JP2011209877A - シリーズレギュレータ - Google Patents

Abstract

【課題】直列に接続した複数のトランジスタの耐圧を確実に分散できるシリーズレギュレータを提供することを課題とする。
【解決手段】複数の出力制御用トランジスタ５ａ，５ｂを直列に接続したシリーズレギュレータ５であって、複数の出力制御用トランジスタ５ａ，５ｂの耐圧を分散させるための分圧を設定する複数の分圧素子５ｅ，５ｇと、複数の出力制御用トランジスタ５ａ，５ｂにそれぞれ設けられ、出力制御用トランジスタ５ａ，５ｂのゲート電圧を制御する分圧制御用トランジスタ５ｊ，５ｋを備えることを特徴とする。
【選択図】図２

Description

本発明は、シリーズレギュレータに関する。

シリーズレギュレータは、負荷に直列にトランジスタが接続され、降圧のみ可能な定電圧直流電源回路である。シリーズレギュレータは、安定性が高く、回路面積が小さく（小型）、低コストであり、省電力の電源回路として様々な装置の電源回路として適用され、例えば、モータを駆動源に持つ車両のインバータに用いられる。車両のインバータにはモータで発生する逆起電力によって非常に高い電圧（例えば、最大で１４００Ｖ程度）が入力される場合があり、この場合にはシリーズレギュレータにはその高電圧がかかる。そのため、シリーズレギュレータのトランジスタとしては、高耐圧用の素子が必須となる。しかし、高耐圧用のトランジスタ素子は、大型でかつ高コストであり、放熱用のヒートシンクなども必要となり、表面実装には不適である。そこで、特許文献１に記載のシリーズレギュレータでは、負荷に２個のトランジスタが直列に接続され、この２個のトランジスタによって耐圧を分散させている。

特開２００７−２５７１０４号公報 特開２００７−１７４７６４号公報 特開平６−１０２７３９号公報 実公平６−７３７４号公報

上記のように耐圧を分散させるために複数のトランジスタを構成した場合、トランジスタがＯＮするスレッシュホールド電圧のばらつきなどによって、複数のトランジスタのＯＮ／ＯＦＦを精度良く制御できず、複数のトランジスタの耐圧を均等に分散できない場合がある。

そこで、本発明は、直列に接続した複数のトランジスタの耐圧を確実に分散できるシリーズレギュレータを提供することを課題とする。

本発明に係るシリーズレギュレータは、複数の出力制御用トランジスタを直列に接続したシリーズレギュレータであって、複数の出力制御用トランジスタの耐圧を分散させるための分圧を設定する複数の分圧素子と、複数の出力制御用トランジスタにそれぞれ設けられ、出力制御用トランジスタのゲート電圧を制御する分圧制御用トランジスタを備えることを特徴とする。

このシリーズレギュレータは、耐圧を分散させるために複数の出力制御用トランジスタが直列に接続されており、この複数のトランジスタによって入力電圧を降圧して負荷に一定の電圧を出力する。特に、シリーズレギュレータでは、複数の分圧素子によって、複数の出力制御用トランジスタに分散させたい各耐圧をそれぞれ設定する。さらに、シリーズレギュレータでは、複数の出力制御用トランジスタに対して分圧制御用トランジスタがそれぞれ設けられ、この分圧制御用トランジスタによって出力制御用トランジスタのゲート電圧を制御する。この分圧制御用トランジスタによるゲート電圧制御によって、出力制御用トランジスタのＯＮ／ＯＦＦ状態を高精度に制御できる。その結果、確実に、複数の出力制御用トランジスタの耐圧を分圧素子による設定に応じて分散させることができる。このように、シリーズレギュレータは、複数の出力制御用トランジスタに対してゲート電圧を制御する分圧制御用トランジスタをそれぞれ設けることにより、直列に接続した複数のトランジスタの耐圧を確実に分散することができる。

本発明の上記シリーズレギュレータでは、分圧素子は、ツェナダイオードとすると好適である。このように、シリーズレギュレータでは、分圧素子をツェナダイオードで構成することにより、シリーズレギュレータにかかる入力電圧が変動しても、分圧抵抗を用いた場合のように分圧電圧が変化しないので、分圧制御がより安定化する。

本発明は、複数の出力制御用トランジスタに対してゲート電圧を制御する分圧制御用トランジスタをそれぞれ設けることにより、直列に接続した複数のトランジスタの耐圧を確実に分散することができる。

本実施の形態に係るインバータの構成図である。 本実施の形態に係るシリーズレギュレータの回路図である。 本実施の形態に係るシリーズレギュレータの他の形態の回路図である。 本実施の形態に係るシリーズレギュレータの他の形態の回路図である。

以下、図面を参照して、本発明に係るシリーズレギュレータの実施の形態を説明する。なお、各図において同一又は相当する要素については同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

本実施の形態では、本発明に係るシリーズレギュレータを、モータを駆動源に持つ車両（例えば、ハイブリッド車両、電気自動車、燃料電池車両）のインバータ内のシリーズレギュレータに適用する。本実施の形態に係るインバータは、モータ駆動時にバッテリの直流電力を三相交流電力に変換してモータに供給する。本実施の形態に係るシリーズレギュレータは、インバータ内に構成され、インバータ内の駆動回路に定電圧を供給する。

図１を参照して、本実施の形態に係るインバータ１について説明する。図１は、本実施の形態に係るインバータの構成図である。なお、図１のインバータでは出力段の上アームと下アームのＩＧＢＴ[Insulated Gate Bipolar Transistor]等についてはモータの１相分のみ示しているが、実際には出力段にモータの３相分の上アームと下アームのＩＧＢＴ等がある。

インバータ１には、システムメインリレーＲ１，Ｒ２を介してバッテリＢに接続されるとともに、モータの各相のコイルＣが接続される。また、インバータ１には、モータ制御、ハイブリッド制御などの上位ＥＣＵ[Electronic Control Unit]（図示せず）が接続され、上位ＥＣＵからの制御信号に応じて動作する。インバータ１は、主に、低電圧コンデンサ２、ＤＣ／ＤＣコンバータ３、高電圧コンデンサ４、シリーズレギュレータ５、駆動回路６、パルストランス７、各相の上アームのＩＧＢＴ８と下アームのＩＧＢＴ９を備えている。

低電圧コンデンサ２は、システムメインリレーＲ１，Ｒ２を介してバッテリＢに並列に接続される。低電圧コンデンサ２では、バッテリＢの低電圧の直流電圧を平滑化し、低電圧の電荷を蓄電する。

ＤＣ／ＤＣコンバータ３は、コイル３ａ、ＩＧＢＴ３ｂ，３ｃ、還流ダイオード３ｄ，３ｅからなる。コイル３ａの一端には、低電圧コンデンサ２の高電圧側が接続される。コイル３ａの他端には、ＩＧＢＴ３ｂとＩＧＢＴ３ｃの接続点が接続される。ＩＧＢＴ３ｂとＩＧＢＴ３ｃとは直列に接続され、ＩＧＢＴ３ｂのコレクタに高電圧コンデンサ４の高電圧側（ＶＨ電位）が接続され、ＩＧＢＴ３ｃのエミッタに高電圧コンデンサ４の低電圧側（Ｎ電位）が接続される。ＩＧＢＴ３ｂ、ＩＧＢＴ３ｃには、還流ダイオード３ｄ，３ｅがそれぞれ逆並列接続される。このような回路構成によって、ＤＣ／ＤＣコンバータ３では、低電圧コンデンサ２の低電圧の直流電力を高電圧の直流電力に変換する。

高電圧コンデンサ４は、ＤＣ／ＤＣコンバータ３に接続される。高電圧コンデンサ４では、ＤＣ／ＤＣコンバータ３で昇圧された直流電圧を平滑化し、高電圧の電荷を蓄電する。シリーズレギュレータ５は、高電圧コンデンサ４が接続されるとともに、駆動回路６が接続される。シリーズレギュレータ５では、高電圧コンデンサ４の高電圧を降圧して駆動回路６に定電圧を出力する。シリーズレギュレータ５については、後で詳細に説明する。

駆動回路６は、シリーズレギュレータ５が接続されるとともに、パルストランス７及び下アームのＩＧＢＴ９のゲートが接続される。駆動回路６では、上アームのＩＧＢＴ８をＯＮ／ＯＦＦするためのパルス駆動電圧をパルストランス７に印加するとともに、下アームのＩＧＢＴ９をＯＮ／ＯＦＦするためのパルス駆動電圧をＩＧＢＴ９のゲートに印加する。パルストランス７は、絶縁用のパルストランスであり、入力側に駆動回路６が接続されるとともに出力側に上アームのＩＧＢＴ８のゲートが接続される。パルストランス７では、絶縁して、駆動回路６からのパルス駆動電圧を１対１でＩＧＢＴ８のゲートに印加する。

ＩＧＢＴ８とＩＧＢＴ９とは、直列に接続され、ＩＧＢＴ８のコレクタにＶＨ電位が接続され、ＩＧＢＴ９のエミッタにＮ電位が接続される。ＩＧＢＴ８のエミッタとＩＧＢＴ９のコレクタの接続点に、モータの各相のコイルＣが接続される。ＩＧＢＴ８、ＩＧＢＴ９には、還流ダイオード８ａ，９ａがそれぞれ逆並列接続される。ＩＧＢＴ８では、ゲートに印加されるパルストランス７からのパルス駆動電圧に応じてＯＮ／ＯＦＦする。ＩＧＢＴ９では、ゲートに印加される駆動回路６からのパルス駆動電圧に応じてＯＮ／ＯＦＦする。

モータを駆動する場合のインバータ１での動作について説明する。システムメインリレーＲ１，Ｒ２がＯＮしている場合、インバータ１には、バッテリＢから低電圧の直流電力が入力される。低電圧コンデンサ２では、そのバッテリＢからの低電圧の直流電力を平滑化し、低電圧の電荷を蓄電する。ＤＣ／ＤＣコンバータ３では、低電圧コンデンサ２の低電圧の直流電力を昇圧する。高電圧コンデンサ４では、その昇圧された高電圧の直流電力を平滑化し、高電圧の電荷を蓄電する。シリーズレギュレータ５では、高電圧コンデンサ４の高電圧の直流電力を降圧し、定電圧（例えば、１５Ｖ程度）の直流電力（低電流）を駆動回路６に供給する。駆動回路６では、その定電圧の直流電力で作動し、モータの各相に対応して上アームのパルス駆動電圧をパルストランス７に印加するとともに下アームのパルス駆動電圧をＩＧＢＴ９のゲートに印加する。パルストランス７では、駆動回路６からのパルス駆動電圧を１対１でＩＧＢＴ８のゲートに印加する。モータの各相に対応した上アームのＩＧＢＴ８ではパルストランス７からのパルス駆動電圧に応じてＯＮ／ＯＦＦするとともに下アームのＩＧＢＴ９では駆動回路６からのパルス駆動電圧に応じてＯＮ／ＯＦＦし、各相のコイルＣに間欠的に電流を流し、三相の交流電力をモータに供給する。

なお、インバータ１のＶＨ電位は、通常時、例えば、６５０Ｖ程度（ＤＣ／ＤＣコンバータ３で昇圧される電圧）である。インバータ１にモータで発生する非常に高い逆起電力が入力された場合、インバータ１のＶＨ電位は、例えば、最大で１４００Ｖ程度になる。

図２を参照して、シリーズレギュレータ５について詳細に説明する。図２は、本実施の形態に係るシリーズレギュレータの回路図である。

シリーズレギュレータ５は、駆動回路６に直列に接続される出力制御用のトランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ[Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor]）を備えている。シリーズレギュレータ５には、上記したようにモータで発生する逆起電力によって高電圧がかかる場合がある。そこで、シリーズレギュレータ５では、出力制御用のＭＯＳＦＥＴの耐圧を分散するために、出力制御用のＭＯＳＦＥＴを直列に２段で構成するとともに、２個のＭＯＳＦＥＴのゲート電圧を操舵する分圧制御用トランジスタを設ける。

シリーズレギュレータ５は、出力制御用の２個のＭＯＳＦＥＴ５ａ，５ｂ、抵抗５ｃ、電圧安定化用のコンデンサ５ｄ、分圧設定用の４個の抵抗５ｅ，５ｆ，５ｇ，５ｈ、定電圧設定用のツェナダイオード５ｉ、分圧制御用の２個のｎｐｎ型のバイポーラトランジスタ５ｊ，５ｋを備えている。なお、本実施の形態では、ＭＯＳＦＥＴ５ａ，５ｂが特許請求の範囲に記載する出力制御用トランジスタに相当し、抵抗５ｅ，５ｇが特許請求の範囲に記載する分圧素子に相当し、バイポーラトランジスタ５ｊ，５ｋが特許請求の範囲に記載する分圧制御用トランジスタに相当する。

出力制御用のＭＯＳＦＥＴ５ａのドレインには、抵抗５ｃの一端が接続される。抵抗５ｃの他端には、ＶＨ電位が接続される。ＭＯＳＦＥＴ５ａのソースには、ＭＯＳＦＥＴ５ｂのドレインが接続される。ＭＯＳＦＥＴ５ｂのソースには、コンデンサ５ｄの一端が接続されるとともに、駆動回路６が接続される。コンデンサ５ｄの他端には、Ｎ電位が接続される。このように、出力側は、抵抗５ｃ、ＭＯＳＦＥＴ５ａ、ＭＯＳＦＥＴ５ｂ、コンデンサ５ｄが直列に接続されている。

抵抗５ｅの一端には、ＶＨ電位（高電圧コンデンサ４の高電圧側）が接続される。抵抗５ｅの他端には、抵抗５ｆの一端が接続されるとともに、ＭＯＳＦＥＴ５ａのゲートが接続される。抵抗５ｆの他端には、抵抗５ｇの一端が接続される。抵抗５ｇの他端には、抵抗５ｈの一端が接続されるとともに、ＭＯＳＦＥＴ５ｂのゲートが接続される。抵抗５ｈの他端には、ツェナダイオード５ｉのカソードが接続される。ツェナダイオード５ｉのアノードには、Ｎ電位（高電圧コンデンサ４の低電圧側）が接続される。このように、入力側は、抵抗５ｅ，５ｆ，５ｇ，５ｈ、ツェナダイオード５ｉが直列に接続されている。

抵抗５ｆ，５ｈにはＭＯＳＦＥＴ５ａ，５ｂのスレッシュホールド電圧が印加されるだけなので分圧には大きく寄与せず、抵抗５ｅ，５ｇが主に分圧に寄与する。したがって、ＭＯＳＦＥＴ５ａとＭＯＳＦＥＴ５ｂとを同じ耐圧とするために、少なくとも抵抗５ｅと抵抗５ｇの抵抗値を同じ値とする。例えば、抵抗５ｅと抵抗５ｇを４００ｋオームとし、抵抗５ｆと抵抗５ｈを２００ｋオームとする。また、シリーズレギュレータ５で出力する定電圧を１５Ｖ程度とするために、ツェナダイオード５ｉのツェナ電圧を１４．３Ｖ程度とする。

分圧制御用のバイポーラトランジスタ５ｊは、コレクタにＭＯＳＦＥＴ５ａのゲートが接続され、エミッタに抵抗５ｆと抵抗５ｇの接続点が接続され、ベースにＭＯＳＦＥＴ５ａとＭＯＳＦＥＴ５ｂの接続点が接続される。また、分圧制御用のバイポーラトランジスタ５ｋは、コレクタにＭＯＳＦＥＴ５ｂのゲートが接続され、エミッタに抵抗５ｈとツェナダイオード５ｉの接続点が接続され、ベースにＭＯＳＦＥＴ５ｂとコンデンサ５ｄの接続点が接続される。

シリーズレギュレータ５についての回路動作について説明する。２個のＭＯＳＦＥＴ５ａ，５ｂは、ゲート電圧にスレッシュホールド電圧以上の電圧が印加されており、ＯＮしている状態とする。この状態で、ＭＯＳＦＥＴ５ｂのソース電位がツェナダイオード５ｉのツェナ電圧＋０．７Ｖ以上になると（駆動回路６へ出力する定電圧に相当）、バイポーラトランジスタ５ｋでは、ベース電圧がスレッシュホールド電圧以上とってＯＮし、コレクタからエミッタに電流が流れる。そのため、ＭＯＳＦＥＴ５ｂでは、ゲート電圧が低下し、アナログ的に限りなくＯＦＦに近い状態になる（ドレイン−ソース間に微量ながら電流が流れる状態）。ＭＯＳＦＥＴ５ｂがほぼＯＦＦ状態になると、ＭＯＳＦＥＴ５ｂのドレイン−ソース電圧が上昇する。

ＭＯＳＦＥＴ５ｂのドレイン−ソース電圧が上昇し、ＭＯＳＦＥＴ５ｂのドレイン電位（＝ＭＯＳＦＥＴ５ａのソース電位）が抵抗５ｇの高電圧側の電位＋０．７Ｖ以上になると、バイポーラトランジスタ５ｊでは、ベース電圧がスレッシュホールド電圧以上となってＯＮし、コレクタからエミッタに電流が流れる。そのため、ＭＯＳＦＥＴ５ａは、ゲート電圧が低下し、アナログ的に限りなくＯＦＦに近い状態になる。ＭＯＳＦＥＴ５ａがほぼＯＦＦ状態になると、ＭＯＳＦＥＴ５ａのドレイン−ソース電圧が上昇する。

このとき、２個のＭＯＳＦＥＴ５ａ，５ｂのドレイン−ソース間の各電圧は、（（ＶＨ電圧―抵抗５ｆでの電圧−抵抗５ｈでの電圧−ツェナダイオード５ｉのツェナ電圧）÷２）程度の電圧となる。抵抗５ｆには、ＭＯＳＦＥＴ５ａのスレッシュホールド電圧程度の電圧（５Ｖ程度）だけが印加される。また、抵抗５ｈには、ＭＯＳＦＥＴ５ｂのスレッシュホールド電圧程度の電圧だけが印加される。したがって、２個のＭＯＳＦＥＴ５ａ，５ｂの耐圧としては、ＶＨ電圧の最大電圧（例えば、１４００Ｖ程度）の１／２の電圧＋αの耐圧で十分である。ちなみに、抵抗５ｅ，５ｇは純抵抗であり、この抵抗５ｅ，５ｇによって安定的に分圧した設定値が、ＭＯＳＦＥＴ５ａ，５ｂの耐圧となる。

このシリーズレギュレータ５によれば、出力制御用の２個のＭＯＳＦＥＴ５ａ，５ｂを直列に接続し、この２個のＭＯＳＦＥＴ５ａ，５ｂに対してゲート電圧を制御する分圧制御用のバイポーラトランジスタ５ｊ，５ｋをそれぞれ設けることにより、確実に２個のＭＯＳＦＥＴ５ａ，５ｂの耐圧を均等に分散することができる。これによって、ＭＯＳＦＥＴ５ａ，５ｂの耐圧をＶＨ電圧の最大電圧の１／２＋α程度の低い耐圧とすることができ、ＭＯＳＦＥＴ５ａ，５ｂとして表面実装分部品のラインナップが豊富なＭＯＳＦＥＴを使用でき、ＭＯＳＦＥＴ５ａ，５ｂを小型化できる。また、２個のＭＯＳＦＥＴ５ａ，５ｂに熱も分散するので、放熱用のヒートシンクを小型化あるいは無くすことができる。その結果、シリーズレギュレータ５も小型化でき、コストも低減できる。

図３には、出力制御用のＭＯＳＦＥＴを３段で構成した形態のシリーズレギュレータ１０を示している。シリーズレギュレータ１０は、出力制御用のＭＯＳＦＥＴを直列に３段で構成するとともに、３個のＭＯＳＦＥＴのゲート電圧を分圧制御用トランジスタでそれぞれ操作する。そのために、シリーズレギュレータ１０は、出力制御用の３個のＭＯＳＦＥＴ１０ａ，１０ｂ，１０ｃ、抵抗１０ｄ、電圧安定化用のコンデンサ１０ｅ、分圧設定用の６個の抵抗１０ｆ，１０ｇ，１０ｈ，１０ｉ，１０ｊ，１０ｋ、定電圧設定用のツェナダイオード１０ｌ、分圧制御用の３個のｎｐｎ型のバイポーラトランジスタ１０ｍ，１０ｎ，１０ｏを備えている。シリーズレギュレータ１０では、上記のシリーズレギュレータ５の２段の構成を３段の構成にしただけなので、各素子の接続及び回路動作については説明を省略する。このシリーズレギュレータ１０によれば、確実に３個のＭＯＳＦＥＴ１０ａ，１０ｂ，１０ｃの耐圧を均等に分散することができ、ＭＯＳＦＥＴ１０ａ，１０ｂ，１０ｃの耐圧をＶＨ電圧の最大電圧の１／３＋α程度の低い耐圧とすることができ、より小型化できる。

図４には、出力制御用のＭＯＳＦＥＴを３段で構成し、分圧設定用の素子をツェナダイオードとした形態のシリーズレギュレータ１１を示している。シリーズレギュレータ１１は、上記のシリーズレギュレータ１０の分圧設定用素子として抵抗の代わりにツェナダイオードを用いている。そのために、シリーズレギュレータ１１は、出力制御用の３個のＭＯＳＦＥＴ１１ａ，１１ｂ，１１ｃ、抵抗１１ｄ、電圧安定化用のコンデンサ１１ｅ、分圧設定用の３個のツェナダイオード１１ｆ，１１ｈ，１１ｊ、抵抗１１ｇ，１１ｉ，１１ｋ、定電圧設定用のツェナダイオード１１ｌ、分圧制御用の３個のｎｐｎ型のバイポーラトランジスタ１１ｍ，１１ｎ，１１ｏを備えている。シリーズレギュレータ１１では、上記の３段のシリーズレギュレータ１０の分圧設定用の抵抗１０ｆ，１０ｈ，１０ｉに代わってツェナダイオード１１ｆ，１１ｈ，１１ｊを用いる点だけが異なる。このツェナダイオード１１ｆ，１１ｈ，１１ｊのツェナ電圧は、同じ電圧値とする。このシリーズレギュレータ１１によれば、上記のシリーズレギュレータ１０と同様の効果を有する上に、分圧設定用素子として定電圧のツェナダイオード１１ｆ，１１ｈ，１１ｊを適用しているので、ＶＨ電圧が変動しても、分圧設定用素子として抵抗を用いた場合のように分圧電圧が変化しないので、分圧制御がより安定化する。

以上、本発明に係る実施の形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されることなく様々な形態で実施される。

例えば、本実施の形態では駆動源としてモータを有する車両のインバータのシリーズレギュレータに適用したが、他の用途にも適用可能である。特に、高電圧が入力されるシリーズレギュレータに好適である。

また、本実施の形態ではシリーズレギュレータの出力制御用のトランジスタにＭＯＳＦＥＴを適用したが、他のトランジスタでもよい。また、分圧制御用のトランジスタにｎｐｎ型のバイポーラトランジスタを適用したが、ｐｎｐ型のバイポーラトランジスタなどの他のトランジスタでもよい。

また、本実施の形態では分圧設定用の複数の素子の抵抗値やツェナ電圧を同じ値とし、複数のＭＯＳＦＥＴの耐圧を同じ値としたが、分圧設定用の複数の素子の抵抗値やツェナ電圧を異なる値とし、複数のＭＯＳＦＥＴの耐圧を異なる値としてもよい。

また、本実施の形態では出力制御用のトランジスタ及び分圧制御用のトランジスタを２段又は３段で構成したが、シリーズレギュレータにより高い高電圧が入力される場合や出力制御用のトランジスタの耐圧を更に下げた場合には４段以上で構成してもよい。

１…インバータ、２…低電圧コンデンサ、３…ＤＣ／ＤＣコンバータ、３ａ…コイル、３ｂ，３ｃ…ＩＧＢＴ、３ｄ，３ｅ…還流ダイオード、４…高電圧コンデンサ、５，１０，１１…シリーズレギュレータ、５ａ，５ｂ，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１１ａ，１１ｂ，１１ｃ…ＭＯＳＦＥＴ、５ｃ，５ｅ，５ｆ，５ｇ，５ｈ，１０ｄ，１０ｆ，１０ｇ，１０ｈ，１０ｉ，１０ｊ，１０ｋ，１１ｄ，１１ｇ，１１ｉ，１１ｋ…抵抗、５ｄ，１０ｅ，１１ｅ…コンデンサ、５ｉ，１０ｌ，１１ｆ，１１ｈ，１１ｊ，１１ｌ…ツェナダイオード、５ｊ，５ｋ，１０ｍ，１０ｎ，１０ｏ，１１ｍ，１１ｎ，１１ｏ…バイポーラトランジスタ、６…駆動回路、７…パルストランス、８，９…ＩＧＢＴ、８ａ，９ａ…還流ダイオード。

Claims (2)

1. 複数の出力制御用トランジスタを直列に接続したシリーズレギュレータであって、
   前記複数の出力制御用トランジスタの耐圧を分散させるための分圧を設定する複数の分圧素子と、
   前記複数の出力制御用トランジスタにそれぞれ設けられ、前記出力制御用トランジスタのゲート電圧を制御する分圧制御用トランジスタ
   を備えることを特徴とするシリーズレギュレータ。
2. 前記分圧素子は、ツェナダイオードであることを特徴とする請求項１に記載のシリーズレギュレータ。

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