JP2011221225A - Exposure method and exposure device - Google Patents
Exposure method and exposure device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011221225A JP2011221225A JP2010089333A JP2010089333A JP2011221225A JP 2011221225 A JP2011221225 A JP 2011221225A JP 2010089333 A JP2010089333 A JP 2010089333A JP 2010089333 A JP2010089333 A JP 2010089333A JP 2011221225 A JP2011221225 A JP 2011221225A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- time
- exposure time
- workpiece
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
- H01L21/0275—Photolithographic processes using lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
本発明は、マスクを介してワークに露光光を照射し、レジストが塗布されたワーク上に、マスクに形成されたパターンを露光(転写)する露光方法および露光装置に関し、特に、TAB(Tape Automated Bonding)やFPC(Flexible Printed Circuit)といった長尺の帯状ワークにパターンを形成するための露光方法および露光装置に関する。 The present invention relates to an exposure method and an exposure apparatus that irradiates a workpiece with exposure light through a mask and exposes (transfers) a pattern formed on the mask onto a workpiece coated with a resist, and in particular, TAB (Tape Automated). The present invention relates to an exposure method and an exposure apparatus for forming a pattern on a long strip-shaped workpiece such as Bonding and FPC (Flexible Printed Circuit).
液晶等のデイスプレイパネル、携帯電話、デジタルカメラ、ICカード等では、厚さ25μm〜125μm程度のポリエステルやポリイミド等の樹脂フィルム上に集積回路を実装したフィルム回路基板が用いられている。フィルム回路基板は、その製造工程においては、例えば幅160mm、厚さ100μm、長さ数百mの帯状のワークであり、通常リールに巻かれている。
また、フィルム回路基板は、上記の樹脂フィルム上に、導電体(例えば銅箔)を貼り付けられている。フィルム回路基板の製造は、レジストを塗布する工程、所望の回路パターンを転写する露光工程、レジストの現像工程、不要の導電体を除去するエッチング工程等を、例えば4回から5回、繰り返すことにより行なわれる。各工程においては、フィルム回路基板がリールから巻き出され、処理加工され、再びリールに巻き取られる。以下フィルム回路基板のことを帯状ワークと呼ぶ。
In a display panel such as a liquid crystal display, a mobile phone, a digital camera, and an IC card, a film circuit board in which an integrated circuit is mounted on a resin film such as polyester or polyimide having a thickness of about 25 μm to 125 μm is used. In the manufacturing process, the film circuit board is, for example, a strip-shaped workpiece having a width of 160 mm, a thickness of 100 μm, and a length of several hundreds of meters, and is usually wound on a reel.
Moreover, the conductor (for example, copper foil) is affixed on the said resin film in the film circuit board. The film circuit board is manufactured by repeating a resist coating process, an exposure process for transferring a desired circuit pattern, a resist developing process, an etching process for removing unnecessary conductors, etc., for example, 4 to 5 times. Done. In each step, the film circuit board is unwound from the reel, processed, and taken up on the reel again. Hereinafter, the film circuit board is referred to as a strip-shaped workpiece.
帯状ワークの露光装置の先行技術として、例えば特許文献1などが知られている。図6に帯状ワークの露光装置の一例を示す。
帯状ワークW(以下、単にワークWともいう)は、ワークWを保護するスペーサと重ね合せて巻き出しロール1にロール状に巻かれている。巻き出しロール1から引き出す時、スペーサはスペーサ巻き取りロール1aに巻き取られる。また、露光処理の終わったワークWは、スペーサ巻き出しロール2aから巻き出されたスペーサと重ね合わせて巻取りロール2に巻き取られる。
巻き出しロール1から出た帯状ワークWは、たるみ部A1、中間ガイドロールR2を経てエンコーダロールR3と押さえロールR3’により狭持される。エンコーダロールR3は、ワーク搬送時、後述する搬送ロールにおいてスリップが生じていないか確認するためのロールである。
巻き出しロール1から引き出された帯状ワークWは、露光部3を経て、搬送ロールR4と押さえロールR4’によって狭持される。ワークWは、搬送ロールR4が回転することにより設定された所定量搬送され、露光部3のワークステージ10上に送られる。
露光部3上には、ランプ4aと集光鏡4bから構成される光源を備えた光照射部4と、ワークに露光するパターン(マスクパターン)を有するマスクMと、投影レンズ5が設けられている。また、ワークステージ10はワークステージ駆動機構6上に取り付けられており、左右前後方向、上下方向に駆動可能であるとともに、ワークステージ面に垂直な軸を中心として回転駆動が可能である。
As a prior art of a strip-shaped workpiece exposure apparatus, for example, Patent Document 1 is known. FIG. 6 shows an example of a belt-shaped workpiece exposure apparatus.
A belt-like workpiece W (hereinafter, also simply referred to as a workpiece W) is wound around the unwinding roll 1 in a roll shape so as to overlap with a spacer that protects the workpiece W. When pulling out from the unwinding roll 1, the spacer is wound around the spacer winding roll 1a. Further, the workpiece W after the exposure process is wound around the winding roll 2 while being superposed on the spacer wound out from the spacer winding roll 2a.
The strip-shaped workpiece W that has come out of the unwinding roll 1 is sandwiched between the encoder roll R3 and the pressing roll R3 ′ through the slack portion A1 and the intermediate guide roll R2. The encoder roll R3 is a roll for confirming whether or not slip has occurred in a later-described transport roll during workpiece transport.
The strip-shaped workpiece W drawn out from the unwinding roll 1 passes through the exposure unit 3 and is held between the transport roll R4 and the pressing roll R4 ′. The work W is transported by a predetermined amount set by the rotation of the transport roll R4 and is sent onto the work stage 10 of the exposure unit 3.
On the exposure unit 3, a light irradiation unit 4 having a light source composed of a lamp 4a and a condenser mirror 4b, a mask M having a pattern (mask pattern) to be exposed on a workpiece, and a projection lens 5 are provided. Yes. The work stage 10 is mounted on the work stage drive mechanism 6 and can be driven in the left-right front-rear direction and the up-down direction, and can be driven to rotate about an axis perpendicular to the work stage surface.
光照射部4は、またシャッタ機構6を備えている。シャッタ機構6は、シャッタ板6aとシャッタ板駆動機構6bから構成される。シャッタ板駆動機構6bが駆動することにより、シャッタ板6aが光路中に挿入退避される。シャッタ板6aが光路から退避すると、光照射部4から露光光が照射される。シャッタ板6aが光路に挿入されると、光照射部4からの露光光の照射が停止する。
上記シャッタ機構については、例えば特許文献2に記載されている。同文献に記載されるように、シャッタ機構6は、例えば扇形の切り欠き部を有する回転式のシャッタ板を有し、上記切り欠き部が光路上に位置するようにシャッタ板を回転させると、光照射部4からの露光光がマスクMを介してワークWに照射され、上記切り欠き部が設けられていない部分が光路上に位置するようにシャッタ板を回転させると、露光光の照射が停止する。
The light irradiation unit 4 also includes a shutter mechanism 6. The shutter mechanism 6 includes a shutter plate 6a and a shutter plate drive mechanism 6b. When the shutter plate driving mechanism 6b is driven, the shutter plate 6a is inserted into and retracted from the optical path. When the shutter plate 6a is retracted from the optical path, exposure light is irradiated from the light irradiation unit 4. When the shutter plate 6a is inserted into the optical path, the exposure light irradiation from the light irradiation unit 4 stops.
The shutter mechanism is described in Patent Document 2, for example. As described in the same document, the shutter mechanism 6 has a rotary shutter plate having, for example, a fan-shaped notch, and when the shutter plate is rotated so that the notch is positioned on the optical path, When the exposure light from the light irradiation unit 4 is irradiated onto the workpiece W through the mask M and the shutter plate is rotated so that the portion not provided with the notch is positioned on the optical path, the exposure light is irradiated. Stop.
露光部3で、帯状ワークWは、露光される領域の裏面側が、ワークステージ10の表面に真空吸着等の保持手段により保持される。
マスクMと帯状ワークWには、それぞれ位置合せ用のアライメントマークが形成されている。
レジストが塗布された帯状ワークWが露光部3に搬送され、ワークステージ10に吸着保持されると、不図示のアライメント顕微鏡が、マスクMのアライメントマークとワークWのアライメントマークを検出し、ワークステージ10を移動することによりマスクMとワークWの位置合せ(アライメント)がなされる。位置合せ終了後、シャッタ機構6が開となり、光照射部4から露光光がマスクMを介してワークWに照射され、マスクMに形成されたマスクパターンがワークW上に露光される。
In the exposure unit 3, the back surface side of the exposed area of the belt-like workpiece W is held on the surface of the work stage 10 by a holding means such as vacuum suction.
Alignment marks for alignment are formed on the mask M and the strip-shaped workpiece W, respectively.
When the belt-like workpiece W coated with the resist is conveyed to the exposure unit 3 and sucked and held on the workpiece stage 10, the alignment microscope (not shown) detects the alignment mark of the mask M and the alignment mark of the workpiece W, and the workpiece stage By moving 10, the mask M and the workpiece W are aligned (aligned). After the alignment is completed, the shutter mechanism 6 is opened, exposure light is irradiated from the light irradiation unit 4 through the mask M to the workpiece W, and the mask pattern formed on the mask M is exposed on the workpiece W.
露光装置の制御部20は、光照射部4のランプ4aの点灯消灯、シャッタ板駆動機構6bの動作、巻き出しロール1からのワークWの巻き出しや巻き取りロール2によるワークWの巻き取りを始めとする帯状ワークWの搬送、またマスクMとワークWの位置合せなど、露光装置全体の動作を制御する。
ワークW上のレジストに、所望の露光精度のパターンを形成するための露光量は、レジストにより異なるが、あらかじめ実験により求められている。露光量は、下式に示すように、露光光の照度と、露光光が照射される照射時間即ち露光時間の積で表される。
露光量=照度×露光時間
したがって、露光量の制御は照度と露光時間の両方で行うことができるが、通常露光時間で制御する。露光時間は、光照射部4の光源からの光路内にシャッタ板6aを挿入退避することにより制御する。
The
The amount of exposure for forming a pattern with a desired exposure accuracy on the resist on the work W varies depending on the resist, but has been obtained in advance by experiments. The exposure amount is represented by the product of the illuminance of the exposure light and the irradiation time during which the exposure light is irradiated, that is, the exposure time, as shown in the following formula.
Exposure amount = illuminance × exposure time Therefore, the exposure amount can be controlled by both the illuminance and the exposure time, but is controlled by the normal exposure time. The exposure time is controlled by inserting and retracting the shutter plate 6a in the optical path from the light source of the light irradiation unit 4.
最近、帯状ワークの露光に使用されるレジストにおいて、塗布してから時間が経過すると、徐々に感度が上がるものが出てきた。即ち、塗布してからの時間が長くなるにつれて、パターンを形成する(転写する)ために必要な露光量が減少する。
そのため、工場ではレジスト塗布後あらかじめ決められた時間内に露光処理がなされる。しかし、帯状ワーク場合、ワークの長さ即ちワークに形成される露光領域の数や、1つの露光領域の露光時間の長さにより多少変化するが、平均的には1ロールの露光処理に2時間から3時間かかる。そのため、ワークの最後の露光領域を露光するのは、最初の露光領域の露光から2時間〜3時間後になる。レジストはこの間に徐々に感度が上昇してしまう。
代表的なものとして次のような例があげられる。1つの露光領域の露光時間約2秒、露光領域間のワークの送り時間とマスクとワークの位置合せ時間の合計約2秒、露光領域の数2000。したがって、この帯状ワークの処理時間は、(2秒+2秒)×2000=8000秒、即ち約2時間13分となる。そして、この間に、最適な露光量は15%程度少なくなる(照度が一定とすると、最初の露光領域の露光時間が2秒であれば、最後の露光領域の露光時間はおよそ1.7秒、即ち露光時間は約0.3秒減少する)。
Recently, resists used for exposure of strip-shaped workpieces have gradually increased in sensitivity as time passes after application. That is, as the time after application increases, the amount of exposure necessary to form (transfer) the pattern decreases.
Therefore, exposure processing is performed within a predetermined time after resist application at the factory. However, in the case of a strip-shaped workpiece, although it varies somewhat depending on the length of the workpiece, that is, the number of exposure areas formed on the workpiece and the length of the exposure time of one exposure area, on average, it takes 2 hours for one roll of exposure processing. Takes 3 hours. Therefore, the last exposure area of the workpiece is exposed 2 to 3 hours after the exposure of the first exposure area. The sensitivity of the resist gradually increases during this time.
Typical examples are as follows. The exposure time of one exposure area is about 2 seconds, the total time of the work feeding time between the exposure areas and the alignment time of the mask and the work is about 2 seconds, and the number of exposure areas is 2000. Accordingly, the processing time of the belt-like workpiece is (2 seconds + 2 seconds) × 2000 = 8000 seconds, that is, about 2 hours and 13 minutes. During this time, the optimum exposure amount is reduced by about 15% (if the illuminance is constant, if the exposure time of the first exposure region is 2 seconds, the exposure time of the last exposure region is about 1.7 seconds, That is, the exposure time is reduced by about 0.3 seconds).
したがって、ワークの最後の露光領域を、最初の露光領域の露光量で露光すると、露光量が過剰になる。露光量が過剰になると、例えば露光した部分が現像液に溶けるポジ型レジストの場合、露光しないで残しておきたい部分にも光が回りこみ、露光しないで残しておくべきパターンの幅が狭くなる。したがって、所望の露光精度が得られなくなる。
また、塗布してから時間が経過すると、徐々に感度が低下するレジストもある。その場合、上記とは反対に、ワークの最後の露光領域を、最初の露光領域の露光量で露光すると、露光量が不足になる。ポジ型レジストの場合、露光したい部分の露光量が不足して不要なレジストが残り、所望の露光精度が得られなくなる。
本発明は、上記事情に鑑みなされたものであって、本発明の目的は、ワークに塗布したレジストの経時的な感度変化に合わせて露光量を変更することができ、一巻きの帯状ワークのすべての露光領域において所望の露光精度で露光することが可能な露光方法および露光装置を提供することである。
Therefore, when the last exposure area of the workpiece is exposed with the exposure amount of the first exposure area, the exposure amount becomes excessive. When the amount of exposure is excessive, for example, in the case of a positive resist in which the exposed portion is dissolved in the developer, the light wraps around the portion that is desired to be left unexposed and the width of the pattern that should be left unexposed is narrow . Therefore, desired exposure accuracy cannot be obtained.
In addition, there is a resist whose sensitivity gradually decreases as time passes after application. In that case, contrary to the above, if the last exposure area of the workpiece is exposed with the exposure quantity of the first exposure area, the exposure quantity becomes insufficient. In the case of a positive type resist, the exposure amount of a portion to be exposed is insufficient and an unnecessary resist remains, and a desired exposure accuracy cannot be obtained.
The present invention has been made in view of the above circumstances, and the object of the present invention is to change the exposure amount in accordance with the change in sensitivity over time of the resist applied to the workpiece, An exposure method and an exposure apparatus capable of performing exposure with desired exposure accuracy in all exposure regions.
上記課題を解決するため、本発明においては、帯状ワークの各露光領域を順次露光するに際し、該帯状ワークに塗布したレジストの経時的な感度変化に合わせて、露光時間を変化させる。
ここでは、レジストが経時的に感度上昇する特性を持つ場合を例にして説明する。
この場合は、ワークに塗布したレジストの経時的な感度上昇に合わせて、露光量を減らす。そのために、以下のように、あらかじめ対象となるレジストを用いて実験等を行うことにより、露光量の経時的な感度変化を求めておき、その結果に基づいて露光時間を制御する。
例えば、レジストをワークに塗布し、塗布後すぐに露光実験等を行い、所望の露光精度が得られる露光量(照度×露光時間Ts)を求め、その露光時間Tsから、一巻きの帯状ワークのすべてが露光されるおおよその露光処理時間(総露光時間)Taを計算する。
また、ワークにレジスト塗布後、総露光処理時間Ta放置して露光実験を行い、所望の露光精度が得られる露光量(照度×露光時間Te)を求める。
そして、露光1回あたりの露光時間の減少量(n回目の露光時間とn+1回目の露光時間の差)Δtを、例えば以下の式(a)により求める。
Δt=(Ts−Te)/(N−1)・・・・・(a)
N:露光領域数
以上に基づき、n回目の露光領域の露光時間Tnは例えば以下の式(b)で求まる。
Tn=(N−n)×Δt+Te・・・・・(b)
In order to solve the above-mentioned problems, in the present invention, when each exposure region of the strip-shaped workpiece is sequentially exposed, the exposure time is changed in accordance with the change in sensitivity over time of the resist applied to the strip-shaped workpiece.
Here, a case where the resist has a characteristic that sensitivity increases with time will be described as an example.
In this case, the exposure amount is reduced in accordance with the increase in sensitivity over time of the resist applied to the workpiece. For this purpose, as described below, an experiment or the like is performed in advance using a target resist to obtain a change in sensitivity over time, and the exposure time is controlled based on the result.
For example, a resist is applied to a workpiece, and an exposure experiment or the like is performed immediately after the coating to obtain an exposure amount (illuminance × exposure time Ts) that provides a desired exposure accuracy. From the exposure time Ts, Approximate exposure processing time (total exposure time) Ta at which everything is exposed is calculated.
In addition, after applying a resist to the workpiece, the exposure experiment is performed by leaving it for a total exposure processing time Ta, and an exposure amount (illuminance × exposure time Te) at which a desired exposure accuracy is obtained is obtained.
Then, the amount of decrease in exposure time per exposure (the difference between the nth exposure time and the (n + 1) th exposure time) Δt is obtained by the following equation (a), for example.
Δt = (Ts−Te) / (N−1) (a)
N: Number of exposure areas Based on the above, the exposure time Tn of the n-th exposure area is obtained by the following equation (b), for example.
Tn = (N−n) × Δt + Te (b)
なお、上記露光時間の計算は、塗布した直後の露光時間Tsを用いて例えば以下の式で計算するなど、その他の式で計算してもよい。
Tn=Ts−(n−1)×Δt
また、塗布してから時間が経過すると、徐々に感度が低下するレジストの場合は、上記実施例と同様に考えて、以下の式に基づいて露光時間を制御すればよい。
Tn=(n−1)×Δt+Ts
Tn:n回目の露光領域の露光時間
Δt:露光1回あたりの露光時間の増加量
Ts:最初の露光領域の露光時間
さらに、1回の露光ごとに露光時間を変化させる代わりに、複数の露光領域ごとに、段階的に露光時間を短くしても良い。
また、露光時間を上記のように計算で求める代わりに、レジストの感度変化に応じた露光時間をテーブルに記憶させ、該テーブルから露光時間を読み出すようにしてもよい。
The calculation of the exposure time may be performed by other formulas such as the following formula using the exposure time Ts immediately after coating.
Tn = Ts− (n−1) × Δt
In the case of a resist whose sensitivity gradually decreases as time passes after application, the exposure time may be controlled based on the following equation in the same manner as in the above embodiment.
Tn = (n−1) × Δt + Ts
Tn: Exposure time of the nth exposure area Δt: Increase amount of exposure time per exposure Ts: Exposure time of the first exposure area Further, instead of changing the exposure time for each exposure, a plurality of exposures You may shorten exposure time in steps for every area | region.
Further, instead of obtaining the exposure time by calculation as described above, the exposure time according to the sensitivity change of the resist may be stored in a table, and the exposure time may be read from the table.
以上のように本発明においては、以下の手順を実施することにより、レジストの経時的な感度変化に合わせて露光量を変化させる露光を実現することができる。
(1)露光装置の制御部に、上記のようにして求めた露光1回あたりの露光時間の減少量Δt(または増加量)を入力する。
(2)制御部において、上記露光時間の減少量Δt(または増加量)と露光回数に基づきn回目の露光領域の露光時間Tnを求める。
(3)制御部は、n回目の露光領域に対して、上記露光時間Tnになるように、光照射部のシャッタ機構を駆動制御する。
As described above, in the present invention, by performing the following procedure, it is possible to realize exposure in which the exposure amount is changed in accordance with the change in sensitivity of the resist over time.
(1) The exposure time decrease amount Δt (or increase amount) per one exposure obtained as described above is input to the control unit of the exposure apparatus.
(2) The control unit obtains the exposure time Tn of the nth exposure region based on the decrease amount Δt (or increase amount) of the exposure time and the number of exposures.
(3) The control unit drives and controls the shutter mechanism of the light irradiation unit so that the exposure time Tn is reached for the n-th exposure region.
本発明においては、帯状ワークに塗布したレジストの経時的な感度変化を求めておき、これに基づき露光時間を変化させるようにしたので、ワークに塗布したレジストの経時的な感度上昇に合わせた露光量とすることができる。このため、一巻きの帯状ワークのすべての露光領域において所望の露光精度を得ることができる。 In the present invention, the change in sensitivity over time of the resist applied to the belt-like workpiece is obtained, and the exposure time is changed based on this. It can be an amount. For this reason, a desired exposure accuracy can be obtained in all the exposure regions of one roll of strip-shaped workpiece.
図1は本発明の実施例の帯状ワークの露光装置の構成例を示す図である。図1に示す装置は、制御部の構成及び動作が異なる点を除き、前記図6で説明した露光装置と同様である。
図1において、図6で説明したように、帯状ワークW(以下、単にワークWともいう)は、巻き出しロール1から引き出され、露光部3に搬送されて露光処理が行われ、巻取りロール2に巻き取られる。
露光部3上には、ランプ4aと集光鏡4bから構成される光源を備えた光照射部4と、ワークに露光するパターン(マスクパターン)を有するマスクMと、投影レンズ5が設けられ、ワークWは露光部3のワークステージ10上に搬送されて露光処理がなされる。
光照射部4は、前記したように、シャッタ板6aとシャッタ板駆動機構6bから構成されるシャッタ機構6を備えている。シャッタ板駆動機構6bにより駆動され、シャッタ板6aは光路中に挿入退避される。シャッタ板6aが光路から退避すると、光照射部4から露光光が照射される。シャッタ板6aが光路に挿入されると、光照射部4からの露光光の照射が停止する。
上記シャッタ機構としては、例えば前記特許文献2に記載されるものを用いることができる。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration example of an exposure apparatus for a strip-shaped workpiece according to an embodiment of the present invention. The apparatus shown in FIG. 1 is the same as the exposure apparatus described in FIG. 6 except that the configuration and operation of the control unit are different.
In FIG. 1, as described in FIG. 6, the strip-shaped workpiece W (hereinafter, also simply referred to as workpiece W) is pulled out from the unwinding roll 1, transported to the exposure unit 3, subjected to exposure processing, and then taken up. 2 is wound up.
On the exposure unit 3, a light irradiation unit 4 having a light source composed of a lamp 4a and a condenser mirror 4b, a mask M having a pattern (mask pattern) to be exposed on a workpiece, and a projection lens 5 are provided. The workpiece W is conveyed onto the workpiece stage 10 of the exposure unit 3 and subjected to exposure processing.
As described above, the light irradiation unit 4 includes the shutter mechanism 6 including the shutter plate 6a and the shutter plate driving mechanism 6b. Driven by the shutter plate driving mechanism 6b, the shutter plate 6a is inserted into and retracted from the optical path. When the shutter plate 6a is retracted from the optical path, exposure light is irradiated from the light irradiation unit 4. When the shutter plate 6a is inserted into the optical path, the exposure light irradiation from the light irradiation unit 4 stops.
As the shutter mechanism, for example, the one described in Patent Document 2 can be used.
露光装置の制御部20は、前記したように、光照射部4のランプ4aの点灯消灯、シャッタ板駆動機構6bの動作、巻き出しロール1からのワークWの巻き出しや巻き取りロール2によるワークWの巻き取りを始めとする帯状ワークWの搬送、またマスクMとワークWの位置合せなど、露光装置全体の動作を制御する。
また、制御装置には登録部21が設けられ、ここから制御部20に、各露光領域の露光時間を設定するためのパラメータである露光領域数N、露光時間の減少量(増加量)Δt等のデータが入力される。
また、制御部20には、露光時間設定部20aが設けられ、ここで、上記パラメータ等に基づき、各露光領域の露光時間を設定し、上記シャッタ機構6を制御する。
As described above, the
In addition, the control unit is provided with a
Further, the
図2は、上記制御部20の構成例を示す図であり、同図は、経時的に感度上昇特性を持つレジストを用いる場合であって、演算により露光時間を求める場合の構成例を示している。
同図において、制御部20は、露光時間を設定するための露光時間設定部20aと、光照射部4のランプ4aの点灯消灯、シャッタ機構6の動作、帯状ワークWの搬送、マスクMとワークWの位置合せ等の露光装置全体の動作を制御する露光制御部20bと、各種データ等を記憶する記憶部20cから構成され、登録部21から登録された各種パラメータは該記憶部20cに記憶される。なお、制御部20はコンピュータ等で構成することができ、その機能はソフトウェアより実現することができる。図2はその機能構成をブロックで示したものである。
FIG. 2 is a diagram showing a configuration example of the
In the figure, a
露光制御部20bは、前記したように露光装置全体の制御をおこない、ワークWの一つの露光領域の露光が完了する毎に露光完了信号を、露光時間設定部20aの露光回数カウント部201に送出する。
露光時間設定部20aは、露光回数カウント部201と露光時間演算部202を備える。露光回数カウント部201はカウンタを備え、そのカウント値は、露光開始時ゼロクリアされている。そして、各露光領域の処理が終わる毎に露光制御部20bから送られてくる露光完了信号によりカウントアップする。すなわち、露光回数カウント部201カウント値は、現在露光中の帯状ワークの露光回数nを示し、この露光回数nは露光時間演算部202に送られる。
露光時間演算部202は、登録部21から登録され記憶部20cに記憶された露光領域数N、露光時間の減少量Δtと、最後の露光領域の露光時間Teに基づき、前記以下の式(b)で各露光領域の露光時間Tnを求める。なお、ここではレジストが経時的に感度上昇する特性を持つ場合を例にして説明する。
Tn=(N−n)×Δt+Te・・・・・(b)
この露光時間Tnは露光制御部20bに送られ、露光制御部20bはこの露光時間Tnに基づき、シャッタ機構6を制御して帯状ワークWの露光を行う。
The
The exposure
The exposure
Tn = (N−n) × Δt + Te (b)
The exposure time Tn is sent to the
図1、図2に示した露光装置は次のように動作する。
予め登録部21から、露光領域数N、予め実験等に求めた露光時間減少量Δt、最後の露光領域の露光時間Te等のパラメータを入力し、記憶部20cに記憶させる。
露光を開始すると、前述したように巻き出しロール1から巻き出された帯状ワークWは、たるみ部A1、中間ガイドロールR2を経てエンコーダロールR3と押さえロールR3’により狭持されて露光部3に搬送され、ワークステージ10に吸着保持される。
一方、制御部20の露光時間設定部20aでは、登録部21から入力され記憶部20cに登録された露光領域数N、露光時間減少量Δt、最後の露光領域の露光時間Teと、露光時間設定部20aの露光回数カウント部201のカウント値nに基づき、前記した(b)式により露光時間Tnを求める。求められた露光時間Tnは、露光制御部20bに送られる。なお、露光回数カウント部201のカウント値nは最初はゼロクリアされており、露光が完了する毎にカウントアップする。
The exposure apparatus shown in FIGS. 1 and 2 operates as follows.
Parameters such as the number N of exposure areas in advance, the exposure time decrease Δt obtained in advance through experiments and the like, and the exposure time Te of the last exposure area are input from the
When exposure is started, the strip-shaped workpiece W unwound from the unwinding roll 1 as described above is sandwiched between the encoder roll R3 and the pressing roll R3 ′ through the slack portion A1 and the intermediate guide roll R2, and is exposed to the exposure portion 3. It is transported and sucked and held on the work stage 10.
On the other hand, in the exposure
露光部3上には、光照射部4とマスクMと、投影レンズ5が設けられており、制御部20の露光制御部20bは、前記したように、マスクMとワークWの位置合せ(アライメント)を行い、位置合せ終了後、シャッタ機構6を制御して、光照射部4から露光光をマスクMを介してワークWに照射し、マスクMに形成されたマスクパターンをワークW上に露光する。
その際、露光制御部20bは上記露光時間設定部20aから送られてきた露光時間Tnの間、シャッタ板6aを開状態にして、露光光をマスクMを介してレジストが塗布されたワークWに照射し、マスクMに形成されたマスクパターンをワークW上に露光する。露光が完了すると露光制御部20bは露光完了信号を露光時間設定部20aの露光回数カウント部201に送出する。これにより、露光回数カウント部201のカウント値はカウントアップする。
露光回数カウント部201のカウント値が更新されると、露光時間設定部202は、更新されたnの値と、前記した露光領域数N、露光時間減少量Δt、最後の露光領域の露光時間Teに基づき次の露光領域の露光時間Tnを求める。
On the exposure unit 3, a light irradiation unit 4, a mask M, and a projection lens 5 are provided. As described above, the
At that time, the
When the count value of the number-of-
帯状ワークW上の最初の露光領域の露光が終わると、ワークWは、搬送ロールR4と押さえロールR4’によって狭持され、たるみ部A2を経て巻取りロール2に巻き取られ、ワークW上の次の露光領域がワークステージ10上に搬送される。
そして、前述したようにマスクMとワークWの位置合せ(アライメント)を行い、位置合せ終了後、シャッタ機構6を制御して、上記露光時間設定部20aで求められた露光時間Tnの間、シャッタ板6aを開状態にして、露光光をマスクMを介してレジストが塗布されたワークWに照射する。
以下、同様に、帯状ワークWの各露光領域を順次露光する。露光時間Tnは、露光処理が進むに従い減少し、最後の露光領域を露光する際には、最初の露光領域の露光時間Tnに対して、例えば70%程度の露光時間となる。
図3に前記特許文献2に記載されるシャッタ機構を用いた場合において、シャッタ板6aが開いているときにワークWに照射される露光光の照度を示す。同図の横軸は時間、縦軸は照度であり、同図の斜線で示す面積が露光量に対応する。
第1回目の露光領域を露光する際のワークWの露光量が同図の実線で示す量であるとすると、最後の露光領域を露光する際には、シャッタ板6aが開いている時間が短くなり、露光量は同図の点線で示すように第1回目の露光領域を露光する際の露光量の例えば70%程度となる。
When the exposure of the first exposure area on the strip-shaped workpiece W is completed, the workpiece W is sandwiched between the transport roll R4 and the pressing roll R4 ′, wound around the winding roll 2 through the slack portion A2, and on the workpiece W. The next exposure area is conveyed onto the work stage 10.
Then, as described above, the mask M and the workpiece W are aligned (aligned), and after the alignment is completed, the shutter mechanism 6 is controlled to perform the shutter for the exposure time Tn obtained by the exposure
Hereinafter, similarly, each exposure region of the strip-shaped workpiece W is sequentially exposed. The exposure time Tn decreases as the exposure process proceeds. When the last exposure area is exposed, the exposure time is about 70% of the exposure time Tn of the first exposure area, for example.
FIG. 3 shows the illuminance of exposure light applied to the workpiece W when the shutter plate 6a is open when the shutter mechanism described in Patent Document 2 is used. In the figure, the horizontal axis represents time, the vertical axis represents illuminance, and the area shown by hatching in the figure corresponds to the exposure amount.
Assuming that the exposure amount of the workpiece W when exposing the first exposure region is the amount indicated by the solid line in the figure, the time during which the shutter plate 6a is open is short when exposing the last exposure region. Thus, the exposure amount is, for example, about 70% of the exposure amount when the first exposure area is exposed, as indicated by the dotted line in FIG.
次に、上記露光時間Tnの求め方について説明する。ここでは、経時的に感度が上昇するレジストを用いた場合の例を示す。露光時間Tnは例えば、以下の手順で求められる。
(1)経時的に感度が上昇するレジストをワークWに塗布し、塗布後すぐに露光実験を行い、所望の露光精度が得られる露光量(照度×露光時間Ts)を求める。
(2)その露光時間Tsから、一巻きの帯状ワークのすべてが露光されるおおよその露光処理時間(総露光時間)Taを以下の式(c)により計算する。計算式は(照度の変化はないとして)次の通りである。
Ta=(Ts+Th)×N・・・・・(c)
ここで、Ta:トータルの露光処理時間
Th:露光領域間のワークの送り時間やマスクとワークの位置合せ時間などの合計
N:露光領域数
(3)ワークWにレジスト塗布後、総露光処理時間Ta放置して露光実験を行い、上記(1)における実験と同じ照度で、所望の露光精度が得られる露光量(照度×露光時間Te)を求める。Tsは最初の露光領域の露光時間、Teは最後の露光領域の露光時間である。
(4)露光1回あたりの露光時間の減少量(n回目の露光時間とn+1回目の露光時間の差)Δtを前記式(a)で求める。すなわち、最初の露光領域の露光時Ts間から最後の露光領域の露光時間Teを引いて、露光領域数Nから1を引いたもので割ればよい。
Δt=(Ts−Te)/(N−1)・・・・・・(a)
Next, how to determine the exposure time Tn will be described. Here, an example is shown in which a resist whose sensitivity increases with time is used. The exposure time Tn is obtained by the following procedure, for example.
(1) A resist whose sensitivity increases with time is applied to the workpiece W, and an exposure experiment is performed immediately after the application to obtain an exposure amount (illuminance × exposure time Ts) at which a desired exposure accuracy can be obtained.
(2) From the exposure time Ts, an approximate exposure processing time (total exposure time) Ta in which all of the wound belt-shaped workpiece is exposed is calculated by the following equation (c). The calculation formula is as follows (assuming no change in illuminance).
Ta = (Ts + Th) × N (c)
Here, Ta: Total exposure processing time Th: Total work feeding time between exposure areas, mask and work alignment time, etc. N: Number of exposure areas (3) Total exposure processing time after applying resist to work W An exposure experiment is performed by leaving Ta, and an exposure amount (illuminance × exposure time Te) at which a desired exposure accuracy is obtained with the same illuminance as in the experiment in (1) above is obtained. Ts is the exposure time of the first exposure area, and Te is the exposure time of the last exposure area.
(4) The amount of decrease in exposure time per exposure (difference between the n-th exposure time and the (n + 1) -th exposure time) Δt is obtained by the equation (a). That is, the exposure time Te of the last exposure region is subtracted from between the exposure times Ts of the first exposure region, and divided by the number of exposure regions N minus 1.
Δt = (Ts−Te) / (N−1) (a)
(5)最後の露光領域の露光時間Teから見て、1回前の露光時間は1×Δtだけ長いことになり、また、最初の露光領域の露光時間Tsは、最後の露光領域の露光時間Tbから見て(N−1)×Δtだけ長いことになる。したがって、n回目の露光領域の露光時間Tnは以下の式(b)式で表される。
Tn=(N−n)×Δt+Te・・・・・・(b)
なお、1回の露光ごとにΔtの露光時間が減って行くのであるから、式(c)で求めた総露光時間Taよりも実際の総露光時間は短くなる。しかし、減少する露光時間は、上記したように0.3秒程度であるので、ここでは計算上は無視する。もちろん、露光時間を短くした場合の総露光時間を計算し直し、再度その時間でのレジストの感度上昇を求め、露光時間の変化量を計算しても良い。
(5) The exposure time of the previous exposure is 1 × Δt longer than the exposure time Te of the last exposure area, and the exposure time Ts of the first exposure area is the exposure time of the last exposure area. As viewed from Tb, it is longer by (N−1) × Δt. Therefore, the exposure time Tn of the nth exposure region is expressed by the following equation (b).
Tn = (N−n) × Δt + Te (b)
Since the exposure time of Δt decreases with each exposure, the actual total exposure time is shorter than the total exposure time Ta obtained by the equation (c). However, since the decreasing exposure time is about 0.3 seconds as described above, it is ignored in the calculation. Of course, the total exposure time when the exposure time is shortened may be recalculated, the resist sensitivity increase at that time may be obtained again, and the change in exposure time may be calculated.
上記露光時間Tnの求め方について、具体的な数値例により説明する。ここでは、実際とは異なる分かりやすい数値を使用する。
(1)露光領域数N=5(回)、最初の露光領域の露光時間Ts=20秒、1回の搬送時間Th=2秒であったとする。最後の露光領域の露光時間Te=12秒とする。
(2)式(c)より、総露光時間Ta=(Ts+Th)×N=(20秒+2秒)×5=110秒
(3)上記より、レジスト塗布後110秒後の最適な露光時間Teを求める。Teが12秒であったとする。
式(a)より、露光1回あたりの露光時間の減少量Δt=(Ts−Te)/(N−1)=(20秒−12秒)/(5−1)=2秒
(4)登録部21から制御部20の記憶部20cに、露光領域数N=5、最後の露光領域の露光時間Te=12秒、露光1回あたりの露光時間の減少量Δt=2秒(または、最初の露光領域の露光時間Ts=20秒)を入力し、記憶させる。
A method for obtaining the exposure time Tn will be described with specific numerical examples. Here, an easy-to-understand numerical value different from the actual one is used.
(1) Assume that the number N of exposure areas is 5 (times), the exposure time Ts of the first exposure area is 20 seconds, and the transfer time Th is 1 second. The exposure time Te of the last exposure area is set to 12 seconds.
(2) From equation (c), the total exposure time Ta = (Ts + Th) × N = (20 seconds + 2 seconds) × 5 = 110 seconds (3) From the above, the optimum exposure time Te after 110 seconds after resist coating is determined. Ask. Assume that Te is 12 seconds.
From equation (a), the amount of decrease in exposure time per exposure Δt = (Ts−Te) / (N−1) = (20 seconds−12 seconds) / (5-1) = 2 seconds (4) Registration From the
(5)式(b)に基づいて、各回数目の露光時間を求める。
1回目(最初)の露光領域の露光時間T1=(N−n)×Δt+Te=(5−1)×2秒+12秒=20秒(=Ts)
2回目の露光領域の露光時間T2=(N−n)×Δt+Te=(5−2)×2秒+12秒=18秒
3回目の露光領域の露光時間T3=(N−n)×Δt+Te=(5−3)×2秒+12秒=16秒
4回目の露光領域の露光時間T4=(N−n)×Δt+Te=(5−4)×2秒+12秒=14秒
5回目(最後)の露光領域の露光時間T5=(N−n)×Δt+Te=(5−5)×2秒+12秒=12秒(=Te)
上記を表にすると以下の通りである。
制御部20は、n回目の露光領域に対して、上記計算によって得られた露光時間Tnになるように、光照射部のシャッタ機構6を駆動制御する。
(5) Based on the formula (b), the exposure time for each number of times is obtained.
Exposure time T1 = (N−n) × Δt + Te = (5-1) × 2 seconds + 12 seconds = 20 seconds (= Ts) in the first (first) exposure area
Exposure time of second exposure area T2 = (N−n) × Δt + Te = (5-2) × 2 seconds + 12 seconds = 18 seconds Third exposure area exposure time T3 = (N−n) × Δt + Te = ( 5-3) × 2 seconds + 12 seconds = 16 seconds 4th exposure area exposure time T4 = (N−n) × Δt + Te = (5-4) × 2 seconds + 12 seconds = 14 seconds 5th (last) exposure Area exposure time T5 = (N−n) × Δt + Te = (5-5) × 2 seconds + 12 seconds = 12 seconds (= Te)
The above table is as follows.
The
なお、上記説明では、露光時間設定部20aで式(b)の演算を行なっているが、例えば、登録部から最初の露光領域の露光時間Ts、最後の露光領域の露光時間Te、露光領域数Nを入力し、露光時間設定部20aで前記(a)(b)の演算を行なってTnを求めるようにしてもよい。
また、前記したように、塗布した直後の露光時間Tsを用いて、以下の式で露光時間を計算するようにしてもよい。
Tn=Ts−(n−1)×Δt
また、上記では、塗布してからの時間が経過するとレジストの感度が徐々に向上する場合について説明したが、塗布してから時間が経過すると、徐々に感度が低下するレジストの場合は、上記実施例と同様に考えて、以下の式に基づいて露光時間を制御すればよい。
Tn=(n−1)×Δt+Ts
ここで、
Tn:n回目の露光領域の露光時間
Δt:露光1回あたりの露光時間の増加量
Ts:最初の露光領域の露光時間
In the above description, the calculation of the expression (b) is performed by the exposure
Further, as described above, the exposure time may be calculated by the following formula using the exposure time Ts immediately after coating.
Tn = Ts− (n−1) × Δt
Further, in the above description, the case where the sensitivity of the resist is gradually improved as time passes after the application has been described, but in the case of the resist whose sensitivity gradually decreases as time passes after the application, the above-described implementation is performed. Considering the same as the example, the exposure time may be controlled based on the following equation.
Tn = (n−1) × Δt + Ts
here,
Tn: Exposure time of the nth exposure area Δt: Increase amount of exposure time per exposure Ts: Exposure time of first exposure area
なお、上記実施例では、露光回数をカウントして露光回数に対する露光時間を求めているが、露光時間をカウントする代わりに、露光を開始してから(あるいは、レジスト塗布してから)の経過時間を求め、経過時間に応じた露光時間を演算して、露光量を制御するようにしてよい。 In the above embodiment, the number of exposures is counted to determine the exposure time relative to the number of exposures, but instead of counting the exposure time, the elapsed time from the start of exposure (or after resist application). The exposure amount may be controlled by calculating the exposure time according to the elapsed time.
ところで、前記したように露光量は照度と露光時間との積なので、露光時間だけでなく照度の大小でも制御することができる。照度の制御を行う場合は、光路に減光フィルタを挿入したり、ランプに供給する電力を変化させたりすることにより行う。しかし、次のような理由により、照度により露光量の制御を行うことは不利であり、露光時間で制御を行うことの方が有利である。
(1)減光フィルタを使用する場合は、光照射部に新たに、透過する光量が連続的に変えられる減光フィルタを設けなければならない。部品点数が増え装置のコストアップにつながる。
(2)放電ランプの場合、電力を変えることにより微妙な照度調整を行うことが難しい。
(3)露光時間の制御は、シャッタの開閉時間のみを変えることで可能である。制御が容易であり、部品点数を増やす必要もない。また、徐々に露光時間が少なくなるので、全体の処理時間の短縮化も図ることができる。
By the way, as described above, since the exposure amount is the product of the illuminance and the exposure time, it can be controlled not only by the exposure time but also by the magnitude of the illuminance. When the illuminance is controlled, a neutral density filter is inserted in the optical path or the power supplied to the lamp is changed. However, it is disadvantageous to control the exposure amount by the illuminance for the following reasons, and it is more advantageous to control the exposure time.
(1) When using a neutral density filter, it is necessary to newly provide a neutral density filter that can continuously change the amount of light transmitted through the light irradiation unit. The number of parts increases, leading to increased equipment costs.
(2) In the case of a discharge lamp, it is difficult to finely adjust the illuminance by changing the power.
(3) The exposure time can be controlled by changing only the opening / closing time of the shutter. Control is easy and there is no need to increase the number of parts. In addition, since the exposure time gradually decreases, the overall processing time can be shortened.
上記の実施例においては、1回の露光ごとに露光時間を変化させている。しかし、露光量が許容される範囲であれば、複数の露光領域ごとに、段階的に露光時間を短くしても良い。例えば、上記したように、2000の露光領域に対して、露光時間が2秒から1.7秒に減少する場合であれば、1番目から500番目の露光領域は露光時間を2秒、501番目から1000番目までは1.9秒、1001番目から1500番目までは1.8秒、1501番目から2000番目までは1.7秒というように、露光時間を段階的に短くするようにしてもよい。
図4に、塗布してからの時間が経過するとレジストの感度が徐々に向上する場合の露光量の変化パターンの例を示す。同図(a)は時間に比例させてリニアに露光量を減少させる場合を示し、同図(b)は露光量を時間に比例させて、上記のように段階的に減少させる場合を示す。また、(c)は露光量を段階的にかつ、非線形に減少させる場合を示す。上記変化パターンは、使用するレジストの特性等に合わせて適宜選択することができる。
In the above embodiment, the exposure time is changed for each exposure. However, the exposure time may be shortened step by step for each of a plurality of exposure regions as long as the exposure amount is within the allowable range. For example, as described above, if the exposure time is reduced from 2 seconds to 1.7 seconds with respect to 2000 exposure areas, the first to 500th exposure areas have an exposure time of 2 seconds and 501st. The exposure time may be shortened stepwise, from 1.9 seconds to 1000th, 1.8 seconds from 1001 to 1500th, and 1.7 seconds from 1501 to 2000th. .
FIG. 4 shows an example of a change pattern of the exposure amount when the sensitivity of the resist gradually improves as time passes after application. FIG. 4A shows a case where the exposure amount is linearly reduced in proportion to time, and FIG. 4B shows a case where the exposure amount is reduced in steps as described above in proportion to time. (C) shows a case where the exposure amount is decreased stepwise and nonlinearly. The change pattern can be appropriately selected according to the characteristics of the resist used.
図5は、制御部20の他の構成例を示す図である。同図は露光時間を計算で求める代わりに、予め作成したテーブルから露光時間を読み出すようにした場合の構成例を示す。
この構成例は、図4(b)(c)に示したように露光量を段階的に変化させる場合や、レジストの感度特性が時間に対して非線形に変化する場合等に適用するのに好適である。
同図において、20aは露光時間を設定するための露光時間設定部、20bは、光照射部4のランプ4aの点灯消灯、シャッタ機構5の動作、帯状ワークWの搬送、マスクMとワークWの位置合せ等の露光装置全体の動作を制御する露光制御部、20cは登録部21から登録された各種パラメータを記憶する記憶部である。
露光時間設定部20aは、前記した露光回数カウント部201と、記憶部20cに記憶された露光時間テーブル204から露光時間を読み出すテーブル参照部203を備える。
露光時間テーブル204は同図Aに示すように露光回数に対する露光時間を登録したテーブルである。該テーブル204に登録される露光時間は、使用するレジストの感度特性、露光領域数等に応じて設定され、前記した実験等により求めたデータに基づき予め作成し、記憶部20cに登録しておく。
FIG. 5 is a diagram illustrating another configuration example of the
This configuration example is suitable for application when the exposure amount is changed stepwise as shown in FIGS. 4B and 4C, or when the sensitivity characteristic of the resist changes nonlinearly with respect to time. It is.
In the same figure, 20a is an exposure time setting unit for setting the exposure time, 20b is lighting / extinguishing of the lamp 4a of the light irradiation unit 4, operation of the shutter mechanism 5, conveyance of the belt-like workpiece W, mask M and workpiece W An
The exposure
The exposure time table 204 is a table in which the exposure time with respect to the number of exposures is registered as shown in FIG. The exposure time registered in the table 204 is set according to the sensitivity characteristics of the resist to be used, the number of exposure areas, and the like. The exposure time is created in advance based on the data obtained through the above-described experiment and registered in the
露光制御部20bは、前記したように露光装置全体の制御をおこない、ワークWの一つの露光領域の露光が完了する毎に露光完了信号を、露光時間設定部20aの露光回数カウント部201に送出する。
露光時間設定部20aの露光回数カウント部201は、前記したように各露光領域の処理が終わる毎に露光制御部20bから送られてくる露光完了信号によりカウントアップし、そのカウント値は、現在露光中の帯状ワークの露光回数nを示す。
テーブル参照部203は、上記露光回数カウント部201から露光回数nが送られてくると、上記露光時間テーブル204からこの露光回数nに対応した露光時間を読み出し、露光制御部20bに送る。
露光制御部20bは、前述したように露光時間設定部20aから送られてきた上記露光時間Tnの間、シャッタ板6aを開状態にして、露光光をマスクMを介してレジストが塗布されたワークWに照射し、マスクMに形成されたマスクパターンをワークW上に露光する。その他の動作は前記図1、図2で説明したのと同様である。
The
As described above, the exposure
When the exposure count n is sent from the
The
なお、上記では露光時間テーブルに露光回数に対する露光時間を記憶させていたが、露光時間テーブルに、レジスト塗布してからの経過時間に対する露光時間を登録しておき、露光回数をカウントする代わりに、露光を開始してから(あるいは、レジスト塗布してから)の経過時間を求め、経過時間に応じた露光時間を読み出して露光量を制御するようにしてよい。なお、露光回数から露光を開始してからの経過時間を求めて、経過時間に応じた露光時間を読み出すようにしてもよい。
また、記憶部20cに、異なるレジストの感度特性に応じた複数のテーブルを記憶させ、使用するレジストの感度特性に応じたテーブルを使用して、露光時間を設定するようにしてもよい。
In the above, the exposure time with respect to the number of exposures is stored in the exposure time table, but instead of registering the exposure time with respect to the elapsed time after applying the resist in the exposure time table and counting the number of exposures, The elapsed time after the start of exposure (or after resist application) may be obtained, and the exposure time may be read out to control the exposure amount. Note that the elapsed time from the start of exposure may be obtained from the number of exposures, and the exposure time corresponding to the elapsed time may be read out.
Further, a plurality of tables corresponding to the sensitivity characteristics of different resists may be stored in the
1 巻き出しロール
2 巻取りロール
3 露光部
4 光照射部
4a ランプ
4b 集光鏡
5 投影レンズ
6 シャッタ機構
6a シャッタ板
6b シャッタ板駆動機構
10 ワークステージ
20 制御部
20a 露光時間設定部
20b 露光制御部
20c 記憶部
201 露光回数カウント部
202 露光時間演算部
204 露光時間テーブル
203 テーブル参照部
21 登録部
M マスク
W 帯状ワーク
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Unwinding roll 2 Winding roll 3 Exposure part 4 Light irradiation part 4a Lamp 4b Condensing mirror 5 Projection lens 6 Shutter mechanism 6a Shutter plate 6b Shutter plate drive mechanism 10
Claims (4)
一巻の帯状ワークの各露光領域を順次露光するに際し、該帯状ワークに塗布したレジストの経時的な感度変化に合わせて、露光時間を変化させる
ことを特徴とする露光方法。 In an exposure method of irradiating a plurality of exposure areas formed on a strip-shaped workpiece with exposure light through a mask and exposing a pattern formed on the mask onto the workpiece,
An exposure method characterized by changing the exposure time in accordance with a change in sensitivity over time of a resist applied to the belt-like workpiece when sequentially exposing each exposure region of the roll-like workpiece.
ことを特徴とする請求項1に記載の露光方法。 A decrease or increase amount Δt of the exposure time per exposure is obtained from the exposure time of one exposure area and the sensitivity change characteristic of the resist sensitivity with time, and the exposure starts with this decrease amount or increase amount Δt. 2. The exposure method according to claim 1, wherein an exposure time for each exposure region is determined based on an elapsed time from the start.
パターンが形成されたマスクを支持するマスクステージと、
パターンが露光される帯状のワークを保持するワークステージと、
帯状ワークの各露光領域の露光を制御する制御部を備えた帯状ワークの露光装置であって、
上記制御部は、露光回数をカウントするカウント部と、各露光領域の露光時間を設定する露光時間設定部とを備え、
該露光時間設定部は、上記カウント部のカウント値に基づき、各露光領域の露光時間を求め、
上記制御部は、上記露光時間設定部により求められた露光時間に応じて、上記シャッタ駆動機構を制御して、シャッタの挿入退避時間を制御する
ことを特徴とする帯状ワークの露光装置 A light irradiation unit provided with a light source that emits exposure light, and a shutter mechanism that inserts and retracts a shutter into the optical path of light from the light source;
A mask stage that supports the mask on which the pattern is formed;
A work stage for holding a strip-shaped work on which a pattern is exposed;
An exposure apparatus for a strip-shaped workpiece provided with a control unit for controlling exposure of each exposure area of the strip-shaped workpiece,
The control unit includes a counting unit that counts the number of exposures, and an exposure time setting unit that sets an exposure time of each exposure region,
The exposure time setting unit obtains the exposure time of each exposure region based on the count value of the count unit,
The strip-shaped workpiece exposure apparatus, wherein the control unit controls the shutter drive mechanism in accordance with the exposure time obtained by the exposure time setting unit to control the insertion / retraction time of the shutter.
ことを特徴とする請求項3に記載の帯状ワークの露光装置。 The exposure time setting unit sets the exposure time for one exposure area, the amount of decrease or increase Δt in exposure time obtained from the sensitivity change characteristic of resist sensitivity with time, and each exposure area. 4. The exposure time of each exposure area is obtained based on a time required for exposure, a count value n in a counting unit for counting the number of exposures, and a preset number N of exposure areas. The strip-shaped workpiece exposure apparatus described.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010089333A JP2011221225A (en) | 2010-04-08 | 2010-04-08 | Exposure method and exposure device |
TW100105644A TW201137538A (en) | 2010-04-08 | 2011-02-21 | Exposure method and exposure apparatus |
KR1020110031277A KR20110113142A (en) | 2010-04-08 | 2011-04-05 | Exposure apparatus and exposure method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010089333A JP2011221225A (en) | 2010-04-08 | 2010-04-08 | Exposure method and exposure device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011221225A true JP2011221225A (en) | 2011-11-04 |
Family
ID=45028589
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010089333A Pending JP2011221225A (en) | 2010-04-08 | 2010-04-08 | Exposure method and exposure device |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011221225A (en) |
KR (1) | KR20110113142A (en) |
TW (1) | TW201137538A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015222370A (en) * | 2014-05-23 | 2015-12-10 | 株式会社オーク製作所 | Exposure apparatus |
JPWO2019159736A1 (en) * | 2018-02-16 | 2021-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | Board processing equipment |
-
2010
- 2010-04-08 JP JP2010089333A patent/JP2011221225A/en active Pending
-
2011
- 2011-02-21 TW TW100105644A patent/TW201137538A/en unknown
- 2011-04-05 KR KR1020110031277A patent/KR20110113142A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015222370A (en) * | 2014-05-23 | 2015-12-10 | 株式会社オーク製作所 | Exposure apparatus |
JPWO2019159736A1 (en) * | 2018-02-16 | 2021-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | Board processing equipment |
JP7117366B2 (en) | 2018-02-16 | 2022-08-12 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing equipment |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201137538A (en) | 2011-11-01 |
KR20110113142A (en) | 2011-10-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105093861B (en) | Exposure device | |
JP4542495B2 (en) | Projection exposure apparatus and projection exposure method | |
TWI381252B (en) | A focal length adjustment method for an exposure apparatus of a belt-like workpiece and an exposure apparatus for a belt-like workpiece | |
JP5382456B2 (en) | Exposure method and exposure apparatus | |
JP2012254842A (en) | Take-up device for belt-like workpiece, and aligner including the take-up device | |
JP2011221225A (en) | Exposure method and exposure device | |
JP3376935B2 (en) | Exposure equipment for strip-shaped workpieces | |
JP3204137B2 (en) | Projection exposure equipment for strip-shaped workpieces | |
JP2000347425A (en) | Exposure device executing alignment by moving mask | |
TW200832078A (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
JPH03242651A (en) | Exposing device | |
KR102080119B1 (en) | Exposure apparatus and method of manufacturing article | |
JP2682002B2 (en) | Exposure apparatus alignment method and apparatus | |
JP2005274670A (en) | Exposure device for beltlike work | |
TWI772549B (en) | Double-side exposure device and double-side exposure method | |
JP3846957B2 (en) | Printed circuit board direct drawing device | |
JPH09274520A (en) | Method and device for conveying/positioning band-shaped work | |
JP2657974B2 (en) | Film exposure equipment | |
JP2795981B2 (en) | Film exposure equipment | |
JP2657973B2 (en) | Manufacturing method of film circuit board | |
JPH03289662A (en) | Device and method for film exposure | |
JP3204139B2 (en) | Projection exposure equipment for strip-shaped workpieces | |
JP2720409B2 (en) | Exposure method and exposure apparatus | |
JP2782608B2 (en) | Film exposure equipment | |
JP2007193154A (en) | Exposure device, exposure method and method for producing display panel substrate |