JP2011204993A - 双方向スイッチ素子及びそれを用いた双方向スイッチ回路 - Google Patents
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- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 title claims abstract description 80
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 106
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 25
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
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- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
- H01L29/7787—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT with wide bandgap charge-carrier supplying layer, e.g. direct single heterostructure MODFET
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- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0605—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits made of compound material, e.g. AIIIBV
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
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Abstract
【解決手段】双方向スイッチ素子は、窒化物半導体からなる半導体層積層体203と、半導体層積層体203の上に形成された第1のオーミック電極211及び第2のオーミック電極212と、第1のゲート電極217及び第2のゲート電極218とを備えている。第1のゲート電極217は、第1のオーミック電極211と電位が実質的に等しい第1のシールド電極221に覆われている。第2のゲート電極218は、第2のオーミック電極212と電位が実質的に等しい第2のシールド電極222に覆われている。第1のシールド電極221の端部は、第1のゲート電極217よりも第2のゲート電極218側に位置し、第2のシールド電極222の端部は、第2のゲート電極218よりも第1のゲート電極217側に位置している。
【選択図】図3
Description
図3は一実施形態に係る双方向スイッチ素子の断面構成を示している。図3に示すように、シリコン(Si)からなる導電性の基板201の上に窒化アルミニウム(AlN)からなる厚さが100nmのバッファ層202を介在させて、半導体層積層体203が形成されている。半導体層積層体203は、厚さが2μmのアンドープの窒化ガリウム(GaN)からなる第1の層205と、厚さが20nmのアンドープの窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)からなる第2の層206とが下側から順次積層されている。
102A 第1のゲート駆動回路
102B 第2のゲート駆動回路
103A 第1の電源
103B 第2の電源
201 基板
202 バッファ層
203 半導体層積層体
205 第1の層
206 第2の層
208 第1の絶縁層
209 第2の絶縁層
211 第1のオーミック電極
212 第2のオーミック電極
215 第1のp型窒化物半導体層
216 第2のp型窒化物半導体層
217 第1のゲート電極
218 第2のゲート電極
221 第1のシールド電極
221A 第1の金属層
221B 第2の金属層
222 第2のシールド電極
222A 第3の金属層
222B 第4の金属層
251 第1の絶縁層
252 第2の絶縁層
253 第3の絶縁層
301 双方向スイッチ素子
302A 第1のゲート駆動回路
302B 第2のゲート駆動回路
303A 第1の電源
303B 第2の電源
305 電源
306 負荷
Claims (7)
- 基板の上に形成された窒化物半導体からなる半導体層積層体と、
前記半導体層積層体の上に互いに間隔をおいて形成された第1のオーミック電極及び第2のオーミック電極と、
前記第1のオーミック電極と前記第2のオーミック電極との間に、前記第1のオーミック電極側から互いに間隔をおいて順次形成された第1のゲート電極及び第2のゲート電極と、
前記半導体層積層体の上に形成され、前記第1のゲート電極及び第2のゲート電極を覆う第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層の上に形成され、前記第1のオーミック電極と電位が等しく且つ前記第1のゲート電極の上を覆う第1のシールド電極と、
前記第1の絶縁層の上に形成され、前記第2のオーミック電極と電位が等しく且つ前記第2のゲート電極の上を覆う第2のシールド電極とを備え、
前記第1のシールド電極の端部は、前記第1のゲート電極よりも前記第2のゲート電極側に位置し、
前記第2のシールド電極の端部は、前記第2のゲート電極よりも前記第1のゲート電極側に位置していることを特徴とする双方向スイッチ素子。 - 前記第1のシールド電極の前記第1のゲート電極よりも前記第2のゲート電極側の位置における、前記第1のシールド電極と前記半導体層積層体との最小の間隔は、前記半導体層積層体の上面と前記第1のゲート電極の上面との間隔よりも小さく、
前記第2のシールド電極の前記第2のゲート電極よりも前記第1のゲート電極側の位置における、前記第2のシールド電極と前記半導体層積層体との最小の間隔は、前記半導体層積層体の上面と前記第2のゲート電極の上面との間隔よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の双方向スイッチ素子。 - 前記第1のシールド電極と前記半導体層積層体との最小の間隔は、前記第1のゲート電極と前記第1のシールド電極との最小の間隔よりも狭く、
前記第2のシールド電極と前記半導体層積層体との最小の間隔は、前記第2のゲート電極と前記第2のシールド電極との最小の間隔よりも狭いことを特徴とする請求項2に記載の双方向スイッチ素子。 - 前記第1の絶縁層の上に形成され、前記第1の絶縁層よりも膜厚が厚い第2の絶縁層をさらに備え、
前記第1の絶縁層における前記第1のゲート電極と前記第2のゲート電極との間の部分は、その上面の位置が前記第1のゲート電極の上面及び前記第2のゲート電極の上面の位置よりも下側であり、
前記第1のシールド電極は、
前記第1のゲート電極よりも前記第2のゲート電極側において、前記第1の絶縁層の上に形成され且つ前記第2の絶縁層に覆われた第1の金属層と、
前記第2の絶縁層の上に形成され、前記第2の絶縁層に形成された開口部において前記第1の金属層と接続された第2の金属層とを有し、
前記第2のシールド電極は、
前記第2のゲート電極よりも前記第1のゲート電極側において、前記第1の絶縁層の上に形成され且つ前記第2の絶縁層に覆われた第3の金属層と、
前記第2の絶縁層の上に形成され、前記第2の絶縁層に形成された開口部において前記第3の金属層と接続された第4の金属層とを有していることを特徴とする請求項3に記載の双方向スイッチ素子。 - 前記第1のゲート電極と前記半導体層積層体との間に形成された第1のp型窒化物半導体層及び前記第2のゲート電極と前記半導体層積層体との間に形成された第2のp型窒化物半導体層をさらに備えていることを特徴とする請求項2に記載の双方向スイッチ素子。
- 前記第1のシールド電極の前記第1のゲート電極よりも前記第2のゲート電極側の位置における、前記第1のシールド電極と前記半導体層積層体との最小の間隔は、前記半導体層積層体の上面と前記第1のp型窒化物半導体層の上面との間隔よりも小さく、
前記第2のシールド電極の前記第2のゲート電極よりも前記第1のゲート電極側の位置における、前記第2のシールド電極と前記半導体層積層体との最小の間隔は、前記半導体層積層体の上面と前記第2のp型窒化物半導体層の上面との間隔よりも小さいことを特徴とする請求項5に記載の双方向スイッチ素子。 - 請求項1〜6のいずれか1項に記載の双方向スイッチ素子と、
前記第1のゲート電極と第1のゲート抵抗を介して接続された第1のゲート駆動回路と、
前記第2のゲート電極と第2のゲート抵抗を介して接続された第2のゲート駆動回路とを備えていることを特徴とする双方向スイッチ回路。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010072520A JP5666157B2 (ja) | 2010-03-26 | 2010-03-26 | 双方向スイッチ素子及びそれを用いた双方向スイッチ回路 |
CN2010800656805A CN102822982A (zh) | 2010-03-26 | 2010-12-14 | 双向开关元件及使用该双向开关元件的双向开关电路 |
PCT/JP2010/007252 WO2011117948A1 (ja) | 2010-03-26 | 2010-12-14 | 双方向スイッチ素子及びそれを用いた双方向スイッチ回路 |
US13/613,724 US8742467B2 (en) | 2010-03-26 | 2012-09-13 | Bidirectional switching device and bidirectional switching circuit using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010072520A JP5666157B2 (ja) | 2010-03-26 | 2010-03-26 | 双方向スイッチ素子及びそれを用いた双方向スイッチ回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011204993A true JP2011204993A (ja) | 2011-10-13 |
JP5666157B2 JP5666157B2 (ja) | 2015-02-12 |
Family
ID=44672545
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010072520A Active JP5666157B2 (ja) | 2010-03-26 | 2010-03-26 | 双方向スイッチ素子及びそれを用いた双方向スイッチ回路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8742467B2 (ja) |
JP (1) | JP5666157B2 (ja) |
CN (1) | CN102822982A (ja) |
WO (1) | WO2011117948A1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013175726A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-05 | Efficient Power Conversion Corp | ゲートスペーサを備えたエンハンスメントモードGaNHEMTデバイス、及びその製造方法 |
WO2016151905A1 (ja) * | 2015-03-25 | 2016-09-29 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体装置 |
JP2017212425A (ja) * | 2016-05-24 | 2017-11-30 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
WO2018181198A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | パナソニック株式会社 | 双方向スイッチ及びそれを備える双方向スイッチ装置 |
US11595038B2 (en) | 2018-06-29 | 2023-02-28 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Control system, switch system, power converter, method for controlling bidirectional switch element, and program |
US11605715B2 (en) | 2018-06-29 | 2023-03-14 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Bidirectional switch element |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5556726B2 (ja) * | 2011-04-04 | 2014-07-23 | サンケン電気株式会社 | スイッチング回路 |
US8970998B2 (en) * | 2012-12-31 | 2015-03-03 | Win Semiconductors Corp. | Compound semiconductor ESD protection devices |
US9818854B2 (en) * | 2015-04-30 | 2017-11-14 | Semiconductor Components Industries, Llc | Electronic device including a bidirectional HEMT |
CN105845739A (zh) * | 2016-05-17 | 2016-08-10 | 天津理工大学 | 一种二维纳米片层过渡金属硫化物双向开关器件 |
US20180076310A1 (en) * | 2016-08-23 | 2018-03-15 | David Sheridan | Asymmetrical blocking bidirectional gallium nitride switch |
CN116913954A (zh) * | 2021-09-30 | 2023-10-20 | 湖南三安半导体有限责任公司 | 氮化镓双向开关器件 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0485956A (ja) * | 1990-07-30 | 1992-03-18 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体双方向スイッチ |
JP2003297854A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Fujitsu Quantum Devices Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006222393A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Fujitsu Ltd | 電界効果型トランジスタとその製造方法 |
JP2006310769A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-11-09 | Internatl Rectifier Corp | Iii族窒化物一体化ショットキおよび電力素子 |
JP2007180143A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Toshiba Corp | 窒化物半導体素子 |
JP2007526633A (ja) * | 2004-02-12 | 2007-09-13 | インターナショナル レクティファイアー コーポレイション | Iii族窒化膜双方向スイッチ |
JP2008016682A (ja) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | Sharp Corp | 半導体スイッチング素子および半導体回路装置 |
JP2008533717A (ja) * | 2005-03-11 | 2008-08-21 | クリー インコーポレイテッド | ゲート−ソースフィールドプレートを含むワイドバンドギャップトランジスタ |
WO2009036266A2 (en) * | 2007-09-12 | 2009-03-19 | Transphorm Inc. | Iii-nitride bidirectional switches |
JP2010004588A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Panasonic Corp | 双方向スイッチのゲート駆動方法およびそれを用いた電力変換装置 |
JP2010057263A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Panasonic Corp | ゲート駆動回路 |
JP2010068606A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Panasonic Corp | 単相−三相マトリックスコンバータ |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7382001B2 (en) * | 2004-01-23 | 2008-06-03 | International Rectifier Corporation | Enhancement mode III-nitride FET |
JP4968068B2 (ja) * | 2005-06-10 | 2012-07-04 | 日本電気株式会社 | 電界効果トランジスタ |
US8203376B2 (en) * | 2006-11-20 | 2012-06-19 | Panasonic Corporation | Semiconductor device and method for driving the same |
US8212290B2 (en) * | 2007-03-23 | 2012-07-03 | Cree, Inc. | High temperature performance capable gallium nitride transistor |
US7985986B2 (en) * | 2008-07-31 | 2011-07-26 | Cree, Inc. | Normally-off semiconductor devices |
JP2010068609A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Citizen Sayama Co Ltd | コアレスモータ |
JP5608322B2 (ja) * | 2008-10-21 | 2014-10-15 | パナソニック株式会社 | 双方向スイッチ |
JPWO2011064955A1 (ja) * | 2009-11-30 | 2013-04-11 | パナソニック株式会社 | 双方向スイッチ |
US20120175679A1 (en) * | 2011-01-10 | 2012-07-12 | Fabio Alessio Marino | Single structure cascode device |
-
2010
- 2010-03-26 JP JP2010072520A patent/JP5666157B2/ja active Active
- 2010-12-14 CN CN2010800656805A patent/CN102822982A/zh active Pending
- 2010-12-14 WO PCT/JP2010/007252 patent/WO2011117948A1/ja active Application Filing
-
2012
- 2012-09-13 US US13/613,724 patent/US8742467B2/en active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0485956A (ja) * | 1990-07-30 | 1992-03-18 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体双方向スイッチ |
JP2003297854A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Fujitsu Quantum Devices Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007526633A (ja) * | 2004-02-12 | 2007-09-13 | インターナショナル レクティファイアー コーポレイション | Iii族窒化膜双方向スイッチ |
JP2006310769A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-11-09 | Internatl Rectifier Corp | Iii族窒化物一体化ショットキおよび電力素子 |
JP2006222393A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Fujitsu Ltd | 電界効果型トランジスタとその製造方法 |
JP2008533717A (ja) * | 2005-03-11 | 2008-08-21 | クリー インコーポレイテッド | ゲート−ソースフィールドプレートを含むワイドバンドギャップトランジスタ |
JP2007180143A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Toshiba Corp | 窒化物半導体素子 |
JP2008016682A (ja) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | Sharp Corp | 半導体スイッチング素子および半導体回路装置 |
WO2009036266A2 (en) * | 2007-09-12 | 2009-03-19 | Transphorm Inc. | Iii-nitride bidirectional switches |
JP2010004588A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Panasonic Corp | 双方向スイッチのゲート駆動方法およびそれを用いた電力変換装置 |
JP2010057263A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Panasonic Corp | ゲート駆動回路 |
JP2010068606A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Panasonic Corp | 単相−三相マトリックスコンバータ |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013175726A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-05 | Efficient Power Conversion Corp | ゲートスペーサを備えたエンハンスメントモードGaNHEMTデバイス、及びその製造方法 |
WO2016151905A1 (ja) * | 2015-03-25 | 2016-09-29 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体装置 |
JP2017212425A (ja) * | 2016-05-24 | 2017-11-30 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
WO2018181198A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | パナソニック株式会社 | 双方向スイッチ及びそれを備える双方向スイッチ装置 |
US11062981B2 (en) | 2017-03-31 | 2021-07-13 | Panasonic Corporation | Bidirectional switch and bidirectional switch device including the switch |
US11595038B2 (en) | 2018-06-29 | 2023-02-28 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Control system, switch system, power converter, method for controlling bidirectional switch element, and program |
US11605715B2 (en) | 2018-06-29 | 2023-03-14 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Bidirectional switch element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102822982A (zh) | 2012-12-12 |
US8742467B2 (en) | 2014-06-03 |
JP5666157B2 (ja) | 2015-02-12 |
WO2011117948A1 (ja) | 2011-09-29 |
US20130009676A1 (en) | 2013-01-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120709 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20120718 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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