形成するための配線用導体層を電解めっき法により形成する場合に、絶縁層13の上にめっき給電のシード層として導体薄膜層が形成され、前記配線用導体層をエッチング加工して配線11を形成した後に、露出する前記導体薄膜層をエッチング除去して、導体薄膜12が形成される。
Next, the suspension flexure substrate according to the present invention will be described for each configuration.
[Metal support substrate]
The material of the metal support substrate 14 is not particularly limited as long as it has a spring property, and examples thereof include SUS, 42 alloy, copper, copper alloy, etc. Among them, SUS is preferable. The thickness of the metal support substrate 14 is, for example, in the range of 12 μm to 76 μm, and preferably in the range of 14 μm to 25 μm.
[Insulation layer]
The material of the insulating layer 13 is not particularly limited as long as it has a desired insulating property, and examples thereof include polyimide. The material of the insulating layer 13 may be a photosensitive material or a non-photosensitive material. The thickness of the insulating layer 13 is preferably in the range of, for example, 5 μm to 20 μm, and more preferably in the range of 8 μm to 12 μm.
[Conductive thin film]
The conductor thin film 12 exists between the insulating layer 13 and the wiring 11 and exists when a wiring conductor layer for forming the wiring 11 is formed by an electrolytic plating method. More specifically, when a wiring conductor layer for forming the wiring 11 is formed by an electrolytic plating method, a conductive thin film layer is formed on the insulating layer 13 as a seed layer for plating power feeding. After forming the wiring 11 by etching, the exposed conductive thin film layer is removed by etching to form the conductive thin film 12.

導体薄膜12の形成方法、材料等は、公知の技術を用いることができ、特に限定されるものではない。例えば、Cr、Ni、Cuをスパッタ成膜することにより形成することができる。   The formation method, material, etc. of the conductor thin film 12 can use a well-known technique, and are not specifically limited. For example, Cr, Ni, and Cu can be formed by sputtering film formation.

本発明においては、例えば、下層にCr単体、若しくはNi−Crを8〜60nmの厚さで成膜し、上層にCuを50〜200nmの厚さで成膜して導体薄膜12とすることができる。
[配線]
配線11は、所望の導電性を有するものであれば、特に限定されるものではないが、その材料としては、通常、Cuが用いられる。
In the present invention, for example, the conductor thin film 12 may be formed by forming Cr alone or Ni—Cr with a thickness of 8 to 60 nm in the lower layer and forming Cu with a thickness of 50 to 200 nm in the upper layer. it can.
[wiring]
The wiring 11 is not particularly limited as long as it has desired conductivity, but Cu is usually used as the material thereof.

配線11の厚さとしては、例えば4μm〜18μmの範囲内、中でも5μm〜12μmの範囲内であることが好ましい。配線の厚さが小さすぎると、充分な低インピーダンス化を図ることができない可能性があり、配線の厚さが大きすぎると、エッチング加工が困難になることや、サスペンション用フレキシャー基板の剛性が高くなり過ぎる可能性があるからである。   For example, the thickness of the wiring 11 is preferably in the range of 4 μm to 18 μm, and more preferably in the range of 5 μm to 12 μm. If the wiring thickness is too small, it may not be possible to achieve a sufficiently low impedance. If the wiring thickness is too large, etching processing becomes difficult and the rigidity of the flexure substrate for suspension is high. This is because it may become too much.

配線11の線幅としては、例えば5μm〜50μmの範囲内である。配線の線幅が小さすぎると、所望の導電性を得ることができない可能性があり、配線の線幅が大きすぎると、サスペンション用フレキシャー基板の充分な高密度化を図ることができない可能性があるからである。
[カバー層]
電気信号の減衰や配線の腐食による劣化を抑制するため、配線11は絶縁層からなるカバー層で覆われていても良い。ただし、サスペンション用フレキシャー基板の反りの発生を抑制するために、カバー層は必要な部位にのみ形成されていることが好ましい。
The line width of the wiring 11 is, for example, in the range of 5 μm to 50 μm. If the wiring line width is too small, the desired conductivity may not be obtained. If the wiring line width is too large, the suspension flexure substrate may not be sufficiently densified. Because there is.
[Cover layer]
In order to suppress deterioration due to electrical signal attenuation and wiring corrosion, the wiring 11 may be covered with a cover layer made of an insulating layer. However, in order to suppress the occurrence of warping of the flexure substrate for suspension, it is preferable that the cover layer is formed only at a necessary portion.

カバー層の材料としては、特に限定されず、公知の材料を使うことができ、例えばポリイミドを挙げることができる。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。カバー層の厚さは、例えば2μm〜20μmの範囲内であることが好ましい。
[金属めっき層]
金属めっき層は、接続端子部における配線11の露出表面に形成され、磁気ヘッドや外部回路との電気的接続の向上や、露出する配線の腐食からの保護を目的とするものである。
The material for the cover layer is not particularly limited, and a known material can be used. For example, polyimide can be used. The material of the cover layer may be a photosensitive material or a non-photosensitive material. The thickness of the cover layer is preferably in the range of 2 μm to 20 μm, for example.
[Metal plating layer]
The metal plating layer is formed on the exposed surface of the wiring 11 in the connection terminal portion, and is intended to improve electrical connection with a magnetic head or an external circuit and to protect the exposed wiring from corrosion.

金属めっき層は、電解めっき法により形成され、その材料としては、サスペンション用フレキシャー基板の端子部を形成し得るものであれば、特に制限されることなく使用することができ、例えば、Cu(銅)、Ni(ニッケル)、Cr(クロム)、Au(金)などが用いられる。   The metal plating layer is formed by an electrolytic plating method, and any material can be used without particular limitation as long as it can form the terminal portion of the flexure substrate for suspension. For example, Cu (copper) ), Ni (nickel), Cr (chromium), Au (gold), or the like.

また、金属めっき層は、多層として形成してもよく、例えば、電解Niめっきと電解Auめっきとを順次実施して、下層にNi、上層にAuの多層構造とすることができる。Ni層の厚さは、例えば、0.1〜3μm程度であり、Au層の厚さは、例えば、0.3〜5μm程度である。
[サスペンション用フレキシャー基板の製造方法]
次に、本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板の製造方法について説明する。
Further, the metal plating layer may be formed as a multilayer. For example, electrolytic Ni plating and electrolytic Au plating may be sequentially performed to form a multilayer structure of Ni in the lower layer and Au in the upper layer. The thickness of the Ni layer is, for example, about 0.1 to 3 μm, and the thickness of the Au layer is, for example, about 0.3 to 5 μm.
[Manufacturing method of flexure substrate for suspension]
Next, a method for manufacturing a flexure substrate for suspension according to the present invention will be described.

図4は、本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板の製造方法の一例を示す模式的製造工程図であり、図2に示すように、配線の長手方向に垂直な断面を模式的に示すものである。本発明において、配線11はサブトラクティブ法により形成される。   FIG. 4 is a schematic manufacturing process diagram showing an example of the manufacturing method of the flexure substrate for suspension according to the present invention, and schematically shows a cross section perpendicular to the longitudinal direction of the wiring as shown in FIG. . In the present invention, the wiring 11 is formed by a subtractive method.

本発明のサスペンション用フレキシャー基板の製造方法においては、まず、図4(a)に示すように、金属支持基板14、絶縁層13、配線用導体層11Aが順次形成された基材を用意する。なお、図4においては、配線用導体層11Aを電解めっきで形成する形態を例示するため、絶縁層13と配線用導体層11Aの間には、めっき給電用の導体薄膜層12Aが形成されている。   In the method for manufacturing a flexure substrate for suspension according to the present invention, first, as shown in FIG. 4A, a base material on which a metal support substrate 14, an insulating layer 13, and a wiring conductor layer 11A are sequentially formed is prepared. In FIG. 4, in order to exemplify a form in which the wiring conductor layer 11A is formed by electrolytic plating, a conductive thin film layer 12A for plating power feeding is formed between the insulating layer 13 and the wiring conductor layer 11A. Yes.

次に、配線用導体層11Aの上にドライフィルムレジストをラミネートし、露光、現像を行うことにより、配線パターンに対応したレジストパターン15を形成する(図4(b))。   Next, a dry film resist is laminated on the wiring conductor layer 11A, and exposure and development are performed to form a resist pattern 15 corresponding to the wiring pattern (FIG. 4B).

次に、図4(c)に示すように、レジストパターン15の開口から露出する配線用導体層11Aをエッチングし、配線11を形成する。   Next, as illustrated in FIG. 4C, the wiring conductor layer 11 </ b> A exposed from the opening of the resist pattern 15 is etched to form the wiring 11.

配線の断面形状を略矩形状にするために、前記エッチングに用いるエッチング液は、塩化第二鉄を主成分とする水溶液に、添加物としてエチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドの少なくとも1つをアミン類化合物の活性化水素に付加した化合物を含むものを用いることが好ましく、さらに、前記添加物が、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドをエチレンジアミンの活性化水素にブロック付加又はランダム付加した化合物であることが、より好ましい。前記添加物は、Cuに対して親和性を有し、サイドエッチングを抑制する効果を奏する。   In order to make the cross-sectional shape of the wiring substantially rectangular, the etching solution used for the etching is an aqueous solution containing ferric chloride as a main component, and at least one of ethylene oxide and propylene oxide as an additive is an amine compound. It is preferable to use a compound containing a compound added to activated hydrogen, and it is more preferable that the additive is a compound obtained by block addition or random addition of ethylene oxide and propylene oxide to activated hydrogen of ethylenediamine. The additive has an affinity for Cu and has an effect of suppressing side etching.

また、前記エッチングは、スプレー方式のエッチングであり、スプレー圧が0.01〜0.1MPaであることが好ましい。   The etching is spray-type etching, and the spray pressure is preferably 0.01 to 0.1 MPa.

上記のようなエッチングにより、エッチングファクター(Ef)の値が5より大きくなる異方性エッチングを行うことができる。   By the etching as described above, anisotropic etching in which the value of the etching factor (Ef) is larger than 5 can be performed.

なお、本発明において、配線11はサブトラクティブ法により形成されるため、配線11の底部には、セミアディティブ法により形成された配線のようなアンダーカット部は生じない。それゆえ、このアンダーカット部に起因した密着力低下から引き起こされる配線剥離も生じることは無く、本発明に係る製造方法により製造されたサスペンション用フレキシャー基板は、密着信頼性の高い配線を有する構成となる。   In the present invention, since the wiring 11 is formed by the subtractive method, an undercut portion unlike the wiring formed by the semi-additive method does not occur at the bottom of the wiring 11. Therefore, there is no wiring peeling caused by a decrease in adhesion due to the undercut portion, and the flexure substrate for suspension manufactured by the manufacturing method according to the present invention has a configuration having a high adhesion reliability wiring. Become.

最後に、図4(d)に示すように、レジストパターン15を剥離し、本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板を得る。   Finally, as shown in FIG. 4D, the resist pattern 15 is peeled off to obtain the flexure substrate for suspension according to the present invention.

なお、図4においては図示していないが、配線11を被覆するようにカバー層を形成しても良い。カバー層は、例えば非感光性ポリイミドをフォト製版することにより形成することができる。   Although not shown in FIG. 4, a cover layer may be formed so as to cover the wiring 11. The cover layer can be formed, for example, by photoengraving non-photosensitive polyimide.

上述のように、本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板の製造方法によれば、サスペンション用フレキシャー基板の配線を、エッチングファクター(Ef)が5より大きい異方性のエッチングにより形成できるため、形成された配線は略矩形状の断面形状となり、その配線間容量を大きくすることができるため、低インピーダンス化されたサスペンション用フレキシャー基板を得ることができる。   As described above, according to the method for manufacturing a flexure substrate for suspension according to the present invention, the wiring of the flexure substrate for suspension can be formed by anisotropic etching with an etching factor (Ef) larger than 5. Since the wiring has a substantially rectangular cross-sectional shape and the capacitance between the wirings can be increased, a suspension flexure substrate with reduced impedance can be obtained.

また、本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板の製造方法によれば、サスペンション用フレキシャー基板の配線を、サブトラクティブ法により形成するため、セミアディティブ法により形成した配線のようなアンダーカット部が生じるという不具合は発生しない。それゆえ、複雑な工程を増やすことなく、密着信頼性の高い配線を有するサスペンション用フレキシャー基板を得ることができる。
[サスペンション]
次に、本発明に係るサスペンションについて説明する。
In addition, according to the method for manufacturing a flexure substrate for suspension according to the present invention, since the wiring of the flexure substrate for suspension is formed by the subtractive method, an undercut portion such as the wiring formed by the semi-additive method is generated. Does not occur. Therefore, a suspension flexure substrate having wiring with high adhesion reliability can be obtained without increasing complicated processes.
[suspension]
Next, the suspension according to the present invention will be described.

本発明に係るサスペンションは、上述したサスペンション用フレキシャー基板を有し、通常は、さらにロードビームを有する。サスペンション用フレキシャー基板については、上述した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、ロードビームは、一般的なサスペンションに用いられるロードビームと同様のものを用いることができる。   The suspension according to the present invention includes the above-described suspension flexure substrate, and usually further includes a load beam. The suspension flexure substrate is the same as described above, and is not described here. The load beam can be the same as the load beam used for a general suspension.

本発明に係るサスペンションにおいては、上述したサスペンション用フレキシャー基板を用いることで、より微細化、あるいは高密度化した配線設計に対応できるものとなる。
[ヘッド付サスペンション]
次に、本発明に係るヘッド付サスペンションについて説明する。本発明に係るヘッド付サスペンションは、上述したサスペンションと、該サスペンションに実装された磁気ヘッドスライダとを有するものである。
In the suspension according to the present invention, by using the above-described suspension flexure substrate, it is possible to cope with a finer or higher density wiring design.
[Suspension with head]
Next, the suspension with a head according to the present invention will be described. A suspension with a head according to the present invention includes the above-described suspension and a magnetic head slider mounted on the suspension.

サスペンションについては、上述した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、磁気ヘッドスライダは、一般的なヘッド付サスペンションに用いられる磁気ヘッドスライダと同様のものを用いることができる。   Since the suspension is the same as described above, description thereof is omitted here. Further, the magnetic head slider can be the same as the magnetic head slider used in a general suspension with a head.

本発明に係るヘッド付サスペンションにおいては、上述したサスペンションを用いることで、より微細化、あるいは高密度化した配線設計に対応できるものとなる。
[ハードディスクドライブ]
次に、本発明に係るハードディスクドライブについて説明する。本発明に係るハードディスクドライブは、上述したヘッド付サスペンションを含むことを特徴とするものである。
In the suspension with a head according to the present invention, by using the above-described suspension, it is possible to cope with a finer or higher density wiring design.
[Hard disk drive]
Next, the hard disk drive according to the present invention will be described. A hard disk drive according to the present invention includes the above-described suspension with a head.

本発明に係るハードディスクドライブは、少なくともヘッド付サスペンションを有し、通常は、さらにヘッド付サスペンションがデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク、ディスクを回転させるスピンドルモータ、ヘッド付サスペンションに接続されたアーム、およびヘッド付サスペンションの磁気ヘッドスライダを移動させるボイスコイルモータを有する。ヘッド付サスペンションについては、上述した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。   The hard disk drive according to the present invention has at least a suspension with a head, and normally, the suspension with the head further writes and reads data, a spindle motor that rotates the disk, an arm connected to the suspension with the head, and A voice coil motor for moving the magnetic head slider of the suspension with head; Since the suspension with a head is the same as described above, description thereof is omitted here. As other members, the same members as those used in a general hard disk drive can be used.

本発明によれば、上述したヘッド付サスペンションを用いることで、より高性能なハードディスクドライブとすることができる。   According to the present invention, a hard disk drive with higher performance can be obtained by using the suspension with a head described above.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。   The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the technical idea described in the claims of the present invention has substantially the same configuration and exhibits the same function and effect regardless of the case. It is included in the technical scope of the invention.

以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
(実施例1)
金属支持基板14に厚さ20μmのSUSを用い、絶縁層13に厚さ10μmのポリイミドを用い、導体薄膜層12Aとして、下層にCrを30nmの厚さでスパッタ成膜し、上層にCuを100nmの厚さでスパッタ成膜した多層膜を用い、配線用導体層11Aには、電解めっき法で形成した厚さ9μmのCuを用いた基材を用意し、ドライフィルムレジストを用いて配線ピッチが30μmのレジストパターン15を形成し、レジストパターン15の開口から露出する配線用導体層11Aをスプレーエッチングして、本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板の配線11を形成した。
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.
Example 1
20 μm thick SUS is used for the metal support substrate 14, 10 μm thick polyimide is used for the insulating layer 13, the conductor thin film layer 12 </ b> A is sputter-deposited with a Cr layer of 30 nm in thickness, and Cu is 100 nm in the upper layer. A base material using a 9 μm thick Cu film formed by electrolytic plating is prepared for the wiring conductor layer 11A using a multilayer film formed by sputtering at a thickness of 5 mm, and the wiring pitch is set using a dry film resist. A resist pattern 15 of 30 μm was formed, and the wiring conductor layer 11A exposed from the opening of the resist pattern 15 was spray-etched to form the wiring 11 of the flexure substrate for suspension according to the present invention.

エッチング液には、ADEKA製アデカプルロニックTR−704(エチレンオキサイドおよびプロピレンオキサイドがエチレンジアミンの活性化水素にブロック付加した化合物。分子量5000、エチレンオキサイド含有量40重量%)を添加した塩化第二鉄(2.89重量%)水溶液を用い、スプレーエッチングのスプレー圧は0.05MPaとした。   Ferric chloride added with ADEKA Adekapluronic TR-704 (compound in which ethylene oxide and propylene oxide were added to activated hydrogen of ethylenediamine. Molecular weight 5000, ethylene oxide content 40% by weight) was added to the etching solution. .89 wt%) aqueous solution was used, and the spray pressure of spray etching was 0.05 MPa.

その後、レジストパターン15を剥離し、配線11の底部の導体薄膜12を残して、他の露出する導体薄膜層12Aをエッチング除去して、本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板を得た。   Thereafter, the resist pattern 15 was peeled off, the conductor thin film 12 at the bottom of the wiring 11 was left, and the other exposed conductor thin film layer 12A was etched away to obtain a flexure substrate for suspension according to the present invention.

上記により得られた配線11の断面形状をレーザー顕微鏡により観察し、配線の底部の幅(B)、配線の上部の幅(T)を測定した。   The cross-sectional shape of the wiring 11 obtained as described above was observed with a laser microscope, and the width (B) at the bottom of the wiring and the width (T) at the top of the wiring were measured.

観察の結果、配線11の底部にはアンダーカットは見られず、配線の底部の幅(B)は15.0μm、配線の上部の幅(T)は12.8μmであった。   As a result of the observation, no undercut was observed at the bottom of the wiring 11, the width (B) of the bottom of the wiring was 15.0 μm, and the width (T) of the top of the wiring was 12.8 μm.

配線の高さ(H)は配線用導体層11Aの厚さと同じ9μmであるため、2H/(B−T)の値、すなわち、エッチングファクター(Ef)の値は、8.2であった。   Since the height (H) of the wiring is 9 μm, which is the same as the thickness of the wiring conductor layer 11A, the value of 2H / (BT), that is, the value of the etching factor (Ef) was 8.2.

1 サスペンションフレキシャー用基板
2 ジンバル部
3 接続端子部
4、11、21、31 配線
11A 配線用導体層
12、22、32 導体薄膜
12A、22A、32A 導体薄膜層
13、23、33 絶縁層
14、24、34 金属支持基板
15、25、35 レジストパターン
26 アンダーカット部
H 配線の高さ
T 配線のトップ幅
B 配線のボトム幅
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Suspension flexure board | substrate 2 Gimbal part 3 Connection terminal part 4, 11, 21, 31 Wiring 11A Wiring conductor layer 12, 22, 32 Conductive thin film 12A, 22A, 32A Conductive thin film layer 13, 23, 33 Insulating layer 14, 24, 34 Metal support substrate 15, 25, 35 Resist pattern 26 Undercut portion H Wiring height T Wiring top width B Wiring bottom width

Claims (6)

金属支持基板上に形成された絶縁層の上に、複数の並走する配線が形成されているサスペンション用フレキシャー基板において、
前記配線は、その底部にアンダーカットが無く、
前記配線の高さ(H)、前記配線の底部の幅(B)、前記配線の上部の幅(T)の関係が、2H/(B−T)>5であることを特徴とするサスペンション用フレキシャー基板。
In the flexure substrate for suspension, in which a plurality of parallel wirings are formed on the insulating layer formed on the metal support substrate,
The wiring has no undercut at the bottom,
For the suspension, the relationship among the height (H) of the wiring, the width (B) of the bottom of the wiring, and the width (T) of the top of the wiring is 2H / (BT)> 5 Flexure board.
前記配線のピッチが、30μm以下であることを特徴とする請求項1に記載のサスペンション用フレキシャー基板。   The suspension flexure substrate according to claim 1, wherein a pitch of the wiring is 30 μm or less. 前記配線の底部の幅(B)が、15μm以下であることを特徴とする請求項1〜2のいずれかに記載のサスペンション用フレキシャー基板。   The suspension flexure substrate according to claim 1, wherein a width (B) of a bottom portion of the wiring is 15 μm or less. 請求項1〜3のいずれかに記載のサスペンション用フレキシャー基板を含むことを特徴とするサスペンション。   A suspension comprising the suspension flexure substrate according to claim 1. 請求項4に記載のサスペンションと、前記サスペンションに実装された磁気ヘッドスライダとを有することを特徴とするヘッド付サスペンション。   A suspension with a head comprising the suspension according to claim 4 and a magnetic head slider mounted on the suspension. 請求項5に記載のヘッド付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブ。
A hard disk drive comprising the suspension with a head according to claim 5.
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