JP2011204967A - 半導体ナノ複合構造薄膜材料およびその製造方法 - Google Patents
半導体ナノ複合構造薄膜材料およびその製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】半導体ナノ複合構造薄膜材料(1)は、一般式(Pb50−xZnx)M50(ただし、26≦x<50、M:S、SeおよびTeの一種または二種、各元素の添字は原子比率を示す)で表され、半導体ナノスケール粒子(2)としてのPbM相がマトリクス(3)としてのZnM相中に均一に分散した複合構造を有する。この薄膜材料は、熱平衡状態に近い環境が実現される気相成膜手法により、上記一般式で表される化合物組成の熱力学的相分離機能を利用して成膜される。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の一実施形態に係る半導体ナノ複合構造薄膜材料の構造を示す概念図である。図示するように、半導体ナノ複合構造薄膜材料1は、半導体ナノスケール粒子2がマトリクス3中に分散した構造を有している。
ここでは、熱力学的相分離機能を有する上記一般式(Pb50−xZnx)M50(ただし、26≦x<50、M:S、SeおよびTeの一種または二種、各元素の添字は原子比率を示す)で表される組成、または一般式(Pb50−xZnx)Se50(ただし、30≦x≦45、各元素の添字は原子比率を示す)で表される化合物組成の薄膜材料を形成するに際し、蒸発原料としてPbM(あるいはPbSe)およびZnM(あるいはZnSe)を用い、上記化合物組成の熱力学的相分離機能を利用して気相成膜を行う。具体的には蒸発原料を熱平衡状態に近い状態に保持して熱平衡論的に相分離するような気相成膜手法を用いる。
2;半導体ナノスケール粒子
3;マトリクス
11;基板
12;導管
13;ヒータ
14;蒸発源(ZnSe)
15;蒸発源(PbSe)
Claims (6)
- 一般式(Pb50−xZnx)M50
(ただし、26≦x<50、M:S、SeおよびTeの一種または二種、各元素の添字は原子比率を示す)で表され、半導体ナノスケール粒子としてのPbM相がマトリクスとしてのZnM相中に、均一に分散した複合構造を有することを特徴とする半導体ナノ複合構造薄膜材料。 - 一般式(Pb50−xZnx)Se50
(ただし、30≦x≦45、各元素の添字は原子比率を示す)で表され、半導体ナノスケール粒子としてのPbSe相がマトリクスとしてのZnSe相中に均一に分散した複合構造を有することを特徴とする半導体ナノ複合構造薄膜材料。 - 前記一般式で表される化合物組成の熱力学的相分離機能を利用して気相成膜されたものであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体ナノ複合構造薄膜材料。
- 一般式(Pb50−xZnx)M50
(ただし、26≦x<50、M:S、SeおよびTeの一種または二種、各元素の添字は原子比率を示す)で表され、半導体ナノスケール粒子としてのPbM相がマトリクスとしてのZnM相中に、均一に分散した複合構造を有する半導体ナノ複合構造薄膜材料の製造方法であって、
蒸発原料としてPbMおよびZnMを用い、上記一般式で表される化合物組成の熱力学的相分離機能を利用して気相成膜することを特徴とする半導体ナノ複合構造薄膜材料の製造方法。 - 一般式(Pb50−xZnx)Se50
(ただし、30≦x≦45、各元素の添字は原子比率を示す)で表され、半導体ナノスケール粒子としてのPbSe相がマトリクスとしてのZnSe相中に均一に分散した複合構造を有する半導体ナノ複合構造薄膜材料の製造方法であって、
蒸発原料としてPbSeおよびZnSeを用い、上記一般式で表される化合物組成の熱力学的相分離機能を利用して気相成膜することを特徴とする半導体ナノ複合構造薄膜材料の製造方法。 - 前記気相成膜する際の手法が、前記一般式で表される化合物が熱平衡論的に相分離するようなものであることを特徴とする請求項4または請求項5に記載の半導体ナノ複合構造薄膜材料の製造方法。
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JP2004055969A (ja) * | 2002-07-23 | 2004-02-19 | Mitsumasa Koyanagi | 不揮発性半導体記憶素子および製造方法 |
WO2004097849A1 (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-11 | Hoya Corporation | 電極材料および半導体素子 |
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