JP2011216554A - Semiconductor device, layout method of semiconductor device, and program - Google Patents

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JP2011216554A JP2010081233A JP2010081233A JP2011216554A JP 2011216554 A JP2011216554 A JP 2011216554A JP 2010081233 A JP2010081233 A JP 2010081233A JP 2010081233 A JP2010081233 A JP 2010081233A JP 2011216554 A JP2011216554 A JP 2011216554A
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Norio Nakano
紀夫 中野
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an accurate and a fuss-free method for improving the visibility of a boundary of characteristic evaluation elements which are aligned at equal intervals, preventing work operation mistakes, determining positions of elements in measurement by manual probing, and probing by automatic probing using a layout coordinate.SOLUTION: If one scribe TEG is an MOSFET, it includes: an evaluation element 3; four electrode terminals 4a, 4b, 4c, and 4d; and wiring 5 electrically connecting the evaluation element and the electrode terminals, and if it is a resistor, it includes an evaluation element, two electrode terminals, and the wiring 5 electrically connecting the evaluation element 3 and the electrode terminal. The variously sized electrode terminals are aligned at different magnitudes at equal pitches. A wiring dummy is disposed at each wiring layer at a scribe region 2 so as to avoid a region wherein the evaluation element, the electrode terminals, and the wiring electrically connecting the evaluation element and the electrode terminal of the scribe TEG exist.

Description

本発明は半導体装置に関し、特に、素子特性評価用の回路であるTEG(Test Element Group)に設けられた電極端子の形状に関する。   The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to the shape of an electrode terminal provided in a TEG (Test Element Group) which is a circuit for evaluating element characteristics.

半導体装置は、半導体基板にトランジスタ、抵抗、コンデンサ等の多数の回路素子を形成し、要求される回路動作や機能を果たすように、各回路素子間を結線して構成される。要求される回路動作や機能を果たすためには、その製造段階でトランジスタ、抵抗、コンデンサ等が要求通りの特性であるかを検査し評価する必要がある。検査に必要な評価素子数は、半導体装置の微細化、多層配線化、高機能化に伴い増加している。   A semiconductor device is formed by forming a large number of circuit elements such as transistors, resistors, and capacitors on a semiconductor substrate, and connecting the circuit elements so as to perform required circuit operations and functions. In order to perform the required circuit operation and function, it is necessary to inspect and evaluate whether the transistors, resistors, capacitors, and the like have the required characteristics at the manufacturing stage. The number of evaluation elements necessary for inspection is increasing as semiconductor devices are miniaturized, multilayered, and highly functional.

そのため、微小な半導体装置に多数の評価素子を詰め込んで配置することになる。その結果、作業ミスの発生や、マニュアルプロービングによる測定において評価素子の位置の判断や、配置座標を用いた自動プロービングでのプロービングが正しく行われているかのチェックに手間と時間がかかる問題がある。したがって、容易に評価素子の位置を判断する手法が望まれている。   Therefore, a large number of evaluation elements are packed and arranged in a minute semiconductor device. As a result, there is a problem that it takes time and effort to generate an operation error, to determine the position of the evaluation element in the measurement by manual probing, and to check whether the probing by the automatic probing using the arrangement coordinates is correctly performed. Therefore, a method for easily determining the position of the evaluation element is desired.

図1は、従来技術の構成に関わるスクライブ領域の一部を拡大して模式的に示す平面図である。図2は、図1のスクライブTEG(Test Element Group)が配置されているスクライブ領域の一部を拡大して模式的に示す平面図である。図1と図2で同一の部分は同じ番号を附してその説明は省略する。なお、TEGは、LSI(Large Scale Integration)に発生する設計上や製造上の問題を見つけ出すための評価用素子である。   FIG. 1 is a plan view schematically showing an enlarged part of a scribe region related to the configuration of the prior art. FIG. 2 is a plan view schematically showing an enlarged part of a scribe region where a scribe TEG (Test Element Group) shown in FIG. 1 is arranged. The same parts in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted. The TEG is an evaluation element for finding a design or manufacturing problem that occurs in an LSI (Large Scale Integration).

LSIチップ1は、ウエハ(wafer)面上に格子状に形成され、LSIチップ1の周辺にはチップを切断するためのスクライブ領域2が形成されている。スクライブ領域2には、スクライブTEGの評価素子3と、スクライブTEGの電極端子4が形成されている。   The LSI chip 1 is formed in a lattice shape on a wafer surface, and a scribe region 2 for cutting the chip is formed around the LSI chip 1. A scribing TEG evaluation element 3 and a scribing TEG electrode terminal 4 are formed in the scribe region 2.

1つのスクライブTEGは、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)であれば、評価素子3と、4個の電極端子4a、4b、4c、4dと、評価素子3と電極端子4a、4b、4c、4dを電気的に接続する配線5を備える。また、抵抗体であれば、評価素子3と、2個の電極端子4a、4bと、評価素子3と電極端子4a、4bを電気的に接続する配線5を備える。   If one scribe TEG is a MOSFET (Metal Oxide Field Effect Effect Transistor), the evaluation element 3, the four electrode terminals 4a, 4b, 4c, 4d, the evaluation element 3, and the electrode terminals 4a, 4b, 4c, A wiring 5 for electrically connecting 4d is provided. Moreover, if it is a resistor, the evaluation element 3, the two electrode terminals 4a and 4b, and the wiring 5 that electrically connects the evaluation element 3 and the electrode terminals 4a and 4b are provided.

電極端子4a、4b、4c、4dは、同じ大きさ/形状で(均一な大きさ/形状で)、等ピッチに並んでいる。図1では図示を省略しているが、図2に示すように、スクライブ領域2には、スクライブTEGの評価素子3と、スクライブTEGの電極端子4a、4b、4c、4dと、スクライブTEGの評価素子3とスクライブTEGの電極端子を接続する配線5が存在する領域を避けるようにして、配線層毎に配線ダミー6が配置されている。   The electrode terminals 4a, 4b, 4c, and 4d have the same size / shape (uniform size / shape) and are arranged at an equal pitch. Although not shown in FIG. 1, as shown in FIG. 2, the scribe region 2 includes an evaluation element 3 for the scribe TEG, electrode terminals 4a, 4b, 4c, and 4d of the scribe TEG, and an evaluation of the scribe TEG. A wiring dummy 6 is arranged for each wiring layer so as to avoid a region where the wiring 5 connecting the element 3 and the electrode terminal of the scribe TEG exists.

従来の方法で構成されたスクライブTEGでは、スクライブTEGの境界が判別しにくいため、測定ミスを引き起こしやすくなる。視認性を向上させようと電極端子近傍に認識用の文字を付加した場合は、スクライブTEGの配置面積増加をもたらす。   In the scribe TEG configured by the conventional method, it is difficult to determine the boundary of the scribe TEG, so that a measurement error is likely to occur. When a character for recognition is added in the vicinity of the electrode terminal so as to improve the visibility, the arrangement area of the scribe TEG is increased.

判別しにくい理由は、以下の理由による。
1.同じ大きさ/形状の電極端子の繰り返しのため。
2.配線ダミーが配置されており評価素子や電極端子を電気的に接続している配線が見えにくい。
3.電極端子と評価素子が離れている。
The reason why it is difficult to distinguish is as follows.
1. For repeated electrode terminals of the same size / shape.
2. Wiring dummy is arranged, and it is difficult to see the wiring that electrically connects the evaluation element and the electrode terminal.
3. The electrode terminal and the evaluation element are separated.

関連する技術として、特開2006−339548号公報(特許文献1)に半導体装置が開示されている。この半導体装置は、半導体素子からなる内部回路が集積して形成されたLSIチップと、LSIチップ周辺のスクライブ領域上に形成され、評価素子と電極端子が形成されたスクライブTEGとを備える。そして、スクライブTEGの評価素子の少なくとも一つとスクライブTEGの電極端子とが、それぞれスクライブ領域内の異なる領域に分離して形成され、互いに電気的に接続されている。   As a related technique, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2006-339548 (Patent Document 1) discloses a semiconductor device. This semiconductor device includes an LSI chip formed by integrating internal circuits made of semiconductor elements, and a scribe TEG formed on a scribe region around the LSI chip and formed with an evaluation element and electrode terminals. At least one of the evaluation elements of the scribe TEG and the electrode terminal of the scribe TEG are formed separately in different regions in the scribe region, and are electrically connected to each other.

特開2006−339548号公報JP 2006-339548 A

本発明の課題は、特性評価素子の電極端子を等ピッチのまま大きさ/形状を不均一にした半導体装置を提供することである。   An object of the present invention is to provide a semiconductor device in which the electrode terminals of the characteristic evaluation element are nonuniform in size / shape while maintaining an equal pitch.

本発明の半導体装置は、TEG(Test Element Group)に設けられた評価素子と、TEGに設けられた複数の電極端子と、評価素子と複数の電極端子の各々とを電気的に接続する配線とを具備する。各電極端子は、それぞれ異なる形状で等ピッチに並んでいる。   The semiconductor device of the present invention includes an evaluation element provided in a TEG (Test Element Group), a plurality of electrode terminals provided in the TEG, and a wiring that electrically connects each of the evaluation element and each of the plurality of electrode terminals. It comprises. The electrode terminals are arranged in a different shape and at equal pitches.

本発明の半導体装置のレイアウト方法は、計算機により実施される。この半導体装置のレイアウト方法では、TEGに評価素子を設ける。また、TEGに複数の電極端子を設ける。また、評価素子と複数の電極端子の各々とを電気的に接続する配線を設ける。このとき、各電極端子を、それぞれ異なる形状で等ピッチに並べる。   The semiconductor device layout method of the present invention is implemented by a computer. In this semiconductor device layout method, an evaluation element is provided in the TEG. A plurality of electrode terminals are provided on the TEG. Further, a wiring for electrically connecting the evaluation element and each of the plurality of electrode terminals is provided. At this time, the electrode terminals are arranged at equal pitches in different shapes.

本発明のプログラムは、TEGに評価素子を設けるステップと、TEGに複数の電極端子を設けるステップと、評価素子と複数の電極端子の各々とを電気的に接続する配線を設けるステップと、各電極端子を、それぞれ異なる形状で等ピッチに並べるステップとを計算機に実行させるためのプログラムである。なお、このプログラムは、記憶装置や記憶媒体(メディア)に格納することが可能である。   The program of the present invention includes a step of providing an evaluation element in the TEG, a step of providing a plurality of electrode terminals in the TEG, a step of providing wiring for electrically connecting the evaluation element and each of the plurality of electrode terminals, This is a program for causing a computer to execute a step of arranging terminals at equal pitches in different shapes. The program can be stored in a storage device or a storage medium (media).

等ピッチに並んだ特性評価素子の境界の視認性が向上し、マニュアルプロービングによる測定において評価素子の位置の判断や、配置座標を用いた自動プロービングでのプロービングが正しく行われているかのチェックに手間や時間が掛かるという課題を解決できる。   The visibility of the boundaries of characteristic evaluation elements arranged at equal pitch has been improved, and it has been troublesome to determine the position of evaluation elements in manual probing and to check whether probing is performed correctly using automatic probing using the arrangement coordinates. And solve the problem of taking time.

従来技術の平面図である。It is a top view of a prior art. 従来技術の平面図である。It is a top view of a prior art. 本発明の第1実施形態による平面図である。It is a top view by a 1st embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態による平面図である。It is a top view by a 1st embodiment of the present invention. 本発明の第2実施形態による平面図である。It is a top view by a 2nd embodiment of the present invention. 本発明の第2実施形態による平面図である。It is a top view by a 2nd embodiment of the present invention. 本発明に係る計算機の構成例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structural example of the computer which concerns on this invention. 本発明に係るプログラム実行処理のフローチャートである。It is a flowchart of the program execution process which concerns on this invention.

<第1実施形態>
以下に、本発明の第1実施形態について添付図面を参照して説明する。
図3は、本実施形態に関わるスクライブ領域の一部を拡大して模式的に示す平面図である。図4は、図3のスクライブTEG(Test Element Group)が配置されているスクライブ領域の一部を拡大して模式的に示す平面図である。従来例を示す図1および図2と同一の部分は同じ番号を附してその説明は省略する。図3と図4で同一の部分は同じ番号を附してその説明は省略する。
<First Embodiment>
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
FIG. 3 is a plan view schematically showing an enlarged part of the scribe area according to the present embodiment. FIG. 4 is a plan view schematically showing an enlarged part of a scribe region where the scribe TEG (Test Element Group) of FIG. 3 is arranged. Parts identical to those in FIGS. 1 and 2 showing the conventional example are given the same reference numerals, and the description thereof is omitted. 3 and 4 are given the same reference numerals, and description thereof is omitted.

本実施形態における1つのスクライブTEGは、MOSFETであれば、評価素子3と、4個の電極端子7a、7b、7c、7dと、評価素子3と電極端子7a、7b、7c、7dを電気的に接続する配線5を備える。また、抵抗体であれば、評価素子3と、2個の電極端子7a、7bと、評価素子3と電極端子7a、7bを電気的に接続する配線5を備える。   If one scribe TEG in the present embodiment is a MOSFET, the evaluation element 3, the four electrode terminals 7a, 7b, 7c, and 7d, and the evaluation element 3 and the electrode terminals 7a, 7b, 7c, and 7d are electrically connected. Wiring 5 connected to is provided. In the case of a resistor, the evaluation element 3, the two electrode terminals 7 a and 7 b, and the wiring 5 that electrically connects the evaluation element 3 and the electrode terminals 7 a and 7 b are provided.

電極端子7a、7b、7c、7dは、異なる大きさ/形状で(不均一な大きさ/形状で)、等ピッチに並んでいる。プロービングの安定性を確保するために電極端子の1辺の長さは40um以上を必要とする。図では、電極端子は矩形で示しているが、六角形等の多角形や円形の形状でも良い。図3では図示を省略しているが、図4に示すように、スクライブ領域2には、スクライブTEGの評価素子3と、スクライブTEGの電極端子7a、7b、7c、7dと、スクライブTEGの評価素子3とスクライブTEGの電極端子を接続する配線5が存在する領域を避けるようにして、配線層毎に配線ダミー6が配置されている。   The electrode terminals 7a, 7b, 7c, and 7d have different sizes / shapes (non-uniform sizes / shapes) and are arranged at an equal pitch. In order to ensure the stability of probing, the length of one side of the electrode terminal needs to be 40 μm or more. In the figure, the electrode terminal is shown as a rectangle, but it may be a polygon such as a hexagon or a circle. Although not shown in FIG. 3, as shown in FIG. 4, the scribe region 2 includes an evaluation element 3 for the scribe TEG, electrode terminals 7a, 7b, 7c, and 7d for the scribe TEG, and an evaluation of the scribe TEG. A wiring dummy 6 is arranged for each wiring layer so as to avoid a region where the wiring 5 connecting the element 3 and the electrode terminal of the scribe TEG exists.

マニュアルプロービングによる測定における素子の位置の判断や、配置座標を用いた自動プロービングでのプロービングが正しく行われているかのチェックでは、配置位置を記した図面と比較して目的の評価素子の位置を認識する。   In the determination of the position of the element in the measurement by manual probing and the check of whether the probing by the automatic probing using the arrangement coordinates is correctly performed, the position of the target evaluation element is recognized by comparing with the drawing showing the arrangement position. To do.

目的の評価素子の位置を認識するには、本発明の第1実施形態の特徴である異なる大きさ/形状の電極端子の大きさで評価素子境界をパターン認識し位置を判断する。   In order to recognize the position of the target evaluation element, the boundary of the evaluation element is pattern-recognized by the size of the electrode terminals having different sizes / shapes, which is a feature of the first embodiment of the present invention, and the position is determined.

従来は、電極端子の大きさが一定である、配線ダミーにより評価素子や接続配線が隠れている、電極端子と評価素子が離れている、などの理由により、スクライブTEG間の境界が判別しづらかった。このことにより、電極端子を1端子ずれた状態でプロービングするような作業ミスを起こしやすかった。   Conventionally, the boundary between the scribe TEGs has been difficult to distinguish because the size of the electrode terminal is constant, the evaluation element or the connection wiring is hidden by the wiring dummy, or the electrode terminal is separated from the evaluation element. It was. As a result, it was easy to cause an operation error such as probing with the electrode terminal shifted by one terminal.

自動プロービングでのプロービングが正しく行われているかのチェックでも1端子ずれた状態をチェックしにくかった。   It was difficult to check the state where one terminal was shifted in checking whether the probing in the automatic probing was performed correctly.

認識文字、認識記号のパターンをスクライブTEG近傍に配置することでも境界は判別可能だが、この方法ではTEGパターンの面積の増大を招くことになる。   Although the boundary can be determined by arranging the pattern of the recognition character and the recognition symbol in the vicinity of the scribe TEG, this method causes an increase in the area of the TEG pattern.

これらの問題を解決するために図3および図4で示すようにMOSFETであれば大きさ/形状の異なる電極端子7a、7b、7c、7dを用い、抵抗体であれば電極端子7a、7bを用いることで容易に境界を判別することが出来る。ひいては作業ミスの防止、プロービング状態のチェック時間の短縮を図ることが可能になる。   In order to solve these problems, as shown in FIG. 3 and FIG. 4, electrode terminals 7 a, 7 b, 7 c, and 7 d having different sizes / shapes are used for MOSFETs, and electrode terminals 7 a and 7 b are used for resistors. By using it, the boundary can be easily distinguished. As a result, it is possible to prevent work mistakes and shorten the probing state check time.

<第2実施形態>
以下に、本発明の第2実施形態について添付図面を参照して説明する。
図5は、本実施形態を模式的に示す平面図である。図6は、図5の一部を拡大して模式的に示す平面図である。本発明の第1実施形態と同一の部分は同じ番号を附してその説明は省略する。
Second Embodiment
Below, 2nd Embodiment of this invention is described with reference to an accompanying drawing.
FIG. 5 is a plan view schematically showing this embodiment. FIG. 6 is a plan view schematically showing an enlarged part of FIG. The same parts as those of the first embodiment of the present invention are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

本実施形態における1つのスクライブTEGは、MOSFETであれば、評価素子3と、4個の電極端子7a、7b、7c、7dと、評価素子3と電極端子7a、7b、7c、7dを電気的に接続する配線5を備える。また、抵抗体であれば、評価素子3と、2個の電極端子7a、7bと、評価素子3と電極端子7a、7bを電気的に接続する配線5を備える。   If one scribe TEG in the present embodiment is a MOSFET, the evaluation element 3, the four electrode terminals 7a, 7b, 7c, and 7d, and the evaluation element 3 and the electrode terminals 7a, 7b, 7c, and 7d are electrically connected. Wiring 5 connected to is provided. In the case of a resistor, the evaluation element 3, the two electrode terminals 7 a and 7 b, and the wiring 5 that electrically connects the evaluation element 3 and the electrode terminals 7 a and 7 b are provided.

電極端子7a、7b、7c、7dは、異なる大きさ/形状で(不均一な大きさ/形状で)、等ピッチに並んでいる。プロービングの安定性を確保するために電極端子の1辺の長さは40um以上を必要とする。図では電極端子は矩形で示しているが、六角形等の多角形や円形の形状でも良い。図5では図示を省略しているが、図6に示すように、スクライブ領域2には、スクライブTEGの評価素子3と、スクライブTEGの電極端子7a、7b、7c、7dと、スクライブTEGの評価素子3とスクライブTEGの電極端子を接続する配線5が存在する領域を避けるようにして、配線層毎に配線ダミー6が配置されている。   The electrode terminals 7a, 7b, 7c, and 7d have different sizes / shapes (non-uniform sizes / shapes) and are arranged at an equal pitch. In order to ensure the stability of probing, the length of one side of the electrode terminal needs to be 40 μm or more. In the figure, the electrode terminal is shown as a rectangle, but it may be a polygon such as a hexagon or a circle. Although not shown in FIG. 5, as shown in FIG. 6, the scribing region 2 includes the scribing TEG evaluation element 3, the scribing TEG electrode terminals 7 a, 7 b, 7 c and 7 d, and the scribing TEG evaluation. A wiring dummy 6 is arranged for each wiring layer so as to avoid a region where the wiring 5 connecting the element 3 and the electrode terminal of the scribe TEG exists.

動作、及び、問題点が解決される理由は、本発明の第1実施形態と同様である。   The reason why the operation and the problem are solved is the same as in the first embodiment of the present invention.

本発明の第1実施形態では、TEGは1列に並んでいるだけであり上下の境界の判断に関わる改良であったが、本発明の第2実施形態では、TEGはアレイ状に並んでおり上下左右のTEG境界の判断を容易にするための改良を示すものである。   In the first embodiment of the present invention, the TEGs are only arranged in a row and are improvements related to the determination of the upper and lower boundaries. In the second embodiment of the present invention, the TEGs are arranged in an array. An improvement for facilitating the determination of the upper, lower, left, and right TEG boundaries is shown.

なお、上記の各実施形態は、組み合わせて実施することも可能である。   Note that the above embodiments can be implemented in combination.

<半導体装置のレイアウト設計、製造>
本発明の各実施形態における半導体装置のレイアウトを、計算機により設計することが考えられる。このような計算機の例として、PC(パソコン)、シンクライアントサーバ、ワークステーション、メインフレーム、スーパーコンピュータ等が考えられる。但し、実際には、これらの例に限定されない。
<Layout design and manufacturing of semiconductor devices>
It is conceivable to design the layout of the semiconductor device in each embodiment of the present invention by a computer. As an example of such a computer, a PC (personal computer), a thin client server, a workstation, a mainframe, a supercomputer, and the like can be considered. However, actually, it is not limited to these examples.

ここでは、計算機によるレイアウト設計を、本発明の半導体装置のレイアウト方法とする。また、計算機に本発明の半導体装置のレイアウト方法を実施させるために、本発明の半導体装置のレイアウト用のプログラムを実行させる場合も考えられる。なお、実際には、レイアウト方法に限らず、当該レイアウトに基づく半導体の製造方法であっても良い。   Here, the layout design by the computer is the layout method of the semiconductor device of the present invention. In addition, in order to cause a computer to execute the semiconductor device layout method of the present invention, a case of executing a semiconductor device layout program of the present invention may be considered. Actually, not only the layout method but also a semiconductor manufacturing method based on the layout may be used.

<計算機のハードウェア構成>
図7に、上記のような計算機の構成例を示す。上記のような計算機100は、処理装置101と、主記憶装置102と、二次記憶装置103と、記憶媒体挿入口104と、ネットワークインタフェース105を備える。計算機100がプログラム150を既に保持しており外部から取得する必要がない場合、記憶媒体挿入口104及びネットワークインタフェース105は無くても良い。プログラム150は、計算機100に本発明の半導体装置のレイアウト方法(又はレイアウトに基づく半導体の製造方法)を実施させるための計算機読み取り可能なプログラムである。ここでは、処理装置101、主記憶装置102、二次記憶装置103、記憶媒体挿入口104、及びネットワークインタフェース105は、互いにデータバスで接続されているものとする。なお、特に図示しないが、実際には、計算機100は、更に、入力装置や表示装置等を備えていても良い。
<Hardware configuration of computer>
FIG. 7 shows a configuration example of the computer as described above. The computer 100 as described above includes a processing device 101, a main storage device 102, a secondary storage device 103, a storage medium insertion port 104, and a network interface 105. If the computer 100 already holds the program 150 and does not need to be acquired from the outside, the storage medium insertion port 104 and the network interface 105 may be omitted. The program 150 is a computer-readable program for causing the computer 100 to perform the semiconductor device layout method (or the semiconductor manufacturing method based on the layout) of the present invention. Here, it is assumed that the processing device 101, the main storage device 102, the secondary storage device 103, the storage medium insertion port 104, and the network interface 105 are connected to each other via a data bus. Although not particularly illustrated, in practice, the computer 100 may further include an input device, a display device, and the like.

処理装置101は、プログラム150を読み取り、実際にプログラム150を実行する。処理装置101の例として、CPU(Central Processing Unit)、マイクロプロセッサ(microprocessor)、マイクロコントローラ、或いは、同様の機能を有する半導体集積回路(Integrated Circuit(IC))等が考えられる。但し、実際には、これらの例に限定されない。   The processing apparatus 101 reads the program 150 and actually executes the program 150. As an example of the processing apparatus 101, a CPU (Central Processing Unit), a microprocessor (microprocessor), a microcontroller, or a semiconductor integrated circuit (Integrated Circuit (IC)) having a similar function can be considered. However, actually, it is not limited to these examples.

主記憶装置102は、処理装置101が実際にプログラム150を実行している時、プログラム150や処理中のデータを一時的に記憶する。主記憶装置102の例として、RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)、EEPROM(Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory)、フラッシュメモリ、又はこれらの組み合わせ等が考えられる。但し、実際には、これらの例に限定されない。   The main storage device 102 temporarily stores the program 150 and data being processed when the processing device 101 is actually executing the program 150. Examples of the main storage device 102 include a RAM (Random Access Memory), a ROM (Read Only Memory), an EEPROM (Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory), a flash memory, or a combination thereof. However, actually, it is not limited to these examples.

二次記憶装置103は、プログラム150を記憶し、処理装置101にプログラム150を提供する。ここでは、二次記憶装置103は、プログラム150、処理に使用するデータ、及び処理結果のデータを記憶する。なお、処理装置101が記憶媒体200から直接プログラム150をロードし、主記憶装置102にプログラム150を一時的に記憶して使用する場合、二次記憶装置103は、プログラム150を記憶しなくても良い。二次記憶装置103の例として、HDD(Hard Disk Drive)やSSD(Solid State Drive)等が考えられる。二次記憶装置103は、必ずしも計算機100に内蔵されていなくても良い。例えば、二次記憶装置103は、周辺機器(外付けHDD等)でも良い。但し、実際には、これらの例に限定されない。   The secondary storage device 103 stores the program 150 and provides the processing device 101 with the program 150. Here, the secondary storage device 103 stores a program 150, data used for processing, and processing result data. When the processing device 101 loads the program 150 directly from the storage medium 200 and temporarily stores the program 150 in the main storage device 102, the secondary storage device 103 does not need to store the program 150. good. Examples of the secondary storage device 103 include an HDD (Hard Disk Drive) and an SSD (Solid State Drive). The secondary storage device 103 is not necessarily built in the computer 100. For example, the secondary storage device 103 may be a peripheral device (such as an external HDD). However, actually, it is not limited to these examples.

計算機が記憶媒体からプログラムを取得する場合、計算機100は、記憶媒体挿入口104を介して、記憶媒体200を読み取る。記憶媒体200は、プログラム150を格納している記憶媒体である。記憶媒体200の例として、DVD(Digital Versatile Disk)、USBメモリ(Universal Serial Bus memory)、SDカード(Secure Digital memory card)、或いは他のメモリカード等が考えられる。なお、記憶媒体200は、USBケーブル等を介して計算機に接続される電子装置でも良い。本質的に同じだからである。但し、実際には、これらの例に限定されない。   When the computer acquires a program from the storage medium, the computer 100 reads the storage medium 200 via the storage medium insertion port 104. The storage medium 200 is a storage medium that stores the program 150. Examples of the storage medium 200 include a DVD (Digital Versatile Disk), a USB memory (Universal Serial Bus memory), an SD card (Secure Digital memory card), and other memory cards. The storage medium 200 may be an electronic device connected to a computer via a USB cable or the like. Because it is essentially the same. However, actually, it is not limited to these examples.

記憶媒体挿入口104は、記憶媒体200を配置することで、記憶媒体200を読み取るための挿入口である。ここでは、記憶媒体挿入口104は、記憶媒体200が配置された際に、記憶媒体200に格納されたプログラム150を読み取る。記憶媒体挿入口104の例として、DVD駆動装置(DVDドライブ)、USBポート、SDカードスロット、USB以外の規格に準拠した各種ケーブルを差し込む接続口(コネクタ)等が考えられる。但し、実際には、これらの例に限定されない。   The storage medium insertion port 104 is an insertion port for reading the storage medium 200 by arranging the storage medium 200. Here, the storage medium insertion port 104 reads the program 150 stored in the storage medium 200 when the storage medium 200 is arranged. Examples of the storage medium insertion port 104 include a DVD drive (DVD drive), a USB port, an SD card slot, and a connection port (connector) into which various cables compliant with standards other than USB are inserted. However, actually, it is not limited to these examples.

また、計算機がネットワークを介してプログラムを取得する場合、計算機100は、ネットワークインタフェース105を介して、外部記憶装置300と通信する。外部記憶装置300は、プログラム150を格納している外部記憶装置である。外部記憶装置300の例として、外部のサーバ(Webサーバ、ファイルサーバ等)、DAS(Direct Attached Storage)、FC−SAN(Fibre Channel − Storage Area Network)、NAS(Network Attached Storage)、IP−SAN(IP − Storage Area Network)等が考えられる。但し、実際には、これらの例に限定されない。   When the computer acquires a program via a network, the computer 100 communicates with the external storage device 300 via the network interface 105. The external storage device 300 is an external storage device that stores the program 150. Examples of the external storage device 300 include an external server (Web server, file server, etc.), DAS (Direct Attached Storage), FC-SAN (Fibre Channel-Storage Area Network), NAS (Network Attached Storage), IP-Storage (IP-Storage). IP-Storage Area Network) is conceivable. However, actually, it is not limited to these examples.

ネットワークインタフェース105は、ネットワークを介して、外部記憶装置300と通信する。また、計算機100が他の端末から半導体装置のレイアウト設計等の要求を受け取るサーバである場合、ネットワークインタフェース105は、ネットワークを介して、他の端末から必要なデータを受信し、レイアウトデータ等の処理結果を返信する。ネットワークインタフェース105の例として、NIC(Network Interface Card)等のネットワークアダプタや、アンテナ等の通信装置、接続口(コネクタ)等の通信ポート等が考えられる。また、ネットワークの例として、インターネット、LAN(Local Area Network)、無線LAN(Wireless LAN)、バックボーン(Backbone)、ケーブルテレビ(CATV)回線、固定電話網、携帯電話網、専用線(lease line)、IrDA(Infrared Data Association)、Bluetooth(登録商標)、シリアル通信回線等が考えられる。但し、実際には、これらの例に限定されない。   The network interface 105 communicates with the external storage device 300 via the network. When the computer 100 is a server that receives a request for layout design of a semiconductor device from another terminal, the network interface 105 receives necessary data from the other terminal via the network, and processes layout data and the like. Reply the result. Examples of the network interface 105 include a network adapter such as a NIC (Network Interface Card), a communication device such as an antenna, and a communication port such as a connection port (connector). Examples of the network include the Internet, a LAN (Local Area Network), a wireless LAN (Wireless LAN), a backbone (Backbone), a cable TV (CATV) line, a fixed telephone network, a mobile phone network, a leased line (lease line), IrDA (Infrared Data Association), Bluetooth (registered trademark), a serial communication line, and the like are conceivable. However, actually, it is not limited to these examples.

<プログラム実行による処理>
図8に、上記のような計算機が本発明の半導体装置のレイアウト方法(又はレイアウトに基づく半導体の製造方法)を実施させるための計算機読み取り可能なプログラムを実行した時の動作を示す。
<Processing by program execution>
FIG. 8 shows an operation when the computer as described above executes a computer-readable program for causing the semiconductor device layout method (or the semiconductor manufacturing method based on the layout) of the present invention to be executed.

(1)ステップS1
計算機100において、処理装置101は、プログラム150を読み取り、プログラム150を実行する。
(1) Step S1
In the computer 100, the processing device 101 reads the program 150 and executes the program 150.

(2)ステップS2
処理装置101は、プログラム150に従い、TEG(Test Element Group)に評価素子を設ける。
(2) Step S2
The processing apparatus 101 provides an evaluation element in a TEG (Test Element Group) according to the program 150.

(3)ステップS3
処理装置101は、プログラム150に従い、TEGに複数の電極端子を設ける。このとき、処理装置101は、各電極端子をそれぞれ異なる形状で等ピッチに並べる。或いは、各電極端子をそれぞれ異なる大きさで等ピッチに並べる。各電極端子の形状を矩形に統一して、各電極端子をそれぞれ異なる大きさで等ピッチに並べる場合、電極端子の1辺の長さを、40um以上とする。プロービングの安定性を確保するために電極端子の1辺の長さは40um以上を必要とするためである。
(3) Step S3
The processing apparatus 101 provides a plurality of electrode terminals in the TEG according to the program 150. At this time, the processing apparatus 101 arranges the electrode terminals in different shapes and at equal pitches. Alternatively, the electrode terminals are arranged at equal pitches with different sizes. When the shape of each electrode terminal is unified into a rectangle and the electrode terminals are arranged at equal pitches with different sizes, the length of one side of the electrode terminal is set to 40 μm or more. This is because the length of one side of the electrode terminal needs to be 40 μm or more in order to ensure the stability of probing.

(4)ステップS4
処理装置101は、プログラム150に従い、評価素子と複数の電極端子の各々とを電気的に接続する配線を設ける。
(4) Step S4
The processing apparatus 101 provides wiring for electrically connecting the evaluation element and each of the plurality of electrode terminals according to the program 150.

(5)ステップS5
処理装置101は、プログラム150に従い、上記のように設計されたTEGを、半導体装置上に配置する。ここでは、処理装置101は、半導体装置上にTEGをアレイ状に並べる。
(5) Step S5
The processing apparatus 101 arranges the TEG designed as described above on the semiconductor device according to the program 150. Here, the processing apparatus 101 arranges TEGs in an array on a semiconductor device.

なお、当該計算機100が半導体装置の製造装置を制御している場合、処理装置101は、当該製造装置に対して、実際に、上記のようにTEGを設計し、半導体装置上にTEGを配置する旨の指示・命令を送る。   When the computer 100 controls a semiconductor device manufacturing apparatus, the processing apparatus 101 actually designs the TEG as described above for the manufacturing apparatus and places the TEG on the semiconductor device. Send instructions / commands to that effect.

<まとめ>
以上説明したように、本発明では、半導体装置において、特性評価素子の電極端子を等ピッチのまま大きさ/形状を不均一にした。
<Summary>
As described above, in the present invention, in the semiconductor device, the size / shape of the electrode terminals of the characteristic evaluation element are made non-uniform while maintaining the same pitch.

本発明によれば、等ピッチに並んだ特性評価素子の境界の視認性が向上し、作業ミスの防止や、マニュアルプロービングによる測定において素子の位置の判断や、配置座標を用いた自動プロービングでのプロービングが正しく行われているかのチェックに手間や時間が掛かるという課題を解決できる。   According to the present invention, the visibility of the boundaries of the characteristic evaluation elements arranged at the same pitch is improved, work errors are prevented, the position of the element is determined in the measurement by manual probing, and the automatic probing using the arrangement coordinates is used. It can solve the problem that it takes time and labor to check whether probing is performed correctly.

以上、本発明の実施形態を詳述してきたが、実際には、上記の実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の変更があっても本発明に含まれる。   As mentioned above, although embodiment of this invention was explained in full detail, actually, it is not restricted to said embodiment, Even if there is a change of the range which does not deviate from the summary of this invention, it is included in this invention.

1… LSIチップ
2… スクライブ領域
3… 評価素子
4a、4b、4c、4d… 電極端子(大きさ/形状が均一)
5… 配線
6… 配線ダミー
7a、7b、7c、7d… 電極端子(大きさ/形状が不均一)
100… 計算機
101… 処理装置
102… 主記憶装置
103… 二次記憶装置
104… 記憶媒体挿入口
105… ネットワークインタフェース
150… プログラム
200… 記憶媒体(メディア)
300… 外部記憶装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... LSI chip 2 ... Scribe area 3 ... Evaluation element 4a, 4b, 4c, 4d ... Electrode terminal (size / shape is uniform)
5 ... Wiring 6 ... Wiring dummy 7a, 7b, 7c, 7d ... Electrode terminal (size / shape is not uniform)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Computer 101 ... Processing apparatus 102 ... Main storage device 103 ... Secondary storage device 104 ... Storage medium insertion port 105 ... Network interface 150 ... Program 200 ... Storage medium (media)
300 ... External storage device

Claims (12)

TEG(Test Element Group)に設けられた評価素子と、
前記TEGに設けられた複数の電極端子と、
前記評価素子と前記複数の電極端子の各々とを電気的に接続する配線と
を具備し、
前記各電極端子は、それぞれ異なる形状で等ピッチに並んでいる
半導体装置。
An evaluation element provided in a TEG (Test Element Group);
A plurality of electrode terminals provided in the TEG;
A wiring for electrically connecting the evaluation element and each of the plurality of electrode terminals;
The respective electrode terminals are arranged in a different shape and at equal pitches. Semiconductor device.
請求項1に記載の半導体装置であって、
前記各電極端子は、それぞれ異なる大きさで等ピッチに並んでいる
半導体装置。
The semiconductor device according to claim 1,
Each of the electrode terminals is arranged in an equal pitch with a different size.
請求項2に記載の半導体装置であって、
前記電極端子の1辺の長さは、40um以上である
半導体装置。
The semiconductor device according to claim 2,
The length of one side of the electrode terminal is 40 μm or more.
請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体装置であって、
前記TEGは、アレイ状に並んでいる
半導体装置。
A semiconductor device according to any one of claims 1 to 3,
The TEGs are arrayed in a semiconductor device.
計算機により実施される半導体装置のレイアウト方法であって、
TEG(Test Element Group)に評価素子を設けることと、
前記TEGに複数の電極端子を設けることと、
前記評価素子と前記複数の電極端子の各々とを電気的に接続する配線を設けることと、
前記各電極端子を、それぞれ異なる形状で等ピッチに並べることと
を含む
半導体装置のレイアウト方法。
A layout method of a semiconductor device implemented by a computer,
Providing an evaluation element in a TEG (Test Element Group);
Providing the TEG with a plurality of electrode terminals;
Providing wiring for electrically connecting the evaluation element and each of the plurality of electrode terminals;
A method of laying out a semiconductor device, comprising arranging the electrode terminals in different shapes and at equal pitches.
請求項5に記載の半導体装置のレイアウト方法であって、
前記各電極端子を、それぞれ異なる大きさで等ピッチに並べること
を更に含む
半導体装置のレイアウト方法。
A semiconductor device layout method according to claim 5, comprising:
The semiconductor device layout method further includes arranging the electrode terminals at different pitches at equal pitches.
請求項6に記載の半導体装置のレイアウト方法であって、
前記電極端子の1辺の長さを、40um以上とすること
を更に含む
半導体装置のレイアウト方法。
A layout method of a semiconductor device according to claim 6,
A layout method of a semiconductor device, further comprising setting the length of one side of the electrode terminal to 40 μm or more.
請求項5乃至7のいずれか一項に記載の半導体装置のレイアウト方法であって、
前記TEGを、アレイ状に並べること
を更に含む
半導体装置のレイアウト方法。
A semiconductor device layout method according to any one of claims 5 to 7,
A semiconductor device layout method further comprising arranging the TEGs in an array.
TEG(Test Element Group)に評価素子を設けるステップと、
前記TEGに複数の電極端子を設けるステップと、
前記評価素子と前記複数の電極端子の各々とを電気的に接続する配線を設けるステップと、
前記各電極端子を、それぞれ異なる形状で等ピッチに並べるステップと
を計算機に実行させるための
プログラム。
Providing an evaluation element in a TEG (Test Element Group);
Providing a plurality of electrode terminals on the TEG;
Providing a wiring for electrically connecting the evaluation element and each of the plurality of electrode terminals;
A program for causing a computer to execute the step of arranging the electrode terminals in different shapes and at equal pitches.
請求項9に記載のプログラムであって、
前記各電極端子を、それぞれ異なる大きさで等ピッチに並べるステップ
を更に計算機に実行させるための
プログラム。
The program according to claim 9, wherein
A program for causing a computer to further execute a step of arranging the respective electrode terminals in different sizes at equal pitches.
請求項10に記載のプログラムであって、
前記電極端子の1辺の長さを、40um以上とするステップ
を更に計算機に実行させるための
プログラム。
The program according to claim 10,
A program for causing a computer to further execute a step of setting the length of one side of the electrode terminal to 40 um or more.
請求項9乃至11のいずれか一項に記載のプログラムであって、
前記TEGを、アレイ状に並べるステップ
を更に計算機に実行させるための
プログラム。
A program according to any one of claims 9 to 11,
A program for causing a computer to further execute the step of arranging the TEGs in an array.
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